JP7008841B2 - パルスシステムの検証 - Google Patents
パルスシステムの検証 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7008841B2 JP7008841B2 JP2020552371A JP2020552371A JP7008841B2 JP 7008841 B2 JP7008841 B2 JP 7008841B2 JP 2020552371 A JP2020552371 A JP 2020552371A JP 2020552371 A JP2020552371 A JP 2020552371A JP 7008841 B2 JP7008841 B2 JP 7008841B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- profile
- generated
- plasma treatment
- generator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012795 verification Methods 0.000 title description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 36
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000513 principal component analysis Methods 0.000 description 2
- 230000005971 DNA damage repair Effects 0.000 description 1
- 102000002706 Discoidin Domain Receptors Human genes 0.000 description 1
- 108010043648 Discoidin Domain Receptors Proteins 0.000 description 1
- 241000228740 Procrustes Species 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010219 correlation analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2822—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere of microwave or radiofrequency circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0046—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof characterised by a specific application or detail not covered by any other subgroup of G01R19/00
- G01R19/0061—Measuring currents of particle-beams, currents from electron multipliers, photocurrents, ion currents; Measuring in plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B17/00—Monitoring; Testing
- H04B17/10—Monitoring; Testing of transmitters
- H04B17/101—Monitoring; Testing of transmitters for measurement of specific parameters of the transmitter or components thereof
- H04B17/102—Power radiated at antenna
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
Claims (12)
- パルスシステムを検証する方法であって、
少なくとも1つのパルスモードについて、プロファイルセンサの測定値を使用してパルスシステムの少なくとも1つのパルス発生器のパルスのパルスプロファイルを生成する工程であって、それぞれのパルスプロファイルは、少なくとも1つのパルス発生器の利用可能なパルス周波数設定又はデューティサイクル設定のうちの少なくとも一方の範囲にわたって、多くの複数電力レベルの各々について生成されている工程と、
生成されたパルスプロファイルと同じ少なくとも1つのパルスモードのパルスを含む、適切に動作していることが分かっているパルス発生器のパルスの代表的パルスプロファイルを選択する工程と、
生成されたパルスプロファイル及び選択された代表的パルスプロファイルについて、少なくとも1つの同じパルスモードのパルス間の類似点及び/又は相違点を識別するための定量的測定基準を定義する工程と、
定義された定量的測定基準に照らして、生成されたパルスプロファイル及び選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスを比較する工程と、
パルスシステムの少なくとも1つのパルス発生器が適切に動作しているかどうかを、生成されたパルスプロファイル及び選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスの比較に基づいて判定する工程とを含む方法。 - パルスプロファイルは、少なくとも1つのパルス発生器の出力のプロファイルセンサからの測定値を受信するコントローラによって生成されている、請求項1に記載の方法。
- コントローラは、コントローラによってアクセス可能な記憶装置から、適切に動作していることが分かっているパルス発生器の代表的パルスプロファイルを選択している、請求項2に記載の方法。
- 処理チャンバ内でプラズマ処理のパルスプロファイルを生成する工程であって、この処理チャンバ内では光学センサの測定値を使用して、パルスシステムの少なくとも1つのパルス発生器の異なるパルスモードを含むプラズマが点火されている工程と、
プラズマ処理の生成されたパルスプロファイルと同じパルスモードを含む、適切に動作していることが分かっているパルスシステムを使用して実施されたプラズマ処理の代表的パルスプロファイルを選択する工程と、
プラズマ処理の生成されたパルスプロファイル及びプラズマ処理の選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスを、定義された定量的測定基準に照らして比較する工程と、
パルスシステムが適切に動作しているかどうかを、プラズマ処理の生成されたパルスプロファイルと、適切に動作していることが分かっているパルスシステムを使用して実施されたプラズマ処理の選択された代表的プロファイルとのそれぞれのパルスの比較に基づいて判定する工程とをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - プラズマ処理の生成されたパルスプロファイル、又は選択された代表的パルスプロファイルのパルスのうちの少なくとも一方のパルスのデコンボリューションを行い、その後、プラズマ処理の生成されたパルスプロファイル及びプラズマ処理の選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスを比較する工程をさらに含む、請求項4に記載の方法。
- パルスシステムを検証するための装置であって、
少なくとも1つのパルス発生器の測定を行うプロファイルセンサと、
コントローラであって、少なくともプログラム命令及びデータを格納するためのメモリ、及びプロセッサであって、プログラム命令を実行するとき、
少なくとも1つのパルスモードについて、プロファイルセンサからの少なくとも1つのパルス発生器の出力の測定値を使用して、パルスシステムの少なくとも1つのパルス発生器のパルスのパルスプロファイルを生成し、コントローラは、少なくとも1つのパルス発生器の利用可能なパルス周波数設定又はデューティサイクル設定のうちの少なくとも一方の範囲にわたって、多くの複数電力レベルの各々についてそれぞれのパルスプロファイルを生成し、
生成されたパルスプロファイルと同じ少なくとも1つのパルスモードのパルスを含む、適切に動作していることが分かっているパルス発生器のパルスの代表的パルスプロファイルを選択し、
生成されたパルスプロファイル及び選択された代表的パルスプロファイルについて、少なくとも1つの同じパルスモードのパルス間の類似点及び/又は相違点を識別するための定量的測定基準を定義し、
定義された定量的測定基準に照らして、生成されたパルスプロファイル及び選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスを比較し、
パルスシステムの少なくとも1つのパルス発生器が適切に動作しているかどうかを、生成されたパルスプロファイル及び選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスの比較に基づいて判定するように装置を構成するプロセッサとを備えるコントローラとを備える装置。 - 適切に動作していることが分かっているパルス発生器の代表的パルスプロファイルが装置のメモリに格納されている、請求項6に記載の装置。
- 光学センサをさらに備える、請求項6に記載の装置。
- 装置はさらに、
処理チャンバ内でプラズマ処理のパルスプロファイルを生成し、この処理チャンバ内では光学センサによって取得されたプラズマ処理の画像の測定値を使用して、パルスシステムの少なくとも1つのパルス発生器の異なるパルスモードを含むプラズマが点火されており、
プラズマ処理の生成されたパルスプロファイルと同じパルスモードを含む、適切に動作していることが分かっているパルスシステムを使用して実施されたプラズマ処理の代表的パルスプロファイルを選択し、
プラズマ処理の生成されたパルスプロファイル及びプラズマ処理の選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスを、定義された定量的測定基準に照らして比較し、
パルスシステムが適切に動作しているかどうかを、プラズマ処理の生成されたパルスプロファイルと、適切に動作していることが分かっているパルスシステムを使用して実施されたプラズマ処理の選択された代表的プロファイルとのそれぞれのパルスの比較に基づいて判定するように構成されている、請求項8に記載の装置。 - 装置はさらに、
プラズマ処理の生成されたパルスプロファイルのパルス、又はプラズマ処理の選択された代表的パルスプロファイルのパルスの少なくとも一方のデコンボリューションを行い、その後、プラズマ処理の生成されたパルスプロファイル及びプラズマ処理の選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスを比較するように構成されている、請求項9に記載の装置。 - パルスシステムを検証するためのシステムであって、
パルスを生成するための少なくとも1つのパルス発生器を含むパルスシステムと、
半導体処理を実行するための処理チャンバと、
少なくとも1つのパルス発生器の測定を行うプロファイルセンサと、
コントローラであって、少なくともプログラム命令及びデータを格納するためのメモリ、及びプロセッサであって、プログラム命令を実行するとき、
少なくとも1つのパルスモードについて、プロファイルセンサからの少なくとも1つのパルス発生器の出力の測定値を使用して、パルスシステムの少なくとも1つのパルス発生器のパルスのパルスプロファイルを生成し、コントローラは、少なくとも1つのパルス発生器の利用可能なパルス周波数設定又はデューティサイクル設定のうちの少なくとも一方の範囲にわたって、多くの複数電力レベルの各々についてそれぞれのパルスプロファイルを生成し、
生成されたパルスプロファイルと同じ少なくとも1つのパルスモードのパルスを含む、適切に動作していることが分かっているパルス発生器のパルスの代表的パルスプロファイルを選択し、
生成されたパルスプロファイル及び選択された代表的パルスプロファイルについて、少なくとも1つの同じパルスモードのパルス間の類似点及び/又は相違点を識別するための定量的測定基準を定義し、
定義された定量的測定基準に照らして、生成されたパルスプロファイル及び選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスを比較し、
パルスシステムの少なくとも1つのパルス発生器が適切に動作しているかどうかを、生成されたパルスプロファイル及び選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスの比較に基づいて判定するようにコントローラを構成するプロセッサとを備えるコントローラとを備えるシステム。 - 光学センサをさらに備え、
コントローラはさらに、
処理チャンバ内でプラズマ処理のパルスプロファイルを生成し、この処理チャンバ内では光学センサによって取得されたプラズマ処理の画像の測定値を使用して、パルスシステムの少なくとも1つのパルス発生器の異なるパルスモードを含むプラズマが点火されており、
プラズマ処理の生成されたパルスプロファイルと同じパルスモードを含む、適切に動作していることが分かっているパルスシステムを使用して実施されたプラズマ処理の代表的パルスプロファイルを選択し、
プラズマ処理の生成されたパルスプロファイル及びプラズマ処理の選択された代表的パルスプロファイルのそれぞれのパルスを、定義された定量的測定基準に照らして比較し、
パルスシステムが適切に動作しているかどうかを、プラズマ処理の生成されたパルスプロファイルと、適切に動作していることが分かっているパルスシステムを使用して実施されたプラズマ処理の選択された代表的プロファイルとのそれぞれのパルスの比較に基づいて判定するように構成されている、請求項11に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/944,688 | 2018-04-03 | ||
US15/944,688 US11209478B2 (en) | 2018-04-03 | 2018-04-03 | Pulse system verification |
PCT/US2019/024532 WO2020033016A2 (en) | 2018-04-03 | 2019-03-28 | Pulse system verification |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021517363A JP2021517363A (ja) | 2021-07-15 |
JP7008841B2 true JP7008841B2 (ja) | 2022-01-25 |
Family
ID=68056046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020552371A Active JP7008841B2 (ja) | 2018-04-03 | 2019-03-28 | パルスシステムの検証 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11209478B2 (ja) |
JP (1) | JP7008841B2 (ja) |
KR (1) | KR102516666B1 (ja) |
CN (1) | CN111936873B (ja) |
TW (1) | TWI721398B (ja) |
WO (1) | WO2020033016A2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022120418A (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理システム及び異常検知方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013157031A1 (ja) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 | 機器識別装置および機器識別装置の登録方法 |
US20150382442A1 (en) | 2014-06-30 | 2015-12-31 | Advanced Energy Industries, Inc. | Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing |
JP2017507501A (ja) | 2014-02-25 | 2017-03-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 光学センサを使用したパルスプラズマのモニタリング |
JP2018536251A (ja) | 2015-10-13 | 2018-12-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板処理のためのrfパルス反射の低減 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6326861B1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-12-04 | Feltech Corporation | Method for generating a train of fast electrical pulses and application to the acceleration of particles |
US6861844B1 (en) | 1999-07-21 | 2005-03-01 | Tokyo Electron Limited | Electron density measurement and plasma process control system using changes in the resonant frequency of an open resonator containing the plasma |
US7126746B2 (en) * | 2003-08-19 | 2006-10-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Generating sets of tailored laser pulses |
JP4402692B2 (ja) | 2004-07-05 | 2010-01-20 | アンリツ株式会社 | パルスパターンジェネレータ及びそれを用いる通信機器評価システム |
CA2544061A1 (fr) * | 2006-04-25 | 2007-10-25 | Claude Levesque | Mlaser |
US7286948B1 (en) * | 2006-06-16 | 2007-10-23 | Applied Materials, Inc. | Method for determining plasma characteristics |
KR100757347B1 (ko) | 2006-08-30 | 2007-09-10 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 장치 |
EP2089894B1 (en) * | 2006-11-27 | 2011-06-01 | Dublin City University | A plasma system and measurement method |
JP5320745B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-10-23 | 沖電気工業株式会社 | キャリア抑圧光パルス列生成装置及びキャリア抑圧光パルス列生成方法 |
US8526473B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-09-03 | Electro Scientific Industries | Methods and systems for dynamically generating tailored laser pulses |
KR101606736B1 (ko) * | 2008-07-07 | 2016-03-28 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마 불안정성을 검출하기 위한 패시브 용량성-결합된 정전식 (cce) 프로브 장치 |
EP2151698A1 (en) * | 2008-07-28 | 2010-02-10 | Siemens Milltronics Process Instruments Inc. | Signal processing of signals in pulse-echo measuring systems |
US20100176855A1 (en) | 2009-01-12 | 2010-07-15 | Huffman James D | Pulse width modulated circuitry for integrated devices |
US9767988B2 (en) * | 2010-08-29 | 2017-09-19 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method of controlling the switched mode ion energy distribution system |
IE20090628A1 (en) * | 2009-08-17 | 2011-03-30 | Lexas Res Ltd | Method and apparatus for the detection of arc events during the plasma processing of a wafer, surface or substrate. |
US9484702B2 (en) * | 2011-03-23 | 2016-11-01 | Institut National De La Recherche Scientifique | System and method for agile remote generation of a broadband tunable short-pulse emission |
CN105264680B (zh) * | 2011-03-30 | 2019-11-26 | 阿姆巴托雷股份有限公司 | 由极低电阻材料形成的电气、机械、计算和/或其他设备 |
US9368329B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-06-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for synchronizing RF pulses in a plasma processing system |
US9210790B2 (en) * | 2012-08-28 | 2015-12-08 | Advanced Energy Industries, Inc. | Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system |
US9408288B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Edge ramping |
CN103697908B (zh) * | 2013-11-28 | 2016-08-17 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一三研究所 | 一种基于随机单光子发射机制的x射线脉冲星信号模拟源 |
US20160131587A1 (en) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | Verity Instruments, Inc. | Method and Apparatus for Monitoring Pulsed Plasma Processes |
US9640371B2 (en) * | 2014-10-20 | 2017-05-02 | Lam Research Corporation | System and method for detecting a process point in multi-mode pulse processes |
KR101700391B1 (ko) * | 2014-11-04 | 2017-02-13 | 삼성전자주식회사 | 펄스 플라즈마의 고속 광학적 진단 시스템 |
US10651017B2 (en) * | 2016-06-30 | 2020-05-12 | Tokyo Electron Limited | Method for operation instability detection in a surface wave plasma source |
JP6770868B2 (ja) | 2016-10-26 | 2020-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のインピーダンス整合のための方法 |
-
2018
- 2018-04-03 US US15/944,688 patent/US11209478B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-28 CN CN201980023143.5A patent/CN111936873B/zh active Active
- 2019-03-28 JP JP2020552371A patent/JP7008841B2/ja active Active
- 2019-03-28 WO PCT/US2019/024532 patent/WO2020033016A2/en active Application Filing
- 2019-03-28 KR KR1020207031367A patent/KR102516666B1/ko active IP Right Grant
- 2019-04-01 TW TW108111447A patent/TWI721398B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013157031A1 (ja) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 | 機器識別装置および機器識別装置の登録方法 |
JP2017507501A (ja) | 2014-02-25 | 2017-03-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 光学センサを使用したパルスプラズマのモニタリング |
US20150382442A1 (en) | 2014-06-30 | 2015-12-31 | Advanced Energy Industries, Inc. | Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing |
JP2018536251A (ja) | 2015-10-13 | 2018-12-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板処理のためのrfパルス反射の低減 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11209478B2 (en) | 2021-12-28 |
WO2020033016A2 (en) | 2020-02-13 |
KR102516666B1 (ko) | 2023-03-30 |
US20190302174A1 (en) | 2019-10-03 |
CN111936873B (zh) | 2024-07-02 |
WO2020033016A3 (en) | 2020-04-16 |
JP2021517363A (ja) | 2021-07-15 |
TW201943315A (zh) | 2019-11-01 |
KR20200128181A (ko) | 2020-11-11 |
TWI721398B (zh) | 2021-03-11 |
CN111936873A (zh) | 2020-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Bao et al. | Temperature tracking: Toward robust run-time detection of hardware Trojans | |
US8687848B2 (en) | Techniques for context-enhanced confidence adjustment for gesture | |
JP6404909B2 (ja) | 技術的な系の出力量のモデルを算出する方法 | |
US20180003807A1 (en) | Waveform reconstruction in a time-of-flight sensor | |
JP7008841B2 (ja) | パルスシステムの検証 | |
CN102289558B (zh) | 一种基于随机信号处理的基线调整方法 | |
KR102213547B1 (ko) | 이벤트 검출 기능을 가진 자동 테스트 시스템 | |
US20210224672A1 (en) | Endpoint detection in manufacturing process by near infrared spectroscopy and machine learning techniques | |
JP2003014543A (ja) | フーリエ変換赤外分光光度計 | |
US7131087B2 (en) | Multi-cycle path analyzing method | |
CN110991641B (zh) | 一种油藏类型分析方法、装置及电子设备 | |
CN116611378A (zh) | 电路模型的仿真模拟方法及装置、计算机设备和存储介质 | |
KR102272084B1 (ko) | 환경 변화 예측 시스템 및 환경 변화 예측 방법 | |
US11920980B2 (en) | Rolling principal component analysis for dynamic process monitoring and end point detection | |
AU2019232645B2 (en) | Detecting peak laser pulses using control signal timings | |
CN112067326B (zh) | 智能烹饪设备性能测试方法、装置、电子设备和存储介质 | |
Zou et al. | A kernel-based nonparametric test for anomaly detection over line networks | |
JP2016031559A (ja) | 推定プログラム、推定方法および推定装置 | |
CN116186573A (zh) | 一种信号分离的方法 | |
CN114356281A (zh) | 一种量子随机数发生器检测方法及系统 | |
GB2507243A (en) | Acoustically detecting a tap on an object using an adaptive classifier | |
JP2024512309A (ja) | 化学化合物のラマンスペクトルに基づく同定のための方法およびシステム | |
Li et al. | A Statistical Characterization Approach to Estimate Software Execution Time in Multiprocessor Systems | |
Khan | LIGOSURF Summer 2006: Project Status and Progress ReportII for “Searching for GravitationalWave Bursts of Arbitrary Waveform” | |
JPH07200308A (ja) | 最適命令列選択実行システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7008841 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |