JP7069607B2

JP7069607B2 - 波長可変光フィルター、光学モジュール及び電子機器

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Publication number: JP7069607B2
Application number: JP2017166546A
Authority: JP
Inventors: 友紀松下
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2017-08-31
Filing date: 2017-08-31
Publication date: 2022-05-18
Anticipated expiration: 2037-08-31
Also published as: JP2019045599A

Description

本発明は、波長可変光フィルター、光学モジュール及び電子機器に関するものである。

従来、入射光の中から特定の波長の光を選択して通過させる光フィルターが活用されている。そして、特定の波長の光を通過させる光フィルターが特許文献１に開示されている。それによると、光フィルターは１つの基板上に反射面が設置されている。さらに、支持体を介してシリコン層が設置されている。シリコン層と基板との間には空間が配置されている。シリコン層には基板を向く面に反射面が設置されている。

シリコン層及び基板にはそれぞれ電極が設置されている。これらの電極間に電圧を印加することにより、電極間に静電気力が生じる。そして、静電気力によりシリコン層が変形して電極間の距離が変化するアクチュエーターになっている。このアクチュエーターにより対向する一対の反射面間のギャップが制御される。そして、光フィルターでは一対の反射面間のギャップに応じた波長の光を選択的に取り出すことができる。従って、光フィルターは波長可変干渉フィルターである。

基板には光吸収体が設置されている。基板の厚み方向から見て、光吸収体は対向する一対の反射面とかさならない場所に設置されている。光吸収体は開口部を備え、開口部の形状が対向する一対の反射面と同じ形状になっている。そして、基板の厚み方向に進行する光のうち一対の反射面を通過しない光は光吸収体に吸収されていた。

特開２０１１－２７７８０号公報

基板の厚み方向と斜めに交差する方向から進行する光が存在する。この光を迷光という。迷光は対向する一対の反射面の間を反復して反射した光ではない。従って、迷光は一対の反射面間のギャップに応じた波長の光に限らない。そして、迷光の一部は光吸収体の開口部を通過する。この為、迷光は光フィルターの精度を低下させる要因になっていた。そこで、特定の波長以外の波長の光が通過することを抑制することができる波長可変光フィルターが望まれていた。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本適用例にかかる波長可変光フィルターであって、第１反射体と、前記第１反射体と対向配置された第２反射体と、前記第１反射体及び前記第２反射体と重ならない場所に設置された第３反射体と、前記第３反射体と対向配置された第４反射体と、前記第３反射体と前記第４反射体との間に配置された光吸収体と、を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、波長可変光フィルターは第１反射体、第２反射体、第３反射体、第４反射体及び光吸収体を備えている。第１反射体と第２反射体とは対向配置されている。第１反射体及び第２反射体の一方から入射する光は第１反射体と第２反射体との間を往復する。このとき、第１反射体と第２反射体との間の距離と半波長の整数倍の長さが等しい光は増幅される。従って、第１反射体と第２反射体との間の距離を調整することで特定の波長の光を取り出すことができる。

第３反射体及び第４反射体は第１反射体及び第２反射体と重ならない場所に設置されている。そして、第３反射体と第４反射体とは互いに対向配置されている。従って、第３反射体と第４反射体との間に進入した光は第３反射体と第４反射体との間を往復移動する。そして、第３反射体と第４反射体との間には光吸収体が配置されている。第３反射体と第４反射体との間を往復移動する光は光吸収体を通過するときに減衰する。

第１反射体と第２反射体との間から外れた光の波長は特定の波長と異なる波長である。そして、第１反射体と第２反射体との間から外れた光は光吸収体を複数回通過することにより減衰する。従って、波長可変光フィルターは特定の波長以外の波長の光が通過することを抑制することができる。

［適用例２］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、前記第１反射体を支持する第１基板と、前記第２反射体を支持する第２基板と、を備え、前記第１基板の前記第２基板側の面に前記第１反射体及び前記第３反射体が設置され、前記第２基板の前記第１基板側の面に前記第２反射体及び前記第４反射体が設置されていることを特徴とする。

本適用例によれば、波長可変光フィルターは、さらに、第１基板及び第２基板を備えている。第１基板は第１反射体を支持し、第２基板は第２反射体を支持する。第１反射体及び第３反射体は第１基板の第２基板側の面に設置されている。従って、第１反射体及び第３反射体は同じ工程で製造できるので、第１反射体と第３反射体とを別々に製造するときに比べて生産性良く製造することができる。

第２反射体及び第４反射体は第２基板の第１基板側の面に設置されている。従って、第２反射体及び第４反射体は同じ工程で製造できるので、第２反射体と第４反射体とを別々に製造するときに比べて生産性良く製造することができる。従って、第１反射体～第４反射体を生産性良く製造することができる。

［適用例３］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、前記第１基板の前記第２基板側と逆側の面に前記第３反射体と対向配置された第５反射体を備え、前記第３反射体と前記第５反射体との間に前記光吸収体が配置されていることを特徴とする。

本適用例によれば、波長可変光フィルターは、さらに、第５反射体を備えている。第５反射体は第１基板の第２基板側と逆側の面に設置され、第３反射体と対向配置されている。従って、第３反射体と第５反射体との間に進入した光は第３反射体と第５反射体との間を往復移動する。そして、第３反射体と第５反射体との間には光吸収体が配置されている。第３反射体と第５反射体との間を往復移動する光は光吸収体を通過するときに減衰する。

第１反射体と第２反射体との間から外れた光の波長は特定の波長と異なる波長である。そして、第１反射体と第２反射体との間から外れた光の一部は第３反射体と第５反射体との間の光吸収体を複数回通過することにより減衰する。従って、波長可変光フィルターは特定の波長以外の波長の光が通過することを、さらに、抑制することができる。

［適用例４］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、前記光吸収体は前記第３反射体の前記第５反射体側の面と前記第５反射体の前記第３反射体側の面とに配置されていることを特徴とする。

本適用例によれば、光吸収体は第３反射体の第５反射体側に配置されている。さらに、光吸収体は第５反射体の第３反射体側にも配置されている。従って、光吸収体は２つ設置されている為、１つのときに比べて第３反射体と第５反射体との間を往復移動する光を確実に減衰させることができる。

［適用例５］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、前記第１反射体を支持する第１基板と、前記第２反射体を支持する第２基板と、を備え、前記第１基板の前記第２基板側の面に前記第１反射体及び前記第３反射体が設置され、前記第１基板の前記第２基板側と逆側の面に前記第４反射体が設置されていることを特徴とする。

本適用例によれば、波長可変光フィルターは、第１基板及び第２基板を備えている。第１基板は第１反射体を支持し、第２基板は第２反射体を支持する。第１反射体及び第３反射体は第１基板の第２基板側の面に設置されている。従って、第１反射体及び第３反射体は同じ工程で製造できるので、第１反射体と第３反射体とを別々に製造するときに比べて生産性良く製造することができる。

そして、第４反射体は第１基板の第２基板側と逆側の面に設置されている。第１基板の第２基板側と逆側の面は第１基板と第２基板とを組み合わせたときに外側を向く面である。従って、第４反射体は第１基板と第２基板とを組み合わせた後にも組み合わせる前にも設置できる。その結果、波長可変光フィルターの製造工程の自由度を高くすることができる。

［適用例６］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、前記第１反射体の表面及び前記第２反射体の表面に設置された表面膜、を備え、前記表面膜の厚みをｄ１、前記表面膜の消衰係数をｋ１、前記光吸収体の厚みをｄ２、前記光吸収体の消衰係数をｋ２とするとき、ｋ１×ｄ１＜ｋ２×ｄ２の条件を満たすことを特徴とする。

本適用例によれば、波長可変光フィルターは表面膜を備えている。表面膜は第１反射体の表面及び第２反射体の表面に設置されている。第１反射体及び第２反射体は対向配置されているので、第１反射体の表面膜及び第２反射体の表面膜も対向配置されている。このとき、対向する表面膜は電気的に電荷を蓄積するコンデンサーとして作用する。そして、第１反射体と第２反射体との距離の変化に伴ってコンデンサーの電気容量が変わる。従って、対向する表面膜間の電気容量を検出することで第１反射体と第２反射体との間の距離を検出できる。

表面膜の厚みをｄ１、表面膜の消衰係数をｋ１、光吸収体の厚みをｄ２、光吸収体の消衰係数をｋ２とする。そして、波長可変光フィルターは“ｋ１×ｄ１＜ｋ２×ｄ２”の条件を満たす。消衰係数と膜の厚みとを乗算した値が大きい膜は小さい膜に比べて膜が光を吸収する。そして、消衰係数と膜の厚みとを乗算した値は光吸収体の方が表面膜より大きい。従って、波長可変光フィルターは光吸収体を通過する光を表面膜を通過する光より多く減衰させることができる。

［適用例７］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、１５ｎｍ＝＜ｋ２×ｄ２＝＜３０ｎｍの条件を満たすことを特徴とする。

本適用例によれば、光吸収体では消衰係数と膜の厚みとを乗算した値が１５ｎｍ以上かつ３０ｎｍ以下になっている。この条件のとき、光吸収体は最大透過率が１／１００以下であり、反射体間を通過する光を確実に低減できる。光吸収体の膜厚を厚くしなくても良いので、光吸収体の内部応力により第１基板または第２基板が反ることを抑制できる。

［適用例８］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、前記第３反射体上には前記光吸収体、絶縁膜及び第１電極が重ねて設置され、前記第４反射体上には前記光吸収体、絶縁膜及び第２電極が重ねて設置され、前記第１電極と前記第２電極の間に電圧を印加することにより前記第１反射体と前記第２反射体との間隔が変化することを特徴とする。

本適用例によれば、波長可変光フィルターは第１電極及び第２電極を備えている。そして、第１電極と第２電極との間に印加する電圧を調整することにより第１電極と第２電極との間の間隔が変化する。これにより、第１反射体と第２反射体との間の距離が調整できるので、第１反射体及び第２反射体を通過する光の波長を調整することができる。

そして、第３反射体上には光吸収体、絶縁膜及び第１電極が重ねて設置されているので、第１電極から光吸収体に電気が流れることを抑制できる。第４反射体上には光吸収体、絶縁膜及び第２電極が重ねて設置されているので、第２電極から光吸収体に電気が流れることを抑制できる。

［適用例９］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、前記光吸収体は金属膜であることを特徴とする。

本適用例によれば、光吸収体は金属膜である。金属膜はシリコン等の無機物に比べて消衰係数が高いので、光吸収体を薄い膜にできる。その結果、波長可変光フィルターを薄くできる。

［適用例１０］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、前記光吸収体の厚みは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする。

本適用例によれば、光吸収体の厚みは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下になっている。光吸収体の厚みは１ｎｍ以上なので、品質良く成膜することができる。また、光吸収体の厚みが１０ｎｍ以下なので、光吸収体の内部応力を小さくできる。従って、第１基板または第２基板が反ることを抑制できる。

［適用例１１］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、前記第１基板の前記第２基板側と逆側の面には前記第１反射体と対向する場所に前記光吸収体が設置され、前記光吸収体は開口を有することを特徴とする。

本適用例によれば、第１反射体と対向する場所に光吸収体が設置されている。光吸収体は開口を有し、第１反射体及び第２反射体に光が出入りする範囲を限定する。そして、第１反射体と対向する場所に設置された光吸収体は第１基板の第２基板側と逆側の面に設置されている。

第１基板の第２基板側と逆側の面に光吸収体が設置されるとき、第１反射体と対向する場所に設置された光吸収体は第１基板と第５反射体との間に設置された光吸収体と同じ工程で製造することができる。その結果、第１反射体と対向する場所に設置された光吸収体を第３反射体と対向する場所に設置された光吸収体と別々の工程で製造するときに比べて生産性良く波長可変光フィルターを製造することができる。

［適用例１２］
上記適用例にかかる波長可変光フィルターにおいて、前記第２反射体と前記第４反射体とは連続していることを特徴とする。

本適用例によれば、第２反射体と第４反射体とは連続している。第２反射体と第４反射体との間に隙間があるときには、この隙間では光が第３反射体と第４反射体との間で反復して反射しないので、減衰しない。第２反射体と第４反射体とが連続しているときには第１反射体と第２反射体との間から外れた光を確実に減衰させることができる。

［適用例１３］
本適用例にかかる光学モジュールであって、上記に記載の波長可変光フィルターと、内部空間を有し前記内部空間に前記波長可変光フィルターを収納する筐体と、を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、光学モジュールは波長可変光フィルター及び筐体を備えている。そして、波長可変光フィルターは特定の波長以外の波長の光が通過することを抑制することができる。従って、光学モジュールは特定の波長以外の波長の光が通過することを抑制することができる。

［適用例１４］
本適用例にかかる電子機器であって、上記に記載の光学モジュールと、前記光学モジュールを制御する制御部と、を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、電子機器は光学モジュールと光学モジュールを制御する制御部とを備えている。そして、光学モジュールは特定の波長以外の波長の光が通過することを抑制できるモジュールとなっている。従って、電子機器は特定の波長以外の波長の光が通過することを抑制できるモジュールを備えた装置とすることができる。

第１の実施形態にかかわる光学モジュールの構造を示す概略斜視図。光学モジュールの構造を示す概略斜視図。光フィルターの構造を示す模式側断面図。固定基板の構造を示す模式平面図。可動基板の構造を示す模式平面図。第３反射体の構造を示す要部模式断面図。第１反射体の構造を示す要部模式断面図。光学モジュールにおける光路を説明するための模式図。光吸収体が設置されていないときの透過率スペクトルを示す図。光吸収体が設置されているときの透過率スペクトルを示す図。光吸収体の透過率スペクトルを示す図。ｋ２×ｄ２の値に対する光吸収体の最大透過率の関係を示す図。制御部の電気制御ブロック図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。光フィルターの製造方法を説明するための模式図。第２の実施形態にかかわる光フィルターの構造を示す模式側断面図。第３反射体及び第５反射体の構造を示す要部模式断面図。第３の実施形態にかかわる光フィルターの構造を示す模式側断面図。第３反射体及び第４反射体の構造を示す要部模式断面図。第４の実施形態にかかわる光フィルターの構造を示す模式側断面図。第５の実施形態にかかわる測色装置の構成を示すブロック図。第６の実施形態にかかわるガス検出装置の構成を示す模式正面図。ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。第７の実施形態にかかわる食物分析装置の構成を示すブロック図。第８の実施形態にかかわる分光カメラの構成を示す概略斜視図。

以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。

（第１の実施形態）
本実施形態では、特徴的な構造を有する光学モジュールと、この光学モジュールに内蔵された波長可変光フィルター及び波長可変光フィルターの製造方法について図面に従って説明する。光学モジュールについて図１～図２に従って説明する。図１及び図２は光学モジュールの構造を示す概略斜視図である。図１は光学モジュールの第１蓋体側から見た図であり、図２は光学モジュールの第２蓋体側から見た図である。図１に示すように、光学モジュール１は略直方体の形状となっている。光学モジュール１の図中下方向をＺ方向とし、Ｚ方向と直交する２方向をＸ方向及びＹ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向はそれぞれ光学モジュール１の辺に沿う方向であり、直交する方向となっている。

光学モジュール１は有底角筒状の筐体２を備え、筐体２の－Ｚ方向側には円形の第１孔２ａが形成されている。そして、第１孔２ａを塞ぐように第１蓋体３が設置されている。筐体２と第１蓋体３とは第１の低融点ガラス４により接合されている。筐体２において－Ｚ方向側の面には第１端子５、第２端子６、第３端子７が設置されている。筐体２のＺ方向側には第２蓋体８が設置され、筐体２と第２蓋体８とは第２の低融点ガラス９により接合されている。

第１蓋体３及び第２蓋体８は光透過性を有するケイ酸ガラスによって形成されている。筐体２の材質は第１蓋体３及び第２蓋体８と線膨張率が近い材質であれば良く特に限定されないが、本実施形態では例えば、筐体２の材質にセラミックを用いている。

図２に示すように、筐体２のＺ方向には四角形の第２孔２ｂが形成されている。第２孔２ｂは第１孔２ａより大きな孔となっている。そして、第２孔２ｂを塞ぐように第２蓋体８が設置されている。筐体２、第１蓋体３及び第２蓋体８に囲まれた内部空間１０は密閉された空間であり、内部空間１０には波長可変光フィルターとしての光フィルター１１が設置されている。換言すれば、筐体２は内部空間１０を有し内部空間１０に光フィルター１１を収納する。第２蓋体８は筐体２と接続され内部空間１０を密閉する。筐体２、第１蓋体３及び第２蓋体８等により収納部が形成され、収納部の内部に光フィルター１１が収納されている。

光学モジュール１の寸法は特に限定されないが、本実施形態では例えば、光学モジュール１の厚みが約３ｍｍである。筐体２をＺ方向から見た大きさは１辺が約１５ｍｍの四角形になっている。第２蓋体８の厚みは約１ｍｍである。光フィルター１１をＺ方向から見た大きさは１辺が約１１ｍｍ～１２ｍｍの四角形になっている。光フィルター１１の厚みは約０．７ｍｍ～約１．５ｍｍになっている。

図３は光フィルターの構造を示す模式側断面図である。図４は固定基板の構造を示す模式平面図である。図５は可動基板の構造を示す模式平面図である。図３は、図４及び図５のＡ－Ａ線に沿う断面側から見た図である。

図３に示すように、光フィルター１１は第１基板としての固定基板１２及び第２基板としての可動基板１３を備えている。固定基板１２は四角形の板状になっている。固定基板１２の中央には円柱状に－Ｚ方向に突出する反射膜設置部１２ａが設置されている。この反射膜設置部１２ａを囲んで円環状に凹んだ電極設置溝１２ｂが設置されている。電極設置溝１２ｂの周囲には－Ｚ方向に突出する第１接合部１２ｃが設置されている。第１接合部１２ｃは可動基板１３と接合する部位である。

固定基板１２の材質は光を透過する材質であり、強度があれば良く特に限定されない。固定基板１２の材質にはケイ酸ガラスが用いられている。ケイ酸ガラスには例えばソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等が含まれる。本実施形態では、例えば、固定基板１２の材質にケイ酸ガラスを採用している。そして、固定基板１２は厚みが例えば５００μｍ～１０００μｍに形成されたガラス基材を加工することで形成されている。

固定基板１２の－Ｚ方向側の面には第１反射膜１４が設置されている。第１反射膜１４のうち反射膜設置部１２ａに設置されている部分が第１反射体１５である。第１反射膜１４のうち電極設置溝１２ｂに設置されている部分が第３反射体１６である。従って、光学モジュール１は第１反射体１５及び第３反射体１６を備え、固定基板１２は第１反射体１５及び第３反射体１６を支持する。固定基板１２の可動基板１３側の面に第１反射体１５及び第３反射体１６が設置されている。第１反射体１５と重ならない場所に第３反射体１６が設置されている。

従って、第１反射体１５及び第３反射体１６は同じ工程で製造できるので、第１反射体１５と第３反射体１６とを別々に製造するときに比べて生産性良く製造することができる。

第１反射膜１４、第１反射体１５及び第３反射体１６はシリコン層と２酸化シリコン層とが多層に積層されている。従って、第１反射膜１４、第１反射体１５及び第３反射体１６は多層膜ミラーになっている。

第１接合部１２ｃ上には第１反射膜１４が設置されるのが好ましい。固定基板１２と可動基板１３との間に第１接合部１２ｃから迷光が入ることを抑制できる。第１接合部１２ｃ上から固定基板１２と可動基板１３との間に入る迷光が少ないときには、第１接合部１２ｃ上の第１反射膜１４を省略しても良い。

同様に、第１接合部１２ｃの電極設置溝１２ｂ側の側面にも第１反射膜１４が設置されるのが好ましい。第１接合部１２ｃから固定基板１２と可動基板１３との間に迷光が入ることを抑制できる。第１接合部１２ｃの電極設置溝１２ｂ側の側面から固定基板１２と可動基板１３との間に入る迷光が少ないときには、第１接合部１２ｃの電極設置溝１２ｂ側の側面に第１反射膜１４を設置しなくても良い。

同様に、反射膜設置部１２ａの電極設置溝１２ｂ側の側面にも第１反射膜１４が設置されるのが好ましい。固定基板１２と可動基板１３との間に迷光が入ることを抑制できる。反射膜設置部１２ａの電極設置溝１２ｂ側の側面から固定基板１２と可動基板１３との間に入る迷光が少ないときには、反射膜設置部１２ａの電極設置溝１２ｂ側の側面に第１反射膜１４を設置しなくても良い。

反射膜設置部１２ａでは第１反射体１５の表面に表面膜としての固定電極１７が設置されている。Ｚ方向から見たときの反射膜設置部１２ａ、第１反射体１５及び固定電極１７は同じ形状であり円形になっている。

固定電極１７の材質にはＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－ｇａｌｌｉｕｍｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ（ｉｎｄｉｕｍ－ｄｏｐｅｄｃａｄｍｉｕｍｏｘｉｄｅ）等の透明な導電性ある材質を用いることができる。本実施形態では例えば固定電極１７の材質にＩＴＯが用いられている。

電極設置溝１２ｂでは第３反射体１６上に光吸収体１８、絶縁膜としての第１絶縁膜２１及び第１電極２２が重ねて設置されている。Ｚ方向から見たときの第３反射体１６、光吸収体１８及び第１絶縁膜２１の形状は同じ形状であり円環状になっている。Ｚ方向から見たときの第１電極２２の形状も円弧である。第１電極２２の径方向の幅は第１絶縁膜２１より狭くなっている。

光吸収体１８の材質は光を吸収し成膜し易い材質であれば良く特に限定されない。光吸収体１８の材質にはタングステン、銀、銅等の金属を用いることができる。本実施形態では、例えば、光吸収体１８の材質にタングステンを採用している。

光吸収体１８は金属膜である。金属膜はシリコン等の無機物に比べて消衰係数が高いので、光吸収体１８を薄い膜にできる。その結果、光フィルター１１を薄くできる。

第１絶縁膜２１の材質は絶縁性があり成膜し易い材質であれば良く特に限定されない。第１絶縁膜２１の材質には２酸化シリコンやアルミナを用いることができる。本実施形態では、例えば、第１絶縁膜２１の材質に２酸化シリコンを採用している。

第１電極２２の材質は導電性があり成膜し易い材質であれば良く特に限定されない。本実施形態では、例えば、第１電極２２の材質にＩＴＯを用いている。第１電極２２の材質には他にもＴｉＷ膜等の金属膜を用いることができる。第１電極２２と固定電極１７とを同じ材質にするときには、第１電極２２と固定電極１７とを同じ工程で成膜することができる。従って、生産性良く光学モジュール１を製造することができる。

第１接合部１２ｃでは第１反射膜１４に重ねて光吸収体１８、第１絶縁膜２１及び第１接合膜２３が設置されている。第１接合部１２ｃにおける光吸収体１８及び第１絶縁膜２１は電極設置溝１２ｂにおける光吸収体１８及び第１絶縁膜２１と同じ膜であり、同じ工程で設置される膜である。光吸収体１８及び第１絶縁膜２１は省略しても良い。

第１接合膜２３は固定基板１２と可動基板１３とを接合するときに用いられる膜である。第１接合膜２３には例えば、シロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等により構成された膜を用いることができる。

可動基板１３には中央を囲む円環状の溝１３ａが設置されている。溝１３ａに囲まれた円柱状の部分を可動部１３ｂとする。可動部１３ｂは固定基板１２の反射膜設置部１２ａと対向して配置されている。溝１３ａの部分では可動基板１３の厚みが薄くなっているので、可動部１３ｂは容易にＺ方向に移動することが可能になっている。可動基板１３の材質は光を透過する材質であり、強度があれば良く特に限定されない。可動基板１３の材質には固定基板１２と同じ材質を用いることができる。可動基板１３は、厚みが例えば３００μｍ～１０００μｍに形成されたガラス基材に平面研磨等の加工を施して形成されている。

可動基板１３の＋Ｚ方向側の面には第２反射膜２４が設置されている。第２反射膜２４のうち第１反射体１５と対向配置されている部分が第２反射体２５である。第２反射膜２４のうち第２反射体２５以外の場所の部分が第４反射体２６である。従って、光学モジュール１は第２反射体２５及び第４反射体２６を備え、可動基板１３は第２反射体２５及び第４反射体２６を支持する。可動基板１３の固定基板１２側の面に第２反射体２５及び第４反射体２６が設置されている。

従って、第２反射体２５及び第４反射体２６は同じ工程で製造できるので、第２反射体２５と第４反射体２６とを別々に製造するときに比べて生産性良く製造することができる。

第１反射体１５と第２反射体２５とは対向配置されている。そして、第４反射体２６は第１反射体１５及び第２反射体２５と重ならない場所に設置されている。第４反射体２６は第３反射体１６と対向配置されている。そして、第３反射体１６は第１反射体１５及び第２反射体２５と重ならない場所に設置されている。第２反射体２５と第４反射体２６とは連続して設置されている。

反射膜設置部１２ａと対向する場所では第２反射体２５の表面に表面膜としての可動電極２７が設置されている。Ｚ方向から見たときの反射膜設置部１２ａ、第２反射体２５及び可動電極２７は同じ形状であり円形になっている。

第４反射体２６上には光吸収体２８、絶縁膜としての第２絶縁膜２９及び第２電極３０が重ねて設置されている。従って、光吸収体１８及び光吸収体２８は第３反射体１６と第４反射体２６との間に配置されている。Ｚ方向から見たときの第４反射体２６、光吸収体２８及び第２絶縁膜２９の形状は同じ形状であり円環状になっている。Ｚ方向から見たときの第２電極３０の形状も円環状である。第２電極３０の径方向の幅は第１電極２２と同じになっている。

第２反射膜２４の材質は第１反射膜１４と同じ材質を用いている。可動電極２７の材質は固定電極１７と同じ材質であり、ＩＴＯを用いている。光吸収体２８の材質は光吸収体１８と同じ材質を用いている。第２絶縁膜２９の材質は第１絶縁膜２１と同じ材質を用いている。第２電極３０の材質は導電性があり成膜し易い材質であれば良く特に限定されないが、本実施形態では、例えば、第２電極３０の材質にＩＴＯ膜を用いている。

光吸収体２８は光吸収体１８と同様に金属膜である。金属膜はシリコン等の無機物に比べて消衰係数が高いので、光吸収体２８を薄い膜にできる。その結果、光フィルター１１を薄くできる。光吸収体１８及び光吸収体２８の厚みは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。

光吸収体２８が導電性であるときには、可動電極２７と光吸収体２８とを絶縁するために、可動電極２７と光吸収体２８との間に第２絶縁膜２９を配置するのが好ましい。可動電極２７と光吸収体２８との間で雑音成分の信号が伝達されることを抑制することができる。

可動基板１３において第１接合部１２ｃと対向する場所には第２反射膜２４が設置されるのが好ましい。第１接合部１２ｃにおいて－Ｚ方向側から固定基板１２と可動基板１３との間に迷光が入ることを抑制できる。第１接合部１２ｃ上から固定基板１２と可動基板１３との間に入る迷光が少ないときには、第１接合部１２ｃ上の第２反射膜２４を省略しても良い。

第１接合部１２ｃと対向する場所では第２絶縁膜２９上に第２接合膜３１が設置されている。第２接合膜３１は第１接合膜２３と同様の膜である。第１接合膜２３及び第２接合膜３１は固定基板１２と可動基板１３とを接合するときに用いられる。

図４に示すように、固定基板１２の中央には円柱状の反射膜設置部１２ａが設置されている。反射膜設置部１２ａの－Ｚ方向側の面に第１反射体１５及び固定電極１７が設置されている。反射膜設置部１２ａの周囲には円環状の電極設置溝１２ｂが設置され、電極設置溝１２ｂには第１絶縁膜２１、光吸収体１８及び第３反射体１６が設置されている。第１絶縁膜２１上には反射膜設置部１２ａ側に円環状の第１電極２２が設置されている。

電極設置溝１２ｂは反射膜設置部１２ａの＋Ｘ方向側及び－Ｘ方向側に延び固定基板１２の外周にまで延びている。そして、固定基板１２では電極設置溝１２ｂが＋Ｘ方向側及び－Ｘ方向側で開口している。

固定電極１７と第１電極２２とは第１配線３２により電気的に接続されている。電極設置溝１２ｂでは第１電極２２から第２配線３３が＋Ｘ方向側かつ－Ｙ方向側に延びて設置されている。電極設置溝１２ｂには反射膜設置部１２ａの＋Ｘ側に角柱状の突起部３４が設置されている。突起部３４の－Ｚ方向側の面には第１導電膜端子３５が設置されている。第２配線３３は＋Ｘ方向側及び＋Ｙ方向側に折れて配置され第１導電膜端子３５と接続されている。

図５に示すように、Ｚ方向から見た平面視で可動基板１３には中央の可動部１３ｂを囲む円環状の溝１３ａが設置されている。可動部１３ｂは固定基板１２の反射膜設置部１２ａと対向して配置されている。可動部１３ｂ上には第２反射体２５及び可動電極２７が設置されている。第２反射体２５はＺ方向から見た形状が円形の膜であり表面が鏡面となっている。第２反射体２５は入射する光の一部を反射し一部を透過させる。

可動電極２７の＋Ｘ方向側には第３配線３６が設置されている。可動基板１３には＋Ｘ方向側に第２端子３７が設置され、第３配線３６は可動電極２７と第２端子３７とを電気的に接続する。可動電極２７と同心円状に並んで第２電極３０が設置され、第２電極３０は円弧状に可動電極２７を囲んでいる。第２電極３０は円弧状の＋Ｘ方向側が分断され、分断された場所に第４配線３８が設置されている。可動基板１３には＋Ｘ方向側に第３端子４１が設置され、第４配線３８は第２電極３０と第３端子４１とを電気的に接続する。

可動基板１３の＋Ｘ方向側には突起部３４と対向する場所に第１端子４２が設置されている。そして、第１端子４２は第１導電膜端子３５と電気的に接続されている。従って、第１端子４２は固定電極１７及び第１電極２２と電気的に接続されている。

図６は第３反射体の構造を示す要部模式断面図である。図６に示すように、電極設置溝１２ｂでは固定基板１２上に第３反射体１６、光吸収体１８、第１絶縁膜２１及び第１電極２２が重ねて設置されている。第３反射体１６は２酸化シリコン層１６ａとシリコン層１６ｂとが交互に積層されている。積層される層の個数は特に限定されないが本実施形態では、例えば、２酸化シリコン層１６ａが４層であり、シリコン層１６ｂが３層になっている。このとき、第３反射体１６は高い反射率で光を反射することができる。そして、第４反射体２６の構造は第３反射体１６の構造と同じ構造になっている。

図７は第１反射体の構造を示す要部模式断面図である。図７に示すように、反射膜設置部１２ａでは固定基板１２上に第１反射体１５及び固定電極１７が重ねて設置されている。第１反射体１５は２酸化シリコン層１５ａとシリコン層１５ｂとが交互に積層されている。さらに、２酸化シリコン層１５ａに重ねて２酸化シリコン層１５ｃが設置されている。積層される層の個数は特に限定されないが本実施形態では、例えば、２酸化シリコン層１５ａが４層であり、シリコン層１５ｂが３層、２酸化シリコン層１５ｃが１層になっている。このとき、第１反射体１５は高い反射率で光を反射することができる。そして、第２反射体２５の構造は第１反射体１５の構造と同じ構造になっている。

第３反射体１６における２酸化シリコン層１６ａと第１反射体１５における２酸化シリコン層１５ａとは同じ膜厚であり、同じ工程で成膜されている。第３反射体１６におけるシリコン層１６ｂと第１反射体１５におけるシリコン層１５ｂとは同じ膜厚であり、同じ工程で成膜されている。第３反射体１６における第１絶縁膜２１と第１反射体１５における２酸化シリコン層１５ｃとは同じ材質であり、かつ、同じ膜厚であり、同じ工程で成膜されている。第３反射体１６における第１電極２２と第１反射体１５における固定電極１７とを同じ材質、かつ、同じ膜厚にしても良い。このとき、第１電極２２と第１反射体１５における固定電極１７とを同じ工程で成膜することができる。

このように、第１反射体１５と第３反射体１６とは同じ工程で成膜される部分が多い。従って、第１反射体１５と第３反射体１６とを別々の工程で成膜するときに比べて、生産性良く第１反射体１５及び第３反射体１６を製造することができる。同様に、第２反射体２５と第４反射体２６とは同じ工程で成膜される部分が多い。従って、第２反射体２５と第４反射体２６とを別々の工程で成膜するときに比べて、生産性良く第２反射体２５及び第４反射体２６を製造することができる。

図８は光学モジュールにおける光路を説明するための模式図である。図８に示すように、第１反射体１５と第２反射体２５との間に入る光４３は第１反射体１５と第２反射体２５との間で反射を繰りかえす。このとき、第１反射体１５と第２反射体２５との間の距離が波長の半分の整数倍の光４３が通過する。従って、光学モジュール１は所定の波長の光４３のみ通過させるフィルターになっている。

Ｚ方向に対して斜めに第２反射体２５または第１反射体１５に入射する光４３の一部が迷光４４になる。迷光４４は第１反射体１５と第２反射体２５との間で反射を繰りかえさないので、迷光４４の波長は所定の波長に限定されない。迷光４４は第３反射体１６と第４反射体２６との間に進行する。

第３反射体１６と第４反射体２６とは互いに対向配置されている。従って、第３反射体１６と第４反射体２６との間に進入した光は第３反射体１６と第４反射体２６との間を往復移動する。そして、第３反射体１６と第４反射体２６との間には光吸収体１８及び光吸収体２８が配置されている。第３反射体１６と第４反射体２６との間を往復移動する迷光４４は光吸収体１８及び光吸収体２８通過するときに減衰する。従って、光フィルター１１は特定の波長以外の波長の迷光４４が通過することを抑制することができる。

可動基板１３では第２反射体２５と第４反射体２６とが連続している。第２反射体２５と第４反射体２６との間に隙間があるときには、この隙間では迷光４４が第３反射体１６と第４反射体２６との間で反復して反射しないので、減衰しない。第２反射体２５と第４反射体２６とが連続しているときには第１反射体１５と第２反射体２５との間から外れた迷光４４を確実に減衰させることができる。

第１電極２２及び第２電極３０は対向配置されている。そして、第１電極２２と第２電極３０との間に電圧を印加することにより第１電極２２と第２電極３０との間隔が変化する。これにより、第１反射体１５と第２反射体２５との間の距離が調整できるので、第１反射体１５及び第２反射体２５を通過する光の波長を調整することができる。

そして、第３反射体１６上には光吸収体１８、第１絶縁膜２１及び第１電極２２が重ねて設置されているので、第１電極２２から光吸収体１８に電気が流れることを抑制できる。第４反射体２６上には光吸収体２８、第２絶縁膜２９及び第２電極３０が重ねて設置されているので、第２電極３０から光吸収体２８に電気が流れることを抑制できる。

図９は光吸収体が設置されていないときの透過率スペクトルを示す図であり、第３反射体１６と第４反射体２６との間に光吸収体１８及び光吸収体２８が設置されていない形態における透過率スペクトルを示している。図９において、縦軸は透過率を示し、図中上側が下側より透過率が高くなっている。縦軸は目盛の１が１００％に対応しているので、目盛の０．１は１０％を示す。横軸は光４３の波長を示し、図中右側が左側より波長が長くなっている。

第１曲線４５は第１反射体１５及び第２反射体２５を通過する光４３の透過率スペクトルの例である。そして、第２曲線４６は第３反射体１６及び第４反射体２６を通過する光４３の透過率スペクトルの例である。第１曲線４５及び第２曲線４６はシミュレーションにて算出した透過率スペクトルである。第２曲線４６が示すように、波長が９５０ｎｍ付近に透過率のピークがあることを確認できる。第２曲線４６のピークの大きさと波長は第３反射体１６及び第４反射体２６の構造により変わる。

図１０は光吸収体が設置されているときの透過率スペクトルを示す図であり、第３反射体１６と第４反射体２６との間に光吸収体１８及び光吸収体２８が設置されている形態における透過率スペクトルを示している。図１０において、縦軸及び横軸は図９と同じである。

第３曲線４７は第１反射体１５及び第２反射体２５を通過する光４３の透過率スペクトルの例である。そして、第４曲線４８は第３反射体１６及び第４反射体２６を通過する光４３の透過率スペクトルの例である。第３曲線４７及び第４曲線４８もシミュレーションにて算出した透過率スペクトルである。第４曲線４８が示すように、透過率スペクトルには透過率のピークがないことを確認できる。つまり、第３反射体１６と第４反射体２６との間に光吸収体１８及び光吸収体２８が設置されることにより、光４３が減衰して通過しなくなったことを示している。

図６に示すように、第３反射体１６に設置された光吸収体１８の厚みをｄ２とする。第４反射体２６に設置された光吸収体２８の厚みは光吸収体１８の厚みと同じ厚みｄ２になっている。図７に示すように、第１反射体１５に設置された固定電極１７の厚みをｄ１とする。第２反射体２５に設置された可動電極２７の厚みは固定電極１７の厚みと同じ厚みｄ１になっている。

固定電極１７及び可動電極２７は同じ材質であり、固定電極１７の消衰係数と可動電極２７の消衰係数は同じ消衰係数である。固定電極１７及び可動電極２７の消衰係数をｋ１とする。光吸収体１８及び光吸収体２８は同じ材質であり、光吸収体１８の消衰係数と光吸収体２８の消衰係数は同じ消衰係数である。光吸収体１８及び光吸収体２８の消衰係数をｋ２とする。

そして、光フィルター１１は“ｋ１×ｄ１＜ｋ２×ｄ２”の条件を満たしている。本実施形態では、例えば、ｋ１×ｄ１を約１に設定し、ｋ２×ｄ２を１５～３０の間に設定している。消衰係数と膜の厚みとを乗算した値が大きい膜は小さい膜に比べて膜が光４３を吸収する。そして、消衰係数と膜の厚みとを乗算した値は光吸収体１８及び光吸収体２８の方が固定電極１７及び可動電極２７より大きい。従って、光フィルター１１は光吸収体１８及び光吸収体２８を通過する光４３を固定電極１７及び可動電極２７を通過する光より多く減衰させることができる。

尚、固定電極１７及び可動電極２７の代わりに光透過性の表面膜としての保護膜が設置されていても良い。このときにも、保護膜の厚みをｄ１とし、の消衰係数をｋ１とする。そして、光フィルター１１は“ｋ１×ｄ１＜ｋ２×ｄ２”の条件を満たすように設定する。その結果、光フィルター１１は光吸収体１８及び光吸収体２８を通過する光４３を保護膜を通過する光より多く減衰させることができる。

図１１は光吸収体の透過率スペクトルを示す図であり、光吸収体１８及び光吸収体２８の消衰係数ｋ２に光吸収体１８及び光吸収体２８の厚みｄ２を乗算した値をパラメーターにしている。図１１において、縦軸及び横軸は図９と同じである。ただし、図９の場合とは各部位の寸法が異なるので、透過率がピークとなる波長は異なっている。図１１に示すように、ｋ２×ｄ２が３ｎｍ以上では透過率のピークが１０％未満となることがわかる。この１０％未満は縦軸の０．１未満に相当する。

図１２はｋ２×ｄ２の値に対する光吸収体の最大透過率の関係を示す図である。図１２において、縦軸は最大透過率を示し、図中上側が下側より最大透過率が高くなっている。最大透過率は透過率スペクトルにおける透過率のピークの値を示す。横軸はｋ２×ｄ２の値を示し、図中右側が左側より高い値になっている。

図１２の第５曲線４９及び第６曲線５０はｋ２×ｄ２の値と最大透過率の関係を示す。第５曲線４９の場合には固定基板１２に光吸収体１８が設置され、第３反射体１６が設置されていない。さらに、可動基板１３に光吸収体２８が設置され、第４反射体２６が設置されていない。このとき、光４３は固定基板１２と可動基板１３との間で光４３が往復移動せずに通過する。その結果、最大透過率が高くなっている。

第６曲線５０の場合には固定基板１２に第３反射体１６及び光吸収体１８が設置されている。さらに、可動基板１３には第４反射体２６及び光吸収体２８が設置されている。このとき、光４３は固定基板１２と可動基板１３との間で光４３が往復移動する。その結果、最大透過率が低くなっている。つまり、第３反射体１６及び第４反射体２６の効果が大きくでていることが確認できる。

そして、ｋ２×ｄ２の値が１５ｎｍ以上のとき、最大透過率が０．１％未満になっている。このとき、迷光４４による影響は問題にならない。そして、光フィルター１１は、１５ｎｍ＝＜ｋ２×ｄ２＝＜３０ｎｍの条件を満たしている。この条件のとき、最大透過率が０．１％以下であり、反射体間を通過する光４３を確実に低減できる。光吸収体１８及び光吸収体２８の膜厚を３０ｎｍを越えて厚くしなくても良いので、光吸収体の内部応力により固定基板１２または可動基板１３が反ることを抑制できる。

図１３は制御部の電気制御ブロック図である。図１３に示すように、光学モジュール１は制御部５１と接続して用いられる。光フィルター１１の第１電極２２と第２電極３０との間に電圧を印加することにより、第１電極２２と第２電極３０との間に静電気力が作用する。可動基板１３には溝１３ａが設置されているので、可動部１３ｂがＺ方向に移動し易くなっている。そして、第１電極２２と第２電極３０との間に作用する静電気力により第１反射体１５と第２反射体２５との距離が変化する。第１電極２２、第２電極３０及び可動基板１３等により静電アクチュエーター５２が構成されている。

第１反射体１５と第２反射体２５との距離が変化するとき、固定電極１７と可動電極２７との距離が変化する。固定電極１７と可動電極２７との距離が変化するとき、固定電極１７と可動電極２７と間の電気容量が変化する。従って、固定電極１７と可動電極２７と間の電気容量を検出することにより第１反射体１５と第２反射体２５との距離を推定することができる。そして、固定電極１７及び可動電極２７は第１反射体１５と第２反射体２５との距離を推定する距離センサー５３になっている。

制御部５１には第１スイッチ５４、第２スイッチ５５の２個のスイッチと第１スイッチ５４及び第２スイッチ５５を制御するスイッチ制御部５６とが設置されている。各スイッチは２回路２接点スイッチの形態となっている。第１スイッチ５４は第１可動切片５４ａ、第２可動切片５４ｂ、第１接点５４ｃ、第２接点５４ｄ、第３接点５４ｅ及び第４接点５４ｆを備えている。

第１可動切片５４ａ及び第２可動切片５４ｂは共に接地されている。第１接点５４ｃは孤立し接続されていない接点である。第２接点５４ｄは第２端子６を介して可動電極２７と接続されている。第１可動切片５４ａは第１接点５４ｃ及び第２接点５４ｄの一方と導通する。同様に、第３接点５４ｅは孤立し接続されていない接点である。第４接点５４ｆは第１端子５を介して固定電極１７及び第１電極２２と接続されている。第２可動切片５４ｂは第３接点５４ｅ及び第４接点５４ｆの一方と導通する。

第１可動切片５４ａと第２可動切片５４ｂとは連動しスイッチ制御部５６に制御される。スイッチ制御部５６が第１可動切片５４ａを第１接点５４ｃと導通させて第２可動切片５４ｂを第３接点５４ｅと導通させる。このとき、第１スイッチ５４では可動電極２７が第１可動切片５４ａと切断され、固定電極１７が第２可動切片５４ｂと切断された状態となる。一方、スイッチ制御部５６が第１可動切片５４ａを第２接点５４ｄと導通させて第２可動切片５４ｂを第４接点５４ｆと導通させるとき、第１スイッチ５４では可動電極２７及び固定電極１７が接地された状態となる。従って、スイッチ制御部５６は可動電極２７及び固定電極１７を短絡させて且つ接地させるか開放するかを制御することができる。

第２スイッチ５５は第１可動切片５５ａ、第２可動切片５５ｂ、第１接点５５ｃ、第２接点５５ｄ、第３接点５５ｅ及び第４接点５５ｆを備えている。第１可動切片５５ａ及び第２可動切片５５ｂは距離検出部５７と接続されている。第１接点５５ｃは第２端子６を介して可動電極２７と接続されている。第２接点５５ｄは孤立し接続されていない接点である。第１可動切片５５ａは第１接点５５ｃ及び第２接点５５ｄの一方と導通する。同様に、第３接点５５ｅは第１端子５を介して固定電極１７と接続されている。第４接点５５ｆは孤立し接続されていない接点である。第２可動切片５５ｂは第３接点５５ｅ及び第４接点５５ｆの一方と導通する。距離検出部５７は可動電極２７と固定電極１７との間の電気容量を測定することにより可動電極２７と固定電極１７との間の距離を検出する機能を有する。

光フィルター１１は第１端子５及び第２端子６の外部端子を備えている。そして、第１端子５及び第２端子６の外部端子を用いて距離検出部５７が可動電極２７と固定電極１７との間の距離を検出することが可能になっている。

第１可動切片５５ａと第２可動切片５５ｂとは連動しスイッチ制御部５６に制御される。スイッチ制御部５６が第１可動切片５５ａを第１接点５５ｃと導通させて第２可動切片５５ｂを第３接点５５ｅと導通させる。このとき、第２スイッチ５５では可動電極２７及び固定電極１７が距離検出部５７と接続される。一方、スイッチ制御部５６が第１可動切片５５ａを第２接点５５ｄと導通させて第２可動切片５５ｂを第４接点５５ｆと導通させるとき、第２スイッチ５５では可動電極２７及び固定電極１７が距離検出部５７と切断される。従って、スイッチ制御部５６は可動電極２７及び固定電極１７を距離検出部５７に接続させるか接地させるかを制御することができる。

第１反射体１５と第２反射体２５との距離を反射膜間ギャップという。制御部５１が反射膜間ギャップを検出するとき、まず、スイッチ制御部５６が第１スイッチ５４及び第２スイッチ５５を切り替える。第１スイッチ５４ではスイッチ制御部５６が第１可動切片５４ａを第１接点５４ｃと接触させる。さらに、スイッチ制御部５６は第２可動切片５４ｂを第３接点５４ｅと接触させる。さらに、第２スイッチ５５ではスイッチ制御部５６が第１可動切片５５ａを第１接点５５ｃと接触させる。さらに、スイッチ制御部５６は第２可動切片５５ｂを第３接点５５ｅと接触させる。これにより、可動電極２７及び固定電極１７はそれぞれ距離検出部５７と接続される。そして、距離検出部５７は可動電極２７及び固定電極１７に通電して可動電極２７と固定電極１７との間の電気容量を測定する。これにより、距離検出部５７は反射膜間ギャップを検出する。

距離検出部５７が反射膜間ギャップを測定しないとき、第１スイッチ５４ではスイッチ制御部５６が第１可動切片５４ａを第２接点５４ｄと接触させる。さらに、スイッチ制御部５６は第２可動切片５４ｂを第４接点５４ｆと接触させる。第２スイッチ５５ではスイッチ制御部５６が第１可動切片５５ａを第２接点５５ｄと接触させる。さらに、スイッチ制御部５６は第２可動切片５５ｂを第４接点５５ｆと接触させる。これにより、可動電極２７、固定電極１７及び第１電極２２はそれぞれ接地され、互いに導通する。

可動電極２７と固定電極１７との間には水分子や酸素分子等の分子が移動し、分子同士が衝突しあう。このとき、各分子に静電気が生ずることがある。そして、静電気をもつ分子が可動電極２７及び固定電極１７に接触するとき可動電極２７及び固定電極１７が帯電する。静電気により可動電極２７と固定電極１７との間で電圧差が生じるとき、可動電極２７と固定電極１７との間に静電気力が生じる。これにより反射膜間ギャップが変動する。反射膜間ギャップが変動することにより光フィルター１１を通過する光の波長が変動する。そこで、スイッチ制御部５６が所定の時間間隔にて可動電極２７及び固定電極１７を接地する。これにより、可動電極２７及び固定電極１７の静電気が除去される為反射膜間ギャップを精度良く制御することができる。

尚、第１スイッチ５４及び第２スイッチ５５はトランジスター等の半導体により構成されたスイッチング素子を用いても良く電磁スイッチでも良い。電流が小さいときには半導体により構成されたスイッチング素子を用いる方が製造し易く耐久性があり好ましい。本実施形態では、例えば、第１スイッチ５４及び第２スイッチ５５は半導体により構成されたスイッチング素子を用いている。

制御部５１には電圧制御部５８が設置され、電圧制御部５８には第１電極２２及び第２電極３０が電気的に接続されている。電圧制御部５８は第１電極２２及び第２電極３０に印加する電圧を制御することにより反射膜間ギャップを制御することが可能になっている。電圧制御部５８が反射膜間ギャップを所定の間隔に変更する。そして、光４３が光フィルター１１に入射される。光４３は第１反射体１５と第２反射体２５との間で多重反射し、反射膜間ギャップの寸法に応じた波長の光が光フィルター１１を通過する。従って、電圧制御部５８が反射膜間ギャップを制御することにより光フィルター１１を通過する光４３の波長を制御することが可能になっている。

次に、光フィルターの製造方法の例について説明する。光フィルターの製造方法は各種の方法で行うことができるので特に説明する方法に限定されない。図１４～図３０は光フィルターの製造方法を説明するための模式図である。まず、可動基板１３の製造方法を説明する。図１４に示すように、可動基板１３にマスク６１を設置する。マスク６１は例えばクロム膜または金膜等の金属膜をスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やＣＶＤ法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｏｎ）にて成膜する。次に、フォトレジストを塗布しマスクアライナーを用いて所定のパターンに露光する。次に、金属膜をエッチングする。クロム膜は塩酸、硫酸にてウエットエッチングする。金膜は王水や酸素を含むシアン化物イオン水にてウエットエッチングする。次に、フォトレジストを剥離することによりマスク６１を設置することができる。

次に、可動基板１３をエッチングして溝１３ａ及び可動部１３ｂを設置する。このとき、超高純度バッファードフッ酸を用いてエッチングすることにより溝１３ａ及び可動部１３ｂを形成する。

次に、図１５に示すように、可動基板１３からマスク６１を除去する。マスク６１がクロム膜のときには塩酸、硫酸にてウエットエッチングする。マスク６１が金膜のときには王水や酸素を含むシアン化物イオン水にてウエットエッチングする。

次に、図１６に示すように、可動基板１３上に第２反射膜２４を成膜する。第２反射膜２４は２酸化シリコン層とシリコン層とを交互に積層した膜である。本実施形態では、例えば、第２反射膜２４は４層の２酸化シリコン層と３層のシリコン層とで構成されている。２酸化シリコン層及びシリコン層の成膜方法は特に限定されず、スパッタ法、蒸着法、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法等を用いることができる。

第２反射体２５及び第４反射体２６は第２反射膜２４の一部分である。従って、第２反射体２５及び第４反射体２６は同じ工程で製造される。第２反射体２５及び第４反射体２６を別々の工程で製造するときに比べて生産性良く第２反射体２５及び第４反射体２６を製造することができる。

次に、図１７に示すように、第２反射膜２４上に可動電極２７を設置する。まず、第２反射膜２４上に可動電極２７の材料であるＩＴＯのベタ膜を形成する。ベタ膜は基板上全体に同じ膜厚で設置された膜を示す。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして可動電極２７を形成する。可動電極２７を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。

次に、図１８に示すように、第２反射膜２４上に光吸収体２８を設置する。まず、可動電極２７を覆ってマスクを設置する。マスクは感光性の樹脂膜をスピンコーター等で成膜して公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして形成する。次に、マスク及び第２反射膜２４上に光吸収体２８の材料であるタングステンのベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法等の成膜方法を用いることができる。次に、マスクを除去して光吸収体２８を形成する。マスクは所定の除去液を用いて除去する。その結果、光吸収体２８がパターニングされる。

次に、図１９に示すように、光吸収体２８上に第２絶縁膜２９を設置する。まず、可動電極２７を覆ってマスクを設置する。マスクは感光性の樹脂膜をスピンコーター等で成膜して公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして形成する。マスク形状は可動電極２７と光吸収体２８との間に第２絶縁膜２９が設置されるような形状にする。次に、マスク及び第２反射膜２４上に第２絶縁膜２９の材料である２酸化シリコンの膜を形成する。２酸化シリコンの膜の形成には蒸着法、スパッタ法、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法等の成膜方法を用いることができる。次に、マスクを除去して第２絶縁膜２９を形成する。マスクは所定の除去液を用いて除去する。その結果、第２絶縁膜２９がパターニングされる。

次に、図２０に示すように、第２絶縁膜２９上に第２電極３０、第３配線３６、第４配線３８、第２端子３７及び第３端子４１を設置する。まず、まず、可動基板１３上にＩＴＯのベタ膜を重ねて積層する。成膜にはスパッタリング法、蒸着法、ＰＶＤ法やＣＶＤ法にて成膜する。次に、フォトレジストを塗布しマスクアライナーを用いて所定のパターンに露光する。次に、ＩＴＯ膜をエッチングする。次に、フォトレジストを剥離することにより第２電極３０、第３配線３６、第４配線３８、第２端子３７及び第３端子４１が設置される。

次に、図２１に示すように、第２絶縁膜２９上に第２接合膜３１を設置する。第２接合膜３１にはシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜を成膜する。詳細には、第２接合膜３１が設置される領域だけが露出するパターンのレジストを形成する。次に、厚み寸法３０ｎｍのポリオルガノシロキサンを用いたプラズマ重合膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。そして、レジストを除去することで、固定基板１２を接合する面にプラズマ重合膜が設置される。

次に、固定基板１２の製造方法を説明する。図２２に示すように、固定基板１２を用意する。固定基板１２は、例えば、厚みが０．５ｍｍ～１ｍｍの石英基板である。固定基板１２にマスク６２を設置する。マスク６１は例えばクロム膜または金膜等の金属膜をスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法やＣＶＤ法にて成膜する。次に、フォトレジストを塗布しマスクアライナーを用いて所定のパターンに露光する。次に、金属膜をエッチングする。クロム膜は塩酸、硫酸にてウエットエッチングする。金膜は王水や酸素を含むシアン化物イオン水にてウエットエッチングする。次に、フォトレジストを剥離することによりマスク６２を設置することができる。

次に、固定基板１２をエッチングして反射膜設置部１２ａ及び電極設置溝１２ｂを設置する。このとき、超高純度バッファードフッ酸を用いてエッチングすることにより反射膜設置部１２ａ及び電極設置溝１２ｂを形成する。

次に、図２３に示すように、固定基板１２からマスク６２を除去する。マスク６２のクロム膜は塩酸、硫酸にてウエットエッチングする。マスク６２の金膜は王水や酸素を含むシアン化物イオン水にてウエットエッチングする。

次に、図２４に示すように、固定基板１２上に第１反射膜１４を成膜する。第１反射膜１４は２酸化シリコン層とシリコン層とを交互に積層した膜である。本実施形態では、例えば、第１反射膜１４は４層の２酸化シリコン層と３層のシリコン層とで構成されている。２酸化シリコン層及びシリコン層の成膜方法は特に限定されず、スパッタ法、蒸着法、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法等を用いることができる。

第１反射体１５及び第３反射体１６は第１反射膜１４の一部分である。従って、第１反射体１５及び第３反射体１６は同じ工程で製造される。第１反射体１５及び第３反射体１６を別々の工程で製造するときに比べて生産性良く第１反射体１５及び第３反射体１６を製造することができる。

次に、図２５に示すように、第１反射膜１４上に固定電極１７及び第１配線３２を設置する。まず、第１反射膜１４上に可動電極２７の材料であるＩＴＯのベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして固定電極１７及び第１配線３２を形成する。固定電極１７及び第１配線３２を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。

次に、図２６に示すように、第１反射膜１４上に光吸収体１８を設置する。まず、固定電極１７を覆ってマスクを設置する。マスクは感光性の樹脂膜をスピンコーター等で成膜して公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして形成する。次に、マスク及び第１反射膜１４上に光吸収体１８の材料であるタングステンのベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法等の成膜方法を用いることができる。次に、マスクを除去して光吸収体１８を形成する。マスクは所定の除去液を用いて除去する。その結果、光吸収体１８がパターニングされる。

次に、図２７に示すように、光吸収体１８上に第１絶縁膜２１を設置する。まず、固定電極１７を覆ってマスクを設置する。マスクは感光性の樹脂膜をスピンコーター等で成膜して公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして形成する。次に、マスク及び光吸収体１８上に第１絶縁膜２１の材料である２酸化シリコンの膜を形成する。２酸化シリコンの膜の形成には蒸着法、スパッタ法、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法等の成膜方法を用いることができる。次に、マスクを除去して第１絶縁膜２１を形成する。マスクは所定の除去液を用いて除去する。その結果、第１絶縁膜２１がパターニングされる。

次に、図２８に示すように、第１絶縁膜２１上に第１電極２２、第２配線３３及び第１導電膜端子３５を設置する。まず、固定基板１２上にＩＴＯのベタ膜を重ねて積層する。成膜にはスパッタリング法、蒸着法、ＰＶＤ法やＣＶＤ法にて成膜する。次に、フォトレジストを塗布しマスクアライナーを用いて所定のパターンに露光する。次に、ＩＴＯをエッチングする。次に、フォトレジストを剥離することにより第１電極２２、第２配線３３及び第１導電膜端子３５が設置される。

次に、図２９に示すように、第１絶縁膜２１上に第１接合膜２３を設置する。第１接合膜２３にはシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜を成膜する。詳細には、第１接合膜２３が設置される領域だけが露出するパターンのレジストを形成する。次に、厚み寸法３０ｎｍのポリオルガノシロキサンを用いたプラズマ重合膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。そして、レジストを除去することで、可動基板１３を接合する面にプラズマ重合膜が設置される。

次に、図３０に示すように、固定基板１２と可動基板１３とを接合する。固定基板１２には第１接合膜２３が設置されており、可動基板１３には第２接合膜３１が設置されている。第１接合膜２３及び第２接合膜３１に活性化エネルギーを付与するために、Ｏ₂プラズマ処理またはＵＶ処理を行う。Ｏ₂プラズマ処理は、例えば、Ｏ₂流量３０ｃｃ／分、圧力２７Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理は、例えば、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて３分間処理を行う。第１接合膜２３及び第２接合膜３１に活性化エネルギーを付与した後、固定基板１２と可動基板１３とのアライメントを行う。次に、固定基板１２と可動基板１３とを重ね合わせて荷重をかけることにより、固定基板１２と可動基板１３とを接合する。これにより、第１接合膜２３及び第２接合膜３１が接合されて１つの接合膜となる。以上の工程により光フィルター１１が完成する。

続いて、図１及び図２に示すように、光フィルター１１を筐体２及び第２蓋体８で密閉する。まず、筐体２及び光フィルター１１を用意する。筐体２には第１蓋体３、第１端子５～第３端子７等が設置されている。尚、筐体２の製造方法は公知の方法を用いて製造することが可能であり説明を省略する。

次に、筐体２内の内部空間１０に光フィルター１１を配置し、図示しない固定治具を用いて筐体２と光フィルター１１との位置関係を固定する。固定基板１２の側面と筐体２との間に低融点ガラスペーストを配置する。続いて、低融点ガラスペーストを加熱してバインダー成分を蒸発させて除去する。

筐体２の内部には第１端子５～第３端子７と電気的に接続された端子が設置されている。これらの端子と可動基板の第１端子４２、第２端子３７及び第３端子４１を金線で接続する。金線の接続はワイヤーボンディング法を用いて行われる。金線が設置された後で固定治具を除去する。

次に、筐体２上に第２蓋体８を配置し、真空チャンバー装置等によって真空雰囲気に設定された環境下で加熱する。低融点ガラスペーストが溶融した後、徐冷する。これにより、筐体２に設置された低融点ガラスペーストが第２の低融点ガラス９になる。そして、内部空間１０が減圧された状態で光学モジュール１が封止される。以上の工程により光学モジュール１が完成する。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、光フィルター１１は第１反射体１５、第２反射体２５、第３反射体１６、第４反射体２６、光吸収体１８及び光吸収体２８を備えている。第１反射体１５と第２反射体２５とは対向配置されている。第１反射体１５及び第２反射体２５の一方から入射する光４３は第１反射体１５と第２反射体２５との間を往復する。このとき、第１反射体１５と第２反射体２５との間の距離と半波長の整数倍の長さが近い光４３は強め合う。従って、第１反射体１５と第２反射体２５との間の距離を調整することで特定の波長の光４３を取り出すことができる。

第３反射体１６及び第４反射体２６は第１反射体１５及び第２反射体２５と重ならない場所に設置されている。そして、第３反射体１６と第４反射体２６とは互いに対向配置されている。従って、第３反射体１６と第４反射体２６との間に進入した光は第３反射体１６と第４反射体２６との間を往復移動する。そして、第３反射体１６と第４反射体２６との間には光吸収体１８及び光吸収体２８が配置されている。第３反射体１６と第４反射体２６との間を往復移動する光４３は光吸収体１８及び光吸収体２８を通過するときに減衰する。

第１反射体１５と第２反射体２５との間から外れた光４３の波長は特定の波長と異なる波長である。そして、第１反射体１５と第２反射体２５との間から外れた光４３は光吸収体１８及び光吸収体２８を複数回通過することにより減衰する。従って、光フィルター１１は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制することができる。

（２）本実施形態によれば、光フィルター１１は固定基板１２及び可動基板１３を備えている。固定基板１２は第１反射体１５を支持し、可動基板１３は第２反射体２５を支持する。第１反射体１５及び第３反射体１６は固定基板１２の可動基板１３側の面に設置されている。従って、第１反射体１５及び第３反射体１６は同じ工程で製造できるので、第１反射体１５と第３反射体１６とを別々に製造するときに比べて生産性良く光フィルター１１を製造することができる。

第２反射体２５及び第４反射体２６は可動基板１３の固定基板１２側の面に設置されている。従って、第２反射体２５及び第４反射体２６は同じ工程で製造できるので、第２反射体２５と第４反射体２６とを別々に製造するときに比べて生産性良く第１反射体１５～第４反射体２６を製造することができる。

（３）本実施形態によれば、光フィルター１１は固定電極１７及び可動電極２７を備えている。固定電極１７は第１反射体１５の表面に設置され、可動電極２７は第２反射体２５の表面に設置されている。第１反射体１５及び第２反射体２５は対向配置されているので、第１反射体１５の固定電極１７及び第２反射体２５の可動電極２７も対向配置されている。このとき、対向する固定電極１７及び可動電極２７は電気的に電荷を蓄積するコンデンサーとして作用する。そして、第１反射体１５と第２反射体２５との距離の変化に伴ってコンデンサーの電気容量が変わる。従って、対向する固定電極１７及び可動電極２７間の電気容量を検出することで第１反射体１５と第２反射体２５との間の距離を検出できる。

固定電極１７の厚みは可動電極２７の厚みとおなじであり、ｄ１とする。固定電極１７及び可動電極２７は同じ材質であり、消衰係数をｋ１とする。光吸収体１８の厚みと光吸収体２８の厚みは同じであり、ｄ２とする。光吸収体１８の材質と光吸収体２８の材質は同じであり、光吸収体１８及び光吸収体２８の消衰係数をｋ２とする。そして、光フィルター１１は“ｋ１×ｄ１＜ｋ２×ｄ２”の条件を満たす。消衰係数と膜の厚みとを乗算した値が大きい膜は小さい膜に比べて膜が光４３を吸収する。そして、消衰係数と膜の厚みとを乗算した値は光吸収体１８及び光吸収体２８の方が固定電極１７及び可動電極２７より大きい。従って、光フィルター１１は光吸収体１８及び光吸収体２８を通過する光を固定電極１７及び可動電極２７を通過する光より多く減衰させることができる。

（４）本実施形態によれば、光吸収体１８及び光吸収体２８では消衰係数と膜の厚みとを乗算した値が１５ｎｍ以上かつ３０ｎｍ以下になっている。この条件のとき、光吸収体１８及び光吸収体２８は最大透過率が１／１００以下であり、第３反射体１６と第４反射体２６との間を通過する光４３を確実に低減できる。光吸収体１８及び光吸収体２８の膜厚を厚くしなくても良いので、光吸収体１８及び光吸収体２８の内部応力により固定基板１２または可動基板１３が反ることを抑制できる。

（５）本実施形態によれば、光フィルター１１は第１電極２２及び第２電極３０を備えている。そして、第１電極２２と第２電極３０との間に印加する電圧を調整することにより第１電極２２と第２電極３０との間の間隔が変化する。これにより、第１反射体１５と第２反射体２５との間の距離が調整できるので、第１反射体１５及び第２反射体２５を通過する光４３の波長を調整することができる。

そして、第３反射体１６には光吸収体１８、第１絶縁膜２１及び第１電極２２が重ねて設置されているので、第１電極２２から光吸収体１８に電気が流れることを抑制できる。第４反射体２６上には光吸収体２８、第２絶縁膜２９及び第２電極３０が重ねて設置されているので、第２電極３０から光吸収体２８に電気が流れることを抑制できる。

（６）本実施形態によれば、光吸収体１８及び光吸収体２８は金属膜である。金属膜はシリコン等の無機物に比べて消衰係数が高いので、光吸収体１８及び光吸収体２８を薄い膜にできる。その結果、光フィルター１１を薄くできる。

（７）本実施形態によれば、光吸収体１８及び光吸収体２８の厚みは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下になっている。光吸収体１８及び光吸収体２８の厚みは１ｎｍ以上なので、品質良く成膜することができる。また、光吸収体１８及び光吸収体２８の厚みが１０ｎｍ以下なので、光吸収体１８及び光吸収体２８の内部応力を小さくできる。従って、固定基板１２または可動基板１３が反ることを抑制できる。

（８）本実施形態によれば、第２反射体２５と第４反射体２６とは連続している。第２反射体２５と第４反射体２６との間に隙間があるとき、この隙間では光４３が第３反射体１６と第４反射体２６との間で反復して反射しないので、減衰しない。第２反射体２５と第４反射体２６とが連続しているときには第１反射体１５と第２反射体２５との間から外れた光４３を確実に減衰させることができる。

（９）本実施形態によれば、光学モジュール１は光フィルター１１及び筐体２を備えている。そして、光フィルター１１は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制することができる。従って、光学モジュール１は特定の波長以外の波長の光が通過することを抑制することができる。

（第２の実施形態）
次に、光フィルターの一実施形態について図３１の光フィルターの構造を示す模式側断面図を用いて説明する。
本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、固定基板１２の＋Ｚ方向側の面に光吸収体及び反射体が設置されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。

すなわち、本実施形態では、図３１に示すように、波長可変光フィルターとしての光フィルター６５の電極設置溝１２ｂには固定基板１２と第３反射体１６との間に光吸収体６６が設置されている。従って、電極設置溝１２ｂには光吸収体６６、第３反射体１６、光吸収体１８、第１絶縁膜２１及び第１電極２２がこの順に重ねて設置されている。光吸収体６６の平面形状は電極設置溝１２ｂと同じ円環状になっている。

固定基板１２の可動基板１３側と逆側の面に第５反射体６９が設置されている。第５反射体６９は第３反射体１６と対向配置されている。固定基板１２と第５反射体６９との間には光吸収体７０が設置されている。第３反射体１６と第５反射体６９との間には光吸収体６６及び光吸収体７０が配置されている。第３反射体１６と第５反射体６９との間に進入した光は第３反射体１６と第５反射体６９との間を往復移動する。そして、第３反射体１６と第５反射体６９との間には光吸収体６６及び光吸収体７０が配置されている。第３反射体１６と第５反射体６９との間を往復移動する光４３は光吸収体６６及び光吸収体７０を通過するときに減衰する。

第１反射体１５と第２反射体２５との間から外れた光４３の波長は特定の波長と異なる波長である。そして、第１反射体１５と第２反射体２５との間から外れた光４３の一部は光吸収体６６及び光吸収体７０を複数回通過することにより減衰する。従って、光フィルター６５は特定の波長以外の波長の光が通過することを、さらに、抑制することができる。

第３反射体１６の第５反射体６９側の面に光吸収体６６が設置されている。さらに、第５反射体６９の第３反射体１６側の面に光吸収体７０が設置されている。従って、光吸収体が２つ設置されている為、光吸収体が１つのときに比べて第３反射体１６と第５反射体６９との間を往復移動する光４３を確実に減衰させることができる。

固定基板１２の電極設置溝１２ｂ及び第１接合部１２ｃにおいて、固定基板１２と第３反射体１６との間に光吸収体６６が設置されている。そして、固定基板１２の可動基板１３側と逆側の面に第５反射体６９が設置されている。第５反射体６９は第３反射体１６と対向配置されている。固定基板１２と第５反射体６９との間には光吸収体７０が設置されている。第３反射体１６と第５反射体６９との間には光吸収体６６及び光吸収体７０が配置されている。従って、電極設置溝１２ｂ及び第１接合部１２ｃにおいても第３反射体１６と第５反射体６９との間を往復移動する光４３は光吸収体６６及び光吸収体７０を通過するときに減衰する。

固定基板１２の可動基板１３側と逆側の面には第１反射体１５と対向する場所に光吸収体７０が設置されている。光吸収体７０は開口７１を有する。光吸収体７０は開口７１を有し、第１反射体１５及び第２反射体２５に光が出入りする範囲を限定する。

固定基板１２の可動基板１３側と逆側の面に光吸収体７０が設置されるとき、第１反射体１５と対向する場所に設置された光吸収体７０は固定基板１２と第５反射体６９との間に設置された光吸収体７０と同じ工程で製造することができる。その結果、第１反射体１５と対向する場所に設置された光吸収体７０を第３反射体１６と対向する場所に設置された光吸収体７０と別々の工程で製造するときに比べて生産性良く光フィルター６５を製造することができる。

図３２は第３反射体及び第５反射体の構造を示す要部模式断面図である。図３２に示すように、電極設置溝１２ｂでは固定基板１２上に光吸収体６６、第３反射体１６、光吸収体１８、第１絶縁膜２１及び第１電極２２が重ねて設置されている。第３反射体１６は２酸化シリコン層１６ａとシリコン層１６ｂとが交互に積層されている。

電極設置溝１２ｂと対向する場所の固定基板１２では固定基板１２上に光吸収体７０及び第５反射体６９が重ねて設置されている。第５反射体６９は２酸化シリコン層６９ａとシリコン層６９ｂとが交互に積層されている。積層される層の個数は特に限定されないが本実施形態では、例えば、２酸化シリコン層６９ａが４層であり、シリコン層６９ｂが３層になっている。このとき、第５反射体６９は高い反射率で光４３を反射することができる。

（第３の実施形態）
次に、光フィルターの一実施形態について図３３の光フィルターの構造を示す模式側断面図を用いて説明する。
本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、第４反射体２６及び光吸収体２８が固定基板１２の＋Ｚ方向側の面に移設されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。

すなわち、本実施形態では、図３３に示すように、光フィルター７４は固定基板１２及び可動基板１３を備えている。固定基板１２は第１反射体１５を支持し、可動基板１３は第２反射体２５を支持する。固定基板１２の可動基板１３側と逆側の面は段差のない面になっている。

固定基板１２の可動基板１３側の面に第１反射体１５及び第３反射体１６が設置されている。固定基板１２の電極設置溝１２ｂには光吸収体６６、第３反射体１６及び第１電極２２がこの順に重ねて設置されている。固定基板１２の可動基板１３側と逆側の面に光吸収体７５及び第４反射体７６がこの順に重ねて設置されている。

第１反射体１５及び第３反射体１６は固定基板１２の可動基板１３側の面に設置されている。従って、第１反射体１５及び第３反射体１６は同じ工程で製造できるので、第１反射体１５と第３反射体１６とを別々に製造するときに比べて生産性良く製造することができる。

固定基板１２の可動基板１３側と逆側の面は段差のない面である。段差がある面に第４反射体７６を成膜するとき、膜厚が薄い場所ができるので膜の品質が低下する。そして、第４反射体７６は固定基板１２の可動基板１３側と逆側の面に設置されている。この面は段差のない面なので第４反射体７６を品質良く成膜することができる。

第４反射体７６及び光吸収体７５は固定基板１２の可動基板１３側と逆側の面に設置されている。固定基板１２の可動基板１３側と逆側の面は固定基板１２と可動基板１３とを組み合わせたときに外側を向く面である。従って、第４反射体７６及び光吸収体７５は固定基板１２と可動基板１３とを組み合わせた後にも組み合わせる前にも設置できる。その結果、光フィルター７４の製造工程の自由度を高くすることができる。

光吸収体６６及び光吸収体７５は第３反射体１６と第４反射体７６との間に配置されている。そして、第３反射体１６と第４反射体７６とは互いに対向配置されている。従って、第３反射体１６と第４反射体７６との間に進入した光４３は第３反射体１６と第４反射体７６との間を往復移動する。そして、第３反射体１６と第４反射体７６との間には光吸収体６６及び光吸収体７５が配置されている。第３反射体１６と第４反射体７６との間を往復移動する光は光吸収体６６及び光吸収体７５を通過するときに減衰する。

第１反射体１５と第２反射体２５との間から外れた光４３の波長は特定の波長と異なる波長である。そして、第１反射体１５と第２反射体２５との間から外れた光４３は光吸収体６６及び光吸収体７５を複数回通過することにより減衰する。従って、光フィルター７４は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制することができる。

図３４は第３反射体及び第４反射体の構造を示す要部模式断面図である。図３４に示すように、電極設置溝１２ｂでは固定基板１２上に光吸収体６６、第３反射体１６及び第１電極２２が重ねて設置されている。第３反射体１６は２酸化シリコン層１６ａとシリコン層１６ｂとが交互に積層されている。

電極設置溝１２ｂと対向する場所の固定基板１２では固定基板１２上に光吸収体７５及び第４反射体７６が重ねて設置されている。第４反射体７６は２酸化シリコン層７６ａとシリコン層７６ｂとが交互に積層されている。積層される層の個数は特に限定されないが本実施形態では、例えば、２酸化シリコン層７６ａが４層であり、シリコン層７６ｂが３層になっている。このとき、第４反射体７６は高い反射率で光４３を反射することができる。

（第４の実施形態）
次に、光フィルターの一実施形態について図３５の光フィルターの構造を示す模式側断面図を用いて説明する。
本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、電極設置溝１２ｂの側面にも第３反射体１６及び光吸収体８０が設置されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。

すなわち、本実施形態では、図３５に示すように、光フィルター７９の電極設置溝１２ｂでは固定基板１２上に第３反射体１６、光吸収体８０、第１絶縁膜８１がこの順に重ねて設置されている。さらに、電極設置溝１２ｂでは反射膜設置部１２ａ側の側面にも第３反射体１６、光吸収体８０、第１絶縁膜８１がこの順に重ねて設置されている。さらに、電極設置溝１２ｂでは第１接合部１２ｃ側の側面にも第３反射体１６、光吸収体８０、第１絶縁膜８１がこの順に重ねて設置されている。

従って、第２反射体２５と第１反射体１５とが対向する場所を除いて、電極設置溝１２ｂを囲む面はほぼ光吸収体８０及び光吸収体２８と第３反射体１６及び第４反射体２６とに囲まれている。従って、第２反射体２５及び第１反射体１５から電極設置溝１２ｂに進行する迷光４４は反射体で反射を繰りかえす間に光吸収体８０及び光吸収体２８に吸収されて減衰する。従って、光フィルター７９は特定の波長以外の波長の迷光４４が通過することを抑制することができる。

（第５の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１、を備えた測色装置の一実施形態について図３６を用いて説明する。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。

（測色装置）
図３６は、測色装置の構成を示すブロック図である。図３６に示すように、電子機器としての測色装置１２０は、測定対象物１２１に光４３を射出する光源装置１２２と、測色センサー１２３と、測色装置１２０の全体動作を制御する制御装置１２４とを備える。そして、この測色装置１２０は光源装置１２２から射出される光を測定対象物１２１にて反射させる。反射された検査対象光を測色センサー１２３が受光する。測色センサー１２３から出力される検出信号に基づいて測色装置１２０は検査対象光の色度すなわち測定対象物１２１の色を分析して測定する。

光源装置１２２は光源１２５及び複数のレンズ１２６（図中には１つのみ記載）を備え、測定対象物１２１に対して例えば白色光等の基準光を射出する。また、複数のレンズ１２６にはコリメーターレンズが含まれてもよい。この場合、光源１２５から射出された基準光をコリメーターレンズが平行光にし、光源装置１２２は図示しない投射レンズから測定対象物１２１に向かって光４３を射出する。尚、本実施形態では、光源装置１２２を備える測色装置１２０を例示するが、例えば測定対象物１２１が液晶パネル等の発光部材である場合、光源装置１２２が設けられない構成としてもよい。

測色センサー１２３は光学モジュールとしての光フィルター１２７と、光フィルター１２７を透過する光を受光するディテクター１２８と、光フィルター１２７を透過させる光４３の波長を制御する制御部としての波長制御部１２９とを備える。光フィルター１２７には上記の光学モジュール１が用いられている。波長制御部１２９は光フィルター１２７を制御する。

また、測色センサー１２３は、光フィルター１２７に対向する場所に図示しない入射光学レンズを備えている。入射光学レンズは測定対象物１２１で反射された反射光（検査対象光）を測色センサー１２３の内部に導光する。そして、測色センサー１２３では入射光学レンズから入射した検査対象光のうち所定の波長の光４３を光フィルター１２７が分光し、分光した光をディテクター１２８が受光する。

制御装置１２４は測色装置１２０の全体動作を制御する。この制御装置１２４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや携帯情報端末の他にも測色専用コンピューター等を用いることができる。そして、制御装置１２４は光源制御部１３０、測色センサー制御部１３１及び測色処理部１３２等を備えて構成されている。光源制御部１３０は光源装置１２２に接続され、例えば、操作者の設定入力に基づいて光源装置１２２に所定の制御信号を出力して所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部１３１は測色センサー１２３の波長制御部１２９に接続されている。例えば、操作者の設定入力に基づいて測色センサー１２３にて受光させる光の波長を測色センサー制御部１３１が設定する。そして、設定した波長の光４３の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー制御部１３１が波長制御部１２９に出力する。これにより、制御信号に基づいて波長制御部１２９は光フィルター１２７を駆動させる。測色処理部１３２は、ディテクター１２８により検出された受光量から、測定対象物１２１の色度を分析する。

光フィルター１２７には上記の光学モジュール１が用いられている。そして、光学モジュール１は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制できるモジュールとなっている。従って、測色装置１２０は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制できる光学モジュール１を備えた電子機器とすることができる。

（第６の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１を備えたガス検出装置の一実施形態について図３７及び図３８を用いて説明する。このガス検出装置は、例えば、特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等に用いられる。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。

図３７は、ガス検出装置の構成を示す模式正面図であり、図３８は、ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。図３７に示すように、電子機器としてのガス検出装置１３５はセンサーチップ１３６と吸引口１３７ａ、吸引流路１３７ｂ、排出流路１３７ｃ及び排出口１３７ｄを備えた流路１３７と本体部１３８とを有する構成となっている。

本体部１３８は、センサー部カバー１３９、排出手段１４０及び筐体１４１を備えている。センサー部カバー１３９を開閉することにより、流路１３７を着脱することが可能になっている。さらに、本体部１３８は光学部１４２、フィルター１４３、光学モジュールとしての光フィルター１４４、受光素子１４５（検出部）等を含む検出装置を備えている。光フィルター１４４には上記の光学モジュール１が用いられている。

さらに、本体部１３８は検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部１４６（処理部）及び電力を供給する電力供給部１４７等を備えている。光学部１４２は、光４３を射出する光源１４８、ビームスプリッター１４９、レンズ１５０、レンズ１５１及びレンズ１５２により構成されている。ビームスプリッター１４９は光源１４８から入射された光４３をセンサーチップ１３６側に反射し、センサーチップ側から入射された光４３を受光素子１４５側に透過する。

図３８に示すように、ガス検出装置１３５には操作パネル１５５、表示部１５６、外部とのインターフェイスのための接続部１５７及び電力供給部１４７が設けられている。電力供給部１４７が二次電池の場合には充電のための接続部１５８を備えてもよい。更に、ガス検出装置１３５の制御部１４６は、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１５９及び光源１４８を制御するための光源ドライバー回路１６０を備えている。更に、制御部１４６は光フィルター１４４を制御するための制御部としての波長制御部１６１、受光素子１４５からの信号を受信する受光回路１６２を備えている。波長制御部１６１は光フィルター１４４を制御する。更に、制御部１４６はセンサーチップ１３６のコードを読み取り、センサーチップ１３６の有無を検出するセンサーチップ検出器１６３からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１６４を備えている。更に、制御部１４６は排出手段１４０を制御する排出ドライバー回路１６５等を備えている。

次に、ガス検出装置１３５の動作について説明する。本体部１３８の上部のセンサー部カバー１３９の内部にはセンサーチップ検出器１６３が設けられている。センサーチップ検出器１６３によりセンサーチップ１３６の有無が検出される。信号処理部１５９はセンサーチップ検出器１６３からの検出信号を検出するとセンサーチップ１３６が装着された状態であると判断する。そして、信号処理部１５９は表示部１５６へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。

そして、操作者により操作パネル１５５が操作され、操作パネル１５５から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１５９へ出力される。まず、信号処理部１５９は光源ドライバー回路１６０に光源駆動の指示信号を出力して光源１４８を作動させる。光源１４８が駆動されると、光源１４８から単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。光源１４８には温度センサーや光量センサーが内蔵されており、センサーの情報が信号処理部１５９へ出力される。光源１４８から入力された温度や光量に基づいて、光源１４８が安定動作していると信号処理部１５９が判断すると、信号処理部１５９は排出ドライバー回路１６５を制御して排出手段１４０を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１３７ａから吸引流路１３７ｂ、センサーチップ１３６内、排出流路１３７ｃ、排出口１３７ｄへと誘導される。尚、吸引口１３７ａには、除塵フィルター１３７ｅが設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気等が除去される。

センサーチップ１３６は金属ナノ構造体が複数組み込まれた素子であり、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１３６ではレーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成される。この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は光学部１４２を通ってフィルター１４３に入射する。フィルター１４３によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が光フィルター１４４に入射する。

そして、信号処理部１５９は波長制御部１６１に対して制御信号を出力する。これにより、波長制御部１６１は光フィルター１４４のアクチュエーターを駆動させて検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を光フィルター１４４に分光させる。分光した光４３が受光素子１４５にて受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１６２を介して信号処理部１５９に出力される。

信号処理部１５９は、得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータとＲＯＭに格納されているデータとを比較する。そして、検出対象となるガス分子が目的のガス分子か否かを判定し物質の特定をする。また、信号処理部１５９は表示部１５６にその結果情報を表示し、接続部１５７から外部へ出力する。

ラマン散乱光を光フィルター１４４により分光し、分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１３５を例示した。ガス検出装置１３５はガス固有の吸光度を検出してガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーに光フィルター１４４を用いる。そして、ガス検出装置はガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別する電子機器である。ガス検出装置１３５はこのような構成にすることで光フィルター１４４を用いてガスの成分を検出することができる。

光フィルター１４４には上記の光学モジュール１が用いられている。そして、光学モジュール１は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制できるモジュールとなっている。従って、ガス検出装置１３５は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制できる光学モジュール１を備えた電子機器とすることができる。

（第７の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１を備えた食物分析装置の一実施形態について図３９を用いて説明する。上記の光学モジュール１は近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や食物、生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の物質成分分析装置に用いることができる。食物分析装置は物質成分分析装置の１種である。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。

図３９は、食物分析装置の構成を示すブロック図である。図３９に示すように、電子機器としての食物分析装置１６８は検出器１６９、制御部１７０及び表示部１７１を備えている。検出器１６９は光４３を射出する光源１７２、測定対象物１７３からの光４３が導入される撮像レンズ１７４、撮像レンズ１７４から導入された光を分光する光学モジュールとしての光フィルター１７５を備えている。光フィルター１７５には上記の光学モジュール１が用いられている。さらに、検出器１６９は分光された光を検出する撮像部１７６（検出部）を備えている。

制御部１７０は光源１７２の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部１７７及び光フィルター１７５を制御する制御部としての波長制御部１７８を備えている。波長制御部１７８は光フィルター１７５を制御する。さらに、制御部１７０は撮像部１７６を制御して撮像部１７６で撮像された分光画像を取得する検出制御部１７９、信号処理部１８０及び記憶部１８１を備えている。

食物分析装置１６８を駆動させると光源制御部１７７により光源１７２が制御されて光源１７２から測定対象物１７３に光４３が照射される。そして、測定対象物１７３で反射された光４３は撮像レンズ１７４を通って光フィルター１７５に入射する。光フィルター１７５は波長制御部１７８の制御により駆動される。これにより、光フィルター１７５から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光４３は、例えば、ＣＣＤカメラ等により構成される撮像部１７６に撮像される。また、撮像された光４３は分光画像として記憶部１８１に蓄積される。また、信号処理部１８０は波長制御部１７８を制御して光フィルター１７５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。

そして、信号処理部１８０は記憶部１８１に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部１８１にはスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されている。記憶部１８１に記憶された食物に関する情報を基に信号処理部１８０は求めたスペクトルのデータを分析する。そして、信号処理部１８０は測定対象物１７３に含まれる食物成分と各食物成分含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から信号処理部１８０は食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。更に、画像内のスペクトル分布を分析することで、信号処理部１８０は検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができる。更には、信号処理部１８０は食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。そして、信号処理部１８０は上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部１７１に表示させる処理をする。

光フィルター１７５には上記の光学モジュール１が用いられている。そして、光学モジュール１は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制できるモジュールとなっている。従って、食物分析装置１６８は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制できる光学モジュール１を備えた電子機器とすることができる

また、食物分析装置１６８の他にも略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば、血液等の体液成分を測定する装置に食物分析装置１６８を用いることができる。他にも、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置に食物分析装置１６８を用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。

更には、上記の光学モジュール１を用いた電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、上記の光学モジュール１により特定波長の光を分光する。そして、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このように上記の光学モジュール１でデータを抽出する電子機器により各波長の光のデータを処理することで、複数波長の光通信を実施することもできる。

（第８の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１を備えた分光カメラの一実施形態について図４０を用いて説明する。光４３を分光させて分光画像を撮像する分光カメラや分光分析機等に上記の光学モジュール１を用いることができる。このような分光カメラの一例として、上記の光学モジュール１を内蔵した赤外線カメラが挙げられる。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。

図４０は、分光カメラの構成を示す概略斜視図である。図４０に示すように、電子機器としての分光カメラ１８４はカメラ本体１８５、撮像レンズユニット１８６及び撮像部１８７を備えている。カメラ本体１８５は操作者により把持され操作される部分である。

撮像レンズユニット１８６はカメラ本体１８５に接続され、入射した画像光を撮像部１８７に導光する。また、この撮像レンズユニット１８６は対物レンズ１８８、結像レンズ１８９及びこれらのレンズ間に設けられた光学モジュールとしての光フィルター１９０を備えて構成されている。光フィルター１９０には上記の光学モジュール１が用いられている。さらに、カメラ本体１８５には光フィルター１９０が分光する光の波長を制御する制御部としての波長制御部１９１が設置されている。波長制御部１９１は光フィルター１９０を制御する。

撮像部１８７は受光素子により構成され、撮像レンズユニット１８６により導光された画像光を撮像する。分光カメラ１８４では光フィルター１９０が撮像対象となる波長の光を透過させて、撮像部１８７が所望の波長の光の分光画像を撮像する。

光フィルター１９０には上記の光学モジュール１が用いられている。そして、光学モジュール１は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制できるモジュールとなっている。従って、分光カメラ１８４は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制できる光学モジュール１を備えた電子機器とすることができる。

更には、光フィルター１９０を組み合わせた光学モジュールをバンドパスフィルターとして用いてもよい。例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを光フィルター１９０で分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。また、光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた血管、指紋、網膜及び虹彩等の認証装置にも適用できる。更には、光学モジュールを濃度検出装置に用いることができる。この場合、上記の光学モジュール１により物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。

上記に示すように、上記の光学モジュール１は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、上記の光学モジュール１は上記のように複数の波長を効率良く分光させることができる。このため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を効率よく実施することができる。したがって、単一波長を分光させる複数の光学モジュールにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。このときにも、上記の光学モジュール１は特定の波長以外の波長の光４３が通過することを抑制できる為、これらの光学モジュールを用いた電子機器は複数の波長の光を精度良く取り出して利用することができる。

尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、可動基板１３が板状の基板であった。可動基板１３を膜状にしてもよい。このときにも、第３反射体１６、光吸収体１８、光吸収体２８及び第２反射膜２４を設置することにより、迷光４４を効率よく減衰させることができる。

（変形例２）
前記第１の実施形態では、第３反射体１６と第２反射膜２４との間に光吸収体１８及び光吸収体２８を設置した。第３反射体１６と第２反射膜２４との間には光吸収体１８と光吸収体２８とのうちの一方だけ設置してもよい。このときにも、第３反射体１６と第２反射膜２４との間で反射する迷光４４を減衰させることができる。

同様に、前記第２の実施形態では、第３反射体１６と第５反射体６９との間に光吸収体６６及び光吸収体７０を設置した。第３反射体１６と第５反射体６９との間には光吸収体６６と光吸収体７０とのうちの一方だけ設置してもよい。このときにも、第３反射体１６と第５反射体６９との間で反射する迷光４４を減衰させることができる。

同様に、前記第３の実施形態では、第３反射体１６と第４反射体７６との間に光吸収体６６及び光吸収体７５を設置した。第３反射体１６と第４反射体７６との間には光吸収体６６と光吸収体７５とのうちの一方だけ設置してもよい。このときにも、第３反射体１６と第４反射体７６との間で反射する迷光４４を減衰させることができる。

（変形例３）
前記第１の実施形態では、固定電極１７及び第１電極２２の材質にＩＴＯを用いた。固定電極１７及び第１電極２２の材質にＴｉＷ膜及び金膜等の金属膜を用いても良い。第１電極２２の材質を固定電極１７と同じにしてもよい。そして、第１電極２２と固定電極１７とを同じ工程で設置しても良い。第１電極２２と固定電極１７とを別々に設置するときに比べて生産性良く第１電極２２及び固定電極１７を設置できる。

同様に、可動電極２７及び第２電極３０の材質にＩＴＯを用いた。可動電極２７及び第２電極３０の材質にＴｉＷ膜及び金膜等の金属膜を用いても良い。第２電極３０の材質を可動電極２７と同じにしてもよい。そして、第２電極３０と可動電極２７とを同じ工程で設置しても良い。第２電極３０と可動電極２７とを別々に設置するときに比べて生産性良く第２電極３０及び可動電極２７を設置できる。

（変形例４）
前記第１の実施形態では、第１反射膜１４、第１反射体１５及び第３反射体１６はシリコン層と２酸化シリコン層とが多層に積層された多層膜ミラーになっていた。同様に、第２反射膜２４、第２反射体２５及び第４反射体２６もシリコン層と２酸化シリコン層とが多層に積層された多層膜ミラーになっていた。第１反射膜１４、第１反射体１５、第３反射体１６、第２反射膜２４、第２反射体２５及び第４反射体２６は反射率の高い材質であれば良く特に限定されない。例えば、金膜、ＴｉＷ膜や金とＴｉＷとの合金膜、銀合金膜等の金属膜を用いることができる。

１…光学モジュール、２…筐体、１１，６５…波長可変光フィルターとしての光フィルター、１２…第１基板としての固定基板、１３…第２基板としての可動基板、１５…第１反射体、１６…第３反射体、１７…表面膜としての固定電極、１８，２８，６６，７０，７５…光吸収体、２１…絶縁膜としての第１絶縁膜、２２…第１電極、２５…第２反射体、２６…第４反射体、２７…表面膜としての可動電極、２９…絶縁膜としての第２絶縁膜、３０…第２電極、４３…光、６９…第５反射体、７１…開口、１２０…電子機器としての測色装置、１２７，１４４，１７５，１９０…光学モジュールとしての光フィルター、１２９，１６１，１７８，１９１…制御部としての波長制御部、１３５…電子機器としてのガス検出装置、１６８…電子機器としての食物分析装置、１８４…電子機器としての分光カメラ。

Claims

第１基板と、
前記第１基板と対向した第２基板と、
前記第１基板の前記第２基板側の面に、反射膜設置部と、第一接合部と、電極設置溝と、を有し、
前記反射膜設置部上、前記第１接合部上、前記電極設置溝、前記第１接合部の前記電極設置溝側の側面、及び前記反射膜設置部の前記電極設置溝側の側面に第１反射膜が設置されており、
前記第２基板の前記第１基板側の面に第２反射膜が設置されており、
前記第１反射膜のうち、前記反射膜設置部に設けられた前記第１反射体と、
前記第２反射膜のうち、前記第１反射体と対向配置された第２反射体と、
前記第１反射膜のうち、前記第１反射体及び前記第２反射体と重ならない場所に設置された第３反射体と、
前記第２反射膜のうち、前記第３反射体と対向配置された第４反射体と、
前記第３反射体と前記第４反射体との間に配置された光吸収体であって、光吸収体の厚みをｄ２、光吸収体の消衰係数をｋ２としたとき、測定に用いる光の波長範囲において１５ｎｍ＝＜ｋ２×ｄ２＝＜３０ｎｍを満たす光吸収体と、を備え、
前記第３反射体上には前記光吸収体、絶縁膜及び第１電極が重ねて設置され、
前記第４反射体上には前記光吸収体、絶縁膜及び第２電極が重ねて設置され、
前記第１電極と前記第２電極の間に電圧を印加することにより前記第１反射体と前記第２反射体との間隔、と前記第３反射体と前記第４反射体との間隔が変化し、
前記第１反射体及び前記第２反射体は、前記第１反射体及び前記第２反射体の一方から光が入射すると、当該光を前記第１反射体と前記第２反射体との間で多重反射させて特定の波長の光を通過させ、
前記第３反射体、前記第４反射体及び前記光吸収体は、前記第３反射体及び前記第４反射体の間に進入した光を前記第３反射体と前記第４反射体との間で多重反射させ、前記光吸収体を通過させて減衰させることを特徴とする波長可変光フィルター。
請求項１に記載の波長可変光フィルターであって、
前記第１基板の前記第２基板側と逆側の面に前記第３反射体と対向配置された第５反射体を備え、
前記第３反射体と前記第５反射体との間に他の光吸収体が配置され、
前記第３反射体、前記第５反射体及び前記他の光吸収体は、前記第３反射体及び前記第５反射体の間に進入した光を前記第３反射体と前記第５反射体との間で多重反射させ、前記他の光吸収体を通過させて減衰させることを特徴とする波長可変光フィルタ。
請求項２に記載の波長可変光フィルターであって、
前記他の光吸収体は前記第３反射体の前記第５反射体側の面と前記第５反射体の前記第３反射体側の面とに配置されていることを特徴とする波長可変光フィルター。
請求項１～３のいずれか一項に記載の波長可変光フィルターであって、
前記第１反射体の表面及び前記第２反射体の表面に設置された表面膜、を備え、
前記表面膜の厚みをｄ１、前記表面膜の消衰係数をｋ１、前記光吸収体の厚みをｄ２、前記光吸収体の消衰係数をｋ２とするとき、ｋ１×ｄ１＜ｋ２×ｄ２の条件を満たすことを特徴とする波長可変光フィルター。
請求項１～４のいずれか一項に記載の波長可変光フィルターであって、
前記光吸収体は金属膜であることを特徴とする波長可変光フィルター。
請求項１に記載の波長可変光フィルターであって、
前記光吸収体の厚みは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする波長可変光フィルター。
請求項２または３に記載の波長可変光フィルターであって、
前記第１基板の前記第２基板側と逆側の面には前記第１反射体と対向する場所に前記他の光吸収体が設置され、
前記他の光吸収体は開口を有することを特徴とする波長可変光フィルター。
請求項１～７のいずれか一項に記載の波長可変光フィルターと、
内部空間を有し前記内部空間に前記波長可変光フィルターを収納する筐体と、を備えることを特徴とする光学モジュール。
請求項８に記載の光学モジュールと、
前記光学モジュールを制御する制御部と、を備えることを特徴とする電子機器。