JP6982769B2 - 抵抗器とその製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、抵抗器およびその製造方法に関する。

絶縁基板と、その絶縁基板に設けられた一対の電極と、絶縁基板に設けられて一対の電極を電気的に接続する抵抗体とを有する抵抗器、いわゆるチップ抵抗器が知られている。また、そのチップ抵抗器の抵抗値の調整方法（修正方法）として、レーザトリミングが知られている。レーザトリミングは、例えば特許文献１および２に記載するように、レーザ光を用いて抵抗体にトリミング溝を形成することによって抵抗体の抵抗値を調整し、それによってチップ抵抗器の抵抗値が調整される方法である。特許文献１には、抵抗体の端面から延在するＬ字形状やＪ字形状のトリミング溝が開示されている。また、特許文献２には、それぞれが抵抗体の端面から延在し、終端が互いに対向し合うＬ字形状および逆Ｌ字形状のトリミング溝が開示されている。

特開２００７−１６５５１８号公報 特開２０１３−１７９２１２号公報

しかしながら、近年、二次電池の残量検出用の抵抗値の低い抵抗器として、抵抗体に金属材料（金属箔）を用いたチップ抵抗器（金属箔抵抗器）が使用されている。このような抵抗器の抵抗体は、除去加工が困難な金属材料から構成され、また厚みが大きい。そのため、抵抗体を貫通して絶縁基板にまで達する深さを備えるトリミング溝（すなわち底面が絶縁基板の表面であるトリミング溝）を形成することが難しい。その結果として、抵抗値を調整することが困難であった。そのため、やむをえず、抵抗体を貫通せずに絶縁基板にまで達しない深さを備える（抵抗体内に底面を備える）トリミング溝を形成することがあった。

しかしながら、抵抗体内に底面を備えるトリミング溝をレーザ光によって形成すると、レーザ光によって除去された材料が、トリミング溝の端で盛り上がり、ドロスを形成する。そのドロスが後工程で抵抗体上に形成される絶縁層（保護層）の厚みを越える高さであると、抵抗器の絶縁不良が発生する。

そこで、本開示は、抵抗器について、レーザ光を用いて抵抗体にトリミング溝を形成する際に発生するドロスを原因とする絶縁不良の発生を抑制することを課題とする。

上述の課題を解決するために、本開示の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板に設けられた一対の電極と、前記絶縁基板に設けられて前記一対の電極を電気的に接続する抵抗体と、前記抵抗体を覆う保護層とを有する抵抗器の製造方法であって、
前記抵抗器の抵抗値を測定しつつ、前記抵抗体の表面にレーザ光を照射して無端状のトリミング溝を形成し、
前記トリミング溝の深さおよび前記電極からの距離の少なくとも一方を調整することによって前記抵抗値を所定値になるように調整する、抵抗器の製造方法が提供される。

また、本開示の別態様によれば、
絶縁基板と、
前記絶縁基板に設けられた一対の電極と、
前記絶縁基板に設けられて前記一対の電極を電気的に接続する抵抗体と、を有し、
前記抵抗体の表面に、無端状のトリミング溝が形成されている、抵抗器が提供される。

本開示によれば、抵抗器について、レーザ光を用いて抵抗体にトリミング溝を形成する際に発生するドロスを原因とする絶縁不良の発生を抑制することができる。

本開示の一実施の形態に係る抵抗器の上面図 図１ＡにおけるＡ−Ａ線に沿った抵抗器の断面図 レーザトリミング装置の概略図 抵抗器の製造手順を示すフロー図 抵抗体の抵抗値調整方法の一例を説明するための抵抗器の断面図 抵抗体の抵抗値調整方法の一例を説明するための抵抗器の断面図 抵抗体の抵抗値調整方法の別例を説明するための抵抗器の上面図 抵抗体の抵抗値調整方法の別例を説明するための、図５ＡのＢ−Ｂ線に沿った抵抗器の断面図 比較例１に係る抵抗器の上面図 図６ＡのＣ−Ｃ線に沿った抵抗器の断面図 図６ＡのＤ−Ｄ線に沿った抵抗器の断面図 比較例２に係る抵抗器の上面図 図７ＡのＥ−Ｅ線に沿った断面図 図７ＡのＦ−Ｆ線に沿った断面図 トリミング溝が形成途中の抵抗器の上面図 図８ＡのＧ−Ｇ線に沿ったトリミング溝の断面図 図８Ａに続く、トリミング溝が形成途中の抵抗器の上面図 図９ＡのＧ−Ｇ線に沿ったトリミング溝の断面図 図９Ａに続く、トリミング溝の形成が完了した状態の抵抗器の上面図 図１０ＡのＧ−Ｇ線に沿ったトリミング溝の断面図

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

図１Ａは、一実施の形態に係る抵抗器の上面図、図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ線に沿った抵抗器の断面図である。なお、理解を容易にするために、図面にはＸ−Ｙ−Ｚ座標系が示されている。

図１Ａおよび図１Ｂに示す抵抗器１０は、いわゆる金属箔チップ抵抗器であって、絶縁基板１２と、絶縁基板１２上に設けられた抵抗体１４と、抵抗体１４の表面１４ａ上に間隔をあけて設けられた一対の電極１６と、抵抗体１４を覆う保護層１８とを有する。また、抵抗器１０は、電極１６を覆う電極メッキ２０を有する。

絶縁基板１２は、本実施の形態の場合、プリプレグや絶縁性の樹脂材料から作製された上面視（Ｚ軸方向視で）矩形状の基板である。抵抗体１４は、一対の電極１６間を電気的に接続するように方形状に設けられ、ＣｕＭｎ１２Ｎｉ、ＣｕＭｎ７ＳｎなどのＣｕ系合金箔によって形成されている。一対の電極１６は、抵抗体１４の表面１４ａの両端部それぞれに設けられ、Ｃｕ材料によって形成されている。保護層１８は、少なくとも電極１６の一部が露出し、かつ抵抗体１４を覆い、ガラスまたはエポキシ樹脂によって形成された絶縁層である。電極メッキ２０は、電極１６を覆い、Ｓｎ−Ｎｉ合金などの半田付けしやすい材料によって形成されている。

抵抗器１０の抵抗値を調整（修正）するために、抵抗体１４の表面１４ａにはトリミング溝３０が形成されている。

図２は、抵抗体にトリミング溝を形成するためのレーザトリミング装置を概略的に示している。

図２に示すように、レーザトリミング装置５０は、レーザ発振器５２と、ガルバノスキャナ５４と、ｆθレンズ５６と、ｆθレンズ５６を移動させるレンズ移動装置５８と、レーザトリミング中に抵抗体１４の抵抗値を測定する抵抗測定器６０とを有する。

図２に示すように、レーザ発振器５２は、ガルバノスキャナ５４に向かってレーザ光（平行光）Ｌを出射する、例えば、Ｑ−ＳＷパルスレーザによって高いピーク強度が得られ、パルス幅が１００ｎｓ以下であって、繰り返し周波数が１０００ｋＨｚ以下での発振が可能なパルスレーザ発振器である。本実施の形態の場合、レーザ発振器５２から出射されるレーザ光Ｌの波長は、１０６４ｎｍである。

ガルバノスキャナ５４は、内部に２軸のミラーを備え、そのミラーを用いてレーザ発振器５２からのレーザ光ＬをＸ軸方向およびＹ方向に走査する。

ｆθレンズ５６は、固定治具６２に固定された抵抗器１０（保護層１８と電極メッキ２０が形成される前の抵抗器）における抵抗体１４の表面１４ａに、ガルバノスキャナ５４からのレーザ光Ｌを集光するレンズである。ｆθレンズ５６がレンズ移動装置５８によって移動されることにより、焦点位置や焦点距離が調節される。本実施の形態の場合、ｆθレンズ５６の焦点距離は１６０ｍｍである。

抵抗測定器６０は、抵抗器１０の一対の電極１６それぞれに接触するプローブ６４を備え、抵抗器１０の抵抗値を測定するように構成されている。また、抵抗測定器６０は、測定した抵抗値が所定値になると、停止信号をレーザ発振器５２に送信して該レーザ発振器５２のレーザ出射を停止させるように構成されている。レーザの出射を、パルス単位で停止させることができる。

次に、抵抗器１０の製造手順について説明する。図３は、抵抗器の製造手順を示すフロー図である。

図３に示すように、まず、ステップＳ１において、バルク基板に抵抗体が貼り付けられる。次に、ステップＳ２において、抵抗体をパターニングする。続くステップＳ３において、その抵抗体上に電極を形成してパターニングする。それにより、電極および抵抗体の表面を露出させる。ステップＳ４において、露出した抵抗体表面に、レーザトリミング装置を用いてトリミング溝を形成し、抵抗値を調整する。ステップＳ５において、トリミング溝が形成された抵抗体表面に絶縁性の保護層を形成する。ステップＳ６において、バルク基板を複数のチップにダイシングする。そして、ステップＳ７において、複数のチップそれぞれの電極上に電極メッキを形成する。これにより、図１Ａおよび図１Ｂに示す抵抗器１０が作製される。

ここからは、図１Ａおよび図１Ｂに示すトリミング溝のさらなる詳細について説明する。

トリミング溝の形成方法を詳細に説明する。

図２に示すように、レーザ発振器５２から出射されたレーザ光Ｌはガルバノスキャナ５４によって偏向され、偏向されたレーザ光Ｌはｆθレンズ５６を透過して抵抗器１０の抵抗体１４の表面１４ａ上に照射される。このとき、ｆθレンズ５６を透過したレーザ光Ｌの焦点は、抵抗体１４の表面１４ａ上あるいは表面１４ａから所定量ずらした位置に調整されており、照射点近傍の抵抗体１４が溶融、蒸発することでトリミング溝３０が形成される。このトリミング加工は、プローブ６４を介して抵抗器１０の抵抗値を測定しながら行われる。測定された抵抗値が所定値に達した時点でレーザ照射を停止することにより、抵抗値の調整（修正）が完了する。

図４Ａおよび図４Ｂを参照しながら抵抗値の調整方法を詳細に説明する。

図４Ａに示すように、抵抗体１４の表面１４ａに略円形状の軌跡でレーザ光Ｌを照射することにより、深さがΔｈ１までの略円形状のトリミング溝３０を形成する（図１Ａ参照）。なお、トリミング溝３０が略円形状である理由については後述する。

深さΔｈ１のトリミング溝３０の形成が完了したときの抵抗値が所定値に達していない場合、図４Ｂに示すように、深さΔｈ２（＞Δｈ１）までトリミング溝３０をさらに掘り進める。具体的には、深さΔｈ１のトリミング溝３０を形成したときと同一の軌跡で該トリミング溝３０にレーザ光Ｌを照射する。このようにトリミング溝の深さを調整することにより、抵抗器１０の抵抗値を所定値に調整（修正）することができる。なお、最終的な略円形状のトリミング溝３０の深さは一様でなくてもよい。すなわち、１周目で略円形状のトリミング溝が形成された後、さらに掘り進めるために行われた２周目のトリミング溝の形成が途中で完了してもよい。

なお、略円形状のトリミング溝３０の直径を電極１６に干渉しない範囲で大きく設定すると、抵抗値を大きく調整することができる（抵抗値の調整可能量が大きくなる）。電極１６近傍にトリミング溝３０が存在すると、その電極１６近傍で抵抗体１４が厚み方向に小さくなり、電流の流れが制限を受けるからである。これとは逆に略円形状のトリミング溝３０の直径を小さく設定すると、抵抗値を小さく調整することができる、すなわち抵抗値を微調整することができる（抵抗値の調整可能量が小さくなる）。例えば、トリミング溝を形成する前の抵抗値が所定値に近い場合、直径が小さい略円形状のトリミング溝を形成することにより、所定値を越えないように抵抗値を微調整することができる。

また、トリミング溝の深さを調整することに加えてまたは代わって、トリミング溝３０の電極１６からの距離を調整することにより、抵抗値を調整（修正）してもよい。

図５Ａおよび図５Ｂは、トリミング溝の深さ調整とは異なる方法で抵抗値が調整された、すなわち別の抵抗値調整方法が行われた抵抗体の上面図および断面図を示している。図５Ｂは、図５ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

図５Ａおよび図５Ｂに示す抵抗器１１０において、抵抗体１４の表面１４ａには、第１のトリミング溝３０と第２のトリミング溝３２が形成されている。なお、図１Ａおよび図１Ｂに示す抵抗器１０の構成要素と実質的に同一の構成要素には、同一の符号が付されている。

この抵抗器１１０においては、まず、略円形状の第１のトリミング溝３０が形成されている。しかし、第１のトリミング溝３０だけでは抵抗値が所定値に達しなかったために、次に、略円形状の第２のトリミング溝３２が形成されている。具体的には、第１のトリミング溝３０を形成することによって抵抗値を概ね所定値に近づけた後、第１のトリミング溝３０に囲まれた抵抗体１４の表面１４ａの領域に、第１のトリミング溝３０の直径に比べて小さい直径の第２のトリミング溝３２を形成することによって抵抗値を所定値に微調整している。

第２のトリミング溝３２は、第１のトリミング溝３０によって囲まれ、それにより電流の流れが制限されている領域内に、第１のトリミング溝３０と同一の深さで形成されている。そのため、第２のトリミング溝３２が形成されることによって変化する抵抗値の変化量は小さい。すなわち、Ｎ（Ｎは整数）番目のトリミング溝を、Ｎ−１番目に形成されたトリミング溝に囲まれた抵抗体の領域に形成することにより、抵抗値の調整分解能を段階的に向上させることができる。例えば、第１のトリミング溝を形成することによって抵抗値を所定値に比べて２％低い値に粗調整し、その次に第２のトリミング溝を形成することによって抵抗値を所定値に比べて１％低い値に調整し、そして第３のトリミング溝を形成することによって抵抗値を所定値に比べて０．１％低い値に微調整する。

なお、図５Ａに示す第１および第２のトリミング溝３０、３２のように、先に形成された略円形状のトリミング溝に囲まれた抵抗体の領域に次の略円形状のトリミング溝が形成される場合、これらのトリミング溝は、抵抗体の対称性（その内部を流れる電流の経路の対称性）を考慮して同心であるのが好ましい。また、同心に形成された複数のトリミング溝の少なくとも１つについて深さを調整してもよい。さらに、トリミング溝の幅は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、トリミング溝の形成後に保護層１８が形成されるので、その保護層の材料がトリミング溝内に入りやすい３０μｍ以上にするのが好ましい。さらにまた、トリミング溝の断面形状（延在方向と直交する断面の形状）は、保護層形成時に先端に気泡が残りやすいＶ字形状などの鋭角な形状よりも、Ｕ字形状などの曲線形状が好ましい。

ここからは、抵抗器の抵抗値の調整（修正）のために抵抗体に形成されるトリミング溝が略円形状である理由について説明する。

その理由を説明するために、まず、本開示の比較例を挙げる。すなわち、トリミング溝が略円形状ではない比較例を挙げる。

図６Ａは、比較例１に係る抵抗器（保護層および電極メッキが形成される前の抵抗器）の上面図であって、図６Ｂは図６ＡのＣ−Ｃ線に沿った抵抗器の断面図であって、図６Ｃは図６ＡのＤ−Ｄ線に沿った抵抗器の断面図である。また、図７Ａは、比較例２に係る抵抗器（保護層および電極メッキが形成される前の抵抗器）の上面図であって、図７Ｂは図７ＡのＥ−Ｅ線に沿った抵抗器の断面図であって、図７Ｃは図７ＡのＦ−Ｆ線に沿った抵抗器の断面図である。なお、図１Ａおよび図１Ｂに示す抵抗器１０の構成要素と実質的に同一の構成要素には、同一の符号が付されている。

図６Ａ〜図６Ｃに示す比較例１の抵抗器２１０と図７Ａ〜図７Ｃに示す比較例２の抵抗器３１０は、いずれも直線状のトリミング溝３４、３６が、抵抗体１４に形成されている。しかしながら、比較例１の抵抗器２１０ではトリミング溝３４の両端が抵抗体１４の端面（Ｙ軸方向の端面）１４ｂまで達しているのに対して、比較例２の抵抗器３１０ではトリミング溝３６の両端が抵抗体１４の端面１４ｂまで達していない。

比較例１の抵抗器２１０の場合、図６Ｃに示すように、トリミング溝３４の両端それぞれは抵抗体１４の端面１４ｂに達している。すなわち、トリミング溝３４は、その延在方向に壁面を備えていない。そのため、トリミング溝３４の形成において、レーザ光によって除去された材料は（レーザ光によって溶融した材料）は、抵抗体１４の端面１４ｂから外部に向かって流れるため、図６Ｃに示すように、トリミング溝３４の両端やレーザ光の照射開始点および照射終了点で盛り上がってドロスを形成しにくい。

これに対して、比較例２の抵抗器３１０の場合、トリミング溝３６の両端は、抵抗体１４の端面１４ｂに達していない。すなわち、トリミング溝３６は、その延在方向の両側に壁面を備える。そのため、比較例１と異なり、レーザ光によって溶融した材料は、抵抗体１４の端面１４ｂから外部に向かって流れることができない。その結果、図７Ｃに示すように、レーザ光の照射開始点ＳＰおよび照射終了点ＥＰであるトリミング溝３６の延在方向の両端に、レーザ光によって溶融した材料が盛り上がり、ドロス４０Ａ、４０Ｂが形成される。これらのドロス４０Ａ、４０Ｂが高く形成され、後の工程で抵抗体１４の表面１４ａ上に形成される絶縁層である保護層１８の厚みを越えると、抵抗器３１０の絶縁不良が発生する。

このようなドロスを原因とする抵抗器の絶縁不良の発生を抑制するために、本実施の形態の場合、図１に示すように、トリミング溝３０は略円形状、すなわち無端状に形成されている。無端状のトリミング溝３０が高いドロスの発生を抑制することができる理由について、図８Ａ〜図８Ｂ、図９Ａ〜図９Ｂ、図１０Ａ〜図１０Ｂを参照しながら説明する。

図８Ａ、図９Ａ、および図１０Ａは、略円形状のトリミング溝が形成中の抵抗器の上面図である。図８Ｂ、図９Ｂ、および図１０Ｂは、Ｇ−Ｇ線に沿った断面図、すなわちトリミング溝の延在方向に沿った該トリミング溝の断面図である。

図８Ａおよび図８Ｂは、略円形状のトリミング溝３０の形成途中を示しており、レーザ光Ｌの照射（照射点ＩＰ）が照射開始点ＳＰからある程度進んだ状態を示している。

図８Ａおよび図８Ｂに示すように、この段階では、トリミング溝３０は円弧状、すなわち有端状である。そのために、照射開始点ＳＰ近傍にドロス４２Ａが発生しているとともに、現在の照射点ＩＰ近傍にもドロス４２Ｂが発生している。照射点ＩＰの移動とともに、ドロス４２Ｂも照射点ＩＰの移動方向ＭＡ方向に移動する。

図９Ａおよび図９Ｂは、さらに形成が進んだ状態のトリミング溝３０を示しており、レーザ光Ｌの照射（照射点ＩＰ）が照射開始点ＳＰ近傍まで進んだ状態を示している。

図９Ａおよび図９Ｂに示すように、この段階では、トリミング溝３０は、円形状に近いＣ字形状であるが、まだ有端状である。また、照射点ＩＰとともに移動するドロス４２Ｂは、照射開始点ＳＰ近傍のドロス４２Ａに合流しつつある。

照射開始点ＳＰと現在の照射点ＩＰとが一致すると、より好ましくは図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように現在の照射点ＩＰが照射開始点ＳＰを通過すると、略円形状のトリミング溝３０が完成する、すなわちトリミング溝３０が有端状から無端状に移行する。トリミング溝３０が無端状になると、照射開始点ＳＰのドロス４２Ａは、トリミング溝３０の延在方向の一方側（照射点ＩＰの移動方向ＭＡ）と他方側の両方に流れることができ、それにより、ドロス４２Ａの高さが減少する。同様に、ドロス４２Ｂの高さも減少する。その結果、ドロス４２Ａ、４２Ｂの高さは、後の工程で抵抗体１４の表面１４ａ上に形成される保護層（絶縁層）１８を越えない高さにされる。例えば、図１０Ｂに示すように、ドロス４２Ａ、４２Ｂは、抵抗体１４の表面１４ａを越えない高さになり、トリミング溝３０内に存在する。ドロス４２Ａ、４２Ｂが保護層１８を越えることが抑制されることにより、抵抗器１０の絶縁不良の発生が抑制される。

ひとまず略円形状のトリミング溝３０の形成が完了すれば、それ以後のトリミング加工（レーザ光の照射）は、抵抗値が所定値なるまで継続される。現在の照射点ＩＰが照射開始点ＳＰに一致するまたは照射開始点ＳＰを越えるためには、略円形状のトリミング溝３０の直径および深さと調整可能な抵抗値量との間の対応関係を予め調べておく必要がある（対応関係テーブルを作製しておく必要がある）。トリミング溝の形成が開始される前の抵抗値を所定値に調整するための必要調整量を求め、その必要調整量と対応関係テーブルとに基づいてトリミング溝の直径および深さが決定される。それにより、照射点ＩＰが照射開始点ＳＰに一致するまたは照射開始点ＳＰを越える、すなわち無端状のトリミング溝３０を確実に形成することができる。

以上、上述の実施の形態によれば、抵抗器について、レーザ光を用いて抵抗体にトリミング溝を形成する際に発生するドロスを原因とする絶縁不良の発生を抑制することができる。

なお、トリミング溝の形状は、上述の実施の形態の場合には略円形であるが、無端状であれば略円形に限定されるものではなく、楕円形、オーバル形、多角形などの形状でも、略円形と同様の効果を得ることが可能である。特には、レーザ光の走査時に蓄熱による組成変化や溶融金属による埋め戻しの生じやすい角部を有しない略円形が好ましく、抵抗体が細長い場合など抵抗体の形状によっては、略円形の派生形状として楕円形あるいはオーバル形でも同様の効果が期待できる。さらには、トリミング溝を一対の電極それぞれからの距離が等しい直線対称になるように抵抗体に設けることにより、一対の電極のいずれか一方に近い抵抗体の部分の断面積と他方に近い抵抗体の部分の断面積が異なることがなくなり（抵抗体の異方性がなくなり）、それによって抵抗器は安定した抵抗値を備えることができる。このとき、トリミング溝の電極からの距離によって抵抗値の調整可能量は変わり、距離が小さいほど調整可能量は大きく、距離が大きいほど（すなわち抵抗体の中心に近づくほど）調整可能量は小さくなる。

また、レーザ発振器は、上述の実施の形態の場合、Ｑ−ＳＷパルスレーザによって高いピーク強度が得られるパルス幅が１００ｎｓ以下のパルスレーザ発振器であるが、これに限らない。例えば、パルス幅が５０ｎｓ以下のＱ−ＳＷ ＹＡＧレーザであってもよい。さらに、パルス幅が５０ｐｓ以下のピコ秒レーザを用いる場合には、更に高いピーク強度を得ることができ、またトリミング溝加工時に熱伝導に使用される熱が少ないために熱影響を低減することができ、更にドロスを小さくすることができる。

レーザ光の波長やｆθレンズの焦点距離は、抵抗体の材料や要求される抵抗値の調整精度によって様々に選択される。例えばｆθレンズ以外のレンズが使用されてもよい。

レーザ光の照射回数は１回に限らず、抵抗値が所定値になるまで複数回レーザ光を照射してもよい。レーザ光の照射回数や照射位置は、抵抗体の形状や材料によって様々に選択される。抵抗体や電極の材料についても、上述の実施の形態に使用した材料に限らず、様々に選択される。

さらに、上述の実施の形態の場合、抵抗器において、一対の電極は、絶縁基板上に直接的に設けられておらず、抵抗体上に設けられている、すなわち、間接的に絶縁基板に設けられている。これに代わって、一対の電極は、絶縁基板上に直接的に設けられてもよい。この場合、一対の電極の間に位置するように抵抗体が絶縁基板上に設けられ、その抵抗体が一対の電極を電気的に接続する。

さらにまた、上述の実施の形態の場合、抵抗体に形成されるトリミング溝を１つであるが、これに限らず抵抗体に形成されるトリミング溝は複数であってもよい。

以上のように、本開示における技術の例示として、実施形態を説明した。そのために、添付図面及び詳細な説明を提供した。したがって、添付図面及び詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上述の技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。

また、上述の実施形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲又はその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略等を行うことができる。

本開示にかかる抵抗器とその製造方法は、レーザ光によって抵抗体にトリミング溝を形成することによって該抵抗体の抵抗値が調整（修正）される抵抗器に適用可能である。

１０ 抵抗器
１２ 絶縁基板
１４ 抵抗体
１４ａ 表面
１６ 電極
１８ 保護層
３０ トリミング溝

Claims (9)

1. 絶縁基板と、前記絶縁基板に設けられた一対の電極と、前記絶縁基板に設けられて前記一対の電極を電気的に接続する抵抗体と、前記抵抗体を覆う保護層とを有する抵抗器の製造方法であって、
   前記抵抗器の抵抗値を測定しつつ、前記抵抗体の表面にレーザ光を照射して複数の無端状のトリミング溝を同心に形成し、
   前記トリミング溝の深さおよび前記電極からの距離の少なくとも一方を調整することによって前記抵抗値を所定値になるように調整する、抵抗器の製造方法。
   
2. 前記トリミング溝の形状が、円形、楕円形、オーバル形、または多角形である、請求項１に記載の抵抗器の製造方法。
   
3. 前記トリミング溝が、前記絶縁基板にまで到達しない深さで前記抵抗体に形成される、請求項１または２に記載の抵抗器の製造方法。
   
4. 前記レーザ光は、パルス幅が１００ｎｓ以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の抵抗器の製造方法。
   
5. 前記レーザ光は、パルス幅が５０ｐｓ以下である、請求項４に記載の抵抗器の製造方法。
   
6. 前記抵抗体は、Ｃｕ系合金箔で構成される、請求項１から５のいずれか一項に記載の抵抗器の製造方法。
   
7. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板に設けられた一対の電極と、
   前記絶縁基板に設けられて前記一対の電極を電気的に接続する抵抗体と、を有し、
   前記抵抗体の表面に、複数の無端状のトリミング溝が形成されており、
   前記複数の無端状のトリミング溝の形状が、同心である、抵抗器。
   
8. 前記トリミング溝の形状が、円形、楕円形、オーバル形、または多角形である、請求項７に記載の抵抗器。
   
9. 前記抵抗体は、Ｃｕ系合金箔で構成される、請求項７または８に記載の抵抗器。

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