JP6989691B2 - 観察装置 - Google Patents
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Description
本発明の一態様は、インキュベータ内に配置される観察装置であって、光を反射する反射物体が前記インキュベータ内の前記観察装置の上方に配置され、試料が載置される略水平なステージと、該ステージの下方に配置され、斜め上方に向けて照明光を射出する照明光学系と、前記ステージの下方に配置され、前記ステージを透過し前記試料の上方において反射面によって反射され前記試料および前記ステージを斜め下方に透過した前記照明光を撮像する撮像光学系とを備え、前記照明光学系が、前記照明光を発する光源と、該光源からの前記照明光を特定の第1射出領域に制限する照明マスクと、前記第1射出領域から射出された前記照明光を略平行光に変換するコリメートレンズと、該コリメートレンズからの前記照明光を特定の第2射出領域に制限する射出領域制限部材とを備え、前記撮像光学系の瞳面に投影された前記第1射出領域の投影像が、前記撮像光学系の瞳の辺縁部に部分的に重なり、前記試料を通過した光は前記撮像光学系に略平行に入射し、前記撮像光学系の瞳面に結像し、下記条件式(1)および条件式(2)を満たす観察装置である。
0.1NA<θmin<NA<θmax<π/2…(1)
Xex_max−(Hill+2Hinc)*θmin<Xfov_min…(2)
ここで、NAは、前記撮像光学系の前記試料側の開口数、θminは、前記第2射出領域から射出される前記照明光の前記撮像光学系の光軸に対する射出角の最小値(rad)、θmaxは、前記第2射出領域から射出される前記照明光の前記撮像光学系の光軸に対する射出角の最大値(rad)、Xex_maxは、前記第2射出領域の前記撮像光学系の光軸から最も遠い端のX座標(mm)、Xfov_minは、前記撮像光学系の実視野の前記照明光学系から遠い側の端のX座標(mm)、Hillは、前記射出領域制限部材から前記撮像光学系の標本面までの前記撮像光学系の光軸に沿う方向の高さ(空気換算長、mm)、Hincは、前記標本面から前記インキュベータ内の前記反射物体までの前記撮像光学系の光軸に沿う方向の高さ(空気換算長、mm)であり、X座標は、前記撮像光学系の光軸に直交し前記第2射出領域から射出される前記照明光の光軸を通るX方向の位置座標であり、前記撮像光学系の光軸がX座標の原点であり、前記撮像光学系の光軸から前記コリメートレンズの光軸に向かう方向が正である。
また、反射面の上方に、照明光を反射する反射物体が存在することがある。条件式(2)を満たすことによって、反射物体によって下方に反射された照明光が撮像光学系の実視野に入射しない。これにより、反射物体からの不要光に因る試料の像のコントラスト低下を防ぎ、偏斜照明による高コントラストの試料の像を確実に取得することができる。
Xex_min<Xfov_min+(Hill+2Hcase)*NA…(3)
ここで、Xex_minは、前記第2射出領域の前記撮像光学系の光軸に最も近い端のX座標、Hcaseは、前記標本面から前記反射面までの前記撮像光学系の光軸に沿う方向の高さ(空気換算長)である。
この構成によって、反射面によって反射された照明光により、実視野の中央のみならず実視野の端まで明るく照明することができる。
Xex_max>Xfov_max+(Hill+2Hcase)*NA…(4)
ここで、Xfov_maxは、前記撮像光学系の実視野の前記照明光学系に近い側の端のX座標、Hcaseは、前記標本面から前記反射面までの前記撮像光学系の光軸に沿う方向の高さ(空気換算長)である。
この構成によって、撮像光学系の実視野の端まで試料のコントラストを得ることができる。
この構成によって、条件式(2)におけるXex_maxを変更することができる。すなわち、容器の種類および反射物体の位置等の観察条件に応じて、条件式(2)が満たされる範囲内にXex_maxを調整することができる。
この構成によって、条件式(1)および(2)におけるθminを変更することができる。すなわち、容器の種類および反射物体の位置等の観察条件に応じて、条件式(1)および(2)が満たされる範囲内にθminを調整することができる。
この構成によって、コリメートレンズから、撮像光学系の光軸に向かって斜め上方に照明光を射出させることができる。
θmin=(Xm_min−Xc_axis)/Fc…(5)
θmax=(Xm_max−Xc_axis)/Fc…(6)
ここで、Xm_minは、前記第1射出領域の前記撮像光学系の光軸に最も近い端のX座標、Xm_maxは、前記第1射出領域の前記撮像光学系の光軸から最も遠い端のX座標、Xc_axisは、前記コリメートレンズの光軸のX座標、Fcは、前記コリメートレンズの前記X方向の焦点距離である。
本実施形態に係る観察装置100は、細胞培養用の容器1と一緒にインキュベータ内に配置され、容器1内の細胞(試料)を撮像する。インキュベータ内には上下方向に並ぶ複数の棚が設置され、観察装置100はいずれかの棚の上に配置される。観察装置100の上方には、図1に示されるように、反射物体20である他の棚またはインキュベータの天井が存在する。棚および天井は、ステンレスのような金属製であり、光を反射する。
以下、撮像光学系4の光軸Zに沿う方向をZ方向と定義し、撮像光学系4と照明光学系3のコリメートレンズ8(後述)の光軸Z’との配列方向をX方向と定義する。X方向は、光軸Zに直交し光軸Z’を通過する方向である。また、撮像光学系4の光軸Zからコリメートレンズ8の光軸Z’に向かう方向を、X方向の正方向と定義する。
ステージ2は、平板状の部材であり、ガラスのような光学的に透明な材質から形成されている。ステージ2は、略水平に配置され、照明光学系3および撮像光学系4の上方を覆っている。ステージ2は、照明光学系3および撮像光学系4を収容する箱型の筐体の天板であってもよい。
拡散板6は、光源5から入射した照明光を拡散し、拡散された照明光を射出する。つまり、拡散板6は、面光源として機能する。
照明マスク7は、開口部からなり照明光を通過させる第1射出領域7aを有している。拡散板6によって拡散された照明光は第1射出領域7aのみから射出される。
照明マスク7は、コリメートレンズ8の焦点面上に配置されている。コリメートレンズ8は、第1射出領域7aから射出された照明光を略平行光に変換する。
対物レンズ11は、光軸上に瞳(明るさ絞り)11aを有している。対物レンズ11は、入射した照明光を撮像素子12上に結像する。
撮像素子12は、2次元イメージセンサである。
Xex_max−(Hill+2Hinc)*θmin<Xfov_min…(2)
Xex_min<Xfov_min+(Hill+2Hcase)*NA…(3)
Xex_max>Xfov_max+(Hill+2Hcase)*NA…(4)
NAは、対物レンズ11の物体側(細胞側)の開口数である。θminは、第2射出領域9aから射出される照明光の、撮像光学系4の光軸Zに対する射出角の最小値(rad)である。θmaxは、第2射出領域9aから射出される照明光の、撮像光学系4の光軸Zに対する射出角の最大値(rad)である。Xex_maxは、第2射出領域9aの撮像光学系4から最も遠い端のX座標(mm)である。Xex_minは、第2射出領域9aの撮像光学系4に最も近い端のX座標(mm)である。Xfov_maxは、撮像光学系4の実視野FOVの、照明光学系3から遠い側の端のX座標(mm)である。Xfov_minは、撮像光学系4の実視野FOVの、照明光学系3に近い側の端のX座標(mm)である。Hillは、射出領域制限部材9から撮像光学系4の標本面PまでのZ方向の高さ(mm)である。Hincは、標本面Pから反射物体20までのZ方向の高さ(mm)である。Hcaseは、標本面Pから天板1bの内面(反射面)までのZ方向の高さ(mm)である。
Hill、HincおよびHcaseに関して、第2射出領域9aとインキュベータの反射物体20との間の照明光の光路に空気以外の媒質が存在する場合には、Hill、HincおよびHcaseは、空気換算長である。
θmin=(Xm_min−Xc_axis)/Fc…(5)
θmax=(Xm_max−Xc_axis)/Fc…(6)
ここで、Xm_minは、第1射出領域7aの撮像光学系4の光軸Zに最も近い端のX座標(mm)である。Xm_maxは、第1射出領域7aの撮像光学系4の光軸Zから最も遠い端のX座標(mm)である。Xc_axisは、コリメートレンズ8の光軸Z’のZ座標(mm)である。Fcは、コリメートレンズ8のX方向の焦点距離(mm)である。
NA≦θminである場合、図4Cに示されるように、照明光Lの光束の全部が瞳面において遮られるため、撮像素子12に照明光Lが入射しない。したがって、図5Cに示されるように、実視野FOV全体が暗くなる。
条件式(2)の左辺は、下記のように表される。
Xinc_max=Xex_max−(Hill+2Hcase)*θmin
Xinc_maxは、反射物体20によって反射された最小角度θminの照明光の標本面PでのX座標の最大値である。条件式(2)を満たすことによって、反射物体20からの不要光が撮像光学系4の実視野FOVに入射しない。すなわち、天板1bによって反射された照明光のみによる偏斜照明を実現することができる。
Xobj_min=Xex_min−(Hill+2Hcase)*θmin
Xobj_minは、天板1bの内面によって反射された最小角度θminの照明光の標本面PでのX座標の最小値である。条件式(3)を満たすことによって、容器1の天板1bからの照明光が、実視野FOV全体に入射する。すなわち、実視野FOVの端まで照明光が届き、全体にわたって明るい画像を得ることができる。
Xex_min−(Hill+2Hcase)*θmin<Xfov_min…(3’)
条件式(3)を満たしているが条件式(3’)を満たしていないときには、図9Bおよび図10Bに示されるように、実視野FOVの端において明るさが低下する。条件式(3’)を満たすことによって、実視野FOVの端の明るさを中心付近と同等にすることができる。
X”obj_max=Xex_max−(Hill+2Hcase)*NA
X”obj_maxは、天板1bの内面によって反射された角度NAの照明光の標本面PでのX座標の最大値である。条件式(4)を満たすことによって、実視野FOVの端まで細胞Sの高いコントラストを得ることができる。
Xex_max−(Hill+2Hcase)*θmax>Xfov_max…(4’)
条件式(4’)を満たすことによって、実視野FOVの端においても、実視野FOVの中央部分と同程度の細胞Sのコントラストを得ることができる。
本実施形態に係る観察装置100によって容器1内で培養中の細胞Sを観察するためには、図1に示されるように、底板1aを下側に向けた状態で容器1をステージ2上に載置し、容器1と観察装置100をインキュベータ内に配置する。
照明光は、ステージ2および容器1の底板1aを斜め上方に向かって透過し、容器1の天板1bの内面において反射され、細胞Sを斜め上方から照明する。
また、条件式(2)を満たすことによって、容器1の天板1bよりも上方の反射物体20によって反射された照明光が原因で細胞Sの像のコントラストが低下することが防止される。これにより、偏斜照明による高コントラストの細胞Sの像を確実に得ることができる。
この構成によって、Hinc等の観察条件に応じて、条件式(2)が満たされる範囲内にXex_maxを調整することができる。
条件式(1)および(2)のθminは、Xm_minに依存する。Hinc等の観察条件に応じて、条件式(1)および(2)が満たされる範囲内にXm_minを調整することができる。
各実施例における各種パラメータの値を図14に示す。
図14中の照明光学系の設定パラメータは、Fc、Xc_axis、Xm_min、Xm_max、Xex_min、Xex_maxである。図14中のθminおよびθmaxの値は、条件式(5),(6)から算出された概算値である。各実施例における計算は、条件式(5),(6)から算出されたθmin、θmaxの値に基づいて行っている。
図15Aは、第1実施例に係る観察装置101を示している。撮像光学系4はZ方向に移動可能であり、撮像光学系4のZ方向の移動によって細胞Sに焦点を合わせることができる。図15Bにおいて、上段は、上側から見たコリメートレンズ8と対物レンズ11との位置関係を示し、下段は、上側から見た照明マスク7と対物レンズ11との位置関係を示している。
Hinc>91.83のときに、条件式(2)を満たす。すなわち、標本面Pから反射物体20までの高さが91.83mmよりも大きくなるように、観察装置101と反射物体20とのZ方向の相対位置が決定される。
図16Aは、第2実施例に係るライン走査型の観察装置102を示している。
本実施例に係る観察装置102の照明光学系3において、光源5およびコリメートレンズ8の光軸Z’がX方向に沿って配置され、コリメートレンズ8から射出された照明光を斜め上方に向かって45°偏向するプリズム10がさらに設けられている。
照明光学系3および撮像光学系4は一体的となってX方向に移動可能である。照明光学系3のX方向の移動によって照明光をX方向に走査しながら、標本面Pの一次元画像が撮像素子12によって順次取得される。
Hinc>82.0のときに、条件式(2)を満たす。すなわち、標本面Pから反射物体20までの高さが82.0mmよりも大きくなるように、観察装置102と反射物体20とのZ方向の相対位置が決定される。
本実施例において、一般的な細胞培養用のウェルプレート、T12.5フラスコ、T25フラスコ、T75フラスコ、100mmディッシュを好適に使用することができる。
図17は、第3実施例に係る走査型の観察装置103を示している。
本実施例に係る観察装置103は、観察装置102の変形例であり、射出領域制限部材9がX方向に移動可能である。射出領域制限部材9のX方向の移動によって、Xex_maxが変化する。本実施例によれば、インキュベータ内の反射物体20の高さHincに応じて、条件式(2)が満たされる範囲内にXex_maxを調整することができる。図14には、Xex_max=4の場合を示している。この場合、Hinc>46.0のときに、条件式(2)を満たす。すなわち、標本面Pから反射物体20までの高さが46.0mmよりも大きくなるように、観察装置103と反射物体20とのZ方向の相対位置が決定される。
図18は、第4実施例に係る走査型の観察装置104を示している。
本実施例に係る観察装置104は、観察装置102の他の変形例であり、照明マスク7がZ方向に移動可能である。本実施例においてはコリメートレンズ8の光軸がプリズム10によって90°折り曲げられているので、照明マスク7から見たX方向およびZ方向は、撮像光学系4から見たZ方向およびX方向にそれぞれ対応している。したがって、照明マスク7のZ方向の移動によって、Xm_minが、撮像光学系4から見たX方向に対応するZ方向に変化する。本実施例によれば、インキュベータ内の反射物体20の高さHincに応じて、条件式(1)および(2)が満たされる範囲内にXm_minを調整することができる。
条件式(3)および(4)については、第2実施例と同一である。
例えば、図19Aに示されるように、プリズム10が、45°よりも大きな反射面を有していてもよく、図19Bに示されるように、光源5、拡散板6および照明マスク7が、撮像光学系4の光軸Zに対して傾斜していてもよい。
1 容器
2 ステージ
3 照明光学系
4 撮像光学系
5 光源
6 拡散板
7 照明マスク
7a 第1射出領域
8 コリメートレンズ
9 射出領域制限部材
9a 第2射出領域
10 プリズム
11 対物レンズ
11a 瞳
11b 辺縁部
12 撮像素子
Z 撮像光学系の光軸
Z’ コリメートレンズの光軸
P 標本面
Claims (7)
- インキュベータ内に配置される観察装置であって、光を反射する反射物体が前記インキュベータ内の前記観察装置の上方に配置され、
試料が載置される略水平なステージと、
該ステージの下方に配置され、斜め上方に向けて照明光を射出する照明光学系と、
前記ステージの下方に配置され、前記ステージを透過し前記試料の上方において反射面によって反射され前記試料および前記ステージを斜め下方に透過した前記照明光を撮像する撮像光学系とを備え、
前記照明光学系が、
前記照明光を発する光源と、
該光源からの前記照明光を特定の第1射出領域に制限する照明マスクと、
前記第1射出領域から射出された前記照明光を略平行光に変換するコリメートレンズと、
該コリメートレンズからの前記照明光を特定の第2射出領域に制限する射出領域制限部材とを備え、
前記撮像光学系の瞳面に投影された前記第1射出領域の投影像が、前記撮像光学系の瞳の辺縁部に部分的に重なり、
前記試料を通過した光は前記撮像光学系に略平行に入射し、前記撮像光学系の瞳面に結像し、
下記条件式(1)および条件式(2)を満たす観察装置。
0.1NA<θmin<NA<θmax<π/2…(1)
Xex_max−(Hill+2Hinc)*θmin<Xfov_min…(2)
ここで、
NAは、前記撮像光学系の前記試料側の開口数、
θminは、前記第2射出領域から射出される前記照明光の前記撮像光学系の光軸に対する射出角の最小値(rad)、
θmaxは、前記第2射出領域から射出される前記照明光の前記撮像光学系の光軸に対する射出角の最大値(rad)、
Xex_maxは、前記第2射出領域の前記撮像光学系の光軸から最も遠い端のX座標(mm)、
Xfov_minは、前記撮像光学系の実視野の前記照明光学系から遠い側の端のX座標(mm)、
Hillは、前記射出領域制限部材から前記撮像光学系の標本面までの前記撮像光学系の光軸に沿う方向の高さ(空気換算長、mm)、
Hincは、前記標本面から前記インキュベータ内の前記反射物体までの前記撮像光学系の光軸に沿う方向の高さ(空気換算長、mm)
であり、
X座標は、前記撮像光学系の光軸に直交し前記第2射出領域から射出される前記照明光の光軸を通るX方向の位置座標であり、前記撮像光学系の光軸がX座標の原点であり、前記撮像光学系の光軸から前記コリメートレンズの光軸に向かう方向が正である。 - 下記条件式(3)を満たす請求項1に記載の観察装置。
Xex_min<Xfov_min+(Hill+2Hcase)*NA…(3)
ここで、
Xex_minは、前記第2射出領域の前記撮像光学系の光軸に最も近い端のX座標(mm)、
Hcaseは、前記標本面から前記反射面までの前記撮像光学系の光軸に沿う方向の高さ(空気換算長、mm)
である。 - 下記条件式(4)を満たす請求項1または請求項2に記載の観察装置。
Xex_max>Xfov_max+(Hill+2Hcase)*NA…(4)
ここで、
Xfov_maxは、前記撮像光学系の実視野の前記照明光学系に近い側の端のX座標(mm)、
Hcaseは、前記標本面から前記反射面までの前記撮像光学系の光軸に沿う方向の高さ(空気換算長、mm)
である。 - 前記射出領域制限部材が、前記第2射出領域の前記撮像光学系の光軸から最も遠い端の位置を前記X方向に変更可能である請求項1から請求項3のいずれかに記載の観察装置。
- 前記照明光学系が、前記第2射出領域からの前記照明光の射出方向を変更可能であるプリズムまたはミラーを備える請求項1から請求項4のいずれかに記載の観察装置。
- 前記X方向において、前記第1射出領域の前記撮像光学系から遠い側の端が、前記コリメートレンズの光軸よりも前記撮像光学系の光軸に対して外側に配置される請求項1から請求項5のいずれかに記載の観察装置。
- 下記条件式(5)および条件式(6)を満たす請求項1から請求項6のいずれかに記載の観察装置。
θmin=(Xm_min−Xc_axis)/Fc…(5)
θmax=(Xm_max−Xc_axis)/Fc…(6)
ここで、
Xm_minは、前記第1射出領域の前記撮像光学系の光軸に最も近い端のX座標(mm)、
Xm_maxは、前記第1射出領域の前記撮像光学系の光軸から最も遠い端のX座標(mm)、
Xc_axisは、前記コリメートレンズの光軸のX座標(mm)、
Fcは、前記コリメートレンズの前記X方向の焦点距離(mm)
である。
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