JP7027128B2 - Dielectric - Google Patents

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Description

本発明は、誘電率と絶縁破壊強度とがいずれも高く、通信機器や電子機器に搭載される回路基板及び電子部品、大容量高電圧コンデンサーなどの誘電材料として好適に用いられるガラスセラミックス誘電体に関する。 The present invention relates to a glass ceramic dielectric having high dielectric constant and dielectric breakdown strength, and is suitably used as a dielectric material for circuit boards and electronic components mounted on communication devices and electronic devices, large-capacity high-voltage capacitors, and the like. ..

近年、自動車用電話やパーソナル無線に代表される移動体通信、携帯電話、衛星放送、衛星通信、CATV等に代表されるような高度情報化時代を迎え、情報伝達はより高速化・高周波化の傾向にあり、さらにこれらの機器には小型化が求められ、これに伴って回路素子に対しても小型化が強く要求されている。 In recent years, we have entered an era of advanced information such as mobile communications such as automobile phones and personal radios, mobile phones, satellite broadcasting, satellite communications, and CATV, and information transmission has become faster and higher in frequency. There is a tendency, and further, these devices are required to be miniaturized, and along with this, the circuit elements are also strongly required to be miniaturized.

例えば、マイクロ波用回路素子について、その大きさは、使用電磁波の波長が基準になる。すなわち、誘電率(ε)の誘電体中を伝播する電磁波の波長(λ)は、真空中の波長をλ0とするとλ=λ0/(ε1/2)となり、λはεの平方根に反比例する。よってマイクロ波用回路素子の小型化のためには、比誘電率が高い材料が求められている。 For example, the size of a microwave circuit element is based on the wavelength of the electromagnetic wave used. That is, the wavelength (λ) of the electromagnetic wave propagating in the dielectric of the dielectric constant (ε) is λ = λ 0 / (ε 1/2 ), where λ 0 is the wavelength in vacuum, and λ is the square root of ε. Inversely proportional. Therefore, in order to reduce the size of the microwave circuit element, a material having a high relative permittivity is required.

また、半導体加工や視力矯正手術で利用されるエキシマレーザー、医療用X線、蓄電装置(工業用高電圧電源、電気自動車の起動電源など)、送電設備などに使われる高エネルギー貯蔵密度を有するコンデンサーへの需要が近年に高まっている。コンデンサーのエネルギー貯蔵密度が(1/2)×ε0εr2(ε0:真空の誘電率、εr:材料の誘電率、E:絶縁破壊強度)で表されるので、高いエネルギー貯蔵密度を得ようとするには高い誘電率と高い絶縁破壊強度を併せ持つ誘電体が望まれる。 In addition, capacitors with high energy storage density used in excimer lasers used in semiconductor processing and vision correction surgery, medical X-rays, power storage devices (industrial high-voltage power supplies, start-up power supplies for electric vehicles, etc.), power transmission equipment, etc. Demand for laser has been increasing in recent years. High energy storage because the energy storage density of the condenser is expressed by (1/2) × ε 0 ε r E 20 : vacuum dielectric constant, ε r : material permittivity, E: insulation breakdown strength) In order to obtain the density, a dielectric having both a high dielectric constant and a high insulation breakdown strength is desired.

回路基板や電子部品に使用される誘電体材料として、ガラスセラミックスを使用する提案がなされている(例えば、特許文献1~4)。これら特許文献1~4の提案は、いずれもガラス粉末と無機フィラーとを混合し、成形、焼成するものであるため、緻密性が低く、ポアやボイドが発生したりし、均一な材料になり難く、無機フィラーがガラスと反応して所望の誘電率と絶縁破壊強度が得られないという問題があった。 Proposals have been made to use glass ceramics as a dielectric material used for circuit boards and electronic components (for example, Patent Documents 1 to 4). In all of the proposals of Patent Documents 1 to 4, since the glass powder and the inorganic filler are mixed, molded and fired, the denseness is low, pores and voids are generated, and the material becomes a uniform material. It is difficult to obtain the desired dielectric constant and dielectric breakdown strength due to the reaction of the inorganic filler with the glass.

一方、SiO2-TiO2-SrO系ガラスに熱処理を加えることによってSrTiO3結晶を析出させた誘電体ガラスセラミックスが提案されているが(例えば、特許文献5)、誘電率は30程度と低かった。 On the other hand, although dielectric glass ceramics in which SrTiO 3 crystals are precipitated by heat-treating SiO 2 -TIO 2 -SrO-based glass (for example, Patent Document 5), the dielectric constant is as low as about 30. ..

特開2004-339049号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-339049 特開2007-217274号公報JP-A-2007-217274 特開2003-192430号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-192430 特許第3805173号公報Japanese Patent No. 3805173 特開2011-230960号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-230960

しかしながら、従来、誘電率が大きい材料ほど絶縁破壊強度は低下する傾向が知られている。すなわち、誘電率と絶縁破壊強度はトレードオフの関係にあり、いずれをも高めることは困難であった。 However, conventionally, it has been known that the dielectric breakdown strength tends to decrease as the dielectric constant increases. That is, there is a trade-off relationship between the dielectric constant and the dielectric breakdown strength, and it is difficult to increase either of them.

本発明者は鋭意検討し、既存の技術と異なった組成系で上記の課題を解決することができるガラスセラミックス誘電体を見出し、本発明を完成させた。
本発明は以下の(1)~(5)である。
(1)酸化物換算組成の全物質量に対して、モル%で
25成分 15.0%~50.0%、
モル和(TiO2+Nb25) 15.0%~70.0%
を含有し、1kHzにおける誘電率が25以上であることを特徴とするガラスセラミックス誘電体。
(2)酸化物換算組成の全物質量に対して、モル%で
TiO2成分 1%~40.0%、
Nb25成分 10.0%~50.0%、
を含有することを特徴とする上記(1)に記載のガラスセラミックス誘電体。
(3)酸化物換算組成の全物質量に対して、モル%で
SiO2成分 0~20.0%、
23成分 0~20.0%、
Al23成分 0~15.0%、
BaO成分 0~30.0%、
SrO成分 0~30.0%、
CaO成分 0~30.0%、
MgO成分 0~30.0%、
ZnO成分 0~45.0%、
Li2O成分 0~10.0%、
Na2O成分 0~10.0%、
2O成分 0~15.0%、
WO3成分 0~20.0%、
Ta25成分 0~15.0%
ZrO2成分 0~15.0%
SnO成分 0~10.0%、
Ln23成分(式中、LnはLa、Ce、Gd、Y、Dy、Yb、Luからなる群より選択される1種以上)の合計量 0~10.0%、
xy成分(式中、MxyはV、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag、Moからなる群より選択される1種以上)の合計量 0~10.0%、
Sb23成分 0~10.0%、
外割でFを0~30.0%
を含有する上記(1)または(2)に記載のガラスセラミックス誘電体。
(4)Rn2O成分(式中、RnはLi、Na、Kからなる群より選択される1種以上)の合計量が15.0%以下で、RO成分(式中、RはMg、Ca、Sr、Baからなる群より選択される1種以上)とZnO成分との合計量が3.0%~50.0%の範囲にある、上記(1)~(3)のいずれかに記載のガラスセラミックス誘電体。
(5)主結晶相としてリン・ニオブ酸化物化合物、タングステンブロンズ型結晶、ペロブスカイト型結晶、TiNb27結晶、TiO2結晶、BaTi25結晶、CaTi25結晶及びこれらの固溶体からなる群から選ばれる一種または一種以上を含む、上記(1)から(4)のいずれかに記載のガラスセラミックス誘電体。
The present inventor has diligently studied and found a glass-ceramic dielectric that can solve the above-mentioned problems with a composition system different from the existing technology, and completed the present invention.
The present invention is the following (1) to (5).
(1) P 2 O 5 component 15.0% to 50.0% in mol% with respect to the total amount of substance in the oxide equivalent composition,
Mole sum (TIM 2 + Nb 2 O 5 ) 15.0% -70.0%
A glass-ceramic dielectric having a dielectric constant of 25 or more at 1 kHz.
(2) TIO 2 component 1% to 40.0% in mol% with respect to the total amount of substance in the oxide equivalent composition,
Nb 2 O 5 component 10.0% to 50.0%,
The glass-ceramic dielectric according to (1) above, which comprises.
(3) SiO 2 component 0 to 20.0% in mol% with respect to the total amount of substance in the oxide equivalent composition,
B 2 O 3 component 0-20.0%,
Al 2 O 3 component 0 to 15.0%,
BaO component 0-30.0%,
SrO component 0-30.0%,
CaO component 0-30.0%,
MgO component 0-30.0%,
ZnO component 0-45.0%,
Li 2 O component 0 to 10.0%,
Na 2 O component 0 to 10.0%,
K 2 O component 0 to 15.0%,
WO 3 component 0-20.0%,
Ta 2 O 5 component 0 to 15.0%
ZrO 2 component 0 to 15.0%
SnO 2 component 0 to 10.0%,
Total amount of Ln 2 O 3 components (in the formula, Ln is one or more selected from the group consisting of La, Ce, Gd, Y, Dy, Yb, Lu), 0 to 10.0%,
Total amount of M x O y components (in the formula, M x O y is one or more selected from the group consisting of V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, and Mo) 0 to 10.0 %,
Sb 2 O 3 component 0 to 10.0%,
F is 0 to 30.0% by outside discount
The glass-ceramic dielectric according to (1) or (2) above.
(4) The total amount of the Rn 2 O component (in the formula, Rn is one or more selected from the group consisting of Li, Na, and K) is 15.0% or less, and the RO component (in the formula, R is Mg, Any of the above (1) to (3), wherein the total amount of the ZnO component (one or more selected from the group consisting of Ca, Sr, and Ba) and the ZnO component is in the range of 3.0% to 50.0%. The glass-ceramic dielectric according to the description.
(5) The main crystal phase is composed of a phosphorus-niobium oxide compound, a tungsten bronze type crystal, a perovskite type crystal, a TiNb 2 O 7 crystal, a TiO 2 crystal, a BaTi 2 O 5 crystal, a CaTi 2 O 5 crystal and a solid solution thereof. The glass-ceramic dielectric according to any one of (1) to (4) above, which comprises one or more selected from the group.

本発明によれば、誘電率が高く、かつ、絶縁破壊強度も高いガラスセラミックス誘電体を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a glass-ceramic dielectric having a high dielectric constant and a high dielectric breakdown strength.

実施例1における誘電率と周波数との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the dielectric constant and the frequency in Example 1. FIG. 実施例1における誘電率と誘電損失を示す図である。It is a figure which shows the dielectric constant and the dielectric loss in Example 1. FIG. 実施例1における絶縁破壊強度を示す図である。It is a figure which shows the dielectric breakdown strength in Example 1. FIG. 実施例1におけるXRDパターンを示す図である。It is a figure which shows the XRD pattern in Example 1. FIG. 実施例2における誘電率と周波数との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the dielectric constant and the frequency in Example 2. FIG. 実施例24,25及び26の絶縁破壊強度を示す図である。It is a figure which shows the dielectric breakdown strength of Examples 24, 25 and 26. 実施例24,25及び26のエネルギー貯蔵密度を示す図である。It is a figure which shows the energy storage density of Examples 24, 25 and 26.

本発明について説明する。
本発明は、酸化物換算組成の全物質量に対して、モル%で
25成分 15.0%~50.0%、
モル和(TiO2+Nb25) 20.0~70.0%
を含有し、1kHzにおける誘電率εが25以上であることを特徴とするガラスセラミックス誘電体である。
The present invention will be described.
In the present invention, the P 2 O 5 component is 15.0% to 50.0% in mol% with respect to the total amount of substance in the oxide equivalent composition.
Mole sum (TiO 2 + Nb 2 O 5 ) 20.0 to 70.0%
It is a glass ceramic dielectric having a dielectric constant ε of 25 or more at 1 kHz.

本発明のガラスセラミックス誘電体は、ガラスを熱処理することでガラス相中に結晶相を析出させて得られる材料であるため、結晶化ガラスとも呼ばれる。ガラスセラミックス誘電体は、ガラス相及び結晶相から成る材料のみならず、ガラス相が全て結晶相に変化した材料、すなわち、材料中の結晶量(結晶化度)が100質量%のものも含んでよい。なお、本発明のガラスセラミックス誘電体に含まれる結晶相の好ましい種類や結晶化率の好ましい値は後述する。 The glass-ceramic dielectric of the present invention is also called crystallized glass because it is a material obtained by precipitating a crystal phase in a glass phase by heat-treating the glass. The glass ceramic dielectric includes not only a material composed of a glass phase and a crystal phase, but also a material in which the glass phase is completely changed to a crystal phase, that is, a material having a crystallinity (crystallinity) of 100% by mass in the material. good. The preferred type of crystal phase contained in the glass-ceramic dielectric of the present invention and the preferred value of the crystallization rate will be described later.

本発明のガラスセラミックス誘電体は誘電率が高く、かつ、絶縁破壊強度も高いため、回路基板及び電子部品、大容量高電圧コンデンサーなどの誘電材料として好適に用いられる。また、本発明のガラスセラミックス誘電体は、高温(おおむね90℃以上)の特性が劣化しにくので、高温用コンデンサーの誘電体としても利用できる。 Since the glass-ceramic dielectric of the present invention has a high dielectric constant and a high dielectric breakdown strength, it is suitably used as a dielectric material for circuit boards, electronic components, large-capacity high-voltage capacitors, and the like. Further, the glass-ceramic dielectric of the present invention can be used as a dielectric of a high-temperature capacitor because the characteristics at high temperature (generally 90 ° C. or higher) do not easily deteriorate.

<ガラス成分>
本発明のガラスセラミックス誘電体を構成する各成分の組成範囲を以下に述べる。
以下において単に「%」と記した場合、「モル%」を意味するものとする。
また、本願明細書中において「%」で表されるガラス組成は、すべて酸化物換算組成の全物質量における百分率を意味するものとする。ここで、「酸化物換算組成」とは、本発明のガラスセラミックス誘電体の構成成分の原料として使用される酸化物、硝酸塩等が、溶融によってすべて分解され酸化物へ変化すると仮定した組成をいう。したがって「酸化物換算組成の全物質量における百分率」は、すべての成分が酸化物として存在しているとしたときの生成酸化物の質量の総和を100モル%とし、それに対する各成分の存在量を意味する。
なお、以下において「外割」とは、上記の「酸化物換算組成の全物質量」に含めないことを意味し、外割の比率は、上記の生成酸化物の質量の総和を100モル%としたときの、これに対する存在量を百分率で表した値を意味するものとする。
<Glass component>
The composition range of each component constituting the glass-ceramic dielectric of the present invention is described below.
In the following, when simply referred to as "%", it shall mean "mol%".
In addition, the glass composition represented by "%" in the specification of the present application means a percentage of the total amount of substance of the oxide equivalent composition. Here, the "oxide-equivalent composition" refers to a composition assuming that all the oxides, nitrates, etc. used as raw materials for the constituent components of the glass-ceramic dielectric of the present invention are decomposed by melting and changed into oxides. .. Therefore, for the "percentage of the total amount of substance in the oxide equivalent composition", the total mass of the produced oxides when all the components are present as oxides is 100 mol%, and the abundance of each component with respect to the total mass is 100 mol%. Means.
In the following, "outer split" means not included in the above "total amount of substances in the oxide equivalent composition", and the ratio of outer split is 100 mol% of the total mass of the above-mentioned produced oxides. It shall mean the value expressed as a percentage of the abundance with respect to this.

25成分は、ガラスの網目構造を構成し、ガラスの安定性を高めると共に、誘電性結晶の構成成分となる場合もあるので、本発明のガラスセラミックス誘電体に欠かせない成分である。特に、P25成分を15.0%以上含有することで、より安定的にガラスを作製することができる。15.0%未満であるとガラスの作製が困難となる。従って、P25成分の含有量は、好ましくは15.0%以上、より好ましくは18.0%以上、さらに好ましくは20.0%以上とする。
他方で、P25成分の含有量を50.0%以下にすることで、所望の誘電率をより容易に得ることができる。従って、P25成分の含有量は、好ましくは50.0%以下、より好ましくは40.0%以下、さらに好ましくは35.0%以下とする。
The P 2 O 5 component constitutes the network structure of the glass, enhances the stability of the glass, and may be a component of the dielectric crystal. Therefore, it is an indispensable component for the glass ceramic dielectric of the present invention. .. In particular, by containing 15.0% or more of the P 2 O 5 component, glass can be produced more stably. If it is less than 15.0%, it becomes difficult to produce glass. Therefore, the content of the P 2 O 5 component is preferably 15.0% or more, more preferably 18.0% or more, still more preferably 20.0% or more.
On the other hand, by setting the content of the P 2 O 5 component to 50.0% or less, the desired dielectric constant can be obtained more easily. Therefore, the content of the P 2 O 5 component is preferably 50.0% or less, more preferably 40.0% or less, still more preferably 35.0% or less.

TiO2成分は、ガラスの安定性を高める効果があり、さらに誘電性結晶の構成成分またはその核形成剤となる場合もあるので、本発明のガラスセラミックス誘電体に任意に添加できる成分である。この成分の含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる傾向があるので、40.0%以下含有することが好ましく、35.0%以下含有することがより好ましく、30.0%以下含有することがさらに好ましい。一方、上述の効果を得ようとするには、下限の添加量は1.0%以上であることが好ましく、3.0%以上であることがより好ましく、5.0%以上であることがさらに好ましい。 The TiO 2 component has the effect of enhancing the stability of the glass, and may be a constituent component of the dielectric crystal or a nucleating agent thereof, and is therefore a component that can be arbitrarily added to the glass ceramic dielectric of the present invention. If the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease. Therefore, it is preferably contained in an amount of 40.0% or less, more preferably 35.0% or less, and 30.0%. It is more preferable to contain the following. On the other hand, in order to obtain the above-mentioned effect, the lower limit addition amount is preferably 1.0% or more, more preferably 3.0% or more, and preferably 5.0% or more. More preferred.

Nb25成分は、ガラスの安定性を高めるとともに、誘電性結晶の構成成分となる場合もあるので、本発明のガラスセラミックス誘電体に任意に添加できる成分である。この成分の含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる傾向があるので、50.0%以下含有することが好ましく、40.0%以下含有することがより好ましく、35.0%以下含有することがさらに好ましい。一方、所望の誘電特性を得るには下限の添加量は10.0%以上であることが好ましく、15.0%以上であることがより好ましく、20.0%以上であることがさらに好ましい。 The Nb 2 O 5 component is a component that can be arbitrarily added to the glass-ceramic dielectric of the present invention because it enhances the stability of the glass and may be a constituent component of the dielectric crystal. If the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease. Therefore, it is preferably contained in an amount of 50.0% or less, more preferably 40.0% or less, and 35.0%. It is more preferable to contain the following. On the other hand, in order to obtain desired dielectric properties, the lower limit addition amount is preferably 10.0% or more, more preferably 15.0% or more, and further preferably 20.0% or more.

本発明のガラスセラミックス誘電体では、モル和(TiO2+Nb25)、すなわち、TiO2の含有率(%)とNb25の含有率(%)との合計が、15.0%以上であることが好ましく、18.0%以上であることがより好ましく、20.0%以上であることがさらに好ましい。また、この合計が70.0%以下であることが好ましく、65.0%以下であることがより好ましく、60.0%以下であることがさらに好ましい。この合計量は高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる傾向があり、逆に低すぎるとガラスセラミックス誘電体の誘電率が低くなる傾向がある。 In the glass-ceramic dielectric of the present invention, the sum of molars (TiO 2 + Nb 2 O 5 ), that is, the total of the content of TiO 2 (%) and the content of Nb 2 O 5 (%) is 15.0%. The above is preferable, 18.0% or more is more preferable, and 20.0% or more is further preferable. Further, the total is preferably 70.0% or less, more preferably 65.0% or less, and further preferably 60.0% or less. If this total amount is too high, the stability of the glass tends to decrease, and conversely, if it is too low, the dielectric constant of the glass-ceramic dielectric tends to decrease.

SiO2成分は、ガラスの安定性を高める効果があるので本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は20.0%以下であることが好ましく、10.0%以下であることがより好ましく、5.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下、ガラスセラミックス誘電体の誘電率も低下しやすくなる。 The SiO 2 component is an optional component in the glass-ceramic dielectric of the present invention because it has the effect of enhancing the stability of the glass. The specific content is preferably 20.0% or less, more preferably 10.0% or less, and even more preferably 5.0% or less. If this component content is too high, the stability of the glass will decrease, and the dielectric constant of the glass-ceramic dielectric will also decrease.

23成分は、ガラスの安定性を高める効果があるので本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は20.0%以下であることが好ましく、10.0%以下であることがより好ましく、7.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下し、ガラスセラミックス誘電体の誘電率も低下しやすくなる。 The B 2 O 3 component is an optional component in the glass-ceramic dielectric of the present invention because it has the effect of enhancing the stability of the glass. The specific content is preferably 20.0% or less, more preferably 10.0% or less, and even more preferably 7.0% or less. If this component content is too high, the stability of the glass will decrease, and the dielectric constant of the glass-ceramic dielectric will also decrease.

Al23成分は、ガラスの安定性を高める効果があるので本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は15.0%以下であることが好ましく、7.0%以下であることがより好ましく、3.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下し、ガラスセラミックス誘電体の誘電率も低下しやすくなる。 The Al 2 O 3 component is an optional component in the glass-ceramic dielectric of the present invention because it has the effect of enhancing the stability of the glass. The specific content is preferably 15.0% or less, more preferably 7.0% or less, and even more preferably 3.0% or less. If this component content is too high, the stability of the glass will decrease, and the dielectric constant of the glass-ceramic dielectric will also decrease.

BaO成分は、ガラスの安定性を高めると共に、誘電性結晶の構成成分となる場合もあるので、本発明のガラスセラミックス誘電体に任意に添加できる成分である。従って、好ましくは0%超、より好ましくは5.0%以上、さらに好ましくは10.0%以上含有してもよい。他方で、この成分の含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる傾向があるので、30.0%以下含有することが好ましく、28.0%以下含有することがより好ましく、25.0%以下含有することがさらに好ましい。 The BaO component is a component that can be arbitrarily added to the glass-ceramic dielectric of the present invention because it enhances the stability of the glass and may be a constituent component of the dielectric crystal. Therefore, it may be contained preferably more than 0%, more preferably 5.0% or more, still more preferably 10.0% or more. On the other hand, if the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease, so that it is preferably contained in an amount of 30.0% or less, more preferably 28.0% or less, and 25. It is more preferably contained in an amount of 0.0% or less.

SrO成分は、ガラスの安定性を高めると共に、誘電性結晶の構成成分となる場合もあるので、本発明のガラスセラミックス誘電体に任意に添加できる成分である。この成分の含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる傾向があるので、30.0%以下含有することが好ましく、25.0%以下含有することがより好ましく、20.0%以下含有することがさらに好ましい。 Since the SrO component enhances the stability of the glass and may be a constituent component of the dielectric crystal, it is a component that can be arbitrarily added to the glass-ceramic dielectric of the present invention. If the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease. Therefore, it is preferably contained in an amount of 30.0% or less, more preferably 25.0% or less, and 20.0%. It is more preferable to contain the following.

CaO成分は、ガラスの安定性を高めると共に、誘電性結晶の構成成分となる場合もあるので、本発明のガラスセラミックス誘電体に任意に添加できる成分である。この成分の含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる傾向があるので、30.0%以下含有することが好ましく、25.0%以下含有することがより好ましく、20.0%以下含有することがさらに好ましい。 Since the CaO component enhances the stability of the glass and may be a constituent component of the dielectric crystal, it is a component that can be arbitrarily added to the glass-ceramic dielectric of the present invention. If the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease. Therefore, it is preferably contained in an amount of 30.0% or less, more preferably 25.0% or less, and 20.0%. It is more preferable to contain the following.

MgO成分は、ガラスの安定性を高めると共に誘電性結晶の構成成分となる場合もあるので、本発明のガラスセラミックス誘電体に任意に添加できる成分である。この成分の含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる傾向があるので、30.0%以下含有することが好ましく、20.0%以下含有することがより好ましく、15.0%以下含有することがさらに好ましい。 The MgO component is a component that can be arbitrarily added to the glass-ceramic dielectric of the present invention because it enhances the stability of the glass and may be a constituent component of the dielectric crystal. If the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease. Therefore, it is preferably contained in an amount of 30.0% or less, more preferably 20.0% or less, and 15.0%. It is more preferable to contain the following.

ZnO成分は、ガラスの安定性を高めると共に誘電性結晶の構成成分となる場合もあるので、本発明のガラスセラミックス誘電体に任意に添加できる成分である。従って、好ましくは0%超、より好ましくは1.0%以上、さらに好ましくは3.0%以上含有してもよい。他方で、この成分の含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる傾向があるので、45.0%以下含有することが好ましく、40.0%以下含有することがより好ましく、38.0%以下含有することがさらに好ましい。 Since the ZnO component enhances the stability of the glass and may be a constituent component of the dielectric crystal, it is a component that can be arbitrarily added to the glass-ceramic dielectric of the present invention. Therefore, it may be contained preferably more than 0%, more preferably 1.0% or more, still more preferably 3.0% or more. On the other hand, if the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease, so that it is preferably contained in an amount of 45.0% or less, more preferably 40.0% or less, and 38. It is more preferably contained in an amount of 0.0% or less.

本発明のガラスセラミックス誘電体は、RO(式中、RはMg、Ca、Sr、Baからなる群より選択される1種以上)成分を50.0%以下含有することが好ましい。RO成分の合計量を50.0%以下にすることでガラスの安定性及びガラスセラミックス誘電体の誘電特性が低下しにくくなるので、RO成分の合計量は、好ましくは50.0%、より好ましくは40.0%、最も好ましくは38.0%を上限とする。一方、RO成分の合計量を1.0%以上にすることでガラスの安定性及びガラスセラミックス誘電体の誘電特性が向上するので、RO成分の合計量は、好ましくは1.0%、より好ましくは3.0%、最も好ましくは5.0%を下限とする。 The glass-ceramic dielectric of the present invention preferably contains 50.0% or less of the RO (in the formula, R is one or more selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, and Ba) component. By setting the total amount of the RO components to 50.0% or less, the stability of the glass and the dielectric properties of the glass ceramic dielectric are less likely to deteriorate. Therefore, the total amount of the RO components is preferably 50.0%, more preferably 50.0%. Is 40.0%, most preferably 38.0%. On the other hand, since the stability of the glass and the dielectric properties of the glass ceramic dielectric are improved by setting the total amount of the RO components to 1.0% or more, the total amount of the RO components is preferably 1.0%, more preferably 1.0%. The lower limit is 3.0%, most preferably 5.0%.

また、本発明のガラスセラミックス誘電体は、RO(式中、RはMg、Ca、Sr、Baからなる群より選択される1種または一種以上)成分及びZnO成分の合計量(モル和)を50.0%以下含有することが好ましい。RO成分とZnO成分との合計量(RO+ZnO)を50.0%以下にすることでガラスの安定性及びガラスセラミックス誘電体の誘電特性が低下しにくくなるのでRO成分とZnO成分の合計量(RO+ZnO)は好ましくは50.0%、より好ましくは45.0%、最も好ましくは40.0%を上限とする。一方、RO成分及びZnO成分の合計量を3.0%以上にすることでガラスの安定性及びガラスセラミックス誘電体の誘電特性が向上するので、その合計量(RO+ZnO)は、好ましくは3.0%、より好ましくは5.0%、最も好ましくは8.0%を下限とする。 Further, in the glass-ceramic dielectric of the present invention, the total amount (molar sum) of the RO (in the formula, R is one or more selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, and Ba) component and the ZnO component is used. It is preferably contained in an amount of 50.0% or less. By setting the total amount of RO component and ZnO component (RO + ZnO) to 50.0% or less, the stability of the glass and the dielectric properties of the glass ceramic dielectric are less likely to deteriorate, so the total amount of the RO component and ZnO component (RO + ZnO) ) Is preferably 50.0%, more preferably 45.0%, and most preferably 40.0%. On the other hand, since the stability of the glass and the dielectric property of the glass ceramic dielectric are improved by setting the total amount of the RO component and the ZnO component to 3.0% or more, the total amount (RO + ZnO) is preferably 3.0. %, More preferably 5.0%, and most preferably 8.0%.

なお、本発明のガラスセラミックス誘電体において、RO(式中、RはMg、Ca、Sr、Baからなる群より選択される1種以上)成分及びZnO成分の中で、特にBaO成分とZnO成分はガラスの安定性及びガラスセラミックス誘電体の誘電特性を高める効果がより顕著であるため、どちらか、または両方を含むことが最も好ましい。 In the glass-ceramic dielectric of the present invention, among the RO (in the formula, R is one or more selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, and Ba) component and the ZnO component, the BaO component and the ZnO component in particular. Is most preferable to include either or both because the effect of enhancing the stability of the glass and the dielectric property of the glass ceramic dielectric is more remarkable.

Li2O成分は、ガラスの安定性を高める効果があるので本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は10.0%以下であることが好ましく、5.0%以下であることがより好ましく、3.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスセラミックス誘電体の絶縁破壊強度が低下しやすくなる。 The Li 2 O component is an optional component in the glass-ceramic dielectric of the present invention because it has the effect of enhancing the stability of the glass. The specific content is preferably 10.0% or less, more preferably 5.0% or less, and even more preferably 3.0% or less. If this component content is too high, the dielectric breakdown strength of the glass-ceramic dielectric tends to decrease.

Na2O成分は、ガラスの安定性を高める効果があるので本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は10.0%以下であることが好ましく、5.0%以下であることがより好ましく、3.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスセラミックス誘電体の絶縁破壊強度が低下しやすくなる。 The Na 2 O component is an optional component in the glass-ceramic dielectric of the present invention because it has the effect of enhancing the stability of the glass. The specific content is preferably 10.0% or less, more preferably 5.0% or less, and even more preferably 3.0% or less. If this component content is too high, the dielectric breakdown strength of the glass-ceramic dielectric tends to decrease.

2O成分は、ガラスの安定性を高める効果があるので本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は15.0%以下であることが好ましく、10.0%以下であることがより好ましく、7.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスセラミックス誘電体の誘電率と絶縁破壊強度が低下しやすくなる。 The K 2 O component is an optional component in the glass-ceramic dielectric of the present invention because it has the effect of enhancing the stability of the glass. The specific content is preferably 15.0% or less, more preferably 10.0% or less, and even more preferably 7.0% or less. If this component content is too high, the dielectric constant and dielectric breakdown strength of the glass-ceramic dielectric tend to decrease.

本発明のガラスセラミックス誘電体は、Rn2O成分(式中、RnはLi、Na、Kからなる群より選択される1種以上)の合計量が、15.0%以下であることが好ましく、10.0%以下であることがより好ましく、5.0%以下であることがさらに好ましく、含有しないことが最も好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスセラミックス誘電体の絶縁破壊強度が低下しやすくなる。 The glass-ceramic dielectric of the present invention preferably has a total amount of Rn 2 O components (in the formula, Rn is one or more selected from the group consisting of Li, Na, and K) of 15.0% or less. It is more preferably 10.0% or less, further preferably 5.0% or less, and most preferably not contained. If this component content is too high, the dielectric breakdown strength of the glass-ceramic dielectric tends to decrease.

WO3成分は、ガラスの安定性を高めると共に、ガラスセラミックス誘電体の誘電率の向上にも寄与するので本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は20.0%以下であることが好ましく、10.0%以下であることがより好ましく、7.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる。 The WO 3 component is an optional component in the glass ceramic dielectric of the present invention because it enhances the stability of the glass and contributes to the improvement of the dielectric constant of the glass ceramic dielectric. The specific content is preferably 20.0% or less, more preferably 10.0% or less, and even more preferably 7.0% or less. If the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease.

Ta25成分は、ガラスの安定性を高めると共に、ガラスセラミックス誘電体の誘電率の向上にも寄与するので本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は10.0%以下であることが好ましく、5.0%以下であることがより好ましく、3.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる。 The Ta 2 O 5 component is an optional component in the glass ceramic dielectric of the present invention because it enhances the stability of the glass and also contributes to the improvement of the dielectric constant of the glass ceramic dielectric. The specific content is preferably 10.0% or less, more preferably 5.0% or less, and even more preferably 3.0% or less. If the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease.

ZrO2成分は、ガラスの安定性を高めると共に、誘電性結晶の核形成剤の役割を果たし、誘電率の向上にも寄与するので本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は15.0%以下であり、8.0%以下であることがより好ましく、7.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる。 The ZrO 2 component is an optional component in the glass ceramic dielectric of the present invention because it enhances the stability of the glass, plays the role of a nucleating agent for the dielectric crystal, and contributes to the improvement of the dielectric constant. The specific content is 15.0% or less, more preferably 8.0% or less, and even more preferably 7.0% or less. If the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease.

SnO2成分は、誘電性結晶の核形成剤の役割を果たし、誘電特性の向上に寄与するので、本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は10.0%以下であることが好ましく、5.0%以下であることがより好ましく、3.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる。 The SnO 2 component serves as a nucleating agent for the dielectric crystal and contributes to the improvement of the dielectric property, and is therefore an optional component in the glass-ceramic dielectric of the present invention. The specific content is preferably 10.0% or less, more preferably 5.0% or less, and even more preferably 3.0% or less. If the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease.

Ln23成分(式中、LnはLa、Ce、Gd、Y、Dy、Yb、Luからなる群より選択される1種以上)は、誘電特性の向上に効果があるので、本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。これらの含有量の合計が10.0%以下であることが好ましく、5.0%以下であることがより好ましく、3.0%以下であることがさらに好ましい。これらの成分の含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる。 The Ln 2 O 3 component (in the formula, Ln is one or more selected from the group consisting of La, Ce, Gd, Y, Dy, Yb, and Lu) is effective in improving the dielectric properties, and thus the present invention. It is an optional component in glass-ceramic dielectrics. The total of these contents is preferably 10.0% or less, more preferably 5.0% or less, still more preferably 3.0% or less. If the content of these components is too high, the stability of the glass tends to decrease.

xy成分(V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag、Moからなる群より選択される1種以上)は、誘電特性の改善に効果があるので、本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。これらの含有量の合計が10.0%以下であることが好ましく、3.0%以下であることがより好ましく、1.0%以下であることがさらに好ましい。これらの成分の含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる。 Since the M x O y component (one or more selected from the group consisting of V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, and Mo) is effective in improving the dielectric properties, the glass of the present invention is used. It is an optional component in ceramic dielectrics. The total of these contents is preferably 10.0% or less, more preferably 3.0% or less, still more preferably 1.0% or less. If the content of these components is too high, the stability of the glass tends to decrease.

F成分はガラスの安定性を高め、誘電性結晶の核形成剤の役割を果たすので、本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。その含有率は、外割で30.0%以下であることが好ましく、15.0%以下であることがより好ましく、8.0%以下であることがさらに好ましい。この成分の含有率が高すぎると誘電特性及び絶縁破壊強度が低下しやすくなる。 The F component enhances the stability of the glass and acts as a nucleating agent for the dielectric crystal, and is therefore an optional component in the glass ceramic dielectric of the present invention. The content is preferably 30.0% or less, more preferably 15.0% or less, and even more preferably 8.0% or less. If the content of this component is too high, the dielectric properties and dielectric breakdown strength tend to decrease.

Sb23成分は、ガラスの脱泡剤の効果があり、さらに誘電特性の改善に寄与するので、本発明のガラスセラミックス誘電体における任意成分である。具体的な含有率は10%以下であることが好ましく、3.0%以下であることがより好ましく、1.0%以下であることがさらに好ましい。この成分含有率が高すぎるとガラスの安定性が低下しやすくなる。 The Sb 2 O 3 component has the effect of a defoaming agent for glass and further contributes to the improvement of the dielectric property, and is therefore an optional component in the glass ceramic dielectric of the present invention. The specific content is preferably 10% or less, more preferably 3.0% or less, and even more preferably 1.0% or less. If the content of this component is too high, the stability of the glass tends to decrease.

本発明のガラスセラミックス誘電体は、主結晶相としてリン・ニオブ酸化物化合物、タングステンブロンズ型結晶、ペロブスカイト型結晶、TiNb27結晶、TiO2結晶、BaTi25結晶、CaTi25結晶及びこれらの固溶体からなる群から選ばれる一種または一種以上を含むことが好ましい。なお、上述のリン・ニオブ酸化物化合物としては、NbPO5、Nb9PO25、Nb182.550、BaTiP28、BaNb2211、ZnNb4217結晶及びこれらの固溶体からなる群から選ばれる一種または一種以上を含むことが特に好ましい。上述のタングステンブロンズ型結晶としては、BaNb26、SrNb26、CaNb26、ZnNb26結晶及びこれらの固溶体からなる群から選ばれる一種または一種以上を含むことが特に好ましい。上述のペロブスカイト型としてはBaTiO3、SrTiO3、CaTiO3及びこれらの固溶体からなる群から選ばれる一種または一種以上を含むことが特に好ましい。 The glass ceramic dielectric of the present invention has a phosphorus-niobium oxide compound, a tungsten bronze type crystal, a perovskite type crystal, a TiNb 2 O 7 crystal, a TiO 2 crystal, a BaTi 2 O 5 crystal, and a CaTi 2 O 5 crystal as the main crystal phase. And one or more selected from the group consisting of these solid solutions. Examples of the above-mentioned phosphorus / niobium oxide compounds include NbPO 5 , Nb 9 PO 25 , Nb 18 P 2.5 O 50 , BaTiP 2 O 8 , BaNb 2 P 2 O 11 , ZnNb 4 P 2 O 17 crystals, and these. It is particularly preferable to contain one or more selected from the group consisting of solid solutions. It is particularly preferable that the above-mentioned tungsten bronze type crystals include one or more selected from the group consisting of BaNb 2 O 6 , SrNb 2 O 6 , CaNb 2 O 6 , ZnNb 2 O 6 crystals and solid solutions thereof. It is particularly preferable that the above-mentioned perovskite type contains one or more selected from the group consisting of BaTiO 3 , SrTIO 3 , CaTiO 3 and a solid solution thereof.

なお、本発明のガラスセラミックス誘電体の結晶化率及び結晶相の大きさは、熱処理条件の調整により精密に制御することができるが、所望の誘電特性を得るために結晶化率は3.0%以上であることが好ましく、5.0%以上であることがより好ましく、10.0%以上であることが最も好ましい。結晶の平均サイズは、ナノオーダーから数十ミクロンまでの範囲で好ましい。 The crystallization rate and the size of the crystal phase of the glass ceramic dielectric of the present invention can be precisely controlled by adjusting the heat treatment conditions, but the crystallization rate is 3.0 in order to obtain the desired dielectric property. % Or more, more preferably 5.0% or more, and most preferably 10.0% or more. The average size of the crystals is preferably in the range of nano-order to tens of microns.

本発明のガラスセラミックス誘電体は、1kHzにおける誘電率εが25以上である。この誘電率εは27以上であることが好ましく、30以上であることがより好ましい。
なお、本発明において、インピーダンスアナライザー(例えばソーラトロン社製 SI1260)を用いて10Hzから1MHzまでの周波数にわたって誘電率及び誘電損失を測定し、1kHzにおける値を本発明の誘電率及び誘電損失とした。
The glass-ceramic dielectric of the present invention has a dielectric constant ε of 25 or more at 1 kHz. The dielectric constant ε is preferably 27 or more, and more preferably 30 or more.
In the present invention, the dielectric constant and the dielectric loss were measured over a frequency from 10 Hz to 1 MHz using an impedance analyzer (for example, SI1260 manufactured by Solartron), and the values at 1 kHz were taken as the dielectric constant and the dielectric loss of the present invention.

<用途>
本発明のガラスセラミックス誘電体は、任意の形にすることが可能であるため、様々な誘電体として利用できる。例えば、通信機器や電子機器に搭載される回路基板及び電子部品、大容量高電圧コンデンサーなどの誘電材料に使用される。コンデンサーは電力変換装置における電流変動の緩衝、カップリングや平滑用に使用される。高電圧コンデンサーは半導体の加工や視力矯正手術で利用されるエキシマレーザー機器のほか、医療用X線装置、工業用高電圧電源や、再生可能エネルギー用送電システムに必要不可欠な部品である。これらのガラスセラミックス誘電体は単独で上記の用途に用いられる以外に、繊維、粉末及びペーストなどの態様で他の誘電体と複合化した形でも使用されることも可能である。具体的には、基板上にパターン電極を形成された誘電体基板、積層基板材料、誘電体共振素子、誘電材料の焼成助剤、誘電体ペースト(誘電体粉末を有機化合物等からなるビヒクル中に懸濁させたものであって、通常、スクリーン印刷や打ち抜き型印刷により電極上に成膜されて使用される)等の用途が挙げられる。
<Use>
Since the glass-ceramic dielectric of the present invention can be formed into any shape, it can be used as various dielectrics. For example, it is used as a dielectric material such as a circuit board and an electronic component mounted on a communication device or an electronic device, and a large-capacity high-voltage capacitor. Capacitors are used for buffering, coupling and smoothing current fluctuations in power converters. High-voltage capacitors are indispensable parts for excimer laser equipment used in semiconductor processing and vision correction surgery, as well as medical X-ray equipment, industrial high-voltage power supplies, and renewable energy power transmission systems. These glass-ceramic dielectrics can be used alone in the above-mentioned applications, or can also be used in a composite form with other dielectrics in the form of fibers, powders, pastes and the like. Specifically, a dielectric substrate having a pattern electrode formed on the substrate, a laminated substrate material, a dielectric resonance element, a baking aid for the dielectric material, and a dielectric paste (dielectric powder is contained in a vehicle made of an organic compound or the like). It is suspended and is usually used by forming a film on an electrode by screen printing or punching printing).

<ガラスセラミックス誘電体の製造方法>
本発明のガラスセラミックス誘電体は、
(i)所定の比で混合した原料を溶融し、その融液を冷却してガラスを得る工程と、(ii)ガラスをそのガラス転移点以上の温度で熱処理することでガラスセラミックス誘電体に変換する結晶化工程とを含んでいる。
<Manufacturing method of glass-ceramic dielectric>
The glass-ceramic dielectric of the present invention is
(I) The steps of melting the mixed raw materials at a predetermined ratio and cooling the melt to obtain glass, and (ii) heat-treating the glass at a temperature equal to or higher than the glass transition point to convert it into a glass ceramic dielectric. It includes a crystallization step to be performed.

(1)工程(i)
各成分が所定の含有量の範囲内になるように原料を調合し、均一に混合してから白金坩堝、石英坩堝又はアルミナ坩堝に投入して電気炉又は燃焼炉で1200~1500℃の温度範囲で1~24時間溶融し、攪拌均質化したのち、その融液を冷却してガラスを得る工程である。なお、原料は特に限定されるものではなく酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、弗化物、塩化物、メタ燐酸化合物等の通常のガラスに使用される原料を適宜に選択すればよく、ガラス化の条件は、ガラス組成及び溶解量等に応じて適宜に設定すればよい。また、本工程で得られるガラス体の形状は特に限定されず、用途に応じて板状、繊維状、粒状等であってよい。
(1) Step (i)
The raw materials are mixed so that each component is within the predetermined content range, mixed uniformly, and then charged into a platinum crucible, a quartz crucible or an alumina crucible, and the temperature range is 1200 to 1500 ° C. in an electric furnace or a combustion furnace. In this step, the crucible is melted for 1 to 24 hours, homogenized by stirring, and then the melt is cooled to obtain glass. The raw material is not particularly limited, and raw materials used for ordinary glass such as oxides, hydroxides, carbonates, nitrates, fluorides, chlorides, and metaphosphate compounds may be appropriately selected. The conditions for vitrification may be appropriately set according to the glass composition, the amount of dissolution, and the like. Further, the shape of the glass body obtained in this step is not particularly limited, and may be plate-shaped, fibrous, granular or the like depending on the intended use.

(2)工程(ii)
上記工程(i)で得られたガラスを熱処理することで、ガラスセラミックス誘電体に変換する結晶化工程である。この熱処理は、ガラスのガラス転移点以上の温度で行われる。ガラス転移点(Tg)は、組成により相違するが、概ね600℃~750℃の範囲にある。熱処理温度の上限は、特に限定されないが、DTA測定で見られた結晶化ピークを示す温度より300℃高い温度を上限とすることが好ましい。本発明のガラスの最高結晶化温度は組成により大きく異なるが、概ね650℃~1000℃の範囲である。また、熱処理時間は、ガラスセラミックス誘電体に変換し得る時間であり、熱処理温度が高いと短く、低いと長くなり、通常0.1~100時間の範囲である。なお、この結晶化工程は、1段階の熱処理でもよいし、2段階以上の熱処理過程を経てもよい。
(2) Step (ii)
This is a crystallization step of converting the glass obtained in the above step (i) into a glass-ceramic dielectric by heat-treating it. This heat treatment is performed at a temperature above the glass transition point of the glass. The glass transition point (Tg) varies depending on the composition, but is generally in the range of 600 ° C to 750 ° C. The upper limit of the heat treatment temperature is not particularly limited, but it is preferable that the upper limit is a temperature 300 ° C. higher than the temperature showing the crystallization peak seen in the DTA measurement. The maximum crystallization temperature of the glass of the present invention varies greatly depending on the composition, but is generally in the range of 650 ° C to 1000 ° C. The heat treatment time is a time that can be converted into a glass-ceramic dielectric, and is short when the heat treatment temperature is high and long when the heat treatment temperature is low, and is usually in the range of 0.1 to 100 hours. The crystallization step may be a one-step heat treatment or a two-step or higher heat treatment step.

なお、工程(ii)はバルクガラスからバルクガラスセラミックス誘電体を作製するのに最も適する手法であるが、ガラスの形状に応じて工程(ii)における熱処理温度を適宜に設定する必要がある。例えば、工程(i)で得られたガラスは粉末であり、その粉末を用いて焼結法でシート状のガラスセラミックス誘電体を作製する場合は、緻密化を図るためガラスからガラスセラミックス誘電体に変化する温度(焼成温度)は上述の熱処理温度の上限より高い温度にする場合がある。 The step (ii) is the most suitable method for producing a bulk glass ceramic dielectric from bulk glass, but it is necessary to appropriately set the heat treatment temperature in the step (ii) according to the shape of the glass. For example, the glass obtained in step (i) is a powder, and when a sheet-shaped glass-ceramic dielectric is produced by a sintering method using the powder, the glass is changed to a glass-ceramic dielectric for densification. The changing temperature (firing temperature) may be higher than the upper limit of the heat treatment temperature described above.

以下、実施例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらによりなんら制限されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited thereto.

(実施例1)
組成:25P25-10TiO2-30Nb25-17.5BaO-14CaO-3.5ZnO (モル%)
上記の組成になるように原料(TiO2、Nb25、Ba(PO32、BaCO3、Ca(PO32、CaCO3、ZnO)を調合し、よく混合した後、石英坩堝に入れて1260℃で1時間溶解した。その後、溶融液を白金坩堝に移し、さらに2時間溶解し、攪拌均質化してから溶融液を金型に流し込み、板状のガラスを得た。DTAにより測定されたガラスの転移温度(Tg)は700℃付近、結晶化ピークは765℃及び900℃付近にあった。これらの温度特性に基づいて各種条件で熱処理を行うことによりガラスセラミックス誘電体に変換した。得られたガラスセラミックス誘電体について約30mm×30mm×1mmに加工し、以下の物性評価に供した。
図1に各種条件で熱処理して得たガラスセラミックス誘電体の誘電特性を示す。なお、誘電特性の測定はインピーダンスアナライザー(ソーラトロン社製 SI1260)により行われた。図1に見られるように誘電率は、周波数により、殆ど変化しないが、熱処理温度の上昇または時間の増大に従って大きくなった。
図2に1kHzにおける誘電率及び誘電損失を示す。誘電率は熱処理により大きく増大しても誘電損失は大きくなることがなく、0.01以下に抑えられることが分かる。
図3に各種の熱処理条件で作製した実施例1の絶縁破壊強度を示す。なお、絶縁破壊破強度は厚み1mmのサンプルを用いて、JIS C 2141に準じ測定を行った。絶縁破壊強度は熱処理条件により大きく変化するが、いずれの条件においても30kV/mm以上の値を示すことが分かった。
ガラスセラミックス誘電体の結晶相についてX線回折装置(フィリップス社製、商品名:X'Pert-MPD)で確認した結果、熱処理温度が800℃以下の場合は、主結晶相としてタングステンブロンズ型結晶である(Ba,Ca)Nb26結晶相が析出したが、熱処理温度がより高くなると、Nb9PO25の析出が顕著となり、図4に示すように950℃ではNb9PO25結晶がほぼ単相で析出した。
(Example 1)
Composition: 25P 2 O 5-10TIO 2-30Nb 2 O 5-17.5 BaO-14CaO-3.5ZnO (mol%)
Raw materials (TiO 2 , Nb 2 O 5 , Ba (PO 3 ) 2 , BaCO 3 , Ca (PO 3 ) 2 , CaCO 3 , ZnO) are mixed so as to have the above composition, and after mixing well, a quartz crucible is used. And dissolved at 1260 ° C. for 1 hour. Then, the melt was transferred to a platinum crucible, melted for another 2 hours, stirred and homogenized, and then the melt was poured into a mold to obtain a plate-shaped glass. The transition temperature (Tg) of the glass measured by DTA was around 700 ° C., and the crystallization peaks were around 765 ° C. and 900 ° C. Based on these temperature characteristics, it was converted into a glass-ceramic dielectric by performing heat treatment under various conditions. The obtained glass-ceramic dielectric was processed into a size of about 30 mm × 30 mm × 1 mm and subjected to the following physical property evaluation.
FIG. 1 shows the dielectric properties of the glass-ceramic dielectric obtained by heat treatment under various conditions. The dielectric characteristics were measured by an impedance analyzer (SI1260 manufactured by Solartron Co., Ltd.). As can be seen in FIG. 1, the permittivity hardly changes with frequency, but increases with increasing heat treatment temperature or time.
FIG. 2 shows the dielectric constant and the dielectric loss at 1 kHz. It can be seen that even if the dielectric constant is greatly increased by the heat treatment, the dielectric loss does not increase and is suppressed to 0.01 or less.
FIG. 3 shows the dielectric breakdown strength of Example 1 produced under various heat treatment conditions. The dielectric breakdown breaking strength was measured according to JIS C 2141 using a sample having a thickness of 1 mm. It was found that the dielectric breakdown strength varies greatly depending on the heat treatment conditions, but shows a value of 30 kV / mm or more under any of the conditions.
As a result of confirming the crystal phase of the glass ceramic dielectric with an X-ray diffractometer (manufactured by Phillips, trade name: X'Pert-MPD), when the heat treatment temperature is 800 ° C. or lower, a tungsten bronze type crystal is used as the main crystal phase. A certain (Ba, Ca) Nb 2 O 6 crystal phase was precipitated, but when the heat treatment temperature was higher, the precipitation of Nb 9 PO 25 became remarkable, and as shown in FIG. 4, the Nb 9 PO 25 crystal was almost formed at 950 ° C. Precipitated in a single phase.

(実施例2)
組成:4.5SiO2-2.5Al23-32P25-28TiO2-23Nb25-9.5ZnO-0.5SnO2 (モル%)
上記の組成になるように原料としてSiO2、Al(PO43、NH42PO4、TiO2、Nb25、Zn(PO32、ZnO及びSnO2を調合し、よく混合した後、白金ポットに入れて700℃で3時間保温してから1450℃まで上げて、この温度で2時間溶解し、攪拌均質化してから溶融液を金型に流し込み、板状のガラスを得た。DTAにより測定されたガラスの転移温度(Tg)は635℃付近、結晶化ピークは800℃付近にあった。これらの温度特性に基づいて各種条件で熱処理を行うことによりガラスセラミックス誘電体に変換した。得られたガラスセラミックス誘電体について約30mm×30mm×1mmに加工し、諸物性の評価に供した。図5に本実施例のガラス組成について各種条件で熱処理して得たガラスセラミックス誘電体の誘電率の周波数依存性を示す。誘電率は周波数の減少に従って大きく増大することが分かる。なお、ガラスセラミックス誘電体に析出した主結晶相はNbPO5及びTiO2であった。













(Example 2)
Composition: 4.5SiO 2-2.5Al 2 O 3-32P 2 O 5-28TiO 2-23Nb 2 O 5-9.5ZnO - 0.5SnO 2 ( mol%)
Mix SiO 2 , Al (PO 4 ) 3 , NH 4 H 2 PO 4 , TiO 2 , Nb 2 O 5 , Zn (PO 3 ) 2 , ZnO and SnO 2 as raw materials so as to have the above composition. After mixing, put it in a platinum pot and incubate it at 700 ° C. for 3 hours, then raise it to 1450 ° C., melt it at this temperature for 2 hours, stir and homogenize it, and then pour the melt into a mold to make a plate-shaped glass. Obtained. The transition temperature (Tg) of the glass measured by DTA was around 635 ° C, and the crystallization peak was around 800 ° C. Based on these temperature characteristics, it was converted into a glass-ceramic dielectric by performing heat treatment under various conditions. The obtained glass-ceramic dielectric was processed into a size of about 30 mm × 30 mm × 1 mm and used for evaluation of various physical properties. FIG. 5 shows the frequency dependence of the dielectric constant of the glass ceramic dielectric obtained by heat-treating the glass composition of this example under various conditions. It can be seen that the permittivity increases significantly as the frequency decreases. The main crystal phases precipitated on the glass-ceramic dielectric were NbPO 5 and TiO 2 .













Figure 0007027128000001
Figure 0007027128000001








Figure 0007027128000002
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Figure 0007027128000003
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Figure 0007027128000004
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Figure 0007027128000005
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実施例1または実施例2と類似な方法で実施例3~26及び比較例1を作製した。ガラスセラミックス誘電体の誘電率(1kHz)と主結晶相は表1にまとめた。実施例の誘電率は比較例のそれと比較すると、ずっと大きいことがわかる。 Examples 3 to 26 and Comparative Example 1 were prepared in a manner similar to Example 1 or Example 2. The permittivity (1 kHz) and main crystal phase of the glass-ceramic dielectric are summarized in Table 1. It can be seen that the permittivity of the examples is much higher than that of the comparative examples.

図6に実施例24、25及び26の絶縁破壊強度を示す。なお、これらの絶縁破壊破強度は厚み0.5mmのサンプルを用いて、JIS C 2141に準じ測定したものである。どの実施例も80kV/mm以上の値を示すことが分かった。
図7に実施例24、25及び26のエネルギー貯蔵密度を示す。値として1.5J/cm3以上のエネルギー密度を得ることが可能であることが分かった。
FIG. 6 shows the dielectric breakdown strength of Examples 24, 25 and 26. These dielectric breakdown fracture strengths were measured according to JIS C 2141 using a sample having a thickness of 0.5 mm. It was found that all the examples showed a value of 80 kV / mm or more.
FIG. 7 shows the energy storage densities of Examples 24, 25 and 26. It was found that it is possible to obtain an energy density of 1.5 J / cm 3 or more as a value.

Claims (4)

酸化物換算組成の全物質量に対して、モル%で
25成分 15.0%~50.0%、
TiO 2 成分 1%~40.0%、
Nb 2 5 成分 10.0%~50.0%、
モル和(TiO2+Nb25) 15.0%~70.0%
ZnO成分 0~7%
を含有し、1kHzにおける誘電率が25以上であることを特徴とするガラスセラミックス誘電体。
P 2 O 5 component 15.0% to 50.0% in mol% with respect to the total amount of substance in the oxide equivalent composition,
TiO 2 component 1% -40.0%,
Nb 2 O 5 component 10.0% to 50.0%,
Mole sum (TIM 2 + Nb 2 O 5 ) 15.0% -70.0% ,
ZnO component 0-7%
A glass-ceramic dielectric having a dielectric constant of 25 or more at 1 kHz.
酸化物換算組成の全物質量に対して、モル%で
SiO2成分 0~20.0%、
23成分 0~20.0%、
Al23成分 0~15.0%、
BaO成分 0~30.0%、
SrO成分 0~30.0%、
CaO成分 0~30.0%、
MgO成分 0~30.0%
2O成分 0~10.0%、
Na2O成分 0~10.0%、
2O成分 0~15.0%、
WO3成分 0~20.0%、
Ta25成分 0~15.0%
ZrO2成分 0~15.0%
SnO2成分 0~10.0%、
Ln23成分(式中、LnはLa、Ce、Gd、Y、Dy、Yb、Luからなる群より選択される1種以上)の合計量 0~10.0%、
xy成分(式中、MはV、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag、Moからなる群より選択される1種以上)の合計量 0~10.0%、
Sb23成分 0~10.0%、
外割でFを0~30.0%
を含有する請求項に記載のガラスセラミックス誘電体。
SiO 2 component 0 to 20.0% in mol% with respect to the total amount of substance in the oxide equivalent composition,
B 2 O 3 component 0-20.0%,
Al 2 O 3 component 0 to 15.0%,
BaO component 0-30.0%,
SrO component 0-30.0%,
CaO component 0-30.0%,
MgO component 0-30.0% ,
Li 2 O component 0 to 10.0%,
Na 2 O component 0 to 10.0%,
K 2 O component 0 to 15.0%,
WO 3 component 0-20.0%,
Ta 2 O 5 component 0 to 15.0%
ZrO 2 component 0 to 15.0%
SnO 2 component 0 to 10.0%,
Total amount of Ln 2 O 3 components (in the formula, Ln is one or more selected from the group consisting of La, Ce, Gd, Y, Dy, Yb, Lu), 0 to 10.0%,
Total amount of M x O y components (in the formula, M is one or more selected from the group consisting of V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, and Mo), 0 to 10.0%,
Sb 2 O 3 component 0 to 10.0%,
F is 0 to 30.0% by outside discount
The glass-ceramic dielectric according to claim 1 .
Rn2O成分(式中、RnはLi、Na、Kからなる群より選択される1種以上)の合計量が15.0%以下で、RO成分(式中、RはMg、Ca、Sr、Baからなる群より選択される1種以上)とZnO成分との合計量が3.0%~50.0%の範囲にある、請求項1または2に記載のガラスセラミックス誘電体。 The total amount of the Rn 2 O component (in the formula, Rn is one or more selected from the group consisting of Li, Na, and K) is 15.0% or less, and the RO component (in the formula, R is Mg, Ca, Sr). The glass-ceramic dielectric according to claim 1 or 2 , wherein the total amount of the ZnO component (one or more selected from the group consisting of Ba) and the ZnO component is in the range of 3.0% to 50.0%. 主結晶相としてリン・ニオブ酸化物化合物、タングステンブロンズ型結晶、ペロブスカイト型結晶、TiNb27結晶、TiO2結晶、BaTi25結晶、CaTi25結晶及びこれらの固溶体からなる群から選ばれる一種または一種以上を含む、請求項1から3のいずれかに記載のガラスセラミックス誘電体。 The main crystal phase is selected from the group consisting of phosphorus / niobium oxide compounds, tungsten bronze type crystals, perovskite type crystals, TiNb 2 O 7 crystals, TiO 2 crystals, BaTi 2 O 5 crystals, CaTi 2 O 5 crystals and solid solutions thereof. The glass-ceramic dielectric according to any one of claims 1 to 3 , which comprises one or more of the above.
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