JP6966086B2 - エレクトライド化マイエナイト型化合物の製造方法 - Google Patents
エレクトライド化マイエナイト型化合物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6966086B2 JP6966086B2 JP2018529899A JP2018529899A JP6966086B2 JP 6966086 B2 JP6966086 B2 JP 6966086B2 JP 2018529899 A JP2018529899 A JP 2018529899A JP 2018529899 A JP2018529899 A JP 2018529899A JP 6966086 B2 JP6966086 B2 JP 6966086B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type compound
- voltage
- mayenite
- heating
- electride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 121
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 97
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 84
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 84
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 description 56
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 27
- 230000008859 change Effects 0.000 description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQFRTWTXFAXGQQ-UHFFFAOYSA-N [Pb].[Mo] Chemical compound [Pb].[Mo] RQFRTWTXFAXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010416 ion conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 230000004899 motility Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- FNWBQFMGIFLWII-UHFFFAOYSA-N strontium aluminate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Sr+2].[Sr+2] FNWBQFMGIFLWII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F7/00—Compounds of aluminium
- C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
- C01F7/16—Preparation of alkaline-earth metal aluminates or magnesium aluminates; Aluminium oxide or hydroxide therefrom
- C01F7/164—Calcium aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
- C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/04—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure using electric or magnetic fields or particle radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0036—Details
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/444—Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
- C04B2235/661—Multi-step sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
- C04B2235/666—Applying a current during sintering, e.g. plasma sintering [SPS], electrical resistance heating or pulse electric current sintering [PECS]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
本願は、2016年7月25日に、日本に出願された特願2016−145078号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
マイエナイト型化合物は、12CaO・7Al2O3(以下、「C12A7」と略記することがある)なる代表組成を有する。前記C12A7の結晶は、2分子を含む単位胞にある66個の酸素イオンのうち、2個の酸素イオンが、結晶骨格で形成される正の電荷を有するケージ内のサブナノ空間に、対アニオンとして「フリー酸素」(O2−)を包接するという、特異な結晶構造を持つことが報告されている(非特許文献1)。
この方法では、図2に示すように、フリー酸素イオン(O2−)と、例えば金属Tiを還元剤として用いた場合、以下の反応式に示す反応により、還元剤の酸化物であるTiO2を形成し、フリー酸素イオンをケージ内から引き抜いて電子(e−)に置換している。
Ti+2O2−→TiO2+4e− ・・・(1)
しかし、例えば、特許文献1〜4及び非特許文献3に示す製造方法では、金属Tiや金属Ca等の還元剤を、マイエナイト型化合物との混合や、その表面に塗布する等の煩雑な作業が必要となる。またこれらの製造方法は、通常は1000℃以上の高温反応が必要であり、さらには長時間の加熱が必要である。
エレクトライドの実用化のためには、還元剤を用いず、より低温かつ短時間で少ないエネルギーでマイエナイト型化合物をエレクトライド化することができる製造技術が希求されていた。
[1]マイエナイト型化合物に、加熱状態下、電圧を印加し、前記マイエナイト型化合物に直接電流を流すことにより、前記マイエナイト型化合物をエレクトライド化することを特徴とする、エレクトライド化マイエナイト型化合物の製造方法。
[2]前記マイエナイト型化合物の電気抵抗率が1.0×105Ω・cm以下になるまで電圧を印加する、前記[1]に記載の製造方法。
[3]前記マイエナイト型化合物に、正極及び負極を付与して直接電流を流す、前記[1]又は[2]に記載の製造方法。
[4]前記エレクトライド化を不活性ガス雰囲気下で行なう、前記[1]〜[3]のいずれか1に記載の製造方法。
[5]前記エレクトライド化マイエナイト型化合物の電子濃度が、1.0×1020/cm3以上である、前記[1]〜[4]のいずれか1に記載の製造方法。
また、マイエナイト型化合物に直接電流を流すことで、マイエナイト型化合物をエレクトライド化できることから、微細加工した導電性マイエナイト型化合物を簡便に製造することができる。
前記マイエナイト型化合物の結晶は、籠状の構造(ケージ)がその壁面を共有し、三次元的に繋がることで構成される。通常、マイエナイト型化合物のケージの内部にはO2−などのアニオンが含まれているが、化学処理によってそれらを別のアニオンや伝導電子に置換することができる。前記のアニオンとしては、特に限定はされないが、例えば、O2−イオン、F−イオン、Cl−イオン等が挙げられる。 マイエナイト型化合物の骨格を形成する前記のケージには、通常、Ca、Al等のカチオンが含まれ、それらのカチオンはその一部又は全部が別のカチオンで置換されていてもよい。
・Ca、Al及びO原子のみで形成されているもの;
・Caのすべてが、それ以外のアルカリ土類金属イオン等のカチオンで置換されているもの、例えば、ストロンチウムアルミネート(Sr12Al14O33);
・Caの一部が別のカチオンと置換されているもの、例えば、CaとSrの混合比が任意に変化された混晶であるカルシウムストロンチウムアルミネート(Ca12−xSrxAl14O33);
・Alがそれ以外のカチオンで置換されたもの、例えば、シリコン置換型マイエナイト型化合物であるCa12Al10Si4O35;又は
・カチオンとアニオンがともに置換されたもの、例えば、ワダライトCa12Al10Si4O32:6Cl−。
またマイエナイト型化合物を製造するための原料を用いることで、該原料から一貫して導電性マイエナイト型化合物を製造することもできる。この場合は具体的には、C12A7を例に取った場合、そのカルシウム成分及びアルミニウム成分となる原料を用いればよく、カルシウム成分としては炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、酸化カルシウム又は金属カルシウム等が挙げられ、アルミニウム成分として酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、金属アルミニウム等が挙げられる。これらの原料をカチオン比が目的物の化学量論どおりに混合したものを使用することができる。また、CaAl2O4、Ca3Al2O6等のカルシウムとアルミニウムの混合酸化物を用いることもできる。
これらのうち、本発明では、酸素イオン等のケージ内アニオンの移動がスムーズであることからマイエナイト型化合物の形状は、単結晶が好ましい。
具体的な方法として、例えば、円筒型の絶縁体容器に、両端の蓋として導電性の材質を用い、その蓋の間にマイエナイト型化合物を充填し、前記の蓋に電流を流す方法等が挙げられる。
このうち、操作が容易で、必要とするエネルギー量を小さくすることができる点で、マイエナイト型化合物に電極を付与して、電流を流す方法が好ましい。
通常、マイエナイト型化合物は絶縁体であるため、電流は極めて流れにくい。マイエナイト型化合物に、具体的には後述する方法等で、加熱及び電圧印加するうちに、通常、電流が流れるようになる。具体的に電流を流す方法については後述する。
条件1:加熱温度を所定の温度として、電圧を段階的に上昇させる方法
具体的には、前記被加熱体に電圧を印加していない状態でまず所定の温度への加熱をし、引き続き前記被加熱体に印加する電圧を0Vから段階的に印加していく方法である。
条件2:電圧を所定の電圧として、加熱温度を段階的に上昇させる方法
具体的には、前記被加熱体に常温下で印加する電圧を設定し、引き続き温度を常温から段階的に上げていく方法である。
条件3:加熱温度と電圧を共に上昇させる方法
具体的には、前記被加熱体に、常温及び電圧を印加しない状態から、加熱温度と印加電圧を同時に調整しながら前記被加熱体に加熱及び電圧印加を段階的にしていく方法である。
前記加熱・電圧制御工程では、通常、前記被加熱体への電圧印加は、印加電圧見合いで制御(以下、電圧制御)する。通常、この工程では、前記被加熱体にほとんど電流が流れないためであり、印加電圧を制御する方が製造を管理しやすいためである。
前述の電流密度増加及び印加電圧減少が観察された時点(以下、電流密度増加点という)以降は、前記被加熱体が、加熱及び電圧印加を開始したときに比べて電流が流れやすい状態に変化したと考えられる。
前記加熱・電流制御工程は、前記被加熱体が所望の電子濃度に至るまで、適宜行なうことができるが、通常は、前記被加熱体の抵抗率はエレクトライド化が進むにつれ減少するので、抵抗率が十分に減少するまで継続する。具体的な抵抗率の値は、特に限定はされないが、通常、1.0×105Ω・cm以下となるまで行なうことが目安となる。
本発明の製造方法は、周囲の雰囲気について特に制限されることなく製造を行なうことができる。好ましくは、酸素分圧が低いほどマイエナイト型化合物からフリー酸素イオンの乖離を促進されるため、前記被加熱体を100Pa以下の低酸素分圧雰囲気、特に酸素分圧が極度に少ない雰囲気である、極低酸素分圧雰囲気に保つことが好ましい。前記極低酸素分圧雰囲気として具体的には不活性ガス雰囲気下で、酸素分圧を10−15Pa(10−20atom)以下程度まで低下させた雰囲気、又は真空度10−5Pa以下の状態をいう。不活性ガスとしては特に限定されず、窒素、アルゴン等が用いられ、好ましくはアルゴンである。
特に前記の通り、加熱温度が400℃を超える場合は、酸素分圧が高いと、エレクトライド化されたマイエナイト型化合物が酸化を受けやすくなるため、極低酸素分圧雰囲気が好ましく、加熱温度が400℃以下であれば、雰囲気は特に制限はされない。
具体的には、電子濃度の理論的な最大値は、2.3×1021cm−3であることから、電子濃度が1.0×1020/cm3以上、2.3×1021cm−3以下の導電性マイエナイト型化合物を得ることができる。
なお、得られた導電性マイエナイト型化合物は、その電子濃度が均一でも不均一でもよいが、均一のものが好ましい。また不均一な導電性マイエナイト型化合物の前記グレードの判定は、目視による色で判定し、電子濃度は、その最高の電子濃度の測定値とする。
マイエナイト型化合物のケージを構成する酸素原子は、カルシウム原子やアルミニウム原子と強固に結合しており、結晶格子を崩さない限り脱離しない。一方、ケージ内のフリー酸素イオンは極めて緩く結合している。
電圧をマイエナイト型化合物に印加すると、ケージは移動できないが、酸素イオンは電流の流れる方向、具体的には正極(+)に引かれてケージ壁の酸素イオンと置き換わりながら移動する。その際、Ca−Al−Oで構成されるマイエナイト型化合物のケージの壁の酸素イオンと置き換わりに必要な電位障壁(ΔE)を超える電圧印加が必要になる。そこで被加熱体の抵抗が急激に下がり、電流密度が急激に増加するまで、加熱温度及び/又は電圧を段階的に上昇させる。なおその際のイオン伝導性は電気抵抗の計測により求められる。
正極付近のマイエナイト型化合物が、導電性マイエナイト型化合物と酸素に電気分解され、その結果酸素がケージ外に放出される。加熱によりフリー酸素イオンのイオン伝導性が上昇することにより、正極付近に移動してくるフリー酸素は遂次電子と置換され、エレクトライド化が進行するものと推定される。
これにより従来は、還元剤を用いて乖離させていたフリー酸素イオンが、還元剤を使うことなく乖離させ、エレクトライド化できるものと考えられる。
以下に本発明の製造方法について実施例に基づいて詳細に説明する。
[加熱下の電圧制御並びに加熱下の電流制御]
FZ法で得られたC12A7単結晶を10mm×5mm×1mmの大きさにカットし、図1に示すように、この両端(端面面積:5mmx1mm)にスパッタリングにより白金(Pt)薄膜を蒸着し、正電極及び負電極の両電極をモリブデン(Mo)ワイヤーにより取り付け、被加熱体とした。該被加熱体を、図6に示すような履歴に従い、加熱状態下で電圧を印加した。具体的には1000℃まで、及び1200℃までの高温処理を電圧制御下及び電流制御下で実施した。処理雰囲気は、極低酸素分圧制御したArガス(Ar流量:3L/分、平均流速5.2cm/sec、大気圧、常温)とした。極低酸素分圧制御装置としてキャノンマシナリー(株)社製装置を用いた。酸素分圧は、図3に示すように、OutセンサーとInセンサーで計測した。極低酸素分圧制御については以下同様である。
そこで、一定加熱温度下における印加電圧と試料内電流の関係(I−V曲線)を印加電圧を増・減変化させることにより調べてみた。その結果、図9、図10に示すように、高温加熱状態において電圧増加変化と減少変化においてヒステリシスが生じていることがわかった。すなわちこの不可逆変化は被加熱体内にフリー酸素イオンが空間的に偏在していることを意味している。
図11に、Area IIの電流制御並びにCD制御下における被加熱体内の電流・電圧の温度変化を示す。電流制御開始(730K)の約18Vから、加熱温度が約819Kに到達した段階で試料電圧の急激な変化が見られ、925Kで約7Vまで下がった段階でCD制御により被加熱体内の電流を徐々に増加させた。
図17に、CD制御以降の温度、消費電力並びに酸素乖離圧の時間変化を示す。消費電力がピークとなるのは電流制御状態における3T温度維持状態の後半であり、酸素乖離圧がピーク値以降であった。その後、一旦消費電力は減少するものの、CD制御により被加熱体内電流を増加させた場合、増加に転じ最大500W/cm2程度で飽和した。
まず、当該被加熱体に、大気圧下で、100Vの印加電圧をかけたところ、試料温度30℃付近から1pA程度の電流(電流密度20pA・cm−2)を観測した。
次に電源を切り替え、最大100Vの電圧を印加及び最大30Aの電流が流せる電源とした。常温から10℃刻みで昇温した後、前記被加熱体の温度を保持し、各温度において100Vまで電圧を印加した。これを180℃に到達するまで繰り返した。本電源で検出可能な最小電流は0.1mAであるが、上記条件において電流は観測されなかった。
ここで、被加熱体の電圧印加方法を、前記電圧制御から、前記電流制御に移行した(図19)。電流制御になってから約100秒後に被加熱体の様子を確認したところ、被加熱体は黒色化し、C12A7はエレクトライド化していた。この被加熱体中には電子の濃度に不均一が生じた。最大の箇所は1.0×1021/cm3程度、最低の箇所は1.0×1019/cm3程度であった。前記エレクトライド化された被加熱体(本実施例のエレクトライド化マイエナイト型化合物)の電子濃度最大の部位の電気伝導度は5×102S/cmであった。
実施例1と同様に前記被加熱体を準備し、上記試料への電圧負荷時は、最高1000℃まで加熱できる電気加熱炉内に上記試料を置き、加熱炉内を1000℃まで加熱した。そして、最高10−29Pa(10−34atom)まで極低酸素分圧雰囲気に制御されたAr(流量:3L/分、平均流速5.2cm/秒、大気圧、室温)を加熱炉内に流した。極低酸素分圧制御装置によって、ケージから抜け出し、極低酸素分圧制御されたAr雰囲気に混入した酸素を酸素ポンプの原理でAr雰囲気中から抜き出し、極低酸素分圧状態でのArを再度加熱炉内に流した。
FZ法で得られたC12A7単結晶を10mm×5mm×1mmの大きさにカットして被加熱体とした。図3に示すような装置を用いて、この被加熱体に、加熱炉内で加熱処理を実施した。処理雰囲気は極低酸素分圧Ar雰囲気(Ar流量:3L/分、平均流速5.2cm/秒、大気圧、常温)とした。
このことから加熱処理のみでは、マイエナイト型化合物の十分なエレクトライド化はできないことがわかった。
比較例1のC12A7単結晶に替えて、多結晶であるC12A7:O2―粉末試料を用いた以外は、比較例1と同様の処理を、図5に示すような履歴でおこなった。比較例1と同様に、加熱処理後のマイエナイト型化合物のグレードはAクラスであった。C12A7単結晶同様、加熱処理のみではマイエナイト型化合物の十分なエレクトライド化はできなかった。
Claims (5)
- 還元剤を用いず、マイエナイト型化合物に、1000℃以下の加熱状態下、電圧を印加し、前記マイエナイト型化合物に直接電流を流すことにより、前記マイエナイト型化合物をエレクトライド化することを特徴とする、エレクトライド化マイエナイト型化合物の製造方法。
- 前記マイエナイト型化合物の電気抵抗率が1.0×105Ω・cm以下になるまで電圧を印加する、請求項1に記載の製造方法。
- 前記マイエナイト型化合物に、正極及び負極を付与して直接電流を流す、請求項1又は2に記載の製造方法。
- 前記エレクトライド化を不活性ガス雰囲気下で行なう、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記エレクトライド化マイエナイト型化合物の電子濃度が、1.0×1020/cm3以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016145078 | 2016-07-25 | ||
JP2016145078 | 2016-07-25 | ||
PCT/JP2017/026817 WO2018021282A1 (ja) | 2016-07-25 | 2017-07-25 | エレクトライド化マイエナイト型化合物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018021282A1 JPWO2018021282A1 (ja) | 2019-06-13 |
JP6966086B2 true JP6966086B2 (ja) | 2021-11-10 |
Family
ID=61016235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018529899A Active JP6966086B2 (ja) | 2016-07-25 | 2017-07-25 | エレクトライド化マイエナイト型化合物の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11267720B2 (ja) |
EP (1) | EP3489197B1 (ja) |
JP (1) | JP6966086B2 (ja) |
KR (1) | KR102309473B1 (ja) |
CN (1) | CN109476494B (ja) |
WO (1) | WO2018021282A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020107795A1 (de) * | 2020-03-20 | 2021-09-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Elektronen emittierende Keramik |
FR3141690A1 (fr) | 2022-11-03 | 2024-05-10 | Saint-Gobain Centre De Recherches Et D'etudes Europeen | Procédé de fabrication d’un produit fondu de mayénite |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3560560B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2004-09-02 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 水酸基イオンを包接する12CaO・7Al2O3化合物焼結体及びその作成方法 |
JP3560580B2 (ja) * | 2001-10-18 | 2004-09-02 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 12CaO・7Al2O3化合物とその作成方法 |
EP1650164B1 (en) * | 2003-06-26 | 2015-12-30 | Japan Science and Technology Agency | Electroconductive 12cao.7al2o3, 12sro.7al2o3 or mixture thereof and method for preparation thereof |
TWI283234B (en) | 2004-02-13 | 2007-07-01 | Asahi Glass Co Ltd | Method for preparing electroconductive Mayenite type compound |
CN101160638A (zh) * | 2005-04-18 | 2008-04-09 | 旭硝子株式会社 | 电子发射体、场致发射显示装置、冷阴极荧光管、平面型照明装置以及电子发射材料 |
KR101243576B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2013-03-20 | 도오쿄 인스티튜드 오브 테크놀로지 | 도전성 마이에나이트형 화합물의 제조 방법 |
US7892458B2 (en) | 2005-11-24 | 2011-02-22 | Japan Science And Technology Agency | Metallic electroconductive 12CaO 7Al2O3 compound and process for producing the same |
JP5245455B2 (ja) | 2008-02-28 | 2013-07-24 | 旭硝子株式会社 | マイエナイト型化合物 |
WO2011024824A1 (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | 旭硝子株式会社 | 放電ランプ用電極、放電ランプ用電極の製造方法、及び放電ランプ |
JP2014141353A (ja) * | 2011-05-13 | 2014-08-07 | Asahi Glass Co Ltd | 導電性マイエナイト化合物を含む部材の製造方法 |
JP5857525B2 (ja) * | 2011-08-18 | 2016-02-10 | 富士ゼロックス株式会社 | シリカ粒子及びその製造方法 |
WO2013191211A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | 旭硝子株式会社 | 高電子密度の導電性マイエナイト化合物の製造方法およびターゲット |
TWI600618B (zh) | 2012-06-20 | 2017-10-01 | Tokyo Inst Tech | C12A7 thin film of electronic salt and C12A7 electronic salt film |
CN104583129B (zh) | 2012-08-30 | 2016-09-07 | 国立大学法人东京工业大学 | 导电性钙铝石型化合物粉末的制造方法 |
JP6062192B2 (ja) * | 2012-09-11 | 2017-01-18 | 国立大学法人東京工業大学 | マイエナイト複合材および電子放出用陰極 |
CN104684868B (zh) | 2012-09-28 | 2017-07-07 | 旭硝子株式会社 | 高电子密度的导电性钙铝石化合物的制造方法 |
JP2016013927A (ja) * | 2012-11-14 | 2016-01-28 | 旭硝子株式会社 | 導電性マイエナイト化合物の製造方法 |
JP6237221B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-11-29 | 旭硝子株式会社 | 非晶質酸化物およびそのエレクトライドの薄膜の製造方法 |
JP6052711B2 (ja) | 2015-01-28 | 2016-12-27 | 株式会社タツノ | 燃料供給装置 |
-
2017
- 2017-07-25 JP JP2018529899A patent/JP6966086B2/ja active Active
- 2017-07-25 US US16/319,776 patent/US11267720B2/en active Active
- 2017-07-25 EP EP17834288.7A patent/EP3489197B1/en active Active
- 2017-07-25 CN CN201780044504.5A patent/CN109476494B/zh active Active
- 2017-07-25 KR KR1020197003914A patent/KR102309473B1/ko active IP Right Grant
- 2017-07-25 WO PCT/JP2017/026817 patent/WO2018021282A1/ja unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11267720B2 (en) | 2022-03-08 |
KR20190032416A (ko) | 2019-03-27 |
EP3489197A4 (en) | 2020-04-08 |
US20210284544A1 (en) | 2021-09-16 |
KR102309473B1 (ko) | 2021-10-05 |
CN109476494B (zh) | 2021-01-26 |
EP3489197B1 (en) | 2021-05-26 |
CN109476494A (zh) | 2019-03-15 |
JPWO2018021282A1 (ja) | 2019-06-13 |
WO2018021282A1 (ja) | 2018-02-01 |
EP3489197A1 (en) | 2019-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zoolfakar et al. | Engineering electrodeposited ZnO films and their memristive switching performance | |
JP6966086B2 (ja) | エレクトライド化マイエナイト型化合物の製造方法 | |
US20170373173A1 (en) | Semiconductor device | |
Zhao et al. | Effects of sintering atmosphere on microstructure and dielectric properties of (Yb+ Nb) co-doped rutile TiO2 ceramics | |
Kang et al. | NiO-based resistive memory devices with highly improved uniformity boosted by ionic liquid pre-treatment | |
Wang et al. | Effect of annealing atmosphere on the structural and electrical properties of BiFeO3 multiferroic ceramics prepared by sol–gel and spark plasma sintering techniques | |
Zhang et al. | Sr-doping enhanced electrical transport and thermionic emission of single crystal 12CaO· 7Al2O3 electride | |
Li et al. | Metastable oxygen vacancy ordering state and improved memristive behavior in TiO2 crystals | |
WO2018095376A1 (zh) | 含氢过渡金属氧化物、制备方法及原电池 | |
Koo et al. | Isovalent doping: a new strategy to suppress surface Sr segregation of the perovskite O 2-electrode for solid oxide fuel cells | |
Ahmad et al. | Fluoride ion diffusion of superionic PbSnF4 studied by nuclear magnetic resonance and impedance spectroscopy | |
Kirstein et al. | Effect of commercial anatase-TiO2 raw materials on the electrical characteristics of ceramics with positive temperature coefficient of resistivity | |
US11929252B2 (en) | Gallium oxide-based semiconductor and production method thereof | |
WO2018161643A1 (zh) | 应力调控方法 | |
Sedky et al. | Effect of temperature on the electrical properties of Zn 0.95 M 0.05 O (M= Zn, Fe, Ni) | |
TWI699337B (zh) | 處理陶瓷體之方法 | |
CN106029604B (zh) | 氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜 | |
WO2018095367A1 (zh) | 调控含氢过渡金属氧化物相变的方法 | |
Chen et al. | Multifunctional Eu3+-doped Bi12TiO20 thin films: resistive switching, dielectric, and photoluminescent properties | |
Bose et al. | Nonlinear I–V characteristics of nanocrystalline SnO2 | |
Ananchenko et al. | Effect of the method for the preparation of the oxide precursor on the electrolytic properties of sulfide-conducting solid electrolytes | |
Zhang et al. | Optimization of energy storage performance in 0.8 Na0. 5Bi0. 5TiO3-0.2 Bi3. 25La0. 75Ti3O12 thin films via defect dipoles | |
Roy et al. | Oxide Dissolution Mediated Formation of Conducting Filament in ReRAM Devices: A Phase Field Study | |
de Carvalho et al. | Formation of p–n junctions in nanoparticle cerium oxide electrolytic cells displaying memristive switching behaviour | |
JP2019011499A (ja) | 金属ナノ粒子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181226 |
|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20190402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190409 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20191206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20191206 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211005 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6966086 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |