JP7074265B2 - Ｒｆｉｄタグ、ｒｆｉｄタグ付き物品及びｒｆｉｄタグ付きケーブルカバー - Google Patents

Description

本発明は、物品に設けられるＲＦＩＤタグ、ＲＦＩＤタグ付き物品及びＲＦＩＤタグ付きケーブルカバーに関する。

特許文献１には、放射素子として作用させる導体に結合するＲＦＩＣモジュールが示されている。このＲＦＩＣモジュールは、基板と、この基板に搭載されたＲＦＩＣチップと、このＲＦＩＣチップに接続されて構成される複数のコイルによる整合回路とを備える。

国際公開第２０１６／０８４６５８号

特許文献１に記載のＲＦＩＣモジュールは、様々な物品に貼付することにより、又は物品に内蔵させることにより、ＲＦＩＤタグ付き物品を構成できる。

しかし、紐状、索状、管状、棒状等の長尺部材にＲＦＩＤタグを設ける場合に幾つかの問題が生じることが分かった。まず、これら長尺部材の外面にＲＦＩＤタグを貼付した場合、その長尺部材自体に、または他の長尺部材にＲＦＩＤタグが干渉しやすく（引っかかりやすく）なるので、長尺部材の取り扱いが煩雑化する。

そこで、本発明の目的は、紐状、索状、管状、棒状等の長尺部材との干渉が回避された、ＲＦＩＤタグ、ＲＦＩＤタグ付き物品及びＲＦＩＤタグ付きケーブルカバーを提供することにある。

（ａ）本開示の一例としてのＲＦＩＤタグは、柔軟性のある絶縁性材料で構成されて全体的に管状を成す物品に形成された放射素子と、前記放射素子に接続又は結合する状態で前記物品に搭載されたチップ状のＲＦ回路と、を備えた構造である。

上記構造により、長尺部材に対してＲＦＩＤタグが直接的に付与されないので、また、全体的に管状を成す物品にＲＦＩＤタグが設けられた構造であるので、長尺部材に対するＲＦＩＤタグによる干渉が避けられる。

（ｂ）また、本開示の一例としてのＲＦＩＤタグ付き物品は、柔軟性のある絶縁性材料で構成されて全体的に管状を成す物品であり、ＲＦＩＤタグは、柔軟性のある絶縁性材料で構成されて全体的に管状を成す物品に形成された放射素子と、前記放射素子に接続又は結合する状態で前記絶縁性基材に搭載されたチップ状のＲＦ回路と、を備えたことを特徴とする。

上記構造により、ＲＦＩＤタグ付き物品が長尺部材を被覆する状態で、長尺部材に対してＲＦＩＤタグが直接的に付与されないので、また、全体的に管状を成す物品にＲＦＩＤタグが設けられた構造であるので、長尺部材に対するＲＦＩＤタグによる干渉が避けられる。

（ｃ）また、本開示の一例としてのＲＦＩＤタグ付きケーブルカバーは、柔軟性のある絶縁性材料で構成されて全体的に管状を成し、ケーブルの周囲を被覆し、ＲＦＩＤタグが貼付されたケーブルカバーであり、ＲＦＩＤタグは、柔軟性のある絶縁性材料で構成されて全体的に管状を成すケーブルカバーに形成された放射素子と、前記放射素子に接続又は結合する状態で前記絶縁性基材に搭載されたチップ状のＲＦ回路と、を備えたことを特徴とする。

上記構造により、ケーブルカバーがケーブルを被覆する状態で、ケーブルに対してＲＦＩＤタグが直接的に付与されないので、また、全体的に管状を成すケーブルカバーにＲＦＩＤタグが設けられた構造であるので、ケーブルに対するＲＦＩＤタグによる干渉が避けられる。

本発明によれば、紐状、索状、管状、棒状等の長尺部材との干渉が回避された、ＲＦＩＤタグ、ＲＦＩＤタグ付き物品、及びケーブルとの干渉が回避されたＲＦＩＤタグ付きケーブルカバーが得られる。

図１は第１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０１の平面図である。 図２（Ａ）はＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１１の斜視図であり、図２（Ｂ）はＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１１で被覆されたケーブル４０１の様子を示す斜視図である。 図３は、図１に示したＲＦＩＤタグ２０１が備えるＲＦＩＣモジュール１０１の搭載部分の拡大平面図である。 図４（Ａ）はＲＦＩＣモジュール１０１の断面図である。図４（Ｂ）は絶縁性基材６０にＲＦＩＣモジュール１０１を搭載した状態での断面図であり、図３におけるＸ－Ｘ部分の断面図である。 図５はＲＦＩＣモジュール１０１の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。 図６はＲＦＩＣモジュール１０１の回路図である。 図７（Ａ）、図７（Ｂ）は、螺旋状物品に貼付された状態での、ＲＦＩＤタグの等価回路図である。 図８は第２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１２の螺旋状物品の巻回をほどいて平面状にした状態での平面図である。 図９はＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１２の斜視図である。 図１０は、ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１２の長尺状態での外観図である。 図１１は第３の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０３の平面図及び断面図である。 図１２は第４の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０４の平面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上、複数の実施形態に分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０１の平面図である。

ＲＦＩＤタグ２０１は、放射素子６と、この放射素子６に容量結合（電界結合）するＲＦＩＣモジュール１０１とを含む。放射素子６は絶縁性基材６０に形成された導体パターン６１，６２で構成される。絶縁性基材６０は例えばポリエチレンテレフタレート（PET）のフィルムであり、導体パターン６１，６２は例えばアルミニウム箔のパターンである。ＲＦＩＣモジュール１０１は本発明に係る「ＲＦ回路」の一例である。

導体パターン６１は導体パターン６１Ｐ，６１Ｃで構成され、導体パターン６２は導体パターン６２Ｐ，６２Ｃで構成される。導体パターン６１，６２はダイポールアンテナを構成する。導体パターン６１Ｐ，６２ＰにはＲＦＩＣモジュール１０１が搭載される。

放射素子６の導体パターン６１Ｃ，６２ＣのＹ方向の幅は、ＲＦＩＣモジュール１０１のＹ方向の幅より太い。この例では、放射素子６の導体パターン６１Ｃ，６２ＣのＹ方向の幅は約１０ｍｍであり、ＲＦＩＣモジュール１０１のＹ方向の幅は約３ｍｍである。

図２（Ａ）はＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１１の斜視図であり、図２（Ｂ）はＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１１で被覆されたケーブル４０１の様子を示す斜視図である。このＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１１は、本発明に係る「ＲＦＩＤタグ付き物品」及び「ＲＦＩＤタグ付きケーブルカバー」の開示例である。この例では、ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１１は複数のケーブル４０１の周囲を被覆している。ケーブル４０１の各ケーブルはそれぞれ絶縁体で被覆されたケーブルである。

図２（Ａ）に示す螺旋状物品３０１は、例えば、ポリエチレン、６ナイロン、１２ナイロン、フッ素樹脂FEP、フッ素樹脂PFA等の、柔軟性のある絶縁性材料で構成されて全体的に管状を成す螺旋状の物品である。螺旋状物品３０１の巻回をほどいて平面状にした状態で、この螺旋状物品３０１の厚みは例えば０．４５ｍｍである。ＲＦＩＤタグ２０１の絶縁性基材６０の下面には粘着層が形成されていて、螺旋状物品３０１の外面に、図１に示したＲＦＩＤタグ２０１が貼付されている。したがって、ＲＦＩＤタグ２０１は、螺旋状物品３０１の螺旋状と同様の螺旋状である。

本発明において、「螺旋状」とは、管状の周囲を周回する形状で、かつ、管状の延びる方向に、前記周回における進行成分が存在する形状である。そして、この螺旋状の物品は全体的に前記管状を成す。

上記ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１１は、ケーブル４０１の周囲を被覆するように巻き付けることによって、図２（Ｂ）に示すように、ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１１で被覆されたケーブル４０１が構成される。

図３は、図１に示したＲＦＩＤタグ２０１が備えるＲＦＩＣモジュール１０１の搭載部分の拡大平面図である。図４（Ａ）はＲＦＩＣモジュール１０１の断面図である。図４（Ｂ）は絶縁性基材６０にＲＦＩＣモジュール１０１を搭載した状態での断面図であり、図３におけるＸ－Ｘ部分の断面図である。

ＲＦＩＣモジュール１０１は、基板１と、この基板１に実装されるＲＦＩＣ２とを備える。基板１は例えばポリイミド等のフレキシブル基板である。ＲＦＩＣ２が実装された基板１の上面には保護膜３が被覆されている。この保護膜３は例えばポリウレタン等のエラストマーや、エチレン酢酸ビニル（EVA）のようなホットメルト剤である。基板１の下面にはカバーレイフィルム４が設けられている。このカバーレイフィルム４は例えばポリイミドフィルムである。したがって、基板１、保護膜３、カバーレイフィルム４のいずれもが柔らかく、このＲＦＩＣモジュール１０１全体が柔らかい。

図４（Ｂ）に表れているように、放射素子６の絶縁性基材６０に接着剤層５を介してＲＦＩＣモジュール１０１が接着されている。この接着剤層５は絶縁性接着材の層であり、例えばアクリル系接着剤である。放射素子側第１端子電極１１は接着剤層５を介して放射素子６の導体パターン６１Ｐに対向し、放射素子側第２端子電極１２は接着剤層５を介して放射素子６の導体パターン６２Ｐに対向する。この構造により、放射素子側第１端子電極１１及び放射素子側第２端子電極１２は放射素子６の導体パターン６１Ｐ，６２Ｐにそれぞれ容量結合（電界結合）する。

図５はＲＦＩＣモジュール１０１の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。図５において上部は基板１の上面に形成されている導体パターンの平面図であり、図５の下部は基板１の下面に形成されている導体パターンの平面図である。

基板１の上面には、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２、第１インダクタＬ１の主要部の導体パターンＬ１１、及び第２インダクタＬ２の主要部の導体パターンＬ２１が形成されている。ＲＦＩＣ側第１端子電極３１は上記導体パターンＬ１１の一方端に繋がっていて、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２は上記導体パターンＬ２１の一方端に繋がっている。これら導体パターンは例えば銅箔をフォトリソグラフィによってパターンニングしたものである。

基板１の下面には、放射素子６の導体パターン６１Ｐ，６２Ｐに容量結合される放射素子側第１端子電極１１及び放射素子側第２端子電極１２が形成されている。また、基板１の下面には、第１インダクタＬ１の一部の導体パターンＬ１２、第２インダクタＬ２の一部の導体パターンＬ２２、第３インダクタＬ３の導体パターン、第４インダクタＬ４の導体パターン及び第５インダクタＬ５の導体パターン（二点鎖線で囲む導体パターン）が形成されている。これら導体パターンも例えば銅箔をフォトリソグラフィによってパターンニングしたものである。

上記第１インダクタＬ１の一部の導体パターンＬ１２の一方端及び第３インダクタＬ３の導体パターンの一方端は上記放射素子側第１端子電極１１に繋がっている。同様に、上記第２インダクタＬ２の一部の導体パターンＬ２２の一方端及び第４インダクタＬ４の導体パターンの一方端は上記放射素子側第２端子電極１２に繋がっている。第３インダクタＬ３の導体パターンの他方端と、第４インダクタＬ４の導体パターンの他方端との間には第５インダクタＬ５の導体パターンが繋がっている。

第３インダクタＬ３の導体パターンの他方端と第１インダクタＬ１の主要部の導体パターンＬ１１の他方端とはビア導体Ｖ１を介して接続されている。同様に、第４インダクタＬ４の導体パターンの他方端と第２インダクタＬ２の主要部の導体パターンＬ２１の他方端とはビア導体Ｖ２を介して接続されている。

上記ＲＦＩＣ側第１端子電極３１及びＲＦＩＣ側第２端子電極３２にＲＦＩＣ２が搭載されている。つまり、ＲＦＩＣ２の端子２１がＲＦＩＣ側第１端子電極３１に接続されていて、ＲＦＩＣ２の端子２２がＲＦＩＣ側第２端子電極３２に接続されている。

第１インダクタＬ１及び第３インダクタＬ３は基板１の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置されている。同様に、第２インダクタＬ２及び第４インダクタＬ４は基板１の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置されている。そして、第２インダクタＬ２及び第４インダクタＬ４と、第１インダクタＬ１及び第３インダクタＬ３とは、ＲＦＩＣ２の搭載位置を基板１の面に沿って挟む位置関係に配置されている。

さらに、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１から第３インダクタＬ３の他端までの巻回方向と、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２から第４インダクタＬ４の他端までの巻回方向とは同方向である。図５に示す向きではいずれも右旋方向である。このことは、第１インダクタＬ１と第３インダクタＬ３との組と、第２インダクタＬ２と第４インダクタＬ４との組とが、ＲＦＩＣ２の搭載位置を挟んで１８０°回転対称関係にある、と言うこともできる。

図６はＲＦＩＣモジュール１０１の回路図である。ＲＦＩＣモジュール１０１はＲＦＩＣ２とインピーダンス整合回路７とで構成されている。インピーダンス整合回路７は、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２、第１端子電極１１及び第２端子電極１２に接続される。また、インピーダンス整合回路７は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第３インダクタＬ３、第４インダクタＬ４及び第５インダクタＬ５を含んで構成される。

第１インダクタＬ１は、図５に示した導体パターンＬ１１，Ｌ１２で構成され、第２インダクタＬ２は、図５に示した導体パターンＬ２１，Ｌ２２で構成される。第１インダクタＬ１は放射素子側第１端子電極１１とＲＦＩＣ側第１端子電極３１との間に接続されている。第２インダクタＬ２は放射素子側第２端子電極１２とＲＦＩＣ側第２端子電極３２との間に接続されている。第３インダクタＬ３の一端は放射素子側第１端子電極１１に接続されていて、第４インダクタＬ４の一端は放射素子側第２端子電極１２に接続されていて、第５インダクタＬ５は第３インダクタＬ３の他端と第４インダクタＬ４の他端との間に接続されている。

放射素子側第１端子電極１１は容量Ｃ１を介して放射素子の導体パターン６１に接続されていて、放射素子側第２端子電極１２は容量Ｃ２を介して放射素子の導体パターン６２に接続されている。

ＲＦＩＣ２には、内部の回路及び寄生容量等による容量が存在する。ＲＦＩＣモジュール１０１は、ＲＦＩＣ２にインピーダンス整合回路７が接続された状態で２つの共振が生じる。１つ目の共振は、導体パターン６１，６２、インダクタＬ３，Ｌ４，Ｌ５で構成される電流経路に生じる共振であり、２つ目の共振は、インダクタＬ１～Ｌ５及び上記容量で構成される電流経路（電流ループ）に生じる共振である。この２つの共振は、各電流経路に共有されるインダクタＬ３，Ｌ４，Ｌ５によって結合され、２つの共振にそれぞれ対応する２つの電流ｉ１，ｉ２は図６に示すように流れる。

上記２つの共振周波数は近接していて、この２つの共振を結合させることで、上記２つの共振周波数に亘る広帯域の共振周波数特性が得られる。

図７（Ａ）、図７（Ｂ）は、螺旋状物品に貼付された状態での、ＲＦＩＤタグの等価回路図である。図７（Ａ）、図７（Ｂ）において、実線の矢印は、ある位相（タイミング）での、導体パターン６１，６２に流れる電流の方向を示し、破線の矢印は、その位相（タイミング）での導体パターン６１，６２に鎖交する磁束を示す。また、図７（Ａ）、図７（Ｂ）中に示す長さＬは導体パターン６１，６２の電流経路に沿った長さである。

図７（Ｂ）に示すＲＦＩＤタグでは、放射素子を構成する、長さＬの導体パターン６１，６２に分布する電圧又は電流は１／２波長を超える。そのため、導体パターン６１，６２に生じる磁束の方向は、途中で反転して、導体パターン６１，６２が全体として発生する磁界が抑制される。一方、図７（Ａ）に示すＲＦＩＤタグにおいては、放射素子を構成する長さＬの導体パターン６１，６２に分布する電圧又は電流は１／２波長以下である。そのため、導体パターン６１によって生じる磁束と導体パターン６２によって生じる磁束とは、全長に亘って同方向となる。そのため、上記磁界の抑制作用が無く、放射素子として高い効率を維持できる。

なお、導体パターン６１，６２の電流経路に沿った長さＬは、絶縁性基材６０の誘電率、及び螺旋状の導体パターン６１，６２の周回におけるピッチ（進行方向成分の大きさ）によって理想値を定めることができるが、実際には、長尺状部材に対するＲＦＩＤタグの実装構造によって上記長さＬの最適値は変化する。したがって、絶縁性基材６０の誘電率、螺旋状の導体パターン６１，６２の周回におけるピッチ、長尺状部材に対するＲＦＩＤタグの実装構造によって上記長さＬを適宜定めればよい。

ＲＦＩＣ２は例えばＵＨＦ帯（８６０ＭＨｚ～９６０ＭＨｚ）の周波数帯で無線通信を行う。導体パターン６１，６２の電流経路に沿った長さＬは、無線通信の周波数帯で共振する長さであることが好ましい。

本実施形態によれば、次のような作用効果を奏する。

ケーブルに対してＲＦＩＤタグが直接的に付与されないので、ＲＦＩＤタグによる干渉が避けられる。また、ＲＦＩＤタグを備える螺旋状物品がケーブルを被覆した状態で、放射素子がケーブルの導電体から離間されるので、ケーブルの導電体による影響を受けにくい。

放射素子として作用する導体パターン６１Ｃ，６２Ｃが螺旋状に周回する構造であるので、放射の指向性がより無指向性となって、リーダ・ライタとの通信における指向性の制限が無くなる。

また、放射素子として作用する導体パターン６１Ｃ，６２Ｃが螺旋状に周回する構造であるので、ケーブルの長手方向におけるＲＦＩＤタグの占有長が短くなり、限られたスペースにＲＦＩＤタグを設けることができる。

また、既に述べたとおり、ＲＦＩＣモジュール１０１は、インピーダンス整合回路７の作用によって、広帯域特性を有するので、螺旋状物品が軸方向（進行方向）に伸縮しても、ＲＦＩＤタグとしての電気的特性の変動は少ない。

また、螺旋状物品が軸方向（進行方向）に伸縮しても、そのことにより絶縁性基材６０にテンションが殆ど掛からないので、使用中に螺旋状物品が軸方向（進行方向）に伸縮しても、ＲＦＩＣモジュール１０１及びＲＦＩＣモジュール１０１の搭載部に対して掛かる応力は小さい。そのため、ＲＦＩＣモジュール１０１及びＲＦＩＣモジュール１０１の搭載部の構造上の信頼性が高い。

また、放射素子６は、その主要部を構成する導体パターン６１Ｃ，６２Ｃの線幅がＲＦＩＣモジュール１０１の幅より太い線状で延伸する導体パターンであるので、放射素子の抵抗損失が少なく、低損失化が図れる。特に、導体パターン６１Ｃ，６２Ｃが厚みの薄い導体パターンであっても、また、アルミニウム箔のように導電率の高い導体パターンであっても、低損失の放射素子が構成される。なお、本実施形態では、放射素子６の導体パターン６１Ｃ，６２ＣのＹ方向の幅が約１０ｍｍであり、ＲＦＩＣモジュール１０１のＹ方向の幅が約３ｍｍの例を示したが、放射素子６の導体パターン６１Ｃ，６２ＣのＹ方向の幅は６ｍｍ～２０ｍｍ、ＲＦＩＣモジュール１０１のＹ方向の幅は２ｍｍ～５ｍｍの範囲内であってもよい。

また、放射素子を構成する導体パターン６１，６２に分布する電圧又は電流を１／２波長以下とすることにより、導体パターン６１によって生じる磁束と導体パターン６２によって生じる磁束とは、全長に亘って同方向となって、放射素子として高い効率を維持できる。

なお、図２（Ａ）に示した例では、ＲＦＩＤタグ２０１を螺旋状物品３０１の外面に形成したが、ＲＦＩＤタグ２０１を螺旋状物品３０１の内面に設けることも可能である。その場合は、螺旋状物品３０１の巻回をほどいて平面状にした状態で、後に内面となる側の面にＲＦＩＤタグ２０１を貼付すればよい。

ＲＦＩＤタグ２０１を螺旋状物品３０１の内面に設けると、外面に設ける場合に比較して、ケーブル内の導線や外被のシールド用導体と放射素子との間隔が狭くなる。しかし、それでも、ケーブルの表面にＲＦＩＤタグを貼付した場合に比較して、上記間隔はある程度確保される。そのため、ケーブル内の導線や外被のシールド用導体の影響を受け難くできる。

また、ＲＦＩＤタグ２０１を螺旋状物品３０１の内面に設けると、ＲＦＩＤタグが螺旋状物品で保護される構造となるので、ＲＦＩＤタグの剥離が軽減される。さらに、ＲＦＩＤタグが螺旋状物品とケーブルとの間に挟み込まれる構造となるので、外部からの衝撃（力学的な衝撃や湿度や温度などの環境的衝撃）を軽減する効果も得られる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、ＲＦＩＤタグを螺旋状物品に直接的に設けて構成されるＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品の例を示す。

図８は第２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１２の螺旋状物品の巻回をほどいて平面状にした状態での平面図である。図９はＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１２の斜視図である。このＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１２は、螺旋状物品３０１の外面にＲＦＩＤタグ２０２が形成された物品である。螺旋状物品３０１は、柔軟性のある絶縁性材料で構成されて全体的に管状を成す。この螺旋状物品３０１の構成は第１の実施形態で示したとおりである。

ＲＦＩＤタグ２０２は、導体パターン６１，６２による放射素子と、この放射素子に結合するＲＦＩＣモジュール１０１とを含む。導体パターン６１，６２は螺旋状物品３０１の表面に形成されている。導体パターン６１，６２は例えばアルミニウム箔のパターンである。導体パターン６１，６２は螺旋状物品３０１の表面に接着層又は粘着層を介して接合する。

導体パターン６１は導体パターン６１Ｐ，６１Ｃで構成され、導体パターン６２は導体パターン６２Ｐ，６２Ｃで構成される。導体パターン６１，６２はダイポールアンテナを構成する。導体パターン６１Ｐ，６２ＰにはＲＦＩＣモジュール１０１が搭載される。導体パターン６１，６２及びＲＦＩＣモジュール１０１の表面には保護膜８が形成される。この保護膜８は、例えばポリウレタン等のエラストマーや、エチレン酢酸ビニル（EVA）のようなホットメルト剤の塗布膜、または例えばポリイミドフィルムなどのカバーレイフィルムである。

上記導体パターン６１，６２の形成及びＲＦＩＣモジュール１０１の搭載は、図８に示すように、螺旋状物品３０１の巻回をほどいて平面状にした状態で行う。その後は、図９に示すように、螺旋状物品３０１は、その弾性によって螺旋状態に戻る。

図１０は、ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１２の長尺状態での外観図である。この例では、螺旋状物品３０１の所定の複数箇所にＲＦＩＤタグ２０２を設けている。製造時、運搬時、保管時等において、このＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１２を長尺状態で管理する場合は、多数のＲＦＩＤタグ２０２のうちいずれかと必要な通信を行うことができる。また、ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１２を所定長に切って使用する場合、その切り取ったＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品３１２にＲＦＩＤタグ２０２が１つ以上あれば、その切り取った単位で管理することも可能である。

このように、長尺状態で複数のＲＦＩＤタグを設けることは第１の実施形態で示したＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品についても同様に適用できる。

図９に示した例では、ＲＦＩＤタグ２０２を螺旋状物品３０１の外面に形成したが、ＲＦＩＤタグ２０２を螺旋状物品３０１の内面に形成することも可能である。その場合は、螺旋状物品３０１の巻回をほどいて平面状にした状態で、後に内面となる側の面に導体パターン６１，６２の形成及びＲＦＩＣモジュール１０１の搭載を行う。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品が被覆する部材の殆どが導電体で構成されているような場合でも、その導電体の影響をより受けにくくした、ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品の例を示す。

図１１は第３の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０３の平面図及び断面図である。このＲＦＩＤタグ２０３は、絶縁性基材６０と、その両面に形成された導体パターンと、ＲＦＩＣモジュール１０１とで構成されている。絶縁性基材６０の上面には導体パターン６３，６４が形成されていて、絶縁性基材６０の下面の全面には導体パターン６５が形成されている。

導体パターン６３は、導体パターン６４の一部の開口内に島状に形成されている。ＲＦＩＣモジュール１０１の放射素子側第１端子電極（図３に示す放射素子側第１端子電極１１）は導体パターン６３の端部に対向し、ＲＦＩＣモジュール１０１の放射素子側第２端子電極（図３に示す放射素子側第２端子電極１２）は導体パターン６４の開口の縁部に対向する。

このような構成により、導体パターン６３，６４，６５によってマイクロストリップラインによる放射素子が構成される。ＲＦＩＤタグ２０３の下面は導体パターン６５で覆われているので、上記放射素子は、ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品が被覆する部材の導電性による悪影響を受けない。例えば、表面に電磁シールド材が設けられたケーブルや、導電性の管、等を被覆する場合にも適用できる。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、放射素子の導体パターンがこれまでに示した例とは異なるＲＦＩＤタグについて示す。

図１２は第４の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０４の平面図である。このＲＦＩＤタグ２０４は、放射素子６と、この放射素子６に容量結合（電界結合）するＲＦＩＣモジュール１０１とを含む。放射素子６は絶縁性基材６０と、この絶縁性基材６０に形成された導体パターン６１，６２とで構成される。

導体パターン６１は導体パターン６１Ｐ，６１Ｌ，６１Ｃで構成され、導体パターン６２は導体パターン６２Ｐ，６２Ｌ，６２Ｃで構成される。導体パターン６１，６２はダイポールアンテナを構成する。導体パターン６１Ｐ，６２ＰにはＲＦＩＣモジュール１０１が搭載される。

導体パターン６１Ｌ，６２Ｌはメアンダライン形状であって、インダクタンス成分の高い領域として作用する。また、導体パターン６１Ｃ，６２Ｃは平面形状であって、キャパシタンス成分の高い領域として作用する。このことにより、電流強度の高い領域のインダクタンス成分を大きくし、電圧強度の高い領域のキャパシタンス成分を大きくして、アンテナの導体パターン６１，６２の形成領域を縮小化している。

このように、放射素子６は絶縁性基材６０の長手方向に直線状であることに限らず、メアンダライン形状部を含んでいてもよい。本実施形態によれば、絶縁性基材６０の長手方向が短縮化できるので、螺旋状物品に対して貼付する部分の線長（螺旋の長さ）が短くなる。そのため、ＲＦＩＤタグの貼付が容易となる。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

例えば、以上に示した実施形態では、長尺部材を被覆するＲＦＩＤタグ付き物品が螺旋状であったが、長尺部材を１周又は１周未満だけ被覆する断面Ｃ字状であってもよい。

また、以上に示した実施形態では、ＲＦＩＣ２とインピーダンス整合回路７とを有するＲＦＩＣモジュール１０１を「ＲＦ回路」として例示したが、ＲＦＩＣ２が「ＲＦ回路」であってもよい。その場合に、絶縁性基材６０にインピーダンス整合回路を形成してもよい。

また、以上に示した実施形態では、ＲＦ回路が放射素子６に容量結合する構成を示したが、ＲＦ回路が放射素子６に直接的に接続された構成であってもよい。

また、以上に示した実施形態では、束ねられた複数のケーブルをカバーするＲＦＩＤタグ付きケーブルカバーを示したが、本発明は単一のケーブルをカバーするケーブルカバーにも同様に適用できる。

また、以上に示した実施形態では、ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品が被覆する、導電性を有する長尺部材として、電力ケーブル、信号ケーブル、水又は水を含む導電性の液体を通す管等を例示したが、導電性のない長尺部材を被覆するＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品についても同様に構成でき、同様に適用できる。例えば、上記長尺部材は、絶縁性のホース、チューブ、カテーテル等の管であってもよい。

また、ＲＦＩＤタグが被覆する長尺部材は、柔軟性のある部材に限らない。例えば、硬質の樹脂製や金属製の管や棒であっても、同様に構成でき、同様に適用できる。

Ｌ１…第１インダクタ
Ｌ１１，Ｌ１２…第１インダクタの導体パターン
Ｌ２…第２インダクタ
Ｌ２１，Ｌ２２…第２インダクタの導体パターン
Ｌ３…第３インダクタ
Ｌ４…第４インダクタ
Ｌ５…第５インダクタ
Ｖ１，Ｖ２…ビア導体
１…基板
２…ＲＦＩＣ
３…保護膜
４…カバーレイフィルム
５…接着剤層
６…放射素子
７…インピーダンス整合回路
８…保護膜
１１…放射素子側第１端子電極
１２…放射素子側第２端子電極
２１，２２…ＲＦＩＣ端子
３１…ＲＦＩＣ側第１端子電極
３２…ＲＦＩＣ側第２端子電極
６０…絶縁性基材
６１，６２…導体パターン
６１Ｃ，６２Ｃ…導体パターン
６１Ｌ，６２Ｌ…導体パターン
６１Ｐ，６２Ｐ…導体パターン
６３，６４，６５…導体パターン
１０１…ＲＦＩＣモジュール
２０１，２０２，２０３，２０４…ＲＦＩＤタグ
３０１…螺旋状物品
３１１，３１２…ＲＦＩＤタグ付き螺旋状物品
４０１…ケーブル

Claims (7)

1. 柔軟性のある絶縁性材料で構成されて全体的に管状を成す物品に形成された放射素子と、
   前記放射素子に接続又は結合する状態で前記物品に搭載されたチップ状のＲＦ回路と、を備え、
   前記物品は螺旋状を成し、
   前記放射素子は前記物品に沿って複数回旋回する螺旋状を成し、
   前記放射素子に分布する電圧又は電流は１／２波長以下である、ＲＦＩＤタグ。
2. 前記放射素子は前記ＲＦ回路の幅より太い線状で延伸する導体パターンである、
   請求項１に記載のＲＦＩＤタグ。
3. 前記ＲＦ回路は前記放射素子を介してＵＨＦ帯で通信する、請求項１又は２に記載のＲＦＩＤタグ。
4. 柔軟性のある絶縁性材料で構成されて全体的に管状を成し、ＲＦＩＤタグが貼付された、物品であり、
   前記ＲＦＩＤタグは請求項１から３のいずれかに記載のＲＦＩＤタグである、
   ＲＦＩＤタグ付き物品。
5. 柔軟性のある絶縁性材料で構成されて全体的に管状を成し、ケーブルの周囲を被覆し、ＲＦＩＤタグが貼付されたケーブルカバーであり、
   前記ＲＦＩＤタグは請求項１から３のいずれかに記載のＲＦＩＤタグである、
   ＲＦＩＤタグ付きケーブルカバー。
6. 前記絶縁性材料は、樹脂材料である、
   請求項４に記載のＲＦＩＤタグ付き物品。
7. 前記絶縁性材料は、樹脂材料である、
   請求項５に記載のＲＦＩＤタグ付きケーブルカバー。

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