JP7005916B2 - Light wavelength conversion composition, light wavelength conversion member, light emitting device, backlight device, and image display device - Google Patents

Light wavelength conversion composition, light wavelength conversion member, light emitting device, backlight device, and image display device Download PDF

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Description

本発明は、光波長変換組成物、光波長変換部材、発光装置、バックライト装置、および画像表示装置に関する。 The present invention relates to a light wavelength conversion composition, a light wavelength conversion member, a light emitting device, a backlight device, and an image display device.

液晶表示装置等の透過型画像表示装置は、一般に、液晶表示パネル等の表示パネルの背面側に配置され、表示パネルを照明するバックライト装置を備えている。 A transmissive image display device such as a liquid crystal display device is generally arranged on the back side of a display panel such as a liquid crystal display panel and includes a backlight device that illuminates the display panel.

現在、色再現性を高めるために、量子ドットおよびバインダ樹脂を含む光波長変換部材を、バックライト装置に組み込むことが検討されている(例えば、特許文献1参照)。量子ドットは、光(一次光)を吸収して異なる波長の光(二次光)を放出することができるとともに、量子ドットが放出する光の波長は、主として量子ドットの粒子径に依存する。したがって、光波長変換部材が組み込まれたバックライト装置においては、単一の波長域の光を投射する発光素子を用いながら、種々の色を再現することができる。例えば、青色光を発する光源を用いる場合、光波長変換部材が青色光を吸収して緑色光および赤色光を放出することができる。このような光波長変換部材が組み込まれたバックライト装置は色純度に優れることから、このバックライト装置を用いた画像表示装置においては色再現性を向上させることができる。 Currently, in order to improve color reproducibility, it is being studied to incorporate an optical wavelength conversion member containing quantum dots and a binder resin into a backlight device (see, for example, Patent Document 1). Quantum dots can absorb light (primary light) and emit light of different wavelengths (secondary light), and the wavelength of light emitted by quantum dots mainly depends on the particle size of the quantum dots. Therefore, in a backlight device incorporating an optical wavelength conversion member, various colors can be reproduced while using a light emitting element that projects light in a single wavelength range. For example, when a light source that emits blue light is used, the light wavelength conversion member can absorb the blue light and emit green light and red light. Since the backlight device incorporating such a light wavelength conversion member is excellent in color purity, it is possible to improve the color reproducibility in the image display device using this backlight device.

特開2013-218953号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-218953

光波長変換部材をバックライト装置に組み込む方式として、光源中に光波長変換部材を組み込むオンチップ方式がある。しかしながら、オンチップ方式において、光源中に光波長変換部材を組み込むと、LED素子等の発光素子から発せられる熱によって光波長変換部材中の量子ドットが劣化してしまうおそれがある。 As a method of incorporating the light wavelength conversion member into the backlight device, there is an on-chip method of incorporating the light wavelength conversion member into the light source. However, in the on-chip method, if the light wavelength conversion member is incorporated in the light source, the quantum dots in the light wavelength conversion member may be deteriorated by the heat generated from the light emitting element such as the LED element.

本発明は、上記問題を解決するためになされたものである。すなわち、優れた耐熱性を有する光波長変換組成物、このような光波長変換組成物の硬化物からなる光波長変換部材、このような光波長変換部材を備えた発光装置、バックライト装置および画像表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems. That is, a light wavelength conversion composition having excellent heat resistance, a light wavelength conversion member made of a cured product of such a light wavelength conversion composition, a light emitting device provided with such a light wavelength conversion member, a backlight device, and an image. It is intended to provide a display device.

本発明者らは、上記課題に対して鋭意研究を重ねたところ、光波長変換組成物に量子ドットの他、特定のシリコーン樹脂を含ませることにより、熱による量子ドットの劣化を抑制できる光波長変換組成物が得られることを見出した。本発明は、このような知見に基づき完成されたものである。 As a result of diligent research on the above-mentioned problems, the present inventors have found that the optical wavelength conversion composition contains a specific silicone resin in addition to the quantum dots to suppress deterioration of the quantum dots due to heat. It has been found that a conversion composition can be obtained. The present invention has been completed based on such findings.

本発明の一の態様によれば、量子ドットと、窒素原子を含む硬化性シリコーン樹脂とを含む、光波長変換組成物が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided an optical wavelength conversion composition comprising quantum dots and a curable silicone resin containing a nitrogen atom.

上記光波長変換組成物において、前記シリコーン樹脂が、ポリイミド構造、ポリアミド構造、およびポリアミドイミド構造の少なくともいずれかの構造を有していてもよい。 In the light wavelength conversion composition, the silicone resin may have at least one of a polyimide structure, a polyamide structure, and a polyamide-imide structure.

本発明の他の態様によれば、上記光波長変換組成物の硬化物からなる、光波長変換部材が提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a light wavelength conversion member made of a cured product of the light wavelength conversion composition.

本発明の他の態様によれば、発光素子と、前記発光素子からの光を受ける、上記光波長変換部材と、を備える、発光装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting device including a light emitting element and the light wavelength conversion member that receives light from the light emitting element.

上記発光装置において、前記発光素子が、LED素子であってもよい。 In the light emitting device, the light emitting element may be an LED element.

上記発光装置において、前記光波長変換部材が、前記発光素子を覆っていてもよい。 In the light emitting device, the light wavelength conversion member may cover the light emitting element.

上記発光装置において、前記発光装置が、前記発光素子と前記光波長変換部材の間に設けられ、かつ前記発光素子を封止する封止部材をさらに備えていてもよい。 In the light emitting device, the light emitting device may further include a sealing member provided between the light emitting element and the light wavelength conversion member and sealing the light emitting element.

上記発光装置において、前記光波長変換部材の出光側の表面がレンズ面となっていてもよい。 In the light emitting device, the surface of the light wavelength conversion member on the light emitting side may be a lens surface.

本発明の他の態様によれば、上記発光装置を備えるバックライト装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, a backlight device including the above light emitting device is provided.

本発明の他の態様によれば、上記バックライト装置と、前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルと、を備える、画像表示装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided an image display device including the backlight device and a display panel arranged on the light emitting side of the backlight device.

本発明の一の態様によれば、窒素原子を含む硬化性シリコーン樹脂を含んでいるので、優れた耐熱性を有する光波長変換組成物を提供することができる。本発明の他の態様によれば、優れた耐熱性を有する光波長変部材、およびこのような光波長変換部材を備えた発光装置、バックライト装置、ならびに画像表示装置を提供することができる。 According to one aspect of the present invention, since the curable silicone resin containing a nitrogen atom is contained, it is possible to provide a light wavelength conversion composition having excellent heat resistance. According to another aspect of the present invention, it is possible to provide a light wavelength changing member having excellent heat resistance, and a light emitting device, a backlight device, and an image display device provided with such a light wavelength converting member.

実施形態に係る発光装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the light emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る他の発光装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the other light emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る画像表示装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the image display device which concerns on embodiment. 図3に示されるレンズシートの斜視図である。It is a perspective view of the lens sheet shown in FIG. 実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the other backlight apparatus which concerns on embodiment.

以下、本発明の実施形態に係る光波長変換組成物、光波長変換部材、発光装置、バックライト装置、および画像表示装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る発光装置の概略構成図であり、図2は本実施形態に係る他の発光装置の概略構成図である。 Hereinafter, the light wavelength conversion composition, the light wavelength conversion member, the light emitting device, the backlight device, and the image display device according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a light emitting device according to the present embodiment, and FIG. 2 is a schematic configuration diagram of another light emitting device according to the present embodiment.

<<<光波長変換組成物>>>
光波長変換組成物は、入射する光を他の波長の光に変換するための組成物である。光波長変換組成物は、量子ドットと、窒素原子を含むシリコーン樹脂(以下、このシリコーン樹脂を「特定のシリコーン樹脂」と称する。)とを含んでいる。光波長変換組成物は、量子ドットおよびシリコーン樹脂の他、溶剤、光散乱性粒子、蛍光体等を含んでいてもよい。例えば、光波長変換組成物を光波長変換シートとして用いる場合には、光波長変換組成物は、光散乱性粒子を含むことが好ましい。なお、本明細書において、「シート」とは、フィルムとも呼ばれるような部材も含む概念である。
<<< Light wavelength conversion composition >>>
The light wavelength conversion composition is a composition for converting incident light into light of another wavelength. The optical wavelength conversion composition contains quantum dots and a silicone resin containing a nitrogen atom (hereinafter, this silicone resin is referred to as "specific silicone resin"). The light wavelength conversion composition may contain a solvent, a light scattering particle, a phosphor and the like, in addition to the quantum dots and the silicone resin. For example, when the light wavelength conversion composition is used as a light wavelength conversion sheet, the light wavelength conversion composition preferably contains light scattering particles. In addition, in this specification, a "sheet" is a concept including a member which is also called a film.

光波長変換組成物は、組成物の状態でも使用してもよく、また光波長変換組成物を硬化させて、硬化物である後述する光波長変換部材の状態で使用してもよい。 The light wavelength conversion composition may be used in the state of the composition, or may be used in the state of the light wavelength conversion member described later which is a cured product by curing the light wavelength conversion composition.

光波長変換組成物の粘度は、100mPa・s以上10000mPa・s以下であることが好ましい。光波長変換組成物の粘度が、100mPa・s以上であると、塗布後の形状を容易に保つことができ、また10000mPa・s以下であると、光波長変換組成物の塗布を容易に行うことができ、また良好なレベリング性を得ることができる。 The viscosity of the light wavelength conversion composition is preferably 100 mPa · s or more and 10,000 mPa · s or less. When the viscosity of the light wavelength conversion composition is 100 mPa · s or more, the shape after coating can be easily maintained, and when the viscosity is 10,000 mPa · s or less, the light wavelength conversion composition can be easily applied. And good leveling property can be obtained.

<<量子ドット>>
量子ドットは、量子閉じ込め効果(quantum confinement effect)を有するナノサイズの半導体粒子である。量子ドットの粒子径および平均粒子径は、例えば、1nm以上20nm以下となっている。量子ドットは、励起源から光を吸収してエネルギー励起状態に達すると、量子ドットのエネルギーバンドギャップに該当するエネルギーを放出する。よって、量子ドットの粒子径又は物質の組成を調節すると、エネルギーバンドギャップを調節することができ、様々なレベルの波長帯のエネルギーを得ることができる。とりわけ、量子ドットは、狭い波長帯で強い蛍光を発生することができる。
<< Quantum dots >>
Quantum dots are nano-sized semiconductor particles that have a quantum confinement effect. The particle diameter and the average particle diameter of the quantum dots are, for example, 1 nm or more and 20 nm or less. When a quantum dot absorbs light from an excitation source and reaches an energy excited state, it emits energy corresponding to the energy band gap of the quantum dot. Therefore, by adjusting the particle size of the quantum dots or the composition of the substance, the energy band gap can be adjusted, and energy in various levels of wavelength bands can be obtained. In particular, quantum dots can generate strong fluorescence in a narrow wavelength band.

具体的には、量子ドットは粒子径が小さくなるに従い、エネルギーバンドギャップが大きくなる。すなわち、結晶サイズが小さくなるにつれて、量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へとシフトする。そのため、量子ドットの粒子径を変化させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長全域にわたって、その発光波長を調節することができる。例えば、量子ドットが後述するCdSe/ZnSから構成されている場合には、量子ドットの粒子径が2.0nm以上4.0nm以下の場合は青色光を発し、量子ドットの粒子径が3.0nm以上6.0nm以下の場合は緑色光を発し、量子ドットの粒子径が4.5nm以上10.0nm以下の場合は赤色光を発する。本明細書における「青色光」とは、380nm以上480nm未満の波長域を有する光であり、「緑色光」とは、480nm以上590nm未満の波長域を有する光であり、「赤色光」とは、590nm以上750nm以下の波長域を有する光である。なお、上記においては、青色光を発する量子ドットの粒子径と緑色光を発する量子ドットの粒子径の範囲は一部において重複しており、また緑色光を発する量子ドットの粒子径と赤色光を発する量子ドットの粒子径の範囲は一部において重複しているが、同じ粒子径を有する量子ドットであっても、量子ドットのコアの大きさによっても発光色が異なる場合があるので、何ら矛盾するものではない。量子ドット18の平均粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡による光波長変換粒子の断面観察において量子ドット20個の粒子径を測定し、その平均値を算出することで求めることができる。 Specifically, the energy band gap of quantum dots increases as the particle size decreases. That is, as the crystal size becomes smaller, the emission of the quantum dots shifts to the blue side, that is, to the high energy side. Therefore, by changing the particle size of the quantum dot, the emission wavelength can be adjusted over the entire wavelength of the spectrum in the ultraviolet region, the visible region, and the infrared region. For example, when the quantum dot is composed of CdSe / ZnS described later, blue light is emitted when the particle diameter of the quantum dot is 2.0 nm or more and 4.0 nm or less, and the particle diameter of the quantum dot is 3.0 nm. When the particle size is 6.0 nm or less, green light is emitted, and when the particle size of the quantum dots is 4.5 nm or more and 10.0 nm or less, red light is emitted. As used herein, "blue light" is light having a wavelength range of 380 nm or more and less than 480 nm, "green light" is light having a wavelength range of 480 nm or more and less than 590 nm, and "red light" is Light having a wavelength range of 590 nm or more and 750 nm or less. In the above, the range of the particle size of the quantum dot emitting blue light and the particle size of the quantum dot emitting green light partially overlaps, and the particle size of the quantum dot emitting green light and the red light are overlapped. The range of the particle size of the emitted quantum dots overlaps in part, but even if the quantum dots have the same particle size, the emission color may differ depending on the size of the core of the quantum dots, so there is no contradiction. It's not something to do. The average particle size of the quantum dots 18 can be obtained by measuring the particle size of 20 quantum dots in the cross-sectional observation of the light wavelength conversion particle with a transmission electron microscope or a scanning transmission electron microscope and calculating the average value thereof. can.

量子ドットとしては、1種類の量子ドットを用いてもよいが、粒子径または材料等が異なることにより、それぞれ単独の波長域の発光帯を有する2種類以上の量子ドットを用いることも可能である。具体的には、光波長変換組成物は、第1の量子ドットと、第1の量子ドットとは異なる波長域の発光帯を有する第2の量子ドットとを含んでいてもよい。 As the quantum dots, one type of quantum dots may be used, but it is also possible to use two or more types of quantum dots each having a light emitting band in a single wavelength range due to different particle diameters or materials. .. Specifically, the optical wavelength conversion composition may include a first quantum dot and a second quantum dot having an emission band in a wavelength range different from that of the first quantum dot.

量子ドットは、所望の狭い波長域で強い蛍光を発生することができる。このため、光波長変換部材を用いたバックライト装置は、色純度の優れた三原色の光で、表示パネルを照明することができる。この場合、表示パネルは、優れた色再現性を有することになる。 Quantum dots can generate strong fluorescence in a desired narrow wavelength range. Therefore, the backlight device using the light wavelength conversion member can illuminate the display panel with the light of the three primary colors having excellent color purity. In this case, the display panel will have excellent color reproducibility.

量子ドットは、例えば、第1の半導体化合物からなるコアと、およびこのコアを覆い、かつ第1の半導体化合物と異なる第2の半導体化合物からなるシェルと、シェルの表面に結合したリガンドとから構成されている。 Quantum dots are composed of, for example, a core made of a first semiconductor compound, a shell made of a second semiconductor compound that covers the core and is different from the first semiconductor compound, and a ligand bonded to the surface of the shell. Has been done.

コアを構成する第1の半導体化合物としては、例えば、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe及びHgTeのようなII-VI族半導体化合物、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaAs、GaP、GaN、GaSb、InN、InAs、InP、InSb、TiN、TiP、TiAs及びTiSbのようなIII-V族半導体化合物、Si、Ge及びPbのようなIV族半導体、等の半導体化合物又は半導体を含有する半導体結晶が挙げられる。また、InGaPのような3元素以上を含んだ半導体化合物を含む半導体結晶を用いることもできる。これらの中でも、作製の容易性、可視域での発光を得られる粒子径の制御性等の観点から、CdS、CdSe、CdTe、InP、InGaP等の半導体結晶が好適である。 Examples of the first semiconductor compound constituting the core include MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, and the like. II-VI group semiconductor compounds such as HgS, HgSe and HgTe, III such as AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaAs, GaP, GaN, GaSb, InN, InAs, InP, InSb, TiN, TiP, TiAs and TiSb. Examples thereof include semiconductor compounds such as Group V semiconductor compounds, Group IV semiconductors such as Si, Ge and Pb, or semiconductor crystals containing semiconductors. Further, a semiconductor crystal containing a semiconductor compound containing three or more elements such as InGaP can also be used. Among these, semiconductor crystals such as CdS, CdSe, CdTe, InP, and InGaP are preferable from the viewpoints of ease of production, controllability of particle size capable of obtaining light emission in the visible range, and the like.

シェルを構成する第2の半導体化合物としては、励起子がコアに閉じ込められるように、コアを構成する第1の半導体化合物よりもバンドギャップの高い半導体化合物を用いることが好ましい。これにより、量子ドットの発光効率を高めることができる。シェルを構成する第2の半導体化合物としては、例えば、ZnS、ZnSe、CdS、GaN、CdSSe、ZnSeTe、AlP、ZnSTe、ZnSSe等が挙げられる。 As the second semiconductor compound constituting the shell, it is preferable to use a semiconductor compound having a bandgap higher than that of the first semiconductor compound constituting the core so that excitons are confined in the core. This makes it possible to increase the luminous efficiency of the quantum dots. Examples of the second semiconductor compound constituting the shell include ZnS, ZnSe, CdS, GaN, CdSSe, ZnSeTe, AlP, ZnSTe, ZnSSe and the like.

コアとシェルからなるコアシェル構造(コア/シェル)の具体的な組み合わせとしては、例えば、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdTe/CdS、InP/ZnS、Gap/ZnS、Si/ZnS、InN/GaN、InP/CdSSe、InP/ZnSeTe、InGaP/ZnSe、InGaP/ZnS、Si/AlP、InP/ZnSTe、InP/ZnSSe、InGaP/ZnSTe、InGaP/ZnSSe等が挙げられる。 Specific combinations of the core-shell structure (core / shell) consisting of the core and the shell include, for example, CdSe / ZnS, CdSe / ZnSe, CdSe / CdS, CdTe / CdS, InP / ZnS, Gap / ZnS, Si / ZnS, and the like. InN / GaN, InP / CdSSe, InP / ZnSeTe, InGaP / ZnSe, InGaP / ZnS, Si / AlP, InP / ZnSTe, InP / ZnSSe, InGaP / ZnSTe, InGaP / ZnSSe and the like can be mentioned.

リガンドは、不安定な量子ドットを安定化させるためのものである。リガンドとしては、チオール等の硫黄系化合物、ホスフィン系化合物またはホスフィン酸化物等のリン系化合物、アミン等の窒素系化合物、カルボン酸等が挙げられる。 The ligand is for stabilizing unstable quantum dots. Examples of the ligand include a sulfur-based compound such as thiol, a phosphorus-based compound such as a phosphine-based compound or a phosphine oxide, a nitrogen-based compound such as an amine, and a carboxylic acid.

量子ドットの形状は特に限定されず、例えば、球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。量子ドットの粒子径は、量子ドットの形状が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。 The shape of the quantum dot is not particularly limited, and may be, for example, a spherical shape, a rod shape, a disk shape, or any other shape. When the shape of the quantum dot is not spherical, the particle diameter of the quantum dot can be a true spherical value having the same volume.

量子ドットの粒子径、平均粒子径、形状、分散状態等の情報については、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡により得ることができる。量子ドットの平均粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡による観察により測定された20個の量子ドットの直径の平均値として求めることができる。また、量子ドットは粒子径によって発光色が変化するので、量子ドットの発光色の確認から量子ドットの粒子径を求めることも可能である。また、量子ドットの結晶構造、結晶子サイズについては、X線結晶回折(XRD)により知ることができる。さらには、紫外-可視(UV-Vis)吸収スペクトルによって、量子ドットの粒子径等に関する情報を得ることもできる。 Information such as the particle size, average particle size, shape, and dispersed state of the quantum dots can be obtained by a transmission electron microscope or a scanning transmission electron microscope. The average particle size of the quantum dots can be obtained as the average value of the diameters of the 20 quantum dots measured by observation with a transmission electron microscope or a scanning transmission electron microscope. Further, since the emission color of the quantum dot changes depending on the particle diameter, it is also possible to obtain the particle diameter of the quantum dot by confirming the emission color of the quantum dot. Further, the crystal structure and crystallite size of the quantum dots can be known by X-ray crystal diffraction (XRD). Furthermore, information on the particle size of quantum dots and the like can be obtained from the ultraviolet-visible (UV-Vis) absorption spectrum.

光波長変換組成物の全固形分質量に対する量子ドットの含有量は、0.01質量%以上2質量%以下であることが好ましく、0.03質量%以上1質量%以下であることがより好ましい。量子ドットの含有量が0.01質量%以上であれば、充分な発光強度を得ることができ、また、量子ドットの含有量が2質量%以下であれば、充分な励起光の透過光強度を得ることができる。 The content of the quantum dots with respect to the total solid content mass of the optical wavelength conversion composition is preferably 0.01% by mass or more and 2% by mass or less, and more preferably 0.03% by mass or more and 1% by mass or less. .. When the content of quantum dots is 0.01% by mass or more, sufficient emission intensity can be obtained, and when the content of quantum dots is 2% by mass or less, sufficient transmitted light intensity of excitation light can be obtained. Can be obtained.

<<特定のシリコーン樹脂>>
特定のシリコーン樹脂は、窒素原子を含むものである。特定のシリコーン樹脂としては、窒素原子を含むシリコーン樹脂であれば、特に限定されないが、例えば、ポリイミド構造、ポリアミド構造、およびポリアミドイミド構造の少なくともいずれかの構造を有するシリコーン樹脂が好ましい。以下、ポリイミド構造を有するシリコーン樹脂をポリイミドシリコーン樹脂と称し、ポリアミド構造を有するシリコーン樹脂をポリアミドシリコーン樹脂と称し、ポリアミドイミド構造を有するシリコーン樹脂をポリアミドイミドシリコーン樹脂と称する。本明細書における「ポリアミド」は、芳香族ポリアミド(アラミド)を含む概念である。特定のシリコーン樹脂は、耐熱性、機械特性、および耐溶剤性の点から、ポリイミドシリコーン樹脂であることが好ましい。
<< Specific Silicone Resin >>
Certain silicone resins contain nitrogen atoms. The specific silicone resin is not particularly limited as long as it is a silicone resin containing a nitrogen atom, but for example, a silicone resin having at least one of a polyimide structure, a polyamide structure, and a polyamide-imide structure is preferable. Hereinafter, the silicone resin having a polyimide structure is referred to as a polyimide silicone resin, the silicone resin having a polyamide structure is referred to as a polyamide silicone resin, and the silicone resin having a polyamide-imide structure is referred to as a polyamide-imide silicone resin. As used herein, the term "polyamide" is a concept including an aromatic polyamide (aramid). The specific silicone resin is preferably a polyimide silicone resin from the viewpoint of heat resistance, mechanical properties, and solvent resistance.

光波長変換組成物中に上記特定のシリコーン樹脂が含まれているか否かは、(1)赤外分光分析(IR)、(2)ガスクロマトグラフィー分析(GCMS)、(3)ゲル浸透クロマトグラフィー分析(GPC)、核磁気共鳴分光分析(NMR分光分析)を複合的に用いることによって確認することができる。具体的には、赤外分光分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物を大まかに特定でき、ガスクロマトグラフィー分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物の分子量を特定でき、ゲル浸透クロマトグラフィー分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物を分離でき、核磁気共鳴分光分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物の構造式を特定できるので、これらを複合的に用いることで光波長変換組成物中に上記特定のシリコーン樹脂が含まれているか確認することができる。 Whether or not the specific silicone resin is contained in the optical wavelength conversion composition is determined by (1) infrared spectroscopic analysis (IR), (2) gas chromatography analysis (GCMS), and (3) gel permeation chromatography. It can be confirmed by using analysis (GPC) and nuclear magnetic resonance spectroscopy (NMR spectroscopy) in combination. Specifically, in infrared spectroscopic analysis, the compound contained in the light wavelength conversion composition can be roughly specified, and in gas chromatography analysis, the molecular weight of the compound contained in the light wavelength conversion composition can be specified, and the gel can be specified. In permeation chromatography analysis, the compounds contained in the light wavelength conversion composition can be separated, and in nuclear magnetic resonance spectroscopy, the structural formulas of the compounds contained in the light wavelength conversion composition can be specified. By using it, it can be confirmed whether or not the above-mentioned specific silicone resin is contained in the optical wavelength conversion composition.

上記特定のシリコーン樹脂は、光波長変換部材を得る点から、熱硬化性基を有することが好ましい。熱硬化性基としては、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、水酸基等が一般的であるが、ポリイミドの製造工程を考慮すると、アミノ基と容易に反応しない点でカルボキシル基、またはフェノール基が好ましい。 The specific silicone resin preferably has a thermosetting group from the viewpoint of obtaining a light wavelength conversion member. As the thermosetting group, a carboxyl group, an amino group, an epoxy group, a hydroxyl group and the like are generally used, but a carboxyl group or a phenol group is preferable because it does not easily react with the amino group in consideration of the polyimide manufacturing process. ..

<ポリイミドシリコーン樹脂>
ポリイミドシリコーン樹脂は、ポリイミド構造(部位)とシリコーン構造(部位)を有するものである。ポリイミド構造とシリコーン構造の割合は、特に限定されるものではないが、質量比で5:95~80:20が好ましく、10:90~60:40がより好ましい。
<Polyimide silicone resin>
The polyimide silicone resin has a polyimide structure (site) and a silicone structure (site). The ratio of the polyimide structure to the silicone structure is not particularly limited, but the mass ratio is preferably 5:95 to 80:20, more preferably 10:90 to 60:40.

ポリイミドシリコーン樹脂の重量平均分子量は、800以上300000以下であることが好ましい。ポリイミドシリコーン樹脂の重量平均分子量が800以上であれば、柔軟性に優れ、また、300000以下であれば、タック感がなくなるので、埃が付着しにくい。本明細書において、「重量平均分子量」は、テトラヒドロフラン(THF)等の溶媒に溶解して、従来公知のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法によるポリスチレン換算により得られる値である。ポリイミドシリコーン樹脂の重量平均分子量の下限は3000以上であることがより好ましく、上限は200000以下であることがより好ましい。 The weight average molecular weight of the polyimide silicone resin is preferably 800 or more and 300,000 or less. If the weight average molecular weight of the polyimide silicone resin is 800 or more, the flexibility is excellent, and if it is 300,000 or less, the tack feeling is lost, so that dust is less likely to adhere. In the present specification, the "weight average molecular weight" is a value obtained by dissolving in a solvent such as tetrahydrofuran (THF) and converting into polystyrene by a conventionally known gel permeation chromatography (GPC) method. The lower limit of the weight average molecular weight of the polyimide silicone resin is more preferably 3000 or more, and the upper limit is more preferably 200,000 or less.

ポリイミドシリコーン樹脂は、例えば、テトラカルボン酸とシロキサン結合を有するジアミンとを反応させることによって得ることができる。ポリイミドシリコーン樹脂は、溶媒存在下でテトラカルボン酸とジアミンとをほぼ等モル数で使用し、高温のみで重合させる一段重合法によって製造でき、また、まず低温でアミック酸を合成し、その後に高温でイミド化する二段重合法でも製造できる。ポリイミドシリコーン樹脂の分子量やポリイミド構造とシリコーン構造との比率などは上記原料であるテトラカルボン酸とジアミンとの種類や反応条件を制御することで適宜調整可能することができる。 The polyimide silicone resin can be obtained, for example, by reacting a tetracarboxylic acid with a diamine having a siloxane bond. The polyimide silicone resin can be produced by a one-step polymerization method in which tetracarboxylic acid and diamine are used in almost equal numbers of moles in the presence of a solvent and polymerized only at a high temperature. In addition, an amic acid is first synthesized at a low temperature and then at a high temperature. It can also be produced by a two-step polymerization method that is imidized with. The molecular weight of the polyimide silicone resin, the ratio of the polyimide structure to the silicone structure, and the like can be appropriately adjusted by controlling the types and reaction conditions of the tetracarboxylic acid and the diamine, which are the raw materials.

ポリイミドシリコーン樹脂の市販品としては、例えば、SCR-1012、SCR-1016(いずれも信越化学工業社製)が挙げられる。 Examples of commercially available polyimide silicone resins include SCR-1012 and SCR-1016 (both manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

ポリイミドシリコーン樹脂の硬化の際には、例えば、80℃以上300℃以下、好ましくは100℃以上250℃以下の温度で加熱する。硬化の際に、80℃以上で加熱した場合には、熱硬化に時間がかかり過ぎることもなく、また300℃以下で加熱した場合には、ポリイミドシリコーン樹脂が劣化するおそれもない。 When the polyimide silicone resin is cured, it is heated at a temperature of, for example, 80 ° C. or higher and 300 ° C. or lower, preferably 100 ° C. or higher and 250 ° C. or lower. At the time of curing, when heated at 80 ° C. or higher, the thermosetting does not take too long, and when heated at 300 ° C. or lower, there is no risk of deterioration of the polyimide silicone resin.

<ポリアミドシリコーン樹脂>
ポリアミドシリコーン樹脂は、ポリアミド構造(部位)とシリコーン構造(部位)を有するものである。ポリアミド構造とシリコーン構造の割合は、特に限定されるものではないが、質量比で5:95~80:20が好ましく、10:90~60:40がより好ましい。
<Polyamide silicone resin>
The polyamide silicone resin has a polyamide structure (site) and a silicone structure (site). The ratio of the polyamide structure to the silicone structure is not particularly limited, but the mass ratio is preferably 5:95 to 80:20, more preferably 10:90 to 60:40.

ポリアミドシリコーン樹脂の重量平均分子量は、800以上300000以下であることが好ましい。ポリアミドシリコーン樹脂の重量平均分子量が800以上であれば、柔軟性に優れ、また300000以下であれば、タック感がなくなるので、埃が付着しにくい。 The weight average molecular weight of the polyamide silicone resin is preferably 800 or more and 300,000 or less. If the weight average molecular weight of the polyamide silicone resin is 800 or more, the flexibility is excellent, and if it is 300,000 or less, the tack feeling is lost, so that dust is less likely to adhere.

ポリアミドシリコーン樹脂は、例えば、脂肪族若しくは芳香族ジカルボン酸またはその反応性誘導体と、両末端アミノ基変性ジオルガノポリシロキサン、または脂肪族又は芳香族ジアミンとの重縮合により得ることができる。ポリアミドシリコーン樹脂の分子量やポリアミド構造とシリコーン構造との比率などは上記原料であるジカルボン酸とジアミンとの種類や反応条件を制御することで適宜調整可能することができる。 The polyamide silicone resin can be obtained, for example, by polycondensation of an aliphatic or aromatic dicarboxylic acid or a reactive derivative thereof with a bi-terminal amino group-modified diorganopolysiloxane, or an aliphatic or aromatic diamine. The molecular weight of the polyamide silicone resin and the ratio of the polyamide structure to the silicone structure can be appropriately adjusted by controlling the types and reaction conditions of the above-mentioned raw materials, dicarboxylic acid and diamine.

<ポリアミドイミドシリコーン樹脂>
ポリアミドイミドシリコーン樹脂は、ポリアミド構造(部位)と、ポリイミド構造(部位)と、シリコーン構造(部位)とを有するものである。
<Polyamide-imide silicone resin>
The polyamide-imide silicone resin has a polyamide structure (site), a polyimide structure (site), and a silicone structure (site).

ポリアミドイミドシリコーン樹脂の重量平均分子量は、800以上300000以下であることが好ましい。ポリアミドシリコーン樹脂の重量平均分子量が800以上であれば、柔軟性に優れ、また300000以下であれば、タック感がなくなるので、埃が付着しにくい。 The weight average molecular weight of the polyamide-imide silicone resin is preferably 800 or more and 300,000 or less. If the weight average molecular weight of the polyamide silicone resin is 800 or more, the flexibility is excellent, and if it is 300,000 or less, the tack feeling is lost, so that dust is less likely to adhere.

ポリアミドイミドシリコーン樹脂は、例えば、ポリアミドイミド樹脂と多官能シリコーン化合物とを共重合することによって、またはポリアミドイミド樹脂をシリコーン変性することによって得ることができる。また、ポリアミドイミドシリコーン樹脂は、芳香族トリカルボン酸またはその反応性酸誘導体と、芳香族ジアミンと、ジアミノシロキサンとの重縮合することによっても得ることができる。 The polyamide-imide silicone resin can be obtained, for example, by copolymerizing the polyamide-imide resin with a polyfunctional silicone compound, or by modifying the polyamide-imide resin with silicone. The polyamide-imide silicone resin can also be obtained by polycondensing an aromatic tricarboxylic acid or a reactive acid derivative thereof with an aromatic diamine and a diaminosiloxane.

<<溶剤>>
溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコ-ル類;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、トルエン、シクロヘキサン等が挙げられる。
<< Solvent >>
The solvent is not particularly limited, and examples thereof include alcohols such as methanol, ethanol, propanol and isopropyl alcohol; ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, toluene and cyclohexane.

<<光散乱性粒子>>
光散乱性粒子は、光波長変換組成物や光波長変換部材に進入した光を散乱させることによって光の進行方向を変化させる作用を有する粒子である。
<< Light-scattering particles >>
The light scattering particles are particles having an action of changing the traveling direction of light by scattering the light that has entered the light wavelength conversion composition or the light wavelength conversion member.

光散乱性粒子の平均粒子径は、量子ドットの平均粒子径の20倍以上2000倍以下であることが好ましく、50倍以上1000倍以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の20倍未満であると、光波長変換部材において充分な光散乱性能が得られないことがあり、光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の2000倍を超えると、添加量が同じであっても光散乱性粒子の数が少なくなるため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られないおそれがある。なお、光散乱性粒子の平均粒子径は、上述した量子ドットの平均粒子径と同様の方法で測定することができる。 The average particle size of the light-scattering particles is preferably 20 times or more and 2000 times or less, and more preferably 50 times or more and 1000 times or less the average particle size of the quantum dots. If the average particle size of the light-scattering particles is less than 20 times the average particle size of the quantum dots, sufficient light-scattering performance may not be obtained in the light wavelength conversion member, and the average particle size of the light-scattering particles becomes high. If it exceeds 2000 times the average particle size of the quantum dots, the number of light-scattering particles will decrease even if the amount added is the same, so the number of scattering points may decrease and a sufficient light-scattering effect may not be obtained. .. The average particle size of the light-scattering particles can be measured by the same method as the above-mentioned average particle size of the quantum dots.

また、光散乱性粒子の平均粒子径は、後述する光波長変換部材の平均膜厚の1/300以上1/20以下であることが好ましく、1/200以上1/30以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が光波長変換部材の平均膜厚の1/300未満であると、光波長変換部材において充分な光散乱性能が得られないことがあり、光散乱性粒子の平均粒子径が光波長変換部材の平均膜厚の1/20を超えると、添加量が同じであっても光波長変換部材に対する光散乱性粒子の割合が低下するため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られない。 Further, the average particle diameter of the light-scattering particles is preferably 1/300 or more and 1/20 or less, and more preferably 1/200 or more and 1/30 or less of the average film thickness of the light wavelength conversion member described later. preferable. If the average particle size of the light-scattering particles is less than 1/300 of the average film thickness of the light-scattering member, sufficient light-scattering performance may not be obtained in the light-scattering member, and the average of the light-scattering particles. If the particle size exceeds 1/20 of the average film thickness of the light wavelength conversion member, the ratio of light scattering particles to the light wavelength conversion member decreases even if the amount added is the same, so that the number of scattering points is sufficiently reduced. No light scattering effect can be obtained.

具体的には、光散乱性粒子の平均粒子径は、例えば、0.1μm以上10μm以下であることが好ましく、0.3μm以上5μm以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が0.1μm未満であると、光波長変換シートの光波長変換効率が不充分となることがあり、充分な光散乱性を出すためには光散乱性粒子の添加量を多くする必要がある。一方、光散乱性粒子の平均粒子径が10μmを超えると、添加量(質量%)が同じであっても光散乱粒子の数が少なくなるため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られない。 Specifically, the average particle size of the light-scattering particles is, for example, preferably 0.1 μm or more and 10 μm or less, and more preferably 0.3 μm or more and 5 μm or less. If the average particle size of the light scattering particles is less than 0.1 μm, the light wavelength conversion efficiency of the light wavelength conversion sheet may be insufficient, and in order to obtain sufficient light scattering properties, the light scattering particles may have insufficient light scattering properties. It is necessary to increase the amount added. On the other hand, when the average particle size of the light-scattering particles exceeds 10 μm, the number of light-scattering particles is reduced even if the addition amount (% by mass) is the same, so that the number of scattering points is reduced and a sufficient light-scattering effect is obtained. I can't get it.

光散乱性粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状(真球状、略真球状、楕円球状等)、多面体状、棒状(円柱状、角柱状等)、平板状、りん片状、不定形状等が挙げられる。なお、光散乱性粒子の粒子径は、光散乱性粒子の形状が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。 The shape of the light-scattering particles is not particularly limited, and for example, spherical (true spherical, substantially true spherical, elliptical spherical, etc.), polyhedral, rod-shaped (cylindrical, prismatic, etc.), flat plate, flaky, and indefinite shape. And so on. When the shape of the light-scattering particles is not spherical, the particle diameter of the light-scattering particles can be a true spherical value having the same volume.

光散乱性粒子は、アクリル樹脂粒子、スチレン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、およびウレタン樹脂粒子等の有機粒子であってもよいが、通電耐熱試験時の前後における輝度変化率を小さくことができ、また光波長変換シートへの入射光を好適に散乱させることが可能となり、この入射光に対する光波長変換効率の向上を好適に図ることできることから、無機粒子が好ましい。 The light-scattering particles may be organic particles such as acrylic resin particles, styrene resin particles, melamine resin particles, and urethane resin particles, but the rate of change in brightness before and after the energization heat resistance test can be reduced, and the rate of change in brightness can be reduced. Inorganic particles are preferable because the incident light on the light wavelength conversion sheet can be suitably scattered and the light wavelength conversion efficiency with respect to the incident light can be preferably improved.

無機粒子は、Al等のアルミニウム含有化合物、ZrO等のジルコニウム含有化合物、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)や酸化インジウムスズ(ITO)等のスズ含有化合物、MgOやMgF等のマグネシウム含有化合物、TiOやBaTiO等のチタン含有化合物、Sb等のアンチモン含有化合物、SiO等のケイ素含有化合物、およびZnO等の亜鉛含有化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、バインダ樹脂との屈折率差を大きくすることができるので、大きなミー散乱強度を得ることができる観点からも好ましい。発光装置10による入射光に対する光波長変換効率の向上をより好適に図ることができることから、光散乱性粒子は、2種以上の材料からなるものであってもよい。 The inorganic particles include an aluminum-containing compound such as Al 2 O 3 , a zirconium-containing compound such as ZrO 2 , a tin-containing compound such as antimony-doped tin oxide (ATO) and indium tin oxide (ITO), and magnesium such as MgO and MgF 2 . At least one compound selected from the group consisting of compounds, titanium-containing compounds such as TiO 2 and BaTiO 3 , antimony-containing compounds such as Sb 2 O 5 , silicon-containing compounds such as SiO 2 , and zinc-containing compounds such as ZnO. Particles can be mentioned. Since these inorganic particles can increase the difference in refractive index from the binder resin, they are also preferable from the viewpoint of obtaining a large Mie scattering intensity. Since the light wavelength conversion efficiency with respect to the incident light by the light emitting device 10 can be more preferably improved, the light scattering particles may be made of two or more kinds of materials.

光波長変換組成物の全固形分質量に対する光散乱性粒子の含有量は、1質量%以上50質量%以下であることが好ましく、3質量%以上30質量%以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の含有量が1質量%未満であると、光散乱効果が充分に得られないおそれがあり、また、光散乱性粒子の含有量が50質量%を超えると、ミー散乱が起こり難くなるので、光散乱効果を充分に得られないおそれがあり、さらに光散乱性粒子が多すぎるために加工性が低下するおそれがある。 The content of the light-scattering particles with respect to the total solid content mass of the light wavelength conversion composition is preferably 1% by mass or more and 50% by mass or less, and more preferably 3% by mass or more and 30% by mass or less. If the content of the light scattering particles is less than 1% by mass, the light scattering effect may not be sufficiently obtained, and if the content of the light scattering particles exceeds 50% by mass, me scattering occurs. Since it becomes difficult, there is a possibility that the light scattering effect cannot be sufficiently obtained, and further, there is a possibility that the processability is deteriorated because there are too many light scattering particles.

<<蛍光体>>
蛍光体は、所望の色味の光を得るために、適宜選択して用いられる。蛍光体としては、一般的に知られている蛍光体を用いることができる。
<< Fluorescent material >>
The phosphor is appropriately selected and used in order to obtain light having a desired color. As the fluorescent substance, a generally known fluorescent substance can be used.

<<<光波長変換部材>>>
光波長変換部材は、上記光波長変換組成物の硬化物からなる部材である。光波長変換部材は、光波長変換部材が組み込まれる箇所等によって、適宜、形状を変えることができる。光波長変換部材は、硬化性の特定のシリコーン樹脂、すなわち熱硬化性基を有する特定のシリコーン樹脂を用いることによって得ることができる。
<<< Optical wavelength conversion member >>>
The light wavelength conversion member is a member made of a cured product of the light wavelength conversion composition. The shape of the optical wavelength conversion member can be appropriately changed depending on the location or the like in which the optical wavelength conversion member is incorporated. The optical wavelength conversion member can be obtained by using a specific curable silicone resin, that is, a specific silicone resin having a thermosetting group.

<<<発光装置>>>
図1に示される発光装置10は、発光素子パッケージであり、凹部11Aを有するパッケージ本体11と、パッケージ本体11の凹部11A内に配置された発光素子12と、発光素子12からの光を受ける光波長変換部材13と、電極層14と、ワイヤ15とを備えている。なお、発光装置10は、発光素子12および光波長変換部材13を備えていればよく、他の部材は備えていなくともよい。また、発光装置10は、表示実装型の発光装置となっているが、例えば、砲弾型の発光装置であってもよい。発光装置は、1以上の発光素子を備えていればよく、複数の発光素子を備えていてもよい。
<<< Light emitting device >>
The light emitting device 10 shown in FIG. 1 is a light emitting element package, and receives light from a package main body 11 having a recess 11A, a light emitting element 12 arranged in the recess 11A of the package main body 11, and a light emitting element 12. It includes a wavelength conversion member 13, an electrode layer 14, and a wire 15. The light emitting device 10 may include a light emitting element 12 and a light wavelength conversion member 13, and may not include other members. Further, although the light emitting device 10 is a display-mounted light emitting device, it may be, for example, a cannonball type light emitting device. The light emitting device may be provided with one or more light emitting elements, and may be provided with a plurality of light emitting elements.

<<パッケージ本体>>
パッケージ本体11は、基板11Bと、基板11Bの発光素子12側の面側に配置され、かつ発光素子12を取り囲むように配置された反射部材11Cとを備えている。反射部材11Cは、主として波長380nm以上780nm以下の可視光波長域の光に対して高い反射性を有するものである。反射部材11Cは、発光素子12からの光を反射し、所定の方向へ導くための反射面を持つ部材であれば、特に限定されないが、発泡タイプの白色ポリエステル、白色ポリエチレン樹脂、銀蒸着ポリエステル等から形成することが可能である。
<< Package body >>
The package main body 11 includes a substrate 11B and a reflective member 11C arranged on the surface side of the substrate 11B on the light emitting element 12 side and arranged so as to surround the light emitting element 12. The reflective member 11C has high reflectivity mainly for light in the visible light wavelength range having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less. The reflective member 11C is not particularly limited as long as it is a member having a reflective surface for reflecting light from the light emitting element 12 and guiding it in a predetermined direction, but is not particularly limited, but is a foam type white polyester, a white polyethylene resin, a silver-deposited polyester, or the like. It is possible to form from.

<<発光素子>>
発光素子12としては、例えば、発光ダイオード素子(LED素子)やレーザーダイオード素子(LD素子)等が挙げられる。発光素子は、単一の波長域の光を放出する発光素子を用いることができる。例えば、発光素子12とし、色純度の高い青色光を発する青色発光ダイオード(青色LED)を用いることができる。発光素子12は、ワイヤ15を介して電極層14と電気的に接続されている。
<< Light emitting element >>
Examples of the light emitting element 12 include a light emitting diode element (LED element), a laser diode element (LD element), and the like. As the light emitting element, a light emitting element that emits light in a single wavelength range can be used. For example, as the light emitting element 12, a blue light emitting diode (blue LED) that emits blue light having high color purity can be used. The light emitting element 12 is electrically connected to the electrode layer 14 via the wire 15.

<<光波長変換部材>>
光波長変換部材13は、上記光波長変換組成物の硬化物である。したがって、光波長変換部材13は、量子ドット18と、上記特定のシリコーン樹脂の硬化物からなるバインダ樹脂19とを含んでいる。図1に示される量子ドット18は、第1の量子ドット18Aと、第1の量子ドット18Aとは異なる波長域の発光帯を有する第2の量子ドット18Bとを含んでいる。例えば、発光素子12として青色発光ダイオードを用いた場合には、色域を広げる観点から、第1の量子ドット18Aとして、青色光を緑色光に変換する量子ドットを用い、第2の量子ドット18Bとして、青色光を赤色光に変換する量子ドットを用いることが好ましい。量子ドット18や上記特定のシリコーン樹脂は、光波長変換組成物の欄で説明した量子ドットや特定のシリコーン樹脂と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。
<< Optical wavelength conversion member >>
The light wavelength conversion member 13 is a cured product of the light wavelength conversion composition. Therefore, the light wavelength conversion member 13 includes the quantum dots 18 and the binder resin 19 made of the cured product of the specific silicone resin. The quantum dot 18 shown in FIG. 1 includes a first quantum dot 18A and a second quantum dot 18B having an emission band in a wavelength range different from that of the first quantum dot 18A. For example, when a blue light emitting diode is used as the light emitting element 12, a quantum dot that converts blue light into green light is used as the first quantum dot 18A from the viewpoint of widening the color range, and the second quantum dot 18B is used. It is preferable to use quantum dots that convert blue light into red light. Since the quantum dots 18 and the specific silicone resin are the same as the quantum dots and the specific silicone resin described in the section of the optical wavelength conversion composition, the description thereof will be omitted here.

光波長変換部材13は、凹部11Aに充填され、発光素子12を覆うことによって発光素子12を封止している。すなわち、光波長変換部材13は、発光素子12を封止する封止部材としても機能している。 The light wavelength conversion member 13 is filled in the recess 11A and covers the light emitting element 12 to seal the light emitting element 12. That is, the light wavelength conversion member 13 also functions as a sealing member for sealing the light emitting element 12.

光波長変換部材13の厚みは、0.1mm以上10mm以下であることが好ましい。光波長変換部材13の厚みが、0.1mm以上であれば、発光素子12からの光の波長変換を確実に行うことができるとともに、発光素子12を確実に封止することができる。光波長変換部材13の厚みは、光波長変換部材13を切断した断面を測長機能のついたマクロスコープ等の光学顕微鏡にて撮影し、その断面の画像において光波長変換部材13の厚みを20箇所測定し、その20箇所の膜厚の平均値とする。 The thickness of the light wavelength conversion member 13 is preferably 0.1 mm or more and 10 mm or less. When the thickness of the light wavelength conversion member 13 is 0.1 mm or more, the wavelength conversion of the light from the light emitting element 12 can be reliably performed, and the light emitting element 12 can be reliably sealed. The thickness of the light wavelength conversion member 13 is such that the cross section of the light wavelength conversion member 13 is photographed with an optical microscope such as a macroscope having a length measuring function, and the thickness of the light wavelength conversion member 13 is 20 in the image of the cross section. Measure the points and use the average value of the film thickness at the 20 points.

光波長変換部材13は、発光素子12を覆っているので、発光素子12と接しているが、発光装置において発光素子からの光を受ける位置であれば、発光素子と接していなくともよい。また、図1に示される光波長変換部材13の出光側の表面13Aは、平坦面となっているが、後述するようなレンズ面であってもよい。 Since the light wavelength conversion member 13 covers the light emitting element 12, it is in contact with the light emitting element 12, but it does not have to be in contact with the light emitting element as long as it is at a position where the light from the light emitting element is received in the light emitting device. Further, although the surface 13A on the light emitting side of the light wavelength conversion member 13 shown in FIG. 1 is a flat surface, it may be a lens surface as described later.

<<<他の発光装置>>>
発光装置は、図2に示されるような発光素子12と、発光素子12からの光を受ける光波長変換部材21と、発光素子12と光波長変換部材21の間に位置する封止部材22とを備える発光装置20であってもよい。発光素子12と光波長変換部材21との間に封止部材22を介在させることにより、発光素子12から光波長変換部材21を離すことができるので、熱による量子ドット18の劣化をより抑制することができる。なお、図2において、図1と同じ符号が付されている部材は、図1で示した部材と同じものであるので、説明を省略するものとする。
<<< Other light emitting device >>>
The light emitting device includes a light emitting element 12 as shown in FIG. 2, a light wavelength conversion member 21 that receives light from the light emitting element 12, and a sealing member 22 located between the light emitting element 12 and the light wavelength conversion member 21. The light emitting device 20 may be provided with. By interposing the sealing member 22 between the light emitting element 12 and the light wavelength conversion member 21, the light wavelength conversion member 21 can be separated from the light emitting element 12, so that deterioration of the quantum dots 18 due to heat is further suppressed. be able to. In FIG. 2, the members having the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same as the members shown in FIG. 1, and therefore the description thereof will be omitted.

発光素子12の表面12Aから光波長変換部材21までの距離は、0.1mm以上10mm以下であることが好ましい。この距離が0.1mm以上であれば、発光素子12から量子ドット18を遠ざけることができるので、発光素子12からの熱による影響は少なくなり、量子ドット18の劣化を抑制できるとともに、10mm以下であれば、発光装置20の薄型化を図ることができる。本明細書における「発光素子の表面から光波長変換部材までの距離」とは、発光素子の表面から光波長変換部材の発光素子側の面までの距離を意味するものとする。 The distance from the surface 12A of the light emitting element 12 to the light wavelength conversion member 21 is preferably 0.1 mm or more and 10 mm or less. When this distance is 0.1 mm or more, the quantum dot 18 can be kept away from the light emitting element 12, so that the influence of heat from the light emitting element 12 is small, deterioration of the quantum dot 18 can be suppressed, and the distance is 10 mm or less. If there is, the light emitting device 20 can be made thinner. As used herein, the "distance from the surface of the light emitting element to the light wavelength conversion member" means the distance from the surface of the light emitting element to the surface of the light wavelength conversion member on the light emitting element side.

<<光波長変換部材>>
光波長変換部材21は、上記光波長変換組成物の硬化物である。光波長変換部材21の出光側の表面21Aは、レンズ面となっている。本明細書における「レンズ面」とは、レンズとして作用する面を意味する。レンズ面としては、集光機能を有するレンズ面および光拡散機能を有するレンズ面のいずれであってもよい。光波長変換部材21の表面21Aを、集光機能を有するレンズ面とすることにより、前面への光取り出し効率を向上させることができる。また、直下型のバックライト装置の場合、輝度ムラを低減させるために、発光装置の光拡散性を向上させることが望まれるが、光波長変換部材21の表面21Aを、光拡散機能を有するレンズ面とすることにより、光拡散性を向上させることができるので、直下型のバックライト装置に特に好適である。
<< Optical wavelength conversion member >>
The light wavelength conversion member 21 is a cured product of the light wavelength conversion composition. The surface 21A on the light emitting side of the light wavelength conversion member 21 is a lens surface. As used herein, the term "lens surface" means a surface that acts as a lens. The lens surface may be either a lens surface having a light collecting function or a lens surface having a light diffusing function. By making the surface 21A of the light wavelength conversion member 21 a lens surface having a light collecting function, it is possible to improve the light extraction efficiency to the front surface. Further, in the case of a direct type backlight device, it is desired to improve the light diffusivity of the light emitting device in order to reduce the uneven brightness, but the surface 21A of the light wavelength conversion member 21 is a lens having a light diffusing function. Since the light diffusivity can be improved by using a surface, it is particularly suitable for a direct type backlight device.

光波長変換部材21の表面21Aは、例えば半球状のような椀状であってもよい。この場合、光波長変換部材21は、マイクロレンズ等として機能する。 The surface 21A of the light wavelength conversion member 21 may have a bowl shape such as a hemispherical shape. In this case, the light wavelength conversion member 21 functions as a microlens or the like.

<<封止部材>>
封止部材22は、発光素子12の熱が加わるので、耐熱性に優れた樹脂から構成されることが好ましい。このような樹脂としては、特に限定されないが、シリコーン樹脂が好ましい。なお、封止部材22は、上記特定のシリコーン樹脂を用いてもよいが、その他のシリコーン樹脂であってもよい。
<< Sealing member >>
Since the heat of the light emitting element 12 is applied to the sealing member 22, it is preferable that the sealing member 22 is made of a resin having excellent heat resistance. The resin is not particularly limited, but a silicone resin is preferable. The sealing member 22 may use the above-mentioned specific silicone resin, but may be another silicone resin.

封止部材22の厚みは、0.1mm以上10mm以下であることが好ましい。封止部材22の厚みが、0.1mm以上であれば、発光素子12から量子ドット18を遠ざけることができるので、発光素子12からの熱による影響は少なくなり、量子ドット18の劣化をより抑制できるとともに、10mm以下であれば、発光装置20の薄型化を図ることができる。 The thickness of the sealing member 22 is preferably 0.1 mm or more and 10 mm or less. When the thickness of the sealing member 22 is 0.1 mm or more, the quantum dots 18 can be kept away from the light emitting element 12, so that the influence of heat from the light emitting element 12 is reduced and the deterioration of the quantum dots 18 is further suppressed. If it is 10 mm or less, the light emitting device 20 can be made thinner.

発光装置10、20は、光源として、バックライト装置および画像表示装置に組み込んで使用することができる。以下、発光装置10をバックライト装置および画像表示装置に組み込んだ例について説明する。図3は本実施形態に係るバックライト装置を含む画像表示装置の概略構成図であり、図4は図1に示されるレンズシートの斜視図であり、図5は本実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。 The light emitting devices 10 and 20 can be used as a light source by incorporating them into a backlight device and an image display device. Hereinafter, an example in which the light emitting device 10 is incorporated into the backlight device and the image display device will be described. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an image display device including a backlight device according to the present embodiment, FIG. 4 is a perspective view of the lens sheet shown in FIG. 1, and FIG. 5 is another back according to the present embodiment. It is a schematic block diagram of a light device.

<<<画像表示装置>>>
図3に示される画像表示装置30は、バックライト装置40と、バックライト装置40の出光側に配置された表示パネル100とを備えている。画像表示装置30は、画像を表示する表示面30Aを有している。図3に示される画像表示装置30においては、表示パネル100の表面が表示面30Aとなっている。
<<< Image display device >>>
The image display device 30 shown in FIG. 3 includes a backlight device 40 and a display panel 100 arranged on the light emitting side of the backlight device 40. The image display device 30 has a display surface 30A for displaying an image. In the image display device 30 shown in FIG. 3, the surface of the display panel 100 is the display surface 30A.

バックライト装置40は、表示パネル100を背面側から面状に照らすものである。表示パネル120は、バックライト装置40からの光の透過または遮断を画素毎に制御するシャッターとして機能し、表示面30Aに像を表示するように構成されている。 The backlight device 40 illuminates the display panel 100 from the back side in a plane shape. The display panel 120 functions as a shutter that controls the transmission or blocking of light from the backlight device 40 for each pixel, and is configured to display an image on the display surface 30A.

<<表示パネル>>
図3に示される表示パネル100は、液晶表示パネルであり、入光側に配置された偏光板101と、出光側に配置された偏光板102と、偏光板101と偏光板102との間に配置された液晶セル103とを備えている。偏光板101、102は、入射した光を直交する二つの直線偏光成分(S偏光およびP偏光)に分解し、一方の方向(透過軸と平行な方向)に振動する直線偏光成分(例えば、P偏光)を透過させ、前記一方の方向に直交する他方の方向(吸収軸と平行な方向)に振動する直線偏光成分(例えば、S偏光)を吸収する機能を有している。
<< Display panel >>
The display panel 100 shown in FIG. 3 is a liquid crystal display panel, and is between the polarizing plate 101 arranged on the incoming light side, the polarizing plate 102 arranged on the light emitting side, and the polarizing plate 101 and the polarizing plate 102. It is provided with an arranged liquid crystal cell 103. The polarizing plates 101 and 102 decompose the incident light into two orthogonal linearly polarized light components (S-polarized and P-polarized) and vibrate in one direction (direction parallel to the transmission axis) (for example, P). It has a function of transmitting (polarized light) and absorbing a linearly polarized light component (for example, S-polarized light) that vibrates in the other direction (direction parallel to the absorption axis) orthogonal to the one direction.

<<バックライト装置>>
図3に示されるバックライト装置40は、エッジライト型のバックライト装置として構成され、発光装置10と、発光装置10の側方に配置された導光板としての光学板50と、光学板50の出光側に配置されたレンズシート60と、レンズシート60の出光側に配置されたレンズシート65と、レンズシート65の出光側に配置された反射型偏光分離シート70と、光学板50の出光側とは反対側に配置された反射シート80とを備えている。バックライト装置40は、光学板50、レンズシート60、65、反射型偏光分離シート70、反射シート80を備えているが、これらのシート等は備えられていなくともよい。本明細書において、「出光側」とは、各部材においてバックライト装置から出射する方向に向かう光が出射される側を意味する。
<< Backlight device >>
The backlight device 40 shown in FIG. 3 is configured as an edge light type backlight device, and includes a light emitting device 10, an optical plate 50 as a light guide plate arranged on the side of the light emitting device 10, and an optical plate 50. The lens sheet 60 arranged on the light emitting side, the lens sheet 65 arranged on the light emitting side of the lens sheet 60, the reflective polarizing separation sheet 70 arranged on the light emitting side of the lens sheet 65, and the light emitting side of the optical plate 50. It is provided with a reflective sheet 80 arranged on the opposite side of the lens. The backlight device 40 includes an optical plate 50, lens sheets 60 and 65, a reflective polarizing separation sheet 70, and a reflective sheet 80, but these sheets and the like may not be provided. As used herein, the term "light emitting side" means the side of each member where light emitted in the direction emitted from the backlight device is emitted.

バックライト装置40は、面状に光を発光する発光面40Aを有している。図3に示されるバックライト装置40においては、反射型偏光分離シート70の出光面がバックライト装置40の発光面40Aとなっている。 The backlight device 40 has a light emitting surface 40A that emits light in a planar manner. In the backlight device 40 shown in FIG. 3, the light emitting surface of the reflective polarizing separation sheet 70 is the light emitting surface 40A of the backlight device 40.

<発光装置>
発光装置10は、光波長変換部材13の表面13Aが、光学板50の後述する入光面50C側となるように配置されている。なお、発光装置10は、光学板50の後述する入光面50Cに沿って線状に複数設けられている。
<Light emitting device>
The light emitting device 10 is arranged so that the surface 13A of the light wavelength conversion member 13 is on the light input surface 50C side of the optical plate 50, which will be described later. A plurality of light emitting devices 10 are provided linearly along the light entering surface 50C described later of the optical plate 50.

<光学板>
導光板としての光学板50は、平面視形状が四角形形状に形成されている。光学板50は、表示パネル100側の一方の主面によって構成された出光面50Aと、出光面50Aに対向するもう一方の主面からなる裏面50Bと、出光面50Aおよび裏面50Bの間を延びる側面とを有している。側面のうちの発光装置10側の側面が、発光装置10からの光を受ける入光面50Cとなっている。入光面50Cから光学板50内に入射した光は、入光面50Cと、入光面50Cと対向する反対面とを結ぶ方向(導光方向)に光学板内を導光され、出光面50Aから出射される。
<Optical plate>
The optical plate 50 as a light guide plate has a rectangular shape in a plan view. The optical plate 50 extends between the light emitting surface 50A formed by one main surface on the display panel 100 side, the back surface 50B composed of the other main surface facing the light emitting surface 50A, and the light emitting surface 50A and the back surface 50B. Has sides. The side surface of the side surface on the light emitting device 10 side is an incoming light receiving surface 50C that receives light from the light emitting device 10. The light incident on the optical plate 50 from the light entry surface 50C is guided in the optical plate in the direction connecting the light entry surface 50C and the opposite surface facing the light entry surface 50C (light guide direction), and is guided through the optical plate. Emitted from 50A.

光学板50を構成する材料としては、画像表示装置に組み込まれる光学シート用の材料として広く使用され、優れた機械的特性、光学特性、安定性および加工性等を有するとともに安価に入手可能な材料、例えば、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル等の一以上を主成分とする透明樹脂や、エポキシアクリレートやウレタンアクリレート系の反応性樹脂(電離放射線硬化型樹脂等)が好適に使用され得る。なお、必要に応じて、光学板50中に光を拡散させる機能を有する光拡散材を添加することもできる。光拡散材としては、例えば、平均粒子径が0.5μm以上100μm以下のシリカ(二酸化珪素)、アルミナ(酸化アルミニウム)、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂等の透明物質からなる粒子を用いることができる。 As a material constituting the optical plate 50, it is widely used as a material for an optical sheet incorporated in an image display device, and has excellent mechanical properties, optical properties, stability, processability, etc., and is inexpensively available. For example, a transparent resin containing one or more of acrylic resin, polystyrene, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyacrylonitrile, etc. as a main component, and epoxy acrylate or urethane acrylate-based reactive resin (ionized radiation curable resin, etc.) are preferably used. Can be done. If necessary, a light diffusing material having a function of diffusing light can be added to the optical plate 50. As the light diffusing material, for example, particles made of a transparent substance such as silica (silicon dioxide), alumina (aluminum oxide), acrylic resin, polycarbonate resin, and silicone resin having an average particle diameter of 0.5 μm or more and 100 μm or less can be used. can.

<<レンズシート>>
レンズシート60、65は、入射した光の進行方向を変化させて出光側から出射させる機能を有する。本実施形態においては、入射角度が大きい光の進行方向を変化させて出光側から出射させて、正面方向の輝度を集中的に向上させる機能(集光機能)とともに、入射角度が小さい光を反射させて、光学板50側に戻す機能(再帰反射機能)を有している。レンズシート60、65は、光透過性基材61と、光透過性基材61の一方の面に設けられたレンズ層62とを備えている。
<< Lens sheet >>
The lens sheets 60 and 65 have a function of changing the traveling direction of the incident light and emitting the incident light from the light emitting side. In the present embodiment, the light with a small incident angle is reflected together with the function (condensing function) of changing the traveling direction of the light having a large incident angle and emitting it from the light emitting side to intensively improve the brightness in the front direction. It has a function of returning to the optical plate 50 side (retroreflection function). The lens sheets 60 and 65 include a light-transmitting base material 61 and a lens layer 62 provided on one surface of the light-transmitting base material 61.

<光透過性基材>
光透過性基材61の構成原料としては、例えば、ポリエステル(例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート)、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、又は、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
<Light transmissive base material>
Examples of the constituent raw materials of the light-transmitting base material 61 include polyester (for example, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate), cellulose triacetate, cellulose diacetate, cellulose acetate butyrate, polyamide, polyimide, polyethersulfone, polysulfone, and polypropylene. , Polymethylpentene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetal, polyether ketone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, or thermoplastic resins such as polyurethane.

<レンズ層>
レンズ層62は、図4に示されるように、シート状の本体部63、および本体部63の出光側に並べて配置された複数の単位レンズ64を備えている。
<Lens layer>
As shown in FIG. 4, the lens layer 62 includes a sheet-shaped main body portion 63 and a plurality of unit lenses 64 arranged side by side on the light emitting side of the main body portion 63.

単位レンズ64は、本体部63の出光側面63A上に並べて配列されている。図4に示されるように単位レンズ64は、単位レンズ64の配列方向ADと交差する方向に線状、とりわけ本実施の形態においては直線状に、延びている。また本実施の形態において、一つのレンズシート60、65に含まれる多数の単位レンズ64は、互いに平行に延びている。また、レンズシート60、65の単位レンズ64の長手方向LDは、レンズシート60、65における単位レンズ64の配列方向ADと直交している。 The unit lenses 64 are arranged side by side on the light emitting side surface 63A of the main body portion 63. As shown in FIG. 4, the unit lens 64 extends linearly in a direction intersecting the arrangement direction AD of the unit lens 64, particularly linearly in the present embodiment. Further, in the present embodiment, a large number of unit lenses 64 included in one lens sheet 60, 65 extend in parallel with each other. Further, the longitudinal LD of the unit lens 64 of the lens sheets 60 and 65 is orthogonal to the arrangement direction AD of the unit lens 64 of the lens sheets 60 and 65.

単位レンズ64は、三角柱状であってもよいし、波状や例えば半球状のような椀状であってもよい。具体的には、単位レンズとしては、単位プリズム、単位シリンドリカルレンズ、単位マイクロレンズ等が挙げられる。なお、そのような単位レンズ形状を有するレンズシートとしては、プリズムシート、レンチキュラーレンズシート、マイクロレンズシート等が挙げられる。単位レンズ64は、出光側に向けて幅が狭くなる三角柱状の単位プリズムとなっている。 The unit lens 64 may have a triangular columnar shape, or may have a wavy shape or a bowl shape such as a hemispherical shape. Specifically, examples of the unit lens include a unit prism, a unit cylindrical lens, a unit microlens and the like. Examples of the lens sheet having such a unit lens shape include a prism sheet, a lenticular lens sheet, and a micro lens sheet. The unit lens 64 is a triangular columnar unit prism whose width narrows toward the light emitting side.

単位レンズ64は、光の利用効率を向上させる観点から、80°以上100°以下の頂角を有することが好ましく、約90°の頂角を有することがより好ましい。ただし、光波長変換シートの巻き取りの際における単位レンズの先端の破損を考慮すると、単位レンズ64の先端は曲面であってもよい。 From the viewpoint of improving the efficiency of light utilization, the unit lens 64 preferably has an apex angle of 80 ° or more and 100 ° or less, and more preferably about 90 °. However, considering the damage to the tip of the unit lens when winding the optical wavelength conversion sheet, the tip of the unit lens 64 may be a curved surface.

図3から理解され得るように、レンズシート60の単位レンズ64の配列方向とレンズシート65の単位レンズ64の配列方向とは交差、さらに限定的には直交している。 As can be understood from FIG. 3, the arrangement direction of the unit lens 64 of the lens sheet 60 and the arrangement direction of the unit lens 64 of the lens sheet 65 intersect, and more specifically, are orthogonal to each other.

<反射型偏光分離シート>
反射型偏光分離シート70は、レンズシート65から出射される光のうち、第1の直線偏光成分(例えば、P偏光)のみを透過し、かつ第1の直線偏光成分と直交する第2の直線偏光成分(例えば、S偏光)を吸収せずに反射する機能を有する。反射型偏光分離シート70で反射された第2の直線偏光成分は再度反射され、偏光が解消された状態(第1の直線偏光成分と第2の直線偏光成分とを両方含んだ状態)で、再度、反射型偏光分離シート70に入射する。よって、反射型偏光分離シート70は再度入射する光のうち第1の直線偏光成分を透過し、第1の直線偏光成分と直交する第2の直線偏光成分は再度反射される。以下、同上の過程を繰り返す事により、レンズシート65から出光した光の70~80%程度が第1の直線偏光成分となった光源光として出光される。したがって、反射型偏光分離シート70の第1の直線偏光成分(透過軸成分)の偏光方向と表示パネル100の偏光板101の透過軸方向とを一致させることにより、バックライト装置40からの出射光は全て表示パネル100で画像形成に利用可能となる。したがって、発光装置10から投入される光エネルギーが同じであっても、反射型偏光分離シート70を未配置の場合に比べて、より高輝度の画像形成が可能となり、また発光装置10のエネルギー利用効率も向上する。
<Reflective polarization separation sheet>
The reflective polarization separation sheet 70 transmits only the first linear polarization component (for example, P-polarization) among the light emitted from the lens sheet 65, and is a second straight line orthogonal to the first linear polarization component. It has a function of reflecting a polarizing component (for example, S-polarized light) without absorbing it. The second linear polarization component reflected by the reflective polarization separation sheet 70 is reflected again, and the polarization is eliminated (a state in which both the first linear polarization component and the second linear polarization component are included). It is incident on the reflective polarizing separation sheet 70 again. Therefore, the reflective polarization separation sheet 70 transmits the first linear polarization component of the light incident again, and the second linear polarization component orthogonal to the first linear polarization component is reflected again. Hereinafter, by repeating the same process, about 70 to 80% of the light emitted from the lens sheet 65 is emitted as the light source light as the first linearly polarized light component. Therefore, by matching the polarization direction of the first linear polarization component (transmission axis component) of the reflective polarization separation sheet 70 with the transmission axis direction of the polarizing plate 101 of the display panel 100, the light emitted from the backlight device 40 Can all be used for image formation on the display panel 100. Therefore, even if the light energy input from the light emitting device 10 is the same, it is possible to form a brighter image as compared with the case where the reflective polarizing separation sheet 70 is not arranged, and the energy of the light emitting device 10 is used. Efficiency is also improved.

反射型偏光分離シート70としては、3M社から入手可能な「DBEF」(登録商標)を用いることができる。また、「DBEF」以外にも、Shinwha Intertek社から入手可能な高輝度偏光シート「WRPS」やワイヤーグリッド偏光子等を、反射型偏光分離シート70として用いることができる。 As the reflective polarization separation sheet 70, "DBEF" (registered trademark) available from 3M can be used. In addition to the "DBEF", a high-intensity polarizing sheet "WRPS" available from Shinwha Intertek, a wire grid polarizing element, or the like can be used as the reflective polarizing separation sheet 70.

<反射シート>
反射シート80は、光学板50の裏面50Bから漏れ出した光を反射して、再び光学板50内に入射させる機能を有する。反射シート80は、白色の散乱反射シート、金属等の高い反射率を有する材料からなるシート、高い反射率を有する材料からなる薄膜(例えば金属薄膜)を表面層として含んだシート等から、構成され得る。反射シート80での反射は、正反射(鏡面反射)でもよく、拡散反射でもよい。反射シート80での反射が拡散反射の場合には、当該拡散反射は、等方性拡散反射であってもよいし、異方性拡散反射であってもよい。
<Reflective sheet>
The reflective sheet 80 has a function of reflecting the light leaked from the back surface 50B of the optical plate 50 and causing it to enter the optical plate 50 again. The reflective sheet 80 is composed of a white diffuse reflective sheet, a sheet made of a material having a high reflectance such as metal, a sheet containing a thin film made of a material having a high reflectance (for example, a metal thin film) as a surface layer, and the like. obtain. The reflection on the reflective sheet 80 may be normal reflection (specular reflection) or diffuse reflection. When the reflection on the reflective sheet 80 is diffuse reflection, the diffuse reflection may be isotropic diffuse reflection or anisotropic diffuse reflection.

<<他のバックライト装置>>
発光装置10を組み込むバックライト装置は、図5に示されるような直下型のバックライト装置であってもよい。図5に示されるバックライト装置110は、発光装置10と、発光装置10の光を受け、かつ光拡散板として機能する光学板111と、光学板111の出光側に配置されたレンズシート60と、レンズシート65の出光側に配置されたレンズシート65と、レンズシート65の出光側に配置された反射型偏光分離シート70とを備えている。本実施形態においては、発光装置10は、光学板111の側方ではなく、光学板111の直下に配置されている。図5において、図3と同じ符号が付されている部材は、図5で示した部材と同じものであるので、説明を省略するものとする。なお、バックライト装置110においては、反射シート80は備えられていない。
<< Other backlight devices >>
The backlight device incorporating the light emitting device 10 may be a direct type backlight device as shown in FIG. The backlight device 110 shown in FIG. 5 includes a light emitting device 10, an optical plate 111 that receives the light of the light emitting device 10 and functions as a light diffusing plate, and a lens sheet 60 arranged on the light emitting side of the optical plate 111. The lens sheet 65 arranged on the light emitting side of the lens sheet 65 and the reflective polarization separation sheet 70 arranged on the light emitting side of the lens sheet 65 are provided. In the present embodiment, the light emitting device 10 is arranged directly under the optical plate 111, not on the side of the optical plate 111. In FIG. 5, the members having the same reference numerals as those in FIG. 3 are the same as the members shown in FIG. 5, and therefore the description thereof will be omitted. The backlight device 110 is not provided with the reflective sheet 80.

量子ドットが熱によって劣化しやすいのは、以下のことが原因であると考えられる。まず、上記したように、量子ドットの表面には硫黄系化合物やリン系化合物等からなるリガンドが配位しているが、このリガンドは光や熱で脱離しやすい。リガンドが量子ドットから脱離すると、量子ドットに水分や酸素が付着しやすくなるので、量子ドットは、酸化され、劣化してしまう。これにより、量子ドットが熱によって劣化してしまうものと考えられる。これに対し、本実施形態においては、光波長変換組成物が、量子ドットの他に、窒素原子を含むシリコーン樹脂を含んでいるので、量子ドットの近傍に窒素成分を存在させることができ、これにより優れた耐熱性を有する光波長変換組成物を得ることができる。これは、リガンドが量子ドットから脱離した場合であっても、バインダ樹脂中に存在する窒素成分がリガンドの役割を補助するような機能(例えば、リガンドの代わりに量子ドットに結合して、リガンドを代替する機能および酸素を捕捉する機能の少なくともいずれかの機能)を発揮するので、量子ドットの劣化が抑制されるためであると考えられる。 It is considered that the reason why quantum dots are easily deteriorated by heat is as follows. First, as described above, a ligand composed of a sulfur-based compound, a phosphorus-based compound, or the like is coordinated on the surface of the quantum dot, and this ligand is easily desorbed by light or heat. When the ligand is desorbed from the quantum dots, water and oxygen are likely to adhere to the quantum dots, so that the quantum dots are oxidized and deteriorated. As a result, it is considered that the quantum dots are deteriorated by heat. On the other hand, in the present embodiment, since the optical wavelength conversion composition contains a silicone resin containing a nitrogen atom in addition to the quantum dots, a nitrogen component can be present in the vicinity of the quantum dots. Therefore, a light wavelength conversion composition having excellent heat resistance can be obtained. This is a function that the nitrogen component present in the binder resin assists the role of the ligand even when the ligand is desorbed from the quantum dot (for example, it binds to the quantum dot instead of the ligand and the ligand is used. It is considered that this is because the deterioration of the quantum dot is suppressed because it exerts at least one of the function of substituting the function and the function of capturing oxygen).

また、ポリイミド構造、ポリアミド構造、およびポリアミドイミド構造の少なくともいずれかの構造を有するシリコーン樹脂は、窒素原子を有するために、窒素原子が量子ドットに配位し、またこれらの構造を有するシリコーン樹脂は嵩高いので、これらの構造を有しないシリコーン樹脂に比べて、水分や酸素の透過を抑制する機能を有している。すなわち、上記特定のシリコーン樹脂は、バリア性を有している。これにより、窒素原子を含むシリコーン樹脂として、上記特定のシリコーン樹脂を用いた場合には、水分や酸素の透過を抑制できるので、量子ドットの劣化をより抑制することができる。 Further, since the silicone resin having at least one of the polyimide structure, the polyamide structure, and the polyamide-imide structure has a nitrogen atom, the nitrogen atom is coordinated to the quantum dot, and the silicone resin having these structures is Since it is bulky, it has a function of suppressing the permeation of water and oxygen as compared with a silicone resin having no of these structures. That is, the specific silicone resin has a barrier property. As a result, when the above-mentioned specific silicone resin is used as the silicone resin containing a nitrogen atom, the permeation of water and oxygen can be suppressed, so that the deterioration of the quantum dots can be further suppressed.

上記実施形態においては、光波長変換部材13を発光装置10に組み込んでいるが、発光装置からの光を受ける位置であれば、光波長変換部材の配置位置は特に限定されない。例えば、層状の光波長変換部材を備える光波長変換シートを、光学板よりも観察者側の位置に組み込んでもよい。 In the above embodiment, the light wavelength conversion member 13 is incorporated in the light emitting device 10, but the position of the light wavelength conversion member is not particularly limited as long as it is a position to receive the light from the light emitting device. For example, an optical wavelength conversion sheet provided with a layered optical wavelength conversion member may be incorporated at a position closer to the observer than the optical plate.

本発明を詳細に説明するために、以下に実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの記載に限定されない。 In order to explain the present invention in detail, examples will be given below, but the present invention is not limited to these descriptions.

<光波長変換組成物の調製>
まず、下記に示す組成となるように各成分を配合して、光波長変換組成物を得た。
<実施例1>
(光波長変換組成物1)
・ポリイミドシリコーン樹脂(製品名「SCR-1012」、信越化学工業社製):100質量部
・緑色発光量子ドット(製品名「CdSe/ZnS 530」、SIGMA-ALDRICH社製、コア:CdSe、シェル:ZnS、平均粒径3.3nm):0.2質量部
・赤色発光量子ドット(製品名「CdSe/ZnS 610」、SIGMA-ALDRICH社製、コア:CdSe、シェル:ZnS、平均粒径5.2nm):0.2質量部
<Preparation of light wavelength conversion composition>
First, each component was blended so as to have the composition shown below to obtain a light wavelength conversion composition.
<Example 1>
(Light wavelength conversion composition 1)
-Polygonyl silicone resin (product name "SCR-1012", manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.): 100 parts by mass-Green emission quantum dots (product name "CdSe / ZnS 530", manufactured by SIGMA-ALDRICH, core: CdSe, shell: ZnS, average particle size 3.3 nm): 0.2 parts by mass, red emission quantum dots (product name "CdSe / ZnS 610", manufactured by SIGMA-ALDRICH, core: CdSe, shell: ZnS, average particle size 5.2 nm ): 0.2 parts by mass

<実施例2>
(光波長変換組成物2)
・ポリイミドシリコーン樹脂(製品名「SCR-1016」、信越化学工業社製):100質量部
・緑色発光量子ドット(製品名「CdSe/ZnS 530」、SIGMA-ALDRICH社製、コア:CdSe、シェル:ZnS、平均粒径3.3nm):0.2質量部
・赤色発光量子ドット(製品名「CdSe/ZnS 610」、SIGMA-ALDRICH社製、コア:CdSe、シェル:ZnS、平均粒径5.2nm):0.2質量部
<Example 2>
(Light wavelength conversion composition 2)
-Polygonyl silicone resin (product name "SCR-1016", manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.): 100 parts by mass-Green emission quantum dots (product name "CdSe / ZnS 530", manufactured by SIGMA-ALDRICH, core: CdSe, shell: ZnS, average particle size 3.3 nm): 0.2 parts by mass, red emission quantum dots (product name "CdSe / ZnS 610", manufactured by SIGMA-ALDRICH, core: CdSe, shell: ZnS, average particle size 5.2 nm ): 0.2 parts by mass

<比較例1>
(光波長変換組成物3)
・ジメチルシリコーン樹脂(製品名「KER―2500」、信越化学工業社製):100質量部
・緑色発光量子ドット(製品名「CdSe/ZnS 530」、SIGMA-ALDRICH社製、コア:CdSe、シェル:ZnS、平均粒径3.3nm):0.2質量部
・赤色発光量子ドット(製品名「CdSe/ZnS 610」、SIGMA-ALDRICH社製、コア:CdSe、シェル:ZnS、平均粒径5.2nm):0.2質量部
<Comparative Example 1>
(Light wavelength conversion composition 3)
-Dimethyl silicone resin (product name "KER-2500", manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.): 100 parts by mass-Green emission quantum dots (product name "CdSe / ZnS 530", manufactured by SIGMA-ALDRICH, core: CdSe, shell: ZnS, average particle size 3.3 nm): 0.2 parts by mass, red emission quantum dots (product name "CdSe / ZnS 610", manufactured by SIGMA-ALDRICH, core: CdSe, shell: ZnS, average particle size 5.2 nm ): 0.2 parts by mass

<比較例2>
(光波長変換組成物4)
・フェニルシリコーン樹脂(製品名「KER-6000」、信越化学工業社製):100質量部
・緑色発光量子ドット(製品名「CdSe/ZnS 530」、SIGMA-ALDRICH社製、コア:CdSe、シェル:ZnS、平均粒径3.3nm):0.2質量部
・赤色発光量子ドット(製品名「CdSe/ZnS 610」、SIGMA-ALDRICH社製、コア:CdSe、シェル:ZnS、平均粒径5.2nm):0.2質量部
<Comparative Example 2>
(Light wavelength conversion composition 4)
-Phenyl silicone resin (product name "KER-6000", manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.): 100 parts by mass-Green emission quantum dots (product name "CdSe / ZnS 530", manufactured by SIGMA-ALDRICH, core: CdSe, shell: ZnS, average particle size 3.3 nm): 0.2 parts by mass, red emission quantum dots (product name "CdSe / ZnS 610", manufactured by SIGMA-ALDRICH, core: CdSe, shell: ZnS, average particle size 5.2 nm ): 0.2 parts by mass

<実施例3>
発光ピーク波長が450nmの青色発光ダイオードチップを備える発光装置(製品名「B2020」、ジェネライツ社製)の反射部材の開口部(パッケージ本体の凹部)に光波長変換組成物1を充填した。そして、100℃で5時間加熱することによって、光波長変換組成物を硬化させて、反射部材の開口部に充填され、かつ青色発光ダイオードを覆った光波長変換部材を備える実施例3に係る発光装置を得た。
<Example 3>
The light wavelength conversion composition 1 was filled in the opening (recessed portion of the package body) of the reflective member of a light emitting device (product name "B2020", manufactured by Generites) provided with a blue light emitting diode chip having a light emitting peak wavelength of 450 nm. Then, by heating at 100 ° C. for 5 hours, the light wavelength conversion composition is cured, and the light emission according to the third embodiment is provided with the light wavelength conversion member which is filled in the opening of the reflection member and covers the blue light emitting diode. Obtained the device.

<実施例4>
実施例4においては、光波長変換組成物1の代わりに光波長変換組成物2を用いたこと以外は、実施例3と同様にして、発光装置を得た。
<Example 4>
In Example 4, a light emitting device was obtained in the same manner as in Example 3 except that the light wavelength conversion composition 2 was used instead of the light wavelength conversion composition 1.

<比較例3>
比較3においては、光波長変換組成物1の代わりに光波長変換組成物3を用いたこと以外は、実施例3と同様にして、発光装置を得た。
<Comparative Example 3>
In Comparative 3, a light emitting device was obtained in the same manner as in Example 3 except that the light wavelength conversion composition 3 was used instead of the light wavelength conversion composition 1.

<比較例4>
比較例4においては、光波長変換組成物1の代わりに光波長変換組成物4を用いたこと以外は、実施例3と同様にして、発光装置を得た。
<Comparative Example 4>
In Comparative Example 4, a light emitting device was obtained in the same manner as in Example 3 except that the light wavelength conversion composition 4 was used instead of the light wavelength conversion composition 1.

<通電耐熱試験後における輝度維持率測定>
上記実施例および比較例に係る発光装置において、青色発光ダイオードへの印加電力が0.5Wとなるように通電して80℃の環境下で500時間連続点灯させる通電耐熱試験を行い、発光装置における通電耐熱試験前の輝度に対する通電耐熱試験後における輝度の維持率を調べた。具体的には、まず、Kindle Fire(登録商標)HDX7のバックライト装置を用意した。そして、このバックライト装置の発光装置を実施例および比較例に係る通電耐熱試験前の発光装置に代えることによって、バックライト装置に実施例および比較例に発光装置を組み込んだ。
<Measurement of brightness maintenance rate after energization heat resistance test>
In the light emitting device according to the above embodiment and the comparative example, an energization heat resistance test was performed in which the light emitting device was energized so that the applied power to the blue light emitting diode was 0.5 W and continuously lit for 500 hours in an environment of 80 ° C. The maintenance rate of the brightness after the energization heat resistance test was investigated with respect to the brightness before the energization heat resistance test. Specifically, first, we prepared a backlight device for Kindle Fire (registered trademark) HDX7. Then, by replacing the light emitting device of this backlight device with the light emitting device before the energization heat resistance test according to the examples and the comparative examples, the light emitting device was incorporated into the examples and the comparative examples in the backlight device.

そして、実施例および比較例に係る発光装置を組み込んだバックライト装置において、青色発光ダイオードへの印加電力が0.5Wとなるように通電することによって青色発光ダイオードを点灯させて、バックライト装置の発光面(第2のプリズムシートの表面)から出射する光の輝度を、バックライト装置の厚み方向におけるバックライト装置の発光面(表面)から400mm離れた位置において、分光放射輝度計(製品名「CS2000」、コニカミノルタ社製)を用いて、測定角1°の条件で、測定した。 Then, in the backlight device incorporating the light emitting device according to the examples and the comparative examples, the blue light emitting diode is turned on by energizing so that the applied power to the blue light emitting diode is 0.5 W, and the backlight device is used. The brightness of the light emitted from the light emitting surface (the surface of the second prism sheet) is measured at a position 400 mm away from the light emitting surface (surface) of the backlight device in the thickness direction of the backlight device. CS2000 ”, manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) was used for measurement under the condition of a measurement angle of 1 °.

次いで、この状態で、青色発光ダイオードを80℃の環境下で500時間連続点灯させる通電耐熱性試験を行った。そして、通電耐熱性試験後におけるバックライト装置の発光面(第2のプリズムシートの表面)から出射する光の輝度を、上記と同様に、バックライト装置の厚み方向におけるバックライト装置の発光面(表面)から400mm離れた位置において、分光放射輝度計(製品名「CS2000」、コニカミノルタ社製)を用いて、測定角1°の条件で、測定した。 Next, in this state, an energization heat resistance test was conducted in which the blue light emitting diode was continuously lit for 500 hours in an environment of 80 ° C. Then, the brightness of the light emitted from the light emitting surface of the backlight device (the surface of the second prism sheet) after the energization heat resistance test is set to the light emitting surface of the backlight device in the thickness direction of the backlight device (as described above). Measurement was performed at a position 400 mm away from the surface) using a spectral radiance meter (product name “CS2000”, manufactured by Konica Minolta) under the condition of a measurement angle of 1 °.

測定したこれらの輝度から、通電耐熱試験前の輝度に対する通電耐熱試験後の輝度の維持率をそれぞれ求めた。輝度維持率は、輝度維持率をAとし、通電耐熱試験前のバックライト装置の発光面から出射する光の輝度をBとし、通電耐熱試験後のバックライト装置の発光面から出射する光の輝度をCとし、下記式によって求めた。
A=C/B×100
From these measured luminances, the maintenance rate of the luminance after the energization heat resistance test with respect to the luminance before the energization heat resistance test was obtained. As for the brightness maintenance rate, the brightness maintenance rate is A, the brightness of the light emitted from the light emitting surface of the backlight device before the energization heat resistance test is B, and the brightness of the light emitted from the light emitting surface of the backlight device after the energization heat resistance test. Was C, and it was calculated by the following formula.
A = C / B × 100

以下、結果を表1に示す。

Figure 0007005916000001
The results are shown in Table 1 below.
Figure 0007005916000001

以下、結果について述べる。表1から分かるように、実施例3、4に係る発光装置においては、特定のシリコーン樹脂を用いていたので、特定のシリコーン樹脂を用いていない比較例3、4に係る発光装置によりも通電耐熱試験後の輝度維持率が高かった。 The results will be described below. As can be seen from Table 1, since the light emitting device according to Examples 3 and 4 uses a specific silicone resin, the light emitting device according to Comparative Examples 3 and 4 that does not use the specific silicone resin also has heat resistance to energization. The brightness maintenance rate after the test was high.

上記実施例においては、緑色発光量子ドットや赤色発光量子ドットのコア材料としてCdSeを用いているが、コア材料としてInP、InAs等の非Cd系材料を用いても、上記実施例と同様の結果が得られた。 In the above embodiment, CdSe is used as the core material of the green emission quantum dots and the red emission quantum dots, but even if a non-Cd material such as InP or InAs is used as the core material, the same result as in the above embodiment is obtained. was gotten.

10…発光装置
12…発光素子
13…光波長変換部材
18…量子ドット
19…バインダ樹脂
30…画像表示装置
40…バックライト装置
100…表示パネル
10 ... Light emitting device 12 ... Light emitting element 13 ... Light wavelength conversion member 18 ... Quantum dot 19 ... Binder resin 30 ... Image display device 40 ... Backlight device 100 ... Display panel

Claims (7)

発光素子と、
前記発光素子からの光を受ける、量子ドットと、窒素原子を含むシリコーン樹脂とを含む光波長変換組成物の硬化物からなる光波長変換部材と、を備え
前記シリコーン樹脂が、前記量子ドットに接しており、
前記光波長変換部材が、前記発光素子を覆っている、発光装置。
Light emitting element and
A light wavelength conversion member made of a cured product of a light wavelength conversion composition containing quantum dots and a silicone resin containing a nitrogen atom, which receives light from the light emitting element, is provided .
The silicone resin is in contact with the quantum dots,
A light emitting device in which the light wavelength conversion member covers the light emitting element .
前記シリコーン樹脂が、ポリイミド構造、ポリアミド構造、およびポリアミドイミド構造の少なくともいずれかの構造を有する、請求項1に記載の発光装置The light emitting device according to claim 1, wherein the silicone resin has at least one of a polyimide structure, a polyamide structure, and a polyamide-imide structure. 前記発光素子が、LED素子である、請求項1または2に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1 or 2 , wherein the light emitting element is an LED element. 前記発光素子と前記光波長変換部材の間に設けられ、かつ前記発光素子を封止する封止部材をさらに備える、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 3 , further comprising a sealing member provided between the light emitting element and the light wavelength conversion member and sealing the light emitting element. 前記光波長変換部材の出光側の表面がレンズ面となっている、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the surface of the light wavelength conversion member on the light emitting side is a lens surface. 請求項1ないし5のいずれか一項に記載の発光装置を備える、バックライト装置。 A backlight device comprising the light emitting device according to any one of claims 1 to 5 . 請求項に記載のバックライト装置と、
前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルと、
を備える、画像表示装置。
The backlight device according to claim 6 and
A display panel arranged on the light emitting side of the backlight device and
An image display device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112310177A (en) * 2020-10-20 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel and preparation method thereof

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071908A (en) 2002-08-07 2004-03-04 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device
JP2009272612A (en) 2008-05-01 2009-11-19 Samsung Electronics Co Ltd Light-emitting element and its production method
JP2012509604A (en) 2008-11-19 2012-04-19 ナノコ テクノロジーズ リミテッド LIGHT EMITTING DEVICE USING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES, RELATED MATERIAL AND METHOD
WO2012102107A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 昭和電工株式会社 Composition containing quantum dot fluorescent body, molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin, structure containing quantum dot fluorescent body, light-emitting device, electronic apparatus, mechanical device, and method for producing molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin
JP2013033833A (en) 2011-08-01 2013-02-14 Panasonic Corp Wavelength conversion film and light emitting device and lighting device which use the same
US20130099212A1 (en) 2011-10-21 2013-04-25 Samsung Electronics Co. Ltd. Light emitting diode
JP2015516691A (en) 2012-05-14 2015-06-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ Light emitting device having nanostructured phosphor
JP2015127362A (en) 2013-12-27 2015-07-09 コニカミノルタ株式会社 Light emission body particle, method of producing light emission body particle, and optical film and optical device using light emission body particle
JP2016505212A (en) 2012-10-25 2016-02-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. PDMS ligand for quantum dots in silicone
WO2016072311A1 (en) 2014-11-04 2016-05-12 Nsマテリアルズ株式会社 Wavelength conversion member, and light-emitting device, light-emitting element, light source device, and display device using wavelength conversion member
JP2016088970A (en) 2014-10-30 2016-05-23 国立大学法人東北大学 Phosphor, light emitting device, illumination device and image display device
JP2016538723A (en) 2013-11-13 2016-12-08 ナノコ テクノロジーズ リミテッド LED cap including quantum dot phosphor

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071908A (en) 2002-08-07 2004-03-04 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device
JP2009272612A (en) 2008-05-01 2009-11-19 Samsung Electronics Co Ltd Light-emitting element and its production method
JP2012509604A (en) 2008-11-19 2012-04-19 ナノコ テクノロジーズ リミテッド LIGHT EMITTING DEVICE USING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES, RELATED MATERIAL AND METHOD
WO2012102107A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 昭和電工株式会社 Composition containing quantum dot fluorescent body, molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin, structure containing quantum dot fluorescent body, light-emitting device, electronic apparatus, mechanical device, and method for producing molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin
JP2013033833A (en) 2011-08-01 2013-02-14 Panasonic Corp Wavelength conversion film and light emitting device and lighting device which use the same
US20130099212A1 (en) 2011-10-21 2013-04-25 Samsung Electronics Co. Ltd. Light emitting diode
JP2015516691A (en) 2012-05-14 2015-06-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ Light emitting device having nanostructured phosphor
JP2016505212A (en) 2012-10-25 2016-02-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. PDMS ligand for quantum dots in silicone
JP2016538723A (en) 2013-11-13 2016-12-08 ナノコ テクノロジーズ リミテッド LED cap including quantum dot phosphor
JP2015127362A (en) 2013-12-27 2015-07-09 コニカミノルタ株式会社 Light emission body particle, method of producing light emission body particle, and optical film and optical device using light emission body particle
JP2016088970A (en) 2014-10-30 2016-05-23 国立大学法人東北大学 Phosphor, light emitting device, illumination device and image display device
WO2016072311A1 (en) 2014-11-04 2016-05-12 Nsマテリアルズ株式会社 Wavelength conversion member, and light-emitting device, light-emitting element, light source device, and display device using wavelength conversion member

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