KR20180076327A - Polyimide resin and positive photosensitive resin composition - Google Patents

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Abstract

The present invention provides polyimide resin, which is used as base resin for a positive photosensitive resin composition having excellent balance between pattern development properties, a linear expansion coefficient, substrate adhesion, toughness, and metal corrosion-resistance, and a positive photosensitive resin composition using the polyimide resin. Here, the polyimide resin is able to include: a repetitive unit having a carboxyl group of no less than 5 mole% to no more than 20 mole%; and a repetitive unit having a phenolic hydroxyl group of no less than 80 mole% to no more than 95 mole% (but, the sum of the repetitive unit having the carboxyl group and the repetitive unit having the phenolic hydroxyl group is 100 mole%).

Description

폴리이미드수지 및 포지티브형 감광성 수지조성물{POLYIMIDE RESIN AND POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polyimide resin and a positive photosensitive resin composition,

본 발명은 폴리이미드수지 및 포지티브형 감광성 수지조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a polyimide resin and a positive photosensitive resin composition.

일반적으로 포지티브형 포토레지스트는 수성 알칼리에 가용인 1종의 노볼락형 수지와 알칼리 중에 있어서 이 용해도를 저감하는 감광성 퀴논디아지드를 함유한다. 이 포토레지스트에 자외광을 조사하면, 퀴논디아지드가 광여기하여 카르본산으로 구조변환하고, 노광역에서는 알칼리에 대한 용해도를 증대시킨다. 따라서, 수성 알칼리현상을 행하면, 포지티브형 포토레지스트 릴리프구조가 얻어진다. 포지티브형 포토레지스트는, 본질적으로 높은 화상분해능을 나타내기 때문에, 네가티브형 포토레지스트와 비교했을 때 미세화 프로세스에 유리한 것이 알려져 있다.In general, a positive type photoresist includes one type of novolak type resin soluble in an aqueous alkali and a photosensitive quinone diazide in alkali to reduce the solubility. When the photoresist is irradiated with ultraviolet light, quinonediazide is photoexcited to convert the structure into carboxylic acid, and the solubility of the quinone diazide in alkali is increased in the exposed region. Therefore, when an aqueous alkali development is carried out, a positive photoresist relief structure is obtained. Since the positive photoresist exhibits inherently high image resolution, it is known that the positive photoresist is more advantageous in the miniaturization process than the negative photoresist.

이러한 포지티브형 포토레지스트로부터 형성되는 플렉서블배선판 및 반도체집적회로 등의 층간절연재료에는, 최근, 고밀도화, 고집적화의 관점에서, 종래의 포토레지스트 이상의 패턴현상성이나, 경화후에 영구막으로서 이용가능한 신뢰성이 요구되고 있다.In recent years, from the viewpoints of high density and high integration, there has been a demand for a pattern developing property of a conventional photoresist or a reliability that can be used as a permanent film after curing, in interlayer insulating materials such as a flexible wiring board and a semiconductor integrated circuit formed from such positive type photoresist .

포지티브형 포토레지스트의 예로는, 예를 들어, 특허문헌 1과 같은, 광산발생제와, 이 광산발생제의 존재하에 포지티브형 감광성을 나타낸 용제가용의 폴리이미드를 포함하는, 감광성 폴리이미드 조성물이 있다.As an example of the positive type photoresist, there is a photosensitive polyimide composition comprising a photoacid generator as in Patent Document 1 and a solvent-soluble polyimide exhibiting positive photosensitivity in the presence of the photoacid generator .

국제공개 제99/019771호WO 99/019771

층간절연재료와 같은 용도에 있어서는, 기판을 구성하는 다른 재료와의 선팽창계수의 차이로 인해 발생하는 휨에 견딜 수 있을 만큼의 높은 기계적 강도(인성)가 요구된다. 그러나, 기계적 강도와 패턴현상성에는, 일반적으로 트레이드오프가 존재하고, 이 트레이드오프를 해소하는 것이 요구되고 있었다. 더불어, 층간절연재료는, 금속의 배선에 직접 접촉하므로, 금속부식을 방지하는 효과도 요구되고 있어, 특허문헌 1에 기재된 기술은, 이들 모든 요구를 만족시키는 것은 아니었다.In applications such as interlayer insulating materials, mechanical strength (toughness) is required to withstand bending due to difference in linear expansion coefficient from other materials constituting the substrate. However, in terms of mechanical strength and pattern developability, there is generally a trade-off, and it has been required to solve this trade-off. In addition, since the interlayer insulating material is in direct contact with the metal wiring, an effect of preventing metal corrosion is also required, and the technique described in Patent Document 1 does not satisfy all these requirements.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 패턴현상성, 선팽창계수, 기판밀착성, 인성, 및 내금속부식성의 밸런스가 우수한 포지티브형 감광성 수지조성물의 베이스수지로서 이용되는 폴리이미드수지, 및 이 폴리이미드수지를 이용한 포지티브형 감광성 수지조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances and has as its object to provide a polyimide resin which is used as a base resin of a positive photosensitive resin composition excellent in balance of pattern developability, And to provide a positive photosensitive resin composition using a mid resin.

본 발명자들은, 상기의 과제를 해결하기 위해, 예의연구를 행하였다. 그 결과, 폴리이미드수지, 그리고 이 폴리이미드수지 및 광산발생제를 포함하는 포지티브형 감광성 수지조성물에 의해, 상기 과제를 해결하는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.In order to solve the above problems, the present inventors conducted intensive studies. As a result, it has been found that the above problems can be solved by a polyimide resin, a positive photosensitive resin composition containing the polyimide resin and a photoacid generator, and the present invention has been accomplished.

즉, 본 발명은, 5몰% 이상 20몰% 이하의 카르복실기를 갖는 반복단위와, 80몰% 이상 95몰% 이하의 페놀성 수산기를 갖는 반복단위(단, 카르복실기를 갖는 반복단위와, 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 합계는 100몰%)를 포함하는, 폴리이미드수지에 관한 것이다That is, the present invention relates to a resin composition comprising a repeating unit having a carboxyl group of 5 mol% or more and 20 mol% or less and a repeating unit having a phenolic hydroxyl group of 80 mol% or more and 95 mol% or less (provided that a repeating unit having a carboxyl group, And the sum of the repeating units having a hydroxyl group is 100 mol%).

또한, 본 발명은, 이 폴리이미드수지와, 상기 폴리이미드수지 100질량부에 대하여, 1질량부 이상 50질량부 이하의 광산발생제를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지조성물에 관한 것이다.The present invention also relates to a positive photosensitive resin composition comprising the polyimide resin and a photoacid generator in an amount of 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polyimide resin.

본 발명에 따르면, 패턴현상성, 선팽창계수, 기판밀착성, 인성, 및 내금속부식성의 밸런스가 우수한 포지티브형 감광성 수지조성물의 베이스수지로서 이용되는 폴리이미드수지, 및 이 폴리이미드수지를 이용한 포지티브형 감광성 수지조성물이 제공된다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a polyimide resin which is used as a base resin of a positive photosensitive resin composition excellent in balance of pattern developability, linear expansion coefficient, substrate adhesion, toughness and metal corrosion resistance, and a positive photosensitive A resin composition is provided.

도 1은 실시예 1에서 얻어진 고분자 화합물 1의 적외선 흡수 스펙트럼이다.
도 2는 실시예 2에서 얻어진 고분자 화합물 2의 적외선 흡수 스펙트럼이다.
Fig. 1 is an infrared absorption spectrum of Polymer Compound 1 obtained in Example 1. Fig.
2 is an infrared absorption spectrum of Polymer Compound 2 obtained in Example 2. Fig.

이하, 본 발명의 실시의 형태에 대하여 설명하나, 이하의 형태만으로 한정되지 않는다. 또한, 특기하지 않는 한, 조작 및 물성 등의 측정은 실온(20℃ 이상 25℃ 이하)/상대습도 40%RH 이상 60%RH 이하의 조건으로 행한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described, but the present invention is not limited to the following embodiments. Unless otherwise noted, the operations and physical properties are measured at room temperature (20 DEG C or higher and 25 DEG C or lower) / relative humidity 40% RH or higher and 60% RH or lower.

본 발명은, 5몰% 이상 20몰% 이하의 카르복실기를 갖는 반복단위와, 80몰% 이상 95몰% 이하의 페놀성 수산기를 갖는 반복단위(단, 카르복실기를 갖는 반복단위와, 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 합계는 100몰%)를 포함하는, 폴리이미드수지에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition containing a repeating unit having a carboxyl group of 5 mol% or more and 20 mol% or less and a repeating unit having a phenolic hydroxyl group of 80 mol% or more and 95 mol% or less (provided that a repeating unit having a carboxyl group, And the total of the repeating units contained is 100 mol%).

또한, 본 발명은, 이 폴리이미드수지와, 상기 폴리이미드수지 100질량부에 대하여, 1질량부 이상 50질량부 이하의 광산발생제를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지조성물에 관한 것이다.The present invention also relates to a positive photosensitive resin composition comprising the polyimide resin and a photoacid generator in an amount of 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polyimide resin.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 폴리이미드수지 및 포지티브형 감광성 수지조성물은, 패턴현상성, 선팽창계수, 기판밀착성, 인성, 및 내금속부식성의 밸런스가 우수하다. 또한, 이 포지티브형 감광성 수지조성물로부터 얻어지는 경화막은, 패턴현상성, 선팽창계수, 기판밀착성, 인성, 및 내금속부식성의 밸런스가 우수한 것이 된다.The polyimide resin and the positive photosensitive resin composition of the present invention having such a structure are excellent in balance of pattern development property, linear expansion coefficient, substrate adhesion property, toughness and metal corrosion resistance. In addition, the cured film obtained from the positive photosensitive resin composition is excellent in balance of pattern developability, linear expansion coefficient, substrate adhesion, toughness and metal corrosion resistance.

어째서, 본 발명의 폴리이미드수지 및 포지티브형 감광성 수지조성물에 의해 상기 효과가 얻어지는 이유의 상세는 불명하나, 분자량이 낮아도 폴리이미드수지의 분자간의 수소결합에 의해, 비교적 약한 가교구조가 형성되어 기계적 특성이 향상되는 것과, 카르복실기를 갖는 것에 의해 알칼리현상성이 향상되는 것에 의한 것으로 생각된다. 한편, 이 이유는 추측에 의한 것이며, 본 발명은 본 이유로 전혀 제한되는 것은 아니다.The reason why the effects are obtained by the polyimide resin and the positive photosensitive resin composition of the present invention is unknown. However, even if the molecular weight is low, a relatively weak crosslinking structure is formed due to hydrogen bonding between the molecules of the polyimide resin, And that the alkali developability is improved by having a carboxyl group. On the other hand, this reason is based on speculation, and the present invention is not limited at all for this reason.

이하, 본 발명의 폴리이미드수지, 및 포지티브형 감광성 수지조성물의 구성성분에 대하여 상세히 설명한다. 한편, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지조성물을, 간단히 조성물이라고도 칭한다.Hereinafter, the constituent components of the polyimide resin and the positive photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail. On the other hand, the positive photosensitive resin composition of the present invention is also simply referred to as a composition.

[폴리이미드수지] [Polyimide resin]

본 발명의 폴리이미드수지는, 5몰% 이상 20몰% 이하의 카르복실기를 갖는 반복단위와, 80몰% 이상 95몰% 이하의 페놀성 수산기를 갖는 반복단위(단, 카르복실기를 갖는 반복단위와, 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 합계는 100몰%)를 포함한다.The polyimide resin of the present invention contains a repeating unit having a carboxyl group of 5 mol% or more and 20 mol% or less and a repeating unit having a phenolic hydroxyl group of 80 mol% or more and 95 mol% or less (provided that the repeating unit having a carboxyl group, And the total of the repeating units having a phenolic hydroxyl group is 100 mol%).

카르복실기를 갖는 반복단위의 함유량이, 5몰% 미만인 경우, 패턴현상성, 인성 및 내금속부식성 중 적어도 하나가 저하된다. 한편, 20몰%를 초과하는 경우, 내금속부식성이 저하되고, 또한 용매 등에 녹기 어려워짐으로써, 목적으로 하는 포지티브형 감광성 수지조성물을 제작하지 못하는 경우가 있다.When the content of the carboxyl group-containing repeating unit is less than 5 mol%, at least one of the pattern developing property, toughness and metal corrosion resistance is lowered. On the other hand, when it exceeds 20 mol%, the metal corrosion resistance is lowered and it is difficult to dissolve in solvents and the like, so that the desired positive photosensitive resin composition may not be produced.

카르복실기를 갖는 반복단위의 함유량은, 바람직하게는 5몰% 이상 13몰% 이하이며, 보다 바람직하게는 5몰% 이상 10몰% 이하이다(단, 카르복실기를 갖는 반복단위와, 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 합계는 100몰%).The content of the carboxyl group-containing repeating unit is preferably 5 mol% or more and 13 mol% or less, and more preferably 5 mol% or more and 10 mol% or less (provided that the repeating unit having a carboxyl group and the repeating unit having a phenolic hydroxyl group The total of repeating units is 100 mol%).

또한, 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 함유량이 80몰% 미만인 경우, 내금속부식성이 저하되고, 또한 용매 등에 녹기 어려워짐으로써, 목적으로 하는 포지티브형 감광성 수지조성물을 제작하지 못하는 경우가 있다. 한편, 95몰%를 초과하는 경우, 패턴현상성, 인성 및 내금속부식성이 저하된다.In addition, when the content of the repeating unit having a phenolic hydroxyl group is less than 80 mol%, the metal corrosion resistance is lowered, and it is difficult to dissolve in a solvent or the like, so that a desired positive photosensitive resin composition may not be produced. On the other hand, when it exceeds 95 mol%, the pattern developability, toughness and metal corrosion resistance deteriorate.

페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 함유량은, 바람직하게는 87몰% 이상 95몰% 이하이며, 보다 바람직하게는 90몰% 이상 95몰% 이하이다(단, 카르복실기를 갖는 반복단위와, 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 합계는 100몰%).The content of the repeating unit having a phenolic hydroxyl group is preferably 87 mol% or more and 95 mol% or less, and more preferably 90 mol% or more and 95 mol% or less (provided that the repeating unit having a carboxyl group and the phenolic hydroxyl group Is 100 mol%).

한편, 카르복실기를 갖는 반복단위의 함유량 및 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 함유량은, 최종적으로 얻어지는 폴리이미드수지를, 1H-NMR, IR 등으로 분석함으로써 산출할 수 있다.On the other hand, the content of the repeating unit having a carboxyl group and the content of the repeating unit having a phenolic hydroxyl group can be calculated by analyzing the finally obtained polyimide resin by 1 H-NMR or IR.

본 발명의 폴리이미드수지 중의 전체반복단위에 대하여, 상기 카르복실기를 갖는 반복단위 및 상기 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 합계량은, 70몰% 이상 100몰% 이하인 것이 바람직하고, 80몰% 이상 100몰% 이하인 것이 보다 바람직하고, 90몰% 이상 100몰% 이하인 것이 바람직하다.The total amount of the repeating unit having a carboxyl group and the repeating unit having a phenolic hydroxyl group in the polyimide resin of the present invention is preferably from 70 mol% to 100 mol%, more preferably from 80 mol% to 100 mol% Or less, more preferably 90 mol% or more and 100 mol% or less.

상기의 카르복실기를 갖는 반복단위는, 하기 일반식 1로 표시되는 반복단위인 것이 바람직하고, 상기 페놀성 수산기를 포함하는 반복단위는, 하기 일반식 2로 표시되는 반복단위인 것이 바람직하다.The repeating unit having a carboxyl group is preferably a repeating unit represented by the following general formula (1), and the repeating unit containing a phenolic hydroxyl group is preferably a repeating unit represented by the following general formula (2).

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 일반식 1 및 일반식 2 중, R1은, 각각 독립적으로, 에테르결합 혹은 에스테르결합을 포함할 수도 있는 탄소수 1 이상 10 이하의 직쇄상, 분지상, 혹은 환상의 알킬렌기, 또는 에테르결합 혹은 에스테르결합을 포함할 수도 있는 탄소수 6 이상 20 이하의 아릴렌기이다.In the general formulas (1) and (2), R 1 represents, independently of each other, a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 10 carbon atoms which may contain an ether bond or an ester bond, An arylene group having 6 to 20 carbon atoms which may contain an ester bond.

탄소수 1 이상 10 이하의 직쇄상, 분지상, 또는 환상의 알킬렌기의 예로는, 예를 들어 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, n-부틸렌기, 2-메틸프로필렌기, 펜틸렌기, 2,2-디메틸프로필렌기, 2-에틸프로필렌기, n-헥실렌기, n-헵틸렌기, n-옥틸렌기, 2-에틸헥실렌기, 노닐렌기, 데실렌기, 시클로프로필렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 메틸시클로헥실렌기, 디메틸시클로헥실렌기, 시클로헵틸렌기, 1-에틸시클로펜틸렌기, 시클로옥틸렌기, 시클로노닐렌기, 시클로데실렌기, 비시클로데실렌기, 노보닐렌기, 시클로헥산디메틸렌기를 들 수 있다.Examples of the straight chain, branched or cyclic alkylene group having 1 to 10 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an n-butylene group, a 2-methylpropylene group, N-hexylene group, n-octylene group, 2-ethylhexylene group, nonylene group, decylene group, cyclopentylene group, cyclopentylene group , A cyclohexylene group, a methylcyclohexylene group, a dimethylcyclohexylene group, a cycloheptylene group, a 1-ethylcyclopentylene group, a cyclooctylene group, a cyclononylene group, a cyclodecylene group, a bicyclodesylene group, And a cyclohexanedimethylene group.

탄소수 6 이상 20 이하의 아릴렌기의 예로는, 예를 들어, 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프틸렌기, 터페닐렌기, 안트라닐렌기 등을 들 수 있다.Examples of the arylene group having 6 to 20 carbon atoms include, for example, phenylene group, biphenylene group, naphthylene group, terphenylene group and anthranylene group.

상기의 알킬렌기 및 아릴렌기는, 에테르결합 또는 에스테르결합을 포함할 수도 있다. 에테르결합 또는 에스테르결합을 포함하는 알킬렌기 또는 아릴렌기의 예로는, 하기 식으로 표시되는 기를 들 수 있다. 하기 식 중, Ph'는 페닐렌기를 나타낸다.The alkylene group and the arylene group may contain an ether bond or an ester bond. Examples of the alkylene group or the arylene group containing an ether bond or an ester bond include groups represented by the following formulas. In the following formulas, Ph 'represents a phenylene group.

Figure pat00003
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본 발명의 효과를 보다 한층 향상시킨다는 관점에서, 상기 일반식 1로 표시되는 카르복실기를 갖는 반복단위는, 하기 일반식 3으로 표시되는 반복단위이며, 상기 일반식 2로 표시되는 페놀성 수산기를 갖는 반복단위는, 하기 일반식 4로 표시되는 반복단위인 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the effect of the present invention, the repeating unit having a carboxyl group represented by the general formula (1) is a repeating unit represented by the following general formula (3) and is a repeating unit having a phenolic hydroxyl group represented by the general formula The unit is preferably a repeating unit represented by the following general formula (4).

Figure pat00004
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Figure pat00005
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상기 일반식 3으로 표시되는 반복단위는, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카르본산-1,4-페닐렌에스테르와, 메틸렌비스아미노안식향산을 반응시켜 얻어지는 구조를 갖는다. 또한, 상기 일반식 4로 표시되는 반복단위는, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카르본산-1,4-페닐렌에스테르와, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판을 반응시켜 얻어지는 구조를 갖는다.The repeating unit represented by the general formula (3) is preferably a repeating unit obtained by reacting 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofuranocarboxylic acid-1,4-phenylene ester with methylenebisaminobenzoic acid Structure. The repeating unit represented by the general formula (4) can be obtained by reacting 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester with 2,2- 3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane.

본 발명의 폴리이미드수지의 제조방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 테트라카르본산이무수물과, 카르복실기를 함유하는 디아민 화합물 및 페놀성 수산기를 함유하는 디아민 화합물을 반응(중축합)시킴으로써 얻을 수 있다.The method for producing the polyimide resin of the present invention is not particularly limited. For example, tetracarboxylic acid can be obtained by reacting an anhydride with a diamine compound containing a carboxyl group and a diamine compound containing a phenolic hydroxyl group (polycondensation).

보다 구체적으로는, 테트라카르본산이무수물과, 카르복실기를 함유하는 디아민 화합물, 페놀성 수산기를 함유하는 디아민 화합물, 및 필요에 따라 카르복실기 및 페놀성 수산기를 함유하지 않는 다른 디아민 화합물(이하, 이들 화합물을 모노머라고 하기도 함)을 반응시켜, 폴리이미드전구체를 얻은 후, 얻어진 폴리이미드전구체를 이미드화하여 폴리이미드수지를 합성하는 방법(방법A)이나, 테트라카르본산이무수물과 상기 디아민 화합물로부터, 직접, 폴리이미드수지를 합성하는 법(방법B) 등을 들 수 있다.More specifically, the tetracarboxylic acid includes an anhydride, a diamine compound containing a carboxyl group, a diamine compound containing a phenolic hydroxyl group, and, if necessary, other diamine compounds containing no carboxyl group and phenolic hydroxyl group (Method A) in which a polyimide precursor is obtained by reacting a tetracarboxylic acid anhydride with a diamine compound (hereinafter also referred to as a monomer) to obtain a polyimide precursor and then imidizing the obtained polyimide precursor (Method A) And a method of synthesizing a polyimide resin (Method B).

테트라카르본산이무수물의 예로는, 예를 들어, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르본산이무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르본산이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르본산이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르본산이무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르본산이무수물, 3,3'-옥시디프탈산이무수물, 4,4'-옥시디프탈산이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)설폰이무수물, 비시클로[2,2,2]옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르본산이무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르본산이무수물, 5,5'-메틸렌-비스(안트라닐릭애씨드), 피로멜리트산이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판이무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄이무수물, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카르본산-1,4-페닐렌에스테르, 4-(2,5-디옥소테트라하이드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌-1,2-디카르본산무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르본산이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르본산이무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르본산이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르본산이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판이무수물, 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)헥사플루오로프로판이무수물, 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시벤조일옥시)페닐)헥사플루오로프로판이무수물, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)비페닐이무수물, 시클로부탄테트라카르본산이무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르본산이무수물, 2,3,5,6-시클로헥산테트라카르본산이무수물, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-프라닐)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르본산이무수물 등을 들 수 있다.Examples of the tetracarboxylic acid dianhydride include, for example, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2 , 2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'-benzophenonetetracarboxylic acid Oxydiphthalic acid dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bicyclo [2,2,2] octo- Tetraacetic acid dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid dianhydride, 5,5'-methylene-bis (anthranilic acid), pyromellitic acid (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,1-bis (3,4-di (tert-butyldicyclohexylphenyl) propane dianhydride, 2,2- Bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, this (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester , 4- (2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl) -1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride, 1,2,5,6-naphthalene tetra Carboxylic acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,5,6-pyridine tetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylene tetracarboxylic dianhydride Bis (4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2- , Bis (4- (3,4-dicarboxybenzoyloxy) phenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'- Dicarboxyphenoxy) biphenyl dianhydride, cyclobutane tetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-cyclohexane La-carboxylic acid are anhydrides, 5- (2,5-dioxo-tetrahydro-3-plastic carbonyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid include the anhydrides and the like.

이들 테트라카르본산이무수물은, 단독으로도 또는 2종 이상 혼합해도 이용할 수 있다.These tetracarboxylic acid dianhydrides may be used alone or in combination of two or more.

이들 테트라카르본산이무수물 중에서도, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카르본산-1,4-페닐렌에스테르가 바람직하다.Of these tetracarboxylic acid dianhydrides, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester is preferable.

카르복실기를 함유하는 디아민 화합물의 예로는, 예를 들어, 메틸렌비스아미노안식향산, 2,5-디아미노안식향산, 3,5-디아미노안식향산, 4,4'-(3,3'-디카르복시)디아미노비페닐, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐에테르 등을 들 수 있다. 이들 카르복실기를 함유하는 디아민 화합물은, 단독으로도 또는 2종 이상 혼합해도 이용할 수 있다.Examples of the diamine compound containing a carboxyl group include, for example, methylene bisaminobenzoic acid, 2,5-diamino benzoic acid, 3,5-diamino benzoic acid, 4,4 '- (3,3'-dicarboxy) Minibiphenyl, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenyl ether, and the like. These diamine compounds containing carboxyl groups may be used alone or in combination of two or more.

이들 카르복실기를 함유하는 디아민 화합물 중에서도, 메틸렌비스아미노안식향산이 바람직하다.Of these diamine compounds containing carboxyl groups, methylene bisaminobenzoic acid is preferred.

페놀성 수산기를 함유하는 디아민 화합물의 예로는, 예를 들어, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시비페닐, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시디페닐설폰, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시디페닐설폰, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)프로판, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시벤조페논, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시디페닐에테르, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시디페닐에테르, 1,4-디아미노-2,5-디하이드록시벤젠, 1,3-디아미노-2,4-디하이드록시벤젠, 및 1,3-디아미노-4,6-디하이드록시벤젠 등을 들 수 있다. 이들 페놀성 수산기를 함유하는 디아민 화합물은, 단독으로도 또는 2종 이상 혼합해도 이용할 수 있다.Examples of the diamine compound containing a phenolic hydroxyl group include 3,3'-dihydroxybenzidine, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'- Diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylsulfone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxy (3-amino-4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2- Amino-3-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, -Amino-3-hydroxyphenyl) propane, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybenzophenone, 4 , 4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl ether, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 1,4-diamino- Dihydroxybenzene, 1,3-di And the like can be furnace-2,4-dihydroxy-benzene, and 1,3-diamino-4,6-dihydroxy-benzene. These diamine compounds containing a phenolic hydroxyl group may be used singly or in combination of two or more.

이들 페놀성 수산기를 함유하는 디아민 화합물 중에서도, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판이 바람직하고, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판이 보다 바람직하다.Of these diamine compounds containing a phenolic hydroxyl group, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane is preferable, and 2,2-bis ) Hexafluoropropane is more preferable.

내열성, 내약품성의 향상, 또는 현상성능의 조정 등의 관점에서, 본 발명의 폴리이미드수지는, 상기 카르복실기를 갖는 반복단위 및 페놀성 수산기를 갖는 반복단위 이외에, 카르복실기 및 페놀성 수산기를 갖지 않는 임의의 반복단위를 가지고 있을 수도 있다. 이러한 임의의 반복단위는, 카르복실기 및 페놀성 수산기를 함유하지 않는 다른 디아민 화합물로부터 형성될 수 있다. 이러한 디아민 화합물로는, 예를 들어, 4,4'-디아미노디페닐에테르, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐설파이드, 3,4'-디아미노디페닐설파이드, 4,4'-디아미노디페닐설파이드, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 3,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-디(3-아미노페닐)프로판, 2,2-디(4-아미노페닐)프로판, 2-(3-아미노페닐)-2-(4-아미노페닐)프로판, 2,2-디(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-디(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노페닐)-2-(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 1,1-디(3-아미노페닐)-1-페닐에탄, 1,1-디(4-아미노페닐)-1-페닐에탄, 1-(3-아미노페닐)-1-(4-아미노페닐)-1-페닐에탄, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노벤조일)벤젠, 1,3-비스(4-아미노벤조일)벤젠, 1,4-비스(3-아미노벤조일)벤젠, 1,4-비스(4-아미노벤조일)벤젠, 1,3-비스(3-아미노-α,α-디메틸벤질)벤젠, 1,3-비스(4-아미노-α,α-디메틸벤질)벤젠, 1,4-비스(3-아미노-α,α-디메틸벤질)벤젠, 1,4-비스(4-아미노-α,α-디메틸벤질)벤젠, 1,3-비스(3-아미노-α,α-트리플루오로메틸벤질)벤젠, 1,3-비스(4-아미노-α,α-디트리플루오로메틸벤질)벤젠, 1,4-비스(3-아미노-α,α-디트리플루오로메틸벤질)벤젠, 1,4-비스(4-아미노-α,α-디트리플루오로메틸벤질)벤젠, 2,6-비스(3-아미노페녹시)벤조니트릴, 2,6-비스(3-아미노페녹시)피리딘, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설파이드, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설파이드, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 1,3-비스[4-(3-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 1,3-비스[4-(4-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 1,4-비스[4-(3-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 1,4-비스[4-(4-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 1,3-비스[4-(3-아미노페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(4-아미노페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,4-비스[4-(3-아미노페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,4-비스[4-(4-아미노페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 4,4'-비스[4-(4-아미노페녹시)벤조일]디페닐에테르, 4,4'-비스[4-(4-아미노-α,α-디메틸벤질)페녹시]벤조페논, 4,4'-비스[4-(4-아미노-α,α-디메틸벤질)페녹시]디페닐설폰, 4,4'-비스[4-(4-아미노페녹시)페녹시]디페닐설폰, 3,3'-디아미노-4,4'-디페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디비페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4-페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4-비페녹시벤조페논, 5-아미노-2-(p-아미노페닐)벤조옥사졸, 2,2'-디(p-아미노페닐)-6,6'-비스벤조옥사졸, 2-(4-아미노페닐)-6-아미노벤조옥사졸, N-(4-아미노페닐)-4-아미노벤즈아미드, N,N'-비스(4-아미노페닐)테레프탈아미드, 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트, 2,2'-디메틸비페닐-4,4'-디아민 등을 들 수 있다. 이들 외의 디아민 화합물은, 단독으로도 또는 2종 이상 조합해도 이용할 수 있다.The polyimide resin of the present invention may contain, in addition to the repeating unit having a carboxyl group and the repeating unit having a phenolic hydroxyl group, a repeating unit having a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group, Of repeating units. Such arbitrary repeating units may be formed from other diamine compounds not containing a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group. Examples of such diamine compounds include 4,4'-diaminodiphenyl ether, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'- Diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, , 4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone , 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-di (3-aminophenyl) Di (3-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- , 3-hexafluoropropane, 2,2-di (4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2- -Aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,1-di (3-aminophenyl) - 1- (4-aminophenyl) -1-phenylethane, 1, 3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, Benzene, 1,4-bis (3-aminobenzoyl) benzene, 1,4-bis (4-aminobenzoyl) benzene, ) Benzene, 1,3-bis (3-amino- alpha, alpha -dimethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (3-amino-a, -trifluoromethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (4-amino- alpha, -dimethylbenzyl) benzene, Benzene, 1,4-bis (3-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,4-bis Bis (3-aminophenoxy) benzonitrile, 2,6-bis (3-amyl-α, (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) ] Ketone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (3-aminophenoxy) 4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [4- , 1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) Benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4- (3- (4-aminophenoxy) -?,? - dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) -?,? - dimethylbenzyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] benzophenone, 4,4'-bis [4- Amino- [alpha], [alpha] -dimethylbenzyl) phenoxy] diphenylsulfone, 4,4'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] diphenylsulfone, -Diphenoxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dibiphenoxybenzophenone, 3,3'-diamino-4-phenoxybenzophenone, 3,3'-diamino- (P-aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole, 2- (p-aminophenyl) benzooxazole, Aminophenyl) -4-aminobenzamide, N, N'-bis (4-aminophenyl) terephthalamide, 4-aminophenyl- Ah And the like can be mentioned furnace benzoate, 2,2'-dimethyl-biphenyl-4,4'-diamine. These other diamine compounds may be used alone or in combination of two or more.

방법A(폴리이미드전구체를 이미드화하는 방법)에 있어서, 폴리이미드전구체의 합성방법은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방법을 채용할 수 있다.In Method A (a method of imidizing a polyimide precursor), a method for synthesizing a polyimide precursor is not particularly limited, and a known method can be employed.

예를 들어, 우선, 카르복실기를 함유하는 디아민 화합물 및 페놀성 수산기를 함유하는 디아민 화합물, 그리고 필요에 따라 이용되는 카르복실기 및 페놀성 수산기를 함유하지 않는 다른 디아민 화합물을 용매에 녹여 용액을 얻은 후, 교반하고, 이 용액에, 이용한 디아민 화합물과 실질적으로 당량의, 테트라카르본산이무수물을 서서히 첨가하고, 교반을 계속하여 반응시킴으로써, 폴리이미드전구체의 용액을 얻을 수 있다. 이때의 모노머농도는 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 5질량% 이상 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이상 40질량% 이하이다.For example, first, a diamine compound containing a carboxyl group, a diamine compound containing a phenolic hydroxyl group, and other diamine compounds not containing a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group, which are used as needed, are dissolved in a solvent to obtain a solution, A solution of the polyimide precursor can be obtained by slowly adding a tetracarboxylic acid dianhydride to the solution and a substantially equivalent amount of the diamine compound used and continuing the stirring. The monomer concentration at this time is not particularly limited, but is preferably 5 mass% or more and 50 mass% or less, and more preferably 10 mass% or more and 40 mass% or less.

폴리이미드전구체를 합성할 때에 이용하는 용매는, 모노머 및 폴리이미드전구체를 충분히 용해하는 것이면, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N-메틸카프로락탐, 헥사메틸인산트리아미드 등의 아미드계 용매; 설포란, 디메틸설폭시드, 디메틸설폰, 테트라메틸렌설폰, 디메틸테트라메틸렌설폰 등의 함황계 용매; 크레졸, 페놀, 자일레놀 등의 페놀계 용매; 디에틸렌글리콜디메틸에테르(디글라임), 트리에틸렌글리콜디메틸에테르(트리글라임), 테트라글라임 등의 디글라임계 용매; γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, γ-발레로락톤, ε-카프로락톤, γ-카프로락톤 등의 락톤계 용매; 이소포론, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 3,3,5-트리메틸시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 피리딘, 에틸렌글리콜, 디옥산, 테트라메틸요소 등의 기타 용매; 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독으로도, 또는 2종 이상 혼합해도 이용할 수 있다.The solvent used in synthesizing the polyimide precursor is not particularly limited as long as it can sufficiently dissolve the monomer and the polyimide precursor. For example, amide solvents such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam and hexamethylphosphoric triamide; Sulfone type solvents such as sulfolane, dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, tetramethylene sulfone, and dimethyl tetramethylene sulfone; Phenolic solvents such as cresol, phenol, and xylenol; Diglycidic solvents such as diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), triethylene glycol dimethyl ether (triglyme) and tetraglyme; lactone solvents such as? -butyrolactone,? -valerolactone,? -valerolactone,? -caprolactone and? -caprolactone; Ketone solvents such as isophorone, cyclopentanone, cyclohexanone, and 3,3,5-trimethylcyclohexanone; Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene; Other solvents such as pyridine, ethylene glycol, dioxane, and tetramethylurea; And the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

반응온도는 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 -10℃ 이상 80℃ 이하, 보다 바람직하게는 0℃ 이상 40℃ 이하이다. 또한, 반응시간도 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 0.5시간 이상 150시간 이하, 보다 바람직하게는 3시간 이상 24시간 이하이다.The reaction temperature is not particularly limited, but is preferably -10 ° C to 80 ° C, more preferably 0 ° C to 40 ° C. The reaction time is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 150 hours, more preferably 3 to 24 hours.

얻어진 폴리이미드전구체의 용액은, 폴리이미드전구체를 단리하지 않고, 그대로, 또는 농도를 조정한 후, 다음의 이미드화반응에 제공할 수 있다. 또한, 폴리이미드전구체의 용액을 대량의 물이나 메탄올 등의 빈용매에 적하하고, 폴리이미드전구체를 석출시키고, 이것을 여과, 세정, 건조함으로써, 폴리이미드전구체를 단리할 수도 있다.The solution of the polyimide precursor thus obtained can be supplied to the subsequent imidization reaction without isolation of the polyimide precursor, or after adjustment of the concentration. The polyimide precursor may also be isolated by dropping a solution of the polyimide precursor in a large amount of water or a poor solvent such as methanol, precipitating the polyimide precursor, filtering, washing and drying the polyimide precursor.

폴리이미드전구체를 이미드화하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 공지의 화학이미드화법이나, 열이미드화법을 채용할 수 있다. 그 중에서도, 과도하게 가열할 필요가 없고, 폴리이미드수지의 분자량저하를 억제할 수 있는 점에서, 화학이미드화법이 보다 호적하게 이용된다.The method for imidizing the polyimide precursor is not particularly limited, and for example, a known chemical imidation method or a heat imidation method may be employed. Among them, the chemical imidation method is more advantageously used because it does not need to be heated excessively and the lowering of the molecular weight of the polyimide resin can be suppressed.

화학이미드화법은, 예를 들어, 폴리이미드전구체의 용액을 교반하면서, 이 용액에, 유기산무수물과 유기염기를 적하함으로써 행할 수 있다. 폴리이미드전구체의 용액의 용매로는, 폴리이미드전구체의 합성용 용매로서 나타내는 것과 동일한 것을 들 수 있다. 유기산무수물로는, 무수아세트산, 무수프로피온산, 무수말레산, 무수프탈산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 반응후의 제거가 용이한 것이나, 비용의 관점에서, 무수아세트산이 호적하게 이용된다. 유기산무수물의 사용량은 특별히 제한되지 않으나, 폴리이미드전구체의 이론탈수량의 1당량 이상 10당량 이하가 바람직하고, 2당량 이상 5당량 이하가 보다 바람직하다.The chemical imidation method can be carried out, for example, by dropping an organic acid anhydride and an organic base into the solution while stirring a solution of the polyimide precursor. Examples of the solvent for the solution of the polyimide precursor include the same solvents as the solvent for the synthesis of the polyimide precursor. Examples of the organic acid anhydride include acetic anhydride, propionic anhydride, maleic anhydride, and phthalic anhydride. Among them, acetic anhydride is suitably used from the standpoint of ease of removal after the reaction but from the viewpoint of cost. The amount of the organic acid anhydride to be used is not particularly limited, but is preferably 1 equivalent or more and 10 equivalents or less, and more preferably 2 or more and 5 equivalents or less, of the theoretical dehydration amount of the polyimide precursor.

유기염기로는, 피리딘, 피콜린 등의 복소환식 화합물; 트리에틸아민, N,N-디메틸아닐린 등의 3급아민; 등을 들 수 있다. 유기염기의 사용량은 특별히 제한되지 않으나, 유기산무수물에 대하여 0.1당량 이상 2당량 이하가 바람직하고, 0.2당량 이상 1.5당량 이하가 보다 바람직하다.Examples of the organic base include heterocyclic compounds such as pyridine and picoline; Tertiary amines such as triethylamine and N, N-dimethylaniline; And the like. The amount of the organic base to be used is not particularly limited, but is preferably 0.1 equivalents or more and 2 equivalents or less, more preferably 0.2 equivalents or more and 1.5 equivalents or less, based on the organic acid anhydride.

화학이미드화법의 반응온도는 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 0℃ 이상 130℃ 이하, 보다 바람직하게는 20℃ 이상 110℃ 이하이다. 반응시간도 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 0.5시간 이상 48시간 이하, 보다 바람직하게는 1시간 이상 24시간 이하이다.The reaction temperature of the chemical imidation method is not particularly limited, but is preferably 0 ° C or more and 130 ° C or less, and more preferably 20 ° C or more and 110 ° C or less. The reaction time is not particularly limited, but is preferably 0.5 hour to 48 hours, more preferably 1 hour to 24 hours.

열이미드화법은, 예를 들어, 폴리이미드전구체의 용액을 탈수폐환반응이 일어나는 온도로 가열함으로써 행할 수 있다. 가열할 때는, 최고온도까지 한단계로 승온하는 방법, 다단계로 승온하는 방법 중 어느 것이어도 된다.The thermal imidation method can be performed, for example, by heating a solution of the polyimide precursor to a temperature at which the dehydration ring-closure reaction occurs. When heating, a method of raising the temperature up to one step to the maximum temperature or a method of raising the temperature in multiple steps may be used.

폴리이미드전구체의 용액의 용매로는, 폴리이미드전구체의 합성용 용매로서 나타낸 것과 동일한 것을 들 수 있다. 열이미드화법에 있어서, 반응온도는 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 130℃ 이상 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 300℃ 이상 400℃ 이하이다. 반응시간도 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 0.1시간 이상 24시간 이하, 보다 바람직하게는 0.5시간 이상 5시간 이하이다.Examples of the solvent for the solution of the polyimide precursor include the same solvents as the solvent for the synthesis of the polyimide precursor. In the thermal imidation method, the reaction temperature is not particularly limited, but is preferably 130 deg. C or higher and 450 deg. C or lower, and more preferably 300 deg. C or higher and 400 deg. C or lower. The reaction time is not particularly limited, but is preferably 0.1 hour to 24 hours, more preferably 0.5 hour to 5 hours.

반응은, 진공 중, 질소, 아르곤 등의 불활성 가스 중, 혹은 공기 중에서 행할 수 있다. 반응계내에는, 촉매로서 γ-피콜린 등의 유기염기나, 부생성물인 물을 공비유거하기 위해, 톨루엔이나 자일렌 등을 첨가할 수도 있다.The reaction can be carried out in an inert gas such as nitrogen, argon, or in air or in air. In the reaction system, toluene, xylene, or the like may be added to azeotropically distill an organic base such as? -Picoline or the like as a catalyst or water as a by-product.

또한, 단리한 폴리이미드전구체를, 그대로 가열하여 열이미드화할 수도 있다. 반응온도는 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 200 이상 400 이하, 보다 바람직하게는 250 이상 300 이하이다. 반응시간도 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 0.5시간 이상 48시간 이하, 보다 바람직하게는 1시간 이상 24시간 이하이다.Further, the isolated polyimide precursor may be thermally imidized by heating as it is. The reaction temperature is not particularly limited, but is preferably 200 or more and 400 or less, and more preferably 250 or more and 300 or less. The reaction time is not particularly limited, but is preferably 0.5 hour to 48 hours, more preferably 1 hour to 24 hours.

반응은, 진공 중, 질소, 아르곤 등의 불활성 가스 중, 또는 공기 중에서 행할 수 있는데, 착색을 방지할 수 있는 점에서, 진공 중 또는 불활성 가스 중에서 행하는 것이 바람직하다.The reaction can be carried out in an inert gas such as nitrogen, argon, or air, or in air. From the viewpoint of preventing coloring, the reaction is preferably carried out in a vacuum or an inert gas.

방법B(테트라카르본산이무수물과 디아민으로부터, 직접, 폴리이미드를 합성하는 방법)에 의해 폴리이미드를 합성하는 경우, 예를 들어, 방법A에 있어서의 폴리이미드전구체의 합성방법의 반응조건을 바꿈으로써, 테트라카르본산이무수물과 디아민 화합물로부터, 직접, 폴리이미드를 합성할 수 있다.When the polyimide is synthesized by the method B (a method of synthesizing a polyimide directly from an anhydride and a diamine of tetracarboxylic acid), for example, the reaction conditions of the method for synthesizing the polyimide precursor in the method A are changed , A polyimide can be directly synthesized from an anhydride and a diamine compound of tetracarboxylic acid.

반응에 이용하는 용매로는, 폴리이미드전구체의 합성용 용매로서 나타낸 것과 동일한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 아미드계 용매나 페놀계 용매가 바람직하다. 반응온도는 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 130 이상 250 이하, 보다 바람직하게는 140 이상 200 이하이다. 반응시간도 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 0.5시간 이상 48시간 이하, 보다 바람직하게는 1시간 이상 24시간 이하이다. 반응계내에는, 촉매로서 γ-피콜린 등의 유기염기나, 부생성물인 물을 공비유거하기 위해, 톨루엔이나 자일렌 등을 첨가할 수도 있다.The solvent used for the reaction includes the same solvents as those shown as the solvent for synthesizing the polyimide precursor. Among them, an amide-based solvent and a phenol-based solvent are preferable. The reaction temperature is not particularly limited, but is preferably 130 or more and 250 or less, and more preferably 140 or more and 200 or less. The reaction time is not particularly limited, but is preferably 0.5 hour to 48 hours, more preferably 1 hour to 24 hours. In the reaction system, toluene, xylene, or the like may be added to azeotropically distill an organic base such as? -Picoline or the like as a catalyst or water as a by-product.

상기의 방법 1이나 방법 2에 의해 반응을 행하고, 얻어진 폴리이미드의 용액을 대량의 빈용매 중에 적하함으로써, 폴리이미드를 석출시킬 수 있다. 나아가, 석출한 폴리이미드를, 여취, 세정, 건조 등을 함으로써, 폴리이미드의 분말을 얻을 수 있다.The polyimide can be precipitated by carrying out the reaction according to the method 1 or 2 and dropping the solution of the obtained polyimide into a large amount of poor solvent. Further, the polyimide powder can be obtained by subjecting the precipitated polyimide to freeness, washing, drying and the like.

빈용매로는, 폴리이미드를 용해하지 않는 것이면 특별히 제한되지 않으나, 반응용매나 화학이미드화제와의 친화성이 높은 것이나, 건조에 의해 효율좋게 제거할 수 있는 점에서, 물; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올 등의 알코올계 용매; 아세톤 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸 등의 에스테르계 용매; 이들 혼합용매; 등이 호적하게 이용된다.The poor solvent is not particularly limited as long as it does not dissolve the polyimide. However, it is preferable that the solvent has a high affinity with the reaction solvent or the chemical imidizing agent, and water can be efficiently removed by drying. Alcohol solvents such as methanol, ethanol, n-propanol and isopropanol; Ketone solvents such as acetone; Ester solvents such as ethyl acetate; These mixed solvents; And so on.

본 발명의 폴리이미드수지의 중량평균분자량(Mw)은, 특별히 제한되지 않으나, 기계적 특성 확보의 관점에서, 40,000 이상인 것이 바람직하고, 45,000 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 폴리이미드수지의 중량평균분자량의 상한은, 특별히 제한되지 않으나, 80,000 이하인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the polyimide resin of the present invention is not particularly limited, but is preferably 40,000 or more, and more preferably 45,000 or more from the viewpoint of ensuring mechanical properties. The upper limit of the weight average molecular weight of the polyimide resin is not particularly limited, but is preferably 80,000 or less.

본 발명의 폴리이미드수지의 분자량분포(Mw/Mn)는, 바람직하게는 1.5 이상 5 이하이다.The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polyimide resin of the present invention is preferably 1.5 or more and 5 or less.

폴리이미드수지의 중량평균분자량 및 분자량분포는, 예를 들어, 모노머의 종류나 조성, 합성시의 조건 등을 변화시킴으로써 제어할 수 있다. 한편, 폴리이미드수지의 중량평균분자량 및 분자량분포는, 겔침투크로마토그래피법에 의해 얻어진, 폴리스티렌환산값이며, 보다 구체적으로는, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.The weight average molecular weight and molecular weight distribution of the polyimide resin can be controlled by, for example, changing the type and composition of the monomer, and the conditions at the time of synthesis. On the other hand, the weight average molecular weight and the molecular weight distribution of the polyimide resin are values in terms of polystyrene obtained by gel permeation chromatography, and more specifically, can be measured by the method described in the examples.

(포지티브형 감광성 수지조성물) (Positive photosensitive resin composition)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지조성물은, 상기 본 발명의 폴리이미드수지와, 폴리이미드수지 100질량부에 대하여, 1질량부 이상 50질량부 이하의 광산발생제를 포함하는 것이 바람직하다. 폴리이미드수지는, 단독으로도 또는 2종 이상 조합해도 이용할 수 있다. 폴리이미드수지에 대해서는, 상기에서 상세히 서술하였으므로, 하기에서는 광산발생제나 기타 성분에 대하여 설명한다.The positive photosensitive resin composition of the present invention preferably contains the above-described polyimide resin of the present invention and a photoacid generator in an amount of 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polyimide resin. The polyimide resin may be used alone or in combination of two or more. Since the polyimide resin has been described in detail above, the photoacid generator and other components will be described below.

[광산발생제] [Photo acid generators]

본 발명의 포지티브형 감광성 수지조성물에서 이용되는 광산발생제로는, 예를 들어, 퀴논디아지드 화합물, 오늄염, 할로겐함유 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 용제용해성, 보존안정성, 고감도 등의 관점에서, 퀴논디아지드 화합물이 바람직하다. 광산발생제는, 단독으로도 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수도 있다.Examples of the photoacid generator used in the positive photosensitive resin composition of the present invention include quinone diazide compounds, onium salts, and halogen-containing compounds. Among them, a quinone diazide compound is preferable from the viewpoints of solvent solubility, storage stability, high sensitivity and the like. The photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.

상기 오늄염으로는, 예를 들어, 요오드늄염, 설포늄염, 포스포늄염, 암모늄염, 디아조늄염 등을 들 수 있으나, 디아릴요오드늄염, 트리아릴설포늄염, 및 트리알킬설포늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 오늄염이 바람직하다.Examples of the onium salt include iodonium salt, sulfonium salt, phosphonium salt, ammonium salt, diazonium salt and the like, but it is preferable to use a compound selected from the group consisting of diaryliodonium salt, triarylsulfonium salt and trialkylsulfonium salt The onium salt selected is preferred.

상기 할로겐함유 화합물로는, 예를 들어, 할로알킬기함유 탄화수소 화합물 등을 들 수 있고, 고감도화의 관점에서 트리클로로메틸트리아진이 바람직하다.The halogen-containing compound includes, for example, a haloalkyl group-containing hydrocarbon compound, and trichloromethyl triazine is preferable from the viewpoint of high sensitivity.

상기 퀴논디아지드 화합물로는, 나프토퀴논디아지드 화합물(이하, NQD화합물이라고도 칭함)이 바람직하고, 그 중에서도, 1,2-나프토퀴논디아지드구조를 갖는 화합물이 바람직하다. 이 1,2-나프토퀴논디아지드구조를 갖는 화합물은, 폴리하이드록시 화합물의 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설폰산에스테르, 및 이 폴리하이드록시 화합물의 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설폰산에스테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 것이 바람직하다.As the quinone diazide compound, a naphthoquinone diazide compound (hereinafter also referred to as an NQD compound) is preferable, and among them, a compound having a 1,2-naphthoquinone diazide structure is preferable. The compound having a 1,2-naphthoquinone diazide structure is preferably a 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of a polyhydroxy compound, and a 1,2-naphtho Quinone diazide-5-sulfonic acid ester, and the like.

이 NQD화합물은, 시판품을 이용할 수도 있고, 합성품을 이용할 수도 있다. 합성하는 경우는, 상법에 따라, 나프토퀴논디아지드설폰산 화합물을, 클로르설폰산 또는 염화티오닐로 설포닐클로라이드로 하고, 얻어진 나프토퀴논디아지드설포닐클로라이드와, 폴리하이드록시 화합물을 축합반응시킴으로써 얻어진다. 예를 들어, 폴리하이드록시 화합물과, 소정량의 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐클로라이드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐클로라이드를, 디옥산, 아세톤, 테트라하이드로푸란 등의 용매 중에 있어서, 트리에틸아민 등의 염기성 촉매의 존재하에서 반응시켜 에스테르화를 행하고, 얻어진 생성물을 수세, 건조함으로써 NQD화합물을 얻을 수 있다.The NQD compound may be a commercially available product or a synthetic product. In the case of synthesis, it is also possible to use a naphthoquinonediazide sulfonic acid compound as a chlorosulfonic acid or thionylsulfonyl chloride according to a conventional method, and to react the obtained naphthoquinonediazide sulfonyl chloride with a polyhydroxy compound . For example, when a polyhydroxy compound and a predetermined amount of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride or 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride are reacted with dioxane, acetone , Tetrahydrofuran and the like in the presence of a basic catalyst such as triethylamine, esterification is carried out, and the obtained product is washed with water and dried to obtain an NQD compound.

i선 노광으로의 콘트라스트 확보의 관점에서, 바람직한 광산발생제는, 하기 일반식 5~10으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.From the standpoint of securing contrast to the i-line exposure, preferred photo acid generators are at least one selected from the group consisting of the compounds represented by the following general formulas 5 to 10.

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 일반식 5~10 중, R은, 각각 독립적으로, 수소원자, 하기 일반식 11로 표시되는 기, 또는 하기 일반식 12로 표시되는 기이다.In the general formulas 5 to 10, each R independently represents a hydrogen atom, a group represented by the following general formula (11), or a group represented by the following general formula (12).

Figure pat00007
Figure pat00007

본 발명의 조성물 중의 광산발생제의 함유량은, 폴리이미드수지 100질량부에 대하여, 1질량부 이상 50질량부 이하인 것이 바람직하고, 5질량부 이상 40질량부 이하인 것이 바람직하다. 이 범위이면, 현상시의 콘트라스트와 양호한 기계적 특성을 양립시킬 수 있다.The content of the photoacid generator in the composition of the present invention is preferably 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or more and 40 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polyimide resin. Within this range, contrast at the time of development and good mechanical characteristics can be satisfied.

[가교제] [Crosslinking agent]

본 발명의 조성물은, 가교제를 포함하는 것이 바람직하다. 가교제를 포함함으로써, 기계적 강도나 기판밀착성을 향상시킬 수 있다. 이 가교제는, 단독으로도 또는 2종 이상 조합해도 이용할 수 있다. 또한, 이 가교제는, 시판품을 이용할 수도 있고, 합성품을 이용할 수도 있다.The composition of the present invention preferably contains a crosslinking agent. By including the crosslinking agent, mechanical strength and substrate adhesion can be improved. These crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more. The crosslinking agent may be a commercially available product or a synthetic product.

가교제로는, 메틸올기 및/또는 알콕시메틸기를 갖는 방향족 화합물, N위치가 메틸올기 및/또는 알콕시메틸기로 치환된 화합물, 알릴 화합물 등을 이용할 수 있다.As the crosslinking agent, there can be used an aromatic compound having a methylol group and / or an alkoxymethyl group, a compound having an N-position substituted with a methylol group and / or an alkoxymethyl group, and an allyl compound.

이들 가교제 중에서도, N위치가 메틸올기 및/또는 알콕시메틸기로 치환된 화합물이, 열경화후의 내약품성의 관점에서 바람직하다.Of these crosslinking agents, compounds in which the N-position is substituted with a methylol group and / or an alkoxymethyl group are preferable from the viewpoint of chemical resistance after thermosetting.

N위치가 메틸올기 및/또는 알콕시메틸기로 치환된 화합물로서, 보다 구체적으로는, 멜라민수지, 벤조구아나민수지, 글리콜우릴수지, 하이드록시에틸렌요소수지, 요소수지, 글리콜요소수지, 알콕시메틸화멜라민수지, 알콕시메틸화벤조구아나민수지, 알콕시메틸화글리콜우릴수지, 알콕시메틸화요소수지를 들 수 있다.Specific examples of the compound in which the N position is substituted with a methylol group and / or an alkoxymethyl group include melamine resin, benzoguanamine resin, glycoluril resin, hydroxyethylene urea resin, urea resin, glycol urea resin, alkoxymethylated melamine resin , Alkoxymethylated benzoguanamine resins, alkoxymethylated glycoluril resins, and alkoxymethylated urea resins.

알콕시메틸화멜라민수지, 알콕시메틸화벤조구아나민수지, 알콕시메틸화글리콜우릴수지, 및 알콕시메틸화요소수지는 기지의 메틸올화멜라민수지, 메틸올화벤조구아나민수지, 또는 메틸올화요소수지의 메틸올기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻을 수 있다. 이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는, 예를 들어, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있다.The alkoxymethylated melamine resin, the alkoxymethylated benzoguanamine resin, the alkoxymethylated glycoluril resin, and the alkoxymethylated urea resin may be prepared by reacting the methylol group of a known methylol melamine resin, a methylol benzoguanamine resin, or a methylol urea resin with an alkoxymethyl group . Examples of the alkoxymethyl group include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, and a butoxymethyl group.

N위치가 메틸올기 및/또는 알콕시메틸기로 치환된 화합물의 시판품의 예로는, 예를 들어, 사이멜(등록상표)300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300(이상, 일본사이텍인더스트리즈주식회사제), 니카락(등록상표)MX-270, -280, -290, 니카락MS-11, 니카락MW-30, -100, -300, -390, -750(주식회사산와케미칼제) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the compound in which the N position is substituted with a methylol group and / or an alkoxymethyl group include Cymel (registered trademark) 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, (Manufactured by Nippon Synthetic Industries Co., Ltd.), NIKARAK (registered trademark) MX-270, -280, -290, NIKARAK MS- 11, NIKARAK MW-30, -100, -300, -390, and -750 (manufactured by SANWA CHEMICAL CO., LTD.).

조성물 중의 가교제의 함유량은, 폴리이미드수지 100질량부에 대하여, 5질량부 이상 25질량부 이하가 바람직하고, 7질량부 이상 20질량부 이하가 보다 바람직하다.The content of the crosslinking agent in the composition is preferably 5 parts by mass or more and 25 parts by mass or less, more preferably 7 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polyimide resin.

[노볼락수지] [Novolac resin]

본 발명의 조성물은, 노볼락수지를 포함하는 것이 바람직하다. 노볼락수지를 포함함으로써, 현상성 및 해상성이 향상된다. 노볼락수지로는, 공지의 노볼락수지를 적당히 선택하여 이용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 페놀노볼락수지, 크레졸노볼락수지, t-부틸페놀노볼락수지, 디시클로펜타디엔크레졸노볼락수지, 디시클로펜타디엔페놀노볼락수지, 자일릴렌변성 페놀노볼락수지, 테트라키스페놀노볼락수지, 비스페놀A노볼락수지, 폴리-p-비닐페놀수지 등을 들 수 있다.The composition of the present invention preferably comprises a novolak resin. By including the novolak resin, developability and resolution are improved. As the novolac resin, a known novolac resin can be suitably selected and used. Specific examples thereof include phenol novolak resins, cresol novolac resins, t-butylphenol novolak resins, dicyclopentadiene cresol novolak resins, dicyclopentadiene phenol novolak resins, xylenes denatured phenol novolak resins, Resin, tetrakisphenol novolak resin, bisphenol A novolac resin, and poly-p-vinylphenol resin.

이들 노볼락수지는, 단독으로도 또는 2종 이상 조합해도 이용할 수 있다. 또한, 노볼락수지는, 시판품을 이용할 수도 있고, 합성품을 이용할 수도 있다. 시판품의 예로는, TR4020G, TR4080G(이상, 아사히유기재공업주식회사제, 크레졸노볼락수지) 등을 들 수 있다.These novolak resins may be used alone or in combination of two or more. The novolac resin may be a commercially available product or a synthetic product. Examples of commercially available products include TR4020G and TR4080G (manufactured by Asahi Organic Materials Industry Co., Ltd., cresol novolak resin).

조성물 중의 노볼락수지의 함유량은, 폴리이미드수지 100질량부에 대하여, 5질량부 이상 50질량부인 것이 바람직하고, 10질량부 이상 40질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.The content of the novolak resin in the composition is preferably 5 parts by mass or more and 50 parts by mass or more, more preferably 10 parts by mass or more and 40 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polyimide resin.

[계면활성제] [Surfactants]

본 발명의 조성물은, 계면활성제를 포함하는 것이 바람직하다. 계면활성제를 포함함으로써, 조성물의 도포성이나 도포막의 면내균일성, 평활성 등이 향상된다.The composition of the present invention preferably contains a surfactant. By including the surfactant, the coating property of the composition, the in-plane uniformity of the coating film, smoothness and the like are improved.

계면활성제로는, 비이온성인 것이 바람직하고, 구체적으로는 퍼플루오로알킬폴리옥시에틸렌에탄올, 불소화알킬에스테르, 퍼플루오로알킬아민옥사이드, 함불소오가노실록산계 화합물 등의 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 시판품의 예로는, 플로라드(등록상표) FC-430, FC-431, FC-4430(이상, 스미토모쓰리엠주식회사제), 서프론(등록상표) S-141, S-145, KH-10, KH-20, KH-30, KH-40(이상, AGC세이미케미칼주식회사제), 유니다인DS-401, DS-4031, DS-451(이상, 다이킨공업주식회사제), 메가팍(등록상표) F-8151(이상, DIC주식회사제), X-70-092, X-70-093(이상, 신에쯔화학공업주식회사제) 등을 들 수 있다.The surfactant is preferably a nonionic surfactant. Specific examples thereof include fluorinated surfactants such as perfluoroalkylpolyoxyethylene ethanol, fluorinated alkyl ester, perfluoroalkylamine oxide, and fluorinated organosiloxane compounds. have. S-141, S-145, KH-10, KH (trade name, manufactured by Sumitomo 3M Limited), FLORAD (registered trademark) FC-430, FC-431 and FC- -20, KH-30, KH-40 (manufactured by AGC SEIMI CHEMICAL CO., LTD.), Unidyne DS-401, DS-4031 and DS-451 (manufactured by Daikin Industries, F-8151 (manufactured by DIC Corporation), X-70-092 and X-70-093 (all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

계면활성제의 첨가량은, 폴리이미드수지 100질량부에 대하여, 0.05질량부 이상 5질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.1질량부 이상 3질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.The addition amount of the surfactant is preferably 0.05 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 0.1 parts by mass or more and 3 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polyimide resin.

[기타 첨가제] [Other additives]

본 발명의 조성물은, 필요에 따라, 감광특성에 영향을 주지 않을 정도로, 착색제, 필러, 광증감제, 알칼리용해촉진제, 밀착조제, 소포제, 레벨링제 등의 기타 첨가제를 첨가할 수 있다.The composition of the present invention may contain other additives such as a colorant, a filler, a photosensitizer, an alkali dissolution accelerator, an adhesion aid, a defoaming agent, and a leveling agent to such an extent that the photosensitivity is not affected.

[포지티브형 감광성 수지조성물의 제조방법] [Method of producing positive-type photosensitive resin composition]

본 발명의 조성물의 제조방법은, 특별히 제한은 없고, 통상은, 상기의 성분을 교반혼합함으로써 얻을 수 있다. 도포성 향상을 위해 적당히 유기용매를 사용할 수도 있다. 혼합방법에도 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 자외광을 차광한 방에서, 실온(20 이상 40 이하)에서, 액체내가 균일해질 때까지 충분히 교반혼합하면 된다. 교반혼합후에, 여과를 행할 수도 있다.The method for producing the composition of the present invention is not particularly limited and usually can be obtained by stirring and mixing the above components. An organic solvent may be appropriately used for improving the coating property. The mixing method is not particularly limited. For example, in a room shielded with ultraviolet light, it may be sufficiently stirred and mixed at room temperature (20 or more and 40 or less) until the liquid becomes homogeneous. After stirring and mixing, filtration may be performed.

상기 유기용매의 예로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜1-모노메틸에테르(1-메톡시-2-프로판올), 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디부틸에테르, 테트라하이드로푸란 등의 에테르류, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(프로필렌글리콜1-모노메틸에테르2-아세테이트), 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 유산메틸, 유산에틸, 유산부틸 등의 아세테이트류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세틸아세톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-펜타논 등의 케톤류, 부틸알코올, 이소부틸알코올, 펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-2-부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 디아세톤알코올 등의 알코올류, N-메틸-2-피롤리돈, N-시클로헥실-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭시드, γ-부티로락톤 등을 들 수 있다.Examples of the organic solvent include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol 1-monomethyl ether (1-methoxy-2-propanol), propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol dimethyl Ethers such as ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (propylene glycol 1-monomethyl ether 2-acetate), propyl acetate , Acetates such as butyl acetate, isobutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate and butyl lactate, acetone, methyl ethyl ketone, Ketones such as methyl ethyl ketone, methyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, , Alcohols such as butyl alcohol, isobutyl alcohol, pentanol, 4-methyl-2-pentanol, 3-methyl-2-butanol, 3-methyl-3-methoxybutanol and diacetone alcohol, 2-pyrrolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and gamma -butyrolactone.

그 중에서도, 용해성의 관점에서, 프로필렌글리콜1-모노메틸에테르2-아세테이트, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 1-메톡시-2-프로판올, γ-부티로락톤, 및 N-메틸-2-피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.Among them, propylene glycol 1-monomethyl ether 2-acetate, cyclopentanone, cyclohexanone, 1-methoxy-2-propanol,? -Butyrolactone, and N- Lt; / RTI > and at least one member selected from the group consisting of lauridol.

유기용매의 첨가량은, 특별히 제한되지 않으나, 각 성분이 균일하게 분산 또는 용해되고, 또한 본 발명의 조성물이 각 용도에 적합한 액상 또는 페이스트상을 나타내는 양이면 되는데, 통상, 본 발명의 조성물 중의 고형분(용매 이외의 전체성분)의 양이 10질량% 이상 90질량%가 되는 범위에서 용매를 함유시키는 것이 바람직하다.The amount of the organic solvent to be added is not particularly limited, but may be an amount in which each component is uniformly dispersed or dissolved, and the composition of the present invention shows a liquid or paste phase suitable for each application. Usually, The total amount of the components other than the solvent) is 10% by mass or more and 90% by mass or less.

[경화막, 패턴경화막] [Cured film, patterned cured film]

본 발명의 조성물을 이용하여, 경화막 또는 패턴을 갖는 경화막(패턴경화막)을 제조할 수 있다.By using the composition of the present invention, a cured film or a cured film having a pattern (patterned cured film) can be produced.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지조성물을 이용한 경화막의 바람직한 제조방법은, 포지티브형 감광성 수지조성물을 기판상에 도포, 건조하여 수지막을 형성하는 공정과, 얻어진 수지막을 가열처리하는 공정을 포함한다.A preferred method of producing a cured film using the positive photosensitive resin composition of the present invention includes a step of coating a positive photosensitive resin composition on a substrate and drying to form a resin film and a step of heat treating the obtained resin film.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지조성물을 이용한 패턴을 갖는 경화막의 제조방법은, 하기의 공정을 포함하는 방법인 것이 바람직하다:The method for producing a cured film having a pattern using the positive photosensitive resin composition of the present invention is preferably a method including the following steps:

(a) 본 발명의 포지티브형 감광성 수지조성물로 이루어진 감광성 수지층을 기판상에 형성하는 공정,(a) a step of forming a photosensitive resin layer made of the positive photosensitive resin composition of the present invention on a substrate,

(b) 이 감광성 수지층을 노광하는 공정,(b) exposing the photosensitive resin layer,

(c) 현상액에 의해 노광부를 제거하여 패턴을 얻는 공정, 및(c) removing the exposed portion with a developing solution to obtain a pattern, and

(d) 이 패턴을 가열하는 공정.(d) heating the pattern.

이하, 본 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, the present method will be described.

(a) 감광성 수지층을 기판상에 형성하는 공정 (a) a step of forming a photosensitive resin layer on a substrate

이 공정에서는, 본 발명의 조성물을, 기판상에 스핀코터를 이용한 회전도포, 또는 다이코터 혹은 롤코터 등의 코터에 의해 도포한다. 그 후, 이것을 오븐이나 핫플레이트를 이용하여, 바람직하게는 50 이상 140 이하의 온도에서 건조하여 용매를 제거하고, 감광성 수지층을 형성한다. 막두께가 균일한 도포막을 얻는다는 관점에서, 스핀코터를 이용한 회전도포법이 바람직하다.In this step, the composition of the present invention is coated on a substrate by spin coating using a spin coater, or a coater such as a die coater or a roll coater. Thereafter, this is dried using an oven or a hot plate, preferably at a temperature of not less than 50 but not more than 140 to remove the solvent to form a photosensitive resin layer. From the viewpoint of obtaining a coating film having a uniform film thickness, a spin coating method using a spin coater is preferable.

기판으로는, 구리, 알루미늄, 질화티탄, 탄탈, 질화탄탈, 실리콘, 질화실리콘, 액정폴리머, 폴리이미드, 에폭시수지, 폴리페닐렌설파이드, 및 폴리염화비닐리덴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료를 포함하는 기판이 바람직하다. 기판은, 단층구조일 수도 2층 이상의 복층구조일 수도 있다.The substrate may be at least one selected from the group consisting of copper, aluminum, titanium nitride, tantalum, tantalum nitride, silicon, silicon nitride, liquid crystal polymer, polyimide, epoxy resin, polyphenylene sulfide, and polyvinylidene chloride A substrate comprising a material is preferred. The substrate may have a single-layer structure or a multi-layer structure of two or more layers.

(b) 이 감광성 수지층을 노광하는 공정 (b) a step of exposing the photosensitive resin layer

이어서, 상기에서 얻어진 감광성 수지층에 대하여, 포토마스크를 개재하여, 마스크얼라이너나 스텝퍼를 이용하여 자외선(i선(파장 365nm), h선(파장 405nm), g선(파장 436nm) 등), X선, 전자선 등의 활성에너지선을 직접조사하고 노광한다. 상기 포토마스크는, 원하는 패턴을 도려낸 것일 수도 있다.Then, ultraviolet rays (i-line (wavelength: 365 nm), h-line (wavelength: 405 nm), g-line (wavelength: 436 nm), and the like were formed by using a mask aligner or a stepper with a photosensitive resin layer obtained in the above- Directly irradiating and exposing active energy lines such as lines and electron beams. The photomask may be a pattern obtained by cutting out a desired pattern.

노광에 이용되는 활성에너지선의 파장은, 190nm 이상 500nm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 활성에너지선의 조사량은 100mJ/cm2 이상 3,000mJ/cm2 이하가 바람직하다.The wavelength of the active energy ray used for exposure is preferably 190 nm or more and 500 nm or less. Further, the active energy beam irradiation amount is preferably 100mJ / cm 2 or more than 3,000mJ / cm 2.

추가로, 노광 후에 가열처리(노광후 베이크)를 행할 수도 있다. 노광후 베이크를 행함으로써, 광산발생제로부터 발생한 산에 의한 경화반응을 촉진시킬 수 있다. 노광후 베이크의 조건은, 조성물의 조성, 각 성분의 함유량, 감광성 수지층의 두께 등에 따라 상이하나, 예를 들어, 70 이상 150 이하에서 1분 이상 60분 이하 정도 가열하는 것이 바람직하다.Further, heat treatment (post-exposure baking) may be performed after exposure. By performing baking after exposure, the curing reaction caused by the acid generated from the photoacid generator can be promoted. The conditions for baking after exposure differ depending on the composition of the composition, the content of each component, the thickness of the photosensitive resin layer, and the like. For example, it is preferable that the baking is performed for not less than 70 minutes but not more than 150 minutes for not less than 1 minute and not more than 60 minutes.

(c) 현상액에 의해 노광부를 제거하여, 패턴을 얻는 공정 (c) a step of removing the exposed portion with a developer to obtain a pattern

이어서, 현상을, 침지법, 패들법, 회전스프레이법 등의 방법으로부터 선택하여 행할 수 있다. 현상에 의해, 감광성 수지층으로부터, 미경화의 조성물을 용출제거하고, 패턴을 얻을 수 있다. 현상액으로는, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 암모니아수 등의 무기알칼리류, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 유기아민류, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라부틸암모늄하이드록시드 등의 4급암모늄염류 등의 수용액 및 필요에 따라 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기용매 또는 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 테트라메틸암모늄하이드록시드수용액이 바람직하다. 이 테트라메틸암모늄하이드록시드수용액의 농도는, 바람직하게는 0.5질량% 이상 10질량% 이하이며, 보다 바람직하게는, 1질량% 이상 5질량% 이하이다.Subsequently, the development can be carried out by selecting from a dipping method, a paddle method, a rotary spraying method, or the like. By the development, the uncured composition can be eluted and removed from the photosensitive resin layer to obtain a pattern. Examples of the developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and aqueous ammonia, organic amines such as ethylamine, diethylamine, triethylamine and triethanolamine, organic amines such as tetramethylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide , And if necessary, an aqueous solution containing an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol, ethanol or the like or a surfactant can be used. Of these, tetramethylammonium hydroxide aqueous solutions are preferred. The concentration of the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution is preferably 0.5% by mass or more and 10% by mass or less, and more preferably 1% by mass or more and 5% by mass or less.

현상후, 패턴을 순수 등으로 수세해도 된다.After development, the pattern may be washed with pure water or the like.

(d) 패턴을 가열하는 공정 (d) a step of heating the pattern

계속해서, 얻어진 패턴을 가열함으로써 큐어하고, 패턴경화막을 형성한다. 가열함으로써, 조성물의 가교밀도를 높이고, 잔존하는 휘발성분을 제거할 수 있고, 기판에 대한 밀착력, 내열성이나 강도 등을 향상시킬 수 있다. 가열장치로는, 오븐로, 핫플레이트, 종형로, 벨트컨베이어로, 압력오븐 등을 사용할 수 있고, 가열방법으로는, 열풍, 적외선, 전자유도에 의한 가열 등이 이용되어도 된다. 가열온도는 바람직하게는 280 이하, 보다 바람직하게는 120 이상 280 이하, 더욱 바람직하게는 160 이상 250 이하이다. 가열시간은 바람직하게는 15분 이상 8시간 이하, 보다 바람직하게는 15분 이상 4시간 이하이다. 또한, 가열처리공정의 분위기는 대기 중, 또는 질소 등의 불활성분위기 중 어느 것을 선택할 수 있다.Subsequently, the obtained pattern is cured by heating to form a patterned cured film. By heating, the cross-linking density of the composition can be increased, the remaining volatile components can be removed, and adhesion to the substrate, heat resistance and strength can be improved. As the heating apparatus, a hot oven, a hot plate, a vertical furnace, a belt conveyor, a pressure oven, or the like can be used. As the heating method, hot air, infrared rays, or heating by electromagnetic induction may be used. The heating temperature is preferably 280 or less, more preferably 120 or more and 280 or less, and still more preferably 160 or more and 250 or less. The heating time is preferably from 15 minutes to 8 hours, more preferably from 15 minutes to 4 hours. The atmosphere of the heat treatment process can be selected from the atmosphere or an inert atmosphere such as nitrogen.

이와 같이 하여 얻어지는 경화막 또는 패턴경화막은, 본 발명의 조성물의 경화물을 포함한다. 해당 경화물의 유리전이점은, 땜납리플로우 프로세스 중의 재료의 형상안정성 확보 그리고 상온에서의 유연성 확보의 관점에서, 200 이상 350 이하인 것이 바람직하다. 해당 유리전이점은, 폴리이미드수지의 조성, 포지티브형 감광성 수지조성물의 조성 등에 의해 제어할 수 있다. 또한, 경화물의 유리전이점은, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.The cured film or patterned cured film thus obtained includes a cured product of the composition of the present invention. The glass transition point of the cured product is preferably 200 or more and 350 or less from the viewpoints of securing the shape stability of the material during the solder reflow process and ensuring flexibility at room temperature. The glass transition point can be controlled by the composition of the polyimide resin, the composition of the positive photosensitive resin composition, and the like. The glass transition point of the cured product can be measured by the method described in the examples.

또한, 경화막 또는 패턴경화막의 막두께는, 5㎛ 이상 20㎛ 이하인 것이 바람직하다.The film thickness of the cured film or the patterned cured film is preferably 5 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less.

본 발명은, 구리, 알루미늄, 질화티탄, 탄탈, 질화탄탈, 실리콘, 질화실리콘, 액정폴리머, 폴리이미드, 에폭시수지, 폴리페닐렌설파이드, 및 폴리염화비닐리덴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료를 포함하는 기판과, 본 발명의 조성물의 경화물을 포함하는 패턴을 갖는 경화막을 구비하는, 프린트배선판을 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device comprising at least one kind selected from the group consisting of copper, aluminum, titanium nitride, tantalum, tantalum nitride, silicon, silicon nitride, liquid crystal polymer, polyimide, epoxy resin, polyphenylene sulfide, A printed wiring board comprising a substrate including a material and a cured film having a pattern including a cured product of the composition of the present invention.

[전자부품] [Electronic parts]

본 발명에 따른 전자부품은, 상기 서술한 본 발명의 포지티브형 감광성 수지조성물로부터 형성되는 경화막 또는 패턴경화막, 즉 본 발명의 포지티브형 감광성 수지조성물의 경화물을 포함하는 경화막 또는 패턴경화막을 갖는다. 전자부품의 예로는, 반도체장치나 다층배선판, 각종 전자디바이스 등을 들 수 있다.The electronic component according to the present invention is a cured film or a patterned cured film formed from the above-described positive photosensitive resin composition of the present invention, that is, a cured film or patterned cured film containing a cured product of the positive photosensitive resin composition of the present invention . Examples of electronic components include semiconductor devices, multilayer wiring boards, and various electronic devices.

상기의 경화막 또는 패턴경화막은, 구체적으로는, 반도체장치 등 전자부품의 표면보호막이나 층간절연막, 다층배선판의 층간절연막 등에 사용할 수 있다. 본 발명에 따른 전자부품은, 상기 포지티브형 감광성 수지조성물을 이용하여 형성되는 표면보호막, 층간절연막 등을 갖는 것 이외는 특별히 제한되지 않고, 다양한 구성 및 구조를 취할 수 있다.Specifically, the cured film or the patterned cured film can be used as a surface protective film or an interlayer insulating film of an electronic part such as a semiconductor device, an interlayer insulating film of a multilayer wiring board, or the like. The electronic component according to the present invention is not particularly limited, except that it has a surface protective film, an interlayer insulating film, or the like formed using the above positive photosensitive resin composition, and can have various structures and structures.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 설명한다. 단, 본 발명의 기술적 범위가 이하의 실시예만으로 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples and comparative examples. However, the technical scope of the present invention is not limited to the following embodiments.

(실시예 1) (Example 1)

환류냉각기를 연결한 마개부착 수분정량수기, 온도계, 및 교반기를 구비한 세퍼러블플라스크에, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카르본산-1,4-페닐렌에스테르 67.4g(50몰%), 메틸렌비스아미노안식향산 4.2g(5몰%), 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 48.4g(45몰%), 및 N-메틸-2-피롤리돈 540g을 첨가하고, 실온(25)에서 20시간 반응시켰다. 다시, 톨루엔 200g을 반응용액에 첨가하고, 오일배스를 이용하여 내온이 145가 될 때까지 가열하고, 톨루엔-물의 공비탈수반응을 5시간 행하였다. 이와 같이 하여 얻어진 반응용액을 메탄올에 첨가하고, 재침전 및 여과를 행하고, 얻어진 백색고체를, 감압하, 60에서 10시간 건조시킴으로써, 105.0g의 고분자 화합물(폴리이미드수지) 1을 얻었다.To a separable flask equipped with a stopper-attached water quantifying device, a thermometer, and a stirrer to which a reflux condenser was connected, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid- (5 mol%) of methylene bisaminobenzoic acid, 48.4 g (45 mol%) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 67.4 g And 540 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added, and the mixture was reacted at room temperature (25) for 20 hours. Again, 200 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated using an oil bath until the internal temperature reached 145, and the azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained was added to methanol, subjected to re-precipitation and filtration, and the resulting white solid was dried under reduced pressure at 60 for 10 hours to obtain 105.0 g of a polymer compound (polyimide resin) 1.

고분자 화합물 1의 분자량은, 겔침투크로마토그래피(일본분광주식회사제, LC-2000Plus, 칼럼은 쇼와전공주식회사제 KF-603x1개, KF-606x1개)로 측정한 결과, 폴리스티렌환산으로, 중량평균분자량(Mw)이 40500, 수평균분자량(Mn)이 12400, Mw/Mn=3.26이었다.The molecular weight of Polymer Compound 1 was measured by gel permeation chromatography (manufactured by Nippon Bunko KK, LC-2000Plus, column: KF-603x1, KF-606x1) (Mw) of 40,500, number average molecular weight (Mn) of 12400 and Mw / Mn of 3.26.

또한, 얻어진 고분자 화합물 1의 1H-NMR의 화학시프트는 이하와 같으며, 카르복실기를 갖는 반복단위의 함유량은 10몰%이며, 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 함유량은 90몰%인 것을 확인하였다.The chemical shift of 1 H-NMR of the obtained polymer compound 1 was as follows, the content of the repeating unit having a carboxyl group was 10 mol%, and the content of the repeating unit having a phenolic hydroxyl group was 90 mol% .

1H-NMR(300MHz, DMSO-d6)δ 3.17(s,0.2H, -CH2-), 6.6-8.7(m, 16H, Ar-H), 10.54(s, 1.8H, Ar-OH).@ 1 H-NMR (300 MHz, DMSO-d6) .delta.3.17 (s, 0.2H, -CH2-), 6.6-8.7 (m, 16H, Ar-H), 10.54 (s, 1.8H, Ar-OH).

또한, 얻어진 고분자 화합물 1의 적외흡수 스펙트럼을 도 1에 나타낸다. 도 1로부터 명백한 바와 같이, C=O신축진동의 1722cm-2, 및 OH신축진동의 3080cm-2에 흡수피크가 존재하는 것을 알 수 있다.The infrared absorption spectrum of the obtained polymer compound 1 is shown in Fig. As also apparent from Fig. 1, it can be seen that the absorption peak exists in the C = O stretching vibration of 1722cm -2, and the stretching vibration of the OH 3080cm -2.

(실시예 2) (Example 2)

환류냉각기를 연결한 마개부착 수분정량수기, 온도계, 및 교반기를 구비한 세퍼러블플라스크에, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카르본-1,4-페닐렌에스테르 67.4g(50몰%), 메틸렌비스아미노안식향산 2.1g(2.5몰%), 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 51.1g(47.5몰%), 및 N-메틸-2-피롤리돈 540g을 첨가하고, 실온(25)에서 20시간 반응시켰다. 다시, 톨루엔 200g을 반응용액에 첨가하고, 오일배스를 이용하여 내온이 145가 될 때까지 가열하고, 톨루엔-물의 공비탈수반응을 5시간 행하였다. 이와 같이 하여 얻어진 반응용액을 메탄올에 첨가하고, 재침전 및 여과를 행하고, 얻어진 백색고체를, 감압하, 60에서 10시간 건조시킴으로써, 102.5g의 고분자 화합물(폴리이미드수지) 2를 얻었다.To a separable flask equipped with a stopper-attached water quantifying device, a thermometer, and a stirrer to which a reflux condenser was connected, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarbane- (2.5 mol%) of methylene bisaminobenzoic acid, 51.1 g (47.5 mol%) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, And 540 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added, and the mixture was reacted at room temperature (25) for 20 hours. Again, 200 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated using an oil bath until the internal temperature reached 145, and the azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained was added to methanol, reprecipitated and filtered, and the obtained white solid was dried under reduced pressure at 60 for 10 hours to obtain 102.5 g of a macromolecule compound (polyimide resin) 2.

실시예 1과 동일한 방법으로 측정한 고분자 화합물 2의 분자량은, 폴리스티렌환산으로, 중량평균분자량(Mw)이 58800, 수평균분자량(Mn)이 12400, Mw/Mn=4.76이었다.The molecular weight of Polymer Compound 2 measured in the same manner as in Example 1 was 58,800 in terms of polystyrene, the number average molecular weight (Mn) was 12,400, and Mw / Mn was 4.76.

또한, 얻어진 고분자 화합물 2의 1H-NMR의 화학시프트는, 이하와 같으며, 카르복실기를 갖는 반복단위의 함유량은 5몰%이며, 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 함유량은 95몰%인 것을 확인하였다.The chemical shift of 1 H-NMR of the obtained Polymer Compound 2 was as follows, the content of the repeating unit having a carboxyl group was 5 mol%, and the content of the repeating unit having a phenolic hydroxyl group was 95 mol% Respectively.

1H-NMR(300MHz, DMSO-d6)δ 3.17(s,0.1H, -CH2-), 6.6-8.7(m, 16H, Ar-H), 10.54(s, 1.9H, Ar-OH).@ 1 H-NMR (300 MHz, DMSO-d6) .delta.3.17 (s, 0.1H, -CH2-), 6.6-8.7 (m, 16H, Ar-H), 10.54 (s, 1.9H, Ar-OH).

또한, 얻어진 고분자 화합물 2의 적외흡수 스펙트럼을 도 2에 나타낸다. 도 2로부터 명백한 바와 같이, C=O신축진동의 1718cm-2, 및 OH신축진동의 3092cm-2에 흡수피크가 존재하는 것을 알 수 있다.The infrared absorption spectrum of the obtained polymer compound 2 is shown in Fig. As also it is apparent from Figure 2, it can be seen that the absorption peak exists in the C = O stretching vibration of 1718cm-2, and the OH stretching vibration of 3092cm -2.

(비교예 1) (Comparative Example 1)

환류냉각기를 연결한 마개부착 수분정량수기, 온도계, 및 교반기를 구비한 세퍼러블플라스크에, 에틸렌글리콜비스안하이드로트리멜리테이트 63.4g(50몰%), 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 56.6g(50몰%), 및 N-메틸-2-피롤리돈 540g을 첨가하고, 실온(25)에서 20시간 반응시켰다. 다시, 톨루엔 200g을 반응용액에 첨가하고, 오일배스를 이용하여 내온이 145가 될 때까지 가열하고, 톨루엔-물의 공비탈수반응을 5시간 행하였다. 이와 같이 하여 얻어진 반응용액을 메탄올에 첨가하고, 재침전 및 여과를 행하고, 얻어진 백색고체를, 감압하, 60에서 10시간 건조시킴으로써, 92.0g의 카르복실기를 갖는 반복단위를 포함하지 않는 고분자 화합물(폴리이미드수지) 3을 얻었다.(50 mol%) of ethylene glycol bisanhydrotrimellitate, 2,2-bis (3-amino-4-methoxyphenyl) propane dianhydride was added to a separable flask equipped with a thermometer and a stirrer, (50 mol%) and 540 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added, and the mixture was reacted at room temperature (25) for 20 hours. Again, 200 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated using an oil bath until the internal temperature reached 145, and the azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained was added to methanol, reprecipitated and filtered, and the obtained white solid was dried under reduced pressure at 60 for 10 hours to obtain 92.0 g of a polymer compound containing no recurring unit having a carboxyl group Mid resin) 3 was obtained.

실시예 1과 동일한 방법으로 측정한 고분자 화합물 3의 분자량은, 폴리스티렌환산으로, 중량평균분자량(Mw)이 40200, 수평균분자량(Mn)이 16300, Mw/Mn=2.47이었다.Polymer Compound 3 measured in the same manner as in Example 1 had a weight average molecular weight (Mw) of 40200, a number average molecular weight (Mn) of 16,300 and Mw / Mn of 2.47 in terms of polystyrene.

(비교예 2) (Comparative Example 2)

환류냉각기를 연결한 마개부착 수분정량수기, 온도계, 및 교반기를 구비한 세퍼러블플라스크에, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카르본산-1,4-페닐렌에스테르 55.6g(50몰%), 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 44.4g(50몰%), 및 N-메틸-2-피롤리돈 450g을 첨가하고, 실온(25)에서 20시간 반응시켰다. 다시, 톨루엔 180g을 반응용액에 첨가하고, 오일배스를 이용하여 내온이 145가 될 때까지 가열하고, 톨루엔-물의 공비탈수반응을 5시간 행하였다. 이와 같이 하여 얻어진 반응용액을 메탄올에 첨가하고, 재침전 및 여과를 행하고, 얻어진 백색고체를, 감압하, 60에서 10시간 건조시킴으로써, 91.5g의 카르복실기를 갖는 반복단위를 포함하지 않는 고분자 화합물(폴리이미드수지) 4를 얻었다.To a separable flask equipped with a stopper-attached water quantifying device, a thermometer, and a stirrer to which a reflux condenser was connected, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid- (50 mol%) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 450 g of N-methyl-2-pyrrolidone And the mixture was reacted at room temperature (25) for 20 hours. Again, 180 g of toluene was added to the reaction solution, which was heated using an oil bath until the internal temperature reached 145, and the azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained was added to methanol, reprecipitated and filtered, and the obtained white solid was dried under reduced pressure at 60 for 10 hours to obtain 91.5 g of a polymer compound containing no repeating unit having a carboxyl group Mid resin) 4 was obtained.

실시예 1과 동일한 방법으로 측정한 고분자 화합물 4의 분자량은, 폴리스티렌환산으로, 중량평균분자량(Mw)이 160000, 수평균분자량(Mn)이 34500, Mw/Mn=4.64였다.Polymer Compound 4, which was measured in the same manner as in Example 1, had a weight average molecular weight (Mw) of 160,000, a number average molecular weight (Mn) of 34500 and Mw / Mn of 4.64 in terms of polystyrene.

(비교예 3) (Comparative Example 3)

환류냉각기를 연결한 마개부착 수분정량수기, 온도계, 및 교반기를 구비한 세퍼러블플라스크에, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카르본산-1,4-페닐렌에스테르 67.4g(50몰%), 메틸렌비스아미노안식향산 21.0g(25몰%), 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 26.9g(25몰%), 및 N-메틸-2-피롤리돈 540g을 첨가하고, 실온(25)에서 20시간 반응시켰다. 다시, 톨루엔 200g을 반응용액에 첨가하고, 오일배스를 이용하여 내온이 145가 될 때까지 가열하고, 톨루엔-물의 공비탈수반응을 5시간 행하였다. 이와 같이 하여 얻어진 반응용액을 메탄올에 첨가하고, 재침전 및 여과를 행하고, 얻어진 백색고체를, 감압하, 60에서 10시간 건조시킴으로써, 90.3g의 카르복실기를 갖는 반복단위의 함유량이 50몰%이며, 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 함유량이 50몰%인 고분자 화합물(폴리이미드수지) 5를 얻었다.To a separable flask equipped with a stopper-attached water quantifying device, a thermometer, and a stirrer to which a reflux condenser was connected, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid- (25 mol%) of methylene bisaminobenzoic acid, 26.9 g (25 mol%) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, And 540 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added, and the mixture was reacted at room temperature (25) for 20 hours. Again, 200 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated using an oil bath until the internal temperature reached 145, and the azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained was added to methanol, reprecipitated and filtered, and the resulting white solid was dried under reduced pressure at 60 ° C for 10 hours to obtain a polymer having a content of a repeating unit having 90.3 g of a carboxyl group of 50 mol% (Polyimide resin) 5 having a content of a repeating unit having a phenolic hydroxyl group of 50 mol%.

실시예 1과 동일한 방법으로 측정한 고분자 화합물 5의 분자량은, 폴리스티렌환산으로, 중량평균분자량(Mw)이 58800, 수평균분자량(Mn)이 5400, Mw/Mn=10.84였다.Polymer Compound 5, which was measured in the same manner as in Example 1, had a weight average molecular weight (Mw) of 58,800, a number average molecular weight (Mn) of 5,400 and Mw / Mn of 10.84 in terms of polystyrene.

(비교예 4) (Comparative Example 4)

환류냉각기를 연결한 마개부착 수분정량수기, 온도계, 및 교반기를 구비한 세퍼러블플라스크에, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카르본산-1,4-페닐렌에스테르 67.4g(50몰%), 메틸렌비스아미노안식향산 42.0g(50몰%), 및 N-메틸-2-피롤리돈 540g을 첨가하고, 실온(25)에서 20시간 반응시켰다. 다시, 톨루엔 200g을 반응용액에 첨가하고, 오일배스를 이용하여 내온이 145가 될 때까지 가열하고, 톨루엔-물의 공비탈수반응을 5시간 행하였다. 이와 같이 하여 얻어진 반응용액을 메탄올에 첨가하고, 재침전 및 여과를 행하고, 얻어진 백색고체를, 감압하, 60에서 10시간 건조시킴으로써, 90.6g의 페놀성 수산기를 포함하지 않는 고분자 화합물(폴리이미드수지) 6을 얻었다. 그러나, 얻어진 고분자 화합물 6은, 유기용매에 불용이었으므로, 분자량의 측정 및 포지티브형 감광성 수지조성물의 조제를 행할 수 없었다.To a separable flask equipped with a stopper-attached water quantifying device, a thermometer, and a stirrer to which a reflux condenser was connected, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid- (50 mol%), 42.0 g (50 mol%) of methylenebisaminobenzoic acid and 540 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added and reacted at room temperature (25) for 20 hours. Again, 200 g of toluene was added to the reaction solution, and the mixture was heated using an oil bath until the internal temperature reached 145, and the azeotropic dehydration reaction of toluene-water was carried out for 5 hours. The reaction solution thus obtained was added to methanol, reprecipitation and filtration were carried out, and the resulting white solid was dried under reduced pressure at 60 for 10 hours to obtain 90.6 g of a macromolecule compound containing no phenolic hydroxyl group (polyimide resin ) 6 was obtained. However, since the resulting polymeric compound 6 was insoluble in an organic solvent, it was impossible to measure the molecular weight and prepare a positive photosensitive resin composition.

(조성물의 조제) (Preparation of composition)

상기에서 합성한 고분자 화합물 1~5을 이용하여, 하기 표 1에 나타낸 처방으로, 감광성 수지조성물을 조제하였다. 조제는, 각 성분을 25에서 6시간 교반혼합한 후, 5㎛의 세공경을 갖는 여과막으로 여과하여 행하였다.Using the polymer compounds 1 to 5 synthesized above, a photosensitive resin composition was prepared according to the formulations shown in Table 1 below. Each component was stirred and mixed at 25 to 6 hours, and then filtered through a filtration membrane having a pore size of 5 mu m.

한편, 광산발생제, 가교제, 노볼락수지, 및 계면활성제는, 이하의 것을 사용하였다. 또한, 하기 표 1 중의 -는, 그 성분을 사용하지 않은 것을 나타낸다.On the other hand, the following photo acid generators, crosslinking agents, novolak resins, and surfactants were used. In the following Table 1, - indicates that the component is not used.

광산발생제: 4,4'-(1-{4-[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐}에틸리덴)비스페놀의 6-디아조-5,6-디하이드로-5-옥소-1-나프탈렌설폰산에스테르(일반식 7의 구조이며, R이 일반식 5인 화합물), 도요합성공업주식회사제, TS200Photoacid generator: 6,4'- (1- {4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl} ethylidene) bisphenol 6-diazo-5,6-dihydro- 5-oxo-1-naphthalenesulfonic acid ester (a compound represented by the general formula 7 and R is a compound represented by the general formula 5), TS 200 manufactured by Toyo Synthetic Ind. Co.,

가교제1: 니카락(등록상표)MX-270(주식회사산와케미칼제)Crosslinking agent 1: Nicarac (registered trademark) MX-270 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)

가교제2: 니카락(등록상표)MX-390(주식회사산와케미칼제)Crosslinking agent 2: Nikarac (registered trademark) MX-390 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)

노볼락수지: 크레졸노볼락수지 TR4020G(아사히유기재공업주식회사제)Novolac resin: Cresol novolak resin TR4020G (manufactured by Asahi Organic Materials Industry Co., Ltd.)

계면활성제: 서프론(등록상표)S-141(AGC세이미케미칼주식회사제)Surfactant: Surflon (registered trademark) S-141 (manufactured by AGC Seiyam Chemical Co., Ltd.)

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Figure pat00008

(패턴형성) (Pattern formation)

상기에서 얻어진 포지티브형 감광성 수지조성물을, 직경 200mm의 구리도금처리한 실리콘웨이퍼(어드밴텍도요주식회사제, Φ200mm Cu Blanket wafer) 또는 유리섬유강화에폭시다층판(히다찌화성주식회사제, MCL-E-700G)에 스핀코트법으로 도포하였다. 도포후, 핫플레이트를 이용하여, 120에서 5분간 건조를 행하였다. 건조후, 얻어진 도막의 위에, 테스트패턴(15㎛의 스루홀 및 라인앤드스페이스패턴)이 형성되어 있는 포지티브형 포토마스크를 두고, 자외선조사장치(미카사제, 마스크얼라이너M-1S형, 초고압수은램프, 250W)를 이용하여, 패턴이 얻어지는 조사량으로, 파장 365nm의 자외선을 조사하였다.The positive photosensitive resin composition obtained above was applied to a silicon wafer (Φ200mm Cu Blanket wafer made by Advantech Co., Ltd.) or a glass fiber reinforced epoxy multi-layer plate (MCL-E-700G made by Hitachi Chemical Co., Ltd.) Spin coating method. After application, drying was carried out using a hot plate at 120 for 5 minutes. After drying, a positive type photomask having a test pattern (through-hole and line-and-space pattern of 15 mu m) formed thereon was placed on the resulting coating film and irradiated with an ultraviolet ray irradiator (Maskarisliner M- Lamp, 250 W) was used to irradiate ultraviolet light having a wavelength of 365 nm at an irradiation dose at which a pattern was obtained.

현상액은, 2.38질량%의 테트라메틸암모늄하이드록시드수용액을 이용하였다.As the developing solution, 2.38 mass% of tetramethylammonium hydroxide aqueous solution was used.

이 액 중(액온 25)에, 상기 자외선조사후의 도포막을, 하기 표 2에 기재된 현상시간으로 침지한 후, 순수로 수세하고, 핫플레이트에서 건조후, 산소농도 10ppm 이하의 이너트오븐을 이용하여, 200 1시간의 가열처리를 행하고, 패턴경화막을 얻었다. 얻어진 패턴경화막의 막두께는, 10㎛였다.The coated film after irradiation with ultraviolet rays was immersed in the solution (liquid temperature 25) at the development time shown in Table 2, then washed with pure water, dried on a hot plate, and then dried in an inert oven at an oxygen concentration of 10 ppm or less , And heat treatment for 200 hours was performed to obtain a patterned cured film. The film thickness of the obtained patterned cured film was 10 占 퐉.

실시예 3~7 및 비교예 5~7의 자외선조사량 및 현상시간은, 하기 표 2에 나타낸다.The ultraviolet irradiation amounts and development times of Examples 3 to 7 and Comparative Examples 5 to 7 are shown in Table 2 below.

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Figure pat00009

[평가] [evaluation]

(신뢰성시험(내금속부식성))(Reliability test (metal corrosion resistance))

고온신뢰성시험은, 상기의 패턴형성으로 얻어진 구리도금처리한 실리콘웨이퍼를, 150 공기환경의 오븐 중에 방치하고, 100시간 경과후, 250시간 경과후, 500시간 경과후, 및 1000시간 종료후의 각각에서, 레지스트와 동박의 접촉부분의 부식 유무를 광학현미경으로 관찰하여 행하였다. 평가기준은 이하와 같으며, 이상이면 실용가능하다:In the high-temperature reliability test, the copper-plated silicon wafer obtained by the above pattern formation was allowed to stand in an oven at 150 atmosphere, and after 100 hours, after 250 hours, after 500 hours, and after 1000 hours , And the presence or absence of corrosion at the contact portion between the resist and the copper foil was observed with an optical microscope. The evaluation criteria are as follows, and it is practical if it is more than:

◎: 500시간 이상 방치해도 부식이 보이지 않았다◎: No corrosion even when left for 500 hours or more

○: 250시간 이상 500시간 미만에서 부식이 발생하였다&Amp; cir &: corrosion occurred in 250 hours to less than 500 hours

△: 100시간 이상 250시간 미만에서 부식이 발생하였다B: Corrosion occurred in 100 hours or more and less than 250 hours

×: 100시간 미만에서 부식이 발생하였다.X: Corrosion occurred in less than 100 hours.

냉열충격시험은, 상기 패턴형성과 동일한 방법으로, 한변의 길이가 2mm, 1mm, 500마이크론, 200마이크론인 각각의 구멍형 패턴을 제작한 구리도금처리한 실리콘웨이퍼 및 유리섬유강화 에폭시다층판을 각각, -70 이상 125 이하의 설정이 가능한 냉열충격시험기(에스펙주식회사제, TSA-101S-W)를 사용하여, -55 15분간, 상온(25) 15분, 125 15분, 상온(25) 15분을 1사이클로 하고, 100사이클(100시간 경과후), 250사이클(250시간 경과후), 및 500사이클(500시간) 종료후의 각각에서, 크랙발생의 유무를 광학현미경으로 관찰하여 행하였다. 평가기준은 이하와 같으며, 이상이면 실용가능하다. 한편, 구리도금처리한 실리콘웨이퍼 및 유리섬유강화 에폭시다층판의 크랙발생의 경향은, 동일하였다:The thermal shock test was carried out in the same manner as in the above-mentioned pattern formation, except that a copper-plated silicon wafer and glass fiber-reinforced epoxy multilayer boards each having a hole pattern of 2 mm, 1 mm, 500 micron, (25) 15 minutes, 125 15 minutes, room temperature (25) 15 minutes using a cold / impact tester (TSA-101S-W made by Espec Co., Ltd.) Min was checked for the occurrence of cracks by an optical microscope in each of 100 cycles (after 100 hours), 250 cycles (after 250 hours), and 500 cycles (after 500 hours). The evaluation criteria are as follows. On the other hand, the tendency of occurrence of cracks in the copper-plated silicon wafer and the glass fiber-reinforced epoxy multilayer board was the same:

◎: 500시간 방치해도 크랙이 보이지 않았다◎: Crack was not observed even when left for 500 hours

○: 250시간 이상 500시간 미만에서 크랙이 발생하였다&Amp; cir &: Crack occurred in 250 hours or more and less than 500 hours

×: 250시간 미만에서 크랙이 발생하였다.X: Cracks occurred in less than 250 hours.

(박리강도(기판밀착성) 평가) (Evaluation of peel strength (substrate adhesion)) [

상기 패턴형성과 동일한 조작으로 가로세로 1mm의 패턴을 형성한 구리도금처리한 실리콘웨이퍼기판을, 85 85%RH의 고온고습조에 100시간 방치하였다. 그 후, SAICAS(등록상표)DN(다이플라·윈테스주식회사제)으로, 1mm 폭의 BN날을 사용한 절삭박리시험을 실시하고, 박리강도를 구하였다. 박리강도는, 1.2kgf/cm 이상인 것이 바람직하다.A copper-plated silicon wafer substrate having a pattern of 1 mm in width and 1 mm in the same operation as the pattern formation was left in a high-temperature, high-humidity bath at 85 85% RH for 100 hours. Thereafter, the SAICAS (registered trademark) DN (manufactured by Dai-ichi Wintech Co., Ltd.) was subjected to a cutting peel test using a BN blade having a width of 1 mm, and the peel strength was determined. The peel strength is preferably 1.2 kgf / cm or more.

(파단신장, 인성, 선팽창계수, 및 유리전이점측정용 경화막의 제작) (Preparation of Cured Film for Fracture Elongation, Toughness, Linear Expansion Coefficient, and Glass Transition Point Measurement)

각 실시예 및 비교예의 조성물을, 두께 50㎛의 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)필름상에 도포하고, 80의 핫플레이트상에서 30분간, 및 130 공기환경의 오븐에서 5분간 건조후, 산소농도 10ppm 이하의 이너트오븐에서 200 1시간의 가열처리를 행하였다. 이에 따라 조성물의 경화막(두께 15㎛)을 얻었다.The composition of each of the Examples and Comparative Examples was applied on a polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 50 탆, dried for 30 minutes on an 80 hot plate, and for 5 minutes in an oven of 130 air atmosphere, And the heat treatment for 200 hours was performed in the following inert oven. Thus, a cured film (thickness: 15 mu m) of the composition was obtained.

(파단신장, 인성의 측정) (Measurement of elongation at break and toughness)

상기에서 얻어진 경화막을 5mm 폭의 긴 직사각형 형상으로 자르고, 만능시험기(Stable Micro System사제, 텍스처 애널라이저TA.TXplus)를 이용하여, 척폭 20mm, 속도 0.1mm/초로 인장시험을 행하고, 파단점까지의 신장(파단신장), 및 응력변형곡선의 하부의 면적을 측정하였다. 한편, 응력변형곡선의 하부의 면적을, 본 명세서에서는 인성이라고 정의한다. 파단신장은 6% 이상 10% 이하인 것이 바람직하다.The cured film obtained above was cut into a rectangular shape with a width of 5 mm and subjected to a tensile test at a height of 20 mm and a speed of 0.1 mm / sec using a universal tester (Stable Micro System, Texture Analyzer TA.TXplus) (Elongation at break), and the area under the stress-strain curves were measured. On the other hand, the area under the stress-strain curve is defined as toughness in this specification. The breaking elongation is preferably 6% or more and 10% or less.

또한, 인성은 6mJ/mm3 이상 10mJ/mm3 이하인 것이 바람직하다.In addition, the toughness is preferably 6mJ / mm 3 or less than 10mJ / mm 3.

(선팽창계수의 측정) (Measurement of linear expansion coefficient)

상기에서 얻어진 경화막을, 열기계분석(TMA)장치(세이코인스트루먼츠주식회사제, EXSTAR6000TMA/SS6100)를 이용하여, 승온속도 10/분, 상온(25)에서 200까지의 2사이클에서, 2사이클째의 50 이상 100 이하의 영역의 TMA곡선으로부터 선팽창계수를 산출하였다. 선팽창계수는, 50ppm/ 이하인 것이 바람직하다.The cured film obtained above was measured at a temperature raising rate of 10 / min and at a room temperature (25) to 200 using a thermomechanical analysis (TMA) apparatus (EXSTAR6000TMA / SS6100, manufactured by Seiko Instruments Inc.) The linear expansion coefficient was calculated from the TMA curve in the region of not less than 100. The coefficient of linear expansion is preferably 50 ppm or less.

(유리전이점의 측정) (Measurement of glass transition point)

상기에서 얻어진 경화막을, 동적점탄성측정(DMA)장치(주식회사히다찌하이테크사이언스제, EXSTAR DMA7100)를 이용하여, 승온온도 5/분, 23에서 400까지의 온도영역에서, 저장탄성률(E') 및 손실탄성률(E'')을 측정하고, 이들의 비E''/E'=tanδ라고 정의되는 손실계수가 피크값을 취하는 온도를 유리전이점이라고 정의하여, 측정하였다.The cured film obtained above was measured for the storage elastic modulus (E ') and the loss (E') in a temperature range from 23 to 400 using a dynamic viscoelasticity measurement (DMA) device (EXSTAR DMA7100, manufactured by Hitachi High- The elastic modulus E "was measured, and the temperature at which the loss factor defined by the ratio E" / E '= tan δ took the peak value was defined as the glass transition point.

각 물성의 평가결과를 하기 표 3에 나타낸다.The evaluation results of the respective properties are shown in Table 3 below.

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 표 2 및 표 3으로부터 명백한 바와 같이, 실시예 3~7의 포지티브형 감광성 수지조성물은, 패턴현상성, 선팽창계수, 기판밀착성, 인성, 및 내금속부식성의 밸런스가 우수한 것을 알 수 있다. 특히, 가교제를 포함하는 실시예 4~6의 포지티브형 감광성 수지조성물은, 박리강도(기판밀착성)가 향상되고, 노볼락수지를 포함하는 실시예 6의 포지티브형 감광성 수지조성물은, 현상시간이 단축되어 있는 것을 알 수 있다.As apparent from Tables 2 and 3, it can be seen that the positive photosensitive resin compositions of Examples 3 to 7 are excellent in balance of pattern development property, linear expansion coefficient, substrate adhesion property, toughness and metal corrosion resistance. Particularly, the positive photosensitive resin compositions of Examples 4 to 6 including a crosslinking agent had improved peel strength (substrate adhesion), and the positive photosensitive resin composition of Example 6 containing a novolac resin had a shortened developing time .

한편, 비교예 5~7의 포지티브형 감광성 수지조성물은, 특히 냉열충격시의 내금속부식성이 낮고, 패턴현상성, 선팽창계수, 기판밀착성, 인성, 및 내금속부식성의 밸런스가 저하되는 것을 알 수 있다.On the other hand, the positive photosensitive resin compositions of Comparative Examples 5 to 7 exhibited low resistance to metal corrosion particularly during a cold / heat shock, and the balance between pattern development property, linear expansion coefficient, substrate adhesion property, toughness and metal corrosion resistance have.

Claims (14)

5몰% 이상 20몰% 이하의 카르복실기를 갖는 반복단위와 80몰% 이상 95몰% 이하의 페놀성 수산기를 갖는 반복단위를 포함하며,
상기 카르복실기를 갖는 반복단위와 상기 페놀성 수산기를 갖는 반복단위의 합계가 100몰%인, 폴리이미드수지.
And a repeating unit having a carboxyl group in an amount of 5 mol% to 20 mol% and a repeating unit having a phenolic hydroxyl group in an amount of 80 mol% to 95 mol%
Wherein the total of the repeating unit having a carboxyl group and the repeating unit having a phenolic hydroxyl group is 100 mol%.
제 1 항에 있어서,
상기 카르복실기를 갖는 반복단위는, 하기 일반식 1로 표시되는 반복단위이며,
상기 페놀성 수산기를 갖는 반복단위는, 하기 일반식 2로 표시되는 반복단위인, 폴리이미드수지:
Figure pat00011

Figure pat00012

상기 일반식 1 및 일반식 2 중, R1은, 각각 독립적으로, 에테르결합 혹은 에스테르결합을 포함할 수도 있는 탄소수 1 이상 10 이하의 직쇄상, 분지상, 혹은 환상의 알킬렌기, 또는 에테르결합 혹은 에스테르결합을 포함할 수도 있는 탄소수 6 이상 20 이하의 아릴렌기이다.
The method according to claim 1,
The repeating unit having a carboxyl group is a repeating unit represented by the following general formula (1)
The repeating unit having a phenolic hydroxyl group is a repeating unit represented by the following general formula (2): polyimide resin:
Figure pat00011

Figure pat00012

In the general formulas (1) and (2), R 1 represents, independently of each other, a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 10 carbon atoms which may contain an ether bond or an ester bond, An arylene group having 6 to 20 carbon atoms which may contain an ester bond.
제 2 항에 있어서,
상기 일반식 1로 표시되는 카르복실기를 갖는 반복단위는, 하기 일반식 3으로 표시되는 반복단위이며,
상기 일반식 2로 표시되는 페놀성 수산기를 갖는 반복단위는, 하기 일반식 4로 표시되는 반복단위인, 폴리이미드수지.
Figure pat00013

Figure pat00014

3. The method of claim 2,
The repeating unit having a carboxyl group represented by the general formula (1) is a repeating unit represented by the following general formula (3)
The repeating unit having a phenolic hydroxyl group represented by the general formula (2) is a repeating unit represented by the following general formula (4).
Figure pat00013

Figure pat00014

제 1 항에 있어서,
중량평균분자량이 40000 이상인, 폴리이미드수지.
The method according to claim 1,
A polyimide resin having a weight average molecular weight of 40,000 or more.
제 1 항에 기재된 폴리이미드수지와,
상기 폴리이미드수지 100질량부에 대하여, 1질량부 이상 50질량부 이하의 광산발생제를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지조성물.
A polyimide resin composition comprising the polyimide resin according to claim 1,
1 to 50 parts by mass of a photoacid generator based on 100 parts by mass of the polyimide resin.
제 5 항에 있어서,
상기 광산발생제는, 하기 일반식 5~10으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 포지티브형 감광성 수지조성물:
Figure pat00015

상기 일반식 5~10 중, R은, 각각 독립적으로, 수소원자, 하기 일반식 11으로 표시되는 기, 또는 하기 일반식 12로 표시되는 기이다.
Figure pat00016

6. The method of claim 5,
Wherein the photoacid generator is at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas 5 to 10:
Figure pat00015

In the general formulas 5 to 10, each R independently represents a hydrogen atom, a group represented by the following formula 11, or a group represented by the following formula 12:
Figure pat00016

제 5 항에 있어서,
상기 폴리이미드수지 100질량부에 대하여, 5질량부 이상 25질량부 이하의 가교제를 추가로 포함하는, 포지티브형 감광성 수지조성물.
6. The method of claim 5,
Further comprising a crosslinking agent in an amount of 5 parts by mass or more and 25 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polyimide resin.
제 5 항에 있어서,
상기 폴리이미드수지 100질량부에 대하여, 10질량부 이상 40질량부 이하의 노볼락수지를 추가로 포함하는, 포지티브형 감광성 수지조성물.
6. The method of claim 5,
Further comprising a novolak resin in an amount of 10 parts by mass or more and 40 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polyimide resin.
제 5 항에 있어서,
계면활성제를 추가로 포함하는, 포지티브형 감광성 수지조성물.
6. The method of claim 5,
A positive-working photosensitive resin composition, further comprising a surfactant.
제 5 항에 있어서,
프로필렌글리콜1-모노메틸에테르2-아세테이트, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 1-메톡시-2-프로판올, γ-부티로락톤, 및 N-메틸-2-피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용매를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지조성물.
6. The method of claim 5,
Propylene glycol 1-monomethyl ether 2-acetate, cyclopentanone, cyclohexanone, 1-methoxy-2-propanol, gamma -butyrolactone, and N- A positive photosensitive resin composition comprising at least one solvent.
제 5 항에 기재된 포지티브형 감광성 수지조성물의 경화물.
A cured product of the positive photosensitive resin composition according to claim 5.
제 11 항에 있어서,
유리전이점이 200 이상 350 이하인, 경화물.
12. The method of claim 11,
A cured product having a glass transition point of 200 or more and 350 or less.
제 11 항에 기재된 경화물을 포함하고, 막두께가 5㎛ 이상 20㎛ 이하인, 패턴을 갖는 경화막.
A cured film having a pattern comprising a cured product according to claim 11 and having a film thickness of 5 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less.
구리, 알루미늄, 질화티탄, 탄탈, 질화탄탈, 실리콘, 질화실리콘, 액정폴리머, 폴리이미드, 에폭시수지, 폴리페닐렌설파이드, 및 폴리염화비닐리덴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료를 포함하는 기판과,
제13항에 기재된 패턴을 갖는 경화막, 을 구비하는, 프린트배선판.
At least one material selected from the group consisting of copper, aluminum, titanium nitride, tantalum, tantalum nitride, silicon, silicon nitride, liquid crystal polymer, polyimide, epoxy resin, polyphenylene sulfide, and polyvinylidene chloride A substrate;
A printed wiring board comprising the cured film having the pattern according to claim 13.
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