JP6994067B2 - 多接合メモリデバイスにおける並行メモリ動作 - Google Patents
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Description
(項目1)
装置であって、
第1の不揮発性メモリセルを備える第1の半導体ダイと、
第2の不揮発性メモリセルを備える第2の半導体ダイと、
制御回路を備える第3の半導体ダイと、を備え、前記第1、前記第2、及び前記第3の半導体ダイが、一緒に接合され、前記制御回路が、前記第2のメモリセルと並行して前記第1のメモリセルにおけるメモリ動作を制御するように構成されている、装置。
(項目2)
前記制御回路が、
前記第2の半導体ダイ内の第2のワード線に接続された第2の群の前記第2の不揮発性メモリセルにデータをプログラムすることと並行して、前記第1の半導体ダイ内の第1のワード線に接続された第1の群の前記第1の不揮発性メモリセルにデータをプログラムするように更に構成されている、項目1に記載の装置。
(項目3)
前記制御回路が、
前記第2の群にページの第2の部分をプログラムすることと並行して、前記第1の群に前記ページの第1の部分をプログラムするように更に構成されている、項目2に記載の装置。
(項目4)
前記制御回路が、
前記第2の半導体ダイ内の第2のワード線に接続されたメモリセルからデータ読み出すことと並行して、前記第1の半導体ダイ内の第1のワード線に接続されたメモリセルからデータを読み出すように更に構成されている、項目1に記載の装置。
(項目5)
前記制御回路が、
前記第1の半導体ダイ及び前記第2の半導体ダイの両方に、メモリ動作のための電圧を提供するように構成された回路を備える、項目1に記載の装置。
(項目6)
前記第3の半導体ダイが、前記第1の半導体ダイに接合され、
前記第3の半導体ダイが、前記第2の半導体ダイに接合されている、項目1に記載の装置。
(項目7)
前記第3の半導体ダイが、前記第1の半導体ダイに接合され、
前記第1の半導体ダイが、前記第2の半導体ダイに接合されている、項目1に記載の装置。
(項目8)
前記制御回路が、
第1の群のボンドパッドを介して前記第1の半導体ダイ上の第1のビット線に接続された第1の複数のセンス増幅器と、
第2の群のボンドパッドを介して前記第2の半導体ダイ上の第2のビット線に接続された第2の複数のセンス増幅器と、を備える、項目1に記載の装置。
(項目9)
前記制御回路が、
前記第1の半導体ダイ上の第1のワード線及び前記第2の半導体ダイ上の第2のワード線に接続されたワード線ドライバを備え、前記制御回路が、前記ワード線ドライバを制御して、前記第1のワード線及び前記第2のワード線に電圧を同時に送達するように構成されている、項目1に記載の装置。
(項目10)
前記第1の半導体ダイが、第1の群のボンドパッドを備え、
前記第2の半導体ダイが、第2の群のボンドパッドを備え、
前記第3の半導体ダイが、前記第3の半導体ダイを前記第1の半導体ダイに電気的及び物理的に結合し、前記第1の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間の内部信号転送を可能にするために、前記第1の群のボンドパッドに接合された第3の群のボンドパッドを備え、
前記第3の半導体ダイが、前記第3の半導体ダイを前記第2の半導体ダイに電気的及び物理的に結合し、前記第2の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間の内部信号転送を可能にするために、前記第2の群のボンドパッドに接合された第4の群のボンドパッドを備える、項目1に記載の装置。
(項目11)
前記第1の半導体ダイが、第1の群のボンドパッドを備え、
前記第2の半導体ダイが、第2の群のボンドパッドを備え、
前記第3の半導体ダイが、前記第3の半導体ダイを前記第1の半導体ダイに電気的及び物理的に結合し、前記第1の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間の内部信号転送を可能にするために、前記第1の群のボンドパッドに接合された第3の群のボンドパッドを備え、
前記第1の半導体ダイが、前記第2の半導体ダイを前記第1の半導体ダイに電気的及び物理的に結合し、前記第2の半導体ダイと前記第1の半導体ダイとの間の内部信号転送を可能にするために、前記第2の群のボンドパッドに接合された第4の群のボンドパッドを更に備える、項目1に記載の装置。
(項目12)
不揮発性メモリを動作させる方法であって、
第1の対のボンドパッドを介して、制御半導体ダイから第1のメモリ半導体ダイ上の不揮発性メモリセルの第1の3次元アレイ内の第1の選択されたブロックに1組のメモリ動作電圧を提供することであって、前記第1の対のボンドパッドは、前記制御半導体ダイを前記第1のメモリ半導体ダイに電気的及び物理的に結合している、提供することと、
第2の対のボンドパッドを介して、前記制御半導体ダイから第2のメモリ半導体ダイ上の不揮発性メモリセルの第2の3次元アレイ内の第2の選択されたブロックに前記1組のメモリ動作電圧を提供することであって、前記1組のメモリ動作電圧は、前記第1の選択されたブロック及び前記第2の選択されたブロック内で並行してメモリ動作を制御するために、前記第1のメモリ半導体ダイ及び前記第2のメモリ半導体ダイに並行して提供され、前記第2の対のボンドパッドは、前記制御半導体ダイを前記第2のメモリ半導体ダイに電気的及び物理的に結合するか、又は前記第1のメモリ半導体ダイを前記第2のメモリ半導体ダイに電気的及び物理的に結合するか、のいずれかを行っている、提供することと、を含む、方法。
(項目13)
前記第1の対のボンドパッドを介して、前記制御半導体ダイから前記第1の選択されたブロックに前記1組のメモリ動作電圧を提供することが、前記制御半導体ダイ上のワード線ドライバから前記第1の選択されたブロック内の第1の選択されたワード線に電圧を提供することを含み、
前記第2の対のボンドパッドを介して、前記制御半導体ダイから前記第2の選択されたブロックに前記1組のメモリ動作電圧を提供することが、前記制御半導体ダイ上の前記ワード線ドライバから前記第2の選択されたブロック内の第2の選択されたワード線に前記電圧を提供することを含む、項目12に記載の方法。
(項目14)
前記第1の対のボンドパッドを介して、前記第1のメモリ半導体ダイ内の前記第1の選択されたブロックの第1のビット線を感知することと、
前記第2の対のボンドパッドを介して、前記第2のメモリ半導体ダイ内の前記第2の選択されたブロックの第2のビット線を感知することと、を更に含む、項目12に記載の方法。
(項目15)
集積メモリモジュールであって、
不揮発性メモリセルの第1の3次元アレイを備える第1の半導体ダイと、
不揮発性メモリセルの第2の3次元アレイを備える第2の半導体ダイと、
前記第2の3次元アレイと並行して前記第1の3次元アレイ内のメモリ動作を制御するように構成された制御回路を備える第3の半導体ダイと、
前記第1の半導体ダイを前記第3の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するように構成された第1の対のボンドパッドであって、前記第1の対のボンドパッドが、前記第1の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間のメモリ動作信号転送を可能にするように構成されている、第1の対のボンドパッドと、
前記第2の半導体ダイを前記第3の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するか、又は前記第1の半導体ダイを前記第2の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するか、のいずれかを行うように構成された第2の対のボンドパッドであって、前記第2の対のボンドパッドが、前記第2の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間、又は前記第1の半導体ダイと前記第2の半導体ダイとの間、のいずれかのメモリ動作信号転送を可能にするように更に構成されている、第2の対のボンドパッドと、を備える、集積メモリモジュール。
(項目16)
前記第1の対のボンドパッドのうちの1つの第1の部材に接続された、前記第3の半導体ダイ上のワード線ドライバであって、前記ワード線ドライバが、前記第2の対のボンドパッドのうちの1つの第1の部材に接続されている、ワード線ドライバと、
前記第1の対のボンドパッドのうちの前記1つの第2の部材に接続された、前記第1の3次元メモリアレイ内の第1の選択されたワード線と、
前記第2の対のボンドパッドのうちの前記1つの第2の部材に接続された、前記第2の3次元メモリアレイ内の第2の選択されたワード線と、を更に備える、項目15に記載の集積メモリモジュール。
(項目17)
前記第1の対のボンドパッドの第1の部材に接続された、前記第3の半導体ダイ上の第1のセンス増幅器と、
前記第1の対のボンドパッドの第2の部材に接続された、前記第1の半導体ダイ内の第1のビット線と、
前記第2の対のボンドパッドの第1の部材に接続された、前記第3の半導体ダイ上の第2のセンス増幅器と、
前記第2の対のボンドパッドの第2の部材に接続された、前記第2の半導体ダイ内の第2のビット線と、を更に備える、項目15に記載の集積メモリモジュール。
(項目18)
前記第2の対のボンドパッドが、前記第2の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間のメモリ動作信号転送を可能にするために、前記第2の半導体ダイを前記第3の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するように更に構成されている、項目15に記載の集積メモリモジュール。
(項目19)
前記第2の対のボンドパッドが、前記第1の半導体ダイと前記第2の半導体ダイとの間のメモリ動作信号転送を可能にするために、前記第1の半導体ダイを前記第2の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するように更に構成されている、項目15に記載の集積メモリモジュール。
(項目20)
前記制御回路が、データページの第2の部分を前記第2の3次元アレイ内に記憶することと並行して、前記データページの第1の部分を前記第1の3次元アレイ内に記憶するように更に構成されている、項目15に記載の集積メモリモジュール。
Claims (18)
- 装置であって、
不揮発性メモリセルの第1の群と、第1のワード線と、を備える第1の半導体ダイであって、前記不揮発性メモリセルの前記第1の群が前記第1のワード線に接続されている、前記第1の半導体ダイと、
不揮発性メモリセルの第2の群と、第2のワード線と、を備える第2の半導体ダイであって、前記不揮発性メモリセルの前記第2の群が前記第2のワード線に接続されている、前記第2の半導体ダイと、
制御回路を備える第3の半導体ダイと、を備え、
前記第3の半導体ダイが、前記第1の半導体ダイに接合され、前記第3の半導体ダイが、前記第2の半導体ダイに接合され、ページの第1の部分を前記不揮発性メモリセルの前記第1の群内にプログラミングし、並行して、前記ページの第2の部分を前記不揮発性メモリセルの前記第2の群内にプログラミングするように構成されており、
前記制御回路が、
第1の群のボンドパッドを介して前記第1の半導体ダイ上の第1のビット線に接続された第1の複数のセンス増幅器と、
第2の群のボンドパッドを介して前記第2の半導体ダイ上の第2のビット線に接続された第2の複数のセンス増幅器と、を備える、装置。 - 装置であって、
不揮発性メモリセルの第1の群と、第1のワード線と、を備える第1の半導体ダイであって、前記不揮発性メモリセルの前記第1の群が前記第1のワード線に接続されている、前記第1の半導体ダイと、
不揮発性メモリセルの第2の群と、第2のワード線と、を備える第2の半導体ダイであって、前記不揮発性メモリセルの前記第2の群が前記第2のワード線に接続されている、前記第2の半導体ダイと、
制御回路を備える第3の半導体ダイと、を備え、
前記第3の半導体ダイが、前記第1の半導体ダイに接合され、前記第3の半導体ダイが、前記第2の半導体ダイに接合され、ページの第1の部分を前記不揮発性メモリセルの前記第1の群内にプログラミングし、並行して、前記ページの第2の部分を前記不揮発性メモリセルの前記第2の群内にプログラミングするように構成されており、
前記制御回路が、
前記第1の半導体ダイ上の前記第1のワード線及び前記第2の半導体ダイ上の前記第2のワード線に接続されたワード線ドライバを備え、
前記制御回路が、前記ワード線ドライバを制御して、前記第1のワード線及び前記第2のワード線に電圧を同時に送達するように構成されている、装置。 - 前記制御回路が、
前記第2の半導体ダイ内の第2のワード線に接続された不揮発性メモリセルからデータ読み出すことと並行して、前記第1の半導体ダイ内の第1のワード線に接続された不揮発性メモリセルからデータを読み出すように更に構成されている、請求項1または2に記載の装置。 - 前記制御回路が、
前記第1の半導体ダイ及び前記第2の半導体ダイの両方に、メモリ動作のための電圧を提供するように構成された回路を備える、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。 - 前記第1の半導体ダイが、第1の群のボンドパッドを備え、
前記第2の半導体ダイが、第2の群のボンドパッドを備え、
前記第3の半導体ダイが、前記第3の半導体ダイを前記第1の半導体ダイに電気的及び物理的に結合し、前記第1の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間の内部信号転送を可能にするために、前記第1の群のボンドパッドに接合された第3の群のボンドパッドを備え、
前記第3の半導体ダイが、前記第3の半導体ダイを前記第2の半導体ダイに電気的及び物理的に結合し、前記第2の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間の内部信号転送を可能にするために、前記第2の群のボンドパッドに接合された第4の群のボンドパッドを備える、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。 - 不揮発性メモリを動作させる方法であって、
第1の対のボンドパッドを介して、制御半導体ダイから第1のメモリ半導体ダイ上の不揮発性メモリセルの第1の3次元アレイ内の第1の選択されたブロックに1組のメモリ動作電圧を提供することであって、前記第1の対のボンドパッドは、前記制御半導体ダイを前記第1のメモリ半導体ダイに電気的及び物理的に結合しており、前記第1の選択されたブロックに前記1組のメモリ動作電圧を提供することは、前記制御半導体ダイ上のワード線ドライバから前記第1の選択されたブロック内の第1の選択されたワード線に電圧を提供することを含む、提供することと、
第2の対のボンドパッドを介して、前記制御半導体ダイから第2のメモリ半導体ダイ上の不揮発性メモリセルの第2の3次元アレイ内の第2の選択されたブロックに前記1組のメモリ動作電圧を提供することであって、前記第2の選択されたブロックに前記1組のメモリ動作電圧を提供することは、前記制御半導体ダイ上の前記ワード線ドライバから前記第2の選択されたブロック内の第2の選択されたワード線に電圧を提供することを含み、前記1組のメモリ動作電圧は、前記第1の選択されたブロック及び前記第2の選択されたブロック内で並行してメモリ動作を制御するために、前記第1のメモリ半導体ダイ及び前記第2のメモリ半導体ダイに並行して提供され、前記第2の対のボンドパッドは、前記制御半導体ダイを前記第2のメモリ半導体ダイに電気的及び物理的に結合するか、又は前記第1のメモリ半導体ダイを前記第2のメモリ半導体ダイに電気的及び物理的に結合するか、のいずれかを行っている、提供することと、を含む、方法。 - 前記第1の対のボンドパッドを介して、前記第1のメモリ半導体ダイ内の前記第1の選択されたブロックの第1のビット線を感知することと、
前記第2の対のボンドパッドを介して、前記第2のメモリ半導体ダイ内の前記第2の選択されたブロックの第2のビット線を感知することと、を更に含む、請求項6に記載の方法。 - 集積メモリモジュールであって、
不揮発性メモリセルの第1の3次元アレイを備える第1の半導体ダイであって、前記第1の3次元アレイは、第1の選択されたワード線を備える、前記第1の半導体ダイと、
不揮発性メモリセルの第2の3次元アレイを備える第2の半導体ダイであって、前記第2の3次元アレイは、第2の選択されたワード線を備える、前記第2の半導体ダイと、
前記第2の3次元アレイと並行して前記第1の3次元アレイ内のメモリ動作を制御するように構成された制御回路を備える第3の半導体ダイであって、ワード線ドライバをさらに備える前記第3の半導体ダイと、
前記第1の半導体ダイを前記第3の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するように構成された第1の対のボンドパッドであって、前記第1の対のボンドパッドが、前記第1の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間のメモリ動作信号転送を可能にするように構成されており、前記ワード線ドライバが、前記第1の対のボンドパッドの1つの第1の部材に接続されており、前記第1の選択されたワード線が、前記第1の対のボンドパッドの1つの第2の部材に接続されている、第1の対のボンドパッドと、
前記第2の半導体ダイを前記第3の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するか、又は前記第1の半導体ダイを前記第2の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するか、のいずれかを行うように構成された第2の対のボンドパッドであって、前記第2の対のボンドパッドが、前記第2の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間、又は前記第1の半導体ダイと前記第2の半導体ダイとの間、のいずれかのメモリ動作信号転送を可能にするように更に構成されており、前記ワード線ドライバが、前記第2の対のボンドパッドの1つの第1の部材に接続されており、前記第2の選択されたワード線は、前記第2の対のボンドパッドの1つの第2の部材に接続されている、第2の対のボンドパッドと、を備える、集積メモリモジュール。 - 前記ワード線ドライバが接続されている前記第1の対のボンドパッドの前記第1の部材以外の前記第1の対のボンドパッドの第1の部材に接続された、前記第3の半導体ダイ上の第1のセンス増幅器と、
前記第1の選択されたワード線が接続されている前記第1の対のボンドパッドの前記第2の部材以外の前記第1の対のボンドパッドの第2の部材に接続された、前記第1の半導体ダイ内の第1のビット線と、
前記ワード線ドライバが接続されている前記第2の対のボンドパッドの前記第1の部材以外の前記第2の対のボンドパッドの第1の部材に接続された、前記第3の半導体ダイ上の第2のセンス増幅器と、
前記第2の選択されたワード線が接続されている前記第2の対のボンドパッドの前記第2の部材以外の前記第2の対のボンドパッドの第2の部材に接続された、前記第2の半導体ダイ内の第2のビット線と、を更に備える、請求項8に記載の集積メモリモジュール。 - 前記第2の対のボンドパッドが、前記第2の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間のメモリ動作信号転送を可能にするために、前記第2の半導体ダイを前記第3の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するように更に構成されている、請求項8または9に記載の集積メモリモジュール。
- 前記第2の対のボンドパッドが、前記第1の半導体ダイと前記第2の半導体ダイとの間のメモリ動作信号転送を可能にするために、前記第1の半導体ダイを前記第2の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するように更に構成されている、請求項8から10のいずれか一項に記載の集積メモリモジュール。
- 前記制御回路が、データページの第2の部分を前記第2の3次元アレイ内に記憶することと並行して、前記データページの第1の部分を前記第1の3次元アレイ内に記憶するように更に構成されている、請求項8から11のいずれか一項に記載の集積メモリモジュール。
- 集積メモリモジュールであって、
不揮発性メモリセルの第1の3次元アレイを備える第1の半導体ダイであって、第1のビット線をさらに備える、前記第1の半導体ダイと、
不揮発性メモリセルの第2の3次元アレイを備える第2の半導体ダイであって、第2のビット線をさらに備える、前記第2の半導体ダイと、
前記第2の3次元アレイと並行して前記第1の3次元アレイ内のメモリ動作を制御するように構成された制御回路を備える第3の半導体ダイであって、第1のセンス増幅器と、第2のセンス増幅器と、をさらに備える前記第3の半導体ダイと、
前記第1の半導体ダイを前記第3の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するように構成された第1の対のボンドパッドであって、前記第1の対のボンドパッドが、前記第1の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間のメモリ動作信号転送を可能にするように構成されており、前記第1のセンス増幅器が、前記第1の対のボンドパッドの第1の部材に接続されており、前記第1のビット線が、前記第1の対のボンドパッドの第2の部材に接続されている、第1の対のボンドパッドと、
前記第2の半導体ダイを前記第3の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するか、又は前記第1の半導体ダイを前記第2の半導体ダイに電気的及び物理的に結合するか、のいずれかを行うように構成された第2の対のボンドパッドであって、前記第2の対のボンドパッドが、前記第2の半導体ダイと前記第3の半導体ダイとの間、又は前記第1の半導体ダイと前記第2の半導体ダイとの間、のいずれかのメモリ動作信号転送を可能にするように更に構成されており、前記第2のセンス増幅器が、前記第2の対のボンドパッドの第1の部材に接続されており、前記第2のビット線が、前記第2の対のボンドパッドの第2の部材に接続されている、第2の対のボンドパッドと、を備える、集積メモリモジュール。 - 装置であって、
第1の不揮発性メモリセルと、前記第1の不揮発性メモリセルの第1の群に接続されている第1のワード線と、を備える第1の半導体ダイと、
第2の不揮発性メモリセルと、前記第2の不揮発性メモリセルの第2の群に接続されている第2のワード線と、を備える第2の半導体ダイと、
制御回路を備える第3の半導体ダイと、を備え、
前記第1、前記第2、及び前記第3の半導体ダイが、一緒に接合され、前記制御回路が、前記第2の不揮発性メモリセルと並行して前記第1の不揮発性メモリセルにおけるメモリ動作を制御するように構成され、前記制御回路が、前記第1のワード線及び前記第2のワード線に結合されたワード線ドライバを備え、前記制御回路が、前記ワード線ドライバを制御して、前記第1のワード線及び前記第2のワード線に電力を同時に送達するように構成されている、装置。 - 前記第3の半導体ダイが、前記第1の半導体ダイに接合されており、
前記第1の半導体ダイが、前記第2の半導体ダイに接合されている、請求項14に記載の装置。 - 前記制御回路が、
前記第2の半導体ダイ内の前記第2のワード線に接続された第2の群の前記第2の不揮発性メモリセルにデータをプログラムすることと並行して、前記第1の半導体ダイ内の前記第1のワード線に接続された第1の群の前記第1の不揮発性メモリセルにデータをプログラムするように更に構成されている、請求項14に記載の装置。 - 装置であって、
第1の不揮発性メモリセルと、前記第1の不揮発性メモリセルに関連する第1のビット線と、を備える第1の半導体ダイと、
第2の不揮発性メモリセルと、前記第2の不揮発性メモリセルに関連する第2のビット線と、を備える第2の半導体ダイと、
制御回路を備える第3の半導体ダイと、を備え、
前記第3の半導体ダイが、前記第1の半導体ダイに接合され、前記第3の半導体ダイが、前記第2の半導体ダイに接合され、前記制御回路が、前記第1のビット線に接続された複数の第1のセンス増幅器を備え、前記制御回路が、前記第2のビット線に接続された複数の第2のセンス増幅器を備え、前記制御回路は、前記第2の不揮発性メモリセルと並行して前記第1の不揮発性メモリセルを感知するように構成されている、装置。 - 前記第3の半導体ダイが、第1のボンドパッドにより前記第1の半導体ダイに接合されており、
前記第3の半導体ダイが、第2のボンドパッドにより前記第2の半導体ダイに接合されており、
複数の前記第1のセンス増幅器が、前記第1のボンドパッドの第1の群を介して前記第1のビット線に接続されており、
複数の前記第2のセンス増幅器が、前記第2のボンドパッドの第2の群を介して前記第2のビット線に接続されている、請求項17に記載の装置。
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