JP6934530B2 - 自己伝導性のnチャンネルの出力段電界効果トランジスタの駆動装置、集積回路及びアンプ - Google Patents

自己伝導性のnチャンネルの出力段電界効果トランジスタの駆動装置、集積回路及びアンプ Download PDF

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Description

本発明は、自己伝導性のnチャンネルの出力段電界効果トランジスタを駆動するための駆動装置、及び、プッシュプル回路の交流電圧を電気的に増幅する駆動装置に関する。
自己伝導性のnチャンネルの出力段電界効果トランジスタ(ここでは、出力段トランジスタと称する)は、例えば、電圧スイッチ式であってクラスSのマイクロ波パワーアンプといったように、パワートランジスタとして使用され、ドライバによって駆動される。
ドライバは、制御信号の入力部と、制御信号の出力部と、負電圧源と、正電圧源とを備える装置として構成することができる。当該制御信号の出力部は、出力段電界効果トランジスタのゲート電極へ接続するための部分である。
また、ドライバのトランジスタのソース電極は、第1ノードに接続され、ドライバのトランジスタのゲート電極は、第2ノードに電気的に接続され、ドライバのトランジスタのドレイン電極は、正電圧源に接続されている。抵抗の一方は、第2ノードに接続され、抵抗の他方は、正電圧源に接続されている。
米国特許第4,238,737号明細書
ドライバのトランジスタが、ハイサイド出力段トランジスタを駆動するドライバとして用いられるときにおいて、ドライバのトランジスタのソース電極の電圧は出力電圧に共鳴する。
出力段トランジスタのゲート電極における負電圧によって、ドライバのトランジスタをOFFにするため、ドライバのトランジスタのゲート電極とソース電極の間の電圧は、確実に負になっていなければならない。この状態においては、抵抗には高い電圧がかかり、ドライバの電力損失を招く。このため、特許文献1では、プッシュプル式アンプのバランスを図っている。
本発明によれば、請求項1に記載された、自己伝導性のnチャンネルの出力段電界効果トランジスタを駆動するための装置(駆動装置)が提供される。
また、本発明によれば、請求項5に記載された、プッシュプル回路の交流電圧の電気的な増幅をするための装置が提供される。
装置は、制御信号の入力部と、制御信号の出力部と、第1及び第2ノードと、第1トランジスタ(第1駆動トランジスタ)と、を備え、出力部は、出力段電界効果トランジスタのゲート電極へ接続するための部分であり、第1ノードは、制御信号の出力部に接続され、第1トランジスタのソース電極は、第1ノードに接続され、第1トランジスタのゲート電極は、第2ノードに接続され、第1トランジスタのドレイン電極は、供給電圧に接続され又は接続可能に構成されている。抵抗の一方には、第2ノードが接続されている。
装置は、抵抗の他方が第1ノードに接続されている。
第1トランジスタが設けられていることにより、Low信号が制御信号の入力部に印加されると、供給電圧が制御信号の出力部に印加可能である。負電圧が第1ノードの反対の第2ノードに印加されることで、第1トランジスタがOFFする。
抵抗の他方が第1ノードに接続されているので、この抵抗で電圧が降下することになり、これにより、ドライバの電力損失は、制御信号の出力部における電圧によって決められる。この電圧は、少なくとも第1トランジスタがOFFしているならば、正電圧源の電圧よりも低くなるので、ドライバは平均して消費電力が低くなる。
装置は、第1電圧を供給する第1負電圧源と、第2トランジスタ(第2駆動トランジスタ)を備えている。第2トランジスタのソース電極は、第1負電圧源に接続され、第2トランジスタのゲート電極は、制御信号の入力部に接続され、第2トランジスタのドレイン電極は、第1ノードに接続されている。
第1トランジスタがOFFし、第2トランジスタがONしているときにおいて、第1負電圧源の電圧は、制御信号の出力部の電圧を決定する。
装置は、好ましくは、第2負電圧源と、第3トランジスタ(第3駆動トランジスタ)とを備えている。第3トランジスタのソース電極は、第2電圧を供給する第2負電圧源に接続可能である。第3トランジスタのドレイン電極は、第2ノードに接続可能である。
第3トランジスタは、制御信号の入力部にHigh信号が印加されたときに、第1トランジスタを確実にOFFさせるために使用される。抵抗は、制御信号の入力部にLow信号が印加されたときに、第1トランジスタをONさせるために使用される。特に、抵抗の抵抗値、及び、第1負電圧と第2負電圧との電圧差は、抵抗での電圧降下が第1トランジスタを確実にOFFさせるといった観点や、抵抗での電力損失が可能な限り小さくなるといった観点に応じて、選択される。
装置は、好ましくは、DC電圧源を備えている。第3トランジスタのゲート電極には、DC電圧源の負極側が接続可能であり、また、DC電圧源の正極側には、制御信号の入力部が接続可能である。
DC電圧を第3トランジスタのゲートに印加することで、制御信号の入力部にHigh信号が印加されているときに、第3トランジスタは第2負電圧を第2ノードへ確実に切り替えることができる。
第1トランジスタは、自己伝導性の電界効果トランジスタである。
本発明に係る装置は、自己伝導性のnチャンネルの出力段電界効果トランジスタを少なくとも1つを備えている。このトランジスタは、その電位がデバイスの出力電圧と共振するソース電極を備えている。また、本発明に係る装置は、上述した請求項の何れか1つに記載の自己伝導性のnチャンネルの出力段電界効果トランジスタを駆動する装置を備えている。
装置は、好ましくは、第3電圧源を更に備えている。第3電圧源は、正電圧を供給する。自己伝導性のnチャンネルの出力段電界効果トランジスタのドレイン電極は、好ましくは、第3電圧源に接続される。第3電圧源の電圧は、好ましくは、第1負電圧源の電圧と第2負電圧源の電圧との間の電圧差よりも、少なくとも1桁大きい電圧である。
集積回路は、好ましくは、上述した装置を更に備える。
上述した装置、及び/又は、上述した集積回路は、電圧スイッチ式のマイクロ波パワーアンプであり、マイクロ波パワーアンプは、クラスSのアンプである。
本発明の好適な更なる実施形態は、従属請求項に対応し、また、明細書に開示されている。
図1は、従来の装置であって、ローサイド駆動のトランジスタを駆動するための装置を示している。 図2は、本発明の実施形態に係るハイサイド駆動のトランジスタを駆動するための装置を示している。
図1は、従来技術に係る自己伝導性のnチャンネルのローサイド出力段電界効果トランジスタV2を駆動するための装置を示している。
従来技術に係る装置(駆動装置)は、第1トランジスタV7(第1駆動トランジスタ)と、制御信号の入力部110と、制御信号の出力部120とを備えている。制御信号の出力部120は、電界効果トランジスタV2のゲート電極に接続されている、又は、電界効果トランジスタV2のゲート電極に接続されるように構成されている。電界効果トランジスタV2のドレイン電極は、出力CTに接続され、また、電界効果トランジスタV2のソース電極は、グランドGNDに接続されている。
制御信号の出力部120は、第1ノードN1に接続されている。第1ノードN1は、第1トランジスタV7のソース電極V7Sに接続されている。第1トランジスタV7のドレイン電極V7Dは、正電圧源PSに接続されている。第1トランジスタV7のゲート電極V7Gは、第2ノードN2に接続されている。
制御信号の入力部110は、第2トランジスタV8(第2駆動トランジスタ)のゲート電極V8Gに接続されている。第2トランジスタV8のドレイン電極V8Dは、第1ノードN1に接続されている。制御信号の入力部110は、DC電圧源GSQの正極側にも接続されている。DC電圧源GSQの負極側は、第3トランジスタV6(第3駆動トランジスタ)のゲート電極V6Gに接続されている。第3トランジスタV6のドレイン電極V6Dは、第2ノードN2に接続されている。
第2トランジスタV8のソース電極V8Sは、第1負電圧(−Ve)を供給する第1負電圧源NS1に接続されている。第3トランジスタV6のソース電極V6Sは、第1負電圧(−Ve)よりも低い第2負電圧(−Vee)を供給する第2負電圧源NS2に接続されている。
正電圧源PSと第2ノードN2に接続された抵抗R2は、正電圧源PSと第2ノードN2との間に配置される。
第1トランジスタV7や電界効果トランジスタV2をOFFにするのに必要な電力損失は、抵抗R2を流れる電流量によって決まる。電力損失は、次のように表される。
Figure 0006934530
ここで、パワーアンプの電圧差(VPS−Vee)は、パワーアンプの供給電圧(+Vdd)より少なくとも1桁小さい。このため、抵抗における電力損失(PVer)は、比較的低い。
トランジスタをハイサイド駆動で使用する場合において、電界効果トランジスタV2のドレイン電極は、パワーアンプの電源電圧(+Vdd)に接続され、電界効果トランジスタV2のソース電極は出力CTに接続されている。駆動回路が正しく機能するには、電圧(VPS)が少なくともパワーアンプの供給電圧(+Vdd)と同じ大きさである必要があるため、抵抗R2における電力損失が大幅に増加する。
図2は、本発明の実施形態に係る自己伝導性のnチャネルのハイサイド出力段電界効果トランジスタV1を駆動するための装置100(駆動装置)を示している。本発明の実施形態に係る装置100は、とりわけ、電力損失が小さい。
図1に示す装置とは対照的に、自己伝導性のnチャネルのハイサイド出力段電界効果トランジスタV1のソース電極は、出力CTに接続されている。また、電界効果トランジスタV1のドレイン電極は、正電圧源(+Vdd)に接続されている。更に、抵抗R1は、第1ノードN1と第2ノードN2との間に配置されている。
図2に示される装置100は、第1トランジスタV4(第1駆動トランジスタ)と、制御信号の入力部110と、制御信号の出力部120とを備えている。制御信号の出力部120は、電界効果トランジスタV1のゲート電極V1Gに接続されている、又は、電界効果トランジスタV1のゲート電極V1Gに接続されるように構成されている。
制御信号の出力部120は、第1ノードN1に接続されている。第1ノードN1は、第1トランジスタV4のソース電極V4Sに接続されている。第1トランジスタV4のゲート電極V4Gは、第2ノードN2に接続されている。制御信号の入力部110は、第2トランジスタV5のゲート電極V5Gに接続されている。第2トランジスタV5のドレイン電極V5Dは、第1ノードN1に接続されている。
制御信号の入力部110は、DC電圧源GSQの正極側に更に接続されている。DC電圧源GSQの負極側は、第3トランジスタV3のゲート電極V3Gに接続されている。第3トランジスタV3のドレイン電極V3Dは、第2ノードN2に接続されている。
第2トランジスタV5のソース電極V5Sは、第1負電圧を供給する第1負電圧源NS1に接続されている。第3トランジスタV3のソース電極V3Sは、第1負電圧よりも低い第2負電圧を供給する第2負電圧源NS2に接続されている。第1ノードN1及び第2ノードN2に接続された抵抗R1は、第1ノードN1と第2ノードN2との間に配置されている。
第1トランジスタV4のドレイン電極V4Dは、正電圧源に接続される若しくは電界効果トランジスタV1のソース電極V1Sに接続される、又は、正電圧源に接続されるように構成される若しくは電界効果トランジスタV1のソース電極V1Sに接続されるように構成される。
本発明の好適な実施形態では、第1トランジスタV4は、自己伝導性の電界効果トランジスタである。
本発明のその他の実施形態は、プッシュプル回路における交流電圧を増幅するための装置である。この装置は、その電位が当該装置の出力電圧と共振するソース電極V1Sを有する少なくとも1つの自己伝導性のnチャネルの出力段電界効果トランジスタV1を備えている。この電界効果トランジスタV1を駆動するための装置は、nチャネルのハイサイド出力段電界効果トランジスタV1を駆動するための装置(図2参照)を備えている。
電界効果トランジスタV1に供給される供給電圧(+Vdd)は、例えば、第1負電圧と第2負電圧との間の電圧差よりも、少なくとも一桁大きい。
第1トランジスタV4のドレイン電極V4Dは、電界効果トランジスタV1のドレイン電極V1D又はソース電極V1Sに接続することができる。
本発明の更なる他の実施形態は、電気信号の増幅のための装置(アンプ)、及び/又は、集積回路として実装された自己伝導性のnチャネルのハイサイド出力段電界効果トランジスタを駆動するための装置を含む。
最後に、本発明の実施形態において、電気信号の増幅のための装置(アンプ)、及び/又は、自己伝導性のnチャネルのハイサイド出力段電界効果トランジスタを駆動する装置は、電圧スイッチ式であってクラスSのマイクロ波パワーアンプとして使用される。
本発明の実施形態の一例は、プッシュプル回路のAC増幅段のパワートランジスタを低損失制御するための装置に関する。これらの増幅器は、駆動トランジスタとして、少なくとも1つの自己伝導性のnチャネルの電界効果トランジスタを有する。当該電界効果トランジスタのソース電極は、定電位ではなく、アンプの出力電圧と共振する。この電位は、フローティング電位とも呼ばれている。
好ましくは、本発明の実施形態に係る装置は、電圧スイッチ式であってクラスSのマイクロ波パワーアンプにおける「ハイサイドドライバ」として使用することができる。
本発明の実施形態に係る装置の機能が電圧スイッチ式であってクラスSのマイクロ波パワーアンプにおける「ハイサイドドライバ」ときにおいて、本発明の実施形態に係る装置の機能は、以下に、図2によって説明される。
電界効果トランジスタV1は、ハイサイドドライバによって制御される。ハイサイドドライバは、第1トランジスタV4、第2トランジスタV5、第3トランジスタV3及び抵抗R1によって構成される。
出力電圧は、駆動トランジスタV1(以下、電界効果トランジスタV1と称する)のソース電極V1Sで取り出される。ゲート電極V5Gに印加されるハイサイドドライバの制御電圧は、制御信号の出力部120に印加される。制御電圧は、DCバイアスにも供給され、且つ、第3トランジスタV3のゲート電極V3Gに印加される。
特に明記しない限り、以下にリストされている電圧は、グランド又はソース電極V2Sの電位を指す。
場合1:電界効果トランジスタV1がONになる場合
Low信号が制御信号の入力110部に印加される。これにより、第2トランジスタV5及び第3トランジスタV3がOFFになる。したがって、抵抗R1には電流が流れない。このため、第1トランジスタV4はONとなる。ここで、抵抗R1は、実施形態に係る自己導通性の第1トランジスタV4をOFFにするために必要な抵抗である。
第1トランジスタV4のチャネル(ドレイン−ソース電圧)は、電界効果トランジスタV1の入力(ゲート−ソース電圧)と同様であるため、第1トランジスタV4がONすると、電界効果トランジスタV1のゲート電極とソース電極との間の電圧差が無くなる。このとき、電界効果トランジスタV1はONする。
場合2:電界効果トランジスタV1がOFFになる場合
High信号が制御信号の入力部110に印加される。これにより、第2トランジスタV5及び第3トランジスタV3がONになる。
ここで、電圧(−Ve)が第1ノードN1に印加される。この電圧(−Ve)は、電界効果トランジスタV1のゲート電極V1Gにも印加される。第2ノードN2には、電圧(−Ve)より低い電圧(−Vee)が印加される。第1ノードN1と第2ノードN2との間には電圧差がある。したがって、抵抗R1には電流が流れる。なお、抵抗R1が流れることは、実施形態に係る第1トランジスタV4をOFFにするために必要なことである。
このように、第1トランジスタV4はOFFになる。
ソース電極V1Sの電圧が負にはならない。ゲート電極V1Gには負の電圧(−Ve)が印加されているため、ソース電極V1Sとゲート電極V1Gの間に電圧降下が生じている。このため、電界効果トランジスタV1はOFFとなる。
OFFにするために必要な消費電力は、次式に示すように、抵抗R1を流れる電流の電流量によって決まる。
Figure 0006934530
特に、消費電力は、自己伝導型性のnチャネルの出力段電界効果トランジスタV1に供給される供給電圧とは無関係である。
本発明の更なるその他の実施形態において、ドライバは、DC結合され、リアクタンス素子を有さない。このとき、ドライバは、キャリア周波数とデューティサイクルに関係なく動作する。
本発明の更なるその他の実施形態は、集積回路として実現される。

Claims (6)

  1. 自己伝導性のnチャンネルの出力段電界効果トランジスタを駆動し、且つ、プッシュプル回路の交流電圧を電気的に増幅するための駆動装置であって、
    少なくとも1つの前記電界効果トランジスタを備え、前記電界効果トランジスタは、ソース電極を有し、前記電界効果トランジスタのソース電極の電位は、前記駆動装置の出力電圧によって振動する、駆動装置であって、
    制御信号の入力部と、制御信号の出力部と、抵抗と、第1及び第2ノードと、第1〜第3トランジスタと、第1及び第2負電圧源と、DC電圧源とを備え、
    前記出力部は、前記電界効果トランジスタのゲート電極へ接続するための部分であり、
    第1ノードは、前記出力部に接続され、
    第1トランジスタのソース電極は、第1ノードに接続され、
    第1トランジスタのゲート電極は、第2ノードに接続され、
    第1トランジスタのドレイン電極は、正の供給電圧に接続され又は接続可能に構成され、
    前記抵抗の一方には、第2ノードが接続され、
    前記抵抗の他方は、第1ノード接続され、
    第1負電圧源は、第1電圧を供給する電圧源であり、
    第2トランジスタのソース電極は、第1負電圧源に接続され、
    第2トランジスタのゲート電極は、前記入力部に接続され、
    第2トランジスタのドレイン電極は、第1ノードに接続され
    第3トランジスタのソース電極は、第2負電圧源に接続され、
    第3トランジスタのドレイン電極は、第2ノードに接続され、
    前記DC電圧源の正極側は、前記入力部に接続され、
    前記DC電圧源の負極側は、第3トランジスタのゲート電極に接続されている、駆動装置。
  2. 請求項1に記載の駆動装置であって、
    第1トランジスタは、自己伝導性の電界効果トランジスタである、駆動装置。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の駆動装置であって、
    第3電圧源を更に備え、
    第3電圧源は、前記供給電圧を供給し、
    前記電界効果トランジスタのドレイン電極は、第3電圧源に接続され、
    第3電圧源の電圧は、第1負電圧源の第1電圧と第2負電圧源の第2電圧との間の電圧差よりも、少なくとも1桁大きい電圧である、駆動装置。
  4. 請求項1〜請求項の何れか1つに記載の駆動装置であって、
    第1トランジスタのドレイン電極は、前記電界効果トランジスタのソース電極に接続されている、駆動装置。
  5. 請求項1〜請求項の何れか1つに記載の駆動装置を備えている、集積回路。
  6. 電圧スイッチ式のクラスSのマイクロ波パワーアンプであって、
    請求項1〜請求項の何れか1つに記載の駆動装置を備えている、アンプ。
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