JP7095313B2 - 描画データ生成装置、レジストパターンの形成方法及び凹凸構造体の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、描画データ生成装置、レジストパターンの形成方法及び凹凸構造体の製造方法に関する。

近年、半導体デバイス、光学部材等の製造工程において、基板の表面に微細凹凸パターンを形成した型部材（インプリントモールド）を用い、微細凹凸パターンを基板等の被加工物に等倍転写するパターン形成技術であるナノインプリント技術が利用されている。

ナノインプリント技術に用いられるインプリントモールドに形成されている微細凹凸パターンの多くは、断面矩形状のラインアンドスペースパターン、ピラーパターン、ホールパターン等の１段の段構造により構成される。

その一方で、半導体デバイス等の製造のみならず、光学素子、配線回路、記録デバイス、ディスプレイパネル、医療検査用チップ、マイクロ流路等の製造過程において、複数段の階段状凹凸パターンを有する凹凸構造体を形成することがある。このような複数段の階段状凹凸パターンを有する凹凸構造体を、ナノインプリント技術を利用して形成するために、従来、複数段の階段状凹凸パターンを備えるインプリントモールドが用いられている（特許文献１参照）。

特開２０１０－１７１１０９号公報

一般に、ナノインプリント技術は、インプリントモールドに形成されている微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術であるため、インプリントモールドが備える複数段の階段状凹凸パターンは、作製予定の凹凸構造体が備える複数段の階段状凹凸パターンの鏡像対称となる形状で形成される必要がある。かかるインプリントモールドの各段部は、例えば、電子線描画装置等を用いて石英基板等のモールド基材の一面に各段部に対応するレジストパターンの形成処理及び当該レジストパターンをマスクとしたドライエッチング処理を含む一連の電子線リソグラフィ処理を複数回行うことにより形成され得る。

レジストパターンを形成するにあたり、モールド基材の一面に形成されたレジスト層に電子線描画装置等を用いた描画処理によりレジストパターンの潜像を形成する。当該電子線描画装置等を用いた描画処理は、レジストパターンに対応する描画データに基づいて行われる。かかる描画データに含まれるパターン潜像の描画図形は、一般に、レジストパターンの平面視形状と同一形状に設定される。

しかしながら、上記レジストパターンの平面視形状と同一形状であるパターン潜像の描画図形に基づいて描画処理が行われると、形成されるレジストパターンの角部が丸みを帯びてしまうことがある。特に、複数の段部を形成する過程において用いられる、相対的に膜厚の厚いレジストパターンにおいては、角部の丸みが大きくなる傾向にある。これは、レジストパターンの角部に対応する位置に電子ビームを照射して当該レジストパターンのパターン潜像を形成する際に、当該角部に対応する位置における電子ビームの蓄積エネルギー量が他の位置における蓄積エネルギー量と異なってしまうことに起因するものと考えられる。

上記課題に鑑みて、本開示は、レジストパターンの角部に丸みを帯びさせないような描画データを生成可能な描画データ生成装置、レジストパターン形成方法及び凹凸構造体製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、複数段の凹凸パターンを有する凹凸構造体を作製するための第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数である。）リソグラフィ工程のそれぞれで用いられる第１～第Ｎ描画データのそれぞれを生成する描画データ生成装置であって、第Ｍ（Ｍは１以上Ｎ以下の整数である。）リソグラフィ工程を経て基材上に形成される第Ｍ凹凸構造の位置及び深さに基づき、前記第Ｍリソグラフィ工程におけるリソグラフ条件に関する情報を含む第Ｍリソグラフデータに、第Ｍ補正パターンに関する第Ｍ補正パターンデータを付加することで、第Ｍ補正リソグラフデータを生成する補正リソグラフデータ生成部と、前記第Ｍ補正リソグラフデータに基づき、第Ｍ描画データを生成する描画データ生成部とを備え、前記第Ｍリソグラフデータは、前記凹凸構造体の設計データに対応して基材上の第Ｍレジスト膜に描画されるべき第Ｍパターン潜像の描画図形と、前記第Ｍレジスト膜を構成する第Ｍレジスト材料の種類と、前記基材上における前記第Ｍレジスト膜の膜厚と、前記基材のエッチング深さとに関するデータを含み、前記第Ｍ補正パターンデータは、レジストパターンの角部の曲率半径とレジストパターンの露光膜厚との相関関係及びレジストパターンの角部の曲率半径と補正パターン形状との相関関係に基づき、第Ｍ露光膜厚から求められた前記第Ｍ補正パターンの描画図形の形状及びサイズに関するデータを含み、前記補正リソグラフデータ生成部は、前記第Ｍパターン潜像の描画図形の角部に前記第Ｍ補正パターンの描画図形を重ね合わせた第Ｍ補正パターン潜像の描画図形に関するデータを含む前記第Ｍ補正リソグラフデータを生成する描画データ生成装置が提供される。

前記描画データ生成部は、前記第Ｍ補正リソグラフデータに露光エネルギー量に関するデータを付与することで、前記第Ｍ描画データを生成することができ、前記補正リソグラフデータ生成部は、前記第Ｍ凹凸構造の位置及び深さに関する第Ｍ段差マップを含む第Ｍ段差データに基づき、前記第Ｍ補正リソグラフデータを生成することができ、第Ｌ（Ｌは１以上Ｎ－１以下の整数である。）段差データと第Ｌリソグラフデータとに基づき、第Ｌ＋１段差データを生成する段差データ生成部をさらに備えていてもよい。

前記段差データ生成部は、前記凹凸構造体の設計データに対応して第Ｌレジスト膜に描画されるべき第Ｌパターン潜像の描画図形と前記基材のエッチング深さとに関する情報を、前記第Ｌ段差データに含まれる第Ｌ段差マップに重ね合わせることで、前記第Ｌ＋１段差データを生成してもよい。

前記段差データ生成部は、第Ｋ（Ｋは２以上Ｎ－１以下の整数である。）リソグラフィ工程を経て形成された第Ｋ凹凸構造の深さの実測値に基づいて第Ｋ段差マップを生成し、前記凹凸構造体の設計データに対応して第Ｌレジスト膜に描画されるべき第Ｌパターン潜像の描画図形と前記基材のエッチング深さとに関する情報を、前記第Ｋ段差マップに重ね合わせることで、第Ｋ＋１段差データを生成してもよい。

本開示の一実施形態として、上記描画データ生成装置により生成された前記第Ｍ描画データに基づき、前記第Ｍリソグラフィ工程にて前記第Ｍ凹凸構造が形成される基材上のレジスト膜に電子線描画装置を用いて描画することで、前記レジスト膜に第Ｍ補正パターン潜像を形成する工程と、前記第Ｍ補正パターン潜像の形成された前記レジスト膜を現像する工程とを有するレジストパターン形成方法が提供される。

本開示の一実施形態として、複数段の凹凸パターンを有する凹凸構造体を作製するための第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数である。）リソグラフィ工程のそれぞれにおいてレジストパターンを形成する方法であって、第Ｍ（Ｍは１以上Ｎ以下の整数である。）リソグラフィ工程を経て基材上に形成される第Ｍ凹凸構造の位置及び深さに基づき、前記第Ｍリソグラフィ工程におけるリソグラフ条件に関する情報を含む第Ｍリソグラフデータに、第Ｍ補正パターンに関する第Ｍ補正パターンデータを付加することで、第Ｍ補正リソグラフデータを生成する工程と、前記第Ｍ補正リソグラフデータに基づき、第Ｍ描画データを生成する工程と、前記第Ｍ描画データに基づき、前記第Ｍリソグラフィ工程にて前記第Ｍ凹凸構造が形成される基材上のレジスト膜に描画することで、前記レジスト膜に第Ｍ補正パターン潜像を形成する工程と、前記第Ｍ補正パターン潜像の形成された前記レジスト膜を現像する工程とを有し、前記第Ｍリソグラフデータは、前記凹凸構造体の設計データに対応して基材上の第Ｍレジスト膜に描画されるべき第Ｍパターン潜像の描画図形と、前記第Ｍレジスト膜を構成する第Ｍレジスト材料の種類と、前記基材上における前記第Ｍレジスト膜の膜厚と、前記基材のエッチング深さとに関するデータを含み、前記第Ｍ補正パターンデータは、レジストパターンの角部の曲率半径とレジストパターンの露光膜厚との相関関係及びレジストパターンの角部の曲率半径と補正パターン形状との相関関係に基づき、第Ｍ露光膜厚から求められた前記第Ｍ補正パターンの描画図形の形状及びサイズに関するデータを含み、前記第Ｍ補正リソグラフデータを生成する工程において、前記第Ｍパターン潜像の描画図形の角部に前記第Ｍ補正パターンの描画図形を重ね合わせた第Ｍ補正パターン潜像の描画図形に関するデータを含む前記第Ｍ補正リソグラフデータを生成するレジストパターン形成方法が提供される。

本開示の一実施形態として、第１面及びそれに対向する第２面を有する基材の前記第１面に複数段の凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程を有し、前記凹凸パターン形成工程は、順に実施される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数である。）リソグラフィ工程を含み、第Ｍ（Ｍは１以上Ｎ以下の整数である。）リソグラフィ工程において、請求項８に記載のレジストパターン形成方法により形成されたレジストパターンをマスクとして、前記基材の前記第１面をエッチングする凹凸構造体の製造方法が提供される。

本開示によれば、レジストパターンの角部に丸みを帯びさせないような描画データを生成可能な描画データ生成装置、レジストパターン形成方法及び凹凸構造体製造方法が提供され得る。

図１は、本開示の一実施形態に係る描画データ生成装置の概略構成を示すブロック図である。 図２は、本開示の一実施形態における描画データを生成する工程を示すフローチャートである。 図３は、本開示の一実施形態における補正リソグラフデータを生成する工程を示すフローチャートである。 図４は、本開示の一実施形態における第１段差マップを示す概略図である。 図５は、本開示の一実施形態における第２段差マップを示す概略図である。 図６は、本開示の一実施形態における第１パターン潜像を示す概略図である。 図７は、本開示の一実施形態における第２パターン潜像を示す概略図である。 図８（Ａ）は、本開示の一実施形態における第１パターン潜像の描画図形に第１補正パターンの描画図形を重ね合わせた状態を示す概略図であり、図８（Ｂ）は、本開示の一実施形態における第２パターン潜像の描画図形に第２補正パターンの描画図形を重ね合わせた状態を示す概略図であり、図８（Ｃ）は、本開示の一実施形態における第１補正パターン潜像の描画図形を示す概略図であり、図８（Ｄ）は、本開示の一実施形態における第２補正パターン潜像の描画図形を示す概略図である。 図９は、本開示の一実施形態における凹凸構造体の製造工程の一の態様を切断端面にて示す工程フロー図である。 図１０は、本開示の一実施形態における凹凸構造体の製造工程の他の態様を切断端面にて示す工程フロー図である。 図１１は、本開示の一実施形態における凹凸構造体の製造工程の他の態様を切断端面にて示す工程フロー図である。 図１２は、本開示の一実施形態における凹凸構造体の製造工程の他の態様を切断端面にて示す工程フロー図である。

本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る描画データ生成装置の概略構成を示すブロック図である。
［描画データ生成装置］
本実施形態に係る描画データ生成装置１０は、第１面及びそれに対向する第２面を有する基材の当該第１面上に設けられたレジスト膜にパターン潜像を描画する電子線描画装置において用いられる描画データを生成する装置である。特に、本実施形態に係る描画データ生成装置１０は、複数段の階段状凹凸パターンを有する凹凸構造体を作製するために電子線描画装置にて実施される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数である。）リソグラフィ工程のそれぞれで用いられる第１～第Ｎ描画データのそれぞれを生成する装置である。

描画データ生成装置１０は、制御部１１と、各種プログラム等を記憶する主記憶部１２と、制御部１１により生成されたデータ等を一時的に記憶する補助記憶部１３と、第１～第Ｎリソグラフデータを格納するリソグラフデータベース（リソグラフＤＢ）１４と、第１～第Ｎ段差データを格納する段差データベース（段差ＤＢ）１５と、第１～第Ｎ描画データを格納する描画データベース（描画ＤＢ）１６とを備える。

制御部１１は、リソグラフＤＢ１４、段差ＤＢ１５等に格納された各種データや、補助記憶部１３に記憶された各種データ等を読み出し、主記憶部１２に記憶された各種プログラムの指示に従って、種々の演算処理等を行う。

主記憶部１２には、作製予定の凹凸構造体の設計データから第１～第Ｎリソグラフデータを生成するためのリソグラフデータ生成プログラム、第１～第Ｎ段差データを生成するための段差データ生成プログラム、第１～第Ｎリソグラフデータのそれぞれに付加される第１～第Ｎ補正パターンに関するデータ（第１～第Ｎ補正パターンデータ）を生成する補正パターンデータ生成プログラム、第１～第Ｎリソグラフデータのそれぞれに第１～第Ｎ補正パターンデータのそれぞれを付加して第１～第Ｎ補正リソグラフデータのそれぞれを生成する補正リソグラフデータ生成プログラム、第１～第Ｎ補正リソグラフデータのそれぞれから第１～第Ｎ描画データのそれぞれを生成する描画データ生成プログラム等の各種プログラム等が記憶されている。

補助記憶部１３には、ユーザからの入力データ、制御部１１により生成された第１～第Ｎ補正パターンデータや第１～第Ｎ補正リソグラフデータ等の各種データが一時的に記憶される。なお、補助記憶部１３に記憶されるユーザからの入力データとしては、例えば、作製予定の凹凸構造体の設計データ、凹凸構造体の作製に用いられるレジストや基材の材料等に関するデータ、レジストパターンの角部の丸み（曲率半径）とレジスト膜の露光膜厚との相関関係に関するデータ、レジストパターンの角部の丸み（曲率半径）と補正パターンの描画図形の形状及びサイズとの相関関係に関するデータ等が挙げられる。なお、上記相関関係における「レジストパターンの角部の丸み（曲率半径）」は、所定のレジスト材料を用いて所定の現像条件にて現像して形成されたレジストパターンの角部の丸み（曲率半径）の実測値であってもよいし、レジスト材料のタイプ（ネガ型又はポジ型、化学増幅型であるか否か等）に関する情報と現像パラメータ（感度曲線、γ値、溶解速度、現像閾値、酸の拡散長等）とからモンテカルロシミュレーション等により求めた蓄積エネルギー分布の曲率半径であってもよい。

制御部１１により生成され、補助記憶部１３に記憶される第１～第Ｎ補正パターンデータのそれぞれには、第１～第Ｎ補正パターンのそれぞれの描画図形の形状及びサイズに関するデータ等が含まれる。第１～第Ｎ補正パターンデータは、レジストパターンにおける角部の丸み（曲率半径）とレジスト膜の露光膜厚との相関関係に関するデータ、及びレジストパターンにおける角部の丸み（曲率半径）と補正パターンの描画図形の形状及びサイズとの相関関係に関するデータから生成される。レジストパターンにおける角部は、レジスト膜の露光膜厚が厚くなるほどに丸みを帯び、当該角部の平面視における曲率半径が大きくなる。すなわち、レジストパターンにおける角部の丸み（曲率半径）とレジスト膜の露光膜厚との間には所定の相関関係がある。また、レジスト膜に形成されるパターン潜像の角部に補正パターンを付加することで、レジストパターンにおける角部をシャープに形成することができるが、レジストパターンにおける角部の丸み（曲率半径）と補正パターンの形状及びサイズとの間にもまた所定の相関関係がある。

また、制御部１１により生成され、補助記憶部１３に記憶される第１～第Ｎ補正リソグラフデータには、第１～第Ｎリソグラフデータのそれぞれに含まれる第１～第Ｎパターン潜像の描画図形のそれぞれに、第１～第Ｎ補正パターンの描画図形を重ね合わせることで生成される第１～第Ｎ補正パターン潜像の描画図形に関するデータ等が含まれる。

リソグラフＤＢ１４に格納される第１～第Ｎリソグラフデータには、凹凸構造体の作製プロセスにおける第１～第Ｎリソグラフィ工程における種々のリソグラフィ条件に関するデータが含まれる。例えば、第１～第Ｎリソグラフデータには、第１～第Ｎリソグラフィ工程において基材の第１面上に形成される第１～第Ｎレジスト膜に描画されるべき第１～第Ｎパターン潜像の描画図形に関するデータ、第１～第Ｎリソグラフィ工程におけるエッチング量（エッチング深さ）に関するデータ、第１～第Ｎレジスト材料に関するデータ、第１～第Ｎレジスト膜の膜厚に関するデータ等が含まれる。なお、第１～第Ｎレジスト膜の膜厚とは、第１～第Ｎリソグラフィ工程のそれぞれにおいて、基材の第１面上に形成される第１～第Ｎレジスト膜の、基材の厚さ方向において基材の第１面側の最も高い位置における膜厚を意味する。

例えば、図９に示す工程フロー図に従って凹凸構造体１が作製される場合、この作製プロセスには第１リソグラフィ工程（図９（Ａ）～９（Ｃ））と第２リソグラフィ工程（図９（Ｄ）～９（Ｆ））とが含まれる。そして、第１リソグラフィ工程において、基材２の第１面２１上には、図９（Ｂ）に示す形状の開口部３２を有する第１レジストパターン３１が形成される。そのため、第１レジスト膜３０には、第１レジストパターン３１に対応する形状の第１パターン潜像が形成されるべきであると考えられる。したがって、第１リソグラフデータに含まれる第１パターン潜像の描画図形に関するデータは、第１リソグラフィ工程において基材の第１面上に形成される第１レジストパターン３１の形状に対応する描画図形及びレジスト材料の感光タイプ（ネガ型又はポジ型）に基づく露光領域に関するデータとして、凹凸構造体１の設計データから決定される作製プロセスに基づいて生成される。第２パターン潜像の描画図形に関するデータについても、第１パターン潜像の描画図形に関するデータと同様にして生成される。

第１～第Ｎリソグラフデータに含まれる、第１～第Ｎリソグラフィ工程におけるエッチング量（エッチング深さ）に関するデータ及び第１～第Ｎレジスト膜の膜厚に関するデータは、凹凸構造体１の設計データから決定される作製プロセスに基づいて生成される。例えば、図９に示す工程フロー図に従って凹凸構造体１が作製される場合、第１リソグラフィ工程（図９（Ａ）～（Ｃ））におけるエッチング量（エッチング深さ）は、階段状凹凸パターンの各段の２段分の高さ（深さ）に相当するエッチング量（エッチング深さ）であり、第２リソグラフィ工程（図９（Ｄ）～（Ｆ））におけるエッチング量（エッチング深さ）は、階段状凹凸パターンの各段の１段分の高さ（深さ）に相当するエッチング量（エッチング深さ）である。

また、図９に示す工程フロー図の第１リソグラフィ工程（図９（Ａ）～（Ｃ））においては、未加工の基材２（第１面２１が平坦面である基材２）が用いられるため（図９（Ａ）参照）、第１レジスト膜３０の膜厚は、基材２の第１面２１に形成された第１レジスト膜３０の塗布厚みに相当する。第２リソグラフィ工程（図９（Ｄ）～（Ｆ））は、第１リソグラフィ工程（図９（Ａ）～（Ｃ））により第１面２１に第１凹部２１１が形成された基材２に対して実施される（図９（Ｄ）参照）。そのため、第２レジスト膜４０は、基材２の第１面２１のうち、第１リソグラフィ工程において第１レジストパターン３１により被覆されていてエッチングされなかった箇所と、第１リソグラフィ工程においてエッチングされた箇所とで異なる厚みを有する。この場合において、第２リソグラフデータに含まれる第２レジスト膜４０の膜厚に関するデータとしては、第１リソグラフィ工程において第１レジストパターン３１により被覆されていてエッチングされなかった箇所における第２レジスト膜４０の膜厚に相当する。

なお、第１レジスト膜３０の膜厚は、第２レジスト膜４０の膜厚よりも厚い。これは、第１リソグラフィ工程（図９（Ａ）～（Ｃ））におけるエッチング量が、第２リソグラフィ工程（図９（Ｄ）～（Ｆ））におけるエッチング量の２倍に相当するためである。すなわち、第１～第Ｎレジスト膜の膜厚は、第１～第Ｎリソグラフィ工程におけるエッチング量と、基材２及びレジスト膜を構成するレジスト材料間のエッチング選択比とに応じて適宜設定され得る。

段差ＤＢ１５に格納される第１～第Ｎ段差データには、第１～第Ｎリソグラフィ工程のそれぞれの開始時（第１～第Ｎレジスト膜の形成前）における基材２の第１面２１上の各箇所の基準面からの深さ（高さ）を示す、当該基準面からの深さ（高さ）を基準にし、当該深さ（高さ）が同一の領域により区分された一又は複数の領域を示す第１～第Ｎ段差マップ等が含まれる。なお、基準面とは、基材の厚さ方向において基材の第１面側の最も高い位置を含む面を意味する。

例えば、図９に示す工程フロー図に従って凹凸構造体１が作製される場合、第１段差マップは、第１面２１上の全面において深さが「ゼロ」の領域を有するマップである（図４参照）。第２段差マップは、第１リソグラフィ工程においてエッチングされた箇所（第１凹部２１１）の深さが「２Ｔ」である領域と、それ以外の箇所の深さが「ゼロ」である領域とを有するマップである（図５参照）。

第１～第Ｎ段差マップは、作製予定の凹凸構造体１の設計データから決定される作製プロセスに基づいて生成されてもよいし、第１～第Ｎリソグラフィ工程のそれぞれの開始時（第１～第Ｎレジスト膜の形成前）における基材２の第１面２１の平坦度の実測値に基づいて生成されてもよい。作製予定の凹凸構造体１の設計データから決定される作製プロセスに基づいて第１～第Ｎ段差マップを生成する場合、例えば、第Ｌ（Ｌは１以上Ｎ－１以下の整数である。）段差マップに第Ｌパターン潜像の描画図形及びエッチング量（エッチング深さ）を加算することで、第Ｌ＋１段差マップを生成することができる。

また、第１～第Ｎリソグラフィ工程の途中の少なくとも１回のリソグラフィ工程、例えば、第Ｊ（Ｊは２以上Ｎ－１以下の整数である。）リソグラフィ工程の開始時における基材２の第１面２１の平坦度を実測して第Ｊ段差マップを生成し、第Ｊ＋１～第Ｎ段差マップは、当該第Ｊ段差マップを基準として、設計データから決定される作製プロセスに基づいて生成されてもよい。なお、基材２の第１面２１の平坦度は、例えば、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope，ＡＦＭ）等を利用して実測され得る。

描画ＤＢ１６に格納される第１～第Ｎ描画データは、第１～第Ｎ補正リソグラフデータに含まれる第１～第Ｎ補正パターン潜像の描画図形に関するデータに、電子ビーム露光量に関する情報が付加されたものである。すなわち、第１～第Ｎ描画データは、第１～第Ｎ補正パターン潜像の描画図形と、その描画図形を最小グリッドで区分し、各グリッドにおける電子ビーム露光量とをデータ内容として含む。各グリッドにおける電子ビーム露光量は、電子ビームの照射による近接効果等を考慮して決定され得る。

［描画データ生成方法］
上述した構成を有する描画データ生成装置１０において描画データ（第１～第Ｎ描画データ）を生成する方法を説明する。図２は、本実施形態に係る描画データ生成装置１０を用いて第Ｍ（Ｍは１以上Ｎ以下の整数である。）描画データを生成する方法を示すフローチャートである。なお、本実施形態において、凹凸構造体１を作製するに際して、第１～第Ｎ描画データのすべてを予め生成してもよいし、凹凸構造体１を作製するプロセスにおける各リソグラフィ工程（第１～第Ｎリソグラフィ工程）を行うときに各描画データ（第１～第Ｎ描画データ）を生成してもよい。

まず、制御部１１は、第１～第Ｎ描画データのうちの第Ｍ描画データを生成することを判断し、リソグラフＤＢ１４から第Ｍリソグラフデータを読み出すとともに、段差ＤＢ１５から第Ｍ段差データを読み出す（Ｓ０１）。

続いて、制御部１１は、第Ｍ補正リソグラフデータを生成する（Ｓ０２）。
第Ｍ補正リソグラフデータを生成するにあたり、制御部１１は、読み出された第Ｍリソグラフデータに含まれる第Ｍパターン潜像の描画図形から、当該第Ｍパターン潜像の描画図形に第Ｍ補正パターンを付加する付加箇所を抽出する（図３，Ｓ２１）。具体的には、制御部１１は、第Ｍパターン潜像の描画図形の角部を抽出し、当該角部の位置座標を第Ｍ補正パターンの付加箇所に関する情報として抽出する。それとともに、当該角部が、第Ｍレジスト膜における露光される領域（露光部）の凹角部に相当するのか、凸角部に相当するのかを、第Ｍパターン潜像の描画図形データに含まれる露光領域に関する情報に基づいて判断する。

例えば、図９に示す工程フロー図に従って凹凸構造体１を作製するときに用いられる第１描画データを生成する場合、制御部１１は、第１パターン潜像の描画図形Ｆ１の角部Ｃ１（図６参照）及び当該角部Ｃ１の位置座標を抽出する。そして、当該角部Ｃ１が第１レジスト膜３における露光部の凹角部に相当するのか、凸角部に相当するのかを判断する。第１レジストパターン３１（第１レジスト膜３）を構成するレジスト材料の感光タイプがネガ型である場合、未露光部（露光されない領域、図６における破線で囲まれた領域）に開口部３２が形成されるため、角部Ｃ１は第１レジスト膜３における露光部の凹角部に相当すると制御部１１により判断される。一方、当該レジスト材料の感光タイプがポジ型である場合、露光部（図７における破線で囲まれた領域）に開口部３２が形成されるため、角部Ｃ１は第１レジスト膜３における露光部の凸角部に相当すると制御部１１により判断される。第２描画データを生成する場合も同様に、制御部１１は、第２パターン潜像の描画図形Ｆ２の角部Ｃ２１，Ｃ２２（図７参照）及び当該角部Ｃ２１，Ｃ２２の位置座標を抽出し、当該角部Ｃ２１，Ｃ２２が第２レジスト膜４における露光部の凹角部に相当するのか、凸角部に相当するのかを判断する。

次に、制御部１１は、第Ｍ段差データから、Ｓ２１にて抽出された付加箇所（角部）における凹部の深さを算出する（Ｓ２２）。具体的には、制御部１１は、第Ｍ段差マップから、付加箇所（角部）の位置における深さに関するデータを取得する。その後、制御部１１は、第Ｍリソグラフデータから、付加箇所（角部）の位置におけるレジスト膜厚を求め（Ｓ２３）、付加箇所（角部）における凹部の深さとレジスト膜厚との和を算出することで、当該付加箇所（角部）における第Ｍ露光膜厚を算出する（Ｓ２４）。算出された第Ｍ露光膜厚は、付加箇所（角部）の位置座標に関連付けられて補助記憶部１３に記憶される。

例えば、図９に示す工程フロー図に従って凹凸構造体１を作製するときに用いられる第１描画データを生成する場合、付加箇所（角部Ｃ１）における凹部の深さが「ゼロ」であるため、制御部１１は、凹部の深さ（ゼロ）とレジスト膜厚との和を第１露光膜厚として算出する。一方、第２描画データを生成する場合、付加箇所（角部Ｃ２１）における凹部の深さは「ゼロ」であるが、付加箇所（角部Ｃ２２）における凹部の深さは「２Ｔ」である。そのため、制御部１１は、角部Ｃ２１においては、凹部の深さ（ゼロ）とレジスト膜厚との和を第２露光膜厚として算出し、角部Ｃ２２においては、凹部の深さ（２Ｔ）とレジスト膜厚との和を第２露光膜厚として算出する。第１露光膜厚及び第２露光膜厚は、付加箇所（角部Ｃ１，Ｃ２１，Ｃ２２）の位置座標に関連付けられて補助記憶部１３に記憶される。

制御部１１は、露光膜厚とレジストパターンの角部の曲率半径との相関関係に関するデータ及びレジストパターンの角部の曲率半径と補正パターン形状との相関関係に関するデータを補助記憶部１３から取得し、それらの相関関係に基づいて、Ｓ２４にて算出された第Ｍ露光膜厚から補正パターンの描画図形の形状及びサイズを求める（Ｓ２５）。例えば、図９に示す工程フロー図に従って凹凸構造体１を作製するときに用いられる第１描画データ及び第２描画データを生成する場合、第１パターン潜像の描画図形Ｆ１の角部Ｃ１に付加される第１補正パターンＤ１のサイズは、第２パターン潜像の描画図形Ｆ２の角部Ｃ２１に付加される第２補正パターンＤ２１のサイズよりも大きくなる一方、第２パターン潜像の描画図形Ｆ２の角部Ｃ２２に付加される第２補正パターンＤ２２のサイズよりも小さくなる。第１パターン潜像の描画図形Ｆ１の角部Ｃ１に関連付けられている第１露光膜厚が、第２パターン潜像の描画図形Ｆ２の角部Ｃ２１に関連付けられている第２露光膜厚よりも厚く、角部Ｃ２２に関連付けられている第２露光膜厚よりも薄いからである。

続いて、制御部１１は、第Ｍパターン潜像の描画図形における上記付加箇所（角部）に第Ｍ補正パターンの描画図形を重ね合わせ、第Ｍ補正パターン潜像の描画図形を形成する（Ｓ２６，図８参照）。このようにして、制御部１１は、第Ｍ補正リソグラフデータを生成し、補助記憶部１３に記憶する（Ｓ２７）。例えば、図９に示す工程フロー図に従って凹凸構造体１を作製するときに用いられる第１描画データを生成する場合、制御部１１は、第１パターン潜像の描画図形Ｆ１における付加箇所（角部Ｃ１）に第１補正パターンの描画図形Ｄ１を重ね合わせ（図８（Ａ）参照）、第１補正パターン潜像の描画図形ＡＦ１を生成する（図８（Ｃ）参照）。また、図９に示す工程フロー図に従って凹凸構造体１を作製するときに用いられる第２描画データを生成する場合、制御部１１は、第２パターン潜像の描画図形Ｆ２における付加箇所（角部Ｃ２１，Ｃ２２）に第２補正パターンの描画図形Ｄ２１，Ｄ２２を重ね合わせ（図８（Ｃ）参照）、第２補正パターン潜像の描画図形ＡＦ２を生成する（図８（Ｄ）参照）。

制御部１１は、補助記憶部１３に記憶されている第Ｍ補正リソグラフデータに含まれる第Ｍ補正パターン潜像の描画図形に所定のグリッドを設定し、各グリッドに露光エネルギー量に関するデータを付加することで、第Ｍ描画データを生成する（Ｓ０３）。制御部１１により生成された第Ｍ描画データは、描画ＤＢ１６に格納される。

［凹凸構造体の製造方法］
次に、本実施形態における凹凸構造体の製造方法の一例を説明する。図９は、本実施形態における凹凸構造体の製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。

まず、第１面２１及びそれに対向する第２面２２を有する基材２を準備し、当該基材２の第１面２１上に第１レジスト膜３０を形成する（図９（Ａ）参照）。

基材２としては、特に限定されるものではなく、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。なお、本実施形態において「透明」とは、基材２を介して照射された光により光硬化性樹脂を硬化させ得る程度であればよく、例えば、波長３００～４５０ｎｍの光線の透過率が７０％以上であるのが好ましく、より好ましくは９０％以上である。

基材２の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、略円形状等が挙げられる。基材２が石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基材２の平面視形状は略矩形状である。

基材２の大きさも特に限定されるものではないが、基材２が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基材２の大きさは１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。また、基材２の厚さＴ₂は、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ～１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

第１レジスト膜３０を構成する樹脂材料（レジスト材料）としては、特に限定されるものではなく、電子線リソグラフィ処理等において一般的に用いられるネガ型又はポジ型の電子線反応性レジスト材料等が挙げられ、好ましくは化学増幅型電子線反応性レジスト材料が挙げられる。なお、当該レジスト材料は、上記描画データ生成装置１０に入力されたレジスト材料と同一のものを用いればよい。

第１レジスト膜３０の膜厚は、特に制限されるものではないが、上記描画データ生成装置１０において第１描画データを生成する際の第１レジスト膜３０の膜厚と実質的に同一となるように設定されるのが好ましい。後述する工程（図９（Ｃ）参照）において、第１レジスト膜３０をパターニングして形成された第１レジストパターン３１が、基材２をエッチングする際のマスクとして用いられる。このとき、描画データ生成装置１０にて生成される第１描画データを用いて第１レジスト膜３０に第１補正パターン潜像を形成することで、角部が丸まっていない第１レジストパターン３１が形成される。そのため、基材２の第１面２１上に塗布される第１レジスト膜３０の膜厚が、第１描画データを生成する際の第１レジスト膜３０の膜厚よりも厚いと、第１レジストパターン３１の角部が丸まってしまうおそれがある。

基材２の第１面２１上に第１レジスト膜３０を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、第１面２１上にレジスト材料を、スピンコーター、スプレーコーター等の塗工機を用いて塗布し又は第１面２１上に上記樹脂成分を含有するドライフィルムレジストを積層し、所望により所定の温度で加熱（プリベーク）する方法等が挙げられる。

次に、図９（Ｂ）に示すように、基材２の第１面２１上の所望の位置に所定の開口部３２を有する第１レジストパターン３１を形成する。第１レジストパターン３１は、例えば、電子線描画装置を用いた電子線リソグラフィ等により形成され得る。このとき、上記描画データ生成装置１０にて生成された第１描画データを用いて、電子線描画装置により第１レジスト膜３０に第１パターン潜像を形成する。これにより、角部の丸まっていない（シャープな）第１レジストパターン３１を形成することができる。

第１レジストパターン３１における開口部３２の形状や寸法は、本実施形態における凹凸構造体１の作製プロセスにおける第１リソグラフィ工程において基材２の第１面２１に形成される第１凹部２１１の形状に応じて適宜設定され得る。

上記のようにして形成された第１レジストパターン３１をマスクとして用いて基材２の第１面２１側をエッチングすることで、第１凹部２１１が形成される（図９（Ｃ）参照）。第１レジストパターン３１が角部の丸まっていないシャープな形状で形成されるため、それをマスクとしたエッチングにより基材２の第１面２１に形成される第１凹部２１１もまた、角部の丸まっていないシャープな形状で形成され得る。

次に、第１凹部２１１が形成された基材２の第１面２１上に第２レジスト膜４０を形成する（図９（Ｄ）参照）。第２レジスト膜４０は、第１レジスト膜３０と同様の材料を用いて同様の手法にて形成され得る。そして、図９（Ｅ）に示すように、基材２の第１面２１上の所望の位置に所定の開口部４２を有する第２レジストパターン４１を形成する。このとき、上記描画データ生成装置１０にて生成された第２描画データを用いて、電子線描画装置により第２レジスト膜４０に第２パターン潜像を形成し、現像処理を施す。これにより、角部の丸まっていない（シャープな）第２レジストパターン４１を形成することができる。

上記のようにして形成された第２レジストパターン４１をマスクとして用いて基材２の第１面２１側をエッチングすることで、第２凹部２１２としての複数段の階段状凹凸パターンが形成される（図９（Ｆ）参照）。第２レジストパターン４１が角部の丸まっていないシャープな形状で形成されるため、それをマスクとしたエッチングにより基材２の第１面２１に形成される階段状凹凸パターンもまた、角部の丸まっていないシャープな形状で形成され得る。このようにして、本実施形態における凹凸構造体１（図９（Ｆ）参照）を製造することができる。

続いて、本実施形態における凹凸構造体の製造方法の他の例を説明する。図１０～１３は、本実施形態における凹凸構造体の製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。

まず、第１面２１及びそれに対向する第２面２２を有する基材２を準備し、当該基材２の第１面２１上に第１レジスト膜３０を形成する（図１０（Ａ）、図１１（Ａ）、図１２（Ａ）参照）。次に、所望の位置に所定の開口部３２を有する第１レジストパターン３１を形成する（図１０（Ｂ）、図１１（Ｂ）、図１２（Ｂ）参照）。第１レジストパターン３１は、例えば、電子線描画装置を用いた電子線リソグラフィ等により形成され得る。このとき、上記描画データ生成装置１０にて生成された第１描画データを用いて、電子線描画装置により第１レジスト膜３０にパターン潜像を形成する。これにより、角部の丸まっていない（シャープな）第１レジストパターン３１を形成することができる。

なお、図１１に示す工程フロー図における第１リソグラフィ工程（図１１（Ａ）～（Ｃ））のエッチング深さが階段状凹凸パターンの２段分の深さであるのに対し、図１０及び図１２に示す工程フロー図における第１リソグラフィ工程（図１０（Ａ）～（Ｃ）、図１２（Ａ）～（Ｃ））のエッチング深さが階段状凹凸パターンの１段分の深さである。そのため、図１１（Ａ）に示す第１レジスト膜３０の膜厚は、図１０（Ａ）及び図１２（Ａ）に示す第１レジスト膜３０の膜厚よりも厚く、図１１に示す工程における第１描画パターンに含まれる第１補正パターンのサイズは、図１０及び図１２に示す工程における第１描画パターンに含まれる第１補正パターンのサイズよりも大きい。

続いて、第１レジストパターン３１をマスクとして基材２の第１面２１側をエッチングすることで、第１凹部２１１が形成される（図１０（Ｃ）、図１１（Ｃ）、図１２（Ｃ）参照）。

次に、基材２の第１面２１上に第２レジスト膜４０を形成し（図１０（Ｄ）、図１１（Ｄ）、図１２（Ｄ）参照）、所定の開口部４２を有する第２レジストパターン４１を形成する（図１０（Ｅ）、図１１（Ｅ）、図１２（Ｅ）参照）。第２レジストパターン４１は、例えば、電子線描画装置を用いた電子線リソグラフィ等により形成され得る。このとき、上記描画データ生成装置１０にて生成された第２描画データを用いて、電子線描画装置により第２レジスト膜４０にパターン潜像を形成する。これにより、角部の丸まっていない（シャープな）第２レジストパターン４１を形成することができる。

なお、図１０及び図１２に示す工程フロー図における第２リソグラフィ工程（図１０（Ｄ）～（Ｆ）、図１２（Ｄ）～（Ｆ））の露光膜厚が、図１１に示す工程フロー図における第２リソグラフィ工程（図１１（Ｄ）～（Ｆ））の露光膜厚よりも大きい。そのため、図１０及び図１２に示す工程における第２描画パターンに含まれる第２補正パターンのサイズは、図１１に示す工程における第２描画パターンに含まれる第２補正パターンのサイズよりも大きい。

続いて、第２レジストパターン４１をマスクとして用い基材２の第１面２１側をエッチングする。これにより、第２凹部２１２としての複数段の階段状凹凸パターンが形成される（図１０（Ｆ）、図１１（Ｆ）、図１２（Ｆ）参照）。第２レジストパターン４１が角部の丸まっていないシャープな形状で形成されるため、それをマスクとしたエッチングにより基材２の第１面２１に形成される階段状凹凸パターンもまた、角部の丸まっていないシャープな形状で形成され得る。

上述したように、本実施形態によれば、補正パターンの付加された補正パターン潜像の描画図形に従って電子線描画装置にてレジスト膜にパターン潜像が形成されるため、角部の丸まっていないレジストパターンを形成することができ、それをマスクと下エッチングにより、角部の丸まっていないシャープな形状の階段状凹凸パターンを有する凹凸構造体を作製することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

上記実施形態においては、第１～第Ｎ段差マップを含む第１～第Ｎ段差データが段差ＤＢ１５に格納され、第１～第Ｎ描画データのそれぞれを生成する際に第１～第Ｎ段差データが読み出され、利用されているが、このような態様に限定されるものではない。例えば、第１段差マップを含む第１段差データのみが格納（又は記憶）されており、第１描画データを生成するために第１段差データを用いた後、当該第１段差データを第２段差データに更新してもよい。

上記実施形態においては、基材２の第１面２１に形成したレジストパターン（第１レジストパターン３１及び第２レジストパターン３２）をマスクとして当該第１面２１をエッチングしているが、このような態様に限定されるものではない。例えば、基材２の第１面２１上にハードマスク層及びレジスト膜（第１レジスト膜３、第２レジスト膜４）をこの順で形成し、レジストパターン（第１レジストパターン３１及び第２レジストパターン３２）をマスクとしてハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターン（第１ハードマスクパターン、第２ハードマスクパターン）を形成し、当該ハードマスクパターンをマスクとして基材２の第１面２１をエッチングしてもよい。ハードマスク層は、例えば、クロム、窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系材料；タンタル、窒化タンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル系材料等を単独で、又は任意に選択した２種以上を用い、スパッタリング、ＰＶＤ、ＣＶＤ等の公知の成膜法により形成され得る。なお、ハードマスク層の厚さは、基材２を構成する材料とのエッチング選択比や、各リソグラフィ工程におけるエッチング量（エッチング深さ）等に応じ適宜設定され得る。

上記実施形態において、基材２の第１面２１に凹部が形成されている場合に、当該第１面２１上にレジスト膜を形成すると、レジスト膜の表面が平坦化されないことがある。このような場合において、当該第１面２１上にレジスト材料を塗布した後、平坦な基板を当該レジスト材料に押し付ける等によりレジスト膜の表面を平坦化してもよい。また、平坦化せずに、レジスト膜の表面の平坦度に関するデータをレジスト膜厚補正マップとして作成し、レジスト膜厚、レジスト膜厚補正マップ及び段差マップにより、補正パターンの形状及びサイズを決定してもよい。

上記実施形態において、複数段の階段状の凹状パターンを有する凹凸構造体を製造する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではなく、複数段の階段状の凸状パターンを有する凹凸構造体であっても上記実施形態と同様にして製造することができる。

上記実施形態において、レジストパターンにおける角部の丸み（曲率半径）とレジスト膜の露光膜厚との相関関係に関するデータ、並びにレジストパターンにおける角部の丸み（曲率半径）と補正パターンの描画図形の形状及びサイズとの相関関係に関するデータが補助記憶部１３に記憶され、それらのデータから第１～第Ｎ補正パターンデータが生成される態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、レジスト膜の露光膜厚と補正パターンの描画図形の形状及びサイズとの相関関係に関するデータが補助記憶部１３に記憶され、そのデータから第１～第Ｎ補正パターンデータが生成されてもよい。また、第１～第Ｎレジスト膜を構成するレジスト材料のタイプ（ネガ型又はポジ型、化学増幅型であるか否か等）に関する情報と現像パラメータ（感度曲線、γ値、溶解速度、現像閾値、酸の拡散長等）とを用いて、シミュレーションにより第１～第Ｎ補正パターンデータが生成されてもよい。

上記実施形態において、第２レジスト膜４０を構成するレジスト材料は、第１レジスト膜３０を構成するレジスト材料と同一のものであるが、この態様に限定されるものではない。例えば、第１～第Ｎレジスト膜を構成するレジスト材料のすべてが同一でなくてもよく、第１～第Ｎリソグラフィ工程のそれぞれにおいて用いられるレジスト材料の種類を、最終的に形成される階段状凹凸パターンの段数や形状等を考慮した各プロセスに応じて適宜選択すればよい。

上記実施形態において、描画データ生成装置１により生成された各描画データ（第１～第Ｎ描画データのそれぞれ）に基づき、電子線描画装置を用いて各レジスト膜（第１～第Ｎレジスト膜のそれぞれ）に各パターン潜像（第１～第Ｎパターン潜像のそれぞれ）を形成する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、各描画データに基づき、レーザ描画装置を用いて各レジスト膜に各パターン潜像を形成してもよい。

１…インプリントモールド
２…基材
２１…第１面
２２…第２面
３…第１レジスト膜
３１…第１レジストパターン
３２…開口部
４…第２レジスト膜
４１…第２レジストパターン
４２…開口部
１０…描画パターン生成装置
１１…制御部
１２…主記憶部
１３…補助記憶部
１４…リソグラフデータベース
１５…段差データベース
１６…描画データベース

Claims (9)

1. 複数段の凹凸パターンを有する凹凸構造体を作製するための第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数である。）リソグラフィ工程のそれぞれで用いられる第１～第Ｎ描画データのそれぞれを生成する描画データ生成装置であって、
   第Ｍ（Ｍは１以上Ｎ以下の整数である。）リソグラフィ工程を経て基材上に形成される第Ｍ凹凸構造の位置及び深さに基づき、前記第Ｍリソグラフィ工程におけるリソグラフ条件に関する情報を含む第Ｍリソグラフデータに、第Ｍ補正パターンに関する第Ｍ補正パターンデータを付加することで、第Ｍ補正リソグラフデータを生成する補正リソグラフデータ生成部と、
   前記第Ｍ補正リソグラフデータに基づき、第Ｍ描画データを生成する描画データ生成部と
   を備え、
   前記第Ｍリソグラフデータは、前記凹凸構造体の設計データに対応して基材上の第Ｍレジスト膜に描画されるべき第Ｍパターン潜像の描画図形と、前記第Ｍレジスト膜を構成する第Ｍレジスト材料の種類と、前記基材上における前記第Ｍレジスト膜の膜厚と、前記基材のエッチング深さとに関するデータを含み、
   前記第Ｍ補正パターンデータは、レジストパターンの角部の曲率半径とレジストパターンの露光膜厚との相関関係及びレジストパターンの角部の曲率半径と補正パターン形状との相関関係に基づき、第Ｍ露光膜厚から求められた前記第Ｍ補正パターンの描画図形の形状及びサイズに関するデータを含み、
   前記補正リソグラフデータ生成部は、前記第Ｍパターン潜像の描画図形の角部に前記第Ｍ補正パターンの描画図形を重ね合わせた第Ｍ補正パターン潜像の描画図形に関するデータを含む前記第Ｍ補正リソグラフデータを生成する描画データ生成装置。
2. 前記描画データ生成部は、前記第Ｍ補正リソグラフデータに露光エネルギー量に関するデータを付与することで、前記第Ｍ描画データを生成する
   請求項１に記載の描画データ生成装置。
3. 前記補正リソグラフデータ生成部は、前記第Ｍ凹凸構造の位置及び深さに関する第Ｍ段差マップを含む第Ｍ段差データに基づき、前記第Ｍ補正リソグラフデータを生成する
   請求項１又は２に記載の描画データ生成装置。
4. 第Ｌ（Ｌは１以上Ｎ－１以下の整数である。）段差データと第Ｌリソグラフデータとに基づき、第Ｌ＋１段差データを生成する段差データ生成部をさらに備える
   請求項３に記載の描画データ生成装置。
5. 前記段差データ生成部は、前記凹凸構造体の設計データに対応して第Ｌレジスト膜に描画されるべき第Ｌパターン潜像の描画図形と前記基材のエッチング深さとに関する情報を、前記第Ｌ段差データに含まれる第Ｌ段差マップに重ね合わせることで、前記第Ｌ＋１段差データを生成する
   請求項４に記載の描画データ生成装置。
6. 前記段差データ生成部は、第Ｋ（Ｋは２以上Ｎ－１以下の整数である。）リソグラフィ工程を経て形成された第Ｋ凹凸構造の深さの実測値に基づいて第Ｋ段差マップを生成し、前記凹凸構造体の設計データに対応して第Ｌレジスト膜に描画されるべき第Ｌパターン潜像の描画図形と前記基材のエッチング深さとに関する情報を、前記第Ｋ段差マップに重ね合わせることで、第Ｋ＋１段差データを生成する
   請求項４又は５に記載の描画データ生成装置。
7. 請求項１～６のいずれかに記載の描画データ生成装置により生成された前記第Ｍ描画データに基づき、電子線描画装置を用いて前記第Ｍリソグラフィ工程にて前記第Ｍ凹凸構造が形成される基材上のレジスト膜に描画することで、前記レジスト膜に第Ｍ補正パターン潜像を形成する工程と、
   前記第Ｍ補正パターン潜像の形成された前記レジスト膜を現像する工程と
   を有するレジストパターン形成方法。
8. 複数段の凹凸パターンを有する凹凸構造体を作製するための第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数である。）リソグラフィ工程のそれぞれにおいてレジストパターンを形成する方法であって、
   第Ｍ（Ｍは１以上Ｎ以下の整数である。）リソグラフィ工程を経て基材上に形成される第Ｍ凹凸構造の位置及び深さに基づき、前記第Ｍリソグラフィ工程におけるリソグラフ条件に関する情報を含む第Ｍリソグラフデータに、第Ｍ補正パターンに関する第Ｍ補正パターンデータを付加することで、第Ｍ補正リソグラフデータを生成する工程と、
   前記第Ｍ補正リソグラフデータに基づき、第Ｍ描画データを生成する工程と、
   前記第Ｍ描画データに基づき、前記第Ｍリソグラフィ工程にて前記第Ｍ凹凸構造が形成される基材上のレジスト膜に描画することで、前記レジスト膜に第Ｍ補正パターン潜像を形成する工程と、
   前記第Ｍ補正パターン潜像の形成された前記レジスト膜を現像する工程と
   を有し、
   前記第Ｍリソグラフデータは、前記凹凸構造体の設計データに対応して基材上の第Ｍレジスト膜に描画されるべき第Ｍパターン潜像の描画図形と、前記第Ｍレジスト膜を構成する第Ｍレジスト材料の種類と、前記基材上における前記第Ｍレジスト膜の膜厚と、前記基材のエッチング深さとに関するデータを含み、
   前記第Ｍ補正パターンデータは、レジストパターンの角部の曲率半径とレジストパターンの露光膜厚との相関関係及びレジストパターンの角部の曲率半径と補正パターン形状との相関関係に基づき、第Ｍ露光膜厚から求められた前記第Ｍ補正パターンの描画図形の形状及びサイズに関するデータを含み、
   前記第Ｍ補正リソグラフデータを生成する工程において、前記第Ｍパターン潜像の描画図形の角部に前記第Ｍ補正パターンの描画図形を重ね合わせた第Ｍ補正パターン潜像の描画図形に関するデータを含む前記第Ｍ補正リソグラフデータを生成するレジストパターン形成方法。
9. 第１面及びそれに対向する第２面を有する基材の前記第１面に複数段の凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程を有し、
   前記凹凸パターン形成工程は、順に実施される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数である。）リソグラフィ工程を含み、
   第Ｍ（Ｍは１以上Ｎ以下の整数である。）リソグラフィ工程において、請求項７又は８に記載のレジストパターン形成方法により形成されたレジストパターンをマスクとして、前記基材の前記第１面をエッチングする
   凹凸構造体の製造方法。

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