JP7074443B2 - 高ゲイン、定ビーム幅、ブロードバンド・ホーン・アンテナ - Google Patents

高ゲイン、定ビーム幅、ブロードバンド・ホーン・アンテナ Download PDF

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Description

本開示は一般に高ゲイン・アンテナに関し、より詳細にはホーン・アンテナに関する。
一般に2つのタイプの開口部アンテナがある。第1のタイプの開口部アンテナは、一般に無線周波数(RF)信号を直接的に送受信するためのクラスタまたはアレイとともに含まれるホーン・アンテナである。第2のタイプの開口部アンテナは反射器アンテナであり、一般に、RF信号を送受信するための1つまたは複数のフィードホーンにより補完されたパラボラ反射器を含む。
開口部アンテナのビーム幅は、特に空間アプリケーションにおいて、その動作周波数範囲にわたって出来るだけ均一であり、その結果当該アンテナにより生産された所望の放射パターンが実質的に変化しないことが有利である。反射器アンテナが、反射器の表面をより高い動作周波数であまり照射しないことによってその動作範囲にわたって一定のビーム幅を生成するように修正されてもよい。かかる修正された反射器アンテナのビーム幅は、パラボラ反射器とフィード・ホーン(複数可)の間の自己補償関係に起因して本質的に周波数独立であり、その動作周波数範囲にわたる十分に均一なビーム幅をもたらす。即ち、過度に大きすぎる反射器表面にはより小さな開口部アンテナ・フィードが供給される。フィード・アンテナのビーム幅が周波数とともに減少すると、当該反射器表面の照射された部分も減少し、当該組合せの有効な開口部を減少させる。これは、周波数が一定の(一定のビーム幅を提供する)電気開口部サイズを提供する。しかし、当該反射器表面をあまり照射しない結果、当該アプリケーションに必要なものよりかなり大きな反射器がもたらされ、これは幾つかの欠点(増大されたサイズ、重量、および複雑性)を有する。定ビーム幅の周波数を提供するための他のソリューションは、反射性変動を周波数に提供するための、(可変のサイズの穴を通じた、または、可変の間隔を有するメッシュを用いることによる)反射器表面への修正を含む。
この修正された反射器アンテナと対照的に、ホーン・アンテナのビーム幅は周波数依存である。即ち、ホーン・アンテナのビーム幅は、波長において電気開口部サイズに反比例する(即ち、より大きな電気開口部サイズがより小さなビーム幅に変換される)。固定の物理開口部サイズを有するホーン・アンテナに対して、波長の電気サイズは、当該波長が減少するにつれ(即ち、周波数が増大するにつれ)増大する。即ち、RF信号の周波数が増大すると、ビーム幅が減少し、当該RF信号の周波数が減少すると、当該ビーム幅が増大する。
その動作周波数帯にわたる均一なビーム幅を示すように反射器アンテナを修正してもよいが、これは、分厚く、重く、および大きすぎる反射器構造の利用を必要とし、したがって空間アプリケーションに対して不適切であるおそれがあり、空間内の温度の広い分散に起因して熱歪みに苦しみ、相対的に複雑な製造プロセスを必要とする。対照的に、ホーン・アンテナは相対的にコンパクトで軽量であり、構造的に安定であり、熱効果に苦しまず、単純な構築および調節のみを必要とする。しかし、上の議論から理解できるように、従来型のホーン・アンテナは、周波数依存であるビーム幅を有し、そのブロードバンド幅に起因して、その動作周波数帯にわたってビーム幅の極端な変動を示し得る。
したがって定ビーム幅、ブロードバンド、高ゲインのアンテナの必要性が残っている。
本開示の第1の態様によれば、ホーン・アンテナは内面を有する導電シェルおよび当該シェル内に形成された空隙部、当該シェル内に形成された空隙部、当該空隙部の一端で定義された開口部、および当該開口部と反対の空隙部の別の端と通信する導電シェルに接続されたスロート部を含む。1実施形態では、導電シェルの内面は平滑である。導電シェルは、例えば、円錐状であってもよく、または、例えば、ピラミッド状、扇形、または断面状であってもよい。
ホーン・アンテナはさらに、当該スロート部および当該開口部の間の空隙部を伝播するRFエネルギの減衰が、当該RFエネルギの周波数が増大すると、導電シェルの内面に向かって外方向により高速に増大するように、当該空隙部内に配置された空間および周波数依存の無線周波数(RF)減衰器を含む。RF減衰器はRFエネルギの周波数に反比例して当該開口部の電気的に有効なサイズを変化させるように構成されてもよい。
1実施形態では、RF減衰器は、RF減衰器上で衝突するRFエネルギが相対的に低い反射係数を有するように、RF吸収材料で構成される。別の実施形態では、RF減衰器はRF反射材料で構成される。RF減衰器は市販の材料、例えば、炭素粉末をロードしたポリウレタン材料から構成されてもよい。あるいは、RF減衰器は、カスタム設計されたメタマテリアル、例えば、誘導性、容量性、および/または抵抗性の要素を含むハチの巣コア材料から構成されてもよい。当該開口部に平行な平面に沿ったホーンシェルおよびRF減衰器の断面は幾何学的に類似であってもよい。RF減衰器は空洞中央領域を備えてもよい。
さらに別の実施形態では、RF減衰器は外方向に減衰を漸進的かつ離散的に増大させる。例えば、RF減衰器は外方向に減衰を漸進的に増大させるように入れ子になった複数の離散領域を備えてもよい。当該離散領域は、当該開口部に垂直な平面に沿った当該離散領域の長さは等しくてもよいように、例えば、それぞれ単位長あたり異なる減衰を有してもよい。あるいは、当該離散領域は、当該離散領域はそれぞれ単位長あたり同一の減衰を有しうるように、外方向にそれぞれ増大する当該開口部に垂直な平面に沿った長さを有してもよい。さらに別の実施形態では、RF減衰器は外方向に減衰を連続的に増大させる。
ホーン・アンテナは動作周波数帯にわたって実質的に均一であるビーム幅を有してもよい。例えば、当該ビーム幅は当該動作周波数帯上で20%より少なく変化してもよい。当該動作周波数帯は、例えば、少なくとも10:1の帯域幅であってもよい。別の例として、当該ビーム幅は当該動作周波数帯上で10%より少なく変化してもよく、当該動作周波数帯は、例えば、少なくとも4:1の帯域幅であってもよい。さらに別の例として、当該ビーム幅は当該動作周波数帯上で5%より少なく変化してもよく、当該動作周波数帯は例えば、少なくとも2:1の帯域幅であってもよい。RF減衰器は、RF減衰器のない対応するホーン・アンテナの名目ビーム幅と相対的な動作周波数帯にわたるホーン・アンテナのビーム幅の分散を低下させてもよい。
本開示の第2の態様によれば、無線周波数(RF)システムは、ホーン・アンテナのスロート部に接続された上述のホーン・アンテナおよびRF回路を備えてもよい。当該RF回路は、RFエネルギをホーン・アンテナに送信し、かつ/または、RFエネルギをホーン・アンテナから受信するように構成される。
本開示の第3の態様によれば、通信システムは構造体(例えば、通信衛星の構造)、および当該構造体に搭載されたRFシステムを含む。
本開示の第4の態様によれば、動作周波数帯および名目ビーム幅を定義する性能要件、および当該名目ビーム幅からの最小許容可能分散に従うホーン・アンテナを製造する方法が提供される。当該方法は、当該動作周波数帯内の第1の周波数で当該名目ビーム幅を示すホーン・アンテナの開口部サイズを決定するステップと、空隙部を有し選択された開口部サイズを有する開口部を定義する導電シェルを製造するステップとを含む。第1の周波数は、例えば、当該動作周波数帯における最低周波数であってもよい。1実施形態では、導電シェルの内面は平滑である。導電シェルは、例えば、円錐状であってもよく、または、例えば、ピラミッド状、扇形、または断面状であってもよい。
当該方法はさらに、RF減衰器の最内領域からRF減衰器の最外領域に徐々に増大する減衰を有するRF減衰器を製造するステップを含む。RF減衰器の外周は導電シェルの内面に従う。1つの方法はさらに当該動作周波数帯の幅に基づいて最小減衰と相対的な最大減衰を選択するステップを含む。この場合、RF減衰器は当該選択された最大減衰に等しい当該周辺での最大減衰を有してもよい。RF減衰器は例えば、RF吸収材料またはRF反射材料から構成されてもよい。RF減衰器は空洞中央領域を備えてもよい。
1実施形態では、RF減衰器は、RF減衰器上で衝突するRFエネルギが相対的に低い反射係数を有するように、RF吸収材料で構成される。別の実施形態では、RF減衰器はRF反射材料で構成される。RF減衰器は市販の材料、例えば、炭素粉末をロードしたポリウレタン材料から構成されてもよい。あるいは、RF減衰器は、カスタム設計されたメタマテリアル、例えば、誘導性、容量性、および/または抵抗性の要素を含むハチの巣コア材料から構成されてもよい。当該開口部に平行な平面に沿ったホーンシェルおよびRF減衰器の断面は幾何学的に類似であってもよい。RF減衰器は空洞中央領域を備えてもよい。
1実施形態では、RF減衰器が、減衰が外方向に漸進的かつ離散的に増大する方式で製造されてもよい。例えば、RF減衰器は、それらが外方向の減衰において漸進的かつ離散的に増大するように、入れ子になった複数の離散領域で製造されてもよい。この場合、当該方法はさらに、当該動作周波数帯の幅に基づいて幾つかの離散領域を選択するステップを含んでもよい。この方法はさらに、それぞれ当該離散領域に対する異なる減衰値を選択するステップと、当該異なる選択された減衰値に基づいて単位長あたりの異なる減衰を有する材料をそれぞれ選択または設計するステップと、それぞれ当該離散領域を当該材料から製造するステップとを含んでもよい。この場合、当該開口部に垂直な平面に沿った当該離散領域の長さは等しくてもよい。さらに別の方法はさらにそれぞれ当該離散領域に対する異なる減衰値を選択するステップと、単位長あたりの減衰を有する減衰材料を選択または設計するステップと、それぞれ当該減衰材料の当該異なる選択された減衰値および単位長あたりの減衰に基づいて当該減衰材料の長さを計算するステップと、それぞれ当該離散領域を当該減衰材料から製造するステップとを含む。当該離散領域は外方向にそれぞれ増大する当該開口部に垂直な平面に沿った当該計算された長さに等しい長さを有してもよい。この場合、当該離散領域はそれぞれ単位長あたり同一の減衰を有してもよい。
さらに別の実施形態では、RF減衰器は外方向に減衰を連続的に増大させる。
当該方法はさらに、当該動作周波数帯上のホーン・アンテナの名目ビーム幅の分散は当該名目ビーム幅からの最小許容可能分散に準拠するように、RF減衰器を導電シェルの空隙部内に添付するステップを含む。1実施形態では、RF減衰器は、当該開口部の電気的に有効なサイズが周波数に反比例して変化するように製造される。
ホーン・アンテナは、動作周波数帯にわたって実質的に均一であるビーム幅を有してもよい。例えば、当該ビーム幅は当該動作周波数帯上で20%より少なく変化してもよく、当該動作周波数帯は、例えば、少なくとも10:1の帯域幅であってもよい。別の例として、当該ビーム幅は当該動作周波数帯上で10%より少なく変化してもよく、当該動作周波数帯は、例えば、少なくとも4:1の帯域幅であってもよい。さらに別の例として、当該ビーム幅は当該動作周波数帯上で5%より少なく変化してもよく、当該動作周波数帯は例えば、少なくとも2:1の帯域幅であってもよい。RF減衰器は、RF減衰器のない対応するホーン・アンテナの名目ビーム幅と相対的な動作周波数帯にわたるホーン・アンテナのビーム幅の分散を低下させてもよい。
1つまたは複数の実施形態では、ホーン・アンテナは内面を有する導電シェルを含む。当該ホーンはさらに当該シェル内に形成された空隙部を含む。また、当該ホーンは当該空隙部の一端で定義された開口部を含む。さらに、当該ホーンは当該開口部と反対の空隙部の別の端と通信する導電シェルに接続されたスロート部を含む。さらに、当該ホーンは当該スロート部および当該開口部の間の空隙部を伝播するRFエネルギの減衰が、RFエネルギの周波数が増大すると、導電シェルの内面に向かって外方向により高速に増大するように、当該空隙部内に配置された空間および周波数依存の無線周波数(RF)減衰器を含む。
少なくとも1つの実施形態では、導電シェルの内面は平滑である。1つまたは複数の実施形態では、導電シェルは円錐状である。幾つかの実施形態では、導電シェルはピラミッド状、扇形、または断面状である。
1つまたは複数の実施形態では、RF減衰器は、RF減衰器上で衝突するRFエネルギが相対的に低い反射係数を有するように、RF吸収材料で構成される。少なくとも1つの実施形態では、RF減衰器はRF反射材料で構成される。
少なくとも1つの実施形態では、当該開口部に並列な平面に沿った当該ホーンシェルおよびRF減衰器の断面は幾何学的に類似である。幾つかの実施形態では、RF減衰器は、RFエネルギの周波数に反比例して当該開口部の電気的に有効なサイズを変化させるように構成される。
1つまたは複数の実施形態では、RF減衰器は外方向に減衰を漸進的かつ離散的に増大させる。幾つかの実施形態では、RF減衰器は、外方向に減衰を漸進的に増大させるように入れ子になった複数の離散領域を含む。少なくとも1つの実施形態では、当該離散領域はそれぞれ単位長あたり異なる減衰を有する。幾つかの実施形態では、当該開口部に垂直な平面に沿った当該離散領域の長さは等しい。少なくとも1つの実施形態では、当該離散領域は外方向にそれぞれ増大する当該開口部に垂直な平面に沿った長さを有する。1つまたは複数の実施形態では、当該離散領域はそれぞれ単位長あたり同一の減衰を有する。幾つかの実施形態では、RF減衰器は外方向に減衰を連続的に増大させる。
少なくとも1つの実施形態では、RF減衰器は市販の材料で構成される。少なくとも1つの実施形態では、当該市販の材料は炭素粉末をロードしたポリウレタン材料である。幾つかの実施形態では、RF減衰器はカスタム設計されたメタマテリアルで構成される。1つまたは複数の実施形態では、当該メタマテリアルは誘導性、容量性、および/または抵抗性の要素を含むハチの巣コア材料を含む。少なくとも1つの実施形態では、RF減衰器は空洞中央領域を含む。
1つまたは複数の実施形態では、ホーン・アンテナは動作周波数帯にわたって実質的に均一であるビーム幅を有する。少なくとも1つの実施形態では、当該ビーム幅は当該動作周波数帯上で20%より少なく変化する。幾つかの実施形態では、当該動作周波数帯は少なくとも10:1の帯域幅を有する。1つまたは複数の実施形態では、当該ビーム幅は当該動作周波数帯上で10%パーセントより少なく変化する。少なくとも1つの実施形態では、当該動作周波数帯は少なくとも4:1の帯域幅を有する。幾つかの実施形態では、当該ビーム幅は当該動作周波数帯上で5%より少なく変化する。少なくとも1つの実施形態では、当該動作周波数帯は少なくとも2:1の帯域幅を有する。幾つかの実施形態では、RF減衰器は、RF減衰器のない対応するホーン・アンテナの名目ビーム幅と相対的な動作周波数帯にわたるホーン・アンテナのビーム幅の分散を減少させる。
少なくとも1つの実施形態では、無線周波数(RF)システムはホーン・アンテナを含む。ホーン・アンテナは内面を有する導電シェルを含む。ホーン・アンテナはさらに当該シェル内に形成された空隙部を含む。ホーン・アンテナはまた、当該空隙部の一端で定義された開口部を含む。また、ホーン・アンテナは当該開口部と反対の空隙部の別の端と通信する導電シェルに接続されたスロート部を含む。さらに、ホーン・アンテナは当該スロート部および当該開口部の間の空隙部を伝播するRFエネルギの減衰が、RFエネルギの周波数が増大すると、導電シェルの内面に向かって外方向により高速に増大するように、当該空隙部内に配置された空間および周波数依存の無線周波数(RF)減衰器を含む。さらに、当該無線周波数(RF)システムはホーン・アンテナの当該スロート部に接続されるRF回路を含む。当該RF回路は、RFエネルギをホーン・アンテナに送信し、かつ/または、RFエネルギをホーン・アンテナから受信するように構成される。
1つまたは複数の実施形態では、通信システムは構造体を含む。当該通信システムはさらに当該構造体に搭載されたRFシステムを含む。幾つかの実施形態では、当該構造体は通信衛星の構造である。
少なくとも1つの実施形態では、動作周波数帯および名目ビーム幅を定義する性能要件、および当該名目ビーム幅からの最小許容可能分散に従うホーン・アンテナを製造する方法は、当該動作周波数帯内の第1の周波数で当該名目ビーム幅を示すホーン・アンテナの開口部サイズを決定するステップを含む。当該方法はさらに、空隙部を有し選択された開口部サイズを有する開口部を定義する導電シェルを製造するステップを含む。また、当該方法は、RF減衰器の最内領域からRF減衰器の最外領域に徐々に増大する減衰を有するRF減衰器を製造するステップを含む。RF減衰器の外周は導電シェルの内面に従う。さらに、当該方法は、当該動作周波数帯上のホーン・アンテナの名目ビーム幅の分散は当該名目ビーム幅からの最小許容可能分散に準拠するように、RF減衰器を導電シェルの空隙部内に添付するステップを含む。
1つまたは複数の実施形態では、第1の周波数は当該動作周波数帯における最低周波数である。幾つかの実施形態では、当該方法はさらに当該動作周波数帯の幅に基づいて最小減衰と相対的な最大減衰を選択するステップを含む。RF減衰器は当該選択された最大減衰に等しい当該周辺での最大減衰を有する。
少なくとも1つの実施形態では、RF減衰器は、当該開口部の電気的に有効なサイズが周波数に反比例して変化するように製造される。幾つかの実施形態では、RF減衰器は、当該減衰が外方向に漸進的かつ離散的に増大する方式で製造される。
1つまたは複数の実施形態では、RF減衰器は、それらが外方向の減衰において漸進的かつ離散的に増大するように、入れ子になった複数の離散領域で製造される。幾つかの実施形態では、当該方法はさらに当該動作周波数帯の幅に基づいて幾つかの当該離散領域を選択するステップを含む。
少なくとも1つの実施形態では、当該方法はさらにそれぞれ当該離散領域に対する異なる減衰値を選択するステップを含む。また、当該方法はさらに、当該異なる選択された減衰値に基づいて単位長あたりの異なる減衰を有する材料をそれぞれ選択または設計するステップを含む。さらに、当該方法はそれぞれ当該離散領域を当該材料から製造するステップを含む。
1つまたは複数の実施形態では、当該開口部に垂直な平面に沿った当該離散領域の長さは等しい。
少なくとも1つの実施形態では、当該方法はさらにそれぞれ当該離散領域に対する異なる減衰値を選択するステップを含む。また、当該方法はさらに単位長あたりの減衰を有する減衰材料を選択または設計するステップを含む。さらに、当該方法はさらにそれぞれ当該減衰材料の当該異なる選択された減衰値および単位長あたりの減衰に基づいて当該減衰材料の長さを計算するステップを含む。さらに、当該方法はそれぞれ当該離散領域を当該減衰材料から製造するステップを含む。当該離散領域は外方向にそれぞれ増大する当該開口部に垂直な平面に沿った当該計算された長さに等しい長さを有する。
1つまたは複数の実施形態では、RF減衰器は外方向に減衰を連続的に増大させる。
本開示の他のおよびさらなる態様および特徴は当該好適な実施形態の以下の詳細な説明を読むと明らかであろう。当該実施形態は本開示を示すためのものであり、限定ではない。
当該図面は本開示の好適な実施形態の設計と利用を示す。図面において、同様な要素は共通の参照番号により参照される。どのように本開示の上述のおよび他の利点と目的が得られるかをより良く理解するために、上で簡単に説明した本開示のより具体的な説明を、その特定の実施形態を参照して行う。当該特定の実施形態は添付図面で示されている。これらの図面は本開示の典型的な実施形態のみを示ししたがってその範囲の限定と考えられないことを理解して、本開示を、添付図面の利用を通じた追加の具体性および詳細をもって説明する。
衛星通信システムに組み込まれているとして示されている、本開示の1実施形態に従って構築されたホーン・アンテナのブロック図である。 図1のホーン・アンテナの透視図である。 特にRF減衰器によって示される高周波数および低周波減衰曲線を示す、図2のホーン・アンテナで使用されるRF減衰器の正面図である。 本開示の別の実施形態に従って構築されたホーン・アンテナの側面図である。 本開示のさらに別の実施形態に従って構築されたホーン・アンテナの側面図である。 図2乃至5のホーン・アンテナを製造するステップの1つの方法を示す流れ図である。
本開示で示す各図は、提示された当該実施形態の1態様の変形を示し、差分のみを詳細に説明する。
図1を参照して、本開示の1実施形態に従って構築されたホーン・アンテナ10aを説明する。従来型の方式では、ホーン・アンテナ10aは、1つまたは複数の導波管14および1つまたは複数のそれぞれのポート(図示せず)を介してホーン・アンテナ10aとRF信号を送受信する送受信回路12に接続される。ホーン・アンテナ10a、送受信回路12、および導波管(複数可)14は、RF通信システムのようなRFシステムの少なくとも一部を形成する。示した実施形態において、ホーン・アンテナ10aは、宇宙船16(例えば、通信衛星)のような通信プラットフォームから成る構造の構造体に搭載され、単一のアンテナとして使用されてもよく、または、同様に設計されたホーン・アンテナのより大きなアレイの一部を形成してもよい。簡単さおよび例示の目的のため、ホーン・アンテナ10aのみが示され説明される。ホーン・アンテナ10aが衛星通信で使用されるとして本明細書で説明されているが、ホーン・アンテナ10aをレーダおよび研究室の機器のような他の応用例で使用できることは理解されるべきである。
従来型のホーン・アンテナで典型的であるように、ホーン・アンテナ10aの動作周波数帯幅(動作周波数帯の幅)は10:1のオーダ(例えば、1GHzから10GHzで動作可能とする)であってもよく、高々20:1(例えば、1GHzから20GHzで動作可能とする)であることができる。やはり従来型のホーン・アンテナで典型的であるように、ホーン・アンテナ10aのゲインが、高々25dBiの範囲であってもよく、典型的には10-20dBiである。しかし、従来型のホーン・アンテナと異なり、ホーン・アンテナ10aのビーム幅は、ホーン・アンテナ10aのゲインを大幅に減少させることなくその動作周波数帯十分に均一であり、それにより、周波数にわたって均一なビーム幅を有することに関して反射器アンテナと同じ効果を提供する。
この目的を達成するために、図2をさらに参照して、ホーン・アンテナ10aは、内面22を有する導電シェル20と、ホーンシェル20内に形成された空隙部24と、空隙部24の一端で定義された開口部26と、ホーン開口部26と反対の空隙部24の他端と通信するホーンシェル20に接続されたスロート部28とを備える。示した実施形態において、ホーン・アンテナ10aは円錐状ホーン・アンテナの形をとり、したがって、ホーンシェル20は同様に円錐状であり、ホーン開口部26は対応して円形である。しかし、代替的な実施形態では、ホーン・アンテナ10aは他のタイプの形をとってもよい。当該他のタイプには、ピラミッド状ホーン・アンテナ、扇形ホーン・アンテナ(開口部の1つの次元にのみ先細る(E-またはH-面))、または断面状ホーン・アンテナが含まれるがこれらに限られない。
スロート部28は、導波管(複数可)14(図1に示す)が電気的に接続される1つまたは複数のポート(図示せず)を有する。導波管(複数可)14は一般に本質的に同軸であり、スロート部28内で延伸する中央コンダクタ・ピン(複数可)を介してスロート部28の当該1つまたは複数のポートに接続される。したがって、ホーン・アンテナ10aがRF信号を送信するために使用される場合、送受信回路12により生成されたRF信号は、導波管(複数可)14を介して運搬され、中央コンダクタ・ピンを介してホーン・アンテナ10aのスロート部28にそれぞれ送信されてもよい。当該RF信号はホーン空隙部24内を伝播し、ホーン開口部26から放出される。対照的に、ホーン・アンテナ10aがRF信号を受信するために使用される場合、当該RF信号はホーン・アンテナ10aのホーン開口部26に受信される。それはついで、ホーン空隙部24を介してスロート部28に伝播し、中央コンダクタ・ピンを介して導波管(複数可)14を通じて送受信回路12に運搬される。
実質的に、ホーン・アンテナ10aは、ホーン開口部26およびスロート部28の間のホーン空隙部24内で伝播するRFエネルギがRF減衰器30により減衰されるように、ホーン空隙部24内に配置された空間および周波数依存の無線周波数(RF)減衰器30を含む。RF減衰器30は、ホーン・アンテナ10aの動作周波数帯内の周波数を有するRFエネルギを減衰するように調節された段階的な、円錐状の、容積材料を含む。RF減衰器30は、ホーンシェル20の内面22に向かって外方向に(ホーン・アンテナ10aが円錐状である場合、半径方向に外方向に)全ての周波数に対して減衰が徐々に増大する点で空間依存であり、RFエネルギの周波数が増大するにつれ減衰が徐々に増大する点で周波数依存である。結果として、スロート部28およびホーン開口部26の間のホーン空隙部24を通じて伝播するRFエネルギの減衰は、RFエネルギの周波数が増大するにつれ、より高速に半径方向に外方向に増大する。
例えば、図3で示すように、低周波RFエネルギおよび高周波数RFエネルギの両方に対する減衰は、RF減衰器30の中央からRF減衰器30の周辺に増大する。示した実施形態において、RF減衰器30は空洞中央領域32を含み、したがって、この領域では減衰はない。代替的な実施形態では、RF減衰器30は完全に固体であり、したがって、RF減衰器30の中央に少なくとも幾つかの減衰を有する。いずれにせよ、高周波数RFエネルギの減衰は、低周波RFエネルギの減衰がRF減衰器30の中央(0dB)からRF減衰器30の周辺(-20dB)に増大するよりも高速に、RF減衰器30の中央(0dB)からRF減衰器30の周辺(-50dB)に増大する。
最大動作周波数に対するRF減衰器30の周辺での減衰ができるだけ高い(最適には、無限の減衰)こと、最低動作周波数に対するRF減衰器30の周辺の減衰ができるだけ低いこと(最適には、ゼロ減衰)が望ましい。現実的に言うと、1.5のRFエネルギ間の分数周波数差分(即ち、高周波数は低周波の1.5倍より大きい)に対して、高周波数RFエネルギおよび低周波RFエネルギの間のRF減衰器30の周辺での減衰の差は、例えば、10dB(即ち、高周波数RFエネルギの減衰はRF減衰器30の周辺での低周波RFエネルギの減衰より10dB高い)から50dB(即ち、高周波数RFエネルギの減衰はRF減衰器30の周辺での低周波RFエネルギの減衰より50dB高い)の範囲内にあるが、例えば、20dBから40dBの範囲内であってもよい。
したがって、より高い周波数では、少量のRFエネルギのみが領域ホーン開口部26の外部領域に渡され、それによりホーン開口部26を高周波数で効果的により小さくし、低周波数では、大量のRFエネルギがホーン開口部26の外部領域に渡され、それによりホーン開口部26を低周波数で効果的により大きくする。結果として、ホーン開口部26の有効なサイズはより高い周波数で減少するが、より低い周波数ではそれほどではない。実際、RF減衰器30はRFエネルギの周波数に反比例してホーン開口部26の有効なサイズを変化させ、その結果、RF減衰器30が正しく較正されると、有効な電気開口部は(波長において)周波数とともに一定にとどまり、したがって、ホーン・アンテナ10aは潜在的に非常に広い動作周波数帯上で十分に均一なビーム幅を示す。
空洞中央領域32は動作周波数帯の最大周波数で所望の有効な開口部サイズより十分に小さいべきである。なぜなら、大量の減衰がこの最大周波数で物理開口部サイズを有効な開口部サイズに減らすのに必要であるからである。ホーン開口部26の周辺およびホーン開口部10に平行な面に沿ったRF減衰器30の断面周囲が幾何学的に類似であることが好ましい。例えば、ホーン・アンテナ10aが円錐状である場合、ホーンシェル20およびRF減衰器30の両方の断面は円形であり、一方、ホーン・アンテナ10aがピラミッド状である場合、ホーンシェル20およびRF減衰器30の両方の断面は長方形である。
ホーン・アンテナ10aがRF信号を送信することを意図したケースでは、RF減衰器上で衝突するRFエネルギ30が相対的に低い反射係数を有する(即ち、RF減衰器上で衝突するRFエネルギ30の圧倒的大部分が送信されるかまたは吸収されるかの何れかである)ように、RF減衰器30がRF吸収材料から構成されるのが好ましい。この方式では、エネルギは殆ど送受信回路12に反射し戻されず、そうでなければ送受信回路12を損傷しうる。しかし、ホーン・アンテナ10aがRF信号を受信するのみであるケースでは、RF減衰器30が、RF減衰器30に衝突するRFエネルギが無難に空間に反射し戻されるように、RF反射材料から構成されてもよい。
示した実施形態において、RF減衰器30は空隙部24の一部のみの内部に配置され、特に、ホーン開口部26に延伸するが、スロート部28までずっと延伸するわけではない。したがって、示した実施形態において、RF減衰器30は頂点の欠けた部分円錐形を有する。もちろん、ピラミッド状ホーン・アンテナのケースでは、RF減衰器30は頂点の欠けた部分ピラミッド形を有する。究極的には、空隙部24がRF減衰器30で埋められる範囲は、ホーン・アンテナ10aが動作することを意図した最大動作周波数でRF減衰器30を構成する材料の減衰特性に依存する。一般に、RF減衰器30により占有される空隙部24の部分は、当該材料の減衰特性に反比例する(即ち、減衰特性より大きくなると、空隙部24を占有するRF減衰器30がより少なくなる)。したがって、減衰材料28の減衰特性が最大動作周波数で相対的に低い場合、RF減衰器30が専ら空隙部24を占有する可能性がある。
RF減衰器30は、ホーン・アンテナ10aがその動作周波数帯で十分に均一なビーム幅を持たせることが可能な多数の方式の任意の1つで構成されてもよい。1実施形態では、RF減衰器30は漸進的かつ離散的に半径方向に外方向に減衰が増大する。
例えば、図3を参照すると、RF減衰器30は、外方向に減衰が漸進的に増大する(即ち、離散領域34hが最大の減衰を有し、離散領域34aが最少の減衰を有し、離散領域34bが次に最大の減衰を有し、離散領域34cが次に最大の減衰を有する等である)ように、入れ子となった複数の離散減衰領域34a乃至34hを含む。図3に示す減衰曲線は本質的に連続的であるが、減衰領域34a乃至34hは、これらの減衰曲線を実際に離散化することは理解されるべきである。示した実施形態において、当該離散領域は、図3で示すように断面が円形である円錐状である。もちろん、ピラミッド状のホーン・アンテナのケースでは、RF減衰器は断面が長方形であるピラミッド形である。
離散領域32の減衰特性は幾つかの方法のうち何れかで変化してもよい。図2および3に示す実施形態では、離散領域32はそれぞれ、RF減衰器30において半径方向に外方向に正の減衰勾配を生成するために、単位長あたり異なる減衰を有する。例えば、離散領域32はそれぞれ、半径方向に外方向に増大する減衰を本質的に有する材料から構成されてもよい。
1例として、離散領域32が、異なる減衰を有する離散領域を生成するために量を異ならせた炭素粒子をロードしたポリウレタン泡から構成されてもよい。かかる材料は市販の既製品であり、別々に離散領域32を生成するために使用することができる。離散領域32をついで結合して、RF減衰器30を製造することができる。
別の例として、離散領域32はそれぞれ、半径方向に外方向に増大する減衰を有するメタマテリアルから構成されてもよい。減衰メタマテリアルは、金属またはプラスチックのような複合材料、例えば、誘導性、容量性、および/または抵抗性の要素を含むハチの巣コア材料から形成された複数の要素のアセンブリから作成される。減衰メタマテリアルは、基板材料の特性からではなく、要素のアセンブリからその減衰特性を導出する。要素の当該アセンブリは、従来型の材料で可能なものを超える減衰特性を提供するための正確な形状、幾何形状、サイズ、および方位を有する。当該メタマテリアルは一般に、それが減衰させるRFエネルギの波長より小さなスケールでパターンを繰り返すように配置される。RF減衰器30が、カスタムの減衰プロフィールを有するメタマテリアルの単一の統合されたブロックとして製造されてもよく、またはあるいは、RF減衰器30が、メタマテリアルから離散領域32を別々に形成することで、製造されてもよい。当該メタマテリアルをついで結合して、RF減衰器30を製造することができる。
離散領域32の減衰特性を変化させる別の方法は、ホーン開口部26に垂直な面に沿って離散領域32の長さを変化させることである。特に、図2および3に示す離散領域32の長さは等しいが、離散領域32の長さを、RF減衰器30内で正の減衰勾配を生成するために半径方向に外方向に変化させてもよい。
例えば、図4を参照すると、離散領域32の減衰特性を、半径方向に外方向にそれぞれ増大するホーン・アンテナ10bの開口部26に垂直な面に沿って異なる長さを有する離散領域32を形成することで変化させてもよい。図4に示すように、離散領域32が、RF減衰器30の一端がホーン開口部26で完全に平坦であり、RF減衰器30の他端が一般に凹形状であるように配置される。即ち、スロート部28に面する離散領域32の長さとRF減衰器30のみが変更される。
いずれにせよ、離散領域32の減衰は、離散領域32の長さと比例して増大する。即ち、RFエネルギがより多くの材料を伝播すると、より多くのそのRFエネルギが減衰する。このように、離散領域32はそれぞれ単位長あたり同一の減衰を有してもよい。したがって、RF減衰器30全体が、その減衰がdB/inの関数として計算されうる点で本質的に予測可能な均一に減衰材料から構成されてもよい。例えば、2インチ長の材料は、1インチ長の材料の2倍の減衰を有する。RF減衰器30は、均一な減衰材料の単一の統合されたブロックとして製造されてもよく、または、離散領域32を当該均一な減衰材料から別々に形成することで製造されてもよい。当該均一な減衰材料をついで結合してRF減衰器30を製造することができる。
図2乃至4のRF減衰器30を、漸進的かつ離散的に半径方向に外方向に増大する減衰を有するとして説明したが、RF減衰器30の減衰が半径方向に外方向に連続的に増大してもよいことは理解されるべきである。例えば、図5で示すように、ホーン・アンテナ10cのRF減衰器30は、離散減衰特性を有する離散領域を含まないが、半径方向に外方向に連続的に増大する減衰を示す。この目的を達成するために、スロート部28に面するRF減衰器30の端部はRF減衰器30の外縁から中央に連続的に先細る。
RF減衰器30に使用される材料のタイプと配置に関わらず、当該材料は一般に予測可能に周波数依存である。なぜならば、材料の減衰は、どれだけ多くの波長が材料の長さの中にあるかの関数である。例えば、1インチの長さの材料は、5GHzの場合の2倍の減衰を10GHzにて有する。
一般に、ホーン・アンテナ10を設計するとき、ビーム幅均一性、周波数帯幅、およびアンテナ・ゲインの間でトレードオフを行わなければならない。一般に、ビーム幅均一性、周波数帯幅、およびアンテナ・ゲインは、ホーン・アンテナ10からの最適性能を取り付けるように好適にバランスされた競合するパラメータである。例えば、周波数帯幅が大きくなるほど、ビーム幅は動作周波数帯上でより非均一となり、したがって、動作周波数帯上でビーム幅を均一にするためにより多くのRFエネルギを当該動作周波数帯のより高い側で減衰させなければならない。RFエネルギが(特に当該帯域幅のより高い側で)より減衰すると、ホーン・アンテナ10aが有するゲインは少なくなる。
以上から、RF減衰器30の利用が、RF減衰器30なしの対応するホーン・アンテナ10の名目ビーム幅と相対的な任意の動作周波数帯上のホーン・アンテナ10のビーム幅の分散を減少させることが理解される。現実的な例として、従来型のホーン・アンテナに対するビーム幅の分散は、2:1の帯域幅を有する動作周波数帯上で20%より大きくてもよく、4:1の帯域幅を有する動作周波数帯上で100%より大きくてもよく、10:1の帯域幅を有する動作周波数帯上で500%より大きくてもよく、一方で、ホーン・アンテナ10のビーム幅の分散は、2:1の帯域幅を有する動作周波数帯上で5%より少なくてもよく、4:1の帯域幅を有する動作周波数帯上で10%より少なくてもよく、20:1の帯域幅を有する動作周波数帯上で20%より少なくてもよい。周波数帯幅が増大すると、ホーン・アンテナ10は、当該帯域幅のより高い側で極端なケースでは高々3-4dBの、従来型のホーン・アンテナと相対的な増大されたゲイン・ロスを有する。しかし、このゲインのロスは一般に十分に均一なビーム幅を達成するために価値があるトレードオフであり、その結果、放射パターンは動作周波数帯全体で十分に同一である。
ホーン・アンテナ10は、その動作周波数帯上での十分に均一なビーム幅を有するその能力に起因して、反射器を利用することなく通信アプリケーションに良く適しているが、ホーン・アンテナ10を、最大ゲインを得るために定ビーム幅フィードを要求するカセグレン式反射器システムで使用してもよいことは理解されるべきである。現在、カセグレン式反射器システムの分数帯域幅は、当該ビーム幅におおける大きな分散に起因して50%に制限されている。ホーン・アンテナ10をカセグレン式反射器システムに組み込むことで、当該カセグレン式反射器システムの帯域幅を増大させることができる。さらに、ホーン・アンテナ10を通信システム以外のシステムで使用してもよい。例えば、ホーン・アンテナ10を、広周波数範囲上でサイド・ローブを最小化するために偵察レーダにおいて使用してもよい。かかるサイド・ローブは一般に、反射器の縁でのRFエネルギの回折から生成される。周波数が減少すると、より多くのRFエネルギが当該反射器の縁を放射し、それにより当該サイド・ローブが増大する。したがって、当該偵察レーダの帯域幅のより低い側が制限される。ホーン・アンテナ10を偵察レーダシステムに組み込むことで、当該偵察レーダシステムの帯域幅を増大することができる。
ホーン・アンテナ10の構造と機能を説明したので、図2乃至4に示したホーン・アンテナ10を製造する1つの方法200を図6に関して次に説明する。まず、動作周波数帯(例えば、1GHz乃至10GHz)、名目ビーム幅(例えば、35%)、および当該動作周波数帯上での名目ビーム幅からの分散(例えば、10%(±5%)より少ない)を定義する性能要件が規定される(ステップ202)。次に、当該動作周波数帯内の第1の周波数で名目ビーム幅を示すホーン・アンテナ10の開口部サイズが従来型の方式で決定される(ステップ204)。当該好適な実施形態では、第1の周波数が当該動作周波数帯の最低周波数となるように選択される(例えば、1GHz)。次に、決定された開口部サイズを有する開口部を定義する導電性ホーンシェル20が従来型の方式で製造される(ステップ206)。導電性ホーンシェル20は例えば、円錐状、ピラミッド状、扇形、断面状等であってもよく、平滑な内面を有してもよい。
図2および3に関して上述のように、RF減衰器30は、減衰を漸進的かつ離散的に半径方向に外方向に増大する方式で製造され、特に、漸進的かつ離散的に半径方向に外方向に減衰が増大する複数の離散領域34を伴って製造される。したがって、離散領域34の数と減衰特性を選択する必要がある。
特に、最小減衰値と相対的な最大減衰値が当該動作周波数帯の幅に基づいて選択される(ステップ208)。一般に、当該帯域幅が広くなるほど、当該動作周波数帯上でビーム幅を均一とするのに必要な最大および最小減衰値の差が大きくなる。最大減衰値が、当該動作周波数帯上でのビーム幅の均一性およびゲイン・ロスの間の満足できるバランスを提供するように選択されるのが好ましい。したがって、最大減衰値の選択を減衰から生ずるゲインのロスに対してバランスしなければならず、したがって、RF減衰器30の減衰をこの点で制限すべきである。一般に、最小減衰値はゼロであるべきであり、このケースでは、ホーン・アンテナ10の中央に減衰はなく、したがって、RF減衰器30は空洞中央領域32を有する。次に、離散減衰領域の数34が当該動作周波数帯の幅に基づいて選択される(ステップ210)。当該動作周波数帯の幅が大きくなるほど、離散減衰領域の数が大きくなることに留意されたい。一般的なルールとして、25%の分数帯域幅ごとの離散減衰領域を含めるべきである。しかし、製造上の考慮事項に起因して、離散減衰領域34の数を合理的な数に限定すべきである。
次に、当該動作周波数帯内の名目周波数(例えば、中央周波数)での離散減衰領域34に対する減衰値が、最大および最小減衰値からそれぞれ計算される(ステップ212)。最外離散減衰領域34に対する減衰値はステップ208で上で決定された最大減衰値に対応し、残りの離散減衰領域34に対する減衰値は、最大減衰値から最小減衰値(一般に、ゼロ)に線形形式で離散的に変化すると決定することができる。例えば、最大減衰値減衰が-2dBであり、最小減衰値が0dBであり、離散減衰領域34の総数が8に等しい場合、当該離散減衰領域に対する減衰値は、当該それぞれの8個の離散減衰領域34に対して-0.25dB、-0.50dB、-0.75dB、-1.00dB、-1.25dB、-1.50dB、-1.75dB、および-2.00dBである。
次に、離散減衰領域34の均一な長さが離散減衰領域34に対して選択され(ステップ214a)、異なる減衰率(即ち、単位長あたりの減衰)を有するRF減衰材料が、均一な長さの離散減衰領域34に対して名目周波数で計算された減衰値に基づいてそれぞれ選択または設計される(ステップ216a)。それぞれの離散減衰領域34に対する特定のRF減衰材料を、当該減衰値および当該名目周波数でのその離散減衰領域34に対して選択された長さを含む非常に単純な式を用いて選択または設計することができる。例えば、離散減衰領域34に対して当該計算された減衰値が-1.5dBであり、当該長さが5インチである場合、その離散減衰領域34に対する選択または設計されたRF減衰材料は当該名目周波数で-1.5/5=-0.30dB/インチの減衰率を有するべきである。
あるいは、離散減衰領域34に対する単位長あたり同一の減衰を有するRF減衰材料が選択または設計され(ステップ214b)、離散減衰領域34に対する異なる長さがそれぞれ離散減衰領域34に対する選択された減衰値および単位長あたりの減衰に基づいて計算される(ステップ216b)。それぞれの離散減衰領域34の長さを、離散減衰領域34ごとに選択された減衰値と名目周波数での設計または選択されたRF減衰材料の減衰率とを含む非常に単純な式を用いて計算することができる。例えば、離散減衰領域34に対して、当該計算された減衰値が-1.0dBであり、当該RF減衰材料の減衰率が-0.5dB/インチである場合、その離散減衰領域34の長さは(-1.0dB)÷(-0.5dB/インチ)=2インチであるべきである。
何れのケースでも、離散減衰領域34に対して選択または設計されたRF減衰材料は、RF吸収材料(特にホーン・アンテナ10がRFエネルギを送信するものである場合)またはRF反射材料(例えば、ホーン・アンテナ10がRFエネルギを受信するのみである場合)であってもよい。当該RF減衰材料を、市販の材料(例えば、炭素粉末をロードしたポリウレタン材料)またはカスタム設計されたメタマテリアル(例えば、誘導性、容量性、および/または抵抗性の要素を含むハチの巣コア材料)から選択することができる。
次に、その最内領域からその最外領域に徐々に増大する減衰を有するRF減衰器30が、選択または設計されたRF減衰材料から製造される(ステップ218)。RF減衰器30は、離散減衰領域34を有する単一の統合されたブロックとして製造されてもよく、またはあるいは、RF減衰器30は離散領域34を別々にRF減衰材料から形成することで製造されてもよい。離散領域34を、ついで結合してRF減衰器30を製造することができる。好適には、製造されたRF減衰器30の周辺は導電シェル20の内面に従う。これを、単純にRF減衰器30の周辺を開口部26に幾何学的に類似させることによって実現することができる。RF減衰器30が外方向に減衰を連続的に増大させる、図5に示すホーン・アンテナ10の代替的な実施形態では、RF減衰器30は単一の統合された材料ブロックとして製造されてもよい。当該単一の統合された材料ブロックの減衰は、本質的にRF減衰器30の連続的な先細りに起因して変化する。
最後に、製造されたRF減衰器30は、動作周波数帯上のホーン・アンテナの名目ビーム幅の分散が名目ビーム幅からの最小許容可能分散に準拠するように、ホーン・アンテナ10を完成するように(例えば、結合によって)導電シェル2の空隙部240内に添付される(ステップ220)。RF減衰器が、RF減衰器のない対応するホーン・アンテナの名目ビーム幅と相対的な動作周波数帯上でホーン・アンテナ10のビーム幅の分散を減少させる方式で製造されるように、当該名目ビーム幅からの最小許容可能分散が定義されるのが好ましい。当該好適な結果は、ホーン・アンテナ10が、当該動作周波数帯上で十分に均一である(例えば、20%より少ない)ビーム幅を有することである。
さらに、本開示は以下の項に従う実施形態を含む。
項1:内面を有する導電シェルと、
当該シェル内に形成された空隙部と、
当該空隙部の一端で定義された開口部と、
当該開口部と反対の空隙部の別の端と通信する導電シェルに接続されたスロート部と、
当該スロート部および当該開口部の間の空隙部を伝播するRFエネルギの減衰が、RFエネルギの周波数が増大すると、導電シェルの内面に向かって外方向により高速に増大するように、当該空隙部内に配置された空間および周波数依存の無線周波数(RF)減衰器と、
を備える、ホーン・アンテナ。
項2:RF減衰器は、RFエネルギの周波数に反比例して当該開口部の電気有効サイズを変化させる、項1に記載のホーン・アンテナ。
項3:RF減衰器は外方向に減衰を漸進的かつ離散的に増大させる、項1に記載のホーン・アンテナ。
項4:RF減衰器は、外方向に減衰を漸進的に増大させるように入れ子になった複数の離散領域を含む、項3に記載のホーン・アンテナ。
項5:当該離散領域はそれぞれ単位長あたり異なる減衰を有する、項4に記載のホーン・アンテナ。
項6:当該離散領域は外方向にそれぞれ増大する当該開口部に垂直な平面に沿った長さを有する、項4に記載のホーン・アンテナ。
項7:RF減衰器は外方向に減衰を連続的に増大させる、項1に記載のホーン・アンテナ。
項8:ホーン・アンテナは動作周波数帯にわたって実質的に均一であるビーム幅を有する、項1に記載のホーン・アンテナ。
項9:RF減衰器は、RF減衰器のない対応するホーン・アンテナの名目ビーム幅と相対的な動作周波数帯にわたるホーン・アンテナのビーム幅の分散を減少させる、項1に記載のホーン・アンテナ。
項10:ホーン・アンテナを備えた無線周波数(RF)システムであって、
ホーン・アンテナは、
内面を有する導電シェルと、
当該シェル内に形成された空隙部と、
当該空隙部の一端で定義された開口部と、
当該開口部と反対の空隙部の別の端と通信する導電シェルに接続されたスロート部と、
当該スロート部および当該開口部の間の空隙部を伝播するRFエネルギの減衰が、RFエネルギの周波数が増大すると、導電シェルの内面に向かって外方向により高速に増大するように、当該空隙部内に配置された空間および周波数依存の無線周波数(RF)減衰器と、
ホーン・アンテナの当該スロート部に接続されたRF回路と、
を備え、
当該RF回路は、RFエネルギをホーン・アンテナに送信しかつ/またはRFエネルギをホーン・アンテナから受信する、
無線周波数(RF)システム。
項11:構造体と、
当該構造体に搭載された項10に記載のRFシステムと、
を備える、通信システム。
項12:動作周波数帯および名目ビーム幅を定義する性能要件、および当該名目ビーム幅からの最小許容可能分散に従うホーン・アンテナを製造する方法であって、
当該動作周波数帯内の第1の周波数で当該名目ビーム幅を示すホーン・アンテナの開口部サイズを決定するステップと、
空隙部を有し、当該決定された開口部サイズを有する開口部を定義する導電シェルを製造するステップと、
RF減衰器の最内領域からRF減衰器の最外領域に徐々に増大する減衰を有するRF減衰器を製造するステップであって、RF減衰器の外周は導電シェルの内面に従う、ステップと、
当該動作周波数帯上のホーン・アンテナの名目ビーム幅の分散が当該名目ビーム幅からの最小許容可能分散に準拠するように、RF減衰器を導電シェルの空隙部内に添付するステップと、
を含む、方法。
項13:RF減衰器は、当該開口部の電気的に有効なサイズが周波数に反比例して変化するように製造される、項12に記載の方法。
項14:RF減衰器は、当該減衰が外方向に漸進的かつ離散的に増大する方式で製造される、項12に記載の方法。
項15:RF減衰器は、それらが外方向の減衰において漸進的かつ離散的に増大するように、入れ子になった複数の離散領域で製造される、項14に記載の方法。
項16:それぞれ当該離散領域に対する異なる減衰値を選択するステップと、
それぞれ当該異なる選択された減衰値に基づいて単位長あたりの異なる減衰を有する材料を選択または設計するステップと、
それぞれ当該離散領域を当該材料から製造するステップと、
をさらに含む、項15に記載の方法。
項17:それぞれ当該離散領域に対する異なる減衰値を選択するステップと、
単位長あたりの減衰を有する減衰材料を選択または設計するステップと、
それぞれ当該減衰材料の当該異なる選択された減衰値および単位長あたりの減衰に基づいて当該減衰材料の長さを計算するステップと、
それぞれ当該離散領域を当該減衰材料から製造するステップであって、当該離散領域は外方向にそれぞれ増大する当該開口部に垂直な平面に沿った当該計算された長さに等しい長さを有する、ステップと、
をさらに含む、項15に記載の方法。
項18:RF減衰器は外方向に減衰を連続的に増大させる、項12に記載の方法。
項19:ホーン・アンテナは、当該動作周波数帯上で十分に均一であるビーム幅を有する、項12に記載の方法。
項20:RF減衰器は、RF減衰器のない対応するホーン・アンテナの名目ビーム幅と相対的な当該動作周波数帯上でホーン・アンテナのビーム幅の分散を減少させる、項12に記載の方法。
特定の例示的な実施形態および方法を本明細書で開示したが、かかる実施形態および方法の変形と修正を、開示された技術の真の趣旨および範囲から逸脱することなく行いうることは以上の開示から当業者には明らかであろう。開示した技術の多くの他の例が存在し、それぞれは、細部の事項のみで他のものから異なる。したがって、開示された技術は添付の特許請求の範囲および適用可能な法律の規則と原理によって要求される範囲にのみ限定されるものとすることが意図されている。
10 ホーン・アンテナ
12 送信および/または受信回路

Claims (7)

  1. 内面を有する導電シェルと、
    前記シェル内に形成された空隙部と、
    前記空隙部の一端で定義された開口部と、
    前記開口部と反対の前記空隙部の別の端と通信する前記導電シェルに接続されたスロート部と、
    前記スロート部および前記開口部の間の前記空隙部を伝播するRFエネルギの減衰が、前記RFエネルギの周波数が増大すると、前記導電シェルの前記内面に向かって外方向により高速に増大するように前記空隙部内に配置された空間および周波数依存の無線周波数(RF)減衰器と、
    を備え
    前記RF減衰器は前記外方向に減衰を連続的に増大させる、ホーン・アンテナ。
  2. 前記RF減衰器は、前記RFエネルギの周波数に反比例して前記開口部の電気有効サイズを変化させる、請求項1に記載のホーン・アンテナ。
  3. 前記RF減衰器は前記外方向に減衰を連続的に増大させる、請求項1に記載のホーン・アンテナ。
  4. 前記ホーン・アンテナは動作周波数帯にわたって実質的に均一であるビーム幅を有する、請求項1に記載のホーン・アンテナ。
  5. 前記RF減衰器は、前記RF減衰器のない対応するホーン・アンテナの名目ビーム幅と相対的な動作周波数帯にわたる前記ホーン・アンテナのビーム幅の分散を減少させる、請求項1に記載のホーン・アンテナ。
  6. 請求項1から5のいずれか1項に記載のホーン・アンテナと、
    前記ホーン・アンテナの前記スロート部に接続されるRF回路と、
    を備える無線周波数(RF)システムであって
    前記RF回路は、前記RFエネルギを前記ホーン・アンテナに送信しかつ/またはRFエネルギを前記ホーン・アンテナから受信する、
    無線周波数(RF)システム。
  7. 構造体と、
    前記構造体に搭載された請求項6に記載のRFシステムと、
    を備えた、通信システム。
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