JP7095313B2 - 描画データ生成装置、レジストパターンの形成方法及び凹凸構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
[描画データ生成装置]
本実施形態に係る描画データ生成装置10は、第1面及びそれに対向する第2面を有する基材の当該第1面上に設けられたレジスト膜にパターン潜像を描画する電子線描画装置において用いられる描画データを生成する装置である。特に、本実施形態に係る描画データ生成装置10は、複数段の階段状凹凸パターンを有する凹凸構造体を作製するために電子線描画装置にて実施される第1~第N(Nは2以上の整数である。)リソグラフィ工程のそれぞれで用いられる第1~第N描画データのそれぞれを生成する装置である。
上述した構成を有する描画データ生成装置10において描画データ(第1~第N描画データ)を生成する方法を説明する。図2は、本実施形態に係る描画データ生成装置10を用いて第M(Mは1以上N以下の整数である。)描画データを生成する方法を示すフローチャートである。なお、本実施形態において、凹凸構造体1を作製するに際して、第1~第N描画データのすべてを予め生成してもよいし、凹凸構造体1を作製するプロセスにおける各リソグラフィ工程(第1~第Nリソグラフィ工程)を行うときに各描画データ(第1~第N描画データ)を生成してもよい。
第M補正リソグラフデータを生成するにあたり、制御部11は、読み出された第Mリソグラフデータに含まれる第Mパターン潜像の描画図形から、当該第Mパターン潜像の描画図形に第M補正パターンを付加する付加箇所を抽出する(図3,S21)。具体的には、制御部11は、第Mパターン潜像の描画図形の角部を抽出し、当該角部の位置座標を第M補正パターンの付加箇所に関する情報として抽出する。それとともに、当該角部が、第Mレジスト膜における露光される領域(露光部)の凹角部に相当するのか、凸角部に相当するのかを、第Mパターン潜像の描画図形データに含まれる露光領域に関する情報に基づいて判断する。
次に、本実施形態における凹凸構造体の製造方法の一例を説明する。図9は、本実施形態における凹凸構造体の製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
2…基材
21…第1面
22…第2面
3…第1レジスト膜
31…第1レジストパターン
32…開口部
4…第2レジスト膜
41…第2レジストパターン
42…開口部
10…描画パターン生成装置
11…制御部
12…主記憶部
13…補助記憶部
14…リソグラフデータベース
15…段差データベース
16…描画データベース
Claims (9)
- 複数段の凹凸パターンを有する凹凸構造体を作製するための第1~第N(Nは2以上の整数である。)リソグラフィ工程のそれぞれで用いられる第1~第N描画データのそれぞれを生成する描画データ生成装置であって、
第M(Mは1以上N以下の整数である。)リソグラフィ工程を経て基材上に形成される第M凹凸構造の位置及び深さに基づき、前記第Mリソグラフィ工程におけるリソグラフ条件に関する情報を含む第Mリソグラフデータに、第M補正パターンに関する第M補正パターンデータを付加することで、第M補正リソグラフデータを生成する補正リソグラフデータ生成部と、
前記第M補正リソグラフデータに基づき、第M描画データを生成する描画データ生成部と
を備え、
前記第Mリソグラフデータは、前記凹凸構造体の設計データに対応して基材上の第Mレジスト膜に描画されるべき第Mパターン潜像の描画図形と、前記第Mレジスト膜を構成する第Mレジスト材料の種類と、前記基材上における前記第Mレジスト膜の膜厚と、前記基材のエッチング深さとに関するデータを含み、
前記第M補正パターンデータは、レジストパターンの角部の曲率半径とレジストパターンの露光膜厚との相関関係及びレジストパターンの角部の曲率半径と補正パターン形状との相関関係に基づき、第M露光膜厚から求められた前記第M補正パターンの描画図形の形状及びサイズに関するデータを含み、
前記補正リソグラフデータ生成部は、前記第Mパターン潜像の描画図形の角部に前記第M補正パターンの描画図形を重ね合わせた第M補正パターン潜像の描画図形に関するデータを含む前記第M補正リソグラフデータを生成する描画データ生成装置。 - 前記描画データ生成部は、前記第M補正リソグラフデータに露光エネルギー量に関するデータを付与することで、前記第M描画データを生成する
請求項1に記載の描画データ生成装置。 - 前記補正リソグラフデータ生成部は、前記第M凹凸構造の位置及び深さに関する第M段差マップを含む第M段差データに基づき、前記第M補正リソグラフデータを生成する
請求項1又は2に記載の描画データ生成装置。 - 第L(Lは1以上N-1以下の整数である。)段差データと第Lリソグラフデータとに基づき、第L+1段差データを生成する段差データ生成部をさらに備える
請求項3に記載の描画データ生成装置。 - 前記段差データ生成部は、前記凹凸構造体の設計データに対応して第Lレジスト膜に描画されるべき第Lパターン潜像の描画図形と前記基材のエッチング深さとに関する情報を、前記第L段差データに含まれる第L段差マップに重ね合わせることで、前記第L+1段差データを生成する
請求項4に記載の描画データ生成装置。 - 前記段差データ生成部は、第K(Kは2以上N-1以下の整数である。)リソグラフィ工程を経て形成された第K凹凸構造の深さの実測値に基づいて第K段差マップを生成し、前記凹凸構造体の設計データに対応して第Lレジスト膜に描画されるべき第Lパターン潜像の描画図形と前記基材のエッチング深さとに関する情報を、前記第K段差マップに重ね合わせることで、第K+1段差データを生成する
請求項4又は5に記載の描画データ生成装置。 - 請求項1~6のいずれかに記載の描画データ生成装置により生成された前記第M描画データに基づき、電子線描画装置を用いて前記第Mリソグラフィ工程にて前記第M凹凸構造が形成される基材上のレジスト膜に描画することで、前記レジスト膜に第M補正パターン潜像を形成する工程と、
前記第M補正パターン潜像の形成された前記レジスト膜を現像する工程と
を有するレジストパターン形成方法。 - 複数段の凹凸パターンを有する凹凸構造体を作製するための第1~第N(Nは2以上の整数である。)リソグラフィ工程のそれぞれにおいてレジストパターンを形成する方法であって、
第M(Mは1以上N以下の整数である。)リソグラフィ工程を経て基材上に形成される第M凹凸構造の位置及び深さに基づき、前記第Mリソグラフィ工程におけるリソグラフ条件に関する情報を含む第Mリソグラフデータに、第M補正パターンに関する第M補正パターンデータを付加することで、第M補正リソグラフデータを生成する工程と、
前記第M補正リソグラフデータに基づき、第M描画データを生成する工程と、
前記第M描画データに基づき、前記第Mリソグラフィ工程にて前記第M凹凸構造が形成される基材上のレジスト膜に描画することで、前記レジスト膜に第M補正パターン潜像を形成する工程と、
前記第M補正パターン潜像の形成された前記レジスト膜を現像する工程と
を有し、
前記第Mリソグラフデータは、前記凹凸構造体の設計データに対応して基材上の第Mレジスト膜に描画されるべき第Mパターン潜像の描画図形と、前記第Mレジスト膜を構成する第Mレジスト材料の種類と、前記基材上における前記第Mレジスト膜の膜厚と、前記基材のエッチング深さとに関するデータを含み、
前記第M補正パターンデータは、レジストパターンの角部の曲率半径とレジストパターンの露光膜厚との相関関係及びレジストパターンの角部の曲率半径と補正パターン形状との相関関係に基づき、第M露光膜厚から求められた前記第M補正パターンの描画図形の形状及びサイズに関するデータを含み、
前記第M補正リソグラフデータを生成する工程において、前記第Mパターン潜像の描画図形の角部に前記第M補正パターンの描画図形を重ね合わせた第M補正パターン潜像の描画図形に関するデータを含む前記第M補正リソグラフデータを生成するレジストパターン形成方法。 - 第1面及びそれに対向する第2面を有する基材の前記第1面に複数段の凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程を有し、
前記凹凸パターン形成工程は、順に実施される第1~第N(Nは2以上の整数である。)リソグラフィ工程を含み、
第M(Mは1以上N以下の整数である。)リソグラフィ工程において、請求項7又は8に記載のレジストパターン形成方法により形成されたレジストパターンをマスクとして、前記基材の前記第1面をエッチングする
凹凸構造体の製造方法。
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JP2006343461A (ja) | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 回折光学素子,および,回折光学素子の製造方法 |
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