JP2016013927A - 導電性マイエナイト化合物の製造方法 - Google Patents

導電性マイエナイト化合物の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016013927A
JP2016013927A JP2012250255A JP2012250255A JP2016013927A JP 2016013927 A JP2016013927 A JP 2016013927A JP 2012250255 A JP2012250255 A JP 2012250255A JP 2012250255 A JP2012250255 A JP 2012250255A JP 2016013927 A JP2016013927 A JP 2016013927A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mayenite compound
calcium
powder
conductive mayenite
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012250255A
Other languages
English (en)
Inventor
伊藤 和弘
Kazuhiro Ito
和弘 伊藤
暁 渡邉
Akira Watanabe
暁 渡邉
俊成 渡邉
Toshinari Watanabe
俊成 渡邉
宮川 直通
Naomichi Miyagawa
直通 宮川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2012250255A priority Critical patent/JP2016013927A/ja
Priority to PCT/JP2013/080446 priority patent/WO2014077215A1/ja
Priority to TW102141525A priority patent/TW201425230A/zh
Publication of JP2016013927A publication Critical patent/JP2016013927A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F7/00Compounds of aluminium
    • C01F7/02Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
    • C01F7/16Preparation of alkaline-earth metal aluminates or magnesium aluminates; Aluminium oxide or hydroxide therefrom
    • C01F7/164Calcium aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F7/00Compounds of aluminium
    • C01F7/78Compounds containing aluminium and two or more other elements, with the exception of oxygen and hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/44Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/553Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on fluorides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • C04B2235/445Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6587Influencing the atmosphere by vaporising a solid material, e.g. by using a burying of sacrificial powder
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661Multi-step sintering
    • C04B2235/662Annealing after sintering
    • C04B2235/664Reductive annealing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/77Density

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

【課題】高電子密度の導電性マイエナイト化合物を効率良く製造する方法の提供。【解決手段】導電性マイエナイト化合物の製造方法であって、(a)被処理体を準備する工程であって、前記被処理体は、マイエナイト化合物またはマイエナイト化合物の前駆体を含む、工程S110と、(b)前記被処理体を、還元性雰囲気の環境下において熱処理する工程S120であって、前記環境には、複合材料および/または合金が存在し、前記被処理体は、前記複合材料および/または合金に接触しない状態で配置され、前記複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、ナトリウム(Na)、およびガリウム(Ga)からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む工程と、を有することを特徴とする製造方法。【選択図】図1

Description

本発明は、導電性マイエナイト化合物の製造方法に関する。
マイエナイト化合物は、12CaO・7Alで表される代表組成を有し、三次元的に連結された直径約0.4nmの空隙(ケージ)を有する特徴的な結晶構造を持つ。このケージを構成する骨格は、正電荷を帯びており、単位格子当たり12個のケージを形成する。このケージの1/6は、結晶の電気的中性条件を満たすため、内部が酸素イオンで占められている。しかしながら、このケージ内の酸素イオンは、骨格を構成する他の酸素イオンとは化学的に異なる特性を有しており、このため、ケージ内の酸素イオンは、特にフリー酸素イオンと呼ばれている。マイエナイト化合物は、[Ca24Al2864]4+・2O2−とも表記される(非特許文献1)。
マイエナイト化合物のケージ中のフリー酸素イオンの一部または全部を電子と置換した場合、マイエナイト化合物に導電性が付与される。これは、マイエナイト化合物のケージ内に包接された電子は、ケージにあまり拘束されず、結晶中を自由に動くことができるためである(特許文献1)。このような導電性を有するマイエナイト化合物は、特に、「導電性マイエナイト化合物」と称される。
このような導電性マイエナイト化合物は、例えば、マイエナイト化合物の粉末を蓋付きカーボン容器に入れて、窒素ガス雰囲気下1300℃で熱処理する方法(特許文献2)により製造できる。以下、この方法を従来方法1という。
また、導電性マイエナイト化合物は、マイエナイト化合物からなる被処理体を、アルミニウム金属とともに蓋付きアルミナ容器に入れ、真空中で1300℃で熱処理する方法(特許文献2)により製造できる。以下、この方法を従来方法2という。
国際公開第2005/000741号 国際公開第2006/129674号
F.M.Lea,C.H.Desch,The Chemistryof Cement and Concrete,2nd ed.,p.52,Edward Arnold&Co.,London,1956
しかしながら、前述の従来方法1では、電子密度が十分に高い導電性マイエナイト化合物を得ることは難しいという問題がある。前述の従来方法1では、得られる導電性マイエナイト化合物の電子密度は、3×1020cm−3未満である。
導電性マイエナイト化合物の用途として、例えば気相蒸着法による成膜用のターゲットを想定した場合、ターゲットとなる導電性マイエナイト化合物の電子密度が、成膜される薄膜の電子密度と相関があることを本願発明者らは発見した。薄膜の電子密度を高めるために、ターゲットとなる導電性マイエナイト化合物をよりいっそう高電子密度化することが必要である。
一方、前述の従来方法2では、1×1021cm−3超の高い電子密度の導電性マイエナイト化合物を得ることができる。しかし、この方法では、被処理体を金属アルミニウムと接触させて加熱することが必要であり、その場合、以下の問題があることを本願発明者らは発見した。
金属アルミニウムの融点は、660℃であるため、被処理体と金属アルミニウムとをそれ以上の温度で加熱した場合、被処理体の表面に、液体のアルミニウムが生成されることになる。この状態で被処理体を室温まで温度を下げると、生成される導電性マイエナイト化合物の表面には、液体が凝固して生じた金属アルミニウム固着物が固着した状態となる。このような固着物は、導電性マイエナイト化合物と強固に密着しており、固着物を剥離したり、除去したりすることは容易ではない。導電性マイエナイト化合物を採取するには、熱処理に用いられる容器等をハンマーで破壊し、さらに導電性マイエナイト化合物の周囲に固着しているアルミニウムを、電動ノコギリ、セラミックス製リューター、および紙やすりを用いて丁寧に除去しなければならない。特に、導電性マイエナイト化合物の用途として、例えば気相蒸着法による成膜用のターゲットのような比較的大きな製品を想定した場合、熱処理に用いられる容器等から導電性マイエナイト化合物を容易に採取することは、極めて非現実的である。従って、このような現象が生じると、導電性マイエナイト化合物を回収する際に追加の処理工程が必要となり、生産性が低下するという問題が生じる。
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、本発明では、高い電子密度を有する導電性マイエナイト化合物を効率良く製造する方法を提供することを目的とする。
本発明では、導電性マイエナイト化合物の製造方法であって、
(a)被処理体を準備する工程であって、前記被処理体は、マイエナイト化合物またはマイエナイト化合物の前駆体を含む、工程と、
(b)前記被処理体を、還元性雰囲気の環境下において熱処理する工程であって、
前記環境には、複合材料および/または合金が存在し、
前記被処理体は、前記複合材料および/または合金に接触しない状態で配置され、
前記複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、ナトリウム(Na)、およびガリウム(Ga)からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む、工程と、
を有することを特徴とする製造方法が提供される。
ここで、本発明による製造方法において、前記複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、アルミニウム(Al)、またはマグネシウム(Mg)を含んでも良い。
また、本発明による製造方法において、前記環境には、CO源が存在しても良い。
また、本発明による製造方法において、前記(b)の工程は、前記被処理体および前記複合材料および/または合金を、カーボンを含む容器中に入れた状態で行われても良い。
また、本発明による製造方法において、前記被処理体は、
マイエナイト化合物の粉末を含む成形体、
マイエナイト化合物を含む焼結体、および
仮焼粉を含む成形体、
からなる群から選定されても良い。
また、本発明による製造方法において、前記(b)の工程後に、電子密度が3×1020cm−3以上の導電性マイエナイト化合物が得られても良い。
また、本発明による製造方法において、前記被処理体は、フッ素(F)成分を含み、
前記(b)の工程後に、フッ素を含む導電性マイエナイト化合物が得られても良い。
さらに、本発明では、前述の特徴を有する導電性マイエナイト化合物の製造方法を用いて、導電性マイエナイト化合物を含む、成膜用のターゲットを製造する方法が提供される。
本発明では、高い電子密度を有する導電性マイエナイト化合物を効率良く製造する方法を提供することが可能となる。
本発明の一実施例による導電性マイエナイト化合物の製造方法の一例を模式的に示したフロー図である。 被処理体を熱処理する際に使用される装置の一構成例を模式的に示した図である。 例1に係る被処理体を熱処理する際に使用した装置の構成を模式的に示した図である。
本発明では、導電性マイエナイト化合物の製造方法であって、
(a)被処理体を準備する工程であって、前記被処理体は、マイエナイト化合物またはマイエナイト化合物の前駆体を含む、工程と、
(b)前記被処理体を、還元性雰囲気の環境下において熱処理する工程であって、
前記環境には、複合材料および/または合金が存在し、
前記被処理体は、前記複合材料および/または合金に接触しない状態で配置され、
前記複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、ナトリウム(Na)、およびガリウム(Ga)からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む、工程と、
を有することを特徴とする製造方法が提供される。
ここで、本願において、「マイエナイト化合物」とは、ケージ(籠)構造を有する12CaO・7Al(以下「C12A7」ともいう)およびC12A7と同等の結晶構造を有する化合物(同型化合物)の総称を意味する。C12A7の同等の同型化合物としては、12SrO・7Alがある。
また、本願において、「導電性マイエナイト化合物」とは、ケージ中に含まれる「フリー酸素イオン」の一部もしくは全てが電子で置換された、電子密度が1.0×1018cm−3以上のマイエナイト化合物を意味する。また、電子密度が3.0×1020cm−3以上のマイエナイト化合物を、特に、「高電子密度の導電性マイエナイト化合物」と称する。なお、全てのフリー酸素イオンが電子で置換されたときの電子密度は、約2.3×1021cm−3である。
従って、「マイエナイト化合物」には、「導電性マイエナイト化合物」、「高電子密度の導電性マイエナイト化合物」、および「非導電性マイエナイト化合物」が含まれる。
本発明では、製造される「導電性マイエナイト化合物」の電子密度は、3.0×1020cm−3以上であり、従来の蓋付きカーボン容器を用いた方法に比べて有意に大きな電子密度を有する「高電子密度の導電性マイエナイト化合物」を得ることができる。本発明において製造される導電性マイエナイト化合物の電子密度は、5.0×1020cm−3以上であることが好ましく、7.0×1020cm−3以上であることがより好ましく、1.0×1021cm−3以上であることがさらに好ましい。
なお、一般に、導電性マイエナイト化合物の電子密度は、マイエナイト化合物の電子密度により、2つの方法で測定される。電子密度は、1.0×1018cm−3〜3.0×1020cm−3未満の場合、導電性マイエナイト化合物粉末の拡散反射を測定し、クベルカムンク変換させた吸収スペクトルの2.8eV(波長443nm)の吸光度(クベルカムンク変換値)から算出される。この方法は、電子密度とクベルカムンク変換値が比例関係になることを利用している。以下、検量線の作成方法について説明する。
電子密度の異なる試料を4点作成しておき、それぞれの試料の電子密度を、電子スピン共鳴(ESR)のシグナル強度から求めておく。ESRで測定できる電子密度は、1.0×1014cm−3〜1.0×1019cm−3程度である。クベルカムンク値とESRで求めた電子密度をそれぞれ対数でプロットすると比例関係となり、これを検量線とした。すなわち、この方法では、電子密度が1.0×1019cm−3〜3.0×1020cm−3では検量線を外挿した値である。
電子密度が3.0×1020cm−3〜2.3×1021cm−3の場合、電子密度は、導電性マイエナイト化合物粉末の拡散反射を測定し、クベルカムンク変換させた吸収スペクトルのピークの波長(エネルギー)から換算される。関係式は下記の式を用いた:

n=(−(Esp−2.83)/0.199)0.782 (1)式

ここで、nは電子密度(cm−3)、Espはクベルカムンク変換した吸収スペクトルのピークのエネルギー(eV)を示す。
本発明において、導電性マイエナイト化合物は、カルシウム(Ca)、アルミニウム(Al)および酸素(O)からなるC12A7結晶構造を有している限り、カルシウム(Ca)、アルミニウム(Al)および酸素(O)の中から選ばれた少なくとも1種の原子の一部が、他の原子や原子団に置換されていても良い。例えば、カルシウム(Ca)の一部は、マグネシウム(Mg)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、セリウム(Ce)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)および銅(Cu)からなる群から選択される1以上の原子で置換されていても良い。また、アルミニウム(Al)の一部は、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ホウ素(B)、ガリウム(Ga)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、セリウム(Ce)、プラセオジウム(Pr)、スカンジウム(Sc)、ランタン(La)、イットリウム(Y)、ヨーロピウム(Eu)、イットリビウム(Yb)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)およびテリビウム(Tb)からなる群から選択される1以上の原子で置換されても良い。また、ケージの骨格の酸素は、窒素(N)などで置換されていても良い。
本発明において、導電性マイエナイト化合物は、ケージ内のフリー酸素イオンの少なくとも一部がH、H 、H2−、O、O 、OH、F、Cl、およびS2−などの陰イオンや、窒素(N)の陰イオンによって置換されていても良い。
本発明における導電性マイエナイト化合物におけるカルシウム(Ca)とアルミニウム(Al)の割合は、CaO:Alに換算したモル比で、10:9〜13:6の範囲が好ましく、11:8〜12.5:6.5の範囲がより好ましく、11.5:7.5〜12.3:6.7の範囲がより好ましく、11.8:7.2〜12.2:6.8の範囲がさらに好ましく、約12:7が特に好ましい。カルシウム(Ca)の一部が他の原子に置換されている場合は、カルシウムと他の原子のモル数をカルシウムのモル数とみなす。アルミニウム(Al)の一部が他の原子に置換されている場合は、アルミニウムと他の原子のモル数をアルミニウムのモル数とみなす。
前述のように、従来方法2では、製造される導電性マイエナイト化合物の表面には、液体が凝固して生じた金属アルミニウム固着物が固着する。このような固着物は、導電性マイエナイト化合物と強固に密着しており、固着物を剥離したり、除去したりすることは容易ではない。特に、導電性マイエナイト化合物は、例えば、成膜用のターゲットのような比較的大きな製品にも適用され得るが、このような大きな製品の製造を想定した場合、導電性マイエナイト化合物の表面から、低コストで全ての固着物を除去することは、事実上極めて困難である。このため、従来方法2は、生産性の点で問題がある。
一方、本発明による製造方法では、被処理体は、還元剤として機能する複合材料および/または合金とは、直接接触しない状態で配置されるという特徴を有する。
このため、本発明による製造方法では、生成した導電性マイエナイト化合物の表面に、金属アルミニウムのような固着物が固着することが有意に回避される。従って、本発明の製造方法では、熱処理後に生成した導電性マイエナイト化合物を容易に回収することが可能となる。
また、本発明による製造方法において使用される複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、ナトリウム(Na)、およびガリウム(Ga)からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む。本願の熱処理温度域では、これらの元素はいずれも、熱力学的に、マイエナイト化合物よりも酸化物安定側に(エリンガム図において、より下側に)属し、マイエナイト化合物の還元剤として機能し得る。従って、このような複合材料および/または合金の存在下で、被処理体を熱処理することにより、マイエナイト化合物が還元され、「高電子密度の導電性マイエナイト化合物」を製造することができる。
特に、本発明による製造方法では、製造される導電性マイエナイト化合物の電子密度は、3.0×1020cm−3以上であり、従来方法1のような蓋付きカーボン容器を用いた方法に比べて、有意に大きな電子密度を有する「高電子密度の導電性マイエナイト化合物」を得ることができる。
このように、本発明による製造方法では、生産性を低下させることなく、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を製造することが可能となる。
(本発明の一実施例による導電性マイエナイト化合物の製造方法)
以下、図面を参照して、本発明の一実施例による製造方法について、詳しく説明する。
図1には、本発明の一実施例による導電性マイエナイト化合物の製造方法を示す。
図1に示すように、本発明の一実施例による製造方法は、
(a)被処理体を準備する工程であって、前記被処理体は、マイエナイト化合物またはマイエナイト化合物の前駆体を含む、工程(ステップS110)と、
(b)前記被処理体を、還元性雰囲気の環境下において熱処理する工程であって、
前記環境には、複合材料および/または合金が存在し、
前記被処理体は、前記複合材料および/または合金に接触しない状態で配置され、
前記複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、ナトリウム(Na)、およびガリウム(Ga)からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む、工程(ステップS120)と、
を有する。
以下、各工程について詳しく説明する。
(工程S110)
まず、被処理体が準備される。
被処理体は、マイエナイト化合物、またはマイエナイト化合物の前駆体を含む。
例えば、被処理体は、
(i)マイエナイト化合物の粉末の成形体、
(ii)マイエナイト化合物の焼結体、または
(iii)仮焼粉の成形体
であっても良い。
以下、(i)〜(iii)の各形態の被処理体の調製方法について説明する。
(i)マイエナイト化合物の粉末の成形体の調製方法
(マイエナイト化合物の粉末の調製)
マイエナイト化合物の粉末の成形体を調製する場合、最初に、原料粉末が調合される。
原料粉末は、カルシウム(Ca)とアルミニウム(Al)の割合が、CaO:Alに換算したモル比で、10:9〜13:6の範囲となるように調合される。CaO:Al(モル比)は、11:8〜12.5:6.5の範囲が好ましく、11.5:7.5〜12.3:6.7の範囲がより好ましく、11.8:7.2〜12.2:6.8の範囲がさらに好ましく、約12:7が特に好ましい。
なお、原料粉末に使用される化合物は、前記割合が維持される限り、特に限られない。
原料粉末は、カルシウムアルミネートを含むか、または、カルシウム化合物、アルミニウム化合物、およびカルシウムアルミネートからなる群から選定された少なくとも2つを含むことが好ましい。
原料粉末は、例えば、以下の混合粉末であっても良い:カルシウム化合物とアルミニウム化合物とを含む混合粉末、カルシウム化合物とカルシウムアルミネートとを含む混合粉末、アルミニウム化合物とカルシウムアルミネートとを含む混合粉末、カルシウム化合物と、アルミニウム化合物と、カルシウムアルミネートとを含む混合粉末、カルシウムアルミネートのみを含む混合粉末。
カルシウム化合物としては、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、炭酸水素カルシウム、硫酸カルシウム、メタリン酸カルシウム、シュウ酸カルシウム、酢酸カルシウム、硝酸カルシウム、およびハロゲン化カルシウムなどが挙げられる。これらの中では、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、および水酸化カルシウムが好ましい。
アルミニウム化合物としては、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、およびハロゲン化アルミニウムなどが挙げられる。これらの中では、水酸化アルミニウムおよび酸化アルミニウムが好ましい。酸化アルミニウム(アルミナ)は、α−アルミナ、γ−アルミナ、δ−アルミナなどあるが、α−酸化アルミニウム(アルミナ)が好ましい。
カルシウムアルミネートとしては、CaO・Al、3CaO・Al、5CaO・3Al、CaO・2Al、CaO・6Al等が好ましい。C12A7を、カルシウム化合物またはアルミニウム化合物と混合して用いても良い。
原料粉末は、さらにフッ素(F)成分を含んでも良い。フッ素(F)成分としては、例えば、フッ化カルシウム(CaF)等が挙げられる。原料粉末にフッ素(F)成分を添加した場合、最終的に(工程S120の後に)、ケージ内にフッ素イオンが導入された高電子密度の導電性マイエナイト化合物等を製造できる。
フッ素(F)成分を含む原料粉末は、これに限られるものではないが、例えば、前述のようなカルシウム化合物とアルミニウム化合物の混合粉末に、フッ化カルシウムを添加して調製しても良い。
原料粉末中のフッ素(F)の含有量は、特に限られない。フッ素(F)の含有量は、例えば、最終的に得られる導電性マイエナイト化合物の化学式を

(12−x)CaO・7Al・xCaF (2)式

で表した際に、xの範囲が0〜0.60の範囲となるように選定されても良い。
次に、前述のように調合された原料粉末が高温に保持され、マイエナイト化合物が合成される。
合成は、不活性ガス雰囲気下や真空下で行っても良いが、大気下で行うことが好ましい。合成温度は、特に限られないが、例えば、1150℃〜1460℃の範囲であり、1200℃〜1415℃の範囲が好ましく、1250℃〜1400℃の範囲がより好ましく、1300℃〜1350℃の範囲がさらに好ましい。1150℃〜1460℃の温度範囲で合成した場合、C12A7の結晶構造を多く含むマイエナイト化合物が得られ易くなる。合成温度が低すぎると、C12A7結晶構造が少なくなるおそれがある。一方、合成温度が高すぎると、マイエナイト化合物の融点を超えるため、C12A7の結晶構造が少なくなるおそれがある。
合成温度は、フッ素を含有しないマイエナイト化合物では、1230℃〜1415℃がより好ましく、1250℃〜1380℃がさらに好ましく、1280℃〜1350℃が特に好ましい。合成温度は、フッ素を含有するマイエナイト化合物では、1180℃〜1420℃がより好ましく、1200℃〜1400℃がさらに好ましく、1230℃〜1380℃が特に好ましい。フッ素を含有するマイエナイト化合物は、化合物の融点が高くなるため、合成温度範囲が広くなり、製造しやすい。
高温の保持時間は、特に限られず、これは、合成量および保持温度等によっても変動する。保持時間は、例えば、1時間〜12時間である。保持時間は、例えば、2時間〜10時間であることが好ましく、4時間〜8時間であることがより好ましい。原料粉末を1時間以上、高温で保持することにより、固相反応が十分に進行し、均質なマイエナイト化合物を得ることができる。
合成により得られるマイエナイト化合物は、一部または全てが焼結した塊状である。塊状のマイエナイト化合物は、スタンプミル等で、例えば、5mm程度の大きさまで粉砕処理される。さらに、自動乳鉢や乾式ボールミルで、平均粒径が10μm〜100μm程度まで粉砕処理が行われる。ここで、「平均粒径」は、レーザ回折散乱法で測定して得た値を意味するものとする。以下、粉末の平均粒径は、同様の方法で測定した値を意味するものとする。
さらに微細で均一な粉末を得たい場合は、例えば、C2n+1OH(nは3以上の整数)で表されるアルコール(例えば、イソプロピルアルコールを溶媒として用いた、湿式ボールミル、または循環式ビーズミルなどを用いることにより、粉末の平均粒径を0.5μm〜50μmまで微細化できる。
以上の工程により、マイエナイト化合物の粉末が調製される。
なお、粉末として調整されるマイエナイト化合物は、導電性マイエナイト化合物であっても良い。導電性マイエナイト化合物は非導電性の化合物より粉砕性に優れるからである。
導電性マイエナイト化合物の合成方法は、特に限定されないが、下記の方法が挙げられる。例えば、マイエナイト化合物を蓋付きカーボン容器中に入れて、1600℃で熱処理して作製する方法(国際公開第2005/000741号)、マイエナイト化合物を蓋付きカーボン容器に入れて、窒素中1300℃で熱処理して作製する方法(国際公開第2006/129674号)、炭酸カルシウム粉末と酸化アルミニウム粉末から作られる、カルシウムアルミネートなどの粉末を蓋付きカーボン坩堝に入れて、窒素中1300℃で熱処理して作製する方法(国際公開第2010/041558号)、炭酸カルシウム粉末と酸化アルミニウム粉末を混合した粉末を、蓋付きカーボン坩堝に入れて、窒素中1300℃で熱処理して作製する方法(特開2010−132467号公報)などがある。
導電性マイエナイト化合物の粉砕方法は、上記マイエナイト化合物の粉砕方法と同様である。
以上の工程により、導電性マイエナイト化合物の粉末が調整される。なお、非導電性マイエナイト化合物と導電性マイエナイト化合物の混合粉末を用いても良い。
(マイエナイト化合物粉末の成形体の調製)
次に、前述の方法で調製したマイエナイト化合物粉末を含む成形体が準備される。成形体は、粉末または粉末を含む混練物からなる成形材料の加圧成形により、調製しても良い。成形材料をプレス成形、シート成形、押出成形、または射出成形することにより、成形体を得ることができる。成形体の形状は、特に限られない。
(ii)マイエナイト化合物の焼結体の調製方法
マイエナイト化合物の焼結体を調製する場合も、前述の「(i)マイエナイト化合物の粉末の成形体の調製方法」において説明した方法の一部を利用できる。
例えば、前述の(マイエナイト化合物の粉末の調製)の欄に示した方法では、原料粉末が高温に保持され、マイエナイト化合物が合成される。この合成後に得られる塊状のマイエナイト化合物を、そのまま被処理体用の焼結体として使用しても良い。
あるいは、「(i)マイエナイト化合物の粉末の成形体の調製方法」の(マイエナイト化合物粉末の成形体の調製)の欄で示した成形体を熱処理することにより得られた焼結体を、被処理体として使用しても良い。
後者の場合、熱処理条件は、成形体が焼結される条件であれば特に限られない。熱処理は、例えば、大気中、300℃〜1450℃の温度範囲で実施されても良い。300℃以上であると有機成分が揮発し粉末の接点が増えるため焼結処理が進行しやすく、1450℃以下であると焼結体の形状を保持しやすい。熱処理の最高温度は、おおよそ1000℃〜1420℃の範囲であり、好ましくは1050℃〜1415℃、さらに好ましくは1100℃〜1380℃、特に好ましくは1250℃〜1350℃である。
熱処理の最高温度における保持時間は、おおよそ1時間〜50時間の範囲であり、好ましくは、2時間〜40時間、さらに好ましくは3時間〜30時間である。また、保持時間を長くしても、特性上は特に問題はないが、作製コストを考えると、保持時間は、48時間以内が好ましい。アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素などの不活性ガス、酸素ガス、またはこれらの混在した雰囲気中や、真空中で実施しても良い。
この他にも、各種方法で、マイエナイト化合物の焼結体を調製しても良い。
なお、焼結体に含まれるマイエナイト化合物は、導電性マイエナイト化合物であっても、非導電性マイエナイト化合物であっても良い。また、焼結体に含まれるマイエナイト化合物は、フッ素を含むマイエナイト化合物であっても良く、フッ素を含まないマイエナイト化合物であっても良い。
(iii)仮焼粉の成形体の調製方法
本願において、「仮焼粉」とは、熱処理を経て調製された粉末であって、(i)酸化カルシウム、酸化アルミニウム、およびカルシウムアルミネートからなる選定された少なくとも2つを含む混合粉末、または、(ii)2種類以上のカルシウムアルミネートの混合粉末を意味する。カルシウムアルミネートとしては、CaO・Al、3CaO・Al、5CaO・3Al、CaO・2Al、CaO・6Al、C12A7等が挙げられる。「仮焼粉」における、カルシウム(Ca)とアルミニウム(Al)の割合は、CaO:Alに換算したモル比で、9.5:9.5〜13:6である。
特に、カルシウム(Ca)とアルミニウム(Al)の割合は、CaO:Alに換算したモル比で、10:9〜13:6の範囲となるように調合される。CaO:Al(モル比)は、11:8〜12.5:6.5の範囲が好ましく、11.5:7.5〜12.3:6.7の範囲がより好ましく、11.8:7.2〜12.2:6.8の範囲がさらに好ましく、約12:7が特に好ましい。
仮焼粉は、マイエナイト化合物の「前駆体」とも称される。
(仮焼粉の調製)
仮焼粉は、以下のようにして調製できる。
まず、原料粉末を準備する。原料粉末は、少なくとも、酸化カルシウム源および酸化アルミニウム源となる原料を含む。
例えば、原料粉末は、2種類以上のカルシウムアルミネートを含むか、または、カルシウム化合物、アルミニウム化合物、およびカルシウムアルミネートからなる群から選定された少なくとも2つを含むことが好ましい。
原料粉末は、例えば、以下の原料粉末であっても良い:カルシウム化合物とアルミニウム化合物とを含む原料粉末、カルシウム化合物とカルシウムアルミネートとを含む原料粉末、アルミニウム化合物とカルシウムアルミネートとを含む原料粉末、カルシウム化合物と、アルミニウム化合物と、カルシウムアルミネートとを含む原料粉末、カルシウムアルミネートのみを含む原料粉末。
以下、代表例として、原料粉末が少なくとも、酸化カルシウム源となる原料Aと、酸化アルミニウム源となる原料Bとを含む場合を想定して、仮焼粉の調製方法を説明する。
原料Aとしては、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、炭酸水素カルシウム、硫酸カルシウム、メタリン酸カルシウム、シュウ酸カルシウム、酢酸カルシウム、硝酸カルシウム、およびハロゲン化カルシウムなどが挙げられる。これらの中では、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、および水酸化カルシウムが好ましい。
原料Bとしては、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、およびハロゲン化アルミニウムなどが挙げられる。これらの中では、水酸化アルミニウムおよび酸化アルミニウムが好ましい。酸化アルミニウム(アルミナ)は、α−アルミナ、γ−アルミナ、δ−アルミナなどがあるが、α−酸化アルミニウム(アルミナ)が好ましい。
仮焼粉は、原料Aおよび原料B以外の物質を含んでも良い。仮焼粉は、フッ素成分を含んでいても良く、フッ素成分を含んでいなくても良い。
次に、原料Aおよび原料Bを含む原料粉末が熱処理される。これにより、カルシウムとアルミニウムを含む仮焼粉が得られる。前述のように、仮焼粉中のカルシウム(Ca)とアルミニウム(Al)の割合は、CaO:Alに換算したモル比で、約10:9〜13:6の範囲である。
熱処理の最高温度は、おおよそ600℃〜1250℃の範囲であり、好ましくは900℃〜1200℃、より好ましくは1000℃〜1100℃である。熱処理の最高温度における保持時間は、おおよそ1時間〜50時間の範囲であり、好ましくは2時間〜40時間、より好ましくは3時間〜30時間である。また、保持時間を長くしても、特性上は特に問題はないが、作製コストを考えると、保持時間は48時間以内が好ましい。
熱処理は、大気中で実施しても良い。熱処理は、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素などの不活性ガス、酸素ガス、またはこれらの混在した雰囲気中や、真空中で実施しても良い。
熱処理後に得られた仮焼粉は、通常、一部または全てが焼結した塊状である。このため、必要に応じて、前述の(マイエナイト化合物の粉末の調製)の欄に示したような、粉砕処理(粗粉砕および/または微細化)を実施しても良い。
以上の工程により、仮焼粉が調製される。
(仮焼粉の成形体の調製)
次に、前述のように調製された仮焼粉を用いて、成形体が形成される。
成形体の形成方法は、前述の(i)の調製方法に関して(マイエナイト化合物粉末の成形体の調製)において説明した方法と同様の方法が適用できるため、ここではこれ以上説明しない。
以上の工程により、仮焼粉の成形体が調製される。
なお、前述の(i)〜(iii)の被処理体の調製方法の説明は、単なる一例であって、その他の方法で、被処理体を調製しても良いことは、当業者には明らかであろう。例えば、被処理体は、マイエナイト化合物の粉末と仮焼粉を混合した粉末の成形体であっても良い。
(工程S120)
次に、例えば前述の調製方法により調製された(i)〜(iii)の被処理体のような被処理体を用いて、熱処理が実施される。
被処理体の熱処理は、「還元性雰囲気」下で実施される。ここで、「還元性雰囲気」とは、環境中の酸素分圧が10−3Pa以下の雰囲気の総称を意味し、該環境は、不活性ガス雰囲気、または減圧環境(例えば圧力が100Pa以下の真空環境)であっても良い。酸素分圧は、10−5Pa以下が好ましく、10−10Pa以下がより好ましく、10−15Pa以下がさらに好ましい。
また、環境中には、一酸化炭素ガスが含まれても良い。一酸化炭素ガスは、被処理体の晒される環境に外部から供給しても良いが、例えばカーボン含有容器を使用して、被処理体をこのカーボン含有容器内に配置しても良い。この場合、被処理体の熱処理の際に、カーボン含有容器から、一酸化炭素ガスが供給される。また、後述する複合材料および/または合金に、カーボンを添加しても良い。あるいは、その他のCO源となる部材を使用しても良い。
被処理体の熱処理の際に、環境を還元性雰囲気に調整する方法は、特に限られない。
例えば、カーボン含有容器を、圧力が100Pa以下の真空雰囲気に配置しても良い。この場合、圧力は、より好ましくは70Pa以下であり、さらに好ましくは40Pa以下であり、さらに好ましくは20Pa以下であり、さらに好ましくは10Pa以下であり、特に好ましくは1Pa以下である。
あるいは、カーボン含有容器に、酸素分圧が1000Pa以下の不活性ガス雰囲気(ただし窒素ガスを除く)を供給しても良い。この場合、供給する不活性ガス雰囲気の酸素分圧は、好ましくは100Pa以下であり、より好ましくは10Pa以下であり、さらに好ましくは1Pa以下であり、特に好ましくは0.1Pa以下である。
不活性ガス雰囲気は、アルゴンガス雰囲気等であっても良い。
また、本発明では、熱処理の際に被処理体が晒される環境中には、複合材料および/または合金が配置されることに留意する必要がある。この複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、ナトリウム(Na)、およびガリウム(Ga)からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む。
一般に、導電性マイエナイト化合物の電子密度を向上するためには、被処理体の熱処理環境下に、還元性が高い物質が高濃度で存在することが望ましい。雰囲気の還元性が高くなるほど、被処理体の還元を促進することができるからである。なお、処理環境中の還元剤の濃度は、還元剤の蒸気圧に依存し、蒸気圧が高いほど、環境中の濃度を高めることができる。
ここで、エリンガム図から還元性の高い元素を選定すると、1200℃では、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、バナジウム(V)、ガリウム(Ga)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)の順となる。還元力では、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)が好ましい。
一方、蒸気圧については、1200℃では、ナトリウム(Na)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)、マンガン(Mn)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)の順に高くなる。蒸気圧の観点では、ナトリウム(Na)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)が好ましい。
従って、還元力と蒸気圧の観点では、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)が好ましい。特に、取り扱いが容易であることから、マグネシウム(Mg)およびカルシウム(Ca)が好ましい。
本発明において使用される複合材料および/または合金は、このような高還元性で高蒸気圧の元素を含んでおり、これにより、被処理体の還元反応を促進し、高電子密度のマイエナイト化合物を製造することができる。
なお、前記複合材料および/または合金の元素の中では、特に、カルシウム(Ca)およびアルミニウム(Al)が好ましい。これらの元素は、導電性マイエナイト化合物中に含まれる主要構成成分と同じ元素であるからである。すなわち、これらの元素を含む環境下で、被処理体の還元反応を進行させた場合、製造される導電性マイエナイト化合物の骨格構成元素の一部が他の元素と置換されることが抑制される。
ただし、導電性マイエナイト化合物の骨格構成元素の一部が他の元素と置換されることが許容される場合、カルシウム(Ca)およびアルミニウム(Al)以外の元素を含む複合材料および/または合金を使用しても良い。
以上のことから判断すると、前記複合材料および/または合金に含まれる元素は、カルシウム(Ca)、アルミニウム(Al)、および/またはマグネシウム(Mg)であることがより好ましい。
一方、複合材料および/または合金には、さらに、副成分が含まれても良い。副成分の役割は、主成分(マイエナイト化合物を還元する主要成分)の活性を調整し、複合材料および/または合金のハンドリング性を高めることである。
ここで、複合材料および/または合金は、例えば、前記元素の少なくとも一つを含む合金(固溶体、共晶、または金属間化合物)を含んでも良い。あるいは、複合材料および/または合金は、前記元素の少なくとも一つを含む炭化物、窒化物、および/またはホウ化物を含んでも良い。
さらに複合材料および/または合金は、塊、粉末、板、箔、粗目など、いかなる形態であっても良い。マイエナイト化合物を還元し、導電性マイエナイト化合物にする成分が、複合材料および/または合金から気化し、環境中に存在できるようにすれば良い。
複合材料および/または合金は、例えば、アルミニウムと炭化物、あるいは、カルシウム合金、アルミニウム合金、およびマグネシウム合金などであっても良い。
アルミニウムと炭化物の複合材料としては、アルシック(AlSiC)などが挙げられる。
カルシウム合金としては、例えば、ケイ化カルシウム(CaSi)や、カルシウム(Ca)とマグネシウム(Mg)の合金などが挙げられる。
アルミニウム合金としては、例えば、ジュラルミン(アルミニウム(Al)、銅(Cu)、マグネシウム(Mg)、およびマンガン(Mn)の合金)が挙げられる。
アルミニウム合金は、「A1085」のように番号で分類される。1000番台は、アルミニウムの純度が99%以上であることを示す。2000番台は、銅(Cu)が添加されていることを示し、3000番台は、マンガン(Mn)が添加されていることを示し、4000番台は、ケイ素(Si)が添加されていることを示し、5000番台は、マグネシウム(Mg)が添加されていることを示している。6000番台は、マグネシウム(Mg)とケイ素(Si)が添加されていることを示し、7000番台は、亜鉛(Zn)とマグネシウム(Mg)が添加されていることを示し、8000番台は、2000系、5000系、または7000系のアルミニウム合金に、さらにリチウム(Li)が添加されていることを示している。
本願において、アルミニウム合金としては、例えば、A1085、A1070、A2014、A3003、A5005、A6061、A7010、およびA8021などが挙げられる。
マグネシウム合金としては、例えば、ケイ化マグネシウム(MgSi)が挙げられる。
また、マグネシウム合金としては、下記のものが挙げられる。なお、ここでは、ASTM(American Society of Testing and Matrials、米国材料試験協会)規格の材料記号を用いて、マグネシウム合金を表している。
AM系(マグネシウム(Mg)とアルミニウム(Al)の合金);
AZ系(マグネシウム(Mg)とアルミニウム(Al)と亜鉛(Zn)の合金);
ZK系(マグネシウム(Mg)と亜鉛(Zn)とジルコニア(Zr)の合金);
ZC系(マグネシウム(Mg)と銅(Cu)と亜鉛(Zn)の合金);
EZ系(マグネシウム(Mg)と希土類元素とジルコニア(Zr)の合金);
QE系(マグネシウム(Mg)とジルコニア(Zr)と希土類元素と銀(Ag)の合金);
WE系(マグネシウム(Mg)とイットリア(Y)と希土類元素の合金);
AS系(マグネシウム(Mg)とアルミニウム(Al)とケイ素(Si)の合金);
AE系(マグネシウム(Mg)とアルミニウム(Al)と希土類元素の合金);および
M系(マグネシウム(Mg)とマンガン(Mn)の合金)。
前記記号において、アルファベットは、元素記号を示しており、例えば、Aはアルミニウム(Al)、Zは亜鉛(Zn)、Kはジルコニウム(Zr)、Cは銅(Cu)、Eは希土類元素、Mはマンガン(Mn)である。
合金の組成は、例えば、AZ31のように表記されたときは、Aは添加量が第1位の元素、Zは添加量が第2位の元素、3は添加量が第1位の元素の重量%、1は添加量が第2位の元素の重量%を示す。AZ31ならば、アルミニウムが3重量%、ジルコニウムが1重量%、残りがマグネシウムとなる。なお、AZ80のときは、亜鉛が1%未満を示す。組成は代表値である。
本願において、マグネシウム合金としては、例えば、AM20、AM50B、AM60A、AZ31、AZ61、AZ80、AS21、AS41B、およびAE42等が挙げられる。
合金系の中では、カルシウム合金の一つである、ケイ化カルシウム(CaSi)が特に好ましい。この合金は、導電性マイエナイト化合物の成分であるカルシウム(Ca)を含み、還元力が強いからである。また、この合金に含まれるケイ素(Si)は、安全な材料である上、豊富に存在する。このため、ケイ化カルシウム(CaSi)は、取扱い易い点でも好ましい。
なお、複合材料および/または合金としてケイ化カルシウム(CaSi)を使用する場合、以下の理由から、環境中に同時に一酸化炭素(CO)が存在することが好ましい。
例えば、1300℃の熱処理温度において、両者が存在する場合、ケイ化カルシウム(CaSi)中のケイ素(Si)は、一酸化炭素(CO)と反応し、炭化ケイ素(SiC)となる。一方、カルシウム(Ca)は、一酸化炭素(CO)と反応しない。その結果、被処理体の熱処理中に、ケイ化カルシウム(CaSi)からカルシウム(Ca)の気相が発生する。カルシウム(Ca)の気相は、強い還元性を有するため、カルシウム(Ca)の気相により、被処理体の還元が促進される。従って、最終的に、高い電子密度の導電性マイエナイト化合物が得られ易くなる。
被処理体は、複合材料および/または合金と接触しない状態で、処理環境中に配置される。
被処理体の熱処理温度は、1080℃〜1450℃の範囲であることが好ましい。熱処理温度が1080℃よりも低い場合、マイエナイト化合物に十分な導電性を付与することができないおそれがある。また、熱処理温度が1450℃よりも高い場合、マイエナイト化合物の融点を超えるため結晶構造が分解してしまい、電子密度が低くなる。
熱処理温度は、1130℃〜1430℃の範囲が好ましく、1180℃〜1415℃の範囲がより好ましく、1230℃〜1380℃の範囲がさらに好ましく、1240℃〜1340℃の範囲がさらに好ましく、1250℃〜1320℃の範囲が最も好ましい。
一方、被処理体がフッ素成分を含む場合は、熱処理温度は、1130℃〜1430℃の範囲が好ましく、1180℃〜1415℃の範囲がより好ましく、1230℃〜1380℃の範囲がさらに好ましく、1240℃〜1340℃の範囲がさらに好ましく、1250℃〜1320℃の範囲が最も好ましい。
被処理体の高温保持時間は、熱処理温度にもよるが、通常、30分〜50時間の範囲である。被処理体の高温保持時間は、1時間〜40時間の範囲が好ましく、2時間〜30時間の範囲がより好ましく、3時間〜25時間の範囲がさらに好ましく、4時間〜20時間の範囲がさらに好ましく、4時間〜16時間の範囲が最も好ましい。被処理体の保持時間が30分未満の場合、十分に高い電子密度を有する導電性マイエナイト化合物を得ることができなくなるおそれがある上、焼結も不十分であり、得られた焼結体が壊れやすくなるおそれがある。また、保持時間を長くしても、特性上は特に問題はないが、マイエナイト化合物の所望の形状が保持しやすいことから、保持時間は50時間以内であることが好ましい。
以上の工程により、3×1020cm−3以上の高電子密度の導電性マイエナイト化合物が製造される。なお、(工程S110)において、フッ素成分を含む被処理体を使用した場合、フッ素を含む高電子密度の導電性マイエナイト化合物が製造される。この場合、フッ素は、ケージ内に導入されていても良く、ケージの骨格に導入されていても良い。
図2には、被処理体を熱処理する際に使用される装置の一構成図を模式的に示す。
装置200は、上部が開放されているカーボン容器210と、該カーボン容器210の上部に配置されるカーボン蓋215と、カーボン容器210内に配置されたアルミナ製の蓋235付きのアルミナ容器230と、を有する。
アルミナ容器230内には、仕切り板240と、耐熱皿(例えばアルミナ製皿)250とが配置されている。耐熱皿250内には、複合材料および/または合金260が、例えば粉末またはシートの形態で設置されている。
仕切り板240は、上部に被処理体270を配置するために使用される。例えば、仕切り板240は、多数の貫通孔を有するアルミナ板等で構成される。
カーボン容器210およびカーボン蓋215は、被処理体270の熱処理の際に、一酸化炭素ガスの供給源となる。
なお、装置200は、全体が耐熱性密閉容器に収容されており、この耐熱性密閉容器は、排気系と接続されている。このため、耐熱性密閉容器内、さらにはカーボン容器210内は、所望の減圧(真空)環境に制御できる。
以下、被処理体270がマイエナイト化合物粉末の成形体で構成される場合を例に、装置200を使用して、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を製造する方法について説明する。
まず、装置200全体が、所定の減圧環境に制御される。
次に、装置200を使用して、被処理体270が1080℃〜1450℃の温度に保持される。
この際に、カーボン容器210およびカーボン蓋215側から一酸化炭素ガスが生じる。また、還元剤を含む複合材料および/または合金260の存在により、被処理体270は、強い還元性雰囲気に晒される。このため、被処理体270に含まれるマイエナイト化合物のケージ中のフリー酸素イオンは、複合材料および/または合金260によって還元される。
これにより、熱処理後には、被処理体270から高電子密度の導電性マイエナイト化合物が生成される。
一方、被処理体270が仮焼粉の成形体で構成される場合も、装置200を使用して、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を製造できる。
なお、この場合、被処理体270中には、マイエナイト化合物は(ほとんど)含まれていない。しかしながら、被処理体270を1230℃〜1415℃の温度に保持した際に、仮焼粉中の酸化カルシウム、酸化アルミニウム、カルシウムアルミネートが反応して、非導電性マイエナイト化合物が生成される。
被処理体270の高温保持中には、カーボン容器210およびカーボン蓋215側から一酸化炭素ガスが生じる。また、複合材料および/または合金260の還元性により、生成した非導電性マイエナイト化合物のケージ内のフリー酸素イオンは、速やかに電子に置換される。これにより、高電子密度の導電性マイエナイト化合物が生成される。その後は、通常のセラミックス粒子の焼結過程と同様の過程により、生成した高電子密度の導電性マイエナイト化合物の粉末同士の焼結が進み、高電子密度の導電性マイエナイト化合物の焼結体が形成される。
従って、被処理体270を高温に保持することにより、仮焼粉から直接、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を生成、焼結させることができる。
なお、図2の装置構成は、一例であって、この他の装置を使用して、被処理体を熱処理しても良いことは、当業者には明らかであろう。
以上のように、本発明の一実施例による製造方法では、被処理体は、還元剤として機能する複合材料および/または合金とは、直接接触しない状態で配置される。従って、本発明の一実施例による製造方法では、生成した高電子密度の導電性マイエナイト化合物の表面に、金属アルミニウムのような固着物が固着することが有意に回避される。このため、本発明の一実施例による製造方法では、熱処理後に生成した高電子密度の導電性マイエナイト化合物を比較的容易に回収することができる。
次に、本発明の実施例について説明する。例1〜7は実施例であり、例51〜54は比較例である。
(例1)
以下の方法で、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。
(マイエナイト化合物の合成)
まず、酸化カルシウム(CaO):酸化アルミニウム(Al)のモル比換算で12:7となるように、炭酸カルシウム(CaCO、関東化学社製、特級)粉末313.5gと、酸化アルミニウム(α−Al、関東化学社製、特級)粉末186.5gとを混合した。次に、この混合粉末を、大気中、300℃/時間の昇温速度で1350℃まで加熱し、1350℃に6時間保持した。その後、これを300℃/時間の冷却速度で降温し、約362gの白色塊体を得た。
次に、アルミナ製スタンプミルにより、この白色塊体を大きさが約5mmの破片になるよう粉砕した後、さらに、アルミナ製自動乳鉢で粗粉砕し、白色粒子A1を得た。レーザ回折散乱法(SALD−2100、島津製作所社製)により、得られた白色粒子A1の粒度を測定したところ、平均粒径は、20μmであった。
次に、白色粒子A1を300gと、直径5mmのジルコニアボール3kgと、粉砕溶媒としての工業用ELグレードのイソプロピルアルコール800mlとを、7リットルのジルコニア製容器に入れ、容器にジルコニア製の蓋を載せてから、回転速度72rpmで、16時間、ボールミル粉砕処理を実施した。
処理後、得られたスラリーを用いて吸引ろ過を行い、粉砕溶媒を除去した。また、残りの物質を80℃のオーブンに入れ、10時間乾燥させた。これにより、白色粉末B1を得た。X線回折分析の結果、得られた白色粉末B1は、C12A7構造であることが確認された。また、前述のレーザ回折散乱法により得られた白色粉末B1の平均粒径は、1.5μmであることがわかった。
(マイエナイト化合物の成形体の作製)
前述の方法で得られた白色粉末B1(7g)を、長さ40mm×幅20mm×高さ30mmの金型に敷き詰めた。この金型に対して、10MPaのプレス圧で1分間の一軸プレスを行った。さらに、180MPaの圧力で等方静水圧プレス処理し、成形体C1を得た。
(導電性マイエナイト化合物の製造)
次に、成形体C1を高温で熱処理し、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。成形体C1は、長さ19mm×幅8mm×厚さ5mmの形状に加工し、これを被処理体として使用した。
図3には、成形体C1の熱処理に使用した装置を示す。図3に示すように、この装置300は、アルミナ製の蓋315付きのアルミナ容器310と、カーボン製の蓋335付きの第1のカーボン容器330と、カーボン製の蓋355付きの第2のカーボン容器350と、を備える。また、アルミナ容器310の底部には、0.5gのケイ化カルシウム粉末(CaSi、高純度化学社製、純度99%)が敷き詰められて構成されたケイ化カルシウム層320が配置されている。ケイ化カルシウム層320は、装置300が高温になった際に、カルシウム蒸気を発生するカルシウム蒸気ソースとなる。
アルミナ容器310は、外径40mm×内径38mm×高さ40mmの略円筒状の形状を有する。また、第1のカーボン容器330は、外径60mm×内径50mm×高さ60mmの略円筒状の形状を有し、第2のカーボン容器350は、外径80mm×内径70mm×高さ75mmの略円筒状の形状を有する。
この装置300は、以下のように使用した。
まず、被処理体である成形体C1を、アルミナ容器310内に配置した。この際には、ケイ化カルシウム層320の上に、2つの同一形状のアルミナブロック325を配置し、さらにこのアルミナブロック325の上に、厚さが1mmのアルミナ板328を配置した。このアルミナ板328の上に、成形体C1を配置した後、アルミナ容器310上に蓋315を被せた。この状態では、成形体C1は、ケイ化カルシウム層320とは直接接触しない。
次に、この装置300を、雰囲気調整可能な電気炉内に設置した。また、ロータリーポンプとメカニカルブースターポンプを用いて、炉内を真空引きした。その後、室温における炉内の圧力が20Pa以下になってから、装置300の加熱を開始し、300℃/時間の昇温速度で1300℃まで加熱した。装置300を1300℃で6時間保持した後、300℃/時間の降温速度で室温まで冷却させた。
この熱処理後に、表面が黒色の黒色物質D1が得られた。黒色物質D1は、装置300から容易に回収することができた。なお、黒色物質D1の相対密度は、96.7%であった。
なお、ケイ化カルシウム(CaSi)粉末は、熱処理後に大部分が炭化ケイ素(SiC)に変化しており、カルシウム化合物はほとんど存在していなかった。このことから、マイエナイト化合物を還元した主成分は、ケイ化カルシウム(CaSi)中のカルシウム(Ca)成分であると考えられる。
(評価)
次に、黒色物質D1から電子密度測定用サンプルを採取した。サンプルは、アルミナ製自動乳鉢を用いて黒色物質D1の粗粉砕を行い、得られた粗粉のうち、黒色物質D1の中央部分に相当する部分から採取した。
得られたサンプルは、黒に近い焦げ茶色を呈していた。X線回折分析の結果、このサンプルは、C12A7構造だけを有することがわかった。また、得られた粉末の光拡散反射スペクトルのピーク位置から求められた電子密度は、1.6×1021cm−3であった。
このことから、黒色物質D1は、高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例2)
前述の例1と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。
ただし、この例2では、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程において、熱処理温度を1240℃とした。その他の条件は、例1の場合と同様である。
これにより、表面が黒色の黒色物質(以下、黒色物質「D2」と称する)が得られた。黒色物質D2は、容易に回収することができた。黒色物質D2の相対密度は、96.5%であった。
例1と同様の方法により、この黒色物質D2を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D2は、C12A7構造のみを有することがわかった。黒色物質D2の電子密度は、1.2×1021cm−3であった。
このことから、黒色物質D2は、高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例3)
前述の例1と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。
ただし、この例3では、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程において、熱処理温度を1240℃とし、保持時間を12時間とした。その他の条件は、例1の場合と同様である。
これにより、表面が黒色の黒色物質(以下、黒色物質「D3」と称する)が得られた。黒色物質D3は、容易に回収することができた。なお、黒色物質D3の相対密度は、97.5%であった。
例1と同様の方法により、この黒色物質D3を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D3は、C12A7構造のみを有することがわかった。黒色物質D3の電子密度は、1.3×1021cm−3であった。
このことから、黒色物質D3は、高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例4)
前述の例1と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。
ただし、この例4では、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程において、熱処理温度を1360℃とした。その他の条件は、例1の場合と同様である。
これにより、表面が黒色の黒色物質(以下、黒色物質「D4」と称する)が得られた。黒色物質D4は、容易に回収することができた。黒色物質D4の相対密度は、98.0%であった。
例1と同様の方法により、この黒色物質D4を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D4は、C12A7構造のみを有することがわかった。黒色物質D4の電子密度は、1.0×1021cm−3であった。
このことから、黒色物質D4は、高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例5)
前述の例1と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。
ただし、この例5では、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程において、被処理体として、成形体C1を大気中で熱処理して得た焼結体E5を使用した。
なお、焼結体E5は以下のようにして作製した。長さ19mm×幅8mm×厚さ5mmの成形体C1を、大気下で1300℃まで加熱した。昇温速度は、300℃/時間とした。次に、これを1300℃で6時間保持した後、300℃/時間の降温速度で室温まで冷却した。これにより、焼結体E5が得られた。
焼結体E5を被処理体とした以外は、例1と同様の方法で、(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程を実施した。これにより、表面が黒色の黒色物質(以下、黒色物質「D5」と称する)が得られた。黒色物質D5は、容易に回収することができた。なお、黒色物質D5の相対密度は、95.5%であった。
例1と同様の方法により、この黒色物質D5を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D5は、C12A7構造のみを有することがわかった。黒色物質D5の電子密度は、1.4×1021cm−3であった。
このことから、黒色物質D5は、高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例6)
前述の例1と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。
ただし、この例6では、前述の(マイエナイト化合物の成形体の作製)の工程において、白色粉末B1の代わりに、電子密度が5.0×1019cm−3の導電性マイエナイト化合物の粉末を使用して、成形体C6を作製した。
この導電性マイエナイト化合物の粉末は、以下のようにして調製した。まず、カーボン製の蓋付容器の中に、例1における成形体C1を設置した。次に、この容器を300℃/時間の昇温速度で1300℃まで加熱し、1300℃で6時間保持した。雰囲気は、窒素とした。その後、容器を300℃/時間の冷却速度で降温した。これにより、黒色塊体を得た。
次に、この黒色塊体を、前述の(マイエナイト化合物の合成)の工程で使用した粉砕方法と同じ方法で粉砕し、電子密度が5.0×1019cm−3の導電性マイエナイト化合物の粉末を得た。得られた粉末は、深緑色を呈しており、C12A7構造であることが確認された。粉末の平均粒径は、1.4μmであった。
導電性マイエナイト化合物の粉末で構成された成形体C6を被処理体とした以外は、例1と同様の方法で、(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程を実施した。これにより、表面が黒色の黒色物質(以下、黒色物質「D6」と称する)が得られた。黒色物質D6は、容易に回収することができた。なお、黒色物質D6の相対密度は、97.0%であった。
例1と同様の方法により、この黒色物質D6を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D6は、C12A7構造のみを有することがわかった。黒色物質D6の電子密度は、1.6×1021cm−3であった。
このことから、黒色物質D6は、高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例7)
前述の例1と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。ただし、この例7では、前述の(マイエナイト化合物の成形体の作製)の工程の代わりに、以下の工程を実施した。
(フッ素成分含有成形体の調製)
まず、前述の(マイエナイト化合物の合成)の工程の後に得られた白色粉末B1の38.72gに、フッ化カルシウム(CaF、関東化学社製、特級)粉末0.73gと、酸化アルミニウム(α−Al、関東化学社製、特級)粉末0.55gとを添加し、これらを十分に混合して、混合粉末F7を得た。
最終的に製造されるマイエナイト化合物においても、この混合粉末F7のCa/Al/Fの組成比が維持されると仮定した場合、製造されるマイエナイト化合物は、化学式

(12−x)CaO・7Al・xCaF (3)式

で表され、特にx=0.32となる。
次に、この混合粉末F7の7gを、長さ40mm×幅20mm×高さ30mmの金型に敷き詰めた。また、金型に対して、10MPaのプレス圧で1分間の一軸プレスを行った。さらに、180MPaの圧力で等方静水圧プレス処理した。これにより、縦約38mm×横約19mm×高さ約6mmの寸法の成形体が形成された。
次に、成形体を市販のカッターで、長さ19mm×幅8mm×厚さ6mmの直方体形状に切断し、成形体C7を得た。
その後は、成形体C7を被処理体として使用し、例1と同様に、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程を実施した。
これにより、表面が黒色の黒色物質(以下、黒色物質「D7」と称する)が得られた。黒色物質D7は、容易に回収することができた。なお、黒色物質D7の相対密度は、96.8%であった。
例1と同様の方法により、この黒色物質D7を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D7は、C12A7構造のみを有することがわかった。黒色物質D7の電子密度は、1.2×1021cm−3であった。
次に、黒色物質D7の格子定数を測定した結果、黒色物質D7の格子定数は、例1における黒色物質D1の値よりも小さかった。このことから、黒色物質D7のマイエナイト化合物には、フッ素が含有していると考えられる。
次に、黒色物質D7を破断し、エネルギー分散型X線分析(EDX)により、破断面の組成分析を行った。分析結果から、検出されたフッ素の割合は、混合粉末F7の混合比に近いことがわかった。
以上のことから、黒色物質D7は、フッ素を含む高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例8)
前述の例7と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。
ただし、この例8では、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程において、熱処理温度を1200℃とした。その他の条件は、例7の場合と同様である。
これにより、表面が黒色の黒色物質(以下、黒色物質「D8」と称する)が得られた。黒色物質D8は、容易に回収することができた。
例1と同様の方法により、この黒色物質D8を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D8は、C12A7構造のみを有することがわかった。黒色物質D8の電子密度は、1.1×1021cm−3であった。黒色物質D8の相対密度は、95.0%であった。
このことから、黒色物質D8は、フッ素を含む高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例9)
前述の例1と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。
ただし、この例9では、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程において、
室温における炉内の圧力は、50Paであった。その他の条件は、例1の場合と同様である。
これにより、表面が黒色の黒色物質(以下、黒色物質「D9」と称する)が得られた。黒色物質D9は、容易に回収することができた。黒色物質D9の相対密度は、97.9%であった。
例1と同様の方法により、この黒色物質D9を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D9は、C12A7構造のみを有することがわかった。黒色物質D9の電子密度は、1.0×1021cm−3であった。
このことから、黒色物質D9は、高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例10)
前述の例1と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。
ただし、この例10では、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程において、
カーボン製の蓋335付きの第1のカーボン容器330と、カーボン製の蓋355付きの第2のカーボン容器350を使用しなかった。すなわちカーボンが存在しない環境下で、被処理体の熱処理を行った。その他の条件は、例1の場合と同様である。
これにより、表面が黒色の黒色物質(以下、黒色物質「D10」と称する)が得られた。黒色物質D10は、容易に回収することができた。黒色物質D10の相対密度は96.4%であった。
例1と同様の方法により、この黒色物質D10を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D10は、C12A7構造のみを有することがわかった。黒色物質D10の電子密度は、1.0×1021cm−3であった。
このことから、黒色物質D10は、高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例11)
前述の例3と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物を作製した。
ただし、この例11では、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程において、ケイ化カルシウム粉末(CaSi)の代わりに、0.5gのケイ化マグネシウム粉末(MgSi、高純度化学社製、純度99%)を使用した。その他の条件は、例3の場合と同様である。
これにより、表面が黒色の黒色物質(以下、黒色物質「D11」と称する)が得られた。黒色物質D11は、容易に回収することができた。黒色物質D11の相対密度は96.0%であった。
例1と同様の方法により、この黒色物質D11を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D11は、C12A7構造のみを有することがわかった。黒色物質D11の電子密度は、6.6×1020cm−3であった。
このことから、黒色物質D11は、高電子密度の導電性マイエナイト化合物であることが確認された。
(例51)
前述の例1と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物の作製を試みた。
ただし、この例53では、被処理体の熱処理は、ケイ化カルシウム層320が存在しない環境下で実施した。また、被処理体の熱処理の際には、炉内を真空引きし、100Paまで減圧した後、酸素濃度が1体積ppm以下の窒素ガスを大気圧になるまで炉内へ流入させた。その他の条件は、例1の場合と同様である。
これにより、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程後に、表面が薄黒い黒色物質(以下、黒色物質「D51」と称する)が得られた。
例1と同様の方法により、この黒色物質D51を粉砕して得た粉末のX線回折の結果、黒色物質D51は、C12A7構造のみを有することがわかった。しかしながら、黒色物質D53の電子密度は、5.0×1019cm−3であった。
このことから、黒色物質D51は、高電子密度の導電性マイエナイト化合物ではないことが確認された。
(例52)
前述の例1と同様の方法により、高電子密度の導電性マイエナイト化合物の作製を試みた。
ただし、この例52では、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程において、装置300のうちのアルミナブロック325およびアルミナ板328を使用せずに、被処理体の熱処理を実施した。すなわち、この例52では、マイエナイト化合物の成形体C1を、直接ケイ化カルシウム層320の上に設置して、熱処理を実施した。
これにより、前述の(導電性マイエナイト化合物の製造)の工程後に、表面が薄黒い黒色物質(以下、黒色物質「D52」と称する)が得られた。
しかしながら、黒色物質D52は、ケイ化カルシウム層320中に沈んだ状態となっており、回収には、多大な労力が必要であった。従って、この方法は、工業的な生産には適さないことがわかった。
以下の表1には、例1〜例11および例51〜例52における被処理体の仕様、熱処理条件、および評価結果等を、まとめて示した。
Figure 2016013927
なお、表1において、「F添加量(x値)」の欄における数値は、被処理体に含まれるフッ素(F)量を表す。この値は、被処理体から、最終的に以下の(4)式

(12−x)CaO・7Al・xCaF (4)式

で表されるマイエナイト化合物が製造されたと仮定した場合の、xの値を意味する。
本発明は、有機EL素子の電子注入層の薄膜を形成するのに必要な、スパッタリング用ターゲット、または蛍光ランプ等に使用され得る、導電性マイエナイト化合物の製造方法に適用することができる。
200 装置
210 カーボン容器
215 カーボン蓋
230 アルミナ容器
235 アルミナ製の蓋
240 仕切り板
250 耐熱皿
260 複合材料および/または合金
270 被処理体
300 装置
310 アルミナ容器
315 アルミナ製の蓋
320 ケイ化カルシウム層
325 アルミナブロック
328 アルミナ板
330 第1のカーボン容器
335 カーボン製の蓋
350 第2のカーボン容器
355 カーボン製の蓋
C1 成形体

Claims (8)

  1. 導電性マイエナイト化合物の製造方法であって、
    (a)被処理体を準備する工程であって、前記被処理体は、マイエナイト化合物またはマイエナイト化合物の前駆体を含む、工程と、
    (b)前記被処理体を、還元性雰囲気の環境下において熱処理する工程であって、
    前記環境には、複合材料および/または合金が存在し、
    前記被処理体は、前記複合材料および/または合金に接触しない状態で配置され、
    前記複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、ナトリウム(Na)、およびガリウム(Ga)からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む、工程と、
    を有することを特徴とする製造方法。
  2. 前記複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、アルミニウム(Al)、またはマグネシウム(Mg)を含む、請求項1に記載の製造方法。
  3. 前記環境には、CO源が存在する、請求項1または2に記載の製造方法。
  4. 前記(b)の工程は、前記被処理体および前記複合材料および/または合金を、カーボンを含む容器中に入れた状態で行われる、請求項3に記載の製造方法。
  5. 前記被処理体は、
    マイエナイト化合物の粉末を含む成形体、
    マイエナイト化合物を含む焼結体、および
    仮焼粉を含む成形体、
    からなる群から選定される、請求項1乃至4のいずれか一つに記載の製造方法。
  6. 前記(b)の工程後に、電子密度が3×1020cm−3以上の導電性マイエナイト化合物が得られる、請求項1乃至5のいずれか一つに記載の製造方法。
  7. 前記被処理体は、フッ素(F)成分を含み、
    前記(b)の工程後に、フッ素を含む導電性マイエナイト化合物が得られる、請求項1乃至6のいずれか一つに記載の製造方法。
  8. 請求項1乃至7のいずれか一つに記載の製造方法を用いて、導電性マイエナイト化合物を含む、成膜用のターゲットを製造する方法。
JP2012250255A 2012-11-14 2012-11-14 導電性マイエナイト化合物の製造方法 Pending JP2016013927A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012250255A JP2016013927A (ja) 2012-11-14 2012-11-14 導電性マイエナイト化合物の製造方法
PCT/JP2013/080446 WO2014077215A1 (ja) 2012-11-14 2013-11-11 導電性マイエナイト化合物の製造方法
TW102141525A TW201425230A (zh) 2012-11-14 2013-11-14 導電性鈣鋁石化合物之製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012250255A JP2016013927A (ja) 2012-11-14 2012-11-14 導電性マイエナイト化合物の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016013927A true JP2016013927A (ja) 2016-01-28

Family

ID=50731126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012250255A Pending JP2016013927A (ja) 2012-11-14 2012-11-14 導電性マイエナイト化合物の製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2016013927A (ja)
TW (1) TW201425230A (ja)
WO (1) WO2014077215A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020128309A (ja) * 2019-02-08 2020-08-27 栃木県石灰工業協同組合 ドロマイトを原料としたマイエナイト−マグネシアコンポシットの創製

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3489197B1 (en) * 2016-07-25 2021-05-26 Japan Science and Technology Agency Method for manufacturing electride-form mayenite compound
CN108855121B (zh) * 2018-05-16 2020-12-04 芜湖市创源新材料有限公司 一种镍基催化空气净化剂的制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4245608B2 (ja) * 2003-06-26 2009-03-25 独立行政法人科学技術振興機構 電気伝導性12CaO・7Al2O3化合物とその製造方法
EP1900689B1 (en) * 2005-05-30 2016-03-30 Asahi Glass Company, Limited Process for producing electroconductive mayenite compound
JP5530288B2 (ja) * 2010-07-26 2014-06-25 国立大学法人東京工業大学 二酸化炭素の吸着還元剤及び還元方法
BR112013012061B1 (pt) * 2010-12-07 2021-09-28 Japan Science And Technology Agency Método de síntese de amônia e catalisador

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020128309A (ja) * 2019-02-08 2020-08-27 栃木県石灰工業協同組合 ドロマイトを原料としたマイエナイト−マグネシアコンポシットの創製
JP7161648B2 (ja) 2019-02-08 2022-10-27 栃木県石灰工業協同組合 ドロマイトを原料としたマイエナイトーマグネシアコンポジットの創製

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014077215A1 (ja) 2014-05-22
TW201425230A (zh) 2014-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6028797B2 (ja) 高電子密度の導電性マイエナイト化合物の製造方法およびターゲット
EP2708521B1 (en) Method for producing conductive mayenite compound
WO2014050900A1 (ja) 高電子密度の導電性マイエナイト化合物の製造方法
US9879338B2 (en) Method of manufacturing electrically conductive mayenite compound with high electron density
WO2014077215A1 (ja) 導電性マイエナイト化合物の製造方法
JP2012126618A (ja) 導電性マイエナイト化合物の製造方法
JP5971258B2 (ja) 導電性マイエナイト化合物の製造方法および蛍光ランプ用の電極
WO2013051576A1 (ja) 導電性マイエナイト化合物焼結体、スパッタリング用ターゲット、および導電性マイエナイト化合物焼結体の製造方法
JP2012238523A (ja) 導電性マイエナイト化合物および金属導体を含む電極の製造方法
JP2012236749A (ja) 導電性マイエナイト化合物を含む部材の製造方法