JP7051301B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7051301B2 JP7051301B2 JP2017073034A JP2017073034A JP7051301B2 JP 7051301 B2 JP7051301 B2 JP 7051301B2 JP 2017073034 A JP2017073034 A JP 2017073034A JP 2017073034 A JP2017073034 A JP 2017073034A JP 7051301 B2 JP7051301 B2 JP 7051301B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window member
- film
- support portion
- gas space
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
内部を真空とすることが可能な真空容器と、
一端の開口が、前記真空容器の内部に設けられた筒部と、
前記筒部に設けられ、プロセスガスが導入されるガス空間と前記ガス空間の外部との間を仕切る窓部材と、
前記ガス空間の外部であって前記窓部材の近傍に配置され、電力が印加されることにより、前記ガス空間のプロセスガスに誘導結合プラズマを発生させるアンテナと、
を有し、
前記筒部には、前記窓部材を支持する支持部が設けられ、
前記支持部と前記窓部材との間に、前記ガス空間と外部との間を封止するシール部材が設けられ、
前記支持部は、
前記シール部材が嵌め込まれる溝と、
前記溝よりも前記支持部における外部側に、前記窓部材に対向する第1の対向面と、
前記溝よりも前記支持部における前記ガス空間側に、前記窓部材に対向する第2の対向面と、
を有し、
前記第2の対向面が、前記第1の対向面よりも前記窓部材から離隔した位置に設けられており、前記真空容器内が減圧されることにより、大気圧により押圧された前記窓部材と前記第2の対向面とが非接触となるように、前記第2の対向面と前記窓部材との間に間隙が設けられていることを特徴とする。
[概要]
図1に示すプラズマ処理装置100は、個々のワークWの表面に、プラズマを利用して化合物膜を形成する装置である。つまり、プラズマ処理装置100は、図1~図3に示すように、回転体31が回転すると、保持部33に保持されたトレイ34上のワークWが円周の軌跡で移動して、成膜部40A、40B又は40Cに対向する位置を繰り返し通過する毎に、スパッタリングによりターゲット41A~41Cの粒子をワークWの表面に付着させる。また、ワークWは膜処理部50A又は50Bに対向する位置を繰り返し通過する毎に、ワークWの表面に付着した粒子は、導入されたプロセスガスG2中の物質と化合して化合物膜となる。
このようなプラズマ処理装置100は、図1~図3に示すように、真空容器20、搬送部30、成膜部40A、40B、40C、膜処理部50A、50B、ロードロック部60、制御装置70を有する。
真空容器20は、内部を真空とすることが可能な容器、所謂、チャンバである。真空容器20は、内部に真空室21が形成される。真空室21は、真空容器20の内部の天井20a、内底面20b及び内周面20cにより囲まれて形成される円柱形状の密閉空間である。真空室21は、気密性があり、減圧により真空とすることができる。なお、真空容器20の天井20aは、開閉可能に構成されている。
搬送部30は、真空容器20内に設けられ、ワークWを搭載する回転体31を有し、回転体31を回転させることによりワークWを円周の搬送経路Tで循環搬送させる装置である。循環搬送は、ワークWを円周の軌跡で繰り返し周回移動させることをいう。搬送経路Tは、搬送部30によってトレイ34が移動する軌跡である。
成膜部40A、40B、40Cは、搬送経路Tを循環搬送されるワークWに対向する位置に設けられ、スパッタリングによりワークWに成膜材料を堆積させて膜を形成する処理部である。以下、複数の成膜部40A、40B、40Cを区別しない場合には、成膜部40として説明する。成膜部40は、図3に示すように、スパッタ源4、区切部44、電源部6を有する。
スパッタ源4は、電子部品10にスパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜材料の供給源である。スパッタ源4は、図2及び図3に示すように、ターゲット41A、41B、41C、バッキングプレート42、電極43を有する。ターゲット41A、41B、41Cは、ワークWに堆積されて膜となる成膜材料によって形成され、搬送経路Tに離隔して対向する位置に配置されている。
区切部44は、スパッタ源4によりワークWが成膜される成膜ポジションM2、M4、M5、膜処理を行う膜処理ポジションM1、M3を仕切る部材である。区切部44は、図2に示すように、搬送部30の回転体31の回転中心から、放射状に配設された方形の壁板である。区切部44は、例えば、図1に示すように、真空室21の天井20aの膜処理部50A、成膜部40A、膜処理部50B、成膜部40B、成膜部40Cの間に設けられている。区切部44の下端は、ワークWが通過する隙間を空けて、回転体31に対向している。この区切部44があることによって、成膜ポジションM2、M4、M5の反応ガスG及び成膜材料が真空室21に拡散することを抑制できる。
電源部6は、ターゲット41に電力を印加する構成部である。この電源部6によってターゲット41に電力を印加することにより、スパッタガスG1をプラズマ化させ、成膜材料を、ワークWに堆積させることができる。各ターゲット41A、41B、41Cに印加する電力は、個別に変えることができる。本実施形態においては、電源部6は、例えば、高電圧を印加するDC電源である。なお、高周波スパッタを行う装置の場合には、RF電源とすることもできる。回転体31は、接地された真空容器20と同電位であり、ターゲット41側に高電圧を印加することにより、電位差を発生させている。これにより、可動の回転体31をマイナス電位とするために電源部6と接続する困難さを回避している。
膜処理部50A、50Bは、搬送部30により搬送されるワークWに堆積した材料に対して膜処理を行う処理部である。この膜処理は、ターゲット41を用いない逆スパッタである。膜処理部50は、処理ユニット5を有する。この処理ユニット5の構成例を図3~図6を参照して説明する。
ロードロック部60は、真空室21の真空を維持した状態で、図示しない搬送手段によって、外部から未処理のワークWを搭載したトレイ34を、真空室21に搬入し、処理済みのワークWを搭載したトレイ34を真空室21の外部へ搬出する装置である。このロードロック部60は、周知の構造のものを適用することができるため、説明を省略する。
制御装置70は、プラズマ処理装置100の各部を制御する装置である。この制御装置70は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって構成できる。つまり、真空室21へのスパッタガスG1及びプロセスガスG2の導入および排気に関する制御、電源部6、RF電源55aの制御、回転体31の回転の制御などに関しては、その制御内容がプログラムされており、PLCやCPUなどの処理装置により実行されるものであり、多種多様なプラズマ処理の仕様に対応可能である。
以上のような本実施形態の動作を、上記の図1~図11を参照して以下に説明する。なお、図示はしないが、プラズマ処理装置100には、コンベア、ロボットアーム等の搬送手段によって、ワークWを搭載したトレイ34の搬入、搬送、搬出が行われる。
(1)本実施形態は、内部を真空とすることが可能な真空容器20と、真空容器20内に設けられ、ワークWを搭載して回転する回転体31を有し、回転体31を回転させることによりワークWを円周の搬送経路で循環搬送させる搬送部30と、一端の開口が、真空容器20の内部の搬送経路Tに向かう方向に延在した筒部Hと、筒部Hに設けられ、筒部Hの内部と回転体31との間のプロセスガスG2が導入されるガス空間Rとガス空間Rの外部との間を仕切る窓部材52と、ガス空間Rの外部であって窓部材52の近傍に配置され、電力が印加されることにより、ガス空間Rのプロセスガスに、搬送経路Tを通過するワークWをプラズマ処理するための誘導結合プラズマを発生させるアンテナ55と、を有する。
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような態様も含む。
(1)支持部510の形状については、少なくとも、ガス空間R側の支持部510が、大気圧により押圧された窓部材52が非接触となる形状であればよい。このため、図13(A)、(B)に示すように、棚面510B、棚面510Cを省略して、窓部材52に対して、外部側の第1の対向面511aよりも、ガス空間R側の第2の対向面511bが離隔している形状としてもよい。これにより、角部の低減による電界集中の緩和となる。また、ガス空間R側の支持部510の角部に丸みを形成することにより、窓部材52との距離を確保して、接触を防止してもよい。
20 真空容器
20a 天井
20b 内底面
20c 内周面
21 真空室
21b シール部材
22 排気口
23 排気部
24 導入口
25 ガス供給部
30 搬送部
31 回転体
32 モータ
33 保持部
34 トレイ
40、40A、40B、40C 成膜部
4 スパッタ源
41、41A、41B、41C ターゲット
42 バッキングプレート
43 電極
44 区切部
5 処理ユニット
51 筒状体
51a 開口
510 支持部
510A、510B、510C 棚面
511a 第1の対向面
511b 第2の対向面
511c 溝
512 供給口
513 シート
52 窓部材
53 供給部
53b 配管
54 調節部
54a MFC
55 アンテナ
55a RF電源
55b マッチングボックス
551、551a~d 導体
552 コンデンサ
56 冷却部
57 分散部
57a 分散板
6 電源部
60 ロードロック部
70 制御装置
71 機構制御部
72 電源制御部
73 ガス制御部
74 記憶部
75 設定部
76 入出力制御部
77 入力装置
78 出力装置
E 排気
T 搬送経路
M1、M3 膜処理ポジション
M2、M4、M5 成膜ポジション
G 反応ガス
G1 スパッタガス
G2 プロセスガス
F 成膜領域
H 筒部
Hо 開口
R ガス空間
S シート
Claims (5)
- 内部を真空とすることが可能な真空容器と、
一端の開口が、前記真空容器の内部に設けられた筒部と、
前記筒部に設けられ、プロセスガスが導入されるガス空間と前記ガス空間の外部との間を仕切る窓部材と、
前記ガス空間の外部であって前記窓部材の近傍に配置され、電力が印加されることにより、前記ガス空間のプロセスガスに誘導結合プラズマを発生させるアンテナと、
を有し、
前記筒部には、前記窓部材を支持する支持部が設けられ、
前記支持部と前記窓部材との間に、前記ガス空間と外部との間を封止するシール部材が設けられ、
前記支持部は、
前記シール部材が嵌め込まれる溝と、
前記溝よりも前記支持部における外部側に、前記窓部材に対向する第1の対向面と、
前記溝よりも前記支持部における前記ガス空間側に、前記窓部材に対向する第2の対向面と、
を有し、
前記第2の対向面が、前記第1の対向面よりも前記窓部材から離隔した位置に設けられており、前記真空容器内が減圧されることにより、大気圧により押圧された前記窓部材と前記第2の対向面とが非接触となるように、前記第2の対向面と前記窓部材との間に間隙が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記支持部は、前記窓部材の側面に対向する位置に、窓部材の位置を規制する規制部を有し、
前記窓部材の側面と、前記規制部との間に間隙が設けられていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記窓部材と、前記支持部における前記ガス空間の外部側の部分との間に、前記窓部材及び前記支持部に接触するシートが設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のプラズマ処理装置。
- 前記真空容器には、ワークを搭載して回転する回転体を有し、前記回転体を回転させることにより前記ワークを円周の搬送経路で循環搬送させる搬送部が設けられ、
前記筒部の一端の開口は、前記搬送経路に向かう方向に延在していること、を特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記窓部材は、前記搬送経路に沿う方向の長さよりも、前記搬送経路に交差する方向の長さが長いことを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017073034A JP7051301B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017073034A JP7051301B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018172765A JP2018172765A (ja) | 2018-11-08 |
JP7051301B2 true JP7051301B2 (ja) | 2022-04-11 |
Family
ID=64108485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017073034A Active JP7051301B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7051301B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008192783A (ja) | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2011125704A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2016189295A (ja) | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4005172B2 (ja) * | 1997-05-16 | 2007-11-07 | Hoya株式会社 | 両面同時成膜方法および装置 |
-
2017
- 2017-03-31 JP JP2017073034A patent/JP7051301B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008192783A (ja) | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2011125704A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2016189295A (ja) | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018172765A (ja) | 2018-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI445075B (zh) | Plasma processing device | |
TWI453849B (zh) | Shower head and substrate processing device | |
KR102383687B1 (ko) | 공간 분리를 갖는 단일 웨이퍼 프로세싱 환경들 | |
TWI650790B (zh) | 電漿處理裝置 | |
JP6859162B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI688032B (zh) | 真空處理裝置及托盤 | |
JP2010016021A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2022180370A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2017010993A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP5432629B2 (ja) | バッフル板及びプラズマ処理装置 | |
JP7051301B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW201836438A (zh) | 電漿處理裝置及噴頭 | |
JP7233339B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2021230017A1 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置及びこのマグネトロンスパッタリング装置を用いた成膜方法 | |
JP6643096B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2017002382A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20210068143A (ko) | 상보적 패턴 스테이션 설계들 | |
JP7390997B2 (ja) | 成膜装置 | |
CN110872691A (zh) | 等离子体处理装置 | |
JP2004266028A (ja) | ガス処理装置およびガス処理方法、ならびにガス処理システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200327 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210706 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220330 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7051301 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |