JP7099172B2 - How to operate the washing water manufacturing system for electronic parts and the washing water manufacturing system for electronic parts - Google Patents
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Description
本発明は、半導体、液晶、有機EL等の電子部品の製造工程において用いられる電子部品用洗浄水製造システム及び電子部品用洗浄水製造システムの運転方法に関する。 The present invention relates to an operation method of a washing water manufacturing system for electronic parts and a washing water manufacturing system for electronic parts used in a manufacturing process of electronic parts such as semiconductors, liquid crystals, and organic EL.
半導体、液晶、有機EL等の電子部品の製造工程においては、半導体基板の材料となるシリコンウエハやフラットパネルディスプレイ用のガラス基板等に付着したパーティクルや有機物等を除去するための洗浄が極めて重要である。シリコンウエハ等の洗浄方法としては、従来、原料水としての超純水にアンモニア等の導電性付与物質や過酸化水素等の酸化還元電位調整物質又は水素ガス等を溶解させた溶解水が使用されている。例えば、特許文献1には、密閉系で純水又は超純水に水素を溶解する水素溶解装置を備え、該装置により得られた水素溶解水を用いて半導体デバイスの洗浄、浸漬を行う製造装置が開示されている。また、特許文献2には、超純水に二酸化炭素やアンモニア等の導電性付与物質を溶解させた導電性水溶液を製造するにあたり、濃度の安定した導電性水溶液を製造することができる導電性水溶液製造装置が開示されている。
In the manufacturing process of electronic components such as semiconductors, liquid crystals, and organic EL, cleaning to remove particles and organic substances adhering to silicon wafers and glass substrates for flat panel displays, which are materials for semiconductor substrates, is extremely important. be. As a method for cleaning silicon wafers and the like, conventionally, dissolved water in which a conductivity-imparting substance such as ammonia, a redox potential adjusting substance such as hydrogen peroxide, or hydrogen gas is dissolved in ultrapure water as raw material water is used. ing. For example,
製造された洗浄水は、洗浄水の製造装置からシリコンウエハ等の製造工場の複数のユースポイントに移送され、ウエハ処理に使用される。しかしながら、図3に示すような従来の電子部品用洗浄水の製造装置では、ウエハ処理をしていないときでも洗浄水を製造しユースポイントへ移送し続けているのが通常である。そのため、添加する導電性付与物質等が大量に消費され、かつ膨大な量の廃液が生じてしまうという問題がある。 The manufactured wash water is transferred from the wash water manufacturing apparatus to a plurality of use points in a manufacturing plant for silicon wafers and the like, and is used for wafer processing. However, in the conventional washing water manufacturing apparatus for electronic parts as shown in FIG. 3, it is usual that the washing water is manufactured and continuously transferred to the use point even when the wafer is not processed. Therefore, there is a problem that a large amount of the conductivity-imparting substance or the like to be added is consumed and a huge amount of waste liquid is generated.
上記問題を解決するために、ウエハ処理をしているときにのみ洗浄水を製造するという方法が考えられる。しかしながら、ウエハ処理をしているときにのみ洗浄水を製造してユースポイントへ移送することとした場合、洗浄水を設定条件で安定させるまでに数分から数十分の時間が必要となるため、その間にユースポイントへ移送された洗浄水はすべて廃棄されることになり、ウエハ処理をしていないときでもユースポイントへ洗浄水を移送し続ける場合ほどではないにしても、大量の廃液が生じてしまう。 In order to solve the above problem, a method of producing wash water only during wafer processing can be considered. However, if it is decided to manufacture the wash water and transfer it to the point of use only during wafer processing, it will take several minutes to several tens of minutes to stabilize the wash water under the set conditions. In the meantime, all the wash water transferred to the use point will be discarded, and a large amount of waste liquid will be generated even when the wafer is not processed, if not as much as when the wash water is continuously transferred to the use point. It ends up.
一方で、図4に示すような、ウエハ処理に使用しない洗浄水を一旦タンクに貯留し、このタンクにウエハ処理に使用して減少した分の洗浄水を製造して補給する洗浄水の製造装置も提案されている。しかしながら、このような装置では、タンクに返送した洗浄水の溶液濃度が設定した溶液濃度と異なっていることが多く、返送した洗浄水が貯留されているタンクに新たに製造した洗浄水を補給すると、溶液濃度のばらつきが大きくなるという問題、すなわち溶液濃度の制御性が悪いという問題がある。そのため、例えば、タンクに混合のためのミキサー等を設ける必要があり、洗浄水の製造コストが増大してしまう。 On the other hand, as shown in FIG. 4, a washing water manufacturing apparatus that temporarily stores washing water that is not used for wafer processing in a tank, and manufactures and replenishes the reduced amount of washing water that is used for wafer processing in this tank. Has also been proposed. However, in such a device, the solution concentration of the wash water returned to the tank is often different from the set solution concentration, and when the newly manufactured wash water is replenished to the tank in which the returned wash water is stored. , There is a problem that the variation of the solution concentration becomes large, that is, there is a problem that the controllability of the solution concentration is poor. Therefore, for example, it is necessary to provide a mixer or the like for mixing in the tank, which increases the production cost of the washing water.
本発明は上述のような事情に基づいてなされたものであり、製造した洗浄水の廃液量を大幅に抑制しつつも、ユースポイントで使用する洗浄水の準備時間(洗浄水が設定条件で安定するまでの時間)を短縮することができる電子部品用洗浄水製造システム及び電子部品用洗浄水製造システムの運転方法の提供を目的とする。 The present invention has been made based on the above-mentioned circumstances, and while significantly suppressing the amount of waste liquid of the produced washing water, the preparation time of the washing water used at the point of use (the washing water is stable under the set conditions). It is an object of the present invention to provide an operation method of a washing water manufacturing system for electronic parts and a washing water manufacturing system for electronic parts, which can shorten the time required for the operation.
上記課題を解決するために、第一に本発明は、原料水供給部とユースポイントとを連通する移送ラインと、前記移送ラインの下流側にある分岐点で分岐し、上流側にある合流点で合流する返送ラインと、前記移送ラインにおいて前記合流点の上流側に接続され、前記移送ラインへ供給した原料水に機能性物質を添加して洗浄水を製造する機能性物質添加装置と、前記移送ラインにおいて前記合流点の下流側に接続され、前記洗浄水の物性を測定する物性測定装置と、前記返送ラインに設けられ、前記洗浄水を貯留可能な貯留タンクと、前記洗浄水の流通経路を制御する制御手段とを備える電子部品用洗浄水製造システムを提供する(発明1)。 In order to solve the above problems, first of all, the present invention branches at a transfer line connecting the raw water supply unit and the point of use and a branch point on the downstream side of the transfer line, and a confluence point on the upstream side. A return line that merges at the above, a functional substance addition device that is connected to the upstream side of the confluence in the transfer line and adds a functional substance to the raw material water supplied to the transfer line to produce wash water, and the above. A physical property measuring device connected to the downstream side of the confluence in the transfer line to measure the physical properties of the washing water, a storage tank provided in the return line capable of storing the washing water, and a flow path of the washing water. (Invention 1), the present invention provides a washing water production system for electronic parts, which comprises a control means for controlling the above.
かかる発明(発明1)によれば、ユースポイントでの洗浄水の使用の有無にかかわらず、製造した洗浄水をユースポイントへ移送し続けつつも、制御手段によって、ユースポイントで洗浄水を使用していない場合には、洗浄水を返送ラインを経由して一時的に貯留タンクに貯留するよう制御し、ユースポイントで洗浄水を使用している場合には、貯留タンクに貯留された洗浄水を移送ラインへ供給するよう制御することができる。これにより、製造した洗浄水の廃液量を大幅に抑制できるとともに、ユースポイントで使用する洗浄水の準備時間(洗浄水が設定条件で安定するまでの時間)を短縮することができる。 According to the present invention (Invention 1), regardless of whether or not the wash water is used at the use point, the manufactured wash water is continuously transferred to the use point, and the wash water is used at the use point by the control means. If not, the wash water is controlled to be temporarily stored in the storage tank via the return line, and if the wash water is used at the point of use, the wash water stored in the storage tank is used. It can be controlled to supply to the transfer line. As a result, the amount of waste liquid of the produced wash water can be significantly suppressed, and the preparation time of the wash water used at the point of use (time until the wash water stabilizes under the set conditions) can be shortened.
上記発明(発明1)においては、前記制御手段が、前記ユースポイントで洗浄水を使用していないと判断した場合には、前記洗浄水を前記返送ラインを経由して前記貯留タンクに貯留するように制御し、前記ユースポイントで洗浄水を使用していると判断した場合には、前記貯留タンクに貯留された前記洗浄水を前記移送ラインへ供給するように制御することが好ましい(発明2)。 In the above invention (Invention 1), when the control means determines that the washing water is not used at the use point, the washing water is stored in the storage tank via the return line. When it is determined that the washing water is used at the use point, it is preferable to control the washing water stored in the storage tank so as to be supplied to the transfer line (Invention 2). ..
かかる発明(発明2)によれば、製造した洗浄水の廃液量を大幅に抑制できることに加えて、貯留タンクから移送ラインへ供給された洗浄水と移送ラインで新たに製造された洗浄水とを移送ライン上で混合した上でその物性を定量的に測定することができるので、常に一定の物性値を有する洗浄水をユースポイントに供給することができる。 According to the present invention (Invention 2), in addition to being able to significantly reduce the amount of waste liquid produced in the washing water, the washing water supplied from the storage tank to the transfer line and the washing water newly produced in the transfer line are separated. Since the physical properties can be quantitatively measured after being mixed on the transfer line, it is possible to supply wash water having a constant physical property value to the use point at all times.
上記発明(発明1,2)においては、前記移送ラインにおいて前記合流点の上流側に接続される第一流量計と、前記返送ラインにおいて前記貯留タンクの下流側に接続される第二流量計とをさらに備え、前記制御手段が、前記ユースポイントで洗浄水を使用していると判断した場合には、前記第一流量計の測定値及び前記第二流量計の測定値に基づき、前記移送ラインで製造する洗浄水の量を制御することが好ましい(発明3)。
In the above inventions (
かかる発明(発明3)によれば、制御手段によって、貯留タンクから移送ラインへ供給された洗浄水と移送ラインで新たに製造された洗浄水との合計量が、ユースポイントでの必要量に対して不足している場合には、その不足分を補充するよう、移送ラインで製造する洗浄水の量を制御することができるので、常に一定の流量の洗浄水をユースポイントに供給することができる。 According to the invention (Invention 3), the total amount of the washing water supplied from the storage tank to the transfer line and the washing water newly produced on the transfer line by the control means is the required amount at the point of use. If there is a shortage, the amount of wash water produced on the transfer line can be controlled to make up for the shortage, so a constant flow of wash water can always be supplied to the point of use. ..
上記発明(発明1-3)においては、前記機能性物質と前記物性測定装置との組み合わせが、導電性付与物質と導電率計、酸化還元電位調整物質とORP計、pH調整物質とpH計、ガスとガス濃度計からなる群より選ばれる一種又は二種以上であることが好ましい(発明4)。 In the above invention (Invention 1-3), the combination of the functional substance and the physical property measuring device is a conductivity-imparting substance and a conductivity meter, an oxidation-reduction potential adjusting substance and an ORP meter, a pH adjusting substance and a pH meter, and the like. It is preferable that the substance is one or more selected from the group consisting of a gas and a gas pH meter (Invention 4).
第二に本発明は、原料水供給部とユースポイントとを連通する移送ラインと、前記移送ラインの下流側にある分岐点で分岐し、上流側にある合流点で合流する返送ラインと、前記移送ラインにおいて前記合流点の上流側に接続され、前記移送ラインへ供給した原料水に機能性物質を添加して洗浄水を製造する機能性物質添加装置と、前記移送ラインにおいて前記合流点の下流側に接続され、前記洗浄水の物性を測定する物性測定装置と、前記返送ラインに設けられ、前記洗浄水を貯留可能な貯留タンクと、前記洗浄水の流通経路を制御する制御手段とを備える電子部品用洗浄水製造システムの運転方法であって、前記ユースポイントでの洗浄水の使用の有無にかかわらず、前記洗浄水を前記移送ラインを経由して前記ユースポイントへ移送することを特徴とする電子部品用洗浄水製造システムの運転方法を提供する(発明5)。 Secondly, the present invention comprises a transfer line that connects the raw water supply unit and the point of use, a return line that branches at a branch point on the downstream side of the transfer line, and joins at a confluence on the upstream side. A functional substance addition device connected to the upstream side of the confluence in the transfer line and adding a functional substance to the raw water supplied to the transfer line to produce wash water, and a downstream of the confluence in the transfer line. It is provided with a physical property measuring device connected to the side and measuring the physical properties of the washing water, a storage tank provided in the return line capable of storing the washing water, and a control means for controlling the flow path of the washing water. It is an operation method of a washing water manufacturing system for electronic parts, and is characterized in that the washing water is transferred to the use point via the transfer line regardless of whether or not the wash water is used at the use point. Provided is an operation method of a washing water production system for electronic parts (Invention 5).
かかる発明(発明5)によれば、ユースポイントでの洗浄水の使用の有無にかかわらず、製造した洗浄水をユースポイントへ移送し続けつつ、制御手段によって、ユースポイントで洗浄水を使用していない場合には、洗浄水を返送ラインを経由して一時的に貯留タンクに貯留するよう制御し、ユースポイントで洗浄水を使用している場合には、貯留タンクに貯留された洗浄水を移送ラインへ供給するよう制御することができる。よって、製造した洗浄水の廃液量を大幅に抑制できるとともに、ユースポイントで使用する洗浄水の準備時間(洗浄水が設定条件で安定するまでの時間)を短縮することができる。 According to the present invention (Invention 5), regardless of whether or not the wash water is used at the use point, the manufactured wash water is continuously transferred to the use point, and the wash water is used at the use point by the control means. If not, control the wash water to be temporarily stored in the storage tank via the return line, and if the wash water is used at the point of use, transfer the wash water stored in the storage tank. It can be controlled to supply to the line. Therefore, the amount of waste liquid of the produced wash water can be significantly suppressed, and the preparation time of the wash water used at the point of use (time until the wash water stabilizes under the set conditions) can be shortened.
上記発明(発明5)においては、前記制御手段が、前記ユースポイントで洗浄水を使用していないと判断した場合には、前記洗浄水を前記返送ラインを経由して前記貯留タンクに貯留するように制御し、前記ユースポイントで洗浄水を使用していると判断した場合には、前記貯留タンクに貯留された前記洗浄水を前記移送ラインへ供給するように制御することが好ましい(発明6)。 In the above invention (invention 5), when the control means determines that the washing water is not used at the use point, the washing water is stored in the storage tank via the return line. When it is determined that the washing water is used at the use point, it is preferable to control the washing water stored in the storage tank so as to be supplied to the transfer line (Invention 6). ..
かかる発明(発明6)によれば、製造した洗浄水の廃液量を大幅に抑制できることに加えて、貯留タンクから移送ラインへ供給された洗浄水と移送ラインで新たに製造された洗浄水とを移送ライン上で混合した上でその物性を定量的に測定することができるので、常に一定の物性値を有する洗浄水をユースポイントに供給することができる。 According to the present invention (Invention 6), in addition to being able to significantly reduce the amount of waste liquid produced in the washing water, the washing water supplied from the storage tank to the transfer line and the washing water newly produced in the transfer line are separated. Since the physical properties can be quantitatively measured after being mixed on the transfer line, it is possible to supply wash water having a constant physical property value to the use point at all times.
上記発明(発明5,6)においては、前記電子部品用洗浄水製造システムが、前記移送ラインにおいて前記合流点の上流側に接続される第一流量計と、前記返送ラインにおいて前記貯留タンクの下流側に接続される第二流量計とをさらに備え、前記制御手段が、前記ユースポイントで洗浄水を使用していると判断した場合には、前記第一流量計の測定値及び前記第二流量計の測定値に基づき、前記移送ラインで製造する洗浄水の量を制御することが好ましい(発明7)。
In the above inventions (
かかる発明(発明6)によれば、制御手段によって、貯留タンクから移送ラインへ供給された洗浄水と移送ラインで新たに製造された洗浄水との合計量が、ユースポイントでの必要量に対して不足している場合には、その不足分を補充するよう、移送ラインで製造する洗浄水の量を制御することができるので、常に一定の流量の洗浄水をユースポイントに供給することができる。 According to the invention (Invention 6), the total amount of the washing water supplied from the storage tank to the transfer line and the washing water newly produced on the transfer line by the control means is the required amount at the point of use. If there is a shortage, the amount of wash water produced on the transfer line can be controlled to make up for the shortage, so a constant flow of wash water can always be supplied to the point of use. ..
上記発明(発明5-7)においては、前記機能性物質と前記物性測定装置との組み合わせが、導電性付与物質と導電率計、酸化還元電位調整物質とORP計、pH調整物質とpH計、ガスとガス濃度計からなる群より選ばれる一種又は二種以上であることが好ましい(発明8)。 In the above invention (Invention 5-7), the combination of the functional substance and the physical property measuring device is a conductivity-imparting substance and a conductivity meter, an oxidation-reduction potential adjusting substance and an ORP meter, a pH adjusting substance and a pH meter, and the like. It is preferable that the substance is one or more selected from the group consisting of a gas and a gas pH meter (Invention 8).
本発明の電子部品用洗浄水製造システム及び電子部品用洗浄水製造システムの運転方法によれば、ユースポイントでの洗浄水の使用の有無にかかわらず、製造した洗浄水をユースポイントへ移送し続けつつも、制御手段によって、ユースポイントで洗浄水を使用していない場合には、洗浄水を返送ラインを経由して一時的に貯留タンクに貯留するよう制御し、ユースポイントで洗浄水を使用している場合には、貯留タンクに貯留された洗浄水を移送ラインへ供給するよう制御することができる。これにより、製造した洗浄水の廃液量を大幅に抑制できるとともに、ユースポイントで使用する洗浄水の準備時間(洗浄水が設定条件で安定するまでの時間)を短縮することができる。 According to the operation method of the washing water manufacturing system for electronic parts and the washing water manufacturing system for electronic parts of the present invention, the manufactured washing water is continuously transferred to the use point regardless of whether or not the washing water is used at the use point. However, if the wash water is not used at the use point by the control means, the wash water is controlled to be temporarily stored in the storage tank via the return line, and the wash water is used at the use point. If so, the wash water stored in the storage tank can be controlled to be supplied to the transfer line. As a result, the amount of waste liquid of the produced wash water can be significantly suppressed, and the preparation time of the wash water used at the point of use (time until the wash water stabilizes under the set conditions) can be shortened.
以下、本発明の電子部品用洗浄水製造システム及びこのシステムの運転方法の実施の形態について、図1及び図2を参照して説明する。なお、図2では、図面の簡略化のため、符号の表示を一部省略している。以下に説明する実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであって、何ら本発明を限定するものではない。 Hereinafter, embodiments of the washing water production system for electronic components and the operation method of this system of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. In FIG. 2, the display of the reference numerals is partially omitted for the sake of simplification of the drawings. The embodiments described below are for facilitating the understanding of the present invention and do not limit the present invention in any way.
〔電子部品用洗浄水製造システム〕
図1は、本発明の一実施形態に係る電子部品用洗浄水製造システム100を示す模式的説明図である。図1に示す電子部品用洗浄水製造システム100は、原料水供給部とユースポイントとを連通する移送ラインL1と、移送ラインL1の下流側にある分岐点8で切替三方弁81を介して分岐し、上流側にある合流点9で合流する返送ラインL2とを備える。電子部品用洗浄水製造システム100は、図2(a)に示すように、ユースポイントでの洗浄水の使用の有無にかかわらず、洗浄水を移送ラインL1を経由してユースポイントへ移送し続けるものである。移送ラインL1には流通方向に沿って、第一流量計1、機能性物質添加装置2、物性測定装置3がこの順に設けられており、返送ラインL2には流通方向に沿って、貯留タンク4、第二流量計5、給水ポンプ6がこの順に設けられている。また、電子部品用洗浄水製造システム100は、洗浄水の流通経路を制御する制御手段7(不図示)を備えている。なお、原料水供給部から移送ラインL1への原料水の供給量は、移送ラインL1において第一流量計1より上流側に設けられた第一開閉弁10によって調整することができる。
[Washing water production system for electronic parts]
FIG. 1 is a schematic explanatory view showing a washing
(原料水)
原料水としては、半導体、液晶、有機EL等の電子部品の洗浄に適する水質であるものが好ましく、例えば不純物を極限まで除去した超純水又は純水が好適に用いられる。本実施形態においては、原料水として超純水Wを使用している。
(Raw water)
As the raw material water, water having a water quality suitable for cleaning electronic parts such as semiconductors, liquid crystals, and organic EL is preferable, and for example, ultrapure water or pure water from which impurities have been removed to the utmost limit is preferably used. In this embodiment, ultrapure water W is used as the raw material water.
〈機能性物質添加装置〉
機能性物質添加装置2は、移送ラインL1へ供給した超純水Wに機能性物質を添加して洗浄水W1を製造するものであって、移送ラインL1において合流点9の上流側に、第二開閉弁11を介して接続されている。なお、機能性物質は、導電性付与物質、酸化還元電位調整物質、pH調整物質、ガスからなる群より選ばれる一種又は二種以上であることが好ましい。
<Functional substance addition device>
The functional
上記導電性付与物質としては、アンモニアや炭酸が挙げられるが、比較的安全性が高いアンモニアを用いることが好ましい。上記酸化還元電位調整物質としては、過酸化水素水等の液体やオゾンガス等のガス体が挙げられるが、酸素量の制御が比較的容易であることから過酸化水素水を用いることが好ましい。上記pH調整物質としては、アンモニアや炭酸が挙げられるが、比較的調整のし易いアンモニアを用いることが好ましい。上記ガスとしては、水素ガスや窒素ガス、炭酸ガス等が挙げられるが、比較的安全性が高い水素ガスを用いることが好ましい。 Examples of the conductivity-imparting substance include ammonia and carbonic acid, but it is preferable to use ammonia, which has relatively high safety. Examples of the redox potential adjusting substance include a liquid such as hydrogen peroxide solution and a gas body such as ozone gas, but it is preferable to use hydrogen peroxide solution because the amount of oxygen can be controlled relatively easily. Examples of the pH adjusting substance include ammonia and carbonic acid, but it is preferable to use ammonia which is relatively easy to adjust. Examples of the gas include hydrogen gas, nitrogen gas, carbon dioxide gas and the like, but it is preferable to use hydrogen gas having relatively high safety.
機能性物質添加装置2としては、超純水Wに機能性物質を添加して洗浄水W1を製造することができればよく、その方法は特に限定されるものではない。例えば、機能性物質が液体である場合には、移送ラインを流通する超純水Wにポンプを用いて添加する方法等を採用することができ、機能性物質がガス体である場合には、移送ラインを流通する超純水Wに直接バブリングする方法等を採用することができる。
The functional
〈物性測定装置〉
物性測定装置3は、製造された洗浄水W1の物性を定量的に測定するものであって、移送ラインL1において合流点9の下流側に接続されている。物性測定装置3が合流点9の下流側に接続されていることにより、貯留タンクから移送ラインへ供給された洗浄水W1’と移送ラインで新たに製造された洗浄水W1’’とを移送ラインL1上で混合した上でその物性を定量的に測定することができるので、常に一定の物性値を有する洗浄水をユースポイントに供給することができる。
<Physical characteristic measuring device>
The physical
物性測定装置3は、移送ラインL1を流通する洗浄水W1の物性を定量的に測定することができればよいため、機能性物質添加装置2が添加する機能性物質に合わせて採用すればよい。すなわち、添加する機能性物質が導電性付与物質である場合には、物性測定装置3として導電率計を採用し、酸化還元電位調整物質である場合にはORP計を、pH調整物質である場合にはpH計、ガスである場合にはガス濃度計を、それぞれ採用すればよい。これら導電率計、ORP計、pH計、ガス濃度計としては、それぞれ目的を達成することができればよく、特に限定されることなく例えば市販のものを使用することができる。
Since the physical
〈貯留タンク〉
貯留タンク4は、返送ラインL2によって返送される洗浄水W1を貯留可能であるように構成されている。貯留タンク4に貯留された洗浄水W1’の移送ラインL1への供給量は、返送ラインL2において貯留タンク4より下流側に設けられた第三開閉弁12によって調整することができる。貯留タンク4は、ユースポイントで使用されずに返送される洗浄水W1’を一時的に貯留可能な容量を備えていればよく、その構成は特に限定されるものではない。
<Storage tank>
The
〈流量計〉
第一流量計1は、移送ラインL1を流通する超純水Wの流量、つまり、電子部品用洗浄水製造システム100の入口流量を測定するものであって、合流点9の上流側に設けられている。第一流量計1が合流点9の上流側に設けられていることにより、第一流量計1の測定値に基づき、移送ラインL1で製造される洗浄水W1(又は洗浄水W1’’)の流量、つまり、貯留タンク4から移送ラインへL1供給される洗浄水W1’を含まない洗浄水W1(又は洗浄水W1’’)の流量を把握することができる。なお、本実施形態においては、第一流量計1は、機能性物質添加装置2の上流側に設けられている。
<Flowmeter>
The
第二流量計5は、貯留タンク4から移送ラインL1へ供給される洗浄水W1’の流量を測定するものである。第二流量計5は、貯留タンク4から移送ラインL1へ供給される洗浄水W1’の流量を測定することができればよく、本実施形態においては、貯留タンク4の下流側の返送ラインL2において第三開閉弁12と給水ポンプ6との間に設けられている。
The
第一流量計1及び第二流量計5としては、特に限定されることなく例えば市販のものを使用することができる。
As the
〈制御手段〉
制御手段7(不図示)は、洗浄水W1の流通経路を制御するものである。本実施形態において、制御手段7は、ユースポイントで洗浄水を使用していないと判断した場合(図2(b)の場合)には、切替三方弁81を切り替えることにより、洗浄水W1を返送ラインL2を経由して貯留タンク4に一時的に貯留するよう制御し、ユースポイントで洗浄水を使用していると判断した場合(図2(c)の場合)には、給水ポンプ6を駆動させることにより、貯留タンク4に貯留されている洗浄水W1’を移送ラインL1へ供給するように制御する。なお、このときの移送ラインL1への供給量は、制御手段7によって、第三開閉弁12の開閉を制御することにより調整することができる。このように制御手段7は、ユースポイントで洗浄水を使用していない場合(図2(b)の場合)に、洗浄水W1を返送ラインL2によって返送するよう制御することができるので、製造した洗浄水W1を移送ラインL1を経由してユースポイントへ移送し続けつつも、大量の廃液が生じるのを防ぐことができる。
<Control means>
The control means 7 (not shown) controls the flow path of the washing water W1. In the present embodiment, when the control means 7 determines that the washing water is not used at the point of use (in the case of FIG. 2B), the washing water W1 is returned by switching the switching three-
また、本実施形態において、制御手段7は、第一流量計1の測定値及び第二流量計5の測定値に基づき、貯留タンク4から移送ラインL1へ供給された洗浄水W1’と移送ラインL1で新たに製造された洗浄水W1’’との合計量が、ユースポイントでの必要量に対して不足している場合には、その不足分を補充するよう、移送ラインL1で製造する洗浄水W1’’の量を制御することができる。これにより、常に一定の流量の洗浄水W1をユースポイントに供給することができる。
Further, in the present embodiment, the control means 7 has the washing water W1'supplied from the
制御手段7としては、少なくとも上述の制御を行うことができれば特に限定されるものではなく、例えば手動によって行ってもよいし、公知のコンピューター等を利用して行ってもよい。 The control means 7 is not particularly limited as long as it can perform at least the above-mentioned control, and may be performed manually, for example, or may be performed using a known computer or the like.
〔電子部品用洗浄水製造システムの運転方法〕
次に、上述したような本実施形態の電子部品用洗浄水製造システム100の運転方法について図2を参照しつつ詳説する。
[How to operate the washing water production system for electronic parts]
Next, the operation method of the washing
まず、移送ラインL1へ供給された原料水Wに対して、機能性物質添加装置2により機能性物質が添加されて洗浄水W1が製造される(機能性物質添加工程)。次に、移送ラインL1において機能性物質添加装置2の下流側に設けられている物性測定装置3により、製造された洗浄水W1の物性が定量的に測定される(物性測定工程)。物性が測定された洗浄水W1は、図2(a)に示すように、ユースポイントでの洗浄水の使用の有無にかかわらず、ユースポイントに連続的に移送される。
First, a functional substance is added to the raw material water W supplied to the transfer line L1 by the functional
そして、制御手段7が、ユースポイントで洗浄水を使用していないと判断した場合(図2(b)の場合)には、切替三方弁81を切り替えることにより、製造した洗浄水W1を返送ラインL2を経由して貯留タンク4に貯留するよう制御が行われる。このとき、廃棄されることになるのは、既にユースポイントへ移送されてしまった洗浄水W1のみであり、大半の洗浄水W1は返送されるので、大量の廃液が生じるのを防ぐことができる。なお、ユースポイントで洗浄水を使用していない時間が長い場合には、切替三方弁81を上述のように切り替えるとともに、第一開閉弁10及び第二開閉弁11を閉栓することにより、貯留タンク4を介して洗浄水W1を循環させればよい。これにより、ユースポイントで洗浄水を使用していない時間が長い場合であっても、容量以上の洗浄水W1が貯留タンク4に流入するのを防ぐことができる。
Then, when the control means 7 determines that the washing water is not used at the point of use (in the case of FIG. 2B), the manufactured washing water W1 is returned by switching the switching three-
一方、制御手段7が、ユースポイントで洗浄水を使用していないと判断した場合(図2(b)の場合)には、給水ポンプ6を駆動させることにより、貯留タンク4に貯留されている洗浄水W1’を移送ラインL1へ供給するよう制御が行われる。このとき、制御手段7は、第三開閉弁12の開閉を制御することにより移送ラインL1への洗浄水W1’の供給量を調整することができる。また、制御手段7は、第一流量計1の測定値及び第二流量計5の測定値に基づき、貯留タンク4から移送ラインL1へ供給された洗浄水W1’と移送ラインL1で新たに製造された洗浄水W1’’との合計量が、ユースポイントでの必要量に対して不足している場合には、その不足分を補充するよう、移送ラインL1で製造する洗浄水W1’’の量を制御することができる。
On the other hand, when the control means 7 determines that the washing water is not used at the use point (in the case of FIG. 2B), the
上述のように電子部品用洗浄水製造システム100を運転することにより、製造した洗浄水の廃液量を大幅に抑制できるとともに、ユースポイントで使用する洗浄水の準備時間(洗浄水が設定条件で安定するまでの時間)を短縮することができる。そして、物性測定工程において、貯留タンク4から移送ラインへL1供給された洗浄水W1’と移送ラインL1で新たに製造された洗浄水W1’’とを移送ラインL1上で混合した上でその物性を定量的に測定することができるので、常に一定の物性値を有する洗浄水をユースポイントに供給することができる。
By operating the washing
以上、本発明について図面を参照にして説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、図1では、機能性物質添加装置2を一つの装置として示しているが、機能性物質が酸化還元電位調整物質としての過酸化水素水である場合には、機能性物質添加装置2は水素供給装置とこれに連結する水素溶解装置とにより構成されるものであってもよい。
Although the present invention has been described above with reference to the drawings, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in FIG. 1, the functional
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳説するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.
以下の実施例1-5において、図1に示す電子部品用洗浄水製造システム100を用いて、電子部品用洗浄水の製造を行った。
In the following Examples 1-5, the washing water for electronic parts was manufactured by using the washing
〔実施例1〕
超純水に導電率が30μS/cmとなるようアンモニアを添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送し続けた。ユースポイントでの洗浄水の使用が中断している間は、使用されない洗浄水を返送ラインを経由して貯留タンクに貯留した。ユースポイントでの洗浄水の使用が再開したら、貯留タンクに貯留している洗浄水を移送ラインへ供給した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。
[Example 1]
Ammonia was added to ultrapure water so that the conductivity was 30 μS / cm to produce wash water, and then the water was continuously transferred to the use point at 50 L / min. While the use of wash water at the point of use was suspended, unused wash water was stored in a storage tank via a return line. When the use of wash water at the point of use resumed, the wash water stored in the storage tank was supplied to the transfer line. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであり、1時間あたりの廃液量は20Lであった。洗浄水の水質は、導電率が30μS/cmであり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, and the amount of waste liquid per hour was 20 L. The water quality of the wash water had a conductivity of 30 μS / cm and a variation within ± 10%.
〔実施例2〕
超純水に酸化還元電位が600mVとなるよう過酸化水素水を添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送し続けた。ユースポイントでの洗浄水の使用が中断している間は、使用されない洗浄水を返送ラインを経由して貯留タンクに貯留した。ユースポイントでの洗浄水の使用が再開したら、貯留タンクに貯留している洗浄水を移送ラインへ供給した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。
[Example 2]
Hydrogen peroxide solution was added to ultrapure water so that the redox potential was 600 mV to produce wash water, and then the water was continuously transferred to the use point at 50 L / min. While the use of wash water at the point of use was suspended, unused wash water was stored in a storage tank via a return line. When the use of wash water at the point of use resumed, the wash water stored in the storage tank was supplied to the transfer line. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであり、1時間あたりの廃液量は20Lであった。洗浄水の水質は、酸化還元電位が600mVであり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, and the amount of waste liquid per hour was 20 L. The water quality of the wash water had a redox potential of 600 mV and the variation was within ± 10%.
〔実施例3〕
超純水に水素ガス濃度が10ppmとなるよう水素ガスを添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送し続けた。ユースポイントでの洗浄水の使用が中断している間は、使用されない洗浄水を返送ラインを経由して貯留タンクに貯留した。ユースポイントでの洗浄水の使用が再開したら、貯留タンクに貯留している洗浄水を移送ラインへ供給した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。
[Example 3]
After hydrogen gas was added to the ultrapure water so that the hydrogen gas concentration was 10 ppm to produce wash water, the water was continuously transferred to the use point at 50 L / min. While the use of wash water at the point of use was suspended, unused wash water was stored in a storage tank via a return line. When the use of wash water at the point of use resumed, the wash water stored in the storage tank was supplied to the transfer line. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであり、1時間あたりの廃液量は20Lであった。洗浄水の水質は、水素ガス濃度が10ppmであり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, and the amount of waste liquid per hour was 20 L. The water quality of the wash water had a hydrogen gas concentration of 10 ppm, and the variation was within ± 10%.
〔実施例4〕
超純水にpHが9.0となるようアンモニアを添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送し続けた。ユースポイントでの洗浄水の使用が中断している間は、使用されない洗浄水を返送ラインを経由して貯留タンクに貯留した。ユースポイントでの洗浄水の使用が再開したら、貯留タンクに貯留している洗浄水を移送ラインへ供給した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。
[Example 4]
Ammonia was added to the ultrapure water so that the pH became 9.0 to produce wash water, and then the water was continuously transferred to the use point at 50 L / min. While the use of wash water at the point of use was suspended, unused wash water was stored in a storage tank via a return line. When the use of wash water at the point of use resumed, the wash water stored in the storage tank was supplied to the transfer line. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであり、1時間あたりの廃液量は20Lであった。洗浄水の水質は、pHが9.0であり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, and the amount of waste liquid per hour was 20 L. The pH of the wash water was 9.0, and the variation was within ± 10%.
〔実施例5〕
超純水に導電率が30μS/cmとなるようアンモニアを、酸化還元電位が600mVとなるよう過酸化水素水を、水素ガス濃度が10ppmとなるよう水素ガスを、pHが9.0となるようアンモニアをそれぞれ添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送し続けた。ユースポイントでの洗浄水の使用が中断している間は、使用されない洗浄水を返送ラインを経由して貯留タンクに貯留した。ユースポイントでの洗浄水の使用が再開したら、貯留タンクに貯留している洗浄水を移送ラインへ供給した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。
[Example 5]
Ammonia is added to ultrapure water so that the conductivity is 30 μS / cm, hydrogen peroxide solution is used so that the oxidation-reduction potential is 600 mV, hydrogen gas is used so that the hydrogen gas concentration is 10 ppm, and the pH is 9.0. After each of the ammonia was added to produce wash water, the transfer to the point of use was continued at 50 L / min. While the use of wash water at the point of use was suspended, unused wash water was stored in a storage tank via a return line. When the use of wash water at the point of use resumed, the wash water stored in the storage tank was supplied to the transfer line. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであり、1時間あたりの廃液量は20Lであった。洗浄水の水質は、導電率が30μS/cm、酸化還元電位が600mV、水素ガス濃度が10ppm、pHが9.0であり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, and the amount of waste liquid per hour was 20 L. The water quality of the wash water had a conductivity of 30 μS / cm, a redox potential of 600 mV, a hydrogen gas concentration of 10 ppm, and a pH of 9.0, and the variation was within ± 10%.
以下の比較例1-10において、図3に示す電子部品用洗浄水の製造システム200を用いて、電子部品用洗浄水の製造を行った。電子部品用洗浄水の製造システム200は、原料水供給部とユースポイントとを連通する移送ラインL21を備え、移送ラインL21には流通方向に沿って、流量計21、機能性物質添加装置22、物性測定装置23がこの順に設けられている。原料水供給部から移送ラインL21への超純水の供給量は、移送ラインL21において流量計21より上流側に設けられた開閉弁24によって調整される。機能性物質添加装置22は開閉弁25を介して、移送ラインL21へ接続されている。
In the following Comparative Example 1-10, the cleaning water for electronic parts was manufactured by using the cleaning
〔比較例1〕
超純水に導電率が30μS/cmとなるようアンモニアを添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送し続けた。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ユースポイントでの洗浄水の使用が中断している間も、上記洗浄液を製造してユースポイントへ移送し続けた。
[Comparative Example 1]
Ammonia was added to ultrapure water so that the conductivity was 30 μS / cm to produce wash water, and then the water was continuously transferred to the use point at 50 L / min. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. While the use of the wash water at the use point was suspended, the above wash solution was produced and continued to be transferred to the use point.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであったが、1時間あたりの廃液量は3000Lとなり、膨大な量の廃液がでた。洗浄水の水質は、導電率30μS/cmであり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, but the amount of waste liquid per hour was 3000 L, and a huge amount of waste liquid was generated. The water quality of the wash water had a conductivity of 30 μS / cm, and the variation was within ± 10%.
〔比較例2〕
超純水に酸化還元電位が600mVとなるよう過酸化水素水を添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送し続けた。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ユースポイントでの洗浄水の使用が中断している間も、上記洗浄液を製造してユースポイントへ移送し続けた。
[Comparative Example 2]
Hydrogen peroxide solution was added to ultrapure water so that the redox potential was 600 mV to produce wash water, and then the water was continuously transferred to the use point at 50 L / min. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. While the use of the wash water at the use point was suspended, the above wash solution was produced and continued to be transferred to the use point.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであったが、1時間あたりの廃液量は3000Lとなり、膨大な量の廃液がでた。洗浄水の水質は、酸化還元電位が600mVであり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, but the amount of waste liquid per hour was 3000 L, and a huge amount of waste liquid was generated. The water quality of the wash water had a redox potential of 600 mV and the variation was within ± 10%.
〔比較例3〕
超純水に水素ガス濃度が10ppmとなるよう水素ガスを添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送し続けた。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ユースポイントでの洗浄水の使用が中断している間も、上記洗浄液を製造してユースポイントへ移送し続けた。
[Comparative Example 3]
After hydrogen gas was added to the ultrapure water so that the hydrogen gas concentration was 10 ppm to produce wash water, the water was continuously transferred to the use point at 50 L / min. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. While the use of the wash water at the use point was suspended, the above wash solution was produced and continued to be transferred to the use point.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであったが、1時間あたりの廃液量は3000Lとなり、膨大な量の廃液がでた。洗浄水の水質は、水素ガス濃度が10ppmであり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, but the amount of waste liquid per hour was 3000 L, and a huge amount of waste liquid was generated. The water quality of the wash water had a hydrogen gas concentration of 10 ppm, and the variation was within ± 10%.
〔比較例4〕
超純水にpHが9.0となるようアンモニアを添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送し続けた。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ユースポイントでの洗浄水の使用が中断している間も、上記洗浄液を製造してユースポイントへ移送し続けた。
[Comparative Example 4]
Ammonia was added to the ultrapure water so that the pH became 9.0 to produce wash water, and then the water was continuously transferred to the use point at 50 L / min. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. While the use of the wash water at the use point was suspended, the above wash solution was produced and continued to be transferred to the use point.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであったが、1時間あたりの廃液量は3000Lとなり、膨大な量の廃液がでた。洗浄水の水質は、pHが9.0であり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, but the amount of waste liquid per hour was 3000 L, and a huge amount of waste liquid was generated. The pH of the wash water was 9.0, and the variation was within ± 10%.
〔比較例5〕
超純水に導電率が30μS/cmとなるようアンモニアを、酸化還元電位が600mVとなるよう過酸化水素水を、水素ガス濃度が10ppmとなるよう水素ガスを、pHが9.0となるようアンモニアをそれぞれ添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送し続けた。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ユースポイントでの洗浄水の使用が中断している間も、上記洗浄液を製造してユースポイントへ移送し続けた。
[Comparative Example 5]
Ammonia is added to ultrapure water so that the conductivity is 30 μS / cm, hydrogen peroxide solution is used so that the oxidation-reduction potential is 600 mV, hydrogen gas is used so that the hydrogen gas concentration is 10 ppm, and the pH is 9.0. After each of the ammonia was added to produce wash water, the transfer to the point of use was continued at 50 L / min. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. While the use of the wash water at the use point was suspended, the above wash solution was produced and continued to be transferred to the use point.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであったが、1時間あたりの廃液量は3000Lとなり、膨大な量の廃液がでた。洗浄水の水質は、導電率が30μS/cm、酸化還元電位が600mV、水素ガス濃度が10ppm、pHが9.0であり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, but the amount of waste liquid per hour was 3000 L, and a huge amount of waste liquid was generated. The water quality of the wash water had a conductivity of 30 μS / cm, a redox potential of 600 mV, a hydrogen gas concentration of 10 ppm, and a pH of 9.0, and the variation was within ± 10%.
〔比較例6〕
超純水に導電率が30μS/cmとなるようアンモニアを添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送した。ウエハの洗浄処理時以外は、ユースポイントへの洗浄水の移送を停止した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ウエハの連続洗浄処理が終了した後、ユースポイントへの洗浄水の供給を停止した。
[Comparative Example 6]
Ammonia was added to ultrapure water so that the conductivity was 30 μS / cm to produce wash water, and then the water was transferred to a use point at 50 L / min. The transfer of wash water to the point of use was stopped except during the wafer wash process. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. After the continuous washing process of the wafer was completed, the supply of washing water to the use point was stopped.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)は20minであって、1時間あたりの廃液量は2500Lとなり、膨大な量の廃液がでた。洗浄水の水質は、導電率が30μS/cmであり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was 20 min, and the amount of waste liquid per hour was 2500 L, resulting in a huge amount of waste liquid. The water quality of the wash water had a conductivity of 30 μS / cm and a variation within ± 10%.
〔比較例7〕
超純水に酸化還元電位が600mVとなるよう過酸化水素水を添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送した。ウエハの洗浄処理時以外は、ユースポイントへの洗浄水の移送を停止した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ウエハの連続洗浄処理が終了した後、ユースポイントへの洗浄水の供給を停止した。
[Comparative Example 7]
Hydrogen peroxide solution was added to ultrapure water so that the redox potential was 600 mV to produce wash water, which was then transferred to the use point at 50 L / min. The transfer of wash water to the point of use was stopped except during the wafer wash process. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. After the continuous washing process of the wafer was completed, the supply of washing water to the use point was stopped.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)は20minであって、1時間あたりの廃液量は2500Lとなり、膨大な量の廃液がでた。洗浄水の水質は、酸化還元電位が600mVであり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was 20 min, and the amount of waste liquid per hour was 2500 L, resulting in a huge amount of waste liquid. The water quality of the wash water had a redox potential of 600 mV and the variation was within ± 10%.
〔比較例8〕
超純水に水素ガス濃度が10ppmとなるよう水素ガスを添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送した。ウエハの洗浄処理時以外は、ユースポイントへの洗浄水の移送を停止した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ウエハの連続洗浄処理が終了した後、ユースポイントへの洗浄水の供給を停止した。
[Comparative Example 8]
Hydrogen gas was added to the ultrapure water so that the hydrogen gas concentration was 10 ppm to produce wash water, and then the water was transferred to the use point at 50 L / min. The transfer of wash water to the point of use was stopped except during the wafer wash process. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. After the continuous washing process of the wafer was completed, the supply of washing water to the use point was stopped.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)は20minであって、1時間あたりの廃液量は2500Lとなり、膨大な量の廃液がでた。洗浄水の水質は、水素ガス濃度が10ppmであり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was 20 min, and the amount of waste liquid per hour was 2500 L, resulting in a huge amount of waste liquid. The water quality of the wash water had a hydrogen gas concentration of 10 ppm, and the variation was within ± 10%.
〔比較例9〕
超純水にpHが9.0となるようアンモニアを添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送した。ウエハの洗浄処理時以外は、ユースポイントへの洗浄水の移送を停止した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ウエハの連続洗浄処理が終了した後、ユースポイントへの洗浄水の供給を停止した。
[Comparative Example 9]
Ammonia was added to ultrapure water so that the pH became 9.0 to produce wash water, and then the water was transferred to a use point at 50 L / min. The transfer of wash water to the point of use was stopped except during the wafer wash process. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. After the continuous washing process of the wafer was completed, the supply of washing water to the use point was stopped.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)は20minであって、1時間あたりの廃液量は2500Lとなり、膨大な量の廃液がでた。洗浄水の水質は、pHが9.0であり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was 20 min, and the amount of waste liquid per hour was 2500 L, resulting in a huge amount of waste liquid. The pH of the wash water was 9.0, and the variation was within ± 10%.
〔比較例10〕
超純水に導電率が30μS/cmとなるようアンモニアを、酸化還元電位が600mVとなるよう過酸化水素水を、水素ガス濃度が10ppmとなるよう水素ガスを、pHが9.0となるようアンモニアをそれぞれ添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送した。ウエハの洗浄処理時以外は、ユースポイントへの洗浄水の移送を停止した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ウエハの連続洗浄処理が終了した後、ユースポイントへの洗浄水の供給を停止した。
[Comparative Example 10]
Ammonia is added to ultrapure water so that the conductivity is 30 μS / cm, hydrogen peroxide solution is used so that the oxidation-reduction potential is 600 mV, hydrogen gas is used so that the hydrogen gas concentration is 10 ppm, and the pH is 9.0. Ammonia was added to produce wash water, which was then transferred to the point of use at 50 L / min. The transfer of wash water to the point of use was stopped except during the wafer wash process. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. After the continuous washing process of the wafer was completed, the supply of washing water to the use point was stopped.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)は20minであって、1時間あたりの廃液量は2500Lとなり、膨大な量の廃液がでた。洗浄水の水質は、導電率が30μS/cm、酸化還元電位が600mV、水素ガス濃度が10ppm、pHが9.0であり、ばらつきは±10%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was 20 min, and the amount of waste liquid per hour was 2500 L, resulting in a huge amount of waste liquid. The water quality of the wash water had a conductivity of 30 μS / cm, a redox potential of 600 mV, a hydrogen gas concentration of 10 ppm, and a pH of 9.0, and the variation was within ± 10%.
以下の比較例11においては、図4に示す従来の電子部品用洗浄水の製造システム300を用いて、電子部品用洗浄水の製造を行った。電子部品用洗浄水の製造システム300は、ユースポイントで使用されなかった洗浄水を一旦タンクに貯留し、このタンクにユースポイントでの使用により減少した分の洗浄水を製造して補給するものである。電子部品用洗浄水の製造システム300は、原料水供給部と貯留タンク34とを連通する第一移送ラインL31と、貯留タンク34とユースポイントとを連通する第二移送ラインL32と、第二移送ラインL32の下流側にある分岐点で分岐し、貯留タンク34に連通する返送ラインL33とを備える。第一移送ラインL31には流通方向に沿って、流量計31、機能性物質添加装置32がこの順に設けられており、第二移送ラインL32には、分岐点より上流側に物性測定装置33が設けられている。原料水供給部から第一移送ラインL31への超純水の供給量は、第一移送ラインL31において流量計31より上流側に設けられた開閉弁36によって調整される。機能性物質添加装置32は開閉弁37を介して、第一移送ラインL31へ接続されている。第二移送ラインL32において貯留タンク34の下流側には、流通方向に沿って、開閉弁38、給水ポンプ35がこの順に設けられている。
In the following Comparative Example 11, the cleaning water for electronic parts was manufactured by using the conventional cleaning
〔比較例11〕
超純水に導電率が30μS/cmとなるようアンモニアを、酸化還元電位が600mVとなるよう過酸化水素水を、水素ガス濃度が10ppmとなるよう水素ガスを、pHが9.0となるようアンモニアをそれぞれ添加して洗浄水を製造した後、50L/minでユースポイントへ移送した。ウエハの洗浄処理時以外は、ユースポイントへの洗浄水の移送を停止した。ウエハは、上記洗浄水を用いて、1枚あたり2L/minで1min洗浄した。ウエハ1枚を処理するのに要する全体の時間は3分であった。当該洗浄処理をウエハ10枚に対して続けて行った。ウエハの連続洗浄処理が終了した後、ユースポイントへの洗浄水の供給を停止した。
[Comparative Example 11]
Ammonia is added to ultrapure water so that the conductivity is 30 μS / cm, hydrogen peroxide solution is used so that the oxidation-reduction potential is 600 mV, hydrogen gas is used so that the hydrogen gas concentration is 10 ppm, and the pH is 9.0. Ammonia was added to produce wash water, which was then transferred to the point of use at 50 L / min. The transfer of wash water to the point of use was stopped except during the wafer wash process. The wafers were washed for 1 min at 2 L / min per wafer using the above washing water. The total time required to process one wafer was 3 minutes. The cleaning process was continuously performed on 10 wafers. After the continuous washing process of the wafer was completed, the supply of washing water to the use point was stopped.
その結果、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであり、1時間あたりの廃液量は20Lであった。洗浄水の水質は、導電率が30μS/cm、酸化還元電位が600mV、水素ガス濃度が10ppm、pHが9.0であり、ばらつきは±30%以内であった。 As a result, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, and the amount of waste liquid per hour was 20 L. The water quality of the wash water had a conductivity of 30 μS / cm, a redox potential of 600 mV, a hydrogen gas concentration of 10 ppm, and a pH of 9.0, and the variation was within ± 30%.
〔結果〕
実施例1-5及び比較例1-11の結果をまとめて表1に示す。実施例1-5では、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)がゼロであり、1時間あたりの廃液量も20Lと少なかった。一方、比較例1-5では、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)はゼロであるものの、1時間あたりの廃液量は3000Lと、膨大な量であった。比較例6-10では、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)は20minであって、1時間あたりの廃液量は2500Lと、膨大な量であった。また、比較例11では、ウエハを洗浄処理するための準備時間(洗浄水が安定するまでの時間)がゼロであり、1時間あたりの廃液量も20Lと少なかったが、洗浄水の水質のばらつきが大きかった。
〔result〕
The results of Examples 1-5 and Comparative Example 1-11 are summarized in Table 1. In Examples 1-5, the preparation time for cleaning the wafer (time until the cleaning water became stable) was zero, and the amount of waste liquid per hour was as small as 20 L. On the other hand, in Comparative Example 1-5, although the preparation time (time until the washing water became stable) for washing the wafer was zero, the amount of waste liquid per hour was 3000 L, which was an enormous amount. .. In Comparative Example 6-10, the preparation time (time until the washing water became stable) for washing the wafer was 20 min, and the amount of waste liquid per hour was 2500 L, which was an enormous amount. Further, in Comparative Example 11, the preparation time (time until the washing water became stable) for washing the wafer was zero, and the amount of waste liquid per hour was as small as 20 L, but the water quality of the washing water varied. Was big.
以上説明したように、本発明の電子部品用洗浄水の製造システム及び電子部品用洗浄水の製造方法によれば、ユースポイントでの洗浄水の使用の有無にかかわらず、製造した洗浄水をユースポイントへ移送しつつも、制御手段によって、ユースポイントで洗浄水を使用していない場合には、洗浄水を返送ラインに返送して一時的に貯留タンクに貯留するよう制御し、ユースポイントで洗浄水を使用している場合には、貯留タンクに貯留された洗浄水を移送ラインへ供給するよう制御することにより、製造した洗浄水の廃液量を大幅に抑制しつつも、ユースポイントで使用する洗浄水の準備時間(洗浄水が設定条件で安定するまでの時間)を短縮することができる。そして、貯留タンクから移送ラインへ供給された洗浄水と移送ラインで新たに製造された洗浄水とを移送ライン上で混合した上でその物性を定量的に測定することができるので、常に一定の物性値を有する洗浄水をユースポイントに供給することができる。 As described above, according to the system for producing wash water for electronic parts and the method for producing wash water for electronic parts of the present invention, the produced wash water is used regardless of whether or not the wash water is used at the point of use. If the wash water is not used at the use point while being transferred to the point, the wash water is returned to the return line and controlled to be temporarily stored in the storage tank, and the wash water is washed at the use point. When water is used, it is used at the point of use while significantly reducing the amount of waste liquid of the produced wash water by controlling the wash water stored in the storage tank to be supplied to the transfer line. It is possible to shorten the preparation time of the wash water (the time until the wash water stabilizes under the set conditions). Then, the washing water supplied from the storage tank to the transfer line and the washing water newly produced on the transfer line can be mixed on the transfer line and their physical properties can be quantitatively measured, so that the physical properties are always constant. Washing water with physical characteristics can be supplied to the point of use.
本発明は、半導体、液晶、有機EL等の電子部品の製造工程において用いられる電子部品用洗浄水の製造システム及びこれを用いた電子部品用洗浄水の製造方法として有用である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful as a manufacturing system for cleaning water for electronic components used in a manufacturing process for electronic components such as semiconductors, liquid crystals, and organic EL, and a method for producing cleaning water for electronic components using the same.
100 電子部品用洗浄水製造システム
1 第一流量計
2 機能性物質添加装置
3 物性測定装置
4 貯留タンク
5 第二流量計
6 給水ポンプ
7 制御手段
8 分岐点
81 切替三方弁
9 合流点
10 第一開閉弁
11 第二開閉弁
12 第三開閉弁
L1 移送ライン
L2 返送ライン
W 超純水
W1,W1’,W1’’ 洗浄水
100 Washing water production system for
Claims (8)
前記移送ラインの下流側にある分岐点で分岐し、上流側にある合流点で合流する返送ラインと、
前記移送ラインにおいて前記合流点の上流側に接続され、前記移送ラインへ供給した原料水に機能性物質を添加して洗浄水を製造する機能性物質添加装置と、
前記移送ラインにおいて前記合流点の下流側に接続され、前記洗浄水の物性を測定する物性測定装置と、
前記返送ラインに設けられ、前記洗浄水を貯留可能な貯留タンクと、
前記洗浄水の流通経路を制御する制御手段とを備える電子部品用洗浄水製造システム。 A transfer line that connects the raw water supply unit and the point of use,
A return line that branches at a branch point on the downstream side of the transfer line and merges at a confluence on the upstream side.
A functional substance addition device connected to the upstream side of the confluence in the transfer line and adding a functional substance to the raw material water supplied to the transfer line to produce washing water.
A physical property measuring device connected to the downstream side of the confluence in the transfer line and measuring the physical properties of the washing water,
A storage tank provided in the return line and capable of storing the washing water,
A washing water manufacturing system for electronic components including a control means for controlling the flow path of the washing water.
前記ユースポイントで洗浄水を使用していないと判断した場合には、前記洗浄水を前記返送ラインを経由して前記貯留タンクに貯留するように制御し、
前記ユースポイントで洗浄水を使用していると判断した場合には、前記貯留タンクに貯留された前記洗浄水を前記移送ラインへ供給するように制御する請求項1に記載の電子部品用洗浄水製造システム。 The control means
If it is determined that the wash water is not used at the use point, the wash water is controlled to be stored in the storage tank via the return line.
The washing water for electronic components according to claim 1, wherein when it is determined that the washing water is used at the use point, the washing water stored in the storage tank is controlled to be supplied to the transfer line. Manufacturing system.
前記返送ラインにおいて前記貯留タンクの下流側に接続される第二流量計とをさらに備え、
前記制御手段が、前記ユースポイントで洗浄水を使用していると判断した場合には、前記第一流量計の測定値及び前記第二流量計の測定値に基づき、前記移送ラインで製造する洗浄水の量を制御する請求項1又は請求項2に記載の電子部品用洗浄水製造システム。 The first flow meter connected to the upstream side of the confluence in the transfer line,
Further equipped with a second flow meter connected to the downstream side of the storage tank in the return line.
When the control means determines that the wash water is used at the use point, the wash manufactured on the transfer line is manufactured based on the measured values of the first flow meter and the second flow meter. The washing water production system for electronic parts according to claim 1 or 2, wherein the amount of water is controlled.
前記移送ラインの下流側にある分岐点で分岐し、上流側にある合流点で合流する返送ラインと、
前記移送ラインにおいて前記合流点の上流側に接続され、前記移送ラインへ供給した原料水に機能性物質を添加して洗浄水を製造する機能性物質添加装置と、
前記移送ラインにおいて前記合流点の下流側に接続され、前記洗浄水の物性を測定する物性測定装置と、
前記返送ラインに設けられ、前記洗浄水を貯留可能な貯留タンクと、
前記洗浄水の流通経路を制御する制御手段とを備える電子部品用洗浄水製造システムの運転方法であって、
前記ユースポイントでの洗浄水の使用の有無にかかわらず、前記洗浄水を前記移送ラインを経由して前記ユースポイントへ移送することを特徴とする電子部品用洗浄水製造システムの運転方法。 A transfer line that connects the raw water supply unit and the point of use,
A return line that branches at a branch point on the downstream side of the transfer line and merges at a confluence on the upstream side.
A functional substance addition device connected to the upstream side of the confluence in the transfer line and adding a functional substance to the raw material water supplied to the transfer line to produce washing water.
A physical property measuring device connected to the downstream side of the confluence in the transfer line and measuring the physical properties of the washing water,
A storage tank provided in the return line and capable of storing the washing water,
A method for operating a washing water manufacturing system for electronic components, which comprises a control means for controlling the flow path of the washing water.
A method for operating a washing water manufacturing system for electronic components, which comprises transferring the washing water to the use point via the transfer line regardless of whether or not the washing water is used at the use point.
前記ユースポイントで洗浄水を使用していないと判断した場合には、前記洗浄水を前記返送ラインを経由して前記貯留タンクに貯留するように制御し、
前記ユースポイントで洗浄水を使用していると判断した場合には、前記貯留タンクに貯留された前記洗浄水を前記移送ラインへ供給するように制御する請求項5に記載の電子部品用洗浄水製造システムの運転方法。 The control means
If it is determined that the wash water is not used at the use point, the wash water is controlled to be stored in the storage tank via the return line.
The washing water for electronic components according to claim 5, wherein when it is determined that the washing water is used at the use point, the washing water stored in the storage tank is controlled to be supplied to the transfer line. How to operate the manufacturing system.
前記移送ラインにおいて前記合流点の上流側に接続される第一流量計と、
前記返送ラインにおいて前記貯留タンクの下流側に接続される第二流量計とをさらに備え、
前記制御手段が、前記ユースポイントで洗浄水を使用していると判断した場合には、前記第一流量計の測定値及び前記第二流量計の測定値に基づき、前記移送ラインで製造する洗浄水の量を制御する請求項5又は請求項6に記載の電子部品用洗浄水製造システムの運転方法。 The cleaning water manufacturing system for electronic components
The first flow meter connected to the upstream side of the confluence in the transfer line,
Further equipped with a second flow meter connected to the downstream side of the storage tank in the return line.
When the control means determines that the wash water is used at the use point, the wash manufactured on the transfer line is manufactured based on the measured values of the first flow meter and the second flow meter. The method for operating a washing water production system for electronic parts according to claim 5 or 6, wherein the amount of water is controlled.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018156688A JP7099172B2 (en) | 2018-08-23 | 2018-08-23 | How to operate the washing water manufacturing system for electronic parts and the washing water manufacturing system for electronic parts |
PCT/JP2019/026579 WO2020039764A1 (en) | 2018-08-23 | 2019-07-04 | System for producing washing water for electronic components, and operating method for system for producing washing water for electronic components |
TW108126690A TW202012319A (en) | 2018-08-23 | 2019-07-29 | System for producing washing water for electronic components, and operating method for system for producing washing water for electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018156688A JP7099172B2 (en) | 2018-08-23 | 2018-08-23 | How to operate the washing water manufacturing system for electronic parts and the washing water manufacturing system for electronic parts |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020031159A JP2020031159A (en) | 2020-02-27 |
JP7099172B2 true JP7099172B2 (en) | 2022-07-12 |
Family
ID=69593079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018156688A Active JP7099172B2 (en) | 2018-08-23 | 2018-08-23 | How to operate the washing water manufacturing system for electronic parts and the washing water manufacturing system for electronic parts |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7099172B2 (en) |
TW (1) | TW202012319A (en) |
WO (1) | WO2020039764A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6939960B1 (en) * | 2020-07-30 | 2021-09-22 | 栗田工業株式会社 | Wafer cleaning water supply device |
JP6947267B1 (en) * | 2020-09-14 | 2021-10-13 | 栗田工業株式会社 | Cleaning water supply device for electronic parts / members and cleaning water supply method for electronic parts / members |
JP7103394B2 (en) * | 2020-10-27 | 2022-07-20 | 栗田工業株式会社 | Wafer cleaning water supply system and wafer cleaning water supply method |
JP7147901B1 (en) * | 2021-03-15 | 2022-10-05 | 栗田工業株式会社 | Functional aqueous solution supply device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003136077A (en) | 2001-10-31 | 2003-05-13 | Nec Corp | Apparatus for making washing water or dipping water used in production of semiconductor |
WO2016042933A1 (en) | 2014-09-16 | 2016-03-24 | オルガノ株式会社 | Diluted liquid production method and diluted liquid production device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6430772B2 (en) * | 2014-10-06 | 2018-11-28 | オルガノ株式会社 | Carbon dioxide-dissolved water supply system, carbon dioxide-dissolved water supply method, and ion exchange device |
JP6427378B2 (en) * | 2014-10-06 | 2018-11-21 | オルガノ株式会社 | Ammonia dissolved water supply system, ammonia dissolved water supply method, and ion exchange apparatus |
-
2018
- 2018-08-23 JP JP2018156688A patent/JP7099172B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-04 WO PCT/JP2019/026579 patent/WO2020039764A1/en active Application Filing
- 2019-07-29 TW TW108126690A patent/TW202012319A/en unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003136077A (en) | 2001-10-31 | 2003-05-13 | Nec Corp | Apparatus for making washing water or dipping water used in production of semiconductor |
WO2016042933A1 (en) | 2014-09-16 | 2016-03-24 | オルガノ株式会社 | Diluted liquid production method and diluted liquid production device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020031159A (en) | 2020-02-27 |
TW202012319A (en) | 2020-04-01 |
WO2020039764A1 (en) | 2020-02-27 |
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