JP7091341B2 - 熱電焼結体および熱電素子 - Google Patents

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Description

実施例は、熱電焼結体および熱電素子に関する。
発明の背景になる技術
熱電現象は、材料内部の電子(electron)と正孔(hole)の移動によって発生する現象であり、熱と電気の間の直接的なエネルギー変換を意味する。
熱電素子は、熱電現象を用いる素子を総称し、P型熱電材料とN型熱電材料を金属電極の間に接合させてPN接合対を形成する構造を有する。
熱電素子は、電気抵抗の温度変化を用いる素子、温度差によって起電力が発生する現象であるゼーベック効果を用いる素子、電流による吸熱または発熱が発生する現象であるペルチェ効果を用いる素子などに区分することができる。
熱電素子は、家電製品、電子部品、通信用部品などに多様に適用されている。例えば、熱電素子は、冷却用装置、温熱用装置、発電用装置などに適用され得る。これによって、熱電素子の熱電性能に対する要求はさらに高くなっている。
このような熱電性能は、熱電素子を構成する熱電脚と関連し、詳しくは、前記熱電脚を構成する熱電焼結体と関連することができる。
したがって、熱電性能を向上させることができる熱電焼結体の製造が要求される。
実施例は、向上した均一度および効率を有する熱電焼結体および熱電素子を提供しようとする。
実施例による熱電焼結体は、熱電粉末を含み、前記熱電粉末は、水平方向に配置され、板状フレーク形状の複数の第1粉末;および前記第1粉末と形状が異なる複数の第2粉末を含み、前記第2粉末は、前記熱電粉末全体に対して5体積%以下だけ含む。
実施例による熱電粉末焼結体製造装置によって製造される熱電粉末焼結体は、熱電粉末焼結体の粉末の配列を大部分一方向に配置させることができる。すなわち、前記粉末の配列を水平方向の一方向に配置させることができる。
これによって、熱電粉末焼結体の熱伝導度を減少させることができ、電気伝導度を向上させることができ、これによって、熱電粉末焼結体を熱電素子の熱電脚に適用時に熱電脚の熱電性能を向上させることができる。
また、前記熱電粉末制御部で電気伝導度の低下を発生させる球形状の熱電粉末を減少させることができるので、熱電脚の熱電性能を向上させることができる。
実施例による熱電焼結体製造装置を示す図である。 実施例による熱電焼結体製造装置の制御領域の断面図を示す図である。 実施例による第2粉末の形状を示す図である。 第1、2粉末が混合された熱電粉末を示す図である。 実施例による第1粉末の粒径分布を示す図である。 実施例による熱電焼結体製造装置で熱電粉末がモールド部材内に配置される構造を示す図である。 実施例による熱電焼結体を含む熱電素子の斜視図を示す図である。 実施例による熱電焼結体を含む熱電素子の一断面図を示す図である。 実施例による熱電脚の一実施例を示す断面図である。
本発明は多様な変更が可能であり、多様な実施例を有し得るので、特定実施例を図面に例示して説明しようとする。しかし、これは本発明を特定の実施形態に対して限定しようとすることではなく、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物ないし代替物を含むものと理解されるべきである。
第2、第1などのように序数を含む用語は多様な構成要素を説明するために使用され得るが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけで使用される。例えば、本発明の技術的範囲を逸脱せずに第2構成要素は第1構成要素と命名されることができ、同様に第1構成要素も第2構成要素と命名され得る。および/またはという用語は複数の関連して記載された項目の組合せまたは複数の関連して記載された項目のうちいずれかの項目を含む。
ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いるとか「接続されて」いると言及された際には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、または接続されていることもあるが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されるべきである。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接繋がれて」いるとか「直接接続されて」いると言及された際には、中間に他の構成要素が存在しないことと理解されるべきである。
本出願で使用された用語は単なる特定の実施例を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上で明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。本出願で、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性を予め排除しないことと理解されるべきである。
異なるように定義されない限り、技術的や科学的な用語を含んでここで使用されるすべての用語は本発明が属する技術分野の通常の知識を有有する者によって一般に理解されるものと同一の意味を有している。一般に使用される事前に定義されているような用語は関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと解釈されるべきであり、本出願において明白に定義しない限り、理想的であるか過度に形式的な意味と解釈されない。
以下、添付された図面を参照して実施例を詳しく説明するが、図面符号に関係なく同一であったり対応する構成要素は同一の参照番号を付与し、これに対する重複説明は省略することにする。
以下、図1および図2を参照して、実施例による熱電焼結体製造装置を説明する。
図1および図2を参照すると、実施例による熱電焼結体製造装置は、粉末制御部1000および粉末焼結部2000を含むことができる。
前記粉末制御部1000は、熱電粉末制御装置であり得る。また、前記粉末焼結部2000は熱電粉末焼結装置であり得る。
前記粉末制御部1000および前記粉末焼結部2000は、互いに連結され得る。詳しくは、前記粉末制御部1000で前記粉末の粒径および濃度を制御し、制御された粉末は、前記粉末焼結部2000に移動されて焼結され得る。
前記粉末制御部1000および前記粉末焼結部2000は、互いに脱着可能に連結され得る。例えば、前記粉末制御部1000および前記粉末焼結部2000は、それぞれの独立的な装置として使用されたり、または、前記粉末制御部1000および前記粉末焼結部2000は、互いに結合されて一つの装置として使用され得る。
前記粉末制御部1000は、複数の領域を含むことができる。例えば、前記粉末制御部1000は、投入領域1A、制御領域2Aおよび供給領域3Aを含むことができる。
前記投入領域1Aには熱電粉末が提供され得る。例えば、前記熱電粉末は、熱電素子の熱電脚を製造するための粉末であり得る。
例えば、前記熱電粉末は、ドーピング用添加剤と共にミーリング(milling)できる。例えば、スーパーミキサー(Super Mixer)、ボールミル(ball mill)、アトリッションミル(attrition mill)、3ロールミル(3roll mill)などを用いて、リボン状の粉末およびドーピング用添加剤を混合することができる。
前記熱電粉末は、Bi、TeおよびSeを含むことができる。また、ドーピング用添加剤は、CuおよびBiを含むことができる。このとき、Bi、TeおよびSeを含む熱電素材は99.4ないし99.98wt%、Cuは0.01ないし0.1wt%、そしてBiは0.01ないし0.5wt%の組成比、望ましくは、Bi、TeおよびSeを含む熱電素材は99.48ないし99.98wt%、Cuは0.01ないし0.07wt%、そして、Biは0.01ないし0.45wt%の組成比、さらに望ましくは、Bi、TeおよびSeを含む熱電素材は99.67ないし99.98wt%、Cuは0.01ないし0.03wt%、そして、Biは0.01ないし0.30wt%の組成比で添加された後にミーリングされ得る。
前記投入領域1Aと前記制御領域2Aは、互いに分離することができる。詳しくは、前記投入領域1Aと前記制御領域2Aとの間にはゲート1100が配置され、前記ゲート1100によって前記投入領域1Aと前記制御領域2Aとは互いに分離され得る。
前記ゲート1100は、外部の制御部3000を介して開閉され得る。詳しくは、前記投入領域1Aに熱電粉末を投入するときは、前記ゲート1100は閉鎖された状態を維持し、これによって前記投入領域1Aと前記制御領域2Aは互いに分離され得る。
続いて、前記投入領域1Aに熱電粉末をすべて投入した後には、前記制御部3000を介して前記ゲート1100を開放することができる。すなわち、前記投入領域1Aに投入された熱電粉末は、前記ゲート1100が開放されることによって、前記制御領域2A方向に移動することができる。
図2を参照すると、前記制御領域2Aは、第1’領域1A'、第2’領域2A’および第3’領域3A'を含むことができる。
前記第1’領域1A'、前記第2’領域2A’および前記第3’領域3A'は、層構造に配置され得る。詳しくは、前記第2’領域2A'は前記第3’領域3A’上に配置され得、前記第1’領域1A'は前記第2’領域2A’上に配置され得る。すなわち、前記第2’領域2A'は前記第1’領域1A’および前記第3’領域3A’の間に配置され得る。
前記第1’領域1A’および前記第2’領域2A’の間には、第1フィルター部F1が配置され得る。また、前記第2’領域2A’および前記第3’領域3A’の間には第2フィルター部F2が配置され得る。
前記第1フィルター部F1および前記第2フィルター部F2は、複数の孔を含むことができる。例えば、前記第1フィルター部F1は第1孔H1を含むことができる。また、前記第2フィルター部F2は第2孔H2を含むことができる。
前記第1孔H1および前記第2孔H2は、互いに異なるサイズに形成され得る。詳しくは、前記第1孔H1のサイズは、前記第2孔H2のサイズより小さいことがある。すなわち、前記第2孔H2のサイズは、前記第1孔H1のサイズより大きいことがある。
前記第1孔H1および前記第2孔H2のサイズは、粒径および形状が異なる粉末を含む熱電粉末を分離するための適正なサイズに制御され得る。例えば、前記第1孔H1および前記第2孔H2のサイズは、以下で説明する第1粉末のサイズより小さいことがあり、第2粉末のサイズより大きいことがある。
例えば、前記第1孔H1のサイズは約1100μm以上であり得る。さらに詳しくは、前記第1孔H1のサイズは約1100μmないし約1500μmであり得る。また、前記第2孔H2のサイズは約1500μm以上であり得る。詳しくは、前記第2孔H2のサイズは約1500μmないし2000μmであり得る。
また、前記第2’領域2A'には振動部1200が配置され得る。前記振動部1200は、外部の制御部材3000によって印加される振動を前記第1フィルター部F1および前記第2フィルター部F2に伝達することができる。
前記振動部1200は、球形状、バー(bar)形状または多角形の形状に形成され得る。例えば、前記振動部1200は、球形状のシリコーンボールなどを含むことができる。
前記第1’領域1A'には、前記投入領域1Aを介して投入された熱電粉末が移動され得る。前記投入領域1Aを介して投入された粉末は、第1粉末P1および第2粉末P2を含むことができる。
詳しくは、前記投入領域1Aを介して投入される前記熱電粉末は、互いに形状が異なる第1粉末P1および第2粉末P2を含むことができる。詳しくは、前記第1粉末P1はリボン形状すなわち、板状フレーク形状に形成され得る。ここで、前記板状フレーク形状は、長軸および短軸を有し得る。詳しくは、前記板状フレーク形状は長軸と短軸が互いに異なるサイズを有し得る。詳しくは、前記板状フレーク形状の短軸に対する長軸の割合は1:1.2ないし1:6であり得る。さらに詳しくは、前記板状フレーク形状の短軸に対する長軸の割合は1:1.2ないし1:2.5であり得る。
また、前記第2粉末P2は、前記板状フレーク形状と異なる形状に形成され得る。例えば、前記第2粉末P2は、図3に開示されているように、球形状すなわち、ボール(ball)形状に形成され得る。
前記熱電粉末は、製造時に急冷凝固法(rapid solidification process)工程を経ることができる。このような冷却工程によって熱電粉末は、板状フレーク形状の熱電粉末と組成および組成比は同一であるが、板状フレーク形状と形状が互いに異なる熱電粉末が生成され得る。
詳しくは、図4に開示されているように、組成および組成比は同一であるが、互いに異なる形状を有する複数の単位粉末が混合された熱電粉末が生成され得る。
このような、板状フレーク形状の熱電粉末と板状フレーク形状の熱電粉末と異なる形状を有する熱電粉末は、互いに異なる格子定数を有し、板状フレーク形状と板状フレーク形状の熱電粉末と異なる形状を有する熱電粉末を一緒に焼結する場合、抵抗の増加などによって熱電焼結体の熱電性能が低下し得る。
これによって、前記粉末制御部1000の前記第2領域2Aにおいては、前記第1粉末P1と前記第2粉末P2をフィルタリングして、前記第2粉末P2をすべてまたは大部分除去した熱電粉末を前記粉末焼結部2000に移動させることができる。すなわち、前記粉末焼結部2000に移動される熱電粉末は、大部分が第1粉末P1であり得る。
上述したように、前記第1粉末P1と前記第2粉末P2の形状は互いに異なることがある。すなわち、前記第1粉末P1と前記第2粉末P2の粒径は互いに異なることがある。詳しくは、前記第1粉末P1の粒径は前記第2粉末P2の粒径より大きいことがある。詳しくは、前記第1粉末P1は板状フレーク形状に形成され、第2粉末P2は球形状に形成され得る。
また、前記第2粉末P2の粒径は約300μmないし約1100μmであり得る。また、前記第2粉末P2の平均粒径は約650μmないし約670μmであり得る。詳しくは、図5に開示されているように、前記第2粉末P2の粒径は約300μmないし約1100μmの範囲を有し、このとき、約650μmないし約670μmの粒径を有する前記第2粉末P2の粒径が最も多い量を含むことができる。
前記第1’領域1A’および前記第2’領域2A’の間に配置される前記第1フィルター部F1は、前記第1粉末P1および前記第2粉末P2を分離することができる。すなわち、前記第1フィルター部F1の孔を介して相対的に粒径が小さい前記第2粉末P2は、前記孔を介して前記第2’領域2A'に移動され、前記第1粉末P1は、前記第1’領域1A'に残留し得る。
詳しくは、外部の前記制御部材3000を介して前記粉末制御部1000に振動を印加することができる。詳しくは、前記制御部材3000によって振動部材1500を動作させ、前記振動部材1500によって前記制御領域2Aに振動を印加することができる。すなわち、前記振動部材1500によって前記第1’領域1A'、前記第2’領域2A’および前記第3’領域3A'に振動を印加することができる。
前記制御領域2Aに印加される振動は、前記振動部1200に伝達され、前記振動部1200が上部および下部方向に移動し、前記第1粉末P1、前記第2粉末P2、前記第1フィルター部F1に振動を印加することができる。詳しくは、前記第1フィルター部F1には第1振動数で振動が印加され得る。
これによって、前記第1粉末P1および前記第2粉末P2は、前記第1振動数の振動によって上下方向に移動しながら、前記第1フィルター部F1を介して前記第1粉末P1は前記第1’領域1A'に残留させ、前記第2粉末P2だけ前記第2’領域2A'に移動させることができる。
前記第2フィルター部F2は、前記第2’領域2A'に移動した前記第2粉末P2を前記第3’領域3A'に移動させることができる。
詳しくは、前記制御部材3000を介して前記粉末制御部1000に振動を印加し、前記制御部材3000によって振動部材1500を動作させ、前記振動部材1500によって前記制御領域2Aに振動を印加することができる。前記制御領域2Aに印加される振動は、前記振動部1200に伝達され、前記振動部1200が上部および下部方向に移動し、前記第1粉末P1、前記第2粉末P2、前記第2フィルター部F2に振動を印加することができる。詳しくは、前記第2フィルター部F2には第2振動数で振動が印加され得る。このとき、前記第2振動数は、前記第1振動数より大きいことがある。
これによって、前記第2粉末P2は、前記第2’領域2A'で前記第3’領域3A'に移動され、前記第2粉末P2は、前記第3’領域3A'に捕集され得る。前記第3’領域3A'に捕集される第2粉末P2は外部を介して排気され得る。
また、前記第1’領域1A'に残留する前記第1粉末P1は、前記第2振動数サイズの第2振動によって粉砕され得る。これによって、前記第1粉末P1の全体的な粒径の均一度を向上させることができる。
前記制御領域2Aで篩分けられて粉砕された粉末は、前記供給領域3Aに移動され得る。詳しくは、前記制御領域2Aの第1’領域1A'の第1粉末P1が前記供給領域3Aに移動され得る。
すなわち、前記制御領域2Aにおいては、前記投入領域1Aから投入された粉末の形状および粒径を制御することができる。詳しくは、前記制御領域2Aによって熱電粉末の形状を板状フレーク形状の第1粉末にフィルタリングすることができ、板状フレーク形状の粒径の均一度を向上させることができる。
詳しくは、前記第1フィルター部および前記第2フィルター部を介して熱電粉末で電気伝導度の低下を発生させる第2粉末すなわち、球形状の熱電粉末を除去することができ、これによって、焼結領域に移動される熱電粉末の形状均一度を向上させることができるので、焼結領域で焼結される熱電焼結体の熱電特性を向上させることができる。すなわち、第1粉末と形状および格子定数が異なる第2粉末が第1粉末の配列状態に影響を及ぼすことがあり、これによって、最終的に製造される熱電焼結体の内部にクラックが発生したりボイド(void)などが発生して、熱電焼結体によって製造されるP型熱電脚およびN型熱電脚の電気伝導度が減少し得る。
このとき、実施例による熱電粉末によって製造される熱電焼結体のボイドは、熱電焼結体の全体面積に対して約5%であり得る。
しかし、実施例による熱電焼結体は、第1粉末と形状および格子定数が異なる第2粉末を最小化することによって、第2粉末によって電気伝導度の減少を最小化することができるので、熱電脚の熱電特性を向上させることができる。
また、前記制御領域に印加される振動を介して前記第1粉末を一定のサイズに粉碎することができるので、前記第1粉末の粒径の均一度を向上させることができる。
前記粉末焼結部2000は、前記粉末制御部1000で篩分けられるか、または粉砕された粉末が移動し得る。
詳しくは、前記粉末焼結部2000は、前記粉末制御部1000で篩分けられるか、または粉砕された粉末を焼結させて熱電焼結体を形成することができる。
前記粉末焼結部2000は、収集部材2100、篩(sieve)部材2200、モールド部材2300および駆動部材2400を含むことができる。
前記収集部材2100は、前記粉末制御部1000で篩分けられるか、または粉砕された粉末が移動され得る。詳しくは、前記粉末制御部1000の制御領域2Aで篩分けられて粉砕された粉末は、前記供給領域を介して前記粉末焼結部2000の収集部材2100に移動され得る。
すなわち、前記収集部材2100に移動される粉末は、第1粉末P1すなわち、板状フレーク形状の熱電粉末であり得る。すなわち、前記収集部材2100に移動される粉末は、第2粉末P2すなわち、電気伝導度の低下を発生させる球形状の熱電粉末が除去された熱電粉末を含むことができる。
前記収集部材2100に移動される粉末は、前記篩部材2200に移動され得る。前記篩部材2200は、複数の篩部を含むことができる。詳しくは、前記篩部材2200は、第1篩部2210、第2篩部2220、第3篩部2230および第4篩部2240を含むことができる。
前記第1篩部2210、前記第2篩部2220、前記第3篩部2230および前記第4篩部2240は、メッシュ形状に形成され得る。詳しくは、前記第1篩部2210、前記第2篩部2220、前記第3篩部2230および前記第4篩部2240は、メッシュ線および前記メッシュ線によって形成されるメッシュ開口部を含むことができる。
前記第1篩部2210、前記第2篩部2220、前記第3篩部2230および前記第4篩部2240の前記メッシュ開口部のサイズは、前記粉末の粒径および形状によって変化し得る。
前記収集部材2100の粉末は、前記篩部材2200を介して前記モールド部材2300に移動され得る。前記篩部材2200は、前記モールド部材2300に移動する粉末の方向性を制御することができる。
詳しくは、前記篩部材2200は、前記リボン形状すなわち、板状フレーク形状の粉末が前記モールド部材2300の内部に一方向に配置されるように制御することができる。
図6を参照すると、前記第1粉末P1は、収容部すなわち、前記モールド部材2300の内部で第1方向に配置され得る。すなわち、前記第1粉末P1は、前記モールド部材2300の内部で水平方向に配置され得る。すなわち、前記モールド部材2300の内部に配置される前記第1粉末P1の大部分は、水平方向に配置され、前記モールド部材2300を充填することができる。
このとき、前記水平方向とは、重力方向を基準に垂直成分を有する方向を意味することができる。また、前記水平方向は、前記重力方向の仮想の垂直線に対して前記板状フレークの長軸が±15゜以内の角度に傾斜する方向まで含まれ得る。
すなわち、前記水平方向とは、収容部の底面すなわち、モールド部材2300の底面と水平成分を有する方向および前記底面に対して±15゜以内の角度に傾斜する方向と定義することができる。
例えば、前記モールド部材2300の内部で前記水平方向に配置される前記第1粉末は、第1粉末全体に対して約95体積%以上であり得る。詳しくは、前記モールド部材2300の内部で前記水平方向に配置される前記第1粉末は、第1粉末全体に対して約95体積%ないし100体積%であり得る。さらに詳しくは、前記モールド部材2300の内部で前記水平方向に配置される前記第1粉末は、第1粉末全体に対して約96体積%ないし99体積%であり得る。
続いて、前記モールド部材2300は、前記駆動部材2400などを介して焼結され得る。詳しくは、前記駆動部材2400は、回転部2410、モーター部2420および圧力部2430を含むことができ、前記モールド部材2300は、前記駆動部材2400によって回転されて焼結され得る。
例えば、前記モールド部材2300は、放電プラズマ焼結(SPS、Spark Plasma Sintering)装備を用いて約400℃ないし約550℃、約35MPaないし約60MPa条件で約1分ないし約30分間焼結されるか、または、ホットプレス(Hot-press)装備を用いて約400℃ないし約550℃、約180MPaないし約250MPa条件で約1分ないし約60分間焼結され得る。
これによって製造される熱電焼結体は、カッティング工程を介してカッティングされ、最終的に熱電素子に適用される熱電脚が製造され得る。
図6は、実施例による熱電粉末焼結装置によって焼結された熱電粉末焼結体の写真を示す図である。
図6を参照すると、前記熱電粉末焼結体の粉末の配列は、大部分一方向に配置されることが分かる。すなわち、前記粉末は、水平方向の一方向に配置されることが分かる。このとき、前記焼結体の粉末とは、焼結後の結晶粒を意味することができる。
これによって、熱電粉末焼結体の熱伝導度を減少させることができ、電気伝導度を向上させることができ、これによって、熱電粉末焼結体を熱電素子の熱電脚に適用するとき、熱電脚の熱電性能を向上させることができる。
また、前記熱電粉末制御部で電気伝導度の低下を発生させる第2粉末すなわち、板状フレーク形状と異なる形状を有する粉末の量を減少させることができるので、熱電粉末焼結後の熱電脚の熱電性能を向上させることができる。詳しくは、前記熱電粉末焼結体で電気伝導度の低下を発生させる第2粉末は、粉末全体に対して約5体積%以下であり得る。さらに詳しくは、前記熱電粉末焼結体で電気伝導度の低下を発生させる第2粉末は、粉末全体に対して約3体積%以下であり得る。さらに詳しくは、前記熱電粉末焼結体で電気伝導度の低下を発生させる第2粉末は、粉末全体に対して約1体積%以下であり得る。
以下、実施例および比較例による熱電粉末製造方法を介して本発明をさらに詳細に説明する。このような実施例は、本発明をさらに詳細に説明するために例示で提示したものに過ぎない。したがって、本発明がこのような実施例に限定されるものではない。
実施例1
熱電素材を熱処理してインゴット(ingot)を製造した後、インゴットを粉碎して篩分けして熱電脚用粉末を獲得した。
続いて、これを焼結し、焼結体をカッティングしてP型熱電脚およびN型熱電脚を製造した。
このとき、熱電脚用粉末は、板状フレーク形状の粉末と共に0.1体積%の球形状の粉末を含んだ。
続いて、前記P型熱電脚および前記N型熱電脚の電気伝導度を測定した。
実施例2
前記球形状の粉末が板状フレーク形状の粉末および球形状の粉末を含み、前記球形状の粉末が熱電脚用粉末全体に対して約0.5体積%含まれたという点を除いて実施例1と同様にP型熱電脚およびN型熱電脚を製造した後、前記P型熱電脚および前記N型熱電脚の電気伝導度を測定した。
実施例3
前記球形状の粉末が熱電脚用粉末全体に対して約1.0体積%含まれたという点を除いて実施例1と同様にP型熱電脚およびN型熱電脚を製造した後、前記P型熱電脚および前記N型熱電脚の電気伝導度を測定した。
実施例4
前記球形状の粉末が熱電脚用粉末全体に対して約2.0体積%含まれたという点を除いて実施例1と同様にP型熱電脚およびN型熱電脚を製造した後、前記P型熱電脚および前記N型熱電脚の電気伝導度を測定した。
実施例5
前記球形状の粉末が熱電脚用粉末全体に対して約3.0体積%含まれたという点を除いて実施例1と同様にP型熱電脚およびN型熱電脚を製造した後、前記P型熱電脚および前記N型熱電脚の電気伝導度を測定した。
実施例6
前記球形状の粉末が熱電脚用粉末全体に対して約4.0体積%含まれたという点を除いて実施例1と同様にP型熱電脚およびN型熱電脚を製造した後、前記P型熱電脚および前記N型熱電脚の電気伝導度を測定した。
実施例7
前記球形状の粉末が熱電脚用粉末全体に対して約5.0体積%含まれたという点を除いて実施例1と同様にP型熱電脚およびN型熱電脚を製造した後、前記P型熱電脚および前記N型熱電脚の電気伝導度を測定した。
実施例8
前記球形状の粉末が熱電脚用粉末全体に対して約6.0体積%含まれたという点を除いて実施例1と同様にP型熱電脚およびN型熱電脚を製造した後、前記P型熱電脚および前記N型熱電脚の電気伝導度を測定した。
比較例
熱電素材を熱処理してインゴット(ingot)を製造した後、インゴットを粉碎して篩分けしない状態で熱電脚用粉末を獲得した。
このとき、前記球形状の粉末が熱電脚用粉末全体に対して約7.0体積%含まれて、実施例1と同様にP型熱電脚およびN型熱電脚を製造した後、前記P型熱電脚および前記N型熱電脚の電気伝導度を測定した。
Figure 0007091341000001
表1を参照すると、実施例2ないし実施例6による熱電脚は、実施例1すなわち、球形状の粉末が微量で含まれる熱電脚に比べて電気伝導度の差が小さいことが分かる。
すなわち、球形状の粉末が0.1体積%ないし6.0体積%だけ含まれる熱電脚は、球形状の粉末が微量で含まれる熱電脚に比べて約5%以内のわずかな電気伝導度の差があることが分かる。
しかし、実施例7、8および比較例による熱電脚は、実施例1すなわち、球形状の粉末が微量で含まれる熱電脚に比べて電気伝導度の差が大きいことが分かる。
すなわち、球形状の粉末が5.0体積%以上に含まれる熱電脚は、球形状の粉末が含まれていない熱電脚に比べて約5%以上の大きい電気伝導度の差があることを分かる。
すなわち、実施例7、8および比較例による球形状の粉末が板状フレーク形状の粉末と共に混合されて、焼結体の内部にボイドを形成するか、またはクラックを形成することによって、製造される熱電脚の電気伝導度が大きく減少することが分かる。
以下、図7ないし図9を参照して、実施例による熱電焼結体製造装置によって製造される熱電焼結体が適用される熱電素子の一例を説明する。
図7ないし9を参照すると、熱電素子100は、下部基板110、下部電極120、P型熱電脚130、N型熱電脚140、上部電極150および上部基板160を含むことができる。
前記下部電極120は、前記下部基板110と前記P型熱電脚130および前記N型熱電脚140の下部底面との間に配置され得る。前記上部電極150は、前記上部基板160と前記P型熱電脚130および前記N型熱電脚140の上部底面との間に配置され得る。
これによって、複数のP型熱電脚130および複数のN型熱電脚140は、前記下部電極120および前記上部電極150によって電気的に連結され得る。前記下部電極120と前記上部電極150との間に配置され、電気的に連結される一対のP型熱電脚130およびN型熱電脚140は、単位セルを形成することができる。
例えば、リード線181、182を介して前記下部電極120および前記上部電極150に電圧を印加すると、ペルチェ効果によって前記P型熱電脚130から前記N型熱電脚140に電流の流れる基板は、熱を吸収して冷却部として作用し、N型熱電脚140からP型熱電脚130に電流の流れる基板は、加熱されて発熱部として作用することができる。
ここで、P型熱電脚130およびN型熱電脚140は、ビスマス(Bi)およびテルル(Te)を主原料として含むビスムステルルライド(Bi-Te)系熱電脚であり得る。
前記P型熱電脚130は、全体重量100wt%に対してアンチモン(Sb)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉛(Pb)、ホウ素(B)、ガリウム(Ga)、テルル(Te)、ビスマス(Bi)およびインジウム(In)の少なくとも一つを含むビスムステルルライド(Bi-Te)系主原料物質99wt%ないし99.999wt%とBiまたはTeを含む混合物0.001wt%ないし1wt%を含む熱電脚であり得る。例えば、主原料物質がBi-Sb-Teであり、BiまたはTeを全体重量の0.001wt%ないし1wt%でさらに含むことができる。
前記N型熱電脚140は、全体重量100wt%に対してセレン(Se)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉛(Pb)、ホウ素(B)、ガリウム(Ga)、テルル(Te)、ビスマス(Bi)およびインジウム(In)の少なくとも一つを含むビスムステルルライド(Bi-Te)系主原料物質99wt%ないし99.999wt%とBiまたはTeを含む混合物0.001wt%ないし1wt%を含む熱電脚であり得る。例えば、主原料物質がBi-Se-Teであり、BiまたはTeを全体重量の0.001wt%ないし1wt%でさらに含むことができる。
前記P型熱電脚130および前記N型熱電脚140は、バルク型または積層型に形成され得る。一般に、バルク型P型熱電脚130またはバルク型N型熱電脚140は、熱電素材を熱処理してインゴット(ingot)を製造し、インゴットを粉碎して篩分けして熱電脚用粉末を獲得した後、これを焼結し、焼結体をカッティングする過程を介して得ることができる。積層型P型熱電脚130または積層型N型熱電脚140は、シート形状の基材上に熱電素材を含むペーストを塗布して単位部材を形成した後、単位部材を積層してカッティングする過程を介して得ることができる。
図9を参照すると、実施例による前記P型熱電脚130および前記N型熱電脚140の少なくとも一つの熱電脚700は、熱電素材層710、熱電素材層710の一面および前記一面と対向する他面上にそれぞれ配置される第1金属層760および第2金属層770、熱電素材層710と第1金属層760との間に配置される第1接合層740および熱電素材層710と第2金属層770との間に配置される第2接合層750、そして第1金属層760と第1接合層740との間に配置される第1メッキ層720および第2金属層770と第2接合層750との間に配置される第2メッキ層730を含む。このとき、熱電素材層710と第1接合層740は互いに直接接触し、熱電素材層710と第2接合層750は互いに直接接触することができる。そして、第1接合層740と第1メッキ層720は互いに直接接触し、第2接合層750と第2メッキ層730は互いに直接接触することができる。そして、第1メッキ層720と第1金属層760は互いに直接接触し、第2メッキ層730と第2金属層770は互いに直接接触することができる。
熱電素材層710は、半導体材料であるビスマスBiおよびテルル(Te)を含むことができる。熱電素材層710は、P型熱電脚130またはN型熱電脚140と同じ素材または形状を有し得る。
そして、第1金属層760および第2金属層770は、銅(Cu)、銅合金、アルミニウム(Al)およびアルミニウム合金から選択され得、0.1ないし0.5mm、望ましくは0.2ないし0.3mmの厚さを有し得る。
第1メッキ層720および第2メッキ層730は、それぞれNi、Sn、Ti、Fe、Sb、CrおよびMoの少なくとも一つを含むことができ、1ないし20μm、望ましくは1ないし10μmの厚さを有し得る。
熱電素材層710と第1メッキ層720との間および熱電素材層710と第2メッキ層730との間には、第1接合層740および第2接合層750が配置され得る。このとき、第1接合層740および第2接合層750はTeを含むことができる。
これによって、熱電素材層710の中心面から熱電素材層710と第1接合層740との間の境界面までのTe含有量は、Bi含有量より高く、熱電素材層710の中心面から熱電素材層710と第2接合層750との間の境界面までのTe含有量は、Bi含有量より高い。そして、熱電素材層710の中心面から熱電素材層710と第1接合層740との間の境界面までのTe含有量または熱電素材層710の中心面から熱電素材層710と第2接合層750との間の境界面までのTe含有量は、熱電素材層710の中心面のTe含有量に対して0.8ないし1倍であり得る。
このとき、一対のP型熱電脚130およびN型熱電脚140は、同じ形状および体積を有するか、または互いに異なる形状および体積を有し得る。例えば、P型熱電脚130とN型熱電脚140の電気伝導特性が互いに異なるので、N型熱電脚140の高さまたは断面積をP型熱電脚130の高さまたは断面積と異なるように形成することもある。
本発明の一実施例による熱電素子の性能は、ゼーベック指数で示すことができる。ゼーベック指数ZTは、式1のように示すことができる。
Figure 0007091341000002
ここで、αはゼーベック係数[V/K]であり、σは電気伝導度[S/m]であり、α2σはパワー因子(Power Factor、[W/mK])である。そして、Tは温度であり、kは熱伝導度[W/mK]である。kはa・cp・ρに示すことができ、aは熱拡散度[cm/S]であり、cpは比熱[J/gK]であり、ρは密度[g/cm]である。
熱電素子のゼーベック指数を得るために、Zメートルを用いてZ値(V/K)を測定し、測定したZ値を用いてゼーベック指数ZTを計算することができる。
ここで、前記下部基板110と前記P型熱電脚130および前記N型熱電脚140との間に配置される前記下部電極120、そして前記上部基板160と前記P型熱電脚130および前記N型熱電脚140との間に配置される前記上部電極150は、銅(Cu)、銀(Ag)およびニッケル(Ni)の少なくとも一つを含み、0.01mmないし0.3mmの厚さを有し得る。
前記下部電極120または前記上部電極150の厚さが0.01mm未満の場合、電極として機能が低下して電気伝導性能が低くなり得、0.3mmを超過する場合、抵抗の増加によって伝導効率が低くなり得る。
そして、互いに対向する前記下部基板110と前記上部基板160は、絶縁基板または金属基板であり得る。
絶縁基板は、アルミナ基板または柔軟性を有する高分子樹脂基板であり得る。柔軟性を有する高分子樹脂基板は、ポリイミド(PI)、ポリスチレン(PS)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、シクロオレフィンコポリマー(COC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、レジン(resin)のような高透過性プラスチックなどの多様な絶縁性樹脂材を含むことができる。
金属基板は、Cu、Cu合金またはCu-Al合金を含むことができ、その厚さは0.1mmないし0.5mmであり得る。金属基板の厚さが0.1mm未満であるか、または0.5mmを超過する場合、放熱特性または熱伝導率が過度に高くなり得るので、熱電素子の信頼性が低下し得る。
また、前記下部基板110と前記上部基板160が金属基板の場合、前記下部基板110と前記下部電極120との間および前記上部基板160と前記上部電極150との間には、それぞれ誘電体層170がさらに配置され得る。
前記誘電体層170は、5~10W/Kの熱伝導度を有する素材を含み、0.01mmないし0.15mmの厚さに形成され得る。前記誘電体層170の厚さが0.01mm未満の場合、絶縁効率または耐電圧特性が低下し得、0.15mmを超過する場合、熱伝導度が低くなって放熱効率が低下し得る。
このとき、前記下部基板110と前記上部基板160のサイズは、異なるように形成されることもある。例えば、前記下部基板110と前記上部基板160のうち一つの体積、厚さまたは面積は、他の一つの体積、厚さまたは面積より大きく形成され得る。これによって、熱電素子の吸熱性能または放熱性能を高めることができる。
また、前記下部基板110と前記上部基板160の少なくとも一つの表面には、放熱パターン、例えば、凹凸パターンが形成されることもある。これによって、熱電素子の放熱性能を高めることができる。凹凸パターンがP型熱電脚130またはN型熱電脚140と接触する面に形成される場合、熱電脚と基板との間の接合特性も向上し得る。
前記熱電素子モジュールは、発電用装置、冷却用装置、温熱用装置などに適用され得る。具体的には、前記熱電素子モジュールは、主に光通信モジュール、センサー、医療機器、測定器機、航空宇宙産業、冷蔵庫、チラー(chiller)、自動車通風シート、カップホルダー、洗濯機、乾燥器、ワインセラー、浄水器、センサー用電源供給装置、サーモパイル(thermopile)などに適用され得る。
ここで、前記熱電素子モジュールが医療機器に適用される例として、PCR(Polymerase Chain Reaction)機器がある。PCR機器は、DNAを増幅してDNAの塩基配列を決めるための装備であり、精緻な温度制御が要求され、熱循環(thermal cycle)が必要な器機である。これのために、ペルチェ効果に基づく熱電素子が適用され得る。
前記熱電素子モジュールが医療機器に適用される他の例として、光検出器がある。ここで、光検出器は、赤外線/紫外線検出器は、CCD(Charge Coupled Device)センサー、X-ray検出器、TTRS(Thermoelectric Thermal Reference Source)などがある。光検出器の冷却(cooling)のためにペルチェ効果に基づく熱電素子が適用され得る。これにより、光検出器内部の温度上昇による波長変化、出力低下および解像力の低下などを防止することができる。
前記熱電素子モジュールが医療機器に適用されるまた他の例として、免疫分析(immunoassay)の分野、インビトロ診断(In vitro Diagnostics)の分野、温度制御および冷却システム(general temperature control and cooling systems)、物理治療の分野、液状チラーシステム、血液/プラズマ温度制御の分野などがある。これによって、精密な温度制御が可能である。
前記熱電素子モジュールが医療機器に適用されるまた他の例として、人工心臓がある。これによって、人工心臓に電源を供給することができる。
前記熱電子モジュールが航空宇宙産業に適用される例として、星追跡システム、熱イミジングカメラ、赤外線/紫外線検出器、CCDセンサー、ハッブル宇宙望遠鏡、TTRSなどがある。これによって、イメージセンサーの温度を維持することができる。
前記熱電素子モジュールが航空宇宙産業に適用される他の例として、冷却装置、ヒーター、発電装置などがある。
この外にも、前記熱電素子モジュールは、その他の産業分野に発電、冷却および温熱のために適用され得る。
以上、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、該当の技術分野の熟練された当業者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想および領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正および変更させることができることを理解することができるであろう。

Claims (18)

  1. 熱電粉末を含み、
    前記熱電粉末は、
    水平方向に配置され、板状フレーク形状の複数の第1粉末;および
    前記第1粉末と形状が異なる複数の第2粉末を含み、
    前記第2粉末は、前記熱電粉末全体に対して5体積%未満で含まれ
    前記第2粉末の平均粒径は、650μmないし670μmである、
    熱電焼結体。
  2. 前記第1粉末の中で水平方向に配列される第1粉末は、前記第1粉末全体に対して95体積%以上である、請求項1に記載の熱電焼結体。
  3. 前記第2粉末は、前記熱電粉末全体に対して3体積%以下だけ含まれる、請求項1に記載の熱電焼結体。
  4. 前記第2粉末は、前記熱電粉末全体に対して1体積%以下だけ含まれる、請求項1に記載の熱電焼結体。
  5. 前記第1粉末のサイズは、前記第2粉末のサイズと異なる、請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の熱電焼結体。
  6. 前記第1粉末と前記第2粉末の粒径は、互いに異なる、請求項5に記載の熱電焼結体。
  7. 前記第2粉末は、球形状に形成される、請求項5に記載の熱電焼結体。
  8. 前記熱電焼結体内のボイド(void)は、全体面積に対して5%以下である、請求項1に記載の熱電焼結体。
  9. 前記第1粉末の粒径は、前記第2粉末の粒径より大きい、請求項6に記載の熱電焼結体。
  10. 前記第1粉末は、長軸および短軸を含み、
    前記第1粉末の短軸に対する長軸の割合は1:1.2ないし1:6である、請求項1に記載の熱電焼結体。
  11. 前記第1粉末は、第1粉末全体に対して約95体積%以上の第1粉末が水平方向に配置される、請求項1に記載の熱電焼結体。
  12. 前記第2粉末の径は、300μmないし1100μmである、請求項6に記載の熱電焼結体。
  13. 前記水平方向は、力方向の仮想の垂直線に対して前記板状フレーク形状の長軸が±15゜以内の角度に傾斜する方向まで含む、請求項1に記載の熱電焼結体。
  14. 下部基板;
    前記下部基板上に配置される上部基板;
    前記下部基板および前記上部基板の間に配置される複数の脚;
    前記脚と前記下部基板とを連結する下部電極;および
    前記脚と前記下部基板とを連結する上部電極を含み、
    前記脚は熱電粉末を含み、
    前記熱電粉末は、
    水平方向に配置される板状フレーク形状の複数の第1粉末;および
    前記第1粉末と形状が異なる複数の第2粉末を含み、
    前記第2粉末は、前記熱電粉末全体に対して5体積%未満で含まれ
    前記第2粉末の平均粒径は、650μmないし670μmである、
    熱電素子。
  15. 前記第1粉末の粒径は、前記第2粉末の粒径より大きい、請求項14に記載の熱電素子。
  16. 前記第1粉末は、第1粉末全体に対して約95体積%以上の第1粉末が水平方向に配置される、請求項14に記載の熱電素子。
  17. 前記水平方向は、力方向の仮想の垂直線に対して前記板状フレーク形状の長軸が±15゜以内の角度に傾斜する方向まで含む、請求項14に記載の熱電素子。
  18. 前記第1粉末は、長軸および短軸を含み、
    前記第1粉末の短軸に対する長軸の割合は、1:1.2ないし1:6である、請求項14に記載の熱電素子。
JP2019534759A 2017-02-01 2018-01-24 熱電焼結体および熱電素子 Active JP7091341B2 (ja)

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