JP7040978B2 - カルシウムアルミネート粉末 - Google Patents
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Description
〔2〕BET比表面積が70~120m2/gである〔1〕記載のカルシウムアルミネート粉末。
〔3〕〔1〕又は〔2〕記載のカルシウムアルミネート粉末に金属を担持してなる触媒。
〔4〕前記金属が遷移金属である〔3〕記載の触媒。
〔5〕水素製造用触媒である〔3〕又は〔4〕記載の触媒。
原料の混合比率は、触媒用担体として良好な性能を得る観点から、酸化物換算のモル比〔(CaO)/(Al2O3)〕で、1.0~3.0である。12CaO・7Al2O3化合物に相当する組成物を得る点から、1.5~2.0が好ましい。
カルシウム化合物及びアルミニウム化合物の混合原料は、高周波磁場内で発生する熱プラズマに供給される。ここで熱プラズマとは、気体温度がプラズマの電子温度である約1万Kと等しい熱平衡プラズマのことであり、プラズマガスとして、例えばアルゴンと酸素の混合ガスが用いられる。熱プラズマに供給された原料物質は一瞬のうちに蒸発し、その後冷却過程を経て、カルシウムアルミネートのナノ粒子を生成する。熱プラズマにおける酸素濃度は1~40%が好ましい。なお、冷却過程の雰囲気は還元条件となることを防ぐため酸素濃度10パーセント以上が望ましく、またカルシウムアルミネート粒子の水和を防ぐため水蒸気を極力含まないことが望ましい。
このカルシウムアルミネートの化合物の原料を、高周波磁場内で発生する熱プラズマ内に供給する。熱プラズマ内に供給された原料物質は一瞬のうちに蒸発し、その後冷却過程をへて、カルシウムアルミネートのナノ粒子を生成する。熱プラズマにおける酸素濃度は1~40%が好ましい。なお、冷却過程の雰囲気は還元条件となることを防ぐため酸素濃度10パーセント以上が望ましく、またカルシウムアルミネート粒子の水和を防ぐため水蒸気を極力含まないことが望ましい。
遷移金属の粒子径は、水素製造活性の点、担体表面への高い分散度を確保する点から、小さいことが好ましく、メジアン径として1nm以上1000nm以下が好ましく、1nm以上100nm以下がより好ましく、1nm以上10nm以下がさらに好ましい。ここで、メジアン径は、動的光散乱法による累積頻度が50%となる粒径値である。
炭化水素ガスとしては、飽和炭化水素ガスが好ましく、炭素数1~4の飽和炭化水素ガスがより好ましく、メタンガスがさらに好ましい。
炭化水素ガスの反応温度は、400℃以上が好ましく、高転化率を維持するためには600℃以上がより好ましい。また反応温度の上限は1000℃で十分である。
酸化カルシウムとα型酸化アルミニウムがモル比[CaO]/[Al2O3]=1.63となる混合粉末を酸化マグネシウム坩堝に入れ、酸素濃度21%の乾燥空気中で昇温速度400℃/時間で1440℃まで昇温し、溶融させた状態で3時間保持した後降温速度150℃/時間で室温まで徐冷し固化物を作製した。得られた固化物は、黄色がかった白色の固体であって粉末X線回折より12CaO・7Al2O3を主相とする回折パターンが確認された。12CaO・7Al2O3化合物の純度は90.1%であった。12CaO・7Al2O3化合物の純度は粉末X線回折で確認された結晶相と蛍光X線分析で得られた化学成分比より計算した。得られた凝固物をジェットミルにて粉砕し、粉砕後のBET比表面積が3.5m2/gのカルシウムアルミネート粉末を得た。
試験例1で製造したカルシウムアルミネート粉末を原料とし、プラズマ処理装置(日清エンジニアリング社製)を用いて、熱プラズマ処理を行った。処理条件は、高周波電源を用いた高周波誘導結合型熱プラズマ発生装置にアルゴンおよび酸素の混合ガス(Ar:O2=80:20)をプラズマガスとして用いた。熱プラズマ処理後の冷却過程の雰囲気は、酸素濃度21%の乾燥空気とした。
回収されたカルシウムアルミネート粉末のBET比表面積が72.2m2/gであった。図2にカルシウムアルミネート粉末の二次電子像を示す。粒子径は大半が100nm以下であり、粒子径が揃っていることが分かる。このカルシウムアルミネート粉末は非晶質相であった。
酸化カルシウムとα型酸化アルミニウムの混合粉末を原料とし、試験例2と同様のプラズマ処理装置を用いて熱プラズマ処理を行った。熱プラズマ処理後のモル比[CaO]/[Al2O3]=1.69であった。
回収されたカルシウムアルミネート粉末のBET比表面積が99.5m2/gであった。図3にカルシウムアルミネート粉末の二次電子像を示す。粒子径は大半が100nm以下であり、粒子径が揃っていることが分かる。このカルシウムアルミネート粉末は非晶質相であった。
試験例で作製したカルシウムアルミネート粉末の担体に活性金属触媒を担持するため、担持量が5質量%となるようNiナノ粒子(メジアン径5.0nm)のヘキサン分散液中に担体粉末を投入後、スターラーで24時間撹拌しヘキサン溶媒を蒸発させNi触媒を作製した。
図1の模式構成図に示すガス流通触媒反応管を用いて、メタンの直接分解による水素生成に対する触媒活性を調べた。
石英反応管内に触媒試料を設置し、窒素ガス流通雰囲気にて700℃まで昇温した後5000mL/hrの流速でメタンガスを流し1時間保持した。その後、反応ガスを回収してガスクロマトグラフィーにてメタンガス濃度及び水素ガス濃度を測定し、メタン転化率ならびに水素収率を算出して触媒活性を評価した。
その結果、試験例1のカルシウムアルミネート粉末を使用した触媒は、初期メタン転化率が22%、水素収率が31%であった。
一方、試験例2の高比表面積のカルシウムアルミネート粉末を使用した触媒は、初期メタン転化率が50%、水素収率が45%であった。
高比表面積のカルシウムアルミネート粉末は、高いメタン転化率および水素収率が得られた。
Claims (5)
- 酸化カルシウム/酸化アルミニウム換算のモル比(CaO/Al2O3)が1.0~3.0であって、粒子径が1000nm未満であり、かつBET比表面積が70m2/g以上であるカルシウムアルミネート粉末。
- BET比表面積が70~120m2/gである請求項1記載のカルシウムアルミネート粉末。
- 請求項1又は2記載のカルシウムアルミネート粉末に金属を担持してなる触媒。
- 前記金属が遷移金属である請求項3記載の触媒。
- 水素製造用触媒である請求項3又は4記載の触媒。
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