JP6924084B2 - 配線基板 - Google Patents

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利晃 青木
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信司 中澤
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Description

本発明は、配線基板に関する。
従来、配線基板には、半導体素子が搭載される。このような配線基板において、コイルを内蔵したものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−１８３８９０号公報
ところで、配線基板において、信号の特性低下を抑制することが求められる。
本発明の一観点によれば、半導体素子が実装される配線基板であって、第１のコイル配線と、前記第１のコイル配線の下面と接し、厚さ方向に貫通する開口部を有する磁性層と、前記第１のコイル配線と、前記磁性層の上面と、前記開口部の内壁面と、を覆う第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上面に形成され、前記第１のコイル配線に接続されて螺旋状のコイルを形成する第２のコイル配線と、前記半導体素子の信号が前記磁性層の開口部の内部を通過するように形成され、前記第１の絶縁層の上面の第１の配線部と、前記磁性層の開口部の内部に設けられて前記第１の配線部に接続された第１のビア配線と、を有する信号配線構造と、を有し、前記信号配線構造に対して前記磁性層は接していない。
また、本発明の別の一観点によれば、半導体素子が実装される配線基板であって、上面と下面とを有する絶縁層と、前記絶縁層の下面に形成された第１のコイル配線と、前記絶縁層の上面に形成され、前記第１のコイル配線に接続されて螺旋状のコイルを形成する第２のコイル配線と、前記絶縁層の下面と前記第１のコイル配線とを覆うように形成され、厚さ方向に貫通する開口部を有する磁性層と、前記半導体素子の信号が前記磁性層の開口部の内部を通過するように形成された信号配線構造と、を有し、前記信号配線構造に対して前記磁性層は接していない。
本発明の一観点によれば、信号の特性低下を抑制できる。
（ａ）は第１実施形態の半導体装置を示す概略断面図、（ｂ）は第１実施形態の配線基板の概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｄ）はＳパラメータ（Ｓ２１）を測定する配線基板のモデルを示す概略断面図。 図７の各モデルにおけるＳパラメータ（Ｓ２１）を示す特性図。 （ａ）は第２実施形態の半導体装置を示す概略断面図、（ｂ）は第２実施形態の配線基板の概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）は第３実施形態の半導体装置を示す概略断面図、（ｂ）は第３実施形態の配線基板の概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）は第４実施形態の半導体装置を示す概略断面図、（ｂ）は第４実施形態の配線基板の概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）（ｂ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）は参考例の半導体装置を示す概略断面図、（ｂ）は参考例の配線基板の概略断面図。
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から視ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から視た形状のことを言う。
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を説明する。
図１（ａ）に示すように、半導体装置１は、配線基板１０と、配線基板１０に実装された半導体素子５１を含む。
半導体素子５１は、外部接続端子５２を介して、配線基板１０の外部接続用パッドＰ１１に接続されている。半導体素子５１は、この外部接続用パッドＰ１１により、配線基板１０に対してフリップチップ接続されている。半導体素子５１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等のロジックチップ、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等のメモリチップ、等である。外部接続端子５２は、例えば、はんだバンプや金バンプである。はんだバンプの材料としては、例えば、鉛を含む合金、錫と金との合金、錫と銅との合金、錫と銀との合金、錫と銀と銅の合金などを用いることができる。
半導体素子５１と配線基板１０との間にはアンダーフィル樹脂５３が形成されている。アンダーフィル樹脂５３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
配線基板１０は、下面に外部接続用パッドＰ１２Ａ，Ｐ１２Ｂを有している。外部接続用パッドＰ１２Ａ，Ｐ１２Ｂには、外部接続端子５５Ａ，５５Ｂが接続されている。外部接続端子５５Ａ，５５Ｂは、配線基板１０を例えばマザーボード等の実装基板に実装するために使用される。外部接続端子５５Ａ，５５Ｂは、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、ＳｎとＣｕの合金、Ｓｎと銀（Ａｇ）の合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、外部接続端子５５Ａ，５５Ｂとして、はんだボールやリードピン等としてもよい。
なお、外部接続用パッドＰ１１に対して、外部接続用パッドＰ１２Ａ，Ｐ１２Ｂと同様に、はんだバンプ等の外部接続端子を接続してもよい。この外部接続端子を用いて配線基板１０に半導体素子５１を接続することができる。
配線基板１０に実装された半導体素子５１は、配線基板１０の外部接続用パッドＰ１１に対して信号を入出力する。配線基板１０は、外部接続用パッドＰ１１と外部接続用パッドＰ１２Ａとの間で信号を伝達するように構成されている。つまり、配線基板１０は、外部接続用パッドＰ１１と外部接続用パッドＰ１２Ａの間に、信号の伝達する導体（信号配線構造）を有している。半導体素子５１の出力信号は、配線基板１０の信号配線構造を介して外部接続用パッドＰ１１から信号配線構造により外部接続用パッドＰ１２Ａへ伝達される。そして、出力信号は、その外部接続用パッドＰ１２Ａに接続された外部接続端子５５Ａを介して実装基板へと伝達される。また、半導体素子５１が入力する信号は、実装基板から外部接続端子５５Ａ、外部接続用パッドＰ１２Ａ、信号配線構造、外部接続用パッドＰ１１を介して半導体素子５１へと伝達される。
配線基板１０は、コイル４１を内蔵している。本実施形態において、コイル４１は、配線基板１０の外部接続用パッドＰ１２Ｂに接続されている。
図１（ｂ）に示すように、配線基板１０は、配線層１１と、絶縁層１２と、磁性層１３と、配線層１４と、絶縁層１５と、配線層１６と、絶縁層１７と、配線層１８とを含み、これらが積層された構造を有している。配線層１４は、コイル４１のコイル配線１４Ｐを含む。
配線層１１は、配線部１１Ａ，１１Ｂを含む。配線部１１Ａ，１１Ｂの下面１１Ａｂ，１１Ｂｂは、絶縁層１２の下面から露出されている。配線部１１Ａ，１１Ｂの上面１１Ａａ，１１Ｂａの一部及び配線部１１Ａ，１１Ｂの側面１１Ａｃ，１１Ｂｃは、絶縁層１２により覆われている。
本実施形態において、配線層１１（配線部１１Ａ，１１Ｂ）は、積層された第１及び第２の金属層を含む。第２の金属層は、第１の金属層の上面を覆うように形成されている。第１の金属層の材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、錫（Ｓｎ）などの金属、又はこれら金属から選択される少なくとも一種の金属を含む合金を用いることができる。第２の金属層の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層１２は、配線層１１の上面の一部及び側面を覆うように形成されている。絶縁層１２には、配線層１１の配線部１１Ａの上面１１Ａａの一部を露出する開口部１２Ｘと、配線層１１の配線部１１Ｂの上面１１Ｂａの一部を露出する開口部１２Ｙが形成されている。本実施形態において、絶縁層１２の下面１２ｂは、配線層１１の配線部１１Ａ，１１Ｂの下面１１Ａｂ，１１Ｂｂよりも下方に位置している。従って、この絶縁層１２は、配線部１１Ａ，１１Ｂの下面１１Ａｂ、１１Ｂｂを露出する開口部１２ｂＸ，１２ｂＹを有している。この開口部１２ｂＸ，１２ｂＹは、図１（ａ）に示す外部接続端子５５Ａ，５５Ｂの形成を容易とする。絶縁層１２の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂、等を用いることができる。絶縁性樹脂は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
磁性層１３は、絶縁層１２の上面１２ａを覆うように形成されている。磁性層１３は、配線層１１の配線部１１Ａ，１１Ｂの上面１１Ａａ，１１Ｂａの一部を露出する開口部１３Ｘ，１３Ｙを有している。本実施形態において、磁性層１３の開口部１３Ｘは、絶縁層１２の開口部１２Ｘと連続するように形成されている。例えば、開口部１３Ｘ，１２Ｘは、磁性層１３の開口部１３Ｘの内壁面と、絶縁層１２の開口部１２Ｘの内壁面とが連続するように形成されている。同様に、磁性層１３の開口部１３Ｙは、絶縁層１２の開口部１２Ｙと連続するように形成されている。例えば、開口部１３Ｙ，１２Ｙは、磁性層１３の開口部１３Ｙの内壁面と、絶縁層１２の開口部１２Ｙの内壁面とが連続するように形成されている。
磁性層１３の材料としては、絶縁性樹脂に磁性フィラーを混入した磁性材料を用いることができる。絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などを用いることができる。磁性フィラーとしては、例えば、マンガン（Ｍｎ）−亜鉛（Ｚｎ）フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）系合金、Ｆｅ−シリコン（Ｓｉ）系合金などを用いることができる。このような磁性層１３は、絶縁性樹脂を含み、例えば絶縁層１２と同程度の抵抗値を示す。この磁性層１３の抵抗値は、ＣｕやＣｕ合金等の配線層と比べ、高抵抗である。このため、磁性層１３が接する２つの配線の間において、信号等は伝達しない。また、磁性層１３は、磁性フィラーを含むため、コイル４１のＬ値を向上できる。
配線層１４は、磁性層１３の上面１３ａに形成されている。配線層１４は、磁性層１３の上面のコイル配線１４Ｐと、磁性層１３の開口部１３Ｙ及び絶縁層１２の開口部１２Ｙの内部のビア配線１４Ｖとを有している。本実施形態のコイル配線１４Ｐは、磁性層１３の上面１３ａにおいて、渦状（スパイラル状）に形成されたコイル（平面コイル）である。ビア配線１４Ｖは、コイル配線１４Ｐの両端部において、コイル配線１４Ｐを配線層１１の配線部１１Ｂに電気的に接続する。配線層１４の材料としては、Ｃｕ又はＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層１５は、磁性層１３の上面１３ａに形成されている。詳しくは、絶縁層１５は、磁性層１３の上面１３ａと、磁性層１３の開口部１３Ｘの内壁面及び絶縁層１２の開口部１２Ｘの内壁面と、配線層１４とを覆うように形成されている。絶縁層１５は、磁性層１３の上面１３ａ及び配線層１４を覆う第１絶縁層１５Ａと、磁性層１３の開口部１３Ｘの内壁面及び絶縁層１２の開口部１２Ｘの内壁面を覆う第２絶縁層１５Ｂとを有している。
絶縁層１５は、配線層１１の配線部１１Ａの上面１１Ａａの一部を露出する開口部１５Ｘを有している。開口部１５Ｘは、磁性層１３の開口部１３Ｘ及び絶縁層１２の開口部１２Ｘの内部に形成され、第１絶縁層１５Ａ及び第２絶縁層１５Ｂを貫通している。絶縁層１５の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂、等を用いることができる。絶縁性樹脂は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
配線層１６は、絶縁層１５の上面１５ａに形成されている。配線層１６は、絶縁層１５の上面１５ａの配線部１６Ｐと、絶縁層１５の開口部１５Ｘの内部のビア配線１６Ｖとを有している。ビア配線１６Ｖは、配線層１６の配線部１６Ｐを配線層１１の配線部１１Ａに電気的に接続する。配線層１６の材料としては、Ｃｕ又はＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層１７は、絶縁層１５の上面１５ａと配線層１６とを覆うように形成されている。絶縁層１７は、配線層１６の上面１６ａの一部を露出する開口部１７Ｘを有している。絶縁層１７の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂、等を用いることができる。絶縁性樹脂は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
配線層１８は、絶縁層１７の上面１７ａに形成されている。配線層１８は、絶縁層１７の上面１７ａの配線部１８Ｐと、絶縁層１７の開口部１７Ｘの内部のビア配線１８Ｖとを有している。ビア配線１８Ｖは、配線層１８の配線部１８Ｐを配線層１６の配線部１６Ｐを電気的に接続する。配線層１８の材料としては、Ｃｕ又はＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層１７の上面１７ａには、ソルダーレジスト層１９が形成されている。ソルダーレジスト層１９は、絶縁層１７の上面１７ａと配線層１８の一部を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１９は、配線層１８の上面１８ａの一部を外部接続用パッドＰ１１として露出する開口部１９Ｘを有している。ソルダーレジスト層１９の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
なお、必要に応じて、ソルダーレジスト層１９の開口部１９Ｘから露出する配線層１８の表面上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成してもよい。また、開口部１９Ｘから露出する配線層１８の表面上に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。なお、開口部１９Ｘから露出する配線層１８（あるいは、配線層１８にＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、外部接続用パッドＰ１１としてもよい。
（製造工程）
上記の配線基板１０の製造工程を説明する。
図２（ａ）に示すように、支持基板６０を準備する。支持基板６０は、例えば、キャリア付金属箔を用いることができる。なお、支持基板６０として、公知の他の支持基板を用いることもできる。支持基板６０は、キャリア板６１と、キャリア板６１の一方の面（図２（ａ）では上面）に剥離層（図示略）を介して積層された極薄の金属箔６２とを有している。キャリア板６１の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。金属箔６２の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
図２（ｂ）に示す工程では、金属箔６２の表面に、金属層６３と配線層１１を形成する。例えば、金属箔６２の表面に、開口部を有するレジスト層を形成する。開口部は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す配線部１１Ａ，１１Ｂに対応する位置に形成される。レジスト層の材料としては、例えば、金属層６３と配線層１１を形成する処理（例えば、めっき処理）に対して耐性を有する材料を用いることができる。レジスト層の材料としては、例えば、感光性のドライフィルムレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジスト）等を用いることができる。
次に、レジスト層をめっきマスクとして、金属箔６２を給電層に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）により、金属箔６２の表面に金属層６３と配線層１１を順次形成する。上記したように、配線層１１が第１及び第２金属層からなる場合、金属層６３の上面に、第１金属層と第２金属層とを順次形成する。そして、例えば、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて、レジスト層を除去する。
図２（ｃ）に示す工程では、絶縁層１２と磁性層１３とを形成する。先ず、金属箔６２の上面と配線層１１及び金属層６３を覆う絶縁層１２を形成する。絶縁層１２の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの有機樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層１２は、例えば、樹脂フィルムを真空ラミネートし、加熱により樹脂フィルムを硬化して得られる。なお、ペースト状や液状の樹脂の塗布と加熱により絶縁層１２を形成してもよい。次に、絶縁層１２の上面１２ａを覆う磁性層１３を形成する。磁性層１３の材料としては、例えば、絶縁性樹脂に磁性フィラーを混入した磁性材料であり、未硬化のフィルムを用いることができる。磁性層１３は、例えば、磁性材料のフィルムを真空ラミネートし、加熱によりフィルムを硬化して得られる。
図３（ａ）に示す工程では、磁性層１３の開口部１３Ｙと絶縁層１２の開口部１２Ｙとを形成する。開口部１３Ｙ、１２Ｙは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。磁性層１３の上面１３ａに向けてレーザ光を照射し、磁性層１３を貫通する開口部１３Ｙと、絶縁層１２を貫通する開口部１２Ｙとを形成する。これら開口部１３Ｙ，１２Ｙにより、配線層１１の配線部１１Ｂの上面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図３（ｂ）に示す工程では、配線層１４を形成する。配線層１４は、開口部１３Ｙ，１２Ｙの内部のビア配線１４Ｖと、磁性層１３の上面１３ａのコイル配線１４Ｐとを含む。先ず、磁性層１３及び絶縁層１２の表面（磁性層１３の上面１３ａと開口部１３Ｙ，１２Ｙの内壁面）と開口部１３Ｙ，１２Ｙにより露出する配線層１１の配線部１１Ｂの上面とに、シード層（図示略）を形成する。シード層の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。シード層は、例えば、無電解めっき法やスパッタ法により形成することができる。
次に、シード層を覆い、所定の位置に開口部を有するレジスト層（図示略）を形成する。開口部の位置は、配線層１４のコイル配線１４Ｐに対応する位置である。レジスト層は、例えば、次工程のめっき工程に耐性を有する材料を用いることができる。次いで、シード層を給電電極に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）により、レジスト層の開口部内に露出するシード層上にめっき金属を析出成長させる。そして、例えば、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて、レジスト層を除去し、露出するシード層をエッチングにより除去する。これにより、ビア配線１４Ｖとコイル配線１４Ｐを含む配線層１４が得られる。
図３（ｃ）に示す工程では、磁性層１３の開口部１３Ｘと絶縁層１２の開口部１２Ｘとを形成する。開口部１３Ｘ、１２Ｘは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。磁性層１３の上面１３ａに向けてレーザ光を照射し、磁性層１３を貫通する開口部１３Ｘと、絶縁層１２を貫通する開口部１２Ｘとを形成する。これら開口部１３Ｘ，１２Ｘにより、配線層１１の配線部１１Ａの上面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図４（ａ）に示す工程では、磁性層１３の上面と配線層１４を覆う絶縁層１５を形成する。絶縁層１５の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの有機樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層１５は、例えば、樹脂フィルムを真空ラミネートし、加熱により樹脂フィルムを硬化して得られる。なお、ペースト状や液状の樹脂の塗布と加熱により絶縁層１５を形成してもよい。
図４（ｂ）に示す工程では、絶縁層１５の開口部１５Ｘを形成する。開口部１５Ｘは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。磁性層１３の開口部１３Ｘに位置合せし、絶縁層１５の上面１５ａに向けてレーザ光を照射し、磁性層１３の開口部１３Ｘ及び絶縁層１２の開口部１２Ｘの内部において、絶縁層１５を貫通する開口部１５Ｘを形成する。この開口部１５Ｘにより、配線層１１の配線部１１Ａの上面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図４（ｃ）に示す工程では、配線層１６を形成する。先ず、絶縁層１５の表面と絶縁層１５の開口部１５Ｘにより露出する配線層１１（配線部１１Ａ）の上面に、シード層（図示略）を形成する。シード層の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。シード層は、例えば、無電解めっき法やスパッタ法により形成することができる。次に、シード層を覆い、所定の位置に開口部を有するレジスト層（図示略）を形成する。開口部の位置は、配線層１６の配線部１６Ｐに対応する位置である。レジスト層は、例えば、次工程のめっき工程に耐性を有する材料を用いることができる。次いで、シード層を給電電極に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）により、レジスト層の開口部内に露出するシード層上にめっき金属を析出成長させる。そして、例えば、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて、レジスト層を除去し、露出するシード層をエッチングにより除去する。これにより、配線層１６が得られる。
図５（ａ）に示す工程では、開口部１７Ｘを有する絶縁層１７を形成する。先ず、絶縁層１５の上面１５ａと配線層１６とを、例えば、エポキシ樹脂などの樹脂フィルムを真空ラミネートし、加熱により樹脂フィルムを硬化する。これにより、絶縁層１７を形成する。なお、ペースト状や液状の樹脂の塗布と加熱により絶縁層１７を形成してもよい。次に、開口部１７Ｘを形成する。開口部１７Ｘの形成には、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。絶縁層１７の上面１７ａに向けてレーザ光を照射し、絶縁層１７を貫通する開口部１７Ｘを形成する。この開口部１７Ｘにより、配線層１６の上面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図５（ｂ）に示す工程では、配線層１８を形成する。先ず、絶縁層１７の表面と絶縁層１７の開口部１７Ｘにより露出する配線層１６の上面に、シード層（図示略）を形成する。シード層の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。シード層は、例えば、無電解めっき法やスパッタ法により形成することができる。次に、シード層を覆い、所定の位置に開口部を有するレジスト層（図示略）を形成する。開口部の位置は、配線層１８の配線部１８Ｐに対応する位置である。レジスト層は、例えば、次工程のめっき工程に耐性を有する材料を用いることができる。次いで、シード層を給電電極に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）により、レジスト層の開口部内に露出するシード層上にめっき金属を析出成長させる。そして、例えば、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて、レジスト層を除去し、露出するシード層をエッチングにより除去する。これにより、配線層１８が得られる。
図６（ａ）に示す工程では、開口部１９Ｘを有するソルダーレジスト層１９を形成する。ソルダーレジスト層１９は、例えば、感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダーレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより得られる。
図６（ｂ）に示す工程では、図６（ａ）に示すキャリア板６１を除去する。支持基板６０の金属箔６２を剥離層によりキャリア板６１から剥離する。次に、金属箔６２と金属層６３を除去する。例えば、過酸化水素／硫酸系水溶液や、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより、金属箔６２と金属層６３とを除去する。このとき、配線部１１Ａ，１１Ｂを残すように、エッチング時間を制御する。また、配線層１１が上記の第１金属層（例えば、Ｎｉ）と第２金属層（例えば、Ｃｕ）を含む場合、第１金属層がエッチング停止層となり、配線部１１Ａ，１１Ｂが残される。このようにして、図１（ｂ）に示す配線基板１０が得られる。
（作用）
本実施形態の配線基板１０は、磁性層１３の上面１３ａのコイル配線１４Ｐを有している。つまり、磁性層１３は、コイル配線１４Ｐの下面に接している。コイル配線１４Ｐは、平面視において渦状に形成されている。
本実施形態のように、コイル配線１４Ｐに密着した磁性層１３を有する配線基板のコイルと、磁性層１３の無い配線基板のコイルとを比較する。便宜上、コイル配線１４Ｐに磁性層１３が密着したコイルを「磁性体コイル」、磁性層１３のないコイルを「非磁性体コイル」とする。「磁性コイル」のインダクタンス（Ｌ値）は、「非磁性体コイル」のＬ値よりも大きい。「磁性体コイル」のＬ値を「非磁性コイル」のＬ値と等しくした場合、「磁性体コイル」の配線長は、「非磁性体コイル」の配線長より短くなる。つまり「磁性体コイル」が締める面積や配線層の層数を低減できる。このため、「磁性体コイル」、つまり本実施形態のように、コイル配線１４Ｐに密着した磁性層１３を含む配線基板１０の面積の小型化や薄型化を図ることができる。
図１（ａ）に示すように、本実施形態の半導体装置１において、半導体素子５１に対する信号は、外部接続端子５５Ａ、配線基板１０の配線層１１の配線部１１Ａと配線層１６と配線層１８、外部接続端子５２を介して入出力される。外部接続端子５５Ａは、配線層１１の配線部１１Ａの外部接続用パッドＰ１２Ａに接続されている。外部接続端子５２は、配線層１８の配線部１８Ｐの外部接続用パッドＰ１１に接続されている。従って、配線層１１の配線部１１Ａと、配線層１６と、配線層１８とは、配線基板１０において信号を伝達する経路（信号配線構造）である。配線層１６において、配線層１６の配線部１６Ｐと配線層１１の配線部１１Ａとを接続するビア配線１６Ｖは、磁性層１３を貫通する開口部１３Ｘの内部に配設されている。つまり、半導体素子５１に対する信号の伝達経路は、磁性層１３を貫通している。
磁性層１３の下面１３ｂは、絶縁層１２により覆われている。磁性層１３の上面１３ａは、絶縁層１５により覆われている。そして、磁性層１３の開口部１３Ｘの内壁面は、絶縁層１５の第２絶縁層１５Ｂにより覆われている。従って、磁性層１３は、第２絶縁層１５Ｂを貫通する開口部１５Ｘの内部のビア配線１６Ｖに対して非接触である。つまり、本実施形態において、配線基板１０の磁性層１３は、配線基板１０の信号配線構造に直接接していない。このような配線基板１０では、磁性層１３による信号の伝達特性の向上、挿入損失が低減される。
図７（ａ）〜図７（ｄ）は信号の伝達に対するＳパラメータ（Ｓ２１）を測定する配線基板のモデル７０ａ〜７０ｄの断面を示す。
図７（ａ）に示す第１のモデル７０ａは、配線層７１、絶縁層８１、配線層７２、絶縁層８２、配線層７３、絶縁層８３、配線層７４、絶縁層８４、配線層７５、絶縁層８５、配線層７６、絶縁層８６、配線層７７、絶縁層８７、配線層７８がこの順番で積層された配線基板である。配線層７１の外部接続用パッド７１Ｐの下面には、外部接続端子９１が接続されている。配線層７２〜７７は、絶縁層８１〜８６を貫通して配線層７２〜７７を配線層７１〜７６にそれぞれ接続するビア配線を含む。この第１のモデル７０ａは、磁性層が設けられていない。
図７（ｂ）に示す第２のモデル７０ｂは、第１のモデル７０ａの絶縁層８１が磁性層１３に置き換えられている。この第２のモデル７０ｂにおいて、磁性層１３は、配線層７１と配線層７２とに接している。
図７（ｃ）に示す第３のモデル７０ｃは、第１のモデル７０ａに対して、外部接続端子９１が、配線層７１の外部接続用パッド７１Ｐの下面及び側面を覆っている。磁性層１３は、絶縁層８１の下面と配線層７１を覆うように形成されている。そして、磁性層１３は、外部接続端子９１の側面に接している。この第３のモデル７０ｃの磁性層１３は、信号を伝達する経路の配線とは直接的に接していない。
図７（ｄ）に示す第４のモデル７０ｄは、第２のモデル７０ｂに対して、磁性層１３が配線層７２の下面を覆うように形成されている。また、磁性層１３は、開口部１３Ｘを有している。絶縁層８１ａは、磁性層１３の下面を覆うとともに、磁性層１３の開口部１３Ｘに充填されている。従って、この第４のモデル７０ｄにおいて、信号を伝達する経路の配線は、磁性層１３を貫通するとともに、磁性層１３との間に絶縁層８１ａが介在されている。つまり、信号を伝達する経路の配線は、磁性層１３に接触していない。
各モデル７０ａ〜７０ｄにおいて、配線層７７に信号を供給する。その信号は、各配線層７７〜７１を介して外部接続端子９１に伝達される。そして、外部接続端子９１において信号を観測する。そして、供給する信号のレベルと観測した信号のレベルにより、各モデル７０ａ〜７０ｄにおけるＳパラメータの挿入損失：Ｓ２１を算出する。
図８は、図７（ａ）〜図７（ｄ）の各モデル７０ａ〜７０ｄのＳパラメータ（挿入損失：Ｓ２１）をシミュレーションした結果を示す。図８において、横軸はfrequency（信号の周波数，ＧＨｚ）、縦軸はＳ２１（挿入損失，ｄＢ）を示す。なお、図８の横軸において、右に向かうほど高周波である。また、図８の縦軸において、下に向かうほどＳ２１（挿入損失）が増加する。図８において、曲線Ｌａ〜Ｌｄは、図７（ａ）〜図７（ｄ）に示す第１〜第４のモデル７０ａ〜７０ｄのＳ２１（挿入損失）を示す。
図７（ｂ）に示す第２のモデル７０ｂは、磁性層１３が配線層７１，７２に直接接している。この場合、図８の曲線Ｌｂに示されるように、高周波の信号に対する第３のモデル７０ｃの挿入損失は、磁性層１３を用いてない第１のモデル７０ａの挿入損失（図８の曲線Ｌ１）に比べ大きく増加する。
図７（ｃ）に示す第３のモデル７０ｃは、信号を伝達する配線層７１，７２に対する磁性層１３を直接的に接していない。この場合、図８の曲線Ｌｃに示されるように、高周波の信号に対する第３のモデル７０ｃの挿入損失は、第２のモデル７０ｂの挿入損失（図８の曲線Ｌｂ）に比べ低下する。従って、磁性層１３を信号伝達経路の配線に対して直接的に接触させないようにすることで、挿入損失が低減される、つまり、高周波信号の伝達特性が向上する。
図７（ｄ）に示す第４のモデル７０ｄは、信号を伝達する配線層７１と配線層７２のビア配線に対して磁性層１３が接していない。この場合、図８の曲線Ｌｄに示されるように、高周波の信号に対する第４のモデル７０ｄの挿入損失は、第２，第３のモデル７０ｂ，７０ｃの挿入損失（図８の曲線Ｌｂ，Ｌｃ）に比べ低下する。従って、磁性層１３を信号伝達経路の配線に対して接触させないようにすることで、挿入損失が更に低減される、つまり、高周波信号の伝達特性が更に向上する。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１−１）半導体装置１は、配線基板１０と、配線基板１０に実装された半導体素子５１を含む。配線基板１０は、配線層１１と、絶縁層１２と、磁性層１３と、配線層１４と、絶縁層１５と、配線層１６と、絶縁層１７と、配線層１８とを含み、これらが積層された構造を有している。配線層１４は、磁性層１３の上面１３ａに形成されている。配線層１４は、磁性層１３の上面のコイル配線１４Ｐを有している。コイル配線１４Ｐは、磁性層１３の上面１３ａにおいて、例えば、渦状（スパイラル状）に形成されたコイル（平面コイル）である。配線層１１の配線部１１Ａと、配線層１６と、配線層１８とは、配線基板１０において信号を伝達する経路（信号配線構造）である。磁性層１３は、第２絶縁層１５Ｂを貫通する開口部１５Ｘの内部のビア配線１６Ｖに対して非接触である。つまり、本実施形態において、配線基板１０の磁性層１３は、配線基板１０の信号配線構造に直接接していない。このような配線基板１０では、磁性層１３による信号の伝達特性の向上、挿入損失を低減できる。
（１−２）磁性層１３には、絶縁性樹脂に磁性フィラーを混入した磁性材料を用いることができる。このように、磁性層１３は、絶縁性樹脂を含み、例えば絶縁層１２と同程度の抵抗値を示す。この磁性層１３の抵抗値は、ＣｕやＣｕ合金等の配線層と比べ、高抵抗である。このため、磁性層１３をコイル配線１４Ｐに密着させることができる。また、磁性層１３は磁性フィラーを含むため、コイル４１のＬ値を向上できる。
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付し、その説明の一部又は全てを省略する場合がある。
図９（ａ）に示すように、半導体装置１０１は、配線基板１１０と、配線基板１１０に実装された半導体素子５１を含む。
半導体素子５１は、外部接続端子５２を介して、配線基板１１０の外部接続用パッドＰ２１に接続されている。半導体素子５１は、この外部接続用パッドＰ２１により、配線基板１１０に対してフリップチップ接続されている。半導体素子５１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等のロジックチップ、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等のメモリチップ、等である。外部接続端子５２は、例えば、はんだバンプや金バンプである。はんだバンプの材料としては、例えば、鉛を含む合金、錫と金との合金、錫と銅との合金、錫と銀との合金、錫と銀と銅の合金などを用いることができる。
半導体素子５１と配線基板１１０との間にはアンダーフィル樹脂５３が形成されている。アンダーフィル樹脂５３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
配線基板１１０は、下面に外部接続用パッドＰ２２Ａ，Ｐ２２Ｂを有している。外部接続用パッドＰ２２Ａ，Ｐ２２Ｂには、外部接続端子５５Ａ，５５Ｂが接続されている。外部接続端子５５Ａ，５５Ｂは、配線基板１１０を例えばマザーボード等の実装基板に実装するために使用される。外部接続端子５５Ａ，５５Ｂは、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、ＳｎとＣｕの合金、Ｓｎと銀（Ａｇ）の合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、外部接続端子５５Ａ，５５Ｂとして、はんだボールやリードピン等としてもよい。
なお、外部接続用パッドＰ２１に対して、上述の外部接続用パッドＰ２２Ａ，Ｐ２２Ｂと同様に、はんだバンプ等の外部接続端子を接続してもよい。この外部接続端子を用いて配線基板１１０に半導体素子５１を接続することができる。
配線基板１１０に実装された半導体素子５１は、配線基板１１０の外部接続用パッドＰ２１に対して信号を入出力する。配線基板１１０は、外部接続用パッドＰ２１と外部接続用パッドＰ２２Ａとの間で信号を伝達するように構成されている。つまり、配線基板１１０は、外部接続用パッドＰ２１と外部接続用パッドＰ２２Ａの間に、信号の伝達する導体（信号配線構造）を有している。半導体素子５１の出力信号は、配線基板１１０の信号配線構造を介して外部接続用パッドＰ２１から信号配線構造により外部接続用パッドＰ２２Ａへ伝達される。そして、出力信号は、その外部接続用パッドＰ２２Ａに接続された外部接続端子５５Ａを介して実装基板へと伝達される。また、半導体素子５１が入力する信号は、実装基板から外部接続端子５５Ａ、外部接続用パッドＰ２２Ａ、信号配線構造、外部接続用パッドＰ２１を介して半導体素子５１へと伝達される。
配線基板１１０は、コイル１４１を内蔵している。本実施形態において、コイル１４１は、配線基板１１０の外部接続用パッドＰ２２Ｂに接続されている。
図９（ｂ）に示すように、配線基板１１０は、配線層１１１と、磁性層１１３と、配線層１１４と、絶縁層１１５と、配線層１１６と、絶縁層１１７と、配線層１１８とを含み、これらが積層された構造を有している。配線層１１４は、上述のコイル１４１のコイル配線１１４Ｐを含む。
配線層１１１は、配線部１１１Ａ，１１１Ｂを有している。配線部１１１Ｂは、配線部１１１Ｂに接する磁性層１１３に、その配線部１１１Ｂの下面が露出するように埋設されている。
磁性層１１３は、磁性層１１３を厚さ方向に貫通して開口部１１３Ｘが形成されている。その開口部１１３Ｘには、磁性層１１３の上面１１３ａを覆う絶縁層１１５が充填されている。配線層１１１の配線部１１１Ａは、その絶縁層１１５に、その配線部１１１Ａの下面が露出するように埋設されている。磁性層１１３は、配線層１１１の配線部１１１Ｂの上面１１１Ｂａの一部を露出する開口部１１３Ｙを有している。
配線部１１１Ａの下面１１１Ａｂは、磁性層１１３の開口部１１３Ｘの内部にあって、絶縁層１１５から露出されている。配線部１１１Ａの上面１１１Ａａの一部と配線部１１１Ａの側面１１１Ａｃは、絶縁層１１５により覆われている。配線部１１１Ｂの下面１１１Ｂｂは、磁性層１１３の下面１１３ｂから露出されている。配線部１１１Ｂの上面１１１Ｂａの一部と配線部１１１Ｂの側面１１１Ｂｃは、磁性層１１３により覆われている。
本実施形態において、配線層１１１は、積層された第１及び第２の金属層を含む。第２の金属層は、第１の金属層の上面を覆うように形成されている。第１の金属層の材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、錫（Ｓｎ）などの金属、又はこれら金属から選択される少なくとも一種の金属を含む合金を用いることができる。第２の金属層の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やＣｕ合金を用いることができる。
磁性層１１３の材料としては、絶縁性樹脂に磁性フィラーを混入した磁性材料を用いることができる。絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などを用いることができる。磁性フィラーとしては、例えば、マンガン（Ｍｎ）−亜鉛（Ｚｎ）フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）系合金、Ｆｅ−シリコン（Ｓｉ）系合金などを用いることができる。
配線層１１４は、磁性層１１３の上面１１３ａに形成されている。配線層１１４は、磁性層１１３の上面１１３ａのコイル配線１１４Ｐと、磁性層１１３の開口部１１３Ｙの内部のビア配線１１４Ｖとを有している。本実施形態のコイル配線１１４Ｐは、磁性層１１３の上面１１３ａにおいて、渦状（スパイラル状）に形成されたコイル（平面コイル）である。ビア配線１１４Ｖは、コイル配線１１４Ｐの両端部において、コイル配線１１４Ｐを配線層１１１の配線部１１１Ｂに電気的に接続する。配線層１１４の材料としては、Ｃｕ又はＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層１１５は、磁性層１１３の表面つまり磁性層１１３の上面１１３ａと開口部１１３Ｘの内壁面と、配線層１１１の配線部１１１Ａと、配線層１１４のコイル配線１１４Ｐとを覆うように形成されている。絶縁層１１５は、磁性層１１３の上面及び配線層１１４を覆う第１絶縁層１１５Ａと、磁性層１１３の開口部１１３Ｘの内壁面を覆う第２絶縁層１１５Ｂとを有している。第２絶縁層１１５Ｂは、配線層１１１の配線部１１１Ａの上面及び側面を覆っている。
絶縁層１１５は、配線層１１１の配線部１１１Ａの上面１１１Ａａの一部を露出する開口部１１５Ｘを有している。開口部１１５Ｘは、磁性層１１３の開口部１１３Ｘの内部に形成され、第１絶縁層１１５Ａ及び第２絶縁層１１５Ｂを貫通している。絶縁層１１５の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂、等を用いることができる。絶縁性樹脂は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
配線層１１６は、絶縁層１１５の上面１１５ａに形成されている。配線層１１６は、絶縁層１１５の上面１１５ａの配線部１１６Ｐと、絶縁層１１５の開口部１１５Ｘの内部のビア配線１１６Ｖとを有している。ビア配線１１６Ｖは、配線層１１６の配線部１１６Ｐを配線層１１１の配線部１１１Ａに電気的に接続する。配線層１１６の材料としては、Ｃｕ又はＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層１１７は、絶縁層１１５の上面１１５ａと配線層１１６とを覆うように形成されている。絶縁層１１７は、配線部１１６Ｐの上面１１６ａの一部を露出する開口部１１７Ｘを有している。絶縁層１１７の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂、等を用いることができる。絶縁性樹脂は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
配線層１１８は、絶縁層１１７の上面１１７ａに形成されている。配線層１１８は、絶縁層１１７の上面１１７ａの配線部１１８Ｐと、絶縁層１１７の開口部１１７Ｘの内部のビア配線１１８Ｖとを有している。ビア配線１１８Ｖは、配線層１１８の配線部１１８Ｐを配線層１１６の配線部１１６Ｐに電気的に接続する。配線層１１８の材料としては、Ｃｕ又はＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層１１７の上面１１７ａには、ソルダーレジスト層１１９が形成されている。ソルダーレジスト層１１９は、絶縁層１１７の上面１１７ａと配線層１１８の一部を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１１９は、配線層１１８の上面１１８ａの一部を外部接続用パッドＰ２１として露出する開口部１１９Ｘを有している。ソルダーレジスト層１１９の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
なお、必要に応じて、ソルダーレジスト層１１９の開口部１１９Ｘから露出する配線層１１８の表面上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成してもよい。また、開口部１１９Ｘから露出する配線層１１８の表面上に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。なお、開口部１１９Ｘから露出する配線層１１８（あるいは、配線層１１８にＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、外部接続用パッドＰ２１としてもよい。
（製造工程）
次に、本実施形態の配線基板１１０の製造工程を説明する。
図１０（ａ）に示すように、支持基板６０を準備する。支持基板６０は、例えば、キャリア付金属箔を用いることができる。なお、支持基板６０として、公知の他の支持基板を用いることもできる。支持基板６０は、キャリア板６１と、キャリア板６１の一方の面（図２（ａ）では上面）に剥離層（図示略）を介して積層された極薄の金属箔６２とを有している。キャリア板６１の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。金属箔６２の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
金属箔６２の表面に、金属層６３と配線層１１１を形成する。例えば、金属箔６２の表面に、開口部を有するレジスト層を形成する。レジスト層の材料としては、例えば、金属層６３と配線層１１１を形成する処理（例えば、めっき処理）に対して耐性を有する材料を用いることができる。レジスト層の材料としては、例えば、感光性のドライフィルムレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジスト）等を用いることができる。
次に、レジスト層をめっきマスクとして、金属箔６２を給電層に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）により、金属箔６２の表面に金属層６３と配線層１１１を順次形成する。上述したように、配線層１１１が第１及び第２金属層からなる場合、金属層６３の上面に、第１金属層と第２金属層とを順次形成する。そして、例えば、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて、レジスト層を除去する。
図１０（ｂ）に示す工程では、開口部１１３Ｙを有する磁性層１１３を形成する。先ず、金属箔６２の上面と配線層１１１及び金属層６３を覆う磁性層１１３を形成する。磁性層１１３の材料としては、例えば、絶縁性樹脂に磁性フィラーを混入した磁性材料であり未硬化のフィルムを用いることができる。磁性層１１３は、例えば、磁性材料のフィルムを真空ラミネートし、加熱によりフィルムを硬化して得られる。
次に、磁性層１１３の開口部１１３Ｙを形成する。開口部１１３Ｙは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。磁性層１１３の上面１１３ａに向けてレーザ光を照射し、磁性層１１３を貫通する開口部１１３Ｙを形成する。この開口部１１３Ｙにより、配線部１１１Ｂの上面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図１０（ｃ）に示す工程では、配線層１１４を形成する。配線層１１４は、開口部１１３Ｙの内部のビア配線１１４Ｖと、磁性層１１３の上面１１３ａのコイル配線１１４Ｐとを含む。先ず、磁性層１１３の表面（磁性層１１３の上面１１３ａと開口部１１３Ｘの内壁面）と開口部１１３Ｘにより露出する配線部１１１Ｂの上面とに、シード層（図示略）を形成する。シード層の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。シード層は、例えば、無電解めっき法やスパッタ法により形成することができる。
次に、シード層を覆い、所定の位置に開口部を有するレジスト層（図示略）を形成する。開口部の位置は、配線層１１４のコイル配線１１４Ｐに対応する位置である。レジスト層は、例えば、次工程のめっき工程に耐性を有する材料を用いることができる。
次いで、シード層を給電電極に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）により、レジスト層の開口部内に露出するシード層上にめっき金属を析出成長させる。そして、例えば、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて、レジスト層を除去し、露出するシード層をエッチングにより除去する。これにより、ビア配線１１４Ｖとコイル配線１１４Ｐを含む配線層１１４が得られる。
図１１（ａ）に示す工程では、磁性層１１３に、配線部１１１Ａを露出する開口部１１３Ｘを形成する。開口部１１３Ｘの形成には、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。磁性層１１３の上面１１３ａに向けてレーザ光を照射し、磁性層１１３を貫通し、配線部１１１Ａの全体と、配線部１１１Ａの周囲の金属箔６２の上面とを露出する開口部１１３Ｘを形成する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図１１（ｂ）に示す工程では、絶縁層１１５を形成する。絶縁層１１５は、磁性層１１３の表面（磁性層１１３の上面１１３ａ及び開口部１１３Ｘの内壁面）と、配線層１１４（コイル配線１１４Ｐ）と、開口部１１３Ｘの内部の配線部１１１Ａと、配線部１１１Ａの周囲の金属箔６２とを覆う。絶縁層１１５の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの有機樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層１１５は、例えば、樹脂フィルムを真空ラミネートし、加熱により樹脂フィルムを硬化して得られる。なお、ペースト状や液状の樹脂の塗布と加熱により絶縁層１１５を形成してもよい。
図１２（ａ）に示す工程では、絶縁層１１５の開口部１１５Ｘを形成する。開口部１１５Ｘは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。絶縁層１１５の上面１１５ａに向けてレーザ光を照射し、絶縁層１１５を貫通する開口部１１５Ｘを形成する。この開口部１１５Ｘにより、配線部１１１Ａの上面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図１２（ｂ）に示す工程では、配線層１１６を形成する。先ず、絶縁層１１５の表面と絶縁層１１５の開口部１１５Ｘにより露出する配線部１１１Ａの上面に、シード層（図示略）を形成する。シード層の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。シード層は、例えば、無電解めっき法やスパッタ法により形成することができる。次に、シード層を覆い、所定の位置に開口部を有するレジスト層（図示略）を形成する。開口部の位置は、配線層１１６の配線部１１６Ｐに対応する位置である。レジスト層は、例えば、次工程のめっき工程に耐性を有する材料を用いることができる。次いで、シード層を給電電極に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）により、レジスト層の開口部内に露出するシード層上にめっき金属を析出成長させる。そして、例えば、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて、レジスト層を除去し、露出するシード層をエッチングにより除去する。これにより、配線層１１６が得られる。
図１３（ａ）に示す工程では、開口部１１７Ｘを有する絶縁層１１７を形成する。先ず、例えば、エポキシ樹脂などの樹脂フィルムを真空ラミネートし、加熱により樹脂フィルムを硬化する。これにより、絶縁層１１７を形成する。なお、ペースト状や液状の樹脂の塗布と加熱により絶縁層１１７を形成してもよい。次に、開口部１１７Ｘを形成する。開口部１１７Ｘの形成には、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。絶縁層１１７の上面１１７ａに向けてレーザ光を照射し、開口部１１７Ｘを形成する。この開口部１１７Ｘにより、配線層１１６の上面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図１３（ｂ）に示す工程では、配線層１１８を形成する。先ず、絶縁層１１７の表面と絶縁層１１７の開口部１１７Ｘにより露出する配線層１１６の上面に、シード層（図示略）を形成する。シード層の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。シード層は、例えば、無電解めっき法やスパッタ法により形成することができる。次に、シード層を覆い、所定の位置に開口部を有するレジスト層（図示略）を形成する。開口部の位置は、配線層１１８の配線部１１８Ｐに対応する位置である。レジスト層は、例えば、次工程のめっき工程に耐性を有する材料を用いることができる。次いで、シード層を給電電極に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）により、レジスト層の開口部内に露出するシード層上にめっき金属を析出成長させる。そして、例えば、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて、レジスト層を除去し、露出するシード層をエッチングにより除去する。これにより、配線層１１８が得られる。
図１４（ａ）に示す工程では、開口部１１９Ｘを有するソルダーレジスト層１１９を形成する。ソルダーレジスト層１１９は、例えば、感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダーレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより得られる。
図１４（ｂ）に示す工程では、図１４（ａ）に示すキャリア板６１を除去する。支持基板６０の金属箔６２を剥離層によりキャリア板６１から剥離する。次に、金属箔６２と金属層６３を除去する。例えば、過酸化水素／硫酸系水溶液や、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより、金属箔６２と金属層６３とを除去する。このとき、配線部１１１Ａ，１１１Ｂを残すように、エッチング時間を制御する。また、配線部１１１Ａ，１１１Ｂが上述の第１金属層（例えば、Ｎｉ）と第２金属層（例えば、Ｃｕ）を含む場合、第１金属層がエッチング停止層となり、配線層１１１が残される。このようにして、図９（ｂ）に示す配線基板１１０が得られる。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（２−１）上記の第１実施形態の配線基板１０と同様の効果を奏する。
（２−２）上記の第１実施形態の絶縁層１２が省略されている。このため、第１実施形態と比べ、配線基板１１０を薄くできる。
（第３実施形態）
以下、第３実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付し、その説明の一部又は全てを省略する場合がある。
図１５（ａ）に示すように、半導体装置２０１は、配線基板２１０と、配線基板２１０に実装された半導体素子２５１を含む。
半導体素子２５１は、外部接続端子２５２Ａ，２５２Ｂを介して、配線基板２１０の外部接続用パッドＰ３１Ａ，Ｐ３１Ｂに接続されている。半導体素子２５１は、この外部接続用パッドＰ３１Ａ，Ｐ３１Ｂにより、配線基板２１０に対してフリップチップ接続されている。半導体素子２５１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等のロジックチップ、等である。外部接続端子２５２Ａ，２５２Ｂは、例えば、はんだバンプや金バンプである。はんだバンプの材料としては、例えば、鉛を含む合金、錫と金との合金、錫と銅との合金、錫と銀との合金、錫と銀と銅の合金などを用いることができる。
半導体素子２５１と配線基板２１０との間にはアンダーフィル樹脂２５３が形成されている。アンダーフィル樹脂２５３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
配線基板２１０は、下面に外部接続用パッドＰ３２を有している。外部接続用パッドＰ３２には、外部接続端子２５５が接続されている。外部接続端子２５５は、配線基板２１０を例えばマザーボード等の実装基板に実装するために使用される。外部接続端子２５５は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、ＳｎとＣｕの合金、Ｓｎと銀（Ａｇ）の合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、外部接続端子２５５として、はんだボールやリードピン等としてもよい。
なお、外部接続用パッドＰ３１Ａ，Ｐ３１Ｂに対して、上述の外部接続用パッドＰ３２と同様に、はんだバンプ等の外部接続端子を接続してもよい。この外部接続端子を用いて配線基板２１０に半導体素子２５１を接続することができる。
配線基板２１０に実装された半導体素子２５１は、配線基板２１０の外部接続用パッドＰ３１Ａに対して信号を入出力する。配線基板２１０は、外部接続用パッドＰ３１Ａと外部接続用パッドＰ３２との間で信号を伝達するように構成されている。つまり、配線基板２１０は、外部接続用パッドＰ３１Ａと外部接続用パッドＰ３２の間に、信号の伝達する導体（信号配線構造）を有している。半導体素子２５１の出力信号は、配線基板２１０の信号配線構造を介して外部接続用パッドＰ３１Ａから信号配線構造により外部接続用パッドＰ３２へ伝達される。そして、出力信号は、その外部接続用パッドＰ３２に接続された外部接続端子２５５を介して実装基板へと伝達される。また、半導体素子２５１が入力する信号は、実装基板から外部接続端子２５５、外部接続用パッドＰ３２、信号配線構造、外部接続用パッドＰ３１Ａを介して半導体素子２５１へと伝達される。
配線基板２１０は、コイル２４１を内蔵している。本実施形態において、コイル２４１は、配線基板２１０の外部接続用パッドＰ３１Ｂに接続されている。その外部接続用パッドＰ３１Ｂは半導体素子２５１に接続されている。つまり、本実施形態において、配線基板２１０のコイル２４１は、半導体素子２５１に接続されている。
図１５（ｂ）に示すように、配線基板２１０は、コア基板２１１を有している。コア基板２１１は、配線基板２１０の厚さ方向の略中心付近に設けられている。コア基板２１１は、所要の箇所にコア基板２１１の上面２１１ａから下面２１１ｂまでを貫通する貫通孔２１１Ｘ，２１１Ｙを有している。貫通孔２１１Ｘ，２１１Ｙには貫通電極２１２Ａ，２１２Ｂが形成されている。
コア基板２１１の材料としては、例えば、補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。補強材としてはガラスクロスに限らず、例えば、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、液晶ポリマ（ＬＣＰ：Liquid Crystal Polymer）織布やＬＣＰ不織布を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としてはエポキシ樹脂に限らず、例えば、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの樹脂材を用いることができる。貫通電極２１２Ａ，２１２Ｂの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やＣｕ合金を用いることができる。
配線基板２１０は、コア基板２１１の下面２１１ｂの側に、配線層２２１、磁性層２２２、絶縁層２２３を有している。また、配線基板２１０は、コア基板２１１の上面２１１ａの側に、配線層２３１、絶縁層２３２、配線層２３３を有している。
配線層２２１は、コア基板２１１の下面２１１ｂに形成されている。配線層２２１は、配線部２２１Ａと、コイル２４１に含まれるコイル配線２２１Ｐとを含む。本実施形態のコイル配線２２１Ｐは、コア基板２１１の下面２１１ｂにおいて、渦状（スパイラル状）に形成されたコイル（平面コイル）である。コイル配線２２１Ｐの両端部は、貫通電極２１２Ｂに接続されている。配線部２２１Ａは、貫通電極２１２Ａに接続されている。配線層２２１の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
磁性層２２２は、コア基板２１１の下面２１１ｂに、配線層２２１のコイル配線２２１Ｐを被覆するように形成されている。磁性層２２２は、配線層２２１の配線部２２１Ａを露出する開口部２２２Ｘを有している。この開口部２２２Ｘは、配線部２２１Ａの周囲のコア基板２１１の下面２１１ｂを露出するように形成されている。磁性層２２２の材料としては、絶縁性樹脂に磁性フィラーを混入した磁性材料を用いることができる。絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などを用いることができる。磁性フィラーとしては、例えば、マンガン（Ｍｎ）−亜鉛（Ｚｎ）フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）系合金、Ｆｅ−シリコン（Ｓｉ）系合金などを用いることができる。
絶縁層２２３は、磁性層２２２の表面、つまり磁性層２２２の下面２２２ｂと、磁性層２２２の開口部２２２Ｘの内壁面とを覆うように形成されている。また、絶縁層２２３は、磁性層２２２の開口部２２２Ｘの内部の配線層２２１の配線部２２１Ａの一部と、その配線部２２１Ａの周囲のコア基板２１１の下面２１１ｂとを覆うように形成されている。絶縁層２２３は、磁性層２２２の開口部２２２Ｘの内部において、配線層２２１の配線部２２１Ａの下面２２１Ａｂの一部を露出する開口部２２３Ｘを有している。この開口部２２３Ｘにより、配線部２２１Ａの下面２２１Ａｂの一部が外部接続用パッドＰ３２として露出される。絶縁層２２３の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂、等を用いることができる。絶縁性樹脂は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
なお、図１５（ａ）では、開口部２２３Ｘにより露出する配線部２２１Ａの下面の一部を外部接続用パッドＰ３２としたが、開口部２２３Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線により配線部２２１Ａに接続される配線部とを含む配線層を絶縁層２２３の下面に形成してもよい。更に、絶縁層２２３の下面側に、絶縁層と配線層と積層することもできる。そして、最下層の配線層の下面を外部接続用パッドとしてもよい。また、最下層の配線層の一部を覆うソルダーレジスト層を形成することもできる。
配線層２３１は、コア基板２１１の上面２１１ａに形成されている。配線層２３１は、配線部２３１Ａ，２３１Ｂを含む。配線部２３１Ａは、貫通電極２１２Ａを介してコア基板２１１の下面２１１ｂの配線部２２１Ａと接続されている。配線部２３１Ｂは、貫通電極２１２Ｂを介してコア基板２１１の下面２１１ｂのコイル配線２２１Ｐと接続されている。配線層２３１の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層２３２は、コア基板２１１の上面２１１ａに、配線層２３１を覆うように形成されている。絶縁層２３２は、配線層２３１の上面の一部を露出する開口部２３２Ｘ，２３２Ｙを有している。開口部２３２Ｘは、配線層２３１の配線部２３１Ａの上面の一部を露出する。開口部２３２Ｙは、配線層２３１の配線部２３１Ｂの上面の一部を露出する。絶縁層２３２の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂、等を用いることができる。絶縁性樹脂は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
配線層２３３は、絶縁層２３２の上面２３２ａに形成されている。配線層２３３は、絶縁層２３２の上面２３２ａに形成された配線部２３３Ａ，２３３Ｂと、絶縁層２３２の開口部２３２Ｘ，２３２Ｙの内部に形成されたビア配線２３３ＡＶ，２３３ＢＶとを含む。ビア配線２３３ＡＶは、配線層２３３の配線部２３３Ａを配線層２３１の配線部２３１Ａに接続する。ビア配線２３３ＢＶは、配線層２３３の配線部２３３Ｂを配線層２３１の配線部２３１Ｂに接続する。配線層２３３の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層２３２の上面２３２ａには、ソルダーレジスト層２３４が形成されている。ソルダーレジスト層２３４は、絶縁層２３２の上面２３２ａと配線層２３３の一部を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層２３４は、配線層２３３の配線部２３３Ａの上面の一部を外部接続用パッドＰ３１Ａとして露出する開口部２３４Ｘと、配線層２３３の配線部２３３Ｂの上面の一部を外部接続用パッドＰ３１Ｂとして露出する開口部２３４Ｙとを有している。ソルダーレジスト層２３４の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
なお、必要に応じて、ソルダーレジスト層２３４の開口部２３４Ｘ，２３４Ｙから露出する配線層２３３の表面上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成してもよい。また、開口部２３４Ｘ，２３４Ｙから露出する配線部２３３Ａ，２３３Ｂの表面上に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。なお、開口部２３４Ｘ，２３４Ｙから露出する配線部２３３Ａ，２３３Ｂ（あるいは、配線部２３３Ａ，２３３ＢにＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、外部接続用パッドＰ３１Ａ，Ｐ３１Ｂとしてもよい。
（製造工程）
次に、本実施形態の配線基板２１０の製造工程を説明する。
図１６（ａ）に示すように、コア基板２１１を用意する。コア基板２１１は、例えば、銅張積層板（Copper Clad Laminate：ＣＣＬ）を用いることができる。このコア基板２１１に貫通孔２１１Ｘ，２１１Ｙを形成し、電解めっきや導電性ペースト充填等の方法によって貫通孔２１１Ｘ，２１１Ｙの内部に貫通電極２１２Ａ，２１２Ｂを形成する。その後、サブトラクティブ法によって配線層２２１（２２１Ａ，２２１Ｐ），２３１（２３１Ａ，２３１Ｂ）を形成する。
図１６（ｂ）に示す工程では、磁性層２２２と絶縁層２３２を形成する。コア基板２１１の下面２１１ｂと配線層２２１とを覆う磁性層２２２を形成する。磁性層２２２の材料としては、例えば、絶縁性樹脂に磁性フィラーを混入した磁性材料であり、未硬化のフィルムを用いることができる。磁性層２２２は、例えば、磁性材料のフィルムを真空ラミネートし、加熱によりフィルムを硬化して得られる。また、コア基板２１１の上面２１１ａと配線層２３１とを覆う絶縁層２３２を形成する。絶縁層２３２の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの有機樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層２３２は、例えば、樹脂フィルムを真空ラミネートし、加熱により樹脂フィルムを硬化して得られる。なお、ペースト状や液状の樹脂の塗布と加熱により絶縁層２３２を形成してもよい。
図１６（ｃ）に示す工程では、磁性層２２２の開口部２２２Ｘと、絶縁層２３２の開口部２３２Ｘ，２３２Ｙとを形成する。開口部２２２Ｘは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。磁性層２２２の下面２２２ｂに向けてレーザ光を照射し、磁性層２２２を貫通する開口部２２２Ｘを形成する。この開口部２２２Ｘにより、配線部２２１Ａの全体と配線部２２１Ａの周囲のコア基板２１１の下面２１１ｂとを露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。また、絶縁層２３２の上面２３２ａに向けてレーザ光を照射し、絶縁層２３２を貫通する開口部２３２Ｘ，２３２Ｙを形成する。これら開口部２３２Ｘ，２３２Ｙにより、配線部２３１Ａ，２３１Ｂの上面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図１７（ａ）に示す工程では、磁性層２２２を覆う絶縁層２２３を形成する。絶縁層２２３の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの有機樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層２２３は、例えば、樹脂フィルムを真空ラミネートし、加熱により樹脂フィルムを硬化して得られる。なお、ペースト状や液状の樹脂の塗布と加熱により絶縁層２２３を形成してもよい。
図１７（ｂ）に示す工程では、絶縁層２３２の上面に配線層２３３を形成する。配線層２３３は、絶縁層２３２の開口部２３２Ｘ，２３２Ｙの内部のビア配線２３３ＡＶ，２３３ＢＶと、絶縁層２３２の上面２３２ａの配線部２３３Ａ，２３３Ｂとを含む。先ず、絶縁層２３２の表面（絶縁層２３２の上面２３２ａと開口部２３２Ｘ，２３２Ｙの内壁面）と開口部２３２Ｘ，２３２Ｙにより露出する配線層２３１の上面（配線部２３１Ａ，２３１Ｂの上面）とに、シード層（図示略）を形成する。シード層の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。シード層は、例えば、無電解めっき法やスパッタ法により形成することができる。
次に、シード層を覆い、所定の位置に開口部を有するレジスト層（図示略）を形成する。開口部の位置は、配線層２３３の配線部２３３Ａ，２３３Ｂに対応する位置である。レジスト層は、例えば、次工程のめっき工程に耐性を有する材料を用いることができる。次いで、シード層を給電電極に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）により、レジスト層の開口部内に露出するシード層上にめっき金属を析出成長させる。そして、例えば、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて、レジスト層を除去し、露出するシード層をエッチングにより除去する。これにより、ビア配線２３３ＡＶ，２３３ＢＶと配線部２３３Ａ，２３３Ｂを含む配線層２３３が得られる。
図１８（ａ）に示す工程では、絶縁層２２３に開口部２２３Ｘを形成する。開口部２２３Ｘは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。絶縁層２２３の下面２２３ｂに向けてレーザ光を照射し、磁性層２２２の開口部２２２Ｘの内部において、絶縁層２２３を貫通する開口部２２３Ｘを形成する。この開口部２２３Ｘにより、配線層２２１の配線部２２１Ａの下面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図１８（ｂ）に示す工程では、開口部２３４Ｘ、２３４Ｙを有するソルダーレジスト層２３４を形成する。ソルダーレジスト層２３４は、例えば、感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダーレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより得られる。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（３−１）コア基板２１１を含む配線基板２１０において、上述の第１実施形態の配線基板１０と同様の効果を奏する。
（第４実施形態）
以下、第４実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付し、その説明の一部又は全てを省略する場合がある。
図１９（ａ）に示すように、半導体装置３０１は、配線基板３１０と、配線基板３１０に実装された半導体素子２５１を含む。
半導体素子２５１は、外部接続端子２５２Ａ，２５２Ｂを介して、配線基板３１０の外部接続用パッドＰ４１Ａ，Ｐ４１Ｂに接続されている。半導体素子２５１は、この外部接続用パッドＰ４１Ａ，Ｐ４１Ｂにより、配線基板３１０に対してフリップチップ接続されている。半導体素子２５１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等のロジックチップ、等である。外部接続端子２５２Ａ，２５２Ｂは、例えば、はんだバンプや金バンプである。はんだバンプの材料としては、例えば、鉛を含む合金、錫と金との合金、錫と銅との合金、錫と銀との合金、錫と銀と銅の合金などを用いることができる。
半導体素子２５１と配線基板３１０との間にはアンダーフィル樹脂２５３が形成されている。アンダーフィル樹脂２５３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
配線基板３１０は、下面に外部接続用パッドＰ４２を有している。外部接続用パッドＰ４２には、外部接続端子２５５が接続されている。外部接続端子２５５は、配線基板３１０を例えばマザーボード等の実装基板に実装するために使用される。外部接続端子２５５は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、ＳｎとＣｕの合金、Ｓｎと銀（Ａｇ）の合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、外部接続端子２５５として、はんだボールやリードピン等としてもよい。
なお、外部接続用パッドＰ４１Ａ，Ｐ４１Ｂに対して、上述の外部接続用パッドＰ４２と同様に、はんだバンプ等の外部接続端子を接続してもよい。この外部接続端子を用いて配線基板３１０に半導体素子２５１を接続することができる。
配線基板３１０に実装された半導体素子２５１は、配線基板３１０の外部接続用パッドＰ４１Ａに対して信号を入出力する。配線基板３１０は、外部接続用パッドＰ４１Ａと外部接続用パッドＰ４２との間で信号を伝達するように構成されている。つまり、配線基板３１０は、外部接続用パッドＰ４１Ａと外部接続用パッドＰ４２の間に、信号の伝達する導体（信号配線構造）を有している。半導体素子２５１の出力信号は、配線基板３１０の信号配線構造を介して外部接続用パッドＰ４１Ａから信号配線構造により外部接続用パッドＰ４２へ伝達される。そして、出力信号は、その外部接続用パッドＰ４２に接続された外部接続端子２５５を介して実装基板へと伝達される。また、半導体素子２５１が入力する信号は、実装基板から外部接続端子２５５、外部接続用パッドＰ４２、信号配線構造、外部接続用パッドＰ４１Ａを介して半導体素子２５１へと伝達される。
配線基板３１０は、コイル３４１を内蔵している。本実施形態において、コイル３４１は、配線基板３１０の外部接続用パッドＰ４１Ｂに接続されている。その外部接続用パッドＰ４１Ｂは半導体素子２５１に接続されている。つまり、本実施形態において、配線基板３１０のコイル３４１は、半導体素子２５１に接続されている。
図１９（ｂ）に示すように、配線基板３１０は、コア基板３１１を有している。コア基板３１１は、配線基板３１０の厚さ方向の略中心付近に設けられている。コア基板３１１は、所要の箇所にコア基板３１１の上面３１１ａから下面３１１ｂまでを貫通する貫通孔３１１Ｘ，３１１Ｙを有している。貫通孔３１１Ｘ，３１１Ｙには貫通電極３１２Ａ，３１２Ｂが形成されている。
コア基板３１１の材料としては、例えば、補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。補強材としてはガラスクロスに限らず、例えば、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、液晶ポリマ（ＬＣＰ）織布やＬＣＰ不織布を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としてはエポキシ樹脂に限らず、例えば、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの樹脂材を用いることができる。貫通電極３１２Ａ，３１２Ｂの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やＣｕ合金を用いることができる。
配線基板３１０は、コア基板３１１の下面３１１ｂの側に、配線層３２１、絶縁層３２２、配線層３２３、磁性層３２４を有している。また、配線基板３１０は、コア基板３１１の上面３１１ａの側に、配線層３３１、絶縁層３３２、配線層３３３を有している。
配線層３２１は、コア基板３１１の下面３１１ｂに形成されている。配線層３２１は、コイル配線３２１Ｐと配線部３２１Ａとを含む。コイル配線３２１Ｐの両端部は、貫通電極３１２Ｂに接続されている。配線部３２１Ａは、貫通電極３１２Ａに接続されている。配線層３２１の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層３２２は、コア基板３１１の下面３１１ｂに、配線層３２１を覆うように形成されている。絶縁層３２２は、配線層３２１のコイル配線３２１Ｐの下面３２１Ｐｂの一部を露出する開口部３２２Ｙと、配線層３２１の配線部３２１Ａの下面３２１Ａｂの一部を露出する開口部３２２Ｘとを有している。
配線層３２３は、絶縁層３２２の下面３２２ｂに形成されている。配線層３２３は、絶縁層３２２の下面３２２ｂのコイル配線３２３Ｐ及び配線部３２３Ａと、絶縁層３２２の開口部３２２Ｙ，３２２Ｘの内部のビア配線３２３ＰＶ，３２３ＡＶとを有している。配線層３２３の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
配線層３２３のコイル配線３２３Ｐは、配線層３２３のビア配線３２３ＰＶにより、配線層３２１のコイル配線３２１Ｐに接続されている。配線層３２３の配線部３２３Ａは、配線層３２３のビア配線３２３ＡＶにより、配線層３２１の配線部３２１Ａに接続されている。
配線層３２１のコイル配線３２１Ｐと、配線層３２３のコイル配線３２３Ｐ及びビア配線３２３ＰＶは、螺旋状のコイルを形成するように形成されている。つまり、本実施形態の配線基板３１０は、２つの層のコイル配線３２１Ｐ，３２３Ｐと、それらを接続するビア配線３２３ＰＶによるコイル３４１を含む。
磁性層３２４は、絶縁層３２２の下面３２２ｂに、配線層３２３のコイル配線３２３Ｐを被覆するように形成されている。磁性層３２４は、配線層３２３の配線部３２３Ａを露出する開口部３２４Ｘを有している。この開口部３２４Ｘは、配線部３２３Ａの周囲の絶縁層３２２の下面３２２ｂを露出するように形成されている。
磁性層３２４の材料としては、絶縁性樹脂に磁性フィラーを混入した磁性材料を用いることができる。絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などを用いることができる。磁性フィラーとしては、例えば、マンガン（Ｍｎ）−亜鉛（Ｚｎ）フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）系合金、Ｆｅ−シリコン（Ｓｉ）系合金などを用いることができる。
配線層３３１は、コア基板３１１の上面３１１ａに形成されている。配線層３３１は、配線部３３１Ｂ，３３１Ａを含む。配線部３３１Ｂは、貫通電極３１２Ｂを介してコア基板３１１の下面３１１ｂのコイル配線３２１Ｐと接続されている。配線部３３１Ａは、貫通電極３１２Ａを介してコア基板３１１の下面３１１ｂの配線部３２１Ａと接続されている。配線層３３１の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層３３２は、コア基板３１１の上面３１１ａに、配線層３３１を覆うように形成されている。絶縁層３３２は、配線層３３１の上面の一部を露出する開口部３３２Ｘ，３３２Ｙを有している。開口部３３２Ｘは、配線層３３１の配線部３３１Ａの上面の一部を露出する。開口部３３２Ｙは、配線層３３１の配線部３３１Ｂの上面の一部を露出する。絶縁層３３２の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂、等を用いることができる。絶縁性樹脂は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
配線層３３３は、絶縁層３３２の上面３３２ａに形成されている。配線層３３３は、絶縁層３３２の上面３３２ａに形成された配線部３３３Ａ，３３３Ｂと、絶縁層３３２の開口部３３２Ｘ，３３２Ｙの内部に形成されたビア配線３３３ＡＶ，３３３ＢＶとを含む。ビア配線３３３ＡＶは、配線層３３３の配線部３３３Ａを配線層３３１の配線部３３１Ａに接続する。ビア配線３３３ＢＶは、配線層３３３の配線部３３３Ｂを配線層３３１の配線部３３１Ｂに接続する。配線層３３３の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層３３２の上面３３２ａには、ソルダーレジスト層３３４が形成されている。ソルダーレジスト層３３４は、絶縁層３３２の上面３３２ａと配線層３３３の一部を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層３３４は、配線層３３３の配線部３３３Ａの上面の一部を外部接続用パッドＰ４１Ａとして露出する開口部３３４Ｘと、配線層３３３の配線部３３３Ｂの上面の一部を外部接続用パッドＰ４１Ｂとして露出する開口部３３４Ｙとを有している。ソルダーレジスト層３３４の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
なお、必要に応じて、ソルダーレジスト層３３４の開口部３３４Ｘ，３３４Ｙから露出する配線部３３３Ａ，３３３Ｂの表面上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成してもよい。また、開口部３３４Ｘ，３３４Ｙから露出する配線部３３３Ａ，３３３Ｂの表面上に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。なお、開口部３３４Ｘ，３３４Ｙから露出する配線部３３３Ａ，３３３Ｂ（あるいは、配線部３３３Ａ，３３３ＢにＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、外部接続用パッドＰ４１Ａ，Ｐ４１Ｂとしてもよい。
（製造工程）
次に、本実施形態の配線基板３１０の製造工程を説明する。
図２０（ａ）に示す工程では、コア基板３１１に、貫通電極３１２Ａ，３１２Ｂ、配線層３２１，３３１を形成する。図２０（２）に示すコア基板３１１を用意する。コア基板３１１は、例えば、銅張積層板（ＣＣＬ）を用いることができる。このコア基板３１１に貫通孔３１１Ｘ，３１１Ｙを形成し、電解めっきや導電性ペースト充填等の方法によって貫通孔３１１Ｘ，３１１Ｙの内部に貫通電極３１２Ａ，３１２Ｂを形成する。その後、サブトラクティブ法によって配線層３２１，３３１を形成する。配線層３２１は、配線部３２１Ａとコイル配線３２１Ｐを含む。配線層３３１は、配線部３３１Ａ，３３１Ｂを含む。
図２０（ｂ）に示す工程では、開口部３２２Ｘ，３２２Ｙを有する絶縁層３２２と、開口部３３２Ｘ，３３２Ｙを有する絶縁層３３２とを形成する。絶縁層３２２，３３２の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの有機樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。コア基板３１１の下面３１１ｂ及び配線層３２１と、コア基板３１１の上面３１１ａ及び配線層３３１を例えば樹脂フィルムでラミネートする。加熱により樹脂フィルムを硬化して絶縁層３２２，３３２を得る。
開口部３２２Ｘ，３２２Ｙは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。絶縁層３２２の下面３２２ｂに向けてレーザ光を照射し、絶縁層３２２を貫通する開口部３２２Ｘ，３２２Ｙを形成する。この開口部３２２Ｙにより、配線層３２１のコイル配線３２１Ｐの下面の一部を露出する。同様に、開口部３２２Ｘにより、配線部３２１Ａの下面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
また、開口部３３２Ｘ，３３２Ｙは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。絶縁層３３２の上面３３２ａに向けてレーザ光を照射し、絶縁層３３２を貫通する開口部３３２Ｘ，３３２Ｙを形成する。この開口部３３２Ｘにより、配線層３３１の配線部３３１Ａの上面の一部を露出する。同様に、開口部３３２Ｙにより、配線部３３１Ｂの上面の一部を露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図２１（ａ）に示す工程では、配線層３２３，３３３を形成する。先ず、絶縁層３２２，３３２の表面にシード層（図示略）を形成する。詳述すると、絶縁層３２２の下面と開口部３２２Ｘ，３２２Ｙの内壁面と開口部３２２Ｘ，３２２Ｙにより露出する配線層３２１の下面とにシード層を形成する。また、絶縁層３３２の上面と開口部３３２Ｘ，３３２Ｙの内壁面と開口部３３２Ｘ，３３２Ｙにより露出する配線層３３１の上面とにシード層を形成する。シード層の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。シード層は、例えば、無電解めっき法やスパッタ法により形成することができる。
次に、シード層を覆い、所定の位置に開口部を有するレジスト層（図示略）を形成する。開口部の位置は、配線層３２３，３３３の形状に対応する位置である。レジスト層は、例えば、次工程のめっき工程に耐性を有する材料を用いることができる。次いで、シード層を給電電極に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）により、レジスト層の開口部内に露出するシード層上にめっき金属を析出成長させる。そして、例えば、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて、レジスト層を除去し、露出するシード層をエッチングにより除去する。これにより、ビア配線３２３ＡＶ，３２３ＰＶと配線部３２３Ａ及びコイル配線３２３Ｐを含む配線層３２３と、ビア配線３３３ＡＶ，３３３ＢＶと配線部３３３Ａ，３３３Ｂを含む配線層３３３とが得られる。
図２１（ｂ）に示す工程では、磁性層３２４を形成する。絶縁層３２２の下面３２２ｂと配線層３２３とを覆う磁性層３２４を形成する。磁性層３２４の材料としては、例えば、絶縁性樹脂に磁性フィラーを混入した磁性材料であり、未硬化のフィルムを用いることができる。磁性層３２４は、例えば、磁性材料のフィルムを真空ラミネートし、加熱によりフィルムを硬化して得られる。
図２２（ａ）に示す工程では、磁性層３２４の開口部３２４Ｘを形成する。開口部３２４Ｘは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザ加工機を用いることができる。磁性層３２４の下面３２４ｂに向けてレーザ光を照射し、磁性層３２４を貫通する開口部３２４Ｘを形成する。この開口部３２４Ｘにより、配線層３２３の配線部３２３Ａの全体と配線部３２３Ａの周囲の絶縁層３２２の下面３２２ｂとを露出する。なお、必要に応じてデスミア処理を行うこともできる。
図２２（ｂ）に示す工程では、開口部３３４Ｘ、３３４Ｙを有するソルダーレジスト層３３４を形成する。ソルダーレジスト層３３４は、例えば、感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダーレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより得られる。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（４−１）コア基板３１１を含む配線基板３１０において、上記の第１実施形態の配線基板１０と同様の効果を奏する。
（参考例）
以下、比較例を説明する。
なお、この比較例において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付し、その説明の一部又は全てを省略する場合がある。
図２３（ａ）に示す比較例の半導体装置４０１は、配線基板４１０と、配線基板４１０に実装された半導体素子２５１を含む。
半導体素子２５１は、外部接続端子２５２Ａ，２５２Ｂを介して、配線基板４１０の外部接続用パッドＰ４１Ａ，Ｐ４１Ｂに接続されている。半導体素子２５１は、この外部接続用パッドＰ４１Ａ，Ｐ４１Ｂにより、配線基板４１０に対してフリップチップ接続されている。半導体素子２５１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等のロジックチップ、等である。外部接続端子２５２Ａ，２５２Ｂは、例えば、はんだバンプや金バンプである。はんだバンプの材料としては、例えば、鉛を含む合金、錫と金との合金、錫と銅との合金、錫と銀との合金、錫と銀と銅の合金などを用いることができる。
半導体素子２５１と配線基板４１０との間にはアンダーフィル樹脂２５３が形成されている。アンダーフィル樹脂２５３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
配線基板４１０は、下面に外部接続用パッドＰ５２を有している。外部接続用パッドＰ５２には、外部接続端子２５５が接続されている。外部接続端子２５５は、配線基板４１０を例えばマザーボード等の実装基板に実装するために使用される。外部接続端子２５５は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、ＳｎとＣｕの合金、Ｓｎと銀（Ａｇ）の合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、外部接続端子２５５として、はんだボールやリードピン等としてもよい。
なお、外部接続用パッドＰ４１Ａ，Ｐ４１Ｂに対して、上述の外部接続用パッドＰ５２と同様に、はんだバンプ等の外部接続端子を接続してもよい。この外部接続端子を用いて配線基板４１０に半導体素子２５１を接続することができる。
配線基板４１０に実装された半導体素子２５１は、配線基板４１０の外部接続用パッドＰ４１Ａに対して信号を入出力する。配線基板４１０は、外部接続用パッドＰ４１Ａと外部接続用パッドＰ５２との間で信号を伝達するように構成されている。つまり、配線基板４１０は、外部接続用パッドＰ４１Ａと外部接続用パッドＰ５２の間に、信号の伝達する導体（信号配線構造）を有している。半導体素子２５１の出力信号は、配線基板４１０の信号配線構造を介して外部接続用パッドＰ４１Ａから信号配線構造により外部接続用パッドＰ５２へ伝達される。そして、出力信号は、その外部接続用パッドＰ５２に接続された外部接続端子２５５を介して実装基板へと伝達される。また、半導体素子２５１が入力する信号は、実装基板から外部接続端子２５５、外部接続用パッドＰ５２、信号配線構造、外部接続用パッドＰ４１Ａを介して半導体素子２５１へと伝達される。
配線基板４１０は、コイル３４１を内蔵している。本実施形態において、コイル３４１は、配線基板４１０の外部接続用パッドＰ４１Ｂに接続されている。その外部接続用パッドＰ４１Ｂは半導体素子２５１に接続されている。つまり、本実施形態において、配線基板４１０のコイル３４１は、半導体素子２５１に接続されている。
図２３（ｂ）に示すように、配線基板４１０は、コア基板３１１を有している。コア基板３１１は、配線基板４１０の厚さ方向の略中心付近に設けられている。コア基板３１１は、所要の箇所にコア基板３１１の上面３１１ａから下面３１１ｂまでを貫通する貫通孔３１１Ｘ，３１１Ｙを有している。貫通孔３１１Ｘ，３１１Ｙには貫通電極３１２Ａ，３１２Ｂが形成されている。
コア基板３１１の材料としては、例えば、補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。補強材としてはガラスクロスに限らず、例えば、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、液晶ポリマ（ＬＣＰ）織布やＬＣＰ不織布を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としてはエポキシ樹脂に限らず、例えば、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの樹脂材を用いることができる。貫通電極３１２Ａ，３１２Ｂの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やＣｕ合金を用いることができる。
配線基板４１０は、コア基板３１１の下面３１１ｂの側に、配線層３２１、絶縁層３２２、配線層３２３、磁性層４２４を有している。また、配線基板４１０は、コア基板３１１の上面３１１ａの側に、配線層３３１、絶縁層３３２、配線層３３３を有している。
配線層３２１は、コア基板３１１の下面３１１ｂに形成されている。配線層３２１は、コイル配線３２１Ｐと配線部３２１Ａとを含む。コイル配線３２１Ｐの両端部は、貫通電極３１２Ｂに接続されている。配線部３２１Ａは、貫通電極３１２Ａに接続されている。配線層３２１の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層３２２は、コア基板３１１の下面３１１ｂに、配線層３２１を覆うように形成されている。絶縁層３２２は、配線層３２１のコイル配線３２１Ｐの下面３２１Ｐｂの一部を露出する開口部３２２Ｙと、配線層３２１の配線部３２１Ａの下面３２１Ａｂの一部を露出する開口部３２２Ｘとを有している。
配線層３２３は、絶縁層３２２の下面３２２ｂに形成されている。配線層３２３は、絶縁層３２２の下面３２２ｂのコイル配線３２３Ｐ及び配線部３２３Ａと、絶縁層３２２の開口部３２２Ｙ，３２２Ｘの内部のビア配線３２３ＰＶ，３２３ＡＶとを有している。配線層３２３の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
配線層３２３のコイル配線３２３Ｐは、配線層３２３のビア配線３２３ＰＶにより、配線層３２１のコイル配線３２１Ｐに接続されている。配線層３２３の配線部３２３Ａは、配線層３２３のビア配線３２３ＡＶにより、配線層３２１の配線部３２１Ａに接続されている。
配線層３２１のコイル配線３２１Ｐと、配線層３２３のコイル配線３２３Ｐ及びビア配線３２３ＰＶは、螺旋状のコイルを形成するように形成されている。つまり、本実施形態の配線基板３１０は、２つの層のコイル配線３２１Ｐ，３２３Ｐと、それらを接続するビア配線３２３ＰＶによるコイル３４１を含む。
磁性層４２４は、絶縁層３２２の下面３２２ｂに、配線層３２３のコイル配線３２３Ｐを被覆するように形成されている。磁性層４２４は、配線層３２３の配線部３２３Ａの下面の一部を露出する開口部４２４Ｘを有している。
磁性層４２４の材料としては、上述の各実施形態と同様に、絶縁性樹脂に磁性フィラーを混入した磁性材料を用いることができる。絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などを用いることができる。磁性フィラーとしては、例えば、マンガン（Ｍｎ）−亜鉛（Ｚｎ）フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）系合金、Ｆｅ−シリコン（Ｓｉ）系合金などを用いることができる。
配線層３３１は、コア基板３１１の上面３１１ａに形成されている。配線層３３１は、配線部３３１Ｂ，３３１Ａを含む。配線部３３１Ｂは、貫通電極３１２Ｂを介してコア基板３１１の下面３１１ｂのコイル配線３２１Ｐと接続されている。配線部３３１Ａは、貫通電極３１２Ａを介してコア基板３１１の下面３１１ｂの配線部３２１Ａと接続されている。配線層３３１の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層３３２は、コア基板３１１の上面３１１ａに、配線層３３１を覆うように形成されている。絶縁層３３２は、配線層３３１の上面の一部を露出する開口部３３２Ｘ，３３２Ｙを有している。開口部３３２Ｘは、配線層３３１の配線部３３１Ａの上面の一部を露出する。開口部３３２Ｙは、配線層３３１の配線部３３１Ｂの上面の一部を露出する。絶縁層３３２の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂、等を用いることができる。絶縁性樹脂は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
配線層３３３は、絶縁層３３２の上面３３２ａに形成されている。配線層３３３は、絶縁層３３２の上面３３２ａに形成された配線部３３３Ａ，３３３Ｂと、絶縁層３３２の開口部３３２Ｘ，３３２Ｙの内部に形成されたビア配線３３３ＡＶ，３３３ＢＶとを含む。ビア配線３３３ＡＶは、配線層３３３の配線部３３３Ａを配線層３３１の配線部３３１Ａに接続する。ビア配線３３３ＢＶは、配線層３３３の配線部３３３Ｂを配線層３３１の配線部３３１Ｂに接続する。配線層３３３の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。
絶縁層３３２の上面３３２ａには、ソルダーレジスト層３３４が形成されている。ソルダーレジスト層３３４は、絶縁層３３２の上面３３２ａと配線層３３３の一部を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層３３４は、配線層３３３の配線部３３３Ａの上面の一部を外部接続用パッドＰ４１Ａとして露出する開口部３３４Ｘと、配線層３３３の配線部３３３Ｂの上面の一部を外部接続用パッドＰ４１Ｂとして露出する開口部３３４Ｙとを有している。ソルダーレジスト層３３４の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
なお、必要に応じて、ソルダーレジスト層３３４の開口部３３４Ｘ，３３４Ｙから露出する配線部３３３Ａ，３３３Ｂの表面上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成してもよい。また、開口部３３４Ｘ，３３４Ｙから露出する配線部３３３Ａ，３３３Ｂの表面上に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。
この比較例では、配線層３２３の配線部３２３Ａの下面の一部と側面とに、磁性層４２４が直接接触している。この磁性層４２４は、配線基板４１０の信号配線構造において伝送される信号に影響し、上述した第４実施形態の配線基板３１０に比べ伝送損失が増加する。
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記第１実施形態では、図１（ｂ）に示すように、配線層１１（配線部１１Ａ，１１Ｂ）の下面１１Ａｂ、１１Ｂｂが絶縁層１２の下面１２ｂより上方に位置して、配線層１１（配線部１１Ａ，１１Ｂ）の下面１１Ａｂ、１１Ｂｂと絶縁層１２の下面１２ｂの側の開口部１２ｂＸ，１２ｂＹとによる凹部を形成した。これに対し、配線層１１（配線部１１Ａ，１１Ｂ）の下面１１Ａｂ、１１Ｂｂを、絶縁層１２の下面１２ｂと同じに位置するようにしてもよい。第２実施形態でも同様に、配線層１１１（配線部１１１Ａ，１１１Ｂ）の下面を、磁性層１１３及び絶縁層１１５の下面と同じに位置するようにしてもよい。
・上記第１実施形態において、絶縁層１２の下面にソルダーレジスト層を形成してもよい。同様に、第２実施形態において、磁性層１１３の下面にソルダーレジスト層を形成してもよい。
・上記第１実施形態では、磁性層１３の上面１３ａの配線層１４の渦巻き状（スパイラル状）のコイル配線１４Ｐを含む配線基板１０としたが、第４実施形態と同様に、複数の配線層の配線を含む螺旋状のコイル配線を有する配線基板としてもよい。同様に、第２実施形態に対し、複数の配線層の配線部を含む螺旋状のコイル配線を有する配線基板としてもよい。また、第３実施形態に対し、複数の配線層の配線部を含む螺旋状のコイル配線を有する配線基板としてもよい。
上記第４実施形態では、２つの層の配線層３２１，３２３のコイル配線３２１Ｐ，３２３Ｐと、コイル配線３２１Ｐ，３２３Ｐを接続するビア配線３２３ＰＶとによりコイルを形成したが、３つ以上の配線層に含まれるコイル配線とそれらのコイル配線を接続するビア配線とによりコイルを形成してもよい。
・上記第１実施形態において、配線層１４のコイル配線１４Ｐを、半導体素子５１に接続するように配線基板を構成してもよい。同様に、第２実施形態において、配線層１１４のコイル配線１１４Ｐを半導体素子５１に接続するように配線基板を構成してもよい。
・上記第３実施形態において、配線層２２１のコイル配線２２１Ｐに外部接続端子を接続し、コイル配線２２１Ｐを配線基板の実装対象の基板に接続するように配線基板を構成してもよい。同様に、第４実施形態において、配線層３２３のコイル配線３２３Ｐに外部接続端子を接続し、コイル配線３２３Ｐを配線基板の実装対象の基板に接続するように配線基板を構成してもよい。
・上記第１実施形態において、コイル配線１４Ｐを磁性層１３の下面に形成する、つまり磁性層１３がコイル配線１４Ｐの上面と接するようにしてもよい。例えば、図２（ｃ）に示す絶縁層１２の上面１２ａに図３（ｂ）に示すコイル配線１４Ｐを形成し、絶縁層１２の上面１２ａとコイル配線１４Ｐとを覆うように磁性層１３を形成する。このようにしても、コイルのＬ値を向上できる。
・上記第３，第４実施形態において、工程の順序を適宜変更して実施してもよい。
例えば、図１６（ｃ）に示す工程において、磁性層２２２の開口部２２２Ｘと絶縁層２３２の開口部２３２Ｘとを形成したが、磁性層２２２の開口部２２２Ｘを形成した後に図１７（ａ）に示す絶縁層２２３を形成する。その後、絶縁層２３２の開口部２３２Ｘを形成して図１７（ｂ）に示す配線層２３３を形成するようにしてもよい。
１０ 配線基板
１３ 磁性層
１４Ｐ コイル配線
５１ 半導体素子

Claims (8)

  1. 半導体素子が実装される配線基板であって、
    第１のコイル配線と、
    前記第１のコイル配線の下面と接し、厚さ方向に貫通する開口部を有する磁性層と、
    前記第１のコイル配線と、前記磁性層の上面と、前記開口部の内壁面と、を覆う第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層の上面に形成され、前記第１のコイル配線に接続されて螺旋状のコイルを形成する第２のコイル配線と、
    前記半導体素子の信号が前記磁性層の開口部の内部を通過するように形成され、前記第１の絶縁層の上面の第１の配線部と、前記磁性層の開口部の内部に設けられて前記第１の配線部に接続された第１のビア配線と、を有する信号配線構造と、を有し、
    前記信号配線構造に対して前記磁性層は接していないこと、
    を特徴とする配線基板。
  2. 前記磁性層の下面を覆う第２の絶縁層を有し、
    前記信号配線構造は、下面を露出するように前記第２の絶縁層に埋設され、前記第１のビア配線に接続された第２の配線部を有すること、
    を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
  3. 下面を露出するように前記第２の絶縁層に埋設された第３の配線部と、
    前記第３の配線部を前記第１のコイル配線に接続する第２のビア配線と、を有すること、
    を特徴とする請求項２に記載の配線基板。
  4. 前記信号配線構造は、前記磁性層の開口部の内部であって下面が露出するように前記第１の絶縁層に埋設され、前記第１のビア配線に接続された第２の配線部を有すること、
    を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
  5. 下面が露出するように前記磁性層に埋設された第３の配線部と、
    前記第３の配線部を前記第１のコイル配線に接続する第２のビア配線と、を有すること、
    を特徴とする請求項４に記載の配線基板。
  6. 半導体素子が実装される配線基板であって、
    上面と下面とを有する絶縁層と、
    前記絶縁層の下面に形成された第１のコイル配線と、
    前記絶縁層の上面に形成され、前記第１のコイル配線に接続されて螺旋状のコイルを形成する第２のコイル配線と、
    前記絶縁層の下面と前記第１のコイル配線とを覆うように形成され、厚さ方向に貫通する開口部を有する磁性層と、
    前記半導体素子の信号が前記磁性層の開口部の内部を通過するように形成された信号配線構造と、を有し、
    前記信号配線構造に対して前記磁性層は接していないこと、
    を特徴とする配線基板。
  7. 前記信号配線構造は、前記絶縁層の下面に形成された配線部を有し、
    前記磁性層の開口部は、前記配線部と、前記絶縁層の下面のうちの前記配線部の周囲とを露出するように形成されていること、
    を特徴とする請求項６に記載の配線基板。
  8. 前記磁性層の下面と前記開口部の内壁面と前記配線部の周囲の前記絶縁層の下面と前記配線部の一部とを覆い、前記配線部の下面の一部を露出する開口部を有する第２の絶縁層を含むこと、
    を特徴とする請求項７に記載の配線基板。
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