JP7047371B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図面を参照して、本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。最初に、図1を参照して、本実施例の製造方法で利用される反応炉2について説明する。反応炉2は、CVD(Chemical Vapor Depositionの略)装置の構成要素である。CVD装置は、成膜装置の一例であり、CVD法を利用して、反応炉2内に配置された基板の表面に、例えばポリシリコン等の膜を成膜する。反応炉2は、アウターチューブ4と、インナーチューブ6と、ガス供給口8と、真空排気口10と、ボート12と、を備える。なお、本実施例で開示する技術は、CVD装置に限られず、各種の成膜装置にも採用することができる。
続いて、図2~図5を参照して、半導体装置の製造方法について説明する。図2に示すように、本実施例の製造方法は、反応炉2内に基板を搬入する工程S10と、反応炉2内を昇温及び真空引きする工程S12と、反応炉2内の基板の表面に成膜する工程S14と、成膜後の基板を反応炉2外に搬出する工程S16と、基板を搬出後の反応炉2内をガスパージするパージ工程S18と、を備える。ここで、図2の工程S10~S16については、成膜装置を用いた成膜において従来公知の工程である。このため、以下では、図2のパージ工程S18を特に説明し、工程S10~S16の詳細な説明については省略する。なお、本実施例で製造する半導体装置では、基板にトレンチが形成されており、工程S14では、当該トレンチをポリシリコンで充填するための成膜が実施される。そのような工程S14を実行中に、反応副生成物がアウターチューブ4及びインナーチューブ6に堆積する。このため、基板を反応炉2の外に搬出する工程S16後のアウターチューブ4及びインナーチューブ6には、反応副生成物の堆積膜が堆積している。パージ工程S18は、アウターチューブ4及びインナーチューブ6に堆積している堆積膜を、剥離し、反応炉2内から排出するための工程である。パージ工程S18が終了すると、図2の製造工程が終了する。
4 :アウターチューブ
6 :インナーチューブ
8 :ガス供給口
9 :排出通路
10 :真空排気口
12 :ボート
Claims (1)
- 反応炉内に基板を搬入する工程と、
前記反応炉内の前記基板の表面に成膜する工程と、
前記成膜後の前記基板を前記反応炉外に搬出する工程と、
前記基板の搬出後の前記反応炉内をガスパージするパージ工程と、を備えており、
前記パージ工程は、
前記反応炉内の温度を、予め定められている温度であって、前記反応炉内の堆積膜に亀裂が生じうる前記予め定められている温度まで低下させるとともに、前記反応炉内を真空引きする降温工程と、
前記降温工程後に、パージガスを前記反応炉内に供給するパージガス供給工程と、
前記パージガス供給工程後に、前記反応炉内を真空引きする真空引き工程と、を備える半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2019110274A JP2019110274A (ja) | 2019-07-04 |
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JP2766100B2 (ja) * | 1991-10-15 | 1998-06-18 | 山口日本電気株式会社 | 減圧気相成長装置内の未反応ガスの除去方法 |
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