JP2016194986A - Backlight device and display device - Google Patents

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嶋 征 一 磯
Seiichi Isojima
嶋 征 一 磯
島 弘 小
Hiroshi Kojima
島 弘 小
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a backlight device and a display device capable of preventing hue of a peripheral edge portion of a light emission region from being distinctive in comparison with hue of a central portion in light emission.SOLUTION: A quantum dot sheet has a light incident face 50A receiving light from a light source, and a light emission face 50B positioned at a side opposite to the light incident face 50A, and includes quantum dots 56 and a binder resin 57. At least a part of the light L1 from the light source incident by a reflector disposed along at least a part of a peripheral edge portion of the quantum dot sheet, is reflected to at least one of an incident face 50A side and a light emission face 50B side of the quantum dot sheet through which a part of the light L1 from the light source incident to the quantum dot sheet is transmitted, and in which another part of the light L1 from the light source is converted into light of a wavelength different from the light from the light source by the quantum dots 56, so that the light L1 from the light source transmitted through the quantum dot sheet and the wavelength-converted light L2 are emitted from the light emission face 50B.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、バックライト装置および表示装置に関する。   The present invention relates to a backlight device and a display device.

液晶表示装置等の透過型画像表示装置は、一般に、液晶表示パネル等の透過型画像表示パネルの背面側に配置され、透過型画像表示パネルを照明するバックライト装置を備えている。バックライト装置としては、エッジライト型や直下型のバックライト装置が知られている。   2. Description of the Related Art A transmissive image display device such as a liquid crystal display device generally includes a backlight device that is disposed on the back side of a transmissive image display panel such as a liquid crystal display panel and illuminates the transmissive image display panel. As the backlight device, an edge light type or a direct type backlight device is known.

現在、色再現性を高めるために、量子ドットをバックライト装置に組み込むことが検討されている(特許文献1参照)。量子ドットは、光を吸収して異なる波長の光を放出することができる。量子ドットが放出する光の波長は、主として量子ドットの粒径に依存する。したがって、量子ドットが組み込まれたバックライト装置では、単一の波長域の光を投射する光源を用いながら、種々の色を再現することができる。例えば、青色光を発する光源を用いる場合、量子ドットシートが青色光を吸収して緑色光および赤色光を放出することもできる。このようなバックライト装置は色純度に優れることから、このバックライト装置を用いた表示装置は優れた色再現性を有することになる。   Currently, in order to improve color reproducibility, it has been studied to incorporate quantum dots into a backlight device (see Patent Document 1). Quantum dots can absorb light and emit light of different wavelengths. The wavelength of the light emitted from the quantum dot mainly depends on the particle size of the quantum dot. Therefore, a backlight device incorporating quantum dots can reproduce various colors while using a light source that projects light in a single wavelength region. For example, when a light source that emits blue light is used, the quantum dot sheet can absorb blue light and emit green light and red light. Since such a backlight device is excellent in color purity, a display device using this backlight device has excellent color reproducibility.

特開2013−218953号公報JP 2013-218953 A

量子ドットをバックライト装置に組み込む方式としては、光源中に量子ドットを組み込むオンチップ方式、量子ドットを収容した透明チューブを光源と導光板との間に配置するオンエッジ方式、および導光板の出光側や光源上に量子ドットを含有するシートを配置するオンサーフェス方式が知られている。   As a method of incorporating quantum dots into a backlight device, an on-chip method of incorporating quantum dots in a light source, an on-edge method of arranging a transparent tube containing quantum dots between a light source and a light guide plate, and a light output side of the light guide plate An on-surface method is also known in which a sheet containing quantum dots is arranged on a light source.

しかしながら、オンチップ方式においては、光源中に量子ドットを組み込むので、量子ドットが高温に晒されてしまい、量子ドットの変換効率が劣る。また、オンエッジ方式においては、量子ドットを収容した透明チューブを光源と導光板との間に配置するので、サイズが大きくなってしまう。特に、モバイル機器においては、小型化が要求されるので、オンエッジ方式では対応することが難しい。   However, in the on-chip method, since the quantum dots are incorporated in the light source, the quantum dots are exposed to a high temperature, and the conversion efficiency of the quantum dots is inferior. In the on-edge method, the transparent tube containing the quantum dots is disposed between the light source and the light guide plate, so that the size increases. In particular, in mobile devices, miniaturization is required, so it is difficult to cope with the on-edge method.

一方、オンサーフェス方式においては、上記の問題がなく、また従来から用いられてきたバックライト装置を利用することも可能である。このようなことから、現在、オンサーフェス方式で量子ドットをバックライト装置に組み込むことが検討されているが、オンサーフェス方式においては、発光時に、バックライト装置の発光領域の周縁部において、光源から発せられた光の色味が発光領域の中央部よりも強く現れてしまうという問題がある。この現象は、量子ドットのようにサイズが小さい(nmサイズ)発光物質を用いた場合により顕著に表れる。例えば、光源として青色光を発する光源を用いた場合には、バックライト装置の発光領域の周縁部は発光領域の中央部よりも青味が強く現れてしまう(ブルーイング)。   On the other hand, the on-surface method does not have the above-mentioned problem, and it is also possible to use a conventionally used backlight device. For this reason, it is currently considered to incorporate quantum dots into the backlight device by the on-surface method. However, in the on-surface method, the light source emits light from the light source at the periphery of the light-emitting area of the backlight device. There is a problem that the color of emitted light appears stronger than the central portion of the light emitting region. This phenomenon becomes more prominent when a light emitting material having a small size (nm size) such as a quantum dot is used. For example, when a light source that emits blue light is used as the light source, the peripheral portion of the light emitting region of the backlight device appears more bluish than the central portion of the light emitting region (blueing).

本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、発光時において発光領域の周縁部の色味が発光領域の中央部の色味に比べて際立つことを抑制できるバックライト装置および表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems. That is, an object of the present invention is to provide a backlight device and a display device that can suppress the color of the peripheral portion of the light emitting region from being noticeable when compared with the color of the central portion of the light emitting region.

本発明の一の態様によれば、光源と、前記光源からの光を受ける入光面および前記入光面とは反対側に位置する出光面を有し、かつ量子ドットおよびバインダ樹脂を含む量子ドットシートであって、前記量子ドットシートに入射する前記光源からの光の一部を透過させ、かつ前記光源からの光の他の一部を前記量子ドットによって前記光源からの光とは異なる波長の光に変換して、前記出射面から前記量子ドットシートを透過した前記光源からの光および波長変換された光を出射させる量子ドットシートと、前記量子ドットシートの入光面側および出光面側の少なくともいずれか一方に、前記量子ドットシートの周縁部の少なくとも一部に沿って配置された反射体であって、前記反射体に入射する前記光源からの光の少なくとも一部を反射する反射体とを備える、バックライト装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, a quantum source comprising a light source, a light incident surface that receives light from the light source, and a light exit surface that is located on the opposite side of the light incident surface, and includes quantum dots and a binder resin. A dot sheet that transmits a part of the light from the light source incident on the quantum dot sheet, and another part of the light from the light source has a wavelength different from the light from the light source by the quantum dot. A quantum dot sheet for converting the light from the light source that has passed through the quantum dot sheet from the emission surface and the wavelength-converted light, and a light incident surface side and a light emission surface side of the quantum dot sheet At least one of the reflectors is a reflector disposed along at least a part of the peripheral edge of the quantum dot sheet, and reflects at least a part of the light from the light source incident on the reflector And a reflector, the backlight apparatus is provided.

本発明の他の態様によれば、上記のバックライト装置と、前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルとを備える、表示装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a display device comprising the above backlight device and a display panel disposed on the light output side of the backlight device.

本発明の一の態様のバックライト装置および他の態様の表示装置によれば、発光時において発光領域の周縁部の色味が発光領域の中央部の色味に比べて際立つことを抑制できる。   According to the backlight device of one embodiment of the present invention and the display device of another embodiment, it is possible to suppress the color tone of the peripheral portion of the light emitting region from standing out compared to the color tone of the central portion of the light emitting region.

第1の実施形態に係るバックライト装置を含む表示装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a display device including a backlight device according to a first embodiment. 第1の実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the other backlight apparatus which concerns on 1st Embodiment. 図1に示されるバックライト装置における発光領域を示した図である。It is the figure which showed the light emission area | region in the backlight apparatus shown by FIG. 図1に示されるバックライト装置を上方から平面視した図である。It is the figure which planarly viewed the backlight apparatus shown by FIG. 第1の実施形態に係る量子ドットシートの断面図である。It is sectional drawing of the quantum dot sheet which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る反射体および量子ドットシートを反射体側から平面視した図である。It is the figure which planarly viewed the reflector and quantum dot sheet which concern on 1st Embodiment from the reflector side. 図6の反射体および量子ドットシートのI−I線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the II line | wire of the reflector of FIG. 6, and a quantum dot sheet. 第1の実施形態に係るプリズムシートの斜視図である。It is a perspective view of the prism sheet which concerns on 1st Embodiment. 図8のプリズムシートのII−II線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the II-II line of the prism sheet of FIG. 第1の実施形態に係る反射型偏光分離シートの断面図である。It is sectional drawing of the reflective polarization separation sheet which concerns on 1st Embodiment. 第2の実施形態に係るバックライト装置を含む表示装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the display apparatus containing the backlight apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 図11に示されるバックライト装置を上方から平面視した図である。It is the figure which planarly viewed the backlight apparatus shown by FIG. 11 from upper direction. 第2の実施形態に係る反射体および量子ドットシートを反射体側から平面視した図である。It is the figure which planarly viewed the reflector and quantum dot sheet which concern on 2nd Embodiment from the reflector side. 図13の反射体および量子ドットシートのIII−III線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the III-III line of the reflector of FIG. 13, and a quantum dot sheet. 第3の実施形態に係るバックライト装置を含む表示装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the display apparatus containing the backlight apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 図15に示されるバックライト装置を上方から平面視した図である。It is the figure which planarly viewed the backlight apparatus shown by FIG. 15 from upper direction. 第3の実施形態に係る反射体および量子ドットシートを反射体側から平面視した図である。It is the figure which planarly viewed the reflector and quantum dot sheet which concern on 3rd Embodiment from the reflector side. 図17の反射体および量子ドットシートのIV−IV線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the IV-IV line of the reflector of FIG. 17, and a quantum dot sheet. 第4の実施形態に係るバックライト装置を含む表示装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the display apparatus containing the backlight apparatus which concerns on 4th Embodiment. 図19に示されるバックライト装置を上方から平面視した図である。FIG. 20 is a plan view of the backlight device shown in FIG. 19 from above. 第4の実施形態に係る反射体および量子ドットシートを反射体側から平面視した図である。It is the figure which planarly viewed the reflector and quantum dot sheet which concern on 4th Embodiment from the reflector side. 図21の反射体および量子ドットシートのV−V線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VV line | wire of the reflector of FIG. 21, and a quantum dot sheet.

〔第1の実施形態〕
以下、本発明の第1の実施形態に係るバックライト装置および表示装置について、図面を参照しながら説明する。本明細書において、「シート」、「フィルム」、「板」等の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。したがって、例えば、「板」は、シートや板とも呼ばれるような部材も含む意味で用いられ、また「シート」はフィルムや板とも呼ばれ得るような部材も含む意味で用いられる。図1は本実施形態に係るバックライト装置を含む表示装置の概略構成図であり、図2は本実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図であり、図3は図1に示されるバックライト装置における発光領域を示した図であり、図4は図1に示されるバックライト装置を上方から平面視した図である。図5は本実施形態に係る量子ドットシートの断面図であり、図6は本実施形態に係る反射体および量子ドットシートを反射体側から平面視した図であり、図7は図6の反射体および量子ドットシートのI−I線に沿った断面図である。図8は本実施形態に係るプリズムシートの斜視図であり、図9は図8のプリズムシートのII−II線に沿った断面図であり、図10は本実施形態に係る反射型偏光分離シートの断面図である。
[First Embodiment]
Hereinafter, a backlight device and a display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification, terms such as “sheet”, “film”, and “plate” are not distinguished from each other only based on the difference in designation. Therefore, for example, “plate” is used to include a member called a sheet or a plate, and “sheet” is used to include a member that can also be called a film or a plate. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a display device including a backlight device according to this embodiment, FIG. 2 is a schematic configuration diagram of another backlight device according to this embodiment, and FIG. 3 is shown in FIG. FIG. 4 is a view showing a light emitting region in the backlight device, and FIG. 4 is a plan view of the backlight device shown in FIG. 1 from above. FIG. 5 is a cross-sectional view of the quantum dot sheet according to the present embodiment, FIG. 6 is a plan view of the reflector and quantum dot sheet according to the present embodiment from the reflector side, and FIG. 7 is the reflector of FIG. It is sectional drawing along the II line | wire of a quantum dot sheet. 8 is a perspective view of the prism sheet according to the present embodiment, FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line II-II of the prism sheet of FIG. 8, and FIG. 10 is a reflective polarization separation sheet according to the present embodiment. FIG.

[表示装置]
図1に示される表示装置10は、バックライト装置20と、バックライト装置20の出光側に配置された表示パネル30とを備えている。表示装置10は、画像を表示する表示面10Aを有している。図1に示される表示装置10においては、表示パネル30の表面が表示面10Aとなっている。
[Display device]
A display device 10 shown in FIG. 1 includes a backlight device 20 and a display panel 30 disposed on the light output side of the backlight device 20. The display device 10 has a display surface 10A for displaying an image. In the display device 10 shown in FIG. 1, the surface of the display panel 30 is a display surface 10A.

バックライト装置20は、表示パネル30を背面側から照らすものである。表示パネル30は、バックライト装置20からの光の透過または遮断を画素毎に制御するシャッターとして機能し、表示面10Aに像を表示するように構成されている。   The backlight device 20 illuminates the display panel 30 from the back side. The display panel 30 functions as a shutter that controls transmission or blocking of light from the backlight device 20 for each pixel, and is configured to display an image on the display surface 10A.

<<<表示パネル>>>
図1に示される表示パネル30は、液晶表示パネルであり、入光側に配置された偏光板31と、出光側に配置された偏光板32と、偏光板31と偏光板32との間に配置された液晶セル33とを備えている。偏光板31、32は、入射した光を直交する二つの直線偏光成分(S偏光およびP偏光)に分解し、一方の方向(透過軸と平行な方向)に振動する直線偏光成分(例えば、P偏光)を透過させ、前記一方の方向に直交する他方の方向(吸収軸と平行な方向)に振動する直線偏光成分(例えば、S偏光)を吸収する機能を有している。
<<< Display Panel >>>
A display panel 30 shown in FIG. 1 is a liquid crystal display panel, and a polarizing plate 31 disposed on the light incident side, a polarizing plate 32 disposed on the light exit side, and between the polarizing plate 31 and the polarizing plate 32. The liquid crystal cell 33 is provided. Polarizing plates 31 and 32 decompose incident light into two linearly polarized light components (S-polarized light and P-polarized light) orthogonal to each other and vibrate in one direction (direction parallel to the transmission axis) (for example, P It has a function of transmitting a linearly polarized component (for example, S-polarized light) that transmits polarized light and vibrates in the other direction (direction parallel to the absorption axis) perpendicular to the one direction.

液晶セル33には、一つの画素を形成する領域毎に、電圧の印加がなされ得るように構成されている。そして、電圧印加の有無によって液晶層33中の液晶分子の配向方向が変化するようになる。一例として、入光側に配置された偏光板31を透過した特定方向の直線偏光成分は、電圧印加がなされた液晶セル33を通過する際にその偏光方向を90°回転させ、その一方で、電圧印加がなされていない液晶セル33を通過する際にその偏光方向を維持する。この場合、液晶セル33への電圧印加の有無によって、偏光板31を透過した特定方向に振動する直線偏光成分を偏光板32に対して透過させ、または偏光板32で吸収して遮断することができる。このようにして、表示パネル30では、バックライト装置20からの光の透過または遮断を画素毎に制御し得るように構成されている。なお、液晶表示パネルの詳細については、種々の公知文献(例えば、「フラットパネルディスプレイ大辞典(内田龍男、内池平樹監修)」2001年工業調査会発行)に記載されており、ここではこれ以上の詳細な説明を省略する。   The liquid crystal cell 33 is configured such that a voltage can be applied to each region where one pixel is formed. Then, the alignment direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 33 changes depending on the presence or absence of voltage application. As an example, the linearly polarized light component in a specific direction transmitted through the polarizing plate 31 disposed on the light incident side rotates the polarization direction by 90 ° when passing through the liquid crystal cell 33 to which a voltage is applied, When passing through the liquid crystal cell 33 to which no voltage is applied, the polarization direction is maintained. In this case, depending on whether or not a voltage is applied to the liquid crystal cell 33, the linearly polarized light component oscillating in a specific direction transmitted through the polarizing plate 31 is transmitted through the polarizing plate 32 or absorbed and blocked by the polarizing plate 32. it can. In this way, the display panel 30 is configured to control transmission or blocking of light from the backlight device 20 for each pixel. The details of the liquid crystal display panel are described in various known literatures (for example, “Flat Panel Display Dictionary” (published by Tatsuo Uchida, Hiraki Uchiike), 2001, Industrial Research Council). The detailed description of is omitted.

<<<バックライト装置>>>
図1に示されるバックライト装置20は、エッジライト型のバックライト装置として構成され、光源35と、光源35の側方に配置された導光板40と、導光板40の出光側に配置された量子ドットシート50、量子ドットシート50の出光面50B側に配置された反射体60と、量子ドットシート50の出光面50B側に配置されたプリズムシート70、プリズムシート70の出光側に配置されたプリズムシート75と、プリズムシート75の出光側に配置された反射型偏光分離シート80と、導光板40の出光側とは反対側に配置された反射シート90とを備えている。バックライト装置20は、導光板40、プリズムシート70、75、反射型偏光分離シート80、反射シート90を備えているが、これらの部材は備えられていなくともよい。また、バックライト装置は、図2に示されるような直下型のバックライト装置であってもよい。図2に示されるバックライト装置100においては、光源35が量子ドットシート50の直下に位置し、かつ光源35と量子ドットシート50との間には光拡散板110が配置されている。なお、バックライト装置100においては、導光板は備えられていない。また、光拡散板110は、光源35からの光を拡散させることができれば、特に限定されない。本明細書において、「出光側」とは、各部材においてバックライト装置から出射する方向に向かう光が出射される側を意味する。
<<<< Backlight Device >>>>
The backlight device 20 shown in FIG. 1 is configured as an edge light type backlight device, and is disposed on a light source 35, a light guide plate 40 disposed on the side of the light source 35, and a light output side of the light guide plate 40. The quantum dot sheet 50, the reflector 60 disposed on the light exit surface 50B side of the quantum dot sheet 50, the prism sheet 70 disposed on the light exit surface 50B side of the quantum dot sheet 50, and the light exit side of the prism sheet 70 The prism sheet 75, the reflective polarization separation sheet 80 disposed on the light output side of the prism sheet 75, and the reflection sheet 90 disposed on the opposite side of the light guide plate 40 from the light output side are provided. The backlight device 20 includes the light guide plate 40, the prism sheets 70 and 75, the reflective polarization separation sheet 80, and the reflective sheet 90, but these members may not be included. The backlight device may be a direct type backlight device as shown in FIG. In the backlight device 100 shown in FIG. 2, the light source 35 is positioned immediately below the quantum dot sheet 50, and the light diffusion plate 110 is disposed between the light source 35 and the quantum dot sheet 50. Note that the backlight device 100 does not include a light guide plate. Moreover, the light diffusing plate 110 will not be specifically limited if the light from the light source 35 can be diffused. In the present specification, the “light exit side” means a side from which light is emitted from each member in the direction of exiting the backlight device.

バックライト装置20は、面状に光を発光する発光領域R1を有している。本実施形態においては、反射体60が存在している領域も発光するので、反射体60が存在している領域も発光領域R1に含めるものとする。すなわち、本実施形態における発光領域R1は、図3および図4に示されるように、反射体60が存在する領域および反射体60よりも内側の領域を合わせた領域となっている。本実施形態において、後述する発光領域R1の周縁部Pとは、図4に示されるように、発光領域R1内の反射体60が存在している領域付近の部分を意味し、また発光領域R1の中央部Cとは、図4に示されるように、発光領域R1の中央付近の部分を意味する。   The backlight device 20 has a light emitting region R1 that emits light in a planar shape. In the present embodiment, since the region where the reflector 60 exists also emits light, the region where the reflector 60 exists is also included in the light emitting region R1. That is, as shown in FIGS. 3 and 4, the light emitting region R <b> 1 in the present embodiment is a region obtained by combining the region where the reflector 60 exists and the region inside the reflector 60. In the present embodiment, the peripheral portion P of the light emitting region R1 described later means a portion near the region where the reflector 60 exists in the light emitting region R1, as shown in FIG. 4, and the light emitting region R1. As shown in FIG. 4, the central portion C means a portion near the center of the light emitting region R1.

<<光源>>
光源35は、例えば、線状の冷陰極管等の蛍光灯や、点状の発光ダイオード(LED)や白熱電球等の種々の態様で構成され得る。本実施の形態において、光源35は、導光板40の後述する入光面40Cの長手方向(図1においては、紙面に直交する方向、即ち、紙面の表裏方向)に沿って、並べて配置された多数の点状発光体、具体的には、多数の発光ダイオード(LED)によって、構成されている。
<< light source >>
The light source 35 may be configured in various modes such as a fluorescent lamp such as a linear cold cathode tube, a point light emitting diode (LED), an incandescent lamp, and the like. In the present embodiment, the light sources 35 are arranged side by side along the longitudinal direction of a light incident surface 40C (to be described later) of the light guide plate 40 (in FIG. 1, the direction orthogonal to the paper surface, that is, the front and back direction of the paper surface). It is comprised by many point-like light-emitting bodies, specifically, many light-emitting diodes (LED).

バックライト装置20においては量子ドットシート50が配置されていることに伴い、光源35は、単一の波長域の光を放出する発光体のみを用いることができる。例えば、光源は、色純度の高い青色光を発する青色発光ダイオードのみを用いることができる。   As the quantum dot sheet 50 is disposed in the backlight device 20, the light source 35 can use only a light emitter that emits light in a single wavelength region. For example, only a blue light emitting diode that emits blue light with high color purity can be used as the light source.

<<導光板>>
導光板40は、平面視形状(図1においては、上方から見下ろして見た形状)が四角形形状に形成されている。導光板40は、表示パネル30側の一方の主面によって構成された出光面40Aと、出光面40Aに対向するもう一方の主面からなる裏面40Bと、出光面40Aおよび裏面40Bの間を延びる側面と、を有している。側面のうちの光源35側の側面が、光源からの光を受ける入光面40Cとなっている。入光面40Cから導光板40内に入射した光は、入光面40Cと、入光面40Cと対向する反対面とを結ぶ方向(導光方向)に導光板内を導光され、出光面から40Aから出射される。なお、導光板40の側面は、フレーム(図示せず)によって覆われている。
<< Light guide plate >>
The light guide plate 40 is formed in a quadrangular shape in plan view (in FIG. 1, the shape viewed from above). The light guide plate 40 extends between the light output surface 40A formed by one main surface on the display panel 30 side, the back surface 40B formed of the other main surface facing the light output surface 40A, and the light output surface 40A and the back surface 40B. And a side surface. The side surface on the light source 35 side of the side surfaces is a light incident surface 40C that receives light from the light source. The light that has entered the light guide plate 40 from the light incident surface 40C is guided in the light guide plate in a direction (light guide direction) connecting the light incident surface 40C and the opposite surface opposite to the light incident surface 40C. Is emitted from 40A. The side surface of the light guide plate 40 is covered with a frame (not shown).

導光板40を構成する材料としては、表示装置に組み込まれる光学シート用の材料として広く使用され、優れた機械的特性、光学特性、安定性および加工性等を有するとともに安価に入手可能な材料、例えば、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル等の一以上を主成分とする透明樹脂や、エポキシアクリレートやウレタンアクリレート系の反応性樹脂(電離放射線硬化型樹脂等)が好適に使用され得る。なお、必要に応じて、導光板40中に光を拡散させる機能を有する拡散材を添加することもできる。拡散材としては、例えば、平均粒径が0.5μm以上100μm以下のシリカ(二酸化珪素)、アルミナ(酸化アルミニウム)、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂等の透明物質からなる粒子を用いることができる。   As a material constituting the light guide plate 40, it is widely used as a material for an optical sheet incorporated in a display device, and has excellent mechanical characteristics, optical characteristics, stability, workability and the like, and can be obtained at low cost. For example, transparent resins mainly composed of one or more of acrylic resin, polystyrene, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyacrylonitrile, etc., and epoxy acrylate or urethane acrylate reactive resins (ionizing radiation curable resins, etc.) are preferably used. obtain. Note that a diffusion material having a function of diffusing light may be added to the light guide plate 40 as necessary. As the diffusing material, for example, particles made of a transparent substance such as silica (silicon dioxide), alumina (aluminum oxide), acrylic resin, polycarbonate resin, or silicone resin having an average particle size of 0.5 μm to 100 μm can be used. .

<<量子ドットシート>>
量子ドットシート50は、図1および図5に示されるように、導光板40Aを介して光源35からの光を受ける入光面50Aおよび入光面50Aとは反対側に位置する出光面50Bを有する。量子ドットシート50は、量子ドット56およびバインダ樹脂57を含む量子ドット層51と、量子ドット層51の入光面51Aおよび出光面51Bに形成されたバリアフィルム52、53と、バリアフィルム52、53上に配置された光拡散層54、55とを備えている。量子ドットシート50は、量子ドット56およびバインダ樹脂57を含んでいればよく、バリアフィルム52、53や光拡散層54、55を備えていなくともよい。
<< Quantum dot sheet >>
As shown in FIGS. 1 and 5, the quantum dot sheet 50 includes a light incident surface 50A that receives light from the light source 35 via the light guide plate 40A and a light exit surface 50B that is located on the opposite side of the light incident surface 50A. Have. The quantum dot sheet 50 includes a quantum dot layer 51 including quantum dots 56 and a binder resin 57, barrier films 52 and 53 formed on the light incident surface 51A and the light outgoing surface 51B of the quantum dot layer 51, and barrier films 52 and 53. And light diffusing layers 54 and 55 disposed thereon. The quantum dot sheet 50 only needs to include the quantum dots 56 and the binder resin 57, and may not include the barrier films 52 and 53 and the light diffusion layers 54 and 55.

導光板40を介して光源35からの光を量子ドットシート50の入光面50Aに入射させると、図5に示されるように、光源35からの光L1の一部は量子ドット56間を通過し、量子ドット56により波長変換されずに、量子ドットシート50を透過する。このため、光源35からの光L1の一部はそのまま量子ドットシート50の出光面50Bから出射する。一方で、図5に示されるように、光源35からの光L1の他の一部は量子ドット56によって光源35からの光とは異なる波長の光L2に変換される。このため、波長変換された光L2が量子ドットシート50の出光面50Bから出射する。本明細書においては、「光源からの光」とは、光源から発せられた光であって、波長が変換されていない光を意味し、波長変換された光を含まない概念である。   When light from the light source 35 enters the light incident surface 50A of the quantum dot sheet 50 through the light guide plate 40, a part of the light L1 from the light source 35 passes between the quantum dots 56 as shown in FIG. Then, the quantum dot sheet 50 is transmitted without being wavelength-converted by the quantum dot 56. For this reason, a part of the light L1 from the light source 35 is emitted as it is from the light exit surface 50B of the quantum dot sheet 50. On the other hand, as shown in FIG. 5, another part of the light L1 from the light source 35 is converted into light L2 having a wavelength different from that of the light from the light source 35 by the quantum dots 56. For this reason, the wavelength-converted light L <b> 2 is emitted from the light exit surface 50 </ b> B of the quantum dot sheet 50. In this specification, “light from a light source” is light emitted from a light source and means light whose wavelength is not converted, and is a concept that does not include wavelength-converted light.

<量子ドット層>
量子ドット層51は、図5に示されるように、量子ドット56とバインダ樹脂57とを含む層である。また、量子ドット層51は、光散乱材をさらに含んでいてもよい。量子ドット層51の膜厚は、10μm以上150μm以下であることが好ましい。量子ドット層51の膜厚がこの範囲であれば、表示装置の軽量化および薄膜化に適しており、また、量子ドット層の厚みの振れ(製造公差)による色ムラを抑制できる。量子ドット層の膜厚は、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)又は走査透過型電子顕微鏡(STEM)を用いて撮影した断面の画像から20箇所の厚みを測定し、20箇所の値の平均値から算出できる。量子ドット層の膜厚はμmオーダーであるので、これらの中でもSEMを用いて量子ドット層の膜厚を測定することが好ましい。
<Quantum dot layer>
As shown in FIG. 5, the quantum dot layer 51 is a layer including quantum dots 56 and a binder resin 57. The quantum dot layer 51 may further include a light scattering material. The film thickness of the quantum dot layer 51 is preferably 10 μm or more and 150 μm or less. If the film thickness of the quantum dot layer 51 is within this range, it is suitable for reducing the weight and thickness of the display device, and color unevenness due to fluctuations in the thickness (manufacturing tolerance) of the quantum dot layer can be suppressed. The film thickness of the quantum dot layer is measured, for example, by measuring the thickness of 20 locations from an image of a cross section taken using a scanning electron microscope (SEM), a transmission electron microscope (TEM), or a scanning transmission electron microscope (STEM). , And can be calculated from the average value of the values at 20 locations. Since the film thickness of the quantum dot layer is on the order of μm, among these, it is preferable to measure the film thickness of the quantum dot layer using SEM.

(量子ドット)
量子ドット56は、量子閉じ込め効果(quantum confinement effect)を有するナノサイズの半導体粒子である。量子ドット56の粒径は、好ましくは1nm以上20nm以下である。量子ドット56は、励起源から光を吸収してエネルギー励起状態に達すると、量子ドット56のエネルギーバンドギャップに該当するエネルギーを放出する。よって、量子ドット56の粒径又は物質の組成を調節すると、エネルギーバンドギャップを調節することができ、様々なレベルの波長帯のエネルギーを得ることができる。とりわけ、量子ドット56は、狭い波長帯で強い蛍光を発生することができる。
(Quantum dot)
The quantum dots 56 are nano-sized semiconductor particles having a quantum confinement effect. The particle size of the quantum dots 56 is preferably 1 nm or more and 20 nm or less. When the quantum dot 56 absorbs light from the excitation source and reaches an energy excitation state, the quantum dot 56 releases energy corresponding to the energy band gap of the quantum dot 56. Therefore, by adjusting the particle size of the quantum dots 56 or the composition of the substance, the energy band gap can be adjusted, and energy of various levels of wavelength bands can be obtained. In particular, the quantum dot 56 can generate strong fluorescence in a narrow wavelength band.

具体的には、量子ドット56は粒径が小さくなるに従い、エネルギーバンドギャップが大きくなる。すなわち、結晶サイズが小さくなるにつれて、量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へとシフトする。そのため、量子ドットの粒径を変化させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長全域にわたって、その発光波長を調節することができる。例えば、材質にもよるが、量子ドットの粒径が1.5nm以上2.5nm以下の場合は青色光を発し、量子ドットの粒径が2.5nmを超え4.5nm以下の場合は緑色光を発し、量子ドットの粒径が4.5nmを超え7.5nm以下の場合は赤色光を発する。   Specifically, the energy band gap of the quantum dot 56 increases as the particle size decreases. That is, as the crystal size decreases, the light emission of the quantum dots shifts to the blue side, that is, to the high energy side. Therefore, by changing the particle size of the quantum dots, the emission wavelength can be adjusted over the entire wavelength range of the ultraviolet region, visible region, and infrared region. For example, depending on the material, blue light is emitted when the quantum dot particle size is 1.5 nm or more and 2.5 nm or less, and green light is emitted when the quantum dot particle size is more than 2.5 nm and 4.5 nm or less. When the particle size of the quantum dots is more than 4.5 nm and not more than 7.5 nm, red light is emitted.

本明細書における「青色光」とは、380nm以上480nm未満の波長域を有する光であり、「緑色光」とは、480nm以上590nm未満の波長域を有する光であり、「赤色光」とは、590nm以上750nm以下の波長域を有する光である。   In this specification, “blue light” is light having a wavelength range of 380 nm or more and less than 480 nm, “green light” is light having a wavelength range of 480 nm or more and less than 590 nm, and “red light” is It is light having a wavelength range of 590 nm to 750 nm.

量子ドットシート50に含まれる量子ドット56としては、1種類の量子ドットを用いてもよいが、粒径または材料が異なる少なくとも2種類以上の量子ドットを用いることも可能である。図5に示される量子ドットシート50は、量子ドット56として、第1の量子ドット56Aと、第1の量子ドットより粒径が大きい第2の量子ドット56Bとを含んでいる。   As the quantum dots 56 included in the quantum dot sheet 50, one type of quantum dot may be used, but at least two types of quantum dots having different particle diameters or materials may be used. The quantum dot sheet 50 shown in FIG. 5 includes, as quantum dots 56, first quantum dots 56A and second quantum dots 56B having a larger particle size than the first quantum dots.

上記したように量子ドットシート50の出光面50Bから出射される光としては光源35からの光も存在するので、光源35として青色光を発する光源を用い、第1の量子ドット56Aとして青色光を緑色光に変換する量子ドットを用い、第2の量子ドット56Bとして青色光を赤色光に変換する量子ドットを用いた場合には、量子ドットシート50から、青色光、緑色光、赤色光が混合した白色光を出射させることができる。   As described above, since the light emitted from the light exit surface 50B of the quantum dot sheet 50 also includes light from the light source 35, a light source that emits blue light is used as the light source 35, and blue light is used as the first quantum dot 56A. When a quantum dot that converts green light is used and a quantum dot that converts blue light to red light is used as the second quantum dot 56B, blue light, green light, and red light are mixed from the quantum dot sheet 50. White light can be emitted.

量子ドット56は、所望の狭い波長域で強い蛍光を発生することができる。このため、バックライト装置20は、色純度の優れた三原色の光で、表示パネル30を照明することができる。この場合、表示パネル30は、優れた色再現性を有することになる。   The quantum dot 56 can generate strong fluorescence in a desired narrow wavelength region. For this reason, the backlight device 20 can illuminate the display panel 30 with light of three primary colors excellent in color purity. In this case, the display panel 30 has excellent color reproducibility.

量子ドット56は、主に、約2nm以上10nm以下の半導体化合物からなるコアと、このコアと異なる半導体化合物からなるシェルとを有するコアシェル型構造を有していてもよい。シェルはコアを保護する保護層としての機能を有する。   The quantum dots 56 may have a core-shell structure mainly having a core made of a semiconductor compound having a thickness of about 2 nm to 10 nm and a shell made of a semiconductor compound different from the core. The shell functions as a protective layer that protects the core.

コアとなる材料としては、例えば、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe及びHgTeのようなII−VI族半導体化合物、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaAs、GaP、GaN、GaSb、InN、InAs、InP、InSb、TiN、TiP、TiAs及びTiSbのようなIII−V族半導体化合物、Si、Ge及びPbのようなIV族半導体、等の半導体化合物又は半導体を含有する半導体結晶が挙げられる。また、InGaPのような3元素以上を含んだ半導体化合物を含む半導体結晶を用いることもできる。これらの中もで、作製の容易性、可視域での発光を得られる粒径の制御性等の観点から、CdS、CdSe、CdTe、InP、InGaP等の半導体結晶が好適である。   Examples of the core material include MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, and HgTe. II-VI group semiconductor compounds such as AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaAs, GaP, GaN, GaSb, InN, InAs, InP, InSb, TiN, TiP, TiAs and TiSb , Semiconductor compounds such as group IV semiconductors such as Si, Ge and Pb, or semiconductor crystals containing semiconductors. Alternatively, a semiconductor crystal including a semiconductor compound containing three or more elements such as InGaP can be used. Among these, semiconductor crystals such as CdS, CdSe, CdTe, InP, and InGaP are preferable from the viewpoints of ease of fabrication, controllability of the particle size for obtaining light emission in the visible region, and the like.

シェルは、励起子がコアに閉じ込められるように、コアを形成する半導体化合物よりもバンドギャップの高い半導体化合物を用いることで、量子ドットの発光効率を高めることができる。このようなバンドギャップの大小関係を有するコアシェル構造(コア/シェル)としては、例えば、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdTe/CdS、InP/ZnS、Gap/ZnS、Si/ZnS、InN/GaN、InP/CdSSe、InP/ZnSeTe、InGaP/ZnSe、InGaP/ZnS、Si/AlP、InP/ZnSTe、InGaP/ZnSTe、InGaP/ZnSSe等が挙げられる。   The shell can increase the light emission efficiency of the quantum dots by using a semiconductor compound having a band gap higher than that of the semiconductor compound forming the core so that excitons are confined in the core. Examples of the core-shell structure (core / shell) having such a bandgap relationship include CdSe / ZnS, CdSe / ZnSe, CdSe / CdS, CdTe / CdS, InP / ZnS, Gap / ZnS, Si / ZnS, Examples include InN / GaN, InP / CdSSe, InP / ZnSeTe, InGaP / ZnSe, InGaP / ZnS, Si / AlP, InP / ZnSTe, InGaP / ZnSTe, and InGaP / ZnSSe.

量子ドット56は、シェルの外側にリガンドと呼ばれる有機ポリマーを有していてもよい。有機ポリマーは、量子ドットとバインダ樹脂との相溶性を高める機能を有しており、バインダ樹脂の種類によって適宜選択される。   The quantum dots 56 may have an organic polymer called a ligand outside the shell. The organic polymer has a function of increasing the compatibility between the quantum dots and the binder resin, and is appropriately selected depending on the type of the binder resin.

量子ドット56の形状は特に限定されず、例えば、球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。量子ドット56の粒径は、量子ドット56が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。   The shape of the quantum dot 56 is not particularly limited, and may be, for example, a spherical shape, a rod shape, a disk shape, or other shapes. When the quantum dots 56 are not spherical, the particle size of the quantum dots 56 can be a true spherical value having the same volume.

量子ドット56の粒径、形状、分散状態等の情報については、透過型電子顕微鏡(TEM)により得ることができる。また、量子ドットの結晶構造、粒径については、X線結晶回折(XRD)により知ることができる。さらには、紫外−可視(UV−Vis)吸収スペクトルによって、量子ドットの粒径等に関する情報を得ることもできる。   Information such as the particle size, shape, and dispersion state of the quantum dots 56 can be obtained by a transmission electron microscope (TEM). The crystal structure and particle size of the quantum dots can be known by X-ray crystal diffraction (XRD). Furthermore, the information regarding the particle diameter etc. of a quantum dot can also be obtained with an ultraviolet-visible (UV-Vis) absorption spectrum.

(バインダ樹脂)
バインダ樹脂57としては、特に限定されないが、光重合性化合物の重合物(架橋物)、エポキシ樹脂等の熱硬化合物の重合物(架橋物)、熱可塑性樹脂、またはシリコーン樹脂が挙げられる。光重合性化合物は、光重合性官能基を少なくとも1つ有するものである。本明細書における、「光重合性官能基」とは、光照射により重合反応し得る官能基である。光重合性官能基としては、例えば、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、アリル基等のエチレン性二重結合が挙げられる。なお、「(メタ)アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」および「メタクリロイル基」の両方を含む意味である。また、光重合性化合物を重合する際に照射される光としては、可視光線、並びに紫外線、X線、電子線、α線、β線、およびγ線のような電離放射線が挙げられる。
(Binder resin)
The binder resin 57 is not particularly limited, and examples thereof include a polymer of a photopolymerizable compound (crosslinked product), a polymer of a thermosetting compound such as an epoxy resin (crosslinked product), a thermoplastic resin, and a silicone resin. The photopolymerizable compound has at least one photopolymerizable functional group. In the present specification, the “photopolymerizable functional group” is a functional group capable of undergoing a polymerization reaction by light irradiation. Examples of the photopolymerizable functional group include ethylenic double bonds such as a (meth) acryloyl group, a vinyl group, and an allyl group. The “(meth) acryloyl group” means to include both “acryloyl group” and “methacryloyl group”. The light irradiated when polymerizing the photopolymerizable compound includes visible light and ionizing radiation such as ultraviolet rays, X-rays, electron beams, α rays, β rays, and γ rays.

光重合性化合物としては、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、または光重合性プレポリマーが挙げられ、これらを適宜調整して、用いることができる。光重合性化合物としては、光重合性モノマーと、光重合性オリゴマーまたは光重合性プレポリマーとの組み合わせが好ましい。   Examples of the photopolymerizable compound include a photopolymerizable monomer, a photopolymerizable oligomer, and a photopolymerizable prepolymer, which can be appropriately adjusted and used. As the photopolymerizable compound, a combination of a photopolymerizable monomer and a photopolymerizable oligomer or photopolymerizable prepolymer is preferable.

光重合性モノマーは、重量平均分子量が1000以下のものである。光重合性モノマーとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート等の水酸基を含むモノマーや、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸エステル類が挙げられる。   The photopolymerizable monomer has a weight average molecular weight of 1000 or less. Examples of the photopolymerizable monomer include monomers containing a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, Diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, tetramethylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolethane tri (meth) Acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol Tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, glycerol (meth) (meth) acrylic acid esters such as acrylate.

光重合性オリゴマーは、重量平均分子量が1000を超え10000以下のものである。上記光重合性オリゴマーとしては、2官能以上の多官能オリゴマーが好ましく、光重合性官能基が3つ(3官能)以上の多官能オリゴマーが好ましい。上記多官能オリゴマーとしては、例えば、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート、ポリエステル−ウレタン(メタ)アクリレート、ポリエーテル(メタ)アクリレート、ポリオール(メタ)アクリレート、メラミン(メタ)アクリレート、イソシアヌレート(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート等が挙げられる。   The photopolymerizable oligomer has a weight average molecular weight of more than 1000 and 10,000 or less. As the photopolymerizable oligomer, a polyfunctional oligomer having two or more functions is preferable, and a polyfunctional oligomer having three (trifunctional) or more photopolymerizable functional groups is preferable. Examples of the polyfunctional oligomer include polyester (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, polyester-urethane (meth) acrylate, polyether (meth) acrylate, polyol (meth) acrylate, melamine (meth) acrylate, and isocyanurate. (Meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, etc. are mentioned.

光重合性プレポリマーは、重量平均分子量が1万を超えるものであり、重量平均分子量としては1万以上8万以下が好ましく、1万以上4万以下がより好ましい。重量平均分子量が8万を超える場合は、粘度が高いため塗工適性が低下してしまい、得られる量子ドット層の外観が悪化するおそれがある。多官能プレポリマーとしては、ウレタン(メタ)アクリレート、イソシアヌレート(メタ)アクリレート、ポリエステル−ウレタン(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート等が挙げられる。   The photopolymerizable prepolymer has a weight average molecular weight exceeding 10,000, and the weight average molecular weight is preferably from 10,000 to 80,000, and more preferably from 10,000 to 40,000. When the weight average molecular weight exceeds 80,000, the viscosity is high, so that the coating suitability is lowered, and the appearance of the obtained quantum dot layer may be deteriorated. Examples of the polyfunctional prepolymer include urethane (meth) acrylate, isocyanurate (meth) acrylate, polyester-urethane (meth) acrylate, and epoxy (meth) acrylate.

<光散乱材>
光散乱材としては、量子ドット層51に進入した光の進行方向を反射や屈折等によって変化させる作用を有するものであれば特に限定されないが、例えば光散乱粒子を用いることができる。光散乱粒子としては、無機粒子が好ましく、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)粒子、酸化インジウムスズ(ITO)粒子、MgO粒子、Al粒子、TiO粒子、BaTiO粒子、Sb粒子、SiO粒子、ZrO粒子及びZnO粒子からなる群より選択される少なくとも1種であることがより好ましい。量子ドット層51にこれらの光散乱材を添加することで、量子ドット層51に進入する光の利用効率を上げ、光波長変換を促進させることが出来る。
<Light scattering material>
The light scattering material is not particularly limited as long as it has an effect of changing the traveling direction of light entering the quantum dot layer 51 by reflection or refraction, and for example, light scattering particles can be used. As the light scattering particles, inorganic particles are preferable, and antimony-doped tin oxide (ATO) particles, indium tin oxide (ITO) particles, MgO particles, Al 2 O 3 particles, TiO 2 particles, BaTiO 3 particles, Sb 2 O 5 particles. More preferably, it is at least one selected from the group consisting of SiO 2 particles, ZrO 2 particles and ZnO particles. By adding these light scattering materials to the quantum dot layer 51, the utilization efficiency of light entering the quantum dot layer 51 can be increased, and light wavelength conversion can be promoted.

<バリアフィルム>
バリアフィルム52、53は、水分や酸素等を遮断する機能を有すればよく、例えば、バリアフィルム52、53の構成材料としては、ポリエステル等の有機ポリマーまたは酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム等の酸化物等が挙げられる。ポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートが挙げられる。
<Barrier film>
The barrier films 52 and 53 only need to have a function of blocking moisture, oxygen, and the like. For example, as the constituent material of the barrier films 52 and 53, organic polymers such as polyester, silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide, and the like are used. An oxide etc. are mentioned. Examples of the polyester include polyethylene terephthalate.

バリアフィルム52、53の平均厚みは、10μm以上150μm以下であることが好ましい。バリアフィルム52、53の平均厚みがこの範囲内であれば、バリアフィルム52、53によって量子ドット56を確実に水分や酸素から保護することができ、量子ドット層51との密着強度も確保することができる。また、バリアフィルム52、53の平均厚みをこの範囲内とすることで、量子ドットシートのアッセンブリ、取扱い時における皺や折れの発生が抑えられ、かつ、ディスプレイの軽量化および薄膜化に有利となる。   The average thickness of the barrier films 52 and 53 is preferably 10 μm or more and 150 μm or less. If the average thickness of the barrier films 52 and 53 is within this range, the quantum dots 56 can be reliably protected from moisture and oxygen by the barrier films 52 and 53, and the adhesion strength with the quantum dot layer 51 can be ensured. Can do. In addition, by setting the average thickness of the barrier films 52 and 53 within this range, generation of wrinkles and creases during the assembly and handling of the quantum dot sheet can be suppressed, and it is advantageous for weight reduction and thinning of the display. .

バリアフィルム52、53の平均厚みは、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)又は走査透過型電子顕微鏡(STEM)で撮影した断面の画像を用いて算出できる。   The average thickness of the barrier films 52 and 53 can be calculated using, for example, a cross-sectional image taken with a scanning electron microscope (SEM), a transmission electron microscope (TEM), or a scanning transmission electron microscope (STEM).

バリアフィルム52、53は2層以上の多層構造であってもよい。例えば、バリアフィルム52、53は、ポリエステルからなる基材フィルムと、この基材フィルム上に設けられたバリア層とから構成されていてもよい。   The barrier films 52 and 53 may have a multilayer structure of two or more layers. For example, the barrier films 52 and 53 may be composed of a base film made of polyester and a barrier layer provided on the base film.

基材フィルムの構成材料としては、例えば、ポリエステル(例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート)、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、又は、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂が挙げられる。基材フィルムの構成材料としては、好ましくは、ポリエステル(例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート)、セルローストリアセテートの熱可塑性樹脂が挙げられる。   As a constituent material of the base film, for example, polyester (for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate), cellulose triacetate, cellulose diacetate, cellulose acetate butyrate, polyester, polyamide, polyimide, polyethersulfone, polysulfone, polypropylene, Examples thereof include thermoplastic resins such as polymethylpentene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetal, polyether ketone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, and polyurethane. The constituent material of the base film is preferably a polyester (for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate) or a cellulose triacetate thermoplastic resin.

上記基材フィルムの厚みは、特に限定されないが、10μm以上150μm以下であることが好ましい。10μm未満であると、量子ドットシートのアッセンブリ、取扱い時にシワ、折れとなるおそれがあり、また150μmを超えると、ディスプレイの軽量、薄膜化に適さなくなるおそれがある。上記基材フィルムの厚みのより好ましい下限は50μm以上、より好ましい上限は125μm以下である。   Although the thickness of the said base film is not specifically limited, It is preferable that they are 10 micrometers or more and 150 micrometers or less. If the thickness is less than 10 μm, there is a risk of wrinkling and breaking during assembly and handling of the quantum dot sheet. If the thickness exceeds 150 μm, the display may be unsuitable for light weight and thinning. The minimum with more preferable thickness of the said base film is 50 micrometers or more, and a more preferable upper limit is 125 micrometers or less.

バリア層の構成材料としては、上述したバリア性が得られるものであれば特に限定されないが、例えば、無機酸化物、金属、ゾルゲル材料等が挙げられる。具体的には、上記無機酸化物としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ホウ素、酸化カルシウム、酸化窒化炭化ケイ素等が挙げられ、上記金属としては、例えば、Ti、Al、Mg、Zr等が挙げられ、上記ゾルゲル材料としては、例えば、シロキサン系ゾルゲル材料等が挙げられる。これらの材料は、単独で用いられてもよく2種以上を組み合わせて用いられてもよい。   The constituent material of the barrier layer is not particularly limited as long as the above-described barrier properties can be obtained, and examples thereof include inorganic oxides, metals, and sol-gel materials. Specifically, examples of the inorganic oxide include silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, yttrium oxide, boron oxide, calcium oxide, silicon oxynitride carbide, and the metal includes, for example, Ti, Examples of the sol-gel material include siloxane-based sol-gel materials. These materials may be used alone or in combination of two or more.

上記バリア層の厚みは、特に限定されないが、0.01μm以上1μm以下であることが好ましい。0.01μm未満であると、バリア層のバリア性能が不充分となるおそれがあり、また1μmを超えると、バリア層のクラック等によりバリア性能の劣化が起こりやすくなるおそれがある。上記バリア層の厚みのより好ましい下限は0.03μm以上、より好ましい上限は0.5μm以下である。   The thickness of the barrier layer is not particularly limited, but is preferably 0.01 μm or more and 1 μm or less. If the thickness is less than 0.01 μm, the barrier performance of the barrier layer may be insufficient, and if it exceeds 1 μm, the barrier performance may be easily deteriorated due to cracks in the barrier layer. A more preferable lower limit of the thickness of the barrier layer is 0.03 μm or more, and a more preferable upper limit is 0.5 μm or less.

上記バリア層の厚みは、断面顕微鏡観察において、20カ所について測定したバリア層の厚みの平均値として求めることができる。また、上記バリア層は、単一の層であってもよく、複数の層が積層されたものであってもよい。上記バリア層が複数層積層されたものである場合、バリア層を構成する各層は、直接積層形成されていてもよく、貼り合わされていてもよい。   The thickness of the barrier layer can be obtained as an average value of the thickness of the barrier layer measured at 20 locations in the cross-sectional microscope observation. Further, the barrier layer may be a single layer or may be a laminate of a plurality of layers. When the barrier layer is formed by stacking a plurality of layers, each layer constituting the barrier layer may be directly stacked or bonded.

上記バリア層の下地層として、アンカー層が形成されていてもよい。これにより、バリア性や耐候性を高めることができる。アンカー層の形成材料としては、例えば、接着性樹脂、無機酸化物、有機酸化物、金属等が挙げられる。   An anchor layer may be formed as a base layer for the barrier layer. Thereby, barrier property and a weather resistance can be improved. Examples of the material for forming the anchor layer include an adhesive resin, an inorganic oxide, an organic oxide, and a metal.

<光拡散層>
光拡散層54、55は、量子ドットシート50に入射する光や量子ドットシート50から出射する光を拡散させる機能を有している。光拡散層54、55を設けることにより、量子ドットシート50における光の変換効率を高めることができる。光拡散層54、55は、光拡散粒子(図示せず)とバインダ樹脂(図示せず)とを含んでいる。
<Light diffusion layer>
The light diffusion layers 54 and 55 have a function of diffusing light incident on the quantum dot sheet 50 and light emitted from the quantum dot sheet 50. By providing the light diffusion layers 54 and 55, the light conversion efficiency in the quantum dot sheet 50 can be increased. The light diffusion layers 54 and 55 include light diffusion particles (not shown) and a binder resin (not shown).

量子ドットシート50は、例えば、以下のようにして作製することができる。まず、2枚のバリアフィルム52、53を用意し、バリアフィルム52、53の片面(例えば、バリアフィルム52、53が基材フィルムとバリア層から構成されている場合には、バリア層側の面とは反対側の面)に、光硬化性の光拡散層用組成物を塗布し、乾燥させて、光拡散層用組成物の塗膜を形成する。そして、この塗膜に、紫外線を照射して、塗膜を硬化させて、光拡散層54、55を形成し、これにより、光拡散層54付きバリアフィルム52および光拡散層55付きバリアフィルム53を形成する。次いで、一方の光拡散層54付きバリアフィルム52の光拡散層54側の面とは反対側の面に、量子ドット、光重合化合物および溶剤等を含む量子ドット層用組成物を塗布し、乾燥させて、量子ドット層用組成物の塗膜を形成する。次いで、この塗膜に光拡散層55付きバリアフィルム53の光拡散層55側の面とは反対側の面が接するように、この塗膜上に光拡層55付きバリアフィルム53を配置し、紫外線を照射して、塗膜を硬化させて、量子ドット層51を形成して、これにより、量子ドットシート50が得られる。   The quantum dot sheet 50 can be manufactured as follows, for example. First, two barrier films 52 and 53 are prepared, and one side of the barrier films 52 and 53 (for example, when the barrier films 52 and 53 are composed of a base film and a barrier layer, the surface on the barrier layer side) The light curable composition for light diffusion layer is applied to the surface opposite to the surface and dried to form a coating film of the composition for light diffusion layer. Then, the coating film is irradiated with ultraviolet rays to cure the coating film, thereby forming the light diffusion layers 54 and 55, whereby the barrier film 52 with the light diffusion layer 54 and the barrier film 53 with the light diffusion layer 55 are formed. Form. Next, a quantum dot layer composition containing quantum dots, a photopolymerization compound, a solvent, and the like is applied to the surface opposite to the light diffusion layer 54 side of the barrier film 52 with one light diffusion layer 54 and dried. To form a coating film of the quantum dot layer composition. Next, the barrier film 53 with the light expansion layer 55 is disposed on the coating film so that the surface opposite to the surface of the barrier film 53 with the light diffusion layer 55 on the light diffusion layer 55 side is in contact with the coating film, The quantum dot layer 51 is formed by irradiating ultraviolet rays to cure the coating film, whereby the quantum dot sheet 50 is obtained.

<<反射体>>
反射体60は、図6に示されるように、量子ドットシート50の出光側に量子ドットシート50の周縁部50Cの少なくとも一部に沿って配置されている。反射体60は、図6に示されるように、量子ドットシート50の周縁部50Cに沿って枠状に配置されていることが好ましい。図1に示されるバックライト装置20においては、反射体60は量子ドットシート50の出光面50Bに配置されている。ただし、反射体60が量子ドットシート50の出光面50B側に配置されていることは必須ではなく、反射体60は第3の実施形態で説明するように量子ドットシート50の入光面50A側、または量子ドットシート50の入光面50A側および出光面50B側の両方に配置されていてもよい。
<< Reflector >>
As shown in FIG. 6, the reflector 60 is disposed along at least a part of the peripheral portion 50 </ b> C of the quantum dot sheet 50 on the light output side of the quantum dot sheet 50. As shown in FIG. 6, the reflector 60 is preferably arranged in a frame shape along the peripheral edge portion 50 </ b> C of the quantum dot sheet 50. In the backlight device 20 shown in FIG. 1, the reflector 60 is disposed on the light exit surface 50 </ b> B of the quantum dot sheet 50. However, it is not essential that the reflector 60 is disposed on the light exit surface 50B side of the quantum dot sheet 50, and the reflector 60 is on the light entrance surface 50A side of the quantum dot sheet 50 as described in the third embodiment. Alternatively, the quantum dot sheet 50 may be disposed on both the light incident surface 50A side and the light emitting surface 50B side.

反射体60は、図6および図7に示されるように、表示装置の額縁領域に対応する領域R2内に配置されていることが好ましい。反射体60をこの領域R内に配置することによって、表示装置10にバックライト装置20を組み込んだときに、反射体60が視認されるのを確実に抑制できる。本明細書における表示装置の「額縁領域」とは、表示装置の表示領域の外側であり、かつ観察者には視認されない領域を意味する。   As shown in FIGS. 6 and 7, the reflector 60 is preferably arranged in a region R2 corresponding to the frame region of the display device. By disposing the reflector 60 in this region R, it is possible to reliably suppress the reflector 60 from being visually recognized when the backlight device 20 is incorporated into the display device 10. The “frame region” of the display device in this specification means a region outside the display region of the display device and not visually recognized by an observer.

この領域R2は、表示装置10の大きさにもよるが、例えば、量子ドットシート50の端から、量子ドットシート50の端から量子ドットシートの中央方向に3mm離れた位置までの領域とすることが可能である。   Depending on the size of the display device 10, the region R2 is, for example, a region from the end of the quantum dot sheet 50 to a position 3 mm away from the end of the quantum dot sheet 50 in the center direction of the quantum dot sheet. Is possible.

反射体60は、反射体60に入射する光源35からの光の少なくとも一部を反射するものである。本実施形態における反射体60は、図7に示されるように、光源35からの光L1のみならず、量子ドットにより波長変換された光L2も反射する互いに離間した複数の光反射部61から構成されている。ここで、反射体60が複数の光反射部61から構成されている場合、反射体60の形状が不明確になるおそれがあるが、反射体60の外縁は、外側に位置する光反射部61の最も外側の箇所をそれぞれ直線で繋ぐことによって得られ(図6における量子ドットシート50の縁の部分)、反射体60の内縁は、内側に位置する光反射部61の最も内側の箇所をそれぞれ直線で繋ぐことによって得られる(図6における一点鎖線の部分)。光反射部61の間には、光源35からの光L1および波長変換された光L2を透過する光透過部62が存在している。   The reflector 60 reflects at least part of the light from the light source 35 incident on the reflector 60. As shown in FIG. 7, the reflector 60 in the present embodiment includes a plurality of light reflecting portions 61 spaced apart from each other that reflect not only the light L1 from the light source 35 but also the light L2 that has been wavelength-converted by the quantum dots. Has been. Here, when the reflector 60 is composed of a plurality of light reflectors 61, the shape of the reflector 60 may become unclear, but the outer edge of the reflector 60 is located on the outside. Are obtained by connecting the outermost portions of each of the light reflecting portions with straight lines (the edge portion of the quantum dot sheet 50 in FIG. 6), and the inner edge of the reflector 60 is the innermost portion of the light reflecting portion 61 located on the inner side. It is obtained by connecting with a straight line (part indicated by a one-dot chain line in FIG. 6). Between the light reflecting portions 61, there is a light transmitting portion 62 that transmits the light L1 from the light source 35 and the wavelength-converted light L2.

図7に示されるように、反射体60よりも内側の領域においては、量子ドットシート50の出光面50Bから出射する光源35からの光L1および量子ドット56により波長変換された光L2は、レンズシート70に向けて進む。これに対し、反射体60が存在する領域においては、図7に示されるように、反射体60の光反射部61に入射する光源35からの光L1および量子ドットにより波長変換された光L2は光反射部61によって反射される。光反射部61によって反射された光源からの光L2は再び量子ドットシート50に戻されるので、これにより量子ドット56によって波長変換される機会が増える。また、光反射部61によって反射された量子ドット56により波長変換された光L2は反射を繰り返し、光反射部60が存在しない領域(光透過部62や反射体60よりも内側の領域)から出射する。一方、図7に示されるように、光透過部62に入射する光源35からの光L1および量子ドット56により波長変換された光L2は光透過部62をそのまま通過する。   As shown in FIG. 7, in the region inside the reflector 60, the light L1 emitted from the light emitting surface 50B of the quantum dot sheet 50 and the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 are Proceed toward the sheet 70. On the other hand, in the region where the reflector 60 exists, as shown in FIG. 7, the light L1 from the light source 35 incident on the light reflecting portion 61 of the reflector 60 and the light L2 wavelength-converted by the quantum dots are Reflected by the light reflecting portion 61. Since the light L2 from the light source reflected by the light reflecting portion 61 is returned again to the quantum dot sheet 50, this increases the chance of wavelength conversion by the quantum dots 56. Further, the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 reflected by the light reflecting portion 61 is repeatedly reflected and emitted from a region where the light reflecting portion 60 does not exist (a region inside the light transmitting portion 62 and the reflector 60). To do. On the other hand, as shown in FIG. 7, the light L1 from the light source 35 incident on the light transmission unit 62 and the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 pass through the light transmission unit 62 as they are.

光源35として青色光を発する光源を用い、量子ドット56として青色光を緑色光に波長変換する量子ドットと、青色光を赤色光に波長変換する量子ドットとを用い、光反射部として、青色光、緑色光および赤色光を反射する光反射部を用いた場合には、光反射部に入射した光源からの青色光および量子ドットにより波長変換された緑色光および赤色光は光反射部によって反射される。光反射部によって反射された青色光は再び量子ドットシートに戻されるので、これにより量子ドットによって波長変換される機会が増える。また、光反射部によって反射された緑色光および赤色光は反射を繰り返し、光反射部が存在しない領域(光透過部や反射体よりも内側の領域)から出射する。一方、光透過部間の光透過部に入射した青色光、緑色光、および赤色光は光透過部をそのまま通過する。   A light source that emits blue light is used as the light source 35, a quantum dot that converts the wavelength of blue light into green light as the quantum dot 56, and a quantum dot that converts the wavelength of blue light into red light, and blue light as the light reflecting portion. When a light reflecting part that reflects green light and red light is used, blue light from the light source incident on the light reflecting part and green light and red light converted by the quantum dot are reflected by the light reflecting part. The Since the blue light reflected by the light reflecting portion is returned again to the quantum dot sheet, this increases the chance of wavelength conversion by the quantum dots. Further, the green light and the red light reflected by the light reflecting portion are repeatedly reflected and emitted from a region where there is no light reflecting portion (a region inside the light transmitting portion or the reflector). On the other hand, the blue light, the green light, and the red light incident on the light transmissive portions between the light transmissive portions pass through the light transmissive portions as they are.

<光反射部>
光反射部61は、例えば、図6に示されるように、量子ドットシート50の周縁部50Cに沿って列状に配置されてもよい。光反射部61は互いに離間しているが、光反射部61を互いに離間させることによって、空隙である光透過部62から光源35からの光L1および量子ドット56により波長変換された光L2を透過させることができるとともに、光反射部61が目立たなくなる。
<Light reflection part>
For example, as shown in FIG. 6, the light reflecting portions 61 may be arranged in a line along the peripheral edge portion 50 </ b> C of the quantum dot sheet 50. Although the light reflecting portions 61 are separated from each other, by separating the light reflecting portions 61 from each other, the light L1 from the light source 35 and the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 are transmitted from the light transmitting portion 62 that is a gap. And the light reflecting portion 61 becomes inconspicuous.

光反射部61の形状としては、例えば、円形や四角形が挙げられる。また、均一な外観を得る観点から、各光反射部が円形の場合には光反射部の直径は0.1mm以上0.5mm以下であることが好ましく、また各光反射部が四角形の場合には光反射部の1辺の長さは0.1mm以上0.5mm以下であることが好ましい。   Examples of the shape of the light reflecting portion 61 include a circle and a quadrangle. Further, from the viewpoint of obtaining a uniform appearance, when each light reflecting portion is circular, the diameter of the light reflecting portion is preferably 0.1 mm or more and 0.5 mm or less, and when each light reflecting portion is a quadrangle, The length of one side of the light reflecting portion is preferably 0.1 mm or more and 0.5 mm or less.

光反射部61としては、光源35からの光L1の少なくとも一部を反射することができれば特に限定されないが、光反射部61による色変化を防止する観点から、白色の光反射部が好ましい。光反射部61は印刷によって形成することができる。光反射部61に用いられる材料としては、雲母を酸化チタンや酸化鉄等の金属酸化物で被覆したパール顔料、炭酸カルシウム、酸化亜鉛等が挙げられる。これらの中でも、反射特性の観点から、パール顔料が好ましい。   The light reflecting portion 61 is not particularly limited as long as at least a part of the light L1 from the light source 35 can be reflected. However, from the viewpoint of preventing a color change by the light reflecting portion 61, a white light reflecting portion is preferable. The light reflecting portion 61 can be formed by printing. Examples of the material used for the light reflecting portion 61 include pearl pigments in which mica is coated with a metal oxide such as titanium oxide and iron oxide, calcium carbonate, and zinc oxide. Among these, pearl pigments are preferable from the viewpoint of reflection characteristics.

<<光透過部>>
光透過部62は、光反射部61間に位置している。図6および図7に示される光透過部62は光反射部61間の空隙である。図6および図7に示される光透過部62は、光反射部61間の空隙であるが、空隙に限らず、光源35からの光L1および量子ドット56により波長変換された光L2を透過させることができれば、透明樹脂等であってもよい。
<< light transmission part >>
The light transmission part 62 is located between the light reflection parts 61. The light transmission part 62 shown in FIGS. 6 and 7 is a gap between the light reflection parts 61. 6 and FIG. 7 is a space between the light reflecting portions 61, but is not limited to the space, and transmits light L1 from the light source 35 and light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56. If possible, it may be a transparent resin or the like.

<<レンズシート>>
レンズシート70、75は、図8および図9に示されるように、入射した光L3の進行方向を変化させて出光側から出射させて、正面方向の輝度を集中的に向上させる機能(集光機能)とともに、入射した光L4を反射させて、量子ドットシート50側に戻す機能(再帰反射機能)を有する。レンズシ−トのレンズ形状は三角柱状であってもよいし、波状や例えば半球状のような椀状であってもよい。本実施形態では、レンズシートとして、レンズ形状が三角形状となったレンズシートについて説明する。なお、レンズムシート70、75は、配置が異なるだけであって、互いに同様の構成を有することができる。したがって、レンズシートについて共通する説明については、符号「70、75」を用いて説明する。以下、各構成要素の構成について説明する。
<< Lens sheet >>
As shown in FIGS. 8 and 9, the lens sheets 70 and 75 change the traveling direction of the incident light L <b> 3 and emit it from the light output side, thereby improving the luminance in the front direction intensively (light collection). Function) and the function of reflecting incident light L4 and returning it to the quantum dot sheet 50 side (retroreflection function). The lens shape of the lens sheet may be a triangular prism shape, or a wavy shape or, for example, a hemispherical bowl shape. In the present embodiment, a lens sheet having a triangular lens shape will be described as a lens sheet. Note that the lenticular sheets 70 and 75 are different in arrangement and can have the same configuration. Therefore, the description common to the lens sheet will be described using reference numerals “70, 75”. Hereinafter, the configuration of each component will be described.

レンズシート70、75は、シート状の本体部71と、本体部71の出光側に並べて配置された複数の単位レンズ72とを備えている。   The lens sheets 70 and 75 include a sheet-like main body 71 and a plurality of unit lenses 72 arranged side by side on the light output side of the main body 71.

本体部71は、単位レンズ72を支持するシート状部材として機能する。図8に示されるように、本体部71の出光側面71A上には、単位レンズ72が隙間をあけることなく並べられている。したがって、レンズシート70、75の出光面は、単位レンズ72のレンズ面72Aによって形成されている。その一方で、図9に示すように、本実施の形態において、本体部71は、出光側面71Aに対向する入光側面71Bとして、レンズシート70、75の入光側面をなす平滑な面を有している。   The main body 71 functions as a sheet-like member that supports the unit lens 72. As shown in FIG. 8, the unit lenses 72 are arranged on the light exit side surface 71 </ b> A of the main body 71 without leaving a gap. Therefore, the light exit surfaces of the lens sheets 70 and 75 are formed by the lens surface 72 A of the unit lens 72. On the other hand, as shown in FIG. 9, in the present embodiment, the main body 71 has a smooth surface that forms the light incident side surface of the lens sheets 70 and 75 as the light incident side surface 71B that faces the light emitting side surface 71A. doing.

単位レンズ72は、本体部71の出光側面71A上に並べて配列されている。図9に示されるように単位レンズ72は、単位レンズ72の配列方向Aと交差する方向に線状、とりわけ本実施の形態においては直線状に、延びている。また本実施の形態において、一つのレンズシート70、75に含まれる多数の単位レンズ72は、互いに平行に延びている。また、レンズシート70、75の単位レンズ72の長手方向Lは、レンズシート70、75における単位レンズ72の配列方向Aと直交している。   The unit lenses 72 are arranged side by side on the light exit side surface 71A of the main body 71. As shown in FIG. 9, the unit lenses 72 extend linearly in the direction intersecting with the arrangement direction A of the unit lenses 72, particularly linearly in the present embodiment. In the present embodiment, a large number of unit lenses 72 included in one lens sheet 70, 75 extend in parallel to each other. Further, the longitudinal direction L of the unit lenses 72 of the lens sheets 70 and 75 is orthogonal to the arrangement direction A of the unit lenses 72 in the lens sheets 70 and 75.

図1から理解され得るように、レンズシート70の単位レンズ72の配列方向とレンズシート75の単位レンズ72の配列方向とは交差、さらに限定的には直交している。   As can be understood from FIG. 1, the arrangement direction of the unit lenses 72 of the lens sheet 70 and the arrangement direction of the unit lenses 72 of the lens sheet 75 intersect, and more specifically, are orthogonal to each other.

単位レンズ72は、出光側に向けて幅が狭くなる三角柱状となっている。したがって、本体部72のシート面の法線方向Nおよび単位レンズ72の配列方向Aの両方に平行な断面(レンズシートの主切断面とも呼ぶ)の形状は、出光側に突出する三角形形状となっている。とりわけ、正面方向輝度を集中的に向上させるという観点から、主切断面における単位レンズ72の断面形状は二等辺三角形形状であるとともに、等辺の間に位置する頂角が本体部71の出光側面71Aから出光側に突出するように、各単位レンズ72が構成されている。   The unit lens 72 has a triangular prism shape whose width becomes narrower toward the light output side. Accordingly, the shape of the cross section (also referred to as the main cutting surface of the lens sheet) parallel to both the normal direction N of the sheet surface of the main body 72 and the arrangement direction A of the unit lenses 72 is a triangular shape protruding to the light output side. ing. In particular, from the viewpoint of intensively improving the luminance in the front direction, the cross-sectional shape of the unit lens 72 in the main cut surface is an isosceles triangle shape, and the apex angle located between the equilateral sides is the light exit side surface 71A of the main body 71. Each unit lens 72 is configured to project from the light to the light exit side.

単位レンズ72は、レンズシート70、75の再帰反射機能を向上させる観点から、80°以上100°以下の頂角を有することが好ましく、約90°の頂角を有することがより好ましい。   From the viewpoint of improving the retroreflective function of the lens sheets 70 and 75, the unit lens 72 preferably has an apex angle of 80 ° or more and 100 ° or less, and more preferably has an apex angle of about 90 °.

レンズシート70、75の寸法は、一例として、以下のように設定され得る。まず、単位レンズ72の具体例として、単位レンズ72の配列ピッチ(図示された例では、単位レンズ72の幅に相当)を10μm以上200μm以下とすることができる。ただし、昨今においては、単位レンズ72の配列の高精細化が急速に進んでおり、単位レンズ72の配列ピッチを10μm以上50μm以下とすることが好ましい。また、レンズシート70、75のシート面への法線方向Nに沿った本体部71からの単位レンズ72の突出高さを5μm以上100μm以下とすることができる。さらに、単位レンズ72の頂角θを60°以上120°以下とすることができる。   As an example, the dimensions of the lens sheets 70 and 75 can be set as follows. First, as a specific example of the unit lenses 72, the arrangement pitch of the unit lenses 72 (corresponding to the width of the unit lenses 72 in the illustrated example) can be set to 10 μm or more and 200 μm or less. However, in recent years, the definition of the arrangement of the unit lenses 72 is rapidly increasing, and the arrangement pitch of the unit lenses 72 is preferably set to 10 μm or more and 50 μm or less. Moreover, the protrusion height of the unit lens 72 from the main body 71 along the normal direction N to the sheet surface of the lens sheets 70 and 75 can be set to 5 μm or more and 100 μm or less. Further, the apex angle θ of the unit lens 72 can be set to 60 ° or more and 120 ° or less.

レンズシート70、75は、基材上に単位レンズ72を賦型することにより、または、押し出し成型により、作製することができる。本体部71及び単位レンズ72の構成材料としては、種々の材料を使用することができる。ただし、表示装置に組み込まれる光学シート用の材料として広く使用され、優れた機械的特性、光学特性、安定性および加工性等を有するとともに安価に入手可能な材料、例えば、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル等の一以上を主成分とする透明樹脂や、エポキシアクリレートやウレタンアクリレート系の光重合性化合物が好適に使用され得る。   The lens sheets 70 and 75 can be manufactured by molding the unit lens 72 on a base material or by extrusion molding. As a constituent material of the main body 71 and the unit lens 72, various materials can be used. However, it is widely used as a material for an optical sheet incorporated in a display device, and has excellent mechanical properties, optical properties, stability, workability, etc., and can be obtained at low cost, such as acrylic resin, polystyrene, polycarbonate, etc. A transparent resin mainly composed of one or more of polyethylene terephthalate, polyacrylonitrile, etc., and an epoxy acrylate or urethane acrylate photopolymerizable compound can be suitably used.

光重合性化合物を基材上に硬化させることによってレンズシート70、75を作製する場合、単位レンズ72とともに、単位レンズ72と基材との間に位置するようになるシート状のランド部を、基材上に形成するようにしてもよい。この場合、本体部71は、基材と光重合性化合物の硬化物によって形成されたランド部とから構成されるようになる。一方、押し出し成型で作製されたレンズシート70、75においては、本体部71と、本体部71の出光側面71A上の複数の単位レンズ72と、が一体的に形成され得る。   When producing the lens sheets 70 and 75 by curing the photopolymerizable compound on the substrate, together with the unit lens 72, a sheet-like land portion that is positioned between the unit lens 72 and the substrate, You may make it form on a base material. In this case, the main body 71 is composed of a base and a land formed by a cured product of a photopolymerizable compound. On the other hand, in the lens sheets 70 and 75 manufactured by extrusion molding, the main body 71 and the plurality of unit lenses 72 on the light exit side surface 71A of the main body 71 can be integrally formed.

<<反射型偏光分離シート>>
反射型偏光分離シート80は、図10に示されるように、レンズシート75から出射される光のうち、第1の直線偏光成分(例えば、P偏光)L5のみを透過し、かつ第1の偏光成分L5と直交する第2の直線偏光成分(例えば、S偏光)L6を吸収せずに反射する機能を有する。反射型偏光分離シート80で反射された第2の直線偏光成分L6は反射シート90等によって反射され、偏光が解消された状態(第1の直線偏光成分L5と第2の直線偏光成分L6とを両方含んだ状態)で、再度、反射型偏光分離シート80に入射する。よって、反射型偏光分離シート80は再度入射する光のうち第1の直線偏光成分L5を透過し、第1の直線偏光成分L5と直交する第2の直線偏光成分L6は再度反射される。以下、同上の過程を繰り返す事により、当初レンズシート75から出光した光の70〜80%程度が第1の直線偏光成分L5となった光源光として出光される。従って、反射型偏光分離シート80の第1の直線偏光成分(透過軸成分)L5の偏光方向と表示パネル30の偏光板31の透過軸方向とを一致させることにより、バックライト装置20からの出射光は全て表示パネル30で画像形成に利用可能となる。したがって、光源35から投入される光エネルギーが同じであっても、反射型偏光分離シート80を未配置の場合に比べて、より高輝度の画像形成が可能となり、又光源35エネルギー利用効率も向上する。とりわけ、反射型偏光分離シート80で反射された光は、量子ドットシート50の量子ドット56で波長変換され得る。したがって、反射型偏光分離シート80を配置することによって、量子ドットシート50の変換効率がさらに上昇させることができる。したがって、更なる光源光の利用効率の改善を期待することができる。
<< Reflection type polarization separation sheet >>
As shown in FIG. 10, the reflective polarization separation sheet 80 transmits only the first linearly polarized light component (for example, P-polarized light) L5 out of the light emitted from the lens sheet 75, and the first polarized light. The second linearly polarized light component (for example, S-polarized light) L6 orthogonal to the component L5 has a function of reflecting without absorbing it. The second linearly polarized light component L6 reflected by the reflective polarization separation sheet 80 is reflected by the reflective sheet 90 and the like, and the polarization is canceled (the first linearly polarized light component L5 and the second linearly polarized light component L6 are reflected). In a state in which both are included, the light again enters the reflective polarization separation sheet 80. Therefore, the reflective polarization separating sheet 80 transmits the first linearly polarized light component L5 out of the incident light again, and the second linearly polarized light component L6 orthogonal to the first linearly polarized light component L5 is reflected again. Hereinafter, by repeating the above process, about 70 to 80% of the light emitted from the lens sheet 75 at the beginning is emitted as the light source light that has become the first linearly polarized light component L5. Therefore, by making the polarization direction of the first linearly polarized light component (transmission axis component) L5 of the reflective polarization separation sheet 80 coincide with the transmission axis direction of the polarizing plate 31 of the display panel 30, the light is emitted from the backlight device 20. All the incident light can be used for image formation on the display panel 30. Therefore, even when the light energy input from the light source 35 is the same, it is possible to form an image with higher brightness than in the case where the reflective polarization separation sheet 80 is not disposed, and the energy utilization efficiency of the light source 35 is improved. To do. In particular, the light reflected by the reflective polarization separation sheet 80 can be wavelength-converted by the quantum dots 56 of the quantum dot sheet 50. Therefore, the conversion efficiency of the quantum dot sheet 50 can be further increased by arranging the reflective polarization separation sheet 80. Therefore, further improvement in the utilization efficiency of the light source light can be expected.

反射型偏光分離シート80としては、3M社から入手可能な「DBEF」(登録商標)を用いることができる。また、「DBEF」以外にも、Shinwha Intertek社から入手可能な高輝度偏光シート「WRPS」やワイヤーグリッド偏光子等を、反射型偏光分離シート80として用いることができる。   As the reflective polarization separation sheet 80, “DBEF” (registered trademark) available from 3M Company can be used. In addition to “DBEF”, a high-intensity polarizing sheet “WRPS” or a wire grid polarizer available from Shinwha Intertek can be used as the reflective polarization separating sheet 80.

<<反射シート>>
反射シート90は、導光板40の裏面40Bから漏れ出した光を反射して、再び導光板40内に入射させる機能を有する。反射シート90は、白色の散乱反射シート、金属等の高い反射率を有する材料からなるシート、高い反射率を有する材料からなる薄膜(例えば金属薄膜)を表面層として含んだシート等から、構成され得る。反射シート90での反射は、正反射(鏡面反射)でもよく、拡散反射でもよい。反射シート90での反射が拡散反射の場合には、当該拡散反射は、等方性拡散反射であってもよいし、異方性拡散反射であってもよい。
<< Reflective sheet >>
The reflection sheet 90 has a function of reflecting light leaking from the back surface 40 </ b> B of the light guide plate 40 and entering the light guide plate 40 again. The reflection sheet 90 includes a white scattering reflection sheet, a sheet made of a material having a high reflectance such as metal, a sheet containing a thin film (for example, a metal thin film) made of a material having a high reflectance as a surface layer, and the like. obtain. The reflection on the reflection sheet 90 may be regular reflection (specular reflection) or diffuse reflection. When the reflection on the reflection sheet 90 is diffuse reflection, the diffuse reflection may be isotropic diffuse reflection or anisotropic diffuse reflection.

本実施形態においては、量子ドットシート50の出光面50B側に、量子ドットシート50の周縁部50Cの少なくとも一部に沿って配置され、光源35からの光L1および量子ドット56により波長変換された光L2を反射する互いに離間した複数の光反射部61から構成された反射体60と、光反射部61間に位置し、光源35からの光L1および波長変換された光L2を透過する光透過部62を設けているので、発光時において発光領域R1の周縁部Pの色味が中央部Cの色味に比べて際立つことを抑制できる。すなわち、発光時において発光領域R1の周縁部Pの色味が中央部の色味に比べて際立ってしまうのは、以下が原因であると考えられる。まず、光源からの光は導光板によって出光側に進む光となるので、量子ドットシートの周縁部から出光側に向けて出射する。これに対して、量子ドットはnmサイズの粒子であるため等方的に発光するので、量子ドットにより波長変換された光は様々な方向を向いた光となっている。このため、光源からの光よりも量子ドットにより波長変換された光は量子ドットシートの周縁部から漏れやすい。なお、量子ドットシートの代わりに蛍光体シートを用いた場合には、蛍光シートに含まれる蛍光体はμmサイズであり、量子ドットよりも極めて大きいので、蛍光体シートにおいては、入射する光源からの光の進行方向前方への発光が強くなる。したがって、蛍光体によって波長変換された光の多くが光源からの光の進行方向前方へ向かって進行することとなり、蛍光体シートの周縁部から漏れる光は、量子ドットシートの周縁部から漏れる光に比べて少ない。したがって、波長変換された光が量子ドットシートの周縁部から漏れやすいという問題は、量子ドットシートを用いたことにより生じた特有の問題である。また、通常、量子ドットシートの端面は露出しているので、量子ドットシートの周縁部付近の量子ドットは劣化してしまい、変換効率が低下しやすい。この2つのことが原因で、発光領域の周縁部においては光源からの光の色味が強くなり、これにより、発光時において発光領域の周縁部の色味が発光領域の中央部の色味に比べて際立ってしまうと考えられる。これに対し、本実施形態においては、量子ドットシート50の出光面50B側に光源35からの光L1および量子ドットにより波長変換された光L2を反射する互いに離間した複数の光反射部61から構成された反射体60を量子ドットシート50の周縁部50Cに沿って配置し、反射体60によって反射体60入射する光源35からの光L1および量子ドット56により波長変換された光L2を反射している。したがって、反射体60によって反射された光源からの光L1は、再び、量子ドットシート50に戻されるので、量子ドット56によって波長変換される機会が増大する。これにより、発光領域R1の周縁部Pにおいて、光源35からの光L1の量を低減できるとともに、量子ドット56により波長変換された光L2の量を増大させることができる。また、光反射部61間には光源35からの光L1および波長変換された光L2を透過する光透過部62を設けているので、発光領域R1の周縁部Pにおける光源35からの光L1が弱くなり過ぎることもない。これにより、発光時において発光領域R1の周縁部Pの色味が中央部Cの色味に比べて際立つことを抑制できる。   In the present embodiment, the quantum dot sheet 50 is disposed on the light exit surface 50B side along at least a part of the peripheral portion 50C of the quantum dot sheet 50 and wavelength-converted by the light L1 from the light source 35 and the quantum dots 56. Light transmission that is positioned between the light reflector 61 and a reflector 60 that includes a plurality of light reflectors 61 that are spaced apart from each other to reflect the light L2, and that transmits the light L1 from the light source 35 and the wavelength-converted light L2. Since the part 62 is provided, it can suppress that the color of the peripheral part P of light emission area | region R1 stands out compared with the color of the center part C at the time of light emission. That is, the reason why the color of the peripheral portion P of the light emitting region R1 becomes more prominent than the color of the central portion during light emission is considered to be due to the following. First, since the light from the light source becomes light that travels toward the light output side by the light guide plate, the light is emitted from the peripheral edge of the quantum dot sheet toward the light output side. On the other hand, since the quantum dot is an nm-size particle and emits isotropically, the light subjected to wavelength conversion by the quantum dot is light directed in various directions. For this reason, the light wavelength-converted by the quantum dots is more likely to leak from the peripheral edge of the quantum dot sheet than the light from the light source. In addition, when a phosphor sheet is used instead of the quantum dot sheet, the phosphor contained in the phosphor sheet is μm-sized and extremely larger than the quantum dot. Light emission forward in the light traveling direction becomes stronger. Therefore, most of the light wavelength-converted by the phosphor travels forward in the light traveling direction from the light source, and the light leaking from the peripheral edge of the phosphor sheet becomes light leaking from the peripheral edge of the quantum dot sheet. There are few compared. Therefore, the problem that the wavelength-converted light easily leaks from the peripheral edge of the quantum dot sheet is a specific problem caused by using the quantum dot sheet. Further, since the end face of the quantum dot sheet is usually exposed, the quantum dots near the peripheral edge of the quantum dot sheet are deteriorated, and the conversion efficiency tends to be lowered. For these two reasons, the color of the light from the light source becomes strong at the peripheral part of the light emitting region, so that the color of the peripheral part of the light emitting region becomes the color of the central part of the light emitting region during light emission. It is thought that it will stand out in comparison. On the other hand, in the present embodiment, the light emitting surface 50B side of the quantum dot sheet 50 includes a plurality of light reflecting portions 61 spaced apart from each other that reflect the light L1 from the light source 35 and the light L2 wavelength-converted by the quantum dots. The reflected reflector 60 is disposed along the peripheral edge portion 50C of the quantum dot sheet 50, and the reflector 60 reflects the light L1 from the light source 35 incident on the reflector 60 and the light L2 wavelength-converted by the quantum dot 56. Yes. Therefore, since the light L1 from the light source reflected by the reflector 60 is returned to the quantum dot sheet 50 again, the opportunity of wavelength conversion by the quantum dots 56 increases. Thereby, in the peripheral part P of light emission area | region R1, while the quantity of the light L1 from the light source 35 can be reduced, the quantity of the light L2 wavelength-converted by the quantum dot 56 can be increased. Moreover, since the light transmission part 62 which permeate | transmits the light L1 from the light source 35 and the wavelength-converted light L2 is provided between the light reflection parts 61, the light L1 from the light source 35 in the peripheral part P of light emission area | region R1 is received. It won't be too weak. Thereby, it can suppress that the color of the peripheral part P of light emission area | region R1 stands out compared with the color of the center part C at the time of light emission.

〔第2の実施形態〕
以下、本発明の第2の実施形態に係るバックライト装置および表示装置について、図面を参照しながら説明する。図11は本実施形態に係るバックライト装置を含む表示装置の概略構成図であり、図12は図12図11に示されるバックライト装置を上方から平面視した図であり、図13は本実施形態に係る反射体および量子ドットシートを反射体側から平面視した図であり、図14は図13の反射体および量子ドットシートのIII−III線に沿った断面図である。なお、本実施形態において、第1の実施形態で説明した部材と同じ部材については、同じ符号が付してあるとともに、説明を省略するものとする。
[Second Embodiment]
Hereinafter, a backlight device and a display device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 11 is a schematic configuration diagram of a display device including the backlight device according to the present embodiment, FIG. 12 is a plan view of the backlight device shown in FIG. 12 and FIG. 11, and FIG. It is the figure which planarly viewed the reflector and quantum dot sheet which concern on a form from the reflector side, and FIG. 14 is sectional drawing along the III-III line | wire of the reflector and quantum dot sheet | seat of FIG. In the present embodiment, the same members as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図11に示される表示装置120は、バックライト装置130と、バックライト装置130の出光側に配置された表示パネル30とを備えている。図11に示されるバックライト装置130は、第1の実施形態と同様に、光源35と、光源35の側方に配置された導光板40と、導光板40の出光側に配置された量子ドットシート50、量子ドットシート50の出光面50B側に配置された反射体140と、量子ドットシート50の出光面50B側に配置されたレンズシート70、レンズシート70の出光側に配置されたレンズシート75と、レンズシート75の出光側に配置された反射型偏光分離シート80と、導光板40の出光側とは反対側に配置された反射シート90とを備えているが、反射体140が第1の実施形態で説明した反射体60とは異なる。   A display device 120 shown in FIG. 11 includes a backlight device 130 and a display panel 30 disposed on the light output side of the backlight device 130. As in the first embodiment, the backlight device 130 shown in FIG. 11 includes a light source 35, a light guide plate 40 disposed on the side of the light source 35, and quantum dots disposed on the light output side of the light guide plate 40. Sheet 50, reflector 140 disposed on the light exit surface 50B side of the quantum dot sheet 50, lens sheet 70 disposed on the light exit surface 50B side of the quantum dot sheet 50, and lens sheet disposed on the light exit side of the lens sheet 70 75, a reflective polarization separating sheet 80 disposed on the light output side of the lens sheet 75, and a reflective sheet 90 disposed on the opposite side of the light guide plate 40 from the light output side. This is different from the reflector 60 described in the first embodiment.

<<反射体>>
反射体140は、図11〜図13に示されるように、量子ドットシート50の出光面50B側に量子ドットシート50の周縁部50Cの少なくとも一部に沿って配置されている。反射体140は、図13に示されるように、量子ドットシート50の周縁部50Aに沿って枠状に配置されていることが好ましい。図11に示される反射体140は量子ドットシート50の出光面50Bに配置されている。ただし、反射体140が量子ドットシート50の出光面50B側に配置されていることは必須ではなく、反射体140は第4の実施形態で説明するように量子ドットシート50の入光面50A側、または量子ドットシート50の入光面50A側および出光面50B側の両方に配置されていてもよい。
<< Reflector >>
As illustrated in FIGS. 11 to 13, the reflector 140 is disposed on the light exit surface 50 </ b> B side of the quantum dot sheet 50 along at least a part of the peripheral portion 50 </ b> C of the quantum dot sheet 50. As shown in FIG. 13, the reflector 140 is preferably arranged in a frame shape along the peripheral edge 50 </ b> A of the quantum dot sheet 50. The reflector 140 shown in FIG. 11 is disposed on the light exit surface 50 </ b> B of the quantum dot sheet 50. However, it is not essential that the reflector 140 is disposed on the light exit surface 50B side of the quantum dot sheet 50, and the reflector 140 is on the light incident surface 50A side of the quantum dot sheet 50 as described in the fourth embodiment. Alternatively, the quantum dot sheet 50 may be disposed on both the light incident surface 50A side and the light emitting surface 50B side.

反射体140は、反射体140に入射する光源35からの光の一部L1を反射するものである。本実施形態における反射体140は、図14に示されるように光源35からの光L1の一部を反射させ、光源からの光L1の一部の光を透過させ、かつ量子ドット56により波長変換された光L2の少なくとも一部を透過させる機能を有するものである。   The reflector 140 reflects a part L1 of the light from the light source 35 incident on the reflector 140. The reflector 140 in the present embodiment reflects a part of the light L1 from the light source 35, transmits a part of the light L1 from the light source, and converts the wavelength by the quantum dots 56 as shown in FIG. It has a function of transmitting at least a part of the emitted light L2.

反射体140は、量子ドット56により波長変換された光の反射率よりも光源からの光の反射率が高くなっている。すなわち、反射体140は、量子ドット56により波長変換された光L2の透過率よりも光源35からの光L1の透過率が低くなっている。   The reflector 140 has a higher reflectance of light from the light source than the reflectance of light whose wavelength has been converted by the quantum dots 56. That is, the reflector 140 has a lower transmittance of the light L1 from the light source 35 than the transmittance of the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56.

図14に示されるように、反射体140に入射した光源35からの光L1の一部は反射され、一部は透過する。反射体140によって反射された光源35からの光L1は再び量子ドットシート50に戻されるので、これにより量子ドット56によって波長変換される機会が増える。一方、図14に示されるように、反射体120に入射した量子ドット56により波長変換された光L2は、反射体140によって一部は反射されることはあるが、反射体140は量子ドット56により波長変換された光L2の反射率よりも光源35からの光L1の反射率が高くなっているので、反射体140に入射した波長変換された光L2は光源35からの光L1よりも透過する。   As shown in FIG. 14, a part of the light L1 from the light source 35 incident on the reflector 140 is reflected and a part thereof is transmitted. Since the light L1 from the light source 35 reflected by the reflector 140 is returned again to the quantum dot sheet 50, this increases the chance of wavelength conversion by the quantum dots 56. On the other hand, as shown in FIG. 14, the light L2 that has been wavelength-converted by the quantum dots 56 incident on the reflector 120 may be partially reflected by the reflector 140, but the reflector 140 may be reflected by the quantum dots 56. Since the reflectance of the light L1 from the light source 35 is higher than the reflectance of the light L2 wavelength-converted by the wavelength L2, the wavelength-converted light L2 incident on the reflector 140 is transmitted more than the light L1 from the light source 35. To do.

光源35として青色光を発する光源を用い、量子ドット56として青色光を緑色光に波長変換する量子ドットと、青色光を赤色光に波長変換する量子ドットとを用いた場合には、反射体に入射した光源からの青色光の一部は反射され、一部は透過する。反射体によって反射された青色光は再度量子ドットシートに戻されるので、これにより量子ドットによって波長変換される機会が増える。一方、反射体は緑色光や赤色光の反射率よりも青色光の反射率が高いので、反射体に入射した緑色光および赤色光は青色光より透過する。   When a light source that emits blue light is used as the light source 35 and a quantum dot that converts the wavelength of blue light into green light and a quantum dot that converts the wavelength of blue light into red light are used as the quantum dots 56, Part of the blue light from the incident light source is reflected and part is transmitted. Since the blue light reflected by the reflector is returned again to the quantum dot sheet, this increases the chance of wavelength conversion by the quantum dots. On the other hand, since the reflectance of the blue light is higher than that of the green light and the red light, the green light and the red light incident on the reflector are transmitted through the blue light.

反射体60としては、バンドパスフィルタを用いることができる。このようなバンドバスフィルタは、例えば、誘電体多層膜から構成することが可能である。バンドパスフィルタとしては、例えば、珪素窒化物(SiN)層と珪素酸化物(SiO)層を順次的に積層し、最上層と最下層に配置された層が同一の物質になるように2n+1個の層に積層されているものを用いることができる。この場合、珪素窒化物の屈折率は約1.85であり、珪素酸化物の屈折率は約1.5であるので、薄膜の厚さを調節することによって、バンドパスフィルタを形成することができる。なお、上記SiNのxは1以上1.3以下の値をとる。 A band pass filter can be used as the reflector 60. Such a band-pass filter can be composed of, for example, a dielectric multilayer film. As the band-pass filter, for example, a silicon nitride (SiN x ) layer and a silicon oxide (SiO 2 ) layer are sequentially laminated so that the uppermost layer and the lowermost layer are made of the same material. Those stacked in 2n + 1 layers can be used. In this case, since the refractive index of silicon nitride is about 1.85 and the refractive index of silicon oxide is about 1.5, a bandpass filter can be formed by adjusting the thickness of the thin film. it can. Note that x of the SiN x takes a value of 1 or more and 1.3 or less.

反射体140は、発光時における発光領域R1の周縁部Pと発光領域R1の中央部との色味の差を低下させる観点から、光源35からの光L1の反射率が30%以上90%以下となり、かつ量子ドット56により波長変換された光L2の反射率が10%以下となるように構成されていることが好ましい。   The reflector 140 has a reflectance of the light L1 from the light source 35 of 30% or more and 90% or less from the viewpoint of reducing the color difference between the peripheral portion P of the light emitting region R1 and the central portion of the light emitting region R1 during light emission. And the reflectance of the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 is preferably 10% or less.

反射体140は、図13および図14に示されるように、表示装置の額縁領域に対応する領域R2内に配置されていることが好ましい。反射体140をこの領域R2内に配置することによって、表示装置120にバックライト装置130を組み込んだときに、反射体140が視認されるのを確実に抑制できる。   As shown in FIGS. 13 and 14, the reflector 140 is preferably arranged in a region R2 corresponding to the frame region of the display device. By disposing the reflector 140 in the region R2, it is possible to reliably suppress the reflector 140 from being visually recognized when the backlight device 130 is incorporated into the display device 120.

本実施形態においては、量子ドットシート50の出光面50B側に、量子ドットシート50の周縁部50Aの少なくとも一部に沿って配置され、光源35からの光L1の反射率よりも量子ドット56により波長変換された光L2の反射率が高い反射体140を設けているので、図12に示される発光領域R1の周縁部Pにおいて、光源35からの光L1の量を低減できるとともに量子ドット56により波長変換された光L2の量を増大させることができる。これにより、発光時において発光領域R1の周縁部Pの色味が中央部Cの色味に比べて際立つことを抑制できる。   In the present embodiment, the quantum dot sheet 50 is disposed on the light exit surface 50B side along at least a part of the peripheral portion 50A of the quantum dot sheet 50, and the quantum dot 56 is more reflective than the reflectance of the light L1 from the light source 35. Since the reflector 140 having a high reflectance of the wavelength-converted light L2 is provided, the amount of the light L1 from the light source 35 can be reduced and the quantum dots 56 can be reduced at the peripheral edge P of the light emitting region R1 shown in FIG. The amount of wavelength-converted light L2 can be increased. Thereby, it can suppress that the color of the peripheral part P of light emission area | region R1 stands out compared with the color of the center part C at the time of light emission.

〔第3の実施形態〕
以下、本発明の第3の実施形態に係るバックライト装置および表示装置について、図面を参照しながら説明する。図15は本実施形態に係るバックライト装置を含む表示装置の概略構成図であり、図16は図15に示されるバックライト装置を上方から平面視した図であり、図17は本実施形態に係る反射体および量子ドットシートを反射体側から平面視した図であり、図18は図17の反射体および量子ドットシートのIV−IV線に沿った断面図である。なお、本実施形態において、第1の実施形態で説明した部材と同じ部材については、同じ符号が付してあるとともに、説明を省略するものとする。
[Third Embodiment]
Hereinafter, a backlight device and a display device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 15 is a schematic configuration diagram of a display device including the backlight device according to the present embodiment, FIG. 16 is a plan view of the backlight device shown in FIG. 15 from above, and FIG. It is the figure which planarly viewed the reflector and quantum dot sheet which concern, and FIG. 18 is sectional drawing along the IV-IV line | wire of the reflector and quantum dot sheet | seat of FIG. In the present embodiment, the same members as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図15に示される表示装置150は、バックライト装置160と、バックライト装置160の出光側に配置された表示パネル30とを備えている。図15に示されるバックライト装置160は、光源35と、光源35の側方に配置された導光板40と、導光板40の出光側に配置された量子ドットシート50、量子ドットシート50の入光面50A側に配置された反射体170と、量子ドットシート50の出光面50B側に配置されたレンズシート70、レンズシート70の出光側に配置されたレンズシート75と、レンズシート75の出光側に配置された反射型偏光分離シート80と、導光板40の出光側とは反対側に配置された反射シート90とを備えている。   A display device 150 shown in FIG. 15 includes a backlight device 160 and a display panel 30 disposed on the light output side of the backlight device 160. The backlight device 160 shown in FIG. 15 includes a light source 35, a light guide plate 40 disposed on the side of the light source 35, a quantum dot sheet 50 disposed on the light output side of the light guide plate 40, and an entrance of the quantum dot sheet 50. The reflector 170 disposed on the light surface 50A side, the lens sheet 70 disposed on the light exit surface 50B side of the quantum dot sheet 50, the lens sheet 75 disposed on the light exit side of the lens sheet 70, and the light output of the lens sheet 75 The reflection type polarization separation sheet 80 disposed on the side and the reflection sheet 90 disposed on the side opposite to the light output side of the light guide plate 40 are provided.

<<反射体>>
反射体170は、反射体170に入射する光源35からの光L1を反射するものである。本実施形態における反射体170は、図18に示されるように、光源35からの光L1および量子ドット56により波長変換された光L2を反射する互いに離間した複数の光反射部171から構成されている。光反射部171の間には、図17および図18に示されるように、光源35からの光L1および波長変換された光L2を透過する光透過部172が存在している。
<< Reflector >>
The reflector 170 reflects the light L1 from the light source 35 incident on the reflector 170. As shown in FIG. 18, the reflector 170 in the present embodiment includes a plurality of light reflecting portions 171 spaced apart from each other that reflect the light L1 from the light source 35 and the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56. Yes. As shown in FIGS. 17 and 18, there is a light transmission portion 172 that transmits the light L <b> 1 from the light source 35 and the wavelength-converted light L <b> 2 between the light reflection portions 171.

反射体170は、反射体60と構成および材料等は同じであるが、反射体の配置場所が、第1の実施形態とは異なる。具体的には、反射体170は、図15および図18に示されるように、量子ドットシート50の入光面50A側に量子ドットシート50の周縁部50Cの少なくとも一部に沿って配置されている。反射体170は、図17に示されるように、量子ドットシート50の周縁部50Cに沿って枠状に配置されていることが好ましい。反射体170は量子ドットシート50の入光面50Aに配置されている。なお、反射体170は、反射体60と構成および材料等は同じであるので、反射体170の構成および材料等の説明は省略するものとする。   The reflector 170 has the same configuration, material, and the like as the reflector 60, but is different from the first embodiment in the location of the reflector. Specifically, as shown in FIGS. 15 and 18, the reflector 170 is disposed along at least a part of the peripheral portion 50 </ b> C of the quantum dot sheet 50 on the light incident surface 50 </ b> A side of the quantum dot sheet 50. Yes. As shown in FIG. 17, the reflector 170 is preferably arranged in a frame shape along the peripheral edge portion 50 </ b> C of the quantum dot sheet 50. The reflector 170 is disposed on the light incident surface 50 </ b> A of the quantum dot sheet 50. Since the reflector 170 has the same configuration and material as the reflector 60, description of the configuration and material of the reflector 170 is omitted.

本実施形態においては、量子ドットシート50の入光面50A側に、量子ドットシート50の周縁部50Cの少なくとも一部に沿って配置され、光源35からの光L1および量子ドット56により波長変換された光L2を反射する互いに離間した複数の光反射部171から構成された反射体170と、光反射部171間に位置し、光源35からの光L1および波長変換された光L2を透過する光透過部172を設けているので、発光時において図16に示される発光領域R1の周縁部Pの色味が中央部Cの部分の色味に比べて際立つことを抑制できる。すなわち、量子ドットシート50の入光面50A側に量子ドットシート50の周縁部50Aの少なくとも一部に沿った反射体170を配置して、導光板40から出射され、かつ反射体170に入射する光源35からの光L1を、反射体170によって反射させるので、発光領域R1の周縁部Pにおける光源35からの光L1の量を低減できる。また、量子ドット56は等方的に発光するので、量子ドット56により波長変換された光L2は様々な方向を向いた光となっている。このため、図18に示されるように、量子ドット56により波長変換された光L2は出光面50Bに向かう光の他に、量子ドットシート50の周縁部50Cの入光面50A側に向かう光も存在する。本実施形態においては、量子ドットシート50の入光面50A側に量子ドットシート50の周縁部50Cの少なくとも一部に沿った反射体170を配置しているので、量子ドット56により波長変換され、かつ量子ドットシート50の周縁部50Cの入光面50A側に向かう光L2を反射することができ、量子ドットシート50の周縁部50Cの入光面50Aから量子ドット56により波長変換された光L2が漏れてしまうことを低減できる。また、反射体170によって反射された光L1は再び導光板40に戻されるので、反射を繰り返して、反射体170が存在しない領域から量子ドットシート50に入射する。これにより量子ドット56によって波長変換される機会が増える。このようなことから、発光領域R1の周縁部Pにおいて量子ドット56により波長変換された光L2の量を増大させることができるので、発光時において発光領域R1の周縁部Pの色味が中央部Cの色味に比べて際立つことを抑制できる。   In the present embodiment, the quantum dot sheet 50 is disposed on the light incident surface 50A side along at least a part of the peripheral portion 50C of the quantum dot sheet 50, and is wavelength-converted by the light L1 from the light source 35 and the quantum dots 56. The light 170 that is composed of a plurality of light reflectors 171 spaced apart from each other that reflects the light L2 and the light that is located between the light reflectors 171 and that transmits the light L1 from the light source 35 and the wavelength-converted light L2 Since the transmission part 172 is provided, it can suppress that the color of the peripheral part P of the light emission area | region R1 shown by FIG. 16 stands out compared with the color of the part of the center part C at the time of light emission. That is, the reflector 170 along at least a part of the peripheral portion 50A of the quantum dot sheet 50 is disposed on the light incident surface 50A side of the quantum dot sheet 50, and is emitted from the light guide plate 40 and incident on the reflector 170. Since the light L1 from the light source 35 is reflected by the reflector 170, the amount of the light L1 from the light source 35 in the peripheral portion P of the light emitting region R1 can be reduced. Further, since the quantum dots 56 emit light isotropically, the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 is light directed in various directions. For this reason, as shown in FIG. 18, the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 is not only light directed to the light exit surface 50B but also light directed to the light incident surface 50A side of the peripheral portion 50C of the quantum dot sheet 50. Exists. In the present embodiment, since the reflector 170 along at least a part of the peripheral portion 50C of the quantum dot sheet 50 is disposed on the light incident surface 50A side of the quantum dot sheet 50, the wavelength is converted by the quantum dots 56, And the light L2 which can reflect the light L2 which goes to the light incident surface 50A side of the peripheral part 50C of the quantum dot sheet 50 is wavelength-converted by the quantum dot 56 from the light incident surface 50A of the peripheral part 50C of the quantum dot sheet 50. Can be prevented from leaking. Moreover, since the light L1 reflected by the reflector 170 is returned to the light guide plate 40 again, reflection is repeated, and enters the quantum dot sheet 50 from a region where the reflector 170 does not exist. This increases the opportunity for wavelength conversion by the quantum dots 56. For this reason, since the amount of the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 at the peripheral portion P of the light emitting region R1 can be increased, the color of the peripheral portion P of the light emitting region R1 is the central portion during light emission. It can suppress standing out compared with the color of C.

〔第4の実施形態〕
以下、本発明の第4の実施形態に係るバックライト装置および表示装置について、図面を参照しながら説明する。図19は本実施形態に係るバックライト装置を含む表示装置の概略構成図であり、図20は図19に示されるバックライト装置を上方から平面視した図であり、図21は本実施形態に係る反射体および量子ドットシートを反射体側から平面視した図であり、図22は図21の反射体および量子ドットシートのV−V線に沿った断面図である。なお、本実施形態において、第1の実施形態で説明した部材と同じ部材については、同じ符号が付してあるとともに、説明を省略するものとする。
[Fourth Embodiment]
Hereinafter, a backlight device and a display device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 19 is a schematic configuration diagram of a display device including a backlight device according to the present embodiment, FIG. 20 is a plan view of the backlight device shown in FIG. 19 from above, and FIG. It is the figure which planarly viewed the reflector and quantum dot sheet which concern, and FIG. 22 is sectional drawing along the VV line | wire of the reflector and quantum dot sheet | seat of FIG. In the present embodiment, the same members as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図19に示される表示装置180は、バックライト装置190と、バックライト装置190の出光側に配置された表示パネル30とを備えている。図19に示されるバックライト装置130は、光源35と、光源35の側方に配置された導光板40と、導光板40の出光側に配置された量子ドットシート50、量子ドットシート50の入光面50A側に配置された反射体200と、量子ドットシート50の出光面50B側に配置されたレンズシート70、レンズシート70の出光側に配置されたレンズシート75と、レンズシート75の出光側に配置された反射型偏光分離シート80と、導光板40の出光側とは反対側に配置された反射シート90とを備えている。   A display device 180 shown in FIG. 19 includes a backlight device 190 and a display panel 30 disposed on the light output side of the backlight device 190. The backlight device 130 shown in FIG. 19 includes a light source 35, a light guide plate 40 disposed on the side of the light source 35, a quantum dot sheet 50 disposed on the light output side of the light guide plate 40, and a quantum dot sheet 50 input. The reflector 200 disposed on the light surface 50A side, the lens sheet 70 disposed on the light exit surface 50B side of the quantum dot sheet 50, the lens sheet 75 disposed on the light exit side of the lens sheet 70, and the light output of the lens sheet 75 The reflection type polarization separation sheet 80 disposed on the side and the reflection sheet 90 disposed on the side opposite to the light output side of the light guide plate 40 are provided.

<<反射体>>
反射体200は、反射体200に入射する光源35からの光L1の一部を反射するものである。本実施形態における反射体200は、図22に示されるように、光源35からの光L1の一部を反射させ、光源35からの光L1の他の一部の光を透過させ、かつ量子ドット56により波長変換された光L1の少なくとも一部を反射させる機能を有するものである。
<< Reflector >>
The reflector 200 reflects a part of the light L1 from the light source 35 incident on the reflector 200. As shown in FIG. 22, the reflector 200 in the present embodiment reflects a part of the light L1 from the light source 35, transmits the other part of the light L1 from the light source 35, and quantum dots. This has a function of reflecting at least a part of the light L1 wavelength-converted by 56.

反射体200は、図19、図21および図22に示されるように、量子ドットシート50の入光面50A側に量子ドットシート50の周縁部50Cの少なくとも一部に沿って配置されている。反射体200は、図21に示されるように、量子ドットシート50の周縁部50Cに沿って枠状に配置されていることが好ましい。図19および図22に示される反射体200は量子ドットシート50の入光面50Aに配置されている。   As shown in FIGS. 19, 21, and 22, the reflector 200 is disposed on the light incident surface 50 </ b> A side of the quantum dot sheet 50 along at least a part of the peripheral portion 50 </ b> C of the quantum dot sheet 50. As shown in FIG. 21, the reflector 200 is preferably arranged in a frame shape along the peripheral edge portion 50 </ b> C of the quantum dot sheet 50. The reflector 200 shown in FIGS. 19 and 22 is disposed on the light incident surface 50 </ b> A of the quantum dot sheet 50.

図22に示されるように、反射体200に入射した光源35からの光L1の一部は反射され、一部は透過する。反射体200によって反射された光L1は再び導光板40に戻されるので、反射を繰り返して、反射体200よりも内側の領域から量子ドットシート50に入射する。これにより量子ドット56によって波長変換される機会が増える。一方、図22に示されるように、量子ドットシート50側から反射体200に入射した量子ドット56により波長変換された光L2の少なくとも一部は、反射体200によって反射される。   As shown in FIG. 22, a part of the light L1 from the light source 35 incident on the reflector 200 is reflected and a part is transmitted. Since the light L1 reflected by the reflector 200 is returned to the light guide plate 40 again, the light L1 is repeatedly reflected and enters the quantum dot sheet 50 from a region inside the reflector 200. This increases the opportunity for wavelength conversion by the quantum dots 56. On the other hand, as shown in FIG. 22, at least a part of the light L <b> 2 whose wavelength has been converted by the quantum dots 56 incident on the reflector 200 from the quantum dot sheet 50 side is reflected by the reflector 200.

光源35として青色光を発する光源を用い、量子ドット56として青色光を緑色光に波長変換する量子ドットと、青色光を赤色光に波長変換する量子ドットとを用いた場合には、反射体に入射した光源からの青色光の一部は反射され、一部は透過する。反射体によって反射された青色光は再度導光板に戻され、再び導光板40に戻されるので、反射を繰り返して、反射体よりも内側の領域から量子ドットシートに入射する。これにより量子ドットによって波長変換される機会が増える。一方、反射体は緑色光や赤色光の少なくとも一部を反射するので、量子ドットシート側から反射体に入射した緑色光および赤色光の少なくとも一部は反射される。   When a light source that emits blue light is used as the light source 35 and a quantum dot that converts the wavelength of blue light into green light and a quantum dot that converts the wavelength of blue light into red light are used as the quantum dots 56, Part of the blue light from the incident light source is reflected and part is transmitted. The blue light reflected by the reflector is returned again to the light guide plate and again returned to the light guide plate 40. Therefore, reflection is repeated and enters the quantum dot sheet from a region inside the reflector. This increases the opportunity for wavelength conversion by quantum dots. On the other hand, since the reflector reflects at least part of the green light and red light, at least part of the green light and red light incident on the reflector from the quantum dot sheet side is reflected.

反射体200は、例えば、量子ドット56により波長変換された光の反射率よりも光源からの光の反射率が低くなっていることが好ましい。反射体200としては、バンドパスフィルタを用いることができる。このようなバンドパスフィルタは、例えば、誘電体多層膜から構成することが可能である。   For example, the reflector 200 preferably has a lower reflectance of light from the light source than the reflectance of light whose wavelength has been converted by the quantum dots 56. A band pass filter can be used as the reflector 200. Such a bandpass filter can be composed of, for example, a dielectric multilayer film.

反射体200は、発光時における発光領域R1の周縁部Pと発光領域R1の中央部との色味の差を低下させる観点から、光源35からの光L1の反射率が5%以上10%以下となり、かつ量子ドット56により波長変換された光L2の反射率が30%以上となるように構成されていることが好ましい。   In the reflector 200, the reflectance of the light L1 from the light source 35 is 5% or more and 10% or less from the viewpoint of reducing the difference in color between the peripheral portion P of the light emitting region R1 and the central portion of the light emitting region R1 during light emission. It is preferable that the reflectance of the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 is 30% or more.

本実施形態においては、量子ドットシート50の入光面50A側に、量子ドットシート50の周縁部50Aの少なくとも一部に沿って配置され、光源35からの光L1の一部を反射させ、光源からの光L1の他の一部の光を透過させ、かつ量子ドット56により波長変換された光L2の少なくとも一部を反射させる反射体200を設けているので、発光時において、図20に示される発光領域R1の周縁部Pの色味が中央部Cの部分の色味に比べて際立つことを抑制できる。すなわち、量子ドットシート50の入光面50A側に量子ドットシート50の周縁部50Aの少なくとも一部に沿った反射体200を配置し、導光板40から出射され、かつ反射体200に入射する光源35からの光L1を、反射体200によって反射させるので、発光領域R1の周縁部Pにおいて光源35からの光L1の量を低減できる。また、反射体200によって、量子ドット56により波長変換され、かつ量子ドットシート50の周縁部50Cの入光面50A側に向かう光L2を反射することができ、量子ドットシート50の周縁部50Cの入光面50Aから量子ドット56により波長変換された光L2が漏れてしまうことを低減できる。また、反射体200によって反射された光L1は再び導光板40に戻されるので、反射を繰り返して、反射体200よりも内側の領域から量子ドットシート50に入射する。これにより量子ドット56によって波長変換される機会が増える。このようなことから、発光領域R1の周縁部Pにおいて量子ドット56により波長変換された光L2の量を増大させることができるので、発光時において発光領域R1の周縁部Pの色味が中央部Cの色味に比べて際立つことを抑制できる。   In the present embodiment, the quantum dot sheet 50 is disposed on the light incident surface 50A side along at least a part of the peripheral edge 50A of the quantum dot sheet 50, reflects a part of the light L1 from the light source 35, 20 is provided at the time of light emission because the reflector 200 that transmits another part of the light L1 from the light and reflects at least a part of the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 is provided. It can suppress that the color of the peripheral part P of the light emission area | region R1 to stand out compared with the color of the center part C part. That is, the reflector 200 along at least a part of the peripheral portion 50A of the quantum dot sheet 50 is disposed on the light incident surface 50A side of the quantum dot sheet 50, and is emitted from the light guide plate 40 and incident on the reflector 200. Since the light L1 from 35 is reflected by the reflector 200, the amount of the light L1 from the light source 35 can be reduced at the peripheral portion P of the light emitting region R1. Further, the reflector 200 can reflect the light L2 that is wavelength-converted by the quantum dots 56 and travels toward the light incident surface 50A side of the peripheral edge 50C of the quantum dot sheet 50. It is possible to reduce leakage of the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 from the light incident surface 50A. In addition, since the light L1 reflected by the reflector 200 is returned to the light guide plate 40 again, the light L1 is repeatedly reflected and enters the quantum dot sheet 50 from a region inside the reflector 200. This increases the opportunity for wavelength conversion by the quantum dots 56. For this reason, since the amount of the light L2 wavelength-converted by the quantum dots 56 at the peripheral portion P of the light emitting region R1 can be increased, the color of the peripheral portion P of the light emitting region R1 is the central portion during light emission. It can suppress standing out compared with the color of C.

本発明を詳細に説明するために、以下に実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの記載に限定されない。   In order to describe the present invention in detail, examples will be described below, but the present invention is not limited to these descriptions.

<量子ドット層用組成物の調製>
まず、下記に示す組成となるように各成分を配合して、量子ドット層用組成物を得た。
(量子ドット層用組成物)
・エポキシアクリレート(製品名「ユニディックV−5500」、DIC社製):99質量部
・緑色光発光量子ドット(製品名「CdSe/ZnS 530」、SIGMA−ALDRICH社製、コア:CdSe、シェル:ZnS、平均粒径3.3nm):0.2質量部
・赤色光発光量子ドット(製品名「CdSe/ZnS 610」、SIGMA−ALDRICH社製、コア:CdSe、シェル:ZnS、平均粒径5.2nm):0.2質量部
・光重合開始剤(1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Irgacure(登録商標)184」、BASFジャパン社製):1質量部
<Preparation of composition for quantum dot layer>
First, each component was mix | blended so that it might become a composition shown below, and the composition for quantum dot layers was obtained.
(Composition for quantum dot layer)
Epoxy acrylate (product name “Unidic V-5500”, manufactured by DIC): 99 parts by mass Green light emitting quantum dot (product name “CdSe / ZnS 530”, manufactured by SIGMA-ALDRICH, core: CdSe, shell: ZnS, average particle size 3.3 nm): 0.2 parts by mass Red light emitting quantum dot (product name “CdSe / ZnS 610”, manufactured by SIGMA-ALDRICH, core: CdSe, shell: ZnS, average particle size 5. 2 nm): 0.2 parts by mass Photopolymerization initiator (1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, product name “Irgacure (registered trademark) 184”, manufactured by BASF Japan Ltd.): 1 part by mass

<光拡散層用組成物の調製>
下記に示す組成となるように各成分を配合して、光拡散層用組成物を得た。
(光拡散層用組成物)
・ペンタエリスリトールトリアクリレート:99質量部
・光拡散粒子(架橋アクリル樹脂ビーズ、製品名「SSX−105」、積水化成品工業株式会社製、平均粒子径5μm):158質量部
・光重合開始剤(1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Irgacure(登録商標)184、BASFジャパン社製):1質量部
・溶剤(メチルイソブチルケトン:シクロヘキサノン=1:1(質量比)):387質量部
<Preparation of composition for light diffusion layer>
Each component was mix | blended so that it might become a composition shown below, and the composition for light diffusion layers was obtained.
(Composition for light diffusion layer)
Pentaerythritol triacrylate: 99 parts by mass Light-diffusing particles (cross-linked acrylic resin beads, product name “SSX-105”, manufactured by Sekisui Plastics Co., Ltd., average particle size 5 μm): 158 parts by mass Photoinitiator ( 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, product name “Irgacure (registered trademark) 184, manufactured by BASF Japan Ltd.”: 1 part by mass / solvent (methyl isobutyl ketone: cyclohexanone = 1: 1 (mass ratio)): 387 parts by mass

<反射体用組成物>
反射体用組成物として、パール顔料を含有するインキ((株)昭和インク工業所製)を用いた。なお、パール顔料の粒径は10〜50μmの範囲内であり、インキ中のパール顔料の含有量は約15重量%であった。
<Composition for reflector>
An ink containing a pearl pigment (manufactured by Showa Ink Industries, Ltd.) was used as the reflector composition. The particle size of the pearl pigment was in the range of 10 to 50 μm, and the content of the pearl pigment in the ink was about 15% by weight.

<実施例1>
まず、2枚のバリアフィルムを次のような方法で作製した。高周波スパッタリング装置において、電極に周波数13.56MHz、電力5kWの高周波電力を印加することにより、チャンバー内で放電を生じさせて、ポリエチレンテレフタレートフィルム(製品名「ルミラーT60」、東レ社製)の片面にターゲット物質(シリカ)からなる、厚みが50nmであり、かつ屈折率が1.46であるシリカ蒸着層を形成し、これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルムおよびシリカ蒸着層からなるバリアフィルムを2枚形成した。次いで、両方のバリアフィルムにおけるシリカ蒸着層側の面とは反対側の面に光拡散層用組成物を、それぞれ塗布し、塗膜を形成した。次いで、形成した塗膜に対して、80℃の乾燥空気を30秒間流通させて乾燥させることにより塗膜中の溶剤を蒸発させた。その後、紫外線を積算光量が500mJ/cmになるように照射して塗膜を硬化させることにより膜厚が10μmの光拡散層を形成し、光拡散層付きバリアフィルムを形成した。次いで、一方の光拡散層付きバリアフィルムのシリカ蒸着層側に量子ドット層用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次いで、形成した塗膜に対して、80℃の乾燥空気を30秒間流通させて乾燥させることにより塗膜中の溶剤を蒸発させた。その後、その塗膜面にシリカ蒸着層が接するように他方の光拡散層付きバリアフィルムを配置し、紫外線を積算光量が500mJ/cmになるように照射して塗膜を硬化させることにより、膜厚が80μmの量子ドット層を形成し、これにより、量子ドットシートを得た。そして、この量子ドットシートの出光面における量子ドットシートの端から2mmまでの領域内に反射体用組成物を反射体用組成物がドット状となるように印刷し、80℃の乾燥空気を30秒間流通させて乾燥させて、大きさが800μmの複数の光反射部からなる反射体を形成し、反射体付き量子ドットシートを得た。
<Example 1>
First, two barrier films were produced by the following method. In a high-frequency sputtering apparatus, a high-frequency power with a frequency of 13.56 MHz and a power of 5 kW is applied to the electrode to cause discharge in the chamber, and on one side of a polyethylene terephthalate film (product name “Lumirror T60”, manufactured by Toray Industries, Inc.) A silica vapor deposition layer having a thickness of 50 nm and a refractive index of 1.46 made of a target material (silica) was formed, whereby two barrier films made of a polyethylene terephthalate film and a silica vapor deposition layer were formed. Subsequently, the composition for light diffusion layers was apply | coated to the surface on the opposite side to the surface at the side of the silica vapor deposition layer in both barrier films, respectively, and the coating film was formed. Next, the solvent in the coating film was evaporated by allowing the formed coating film to dry by passing dry air at 80 ° C. for 30 seconds. Then, the light diffusion layer with a film thickness of 10 μm was formed by irradiating with ultraviolet rays so that the integrated light amount was 500 mJ / cm 2 to cure the coating film, thereby forming a barrier film with a light diffusion layer. Subsequently, the composition for quantum dot layers was apply | coated to the silica vapor deposition layer side of one barrier film with a light-diffusion layer, and the coating film was formed. Next, the solvent in the coating film was evaporated by allowing the formed coating film to dry by passing dry air at 80 ° C. for 30 seconds. Then, by placing the other barrier film with a light diffusion layer so that the silica vapor deposition layer is in contact with the coating film surface, by irradiating ultraviolet rays so that the integrated light amount becomes 500 mJ / cm 2 , the coating film is cured, A quantum dot layer with a film thickness of 80 μm was formed, thereby obtaining a quantum dot sheet. And the composition for reflectors is printed in the area | region from the end of the quantum dot sheet in the light emission surface of this quantum dot sheet to 2 mm so that the composition for reflectors may become dot shape, 80 degreeC dry air is 30 It was circulated for a second and dried to form a reflector composed of a plurality of light reflecting portions having a size of 800 μm, and a quantum dot sheet with a reflector was obtained.

一方で、光源としてKindle Fire(登録商標)HDX7のバックライト(発光ピーク波長が450nmの青色発光ダイオード)、導光板、2枚のプリズムシート、反射シートを用意した。2枚のプリズムシートは、シート状の本体部と、この本体部上に並べて配置され、かつ各々が配列方向と交差する方向に延びた三角柱状の複数の単位プリズムとを備え、単位プリズムの頂角が90°となっているものであった。   On the other hand, a Kindle Fire (registered trademark) HDX7 backlight (a blue light emitting diode having an emission peak wavelength of 450 nm), a light guide plate, two prism sheets, and a reflection sheet were prepared as light sources. The two prism sheets each include a sheet-like main body portion and a plurality of triangular prism-like unit prisms arranged side by side on the main body portion and extending in a direction intersecting the arrangement direction. The angle was 90 °.

そして、バックライト側が入光面となるように導光板を配置するとともに、導光板の出光面上に、反射体付き量子ドットシート、プリズムシート、プリズムシートをこの順で配置し、また導光板の背面に反射シートを配置し、バックライト装置を得た。反射体付き量子ドットシートは、反射体が量子ドットシートより出光側となるように配置された。また、観察者側のプリズムシートは、単位プリズムの配列方向がプリズムシートの単位プリズムの配列方向と直交するように配置された。   And while arrange | positioning a light-guide plate so that a backlight side may become a light-incidence surface, the quantum dot sheet | seat with a reflector, a prism sheet, and a prism sheet are arrange | positioned in this order on the light emission surface of a light-guide plate, A reflective sheet was placed on the back to obtain a backlight device. The quantum dot sheet with a reflector was disposed such that the reflector was on the light exit side from the quantum dot sheet. Further, the prism sheet on the observer side was arranged so that the arrangement direction of the unit prisms was orthogonal to the arrangement direction of the unit prisms of the prism sheet.

<実施例2>
実施例2においては、量子ドットシートの出光面に、反射体として、複数の光反射部の代わりに、バンドパスフィルタを配置したこと以外は、実施例1と同様にして、バックライト装置を作製した。バンドパスフィルタは、380nm以上490nm以下の波長域の光を40%反射するものであり、500nm以上の波長域の光を90%透過するものであった。
<Example 2>
In Example 2, a backlight device is manufactured in the same manner as in Example 1 except that a band pass filter is disposed as a reflector instead of a plurality of light reflecting parts on the light exit surface of the quantum dot sheet. did. The band-pass filter reflects 40% of light in the wavelength region of 380 nm or more and 490 nm or less, and transmits 90% of light in the wavelength region of 500 nm or more.

<実施例3>
実施例3においては、量子ドットシートの入光面における量子ドットシートの端から2mmまでの領域内にバンドパスフィルタを配置したこと以外は、実施例1と同様にして、バックライト装置を作製した。バンドパスフィルタは、500nm以上700nm以下の波長域の光を90%反射するものであり、380nm以上490nm以下の波長域の光を90%透過するものであった。
<Example 3>
In Example 3, a backlight device was produced in the same manner as in Example 1 except that a bandpass filter was disposed in an area from the end of the quantum dot sheet on the light incident surface of the quantum dot sheet to 2 mm. . The band-pass filter reflects 90% of light in the wavelength range of 500 nm to 700 nm and transmits 90% of light in the wavelength range of 380 nm to 490 nm.

<比較例>
比較例においては、反射体を配置しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、バックライト装置を作製した。
<Comparative example>
In the comparative example, a backlight device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that no reflector was disposed.

<発光領域の色度測定>
実施例1〜3に係るバックライト装置および比較例に係るバックライト装置において、発光時の発光領域の周縁部および中央部の色度を、分光放射計(製品名「SR−UL2」、トプコン社製)を用いてそれぞれ測定した。
<Measurement of chromaticity in light emitting area>
In the backlight device according to Examples 1 to 3 and the backlight device according to the comparative example, the chromaticity of the peripheral portion and the central portion of the light emitting region at the time of light emission was measured using a spectroradiometer (product name “SR-UL2”, Topcon Corporation). Measured respectively using

<発光領域の目視評価>
暗室において、実施例1〜3に係るバックライト装置および比較例に係るバックライト装置における発光時の発光領域の周縁部(端と端から5mm付近の位置との間の部分)および中央部を目視で観察し、周縁部の色味が中央部の色味に比べて際立っているか観察した。評価基準は以下の通りとした。
○:周縁部の色味が中央部の色味と同等または若干異なっていたが実用上問題のないレベルであった。
×:周縁部の色味が中央部の色味に比べて際立っていた。
<Visual evaluation of light emitting area>
In the dark room, the peripheral portion (the portion between the end and a position near 5 mm from the end) and the central portion of the light emitting region at the time of light emission in the backlight devices according to Examples 1 to 3 and the backlight device according to the comparative example are visually observed. It was observed whether or not the color of the peripheral portion was more prominent than the color of the central portion. The evaluation criteria were as follows.
◯: The color of the peripheral part was the same as or slightly different from the color of the central part, but it was at a level causing no practical problem.
X: The color of a peripheral part was conspicuous compared with the color of a center part.

以下、結果を表1に示す。

Figure 2016194986
The results are shown in Table 1.
Figure 2016194986

上記の結果から、比較例においては、発光時に発光領域の周縁部の色味が発光領域の中央部に比べて、際立っていた。これに対し、実施例1〜3においては、比較例に比べて、発光時における発光領域の周縁部の色味と中央部の色味の差が低減された。したがって、実施例1および2において、発光時において発光領域の周縁部の色味が発光領域の中央部の色味に比べて際立つことを抑制できたことが確認された。   From the above results, in the comparative example, the color of the peripheral portion of the light emitting region was more prominent at the time of light emission than the central portion of the light emitting region. On the other hand, in Examples 1-3, the difference of the color of the peripheral part of the light emission area | region at the time of light emission and the color of the center part was reduced compared with the comparative example. Therefore, in Example 1 and 2, it was confirmed that it was possible to suppress the color tone of the peripheral portion of the light emitting region from being distinguished from the color tone of the central portion of the light emitting region at the time of light emission.

10、120、150、180…表示装置
20、100、130、160、190…バックライト装置
30…表示パネル
35…光源
40…導光板
40A…出光面
40C…入光面
50…量子ドットシート
50A…入光面
50B…出光面
50C…周縁部
56…量子ドット
60、140、170、200…反射体
61、171…光反射部
62、172…光透過部
70、75…レンズシート
71…本体部
72…単位レンズ
80…反射型偏光分離シート
10, 120, 150, 180 ... display devices 20, 100, 130, 160, 190 ... backlight device 30 ... display panel 35 ... light source 40 ... light guide plate 40A ... light exit surface 40C ... light entrance surface 50 ... quantum dot sheet 50A ... Light entrance surface 50B ... Light exit surface 50C ... Peripheral part 56 ... Quantum dots 60, 140, 170, 200 ... Reflectors 61, 171 ... Light reflection parts 62, 172 ... Light transmission parts 70, 75 ... Lens sheet 71 ... Main body part 72 ... Unit lens 80 ... Reflective polarization separation sheet

Claims (10)

光源と、
前記光源からの光を受ける入光面および前記入光面とは反対側に位置する出光面を有し、かつ量子ドットおよびバインダ樹脂を含む量子ドットシートであって、前記量子ドットシートに入射する前記光源からの光の一部を透過させ、かつ前記光源からの光の他の一部を前記量子ドットによって前記光源からの光とは異なる波長の光に変換して、前記出射面から前記量子ドットシートを透過した前記光源からの光および波長変換された光を出射させる量子ドットシートと、
前記量子ドットシートの入光面側および出光面側の少なくともいずれか一方に、前記量子ドットシートの周縁部の少なくとも一部に沿って配置された反射体であって、前記反射体に入射する前記光源からの光の少なくとも一部を反射する反射体と
を備える、バックライト装置。
A light source;
A quantum dot sheet having a light incident surface for receiving light from the light source and a light exit surface located on the opposite side of the light incident surface, and including quantum dots and a binder resin, and is incident on the quantum dot sheet A part of the light from the light source is transmitted, and another part of the light from the light source is converted into light having a wavelength different from that of the light from the light source by the quantum dots, and the quantum from the emission surface. A quantum dot sheet that emits light from the light source and wavelength-converted light transmitted through the dot sheet;
A reflector disposed along at least a part of the peripheral edge of the quantum dot sheet on at least one of the light incident surface side and the light exit surface side of the quantum dot sheet, and is incident on the reflector And a reflector that reflects at least part of light from the light source.
前記反射体が前記量子ドットシートの出光面側に配置され、前記反射体が前記光源からの光を反射する互いに離間した複数の光反射部から構成されており、
前記光反射部間に位置し、前記光源からの光および前記波長変換された光を透過する光透過部をさらに備える、請求項1に記載のバックライト装置。
The reflector is disposed on the light exit surface side of the quantum dot sheet, and the reflector is composed of a plurality of light reflecting portions spaced apart from each other for reflecting light from the light source,
2. The backlight device according to claim 1, further comprising a light transmission unit that is located between the light reflection units and transmits the light from the light source and the wavelength-converted light.
前記反射体が前記量子ドットシートの出光面側に配置され、前記反射体は前記波長変換された光の反射率よりも前記光源からの光の反射率が高い、請求項1に記載のバックライト装置。   The backlight according to claim 1, wherein the reflector is disposed on a light exit surface side of the quantum dot sheet, and the reflector has a reflectance of light from the light source higher than a reflectance of the wavelength-converted light. apparatus. 前記反射体が前記量子ドットシートの入光面側に配置され、前記反射体が前記光源からの光および前記波長変換された光を反射する互いに離間した複数の光反射部から構成されており、
前記光反射部間に位置し、前記光源からの光および前記波長変換された光を透過する光透過部をさらに備える、請求項1に記載のバックライト装置。
The reflector is arranged on the light incident surface side of the quantum dot sheet, and the reflector is composed of a plurality of light reflecting portions spaced apart from each other that reflect the light from the light source and the wavelength-converted light,
2. The backlight device according to claim 1, further comprising a light transmission unit that is located between the light reflection units and transmits the light from the light source and the wavelength-converted light.
前記反射体が前記量子ドットシートの入光面側に配置され、前記反射体が前記反射体に入射する前記光源からの光の一部および前記波長変換された光の少なくとも一部を反射し、かつ前記反射体に入射する前記光源からの光の他の一部を透過する、請求項1に記載のバックライト装置。   The reflector is disposed on the light incident surface side of the quantum dot sheet, and the reflector reflects a part of the light from the light source incident on the reflector and at least a part of the wavelength-converted light, The backlight device according to claim 1, wherein another part of the light from the light source incident on the reflector is transmitted. 前記光源が青色光を発し、かつ前記量子ドットが、前記青色光を緑色光に変換する第1の量子ドットと、前記青色光を赤色光に変換する第2の量子ドットとを含む、請求項1に記載のバックライト装置。   The light source emits blue light, and the quantum dots include first quantum dots that convert the blue light into green light, and second quantum dots that convert the blue light into red light. The backlight device according to 1. 前記バックライト装置が表示装置に用いられ、前記反射体が前記表示装置の額縁領域に対応する領域内に配置されている、請求項1に記載のバックライト装置。   The backlight device according to claim 1, wherein the backlight device is used in a display device, and the reflector is disposed in a region corresponding to a frame region of the display device. 前記量子ドットシートの出光面側に配置され、かつ集光機能および再帰反射機能を有するレンズシートをさらに備える、請求項1に記載のバックライト装置。   The backlight device according to claim 1, further comprising a lens sheet that is disposed on a light exit surface side of the quantum dot sheet and has a light collecting function and a retroreflection function. 前記量子ドットシートの出光面側に配置された反射型偏光分離シートをさらに備える、請求項1に記載のバックライト装置。   The backlight device according to claim 1, further comprising a reflective polarization separation sheet disposed on a light exit surface side of the quantum dot sheet. 請求項1に記載のバックライト装置と、
前記面バックライト装置の出光側に配置された表示パネルと
を備える、表示装置。
The backlight device according to claim 1;
And a display panel disposed on the light output side of the surface backlight device.
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