JP7036963B1 - Touch panel and touch device - Google Patents

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Abstract

Figure 0007036963000001

【課題】タッチパネルの接触検知電極層と周辺回路層との電気的な重なり安定性を向上させる狭幅ベゼル製品を提供する。
【解決手段】タッチパネルは、基板110、隆起構造120、接触検知電極層130及び周辺回路層140を含む。基板は、可視領域VRと、可視領域VRを囲む境界領域BRとを有する。隆起構造120は、基板110上に配置され、隆起構造120と基板110とが段差領域を構成する境界領域BRに配置される。接触検知電極層130は、可視領域VRに配置され、隆起構造120を超えて段差領域を覆うように一部が境界領域BRまで延在する。周辺回路層140は、境界領域BRに配置され、少なくとも隆起構造120及び段差領域上で接触検知電極層130と重なる。
【選択図】図2

Figure 0007036963000001

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a narrow bezel product for improving the electrical overlap stability between a contact detection electrode layer of a touch panel and a peripheral circuit layer.
A touch panel includes a substrate 110, a raised structure 120, a contact detection electrode layer 130, and a peripheral circuit layer 140. The substrate has a visible region VR and a boundary region BR surrounding the visible region VR. The raised structure 120 is arranged on the substrate 110, and is arranged in the boundary region BR where the raised structure 120 and the substrate 110 form a step region. The contact detection electrode layer 130 is arranged in the visible region VR, and a part of the contact detection electrode layer 130 extends to the boundary region BR so as to extend beyond the raised structure 120 and cover the stepped region. The peripheral circuit layer 140 is arranged in the boundary region BR and overlaps the contact detection electrode layer 130 at least on the raised structure 120 and the stepped region.
[Selection diagram] Fig. 2

Description

本開示は、タッチパネル及びタッチデバイスに関するものであり、特に、オーバーラップ構造を有するタッチパネル及びタッチデバイスに関するものである。 The present disclosure relates to a touch panel and a touch device, and more particularly to a touch panel and a touch device having an overlapping structure.

近年、タッチパネルは、携帯電話、ノートブックコンピュータ、衛星ナビゲーションシステム及びデジタル視聴覚プレーヤーなどの携帯型電子製品において、ユーザと電子デバイスとの間の情報通信チャネルとして機能するために広く使用されている。 In recent years, touch panels have been widely used in portable electronic products such as mobile phones, notebook computers, satellite navigation systems and digital audiovisual players to function as information communication channels between users and electronic devices.

タッチパネルは、接触電極と周辺回路を含み、接触電極と周辺回路とは、通常、周辺領域で互いに接触して、導電経路またはループを形成し、接触インピーダンスがタッチパネルの信号伝送及び応答速度に影響を及ぼす。接触インピーダンスは、接触電極と周辺回路の間で重なり合う重なり面積に依存する。一般に、重なり面積が大きくなると、接触インピーダンスは低くなる。ただし、重なり面積は、タッチパネルの周辺領域の大きさに直接影響する。狭幅ベゼル製品の需要が徐々に高まる中で、周辺領域のサイズ要件を満たすだけでなく、接触インピーダンスの要件も満たすことができるタッチパネルが検討されている。 The touch panel includes a contact electrode and a peripheral circuit, and the contact electrode and the peripheral circuit usually contact each other in the peripheral region to form a conductive path or loop, and the contact impedance affects the signal transmission and response speed of the touch panel. To exert. The contact impedance depends on the overlapping area of overlap between the contact electrode and the peripheral circuit. Generally, the larger the overlapping area, the lower the contact impedance. However, the overlapping area directly affects the size of the peripheral area of the touch panel. As the demand for narrow bezel products gradually increases, touch panels that can meet not only the size requirement of the peripheral area but also the contact impedance requirement are being studied.

本開示のいくつかの実施形態によれば、タッチパネルは、基板、隆起構造、接触検知電極層及び周辺回路層を備える。基板は、可視領域及び可視領域を取り囲む境界領域を有する。隆起構造は、基板上に配置され、隆起構造及び基板が段差領域を構成するように境界領域に配置される。接触検知電極層は、可視領域に配置され、隆起構造を超えて段差領域を覆うように、一部が境界領域まで延在する。周辺回路層は、境界領域に配置され、少なくとも隆起構造及び段差領域上で接触検知電極層と重なる。 According to some embodiments of the present disclosure, the touch panel comprises a substrate, a raised structure, a contact detection electrode layer and a peripheral circuit layer. The substrate has a visible region and a boundary region surrounding the visible region. The raised structure is arranged on the substrate, and the raised structure and the substrate are arranged in the boundary region so as to form a step region. The contact detection electrode layer is arranged in the visible region, and a part thereof extends to the boundary region so as to cover the stepped region beyond the raised structure. The peripheral circuit layer is arranged in the boundary region and overlaps the contact detection electrode layer at least on the raised structure and the stepped region.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層は、マトリックスと、マトリックス内に分散された複数の金属ナノ構造とを含む。 In some embodiments, the contact detection electrode layer comprises a matrix and a plurality of metal nanostructures dispersed within the matrix.

いくつかの実施形態では、隆起構造は、金属材料を含み、金属材料の反応性は、金属ナノ構造の反応性よりも高い。 In some embodiments, the raised structure comprises a metallic material, the reactivity of the metallic material being higher than the reactivity of the metallic nanostructures.

いくつかの実施形態では、隆起構造は、中央領域及び中央領域を取り囲む周辺領域を有し、中央領域の垂直方向厚さは、周辺領域の垂直方向厚さよりも大きい。 In some embodiments, the raised structure has a central region and a peripheral region surrounding the central region, the vertical thickness of the central region being greater than the vertical thickness of the peripheral region.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層は、第1部分及び第2部分を有し、第1部分は、隆起構造の中央領域を覆い、第2部分は、隆起構造の周辺領域及び段差領域を覆い、第1部分は、第2部分に接続される。 In some embodiments, the contact detection electrode layer has a first portion and a second portion, the first portion covering the central region of the raised structure and the second portion being the peripheral region and the stepped region of the raised structure. The first part is connected to the second part.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層の第2部分は、段差領域で基板と接触している。 In some embodiments, the second portion of the contact detection electrode layer is in contact with the substrate at a stepped region.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層は、複数の金属ナノ構造を含み、接触検知電極層の第2部分における金属ナノ構造の密度は、接触検知電極層の第1部分における金属ナノ構造の密度よりも大きい。 In some embodiments, the contact detection electrode layer comprises a plurality of metal nanostructures, the density of the metal nanostructures in the second portion of the contact detection electrode layer is that of the metal nanostructures in the first portion of the contact detection electrode layer. Greater than density.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層の第1部分における金属ナノ構造の密度は、10%から50%の間であり、接触検知電極層の第2部分における金属ナノ構造の密度は、接触検知電極層の第1部分における金属ナノ構造の密度よりも7%から18%だけ大きい。 In some embodiments, the density of the metal nanostructures in the first portion of the contact detection electrode layer is between 10% and 50%, and the density of the metal nanostructures in the second portion of the contact detection electrode layer is contact. It is 7% to 18% greater than the density of the metal nanostructures in the first portion of the detection electrode layer.

いくつかの実施形態では、隆起構造の最大垂直方向厚さは、2μmから8μmの間である。 In some embodiments, the maximum vertical thickness of the raised structure is between 2 μm and 8 μm.

いくつかの実施形態では、基板は保護カバーであり、隆起構造は、遮光構造の少なくとも一部である。 In some embodiments, the substrate is a protective cover and the raised structure is at least part of the light shielding structure.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層は、隆起構造上にコンフォーマルに延びる。 In some embodiments, the contact detection electrode layer conformally extends onto the raised structure.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層は、周辺回路層とオーバーラップするオーバーラップ領域を画定する。 In some embodiments, the contact detection electrode layer defines an overlapping region that overlaps the peripheral circuit layer.

本開示の他のいくつかの実施形態によれば、タッチデバイスは、前述のタッチパネルを含む。 According to some other embodiments of the present disclosure, the touch device includes the touch panel described above.

本開示のいくつかの実施形態では、タッチデバイスは、ディスプレイ、携帯電話、ノートブック、タブレット、ウェアラブル機器、自動車機器または偏光子を含む。 In some embodiments of the present disclosure, the touch device includes a display, a mobile phone, a notebook, a tablet, a wearable device, an automobile device or a polarizing element.

本開示の前述の実施形態によれば、本開示のタッチパネルは、基板と接触検知電極層との間に配置された隆起構造を有するため、接触検知電極層と周辺回路層との重なり面積を大きくすることができ、接触検知電極層と周辺回路層との接触インピーダンスを小さくすることができる。したがって、接触検知電極層と周辺回路層との間の電気的な重なり安定性を向上させることができ、重なりに要する横方向のスペースを小さくすることができる。その結果、タッチパネルの境界領域の横幅を狭くして、狭幅ベゼル製品に対するユーザのニーズを満たすことができる。 According to the above-described embodiment of the present disclosure, the touch panel of the present disclosure has a raised structure arranged between the substrate and the contact detection electrode layer, so that the overlapping area between the contact detection electrode layer and the peripheral circuit layer is large. The contact impedance between the contact detection electrode layer and the peripheral circuit layer can be reduced. Therefore, the electrical overlap stability between the contact detection electrode layer and the peripheral circuit layer can be improved, and the lateral space required for the overlap can be reduced. As a result, the width of the boundary area of the touch panel can be narrowed to meet the user's needs for a narrow bezel product.

本開示は、以下の添付の図面を参照しながら、実施形態の以下の詳細な説明を読むことによって、より完全に理解することができる。 The present disclosure can be more fully understood by reading the following detailed description of the embodiments with reference to the accompanying drawings below.

本開示のいくつかの実施形態によるタッチパネルを示す概略上面図である。FIG. 3 is a schematic top view showing a touch panel according to some embodiments of the present disclosure.

図1のタッチパネルの領域R1を示す概略部分拡大図である。It is a schematic partial enlarged view which shows the area R1 of the touch panel of FIG.

本開示のいくつかの実施形態による、図2のタッチパネルを線a~a‘に沿って示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the touch panel of FIG. 2 along lines a to a'according to some embodiments of the present disclosure.

次に、本開示の本実施形態を詳細に参照し、その例を添付の図面に示す。可能な限り、同じまたは類似の部品を参照するために、図面及び説明で同じ参照番号が使用される。 Next, the present embodiment of the present disclosure will be referred to in detail, examples of which are shown in the accompanying drawings. Wherever possible, the same reference numbers are used in drawings and descriptions to refer to the same or similar parts.

さらに、図に示すように、「下」または「底」及び「上」または「頂上」などの相対的な用語を使用して、ある要素と別の要素との間の関係を説明することができる。相対的な用語は、図に示されているもの以外のデバイスの異なる方向を含むことを意図していることを理解されたい。例えば、ある図のデバイスをひっくり返した場合、他の要素の「下」側にあると説明されている要素は、他の要素の「上」側に向けられる。したがって、例示的な用語「下」は、図面の特定の向きに応じて、「下」及び「上」の向きを含み得る。同様に、1つの図のデバイスをひっくり返すと、他の要素の「下」にある要素は、他の要素の「上」に配置される。したがって、例示的な用語「下」は、「上」及び「下」の向きを含むことができる。 In addition, as shown in the figure, relative terms such as "bottom" or "bottom" and "top" or "top" may be used to describe the relationship between one element and another. can. It should be understood that the relative terminology is intended to include different orientations of the device other than those shown in the figure. For example, if the device in one figure is flipped over, the element described as being "below" the other element is directed to the "up" side of the other element. Thus, the exemplary term "down" may include "down" and "up" orientations, depending on the particular orientation of the drawing. Similarly, when the device in one figure is flipped over, the elements "below" the other elements are placed "above" the other elements. Thus, the exemplary term "down" can include "up" and "down" orientations.

本開示は、基板と接触検知電極層との間に配置された隆起構造を有するタッチパネルを提供する。このように隆起構造を構成することにより、接触検知電極層と周辺回路層との電気的な重なり安定性を向上させることができ、タッチパネルの境界領域の横幅を小さくすることができ、狭幅ベゼル製品に対するユーザのニーズに応えることができる。 The present disclosure provides a touch panel having a raised structure disposed between a substrate and a contact detection electrode layer. By constructing the raised structure in this way, it is possible to improve the electrical overlap stability between the contact detection electrode layer and the peripheral circuit layer, reduce the width of the boundary region of the touch panel, and narrow the bezel. It can meet the user's needs for the product.

図1は、本開示のいくつかの実施形態によるタッチパネル100を示す概略上面図である。図2は、図1のタッチパネル100の領域R1を示す概略部分拡大図である。図3は、図2のタッチパネル100を線a~a‘に沿って示す概略断面図である。図1から図3を参照する。タッチパネル100は、基板110、隆起構造120、接触検知電極層130及び周辺回路層140を備える。基板110は、水平面(例えば、X軸とY軸によって形成される平面)に沿って延び、可視領域VR及び可視領域VRを取り囲む境界領域BRとを有する。本実施形態における接触検知電極層130は、X軸に延びる電極を含むように示されているが、接触検知電極層130は、また、実際の設計において、Y軸に延びる電極を含み得る。さらに、接触検知電極層130の電極パターンは、本開示に限定されない。 FIG. 1 is a schematic top view showing a touch panel 100 according to some embodiments of the present disclosure. FIG. 2 is a schematic partially enlarged view showing the area R1 of the touch panel 100 of FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the touch panel 100 of FIG. 2 along the lines a to a'. 1 to 3 are referred to. The touch panel 100 includes a substrate 110, a raised structure 120, a contact detection electrode layer 130, and a peripheral circuit layer 140. The substrate 110 extends along a horizontal plane (eg, a plane formed by the X-axis and the Y-axis) and has a visible region VR and a boundary region BR surrounding the visible region VR. Although the contact detection electrode layer 130 in the present embodiment is shown to include an electrode extending in the X axis, the contact detection electrode layer 130 may also include an electrode extending in the Y axis in the actual design. Further, the electrode pattern of the contact detection electrode layer 130 is not limited to the present disclosure.

いくつかの実施形態では、基板110は、例えば、剛性の透明な基板または可撓性の透明な基板であり得る。いくつかの実施形態では、基板110の材料は、ガラス、アクリル、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、無色ポリイミドなどの透明材料またはそれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、前処理ステップは、基板110の表面上で実行され得る。例えば、表面改質プロセスが実行されるか、または接着層または樹脂層が、基板110と他の層(例えば、基板110上の隆起構造120及び/または接触検知電極層130)との間の接着を強化するために基板110の表面上方に追加的にコーティングされる。 In some embodiments, the substrate 110 can be, for example, a rigid transparent substrate or a flexible transparent substrate. In some embodiments, the material of the substrate 110 is a transparent material such as glass, acrylic, polyvinyl chloride, polypropylene, polystyrene, polycarbonate, cycloolefin polymer, cycloolefin copolymer, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, colorless polyimide or them. Including, but not limited to, combinations of. In some embodiments, the pretreatment step may be performed on the surface of the substrate 110. For example, a surface modification process is performed or the adhesive or resin layer adheres between the substrate 110 and another layer (eg, the raised structure 120 and / or the contact detection electrode layer 130 on the substrate 110). Is additionally coated above the surface of the substrate 110 to reinforce.

いくつかの実施形態では、隆起構造120は、基板110上に配置され、境界領域BRに配置される。隆起構造120は垂直方向に(例えば、Z軸に沿って)隆起し、隆起構造120と基板110との間に高低差が存在する。このような高低差は、段差領域Sを構成し得る。接触検知電極層130は、基板110上の可視領域VRに配置され、一部が境界領域BRまで延び、隆起構造120を越えて段差領域Sを覆うようになっている。周辺回路層140は、基板110上に配置され、境界領域BRに位置し、少なくとも隆起構造120及び段差領域S上で接触検知電極層130と重なる。いくつかの実施形態では、隆起構造120、接触検知電極層130及び周辺回路層140は、基板110上に順次積み重ねられて、境界領域BRに位置するオーバーラップ構造200を形成する。 In some embodiments, the raised structure 120 is placed on the substrate 110 and placed in the boundary region BR. The raised structure 120 is raised in the vertical direction (for example, along the Z axis), and there is a height difference between the raised structure 120 and the substrate 110. Such a height difference may form a step region S. The contact detection electrode layer 130 is arranged in the visible region VR on the substrate 110, and a part thereof extends to the boundary region BR so as to extend beyond the raised structure 120 and cover the step region S. The peripheral circuit layer 140 is arranged on the substrate 110, is located in the boundary region BR, and overlaps with the contact detection electrode layer 130 at least on the raised structure 120 and the step region S. In some embodiments, the raised structure 120, the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 are sequentially stacked on the substrate 110 to form an overlap structure 200 located at the boundary region BR.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層130は、周辺回路層140とオーバーラップしてオーバーラップ領域を画定し、オーバーラップ領域は、重なり合う面積を有する。本実施形態では、オーバーラップ領域は、上面図(すなわち、図2の視野角)における四辺形領域である。より具体的には、この実施形態におけるオーバーラップ領域は、上面図において長さL1及び幅W1によって形成される四辺形領域である。 In some embodiments, the contact detection electrode layer 130 overlaps with the peripheral circuit layer 140 to define an overlap region, which has an overlapping area. In this embodiment, the overlap region is a quadrilateral region in the top view (that is, the viewing angle of FIG. 2). More specifically, the overlap region in this embodiment is a quadrilateral region formed by the length L1 and the width W1 in the top view.

タッチパネル100の動作時には、可視領域VRに位置する接触検知電極層130は、ユーザのタッチ運動を検知して接触検知信号を生成することができ、境界領域BRに位置する周辺回路層140に、オーバーラップ構造200における接触検知電極層130と周辺回路層140との間の重なり合う接触を介して、接触検知信号をさらに送信して、後続の信号処理を行うことができる。以下の説明において、本開示のオーバーラップ構造200をより詳しく説明する。 When the touch panel 100 is operated, the contact detection electrode layer 130 located in the visible region VR can detect the touch motion of the user and generate a contact detection signal, and is overlaid on the peripheral circuit layer 140 located in the boundary region BR. The contact detection signal can be further transmitted via the overlapping contact between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 in the wrap structure 200 to perform subsequent signal processing. In the following description, the overlap structure 200 of the present disclosure will be described in more detail.

図3の線a~a‘に沿った断面は、本開示のオーバーラップ構造200の断面であることを理解されたい。すなわち、図3は、図2のタッチパネル100のオーバーラップ構造200を示す概略断面図である。図3を参照する。いくつかの実施形態では、隆起構造120は、中央領域122及び中央領域122を取り囲む周辺領域124を有し、Z軸に沿った中央領域122の厚さT1(垂直方向厚さT1とも呼ばれる)は、Z軸に沿った周辺領域124の厚さT2(垂直方向厚さT2とも呼ばれる)よりも大きい。例えば、隆起構造120の厚さは、中央領域122から周辺領域124まで徐々に減少し、厚さ減少の程度は、中央領域122から周辺領域124まで徐々に増加する。このような厚さの変化は、隆起構造120の上面を凸状の曲面として形成することができる。いくつかの実施形態では、隆起構造120の最大垂直方向厚さTは、2μmから8μmの間であってもよく、これにより、接触検知電極層130と周辺回路層140との間の電気的重なり安定性が改善され、それによって、タッチパネル100の境界領域BRの横方向幅W2が減少する(以下で詳細に説明する)。いくつかの実施形態では、隆起構造120の上面121は、例えば、(図3に示されるように)滑らかな曲面であってもよい。いくつかの他の実施形態では、隆起構造120の上面121は、例えば、階段状または波形を有するような規則的/不規則な表面であってもよい。隆起構造120の中央領域122の垂直方向厚さT1が隆起構造120の周辺領域124の垂直方向厚さT2よりも大きい限り、上面121の任意の輪郭は、本開示の範囲内である。いくつかの実施形態では、基板110がタッチパネル100の保護カバーとして機能する場合には、隆起構造120は、タッチパネル100の遮光構造の少なくとも一部であってもよく、例えば、暗色または不透明なフォトレジスト材料から形成される。 It should be understood that the cross section along the lines a to a'of FIG. 3 is the cross section of the overlap structure 200 of the present disclosure. That is, FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the overlap structure 200 of the touch panel 100 of FIG. See FIG. In some embodiments, the raised structure 120 has a central region 122 and a peripheral region 124 surrounding the central region 122, the thickness T1 of the central region 122 along the Z axis (also referred to as the vertical thickness T1). , Is greater than the thickness T2 (also referred to as the vertical thickness T2) of the peripheral region 124 along the Z axis. For example, the thickness of the raised structure 120 gradually decreases from the central region 122 to the peripheral region 124, and the degree of the thickness decrease gradually increases from the central region 122 to the peripheral region 124. Such a change in thickness can form the upper surface of the raised structure 120 as a convex curved surface. In some embodiments, the maximum vertical thickness TM of the raised structure 120 may be between 2 μm and 8 μm, whereby the electrical between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140. The overlap stability is improved, thereby reducing the lateral width W2 of the boundary region BR of the touch panel 100 (discussed in detail below). In some embodiments, the top surface 121 of the raised structure 120 may be, for example, a smooth curved surface (as shown in FIG. 3). In some other embodiments, the top surface 121 of the raised structure 120 may be a regular / irregular surface, eg, having a stepped or corrugated surface. Any contour of the top surface 121 is within the scope of the present disclosure, as long as the vertical thickness T1 of the central region 122 of the raised structure 120 is greater than the vertical thickness T2 of the peripheral region 124 of the raised structure 120. In some embodiments, the raised structure 120 may be at least part of the light-shielding structure of the touch panel 100, eg, dark or opaque photoresist, where the substrate 110 functions as a protective cover for the touch panel 100. Formed from material.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層130は、X軸に沿って隆起構造120全体を横方向に超える。言い換えれば、オーバーラップ構造200において、基板110上の接触検知電極層130の垂直投影は、例えば、基板110上の隆起構造120の垂直投影を完全に覆うことができる。具体的には、図2に示されるように、オーバーラップ構造200において、接触検知電極層130は、第1部分132及び第1部分を横方向に取り囲む第2部分134を有し、第1部分132は、隆起構造120の中央領域122を覆い、第2部分134は、隆起構造120の周辺領域124及び段差領域Sを覆う。第1部分132は、第2部分134に接続され、第1部分132の最高位置(例えば、上面)は、第2部分134の最高位置よりも高い。さらに、接触検知電極層130の第2部分134は、段差領域Sで基板110と接触している。 In some embodiments, the contact detection electrode layer 130 extends laterally across the raised structure 120 along the X-axis. In other words, in the overlap structure 200, the vertical projection of the contact detection electrode layer 130 on the substrate 110 can completely cover, for example, the vertical projection of the raised structure 120 on the substrate 110. Specifically, as shown in FIG. 2, in the overlap structure 200, the contact detection electrode layer 130 has a first portion 132 and a second portion 134 that laterally surrounds the first portion, and the first portion. 132 covers the central region 122 of the raised structure 120, and the second portion 134 covers the peripheral region 124 and the stepped region S of the raised structure 120. The first portion 132 is connected to the second portion 134, and the highest position (for example, the upper surface) of the first portion 132 is higher than the highest position of the second portion 134. Further, the second portion 134 of the contact detection electrode layer 130 is in contact with the substrate 110 in the step region S.

いくつかの実施形態では、隆起構造120上に配置された接触検知電極層130は、隆起構造120の上面121の輪郭によって変動し得る。言い換えれば、オーバーラップ構造200において、接触検知電極層130の輪郭は、隆起構造120の上面121の輪郭に依存し得る。いくつかの実施形態では、接触検知電極層130は、隆起構造120及び基板110上にコンフォーマル(共形的)に延びることができる。すなわち、オーバーラップ構造200において、接触検知電極層130は、隆起構造120の上面121に対して、均一で一定の厚さT3を有することができ、基板110に接触する接触検知電極層130もまた、基板110の上面111に対して、均一で一定の厚さT3を有することができる。いくつかの実施形態では、接触検知電極層130の厚さT3は、30nmから120nmの間であってもよく、その結果、接触検知電極層130及び周辺回路層140の間に必要な電気的重なり安定性を維持することができ、タッチパネル100の光学特性への悪影響を抑制することができる。具体的には、接触検知電極層130の厚さT3が30nm未満である場合には、表面抵抗が過大となり、信号伝送に影響を及ぼす恐れがある。接触検知電極層130の厚さT3が120nmより大きい場合には、タッチパネル100の光学特性に影響を及ぼす可能性がある。 In some embodiments, the contact detection electrode layer 130 disposed on the raised structure 120 may vary depending on the contour of the top surface 121 of the raised structure 120. In other words, in the overlap structure 200, the contour of the contact detection electrode layer 130 may depend on the contour of the upper surface 121 of the raised structure 120. In some embodiments, the contact detection electrode layer 130 can conformally extend onto the raised structure 120 and the substrate 110. That is, in the overlap structure 200, the contact detection electrode layer 130 can have a uniform and constant thickness T3 with respect to the upper surface 121 of the raised structure 120, and the contact detection electrode layer 130 in contact with the substrate 110 also has. , It is possible to have a uniform and constant thickness T3 with respect to the upper surface 111 of the substrate 110. In some embodiments, the thickness T3 of the contact detection electrode layer 130 may be between 30 nm and 120 nm, resulting in the required electrical overlap between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140. Stability can be maintained, and adverse effects on the optical characteristics of the touch panel 100 can be suppressed. Specifically, when the thickness T3 of the contact detection electrode layer 130 is less than 30 nm, the surface resistance becomes excessive, which may affect signal transmission. If the thickness T3 of the contact detection electrode layer 130 is larger than 120 nm, it may affect the optical characteristics of the touch panel 100.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層130は、マトリックス136と、マトリックス136内に分布する複数の金属ナノワイヤ(金属ナノ構造とも呼ばれる)138とを含んでもよい。いくつかの実施形態では、マトリックス136は、ポリマーまたはそれらの混合物を含み得る。これにより、接触検知電極層130に特定の化学的、機械的、及び、光学的特性を与える。例えば、マトリックス136は、接触検知電極層130と隆起構造120との間、及び、接触検知電極層130と基板110との間に、良好な接着を提供することができる。別の例として、マトリックス136は、接触検知電極層130に良好な機械的強度を提供することができる。いくつかの実施形態では、マトリックス136は、接触検知電極層130が引っかき傷及び摩耗に対するさらなる表面保護を有し、それによって、接触検知電極層130の表面強度を高めるように、特定のポリマー、例えば、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ(シリコン-アクリル酸)、ポリシロキサン、ポリシラン、またはそれらの組み合わせを含む。いくつかの実施形態では、マトリックス136は、架橋剤、重合阻害剤、安定剤(例えば、抗酸化剤または紫外線安定剤を含むがこれらに限定されない)、界面活性剤、またはそれらの組み合わせをさらに含んでもよく、それにより、接触検知電極層130の抗紫外線特性を改善し、耐用年数を延長させる。 In some embodiments, the contact detection electrode layer 130 may include a matrix 136 and a plurality of metal nanowires (also referred to as metal nanostructures) 138 distributed within the matrix 136. In some embodiments, the matrix 136 may comprise a polymer or a mixture thereof. This imparts specific chemical, mechanical, and optical properties to the contact detection electrode layer 130. For example, the matrix 136 can provide good adhesion between the contact detection electrode layer 130 and the raised structure 120, and between the contact detection electrode layer 130 and the substrate 110. As another example, the matrix 136 can provide good mechanical strength to the contact detection electrode layer 130. In some embodiments, the matrix 136 is such that the contact detection electrode layer 130 has additional surface protection against scratches and abrasion, thereby increasing the surface strength of the contact detection electrode layer 130, such as a particular polymer, eg. , Polyacrylate, Epoxy Resin, Polyurethane, Poly (Silicone-Acrylic Acid), Polysiloxane, Polysilane, or Combinations thereof. In some embodiments, the matrix 136 further comprises a cross-linking agent, a polymerization inhibitor, a stabilizer (including, but not limited to, an antioxidant or a UV stabilizer), a surfactant, or a combination thereof. However, it may improve the anti-ultraviolet property of the contact detection electrode layer 130 and extend the service life.

金属ナノワイヤ138は、銀ナノワイヤ、金ナノワイヤ、銅ナノワイヤ、ニッケルナノワイヤ、またはそれらの組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。より具体的には、本明細書で使用される「金属ナノワイヤ138」という用語は、集合名詞であり、これは、複数の金属元素、金属合金、または金属化合物(金属酸化物を含む)を含む金属ワイヤの集合を指す。いくつかの実施形態では、単一の金属ナノワイヤの断面サイズ(例えば、断面の直径)は、500nm未満、好ましくは、100nm未満、より好ましくは50nm未満でもよい。いくつかの実施形態では、単一の金属ナノワイヤ138は、大きなアスペクト比(すなわち、長さ:断面の直径)を有する。具体的には、単一の金属ナノワイヤのアスペクト比は、10から100,000の間でもよい。より詳細には、単一の金属ナノワイヤのアスペクト比は、10より大きく、好ましくは、50より大きく、より好ましくは、100より大きくてもよい。さらに、絹、繊維、または管のような他の用語も、同様に本開示の範囲内に入る上記の断面寸法及びアスペクト比を有する。 Metal nanowires 138 may include, but are not limited to, silver nanowires, gold nanowires, copper nanowires, nickel nanowires, or combinations thereof. More specifically, the term "metal nanowire 138" as used herein is a collective nomenclature, which includes a plurality of metal elements, metal alloys, or metal compounds (including metal oxides). Refers to a set of metal wires. In some embodiments, the cross-sectional size of a single metal nanowire (eg, the diameter of the cross-section) may be less than 500 nm, preferably less than 100 nm, more preferably less than 50 nm. In some embodiments, the single metal nanowire 138 has a large aspect ratio (ie, length: diameter of cross section). Specifically, the aspect ratio of a single metal nanowire may be between 10 and 100,000. More specifically, the aspect ratio of a single metal nanowire may be greater than 10, preferably greater than 50, more preferably greater than 100. In addition, other terms such as silk, fiber, or tube also have the above cross-sectional dimensions and aspect ratios that fall within the scope of the present disclosure.

いくつかの実施形態では、隆起構造120上の周辺回路層140は、X軸に沿って接触検知電極層130を横方向に横切る。換言すれば、オーバーラップ構造200において、周辺回路層140は、接触検知電極層130の直上に位置し、接触検知電極層130を覆い、接触検知電極層130と電気的に接続されてもよい。接触検知電極層130と周辺回路層140との間の電気的オーバーラップにより、タッチパネル100内で接触検知信号を支障なく送信することができる。いくつかの実施形態では、周辺回路層140の底面143は、接触検知電極層130の上面131の輪郭とともに変動してもよい。すなわち、周辺回路層140の底面143の輪郭は、接触検知電極層130の上面131の輪郭に依存してもよい。いくつかの実施形態では、周辺回路層140は、位置によって変化する垂直方向の厚さT4を有してもよい。具体的には、周辺回路層140の垂直方向の厚さT4は、オーバーラップ構造200の中心から周辺に向かって横方向に徐々に増加してもよい。他のいくつかの実施形態では、隆起構造120に対応する周辺回路層140の領域も接触検知電極層130の上面131に対して均一で一定の厚さT4を有してもよい。いくつかの実施形態では、周辺回路層140は、例えば、銅、銀、銅-銀合金、または他の適切な導電性材料を含んでもよい。 In some embodiments, the peripheral circuit layer 140 on the raised structure 120 traverses the contact detection electrode layer 130 along the X-axis. In other words, in the overlap structure 200, the peripheral circuit layer 140 may be located directly above the contact detection electrode layer 130, cover the contact detection electrode layer 130, and be electrically connected to the contact detection electrode layer 130. Due to the electrical overlap between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140, the contact detection signal can be transmitted in the touch panel 100 without any trouble. In some embodiments, the bottom surface 143 of the peripheral circuit layer 140 may vary with the contour of the top surface 131 of the contact detection electrode layer 130. That is, the contour of the bottom surface 143 of the peripheral circuit layer 140 may depend on the contour of the top surface 131 of the contact detection electrode layer 130. In some embodiments, the peripheral circuit layer 140 may have a vertical thickness T4 that varies with position. Specifically, the vertical thickness T4 of the peripheral circuit layer 140 may be gradually increased laterally from the center of the overlap structure 200 toward the periphery. In some other embodiments, the region of the peripheral circuit layer 140 corresponding to the raised structure 120 may also have a uniform and constant thickness T4 with respect to the top surface 131 of the contact detection electrode layer 130. In some embodiments, the peripheral circuit layer 140 may include, for example, copper, silver, a copper-silver alloy, or other suitable conductive material.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層130と周辺回路層140との間の電気的重なり安定性は、隆起構造120の物理的特性(例えば、隆起構造120の形状、垂直方向の厚さなど)に依存し得る。換言すれば、隆起構造120の物理的特性を調整することにより、接触検知電極層130と周辺回路層140との間の電気的重なり安定性を向上させることができる。具体的には、隆起構造120上に接触検知電極層130を配置すると、隆起構造120は中間凸状構造を有するので、接触検知電極層130を「アーチ橋」に類似した形状に形成することができる。したがって、接触検知電極層130と周辺回路層140との間に形成される重なり面積(例えば、長さL1及び幅W1で規定される重なり面積)を変化させない前提として、実際の重なり面積を大きくすることができる。さらに、接触検知電極層130内の金属ナノワイヤ138を、重力のために段差領域Sに集まるように沈降させることができる。その結果、接触検知電極層130(特に、接触検知電極層130の第2部分134)と周辺回路層140との間の接触インピーダンスを低減することができ、それにより、接触検知電極層130及び周辺回路層140間の電気的重なり安定性を改善する。 In some embodiments, the electrical overlap stability between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 is the physical properties of the raised structure 120 (eg, the shape of the raised structure 120, the vertical thickness, etc.). ) Can depend on it. In other words, by adjusting the physical properties of the raised structure 120, the electrical overlap stability between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 can be improved. Specifically, when the contact detection electrode layer 130 is arranged on the raised structure 120, the raised structure 120 has an intermediate convex structure, so that the contact detection electrode layer 130 can be formed into a shape similar to an “arch bridge”. can. Therefore, the actual overlapping area is increased on the premise that the overlapping area formed between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 (for example, the overlapping area defined by the length L1 and the width W1) is not changed. be able to. Further, the metal nanowires 138 in the contact detection electrode layer 130 can be settled so as to gather in the step region S due to gravity. As a result, the contact impedance between the contact detection electrode layer 130 (particularly, the second portion 134 of the contact detection electrode layer 130) and the peripheral circuit layer 140 can be reduced, whereby the contact detection electrode layer 130 and the periphery can be reduced. Improves electrical overlap stability between circuit layers 140.

上記のように、隆起構造120の最大垂直厚さTは、2μmから8μmの間でもよいので、接触検知電極層130と周辺回路層140との間の電気的重なり安定性を向上させることができ、タッチパネル100の境界領域BRの横幅W2を小さくすることができる。具体的には、隆起構造120上に接触検知電極層130を配置した場合において、隆起構造120の最大垂直厚さTが2μm未満の場合には、接触検知電極層130は、「アーチ橋」と同様の形状を形成できない場合がある。したがって、接触検知電極層130は、基板110上に平面に近い形で配置され、その結果、接触検知電極層130と周辺回路層140との間の実際の重なり面積を、効果的に増加させることができず、金属ナノワイヤ138は、適切な量だけ段差領域Sに沈降して集まることができない。その結果、接触検知電極層130と周辺回路層140との間の接触インピーダンスは、設計要件を満たすことができず、より大きなサイズの重なり面積を有するように設計され、タッチパネル100の境界領域BRの横幅W2を小さくすることができない。一方、接触検知電極層130が隆起構造120上に配置されている場合において、隆起構造120の最大垂直厚さTが8μmより大きい場合には、接触検知電極層130内の金属ナノワイヤ138は、過度に沈降して集まる。その結果、接触検知電極層130の第1部分132と周辺回路層140との間の電気的重なりが不安定になり、接触検知電極層130がより高い高さまで上昇する必要があり、それによって、電気的故障につながる。 As described above, the maximum vertical thickness TM of the raised structure 120 may be between 2 μm and 8 μm, so that the electrical overlap stability between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 can be improved. The width W2 of the boundary region BR of the touch panel 100 can be reduced. Specifically, when the contact detection electrode layer 130 is arranged on the raised structure 120 and the maximum vertical thickness TM of the raised structure 120 is less than 2 μm, the contact detection electrode layer 130 is an “arch bridge”. It may not be possible to form the same shape as. Therefore, the contact detection electrode layer 130 is arranged on the substrate 110 in a form close to a plane, and as a result, the actual overlapping area between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 is effectively increased. The metal nanowires 138 cannot settle and gather in the step region S by an appropriate amount. As a result, the contact impedance between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 cannot meet the design requirements and is designed to have a larger overlapping area of the size of the boundary region BR of the touch panel 100. The width W2 cannot be reduced. On the other hand, when the contact detection electrode layer 130 is arranged on the raised structure 120 and the maximum vertical thickness TM of the raised structure 120 is larger than 8 μm, the metal nanowires 138 in the contact detection electrode layer 130 are Excessively settles and gathers. As a result, the electrical overlap between the first portion 132 of the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 becomes unstable, and the contact detection electrode layer 130 needs to rise to a higher height, thereby causing the contact detection electrode layer 130 to rise to a higher height. It leads to electrical failure.

接触検知電極層130内の金属ナノワイヤ138は、隆起構造120の物理的特性を受けて、接触検知電極層130の第2部分134に沈降して集まるので、接触検知電極層130の第2部分134における金属ナノワイヤ138の密度は、接触検知電極層130の第1部分132における金属ナノワイヤ138の密度よりも大きい。本明細書における「密度」という用語は、単位面積あたりの接触検知電極層130に含まれる金属ナノワイヤ138の数を指すことを理解されたい。いくつかの実施形態では、光学的及び電気的特性を満たすために、接触検知電極層130の第1部分132内の金属ナノワイヤ138の密度は、10%から50%の間、好ましくは、12%から22%の間でもよい。接触検知電極層130の第2部分134における金属ナノワイヤ138の密度は、接触検知電極層130の第1部分132における金属ナノワイヤ138の密度よりも約7%から18%だけ大きくてもよい。したがって、接触検知電極層130は、良好な導電性を確保することができ、接触検知電極層130及び周辺回路層140の電気的重なり安定性を良好にすることができる。具体的には、前述の密度は、接触検知電極層130の表面抵抗及びタッチパネル100の全体的な光学的外観に影響を与えるであろう。密度が低すぎる場合、すなわち、金属ナノワイヤ138がマトリックス136内にまばらに分布している場合には、過度の表面抵抗が生じる可能性がある。密度が高すぎる場合、すなわち、金属ナノワイヤ138がマトリックス136内に密に分布している場合には、光透過率が低下し、光学特性に影響を与える可能性がある。前述の光学特性は、可視領域VRの光学特性を指し、可視領域VRに位置する接触検知電極層130と、境界領域BRに延びる接触検知電極層130とは、タッチパネル100の製造工程中に、表面全体にコーティングされるため、境界領域BRに位置する接触検知電極層130内の金属ナノワイヤ138の密度(特に、接触検知電極層130の第1部分132における金属ナノワイヤ138の密度)は、可視領域VRに位置する接触検知電極層130内の金属ナノワイヤ138の密度と実質的に同様である。したがって、前述の接触検知電極層130全体を全面にコーティングする設計では、境界領域BRに位置する接触検知電極層130内の金属ナノワイヤ138の密度を考慮すると、タッチパネル100の可視領域VRの光学特性を考慮することも必要である。一方、金属ナノワイヤ138よりも導電率が高い金属材料(例えば、銅)を選択して、隆起構造120を形成することができる。オーバーラップ構造200全体が、金属材料を有する隆起構造120のために、電気的な重なり合う安定性を改善することができる。 Since the metal nanowires 138 in the contact detection electrode layer 130 settle and gather in the second portion 134 of the contact detection electrode layer 130 due to the physical characteristics of the raised structure 120, the second portion 134 of the contact detection electrode layer 130 The density of the metal nanowires 138 in the above is higher than the density of the metal nanowires 138 in the first portion 132 of the contact detection electrode layer 130. It should be understood that the term "density" herein refers to the number of metal nanowires 138 contained in the contact detection electrode layer 130 per unit area. In some embodiments, the density of the metal nanowires 138 within the first portion 132 of the contact detection electrode layer 130 is between 10% and 50%, preferably 12%, in order to satisfy the optical and electrical properties. It may be between 2% and 22%. The density of the metal nanowires 138 in the second portion 134 of the contact detection electrode layer 130 may be about 7% to 18% higher than the density of the metal nanowires 138 in the first portion 132 of the contact detection electrode layer 130. Therefore, the contact detection electrode layer 130 can secure good conductivity, and the electrical overlap stability of the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 can be improved. Specifically, the aforementioned densities will affect the surface resistance of the contact detection electrode layer 130 and the overall optical appearance of the touch panel 100. Excessive surface resistance can occur if the density is too low, i.e. if the metal nanowires 138 are sparsely distributed within the matrix 136. If the density is too high, that is, if the metal nanowires 138 are densely distributed in the matrix 136, the light transmittance may decrease and the optical properties may be affected. The above-mentioned optical characteristics refer to the optical characteristics of the visible region VR, and the contact detection electrode layer 130 located in the visible region VR and the contact detection electrode layer 130 extending to the boundary region BR are surfaced during the manufacturing process of the touch panel 100. Since the entire surface is coated, the density of the metal nanowires 138 in the contact detection electrode layer 130 located in the boundary region BR (particularly, the density of the metal nanowires 138 in the first portion 132 of the contact detection electrode layer 130) is the visible region VR. It is substantially similar to the density of the metal nanowires 138 in the contact detection electrode layer 130 located at. Therefore, in the above-mentioned design in which the entire contact detection electrode layer 130 is coated on the entire surface, the optical characteristics of the visible region VR of the touch panel 100 are determined in consideration of the density of the metal nanowires 138 in the contact detection electrode layer 130 located in the boundary region BR. It is also necessary to consider. On the other hand, a metal material (for example, copper) having a higher conductivity than the metal nanowires 138 can be selected to form the raised structure 120. The entire overlap structure 200 can improve the electrical overlapping stability due to the raised structure 120 having the metallic material.

いくつかの実施形態では、接触検知電極層130と周辺回路層140との間の電気的重なり安定性は、隆起構造120の化学的特性(例えば、材料)にさらに依存してもよい。隆起構造120の化学的特性を調整することにより、接触検知電極層130と周辺回路層140との間の電気的重なり安定性をさらに改善することができる。より具体的には、金属ナノワイヤ138の反応性よりも高い反応性(化学反応性)を有する金属材料を選択して、隆起構造120を形成し、その結果、金属ナノワイヤ138は、接触検知電極層130内で、周辺回路層140と隆起構造120との間に、より容易に集まるようにすることができる。したがって、オーバーラップ構造200の接触検知電極層130内の金属ナノワイヤ138の密度は、増加され、接触検知電極層130と周辺回路層140との間の電気的重なり安定性は改善される。例えば、銀ナノワイヤが金属ナノワイヤ138として使用するために選択された場合には、銀の反応性よりも高い反応性を有する金属(例えば、銅)を、隆起構造120の材料として選択することができる。 In some embodiments, the electrical overlap stability between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 may further depend on the chemical properties (eg, material) of the raised structure 120. By adjusting the chemical properties of the raised structure 120, the electrical overlap stability between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 can be further improved. More specifically, a metal material having higher reactivity (chemical reactivity) than the reactivity of the metal nanowire 138 is selected to form the raised structure 120, and as a result, the metal nanowire 138 has a contact detection electrode layer. Within 130, it can be made easier to gather between the peripheral circuit layer 140 and the raised structure 120. Therefore, the density of the metal nanowires 138 in the contact detection electrode layer 130 of the overlap structure 200 is increased, and the electrical overlap stability between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140 is improved. For example, if silver nanowires are selected for use as metal nanowires 138, a metal (eg, copper) that is more reactive than silver can be selected as the material for the raised structure 120. ..

より詳細には、接触検知電極層130は、金属ナノワイヤ138を含む分散液のコーティング、硬化、及び乾燥のステップを通じて形成することができる。いくつかの実施形態では、分散液は、金属ナノワイヤ138が溶媒中に均一に分散している溶液を含む。具体的には、溶媒は、例えば、水、アルコール、ケトン、エーテル、炭化水素、芳香族溶媒(ベンゼン、トルエン、キシレンなど)、またはそれらの組み合わせである。いくつかの実施形態では、分散液は、金属ナノワイヤ138と溶媒との間の適合性及び溶媒中の金属ナノワイヤ138の安定性を改善するために、添加剤、界面活性剤、及び/または結合剤をさらに含んでもよい。具体的には、添加剤、界面活性剤、及び/または結合剤は、例えば、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒプロメロース、フルオロ界面活性剤、スルホコハク酸スルホン酸塩、硫酸塩、リン酸塩、ジスルホン酸塩、またはそれらの組み合わせでもよい。 More specifically, the contact detection electrode layer 130 can be formed through the steps of coating, curing, and drying a dispersion containing metal nanowires 138. In some embodiments, the dispersion comprises a solution in which the metal nanowires 138 are uniformly dispersed in the solvent. Specifically, the solvent is, for example, water, alcohol, ketone, ether, hydrocarbon, aromatic solvent (benzene, toluene, xylene, etc.), or a combination thereof. In some embodiments, the dispersion is an additive, surfactant, and / or binder to improve compatibility between the metal nanowire 138 and the solvent and the stability of the metal nanowire 138 in the solvent. May be further included. Specifically, the additives, surfactants, and / or binders are, for example, carboxymethyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, hypromellose, fluorosurfactants, sulfosuccinic acid sulfonates, sulfates, phosphates, disulfonates. , Or a combination thereof.

第1に、コーティング工程は、スクリーン印刷、ノズルコーティング、またはローラーコーティングを含んでもよいが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、ロールツーロールプロセスを実行して、基板110の上面111及び隆起構造120の上面121に金属ナノワイヤ138を含む分散液を均一にコーティングしてもよい。隆起構造120は、中間凸状構造を有するので、まだ乾燥されていない分散液中の金属ナノワイヤ138は、重力によって沈降し、段差領域Sの近くの分散液に部分的に集まる。同時に、隆起構造120の材料の反応性が金属ナノワイヤ138の反応性よりも高い場合には、分散液中の金属ナノワイヤ138もまた、隆起構造120の材料の影響を受け、隆起構造120の表面に比較的近い位置に集まる。言い換えると、オーバーラップ構造200の周辺(例えば、図2に示す可視領域VR上)にコーティングされた分散液中の金属ナノワイヤ138がわずかに移動し、オーバーラップ構造200の表面と接触する位置に部分的に集まる。次に、硬化及び乾燥工程を実施し、金属ナノワイヤ138を基板110の上面111及び隆起構造120の上面121に固定して、接触検知電極層130を形成することができる。 First, the coating process may include, but is not limited to, screen printing, nozzle coating, or roller coating. In some embodiments, a roll-to-roll process may be performed to uniformly coat the top surface 111 of the substrate 110 and the top surface 121 of the raised structure 120 with a dispersion containing metal nanowires 138. Since the raised structure 120 has an intermediate convex structure, the metal nanowires 138 in the undried dispersion liquid settle due to gravity and partially collect in the dispersion liquid near the step region S. At the same time, if the reactivity of the material of the raised structure 120 is higher than the reactivity of the metal nanowires 138, the metal nanowires 138 in the dispersion are also affected by the material of the raised structure 120 and on the surface of the raised structure 120. Gather in a relatively close position. In other words, the metal nanowires 138 in the dispersion liquid coated around the overlap structure 200 (for example, on the visible region VR shown in FIG. 2) move slightly and are located at a position where they come into contact with the surface of the overlap structure 200. Gather together. Next, a curing and drying step is carried out, and the metal nanowires 138 can be fixed to the upper surface 111 of the substrate 110 and the upper surface 121 of the raised structure 120 to form the contact detection electrode layer 130.

全体として、前述のコーティング工程において、分散液中の金属ナノワイヤ138は、隆起構造120の物理的特性(例えば、垂直方向の厚さ、形状、導電率など)及び化学的特性(例えば、材料)によって影響を受けて特定の位置に移動して集まる。硬化及び乾燥ステップが実行された後、金属ナノワイヤ138は、オーバーラップ構造200に配置された接触検知電極層130、特に、第2部分134に、段差領域Sに対応させて密に分布させることができる。したがって、接触検知電極層130(特に、接触検知電極層130の第2部分134)と周辺回路層140との間の接触インピーダンスを低減することができる。これにより、接触検知電極層130と周辺回路層140との間の電気的オーバーラップ安定性を向上させることができる。 Overall, in the coating step described above, the metal nanowires 138 in the dispersion are dependent on the physical properties (eg, vertical thickness, shape, conductivity, etc.) and chemical properties (eg, material) of the raised structure 120. Affected to move to a specific position and gather. After the curing and drying steps have been performed, the metal nanowires 138 may be densely distributed in the contact detection electrode layer 130 disposed in the overlap structure 200, in particular the second portion 134, corresponding to the step region S. can. Therefore, the contact impedance between the contact detection electrode layer 130 (particularly, the second portion 134 of the contact detection electrode layer 130) and the peripheral circuit layer 140 can be reduced. This makes it possible to improve the electrical overlap stability between the contact detection electrode layer 130 and the peripheral circuit layer 140.

いくつかの実施形態では、一次コーティング層は、基板110及び隆起構造120に固定された金属ナノワイヤ138上にコーティングされてもよい。次に、一次コーティング層及び金属ナノワイヤ138は、硬化することによって複合構造層に形成される。言い換えれば、硬化した一次コーティング層は、本開示のマトリックス136として機能し、複合構造層は、本開示の接触検知電極層130として機能する。より具体的には、前述のポリマーまたはその混合物は、コーティングによって金属ナノワイヤ138上に形成されてもよく、次いで、ポリマーまたはそれらの混合物は、金属ナノワイヤ138の間に浸透して充填剤を形成してもよく、次いで、充填剤は、硬化されてマトリックス136を形成する。したがって、金属ナノワイヤ138は、マトリックス136に埋め込むことができる。いくつかの実施形態では、前述のポリマーまたはそれらの混合物を有する一次コーティング層は、加熱及びベーキングによってマトリックス136に形成することができる。いくつかの実施形態では、加熱及びベーキングの温度は、60℃から150℃の間でもよい。マトリックス136と金属ナノワイヤ138との間の物理的構造は、本開示を制限することを意図していないことを理解されたい。いくつかの実施形態では、マトリックス136及び金属ナノワイヤ138は、2つの層の積層体でもよい。いくつかの他の実施形態では、マトリックス136及び金属ナノワイヤ138を互いに混合して、複合構造層を形成することができる。いくつかの好ましい実施形態では、金属ナノワイヤ138はマトリックス136に埋め込まれて、複合構造層を形成する。 In some embodiments, the primary coating layer may be coated on the metal nanowires 138 fixed to the substrate 110 and the raised structure 120. Next, the primary coating layer and the metal nanowires 138 are formed into a composite structure layer by curing. In other words, the cured primary coating layer functions as the matrix 136 of the present disclosure, and the composite structure layer functions as the contact detection electrode layer 130 of the present disclosure. More specifically, the aforementioned polymers or mixtures thereof may be formed on metal nanowires 138 by coating, and then the polymers or mixtures thereof penetrate between the metal nanowires 138 to form fillers. The filler may then be cured to form matrix 136. Therefore, the metal nanowires 138 can be embedded in the matrix 136. In some embodiments, the primary coating layer with the polymers or mixtures thereof described above can be formed in matrix 136 by heating and baking. In some embodiments, the heating and baking temperatures may be between 60 ° C and 150 ° C. It should be understood that the physical structure between the matrix 136 and the metal nanowires 138 is not intended to limit this disclosure. In some embodiments, the matrix 136 and the metal nanowires 138 may be a laminate of two layers. In some other embodiments, the matrix 136 and the metal nanowires 138 can be mixed together to form a composite structural layer. In some preferred embodiments, the metal nanowires 138 are embedded in the matrix 136 to form a composite structural layer.

本開示のタッチパネル100は、タッチ機能を備えたディスプレイなどの他の電子デバイスと組み立てることができる。例えば、タッチパネル100は、表示装置(例えば、液晶表示装置または有機発光ダイオード表示装置)に結合することができ、光学接着剤または他の接着剤を使用して、タッチパネル100とディスプレイデバイスとの間を結合することができる。本開示のタッチパネル100は、携帯電話、タブレット、ノートブックなどの電子機器にさらに適用することができ、フレキシブル製品にも適用することができる。本開示のタッチパネル100は、偏光子にも適用できる。本開示のタッチパネル100は、ウェアラブル機器(例えば、時計、眼鏡、スマート衣類、及びスマートシューズ)及び自動車機器(例えば、ダッシュボード、ドライビングレコーダー、バックミラー、及びウィンドウ)に適用することができる。 The touch panel 100 of the present disclosure can be assembled with other electronic devices such as a display having a touch function. For example, the touch panel 100 can be coupled to a display device (eg, a liquid crystal display device or an organic light emitting diode display device) and uses an optical adhesive or other adhesive to move between the touch panel 100 and the display device. Can be combined. The touch panel 100 of the present disclosure can be further applied to electronic devices such as mobile phones, tablets, and notebooks, and can also be applied to flexible products. The touch panel 100 of the present disclosure can also be applied to a polarizing element. The touch panel 100 of the present disclosure can be applied to wearable devices (eg, watches, glasses, smart clothing, and smart shoes) and automobile devices (eg, dashboards, driving recorders, rearview mirrors, and windows).

本開示のタッチパネルは、基板と接触検知電極層との間に配置された隆起構造を有するため、接触検知電極層と周辺回路層との間の重なり面積を大きくすることができ、その結果、接触検知電極層と周辺回路層との接触インピーダンスを小さくすることができる。これにより、タッチセンシング電極層と周辺回路層との間の電気的オーバーラップ安定性を改善することができ、オーバーラップに必要な横方向のスペースを減らすことができる。よって、タッチパネルの境界領域の横幅を小さくすることができ、狭幅ベゼル製品に対するユーザのニーズを満たすことができる。 Since the touch panel of the present disclosure has a raised structure arranged between the substrate and the contact detection electrode layer, the overlapping area between the contact detection electrode layer and the peripheral circuit layer can be increased, and as a result, the contact can be increased. The contact impedance between the detection electrode layer and the peripheral circuit layer can be reduced. This can improve the electrical overlap stability between the touch sensing electrode layer and the peripheral circuit layer, and reduce the lateral space required for the overlap. Therefore, the width of the boundary region of the touch panel can be reduced, and the user's needs for a narrow bezel product can be satisfied.

本開示は、その特定の実施形態を参照してかなり詳細に説明されてきたが、他の実施形態が可能である。したがって、添付の特許請求の範囲の主旨及び範囲は、本明細書に含まれる実施形態の説明に限定されるべきではない。 The present disclosure has been described in considerable detail with reference to that particular embodiment, but other embodiments are possible. Therefore, the gist and scope of the appended claims should not be limited to the description of the embodiments contained herein.

本開示の範囲または主旨から逸脱することなく、本開示の構造に対して様々な修正及び変形を行うことができることは、当業者には明らかであろう。以上のことを考慮して、本開示は、以下の特許請求の範囲の範囲内にあることを条件として、本開示の修正及び変形をカバーすることが意図される。 It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations to the structure of the present disclosure may be made without departing from the scope or gist of the present disclosure. In view of the above, the present disclosure is intended to cover any amendments and variations of the present disclosure, provided that it is within the scope of the following claims.

Claims (14)

可視領域及び前記可視領域を取り囲む境界領域を有する基板と、
前記基板上に配置され、前記境界領域に配置された隆起構造であって、前記隆起構造及び前記基板が段差領域を構成する前記隆起構造と、
前記可視領域に配置され、前記隆起構造を超えて前記段差領域を覆うように一部が前記境界領域まで延在する接触検知電極層と、
前記境界領域に配置され、少なくとも前記隆起構造及び前記段差領域上で前記接触検知電極層と重なる周辺回路層と、
を備えたタッチパネル。
A substrate having a visible region and a boundary region surrounding the visible region,
A raised structure arranged on the substrate and arranged in the boundary region, the raised structure and the raised structure in which the substrate constitutes a step region.
A contact detection electrode layer arranged in the visible region and partially extending to the boundary region so as to extend beyond the raised structure and cover the step region.
A peripheral circuit layer arranged in the boundary region and overlapping with the contact detection electrode layer at least on the raised structure and the step region.
Touch panel with.
前記接触検知電極層は、マトリクスと、前記マトリクス内に分散された複数の金属ナノ構造とを含む、
請求項1に記載のタッチパネル。
The contact detection electrode layer comprises a matrix and a plurality of metal nanostructures dispersed in the matrix.
The touch panel according to claim 1.
前記隆起構造は、金属材料を含み、前記金属材料の反応性は、前記金属ナノ構造の反応性よりも高い、
請求項2に記載のタッチパネル。
The raised structure comprises a metallic material, the reactivity of the metallic material being higher than the reactivity of the metal nanostructure.
The touch panel according to claim 2.
前記隆起構造は、中央領域及び前記中央領域を取り囲む周辺領域を有し、前記中央領域の垂直方向厚さは、前記周辺領域の垂直方向厚さよりも大きい、
請求項1~3のいずれか1項に記載のタッチパネル。
The raised structure has a central region and a peripheral region surrounding the central region, and the vertical thickness of the central region is larger than the vertical thickness of the peripheral region.
The touch panel according to any one of claims 1 to 3.
前記接触検知電極層は、第1部分及び第2部分を有し、前記第1部分は、前記隆起構造の前記中央領域を覆い、前記第2部分は、前記隆起構造の前記周辺領域及び前記段差領域を覆い、前記第1部分は、前記第2部分に接続される、
請求項4に記載のタッチパネル。
The contact detection electrode layer has a first portion and a second portion, the first portion covers the central region of the raised structure, and the second portion is the peripheral region of the raised structure and the step. Covering the area, the first portion is connected to the second portion.
The touch panel according to claim 4.
前記接触検知電極層の前記第2部分は、前記段差領域で前記基板と接触している、
請求項5に記載のタッチパネル。
The second portion of the contact detection electrode layer is in contact with the substrate in the step region.
The touch panel according to claim 5.
前記接触検知電極層は、複数の金属ナノ構造を含み、
前記接触検知電極層の前記第2部分における前記金属ナノ構造の密度は、前記第1部分における前記金属ナノ構造の密度よりも大きい、
請求項5または6に記載のタッチパネル。
The contact detection electrode layer contains a plurality of metal nanostructures and contains a plurality of metal nanostructures.
The density of the metal nanostructures in the second portion of the contact detection electrode layer is higher than the density of the metal nanostructures in the first portion.
The touch panel according to claim 5 or 6.
前記接触検知電極層の前記第1部分における前記金属ナノ構造の密度は、10%から50%の間であり、
前記接触検知電極層の前記第2部分における前記金属ナノ構造の密度は、前記接触検知電極層の前記第1部分における前記金属ナノ構造の密度よりも7%から18%だけ大きい、
請求項7に記載のタッチパネル。
The density of the metal nanostructures in the first portion of the contact detection electrode layer is between 10% and 50%.
The density of the metal nanostructures in the second portion of the contact detection electrode layer is 7% to 18% higher than the density of the metal nanostructures in the first portion of the contact detection electrode layer.
The touch panel according to claim 7.
前記隆起構造の最大垂直方向厚さは、2μmから8μmの間である、
請求項1~8のいずれか1項に記載のタッチパネル。
The maximum vertical thickness of the raised structure is between 2 μm and 8 μm.
The touch panel according to any one of claims 1 to 8.
前記基板は、保護カバーであり、
前記隆起構造は、遮光構造の少なくとも一部である、
請求項1~9のいずれか1項に記載のタッチパネル。
The substrate is a protective cover and
The raised structure is at least part of a light-shielding structure.
The touch panel according to any one of claims 1 to 9.
前記接触検知電極層は、前記隆起構造上にコンフォーマルに延びる、
請求項1~10のいずれか1項に記載のタッチパネル。
The contact detection electrode layer conformally extends on the raised structure.
The touch panel according to any one of claims 1 to 10.
前記接触検知電極層は、前記周辺回路層とオーバーラップするオーバーラップ領域を画定する、
請求項1~11のいずれか1項に記載のタッチパネル。
The contact detection electrode layer defines an overlap region that overlaps with the peripheral circuit layer.
The touch panel according to any one of claims 1 to 11.
請求項1~12のいずれか1項に記載のタッチパネルを含むタッチデバイス。 A touch device including the touch panel according to any one of claims 1 to 12. 前記タッチデバイスは、ディスプレイ、携帯電話、ノートブック、タブレット、ウェアラブル機器、自動車機器または偏光子を含む、
請求項13に記載のタッチデバイス。
The touch device includes a display, a mobile phone, a notebook, a tablet, a wearable device, an automobile device or a polarizing element.
The touch device according to claim 13.
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