JP6993400B2 - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6993400B2 JP6993400B2 JP2019501269A JP2019501269A JP6993400B2 JP 6993400 B2 JP6993400 B2 JP 6993400B2 JP 2019501269 A JP2019501269 A JP 2019501269A JP 2019501269 A JP2019501269 A JP 2019501269A JP 6993400 B2 JP6993400 B2 JP 6993400B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- surface acoustic
- acoustic wave
- wave element
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
- H03H9/02629—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves of the edges
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
本発明は、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極を有する弾性表面波素子に関する。
従来、移動体通信機のフロントエンド部に配置される帯域通過型フィルタなどに、弾性波を使用した弾性表面波素子が広く用いられている。
例えば、帯域通過型フィルタに対応する弾性表面波素子として、３０°ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウム基板上に、酸化アルミニウムからなる誘電体層を設け、この誘電体層上にＩＤＴ電極を設けた構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に示された弾性表面波素子では、誘電体層の厚みや材質を適宜選択して電気機械結合係数を調整し、比帯域（（反共振周波数－共振周波数）／共振周波数×１００）を決めることができる。しかしながら、弾性表面波素子の製造過程で生じる誘電体層の厚さばらつきによって、製造後の複数の弾性表面波素子において、比帯域のばらつきが発生するという問題がある。
そこで、本発明は、弾性表面波素子の比帯域のばらつきを抑制することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性表面波素子は、ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶を含む基板と、前記基板上に設けられた第１誘電体層と、前記第１誘電体層上に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極を覆うように前記第１誘電体層上に設けられた第２誘電体層とを備え、前記第１誘電体層は、酸化ケイ素を含み、前記ＬｉＮｂＯ
３
圧電単結晶のＹカット角は、１００°以上１６０°以下であり、前記ＩＤＴ電極に高周波信号が入力された場合に前記基板にレイリー波を発生させることで、前記基板において前記高周波信号を伝搬する。
ＩＤＴ電極に高周波信号が入力された場合に基板にレイリー波を発生させることで高周波信号を伝搬する弾性表面波素子では、信号伝搬時の振幅の大きい領域が基板および第１誘電体層から離れて位置することとなるので、製造時において第１誘電体層の厚さばらつきが生じる場合であっても、弾性表面波素子の比帯域のばらつきを抑制することができる。また、第１誘電体層が、酸化ケイ素を含むことで、製造時において、第１誘電体層の厚さばらつきが生じる場合であっても、弾性表面波素子の比帯域のばらつきを抑制することができる。また、ＬｉＮｂＯ
３
圧電単結晶のＹカット角が１００°以上１６０°以下であることから、このＹカット角の範囲にて電気機械結合係数が大きくなり、弾性表面波素子がレイリー波を利用して高周波信号を伝搬しやすい構造となる。これにより、信号伝搬時の振幅の大きい領域が基板および第１誘電体層から離れて位置することとなり、製造時において第１誘電体層の厚さばらつきが生じる場合であっても、弾性表面波素子の比帯域のばらつきを抑制することができる。
前記第２誘電体層は、酸化ケイ素を含んでいてもよい。
前記第１誘電体層は前記第２誘電体層よりも厚みが薄くてもよい。
このように、電気機械結合係数を調整するための層である第１誘電体層を第２誘電体層よりも薄くすることで、第１誘電体層の厚さのばらつき寸法を小さくすることができる。これにより、製造後の複数の弾性表面波素子において、比帯域のばらつきを抑制することができる。
また、前記ＩＤＴ電極に高周波信号が入力され、前記弾性表面波素子にて前記レイリー波を発生させた場合に、前記レイリー波の振動の最大振幅の発生位置が、前記第２誘電体層内に存在していてもよい。
これによれば、信号伝搬時の最大振幅の発生位置が基板および第１誘電体層から離れて位置することになる。そのため、製造時において第１誘電体層の厚さばらつきが生じる場合であっても、弾性表面波素子の比帯域のばらつきを抑制することができる。
本発明によれば、弾性表面波素子の比帯域のばらつきを抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態について、実施例および図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ、または大きさの比は、必ずしも厳密ではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。
（実施の形態）
［１．１ 弾性表面波素子の構造］
弾性表面波素子は、例えば、入力された高周波信号をフィルタリングして出力する弾性表面波フィルタを構成する素子として用いられる。
［１．１ 弾性表面波素子の構造］
弾性表面波素子は、例えば、入力された高周波信号をフィルタリングして出力する弾性表面波フィルタを構成する素子として用いられる。
図１は、実施の形態に係る弾性表面波素子１０の概略を表す平面図および断面図である。また、図２は、弾性表面波素子１０の基板１０１およびＩＤＴ電極１２１の詳細を示す断面図である。以降において、基板１０１の主面１０１ａに沿い、弾性表面波が伝搬する方向をＴ方向とし、主面１０１ａに垂直な方向をＶ方向とし、Ｔ方向およびＶ方向の両方に垂直な方向をＨ方向とする。
弾性表面波素子１０は、図１に示すように、基板１０１と、基板１０１上に設けられた第１誘電体層１２２と、第１誘電体層１２２上に設けられたＩＤＴ電極１２１と、第２誘電体層１０３と、保護層１０４とを有する。本実施の形態の弾性表面波素子１０は、ＩＤＴ電極１２１に高周波信号が入力された場合に基板１０１に発生するレイリー波を利用して、基板１０１において高周波信号を伝搬する。
基板１０１は、例えば、１２７．５°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶を含み、レイリー波を利用して高周波信号を伝搬する構造を有している。なお、レイリー波を利用するためには、ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶のＹカット角は、少なくとも１００°以上１６０°以下のうち所定のＹカット角であればよい。また、望ましくは、ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶のＹカット角は、１２０°以上１３０°以下のうち所定のＹカット角であればよい。
また、基板１０１は、少なくとも一部に圧電性を有する基板であればよい。例えば、表面に圧電薄膜（圧電体）を備え、当該圧電薄膜と音速の異なる膜、および支持基板などの積層体で構成されていてもよい。基板１０１は、基板全体に圧電性を有していても良い。この場合、基板１０１は、圧電体層一層からなる圧電基板である。
ＩＤＴ電極１２１は、図１に示すように、互いに対向する一対の櫛形電極１２１ａおよび１２１ｂで構成されている。櫛形電極１２１ａおよび１２１ｂは、それぞれ、互いに平行な複数の電極指と、当該複数の電極指を接続するバスバー電極とで構成されている。上記複数の電極指は、Ｔ方向と直交するＨ方向に沿って形成されている。弾性表面波素子１０は、当該複数の電極指の繰り返し周期λ、デューティ比Ｗ／（Ｗ＋Ｓ）等の設計パラメータによって、励振される弾性波の波長が規定される。
またＩＤＴ電極１２１は、図２に示すように、基板１０１側から順に、金属膜２１１、金属膜２１２、金属膜２１３、金属膜２１４および金属膜２１５が積層されることによって形成されている。
金属膜２１１は、基板１０１との密着性を高めるための密着膜であり、例えば、厚さ１０ｎｍのＮｉＣｒ材料によって形成される。金属膜２１２は、弾性波のエネルギーを閉じ込めるための主電極であり、例えば、厚さ４０ｎｍのＰｔ材料によって形成される。金属膜２１３は、金属膜２１２と金属膜２１４との相互拡散を抑制するバリア膜であり、例えば、厚さ１０ｎｍのＴｉ材料によって形成される。金属膜２１４は、電極指の導電性を向上させるための導電膜であり、例えば、厚さが１５９ｎｍで、抵抗値が小さい材料であるＡｌＣｕ合金材料によって形成される。金属膜２１５は、第２誘電体層１０３との密着性を高めるための密着膜であり、例えば、厚さ１０ｎｍのＴｉ材料によって形成される。Ｐｔからなる金属膜２１２は、積層体を構成する複数の金属膜２１１～２１５のうち最も高密度の金属膜である。また、金属膜２１１、２１３、２１４および２１５は、最も高密度の金属膜２１２以外の金属膜を構成する。
第１誘電体層１２２は、基板１０１およびＩＤＴ電極１２１の間に形成された、電気機械結合係数を調整する層である。第１誘電体層１２２は、例えば、厚さ１ｎｍの酸化ケイ素層であり、スパッタによって形成される。
第２誘電体層１０３は、周波数温度特性を改善するとともに、ＩＤＴ電極１２１を外部環境から保護する層である。第２誘電体層１０３は、例えば、厚さ３０ｎｍの酸化ケイ素層であり、ＩＤＴ電極１２１を覆うように第１誘電体層１２２上に設けられている。
第１誘電体層１２２は、第２誘電体層１０３よりも厚みが薄い。第１誘電体層１２２の厚さは、第２誘電体層１０３の厚さの約１／３０である。ＩＤＴ電極１２１の合計の厚さは、第２誘電体層１０３の厚さとほぼ同じである。
保護層１０４は、周波数を調整するための層であるとともに、ＩＤＴ電極１２１を外部環境から保護する層である。保護層１０４は、例えば、ＳｉＮ層であり、第２誘電体層１０３上に設けられている。
なお、図１および図２に示した弾性表面波素子１０の構成は一例であり、これらに限られない。ＩＤＴ電極１２１を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。ＩＤＴ電極１２１は、金属膜の積層構造でなく、金属膜の単層であってもよい。また、各金属膜および各保護層を構成する材料は、上述した材料に限定されない。また、ＩＤＴ電極１２１は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、第２誘電体層１０３、保護層１０４、および第１誘電体層１２２の構成は、上述の構成に限らず、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ポリイミド、もしくはこれらの積層体などの誘電体もしくは絶縁体で構成されてもかまわない。
（効果等）
上記構成を有する弾性表面波素子１０は、ラブ波を利用した弾性表面波素子である比較例に比べて、比帯域のばらつきを抑制することができる。この理解を容易にするために、比較例における弾性表面波素子の構成を説明する。
上記構成を有する弾性表面波素子１０は、ラブ波を利用した弾性表面波素子である比較例に比べて、比帯域のばらつきを抑制することができる。この理解を容易にするために、比較例における弾性表面波素子の構成を説明する。
図３は、比較例における弾性表面波素子５１０の基板５０１およびＩＤＴ電極１２１の詳細を示す断面図である。
比較例における弾性表面波素子５１０は、ＩＤＴ電極１２１に高周波信号が入力された場合に基板５０１に発生するラブ波を利用して、基板５０１において高周波信号を伝搬する。基板５０１は、－４°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶を含み、ラブ波を利用して高周波信号を伝搬する構造を有している。その他の構成は、本実施の形態と同様であり説明を省略する。
図４は、弾性表面波素子の断面の振動分布（シミュレーション結果）を示す図であって、（ａ）はレイリー波を発生させた場合の振動分布（実施の形態）、（ｂ）はラブ波を発生させた場合の振動分布（比較例）である。各弾性表面波素子には、電力１Ｗの信号を入力した。
なお、図４の振動分布は、各座標点における振幅の大きさを示している。レイリー波である図４の（ａ）の振幅は、Ｖ方向およびＴ方向の振動成分からなり、ラブ波である図４の（ｂ）の振幅は、Ｈ方向の振動成分からなる。
図４の（ａ）では、振幅が大きい領域を狭ピッチの斜線ハッチングで表し、振幅が小さい領域を広ピッチの斜線ハッチングで表している。最大振幅ａ１の発生位置は、ＩＤＴ電極１２１の内部でなく、第２誘電体層１０３の内部に存在している。最大振幅ａ１と最少振幅ａ２との差は、約５ｎｍである。図４の（ｂ）では、振幅が大きい領域を狭ピッチの斜線ハッチングで表し、振幅が小さい領域を広ピッチの斜線ハッチングで表している。最大振幅ａ３の発生位置は、電極指内に存在している。最大振幅ａ３と最少振幅ａ４との差は、約１２ｎｍである。
比較例における弾性表面波素子５１０では、図４の（ｂ）に示すように、振幅の大きい領域が基板５０１および第１誘電体層１２２の近くに位置している。そのため、弾性表面波素子５１０の製造過程にて生じる第１誘電体層１２２の厚さばらつきによって、製造後の複数の弾性表面波素子５１０において、比帯域のばらつきが発生しやすい。
それに対し、本実施の形態に係る弾性表面波素子１０では、図４の（ａ）に示すように、振幅の大きい領域が、ＩＤＴ電極１２１よりも上側にあり、弾性表面波素子５１０に比べて基板１０１および第１誘電体層１２２から離れて位置している。そのため、製造時に第１誘電体層１２２の厚さばらつきが生じた場合であっても、厚さばらつきの影響を受けにくく、製造後の複数の弾性表面波素子１０の比帯域のばらつきが抑制される。
すなわち、本実施の形態に係る弾性表面波素子１０は、ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶を含む基板１０１と、基板１０１上に設けられた第１誘電体層１２２と、第１誘電体層１２２上に設けられたＩＤＴ電極１２１とを備え、ＩＤＴ電極１２１に高周波信号が入力された場合に基板１０１に発生するレイリー波を利用して、基板１０１において高周波信号を伝搬する。
このように、レイリー波を利用して高周波信号を伝搬する弾性表面波素子１０では、信号伝搬時の振幅の大きい領域が基板１０１および第１誘電体層１２２から離れて位置することになる。そのため、製造時に第１誘電体層１２２の厚さばらつきが生じる場合であっても、製造後の複数の弾性表面波素子１０において、比帯域のばらつきを抑制することができる。
（その他の実施の形態）
以上、本発明の実施の形態に係る弾性表面波素子について説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る弾性表面波素子を内蔵した各種フィルタおよび各種機器も本発明に含まれる。
以上、本発明の実施の形態に係る弾性表面波素子について説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る弾性表面波素子を内蔵した各種フィルタおよび各種機器も本発明に含まれる。
本発明は、比帯域のばらつきが小さい弾性表面波素子として、弾性波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置などに広く利用できる。
１０ 弾性表面波素子
１０１ 基板
１０１ａ 主面
１０３ 第２誘電体層
１０４ 保護層
１２１ ＩＤＴ電極
１２１ａ、１２１ｂ 櫛形電極
１２２ 第１誘電体層
２１１、２１２、２１３、２１４、２１５ 金属膜
１０１ 基板
１０１ａ 主面
１０３ 第２誘電体層
１０４ 保護層
１２１ ＩＤＴ電極
１２１ａ、１２１ｂ 櫛形電極
１２２ 第１誘電体層
２１１、２１２、２１３、２１４、２１５ 金属膜
Claims (4)
- ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶を含む基板と、前記基板上に設けられた第１誘電体層と、前記第１誘電体層上に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極を覆うように前記第１誘電体層上に設けられた第２誘電体層とを備え、
前記第１誘電体層は、酸化ケイ素を含み、
前記ＬｉＮｂＯ ３ 圧電単結晶のＹカット角は、１００°以上１６０°以下であり、
前記ＩＤＴ電極に高周波信号が入力された場合に前記基板にレイリー波を発生させることで、前記基板において前記高周波信号を伝搬する
弾性表面波素子。 - 前記第２誘電体層は、酸化ケイ素を含む
請求項１に記載の弾性表面波素子。 - 前記第１誘電体層は前記第２誘電体層よりも厚みが薄い
請求項１または２に記載の弾性表面波素子。 - 前記ＩＤＴ電極に高周波信号が入力され、前記弾性表面波素子にて前記レイリー波を発生させた場合に、前記レイリー波の振動の最大振幅の発生位置が、前記第２誘電体層内に存在する
請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性表面波素子。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017031360 | 2017-02-22 | ||
| JP2017031360 | 2017-02-22 | ||
| PCT/JP2018/005286 WO2018155305A1 (ja) | 2017-02-22 | 2018-02-15 | 弾性表面波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2018155305A1 JPWO2018155305A1 (ja) | 2019-11-07 |
| JP6993400B2 true JP6993400B2 (ja) | 2022-01-13 |
Family
ID=63253705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019501269A Active JP6993400B2 (ja) | 2017-02-22 | 2018-02-15 | 弾性表面波素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11863155B2 (ja) |
| JP (1) | JP6993400B2 (ja) |
| KR (1) | KR102304886B1 (ja) |
| CN (1) | CN110313130B (ja) |
| WO (1) | WO2018155305A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016117483A1 (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法、および弾性波装置 |
| DE102019124861A1 (de) * | 2019-09-16 | 2021-03-18 | RF360 Europe GmbH | Filterchip und SAW-Resonator erster Art |
| WO2021079830A1 (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
| WO2022044869A1 (ja) * | 2020-08-27 | 2022-03-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529389A (en) * | 1975-07-14 | 1977-01-24 | Toshiba Corp | Surface acoustic wave device |
| DE2631671A1 (de) * | 1975-07-14 | 1977-02-03 | Tokyo Shibaura Electric Co | Vorrichtung fuer elastische oberflaechenwellen |
| JPS59156013A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Hiroshi Shimizu | 高結合弾性表面波圧電基板 |
| JP3894917B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2007-03-22 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性境界波デバイス及びその製造方法 |
| US7795788B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-09-14 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave element and communication device |
| JP2008067289A (ja) | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
| JP2008078739A (ja) | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
| DE112011104653B4 (de) * | 2010-12-29 | 2016-07-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oberflächenschallwellen-Bauelement |
| JP5766457B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2015-08-19 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
| DE102011011377B4 (de) * | 2011-02-16 | 2016-05-25 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement |
| JP5182459B2 (ja) * | 2011-06-23 | 2013-04-17 | パナソニック株式会社 | ラダー型弾性波フィルタ及びこれを用いたアンテナ共用器 |
| JP6198536B2 (ja) * | 2013-09-11 | 2017-09-20 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | 弾性波素子とこれを用いた電子機器 |
| US9496846B2 (en) * | 2013-02-15 | 2016-11-15 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Acoustic wave device and electronic apparatus including same |
| DE102014105860A1 (de) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement und Kristallschnitte für elektroakustische Bauelemente |
| WO2015191719A1 (en) * | 2014-06-10 | 2015-12-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Unreleased coupled mems resonators and transmission filters |
| US20170155373A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface acoustic wave (saw) resonator structure with dielectric material below electrode fingers |
-
2018
- 2018-02-15 CN CN201880012879.8A patent/CN110313130B/zh active Active
- 2018-02-15 KR KR1020197021875A patent/KR102304886B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-15 WO PCT/JP2018/005286 patent/WO2018155305A1/ja active Application Filing
- 2018-02-15 JP JP2019501269A patent/JP6993400B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-14 US US16/540,096 patent/US11863155B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11863155B2 (en) | 2024-01-02 |
| WO2018155305A1 (ja) | 2018-08-30 |
| KR102304886B1 (ko) | 2021-09-24 |
| CN110313130A (zh) | 2019-10-08 |
| JPWO2018155305A1 (ja) | 2019-11-07 |
| CN110313130B (zh) | 2023-02-28 |
| US20190372551A1 (en) | 2019-12-05 |
| KR20190096425A (ko) | 2019-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102205855B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
| WO2017188342A1 (ja) | 弾性波素子および通信装置 | |
| JP6247377B2 (ja) | 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置 | |
| JP6993400B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP5828032B2 (ja) | 弾性波素子とこれを用いたアンテナ共用器 | |
| JP2008072316A (ja) | 弾性波デバイス、共振器およびフィルタ | |
| WO2016103953A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP7278305B2 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
| WO2016080444A1 (ja) | 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置 | |
| JP2015073207A (ja) | 弾性波共振器 | |
| JP5083469B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP7168009B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ | |
| WO2021085609A1 (ja) | 弾性波フィルタ | |
| WO2018079574A1 (ja) | 弾性波素子 | |
| JP6276354B2 (ja) | インタデジタルトランスデューサ | |
| JPWO2017170742A1 (ja) | 弾性波素子および通信装置 | |
| KR102001429B1 (ko) | 탄성파 소자 및 탄성파 필터장치 | |
| WO2018117060A1 (ja) | 弾性波共振器、フィルタ装置およびマルチプレクサ | |
| WO2018117059A1 (ja) | 弾性波共振器、フィルタ装置およびマルチプレクサ | |
| JP7132841B2 (ja) | 弾性表面波素子、分波器および通信装置 | |
| JP2013012932A (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP2006121133A (ja) | 弾性表面波デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200512 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200710 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210224 |
|
| C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210224 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210302 |
|
| C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210309 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20210402 |
|
| C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20210406 |
|
| C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20210914 |
|
| C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20211012 |
|
| C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20211026 |
|
| C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20211130 |
|
| C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20211130 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211209 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6993400 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |