KR20200128181A - 펄스 시스템 검증 - Google Patents
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- 238000012795 verification Methods 0.000 title description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 190
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 140
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 35
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 9
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 60
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000513 principal component analysis Methods 0.000 description 2
- 241000228740 Procrustes Species 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000010219 correlation analysis Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 238000013501 data transformation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229920000638 styrene acrylonitrile Polymers 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B17/00—Monitoring; Testing
- H04B17/10—Monitoring; Testing of transmitters
- H04B17/101—Monitoring; Testing of transmitters for measurement of specific parameters of the transmitter or components thereof
- H04B17/102—Power radiated at antenna
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
반도체 프로세스들에서 RF 생성기들의 동작 및 결과적인 펄스 파형들을 검증하기 위한 시스템은 프로세스 챔버, 프로파일 센서, 광학 센서 및 제어기를 포함한다. 반도체 프로세스들에서 RF 생성기들의 동작 및 결과적인 펄스 파형들을 검증하기 위한 시스템의 제어기에 의해 구현되는 프로세스는, 테스트 중인 RF 생성기의 펄스 형상의 펄스 프로파일을 생성하는 것, 동일한 펄스 모드에 대하여 RF 생성기에 대해 생성된 프로파일과 비교하기 위해, 정확하게 동작하는 것으로 알려진 RF 생성기의 저장된 대표 프로파일을 선택하는 것, RF 생성기의 생성된 프로파일과 저장된 프로파일 간의 동일한 펄스 모드들의 펄스들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위한 정량적 메트릭/제어 한계를 정의하는 것, 생성된 프로파일과 선택된 저장된 프로파일을 비교하는 것, 및 비교에 기반하여, 테스트 중인 RF 생성기가 적절하게 동작하는지를 결정하는 것을 포함한다.
Description
[0001]
본원의 원리들의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세스들에 관한 것으로, 더 구체적으로는 반도체 프로세스들에서 펄스 시스템들의 동작 및 결과적인 펄스 파형들을 검증하기 위한 방법들, 장치, 및 시스템들에 관한 것이다.
[0002]
에칭 툴들에 대해 개발되고 있는 혁신적이고 복잡한 펄싱 방식들과 결합되는 에칭 프로세스들에서의 펄스 플라즈마(pulsed plasma)들의 보급성(pervasiveness)은 펄스 검증/진단 시스템의 필요성을 이끈다. 더 구체적으로, 본 발명자들은, 원하는 펄스 전력 설정점들에 대한 펄스 시스템들(RF 생성기들을 포함할 수 있음)의 정확한 동작을 검증하고 그리고 툴들에 걸쳐 펄스 특징들(파형, 주파수, 듀티 사이클 등)의 매칭을 보장할 필요성이 있다고 여긴다. 현재, 원하는 펄스 전력 설정점들에 대한 펄스 시스템들의 정확한 동작을 검증하고 그리고 툴들에 걸쳐 펄스 특징들(파형, 주파수, 듀티 사이클 등)의 매칭을 보장하기 위해 이용가능한 어떤 시스템들 또는 센서들도 없다.
[0003]
반도체 프로세스들에서 펄스 시스템들의 동작 및 결과적인 펄스 파형들을 검증하기 위한 방법들, 장치, 및 시스템들의 실시예들이 본원에서 개시된다.
[0004]
본원의 원리들에 따른 일부 실시예들에서, 펄싱 시스템을 검증하기 위한 방법은, 적어도 하나의 펄스 모드에 대한 프로파일 센서의 측정들을 사용하여 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 펄스들의 펄스 프로파일을 생성하는 단계, 생성된 펄스 프로파일과 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄스 생성기의 펄스들의 대표 펄스 프로파일을 선택하는 단계, 선택된 대표 펄스 프로파일과 생성된 펄스 프로파일에 대한 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위해 이용되는 정량적 메트릭(quantitative metric)을 정의하는 단계, 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 선택된 대표 펄스 프로파일과 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하는 단계, 및 선택된 대표 펄스 프로파일과 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기가 적절하게 동작하는지를 결정하는 단계를 포함한다.
[0005]
일부 실시예들에서, 방법은, 광학 센서의 측정들을 사용하여 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 상이한 펄스 모드들을 포함하는, 플라즈마가 점화되는 프로세스 챔버 내에서의 플라즈마 프로세스의 펄스 프로파일을 생성하는 단계, 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일과 동일한 펄스 모드들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 플라즈마 프로세스의 대표 펄스 프로파일을 선택하는 단계, 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일과 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하는 단계, 및 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 프로파일과 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 펄싱 시스템이 적절하게 동작하는지를 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0006]
일부 실시예들에서, 방법은 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일과 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교 전에, 선택된 대표 펄스 프로파일의 펄스들 또는 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 펄스들 중 적어도 하나를 디-콘볼루팅(de-convoluting)하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0007]
일부 실시예들에서, 펄싱 시스템을 검증하기 위한 장치는, 적어도 하나의 펄스 생성기를 측정하기 위한 프로파일 센서, 및 적어도 프로그램 명령들 및 데이터를 저장하기 위한 메모리 및 프로세서를 포함하는 제어기를 포함한다. 그러한 실시예들에서, 프로세서는, 프로그램 명령들을 실행할 때, 적어도 하나의 펄스 모드에 대한 프로파일 센서로부터의, 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 출력들의 측정들을 사용하여, 적어도 하나의 펄스 생성기의 펄스들의 펄스 프로파일을 생성하고, 생성된 펄스 프로파일과 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄스 생성기의 펄스들의 대표 펄스 프로파일을 선택하고, 선택된 대표 펄스 프로파일과 생성된 펄스 프로파일에 대한 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위해 이용되는 정량적 메트릭을 정의하고, 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 선택된 대표 펄스 프로파일과 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하고, 그리고 선택된 대표 펄스 프로파일과 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기가 적절하게 동작하는지를 결정하도록, 장치를 구성한다.
[0008]
일부 실시예들에서, 장치는 광학 센서를 더 포함할 수 있고, 장치는 추가로, 광학 센서에 의해 취해진 플라즈마 프로세스의 이미지들의 측정들을 사용하여 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 상이한 펄스 모드들을 포함하는, 플라즈마가 점화되는 프로세스 챔버 내에서의 플라즈마 프로세스의 펄스 프로파일을 생성하고, 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일과 동일한 펄스 모드들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 플라즈마 프로세스의 대표 펄스 프로파일을 선택하고, 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일과 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하고, 그리고 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 프로파일과 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 펄싱 시스템이 적절하게 동작하는지를 결정하도록 구성될 수 있다.
[0009]
일부 실시예들에서, 장치는 추가로, 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일과 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교 전에, 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일의 펄스들 또는 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 펄스들 중 적어도 하나를 디-콘볼루팅하도록 구성될 수 있다.
[0010]
일부 실시예들에서, 펄싱 시스템을 검증하기 위한 시스템은, 펄스들을 생성하기 위한 적어도 하나의 펄스 생성기를 포함하는 펄싱 시스템, 반도체 프로세스들을 구현하기 위한 프로세스 챔버, 적어도 하나의 펄스 생성기의 출력들을 측정하기 위한 프로파일 센서, 및 적어도 프로그램 명령들 및 데이터를 저장하기 위한 메모리 및 프로세서를 포함하는 제어기를 포함한다. 프로세서는, 프로그램 명령들을 실행할 때, 적어도 하나의 펄스 모드에 대한 프로파일 센서로부터의, 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 출력들의 측정들을 사용하여, 적어도 하나의 펄스 생성기의 펄스들의 펄스 프로파일을 생성하고, 생성된 펄스 프로파일과 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄스 생성기의 펄스들의 대표 펄스 프로파일을 선택하고, 선택된 대표 펄스 프로파일과 생성된 펄스 프로파일에 대한 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위해 이용되는 정량적 메트릭을 정의하고, 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 선택된 대표 펄스 프로파일과 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하고, 그리고 선택된 대표 펄스 프로파일과 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기가 적절하게 동작하는지를 결정하도록, 제어기를 구성한다.
[0011]
일부 실시예들에서, 시스템은 광학 센서를 더 포함할 수 있고, 제어기는 추가로, 광학 센서에 의해 취해진 플라즈마 프로세스의 이미지들의 측정들을 사용하여 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 상이한 펄스 모드들을 포함하는, 플라즈마가 점화되는 프로세스 챔버 내에서의 플라즈마 프로세스의 펄스 프로파일을 생성하고, 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일과 동일한 펄스 모드들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 플라즈마 프로세스의 대표 펄스 프로파일을 선택하고, 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일과 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하고, 그리고 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 프로파일과 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 펄싱 시스템이 적절하게 동작하는지를 결정하도록 구성될 수 있다.
[0012]
본원의 원리들의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 아래에서 설명된다.
[0013]
앞서 간략히 요약되고 하기에서 보다 상세히 논의되는 본원의 원리들의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본원의 원리들의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본원의 원리들의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본원의 원리들이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0014] 도 1은 본원의 원리들의 실시예에 따른, 반도체 프로세스들에서 RF 생성기들의 동작 및 결과적인 펄스 파형들을 검증하기 위한 시스템의 하이 레벨 블록도를 도시한다.
[0015] 도 2는 본원의 원리들의 실시예에 따른, RF 생성기의 펄스 전력 측정들, 펄스 주파수 측정들 및 듀티 사이클 측정들의 개개의 프로파일 플롯들을 도시한다.
[0016] 도 3은 본원의 원리들의 실시예에 따른, RF 생성기의 동작을 검증하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0017] 도 4는 본원의 원리들의 실시예에 따른, O2 플라즈마의 다양한 펄스 모드들로부터 생성된 광학 방출 프로파일들의 그래픽 표현을 도시한다.
[0018] 도 5는 본원의 원리들의 실시예에 따른, 프로세스 챔버의 동작을 검증하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0019] 도 6은 본원의 원리들의 실시예에 따른, 도 1의 시스템에서 사용하기에 적합한 제어기의 하이 레벨 블록도를 도시한다.
[0020] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 도면들은 실척에 맞게 그려지지 않으며, 명확성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다.
[0014] 도 1은 본원의 원리들의 실시예에 따른, 반도체 프로세스들에서 RF 생성기들의 동작 및 결과적인 펄스 파형들을 검증하기 위한 시스템의 하이 레벨 블록도를 도시한다.
[0015] 도 2는 본원의 원리들의 실시예에 따른, RF 생성기의 펄스 전력 측정들, 펄스 주파수 측정들 및 듀티 사이클 측정들의 개개의 프로파일 플롯들을 도시한다.
[0016] 도 3은 본원의 원리들의 실시예에 따른, RF 생성기의 동작을 검증하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0017] 도 4는 본원의 원리들의 실시예에 따른, O2 플라즈마의 다양한 펄스 모드들로부터 생성된 광학 방출 프로파일들의 그래픽 표현을 도시한다.
[0018] 도 5는 본원의 원리들의 실시예에 따른, 프로세스 챔버의 동작을 검증하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0019] 도 6은 본원의 원리들의 실시예에 따른, 도 1의 시스템에서 사용하기에 적합한 제어기의 하이 레벨 블록도를 도시한다.
[0020] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 도면들은 실척에 맞게 그려지지 않으며, 명확성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다.
[0021]
다음의 상세한 설명에서, 본원에서 설명되는 예시적인 실시예들 또는 다른 예들의 완전한 이해를 제공하기 위해, 다수의 특정 세부사항들이 제시된다. 그러나, 이러한 실시예들 및 예들은 구체적인 세부사항들 없이 실시될 수 있다. 또한, 개시된 실시예들은 단지 예시적인 목적들을 위한 것이며, 다른 실시예들은 개시된 실시예들 대신에 또는 개시된 실시예들과 조합되어 이용될 수 있다. 예컨대, 본원의 원리들의 실시예에 따른 펄스 검증 시스템이 에칭 챔버와 관련하여 본원에서 설명되지만, 본원의 원리들에 따른 펄스 검증 시스템은, RF 생성기들과 같은 펄스 생성기들을 활용하고 그리고 플라즈마를 스트라이킹(strike) 및 유지하는 능력을 갖는 툴들과 같은, 에칭 시스템들 이외의 임의의 툴들 상에서 구현될 수 있다. 따라서, 첨부된 청구항들의 사상 및 범위는 본원에 포함된 실시예들의 설명으로 제한되지 않아야 한다.
[0022]
본원의 원리들에 따른 방법, 장치 및 시스템은 다양한 펄스 모드들에서 생성기들의 동작 정확도 및 결과적인 펄스 파형들을 보장하기 위해 펄스 시스템 검증을 제공한다.
[0023]
도 1은 본원의 원리들의 실시예에 따른, 반도체 프로세스들에서 펄스 시스템들의 동작 및 결과적인 펄스 파형들을 검증하기 위한 시스템의 하이 레벨 블록도를 도시한다. 도 1의 검증 시스템(100)은 예시적으로, 검출기 및 제어 모듈(110), 프로세스 챔버(120)(예시적으로는 펄스 플라즈마를 갖는 에칭 챔버), 및 펄싱 시스템(140), 예시적으로는 도 1의 실시예에서, 2개의 RF 생성기들(1401 및 1402)을 포함한다. 도 1의 검증 시스템(100)의 실시예에서, 검출기 및 제어 모듈(110)은 예시적으로 제어기(130), 프로파일 센서(122) 및 OS(optical sensor)(124)를 포함한다. 도 1의 검증 시스템(100)의 실시예에서, 프로세스 챔버(120)에서 발생하는 펄스 플라즈마 프로세스의 이미지들은 광섬유 케이블(135)을 통해 광학 센서(124)에 중계된다. 본원의 원리들에 따른 일부 실시예들에서, 프로파일 센서(122)는 버드 펄스 프로파일 센서(Bird pulse profile sensor) 또는 전력 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 광학 센서(124)는 버드 펄스 프로파일 센서(즉, 피크 검출용) 또는 고주파 데이터 컬렉션을 갖는 광학 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[0024]
도 1의 실시예에서, 검출기 및 제어 모듈(110)은 예시적으로 단일 프로파일 센서(122)를 포함하지만, 본원의 원리들에 따른 대안적인 실시예들에서, 검출기 및 제어 모듈(110)은 하나보다 많은 프로파일 센서(122)를 포함할 수 있고, 아래에서 더 상세하게 설명되는 바와 같이, RF 생성기들(140)의 성능을 평가하는 데 사용될 RF 생성기들(140)의 출력들을 측정하기 위한, RF 생성기들(140) 각각에 대한 개개의 프로파일 센서(122)를 포함할 수 있다.
[0025]
하나의 동작 실시예에서, RF 생성기들(140) 중 적어도 하나의 RF 생성기(140)의 출력은 검출기 및 제어 모듈(110)에 통신되고 프로파일 센서(122)에 의해 모니터링된다. 프로파일 센서(122)는, 예컨대 RF 생성기(140)의 출력의 펄스 전력, 펄스 주파수 및 듀티 사이클 중 적어도 하나 이상을 모니터링한다. 대안적으로 또는 추가하여, 일부 실시예들에서, RF 생성기(140)는 허용가능한 PF(pulse frequency) 및 DC(duty cycle) 설정들의 범위에 걸쳐 다수의 전력 레벨들에서 스캐닝될 수 있다. 프로파일 센서(122)는 RF 생성기(140)의 출력을 모니터링하고 RF 생성기(140)의 출력들의 측정들을 제어기(130)에 통신한다.
[0026]
제어기(130)에서, 프로파일 센서(122)로부터의, RF 생성기(140)의 출력들의 측정들로부터 프로파일이 생성된다. 예컨대, 도 2는 본원의 원리들의 실시예에 따른, 소스 생성기와 전력 센서 간의 RF 생성기의 펄스 전력 측정들, 펄스 주파수 측정들 및 듀티 사이클 측정들의 개개의 프로파일 플롯들을 도시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 프로파일 센서(122)는 펄스 기간에서 그리고 펄스-온 시간 동안 평균 전력을 또한 측정하면서 펄스 주파수 및 듀티 사이클 측정들을 정확하게 추적한다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 펄스-온 시간 동안의 생성기 전력 설정점(전력(생성기)), 단지 펄스-온 시간 동안에만 프로파일 센서(122)에 의해 측정된 전력(게이트 전력(Gated Power)) 및 펄스 기간 내에 프로파일 센서(122)에 의해 측정된 평균 전력(펄스 온 시간과 펄스 오프 시간 간의 평균 전력) 모두는 프로파일 센서(122)에 의해 정확하게 측정된다.
[0027]
본원의 원리들에 따른 일부 실시예들에서, RF 생성기가 생산에 들어가기 전에, 위에서 설명된 바와 같이 RF 생성기의 출력의 프로파일이 생성된다. 대안적으로 또는 추가하여, RF 생성기의 프로파일은, RF 생성기가 생산 환경에 있는 동안, 예컨대 에칭 프로세스들에서 펄스 플라즈마들을 생성하기 위해 RF 생성기가 사용될 때, 위에서 설명된 바와 같이 생성된다.
[0028]
본원의 원리들에 따른 일부 실시예들에서, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 RF 생성기의 프로파일은, 다른 RF 생성기들의 동작을 검증하는 목적들을 위해 다른 RF 생성기들과의 나중의 비교를 위한 참조 프로파일로서 사용되도록 위에서 설명된 바와 같이 생성된다. 추가하여, 위에서 설명된 바와 같이, RF 생성기는 허용가능한 PF(pulse frequency) 및 DC(duty cycle) 설정들의 범위에 걸쳐 다수의 전력 레벨들에서 스캐닝될 수 있다. 다수의 전력 레벨들에서 그리고 허용가능한 펄스 주파수 및 듀티 사이클 설정들의 범위에 걸쳐 RF 생성기의 출력의 개개의 프로파일이 위에서 설명된 바와 같이 생성될 수 있다.
[0029]
본원의 원리들의 실시예들에 따르면, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 RF 생성기들의 생성된 프로파일들은, 테스트 또는 알려지지 않은 RF 생성기들이 적절하게 동작하는지를 결정하기 위해, 그러한 테스트 또는 알려지지 않은 RF 생성기들의 생성된 프로파일들과 비교하는 데 사용될 수 있다. 예컨대, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 RF 생성기들의 프로파일들은 메모리에 저장될 수 있다. 저장된 프로파일들은, RF 생성기들(예컨대, RF 생성기들(140))이 적절하게 동작하는지를 결정하기 위해, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 생성기들의 프로파일들을 검증 시스템(100)에 의해 생성된 RF 생성기들(140)의 프로파일들과 비교하는 데 사용될 수 있다.
[0030]
일부 실시예들에서, RF 생성기들의 프로파일들(즉, 파형들)을 비교하기 위해, 동일한 펄스 모드들의 형상들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위한 정량적 메트릭/제어 한계(control limit)가 정의된다. 즉, 일부 실시예들에서, RF 생성기(즉, 테스트 중인 RF 생성기)가 적절하게 동작하는지를 결정하기 위해, 저장된 프로파일들과 RF 생성기에 대해 생성된 프로파일의 개개의 펄스들이 얼마나 유사할 수 있는지 또는 얼마나 상이할 수 있는지를 확립하기 위하여 임계치가 정의될 수 있다. 예컨대, 일 실시예에서, 정량적 메트릭은, 생성된 프로파일의 펄스가, 수용가능한 것으로 간주되기 위해서는 저장된 프로파일의 퍼센티지 양(percentage amount) 내에 있어야 한다는 것을 정의할 수 있다. 예컨대, 정량적 메트릭은, 생성된 펄스 프로파일의 진폭이, 저장된 프로파일과 유사한 것으로 간주되기 위해서는 저장된 프로파일의 퍼센티지(예컨대, 5%) 내에 있어야 한다는 것을 확립할 수 있다. 본원의 원리들에 따른 일부 실시예들에서, 프로파일들의 유사성들 및/또는 차이들의 임계치는, RF 생성기의 펄스 형상이, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 RF 생성기의 저장된 프로파일의 펄스 형상의 허용오차 내에 있는지를 결정하는 데 사용되도록 정의된다. 그러한 임계치는 RF 생성기들의 펄스 모드들 및 특징들 중 하나, 일부 또는 각각에 대해 정의될 수 있다. 일부 실시예들에서, 생성된 펄스들의 일부 다른 정량적 메트릭들은 펄스의 기울기(램프-업 레이트/램프-다운 레이트), 펄스의 피크 값, 펄스의 펄스 폭 등을 포함할 수 있다.
[0031]
본원의 원리들에 따른 일부 실시예들에서, 프로파일들의 비교는 수동으로, 이를테면, 적절하게 동작하는 RF 생성기의 개개의 저장된 프로파일과 RF 생성기(즉, 테스트될 RF 생성기)의 생성된 프로파일을 디스플레이, 이를테면, 제어기(480)의 디스플레이 상에 표시함으로써 그리고 프로파일들이 허용오차 내에서 유사한지를 시각적으로 결정함으로써, 수행될 수 있다.
[0032]
대안적으로 또는 추가하여, 위에서 설명된 바와 같은 프로파일들의 비교는 도 1의 검증 시스템(100)의 제어기(130)에 의해 수행될 수 있다. 예컨대, 위에서 설명된 바와 같이, 프로파일 센서(122)는 허용가능한 PF(pulse frequency) 및 DC(duty cycle) 설정들의 범위에 걸쳐 다수의 전력 레벨들에서 RF 생성기(140)의 출력의 펄스 주파수 및 듀티 사이클을 모니터링할 수 있다. 프로파일 센서(122)는 RF 생성기(140)의 출력들의 측정들을 제어기(130)에 통신한다. 제어기(130)에서, 프로파일 센서(122)로부터의, RF 생성기(140)의 출력들의 측정들로부터 프로파일이 생성된다. 그런 다음, 제어기(130)는 RF 생성기(140)가 적절하게 동작하는지를 결정하기 위해, 위에서 설명된 바와 같이, RF 생성기(140)에 대해 생성된 프로파일을 저장된 프로파일과 비교하기 위하여, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 RF 생성기들의 저장된 프로파일들에 액세스할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제어기(130)는, RF 생성기에 대해 생성된 프로파일의 펄스들의 피처들과, 동일한 펄스 모드들에 대해 저장된 프로파일에 대한 펄스들의 피처들의 비교를 가능하게 하기 위해, 동일한 펄스 모드들에 대한 프로파일들의 펄스 형상들에 대해 피처 추출을 수행할 수 있다. 예컨대, 본원의 원리들에 따른 일부 실시예들에서, 피처 추출은 동적 모델 계수들의 사용, 주성분 분석 등을 포함할 수 있다.
[0033]
도 3은 본원의 원리들의 실시예에 따른, RF 생성기의 동작을 검증하기 위한 방법(300)의 흐름도를 도시한다. 방법(300)은 302에서 시작될 수 있으며, 302 동안, RF 생성기들(140) 중 적어도 하나와 같은, 적어도 하나의 펄스 생성기의 출력 펄스들의 프로파일이 적어도 하나의 펄스 모드에 대해 생성된다. 위에서 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 프로파일 센서(122)는 RF 생성기들(140) 적어도 하나의 RF 생성기(140)의 출력의 펄스 전력, 펄스 주파수 및 듀티 사이클 중 적어도 하나 이상을 모니터링한다. 일부 실시예들에서, RF 생성기들(140)은 허용가능한 PF(pulse frequency) 및 DC(duty cycle) 설정들의 범위에 걸쳐 다수의 전력 레벨들에서 스캐닝될 수 있다. 프로파일 센서(122)는 RF 생성기들(140) 중 적어도 하나의 RF 생성기(140)의 출력들의 측정들을 제어기(130)에 통신하고, 제어기(130)에서 RF 생성기들(140) 중 적어도 하나의 RF 생성기(140)의 출력 펄스들의 프로파일은 적어도 하나의 펄스 모드에 대한 프로파일 센서(122)로부터의 측정들로부터 생성된다. 방법(300)은 304로 진행될 수 있다.
[0034]
304에서, 동일한 펄스 모드/모드들에 대해, 위의 302에서 RF 생성기들(140) 중 적어도 하나의 RF 생성기(140)의 펄스들에 대해 생성된 프로파일과 비교하기 위해, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 RF 생성기의 출력 펄스들의 대표 프로파일이 선택된다. 위에서 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 RF 생성기들의 프로파일은 제어기(130)가 액세스가능한 메모리에 저장될 수 있다. 제어기(130)는, 적어도 하나의 동일한 펄스 모드(들)에 대해, 적어도 하나의 RF 생성기(140)에 대해 생성된 프로파일과 비교하기 위해, 저장된 프로파일을 선택할 수 있다. 방법(300)은 306으로 진행될 수 있다.
[0035]
306에서, 대표 프로파일과 RF 생성기(140)의 생성된 프로파일 간의 적어도 하나의 동일한 펄스 모드(들)의 펄스들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위한 정량적 메트릭/제어 한계가 정의된다. 위에서 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 프로파일의 유사성들 및/또는 차이들의 임계치는, 적어도 하나의 RF 생성기(140)(즉, 테스트 중인 RF 생성기(140))의 펄스들의 펄스 형상이, 적어도 하나의 동일한 펄스 모드(들)에 대해 적절하게 동작하는 것으로 알려진 RF 생성기의 대표 프로파일의 펄스 형상의 허용오차 내에 있는지를 결정하는 데 사용되도록 정의된다. 방법(300)은 308로 진행될 수 있다.
[0036]
308에서, RF 생성기들(140) 중 적어도 하나의 RF 생성기(140)의 펄스들의 생성된 프로파일과 선택된 대표 프로파일의 펄스들은 정의된 정량적 메트릭/제어 한계를 고려하여 비교된다. 즉, 일부 실시예들에서, 선택된 대표 프로파일과 RF 생성기들(140) 중 적어도 하나의 RF 생성기(140)의 생성된 프로파일은 정의된 정량적 메트릭/제어 한계에 기반하여 비교된다. 위에서 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 피처 추출은, 저장된 프로파일들의 적어도 하나의 동일한 펄스 모드(들)의 펄스들과 비교될, 적어도 하나의 RF 생성기의 프로파일들의 펄스들에 대해 수행될 수 있다. 대안적으로 또는 추가하여, 비교를 하기 위해 필요한 경우, 저장된 프로파일들의 펄스들에 대해 피처 추출이 또한 수행될 수 있다. 방법(300)은 310으로 진행될 수 있다.
[0037]
310에서, 비교에 기반하여, 적어도 하나의 RF 생성기(140)가 적절하게 동작하는지의 결정이 이루어진다. 일부 실시예들에서, RF 생성기는, 생성된 펄스 프로파일의 적어도 하나의 펄스와 적어도 하나의 펄스 모드에 대해 저장된 프로파일의 개개의 펄스 간에 정량적 메트릭이 충족되는 것으로 결정되는 경우, 적절하게 동작하는 것으로 결정될 수 있다. 대안적으로 또는 추가하여, RF 생성기는, 생성된 펄스 프로파일의 특정 수의 펄스들과 적어도 하나의 펄스 모드에 대해 저장된 프로파일의 개개의 펄스들 간에 정량적 메트릭이 충족되는 것으로 결정되는 경우, 적절하게 동작하는 것으로 결정될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 정량적 메트릭이, 생성된 펄스 프로파일의 진폭이 저장된 프로파일의 퍼센티지(예컨대, 5%) 내에 있어야 한다는 것을 확립하는 일 예에서, 비교(즉, 308에서의 비교)의 결과로서, 생성된 펄스 프로파일의 진폭이 저장된 프로파일의 퍼센티지 내에 있는 것으로 결정되는 경우, 적어도 하나의 RF 생성기(140)는 적절하게 동작한다는 결정이 이루어질 수 있다. 그 다음으로, 방법(300)은 종료될 수 있다.
[0038]
도 1의 검증 시스템(100)을 다시 참조하면, 프로세스 챔버(120)의 동작 동안, 광학 센서(124)는 프로세스 챔버(120)에 대한 다수의 생성기 펄스 모드들의 구현을 검증하는 데 사용될 수 있다. 더 구체적으로, 프로세스 챔버(120)의 동작 동안, 예컨대 에칭 프로세스 동안, 플라즈마가 점화되고(예컨대, 스트라이킹됨) 다수의 생성기들(예컨대, RF 생성기들(140))을 수반하는 상이한 펄스 모드들이 실행된다. 광학 센서(124)는 프로세스 챔버(120)에서 발생하는 프로세스의 측정들(예컨대, 이미지들)을 수집하고 그 측정들을 제어기(130)에 통신한다. 일부 실시예들에서, 광학 센서(124)는, 챔버 내에서, 광학 센서(124)가 플라즈마 및 상이한 펄스 모드들을 감지하는 것을 가능하게 하는 포지션에 로케이팅될 수 있다. 예컨대, 일 실시예에서, 검출기 및 제어 모듈(110)은 프로세스 챔버(120) 내에서, 광학 센서(124)가 플라즈마 및 상이한 펄스 모드들을 감지할 수 있도록 로케이팅된다. 대안적으로 또는 추가하여, 광섬유 케이블은 프로세스 챔버에 배치될 수 있고, 광섬유 케이블이 플라즈마 및 상이한 펄스 모드들을 감지할 수 있도록 로케이팅될 수 있다. 예컨대, 일 실시예에서, 광섬유 케이블은 프로세스 챔버(120)의 뷰잉 윈도우(viewing window)에 근접한 위치에 로케이팅될 수 있다. 그런 다음, 광섬유 케이블에 의해 픽업된 이미지들은 광학 센서(124)에 통신될 수 있고, 광학 센서(124)의 측정들은 제어기(130)에 통신될 수 있다. 제어기(130)에서, 플라즈마 프로세스 및 상이한 펄스 모드들에서 발생하는 펄스들의, 광학 센서(124)로부터의 측정들로부터 프로파일이 생성된다.
[0039]
본원의 원리들의 실시예들에 따르면, 상이한 펄스 모드들에서의 플라즈마의 생성된 프로파일들은, 다양한 펄스(동기/비동기(Sync/A-Sync)) 모드들의 정확한 구현을 검증하기 위해 그리고 공칭 변동들을 벗어난 거동을 보이는 임의의 프로세스 챔버들을 식별하기 위해, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템들을 갖는 프로세스 챔버들로부터 생성된 상이한 펄스 모드들에서의 플라즈마의 저장된 프로파일들과 비교된다. 즉, 생성된 프로파일들은, 상이한 펄스(동기/비동기) 모드들의 정확한 구현을 검증하기 위해 분석될 수 있다.
[0040]
일부 실시예들에서, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템들을 갖는 프로세스 챔버들로부터 생성된 상이한 펄스 모드들에서 스트라이킹된 플라즈마의 프로파일들은 메모리에 저장될 수 있다. 저장된 프로파일들은, 신규/테스트 프로세스 챔버들의 펄싱 시스템들이 적절하게 동작하는지를 결정하기 위해, 위에서 설명된 바와 같이 신규/테스트 프로세스 챔버들의 펄싱 시스템에 의해 생성된 펄스들에 대해 동일한 펄스 모드들에서 생성된 프로파일들과 비교될 수 있다.
[0041]
일부 실시예들에서, 상이한 펄스 모드들에서 스트라이킹된 플라즈마의 프로파일들(즉, 파형들)을 비교하는 데 있어서, 프로파일들은 광학 센서(124)에 의해 수집된 신호에서 개별 펄스들 및 신호 피크들을 식별하기 위해 디-콘볼루팅된다. 필요한 경우, 개별 펄스들을 식별하기 위해, 저장된 프로파일들이 또한 디-콘볼루팅될 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로파일들을 디-콘볼루팅하기 위해, 제어기(130)는, 패턴 인식 알고리즘들, 이를테면, 상관 분석, 프로크루스테스(Procrustes)(형상 비교) 이미지 프로세싱 알고리즘들, 주성분 분석 등을 통해 개개의 프로파일들을 분석한다.
[0042]
도 4는 O2 플라즈마의 다양한 펄스 모드들로부터 위에서 설명된 바와 같이 생성된 광학 센서 프로파일들의 그래픽적 묘사를 도시한다. 도 4의 광학 센서 프로파일들에서, 소스(1kW/50% DC) 및 바이어스(1.2kW/25% DC)는, 초기에 동기 모드에서 1kHz 주파수에서 펄싱되고 그런 다음 연속적인 실행들에서 증가하는 지연들을 갖고 펄싱된다. 도 4의 플롯으로부터 확인되는 바와 같이, 프로파일들은, 예컨대 패턴 인식 알고리즘을 통해 분석 및 인식될 수 있는 모드들 간을 구별하는 명확한 시그니처들을 보여준다. 도 4에 도시된 바와 같이, 12.5% 지연에서, 파형에서 볼 수 있는 험프(hump)는 바이어스 온-타임과 관련된 기간의 약 25% 동안 지속된다. 도 4의 연속적인 플롯들은 펄스들을 생성하는 데 사용된 생성기들 간의 상이한 시간 오프셋들을 도시한다. 즉, 도 4는 상이한 펄스 모드들을 갖는 플라즈마 프로세스 동안 생성된 대표 광학 방출 프로파일들을 도시한다. 제1 플롯은 소스 및 바이어스 생성기들의 동기화된 펄싱(펄스를 동시에 턴 온 및 턴 오프함)을 나타내고, 다음 플롯들은 바이어스 생성기가 소스 생성기로부터 오프셋되는 비동기 거동을 도시한다.
[0043]
대안적으로 또는 추가하여, 지연들이 있는 펄스 모드의 경우, 생성기들 간의 지연들은 펄스 소스의 타이밍을 참조함으로써 정량화될 수 있다. 그런 다음, 알려진 지연들은, 예컨대 개별 펄스들을 식별하기 위해 프로파일을 디-콘볼루팅하는 데 사용할 수 있다.
[0044]
본원의 원리들에 따른 일부 실시예들에서, 프로파일들의 비교는 수동으로, 이를테면, 알려진 적절하게 동작하는 펄싱 시스템들을 갖는 프로세스 챔버들의 개개의 저장된 프로파일과 프로세스 챔버(즉, 테스트될 프로세스 챔버)의 생성된 프로파일을 디스플레이 상에 표시함으로써 그리고 프로파일들이 허용오차 내에서 유사한지를 시각적으로 결정함으로써, 수행될 수 있다. 대안적으로 또는 추가하여, 위에서 설명된 바와 같은 프로파일들의 비교는 도 1의 검증 시스템(100)의 제어기(130)에 의해 수행될 수 있다. 예컨대, 위에서 설명된 바와 같이, 광학 센서(124)는 다수의 생성기들을 수반하는 상이한 펄스 모드들이 실행되는 프로세스 챔버(120)에서의 프로세스의 측정들을 수집한다. 광학 센서(124)는 측정들을 제어기(130)에 통신한다. 제어기(130)에서, 다수의 생성기들을 수반하는 상이한 펄스 모드들이 실행되는 프로세스 챔버(120)에서의 프로세스의, 광학 센서(124)로부터의 측정들로부터 프로파일이 생성된다. 그런 다음, 제어기(130)는, 위에서 설명된 바와 같이, 프로세스 챔버(120)에 대해 생성된 프로파일과 저장된 프로파일을 비교하여 프로세스 챔버(120)의 펄싱 시스템이 적절하게 동작하는지를 결정하기 위해, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템들을 갖는 프로세스 챔버들의 저장된 프로파일들에 액세스할 수 있다.
[0045]
펄스 프로파일들의 비교를 수행하기 위해, 동일한 펄스 모드들의 형상들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위한 정량적 메트릭/제어 한계가 정의될 수 있다. 즉, RF 생성기들에 대해 생성된 프로파일들과 저장된 프로파일들을 비교하는 것과 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 플라즈마 프로세스의 펄싱 시스템(즉, 테스트 중인 펄싱 시스템)이 적절하게 동작하는지를 결정하기 위해, 플라즈마 프로세스들의 저장된 프로파일들과 플라즈마 프로세스에 대해 생성된 프로파일의 개개의 펄스들이 얼마나 유사할 수 있는지 또는 얼마나 상이할 수 있는지를 확립하기 위하여 임계치가 정의될 수 있다. 본원의 원리들에 따른 일부 실시예들에서, 플라즈마 프로세스의 펄싱 시스템의 펄스 형상들이, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 갖는 플라즈마 프로세스의 저장된 프로파일의 펄스 형상의 허용오차 내에 있는지를 결정하는 데 사용되도록, 프로파일들의 유사성들 및/또는 차이들의 임계치가 정의된다. 그러한 임계치는 플라즈마 프로세스의 펄싱 시스템의 펄스 모드들 및 특징들 중 하나, 일부 또는 각각에 대해 정의될 수 있다.
[0046]
도 5는 본원의 원리들의 실시예에 따른, 프로세스 챔버의 펄싱 시스템의 동작을 검증하기 위한 방법(500)의 흐름도를 도시한다. 방법(500)은 502에서 시작될 수 있으며, 502 동안, 플라즈마가 점화되고(예컨대, 스트라이킹됨) 다수의 생성기들을 수반하는 상이한 펄스 모드들이 구현되는 프로세스 챔버(120)에서의 프로세스의 펄싱 시스템의 펄스들에 대한 프로파일이 생성된다. 위에서 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 광학 센서(124)는 다수의 생성기들을 수반하는 상이한 펄스 모드들이 구현되는 프로세스 챔버(120)에서의 프로세스의 이미지들을 수집한다. 광학 센서(124)는 측정들을 제어기(130)에 통신한다. 제어기(130)에서, 적어도 하나의 펄스 모드(들) 동안 프로세스 챔버(120)에서의 프로세스의, 광학 센서(124)로부터의 측정들로부터 프로파일이 생성된다. 방법(500)은 504로 진행될 수 있다.
[0047]
504에서, 위의 502에서 프로세스 챔버(120)의 펄싱 시스템의 펄스들에 대해 생성된 프로파일과 비교하기 위해, 대표 프로파일이 선택된다. 위에서 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 갖는 프로세스 챔버의 펄싱 시스템의 펄스들의 프로파일은 제어기(130)가 액세스가능한 메모리에 저장될 수 있다. 제어기(130)는, 적어도 하나의 동일한 펄스 모드(들)에 대해, 프로세스 챔버(120)의 펄싱 시스템의 펄스들에 대해 생성된 프로파일과 비교할 저장된 프로파일을 선택할 수 있다. 방법(500)은 선택적으로 506으로 진행될 수 있거나, 또는 508로 진행될 수 있다.
[0048]
506에서, 다수의 생성기들을 수반하는 상이한 펄스 모드들이 구현되는 프로세스 챔버(120)에서의 프로세스에 대한 펄싱 시스템의 펄스들의 생성된 프로파일은, 프로파일들을 비교하는 데 사용하기 위한 개별 펄스들을 식별하기 위해 디-콘볼루팅된다. 위에서 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 생성된 프로파일은 패턴 인식 알고리즘을 사용하여 디-콘볼루팅될 수 있다. 방법(500)은 508로 진행될 수 있다.
[0049]
508에서, 프로세스 챔버(120)의 펄싱 시스템의 생성된 프로파일과 저장된 프로파일 간의 동일한 펄스 모드들의 펄스들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위한 정량적 메트릭/제어 한계가 정의된다. 프로세스 챔버(120)의 프로세스에 대한 펄싱 시스템의 펄스들의 생성된 프로파일의 펄스들의 펄스 형상이, 동일한 펄스 모드들에 대해 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 갖는 것으로 알려진 프로세스 챔버의 펄싱 시스템의 펄스들의 저장된 프로파일의 개개의 펄스들의 펄스 형상의 허용오차 내에 있는지를 결정하는 데 사용되도록, 프로파일들의 유사성들 및/또는 차이들의 임계치가 정의된다. 방법(500)은 510으로 진행될 수 있다.
[0050]
510에서, 생성된 프로필과 저장된 프로필은 정의된 정량적 메트릭/제어 한계를 고려하여 비교된다. 즉, 일부 실시예들에서, 생성된 프로파일과 저장된 프로파일은 정의된 정량적 메트릭/제어 한계에 기반하여 비교된다. 방법(500)은 512로 진행될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 피처 추출은, 저장된 프로파일들의 동일한 펄스 모드들의 개개의 펄스들과 비교될, 프로세스 챔버(120)의 펄싱 시스템의 프로파일의 펄스들에 대해 수행될 수 있다. 대안적으로 또는 추가하여, 피처 추출은 또한, 저장된 프로파일들의 펄스들에 대해 수행될 수 있다. 방법(500)은 512로 진행될 수 있다.
[0051]
512에서, 비교에 기반하여, 프로세스 챔버(120)에 대한 펄싱 시스템이 적절하게 동작하는지의 결정이 이루어진다. 일부 실시예들에서, 비교(즉, 510의 비교)에 기반하여, 생성된 프로파일의 적어도 하나의 펄스와 저장된 프로파일의 개개의 펄스 간에 정량적 메트릭이 충족되는 것으로 확립되는 경우, 프로세스 챔버(120)에 대한 펄싱 시스템은 적절하게 동작하는 것으로 결정될 수 있다. 대안적으로 또는 추가하여, 비교에 기반하여, 생성된 프로파일의 특정 수의 펄스들과 적어도 하나의 펄스 모드에 대해 저장된 프로파일의 개개의 펄스들 간에 정량적 메트릭이 충족되는 것으로 확립되는 경우, 프로세스 챔버(120)에 대한 펄싱 시스템은 적절하게 동작하는 것으로 결정될 수 있다. 그런 다음, 방법(500)은 종료될 수 있다.
[0052]
도 6은 본원의 원리들의 실시예에 따른, 도 1의 검증 시스템에서 사용하기에 적합한 제어기(130)의 하이 레벨 블록도를 도시한다. 제어기(130)는 위에서-설명된 실시예들의 임의의 다른 시스템, 디바이스, 엘리먼트, 기능성 또는 방법을 구현하는 데 사용될 수 있다. 예시된 실시예들에서, 제어기(130)는 프로세서-실행가능 실행가능 프로그램 명령들(622)(예컨대, 프로세서(들)(610)에 의해 실행가능한 프로그램 명령들)로서 방법(300) 및 방법(500)을 구현하도록 구성될 수 있다.
[0053]
예시된 실시예에서, 제어기(130)는 I/O(input/output) 인터페이스(630)를 통해 시스템 메모리(620)에 커플링된 하나 이상의 프로세서들(610a-610n)을 포함한다. 제어기(130)는 I/O 인터페이스(630)에 커플링된 네트워크 인터페이스(640), 및 하나 이상의 입력/출력 디바이스들(650), 이를테면, 커서 제어 디바이스(660), 키보드(670), 및 디스플레이(들)(680)를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 커서 제어 디바이스 키보드(670)는 터치스크린 입력 디바이스일 수 있다.
[0054]
상이한 실시예들에서, 제어기(130)는 개인용 컴퓨터 시스템들, 메인프레임 컴퓨터 시스템들, 핸드헬드 컴퓨터들, 워크스테이션들, 네트워크 컴퓨터들, 애플리케이션 서버들, 저장 디바이스들, 주변 디바이스들, 이를테면, 스위치, 모뎀, 라우터, 또는 일반적으로 임의의 타입의 컴퓨팅 또는 전자 디바이스를 포함하는(그러나 이에 제한되지 않음) 다양한 타입들의 디바이스들 중 임의의 것일 수 있다.
[0055]
다양한 실시예들에서, 제어기(130)는, 하나의 프로세서(610)를 포함하는 유니프로세서 시스템, 또는 몇몇 프로세서들(610)(예컨대, 2개, 4개, 8개 또는 다른 적합한 개수)을 포함하는 멀티프로세서 시스템일 수 있다. 프로세서들(610)은 명령들을 실행할 수 있는 임의의 적합한 프로세서일 수 있다. 예컨대, 다양한 실시예들에서, 프로세서들(610)은 다양한 ISA(instruction set architecture)들 중 임의의 것을 구현하는 범용 또는 내장형 프로세서들일 수 있다. 멀티프로세서 시스템들에서, 프로세서들(410) 각각은 보통 동일한 ISA를 구현할 수 있다(그러나 반드시 그러한 것은 아님).
[0056]
시스템 메모리(620)는 프로세서(610)가 액세스가능한 프로파일들(632), 프로그램 명령들(622) 및/또는 위에서 설명된 바와 같은 파형 프로파일들을 저장하도록 구성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 시스템 메모리(620)는 임의의 적합한 메모리 기술, 이를테면, SRAM(static random access memory), SDRAM(synchronous dynamic RAM), 비휘발성/플래시-타입 메모리, 또는 임의의 다른 타입의 메모리를 사용하여 구현될 수 있다. 예시된 실시예에서, 위에서 설명된 실시예들의 엘리먼트들 중 임의의 엘리먼트를 구현하는 프로그램 명령들 및 데이터는 시스템 메모리(620) 내에 저장될 수 있다. 다른 실시예들에서, 프로그램 명령들 및/또는 데이터는 상이한 타입들의 컴퓨터-액세스가능 매체들 상에 또는 시스템 메모리(620) 또는 제어기(130)와 별개의 유사한 매체들 상에 저장되거나 또는 이를 통해 수신 또는 전송될 수 있다.
[0057]
일 실시예에서, I/O 인터페이스(630)는, 네트워크 인터페이스(640) 또는 다른 주변 인터페이스들, 이를테면, 입력/출력 디바이스들(650)을 포함한, 디바이스 내의 임의의 주변 디바이스들, 시스템 메모리(620), 및 프로세서(610) 간의 I/O 트래픽을 조정하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, I/O 인터페이스(630)는, 하나의 컴포넌트(예컨대, 시스템 메모리(620))로부터의 데이터 신호들을 다른 컴포넌트(예컨대, 프로세서(610))에 의한 사용에 적합한 포맷으로 컨버팅하기 위해 임의의 필요한 프로토콜, 타이밍 또는 다른 데이터 변환들을 수행할 수 있다. 일부 실시예들에서, I/O 인터페이스(630)의 기능은 2개 이상의 별개의 컴포넌트들, 이를테면, 예컨대 노스 브리지(north bridge) 및 사우스 브리지(south bridge)로 분할될 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 시스템 메모리(620)에 대한 인터페이스와 같은 I/O 인터페이스(630)의 기능성 중 일부 또는 전부는 프로세서(610)에 직접 통합될 수 있다.
[0058]
네트워크 인터페이스(640)는 네트워크(예컨대, 네트워크(690))에 부착된 다른 디바이스들, 이를테면, 하나 이상의 외부 시스템들과 제어기(130) 간에 데이터가 교환되는 것을 가능하게 하도록 구성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 네트워크(690)는 LAN(Local Area Network)들(예컨대, 이더넷 또는 회사 네트워크), WAN(Wide Area Network)들(예컨대, 인터넷), 무선 데이터 네트워크들, 셀룰러 네트워크들, Wi-Fi, 일부 다른 전자 데이터 네트워크, 또는 이들의 일부 조합을 포함하는(그러나 이에 제한되지 않음) 하나 이상의 네트워크들을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 네트워크 인터페이스(640)는 유선 또는 무선 일반 데이터 네트워크들, 이를테면, 예컨대 임의의 적합한 타입의 이더넷 네트워크를 통한; 원격통신들/텔레포니 네트워크들, 이를테면, 아날로그 보이스 네트워크들 또는 디지털 파이버 통신 네트워크들을 통한; 저장 영역 네트워크들, 이를테면, 파이버 채널 SAN들을 통한, 또는 임의의 다른 적합한 타입의 네트워크 및/또는 프로토콜을 통한 통신을 지원할 수 있다.
[0059]
일부 실시예들에서, 입력/출력 디바이스들(650)은 하나 이상의 디스플레이 디바이스, 키보드들, 키패드들, 카메라들, 터치패드들, 터치스크린들, 스캐닝 디바이스들, 보이스 또는 광학 인식 디바이스들, 또는 데이터를 입력 또는 액세스하기에 적합한 임의의 다른 디바이스들을 포함할 수 있다. 제어기(130)에는 다수의 입력/출력 디바이스들(650)이 존재할 수 있다. 일부 실시예들에서, 유사한 입력/출력 디바이스들은 제어기(130)로부터 분리될 수 있다.
[0060]
일부 실시예들에서, 예시된 컴퓨터 시스템은 위에서 설명된 방법들 중 임의의 방법, 이를테면, 도 3 및 도 5의 흐름도에 의해 예시된 방법들을 구현할 수 있다. 다른 실시예들에서, 상이한 엘리먼트들 및 데이터가 포함될 수 있다.
[0061]
도 6의 제어기(130)는 단지 예시적이며, 실시예들의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다. 특히, 컴퓨터 시스템 및 디바이스들은, 컴퓨터들, 네트워크 디바이스들, 인터넷 기기들, 스마트폰들, 태블릿들, PDA들, 무선 전화들, 페이저들 등을 포함하는, 다양한 실시예들의 표시된 기능들을 수행할 수 있는 하드웨어 또는 소프트웨어의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 제어기(130)는 또한, 예시되지 않은 다른 디바이스들에 연결될 수 있거나, 또는 대신에 독립형 시스템으로서 동작할 수 있다. 추가하여, 일부 실시예들에서, 예시된 컴포넌트들에 의해 제공되는 기능성은 더 적은 컴포넌트들로 결합되거나 또는 추가적인 컴포넌트들로 분산될 수 있다. 유사하게, 일부 실시예들에서, 예시된 컴포넌트들 중 일부 컴포넌트들의 기능성은 제공되지 않을 수 있고 그리고/또는 다른 추가적인 기능성이 이용가능할 수 있다.
[0062]
다양한 아이템들이, 사용되는 동안 메모리에 또는 저장소에 저장되는 것으로 예시되지만, 이러한 아이템들 또는 이러한 아이템들의 부분들은 메모리 관리 및 데이터 무결성의 목적들을 위해 메모리와 다른 저장 디바이스들 간에 전달될 수 있다. 대안적으로, 다른 실시예들에서, 소프트웨어 컴포넌트들 중 일부 또는 전부는 다른 디바이스 상의 메모리에서 실행되고 그리고 컴퓨터간 통신을 통해, 예시된 컴퓨터 시스템과 통신할 수 있다. 시스템 컴포넌트들 또는 데이터 구조들 중 일부 또는 전부는 또한, 컴퓨터-액세스가능 매체 또는 휴대가능 물품 상에 (예컨대, 명령들 또는 구조화된 데이터로서) 저장되어, 적합한 드라이브에 의해 판독될 수 있으며, 그 다양한 예들은 위에서 설명되었다. 일부 실시예들에서, 제어기(130)와는 별개의 컴퓨터-액세스가능 매체 상에 저장된 명령들은 송신 매체들 또는 신호들, 이를테면, 전기, 전자기, 또는 디지털 신호들을 통해 제어기(130)에 송신되거나, 또는 통신 매체, 이를테면, 네트워크 및/또는 무선 링크를 통해 전달될 수 있다. 다양한 실시예들은, 전술한 설명에 따라 구현된 명령들 및/또는 데이터를, 컴퓨터-액세스가능 매체 상에 저장하는 것 또는 통신 매체를 통해 수신 또는 전송하는 것을 더 포함할 수 있다. 일반적으로, 컴퓨터-액세스가능 매체는 저장 매체 또는 메모리 매체, 이를테면, 자기 또는 광학 매체들, 예컨대 디스크 또는 DVD/CD-ROM, 휘발성 또는 비-휘발성 매체들, 이를테면, RAM(예컨대, SDRAM, DDR, RDRAM, SRAM 등), ROM 등을 포함할 수 있다.
[0063]
본원에서 설명된 방법들은, 상이한 실시예들에서, 소프트웨어로, 하드웨어로, 또는 이들의 조합으로 구현될 수 있다. 추가하여, 방법들의 순서는 변경될 수 있고, 다양한 엘리먼트들이 추가되거나, 재순서화되거나, 조합되거나, 생략되거나, 또는 다른 방식으로 수정될 수 있다. 본원에서 설명되는 모든 예들은 비-제한적 방식으로 제시된다. 본 발명의 이익을 갖는 다양한 수정들 및 변경들이 이루어질 수 있다. 실시예들에 따른 실현들은 특정 실시예들과 관련하여 설명되었다. 이러한 실시예들은 예시적이도록 의도되며 제한적이도록 의도되지 않는다. 많은 변형들, 수정들, 추가들 및 개선들이 가능하다. 따라서, 단일 인스턴스로서 본원에서 설명되는 컴포넌트들에 대해 복수의 인스턴스들이 제공될 수 있다. 다양한 컴포넌트들, 동작들 및 데이터 스토어들 간의 경계들은 다소 임의적이고, 특정 동작들은 특정 예시적인 구성들과 관련하여 예시된다. 기능성의 다른 할당들이 구상되며, 다음의 청구항들의 범위 내에 속할 수 있다. 마지막으로, 예시적인 구성들에서 별개의 컴포넌트들로서 제시된 구조들 및 기능성은 조합된 구조 또는 컴포넌트로서 구현될 수 있다.
[0064]
전술한 내용들이 본원의 원리들의 실시예들에 관한 것이지만, 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본원의 원리들의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 구상될 수 있다.
Claims (15)
- 펄싱 시스템을 검증하기 위한 방법으로서,
적어도 하나의 펄스 모드에 대한 프로파일 센서의 측정들을 사용하여 상기 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 펄스들의 펄스 프로파일을 생성하는 단계;
상기 생성된 펄스 프로파일과 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄스 생성기의 펄스들의 대표 펄스 프로파일을 선택하는 단계;
상기 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 생성된 펄스 프로파일에 대한 상기 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위해 이용되는 정량적 메트릭(quantitative metric)을 정의하는 단계;
상기 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 상기 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하는 단계; 및
상기 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 상기 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기가 적절하게 동작하는지를 결정하는 단계를 포함하는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 펄스 프로파일은, 상기 프로파일 센서로부터 상기 적어도 하나의 펄스 생성기의 출력들의 측정들을 수신하는 제어기에 의해 생성되는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 제어기가 액세스가능한 저장 디바이스로부터, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄스 생성기의 대표 펄스 프로파일을 선택하는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
개개의 펄스 프로파일은 상기 적어도 하나의 펄스 생성기의 이용가능한 펄스 주파수 설정들 또는 듀티 사이클 설정들 중 적어도 하나의 범위에 걸쳐 다수의 다중 전력 레벨들 각각에 대해 생성되는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
광학 센서의 측정들을 사용하여 상기 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 상이한 펄스 모드들을 포함하는, 플라즈마가 점화되는 프로세스 챔버 내에서의 플라즈마 프로세스의 펄스 프로파일을 생성하는 단계;
상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일과 동일한 펄스 모드들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 플라즈마 프로세스의 대표 펄스 프로파일을 선택하는 단계;
상기 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 상기 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하는 단계; 및
상기 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 프로파일과 상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 상기 펄싱 시스템이 적절하게 동작하는지를 결정하는 단계를 더 포함하는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 방법. - 제5 항에 있어서,
상기 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교 전에, 상기 선택된 대표 펄스 프로파일의 펄스들 또는 상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 펄스들 중 적어도 하나를 디-콘볼루팅(de-convoluting)하는 단계를 더 포함하는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 방법. - 펄싱 시스템을 검증하기 위한 장치로서,
적어도 하나의 펄스 생성기를 측정하기 위한 프로파일 센서; 및
적어도 프로그램 명령들 및 데이터를 저장하기 위한 메모리 및 프로세서를 포함하는 제어기를 포함하며,
상기 프로세서는, 상기 프로그램 명령들을 실행할 때,
적어도 하나의 펄스 모드에 대한 상기 프로파일 센서로부터의, 상기 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 출력들의 측정들을 사용하여, 상기 적어도 하나의 펄스 생성기의 펄스들의 펄스 프로파일을 생성하고,
상기 생성된 펄스 프로파일과 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄스 생성기의 펄스들의 대표 펄스 프로파일을 선택하고,
상기 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 생성된 펄스 프로파일에 대한 상기 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위해 이용되는 정량적 메트릭을 정의하고,
상기 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 상기 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하고, 그리고
상기 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 상기 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기가 적절하게 동작하는지를 결정하도록
상기 장치를 구성하는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 장치. - 제7 항에 있어서,
적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄스 생성기들의 대표 펄스 프로파일들은 상기 장치의 메모리에 저장되는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 적어도 하나의 펄스 생성기의 펄스 전력, 펄스 주파수 및 듀티 사이클 중 하나 이상에 대한 개개의 펄스 프로파일을 생성하는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 적어도 하나의 펄스 생성기의 이용가능한 펄스 주파수 설정들 또는 듀티 사이클 설정들 중 적어도 하나의 범위에 걸쳐 다수의 다중 전력 레벨들 각각에 대해 개개의 펄스 프로파일을 생성하는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 장치. - 제7 항에 있어서,
광학 센서를 더 포함하는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 장치는 추가로,
상기 광학 센서에 의해 취해진 플라즈마 프로세스의 이미지들의 측정들을 사용하여 상기 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 상이한 펄스 모드들을 포함하는, 플라즈마가 점화되는 프로세스 챔버 내에서의 상기 플라즈마 프로세스의 펄스 프로파일을 생성하고,
상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일과 동일한 펄스 모드들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 플라즈마 프로세스의 대표 펄스 프로파일을 선택하고,
상기 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 상기 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하고, 그리고
상기 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 상기 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 프로파일과 상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 상기 펄싱 시스템이 적절하게 동작하는지를 결정하도록 구성되는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 장치. - 제12 항에 있어서,
상기 장치는 추가로,
상기 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교 전에, 상기 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일의 펄스들 또는 상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 펄스들 중 적어도 하나를 디-콘볼루팅하도록 구성되는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 장치. - 펄싱 시스템을 검증하기 위한 시스템으로서,
펄스들을 생성하기 위한 적어도 하나의 펄스 생성기를 포함하는 펄싱 시스템;
반도체 프로세스들을 구현하기 위한 프로세스 챔버;
적어도 하나의 펄스 생성기를 측정하기 위한 프로파일 센서; 및
적어도 프로그램 명령들 및 데이터를 저장하기 위한 메모리 및 프로세서를 포함하는 제어기를 포함하며,
상기 프로세서는, 상기 프로그램 명령들을 실행할 때,
적어도 하나의 펄스 모드에 대한 상기 프로파일 센서로부터의, 상기 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 출력들의 측정들을 사용하여, 상기 적어도 하나의 펄스 생성기의 펄스들의 펄스 프로파일을 생성하고,
상기 생성된 펄스 프로파일과 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄스 생성기의 펄스들의 대표 펄스 프로파일을 선택하고,
상기 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 생성된 펄스 프로파일에 대한 상기 적어도 하나의 동일한 펄스 모드의 펄스들 간의 유사성들 및/또는 차이들을 식별하기 위해 이용되는 정량적 메트릭을 정의하고,
상기 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 상기 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하고, 그리고
상기 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 상기 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기가 적절하게 동작하는지를 결정하도록
상기 제어기를 구성하는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 시스템. - 제14 항에 있어서,
광학 센서를 더 포함하고, 그리고
상기 제어기는 추가로,
상기 광학 센서에 의해 취해진 플라즈마 프로세스의 이미지들의 측정들을 사용하여 상기 펄싱 시스템의 적어도 하나의 펄스 생성기의 상이한 펄스 모드들을 포함하는, 플라즈마가 점화되는 프로세스 챔버 내에서의 상기 플라즈마 프로세스의 펄스 프로파일을 생성하고,
상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일과 동일한 펄스 모드들을 포함하는, 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 플라즈마 프로세스의 대표 펄스 프로파일을 선택하고,
상기 정의된 정량적 메트릭을 고려하여, 상기 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 펄스 프로파일과 상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들을 비교하고, 그리고
상기 적절하게 동작하는 것으로 알려진 펄싱 시스템을 사용하여 구현되는 상기 플라즈마 프로세스의 선택된 대표 프로파일과 상기 플라즈마 프로세스의 생성된 펄스 프로파일의 개개의 펄스들의 비교에 기반하여, 상기 펄싱 시스템이 적절하게 동작하는지를 결정하도록 구성되는,
펄싱 시스템을 검증하기 위한 시스템.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/944,688 | 2018-04-03 | ||
| US15/944,688 US11209478B2 (en) | 2018-04-03 | 2018-04-03 | Pulse system verification |
| PCT/US2019/024532 WO2020033016A2 (en) | 2018-04-03 | 2019-03-28 | Pulse system verification |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200128181A true KR20200128181A (ko) | 2020-11-11 |
| KR102516666B1 KR102516666B1 (ko) | 2023-03-30 |
Family
ID=68056046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207031367A KR102516666B1 (ko) | 2018-04-03 | 2019-03-28 | 펄스 시스템 검증 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11209478B2 (ko) |
| JP (1) | JP7008841B2 (ko) |
| KR (1) | KR102516666B1 (ko) |
| CN (1) | CN111936873B (ko) |
| TW (1) | TWI721398B (ko) |
| WO (1) | WO2020033016A2 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022120418A (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理システム及び異常検知方法 |
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- 2019-03-28 JP JP2020552371A patent/JP7008841B2/ja active Active
- 2019-03-28 WO PCT/US2019/024532 patent/WO2020033016A2/en active Application Filing
- 2019-03-28 KR KR1020207031367A patent/KR102516666B1/ko active IP Right Grant
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|---|---|
| US11209478B2 (en) | 2021-12-28 |
| WO2020033016A2 (en) | 2020-02-13 |
| JP7008841B2 (ja) | 2022-01-25 |
| KR102516666B1 (ko) | 2023-03-30 |
| US20190302174A1 (en) | 2019-10-03 |
| CN111936873B (zh) | 2024-07-02 |
| WO2020033016A3 (en) | 2020-04-16 |
| JP2021517363A (ja) | 2021-07-15 |
| TW201943315A (zh) | 2019-11-01 |
| TWI721398B (zh) | 2021-03-11 |
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