JP6985085B2 - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6985085B2 JP6985085B2 JP2017186700A JP2017186700A JP6985085B2 JP 6985085 B2 JP6985085 B2 JP 6985085B2 JP 2017186700 A JP2017186700 A JP 2017186700A JP 2017186700 A JP2017186700 A JP 2017186700A JP 6985085 B2 JP6985085 B2 JP 6985085B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- pressure
- sensor
- cantilever
- pressure sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態による圧力センサ1の一例を示す外観図である。また、図2は、第1の実施形態による圧力センサ1の一例を示す断面図である。ここで、図2は、図1のAA’線における圧力センサ1の断面図を示す。
なお、本実施形態では、センサ基板20の厚み方向をZ軸方向とし、センサ基板20のセンサ部10が実装されている主面F1(表面、第1の主面)側を上方、その反対側の主面F2(裏面、第2の主面)側を下方という。また、後述するカンチレバー3の平面視で長手方向をX軸方向、カンチレバー3の平面視で長手方向(X軸方向)に直交する短手方向をY軸方向として説明する。
導体部32は、例えば、金属で構成され、キャビティ5を覆うように、少なくとも樹脂部31の外側底面及び外壁面(外側側面)に配置されている。また、導体部32は、電源GND(基準電位)に接続されている。
図3に示すように、センサ部10は、半導体基板上に、ギャップG1及びギャップG2と、カンチレバー3とが形成されている。
カンチレバー3の基端部3bには、該カンチレバー3を厚さ方向(Z軸方向)に貫通する平面視コ形状(C形状)のギャップG2(区画溝)が形成されている。このギャップG2は、カンチレバー3の基端部3bにおいてセンサ部10の短手方向(Y軸方向)の中央部に配置されている。これにより、カンチレバー3は基端部3bを中心として撓み変形し易い構造とされている。
なお、2つのレバー支持部4の短手方向(Y軸方向)に沿った支持幅は、同等とされている。従って、カンチレバー3が撓み変形した際、一方のレバー支持部4に作用する単位面積当たりの応力と、他方のレバー支持部4に作用する単位面積当たりの応力とは同等とされている。
また、図示を省略するが、ドープ層6の上面には、ドープ層6よりも電気抵抗率が小さい導電性材料(例えば、Au(金)等)からなる電極が形成されている。この電極は、抵抗R1(差圧検出抵抗Rsen1)の第1端及び第2端として機能する。
図4に示すように、アナログ回路部40は、ホイートストンブリッジ回路41と、差動増幅回路42と、ADC(Analog to Digital Converter)43とを備えている。
抵抗R1(差圧検出抵抗Rsen1)は、第1端が電圧Vccの供給線に、第2端がノードN1に接続されており、キャビティ5内外の差圧に応じて抵抗が変化する。抵抗R1は、例えば、ピエゾ抵抗(ドープ層6)である。また、抵抗R2は、第1端がノードN1に、第2端が電源GNDに接続されている。
なお、ホイートストンブリッジ回路41、差動増幅回路42、及びADC43は、キャビティ5内に配置されている。
図5及び図6を参照して、本実施形態におけるセンサ部10及びアナログ回路部40の動作について説明する。ここでは、圧力伝達媒体(例えば、空気)の圧力が変化した場合のカンチレバー3の動作と、その時のアナログ回路部40の出力特性について説明する。
なお、以下の説明において、空気の圧力は、外圧Poutと表記することとする。外圧Poutは、カンチレバー3の図2における下面側の圧力である。また、キャビティ5内部の内圧を内圧Pinと定義し、キャビティ5の外圧を外圧Poutとする。
ここで、図5(a)は、外圧Pout及び内圧Pinの経時変化を示しており、図5(b)は、アナログ回路部40(差動増幅回路42)の出力信号の経時変化を示している。
また、図6は、本実施形態におけるセンサ部10の動作の一例を示す図であり、図1〜図3に示すカンチレバー3の動作の一例を模式的に示す断面図である。
ここで、図6(a)は、初期状態のカンチレバー3の断面図を示し、図6(b)は、外圧Poutが内圧Pinより高い状態のカンチレバー3の断面図を示している。また、図6(c)は、キャビティ5内外の圧力が同じに戻った状態のカンチレバー3の断面図を示している。
その結果、内圧Pinが外圧Poutに徐々に近づくので、カンチレバー3の撓みが徐々に小さくなり、時刻t2以降において、図5(b)に示すように、上述の出力信号が、徐々に低下する(期間C)。
なお、アナログ回路部40の出力信号は、初期状態における基準電圧と、抵抗R1(ドープ層6)の抵抗変化に基づいて増幅された信号との加算となる。初期状態における基準電圧は、カンチレバー3に加わる差圧ΔPがゼロの場合の、図4に図示したホイートストンブリッジ回路41のノードN1とノードN2との電圧差を差動増幅回路42で増幅した電圧値となる。
また、デジタル処理部50は、アナログ回路部40が検出した差圧に対応した上述した出力波形データを、圧力変動情報に変換して、圧力センサ1の出力として出力する。
したがって、本実施形態による圧力センサ1は、温度変化や電磁ノイズにより検出精度が低下することを低減することができる。
これにより、本実施形態による圧力センサ1は、樹脂部31が断熱を行い、樹脂部31の外側底面及び外壁面に配置された導体部32がシールドとして機能し、キャビティ5内に電磁ノイズが侵入することを抑制するため、温度変化や電磁ノイズにより検出精度が低下することを低減することができる。
これにより、アナログ回路部40が、キャビティ筐体30によりシールドされるため、本実施形態による圧力センサ1は、電磁ノイズにより検出精度が低下することをさらに低減することができる。すなわち、本実施形態による圧力センサ1は、検出精度を向上させることができる。
次に、図面を参照して、第2の実施形態による圧力センサ1aについて説明する。
本実施形態では、導体部32aが、キャビティ5の内側に配置されている場合の変形例について説明する。
図7に示すように、圧力センサ1aは、センサ部10と、センサ基板20と、キャビティ筐体30aと、圧力検出部60とを備えている。また、圧力センサ1aは、センサ基板20と、キャビティ筐体30aとにより形成された中空であるキャビティ5を備えている。なお、図7において、図2と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
なお、キャビティ筐体30aは、上述した第1の実施形態と同様の手法により形成されているものとする。
次に、図面を参照して、第3の実施形態による圧力センサ1bについて説明する。
本実施形態では、導体部32bが、キャビティ5の外側及び開口面に配置されている場合の変形例について説明する。
図8に示すように、圧力センサ1bは、センサ部10と、センサ基板20と、キャビティ筐体30bと、圧力検出部60とを備えている。また、圧力センサ1bは、センサ基板20と、キャビティ筐体30bとにより形成された中空であるキャビティ5を備えている。なお、図8において、図2と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
なお、キャビティ筐体30bは、上述した第1の実施形態と同様の手法により形成されているものとする。
次に、図面を参照して、第4の実施形態による圧力センサ1cについて説明する。
本実施形態では、キャビティ5(センサ部10)をシールドする導体が、導体部32の他に、センサ基板20にも配置されている場合の変形例について説明する。
図9に示すように、圧力センサ1cは、センサ部10と、センサ基板20と、キャビティ筐体30と、圧力検出部60と、導体パターン21とを備えている。また、圧力センサ1cは、センサ基板20と、キャビティ筐体30とにより形成された中空であるキャビティ5を備えている。なお、図9において、図2と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
導体パターン21は、センサ基板20の主面F2に、例えば、電源GNDの導体パターン(導電パターン)として、形成されており、導体部32と同様に、電源GND(基準電位)に接続されている。
なお、本実施形態による圧力センサ1cでは、導体パターン21が、センサ基板20の側からの電磁ノイズを低減することができるため、電磁ノイズにより検出精度が低下することをさらに低減することができる。
次に、図面を参照して、第5の実施形態による圧力センサ1dについて説明する。
本実施形態では、第1の実施形態における導体部32の形状(パターン)が異なる第1の変形例について説明する。
図10に示すように、圧力センサ1dは、センサ部10と、センサ基板20と、キャビティ筐体30cと、圧力検出部60とを備えている。また、圧力センサ1dは、センサ基板20と、キャビティ筐体30cとにより形成された中空であるキャビティ5を備えている。なお、図10において、図1と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
なお、キャビティ筐体30cは、例えば、メッシュ状の金属シートを樹脂部31に接着して形成されている。また、キャビティ筐体30cは、上述した第1の実施形態と同様の手法により形成されてもよい。
これにより、本実施形態による圧力センサ1dは、上述した第1の実施形態と同様の効果を奏し、温度変化や電磁ノイズにより検出精度が低下することを低減することができる。
次に、図面を参照して、第6の実施形態による圧力センサ1eについて説明する。
本実施形態では、第1の実施形態における導体部32の形状(パターン)が異なる第2の変形例について説明する。
図11に示すように、圧力センサ1eは、センサ部10と、センサ基板20と、キャビティ筐体30dと、圧力検出部60とを備えている。また、圧力センサ1eは、センサ基板20と、キャビティ筐体30dとにより形成された中空であるキャビティ5を備えている。なお、図11において、図1と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
なお、キャビティ筐体30dは、例えば、格子状の金属シートを樹脂部31に接着して形成されている。また、キャビティ筐体30dは、上述した第1の実施形態と同様の手法により形成されてもよい。
これにより、本実施形態による圧力センサ1eは、上述した第1の実施形態と同様の効果を奏し、温度変化や電磁ノイズにより検出精度が低下することを低減することができる。
次に、図面を参照して、第7の実施形態による圧力センサ1fについて説明する。
本実施形態では、第1の実施形態における導体部32の形状(パターン)が異なる第3の変形例について説明する。
図12に示すように、圧力センサ1fは、センサ部10と、センサ基板20と、キャビティ筐体30eと、圧力検出部60とを備えている。また、圧力センサ1fは、センサ基板20と、キャビティ筐体30eとにより形成された中空であるキャビティ5を備えている。なお、図12において、図1と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
なお、キャビティ筐体30eは、例えば、導体パネル部321及び導体接続部322を樹脂部31に接着して形成されている。また、キャビティ筐体30eは、上述した第1の実施形態と同様の手法により形成されてもよい。
これにより、本実施形態による圧力センサ1fは、上述した第1の実施形態と同様の効果を奏し、温度変化や電磁ノイズにより検出精度が低下することを低減することができる。
例えば、上記の各実施形態において、キャビティ筐体30(30a〜30e)は、導体部32(32a〜32e)を備える例を説明したが、これに限定されるものではなく、断熱性と導電性とを有する有底箱状に一体形成されてもよい。すなわち、キャビティ筐体30(30a〜30e)は、例えば、金属粒子やカーボン粉、金属フレーク(金属片)、金属繊維、カーボン繊維などを合成樹脂に混入して形成されてもよい。
また、上記の各実施形態において、キャビティ筐体30(30a〜30e)は、四角形状(立方形状)の有底箱状に形成される例を説明したが、これに限定されるものではなく、円筒状の有底箱状に形成されていてもよい。
また、上記の第4の実施形態において、センサ基板20が、導体パターン21を有する例を説明したが、他の実施形態(第2、第3、第5〜第7の実施形態)に対して、同様に適用してもよい。
また、上記の各実施形態において、アナログ回路部40がキャビティ5内に配置されている例を説明したが、これに限定されるものではなく、センサ部10を除くアナログ回路部40の一部又は全部が、キャビティ5の外部に配置されるようにしてもよい。また、圧力センサ1(1a〜1f)は、デジタル処理部50を含めた圧力検出部60を、キャビティ5内にするようにしてもよい。
2 レバー本体
3 カンチレバー
3a 先端部
3b 基端部
4 レバー支持部
5 キャビティ
6 ドープ層(ピエゾ抵抗)
10 センサ部
20 センサ基板
21 導体パターン
30、30a、30b、30c、30d、30e キャビティ筐体
31 樹脂部
32、32a、32b、32c、32d、32e 導体部
40 アナログ回路部
41 ホイートストンブリッジ回路
42 差動増幅回路
43 ADC
50 デジタル処理部
60 圧力検出部
321 導体パネル部
322 導体接続部
R1、R2、R3、R4 抵抗
G1、G2 ギャップ
Claims (4)
- 内部にキャビティが形成され、断熱素材である合成樹脂に導電素材を混入して一体形成されている、導電性を有する有底箱状のキャビティ筐体と、
前記キャビティの内部と外部とを連通する連通孔を有し、前記キャビティ筐体の開口面を覆うように配置されたセンサ基板と、
前記センサ基板の第1の主面に配置され、前記キャビティの内部と外部との圧力差に応じて撓み変形するカンチレバーと、
前記カンチレバーの撓み変形に応じた圧力変動を検出する圧力検出部と
を備え、
前記圧力検出部は、前記カンチレバーの撓み変形に応じた変位を検出するアナログ処理を行うアナログ回路部と、デジタル処理部とを備え、
前記アナログ回路部が、前記キャビティの内部に配置され、前記デジタル処理部が、前記キャビティの外部に配置されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 内部にキャビティが形成された有底箱状のキャビティ筐体と、
前記キャビティの内部と外部とを連通する連通孔を有し、前記キャビティ筐体の開口面を覆うように配置されたセンサ基板と、
前記センサ基板の第1の主面に配置され、前記キャビティの内部と外部との圧力差に応じて撓み変形するカンチレバーと、
前記カンチレバーの撓み変形に応じた圧力変動を検出する圧力検出部と
を備え、
前記キャビティ筐体は、
断熱素材である樹脂で構成された有底箱状の樹脂部と、
前記キャビティを覆うように、少なくとも前記樹脂部の外側底面及び外壁面に配置された導電性を有する格子状の形状の導体部と
を備え、
前記導体部が基準電位に接続され、
前記圧力検出部は、前記カンチレバーの撓み変形に応じた変位を検出するアナログ処理を行うアナログ回路部と、デジタル処理部とを備え、
前記アナログ回路部が、前記キャビティの内部に配置され、前記デジタル処理部が、前記キャビティの外部に配置されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 前記導体部は、さらに前記樹脂部の開口面を覆うように配置されており、前記開口面に配置された前記導体部の部分を介して、前記センサ基板の前記基準電位に接続されている
ことを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ。 - 前記センサ基板は、前記キャビティ筐体の開口面を覆うように、前記カンチレバーが配置されている前記第1の主面とは反対側の第2の主面に配置された導体パターンを有する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017186700A JP6985085B2 (ja) | 2017-09-27 | 2017-09-27 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017186700A JP6985085B2 (ja) | 2017-09-27 | 2017-09-27 | 圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019060771A JP2019060771A (ja) | 2019-04-18 |
JP6985085B2 true JP6985085B2 (ja) | 2021-12-22 |
Family
ID=66177262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017186700A Active JP6985085B2 (ja) | 2017-09-27 | 2017-09-27 | 圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6985085B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4288835A (en) * | 1979-04-16 | 1981-09-08 | The Bendix Corporation | Pressure sensor |
JPH09318650A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Matsushita Electric Works Ltd | センサ装置及びその製造方法 |
JP4300873B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2009-07-22 | パナソニック株式会社 | 電磁シールド機構 |
JP2007258670A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
JP2012088191A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Alps Green Devices Co Ltd | 電流センサ |
JP6168952B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-07-26 | セイコーインスツル株式会社 | 圧力センサ |
JP6024481B2 (ja) * | 2013-01-28 | 2016-11-16 | オムロン株式会社 | 半導体圧力センサ |
JP2015144165A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | アルプス電気株式会社 | 回路モジュール及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-09-27 JP JP2017186700A patent/JP6985085B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019060771A (ja) | 2019-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5778619B2 (ja) | 圧力センサ | |
EP3118597B1 (en) | Pressure sensor | |
EP2600164A1 (en) | Magnetic sensor device | |
US10737935B2 (en) | MEMS sensors, methods for providing same and method for operating a MEMS sensor | |
US6314807B1 (en) | Thermal-type flow sensor | |
EP2932218B1 (en) | A sensor comprising a substrate | |
US20190135613A1 (en) | Micromechanical z-inertial sensor | |
EP1677089B1 (en) | Integrated pressure sensor and method of manufacture | |
JP6941972B2 (ja) | 磁気センサ | |
US20230366743A1 (en) | Measuring device | |
JP6985085B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP6184006B2 (ja) | 圧力センサ | |
CN106062525A (zh) | 压力传感器 | |
JP2019060810A (ja) | 圧力センサ | |
JP2020180847A (ja) | 圧力センサ | |
JPH1183886A (ja) | 静電容量型マイクロフローセンサ及び静電容量型マイクロフローセンサの製造方法並びに静電容量型マイクロフローセンサの外付け用固定具 | |
JP4095668B2 (ja) | 流れる媒体に対する電磁誘導流量測定装置 | |
JP6403007B2 (ja) | 圧力センサ | |
US6505513B1 (en) | Arrangement for measuring rotational velocity | |
JP2021099290A (ja) | 流動検知装置およびポンプシステム | |
US20070047172A1 (en) | Monolithic arrangement, especially an integrated circuit, with a floating electrode | |
JP2018146297A (ja) | 圧力センサ | |
JP6785689B2 (ja) | 圧力センサ | |
US11692893B2 (en) | Pressure sensor including side-wall portion including shield electrode | |
US11073572B2 (en) | Current sensor device with a routable molded lead frame |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210511 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210630 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210720 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211012 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20211012 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20211019 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20211026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6985085 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |