JP6924504B2 - 実装回路基板検査装置および実装回路基板検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、実装回路基板検査装置および実装回路基板検査方法に関する。

特許文献１は実装基板の不良検査方法を開示する。特許文献１に開示された実装基板の不良検査方法は、ＩＣおよび電子部品が実装された実装基板の不良検査方法である。特許文献１に開示された実装基板の不良検査方法は、第１の工程と第２の工程と第３の工程とを備える。第１の工程において、予め作成したテストプログラムでそれぞれ個別に良品基板と被検査基板とが動作させられる。その際、測定装置によって実装基板内のネットの信号が測定される。その結果は格納される。第２の工程において、良品基板と被検査基板との測定結果が比較される。比較の後、設定レベル以上の差が見られた不良伝播ネットがリストアップされる。第３の工程において、任意の不良伝播ネットにおいて、その不良伝播ネットと出力端子もしくは双方向端子で接続されているＩＣが特定される。そのＩＣを中継地点として、その中継地点で別のＩＣの出力端子もしくは双方向端子と接続された任意の不良伝播ネットが次の探索経路として順次特定される。その後、不良伝播ネットのリストアップから源流となる不良ネットが抽出される。

特許文献１に開示された実装基板の不良検査方法によると、短時間で機能不良の箇所を特定できる。

特開平１１−３３７６２６号公報

しかしながら、特許文献１に開示された実装基板の不良検査方法には、回路のうち不良伝播ネットと呼ばれる機能不良の部分が予めリストアップされなくてはならないという問題点がある。

本発明は、このような問題を解消するものである。その目的は、実装回路基板における回路の具体的内容が特定されていなくてもその実装回路基板における機能不良箇所の有無を精度よく判断できる実装回路基板検査装置および実装回路基板検査方法を提供することにある。

図面を参照して本発明の実装回路基板検査装置および実装回路基板検査方法を説明する。なお、この欄で図中の符号を使用したのは、発明の内容の理解を助けるためであって、内容を図示した範囲に限定する意図ではない。

上記課題を解決するために、本発明のある局面に従うと、実装回路基板検査装置は、電力供給部７０と、エネルギ観測部７２と、判断結果情報出力部７４とを備える。電力供給部７０は実装回路基板に電力を供給する。エネルギ観測部７２は電力供給部７０が電力を供給している間にエネルギ発生領域から出るエネルギを観測する。エネルギ発生領域は、実装回路基板のうち電力の供給に応じて動作する領域の少なくとも一部である。判断結果情報出力部７４は、実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報を出力する。実装回路基板検査装置が、エネルギ伝達抑制部７６をさらに備えている。エネルギ伝達抑制部７６は、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へのエネルギの伝達を抑制する。判断結果情報出力部７４が、エネルギ観測部７２が観測したエネルギが所定の基準を満たすか否かに基づき、実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報を出力する。

機能不良の箇所が存在する実装回路基板はそうでないものと比べてその機能不良の箇所において出るエネルギが異なる。その機能を実現するための動作が異なるからである。そのエネルギが異なるので、判断結果情報出力部７４は、エネルギ観測部７２が観測したエネルギが所定の基準を満たすか否かに基づき、実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報を出力できる。機能不良箇所が存在する実装回路基板とそうでないものとの間では、エネルギが出ている時間の経過につれ、エネルギ発生領域から出たエネルギの合計量の差が大きくなる。エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へのエネルギの伝達をエネルギ伝達抑制部７６が抑制すると、エネルギ発生領域において機能不良箇所が存在するか場合とそうでない場合とに関する、観測されるエネルギの合計量の差の縮小が抑制される。エネルギの合計量の差の縮小が抑制されると、エネルギ発生領域において機能不良箇所が存在するか場合とそうでない場合との間での観測されるエネルギの合計量の差が大きくなる。エネルギの合計量の差が大きくなると、そうでない場合に比べ、実装回路基板における回路の具体的内容が特定されていなくてもエネルギ観測部７２が観測したエネルギが所定の基準を満たすか否かの判断の精度が向上する。その精度が向上するので、機能不良箇所の有無が精度よく判断可能となる。その結果、本発明にかかる実装回路基板検査装置は実装回路基板における回路の具体的内容が特定されていなくてもその実装回路基板における機能不良箇所の有無を精度よく判断できる。

また、上述したエネルギ伝達抑制部７６が、収容容器１０と、気圧低下部１１０と、気圧検出部１１２とを有している。収容容器１０には実装回路基板が収容される。気圧低下部１１０は、収容容器１０内の気圧を低下させる。気圧検出部１１２は、収容容器１０内の気圧を検出する。この場合、エネルギ観測部７２が、収容容器１０内の気圧が所定の気圧以下となったことを気圧検出部１１２が検出した際の、エネルギ発生領域の温度に基づいて、エネルギを観測する。

収容容器１０内の気圧が所定の気圧以下となると、そうでない場合に比べて、収容容器１０内の気体分子の数は少なくなる。気体分子の数が少なくなると、そうでない場合に比べて、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へは熱エネルギが伝わり難くなる。気体分子が熱エネルギを伝えるための媒体であるからである。熱エネルギが伝わり難くなると、熱エネルギが伝わったことに起因した、エネルギ発生領域において機能不良箇所が存在するか場合とそうでない場合との間の、温度差の縮小を抑制できる。温度差の縮小が抑制され、かつ、温度に基づいてエネルギが測定されると、温度差の縮小が抑制されない場合に比べて、エネルギ観測部７２が観測したエネルギが所定の基準を満たすか否かの判断の精度が向上する。その結果、本発明にかかる実装回路基板検査装置は実装回路基板における回路の具体的内容が特定されていなくても機能不良箇所の有無を精度よく判断できる。

もしくは、上述した気圧検出部１１２が、音発生部１４０と、音量検出部１４２とを有していることが望ましい。音発生部１４０は、収容容器１０内で音を発生する。音量検出部１４２は、音発生部１４０が発生させる音の収容容器１０外における音量を検出する。

音は気体を媒質として伝わる。音発生部１４０が収容容器１０内で発生させた音が収容容器１０外でどの程度聞こえるかということは、収容容器１０内に気体がどの程度入っているかということに対応する。収容容器１０内に気体がどの程度入っているかということは、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へ熱エネルギがどの程度伝わり難いかということに対応する。これにより、音発生部１４０が収容容器１０内で発生させた音が収容容器１０外でどの程度聞こえるかということに基づいて、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へ熱エネルギがどの程度伝わり難いかが検出され易くなる。

上述された本発明のある局面に従うと、上述した実装回路基板検査装置が、気体供給部７８と、繰返制御部８０とをさらに備える。気体供給部７８は、エネルギ観測部７２がエネルギを観測すると、収容容器１０内へエネルギ発生領域の最高温度より低温の気体を供給する。繰返制御部８０は、気圧低下部１１０による収容容器１０内の気圧の低下とエネルギ観測部７２によるエネルギの観測と気体供給部７８による収容容器１０内への気体の供給とを複数回繰り返させる。この場合、判断結果情報出力部７４が、エネルギ観測部７２が観測したエネルギがその大きさに関する要件を満たした回数が所定の基準を満たすか否かに基づき、実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報を出力する。

繰返制御部８０による収容容器１０内の気圧の低下とエネルギの観測と収容容器１０内への気体の供給とが複数回繰り返されると、収容容器１０内の気圧の低下中にエネルギが所定の基準を満たすか否かの判断の機会が多くなる。判断結果情報出力部７４が、エネルギ観測部７２が観測したエネルギがその大きさに関する要件を満たした回数が所定の基準を満たすか否かに基づき、実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報を出力するとする。これにより、実装回路基板における機能不良箇所の有無を精度よく判断できる。しかも、エネルギ観測部７２がエネルギを観測すると、気体供給部７８は収容容器１０内へ気体を供給する。これにより、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へ熱エネルギが伝わり易くなる。熱エネルギが伝わり易くなると、エネルギ発生領域とこの領域（エネルギ発生領域）とは異なる物との間の温度差は早期に小さくなる。エネルギ観測部７２によるエネルギの観測が繰り返される合間に、いったん、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へ熱エネルギが伝わり易くなるので、エネルギ発生領域の温度が高くなりすぎることに起因する実装回路基板の故障が予防される。

本発明の他の局面にしたがうと、実装回路基板検査方法は、電力供給工程Ｓ１３６と、エネルギ観測工程Ｓ１３８と、判断結果情報出力工程Ｓ１４４とを備える。電力供給工程Ｓ１３６において、実装回路基板に電力が供給される。エネルギ観測工程Ｓ１３８において、電力供給工程Ｓ１３６において電力が供給されている間にエネルギ発生領域から出るエネルギが観測される。エネルギ発生領域は、実装回路基板のうち電力の供給に応じて動作する領域の少なくとも一部である。判断結果情報出力工程Ｓ１４４において、実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報が出力される。実装回路基板検査方法が、エネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４をさらに備えている。エネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４では、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へのエネルギの伝達が抑制される。この伝達は、エネルギ観測工程Ｓ１３８においてエネルギが観測されている間におけるものである。判断結果情報出力工程Ｓ１４４では、エネルギ観測工程Ｓ１３８において観測されたエネルギが所定の基準を満たすか否かに基づき、実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報が出力される。

本発明にかかる実装回路基板検査方法は、実装回路基板における回路の具体的内容が特定されていなくても機能不良箇所の有無を精度よく判断できる。

また、上述したエネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４が、気圧低下工程Ｓ１５０と、気圧検出工程Ｓ１５２とを有している。気圧低下工程Ｓ１５０において、実装回路基板が予め収容されている収容容器１０内の気圧が低下させられる。気圧検出工程Ｓ１５２において、収容容器１０内の気圧が検出される。この場合、エネルギ観測工程Ｓ１３８が、温度測定工程Ｓ１９２を有している。温度測定工程Ｓ１９２において、収容容器１０内の気圧が所定の気圧以下となったことが気圧検出工程Ｓ１５２において検出されるとエネルギを示す物理量としてエネルギ発生領域の温度が測定される。

収容容器１０内の気圧が所定の気圧以下となると、そうでない場合に比べて、収容容器１０内の気体分子の数は少なくなる。気体分子の数が少なくなると、そうでない場合に比べて、その気体分子を介したエネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へ熱エネルギが伝わり難くなる。気体分子が熱エネルギを伝えるための媒体であるからである。熱エネルギが伝わり難くなると、エネルギ発生領域とこの領域とは異なる物との間の温度差の縮小が抑制される。温度差の縮小が抑制されると、温度差の縮小が抑制されない場合に比べて、エネルギが所定の基準を満たすか否かの判断が容易になる。その結果、本発明にかかる実装回路基板検査方法は実装回路基板における回路の具体的内容が特定されていなくても機能不良箇所の有無を精度よく判断できる。

上述した実装回路基板検査方法が、気体供給工程Ｓ１４０をさらに有している。気体供給工程Ｓ１４０において、温度測定工程Ｓ１９２においてエネルギ発生領域の温度が測定されると、収容容器１０内へ空気よりも熱伝達率が大きくエネルギ発生領域の最高温度より低温の気体が供給される。この場合、気圧低下工程Ｓ１５０における収容容器１０内の気圧の低下と温度測定工程Ｓ１９２におけるエネルギ発生領域の温度測定と気体供給工程Ｓ１４０における収容容器１０内への気体の供給とが複数回繰り返される。この場合、判断結果情報出力工程Ｓ１４４では、次に述べられる事項に基づき、実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報が出力される。その事項は、エネルギ観測工程Ｓ１３８において観測されたエネルギがそのエネルギの大きさに関する要件を満たした回数が所定の基準を満たすか否かという事項である。

気圧低下工程Ｓ１５０における収容容器１０内の気圧の低下と温度測定工程Ｓ１９２におけるエネルギ発生領域の温度測定と気体供給工程Ｓ１４０における収容容器１０内への気体の供給とが複数回繰り返されると、収容容器１０内の気圧の低下中にエネルギが所定の基準を満たすか否かの判断の機会が多くなる。判断結果情報出力工程Ｓ１４４では、次に述べられる事項に基づき、実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報が出力されるとする。その事項は、エネルギ観測工程Ｓ１３８において観測されたエネルギがそのエネルギの大きさに関する要件を満たした回数が所定の基準を満たすか否かという事項である。これにより、実装回路基板における機能不良箇所の有無を精度よく判断できる。しかも、気体供給工程Ｓ１４０において収容容器１０内へ供給される気体の熱伝達率は空気の熱伝達率より大きい。これにより、空気が供給される場合に比べて、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へ熱エネルギが伝わり易くなる。熱エネルギが伝わり易くなると、エネルギ発生領域とこの領域とは異なる物との間の温度差は早期に小さくなる。その気体の温度がエネルギ発生領域の最高温度より低温であることで、その温度差は一層早期に小さくなる。エネルギ観測工程Ｓ１３８におけるエネルギの観測が繰り返される合間に、いったん、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へ熱エネルギが伝わり易くなるので、エネルギ発生領域の温度が高くなりすぎることに起因する実装回路基板の故障が予防される。

本発明にかかる実装回路基板検査装置および実装回路基板検査方法によれば、実装回路基板における回路の具体的内容が特定されていなくても機能不良箇所の有無を精度よく判断できる。

本発明の一実施形態にかかる実装回路基板検査装置の構成を示す概念図である。 本発明の一実施形態にかかる実装回路基板検査装置の機能ブロック図である。 本発明の一実施形態にかかる実装回路基板検査方法の工程を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態にかかるエネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態にかかるエネルギ観測工程Ｓ１３８を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態にかかる判断結果情報出力工程Ｓ１４４を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態にかかる温度分布例を示す概念図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同一である。したがって、それらについての詳細な説明は繰返さない。

［検査システムの構成の説明］
以下、本発明の一実施形態について説明する。図１は、本実施形態にかかる実装回路基板検査装置の構成を示す概念図である。図１に基づいて、本実施形態にかかる実装回路基板検査装置の構成が説明される。

本実施形態にかかる実装回路基板検査装置は、収容容器１０と、減圧ポンプ１２と、供給ポンプ１４と、温度制御装置１６と、電力供給装置１８と、マイク２０と、スピーカ２２と、温度測定装置２４と、コンピュータ２６とを備える。

収容容器１０には実装回路基板（この実装回路基板は「試験品」と称される）が収容される。減圧ポンプ１２は、収容容器１０に接続される。減圧ポンプ１２は、収容容器１０内の気圧を低下させる。供給ポンプ１４は、収容容器１０内に気体を供給する。この気体は、図示されない排出口を通じて収容容器１０から排出される。排出されたその気体は供給ポンプ１４に流入する。これにより、供給ポンプ１４が供給する気体は循環することとなる。温度制御装置１６は、供給ポンプ１４が供給する気体の温度を所定の温度となるように制御する。電力供給装置１８は、図示されない試験品に電力を供給する。本実施形態の場合、マイク２０は収容容器１０に接するように設けられる。マイク２０は、音波を検出する。スピーカ２２は、収容容器１０内で音を発生する。温度測定装置２４は、試験品の少なくとも一部の領域の温度を測定する。本実施形態の場合、温度測定装置２４は、周知の赤外線カメラによって実現される。コンピュータ２６は、減圧ポンプ１２と電力供給装置１８とスピーカ２２と温度測定装置２４とを制御する。コンピュータ２６は、マイク２０と温度測定装置２４とが出力する情報を受け付ける。コンピュータ２６は、その情報を処理する。

本実施形態の場合、コンピュータ２６は、制御部４０と 、記憶部４２と、入力部４４と、出力部４６と、第１Ｉ／Ｏ（Input/Output）４８と、第２Ｉ／Ｏ５０と、第３Ｉ／Ｏ５２と、第４Ｉ／Ｏ５４と、第５Ｉ／Ｏ５６と、第６Ｉ／Ｏ５８と、第７Ｉ／Ｏ６０とを有する。

制御部４０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などによって実現される。制御部４０は、記憶部４２から読出したプログラムを実行することにより、そのプログラムにおいて定められた手順に従ってコンピュータ２６を構成する各装置を制御する。記憶部４２は、ＲＯＭ（Read only memory）、ＲＡＭ（Random access memory）、および固定ディスクなどによって実現される。記憶部４２は、プログラムとデータとを記憶する。入力部４４は、マウスおよびキーボードなどによって実現される。入力部４４は、検査者の入力に応じて信号を生成する。これにより、コンピュータ２６に情報が入力される。出力部４６は、ディスプレイおよびプリンタなどによって実現される。出力部４６は、情報を出力する。第１Ｉ／Ｏ４８は、減圧ポンプ１２に接続される。第１Ｉ／Ｏ４８は、減圧ポンプ１２に対して制御信号を出力する。この制御信号を受け付けた減圧ポンプ１２は、その制御信号が示す命令に沿うように動作する。動作のための構成は周知なのでここではその詳細な説明は繰り返されない。第２Ｉ／Ｏ５０は、供給ポンプ１４に接続される。第２Ｉ／Ｏ５０は、供給ポンプ１４に対して制御信号を出力する。この制御信号を受け付けた供給ポンプ１４は、その制御信号が示す命令に沿うように動作する。動作のための構成は周知なのでここではその詳細な説明は繰り返されない。第３Ｉ／Ｏ５２は、温度制御装置１６に接続される。第３Ｉ／Ｏ５２は、温度制御装置１６に対して制御信号を出力する。この制御信号を受け付けた温度制御装置１６は、その制御信号が示す命令に沿うように動作する。動作のための構成は周知なのでここではその詳細な説明は繰り返されない。第４Ｉ／Ｏ５４は、電力供給装置１８に接続される。第４Ｉ／Ｏ５４は、電力供給装置１８に対して制御信号を出力する。この制御信号を受け付けた電力供給装置１８は、その制御信号が示す命令に沿うように動作する。動作のための構成は周知なのでここではその詳細な説明は繰り返されない。第５Ｉ／Ｏ５６は、マイク２０に接続される。第５Ｉ／Ｏ５６は、マイク２０が出力した音波情報を受け付ける。第６Ｉ／Ｏ５８は、スピーカ２２に接続される。第６Ｉ／Ｏ５８は、スピーカ２２に対して音声信号を出力する。この音声信号を受け付けたスピーカ２２はその音声信号に応じた音を出力する。音の出力のための構成は周知なのでここではその詳細な説明は繰り返されない。第７Ｉ／Ｏ６０は、温度測定装置２４に接続される。第７Ｉ／Ｏ６０は、温度測定装置２４が出力した温度情報を受け付ける。

［検査装置の機能の説明］
図２は、本実施形態にかかる実装回路基板検査装置の機能ブロック図である。図２に基づいて、本実施形態にかかる実装回路基板検査装置の構成とその機能とが説明される。

本実施形態にかかる実装回路基板検査装置は、電力供給部７０と、エネルギ観測部７２と、判断結果情報出力部７４と、エネルギ伝達抑制部７６と、気体供給部７８と、繰返制御部８０と備える。電力供給部７０は上述された電力供給装置１８によって実現される。したがって、電力供給部７０は試験品に電力を供給する。本実施形態の場合、エネルギ観測部７２は上述された温度測定装置２４およびコンピュータ２６によって実現される。エネルギ観測部７２は、電力供給部７０が電力を供給している間に試験品から出るエネルギを観測する。本実施形態の場合、エネルギ観測部７２は、温度を測定する。これにより、その温度に基づいて、熱エネルギが観測されることとなる。判断結果情報出力部７４は、コンピュータ２６によって実現される。判断結果情報出力部７４は、試験品における機能不良箇所の有無を示す情報を出力する。本実施形態の場合、エネルギ伝達抑制部７６は、収容容器１０と、減圧ポンプ１２と、マイク２０と、スピーカ２２とによって実現される。エネルギ伝達抑制部７６は、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へのエネルギの伝達を抑制する。本実施形態の場合、エネルギ発生領域とは、試験品のうち電力の供給に応じて動作する領域全体を意味する。この場合「エネルギ発生領域とは異なる物」とは、試験品のうちエネルギ発生領域に隣り合う領域と試験品以外のエネルギ発生領域に隣り合う物とを意味する。気体供給部７８は、上述された供給ポンプ１４とコンピュータ２６とによって実現される。気体供給部７８は、エネルギ観測部７２が試験品のエネルギ発生領域の温度を測定すると、収容容器１０内へ気体を供給する。本実施形態の場合、その気体はヘリウムガスである。ヘリウムガスが供給されるのは、空気よりも熱伝達率が大きいためである。繰返制御部８０は、次に述べられる３つの動作を複数回繰り返させる。その第１の動作は、エネルギ伝達抑制部７６が収容容器１０内の気圧を低下させる動作である。その第２の動作は、エネルギ観測部７２が試験品のエネルギ発生領域の温度を測定する動作である。その第３の動作は、エネルギ観測部７２による試験品のエネルギ発生領域の温度測定の終了後に気体供給部７８が収容容器１０内へヘリウムガスを供給する動作である。

本実施形態にかかる判断結果情報出力部７４は、判断部９０と、結果出力部９２とを有する。判断部９０は、コンピュータ２６によって実現される。判断部９０は、エネルギ観測部７２が観測したエネルギが所定の基準を満たすか否かに基づき、試験品における機能不良箇所の有無を判断する。結果出力部９２は、コンピュータ２６によって実現される。結果出力部９２は、判断部９０の判断結果を示す情報を出力する。

本実施形態にかかるエネルギ伝達抑制部７６は、収容容器１０と、気圧低下部１１０と、気圧検出部１１２とを有している。気圧低下部１１０は、減圧ポンプ１２によって実現される。気圧低下部１１０は、収容容器１０内の気圧を低下させる。本実施形態の場合、気圧検出部１１２は、マイク２０とスピーカ２２とコンピュータ２６とによって実現される。気圧検出部１１２は、収容容器１０内の気圧を検出する。

本実施形態にかかる気圧検出部１１２は、音発生部１４０と、音量検出部１４２とを有している。音発生部１４０は、スピーカ２２とコンピュータ２６とによって実現される。音発生部１４０は、収容容器１０内で音を発生する。音量検出部１４２は、マイク２０とコンピュータ２６とによって実現される。音量検出部１４２は、スピーカ２２が発生させる音の収容容器１０外における音量を検出する。音波は空気を媒質として伝わる。音波が空気を媒質として伝わるので、空気を構成する分子の量に応じて音波の伝わり易さが変動する。これにより、収容容器１０にマイク２０が接しており、かつ、収容容器１０の中でスピーカ２２が音を発していると、そのマイク２０が検出する音波の大きさに基づいて、収容容器１０の中の気圧を特定できる。

［プログラムの説明］
上述されたとおり、コンピュータ２６が、本実施形態にかかるプログラムを実行する。このプログラムは、コンピュータ２６の制御部４０が記憶部４２から読出したものである。本実施形態にかかる検査方法は、コンピュータ２６の制御部４０がそのプログラムを実行することにより実現される。これにより、本実施形態にかかる実装回路基板検査装置が実現される。一般的にこうしたプログラムは、ＵＳＢメモリなどのコンピュータ読取可能な記録媒体に記録された状態で流通する。こうしたプログラムは図示されないインターネットを介して流通することもある。こうしたプログラムは、記憶部４２にいったん記憶される。

［フローチャートの説明］
図３は、本実施形態にかかる実装回路基板検査方法の工程を示すフローチャートである。図３に基づいて、本実施形態にかかる実装回路基板検査方法の構成が説明される。

図３から明らかなように、本実施形態にかかる実装回路基板検査方法は、パラメータ設定工程Ｓ１３０と、繰返数判断工程Ｓ１３２と、エネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４と、電力供給工程Ｓ１３６と、エネルギ観測工程Ｓ１３８と、気体供給工程Ｓ１４０と、繰返数減数工程Ｓ１４２と、判断結果情報出力工程Ｓ１４４とを備える。

パラメータ設定工程Ｓ１３０において、パラメータに対する値が設定される。本実施形態の場合、繰返制御部８０として動作するコンピュータ２６が次に述べられる繰返数についてのパラメータの値を設定する。その繰返数は、収容容器１０内の気圧の低下とエネルギ発生領域の温度測定と収容容器１０内へのヘリウムガスの供給とを含む一連の工程が繰り返された回数を示す。音発生部１４０として動作するスピーカ２２が発する音量についてのパラメータの値を音発生部１４０として動作するコンピュータ２６が設定する。収容容器１０内の気圧の閾値を気圧検出部１１２として動作するコンピュータ２６が設定する。収容容器１０に供給される気体の温度についてのパラメータの値を気体供給部７８として動作するコンピュータ２６が設定する。試験品の温度についてのパラメータの値を気体供給部７８として動作するコンピュータ２６が設定する。本実施形態の場合、気体供給部７８は、試験品の温度がそのパラメータの値を上回っているか否かに応じて収容容器１０内への気体の供給を開始するか否かを判断する。このため、収容容器１０に供給される気体の温度がその気体の供給開始時における試験品の最高温度よりも低くなるようパラメータが設定される。

繰返数判断工程Ｓ１３２において、繰返制御部８０として動作するコンピュータ２６は、繰返数についてのパラメータの値が「１」以上か否かを判断する。繰返数を示すパラメータの値が「１」以上と判断された場合（Ｓ１３２にてＹＥＳ）、処理はＳ１３４へと移される。もしそうでないと（Ｓ１３２にてＮＯ）、処理はＳ１４４へと移される。

エネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４において、エネルギ伝達抑制部７６として動作する減圧ポンプ１２とマイク２０とスピーカ２２とコンピュータ２６とは、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へのエネルギの伝達を抑制する。この抑制は、エネルギ観測工程Ｓ１３８においてエネルギが観測されている間におけるエネルギの伝達を抑制するためのものである。エネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４の具体的な内容は後述される。

電力供給工程Ｓ１３６において、電力供給部７０として動作する電力供給装置１８は、試験品に電力を供給する。この電力は、試験品が動作するための電力である。したがってどの程度の電力を試験品のどこに供給するかという問題は、試験品に形成される回路に応じて予め定められるべきものである。

エネルギ観測工程Ｓ１３８において、エネルギ観測部７２は、電力供給工程Ｓ１３６において電力が供給されている間に試験品から出るエネルギを観測する。本実施形態の場合、エネルギ観測部７２として動作するのは温度測定装置２４である。温度測定装置２４は、試験品のうちエネルギ発生領域およびこれとは異なる領域の温度を測定する。その温度測定により、試験品から出る熱エネルギが間接的に観測される。試験品からエネルギが出るとそのエネルギの少なくとも一部はエネルギの発生場所の温度を上昇させるためである。本実施形態の場合、エネルギの観測は、試験品のうちエネルギ発生領域の最高温度が試験品の温度についてのパラメータの値を上回るまで実施される。エネルギ観測工程Ｓ１３８の具体的な内容は後述される。

気体供給工程Ｓ１４０において、気体供給部７８として動作する供給ポンプ１４は、気体供給部７８として動作するコンピュータ２６および温度制御装置１６の制御に応じて、収容容器１０内に気体を供給する。上述されたように、本実施形態の場合、その気体はヘリウムガスである。そのヘリウムガスの温度は、パラメータ設定工程Ｓ１３０において設定された気体の温度についてのパラメータの値に基づいて気体供給部７８として動作する温度制御装置１６により制御される。

繰返数減数工程Ｓ１４２において、繰返制御部８０として動作するコンピュータ２６は、繰返数についてのパラメータの値を「１」減らす。

判断結果情報出力工程Ｓ１４４において、判断結果情報出力部７４として動作するコンピュータ２６は、試験品における機能不良箇所の有無を示す情報を出力する。この情報は、エネルギ観測工程Ｓ１３８において観測されたエネルギが所定の基準を満たすか否かに基づき出力される。判断結果情報出力工程Ｓ１４４の具体的な内容は後述される。

図４は、本実施形態にかかるエネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４を示すフローチャートである。図４に基づいて、本実施形態にかかるエネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４の構成が説明される。

図４から明らかなように、本実施形態にかかるエネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４は、気圧低下工程Ｓ１５０と、気圧検出工程Ｓ１５２と、気圧判断工程Ｓ１５４とを有している。

気圧低下工程Ｓ１５０において、気圧低下部１１０として動作する減圧ポンプ１２は、試験品が予め収容されている収容容器１０内の気圧を低下させる。

気圧検出工程Ｓ１５２において、気圧検出部１１２は、収容容器１０内の気圧を検出する。気圧検出工程Ｓ１５２の具体的な内容は後述される。

気圧判断工程Ｓ１５４において、気圧検出部１１２として動作するコンピュータ２６は、収容容器１０内の気圧がパラメータ設定工程Ｓ１３０において設定された気圧の閾値以下か否かを判断する。収容容器１０内の気圧が気圧の閾値以下と判断された場合（Ｓ１５４にてＹＥＳ）、エネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４は終了する。もしそうでないと（Ｓ１５４にてＮＯ）、処理はＳ１５０へと移される。

本実施形態の場合、気圧検出工程Ｓ１５２は、音発生工程Ｓ１７０と、音量測定工程Ｓ１７２と、気圧算出工程Ｓ１７４とを有する。

音発生工程Ｓ１７０において、気圧検出部１１２として動作するスピーカ２２は、所定の音を発生させる。本実施形態の場合、この音の音量は音量についてのパラメータの値に対応する。この「音量についてのパラメータの値」はパラメータ設定工程Ｓ１３０において定められたものである。この音は所定の一種類の周波数の音である。その周波数は人が聞くことができる音の周波数の範囲に含まれる。コンピュータ２６は、そのパラメータの値に対応する音量の音を発生させるようスピーカ２２を制御する。その制御の具体的な内容は周知なのでここではその詳細な説明は繰り返されない。

音量測定工程Ｓ１７２において、気圧検出部１１２として動作するマイク２０は、音波を検出する。マイク２０は、自らが検出した音波を示す音波情報をコンピュータ２６に出力する。コンピュータ２６はその音波情報を受け付ける。

気圧算出工程Ｓ１７４において、気圧検出部１１２として動作するコンピュータ２６は、マイク２０が出力した音波情報が示す音量に基づき、収容容器１０内の気圧を特定する。この特定のために、気圧検出部１１２として動作するコンピュータ２６は、その音量と気圧との関係を示すデータテーブルを予め記憶している。気圧検出部１１２として動作するコンピュータ２６は、そのデータテーブルの中から、その音量に対応する気圧を示すデータを特定する。これにより、収容容器１０内の気圧が特定される。

図５は、本実施形態にかかるエネルギ観測工程Ｓ１３８を示すフローチャートである。図５に基づいて、本実施形態にかかるエネルギ観測工程Ｓ１３８の構成が説明される。

図５から明らかなように、本実施形態にかかるエネルギ観測工程Ｓ１３８は、回数パラメータ初期化工程Ｓ１９０と、温度測定工程Ｓ１９２と、差分値算出工程Ｓ１９４と、特異点特定工程Ｓ１９６と、最高温度点特定工程Ｓ１９８と、温度閾値判断工程Ｓ２００と、繰返数増加工程Ｓ２０２とを有している。

回数パラメータ初期化工程Ｓ１９０において、エネルギ観測部７２として動作するコンピュータ２６は、次に述べられる２種類のパラメータの値を設定する。１種類目のパラメータは、特異点特定工程Ｓ１９６が繰り返された回数を示すパラメータである。このパラメータの値は「０」に設定される。本実施形態において、このパラメータは「繰返数パラメータ」と称される。２種類目のパラメータは、後述される特異点であるとされた回数を示すパラメータである。本実施形態において、このパラメータは「特定回数パラメータ」と称される。本実施形態の場合、試験品は多数の小さな領域からなるとみなされる。その結果、試験品のエネルギ発生領域はそれらの小さな領域が集まったものとみなされる。試験品のうちエネルギ発生領域以外の領域は、それらの小さな領域のうちエネルギ発生領域を構成するものとは別のものが集まったものとみなされる。本実施形態の場合、特定回数パラメータは、それらの小さな領域それぞれについて設けられる。これら特定回数パラメータの値はいずれも「０」に設定される。

温度測定工程Ｓ１９２において、エネルギ観測部７２として動作する温度測定装置２４およびコンピュータ２６は、試験品の温度を測定する。本実施形態の場合、温度測定装置２４は、周知の赤外線カメラによって実現される。このため、温度測定装置２４は、上述された小さな領域それぞれの温度を測定できる。温度測定装置２４は、測定によって得られた温度を示す情報をコンピュータ２６に出力する。この情報は、その温度が測定された領域の位置を示す情報と共にコンピュータ２６に出力される。コンピュータ２６は、それらの情報を記憶する。これにより、試験品を構成する多数の小さな領域それぞれについての温度を示す情報が領域の位置を示す情報と共に記憶されることとなる。その結果、試験品におけるエネルギ発生領域とそれ以外の領域との温度が測定されたこととなる。本実施形態の場合、それらの温度は、熱エネルギを示す物理量とみなされる。

差分値算出工程Ｓ１９４において、エネルギ観測部７２として動作するコンピュータ２６は、差分値を算出する。本実施形態の場合、「差分値」とは、温度測定工程Ｓ１９２においてコンピュータ２６に記憶された情報が示す温度と予めコンピュータ２６に記憶された情報が示す温度との差である。後者の情報は、試験品のうち検査において合格品と評価されるべきもの（この試験品は「合格品」と称される）から予め得られた情報である。この情報も、合格品に対して試験品と同一の方法での測定を実施することで得られたものである。すなわち、差分値は、実装回路基板を構成する多数の小さな領域それぞれについての、試験品と合格品との温度差である。

特異点特定工程Ｓ１９６において、エネルギ観測部７２として動作するコンピュータ２６は、特異点の位置を特定する。本実施形態の場合、「特異点」とは、試験品にかかる上述された小さな領域であってエネルギ発生領域を構成するもののうち差分値が所定の閾値を越えた領域を示す。本実施形態の場合、「特異点の位置」とは、試験品にかかる実装回路基板のうち特異点の位置を示す。本実施形態の場合、エネルギ観測部７２として動作するコンピュータ２６は、特異点についての特定回数パラメータの値を「１」増加させる。

最高温度点特定工程Ｓ１９８において、エネルギ観測部７２として動作するコンピュータ２６は、最高温度点の位置を特定する。本実施形態の場合、「最高温度点」とは、上述された小さな領域のうち温度が最大となる領域を示す。本実施形態の場合、「最高温度点の位置」とは、試験品にかかる実装回路基板のうち最高温度点の位置を示す。

温度閾値判断工程Ｓ２００において、エネルギ観測部７２として動作するコンピュータ２６は、最高温度点における温度が収容容器１０内への気体の供給を開始するか否かを判断するための予め定められた閾値以上か否かを判断する。この判断は、パラメータ設定工程Ｓ１３０において設定された試験品の温度についてのパラメータの値に基づいて判断される。そのパラメータの値が、この判断における閾値である。最高温度点における温度がその閾値以上と判断された場合（Ｓ２００にてＹＥＳ）、エネルギ観測工程Ｓ１３８は終了する。もしそうでないと（Ｓ２００にてＮＯ）、処理はＳ２０２へと移される。

繰返数増加工程Ｓ２０２において、エネルギ観測部７２として動作するコンピュータ２６は、繰返数パラメータの値を「１」増加させる。

図６は、本実施形態にかかる判断結果情報出力工程Ｓ１４４を示すフローチャートである。図６に基づいて、本実施形態にかかる判断結果情報出力工程Ｓ１４４の構成が説明される。

図６から明らかなように、本実施形態にかかる判断結果情報出力工程Ｓ１４４は、特異点特定割合算出工程Ｓ２１０と、合否判断工程Ｓ２１２と、合格情報出力工程Ｓ２１４と、不合格情報出力工程Ｓ２１６とを有している。

特異点特定割合算出工程Ｓ２１０において、判断部９０として動作するコンピュータ２６は、特異点特定工程Ｓ１９６が繰り返された回数に対する特異点として特定された回数の割合を算出する。この割合は、上述された小さな領域であってエネルギ発生領域を構成するものそれぞれについて算出される。この割合は、繰返数パラメータの値と特定回数パラメータの値とに基づいて算出される。

合否判断工程Ｓ２１２において、判断部９０として動作するコンピュータ２６は、上述された小さな領域であってエネルギ発生領域を構成するものすべてにおいて次に述べられる割合がこの割合についての閾値未満か否かを判断する。その割合とは、特異点特定工程Ｓ１９６が繰り返された回数に対する特異点として特定された回数の割合である。上述された小さな領域であってエネルギ発生領域を構成するものすべてにおいてその割合がその閾値未満と判断された場合（Ｓ２１２にてＹＥＳ）、処理はＳ２１４へと移される。もしそうでないと（Ｓ２１２にてＮＯ）、処理はＳ２１６へと移される。

合格情報出力工程Ｓ２１４において、結果出力部９２として動作するコンピュータ２６は、試験品に対する試験結果が合格であった旨の情報を出力する。本実施形態の場合、この情報は、試験品において機能不良箇所が無いことを示す。

不合格情報出力工程Ｓ２１６において、結果出力部９２として動作するコンピュータ２６は、試験品に対する試験結果が不合格であった旨の情報を出力する。本実施形態の場合、この情報は、試験品に機能不良箇所が有ったことを示す。

［動作の説明］
以下、本実施形態にかかる実装回路基板検査装置の動作およびこれによって実施される実装回路基板検査方法が説明される。

（試験品が合格となる場合）
まず、作業者が収容容器１０に試験品を収容する。次いで、本実施形態にかかる実装回路基板検査装置がパラメータに対する値を設定する（Ｓ１３０）。その値が設定されると、繰返制御部８０は、繰返数についてのパラメータの値が「１」以上か否かを判断する（Ｓ１３２）。この場合、その値が「１」以上なので（Ｓ１３２にてＹＥＳ）、気圧低下部１１０は、試験品が予め収容されている収容容器１０内の気圧を低下させる（Ｓ１５０）。これにより、気圧が低下している間、試験品におけるエネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へのエネルギの伝達が抑制され続ける。その気圧が低下させられると、気圧検出部１１２は、所定の音を発生させる（Ｓ１７０）。音が発生すると、気圧検出部１１２は、音波を検出する（Ｓ１７２）。音波が検出されると、気圧検出部１１２は、その音量に基づき、収容容器１０内の気圧を特定する（Ｓ１７４）。気圧が特定されると、気圧検出部１１２は、収容容器１０内の気圧が気圧の閾値以下か否かを判断する（Ｓ１５４）。収容容器１０内の気圧が気圧の閾値以下と判断された場合（Ｓ１５４にてＹＥＳ）、エネルギ伝達抑制工程Ｓ１３４は終了する。もしそうでないと（Ｓ１５４にてＮＯ）、処理はＳ１５０へと移される。

収容容器１０内の気圧が気圧の閾値以下になると、電力供給部７０は、試験品に電力を供給する（Ｓ１３６）。試験品に電力が供給された状態で、エネルギ観測部７２は、繰返数パラメータの値と特定回数パラメータの値とを設定する（Ｓ１９０）。それらの値が設定されると、エネルギ観測部７２は、試験品を構成する小さな領域それぞれの温度を測定する。エネルギ観測部７２は、測定された温度を示す情報を記憶する（Ｓ１９２）。この記憶は試験品に電力が供給された状態で実施される。測定された温度を示す情報が記憶されると、エネルギ観測部７２は、差分値を算出する（Ｓ１９４）。差分値が算出されると、エネルギ観測部７２は、特異点の位置を特定する（Ｓ１９６）。この場合、特定点の位置が特定されなかった（いずれの領域においても差分値が所定の閾値を越えなかった）とする。この場合、エネルギ観測部７２は、最高温度点の位置を特定する（Ｓ１９８）。最高温度点の位置が特定されると、エネルギ観測部７２は、最高温度点における温度がその温度についての予め定められた閾値以上か否かを判断する（Ｓ２００）。最高温度点における温度がその温度についての予め定められた閾値に到達しないと（Ｓ２００にてＮＯ）、エネルギ観測部７２は、繰返数パラメータの値を「１」増加させる（Ｓ２０２）。その後、最高温度点における温度がその温度についての予め定められた閾値に到達しない間、Ｓ１９２乃至Ｓ２０２の処理が繰り返される。

最高温度点における温度がその温度についての予め定められた閾値に到達すると（Ｓ２００にてＹＥＳ）、気体供給部７８は、収容容器１０内にヘリウムガスを供給する（Ｓ１４０）。そのヘリウムガスの温度は、パラメータ設定工程Ｓ１３０において設定された気体の温度についてのパラメータの値に基づいて制御される。これにより、試験品のエネルギ発生領域の最高温度より低温のヘリウムガスが供給されることとなる。これにより試験品の温度は低下する。気体が供給されると、繰返制御部８０は、繰返数についてのパラメータの値を「１」減らす（Ｓ１４２）。繰返数についてのパラメータの値が「１」減らされると、Ｓ１３２乃至Ｓ１４２の処理が繰り返される。

その後、繰返数についてのパラメータの値が「０」になると（Ｓ１３２にてＮＯ）、判断部９０は、特異点特定工程Ｓ１９６が繰り返された回数に対する特異点として特定された回数の割合を算出する（Ｓ２１０）。その割合が算出されると、判断部９０は、試験品を構成する小さな領域であってエネルギ発生領域を構成するものすべてにおいて次に述べられる割合がこの割合についての閾値未満か否かを判断する。その割合とは、特異点特定工程Ｓ１９６が繰り返された回数に対する特異点として特定された回数の割合である（Ｓ２１２）。この場合、試験品におけるいずれの領域においてもその割合が閾値未満なので（Ｓ２１２にてＹＥＳ）、結果出力部９２は、試験品に対する試験結果が合格であった旨の情報を出力する（Ｓ２１４）。これにより、エネルギ観測部７２が観測した熱エネルギがその熱エネルギの大きさに関する要件を満たした回数が所定の基準を満たすか否かに基づき、試験品における機能不良箇所の有無を示す情報が出力されることとなる。

（試験品が不合格となる場合）

Ｓ１３６までの処理を経て、エネルギ観測部７２は、繰返数パラメータの値と特定回数パラメータの値とを設定する（Ｓ１９０）。それらの値が設定されると、エネルギ観測部７２は、試験品を構成する小さな領域それぞれの温度を測定する。エネルギ観測部７２は、測定された温度を示す情報を記憶する（Ｓ１９２）。次いで、エネルギ観測部７２は、差分値を算出する（Ｓ１９４）。差分値が算出されると、エネルギ観測部７２は、特異点の位置を特定する（Ｓ１９６）。図７は、試験品における温度分布を示す概念図である。この場合、図７に示される温度分布のうちハッチングの密度が最も密な領域は特異点であることとする。すなわち、エネルギ観測部７２は、複数の特異点の位置を特定する。特異点の位置が特定されると、Ｓ１９８の処理を経て、エネルギ観測部７２は、最高温度点における温度が収容容器１０内への気体の供給を開始するか否かを判断するための予め定められた閾値以上か否かを判断する（Ｓ２００）。この場合、最高温度点における温度がその閾値に到達しているとすると（Ｓ２００にてＹＥＳ）、気体供給部７８は、収容容器１０内に気体を供給する（Ｓ１４０）。気体が供給されると、繰返制御部８０は、繰返数についてのパラメータの値を「１」減らす（Ｓ１４２）。繰返数についてのパラメータの値が「１」減らされると、Ｓ１３２乃至Ｓ１４２の処理が繰り返される。

その後、繰返数についてのパラメータの値が「０」になると（Ｓ１３２にてＮＯ）、Ｓ２１０の処理を経て、判断部９０は、試験品を構成する小さな領域であってエネルギ発生領域を構成するものすべてにおいて次に述べられる割合がこの割合についての閾値未満か否かを判断する。その割合とは、特異点特定工程Ｓ１９６が繰り返された回数に対する特異点として特定された回数の割合である（Ｓ２１２）。この場合、試験品におけるいずれかの領域においてその割合が閾値以上と判断されるので（Ｓ２１２にてＮＯ）、結果出力部９２は、試験品に対する試験結果が不合格であった旨の情報を出力する（Ｓ２１６）。これにより、エネルギ観測部７２が観測した熱エネルギがその熱エネルギの大きさに関する要件を満たした回数が所定の基準を満たすか否かに基づき、試験品における機能不良箇所の有無を示す情報が出力されることとなる。

［作用効果の説明］
機能不良の箇所が存在する試験品はそうでないものと比べてその機能不良の箇所において出る熱エネルギが異なる。その熱エネルギが異なるので、判断結果情報出力部７４は、エネルギ観測部７２が観測した熱エネルギが所定の基準を満たすか否かに応じて試験品における機能不良箇所の有無を示す情報を出力できる。機能不良の箇所が存在する試験品とそうでないものとの間では、熱エネルギが出ている時間の経過につれ、その箇所から出た熱エネルギの合計量の差が大きくなる。エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物への熱エネルギの伝達をエネルギ伝達抑制部７６が抑制すると、エネルギ発生領域において機能不良箇所が存在するか場合とそうでない場合とに関する、観測される熱エネルギの合計量の差の縮小が抑制される。その結果、エネルギ発生領域において機能不良箇所が存在するか場合とそうでない場合とに関する、温度差の縮小が抑制される。観測される熱エネルギの合計量の差の縮小が抑制されると、エネルギ発生領域において機能不良箇所が存在するか場合とそうでない場合との間での観測される熱エネルギの合計量の差が大きくなる。その結果、エネルギ発生領域において機能不良箇所が存在するか場合とそうでない場合とに関する、温度差が大きくなる。熱エネルギの合計量の差が大きくなると、そうでない場合に比べ、試験品における回路の具体的内容が特定されていなくてもエネルギ観測部７２が観測した熱エネルギが所定の基準を満たすか否かの判断の精度が向上する。その精度が向上するので、機能不良箇所の有無が精度よく判断可能となる。その結果、本実施形態にかかる実装回路基板検査装置は試験品における回路の具体的内容が特定されていなくてもその試験品における機能不良箇所の有無を精度よく判断できる。

収容容器１０内の気圧が所定の気圧以下となると、そうでない場合に比べて、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へは熱エネルギが伝わり難くなる。熱エネルギが伝わり難くなると、熱エネルギが伝わったことに起因した、エネルギ発生領域において機能不良箇所が存在するか場合とそうでない場合との間の、温度差の縮小を抑制できる。温度差の縮小が抑制され、かつ、温度に基づいて熱エネルギが測定されると、温度差の縮小が抑制されない場合に比べて、エネルギ観測部７２が観測した熱エネルギが所定の基準を満たすか否かの判断の精度が向上する。その結果、本実施形態にかかる実装回路基板検査装置は試験品における回路の具体的内容が特定されていなくても機能不良箇所の有無を精度よく判断できる。

本実施形態の場合、音発生部１４０が収容容器１０内で発生させた音が収容容器１０外でどの程度聞こえるかということに基づき、エネルギ発生領域からエネルギ発生領域とは異なる物へ熱エネルギがどの程度伝わり難いかが容易に検出される。

ヘリウムガスは空気よりも大幅に熱伝達率が大きい。ヘリウムガスが収容容器１０に供給されることにより、本実施形態にかかる実装回路基板検査装置は、温度差が大きい状態が長く続くことに起因した試験品の故障を予防できる。

［変形例の説明］
今回開示された実施形態はすべての点で例示である。本発明の範囲は上述した実施形態に基づいて制限されるものではない。もちろん、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の設計変更をしてもよい。

例えば、エネルギ発生領域は、試験品のうち電力の供給に応じて動作する領域の少なくとも一部であればよい。

また、気体供給部７８が供給する気体はヘリウムガスに限定されない。ただしその気体が空気よりも熱伝達率が大きな気体であることが望ましい。

また、エネルギ観測部７２が観測するエネルギは熱エネルギに限定されない。

１０…収容容器
１２…減圧ポンプ
１４…供給ポンプ
１６…温度制御装置
１８…電力供給装置
２０…マイク
２２…スピーカ
２４…温度測定装置
２６…コンピュータ
４０…制御部
４２…記憶部
４４…入力部
４６…出力部
４８…第１Ｉ／Ｏ
５０…第２Ｉ／Ｏ
５２…第３Ｉ／Ｏ
５４…第４Ｉ／Ｏ
５６…第５Ｉ／Ｏ
５８…第６Ｉ／Ｏ
６０…第７Ｉ／Ｏ
７０…電力供給部
７２…エネルギ観測部
７４…判断結果情報出力部
７８…エネルギ伝達抑制部
８０…気体供給部
８２…繰返制御部
９０…判断部
９２…結果出力部
１１０…気圧低下部
１１２…気圧検出部
１４０…音発生部
１４２…音量検出部

Claims (3)

1. 実装回路基板に電力を供給する電力供給部と、
   前記電力供給部が前記電力を供給している間に前記実装回路基板のうち前記電力の供給に応じて動作する領域の少なくとも一部であるエネルギ発生領域から出るエネルギを観測するエネルギ観測部と、
   前記実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報を出力する判断結果情報出力部とを備える実装回路基板検査装置であって、
   前記エネルギ観測部が前記エネルギを観測している間、前記エネルギ発生領域から前記エネルギ発生領域とは異なる物への前記エネルギの伝達を抑制するエネルギ伝達抑制部をさらに備え、
   前記判断結果情報出力部が、前記エネルギ観測部が観測した前記エネルギが所定の基準を満たすか否かに基づき、前記実装回路基板における前記機能不良箇所の有無を示す情報を出力し、
   前記エネルギ伝達抑制部が、
   前記実装回路基板が収容される収容容器と、
   前記収容容器内の気圧を低下させる気圧低下部と、
   前記収容容器内の気圧を検出する気圧検出部とを有しており、
   前記エネルギ観測部が、前記収容容器内の気圧が所定の気圧以下となったことを前記気圧検出部が検出した際の、前記エネルギ発生領域の温度に基づいて、前記エネルギを観測し、
   前記エネルギ観測部が前記エネルギを観測すると、前記収容容器内へ前記エネルギ発生領域の最高温度より低温の気体を供給する気体供給部と、
   前記気圧低下部による前記収容容器内の気圧の低下と前記エネルギ観測部による前記エネルギの観測と前記気体供給部による前記収容容器内への前記気体の供給とを複数回繰り返させる繰返制御部とをさらに備えており、
   前記判断結果情報出力部が、前記エネルギ観測部が観測した前記エネルギが前記エネルギの大きさに関する要件を満たした回数が前記所定の基準を満たすか否かに基づき、前記実装回路基板における前記機能不良箇所の有無を示す情報を出力することを特徴とする実装回路基板検査装置。
2. 前記気圧検出部が、
   前記収容容器内で音を発生する音発生部と、
   前記音発生部が発生させる前記音の前記収容容器外における音量を検出する音量検出部とを有していることを特徴とする請求項１に記載の実装回路基板検査装置。
3. 実装回路基板に電力が供給される電力供給工程と、
   前記電力供給工程において前記電力が供給されている間に前記実装回路基板のうち前記電力の供給に応じて動作する領域の少なくとも一部であるエネルギ発生領域から出るエネルギが観測されるエネルギ観測工程と、
   前記実装回路基板における機能不良箇所の有無を示す情報が出力される判断結果情報出力工程とを備える実装回路基板検査方法であって、
   前記エネルギ観測工程において前記エネルギが観測されている間における前記エネルギ発生領域から前記エネルギ発生領域とは異なる物への前記エネルギの伝達が抑制されるエネルギ伝達抑制工程をさらに備え、
   前記判断結果情報出力工程において、前記エネルギ観測工程において観測された前記エネルギが所定の基準を満たすか否かに基づき、前記実装回路基板における前記機能不良箇所の有無を示す情報が出力され、
   前記エネルギ伝達抑制工程が、
   前記実装回路基板が予め収容されている収容容器内の気圧が低下させられる気圧低下工程と、
   前記収容容器内の気圧が検出される気圧検出工程とを有しており、
   前記エネルギ観測工程が、前記収容容器内の気圧が所定の気圧以下となったことが前記気圧検出工程において検出されると前記エネルギを示す物理量として前記エネルギ発生領域の温度を測定する温度測定工程を有しており、
   前記温度測定工程において前記エネルギ発生領域の温度が測定されると、前記収容容器内へ空気よりも熱伝達率が大きく前記エネルギ発生領域の最高温度より低温の気体が供給される気体供給工程をさらに有しており、
   前記気圧低下工程における前記収容容器内の気圧の低下と前記温度測定工程における前記エネルギ発生領域の温度測定と前記気体供給工程における前記収容容器内への前記気体の供給とが複数回繰り返され、
   前記判断結果情報出力工程では、前記エネルギ観測工程において観測された前記エネルギが前記エネルギの大きさに関する要件を満たした回数が前記所定の基準を満たすか否かに基づき、前記実装回路基板における前記機能不良箇所の有無を示す情報が出力されることを特徴とする実装回路基板検査方法。

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