JP6961342B2 - Polyimide resin and positive photosensitive resin composition - Google Patents

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Description

本発明は、ポリイミド樹脂およびポジ型感光性樹脂組成物に関する。 The present invention relates to a polyimide resin and a positive photosensitive resin composition.

一般的に、ポジ型フォトレジストは、水性アルカリに可溶な一種のノボラック型樹脂と、アルカリ中においてこの溶解度を低減する感光性キノンジアジドと、を含有する。このフォトレジストに紫外光を照射すると、キノンジアジドが光励起してカルボン酸に構造変換し、露光域ではアルカリへの溶解度を増大する。したがって、水性アルカリ現像を行えば、ポジ型フォトレジストレリーフ構造が得られる。ポジ型フォトレジストは、本質的に高い画像分解能を示すため、ネガ型フォトレジストと比較して微細化プロセスに有利であることが知られている。 Generally, positive photoresists contain a type of novolak resin that is soluble in aqueous alkali and photosensitive quinonediazide that reduces this solubility in alkali. When this photoresist is irradiated with ultraviolet light, quinonediazide is photoexcited to convert its structure into a carboxylic acid, increasing its solubility in alkali in the exposed region. Therefore, a positive photoresist relief structure can be obtained by performing aqueous alkaline development. Positive photoresists are known to be advantageous in the miniaturization process as compared to negative photoresists because they exhibit inherently high image resolution.

このようなポジ型フォトレジストから形成されるフレキシブル配線板および半導体集積回路等の層間絶縁材料には、近年、高密度化、高集積化の観点から、従来のフォトレジスト以上のパターン現像性や、硬化後に永久膜として利用可能な信頼性が求められている。 In recent years, interlayer insulating materials such as flexible wiring boards and semiconductor integrated circuits formed from such positive photoresists have a pattern developability higher than that of conventional photoresists from the viewpoint of high density and high integration. There is a need for reliability that can be used as a permanent film after curing.

ポジ型フォトレジストの例としては、たとえば、特許文献1のような、光酸発生剤と、該光酸発生剤の存在下にポジ型感光性を示す溶剤可溶のポリイミドとを含む、感光性ポリイミド組成物がある。 An example of a positive photoresist includes a photoacid generator as in Patent Document 1 and a solvent-soluble polyimide that exhibits positive photosensitivity in the presence of the photoacid generator. There is a polyimide composition.

国際公開第99/019771号International Publication No. 99/019771

層間絶縁材料のような用途においては、基板を構成する他の材料との線膨張係数の違いによって発生する反りに耐えるだけの高い機械的強度(靱性)が求められる。しかしながら、機械的強度とパターン現像性とには、一般にトレードオフが存在し、このトレードオフを解消することが求められていた。加えて、層間絶縁材料は、金属の配線に直接接触するため、金属腐食を防止する効果も求められており、特許文献1に記載の技術は、これらすべての要求を満足するものではなかった。 In applications such as interlayer insulating materials, high mechanical strength (toughness) is required to withstand warpage caused by a difference in linear expansion coefficient from other materials constituting the substrate. However, there is generally a trade-off between mechanical strength and pattern developability, and it has been required to eliminate this trade-off. In addition, since the interlayer insulating material comes into direct contact with the metal wiring, the effect of preventing metal corrosion is also required, and the technique described in Patent Document 1 does not satisfy all these requirements.

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、パターン現像性、線膨張係数、基板密着性、靭性、および耐金属腐食性のバランスに優れるポジ型感光性樹脂組成物のベース樹脂として用いられるポリイミド樹脂、およびこのポリイミド樹脂を用いたポジ型感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and is used as a base resin for a positive photosensitive resin composition having an excellent balance of pattern developability, linear expansion coefficient, substrate adhesion, toughness, and metal corrosion resistance. An object of the present invention is to provide a polyimide resin to be prepared and a positive photosensitive resin composition using the polyimide resin.

本発明者らは、上記の課題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、ポリイミド樹脂、ならびに該ポリイミド樹脂および光酸発生剤を含むポジ型感光性樹脂組成物により、上記課題が解決することを見出し、本発明を完成するに至った。 The present inventors have conducted diligent research in order to solve the above problems. As a result, they have found that the above-mentioned problems can be solved by the polyimide resin and the positive photosensitive resin composition containing the polyimide resin and the photoacid generator, and have completed the present invention.

すなわち、本発明は、5モル%以上20モル%以下のカルボキシル基を有する繰り返し単位と、80モル%以上95モル%以下のフェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、(ただし、カルボキシル基を有する繰り返し単位と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位との合計は100モル%)を含む、ポリイミド樹脂である。 That is, the present invention comprises a repeating unit having a carboxyl group of 5 mol% or more and 20 mol% or less, a repeating unit having a phenolic hydroxyl group of 80 mol% or more and 95 mol% or less (however, a repeating unit having a carboxyl group). And a repeating unit having a phenolic hydroxyl group (total of 100 mol%) is contained in the polyimide resin.

また、本発明は、該ポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂100質量部に対して、1質量部以上50質量部以下の光酸発生剤と、を含む、ポジ型感光性樹脂組成物である。 Further, the present invention is a positive photosensitive resin composition containing the polyimide resin and a photoacid generator of 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide resin.

本発明によれば、パターン現像性、線膨張係数、基板密着性、靭性、および耐金属腐食性のバランスに優れるポジ型感光性樹脂組成物のベース樹脂として用いられるポリイミド樹脂、およびこのポリイミド樹脂を用いたポジ型感光性樹脂組成物が提供される。 According to the present invention, a polyimide resin used as a base resin of a positive photosensitive resin composition having an excellent balance of pattern developability, coefficient of linear expansion, substrate adhesion, toughness, and metal corrosion resistance, and this polyimide resin are used. The positive photosensitive resin composition used is provided.

実施例1で得られた高分子化合物1の赤外吸収スペクトルである。It is an infrared absorption spectrum of the polymer compound 1 obtained in Example 1. 実施例2で得られた高分子化合物2の赤外吸収スペクトルである。It is an infrared absorption spectrum of the polymer compound 2 obtained in Example 2.

以下、本発明の実施の形態について説明するが、以下の形態のみに限定されない。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温(20℃以上25℃以下)/相対湿度40%RH以上60%RH以下の条件で行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described, but the present invention is not limited to the following embodiments. Unless otherwise specified, operations and physical properties are measured under the conditions of room temperature (20 ° C. or higher and 25 ° C. or lower) / relative humidity of 40% RH or higher and 60% RH or lower.

本発明は、5モル%以上20モル%以下のカルボキシル基を有する繰り返し単位と、80モル%以上95モル%以下のフェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、(ただし、カルボキシル基を有する繰り返し単位と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位との合計は100モル%)を含む、ポリイミド樹脂である。 The present invention includes a repeating unit having a carboxyl group of 5 mol% or more and 20 mol% or less, a repeating unit having a phenolic hydroxyl group of 80 mol% or more and 95 mol% or less (however, a repeating unit having a carboxyl group). It is a polyimide resin containing 100 mol% of the total with the repeating unit having a phenolic hydroxyl group.

また、本発明は、該ポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂100質量部に対して、1質量部以上50質量部以下の光酸発生剤と、を含む、ポジ型感光性樹脂組成物である。 Further, the present invention is a positive photosensitive resin composition containing the polyimide resin and a photoacid generator of 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide resin.

このような構成を有する本発明のポリイミド樹脂およびポジ型感光性樹脂組成物は、パターン現像性、線膨張係数、基板密着性、靭性、および耐金属腐食性のバランスに優れる。また、このポジ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜は、パターン現像性、線膨張係数、基板密着性、靭性、および耐金属腐食性のバランスに優れたものとなる。 The polyimide resin and positive photosensitive resin composition of the present invention having such a structure are excellent in a balance of pattern developability, coefficient of linear expansion, substrate adhesion, toughness, and metal corrosion resistance. Further, the cured film obtained from this positive photosensitive resin composition has an excellent balance of pattern developability, coefficient of linear expansion, substrate adhesion, toughness, and metal corrosion resistance.

なぜ、本発明のポリイミド樹脂およびポジ型感光性樹脂組成物により上記効果が得られる理由の詳細は不明であるが、分子量が低くてもポリイミド樹脂の分子間の水素結合により、比較的弱い架橋構造が形成されて機械的特性が向上することと、カルボキシル基を有することによりアルカリ現像性が向上することによるものと考えられる。なお、この理由は推測によるものであり、本発明は本理由に何ら制限されるものではない。 The details of why the above effect can be obtained by the polyimide resin and the positive photosensitive resin composition of the present invention are unknown, but even if the molecular weight is low, the crosslinked structure is relatively weak due to the hydrogen bonds between the molecules of the polyimide resin. It is considered that this is due to the fact that the mechanical properties are improved by forming the resin and that the alkali developability is improved by having a carboxyl group. It should be noted that this reason is speculative, and the present invention is not limited to this reason.

以下、本発明のポリイミド樹脂、およびポジ型感光性樹脂組成物の構成成分について詳細に説明する。なお、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を、単に「組成物」とも称する。 Hereinafter, the constituent components of the polyimide resin of the present invention and the positive photosensitive resin composition will be described in detail. The positive photosensitive resin composition of the present invention is also simply referred to as a "composition".

[ポリイミド樹脂]
本発明のポリイミド樹脂は、5モル%以上20モル%以下のカルボキシル基を有する繰り返し単位と、80モル%以上95モル%以下のフェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、(ただし、カルボキシル基を有する繰り返し単位と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位との合計は100モル%)を含む。
[Polyimide resin]
The polyimide resin of the present invention includes a repeating unit having a carboxyl group of 5 mol% or more and 20 mol% or less, a repeating unit having a phenolic hydroxyl group of 80 mol% or more and 95 mol% or less (however, a repeating unit having a carboxyl group). The total of the unit and the repeating unit having a phenolic hydroxyl group is 100 mol%).

カルボキシル基を有する繰り返し単位の含有量が、5モル%未満の場合、パターン現像性、靭性および耐金属腐食性の少なくとも一つが低下する。一方、20モル%を超える場合、耐金属腐食性が低下し、また溶媒等に溶け難くなることにより、目的とするポジ型感光性樹脂組成物を作製できないことがある。 If the content of the repeating unit having a carboxyl group is less than 5 mol%, at least one of pattern developability, toughness and metal corrosion resistance is reduced. On the other hand, if it exceeds 20 mol%, the metal corrosion resistance is lowered and it becomes difficult to dissolve in a solvent or the like, so that the desired positive photosensitive resin composition may not be produced.

カルボキシル基を有する繰り返し単位の含有量は、好ましくは5モル%以上13モル%以下であり、より好ましくは5モル%以上10モル%以下である(ただし、カルボキシル基を有する繰り返し単位と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位との合計は100モル%)。 The content of the repeating unit having a carboxyl group is preferably 5 mol% or more and 13 mol% or less, more preferably 5 mol% or more and 10 mol% or less (however, the repeating unit having a carboxyl group and phenolic properties. The total with the repeating unit having a hydroxyl group is 100 mol%).

また、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の含有量が80モル%未満の場合、耐金属腐食性が低下し、また溶媒等に溶け難くなることにより、目的とするポジ型感光性樹脂組成物を作製できないことがある。一方、95モル%を超える場合、パターン現像性、靱性および耐金属腐食性が低下する。 Further, when the content of the repeating unit having a phenolic hydroxyl group is less than 80 mol%, the metal corrosion resistance is lowered and it becomes difficult to dissolve in a solvent or the like, so that the desired positive photosensitive resin composition is produced. There are things you can't do. On the other hand, if it exceeds 95 mol%, the pattern developability, toughness and metal corrosion resistance are lowered.

フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の含有量は、好ましくは87モル%以上95モル%以下であり、より好ましくは90モル%以上95モル%以下である(ただし、カルボキシル基を有する繰り返し単位と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位との合計は100モル%)。 The content of the repeating unit having a phenolic hydroxyl group is preferably 87 mol% or more and 95 mol% or less, more preferably 90 mol% or more and 95 mol% or less (however, the repeating unit having a carboxyl group and phenol. The total with the repeating unit having a sex hydroxyl group is 100 mol%).

なお、カルボキシル基を有する繰り返し単位の含有量およびフェノール性水酸基を有する繰り返し単位の含有量は、最終的に得られるポリイミド樹脂を、H−NMR、IR等で分析することにより算出することができる。 The content of the repeating unit having a carboxyl group and the content of the repeating unit having a phenolic hydroxyl group can be calculated by analyzing the finally obtained polyimide resin by 1 H-NMR, IR or the like. ..

本発明のポリイミド樹脂中の全繰り返し単位に対して、上記カルボキシル基を有する繰り返し単位および上記フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の合計量は、70モル%以上100モル%以下であることが好ましく、80モル%以上100モル%以下であることがより好ましく、90モル%以上100モル%以下であることが好ましい。 The total amount of the repeating unit having a carboxyl group and the repeating unit having a phenolic hydroxyl group is preferably 70 mol% or more and 100 mol% or less with respect to all the repeating units in the polyimide resin of the present invention, and is preferably 80. It is more preferably mol% or more and 100 mol% or less, and more preferably 90 mol% or more and 100 mol% or less.

上記のカルボキシル基を有する繰り返し単位は、下記一般式1で表される繰り返し単位であることが好ましく、上記フェノール性水酸基を含む繰り返し単位は、下記一般式2で表される繰り返し単位であることが好ましい。 The repeating unit having a carboxyl group is preferably a repeating unit represented by the following general formula 1, and the repeating unit containing a phenolic hydroxyl group is preferably a repeating unit represented by the following general formula 2. preferable.

Figure 0006961342
Figure 0006961342

Figure 0006961342
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上記一般式1および一般式2中、Rは、それぞれ独立して、エーテル結合もしくはエステル結合を含んでもよい炭素数1以上10以下の直鎖状、分枝状、もしくは環状のアルキレン基、またはエーテル結合もしくはエステル結合を含んでもよい炭素数6以上20以下のアリーレン基である。 In the general formula 1 and the general formula 2, R 1 is a linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 or more and 10 or less carbon atoms, which may independently contain an ether bond or an ester bond, respectively. It is an arylene group having 6 to 20 carbon atoms which may contain an ether bond or an ester bond.

炭素数1以上10以下の直鎖状、分枝状、または環状のアルキレン基の例としては、たとえばメチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、n−ブチレン基、2−メチルプロピレン基、ペンチレン基、2,2−ジメチルプロピレン基、2−エチルプロピレン基、n−ヘキシレン基、n−ヘプチレン基、n−オクチレン基、2−エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、メチルシクロへキシレン基、ジメチルシクロへキシレン基、シクロヘプチレン基、1−エチルシクロペンチレン基、シクロオクチレン基、シクロノニレン基、シクロデシレン基、ビシクロデシレン基、ノルボルニレン基、シクロヘキサンジメチレン基が挙げられる。 Examples of linear, branched or cyclic alkylene groups having 1 to 10 carbon atoms include methylene group, ethylene group, n-propylene group, n-butylene group, 2-methylpropylene group and pentylene group. , 2,2-Dimethylpropylene group, 2-Ethylpropylene group, n-hexylene group, n-heptylene group, n-octylene group, 2-ethylhexylene group, nonylene group, decylene group, cyclopropylene group, cyclopentylene Group, cyclohexylene group, methylcyclohexylene group, dimethylcyclohexylene group, cycloheptylene group, 1-ethylcyclopentylene group, cyclooctylene group, cyclononylene group, cyclodecylene group, bicyclodecylene group, norbornylene group, cyclohexanedimethylene The group is mentioned.

炭素数6以上20以下のアリーレン基の例としては、たとえば、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、ターフェニレン基、アントラニレン基等が挙げられる。 Examples of the arylene group having 6 or more and 20 or less carbon atoms include a phenylene group, a biphenylene group, a naphthylene group, a terphenylene group, an anthranylene group and the like.

上記のアルキレン基およびアリーレン基は、エーテル結合またはエステル結合を含んでもよい。エーテル結合またはエステル結合を含むアルキレン基またはアリーレン基の例としては、下記式で表される基が挙げられる。下記式中、Ph’はフェニレン基を表す。 The above alkylene group and arylene group may contain an ether bond or an ester bond. Examples of an alkylene group or an arylene group containing an ether bond or an ester bond include a group represented by the following formula. In the following formula, Ph'represents a phenylene group.

Figure 0006961342
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本発明の効果をより一層向上させるという観点から、上記一般式1で表されるカルボキシル基を有する繰り返し単位は、下記一般式3で表される繰り返し単位であり、上記一般式2で表されるフェノール性水酸基を有する繰り返し単位は、下記一般式4で表される繰り返し単位であることが好ましい。 From the viewpoint of further improving the effect of the present invention, the repeating unit having a carboxyl group represented by the above general formula 1 is a repeating unit represented by the following general formula 3 and is represented by the above general formula 2. The repeating unit having a phenolic hydroxyl group is preferably a repeating unit represented by the following general formula 4.

Figure 0006961342
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Figure 0006961342
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上記一般式3で表される繰り返し単位は、1,3−ジヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステルと、メチレンビスアミノ安息香酸と、を反応させて得られる構造を有する。また、上記一般式4で表される繰り返し単位は、1,3−ジヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステルと、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンと、を反応させて得られる構造を有する。 The repeating unit represented by the above general formula 3 is obtained by reacting 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester with methylenebisaminobenzoic acid. It has the resulting structure. The repeating units represented by the above general formula 4 are 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester and 2,2-bis (3-amino). It has a structure obtained by reacting with -4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane.

本発明のポリイミド樹脂の製造方法は特に制限されない。たとえば、テトラカルボン酸二無水物と、カルボキシル基を含有するジアミン化合物およびフェノール性水酸基を含有するジアミン化合物と、を反応(重縮合)させることによって得ることができる。 The method for producing the polyimide resin of the present invention is not particularly limited. For example, it can be obtained by reacting (polycondensation) a tetracarboxylic acid dianhydride with a diamine compound containing a carboxyl group and a diamine compound containing a phenolic hydroxyl group.

より具体的には、テトラカルボン酸二無水物と、カルボキシル基を含有するジアミン化合物、フェノール性水酸基を含有するジアミン化合物、および必要に応じてカルボキシル基およびフェノール性水酸基を含有しない他のジアミン化合物(以下、これらの化合物をモノマーということがある)とを反応させて、ポリイミド前駆体を得た後、得られたポリイミド前駆体をイミド化してポリイミド樹脂を合成する方法(方法A)や、テトラカルボン酸二無水物と上記ジアミン化合物とから、直接、ポリイミド樹脂を合成する方法(方法B)等が挙げられる。 More specifically, tetracarboxylic dianhydride, a diamine compound containing a carboxyl group, a diamine compound containing a phenolic hydroxyl group, and optionally other diamine compounds not containing a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group ( Hereinafter, these compounds may be referred to as monomers) to obtain a polyimide precursor, and then the obtained polyimide precursor is imidized to synthesize a polyimide resin (method A), or tetracarboxylic. Examples thereof include a method (method B) of directly synthesizing a polyimide resin from the acid dianhydride and the diamine compound.

テトラカルボン酸二無水物の例としては、たとえば、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’−オキシジフタル酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビシクロ[2,2,2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、5,5’−メチレン−ビス(アントラニリックアシッド)、ピロメリット酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、1,3−ジヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステル、4−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−1,2−ジカルボン酸無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス(4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス(4−(3,4−ジカルボキシベンゾイルオキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ビフェニル二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらテトラカルボン酸二無水物は、単独でもまたは2種以上混合しても用いることができる。 Examples of tetracarboxylic acid dianhydrides include, for example, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2 , 2', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride Anhydride, 3,3'-oxydiphthalic hydride, 4,4'-oxydiphthalic hydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfonate dianhydride, bicyclo [2,2,2] octo- 7-En-2,3,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid dianhydride, 5,5'-methylene-bis (anthranic acid), Pyromellitic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) 2,3-Dicarboxyphenyl) methane dianhydride, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid- 1,4-Phenylene ester, 4- (2,5-dioxo tetrahydrofuran-3-yl) -1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, 1,2,5,6 -Naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic acid dianhydride, 3,4,9,10-perylene Tetracarboxylic acid dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) hexafluoropropane Dianhydride, 2,2-bis (4- (3,4-dicarboxybenzoyloxy) phenyl) Hexafluoropropane dianhydride, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-bis ( 3,4-dicarboxyphenoxy) biphenyl dianhydride, cyclobutanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic hydride, 2,3,5,6-cyclohexyl Examples thereof include santetracarboxylic dianhydride and 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid dianhydride. These tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in admixture of two or more.

これらテトラカルボン酸二無水物の中でも、1,3−ジヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステルが好ましい。 Among these tetracarboxylic acid dianhydrides, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester is preferable.

カルボキシル基を含有するジアミン化合物の例としては、たとえば、メチレンビスアミノ安息香酸、2,5−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、4,4’−(3,3’−ジカルボキシ)ジアミノビフェニル、3,3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル等が挙げられる。これらカルボキシル基を含有するジアミン化合物は、単独でもまたは2種以上混合しても用いることができる。 Examples of diamine compounds containing a carboxyl group include methylenebisaminobenzoic acid, 2,5-diaminobenzoic acid, 3,5-diaminobenzoic acid, 4,4'-(3,3'-dicarboxy). Examples thereof include diaminobiphenyl, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenyl ether and the like. These carboxyl group-containing diamine compounds can be used alone or in admixture of two or more.

これらカルボキシル基を含有するジアミン化合物の中でも、メチレンビスアミノ安息香酸が好ましい。 Among these diamine compounds containing a carboxyl group, methylenebisaminobenzoic acid is preferable.

フェノール性水酸基を含有するジアミン化合物の例としては、たとえば、3,3’−ジヒドロキシベンジジン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジアミノ−2,4−ジヒドロキシベンゼン、及び1,3−ジアミノ−4,6−ジヒドロキシベンゼン等が挙げられる。これらフェノール性水酸基を含有するジアミン化合物は、単独でもまたは2種以上混合しても用いることができる。 Examples of diamine compounds containing phenolic hydroxyl groups include, for example, 3,3'-dihydroxybenzidine, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-. Dihydroxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylsulfone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenylsulfone, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) methane, 2, 2-Bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) Hexafluoropropane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybenzophenone, 3 , 3'-diamino-4,4'-dihydroxybenzophenone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl ether, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 1,4-diamino- Examples thereof include 2,5-dihydroxybenzene, 1,3-diamino-2,4-dihydroxybenzene, and 1,3-diamino-4,6-dihydroxybenzene. These diamine compounds containing phenolic hydroxyl groups can be used alone or in combination of two or more.

これらフェノール性水酸基を含有するジアミン化合物の中でも、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンが好ましく、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンがより好ましい。 Among these diamine compounds containing phenolic hydroxyl groups, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane is preferable, and 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoro Propane is more preferred.

耐熱性、耐薬品性の向上、または現像性能の調整等の観点から、本発明のポリイミド樹脂は、上記カルボキシル基を有する繰り返し単位およびフェノール性水酸基を有する繰り返し単位以外に、カルボキシル基およびフェノール性水酸基を有さない任意の繰り返し単位を有していてもよい。このような任意の繰り返し単位は、カルボキシル基およびフェノール性水酸基を含有しない他のジアミン化合物から形成されうる。このようなジアミン化合物としては、たとえば、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ジ(3−アミノフェニル)プロパン、2,2−ジ(4−アミノフェニル)プロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ジ(3−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ジ(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,1−ジ(3−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ジ(4−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1−(3−アミノフェニル)−1−(4−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、2,6−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゾニトリル、2,6−ビス(3−アミノフェノキシ)ピリジン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、4,4’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、4,4’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ]ジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)ベンゾオキサゾール、2,2’−ジ(p−アミノフェニル)−6,6’−ビスベンゾオキサゾール、2−(4−アミノフェニル)−6−アミノベンゾオキサゾール、N−(4−アミノフェニル)−4−アミノベンズアミド、N,N’−ビス(4−アミノフェニル)テレフタルアミド、4−アミノフェニル−4−アミノベンゾエート、2,2’−ジメチルビフェニル−4,4’−ジアミン等が挙げられる。これら他のジアミン化合物は、単独でもまたは2種以上組み合わせても用いることができる。 From the viewpoint of improving heat resistance, chemical resistance, adjusting development performance, etc., the polyimide resin of the present invention has a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group in addition to the repeating unit having a carboxyl group and the repeating unit having a phenolic hydroxyl group. It may have any repeating unit that does not have. Such arbitrary repeating units can be formed from other diamine compounds that do not contain carboxyl groups and phenolic hydroxyl groups. Examples of such a diamine compound include 4,4'-diaminodiphenyl ether, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, and 3,3'-diamino. Diphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3, 3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2- Di (3-aminophenyl) propane, 2,2-di (4-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) propane, 2,2-di (3-amino) Phenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-di (4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2-( 3-Aminophenyl) -2- (4-Aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,1-di (3-aminophenyl) -1-phenylethane, 1, 1-di (4-aminophenyl) -1-phenylethane, 1- (3-aminophenyl) -1- (4-aminophenyl) -1-phenylethane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene , 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminobenzoyl) ) Benzene, 1,3-bis (4-aminobenzoyl) benzene, 1,4-bis (3-aminobenzoyl) benzene, 1,4-bis (4-aminobenzoyl) benzene, 1,3-bis (3-) Amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (3-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1 , 4-bis (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (3-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-α) , Α-Ditrifluoromethylbenzene Benzene, 1,4-bis (3-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (4-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 2,6- Bis (3-aminophenoxy) benzonitrile, 2,6-bis (3-aminophenoxy) pyridine, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl , Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfide, Bis [4- (4- (4- (4- (4- (4- (4- (4- (4- (4- (4-Aminophenoxy)) phenyl] Aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-Aminophenoxy) phenyl] ether, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2 , 2-bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1 , 1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] benzene , 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy)] ) -Α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy)- α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 4,4'-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] Diphenyl ether, 4,4'-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] benzophenone, 4,4'-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] Diphenylsulfone, 4,4'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl Noxy] Diphenylsulfone, 3,3'-diamino-4,4'-diphenoxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dibiphenyloxybenzophenone, 3,3'-diamino-4-phenoxybenzophenone, 3 , 3'-diamino-4-biphenoxybenzophenone, 5-amino-2- (p-aminophenyl) benzoxazole, 2,2'-di (p-aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole, 2 -(4-Aminophenyl) -6-aminobenzoxazole, N- (4-aminophenyl) -4-aminobenzamide, N, N'-bis (4-aminophenyl) terephthalamide, 4-aminophenyl-4- Aminobenzoate, 2,2'-dimethylbiphenyl-4,4'-diamine and the like can be mentioned. These other diamine compounds can be used alone or in combination of two or more.

方法A(ポリイミド前駆体をイミド化する方法)において、ポリイミド前駆体の合成方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。 In the method A (method of imidizing the polyimide precursor), the method for synthesizing the polyimide precursor is not particularly limited, and a known method can be adopted.

たとえば、まず、カルボキシル基を含有するジアミン化合物およびフェノール性水酸基を含有するジアミン化合物、ならびに必要に応じて用いられるカルボキシル基およびフェノール性水酸基を含有しない他のジアミン化合物を溶媒に溶かして溶液を得た後、攪拌下、この溶液に、用いたジアミン化合物と実質的に当量の、テトラカルボン酸二無水物を徐々に添加し、攪拌を継続して反応させることにより、ポリイミド前駆体の溶液を得ることができる。このときのモノマー濃度は特に制限されないが、好ましくは5質量%以上50質量%以下、より好ましくは10質量%以上40質量%以下である。 For example, first, a diamine compound containing a carboxyl group and a diamine compound containing a phenolic hydroxyl group, and another diamine compound containing no carboxyl group and a phenolic hydroxyl group, which are used as needed, were dissolved in a solvent to obtain a solution. Then, under stirring, substantially the same amount of tetracarboxylic acid dianhydride as the diamine compound used was gradually added to this solution, and the stirring was continued to react to obtain a solution of the polyimide precursor. Can be done. The monomer concentration at this time is not particularly limited, but is preferably 5% by mass or more and 50% by mass or less, and more preferably 10% by mass or more and 40% by mass or less.

ポリイミド前駆体を合成する際に用いる溶媒は、モノマーおよびポリイミド前駆体を十分溶解するものであれば、特に制限されない。例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチルカプロラクタム、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒;スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン等の含硫黄系溶媒;クレゾール、フェノール、キシレノール等のフェノール系溶媒;ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグライム)、トリエチレングリコールジメチルエーテル(トリグライム)、テトラグライム等のジグライム系溶媒;γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン系溶媒;イソホロン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノン等のケトン系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;ピリジン、エチレングリコール、ジオキサン、テトラメチル尿素等のその他の溶媒;等が挙げられる。これらの溶媒は単独でも、または2種以上混合しても用いることができる。 The solvent used for synthesizing the polyimide precursor is not particularly limited as long as it sufficiently dissolves the monomer and the polyimide precursor. For example, amide solvents such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, hexamethylphosphate triamide; sulfolane, dimethylsulfoxide, dimethylsulfone, tetramethylene. Sulfur-containing solvents such as sulfone and dimethyltetramethylene sulfone; phenolic solvents such as cresol, phenol and xylenol; diglyme-based solvents such as diethylene glycol dimethyl ether (diglime), triethylene glycol dimethyl ether (triglime) and tetraglime; γ-butyrolactone, lactone-based solvents such as γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, ε-caprolactone; ketone solvents such as isophorone, cyclopentanone, cyclohexanone, 3,3,5-trimethylcyclohexanone; benzene, toluene, xylene Such as aromatic hydrocarbon solvents; other solvents such as pyridine, ethylene glycol, dioxane, tetramethylurea; and the like. These solvents can be used alone or in admixture of two or more.

反応温度は特に制限されないが、好ましくは−10℃以上80℃以下、より好ましくは0℃以上40℃以下である。また、反応時間も特に制限されないが、好ましくは0.5時間以上150時間以下、より好ましくは3時間以上24時間以下である。 The reaction temperature is not particularly limited, but is preferably −10 ° C. or higher and 80 ° C. or lower, and more preferably 0 ° C. or higher and 40 ° C. or lower. The reaction time is also not particularly limited, but is preferably 0.5 hours or more and 150 hours or less, and more preferably 3 hours or more and 24 hours or less.

得られたポリイミド前駆体の溶液は、ポリイミド前駆体を単離することなく、そのまま、または濃度を調整した後、次のイミド化反応に供することができる。また、ポリイミド前駆体の溶液を大量の水やメタノール等の貧溶媒に滴下し、ポリイミド前駆体を析出させ、これをろ過、洗浄、乾燥することにより、ポリイミド前駆体を単離することもできる。 The obtained solution of the polyimide precursor can be subjected to the next imidization reaction as it is or after adjusting the concentration without isolating the polyimide precursor. Further, the polyimide precursor can be isolated by dropping a solution of the polyimide precursor into a large amount of water or a poor solvent such as methanol to precipitate the polyimide precursor, and filtering, washing, and drying the polyimide precursor.

ポリイミド前駆体をイミド化する方法は特に制限されず、たとえば、公知の化学イミド化法や、熱イミド化法を採用することができる。なかでも、過度に加熱する必要が無く、ポリイミド樹脂の分子量低下を抑制し得ることから、化学イミド化法がより好適に用いられる。 The method for imidizing the polyimide precursor is not particularly limited, and for example, a known chemical imidization method or thermal imidization method can be adopted. Among them, the chemical imidization method is more preferably used because it is not necessary to overheat and the decrease in the molecular weight of the polyimide resin can be suppressed.

化学イミド化法は、たとえば、ポリイミド前駆体の溶液を攪拌しながら、この溶液に、有機酸無水物と有機塩基を滴下することにより行うことができる。ポリイミド前駆体の溶液の溶媒としては、ポリイミド前駆体の合成用の溶媒として示したものと同様のものが挙げられる。有機酸無水物としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水マレイン酸、無水フタル酸等が挙げられる。中でも、反応後の除去が容易であることや、費用の観点から、無水酢酸が好適に用いられる。有機酸無水物の使用量は特に制限されないが、ポリイミド前駆体の理論脱水量の1当量以上10当量以下が好ましく、2当量以上5当量以下がより好ましい。 The chemical imidization method can be carried out, for example, by dropping an organic acid anhydride and an organic base into the solution of the polyimide precursor while stirring the solution. Examples of the solvent for the solution of the polyimide precursor include those similar to those shown as the solvent for synthesizing the polyimide precursor. Examples of the organic acid anhydride include acetic anhydride, propionic anhydride, maleic anhydride, phthalic anhydride and the like. Among them, acetic anhydride is preferably used from the viewpoint of easy removal after the reaction and cost. The amount of the organic acid anhydride used is not particularly limited, but the theoretical dehydration amount of the polyimide precursor is preferably 1 equivalent or more and 10 equivalents or less, and more preferably 2 equivalents or more and 5 equivalents or less.

有機塩基としては、ピリジン、ピコリン等の複素環式化合物;トリエチルアミン、N,N−ジメチルアニリン等の3級アミン;等が挙げられる。有機塩基の使用量は特に制限されないが、有機酸無水物に対して0.1当量以上2当量以下が好ましく、0.2当量以上1.5当量以下がより好ましい。 Examples of the organic base include heterocyclic compounds such as pyridine and picoline; tertiary amines such as triethylamine and N, N-dimethylaniline; and the like. The amount of the organic base used is not particularly limited, but is preferably 0.1 equivalent or more and 2 equivalents or less, and more preferably 0.2 equivalent or more and 1.5 equivalent or less with respect to the organic acid anhydride.

化学イミド化法の反応温度は特に制限されないが、好ましくは0℃以上130℃以下、より好ましくは20℃以上110℃以下である。反応時間も特に制限されないが、好ましくは0.5時間以上48時間以下、より好ましくは1時間以上24時間以下である。 The reaction temperature of the chemical imidization method is not particularly limited, but is preferably 0 ° C. or higher and 130 ° C. or lower, and more preferably 20 ° C. or higher and 110 ° C. or lower. The reaction time is also not particularly limited, but is preferably 0.5 hours or more and 48 hours or less, and more preferably 1 hour or more and 24 hours or less.

熱イミド化法は、たとえば、ポリイミド前駆体の溶液を脱水閉環反応が起きる温度に加熱することにより行うことができる。加熱する際は、最高温度まで一段階で昇温する方法、多段階で昇温する方法のどちらでもよい。 The thermal imidization method can be carried out, for example, by heating a solution of the polyimide precursor to a temperature at which a dehydration ring closure reaction occurs. When heating, either a method of raising the temperature to the maximum temperature in one step or a method of raising the temperature in multiple steps may be used.

ポリイミド前駆体の溶液の溶媒としては、ポリイミド前駆体の合成用の溶媒として示したものと同様のものが挙げられる。熱イミド化法において、反応温度は特に制限されないが、好ましくは130℃以上450℃以下、より好ましくは300℃以上400℃以下である。反応時間も特に制限されないが、好ましくは0.1時間以上24時間以下、より好ましくは0.5時間以上5時間以下である。 Examples of the solvent for the solution of the polyimide precursor include those similar to those shown as the solvent for synthesizing the polyimide precursor. In the thermal imidization method, the reaction temperature is not particularly limited, but is preferably 130 ° C. or higher and 450 ° C. or lower, and more preferably 300 ° C. or higher and 400 ° C. or lower. The reaction time is also not particularly limited, but is preferably 0.1 hour or more and 24 hours or less, and more preferably 0.5 hours or more and 5 hours or less.

反応は、真空中、窒素、アルゴン等の不活性ガス中、あるいは空気中で行うことができる。反応系内には、触媒としてγ−ピコリン等の有機塩基や、副生成物である水を共沸留去するために、トルエンやキシレン等を添加してもよい。 The reaction can be carried out in vacuum, in an inert gas such as nitrogen or argon, or in air. Toluene, xylene, or the like may be added to the reaction system in order to azeotropically distill off an organic base such as γ-picoline or water as a by-product.

また、単離したポリイミド前駆体を、そのまま加熱して熱イミド化することもできる。反応温度は特に制限されないが、好ましくは200℃以上400℃以下、より好ましくは250℃以上300℃以下である。反応時間も特に制限されないが、好ましくは0.5時間以上48時間以下、より好ましくは1時間以上24時間以下である。 Further, the isolated polyimide precursor can be thermally imidized by heating as it is. The reaction temperature is not particularly limited, but is preferably 200 ° C. or higher and 400 ° C. or lower, and more preferably 250 ° C. or higher and 300 ° C. or lower. The reaction time is also not particularly limited, but is preferably 0.5 hours or more and 48 hours or less, and more preferably 1 hour or more and 24 hours or less.

反応は、真空中、窒素、アルゴン等の不活性ガス中、または空気中で行うことができるが、着色を防ぐことができることから、真空中または不活性ガス中で行うことが好ましい。 The reaction can be carried out in vacuum, in an inert gas such as nitrogen or argon, or in air, but is preferably carried out in vacuum or in an inert gas because it can prevent coloring.

方法B(テトラカルボン酸二無水物とジアミンから、直接、ポリイミドを合成する方法)によりポリイミドを合成する場合、例えば、方法Aにおけるポリイミド前駆体の合成方法の反応条件を変えることにより、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とから、直接、ポリイミドを合成することができる。 When synthesizing polyimide by method B (a method of directly synthesizing polyimide from tetracarboxylic acid dianhydride and diamine), for example, by changing the reaction conditions of the method for synthesizing a polyimide precursor in method A, tetracarboxylic acid. Polyimide can be directly synthesized from the dianhydride and the diamine compound.

反応に用いる溶媒としては、ポリイミド前駆体の合成用の溶媒として示したものと同様のものが挙げられる。なかでも、アミド系溶媒やフェノール系溶媒が好ましい。反応温度は特に制限されないが、好ましくは130℃以上250℃以下、より好ましくは140℃以上200℃以下である。反応時間も特に制限されないが、好ましくは0.5時間以上48時間以下、より好ましくは1時間以上24時間以下である。反応系内には、触媒としてγ−ピコリン等の有機塩基や、副生成物である水を共沸留去するために、トルエンやキシレン等を添加してもよい。 Examples of the solvent used in the reaction include the same as those shown as the solvent for synthesizing the polyimide precursor. Of these, amide-based solvents and phenol-based solvents are preferable. The reaction temperature is not particularly limited, but is preferably 130 ° C. or higher and 250 ° C. or lower, and more preferably 140 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. The reaction time is also not particularly limited, but is preferably 0.5 hours or more and 48 hours or less, and more preferably 1 hour or more and 24 hours or less. Toluene, xylene, or the like may be added to the reaction system in order to azeotropically distill off an organic base such as γ-picoline or water as a by-product.

上記の方法1や方法2により反応を行い、得られたポリイミドの溶液を大量の貧溶媒中に滴下することで、ポリイミドを析出させることができる。さらに、析出したポリイミドを、ろ取、洗浄、乾燥等することにより、ポリイミドの粉末を得ることができる。 The polyimide can be precipitated by carrying out the reaction by the above methods 1 and 2 and dropping the obtained polyimide solution into a large amount of poor solvent. Further, the precipitated polyimide can be obtained by filtration, washing, drying or the like to obtain a polyimide powder.

貧溶媒としては、ポリイミドを溶解しないものであれば特に制限されないが、反応溶媒や化学イミド化剤との親和性が高いことや、乾燥による効率よく除去し得ることから、水;メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒;アセトン等のケトン系溶媒;酢酸エチル等のエステル系溶媒;これらの混合溶媒;等が好適に用いられる。 The poor solvent is not particularly limited as long as it does not dissolve polyimide, but water; methanol, ethanol, because it has a high affinity with a reaction solvent and a chemical imidizing agent and can be efficiently removed by drying. Alcohol-based solvents such as n-propanol and isopropanol; ketone-based solvents such as acetone; ester-based solvents such as ethyl acetate; mixed solvents thereof; and the like are preferably used.

本発明のポリイミド樹脂の重量平均分子量(Mw)は、特に制限されないが、機械的特性確保の観点から、40,000以上であることが好ましく、45,000以上であることがより好ましい。また、ポリイミド樹脂の重量平均分子量の上限は、特に制限されないが、80,000以下であることが好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of the polyimide resin of the present invention is not particularly limited, but is preferably 40,000 or more, and more preferably 45,000 or more, from the viewpoint of ensuring mechanical properties. The upper limit of the weight average molecular weight of the polyimide resin is not particularly limited, but is preferably 80,000 or less.

本発明のポリイミド樹脂の分子量分布(Mw/Mn)は、好ましくは1.5以上5以下である。 The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polyimide resin of the present invention is preferably 1.5 or more and 5 or less.

ポリイミド樹脂の重量平均分子量および分子量分布は、たとえば、モノマーの種類や組成、合成時の条件等を変化させることによって制御できる。なお、ポリイミド樹脂の重量平均分子量および分子量分布は、ゲル浸透クロマトグラフィー法により得られた、ポリスチレン換算値であり、より具体的には、実施例に記載の方法により測定できる。 The weight average molecular weight and the molecular weight distribution of the polyimide resin can be controlled, for example, by changing the type and composition of the monomer, the conditions at the time of synthesis, and the like. The weight average molecular weight and the molecular weight distribution of the polyimide resin are polystyrene-equivalent values obtained by gel permeation chromatography, and more specifically, they can be measured by the method described in Examples.

(ポジ型感光性樹脂組成物)
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、上記本発明のポリイミド樹脂と、ポリイミド樹脂100質量部に対して、1質量部以上50質量部以下の光酸発生剤と、を含むことが好ましい。ポリイミド樹脂は、単独でもまたは2種以上組み合わせても用いることができる。ポリイミド樹脂については、上記で詳述したため、下記では光酸発生剤やその他の成分について説明する。
(Positive Photosensitive Resin Composition)
The positive photosensitive resin composition of the present invention preferably contains the polyimide resin of the present invention and a photoacid generator of 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide resin. The polyimide resin can be used alone or in combination of two or more. Since the polyimide resin has been described in detail above, the photoacid generator and other components will be described below.

[光酸発生剤]
本発明のポジ型感光性樹脂組成物で用いられる光酸発生剤としては、たとえば、キノンジアジド化合物、オニウム塩、ハロゲン含有化合物などが挙げられる。中でも、溶剤溶解性、保存安定性、高感度等の観点から、キノンジアジド化合物が好ましい。光酸発生剤は、単独でもまたは2種以上組み合わせて用いてもよい。
[Photoacid generator]
Examples of the photoacid generator used in the positive photosensitive resin composition of the present invention include quinonediazide compounds, onium salts, halogen-containing compounds and the like. Of these, quinonediazide compounds are preferable from the viewpoints of solvent solubility, storage stability, high sensitivity and the like. The photoacid generator may be used alone or in combination of two or more.

上記オニウム塩としては、たとえば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、アンモニウム塩、ジアゾニウム塩等が挙げられるが、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、およびトリアルキルスルホニウム塩からなる群より選択されるオニウム塩が好ましい。 Examples of the onium salt include iodonium salt, sulfonium salt, phosphonium salt, ammonium salt, diazonium salt and the like, and onium selected from the group consisting of diaryliodonium salt, triarylsulfonium salt and trialkylsulfonium salt. Salt is preferred.

上記ハロゲン含有化合物としては、たとえば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物等が挙げられ、高感度化の観点からトリクロロメチルトリアジンが好ましい。 Examples of the halogen-containing compound include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds, and trichloromethyltriazine is preferable from the viewpoint of increasing sensitivity.

上記キノンジアジド化合物としては、ナフトキノンジアジド化合物(以下、「NQD化合物」とも称する)が好ましく、中でも、1,2−ナフトキノンジアジド構造を有する化合物が好ましい。該1,2−ナフトキノンジアジド構造を有する化合物は、ポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、および該ポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルからなる群より選択される少なくとも1種の化合物であることが好ましい。 As the quinone diazide compound, a naphthoquinone diazide compound (hereinafter, also referred to as “NQD compound”) is preferable, and among them, a compound having a 1,2-naphthoquinone diazide structure is preferable. The compound having a 1,2-naphthoquinone diazide structure comprises a polyhydroxy compound of 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester and a polyhydroxy compound of 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid ester. It is preferably at least one compound selected from the group.

該NQD化合物は、市販品を用いてもよいし、合成品を用いてもよい。合成する場合は、常法に従って、ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物を、クロルスルホン酸または塩化チオニルでスルホニルクロライドとし、得られたナフトキノンジアジドスルホニルクロライドと、ポリヒドロキシ化合物とを縮合反応させることにより得られる。たとえば、ポリヒドロキシ化合物と、所定量の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリドまたは1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリドとを、ジオキサン、アセトン、テトラヒドロフラン等の溶媒中において、トリエチルアミン等の塩基性触媒の存在下で反応させてエステル化を行い、得られた生成物を水洗、乾燥することによりNQD化合物を得ることができる。 As the NQD compound, a commercially available product or a synthetic product may be used. In the case of synthesis, it is obtained by converting a naphthoquinone diazide sulfonic acid compound into a sulfonyl chloride with chlorsulfonic acid or thionyl chloride according to a conventional method, and subjecting the obtained naphthoquinone diazido sulfonyl chloride to a condensation reaction with a polyhydroxy compound. For example, a polyhydroxy compound and a predetermined amount of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride or 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride in a solvent such as dioxane, acetone, tetrahydrofuran, etc. The NQD compound can be obtained by reacting in the presence of a basic catalyst to carry out esterification, washing the obtained product with water, and drying it.

i線露光でのコントラスト確保の観点から、好ましい光酸発生剤は、下記化学式5〜10で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種である。 From the viewpoint of ensuring contrast in i-line exposure, a preferable photoacid generator is at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following chemical formulas 5 to 10.

Figure 0006961342
Figure 0006961342

上記一般式5〜10中、Rは、それぞれ独立して、水素原子、下記一般式11で表される基、または下記一般式12で表される基である。 In the above general formulas 5 to 10, R is independently a hydrogen atom, a group represented by the following general formula 11, or a group represented by the following general formula 12.

Figure 0006961342
Figure 0006961342

本発明の組成物中の光酸発生剤の含有量は、ポリイミド樹脂100質量部に対して、1質量部以上50質量部以下であることが好ましく、5質量部以上40質量部以下であることが好ましい。この範囲であれば、現像時のコントラストと良好な機械的特性を両立させることができる。 The content of the photoacid generator in the composition of the present invention is preferably 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less, and 5 parts by mass or more and 40 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide resin. Is preferable. Within this range, both contrast during development and good mechanical properties can be achieved at the same time.

[架橋剤]
本発明の組成物は、架橋剤を含むことが好ましい。架橋剤を含むことにより、機械的強度や基板密着性を向上させることができる。該架橋剤は、単独でもまたは2種以上組み合わせても用いることができる。また、該架橋剤は、市販品を用いてもよいし、合成品を用いてもよい。
[Crosslinking agent]
The composition of the present invention preferably contains a cross-linking agent. By containing a cross-linking agent, mechanical strength and substrate adhesion can be improved. The cross-linking agent can be used alone or in combination of two or more. Further, as the cross-linking agent, a commercially available product or a synthetic product may be used.

架橋剤としては、メチロール基および/またはアルコキシメチル基を有する芳香族化合物、N位がメチロール基および/またはアルコキシメチル基で置換された化合物、アリル化合物等が利用できる。 As the cross-linking agent, an aromatic compound having a methylol group and / or an alkoxymethyl group, a compound in which the N-position is substituted with a methylol group and / or an alkoxymethyl group, an allyl compound and the like can be used.

これら架橋剤の中でも、N位がメチロール基および/またはアルコキシメチル基で置換された化合物が、熱硬化後の耐薬品性の観点から好ましい。 Among these cross-linking agents, a compound in which the N-position is substituted with a methylol group and / or an alkoxymethyl group is preferable from the viewpoint of chemical resistance after thermosetting.

N位がメチロール基および/またはアルコキシメチル基で置換された化合物として、より具体的には、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、グリコールウリル樹脂、ヒドロキシエチレン尿素樹脂、尿素樹脂、グリコール尿素樹脂、アルコキシメチル化メラミン樹脂、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン樹脂、アルコキシメチル化グリコールウリル樹脂、アルコキシメチル化尿素樹脂を挙げることができる。 More specifically, as a compound in which the N-position is substituted with a methylol group and / or an alkoxymethyl group, a melamine resin, a benzoguanamine resin, a glycol uryl resin, a hydroxyethylene urea resin, a urea resin, a glycol urea resin, an alkoxymethylated melamine. Examples thereof include resins, alkoxymethylated benzoguanamine resins, alkoxymethylated glycol uryl resins, and alkoxymethylated urea resins.

アルコキシメチル化メラミン樹脂、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン樹脂、アルコキシメチル化グリコールウリル樹脂、およびアルコキシメチル化尿素樹脂は既知のメチロール化メラミン樹脂、メチロール化ベンゾグアナミン樹脂、またはメチロール化尿素樹脂のメチロール基をアルコキシメチル基に変換することにより得ることができる。このアルコキシメチル基の種類については、たとえば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基等を挙げることができる。 Alkoxymethylated melamine resins, alkoxymethylated benzoguanamine resins, alkoxymethylated glycol uryl resins, and alkoxymethylated urea resins are known methylolated melamine resins, methylolated benzoguanamine resins, or alkoxymethyl groups of methylol groups of methylolated urea resins. It can be obtained by converting to. Examples of the type of this alkoxymethyl group include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, a butoxymethyl group and the like.

N位がメチロール基および/またはアルコキシメチル基で置換された化合物の市販品の例としては、たとえば、サイメル(登録商標)300、301、303、370、325、327、701、266、267、238、1141、272、202、1156、1158、1123、1170、1174、UFR65、300(以上、日本サイテックインダストリーズ株式会社製)、ニカラック(登録商標)MX−270、−280、−290、ニカラックMS−11、ニカラックMW−30、−100、−300、−390、−750(株式会社三和ケミカル製)等が挙げられる。 Examples of commercially available compounds in which the N-position is substituted with a methylol group and / or an alkoxymethyl group include, for example, Cymel® 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238. , 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300 (all manufactured by Nippon Cytec Industries Co., Ltd.), Nicarak (registered trademark) MX-270, 280, -290, Nikarak MS-11. , Nicarac MW-30, -100, -300, -390, -750 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) and the like.

組成物中の架橋剤の含有量は、ポリイミド樹脂100質量部に対して、5質量部以上25質量部以下が好ましく、7質量部以上20質量部以下がより好ましい。 The content of the cross-linking agent in the composition is preferably 5 parts by mass or more and 25 parts by mass or less, and more preferably 7 parts by mass or more and 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide resin.

[ノボラック樹脂]
本発明の組成物は、ノボラック樹脂を含むことが好ましい。ノボラック樹脂を含むことにより、現像性および解像性が向上する。ノボラック樹脂としては、公知のノボラック樹脂を適宜選択して用いることができる。具体的には、たとえば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、t−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、ポリ−p−ビニルフェノール樹脂などが挙げられる。
[Novolak resin]
The composition of the present invention preferably contains a novolak resin. The inclusion of novolak resin improves developability and resolution. As the novolak resin, a known novolak resin can be appropriately selected and used. Specifically, for example, phenol novolac resin, cresol novolac resin, t-butylphenol novolak resin, dicyclopentadiene cresol novolac resin, dicyclopentadienephenol novolak resin, xylylene-modified phenol novolac resin, tetrakisphenol novolac resin, bisphenol A novolac resin. , Poly-p-vinylphenol resin and the like.

これらノボラック樹脂は、単独でもまたは2種以上組み合わせても用いることができる。また、ノボラック樹脂は、市販品を用いてもよいし、合成品を用いてもよい。市販品の例としては、TR4020G、TR4080G(以上、旭有機材工業株式会社製、クレゾールノボラック樹脂)等が挙げられる。 These novolak resins can be used alone or in combination of two or more. Further, as the novolak resin, a commercially available product or a synthetic product may be used. Examples of commercially available products include TR4020G, TR4080G (all manufactured by Asahi Organic Materials Industry Co., Ltd., cresol novolac resin) and the like.

組成物中のノボラック樹脂の含有量は、ポリイミド樹脂100質量部に対して、5質量部以上50質量部であることが好ましく、10質量部以上40質量部以下であることがより好ましい。 The content of the novolak resin in the composition is preferably 5 parts by mass or more and 50 parts by mass, and more preferably 10 parts by mass or more and 40 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide resin.

[界面活性剤]
本発明の組成物は、界面活性剤を含むことが好ましい。界面活性剤を含むことにより、組成物の塗布性や塗布膜の面内均一性、平滑性等が向上する。
[Surfactant]
The composition of the present invention preferably contains a surfactant. By including the surfactant, the coatability of the composition, the in-plane uniformity of the coating film, the smoothness and the like are improved.

界面活性剤としては、非イオン性のものが好ましく、具体的にはパーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等のフッ素系界面活性剤が挙げられる。市販品の例としては、フロラード(登録商標)「FC−430」、「FC−431」、「FC−4430」(以上、住友スリーエム株式会社製)、サーフロン(登録商標)「S−141」、「S−145」、「KH−10」、「KH−20」、「KH−30」、「KH−40」(以上、AGCセイミケミカル株式会社製)、ユニダイン「DS−401」、「DS−4031」、「DS−451」(以上、ダイキン工業株式会社製)、メガファック(登録商標)「F−8151」(以上、DIC株式会社製)、「X−70−092」、「X−70−093」(以上、信越化学工業株式会社製)等を挙げることができる。 The surfactant is preferably nonionic, and specifically, a fluorine-based surfactant such as perfluoroalkyl polyoxyethylene ethanol, fluorinated alkyl ester, perfluoroalkylamine oxide, and fluorine-containing organosiloxane compound. Can be mentioned. Examples of commercially available products include Florard (registered trademark) "FC-430", "FC-431", "FC-4430" (all manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Surflon (registered trademark) "S-141", "S-145", "KH-10", "KH-20", "KH-30", "KH-40" (all manufactured by AGC Seimi Chemical Co., Ltd.), Unidyne "DS-401", "DS- 4031 "," DS-451 "(above, manufactured by Daikin Industries, Ltd.), Megafuck (registered trademark)" F-8151 "(above, manufactured by DIC Corporation)," X-70-092 "," X-70 " −093 ”(above, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like.

界面活性剤の添加量は、ポリイミド樹脂100質量部に対して、0.05質量部以上5質量部以下であることが好ましく、0.1質量部以上3質量部以下であることがより好ましい。 The amount of the surfactant added is preferably 0.05 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, and more preferably 0.1 parts by mass or more and 3 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide resin.

[その他の添加剤]
本発明の組成物は、必要に応じて、感光特性に影響しない程度に、着色剤、フィラー、光増感剤、アルカリ溶解促進剤、密着助剤、消泡剤、レベリング剤等のその他の添加剤を添加することができる。
[Other additives]
The composition of the present invention, if necessary, adds other colorants, fillers, photosensitizers, alkali dissolution accelerators, adhesion aids, defoamers, leveling agents, etc. to the extent that it does not affect the photosensitive characteristics. The agent can be added.

[ポジ型感光性樹脂組成物の製造方法]
本発明の組成物の製造方法は、特に制限はなく、通常は、上記の成分を攪拌混合することにより得ることができる。塗布性向上のために適宜有機溶媒を使用してもよい。混合方法にも特に制限はなく、たとえば、紫外光を遮光した部屋で、室温(20℃以上40℃以下)で、液体内が均一になるまで十分に攪拌混合すればよい。攪拌混合後に、濾過を行ってもよい。
[Manufacturing method of positive photosensitive resin composition]
The method for producing the composition of the present invention is not particularly limited, and can usually be obtained by stirring and mixing the above components. An organic solvent may be appropriately used to improve the coatability. The mixing method is also not particularly limited. For example, the mixture may be sufficiently stirred and mixed at room temperature (20 ° C. or higher and 40 ° C. or lower) in a room shielded from ultraviolet light until the inside of the liquid becomes uniform. Filtration may be performed after stirring and mixing.

上記有機溶媒の例としては、たとえば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール1−モノメチルエーテル(1−メトキシ−2−プロパノール)、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(プロピレングリコール1−モノメチルエーテル2−アセテート)、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチルなどのアセテート類、アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノンなどのケトン類、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ペンタノ−ル、4−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−2−ブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール類、N−メチル−2−ピロリドン、N−シクロヘキシル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。 Examples of the above organic solvent include, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol 1-monomethyl ether (1-methoxy-2-propanol), propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, and ethylene glycol diethyl. Ethers, ethers such as ethylene glycol dibutyl ether and tetrahydrofuran, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (propylene glycol 1-monomethyl ether 2-acetate), propyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, 3-methoxybutyl Ethers such as acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, acetone, methyl ethyl ketone, acetyl acetone, methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, 2 − Ketones such as heptanone, butyl alcohol, isobutyl alcohol, pentanol, 4-methyl-2-pentanol, 3-methyl-2-butanol, 3-methyl-3-methoxybutanol, diacetone alcohol and other alcohols , N-Methyl-2-pyrrolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, γ-butyrolactone and the like.

中でも、溶解性の観点から、プロピレングリコール1−モノメチルエーテル2−アセテート、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、1−メトキシ−2−プロパノール、γ−ブチロラクトン、およびN−メチル−2−ピロリドンからなる群より選択される少なくとも1種が好ましい。 Among them, from the viewpoint of solubility, it was selected from the group consisting of propylene glycol 1-monomethyl ether 2-acetate, cyclopentanone, cyclohexanone, 1-methoxy-2-propanol, γ-butyrolactone, and N-methyl-2-pyrrolidone. At least one type is preferable.

有機溶媒の添加量は、特に制限されないが、各成分が均一に分散または溶解され、また本発明の組成物が各用途に適した液状またはペースト状を呈する量であればよいが、通常、本発明の組成物中の固形分(溶媒以外の全成分)の量が10質量%以上90質量%となる範囲で溶媒を含有させることが好ましい。 The amount of the organic solvent added is not particularly limited, but may be any amount as long as each component is uniformly dispersed or dissolved and the composition of the present invention exhibits a liquid or paste suitable for each application. It is preferable to contain the solvent in a range in which the amount of the solid content (all components other than the solvent) in the composition of the present invention is 10% by mass or more and 90% by mass.

[硬化膜、パターン硬化膜]
本発明の組成物を用いて、硬化膜またはパターンを有する硬化膜(パターン硬化膜)を製造することができる。
[Cured film, pattern cured film]
Using the composition of the present invention, a cured film or a cured film having a pattern (pattern cured film) can be produced.

本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いた硬化膜の好ましい製造方法は、ポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥し樹脂膜を形成する工程と、得られた樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む。 A preferred method for producing a cured film using the positive photosensitive resin composition of the present invention is a step of applying the positive photosensitive resin composition on a substrate and drying it to form a resin film, and forming the obtained resin film. Includes a step of heat treatment.

本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いたパターンを有する硬化膜の製造方法は、下記の工程を含む方法であることが好ましい:
(a)本発明のポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を基板上に形成する工程、
(b)該感光性樹脂層を露光する工程、
(c)現像液により露光部を除去してパターンを得る工程、および
(d)該パターンを加熱する工程。
The method for producing a cured film having a pattern using the positive photosensitive resin composition of the present invention is preferably a method including the following steps:
(A) A step of forming a photosensitive resin layer made of the positive photosensitive resin composition of the present invention on a substrate.
(B) A step of exposing the photosensitive resin layer,
(C) A step of removing an exposed portion with a developing solution to obtain a pattern, and (d) a step of heating the pattern.

以下、本方法について説明する。 Hereinafter, this method will be described.

(a)感光性樹脂層を基板上に形成する工程
この工程では、本発明の組成物を、基板上にスピンコーターを用いた回転塗布、またはダイコーターもしくはロールコーター等のコーターにより塗布する。その後、これをオーブンやホットプレートを用いて、好ましくは50℃以上140℃以下の温度で乾燥して溶媒を除去して、感光性樹脂層を形成する。膜厚の均一な塗布膜を得るという観点から、スピンコーターを用いた回転塗布法が好ましい。
(A) Step of Forming a Photosensitive Resin Layer on a Substrate In this step, the composition of the present invention is applied onto a substrate by rotation coating using a spin coater or by a coater such as a die coater or a roll coater. Then, this is dried using an oven or a hot plate at a temperature of preferably 50 ° C. or higher and 140 ° C. or lower to remove the solvent to form a photosensitive resin layer. From the viewpoint of obtaining a coating film having a uniform film thickness, a rotary coating method using a spin coater is preferable.

基板としては、銅、アルミ、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、シリコン、窒化シリコン、液晶ポリマー、ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリファニレンスルフィド、およびポリ塩化ビニリデンからなる群より選択される少なくとも1種の材料を含む基板が好ましい。基板は、単層構造でも2層以上の複層構造であってもよい。 The substrate is at least one material selected from the group consisting of copper, aluminum, titanium nitride, tantalum, tantalum nitride, silicon, silicon nitride, liquid crystal polymer, polyimide, epoxy resin, polyvinylidene sulfide, and polyvinylidene chloride. A substrate containing the above is preferable. The substrate may have a single-layer structure or a multi-layer structure having two or more layers.

(b)該感光性樹脂層を露光する工程
次に、上記で得られた感光性樹脂層に対し、フォトマスクを介して、マスクアライナーやステッパーを用いて紫外線(i線(波長365nm)、h線(波長405nm)、g線(波長436nm)等)、X線、電子線等の活性エネルギー線を直接照射し露光する。上記フォトマスクは、所望のパターンをくり貫いたものであってもよい。
(B) Step of exposing the photosensitive resin layer Next, the photosensitive resin layer obtained above is exposed to ultraviolet rays (i-ray (wavelength 365 nm), h) using a mask aligner or a stepper via a photomask. Directly irradiates and exposes active energy rays such as rays (wavelength 405 nm), g-rays (wavelength 436 nm), X-rays, and electron beams. The photomask may be one in which a desired pattern is hollowed out.

露光に用いられる活性エネルギー線の波長は、190nm以上500nm以下であることが好ましい。また、活性エネルギー線の照射量は100mJ/cm以上3,000mJ/cm以下が好ましい。 The wavelength of the active energy ray used for exposure is preferably 190 nm or more and 500 nm or less. The irradiation amount of the active energy ray 100 mJ / cm 2 or more 3,000 mJ / cm 2 or less.

さらに、露光後に加熱処理(露光後ベーク)を行ってもよい。露光後ベークを行うことにより、光酸発生剤から発生した酸による硬化反応を促進させることができる。露光後ベークの条件は、組成物の組成、各成分の含有量、感光性樹脂層の厚さ等によって異なるが、たとえば、70℃以上150℃以下で1分以上60分以下程度加熱することが好ましい。 Further, heat treatment (baking after exposure) may be performed after exposure. By baking after exposure, the curing reaction by the acid generated from the photoacid generator can be promoted. The conditions for baking after exposure vary depending on the composition of the composition, the content of each component, the thickness of the photosensitive resin layer, etc., but for example, heating at 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower for 1 minute or more and 60 minutes or less is possible. preferable.

(c)現像液により露光部を除去して、パターンを得る工程
次に、現像を、浸漬法、パドル法、回転スプレー法等の方法から選択して行うことができる。現像により、感光性樹脂層から、未硬化の組成物を溶出除去し、パターンを得ることができる。現像液としては、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の有機アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩類等の水溶液および必要に応じてメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒または界面活性剤を適当量添加した水溶液を使用することができる。これらの中でも、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が好ましい。該テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の濃度は、好ましくは0.5質量%以上10質量%以下であり、より好ましくは、1質量%以上5質量%以下である。
(C) Step of removing the exposed portion with a developing solution to obtain a pattern Next, development can be performed by selecting from a method such as a dipping method, a paddle method, and a rotary spray method. By development, the uncured composition can be eluted and removed from the photosensitive resin layer to obtain a pattern. The developing solution includes inorganic alkalis such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and aqueous ammonia, organic amines such as ethylamine, diethylamine, triethylamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide. An aqueous solution of a quaternary ammonium salt or the like and, if necessary, a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or an aqueous solution to which an appropriate amount of a surfactant is added can be used. Among these, an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide is preferable. The concentration of the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution is preferably 0.5% by mass or more and 10% by mass or less, and more preferably 1% by mass or more and 5% by mass or less.

現像後、パターンを純水等で水洗してもよい。 After development, the pattern may be washed with pure water or the like.

(d)パターンを加熱する工程
続いて、得られたパターンを加熱することでキュアし、パターン硬化膜を形成する。加熱することにより、組成物の架橋密度を上げ、残存する揮発成分を除去でき、基板に対する密着力、耐熱性や強度等を向上させることができる。加熱装置としては、オーブン炉、ホットプレート、縦型炉、ベルトコンベアー炉、圧力オーブン等を使用することができ、加熱方法としては、熱風、赤外線、電磁誘導による加熱等が用いられてもよい。加熱温度は好ましくは280℃以下、より好ましくは120℃以上280℃以下、さらに好ましくは160℃以上250℃以下である。加熱時間は好ましくは15分以上8時間以下、より好ましくは15分以上4時間以下である。また、加熱処理工程の雰囲気は大気中、または窒素等の不活性雰囲気中のいずれかを選択することができる。
(D) Step of heating the pattern Subsequently, the obtained pattern is heated to cure it to form a pattern cured film. By heating, the crosslink density of the composition can be increased, the remaining volatile components can be removed, and the adhesion to the substrate, heat resistance, strength and the like can be improved. As the heating device, an oven furnace, a hot plate, a vertical furnace, a belt conveyor furnace, a pressure oven, or the like can be used, and as a heating method, hot air, infrared rays, heating by electromagnetic induction, or the like may be used. The heating temperature is preferably 280 ° C. or lower, more preferably 120 ° C. or higher and 280 ° C. or lower, and further preferably 160 ° C. or higher and 250 ° C. or lower. The heating time is preferably 15 minutes or more and 8 hours or less, and more preferably 15 minutes or more and 4 hours or less. Further, the atmosphere of the heat treatment step can be selected from either the atmosphere or the inert atmosphere such as nitrogen.

このようにして得られる硬化膜またはパターン硬化膜は、本発明の組成物の硬化物を含む。当該硬化物のガラス転移点は、ハンダリフロープロセス中の材料の形状安定性確保ならびに常温での柔軟性確保の観点から、200℃以上350℃以下であることが好ましい。当該ガラス転移点は、ポリイミド樹脂の組成、ポジ型感光性樹脂組成物の組成等により制御することができる。また、硬化物のガラス転移点は、実施例に記載の方法により測定できる。 The cured film or pattern cured film thus obtained contains a cured product of the composition of the present invention. The glass transition point of the cured product is preferably 200 ° C. or higher and 350 ° C. or lower from the viewpoint of ensuring the shape stability of the material during the solder reflow process and ensuring the flexibility at room temperature. The glass transition point can be controlled by the composition of the polyimide resin, the composition of the positive photosensitive resin composition, and the like. Further, the glass transition point of the cured product can be measured by the method described in Examples.

また、硬化膜またはパターン硬化膜の膜厚は、5μm以上20μm以下であることが好ましい。 The film thickness of the cured film or the pattern cured film is preferably 5 μm or more and 20 μm or less.

本発明は、銅、アルミ、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、シリコン、窒化シリコン、液晶ポリマー、ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリファニレンスルフィド、およびポリ塩化ビニリデンからなる群より選択される少なくとも1種の材料を含む基板と、本発明の組成物の硬化物を含むパターンを有する硬化膜と、を備える、プリント配線板を提供する。 The present invention is at least one material selected from the group consisting of copper, aluminum, titanium nitride, tantalum, tantalum nitride, silicon, silicon nitride, liquid crystal polymers, polyimides, epoxy resins, polyvinylidene sulfide, and polyvinylidene chloride. Provided is a printed wiring board comprising a substrate containing the above and a cured film having a pattern containing a cured product of the composition of the present invention.

[電子部品]
本発明に係る電子部品は、上述の本発明のポジ型感光性樹脂組成物から形成される硬化膜またはパターン硬化膜、すなわち本発明のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物を含む硬化膜またはパターン硬化膜を有する。電子部品の例としては、半導体装置や多層配線板、各種電子デバイス等が挙げられる。
[Electronic components]
The electronic component according to the present invention is a cured film or pattern cured film formed from the above-mentioned positive photosensitive resin composition of the present invention, that is, a cured film containing a cured product of the positive photosensitive resin composition of the present invention. It has a pattern cured film. Examples of electronic components include semiconductor devices, multilayer wiring boards, various electronic devices, and the like.

上記の硬化膜またはパターン硬化膜は、具体的には、半導体装置等電子部品の表面保護膜や層間絶縁膜、多層配線板の層間絶縁膜等に使用することができる。本発明に係る電子部品は、上記ポジ型感光性樹脂組成物を用いて形成される表面保護膜、層間絶縁膜等を有すること以外は特に制限されず、様々な構成および構造をとることができる。 Specifically, the cured film or pattern cured film can be used as a surface protective film or an interlayer insulating film of an electronic component such as a semiconductor device, an interlayer insulating film of a multilayer wiring board, or the like. The electronic component according to the present invention is not particularly limited except that it has a surface protective film, an interlayer insulating film, etc. formed by using the positive photosensitive resin composition, and can have various configurations and structures. ..

以下、本発明を実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples and Comparative Examples. However, the technical scope of the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
還流冷却器を連結したコック付き水分定量受器、温度計、および攪拌器を備えたセパラブルフラスコに、1,3−ジヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステル 67.4g(50モル%)、メチレンビスアミノ安息香酸 4.2g(5モル%)、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン 48.4g(45モル%)、およびN−メチル−2−ピロリドン 540gを加え、室温(25℃)で20時間反応させた。さらに、トルエン200gを反応溶液に加え、オイルバスを用いて内温が145℃になるまで加熱し、トルエン−水の共沸脱水反応を5時間行った。このようにして得られた反応溶液をメタノールに添加し、再沈殿およびろ過を行い、得られた白色固体を、減圧下、60℃で10時間乾燥させることにより、105.0gの高分子化合物(ポリイミド樹脂)1を得た。
(Example 1)
1,3-Dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4- Phenylene ester 67.4 g (50 mol%), methylene bisaminobenzoic acid 4.2 g (5 mol%), 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane 48.4 g (45 mol%) ), And 540 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added and reacted at room temperature (25 ° C.) for 20 hours. Further, 200 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated to an internal temperature of 145 ° C. using an oil bath, and an azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained was added to methanol, reprecipitated and filtered, and the obtained white solid was dried under reduced pressure at 60 ° C. for 10 hours to obtain 105.0 g of a polymer compound (15.0 g). Polyimide resin) 1 was obtained.

高分子化合物1の分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(日本分光株式会社製、LC−2000Plus、カラムは昭和電工株式会社製KF−603×1本、KF−606×1本)で測定したところ、ポリスチレン換算で、重量平均分子量(Mw)が40500、数平均分子量(Mn)が12400、Mw/Mn=3.26であった。 The molecular weight of the polymer compound 1 was measured by gel permeation chromatography (LC-2000Plus manufactured by JASCO Corporation, column KF-603 x 1 and KF-606 x 1 manufactured by Showa Denko Co., Ltd.) and found to be polystyrene. In terms of conversion, the weight average molecular weight (Mw) was 40500, the number average molecular weight (Mn) was 12400, and Mw / Mn = 3.26.

また、得られた高分子化合物1のH−NMRの化学シフトは以下の通りであり、カルボキシル基を有する繰り返し単位の含有量は10モル%であり、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の含有量は90モル%であることを確認した。
H−NMR(300MHz、DMSO−d)δ 3.17(s,0.2H、−CH−)、6.6−8.7(m、16H、Ar−H)、10.54(s、1.8H、Ar−OH)。
The chemical shift of 1 H-NMR of the obtained polymer compound 1 is as follows, the content of the repeating unit having a carboxyl group is 10 mol%, and the content of the repeating unit having a phenolic hydroxyl group is as follows. Was confirmed to be 90 mol%.
1 1 H-NMR (300 MHz, DMSO-d 6 ) δ 3.17 (s, 0.2H, -CH 2- ), 6.6-8.7 (m, 16H, Ar-H), 10.54 ( s, 1.8H, Ar-OH).

また、得られた高分子化合物1の赤外吸収スペクトルを図1に示す。図1から明らかなように、C=O伸縮振動の1722cm−2、およびOH伸縮振動の3080cm−2に吸収ピークが存在することが分かる。 The infrared absorption spectrum of the obtained polymer compound 1 is shown in FIG. As apparent from FIG. 1, it can be seen that the absorption peak at 3080cm -2 of 1722 cm -2, and OH stretching vibration of C = O stretching vibration is present.

(実施例2)
還流冷却器を連結したコック付き水分定量受器、温度計、および攪拌器を備えたセパラブルフラスコに、1,3−ジヒドロ−1、3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン−1,4−フェニレンエステル 67.4g(50モル%)、メチレンビスアミノ安息香酸 2.1g(2.5モル%)、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン 51.1g(47.5モル%)、およびN−メチル−2−ピロリドン 540gを加え、室温(25℃)で20時間反応させた。さらに、トルエン200gを反応溶液に加え、オイルバスを用いて内温が145℃になるまで加熱し、トルエン−水の共沸脱水反応を5時間行った。このようにして得られた反応溶液をメタノールに添加し、再沈殿およびろ過を行い、得られた白色固体を、減圧下、60℃で10時間乾燥させることで、102.5gの高分子化合物(ポリイミド樹脂)2を得た。
(Example 2)
1,3-Dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic-1,4-phenylene in a separable flask equipped with a water meter with a cock connected to a reflux condenser, a thermometer, and a stirrer. Ester 67.4 g (50 mol%), methylene bisaminobenzoic acid 2.1 g (2.5 mol%), 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane 51.1 g (47. 5 mol%) and 540 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added and reacted at room temperature (25 ° C.) for 20 hours. Further, 200 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated to an internal temperature of 145 ° C. using an oil bath, and an azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained was added to methanol, reprecipitated and filtered, and the obtained white solid was dried under reduced pressure at 60 ° C. for 10 hours to obtain 102.5 g of a polymer compound (12.5 g). Polyimide resin) 2 was obtained.

実施例1と同様にして測定した高分子化合物2の分子量は、ポリスチレン換算で、重量平均分子量(Mw)が58800、数平均分子量(Mn)が12400、Mw/Mn=4.76であった。 The molecular weight of the polymer compound 2 measured in the same manner as in Example 1 was 58800 in terms of polystyrene, weight average molecular weight (Mw) was 58800, number average molecular weight (Mn) was 12400, and Mw / Mn = 4.76.

また、得られた高分子化合物2のH−NMRの化学シフトは、以下の通りであり、カルボキシル基を有する繰り返し単位の含有量は5モル%であり、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の含有量は95モル%であることを確認した。
H−NMR(300MHz、DMSO−d)δ 3.17(s,0.1H、−CH−)、6.6−8.7(m、16H、Ar−H)、10.54(s、1.9H、Ar−OH)。
The chemical shift of 1 H-NMR of the obtained polymer compound 2 is as follows, the content of the repeating unit having a carboxyl group is 5 mol%, and the content of the repeating unit having a phenolic hydroxyl group is contained. The amount was confirmed to be 95 mol%.
1 1 H-NMR (300 MHz, DMSO-d 6 ) δ 3.17 (s, 0.1H, -CH 2- ), 6.6-8.7 (m, 16H, Ar-H), 10.54 ( s, 1.9H, Ar-OH).

また、得られた高分子化合物2の赤外吸収スペクトルを図2に示す。図2から明らかなように、C=O伸縮振動の1718cm−2、およびOH伸縮振動の3092cm−2に吸収ピークが存在することが分かる。 The infrared absorption spectrum of the obtained polymer compound 2 is shown in FIG. As apparent from FIG. 2, it can be seen that the absorption peak at 3092cm -2 of 1718 cm -2, and OH stretching vibration of C = O stretching vibration is present.

(比較例1)
還流冷却器を連結したコック付き水分定量受器、温度計、および攪拌器を備えたセパラブルフラスコに、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート 63.4g(50モル%)、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン 56.6g(50モル%)、およびN−メチル−2−ピロリドン 540gを加え、室温(25℃)で20時間反応させた。さらに、トルエン200gを反応溶液に加え、オイルバスを用いて内温が145℃になるまで加熱し、トルエン−水の共沸脱水反応を5時間行った。このようにして得られた反応溶液をメタノールに添加し、再沈殿およびろ過を行い、得られた白色固体を、減圧下、60℃で10時間乾燥させることで、92.0gのカルボキシル基を有する繰り返し単位を含まない高分子化合物(ポリイミド樹脂)3を得た。
(Comparative Example 1)
In a separable flask equipped with a water meter with a cock connected to a reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, 63.4 g (50 mol%) of ethylene glycol bisamhydrotrimeritate, 2,2-bis ( 56.6 g (50 mol%) of 3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 540 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added, and the mixture was reacted at room temperature (25 ° C.) for 20 hours. Further, 200 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated to an internal temperature of 145 ° C. using an oil bath, and an azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained is added to methanol, reprecipitated and filtered, and the obtained white solid is dried under reduced pressure at 60 ° C. for 10 hours to have 92.0 g of carboxyl groups. A polymer compound (polyimide resin) 3 containing no repeating unit was obtained.

実施例1と同様にして測定した高分子化合物3の分子量は、ポリスチレン換算で、重量平均分子量(Mw)が40200、数平均分子量(Mn)が16300、Mw/Mn=2.47であった。 The molecular weight of the polymer compound 3 measured in the same manner as in Example 1 was 40200 in terms of polystyrene, weight average molecular weight (Mw) was 40200, number average molecular weight (Mn) was 16300, and Mw / Mn = 2.47.

(比較例2)
還流冷却器を連結したコック付き水分定量受器、温度計、および攪拌器を備えたセパラブルフラスコに、1,3−ジヒドロ−1、3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステル 55.6g(50モル%)、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン 44.4g(50モル%)、およびN−メチル−2−ピロリドン 450gを加え、室温(25℃)で20時間反応させた。さらに、トルエン180gを反応溶液に加え、オイルバスを用いて内温が145℃になるまで加熱し、トルエン−水の共沸脱水反応を5時間行った。このようにして得られた反応溶液をメタノールに添加し、再沈殿およびろ過を行い、得られた白色固体を、減圧下、60℃で10時間乾燥させることで、91.5gのカルボキシル基を有する繰り返し単位を含まない高分子化合物(ポリイミド樹脂)4を得た。
(Comparative Example 2)
1,3-Dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4- 55.6 g (50 mol%) of phenylene ester, 44.4 g (50 mol%) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, and 450 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added. The reaction was carried out at room temperature (25 ° C.) for 20 hours. Further, 180 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated to an internal temperature of 145 ° C. using an oil bath, and an azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained is added to methanol, reprecipitated and filtered, and the obtained white solid is dried under reduced pressure at 60 ° C. for 10 hours to have 91.5 g of carboxyl groups. A polymer compound (polyimide resin) 4 containing no repeating unit was obtained.

実施例1と同様にして測定した高分子化合物4の分子量は、ポリスチレン換算で、重量平均分子量(Mw)が160000、数平均分子量(Mn)が34500、Mw/Mn=4.64であった。 The molecular weights of the polymer compound 4 measured in the same manner as in Example 1 were a weight average molecular weight (Mw) of 160000, a number average molecular weight (Mn) of 34500, and Mw / Mn = 4.64 in terms of polystyrene.

(比較例3)
還流冷却器を連結したコック付き水分定量受器、温度計、および攪拌器を備えたセパラブルフラスコに、1,3−ジヒドロ−1、3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステル 67.4g(50モル%)、メチレンビスアミノ安息香酸 21.0g(25モル%)、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン 26.9g(25モル%)、およびN−メチル−2−ピロリドン 540gを加え、室温(25℃)で20時間反応させた。さらに、トルエン200gを反応溶液に加え、オイルバスを用いて内温が145℃になるまで加熱し、トルエン−水の共沸脱水反応を5時間行った。このようにして得られた反応溶液をメタノールに添加し、再沈殿およびろ過を行い、得られた白色固体を、減圧下、60℃で10時間乾燥させることで、90.3gのカルボキシル基を有する繰り返し単位の含有量が50モル%であり、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の含有量が50モル%である高分子化合物(ポリイミド樹脂)5を得た。
(Comparative Example 3)
1,3-Dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4- Phenylene ester 67.4 g (50 mol%), methylene bisaminobenzoic acid 21.0 g (25 mol%), 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane 26.9 g (25 mol%) ), And 540 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added and reacted at room temperature (25 ° C.) for 20 hours. Further, 200 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated to an internal temperature of 145 ° C. using an oil bath, and an azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained is added to methanol, reprecipitated and filtered, and the obtained white solid is dried under reduced pressure at 60 ° C. for 10 hours to have 90.3 g of carboxyl groups. A polymer compound (polygonide resin) 5 having a repeating unit content of 50 mol% and a repeating unit having a phenolic hydroxyl group having a content of 50 mol% was obtained.

実施例1と同様にして測定した高分子化合物5の分子量は、ポリスチレン換算で、重量平均分子量(Mw)が58800、数平均分子量(Mn)が5400、Mw/Mn=10.84であった。 The molecular weight of the polymer compound 5 measured in the same manner as in Example 1 was 58800 in terms of polystyrene, weight average molecular weight (Mw) was 58800, number average molecular weight (Mn) was 5400, and Mw / Mn = 10.84.

(比較例4)
還流冷却器を連結したコック付き水分定量受器、温度計、および攪拌器を備えたセパラブルフラスコに、1,3−ジヒドロ−1、3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステル 67.4g(50モル%)、メチレンビスアミノ安息香酸 42.0g(50モル%)、およびN−メチル−2−ピロリドン 540gを加え、室温(25℃)で20時間反応させた。さらに、トルエン200gを反応溶液に加え、オイルバスを用いて内温が145℃になるまで加熱し、トルエン−水の共沸脱水反応を5時間行った。このようにして得られた反応溶液をメタノールに添加し、再沈殿およびろ過を行い、得られた白色固体を、減圧下、60℃で10時間乾燥させることで、90.6gのフェノール性水酸基を含まない高分子化合物(ポリイミド樹脂)6を得た。しかし、得られた高分子化合物6は、有機溶媒に不溶だったため、分子量の測定およびポジ型感光性樹脂組成物の調製を行うことができなかった。
(Comparative Example 4)
1,3-Dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4- 67.4 g (50 mol%) of phenylene ester, 42.0 g (50 mol%) of methylenebisaminobenzoic acid, and 540 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added, and the mixture was reacted at room temperature (25 ° C.) for 20 hours. Further, 200 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated to an internal temperature of 145 ° C. using an oil bath, and an azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained was added to methanol, reprecipitated and filtered, and the obtained white solid was dried under reduced pressure at 60 ° C. for 10 hours to obtain 90.6 g of phenolic hydroxyl groups. A polymer compound (polyimide resin) 6 not contained was obtained. However, since the obtained polymer compound 6 was insoluble in an organic solvent, it was not possible to measure the molecular weight and prepare a positive photosensitive resin composition.

(組成物の調製)
上記で合成した高分子化合物1〜5を用い、下記表1に示す処方で、感光性樹脂組成物を調製した。調製は、各成分を25℃で6時間攪拌混合した後、5μmの細孔径を有するろ過膜でろ過して行った。
(Preparation of composition)
Using the polymer compounds 1 to 5 synthesized above, a photosensitive resin composition was prepared according to the formulation shown in Table 1 below. The preparation was carried out by stirring and mixing each component at 25 ° C. for 6 hours and then filtering through a filtration membrane having a pore size of 5 μm.

なお、光酸発生剤、架橋剤、ノボラック樹脂、および界面活性剤は、以下のものを使用した。また、下記表1中の「−」は、その成分を使用しなかったことを示す。 The following photoacid generators, cross-linking agents, novolak resins, and surfactants were used. In addition, "-" in Table 1 below indicates that the component was not used.

光酸発生剤:4,4’−(1−{4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル}エチリデン)ビスフェノールの6−ジアゾ−5,6−ジヒドロ−5−オキソ−1−ナフタレンスルホン酸エステル(一般式7の構造であり、Rが一般式5である化合物)、東洋合成工業株式会社製、TS200
架橋剤1:ニカラック(登録商標)MX−270(株式会社三和ケミカル製)
架橋剤2:ニカラック(登録商標)MX−390(株式会社三和ケミカル製)
ノボラック樹脂:クレゾールノボラック樹脂 TR4020G(旭有機材工業株式会社製)
界面活性剤:サーフロン(登録商標)S−141(AGCセイミケミカル株式会社製)
Photoacid generator: 6-diazo-5,6-dihydro-5-oxo of 1- {4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl} ethylidene) bisphenol -1-naphthalene sulfonic acid ester (compound having a structure of general formula 7 and R of general formula 5), manufactured by Toyo Synthetic Industry Co., Ltd., TS200
Crosslinking agent 1: Nicarac (registered trademark) MX-270 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)
Crosslinking agent 2: Nicarac (registered trademark) MX-390 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)
Novolac resin: Cresol Novolac resin TR4020G (manufactured by Asahi Organic Materials Industry Co., Ltd.)
Surfactant: Surflon (registered trademark) S-141 (manufactured by AGC Seimi Chemical Co., Ltd.)

Figure 0006961342
Figure 0006961342

(パターン形成)
上記で得られたポジ型感光性樹脂組成物を、直径200mmの銅メッキ処理したシリコンウェハ(アドバンテック東洋株式会社製、Φ200mm Cu Blanket wafer)またはガラス繊維強化エポキシ多層板(日立化成株式会社製、MCL−E−700G)にスピンコート法で塗布した。塗布後、ホットプレートを用いて、120℃で5分間乾燥を行った。乾燥後、得られた塗膜の上に、テストパターン(15μmのスルーホールおよびラインアンドスペースパターン)が形成されているポジ型フォトマスクを置き、紫外線照射装置(ミカサ製、マスクアライナーM−1S型、超高圧水銀ランプ、250W)を用いて、パターンが得られる照射量で、波長365nmの紫外線を照射した。
(Pattern formation)
A silicon wafer (manufactured by Advantech Toyo Co., Ltd., Φ200 mm Cu Blanket wafer) or a glass fiber reinforced epoxy multilayer plate (manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd., MCL) obtained by subjecting the above-mentioned positive photosensitive resin composition to a copper-plated silicon wafer having a diameter of 200 mm. -E-700G) was applied by a spin coating method. After coating, it was dried at 120 ° C. for 5 minutes using a hot plate. After drying, a positive photomask on which a test pattern (15 μm through hole and line and space pattern) is formed is placed on the obtained coating film, and an ultraviolet irradiation device (Mikasa, mask aligner M-1S type) is placed. , Ultra-high pressure mercury lamp, 250 W) was used to irradiate ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm at an irradiation amount at which a pattern could be obtained.

現像液は、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。この液中(液温25℃)に、上記紫外線照射後の塗布膜を、下記表2に記載の現像時間で浸漬した後、純水で水洗し、ホットプレートで乾燥後、酸素濃度10ppm以下のイナートオーブンを用いて、200℃1時間の加熱処理を行い、パターン硬化膜を得た。得られたパターン硬化膜の膜厚は、10μmであった。 A 2.38% by mass tetramethylammonium hydroxide aqueous solution was used as the developing solution. The coating film after irradiation with ultraviolet rays is immersed in this liquid (liquid temperature 25 ° C.) for the development time shown in Table 2 below, washed with pure water, dried on a hot plate, and has an oxygen concentration of 10 ppm or less. A pattern-cured film was obtained by heat-treating at 200 ° C. for 1 hour using an inert oven. The film thickness of the obtained pattern cured film was 10 μm.

実施例3〜7および比較例5〜7の紫外線照射量および現像時間を、下記表2に示す。 The ultraviolet irradiation amount and development time of Examples 3 to 7 and Comparative Examples 5 to 7 are shown in Table 2 below.

Figure 0006961342
Figure 0006961342

[評価]
(信頼性試験(耐金属腐食性))
高温信頼性試験は、上記のパターン形成で得られた銅メッキ処理したシリコンウェハを、150℃空気環境のオーブン中に放置し、100時間経過後、250時間経過後、500時間経過後、および1000時間終了後のそれぞれで、レジストと銅箔との接触部分の腐食の有無を光学顕微鏡で観察して行った。評価基準は以下の通りであり、△以上であれば実用可能である:
◎:500時間以上放置しても腐食が見られなかった
○:250時間以上500時間未満で腐食が発生した
△:100時間以上250時間未満で腐食が発生した
×:100時間未満で腐食が発生した。
[evaluation]
(Reliability test (metal corrosion resistance))
In the high temperature reliability test, the copper-plated silicon wafer obtained by the above pattern formation was left in an oven in an air environment of 150 ° C., and after 100 hours, 250 hours, 500 hours, and 1000. After the end of the time, the presence or absence of corrosion of the contact portion between the resist and the copper foil was observed with an optical microscope. The evaluation criteria are as follows, and if it is △ or more, it is practical:
⊚: No corrosion was observed even after being left for 500 hours or more. ○: Corrosion occurred in 250 hours or more and less than 500 hours. Δ: Corrosion occurred in 100 hours or more and less than 250 hours. ×: Corrosion occurred in less than 100 hours. bottom.

冷熱衝撃試験は、上記パターン形成と同様の方法で、一辺の長さが2mm、1mm、500ミクロン、200ミクロンのそれぞれの穴型のパターンを作製した銅メッキ処理したシリコンウェハおよびガラス繊維強化エポキシ多層板をそれぞれ、−70℃以上125℃以下の設定ができる冷熱衝撃試験機(エスペック株式会社製、TSA−101S−W)を使用して、−55℃15分間、常温(25℃)15分、125℃15分、常温(25℃)15分を1サイクルとし、100サイクル(100時間経過後)、250サイクル(250時間経過後)、および500サイクル(500時間)終了後のそれぞれで、クラック発生の有無を光学顕微鏡で観察して行った。評価基準は以下の通りであり、○以上であれば実用可能である。なお、銅メッキ処理したシリコンウェハおよびガラス繊維強化エポキシ多層板のクラック発生の傾向は、同様であった:
◎:500時間放置してもクラックが見られなかった
○:250時間以上500時間未満でクラックが発生した
×:250時間未満でクラックが発生した。
The thermal shock test is a copper-plated silicon wafer and a glass fiber reinforced epoxy multilayer in which hole-shaped patterns having side lengths of 2 mm, 1 mm, 500 microns, and 200 microns are produced by the same method as the above pattern formation. Using a thermal shock tester (TSA-101SW manufactured by Espec Co., Ltd.) that can set each plate to -70 ° C or higher and 125 ° C or lower, -55 ° C for 15 minutes, normal temperature (25 ° C) for 15 minutes, Cracks occur after 100 cycles (after 100 hours), 250 cycles (after 250 hours), and 500 cycles (500 hours), respectively, with 125 ° C. for 15 minutes and normal temperature (25 ° C.) for 15 minutes as one cycle. The presence or absence of this was observed with an optical microscope. The evaluation criteria are as follows, and if it is ○ or higher, it is practical. The tendency of cracks to occur in the copper-plated silicon wafer and the glass fiber reinforced epoxy multilayer plate was the same:
⊚: No crack was observed even after being left for 500 hours. ◯: Crack occurred in 250 hours or more and less than 500 hours. ×: Crack occurred in less than 250 hours.

(剥離強度(基板密着性)評価)
上記パターン形成と同様の操作で1mm角のパターンを形成した銅メッキ処理したシリコンウェハ基板を、85℃85%RHの高温高湿槽に100時間放置した。その後、SAICAS(登録商標)DN(ダイプラ・ウィンテス株式会社製)にて、1mm幅のBN刃を使用した切削剥離試験を実施し、剥離強度を求めた。剥離強度は、1.2kgf/cm以上であることが好ましい。
(Evaluation of peel strength (adhesion to substrate))
A copper-plated silicon wafer substrate having a 1 mm square pattern formed by the same operation as the above pattern formation was left in a high-temperature and high-humidity tank at 85 ° C. and 85% RH for 100 hours. Then, a cutting peeling test using a BN blade having a width of 1 mm was carried out at SAICAS (registered trademark) DN (manufactured by Daipla Wintes Co., Ltd.) to determine the peeling strength. The peel strength is preferably 1.2 kgf / cm or more.

(破断伸び、靭性、線膨張係数、およびガラス転移点測定用の硬化膜の作製)
各実施例および比較例の組成物を、厚さ50μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)フィルム上に塗布し、80℃のホットプレート上で30分間、および130℃空気環境のオーブンで5分間乾燥の後、酸素濃度10ppm以下のイナートオーブンで200℃1時間の加熱処理を行った。これにより組成物の硬化膜(厚さ15μm)を得た。
(Preparation of cured film for measuring elongation at break, toughness, coefficient of linear expansion, and glass transition point)
The compositions of each Example and Comparative Example are applied onto a 50 μm thick polytetrafluoroethylene (PTFE) film and dried on a hot plate at 80 ° C. for 30 minutes and in an oven at 130 ° C. in an air environment for 5 minutes. After that, heat treatment was performed at 200 ° C. for 1 hour in an inert oven having an oxygen concentration of 10 ppm or less. As a result, a cured film (thickness 15 μm) of the composition was obtained.

(破断伸び、靭性の測定)
上記で得られた硬化膜を5mm幅の短冊状に切り、万能試験機(Stable Micro System社製、テクスチャアナライザーTA.TXplus)を用いて、チャック幅20mm、速度0.1mm/秒で引張試験を行い、破断点までの伸び(破断伸び)、および応力ひずみ曲線の下部の面積を測定した。なお、応力ひずみ曲線の下部の面積を、本明細書では靭性と定義する。破断伸びは6%以上10%以下であることが好ましい。また、靭性は6mJ/mm以上10mJ/mm以下であることが好ましい。
(Measurement of elongation at break and toughness)
The cured film obtained above is cut into strips with a width of 5 mm, and a tensile test is performed using a universal testing machine (Texture Analyzer TA.TXplus manufactured by Table Micro System) at a chuck width of 20 mm and a speed of 0.1 mm / sec. Then, the elongation to the breaking point (breaking elongation) and the area at the bottom of the stress-strain curve were measured. The area of the lower part of the stress-strain curve is defined as toughness in this specification. The elongation at break is preferably 6% or more and 10% or less. Further, it is preferable that the toughness is 6 mJ / mm 3 or more 10 mJ / mm 3 or less.

(線膨張係数の測定)
上記で得られた硬化膜を、熱機械分析(TMA)装置(セイコーインスツル株式会社製、EXSTAR6000TMA/SS6100)を用いて、昇温速度10℃/分、常温(25℃)から200℃までの2サイクルで、2サイクル目の50℃以上100℃以下の領域のTMA曲線から線膨張係数を算出した。線膨張係数は、50ppm/℃以下であることが好ましい。
(Measurement of coefficient of linear expansion)
The cured film obtained above was subjected to a thermomechanical analysis (TMA) apparatus (EXSTAR6000TMA / SS6100 manufactured by Seiko Instruments Inc.) at a heating rate of 10 ° C./min and from room temperature (25 ° C.) to 200 ° C. In two cycles, the coefficient of linear expansion was calculated from the TMA curve in the region of 50 ° C. or higher and 100 ° C. or lower in the second cycle. The coefficient of linear expansion is preferably 50 ppm / ° C. or less.

(ガラス転移点の測定)
上記で得られた硬化膜を、動的粘弾性測定(DMA)装置(株式会社日立ハイテクサイエンス製、EXSTAR DMA7100)を用いて、昇温温度5℃/分、23℃から400℃までの温度領域で、貯蔵弾性率(E’)および損失弾性率(E’’)を測定し、これらの比E’’/E’=tanδと定義される損失係数がピーク値をとる温度をガラス転移点と定義して、測定した。
(Measurement of glass transition point)
The cured film obtained above was subjected to a temperature range of 5 ° C./min and 23 ° C. to 400 ° C. using a dynamic elastic modulus measurement (DMA) device (EXSTAR DMA7100, manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.). Then, the storage elastic modulus (E') and the loss elastic modulus (E'') are measured, and the temperature at which the loss coefficient defined as the ratio E'' / E'= tan δ takes a peak value is defined as the glass transition point. Defined and measured.

各物性の評価結果を下記表3に示す。 The evaluation results of each physical property are shown in Table 3 below.

Figure 0006961342
Figure 0006961342

上記表2および表3から明らかなように、実施例3〜7のポジ型感光性樹脂組成物は、パターン現像性、線膨張係数、基板密着性、靭性、および耐金属腐食性のバランスに優れることが分かる。特に、架橋剤を含む実施例4〜6のポジ型感光性樹脂組成物は、剥離強度(基板密着性)が向上し、ノボラック樹脂を含む実施例6のポジ型感光性樹脂組成物は、現像時間が短縮されていることが分かる。 As is clear from Tables 2 and 3, the positive photosensitive resin compositions of Examples 3 to 7 have an excellent balance of pattern developability, coefficient of linear expansion, substrate adhesion, toughness, and metal corrosion resistance. You can see that. In particular, the positive photosensitive resin compositions of Examples 4 to 6 containing a cross-linking agent have improved peel strength (graft adhesion), and the positive photosensitive resin compositions of Example 6 containing a novolak resin have been developed. You can see that the time is shortened.

一方、比較例5〜7のポジ型感光性樹脂組成物は、特に冷熱衝撃の際の耐金属腐食性が低く、パターン現像性、線膨張係数、基板密着性、靭性、および耐金属腐食性のバランスが低下することが分かる。 On the other hand, the positive photosensitive resin compositions of Comparative Examples 5 to 7 have low metal corrosion resistance especially at the time of thermal impact, and have pattern developability, coefficient of linear expansion, substrate adhesion, toughness, and metal corrosion resistance. It can be seen that the balance is reduced.

Claims (13)

5モル%以上20モル%以下のカルボキシル基を有する繰り返し単位と、
80モル%以上95モル%以下のフェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、
(ただし、カルボキシル基を有する繰り返し単位と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、の合計は100モル%)
を含み、ここで、前記カルボキシル基を有する繰り返し単位は、下記一般式1で表される繰り返し単位であり、
前記フェノール性水酸基を有する繰り返し単位は、下記一般式2で表される繰り返し単位である:
Figure 0006961342

Figure 0006961342

(上記一般式1及び一般式2中、R は、それぞれ独立して、エーテル結合もしくはエステル結合を含んでもよい炭素数1以上10以下の直鎖状、分枝状、もしくは環状のアルキレン基、又はエーテル結合もしくはエステル結合を含んでもよい炭素数6以上20以下のアリーレン基である)
を含む、ポリイミド樹脂。
Repeating units having a carboxyl group of 5 mol% or more and 20 mol% or less,
Repeating units having 80 mol% or more and 95 mol% or less of phenolic hydroxyl groups,
(However, the total of the repeating unit having a carboxyl group and the repeating unit having a phenolic hydroxyl group is 100 mol%)
Here, the repeating unit having a carboxyl group is a repeating unit represented by the following general formula 1.
The repeating unit having a phenolic hydroxyl group is a repeating unit represented by the following general formula 2.
Figure 0006961342

Figure 0006961342

(In the general formula 1 and the general formula 2, R 1 is a linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, which may independently contain an ether bond or an ester bond. Alternatively, it is an arylene group having 6 to 20 carbon atoms which may contain an ether bond or an ester bond).
Including polyimide resin.
上記一般式1で表されるカルボキシル基を有する繰り返し単位は、下記一般式3で表される繰り返し単位であり、
上記一般式2で表されるフェノール性水酸基を有する繰り返し単位は、下記一般式4で表される繰り返し単位である、請求項1に記載のポリイミド樹脂。
Figure 0006961342

Figure 0006961342
The repeating unit having a carboxyl group represented by the above general formula 1 is a repeating unit represented by the following general formula 3.
The polyimide resin according to claim 1, wherein the repeating unit having a phenolic hydroxyl group represented by the general formula 2 is a repeating unit represented by the following general formula 4.
Figure 0006961342

Figure 0006961342
重量平均分子量が40000以上である、請求項1又は2に記載のポリイミド樹脂。 The polyimide resin according to claim 1 or 2, wherein the weight average molecular weight is 40,000 or more. 請求項1〜3のいずれか1項に記載のポリイミド樹脂と、
前記ポリイミド樹脂100質量部に対して、1質量部以上50質量部以下の光酸発生剤と、
を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。
The polyimide resin according to any one of claims 1 to 3 and
With respect to 100 parts by mass of the polyimide resin, 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less of a photoacid generator
A positive photosensitive resin composition containing.
前記光酸発生剤は、下記一般化学式5〜10で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種である、請求項4に記載のポジ型感光性樹脂組成物:
Figure 0006961342

上記一般式5〜10中、Rは、それぞれ独立して、水素原子、下記一般式11で表される基、又は下記一般式12で表される基である。
Figure 0006961342
The positive photosensitive resin composition according to claim 4, wherein the photoacid generator is at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following general chemical formulas 5 to 10.
Figure 0006961342

In the above general formulas 5 to 10, R is independently a hydrogen atom, a group represented by the following general formula 11, or a group represented by the following general formula 12.
Figure 0006961342
前記ポリイミド樹脂100質量部に対して、5質量部以上25質量部以下の架橋剤をさらに含む、請求項4又は5に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 The positive photosensitive resin composition according to claim 4 or 5, further comprising a cross-linking agent of 5 parts by mass or more and 25 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide resin. 前記ポリイミド樹脂100質量部に対して、10質量部以上40質量部以下のノボラック樹脂をさらに含む、請求項4〜6のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 The positive photosensitive resin composition according to any one of claims 4 to 6, further comprising a novolak resin of 10 parts by mass or more and 40 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide resin. 界面活性剤をさらに含む、請求項4〜7のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 The positive photosensitive resin composition according to any one of claims 4 to 7, further comprising a surfactant. プロピレングリコール1−モノメチルエーテル2−アセテート、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、1−メトキシ−2−プロパノール、γ−ブチロラクトン、及びN−メチル−2−ピロリドンからなる群より選択される少なくとも1種の溶媒を含む、請求項4〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 Contains at least one solvent selected from the group consisting of propylene glycol 1-monomethyl ether 2-acetate, cyclopentanone, cyclohexanone, 1-methoxy-2-propanol, γ-butyrolactone, and N-methyl-2-pyrrolidone. , The positive photosensitive resin composition according to any one of claims 4 to 8. 請求項4〜9のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物。 A cured product of the positive photosensitive resin composition according to any one of claims 4 to 9. ガラス転移点が200℃以上350℃以下である、請求項10に記載の硬化物。 The cured product according to claim 10, wherein the glass transition point is 200 ° C. or higher and 350 ° C. or lower. 請求項10又は11に記載の硬化物を含み、膜厚が5μm以上20μm以下である、パターンを有する硬化膜。 A cured film having a pattern, which comprises the cured product according to claim 10 or 11, and has a film thickness of 5 μm or more and 20 μm or less. 銅、アルミ、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、シリコン、窒化シリコン、液晶ポリマー、ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリファニレンスルフィド、及びポリ塩化ビニリデンからなる群より選択される少なくとも1種の材料を含む基板と、
請求項12に記載のパターンを有する硬化膜と、
を備える、プリント配線板。
With a substrate containing at least one material selected from the group consisting of copper, aluminum, titanium nitride, tantalum, tantalum nitride, silicon, silicon nitride, liquid crystal polymer, polyimide, epoxy resin, polyphenylene sulfide, and polyvinylidene chloride. ,
A cured film having the pattern according to claim 12,
A printed wiring board.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7167402B2 (en) * 2018-08-30 2022-11-09 サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. Polyimide resin, photosensitive resin composition, and cured product
JP7230398B2 (en) * 2018-09-26 2023-03-01 東レ株式会社 SACRIFIC LAYER RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELECTRONIC PARTS
KR102337564B1 (en) * 2018-09-28 2021-12-13 삼성에스디아이 주식회사 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
CN111334041B (en) * 2020-03-26 2021-07-23 中国科学院兰州化学物理研究所 Polyimide lubricating material filled with nano titanium nitride and preparation method thereof
CN114181394A (en) * 2020-09-15 2022-03-15 航天特种材料及工艺技术研究所 Low-viscosity polyimide precursor solution and preparation method and application thereof

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1024407A4 (en) 1997-10-13 2004-06-30 Pi R & D Co Ltd Positive photosensitive polyimide composition
JP4078478B2 (en) * 2001-10-30 2008-04-23 株式会社カネカ Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist using the same
JP2006119513A (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Kaneka Corp Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist, and printed wiring board using same
JP2006219581A (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Toray Ind Inc Resin composition and metal-resin composite using the same
WO2007100078A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-07 Pi R & D Co., Ltd. Photosensitive ink composition for screen printing and method of forming positive relief pattern with use thereof
KR20110055683A (en) * 2008-09-22 2011-05-25 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101249686B1 (en) * 2009-07-16 2013-04-05 주식회사 엘지화학 Polyimide and photoresist resin composition comprising therof
JP6294116B2 (en) 2013-03-29 2018-03-14 住友電気工業株式会社 Polyimide precursor resin composition, polyimide resin film, flexible printed wiring board, suspension with circuit, and hard disk drive
KR102224141B1 (en) * 2015-03-11 2021-03-08 도레이 카부시키가이샤 Organic EL display device, and manufacturing method thereof

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