JP6905828B2 - Conductive substrate, laminated conductive substrate, method for manufacturing conductive substrate, method for manufacturing laminated conductive substrate - Google Patents

Conductive substrate, laminated conductive substrate, method for manufacturing conductive substrate, method for manufacturing laminated conductive substrate Download PDF

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Description

本発明は、導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a conductive substrate, a laminated conductive substrate, a method for manufacturing a conductive substrate, and a method for manufacturing a laminated conductive substrate.

静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の配線材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求される。 Capacitive touch panels convert information about the position of nearby objects on the panel surface into electrical signals by detecting changes in capacitance caused by objects close to the panel surface. Since the conductive substrate used for the capacitive touch panel is installed on the surface of the display, it is required that the wiring material of the conductive substrate has low reflectance and is difficult to see.

そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる配線材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。例えば、特許文献1には、高分子フィルム上に透明導電膜としてITO(酸化インジウム−スズ)膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが開示されている。 Therefore, as the wiring material used for the capacitive touch panel, a material having low reflectance and difficult to see is used, and the wiring is formed on a transparent substrate or a transparent film. For example, Patent Document 1 discloses a transparent conductive film for a touch panel in which an ITO (indium tin oxide) film is formed as a transparent conductive film on a polymer film.

近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ITOは電気抵抗値が高く、信号の劣化を生じるため、大型パネルには不向きという問題があった。 In recent years, the screen size of displays equipped with touch panels has been increasing, and in response to this, the area of conductive substrates such as transparent conductive films for touch panels is also required to be increased. However, ITO has a high electric resistance value and causes signal deterioration, so that there is a problem that it is not suitable for a large panel.

このため、例えば特許文献2、3に開示されているようにITO膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば金属層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。 Therefore, for example, as disclosed in Patent Documents 2 and 3, it is considered to use a metal foil such as copper instead of the ITO film. However, for example, when copper is used for the metal layer, since copper has a metallic luster, there is a problem that the visibility of the display is lowered due to reflection.

そこで、銅等の金属箔により構成される金属層と共に、金属層の上面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。 Therefore, a conductive substrate in which a blackening layer made of a black material is formed on the upper surface of the metal layer together with a metal layer made of a metal foil such as copper has been studied.

日本国特開2003−151358号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-151358 日本国特開2011−018194号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-018194 日本国特開2013−069261号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-069261

しかしながら従来、黒化層はいずれも乾式法により成膜されており、金属箔により構成される金属層の金属光沢を十分に抑制できる膜厚の黒化層を形成するためには時間を要し、生産性が低いという問題があった。 However, conventionally, all the blackening layers are formed by a dry method, and it takes time to form a blackening layer having a thickness capable of sufficiently suppressing the metallic luster of the metal layer composed of the metal foil. , There was a problem of low productivity.

上記従来技術の問題に鑑み、本発明は電気抵抗値が小さく、光の反射を抑制でき、かつ、生産性良く製造可能な導電性基板を提供することを目的とする。 In view of the above problems of the prior art, it is an object of the present invention to provide a conductive substrate having a small electric resistance value, capable of suppressing light reflection, and capable of being manufactured with high productivity.

上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された酸素を含有するNi−Cr合金層である密着層と
前記密着層上に形成された金属層と、
前記金属層上に湿式法により形成された、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層と、を有する導電性基板を提供する。

In order to solve the above problems, in one aspect of the present invention,
With a transparent base material
An adhesion layer which is an oxygen-containing Ni—Cr alloy layer formed on at least one surface of the transparent substrate, and a metal layer formed on the adhesion layer.
Provided is a conductive substrate having a blackening layer containing nickel and zinc formed on the metal layer by a wet method.

本発明の一側面によれば、電気抵抗値が小さく、光の反射を抑制でき、かつ、生産性良く製造可能な導電性基板を提供することができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a conductive substrate which has a small electric resistance value, can suppress light reflection, and can be manufactured with high productivity.

本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。Sectional drawing of the conductive substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。Sectional drawing of the conductive substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るパターン化した導電性基板の構成説明図。FIG. 6 is a configuration explanatory view of a patterned conductive substrate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係るパターン化した導電性基板の構成説明図。FIG. 6 is a configuration explanatory view of a patterned conductive substrate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板の構成説明図。FIG. 6 is a configuration explanatory view of a laminated conductive substrate provided with mesh-shaped wiring according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板の構成説明図。FIG. 6 is a configuration explanatory view of a laminated conductive substrate provided with mesh-shaped wiring according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a conductive substrate provided with mesh-shaped wiring according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係るロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。Explanatory drawing of the roll-to-roll sputtering apparatus which concerns on embodiment of this invention. 実施例、及び比較例で作製した導電性基板の黒化層表面で測定した表面抵抗。Surface resistance measured on the surface of the blackened layer of the conductive substrate produced in Examples and Comparative Examples. 実施例、及び比較例で作製した導電性基板の黒化層表面での正反射率。Specular reflectance on the surface of the blackened layer of the conductive substrate produced in Examples and Comparative Examples. 実施例、及び比較例で作製した導電性基板の黒化層表面での明度。Brightness on the surface of the blackened layer of the conductive substrate produced in Examples and Comparative Examples.

以下、本発明の導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
(導電性基板)
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、金属層上に湿式法により形成された、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層と、を有することができる。
Hereinafter, an embodiment of the conductive substrate, the laminated conductive substrate, the method for manufacturing the conductive substrate, and the method for manufacturing the laminated conductive substrate of the present invention will be described.
(Conductive substrate)
The conductive substrate of the present embodiment is a black containing a transparent base material, a metal layer formed on at least one surface of the transparent base material, and nickel and zinc formed on the metal layer by a wet method. It can have a chemical layer.

なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターニングする前の、透明基材の表面に金属層、及び黒化層を有する基板と、金属層等をパターン化した基板、すなわち、配線基板と、を含む。また、金属層、及び黒化層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。 The conductive substrate in the present embodiment is a substrate having a metal layer and a blackening layer on the surface of a transparent substrate and a substrate in which the metal layer or the like is patterned before patterning the metal layer or the like, that is, Includes a wiring board. Further, since the conductive substrate after patterning the metal layer and the blackening layer includes a region where the transparent substrate is not covered by the metal layer or the like, light can be transmitted, and the conductive substrate is a transparent conductive substrate. ..

ここでまず、導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。 Here, first, each member included in the conductive substrate will be described below.

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する樹脂基板(樹脂フィルム)や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。 The transparent substrate is not particularly limited, and a resin substrate (resin film) that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be preferably used.

可視光を透過する樹脂基板の材料としては例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の樹脂を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する樹脂基板の材料として、PET(ポリエチレンテレフタレート)、COP(シクロオレフィンポリマー)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。 As the material of the resin substrate that transmits visible light, for example, resins such as polyamide resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, cycloolefin resin, polyimide resin, and polycarbonate resin can be preferably used. In particular, PET (polyethylene terephthalate), COP (cycloolefin polymer), PEN (polyethylene naphthalate), polyimide, polycarbonate and the like can be more preferably used as the material of the resin substrate that transmits visible light.

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば10μm以上200μm以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは20μm以上120μm以下とすることが好ましく、20μm以上100μm以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは20μm以上50μm以下であることが好ましい。 The thickness of the transparent base material is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the strength, capacitance, light transmittance, etc. required when the conductive substrate is used. The thickness of the transparent substrate can be, for example, 10 μm or more and 200 μm or less. In particular, when used in a touch panel application, the thickness of the transparent base material is preferably 20 μm or more and 120 μm or less, and more preferably 20 μm or more and 100 μm or less. When used for a touch panel, for example, especially in an application where it is required to reduce the thickness of the entire display, the thickness of the transparent base material is preferably 20 μm or more and 50 μm or less.

透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は30%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。 The total light transmittance of the transparent substrate is preferably high, for example, the total light transmittance is preferably 30% or more, and more preferably 60% or more. When the total light transmittance of the transparent base material is within the above range, the visibility of the display can be sufficiently ensured when used for a touch panel, for example.

なお透明基材の全光線透過率はJIS K 7361−1に規定される方法により評価することができる。 The total light transmittance of the transparent substrate can be evaluated by the method specified in JIS K 7361-1.

透明基材は第1の主平面と、第2の主平面とを有しており、ここでいう主平面とは透明基材に含まれる面のうち最も面積の大きい平面部を指している。そして、第1の主平面と、第2の主平面とは1つの透明基材の中で対向して配置された面を意味する。 The transparent base material has a first main plane and a second main plane, and the main plane referred to here refers to a flat surface portion having the largest area among the planes included in the transparent base material. The first main plane and the second main plane mean planes arranged so as to face each other in one transparent base material.

次に、金属層について説明する。 Next, the metal layer will be described.

金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、Cuと、Ni,Mo,Ta,Ti,V,Cr,Fe,Mn,Co,Wから選ばれる少なくとも1種以上の金属との銅合金、または、銅を含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。 The material constituting the metal layer is not particularly limited, and a material having an electric conductivity suitable for the intended use can be selected. For example, Cu and Ni, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Mn, Co, W A copper alloy with at least one metal selected from the above, or a material containing copper is preferable. Further, the metal layer may be a copper layer made of copper.

透明基材上に金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、透明基材と金属層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち金属層は、透明基材の上面に直接形成されていることが好ましい。なお、後述のように透明基材と金属層との間に密着層を配置する場合には、密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。 The method for forming the metal layer on the transparent base material is not particularly limited, but it is preferable not to dispose an adhesive between the transparent base material and the metal layer in order not to reduce the light transmittance. That is, the metal layer is preferably formed directly on the upper surface of the transparent base material. When the adhesion layer is arranged between the transparent base material and the metal layer as described later, it is preferably formed directly on the upper surface of the adhesion layer.

透明基材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有していてもよい。 Since the metal layer is directly formed on the upper surface of the transparent base material, the metal layer preferably has a metal thin film layer. Further, the metal layer may have a metal thin film layer and a metal plating layer.

例えば透明基材上に、乾式めっき法により金属薄膜層を形成し該金属薄膜層を金属層とすることができる。これにより、透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。なお、乾式めっき法としては後で詳述するが、例えばスパッタリング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。 For example, a metal thin film layer can be formed on a transparent substrate by a dry plating method, and the metal thin film layer can be used as a metal layer. As a result, the metal layer can be directly formed on the transparent base material without using an adhesive. As the dry plating method, which will be described in detail later, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like can be preferably used.

また、金属層の膜厚を厚くする場合には、金属薄膜層を給電層として湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成することにより、金属薄膜層と金属めっき層とを有する金属層とすることもできる。金属層が金属薄膜層と金属めっき層とを有することにより、この場合も透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。 When increasing the thickness of the metal layer, the metal thin film layer and the metal plating layer are formed by forming the metal plating layer by an electroplating method, which is a kind of wet plating method, using the metal thin film layer as a feeding layer. It can also be a metal layer to have. Since the metal layer has the metal thin film layer and the metal plating layer, the metal layer can be directly formed on the transparent base material without using an adhesive in this case as well.

金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。十分に電流を供給できるように金属層は厚さが50nm以上であることが好ましく、60nm以上であることがより好ましく、150nm以上であることがさらに好ましい。金属層の厚さの上限値は特に限定されないが、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、金属層の厚さは8μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましく、3μm以下であることがさらに好ましい。 The thickness of the metal layer is not particularly limited, and when the metal layer is used as wiring, it can be arbitrarily selected according to the magnitude of the current supplied to the wiring, the wiring width, and the like. The thickness of the metal layer is preferably 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and further preferably 150 nm or more so that a sufficient current can be supplied. The upper limit of the thickness of the metal layer is not particularly limited, but when the metal layer becomes thick, side etching occurs because etching takes time when etching is performed to form a wiring pattern, and the resist is peeled off during etching. It is easy to cause problems such as etching. Therefore, the thickness of the metal layer is preferably 8 μm or less, more preferably 5 μm or less, and further preferably 3 μm or less.

なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層を有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。 When the metal layer has the metal thin film layer and the metal plating layer as described above, the total of the thickness of the metal thin film layer and the thickness of the metal plating layer is preferably in the above range.

金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれも場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば50nm以上500nm以下とすることが好ましい。 Whether the metal layer is composed of a metal thin film layer or a metal thin film layer and a metal plating layer, the thickness of the metal thin film layer is not particularly limited, but is, for example, 50 nm. It is preferably 5 nm or more and 500 nm or less.

金属層は後述するように例えば所望の配線パターンにパターニングすることにより配線として用いることができる。そして、金属層は従来透明導電膜として用いられていたITOよりも電気抵抗値を低くすることができるから、金属層を設けることにより導電性基板の電気抵抗値を小さくできる。 The metal layer can be used as wiring, for example, by patterning it into a desired wiring pattern as described later. Since the metal layer can have a lower electric resistance value than ITO which has been conventionally used as a transparent conductive film, the electric resistance value of the conductive substrate can be reduced by providing the metal layer.

次に黒化層について説明する。 Next, the blackening layer will be described.

黒化層は、金属層の上面に形成することができる。 The blackening layer can be formed on the upper surface of the metal layer.

黒化層は湿式法により形成することができ、ニッケルと亜鉛とを含有することができる。 The blackened layer can be formed by a wet method and can contain nickel and zinc.

上述のように従来の導電性基板においては黒化層もすべて乾式めっき法により形成されていた。これに対して本実施形態の導電性基板においては、黒化層を湿式法で形成することにより乾式めっき法よりも短い時間で黒化層を成膜することができ、生産性を高めることができる。また、黒化層を設けることにより、金属層の上面における光の反射を抑制することができる。 As described above, in the conventional conductive substrate, all the blackening layers are also formed by the dry plating method. On the other hand, in the conductive substrate of the present embodiment, by forming the blackening layer by the wet method, the blackening layer can be formed in a shorter time than the dry plating method, and the productivity can be improved. can. Further, by providing the blackening layer, it is possible to suppress the reflection of light on the upper surface of the metal layer.

黒化層を形成する方法は湿式法であればよく、特に限定されるものではないが、例えば金属層上に湿式めっき法により黒化層を新たに形成、積層する方法が挙げられる。この場合の湿式めっき法としては例えば電気めっき法を好適に用いることができる。 The method for forming the blackened layer may be a wet method and is not particularly limited. For example, a method of newly forming and laminating a blackened layer on a metal layer by a wet plating method can be mentioned. As the wet plating method in this case, for example, an electroplating method can be preferably used.

黒化層に含まれるニッケルと亜鉛との比率は特に限定されるものではないが、黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうち、ニッケルの占める割合が重量比で40wt%以上99wt%以下であることが好ましい。 The ratio of nickel and zinc contained in the blackening layer is not particularly limited, but the proportion of nickel and zinc contained in the blackening layer is 40 wt% or more and 99 wt% or less by weight. Is preferable.

なお、ここでいう黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうちニッケルの占める割合とは、黒化層に含まれるニッケルと亜鉛との合計量を100wt%としたときのニッケルの割合を示しており、残部は亜鉛の比率となる。このため上述の範囲を黒化層中のニッケル:亜鉛の重量の比率で示した場合、40:60以上99:1以下であることが好ましいことを意味している。 The ratio of nickel to nickel and zinc contained in the blackening layer here indicates the ratio of nickel when the total amount of nickel and zinc contained in the blackening layer is 100 wt%. , The balance is the proportion of zinc. Therefore, when the above range is shown by the weight ratio of nickel: zinc in the blackened layer, it means that it is preferably 40:60 or more and 99: 1 or less.

黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうち、ニッケルの占める割合を40wt%以上とすることにより、黒化層表面の色のムラを抑制することができる。黒化層表面の色のムラを抑制することにより、例えば金属層及び黒化層をパターン化した導電性基板とした場合に、金属層及び黒化層をパターン化した配線部をより目立たなくすることができ、美観を高めることができるため好ましい。 By setting the proportion of nickel in the blackened layer to 40 wt% or more, it is possible to suppress color unevenness on the surface of the blackened layer. By suppressing color unevenness on the surface of the blackened layer, for example, when a conductive substrate in which the metal layer and the blackened layer are patterned is used, the wiring portion in which the metal layer and the blackened layer are patterned becomes less noticeable. It is preferable because it can enhance the aesthetic appearance.

また、黒化層はニッケル及び亜鉛を含有することにより、比率によらず金属層による光の反射を抑制できる色になるが、黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうち、ニッケルの占める割合が99wt%以下の場合、特に金属層による光の反射を抑制でき、好ましい。 Further, since the blackening layer contains nickel and zinc, the color can suppress the reflection of light by the metal layer regardless of the ratio, but the proportion of nickel in the nickel and zinc contained in the blackening layer is When it is 99 wt% or less, it is particularly preferable because the reflection of light by the metal layer can be suppressed.

特に黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうち、ニッケルの占める割合は重量比で70wt%以上99wt%以下であることがより好ましく、75wt%以上99wt%以下であることがさらに好ましい。 In particular, the proportion of nickel in the nickel and zinc contained in the blackening layer is more preferably 70 wt% or more and 99 wt% or less, and further preferably 75 wt% or more and 99 wt% or less in terms of weight ratio.

黒化層は、ニッケル及び亜鉛以外にも任意の成分を含むことができ、その組成は特に限定されるものではないが、ニッケル及び亜鉛が主成分であることが好ましく、ニッケル及び亜鉛から構成されていることがより好ましい。なお、ニッケル及び亜鉛が主成分であるとは、黒化層中にニッケル及び亜鉛が50wt%より多く含まれていることを意味している。黒化層がニッケル及び亜鉛から構成されている場合においても不純物成分や、不可避成分が含まれていることを排除するものではなく、湿式めっき法により黒化層を成膜した場合に、ニッケル及び亜鉛以外にもめっき液由来の成分が黒化層に含まれていてもよい。 The blackening layer can contain any component other than nickel and zinc, and its composition is not particularly limited, but nickel and zinc are preferably the main components, and the blackening layer is composed of nickel and zinc. Is more preferable. The fact that nickel and zinc are the main components means that the blackening layer contains more than 50 wt% of nickel and zinc. Even when the blackened layer is composed of nickel and zinc, it does not exclude the inclusion of impurity components and unavoidable components, and when the blackened layer is formed by a wet plating method, nickel and In addition to zinc, a component derived from the plating solution may be contained in the blackening layer.

黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される反射率の程度等に応じて任意に選択することができる。金属層表面での光の反射を十分に抑制できるように黒化層は厚さが5nm以上であることが好ましく、15nm以上であることがより好ましい。 The thickness of the blackening layer is not particularly limited, and can be arbitrarily selected depending on the degree of reflectance required for the conductive substrate and the like. The thickness of the blackened layer is preferably 5 nm or more, and more preferably 15 nm or more so that the reflection of light on the surface of the metal layer can be sufficiently suppressed.

黒化層の厚さの上限値も特に限定されないが、配線パターンを形成する際の生産性を考慮すると、黒化層の厚さは1μm以下であることが好ましい。特に生産性を高める観点から500nm以下であることがより好ましい。 The upper limit of the thickness of the blackened layer is not particularly limited, but the thickness of the blackened layer is preferably 1 μm or less in consideration of the productivity when forming the wiring pattern. In particular, it is more preferably 500 nm or less from the viewpoint of increasing productivity.

また、導電性基板は上述の透明基材、金属層、黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。 Further, the conductive substrate may be provided with any layer other than the above-mentioned transparent base material, metal layer and blackening layer. For example, an adhesion layer can be provided.

密着層の構成例について説明する。 An example of the structure of the adhesion layer will be described.

上述のように金属層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に金属層を直接形成した場合に、透明基材と金属層との密着性は十分ではない場合がある。このため、透明基材の上面に直接金属層を形成した場合、製造過程、または、使用時に透明基材から金属層が剥離する場合がある。 As described above, the metal layer can be formed on the transparent base material, but when the metal layer is directly formed on the transparent base material, the adhesion between the transparent base material and the metal layer may not be sufficient. .. Therefore, when the metal layer is formed directly on the upper surface of the transparent base material, the metal layer may be peeled off from the transparent base material during the manufacturing process or during use.

そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と金属層との密着性を高めるため、透明基材上に密着層を配置することができる。 Therefore, in the conductive substrate of the present embodiment, in order to improve the adhesion between the transparent base material and the metal layer, the adhesion layer can be arranged on the transparent base material.

透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、透明基材と金属層との密着性を高め、透明基材から金属層が剥離することを抑制できる。 By arranging the adhesion layer between the transparent base material and the metal layer, the adhesion between the transparent base material and the metal layer can be enhanced, and the peeling of the metal layer from the transparent base material can be suppressed.

また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、金属層の下面側、すなわち透明基材側からの光による金属層の光の反射も抑制することが可能になる。 In addition, the adhesion layer can also function as a blackening layer. Therefore, it is possible to suppress the reflection of the light of the metal layer by the light from the lower surface side of the metal layer, that is, the transparent base material side.

密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、要求される金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境(例えば湿度や、温度)に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。 The material constituting the adhesion layer is not particularly limited, and the adhesion to the transparent base material and the metal layer, the required degree of suppression of light reflection on the surface of the metal layer, and the use of a conductive substrate are used. It can be arbitrarily selected according to the degree of stability with respect to the environment (for example, humidity and temperature).

密着層を構成する材料としては例えば、Ni,Zn,Mo,Ta,Ti,V,Cr,Fe,Co,W,Cu,Sn,Mnから選ばれる少なくとも1種以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素をさらに含むこともできる。 The material forming the adhesion layer preferably contains, for example, at least one metal selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn. The adhesion layer can also further contain one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen and nitrogen.

なお、密着層は、Ni,Zn,Mo,Ta,Ti,V,Cr,Fe,Co,W,Cu,Sn,Mnから選ばれる少なくとも2種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ni,Zn,Mo,Ta,Ti,V,Cr,Fe,Co,W,Cu,Sn,Mnから選ばれる少なくとも2種以上の金属を含む金属合金としては、Cu−Ti−Fe合金や、Cu−Ni−Fe合金、Ni−Cu合金、Ni−Zn合金、Ni−Ti合金、Ni−W合金、Ni−Cr合金、Ni−Cu−Cr合金を好ましく用いることができる。 The adhesion layer may also contain a metal alloy containing at least two or more metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn. Also in this case, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen can be further contained. At this time, the Cu—Ti—Fe alloy is a metal alloy containing at least two or more metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn. Alternatively, Cu—Ni—Fe alloys, Ni—Cu alloys, Ni—Zn alloys, Ni—Ti alloys, Ni—W alloys, Ni—Cr alloys, and Ni—Cu—Cr alloys can be preferably used.

密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法や、イオンプレーティング法、蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。 The method for forming the adhesion layer is not particularly limited, but it is preferable to form the film by a dry plating method. As the dry plating method, for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method and the like can be preferably used. When the adhesion layer is formed by the dry method, it is more preferable to use the sputtering method because the film thickness can be easily controlled. As described above, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen can be added to the adhesion layer, and in this case, the reactive sputtering method can be more preferably used.

なお、密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび/または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび/または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。 When the adhesion layer contains one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen are included in the atmosphere when the adhesion layer is formed. By adding a gas containing the element of, it can be added to the adhesion layer. For example, carbon monoxide gas and / or carbon dioxide gas when carbon is added to the adhesion layer, oxygen gas when oxygen is added, hydrogen gas and / or water when hydrogen is added, When nitrogen is added, nitrogen gas can be added to the atmosphere at the time of dry plating.

炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。 A gas containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen is preferably added to the inert gas to be an atmospheric gas for dry plating. The inert gas is not particularly limited, but for example, argon can be preferably used.

密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。 By forming the adhesion layer by the dry plating method as described above, the adhesion between the transparent base material and the adhesion layer can be improved. Further, since the adhesion layer can contain, for example, a metal as a main component, the adhesion to the metal layer is also high. Therefore, by arranging the adhesion layer between the transparent base material and the metal layer, peeling of the metal layer can be suppressed.

密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば3nm以上50nm以下とすることが好ましく、3nm以上35nm以下とすることがより好ましく、3nm以上33nm以下とすることがさらに好ましい。 The thickness of the adhesion layer is not particularly limited, but is preferably 3 nm or more and 50 nm or less, more preferably 3 nm or more and 35 nm or less, and further preferably 3 nm or more and 33 nm or less.

密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように3nm以上とすることが好ましい。 When the adhesive layer also functions as a blackening layer, that is, when the reflection of light in the metal layer is suppressed, the thickness of the adhesive layer is preferably 3 nm or more as described above.

密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように50nm以下とすることが好ましく、35nm以下とすることがより好ましく、33nm以下とすることがさらに好ましい。 The upper limit of the thickness of the adhesion layer is not particularly limited, but even if it is made thicker than necessary, the time required for film formation and the time required for etching when forming wiring will increase, resulting in an increase in cost. I will invite you. Therefore, the thickness of the adhesion layer is preferably 50 nm or less, more preferably 35 nm or less, and further preferably 33 nm or less as described above.

次に、導電性基板の構成例について説明する。 Next, a configuration example of the conductive substrate will be described.

上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、金属層と、黒化層と、を備え、透明基材上に、金属層、黒化層、をその順で積層した構成とすることができる。 As described above, the conductive substrate of the present embodiment includes a transparent base material, a metal layer, and a blackening layer, and the metal layer and the blackening layer are laminated in this order on the transparent base material. Can be.

具体的な構成例について、図1A、図1Bを用いて以下に説明する。図1A、図1Bは、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。 A specific configuration example will be described below with reference to FIGS. 1A and 1B. 1A and 1B show an example of a cross-sectional view of the conductive substrate of the present embodiment on a plane parallel to the stacking direction of the transparent base material, the metal layer, and the blackening layer.

例えば、図1Aに示した導電性基板10Aのように、透明基材11の第1の主平面11a側に金属層12と、黒化層13と、を一層ずつその順に積層した構成とすることができる。また、図1Bに示した導電性基板10Bのように、透明基材11の第1の主平面11a側と、第2の主平面11b側と、にそれぞれ金属層12A、12Bと、黒化層13A、13Bと、を一層ずつその順に積層することもできる。 For example, as in the conductive substrate 10A shown in FIG. 1A, the metal layer 12 and the blackening layer 13 are laminated layer by layer on the first main plane 11a side of the transparent substrate 11. Can be done. Further, as in the conductive substrate 10B shown in FIG. 1B, the metal layers 12A and 12B and the blackening layer are formed on the first main plane 11a side and the second main plane 11b side of the transparent base material 11, respectively. 13A and 13B can be laminated layer by layer in that order.

本実施形態の導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる、金属層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。金属層、及び黒化層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層、及び黒化層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。 The conductive substrate of this embodiment can be used for various purposes such as a touch panel. When used for various purposes, it is preferable that the metal layer and the blackening layer contained in the conductive substrate of the present embodiment are patterned. The metal layer and the blackening layer can be patterned according to a desired wiring pattern, for example, and it is preferable that the metal layer and the blackening layer are patterned in the same shape.

本実施形態の導電性基板においては上述のように、金属層12(12A、12B)の上面に黒化層13(13A、13B)を配置している。このため、金属層12(12A、12B)の上面側からの光の反射を抑制することができる。 In the conductive substrate of this embodiment, the blackening layer 13 (13A, 13B) is arranged on the upper surface of the metal layer 12 (12A, 12B) as described above. Therefore, it is possible to suppress the reflection of light from the upper surface side of the metal layer 12 (12A, 12B).

また、既述のように例えば透明基材11と金属層12との間には図示しない密着層を設けることもできる。なお、図1Bに示した導電性基板10Bの場合、透明基材11と金属層12Aとの間、および/または透明基材11と金属層12Bとの間に密着層を設けることができる。密着層を設けることにより、透明基材11と金属層12(12A、12B)との密着性を高めることができ、透明基材11から金属層12(12A、12B)が剥離することを特に抑制することができる。また、密着層を設けることにより、金属層12(12A、12B)の黒化層を設けていない面についても光の反射を抑制することが可能になり好ましい。 Further, as described above, for example, an adhesion layer (not shown) may be provided between the transparent base material 11 and the metal layer 12. In the case of the conductive substrate 10B shown in FIG. 1B, an adhesion layer can be provided between the transparent base material 11 and the metal layer 12A and / or between the transparent base material 11 and the metal layer 12B. By providing the adhesion layer, the adhesion between the transparent base material 11 and the metal layer 12 (12A, 12B) can be enhanced, and the peeling of the metal layer 12 (12A, 12B) from the transparent base material 11 is particularly suppressed. can do. Further, by providing the adhesion layer, it is possible to suppress the reflection of light even on the surface of the metal layer 12 (12A, 12B) not provided with the blackening layer, which is preferable.

なお、金属層及び黒化層をパターン化する際、密着層についても例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、密着層、金属層、及び黒化層を同じ形状にパターン化することが好ましい。 When patterning the metal layer and the blackening layer, the adhesion layer can also be patterned according to a desired wiring pattern, for example, and the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer are patterned into the same shape. Is preferable.

本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば波長400nm以上700nm以下の光の反射率(正反射率)は35%以下であることが好ましく、30%以下であることがより好ましい。波長400nm以上700nm以下の光の反射率が35%以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。 The degree of light reflection of the conductive substrate of the present embodiment is not particularly limited, but for example, the reflectance (normal reflectance) of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is preferably 35% or less. More preferably, it is 30% or less. When the reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 35% or less, for example, even when used as a conductive substrate for a touch panel, the visibility of the display is hardly deteriorated, which is preferable.

反射率の測定は、黒化層13(13A、13B)に光を照射するようにして測定を行うことができる。 The reflectance can be measured by irradiating the blackening layer 13 (13A, 13B) with light.

具体的には例えば図1Aのように透明基材11の第1の主平面11a側に金属層12、黒化層13の順に積層した場合、黒化層13に光を照射するように、黒化層13の表面13a側から光を照射し、測定できる。測定に当たっては波長400nm以上700nm以下の光を例えば波長1nm間隔で上述のように導電性基板の黒化層13に対して照射し、測定した値の平均値を該導電性基板の反射率とすることができる。 Specifically, for example, when the metal layer 12 and the blackening layer 13 are laminated in this order on the first main plane 11a side of the transparent base material 11 as shown in FIG. 1A, the blackening layer 13 is black so as to irradiate light. Light can be irradiated from the surface 13a side of the chemical layer 13 for measurement. In the measurement, light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is irradiated to the blackening layer 13 of the conductive substrate as described above at intervals of, for example, 1 nm, and the average value of the measured values is taken as the reflectance of the conductive substrate. be able to.

また、本実施形態の導電性基板の黒化層13(13A、13B)の表面については、L表色系のうちの明度(L)の数値が小さいことが好ましい。これは明度(L)の数値が小さくなるほど黒化層13(13A、13B)及び金属層12(12A、12B)が目立たなくなるためであり、黒化層13(13A、13B)の表面の明度(L)は60以下であることが好ましい。Further, with respect to the surface of the blackening layer 13 (13A, 13B) of the conductive substrate of the present embodiment, it is preferable that the numerical value of the brightness (L * ) in the L * a * b * color system is small. This is because the blackening layer 13 (13A, 13B) and the metal layer 12 (12A, 12B) become less noticeable as the value of the lightness (L *) becomes smaller, and the brightness of the surface of the blackening layer 13 (13A, 13B) becomes less noticeable. (L * ) is preferably 60 or less.

そして、本実施形態の導電性基板においては上述のように金属層を設けていることから、導電性基板の表面抵抗を小さくすることができる。表面抵抗は、0.2Ω/□未満であることが好ましく、0.15Ω/□未満であることがより好ましく、0.06Ω/□未満であることがさらに好ましい。表面抵抗の測定方法は特に限定されないが、例えば、4探針法により測定することができ、導電性基板の黒化層に探針が接触するようにして測定を行うことが好ましい。 Since the conductive substrate of the present embodiment is provided with the metal layer as described above, the surface resistance of the conductive substrate can be reduced. The surface resistance is preferably less than 0.2 Ω / □, more preferably less than 0.15 Ω / □, and even more preferably less than 0.06 Ω / □. The method for measuring the surface resistance is not particularly limited, but for example, it can be measured by the four-probe method, and it is preferable to perform the measurement so that the probe comes into contact with the blackened layer of the conductive substrate.

ここまで本実施形態の導電性基板について説明したが、本実施形態の導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板とすることもできる。導電性基板を積層する場合、導電性基板に含まれる金属層、黒化層は上述のようにパターニングされていることが好ましい。また、密着層を設ける場合には、密着層についてもパターニングされていることが好ましい。 Although the conductive substrate of the present embodiment has been described so far, it is also possible to obtain a laminated conductive substrate in which a plurality of conductive substrates of the present embodiment are laminated. When laminating the conductive substrates, it is preferable that the metal layer and the blackening layer contained in the conductive substrate are patterned as described above. Further, when the adhesion layer is provided, it is preferable that the adhesion layer is also patterned.

特にタッチパネルの用途に用いる場合、導電性基板、または、積層導電性基板は、後述のようにメッシュ状の配線を備えていることが好ましい。 In particular, when used in a touch panel application, it is preferable that the conductive substrate or the laminated conductive substrate is provided with mesh-shaped wiring as described later.

ここで、2枚の導電性基板を積層してメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を形成する場合を例に、積層前の導電性基板に形成する金属層、及び金属層のパターンの形状の構成例について図2A、図2Bを用いて説明する。なお、パターン化された金属層が配線として機能するが、密着層および/または黒化層についてもその電気抵抗値によっては配線の一部を構成することができる。 Here, taking as an example a case where two conductive substrates are laminated to form a laminated conductive substrate having mesh-shaped wiring, a metal layer formed on the conductive substrate before lamination and a pattern of the metal layer are used. A configuration example of the shape will be described with reference to FIGS. 2A and 2B. The patterned metal layer functions as wiring, but the adhesion layer and / or the blackened layer can also form a part of the wiring depending on the electric resistance value.

図2Aは、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を構成する2枚の導電性基板のうち、一方の導電性基板について、導電性基板20を上面側、すなわち、透明基材11の主平面と垂直な方向から見た図である。また、図2Bは、図2AのA−A´線における断面図を示している。 In FIG. 2A, of the two conductive substrates constituting the laminated conductive substrate provided with the mesh-like wiring, the conductive substrate 20 is placed on the upper surface side of one of the conductive substrates, that is, the main transparent substrate 11. It is a figure seen from the direction perpendicular to a plane. Further, FIG. 2B shows a cross-sectional view taken along the line AA'of FIG. 2A.

図2A、図2Bに示すように導電性基板20において、透明基材11上のパターン化された金属層22、及び黒化層23は、同じ形状を有している。例えばパターン化された黒化層23は図2A中に示した直線形状の複数のパターン(黒化層パターン23A〜23G)を有し、係る複数の直線形状のパターンは図中Y軸に平行に、かつ、図中X軸方向に互いに離隔して配置できる。この際、図2Aに示したように透明基材11が四角形状を有する場合、透明基材11の一辺と平行になるように、黒化層のパターン(黒化層パターン23A〜23G)は配置されることが好ましい。 As shown in FIGS. 2A and 2B, in the conductive substrate 20, the patterned metal layer 22 and the blackening layer 23 on the transparent substrate 11 have the same shape. For example, the patterned blackening layer 23 has a plurality of linear patterns (blackening layer patterns 23A to 23G) shown in FIG. 2A, and the plurality of linear patterns are parallel to the Y axis in the drawing. Moreover, they can be arranged apart from each other in the X-axis direction in the figure. At this time, when the transparent base material 11 has a rectangular shape as shown in FIG. 2A, the blackening layer patterns (blackening layer patterns 23A to 23G) are arranged so as to be parallel to one side of the transparent base material 11. It is preferable to be done.

なお、上述のように、パターン化された金属層22もパターン化された黒化層23と同様にパターニングされており、直線形状の複数のパターン(金属層パターン)を有し、係る複数のパターンは互いに平行に離隔して配置できる。また、図示しない密着層を設ける場合、密着層についても同様のパターンとすることができる。このため、パターン間では透明基材11の第1の主平面11aが露出することとなる。 As described above, the patterned metal layer 22 is also patterned in the same manner as the patterned blackening layer 23, has a plurality of linear patterns (metal layer patterns), and has a plurality of such patterns. Can be placed parallel to each other and separated from each other. Further, when an adhesive layer (not shown) is provided, the same pattern can be applied to the adhesive layer. Therefore, the first main plane 11a of the transparent base material 11 is exposed between the patterns.

図2A、図2Bに示した、パターン化された金属層22、及び黒化層23のパターン形成方法は特に限定されない。例えば、図1Aに示した導電性基板において、黒化層13を形成後、黒化層13の表面13a上に形成するパターンに対応した形状を有するマスクを配置し、エッチングすることによりパターン形成できる。用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングする層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。 The pattern forming method of the patterned metal layer 22 and the blackening layer 23 shown in FIGS. 2A and 2B is not particularly limited. For example, in the conductive substrate shown in FIG. 1A, after forming the blackening layer 13, a mask having a shape corresponding to the pattern formed on the surface 13a of the blackening layer 13 is arranged and etched to form a pattern. .. The etching solution to be used is not particularly limited, and can be arbitrarily selected depending on the material constituting the layer to be etched. For example, the etching solution can be changed for each layer, and the metal layer, the blackening layer, and in some cases, the adhesion layer can be further etched with the same etching solution at the same time.

そして、金属層、及び黒化層がパターン化された2枚の導電性基板を積層することにより、積層導電性基板を形成することができる。積層導電性基板について、図3A、図3Bを用いて説明する。図3Aは、積層導電性基板30を上面側、すなわち、2枚の導電性基板の積層方向に沿った上面側から見た図を示しており、図3Bは、図3AのB−B´線における断面図を示している。 Then, the laminated conductive substrate can be formed by laminating two conductive substrates in which the metal layer and the blackening layer are patterned. The laminated conductive substrate will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. FIG. 3A shows a view of the laminated conductive substrate 30 from the upper surface side, that is, the upper surface side along the laminating direction of the two conductive substrates, and FIG. 3B is a line BB'of FIG. 3A. The cross-sectional view of is shown.

積層導電性基板30は、図3Bに示すように導電性基板201と、導電性基板202と、を積層して得られたものである。なお、導電性基板201、202は共に、透明基材111(112)の第1の主平面111a(112a)上に、パターン化された金属層221(222)、及び黒化層231(232)が積層されている。導電性基板201、202のパターン化された金属層221(222)、及び黒化層231(232)は、いずれも上述した導電性基板20と同様に直線形状の複数のパターンを有するようにパターン化されている。 The laminated conductive substrate 30 is obtained by laminating the conductive substrate 201 and the conductive substrate 202 as shown in FIG. 3B. Both the conductive substrates 201 and 202 have a patterned metal layer 221 (222) and a blackening layer 231 (232) on the first main plane 111a (112a) of the transparent substrate 111 (112). Are laminated. The patterned metal layers 221 (222) and the blackening layer 231 (232) of the conductive substrates 201 and 202 are all patterned so as to have a plurality of linear patterns similar to the conductive substrate 20 described above. It has been transformed.

そして、一方の導電性基板201の透明基材111の第1の主平面111aと、他方の導電性基板202の透明基材112の第2の主平面112bとが対向するように積層されている。 Then, the first main plane 111a of the transparent base material 111 of one conductive substrate 201 and the second main plane 112b of the transparent base material 112 of the other conductive substrate 202 are laminated so as to face each other. ..

なお、一方の導電性基板201の上下を逆にして、一方の導電性基板201の透明基材111の第2の主平面111bと、他方の導電性基板202の透明基材112の第2の主平面112bとが対向するように積層してもよい。この場合、後述する図4と同様の配置となる。 The second main plane 111b of the transparent base material 111 of one conductive substrate 201 and the second main plane 111b of the transparent base material 112 of the other conductive substrate 202 are turned upside down. It may be laminated so that it faces the main plane 112b. In this case, the arrangement is the same as in FIG. 4, which will be described later.

2枚の導電性基板を積層する際、図3A、図3Bに示すように、一方の導電性基板201のパターン化された金属層221と、他方の導電性基板202のパターン化された金属層222と、が交差するように積層することができる。具体的には例えば、図3A、図3Bにおいて、一方の導電性基板201のパターン化された金属層221はそのパターンの長さ方向が図中のX軸方向と平行になるように配置できる。そして、他方の導電性基板202のパターン化された金属層222はそのパターンの長さ方向が図中のY軸方向と平行になるように配置することができる。 When laminating two conductive substrates, as shown in FIGS. 3A and 3B, the patterned metal layer 221 of one conductive substrate 201 and the patterned metal layer of the other conductive substrate 202. The 222 and the two can be laminated so as to intersect with each other. Specifically, for example, in FIGS. 3A and 3B, the patterned metal layer 221 of one of the conductive substrates 201 can be arranged so that the length direction of the pattern is parallel to the X-axis direction in the drawing. The patterned metal layer 222 of the other conductive substrate 202 can be arranged so that the length direction of the pattern is parallel to the Y-axis direction in the drawing.

なお、図3Aは上述のように積層導電性基板30の積層方向に沿って見た図のため、各導電性基板201、202の最上部に配置されたパターン化された黒化層231、232を示している。パターン化された金属層221、222もパターン化された黒化層231、232と同じパターンとなっているため、パターン化された金属層221、222もパターン化された黒化層231、232と同様にメッシュ状となる。また、密着層を設けた場合、パターン化された密着層についてもパターン化された黒化層231、232と同様のメッシュ状とすることができる。 Since FIG. 3A is a view taken along the stacking direction of the laminated conductive substrates 30 as described above, the patterned blackening layers 231 and 232 arranged at the uppermost portions of the conductive substrates 201 and 202 are shown. Is shown. Since the patterned metal layers 221 and 222 have the same pattern as the patterned blackening layers 231 and 232, the patterned metal layers 221 and 222 also have the same pattern as the patterned blackening layers 231 and 232. Similarly, it becomes a mesh. Further, when the adhesion layer is provided, the patterned adhesion layer can also have a mesh shape similar to that of the patterned blackening layers 231 and 232.

積層した2枚の導電性基板の接着方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等により接着、固定することができる。 The method of adhering the two laminated conductive substrates is not particularly limited, and for example, they can be adhered and fixed with an adhesive or the like.

以上に説明したように一方の導電性基板201と、他方の導電性基板202と、を積層することにより、図3Aに示したように、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板30とすることができる。 As described above, by laminating one conductive substrate 201 and the other conductive substrate 202, as shown in FIG. 3A, a laminated conductive substrate 30 having mesh-shaped wiring is obtained. be able to.

なお、図3A、図3Bにおいては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線(配線パターン)を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ(干渉縞)が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線(ジグザグ直線)等の各種形状にすることもできる。 Although FIGS. 3A and 3B show an example in which linear wiring is combined to form a mesh-shaped wiring (wiring pattern), the wiring pattern is not limited to the above-mentioned form. The wiring can have any shape. For example, the shape of the wiring forming the mesh-like wiring pattern so as not to generate moire (interference fringes) with the image on the display can be made into various shapes such as a jaggedly bent line (zigzag straight line).

ここでは、2枚の導電性基板を積層することによりメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする例を用いて説明したが、メッシュ状の配線を備えた(積層)導電性基板とする方法は係る形態に限定されるものではない。例えば図1Bに示した、透明基材11の第1の主平面11a、第2の主平面11bに金属層12A、12B、黒化層13A、13Bを積層した導電性基板10Bからもメッシュ状の配線を備えた導電性基板を形成できる。 Here, an example of laminating two conductive substrates to form a laminated conductive substrate having mesh-like wiring has been described, but a (laminated) conductive substrate having mesh-like wiring is used. The method is not limited to such a form. For example, the conductive substrate 10B in which the metal layers 12A and 12B and the blackening layers 13A and 13B are laminated on the first main plane 11a and the second main plane 11b of the transparent base material 11 shown in FIG. 1B is also mesh-like. A conductive substrate with wiring can be formed.

この場合、透明基材11の第1の主平面11a側に積層した、金属層12A、及び黒化層13Aを、図1B中のY軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化する。また、透明基材11の第2の主平面11b側に積層した、金属層12B、及び黒化層13Bを図1B中のX軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化する。パターン化は上述のように例えばエッチングにより実施できる。これにより、図4に示したように、透明基材11を挟んで、透明基材の第1の主平面11a側に形成したパターン化された金属層42Aと、第2の主平面11b側に形成したパターン化された金属層42Bと、によりメッシュ状の配線を備えた導電性基板40とすることができる。なお、この場合、パターン化された金属層42A、42Bの上面には、同様にパターン化された黒化層43A、43Bが配置されることとなる。 In this case, a plurality of metal layers 12A and blackening layers 13A laminated on the first main plane 11a side of the transparent base material 11 are arranged in the Y-axis direction in FIG. 1B, that is, parallel to the direction perpendicular to the paper surface. Pattern into a linear pattern. Further, the metal layer 12B and the blackening layer 13B laminated on the second main plane 11b side of the transparent base material 11 are patterned into a plurality of linear patterns parallel to the X-axis direction in FIG. 1B. Patterning can be performed, for example, by etching as described above. As a result, as shown in FIG. 4, the patterned metal layer 42A formed on the first main plane 11a side of the transparent base material 11 and the second main plane 11b side with the transparent base material 11 sandwiched therein. The formed patterned metal layer 42B and the conductive substrate 40 provided with mesh-like wiring can be obtained. In this case, similarly patterned blackening layers 43A and 43B are arranged on the upper surfaces of the patterned metal layers 42A and 42B.

以上に説明した(積層)導電性基板によれば、パターン化された金属層はその上面にパターン化された黒化層が配置されている。このため、パターン化された金属層表面での光の反射を抑制できる。また、金属層を配置しているため、電気抵抗値を小さくすることができる。さらに、上述のように黒化層は湿式法により形成されるため生産性良く製造することができる。
(導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法)
次に本実施形態の導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
According to the (laminated) conductive substrate described above, the patterned metal layer has a patterned blackening layer arranged on the upper surface thereof. Therefore, it is possible to suppress the reflection of light on the surface of the patterned metal layer. Further, since the metal layer is arranged, the electric resistance value can be reduced. Further, as described above, since the blackened layer is formed by the wet method, it can be produced with high productivity.
(Manufacturing method of conductive substrate, manufacturing method of laminated conductive substrate)
Next, a configuration example of the method for manufacturing the conductive substrate of the present embodiment and the method for manufacturing the laminated conductive substrate will be described.

本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。
透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程。
金属層上に湿式法により、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程。
The method for manufacturing a conductive substrate of the present embodiment can have the following steps.
A metal layer forming step of forming a metal layer on at least one surface of a transparent substrate.
A blackening layer forming step of forming a blackening layer containing nickel and zinc on a metal layer by a wet method.

以下に本実施形態の導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板、積層導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。 The method for manufacturing the conductive substrate and the method for manufacturing the laminated conductive substrate of the present embodiment will be described below, but the same configurations as those for the above-mentioned conductive substrate and laminated conductive substrate are described except for the points described below. Therefore, the description thereof will be omitted.

金属層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる。用いる透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板(樹脂フィルム)や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。 The transparent base material to be used in the metal layer forming step can be prepared in advance. The type of transparent substrate to be used is not particularly limited, but as described above, a resin substrate (resin film) that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be preferably used. The transparent base material can be cut into an arbitrary size in advance if necessary.

そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程を有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。 Then, as described above, the metal layer preferably has a metal thin film layer. Further, the metal layer may have a metal thin film layer and a metal plating layer. Therefore, the metal layer forming step can include, for example, a step of forming a metal thin film layer by a dry plating method. Further, the metal layer forming step includes a step of forming a metal thin film layer by a dry plating method and a step of forming a metal plating layer by an electroplating method which is a kind of wet plating method using the metal thin film layer as a feeding layer. May have.

金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。 The dry plating method used in the step of forming the metal thin film layer is not particularly limited, and for example, a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like can be used. The vacuum vapor deposition method can be preferably used as the vapor deposition method. As the dry plating method used in the step of forming the metal thin film layer, it is more preferable to use the sputtering method because the film thickness can be easily controlled.

金属薄膜層をスパッタリング法により成膜する場合、例えばロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いて好適に成膜することができる。 When the metal thin film layer is formed by a sputtering method, it can be preferably formed by using, for example, a roll-to-roll sputtering apparatus.

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50を用いた場合を例に金属薄膜層の形成方法を説明する。 A method of forming the metal thin film layer will be described by taking the case where the roll-to-roll sputtering apparatus 50 is used as an example.

図5はロール・ツー・ロールスパッタリング装置50の一構成例を示している。 FIG. 5 shows a configuration example of the roll-to-roll sputtering apparatus 50.

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50は、その構成部品のほとんどを収納した筐体51を備えている。 The roll-to-roll sputtering apparatus 50 includes a housing 51 that houses most of its components.

図5において筐体51の形状は直方体形状として示しているが、筐体51の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体51の形状は円筒形状とすることもできる。 Although the shape of the housing 51 is shown as a rectangular parallelepiped shape in FIG. 5, the shape of the housing 51 is not particularly limited, and an arbitrary shape is used depending on the device to be housed inside, the installation location, the pressure resistance performance, and the like. Can be. For example, the shape of the housing 51 may be a cylindrical shape.

ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体51内部は10−3Pa以下まで減圧できることが好ましく、10−4Pa以下まで減圧できることがより好ましい。なお、筐体51内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール53が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。However, in order to remove residual gas that is not related to film formation at the start of film formation, it is preferable that the pressure inside the housing 51 can be reduced to 10 -3 Pa or less, and more preferably 10 -4 Pa or less. It is not necessary that the entire inside of the housing 51 can be depressurized to the above pressure, and it is also possible to configure the housing 51 so that only the lower region in the figure in which the can roll 53 described later is arranged can be depressurized to the above pressure. ..

筐体51内には、金属薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール52、キャンロール53、スパッタリングカソード54a〜54d、前フィードロール55a、後フィードロール55b、テンションロール56a、56b、巻取ロール57を配置することができる。また、金属薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール58a〜58hや、ヒーター61等を設けることもできる。 Inside the housing 51, unwinding rolls 52, can rolls 53, sputtering cathodes 54a to 54d, front feed rolls 55a, rear feed rolls 55b, tension rolls 56a, 56b, which supply a base material for forming a metal thin film layer, The take-up roll 57 can be arranged. In addition to the above rolls, guide rolls 58a to 58h, a heater 61, and the like can be optionally provided on the transport path of the base material on which the metal thin film layer is formed.

巻出ロール52、キャンロール53、前フィードロール55a、巻取ロール57にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール52、巻取ロール57は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって金属薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるように構成できる。 The unwinding roll 52, the can roll 53, the front feed roll 55a, and the winding roll 57 can be provided with power by a servomotor. The unwinding roll 52 and the winding roll 57 can be configured so that the tension balance of the base material on which the metal thin film layer is formed is maintained by torque control by a powder clutch or the like.

キャンロール53の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体51の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。 The configuration of the can roll 53 is also not particularly limited, but for example, the surface thereof is finished with hard chrome plating, and a refrigerant or a hot medium supplied from the outside of the housing 51 circulates inside the can roll 53 to adjust the temperature to a substantially constant temperature. It is preferable that it is configured so that it can be used.

テンションロール56a、56bは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。 It is preferable that the tension rolls 56a and 56b have, for example, a surface finished with hard chrome plating and provided with a tension sensor.

また、前フィードロール55aや、後フィードロール55bや、ガイドロール58a〜58hについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。 Further, it is preferable that the surfaces of the front feed roll 55a, the rear feed roll 55b, and the guide rolls 58a to 58h are finished with hard chrome plating.

スパッタリングカソード54a〜54dは、マグネトロンカソード式でキャンロール53に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード54a〜54dのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード54a〜54dの金属薄膜層を成膜する基材の巾方向の寸法は、金属薄膜層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。 It is preferable that the sputtering cathodes 54a to 54d are arranged so as to face the canroll 53 in a magnetron cathode type. The size of the sputtering cathodes 54a to 54d is not particularly limited, but the width direction of the base material for forming the metal thin film layer of the sputtering cathodes 54a to 54d may be wider than the width of the base material for forming the metal thin film layer. preferable.

金属薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置50内を搬送されて、キャンロール53に対向するスパッタリングカソード54a〜54dで金属薄膜層が成膜される。 The base material for forming the metal thin film layer is conveyed in the roll-to-roll sputtering apparatus 50, which is a roll-to-roll vacuum film forming apparatus, and the metal thin film is conveyed by the sputtering cathodes 54a to 54d facing the can roll 53. A layer is formed.

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50を用いて金属薄膜層を成膜する場合、所定のターゲットをスパッタリングカソード54a〜54dに装着し、金属薄膜層を成膜する基材を巻出ロール52にセットした装置内を真空ポンプ60a、60bにより真空排気する。そしてその後、スパッタリングガスを気体供給手段59により筐体51内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ60bと筐体51との間に設けられた圧力調整バルブの開度と、を調整して装置内を例えば0.13Pa以上13Pa以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。 When the metal thin film layer is formed by using the roll-to-roll sputtering apparatus 50, a predetermined target is attached to the sputtering cathodes 54a to 54d, and the base material for forming the metal thin film layer is set on the unwinding roll 52. The inside of the device is evacuated by the vacuum pumps 60a and 60b. After that, the sputtering gas is introduced into the housing 51 by the gas supply means 59. At this time, the flow rate of the sputtering gas and the opening degree of the pressure adjusting valve provided between the vacuum pump 60b and the housing 51 are adjusted to keep the inside of the apparatus at, for example, 0.13 Pa or more and 13 Pa or less. It is preferable to carry out a membrane.

なお、気体供給手段59は、例えば供給するスパッタリングガスのガス種毎に図示しないボンベを有することができる。そして、ボンベと筐体51との間に、例えばガス種ごとに図に示したようにマスフローコントローラー(MFC)や、バルブ等を設け、供給するスパッタリングガスの流量を調整可能に構成できる。 The gas supply means 59 may have a cylinder (not shown) for each gas type of the sputtering gas to be supplied, for example. Then, for example, a mass flow controller (MFC), a valve, or the like is provided between the cylinder and the housing 51 for each gas type as shown in the figure, and the flow rate of the supplied sputtering gas can be adjusted.

また、筐体51には例えば真空計62a、62bを設置しておき、筐体51内を真空引きする際や、筐体51内にスパッタリングガスを供給した際の、筐体51内の真空度を調整するように構成することができる。 Further, for example, vacuum gauges 62a and 62b are installed in the housing 51, and the degree of vacuum in the housing 51 when the inside of the housing 51 is evacuated or when a sputtering gas is supplied into the housing 51. Can be configured to adjust.

この状態で、巻出ロール52から基材を例えば毎分1m以上20m以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード54a〜54dに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の金属薄膜層を連続成膜することができる。 In this state, while transporting the base material from the unwinding roll 52 at a speed of, for example, 1 m or more and 20 m or less per minute, electric power is supplied from a DC power source for sputtering connected to the sputtering cathodes 54a to 54d to perform sputtering discharge. As a result, a desired metal thin film layer can be continuously formed on the base material.

次に金属めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。 Next, the process of forming the metal plating layer will be described. The conditions in the step of forming the metal plating layer by the wet plating method, that is, the conditions of the electroplating treatment are not particularly limited, and various conditions according to the conventional method may be adopted. For example, a metal plating layer can be formed by supplying a base material having a metal thin film layer formed to a plating tank containing a metal plating solution and controlling the current density and the transport speed of the base material.

次に、黒化層形成工程について説明する。 Next, the process of forming the blackened layer will be described.

黒化層形成工程においては、湿式法により黒化層を形成することができる。黒化層を湿式法で形成することにより、従来の乾式法のみで黒化層を形成していた場合と比較して、導電性基板を生産性良く製造できる。 In the blackening layer forming step, the blackening layer can be formed by a wet method. By forming the blackened layer by the wet method, the conductive substrate can be manufactured with high productivity as compared with the case where the blackened layer is formed only by the conventional dry method.

また、従来のように乾式法により黒化層を成膜する場合、例えば、湿式法で金属めっき層を成膜後、湿式法の成膜装置から被成膜体を取り出し、被成膜体を乾燥させた上で乾式法の装置にセットする必要があり生産性が低下していた。これに対して本実施形態の導電性基板の製造方法においては、黒化層も湿式法で形成するため、湿式法の装置で金属めっき層と黒化層とを連続して形成でき、特に生産性を高めることができる。 Further, when the blackened layer is formed by the dry method as in the conventional method, for example, after the metal plating layer is formed by the wet method, the film-deposited body is taken out from the film-forming apparatus of the wet method to form the film-deposited body. It was necessary to dry it and then set it in a dry method device, which reduced productivity. On the other hand, in the method for manufacturing the conductive substrate of the present embodiment, since the blackened layer is also formed by the wet method, the metal plating layer and the blackened layer can be continuously formed by the wet method apparatus, and particularly for production. You can improve your sex.

黒化層を形成する方法は湿式法であればよく、特に限定されるものではないが、例えば金属層上に湿式めっき法により黒化層を新たに形成、積層する方法が挙げられる。この場合の湿式めっき法は例えば電気めっき法を好ましく用いることができる。 The method for forming the blackened layer may be a wet method and is not particularly limited. For example, a method of newly forming and laminating a blackened layer on a metal layer by a wet plating method can be mentioned. As the wet plating method in this case, for example, an electroplating method can be preferably used.

また、黒化層を湿式法により形成する具体的な方法として、ニッケル及び亜鉛を含有するめっき液を用いて、電気めっき法により黒化層を形成する方法が挙げられる。この際用いるめっき液の種類は特に限定されるものではなく、例えばニッケル及び亜鉛を含有する黒ニッケルめっき液を好ましく用いることができる。なお、予めめっき液の組成と、成膜される黒化層の組成との関係について予備試験を行い、所望の組成の黒化層が得られるようにめっき液の組成を選択しておくことが好ましい。 Further, as a specific method for forming the blackened layer by a wet method, there is a method of forming a blackened layer by an electroplating method using a plating solution containing nickel and zinc. The type of plating solution used at this time is not particularly limited, and for example, a black nickel plating solution containing nickel and zinc can be preferably used. A preliminary test is conducted in advance on the relationship between the composition of the plating solution and the composition of the blackened layer to be formed, and the composition of the plating solution is selected so that the blackened layer having the desired composition can be obtained. preferable.

また、さらに任意の工程を実施することができる。例えば透明基材と金属層との間に密着層を形成する場合、透明基材の金属層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、金属層形成工程で説明した金属薄膜層を成膜する基材とは、本工程で透明基材上に密着層を形成した基材となる。 Further, any process can be further carried out. For example, when the adhesive layer is formed between the transparent base material and the metal layer, the adhesive layer forming step of forming the adhesive layer on the surface forming the metal layer of the transparent base material can be carried out. When the adhesion layer forming step is carried out, the metal layer forming step can be carried out after the adhesion layer forming step, and the base material for forming the metal thin film layer described in the metal layer forming step is transparent in this step. It becomes a base material in which an adhesion layer is formed on the base material.

密着層は例えば図1Aにおいて、透明基材11の一方の主平面である第1の主平面11a上に形成することができる。また、図1Bに示した導電性基板10Bの場合、透明基材11の第1の主平面11a及び第2の主平面11bの両方に密着層を形成することもできる。透明基材11の第1の主平面11a及び第2の主平面11bの両方に密着層を形成する場合には、両主平面に同時に密着層を形成してもよい。また、いずれか一方の主平面に密着層を形成後に他方の主平面に密着層を形成してもよい。 The adhesion layer can be formed on, for example, in FIG. 1A, on the first main plane 11a, which is one main plane of the transparent base material 11. Further, in the case of the conductive substrate 10B shown in FIG. 1B, an adhesion layer can be formed on both the first main plane 11a and the second main plane 11b of the transparent base material 11. When the adhesion layer is formed on both the first main plane 11a and the second main plane 11b of the transparent base material 11, the adhesion layer may be formed on both main planes at the same time. Further, the adhesion layer may be formed on one of the main planes and then on the other main plane.

密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境(例えば湿度や、温度)に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。密着層を構成する材料として好適に用いることができる材料については既述のため、ここでは説明を省略する。 The material constituting the adhesion layer is not particularly limited, and the adhesion with the transparent base material and the metal layer, the degree of suppression of light reflection on the surface of the metal layer, and the environment in which the conductive substrate is used ( For example, it can be arbitrarily selected according to the degree of stability with respect to humidity and temperature. Since the materials that can be suitably used as the material forming the adhesion layer have already been described, the description thereof will be omitted here.

密着層の成膜方法は特に限定されないが、例えば上述のように、乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法や、イオンプレーティング法、蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。 The method for forming the adhesion layer is not particularly limited, but for example, as described above, the film can be formed by the dry plating method. As the dry plating method, for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method and the like can be preferably used. As described above, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen can be added to the adhesion layer, and in this case, the reactive sputtering method can be more preferably used.

なお、密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび/または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび/または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。 When the adhesion layer contains one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen are included in the atmosphere when the adhesion layer is formed. By adding a gas containing the element of, it can be added to the adhesion layer. For example, carbon monoxide gas and / or carbon dioxide gas when carbon is added to the adhesion layer, oxygen gas when oxygen is added, hydrogen gas and / or water when hydrogen is added, When nitrogen is added, nitrogen gas can be added to the atmosphere at the time of dry plating.

炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。 A gas containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen is preferably added to the inert gas to be an atmospheric gas for dry plating. The inert gas is not particularly limited, but for example, argon can be preferably used.

スパッタリング法により密着層を成膜する場合、ターゲットとしては、密着層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。密着層が合金を含む場合には、密着層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、透明基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め密着層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。 When the adhesion layer is formed by the sputtering method, a target containing a metal species constituting the adhesion layer can be used as the target. When the adhesion layer contains an alloy, a target may be used for each metal type contained in the adhesion layer, and an alloy may be formed on the surface of the film-deposited body such as a transparent base material. It is also possible to use an alloyed target.

密着層は例えば図5に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置50を用いて好適に成膜することができる。 The adhesion layer can be suitably formed by using, for example, the roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG.

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。 Since the configuration of the roll-to-roll sputtering apparatus has already been described, the description thereof will be omitted here.

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50を用いて密着層を成膜する場合、密着層を構成する金属のターゲットをスパッタリングカソード54a〜54dに装着し、密着層を形成する基材、例えば透明基材を巻出ロール52にセットする。そして、装置内、例えば筐体51内を真空ポンプ60a、60bにより真空排気する。そしてその後、アルゴンガス等のスパッタリングガスを気体供給手段59により筐体51内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ60bと筐体51との間に設けられた圧力調整バルブの開度と、を調整して装置内を例えば0.13Pa以上13Pa以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。 When the adhesion layer is formed by using the roll-to-roll sputtering apparatus 50, a metal target constituting the adhesion layer is attached to the sputtering cathodes 54a to 54d, and a substrate for forming the adhesion layer, for example, a transparent substrate is attached. Set on the unwinding roll 52. Then, the inside of the device, for example, the inside of the housing 51 is evacuated by the vacuum pumps 60a and 60b. After that, a sputtering gas such as argon gas is introduced into the housing 51 by the gas supply means 59. At this time, the flow rate of the sputtering gas and the opening degree of the pressure adjusting valve provided between the vacuum pump 60b and the housing 51 are adjusted to keep the inside of the apparatus at, for example, 0.13 Pa or more and 13 Pa or less. It is preferable to carry out a membrane.

この状態で、巻出ロール52から基材を例えば毎分0.5m以上10m以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード54a〜54dに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の密着層を連続成膜することができる。 In this state, while transporting the base material from the unwinding roll 52 at a speed of, for example, 0.5 m or more and 10 m or less per minute, power is supplied from the DC power source for sputtering connected to the sputtering cathodes 54a to 54d to discharge the sputtering. conduct. As a result, a desired adhesion layer can be continuously formed on the base material.

密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。 By forming the adhesion layer by the dry plating method as described above, the adhesion between the transparent base material and the adhesion layer can be improved. Further, since the adhesion layer can contain, for example, a metal as a main component, the adhesion to the metal layer is also high. Therefore, by arranging the adhesion layer between the transparent base material and the metal layer, peeling of the metal layer can be suppressed.

密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば3nm以上50nm以下とすることが好ましく、3nm以上35nm以下とすることがより好ましく、3nm以上33nm以下とすることがさらに好ましい。 The thickness of the adhesion layer is not particularly limited, but is preferably 3 nm or more and 50 nm or less, more preferably 3 nm or more and 35 nm or less, and further preferably 3 nm or more and 33 nm or less.

本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる金属層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。なお、密着層を設ける場合は、密着層についてもパターン化されていることが好ましい。金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層及び黒化層、場合によってはさらに密着層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。 The conductive substrate obtained by the method for manufacturing a conductive substrate of the present embodiment can be used for various purposes such as a touch panel. When used for various purposes, it is preferable that the metal layer and the blackening layer contained in the conductive substrate of the present embodiment are patterned. When the adhesion layer is provided, it is preferable that the adhesion layer is also patterned. The metal layer and the blackening layer, and in some cases the adhesion layer, can be patterned according to, for example, a desired wiring pattern, and the metal layer and the blackening layer, and in some cases the adhesion layer, can be patterned into the same shape. It is preferable that it is.

このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層及び黒化層をパターニングするパターニング工程を有することができる。なお、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、金属層、及び黒化層をパターニングする工程とすることができる。 Therefore, the method for manufacturing a conductive substrate of the present embodiment can include a patterning step of patterning a metal layer and a blackening layer. When the adhesion layer is formed, the patterning step can be a step of patterning the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer.

パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図1Aのように透明基材11上に金属層12、黒化層13が積層された導電性基板10Aの場合、まず黒化層13上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施することができる。次いで、黒化層13の上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。 The specific procedure of the patterning step is not particularly limited, and can be carried out by any procedure. For example, in the case of the conductive substrate 10A in which the metal layer 12 and the blackening layer 13 are laminated on the transparent base material 11 as shown in FIG. 1A, a mask placement step of first arranging a mask having a desired pattern on the blackening layer 13. Can be carried out. Next, an etching step of supplying the etching solution to the upper surface of the blackening layer 13, that is, the surface side on which the mask is arranged can be performed.

エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングを行う層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層及び黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。 The etching solution used in the etching step is not particularly limited, and can be arbitrarily selected depending on the material constituting the layer to be etched. For example, the etching solution can be changed for each layer, and the metal layer, the blackening layer, and in some cases, the adhesion layer can be further etched with the same etching solution at the same time.

エッチング工程で形成するパターンは特に限定されない。例えば金属層及び黒化層を、直線形状の複数のパターンとなるようにパターニングすることができる。直線形状の複数のパターンにパターニングした場合、図2A、図2Bに示すように、パターン化された金属層22及び黒化層23は互いに平行に、かつ、離隔するようなパターンとすることができる。 The pattern formed in the etching process is not particularly limited. For example, the metal layer and the blackening layer can be patterned so as to form a plurality of linear patterns. When patterning into a plurality of linear patterns, as shown in FIGS. 2A and 2B, the patterned metal layer 22 and the blackening layer 23 can be patterned so as to be parallel to each other and separated from each other. ..

また、図1Bのように透明基材11の第1の主平面11a、第2の主平面11bに金属層12A、12B、黒化層13A、13Bを積層した導電性基板10Bについてもパターニングするパターニング工程を実施できる。この場合例えば黒化層13A、13B上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施できる。次いで、黒化層13A、13Bの上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。 Further, as shown in FIG. 1B, the conductive substrate 10B in which the metal layers 12A and 12B and the blackening layers 13A and 13B are laminated on the first main plane 11a and the second main plane 11b of the transparent base material 11 is also patterned. The process can be carried out. In this case, for example, a mask arranging step of arranging a mask having a desired pattern on the blackening layers 13A and 13B can be performed. Next, an etching step of supplying the etching solution to the upper surfaces of the blackening layers 13A and 13B, that is, the surface side on which the mask is arranged can be performed.

エッチング工程において例えば、透明基材11の第1の主平面11a側に積層した金属層12A及び黒化層13Aを、図1B中のY軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化できる。また、透明基材11の第2の主平面11b側に積層した金属層12B及び黒化層13Bを図1B中のX軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化できる。これにより、図4に示したように、透明基材11を挟んで、透明基材の第1の主平面11a側に形成したパターン化された金属層42Aと、第2の主平面11b側に形成したパターン化された金属層42Bと、によりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。 In the etching step, for example, a plurality of metal layers 12A and blackening layers 13A laminated on the first main plane 11a side of the transparent base material 11 are parallel to the Y-axis direction in FIG. 1B, that is, the direction perpendicular to the paper surface. It can be patterned into a linear pattern. Further, the metal layer 12B and the blackening layer 13B laminated on the second main plane 11b side of the transparent base material 11 can be patterned into a plurality of linear patterns parallel to the X-axis direction in FIG. 1B. As a result, as shown in FIG. 4, the patterned metal layer 42A formed on the first main plane 11a side of the transparent base material 11 and the second main plane 11b side with the transparent base material 11 sandwiched therein. The formed patterned metal layer 42B and the conductive substrate can be provided with mesh-like wiring.

そして、ここまで説明した導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板を製造することもできる。積層導電性基板の製造方法は、上述した導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を複数枚積層する積層工程を有することができる。 Then, it is also possible to manufacture a laminated conductive substrate in which a plurality of the conductive substrates described above are laminated. The method for manufacturing a laminated conductive substrate can include a laminating step of laminating a plurality of conductive substrates obtained by the above-described method for manufacturing a conductive substrate.

積層工程では例えば、図2A、図2Bに示したパターン化された導電性基板を複数枚積層することができる。具体的には、図3A、図3Bに示したように、一方の導電性基板201の透明基材111の第1の主平面111aと、他方の導電性基板202の透明基材112の第2の主平面112bとが対向するように積層することにより実施できる。 In the laminating step, for example, a plurality of patterned conductive substrates shown in FIGS. 2A and 2B can be laminated. Specifically, as shown in FIGS. 3A and 3B, the first main plane 111a of the transparent base material 111 of one conductive substrate 201 and the second of the transparent base material 112 of the other conductive substrate 202. It can be carried out by laminating so as to face the main plane 112b of the above.

積層後、2枚の導電性基板201、202は例えば接着剤等により固定することができる。 After laminating, the two conductive substrates 201 and 202 can be fixed with, for example, an adhesive.

なお、一方の導電性基板201の上下を逆にして、一方の導電性基板201の透明基材111の第2の主平面111bと、他方の導電性基板202の透明基材112の第2の主平面112bとが対向するように積層してもよい。 The second main plane 111b of the transparent base material 111 of one conductive substrate 201 and the second main plane 111b of the transparent base material 112 of the other conductive substrate 202 are turned upside down. It may be laminated so that it faces the main plane 112b.

メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする場合、積層工程では、図3A、図3Bに示したように、一方の導電性基板201に予め形成したパターン化された金属層221と、他方の導電性基板202に予め形成したパターン化された金属層222と、が交差するように積層できる。 In the case of a laminated conductive substrate provided with mesh-like wiring, in the lamination process, as shown in FIGS. 3A and 3B, a patterned metal layer 221 previously formed on one conductive substrate 201 and the other The patterned metal layer 222 formed in advance on the conductive substrate 202 of the above can be laminated so as to intersect with each other.

図3A、図3Bにおいては、直線形状にパターン化された金属層を組み合わせてメッシュ状の配線(配線パターン)を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではない。配線パターンを構成する配線、すなわちパターン化された金属層の形状は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ(干渉縞)が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線(ジグザグ直線)等の各種形状にすることもできる。なお、既述のように、パターン化された金属層が配線として機能するが、密着層および/または黒化層についてもその電気抵抗値によっては配線の一部を構成することができる。 3A and 3B show an example in which a metal layer patterned in a linear shape is combined to form a mesh-like wiring (wiring pattern), but the present invention is not limited to this form. The wiring constituting the wiring pattern, that is, the shape of the patterned metal layer can be any shape. For example, the shape of the wiring forming the mesh-like wiring pattern so as not to generate moire (interference fringes) with the image on the display can be made into various shapes such as a jaggedly bent line (zigzag straight line). As described above, the patterned metal layer functions as wiring, but the adhesion layer and / or the blackened layer can also form a part of the wiring depending on the electric resistance value.

以上の本実施形態の導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法により得られる導電性基板及び積層導電性基板によれば、金属層を設けたため、電気抵抗値が小さくできる。また、金属層上に黒化層を配置したため、光の反射を抑制できる。さらに、黒化層を湿式法により形成できるため生産性良く製造することができる。 According to the conductive substrate manufacturing method of the present embodiment and the conductive substrate and the laminated conductive substrate obtained by the laminated conductive substrate manufacturing method, the electric resistance value can be reduced because the metal layer is provided. Further, since the blackening layer is arranged on the metal layer, the reflection of light can be suppressed. Further, since the blackened layer can be formed by a wet method, it can be produced with high productivity.

以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(評価方法)
まず、得られた導電性基板の評価方法について説明する。
(黒化層の組成)
得られた導電性基板の表面に形成された黒化層の組成分析はEPMA(Electron Probe MicroAnalyser 日本電子株式会社製 型式:JXA−8900R)を用いて行った。測定結果から、黒化層に含まれるNi及びZnの重量の和を100とした場合の、Ni及びZnの重量%を算出した。
Specific examples and comparative examples will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
(Evaluation method)
First, an evaluation method of the obtained conductive substrate will be described.
(Composition of blackening layer)
The composition analysis of the blackened layer formed on the surface of the obtained conductive substrate was performed using EPMA (Electron Probe MicroAnalyzer Nippon Electronics Co., Ltd. Model: JXA-8900R). From the measurement results, the weight% of Ni and Zn was calculated when the sum of the weights of Ni and Zn contained in the blackened layer was 100.

(表面抵抗)
低抵抗率計(株式会社ダイアインスツルメンツ製 型番:ロレスターEP MCP−T360)を用いて、以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の表面抵抗を測定した。測定は4探針法により行い、黒化層に探針が接触するようにして測定を行った。
(Surface resistance)
Using a low resistivity meter (model number: Lorester EP MCP-T360 manufactured by Dia Instruments Co., Ltd.), the surface resistance of the conductive substrates produced in the following Examples and Comparative Examples was measured. The measurement was performed by the 4-probe method, and the measurement was performed so that the probe was in contact with the blackened layer.

(外観評価)
黒化層の表面を視認し、外観の評価を行った。評価に当たっては黒化層の表面の色が均一でムラがない場合には〇、ムラが少しでも見られた場合には△、黒化層の表面全体に渡ってムラが見られた場合には×と評価した。
(Appearance evaluation)
The surface of the blackened layer was visually observed and the appearance was evaluated. In the evaluation, if the color of the surface of the blackened layer is uniform and there is no unevenness, 〇, if any unevenness is seen, △, if unevenness is seen over the entire surface of the blackened layer, It was evaluated as ×.

(正反射率)
測定は、紫外可視分光光度計(株式会社 島津製作所製 型式:UV−2600)に反射率測定ユニットを設置して行った。
(Specular reflectance)
The measurement was carried out by installing a reflectance measurement unit on an ultraviolet-visible spectrophotometer (model: UV-2600 manufactured by Shimadzu Corporation).

以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面に対して、入射角5°、受光角5°として、波長400nm以上700nm以下の光を波長1nm間隔で照射して正反射率を測定し、その平均値を該導電性基板の正反射率とした。 The surface of the blackened layer of the conductive substrate produced in the following Examples and Comparative Examples is specularly reflected by irradiating the surface of the blackened layer of the conductive substrate with an incident angle of 5 ° and a light receiving angle of 5 ° and light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less at wavelength intervals of 1 nm. The rate was measured, and the average value was taken as the specular reflectance of the conductive substrate.

なお、以下の実施例、比較例では、導電性基板の各層の積層方向と平行な面の断面が、透明基材11と、金属層12との間にさらに密着層を形成した点以外は、図1Aと同じ構成を有する、導電性基板を作製している。このため、黒化層13の表面13aに対して、光を照射することにより正反射率を測定した。また、以下の明度の場合も同様に表面13aに対して光を照射して測定している。
(明度)
以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面について、紫外可視分光光度計(株式会社 島津製作所製 型式:UV−2600)により波長400nm以上700nm以下の光を波長1nm間隔で照射して明度を測定した。

(試料の作製条件)
実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
[実施例1]
(密着層形成工程)
幅500mm、厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート樹脂(PET)製の透明基材を図5に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置50にセットした。
In the following examples and comparative examples, except that the cross section of the surface parallel to the stacking direction of each layer of the conductive substrate further forms an adhesion layer between the transparent base material 11 and the metal layer 12. A conductive substrate having the same configuration as that of FIG. 1A is manufactured. Therefore, the specular reflectance was measured by irradiating the surface 13a of the blackening layer 13 with light. Further, in the case of the following brightness, the surface 13a is similarly irradiated with light for measurement.
(brightness)
On the surface of the blackened layer of the conductive substrate produced in the following examples and comparative examples, light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is emitted at intervals of 1 nm by an ultraviolet-visible spectrophotometer (model: UV-2600 manufactured by Shimadzu Corporation). The brightness was measured by irradiation.

(Sample preparation conditions)
As an example and a comparative example, a conductive substrate was produced under the conditions described below, and evaluation was performed by the above-mentioned evaluation method.
[Example 1]
(Adhesion layer forming process)
A transparent base material made of polyethylene terephthalate resin (PET) having a width of 500 mm and a thickness of 100 μm was set in the roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG.

なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をJIS K 7361−1に規定された方法により評価を行ったところ97%であった。 Regarding the transparent base material made of polyethylene terephthalate resin used as the transparent base material, the total light transmittance was evaluated by the method specified in JIS K 7361-1 and found to be 97%.

そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50により、透明基材の一方の主平面に密着層を成膜した。密着層としては酸素を含有するNi−Cr合金層を形成した。 Then, a close contact layer was formed on one main plane of the transparent substrate by the roll-to-roll sputtering apparatus 50. As the adhesion layer, a Ni—Cr alloy layer containing oxygen was formed.

密着層の成膜条件について説明する。 The film forming conditions of the adhesion layer will be described.

図5に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置50のスパッタリングカソード54a〜54dにNi−17重量%Cr合金のターゲットを接続した。 A target of Ni-17 wt% Cr alloy was connected to the sputtering cathodes 54a to 54d of the roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG.

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50のヒーター61を60℃に加熱し、透明基材を加熱し、透明基材中に含まれる水分を除去した。 The heater 61 of the roll-to-roll sputtering apparatus 50 was heated to 60 ° C. to heat the transparent base material, and the water contained in the transparent base material was removed.

続いて筐体51内を1×10−3Paまで排気した後、アルゴンガスと酸素ガスとを導入し、筐体51内の圧力が1.3Paになるように調整した。この際、筐体51内の雰囲気が体積比で30%酸素、残部がアルゴンになるようにアルゴンガスと酸素ガスの供給量を調整した。Subsequently, after exhausting the inside of the housing 51 to 1 × 10 -3 Pa, argon gas and oxygen gas were introduced, and the pressure inside the housing 51 was adjusted to 1.3 Pa. At this time, the supply amounts of argon gas and oxygen gas were adjusted so that the atmosphere inside the housing 51 was 30% oxygen by volume and the balance was argon.

そして、透明基材を巻出ロール52から搬送しながら、スパッタリングカソード54a〜54dに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、透明基材上に所望の密着層を連続成膜した。係る操作により透明基材の一方の主平面上に密着層を厚さ20nmになるように成膜した。
(金属層形成工程)
金属層形成工程では、金属薄膜層形成工程と、金属めっき層形成工程と、を実施した。
Then, while transporting the transparent base material from the unwinding roll 52, electric power is supplied from the DC power source for sputtering connected to the sputtering cathodes 54a to 54d to perform sputtering discharge, and a desired adhesion layer is continuously formed on the transparent base material. Membrane. By this operation, a adhesion layer was formed on one main plane of the transparent substrate so as to have a thickness of 20 nm.
(Metal layer forming process)
In the metal layer forming step, a metal thin film layer forming step and a metal plating layer forming step were carried out.

まず、金属薄膜層形成工程について説明する。 First, the metal thin film layer forming step will be described.

密着層上にロール・ツー・ロールスパッタリング装置50により金属薄膜層を成膜した。金属薄膜層としては銅薄膜層を形成した。 A metal thin film layer was formed on the close contact layer by the roll-to-roll sputtering apparatus 50. A copper thin film layer was formed as the metal thin film layer.

金属薄膜層形成工程では、図5に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置50のスパッタリングカソード54a〜54dに銅のターゲットを接続して成膜し、基材としては、密着層形成工程で透明基材上に密着層を成膜したものを用いた。 In the metal thin film layer forming step, a copper target is connected to the sputtering cathodes 54a to 54d of the roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG. 5 to form a film, and the base material is a transparent group in the adhesion layer forming step. A material having an adhesion layer formed on the material was used.

金属薄膜層の成膜時の条件としては、以下の2点と上述のようにターゲットを変更した点以外は密着層形成工程と同様にして実施した。 The conditions for forming the metal thin film layer were the same as in the adhesion layer forming step except for the following two points and the point where the target was changed as described above.

筐体51内を1×10−3Paまで排気した後、アルゴンガスを導入し、筐体51内の圧力が1.3Paになるように調整した点。After exhausting the inside of the housing 51 to 1 × 10 -3 Pa, argon gas was introduced and the pressure inside the housing 51 was adjusted to 1.3 Pa.

金属薄膜層である銅薄膜層を膜厚が150nmになるように成膜した点。 A point in which a copper thin film layer, which is a metal thin film layer, is formed so as to have a film thickness of 150 nm.

次に、金属めっき層形成工程においては、金属めっき層として銅めっき層を形成した。電気めっき法により、銅めっき層を厚さが2.0μmになるように成膜した。
(黒化層形成工程)
めっき液中のNiと、Znとの重量比を94:6に調製した黒ニッケルめっき液である黒色ニッケル浴ブラックニッケルGT溶液(株式会社JCU製)を用い、電気めっき法により、金属層表面に黒化層を厚さが0.4μmとなるように成膜した。
Next, in the metal plating layer forming step, a copper plating layer was formed as the metal plating layer. A copper plating layer was formed to a thickness of 2.0 μm by an electroplating method.
(Blackening layer forming process)
Using a black nickel bath black nickel GT solution (manufactured by JCU Co., Ltd.), which is a black nickel plating solution prepared with a weight ratio of Ni in the plating solution to Zn at 94: 6, was applied to the surface of the metal layer by electroplating. The blackened layer was formed so as to have a thickness of 0.4 μm.

これにより、金属層の上面、すなわち、金属層の密着層と対向する面と反対側の面に黒化層を形成し、透明基材上に、密着層、金属層、黒化層がその順で積層された導電性基板が得られた。 As a result, a blackening layer is formed on the upper surface of the metal layer, that is, the surface of the metal layer opposite to the surface facing the adhesion layer, and the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer are arranged in this order on the transparent substrate. A conductive substrate laminated with the above was obtained.

得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表1に示す。 The composition, surface resistance, appearance, specular reflectance, and brightness of the blackened layer described above were evaluated for the obtained conductive substrate. The results are shown in Table 1.

なお、表1中「黒化層組成(Ni:Zn)」と記載しているものが作製した黒化層を上述のようにEPMAにより分析した値から算出した黒化層内のNiとZnの重量比率を示している。そして、「黒化層形成時のめっき液組成(Ni:Zn)」と記載しているものが、黒化層を作製する際のめっき液中のNiとZnの重量比率を示している。 It should be noted that the Ni and Zn in the blackened layer calculated from the values analyzed by EPMA as described above for the blackened layer prepared by the one described as "blackened layer composition (Ni: Zn)" in Table 1. Shows the weight ratio. The description of "plating solution composition (Ni: Zn) at the time of forming the blackened layer" indicates the weight ratio of Ni and Zn in the plating solution at the time of producing the blackened layer.

また、本実施例、及び以下の実施例、比較例における、表面抵抗についての測定値をグラフ化したものを図6に、正反射率についての測定値をグラフ化したものを図7に、明度についての測定値をグラフ化したものを図8にそれぞれ示す。 Further, in this example, and in the following examples and comparative examples, a graph of the measured values for surface resistance is shown in FIG. 6, and a graph of the measured values for specular reflectance is shown in FIG. 7. Brightness. FIG. 8 shows a graph of the measured values of the above.

本実験例で得られた導電性基板については、黒化層表面に形成するパターンに対応したマスクを形成するマスク配置工程を実施後、エッチング工程を実施した。エッチング工程で密着層、金属層、及び黒化層をエッチング液(塩化第二銅水溶液)によりエッチングすることにより、密着層、金属層、及び黒化層を図2A、図2Bに示したような直線形状の複数のパターンにパターニングした導電性基板が得られた。なお、図2A、図2Bにおいては密着層が配置されていない例が示されているが、本実施例では、金属層、及び黒化層と同じ形状にパターニングされた密着層が透明基材11と金属層22との間に配置されることになる。 For the conductive substrate obtained in this experimental example, an etching step was carried out after carrying out a mask arranging step of forming a mask corresponding to the pattern formed on the surface of the blackened layer. By etching the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer with an etching solution (aqueous cupric chloride solution) in the etching step, the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer are as shown in FIGS. 2A and 2B. A conductive substrate patterned in a plurality of linear patterns was obtained. Although the examples in which the adhesion layer is not arranged are shown in FIGS. 2A and 2B, in this embodiment, the metal layer and the adhesion layer patterned in the same shape as the blackening layer are transparent base materials 11. Will be arranged between the metal layer 22 and the metal layer 22.

また、ここまで説明した方法と同様の手順により、密着層、金属層、及び黒化層が上述の場合と同じ形状にパターニングされた導電性基板をもう1枚作製した。 Further, another conductive substrate in which the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same shape as in the above case was produced by the same procedure as the method described so far.

そして、作製した2枚の導電性基板を図3A、図3Bに示したように積層し、両導電性基板を接着剤により固定することによって積層導電性基板を作製した。なお、図3A、図3Bにおいても密着層が設けられていない例が示されているが、本実施例では透明基材111と金属層221との間、及び透明基材112と金属層222との間に、金属層221、金属層222と同じ形状にパターニングされた密着層が配置されている。
[実施例2]
黒化層形成工程において、めっき液中のNiと、Znとの重量比が88:12となるように調製した黒ニッケルめっき液である黒色ニッケル浴ブラックニッケルGT溶液(株式会社JCU製)を用いた点以外は実施例1と同様にして導電性基板を作製した。
Then, the two prepared conductive substrates were laminated as shown in FIGS. 3A and 3B, and both conductive substrates were fixed with an adhesive to prepare a laminated conductive substrate. Although an example in which the adhesion layer is not provided is also shown in FIGS. 3A and 3B, in this embodiment, between the transparent base material 111 and the metal layer 221 and between the transparent base material 112 and the metal layer 222. An adhesion layer patterned in the same shape as the metal layer 221 and the metal layer 222 is arranged between the two.
[Example 2]
In the blackening layer forming step, a black nickel bath black nickel GT solution (manufactured by JCU Co., Ltd.), which is a black nickel plating solution prepared so that the weight ratio of Ni in the plating solution to Zn is 88:12, is used. A conductive substrate was produced in the same manner as in Example 1 except for the above-mentioned points.

得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表1に示す。 The composition, surface resistance, appearance, specular reflectance, and brightness of the blackened layer described above were evaluated for the obtained conductive substrate. The results are shown in Table 1.

また、得られた導電性基板について、実施例1の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした。また、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした導電性基板をもう1枚作製した。そして、2枚の導電性基板を実施例1の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。
[実施例3]
黒化層形成工程において、めっき液中のNiと、Znとの重量比が44:56となるように調製した黒ニッケルめっき液である黒色ニッケル浴ブラックニッケルGT溶液(株式会社JCU製)を用いた点以外は実施例1と同様にして導電性基板を作製した。
Further, on the obtained conductive substrate, the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner as in the case of Example 1. Further, another conductive substrate in which the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner was produced. Then, the two conductive substrates were laminated and fixed in the same manner as in the case of Example 1 to prepare a laminated conductive substrate.
[Example 3]
In the blackening layer forming step, a black nickel bath black nickel GT solution (manufactured by JCU Co., Ltd.), which is a black nickel plating solution prepared so that the weight ratio of Ni in the plating solution to Zn is 44:56, is used. A conductive substrate was produced in the same manner as in Example 1 except for the above-mentioned points.

得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表1に示す。 The composition, surface resistance, appearance, specular reflectance, and brightness of the blackened layer described above were evaluated for the obtained conductive substrate. The results are shown in Table 1.

また、得られた導電性基板について、実施例1の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした。また、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした導電性基板をもう1枚作製した。そして、2枚の導電性基板を実施例1の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。
[比較例1]
黒化層形成工程において、めっき液中のNiと、Znとの重量比が100:0となるように調製したニッケルめっき液(株式会社JCU製)を用いた点以外は実施例1と同様にして導電性基板を作製した。
Further, on the obtained conductive substrate, the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner as in the case of Example 1. Further, another conductive substrate in which the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner was produced. Then, the two conductive substrates were laminated and fixed in the same manner as in the case of Example 1 to prepare a laminated conductive substrate.
[Comparative Example 1]
The same as in Example 1 except that a nickel plating solution (manufactured by JCU Co., Ltd.) prepared so that the weight ratio of Ni in the plating solution to Zn in the plating solution is 100: 0 was used in the blackening layer forming step. To prepare a conductive substrate.

得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表1に示す。 The composition, surface resistance, appearance, specular reflectance, and brightness of the blackened layer described above were evaluated for the obtained conductive substrate. The results are shown in Table 1.

また、得られた導電性基板について、実施例1の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした。また、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした導電性基板をもう1枚作製した。そして、2枚の導電性基板を実施例1の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。
[比較例2]
黒化層形成工程において、めっき液中のNiと、Znとの重量比が0:100となるように調製した亜鉛めっき液(株式会社JCU製)を用いた点以外は実施例1と同様にして導電性基板を作製した。
Further, on the obtained conductive substrate, the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner as in the case of Example 1. Further, another conductive substrate in which the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner was produced. Then, the two conductive substrates were laminated and fixed in the same manner as in the case of Example 1 to prepare a laminated conductive substrate.
[Comparative Example 2]
In the blackening layer forming step, the same as in Example 1 except that a zinc plating solution (manufactured by JCU Co., Ltd.) prepared so that the weight ratio of Ni in the plating solution to Zn is 0: 100 was used. To prepare a conductive substrate.

得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表1に示す。 The composition, surface resistance, appearance, specular reflectance, and brightness of the blackened layer described above were evaluated for the obtained conductive substrate. The results are shown in Table 1.

また、得られた導電性基板について、実施例1の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした。また、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした導電性基板をもう1枚作製した。そして、2枚の導電性基板を実施例1の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。 Further, on the obtained conductive substrate, the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner as in the case of Example 1. Further, another conductive substrate in which the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner was produced. Then, the two conductive substrates were laminated and fixed in the same manner as in the case of Example 1 to prepare a laminated conductive substrate.

Figure 0006905828
表1、及び図6〜図8に示した結果から、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層を有する実施例1〜実施例3の導電性基板については、黒化層表面での反射率(正反射率)が35%以下、表面抵抗が0.06Ω/□未満、明度(L)が60以下となっていることを確認できた。これらの結果から、実施例1〜実施例3の導電性基板は、金属層表面での反射を抑制しつつも、電気抵抗値が小さい導電性基板が得られていることを確認できた。また、明度も60以下になっていることから、密着層、金属層、及び黒化層をパターン化した場合に、パターン化した密着層、金属層、及び黒化層の積層体が目立たなくなることも確認できた。さらに、実施例1〜実施例3の導電性基板については外観評価が〇または△であり、黒化層表面での色ムラも十分に抑制できていることを確認できた。
Figure 0006905828
From the results shown in Table 1 and FIGS. 6 to 8, the reflectance of the conductive substrates of Examples 1 to 3 having the blackening layer containing nickel and zinc (reflectance on the surface of the blackening layer ( It was confirmed that the specular reflectance) was 35% or less, the surface resistance was less than 0.06Ω / □, and the brightness (L * ) was 60 or less. From these results, it was confirmed that the conductive substrates of Examples 1 to 3 were obtained with a small electric resistance value while suppressing reflection on the surface of the metal layer. Further, since the brightness is also 60 or less, when the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer are patterned, the laminated body of the patterned adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer becomes inconspicuous. Was also confirmed. Further, the appearance evaluation of the conductive substrates of Examples 1 to 3 was 〇 or Δ, and it was confirmed that the color unevenness on the surface of the blackened layer could be sufficiently suppressed.

これに対して、黒化層が亜鉛を含まない比較例1と、黒化層がニッケルを含まない比較例2の導電性基板については、反射率がそれぞれ35.20%、66.50%と高く、金属層表面での反射を十分に抑制できていないことを確認できた。また、特に比較例2については外観評価が×となっており、黒化層表面での色ムラがきつくなっていることが確認できた。 On the other hand, the reflectances of the conductive substrates of Comparative Example 1 in which the blackening layer does not contain zinc and Comparative Example 2 in which the blackening layer does not contain nickel are 35.20% and 66.50%, respectively. It was confirmed that it was high and the reflection on the surface of the metal layer could not be sufficiently suppressed. Further, in particular, in Comparative Example 2, the appearance evaluation was ×, and it was confirmed that the color unevenness on the surface of the blackened layer became severe.

また、実施例1〜実施例3の積層導電性基板とした場合についても、金属層表面での光の反射を抑制できており、密着層、金属層、及び黒化層の積層体が目立たなくなっていることを確認できた。 Further, also in the case of using the laminated conductive substrate of Examples 1 to 3, the reflection of light on the surface of the metal layer can be suppressed, and the laminated body of the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer becomes inconspicuous. I was able to confirm that.

以上の結果から、透明基材上に、金属層と、湿式法により形成されたニッケルと亜鉛とを含有する黒化層を備えた導電性基板においては、電気抵抗値が小さく、光の反射を十分に抑制できることを確認できた。また、湿式法により黒化層を形成できるため生産性良く製造できることを確認できた。 From the above results, the conductive substrate provided with the metal layer and the blackening layer containing nickel and zinc formed by the wet method on the transparent substrate has a small electric resistance value and reflects light. It was confirmed that it could be sufficiently suppressed. In addition, it was confirmed that the blackened layer can be formed by the wet method, so that the product can be produced with high productivity.

以上に導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。 The conductive substrate, the laminated conductive substrate, the method for manufacturing the conductive substrate, and the method for manufacturing the laminated conductive substrate have been described above in the embodiments and examples, but the present invention has been described in the above-described embodiments and examples. Not limited. Various modifications and changes are possible within the scope of the gist of the present invention described in the claims.

本出願は、2014年6月30日に日本国特許庁に出願された特願2014−135123号に基づく優先権を主張するものであり、特願2014−135123号の全内容を本国際出願に援用する。 This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2014-135123 filed with the Japan Patent Office on June 30, 2014, and the entire contents of Japanese Patent Application No. 2014-135123 are included in this international application. Invite.

10A、10B、20、201、202、40 導電性基板
11、111、112 透明基材
12、12A、12B、22、221、222、42A、42B 金属層
13、13A、13B、23、231、232、43A、43B 黒化層
30 積層導電性基板
10A, 10B, 20, 201, 202, 40 Conductive substrate 11, 111, 112 Transparent substrate 12, 12A, 12B, 22, 222, 222, 42A, 42B Metal layer 13, 13A, 13B, 23, 231, 232 , 43A, 43B Blackened layer 30 Laminated conductive substrate

Claims (7)

透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された酸素を含有するNi−Cr合金層である密着層と
前記密着層上に形成された金属層と、
前記金属層上に湿式法により形成された、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層と、を有する導電性基板。
With a transparent base material
An adhesion layer which is an oxygen-containing Ni—Cr alloy layer formed on at least one surface of the transparent substrate, and a metal layer formed on the adhesion layer.
A conductive substrate having a blackening layer containing nickel and zinc formed on the metal layer by a wet method.
前記黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうち、ニッケルの占める割合が重量比で40wt%以上99wt%以下である請求項1に記載の導電性基板。 The conductive substrate according to claim 1, wherein the proportion of nickel in the nickel and zinc contained in the blackening layer is 40 wt% or more and 99 wt% or less in terms of weight ratio. 前記密着層、前記金属層、及び前記黒化層がパターン化されている請求項1または2に記載の導電性基板。 The conductive substrate according to claim 1 or 2, wherein the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer are patterned. 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板。 A laminated conductive substrate in which a plurality of conductive substrates according to any one of claims 1 to 3 are laminated. 透明基材の少なくとも一方の面上に酸素を含有するNi−Cr合金層である密着層を形成する密着層形成工程と、
前記密着層上に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層上に湿式法により、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有する導電性基板の製造方法。
An adhesion layer forming step of forming an adhesion layer, which is a Ni—Cr alloy layer containing oxygen, on at least one surface of the transparent base material.
A metal layer forming step of forming a metal layer on the close contact layer, and
A method for producing a conductive substrate, comprising a blackening layer forming step of forming a blackening layer containing nickel and zinc on the metal layer by a wet method.
前記密着層、前記金属層、及び前記黒化層をパターニングするパターニング工程を有する請求項5に記載の導電性基板の製造方法。 The method for manufacturing a conductive substrate according to claim 5, further comprising a patterning step of patterning the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer. 請求項5または6に記載の導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を複数枚積層する積層工程を有する積層導電性基板の製造方法。 A method for manufacturing a laminated conductive substrate, which comprises a laminating step of laminating a plurality of conductive substrates obtained by the method for producing a conductive substrate according to claim 5 or 6.
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