JP6904694B2 - Board processing equipment - Google Patents

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健司 坂下
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Description

本発明の実施形態は、基板処理装置に関する。 Embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus.

液晶表示装置などの製造工程において、基板処理装置が用いられている。この基板処理装置は、処理室内で基板に処理液(例えば、薬液や洗浄液など)を供給し、基板の被処理面を処理する。基板処理装置の処理室の天井には、処理液の液滴が付着することがある。この天井に付着した液滴が、天井から落下して基板に付着すると、基板乾燥後、基板にシミができてしまう。しかも、天井に付着している液滴は、天井に付着していたゴミなどを含むから、前述のシミは発生しやすい。
このシミになった箇所は、基板が液晶表示装置として製品化された際に液晶画面に残るため、その液晶表示装置は不良品となる。
A substrate processing device is used in a manufacturing process of a liquid crystal display device or the like. This substrate processing apparatus supplies a processing liquid (for example, a chemical solution, a cleaning liquid, etc.) to the substrate in the processing chamber to treat the surface to be processed of the substrate. Droplets of the processing liquid may adhere to the ceiling of the processing room of the substrate processing apparatus. If the droplets adhering to the ceiling fall from the ceiling and adhere to the substrate, stains are formed on the substrate after the substrate is dried. Moreover, since the droplets adhering to the ceiling include dust and the like adhering to the ceiling, the above-mentioned stains are likely to occur.
This spot remains on the liquid crystal screen when the substrate is commercialized as a liquid crystal display device, so that the liquid crystal display device becomes a defective product.

そこで、前述のシミの発生を避けるため、天井を傾斜させて、天井に付着した液滴を基板側に落下させず、処理室の端へ回収する方法が採用されている。しかしながら、天井を傾斜させても、基板が大きくなればなるほど、天井の大きさも大きくなる。このため、天井に付着した液滴は、天井を伝わって処理室の端にたどり着くまでに他の液滴と一緒になり、重力(自重)に負けて基板側に落下しやすくなる。したがって、単純に天井を傾斜させても、液滴が処理室の端にたどり着く前に落下し、基板に付着することがあるため、シミが発生してしまう。 Therefore, in order to avoid the occurrence of the above-mentioned stains, a method is adopted in which the ceiling is tilted and the droplets adhering to the ceiling are collected to the edge of the processing chamber without falling to the substrate side. However, even if the ceiling is tilted, the larger the substrate, the larger the size of the ceiling. For this reason, the droplets adhering to the ceiling are combined with other droplets by the time they travel along the ceiling and reach the edge of the processing chamber, and are likely to lose gravity (self-weight) and fall to the substrate side. Therefore, even if the ceiling is simply tilted, the droplets may fall before reaching the edge of the processing chamber and adhere to the substrate, which causes stains.

特開2009−141182号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-141182

本発明が解決しようとする課題は、シミの発生を抑えることができる基板処理装置を提供することである。 An object to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the occurrence of stains.

本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
天井を有する処理室と、
前記処理室内に設けられ、基板を搬送する基板搬送部と、
前記処理室内に設けられ、前記天井から落下した液滴を受ける樋と
を有し、
前記天井は、前記基板搬送部による前記基板の搬送方向に沿って延びる、山部と谷部を有する形状に形成されており、
前記樋は、
前記谷部の延伸方向に沿って延びるように設けられているとともに、瓦状に積み重ねられて傾斜する複数の樋から構成され、傾斜方向に隣接する二つの樋のうち、高い位置の樋における低い側の端部が低い位置の樋における高い側の端部を非接触で覆うように設けられ、
前記低い位置の樋における高い側の端部は、前記高い位置の樋における低い側の端部に平行な第1の部分と、前記高い位置の樋から離れ、前記第1の部分よりも水平に近づく方向に延びる第2の部分と、からなることを特徴とする
The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention is
A processing room with a ceiling and
A substrate transporting unit provided in the processing chamber for transporting the substrate and
Provided in the processing chamber, a trough for receiving liquid droplets dropped from the ceiling,
Have,
The ceiling is formed in a shape having peaks and valleys extending along the transport direction of the substrate by the substrate transporting portion .
The gutter is
Both the provided so as to extend along the extending direction of the valley, is composed of a plurality of trough that is inclined stacked imbricated, of the two gutter adjacent to the inclined direction, the trough of the high position The lower end is provided so as to cover the higher end of the lower gutter in a non-contact manner.
The high end of the low gutter is separated from the first portion parallel to the low end of the high gutter and the high gutter and is more horizontal than the first portion. It is characterized by comprising a second portion extending in an approaching direction .

本発明の実施形態によれば、シミの発生を抑えることができる。 According to the embodiment of the present invention, the occurrence of stains can be suppressed.

第1の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図(図1中の2−2線断面図)である。It is sectional drawing (2-2 line sectional drawing in FIG. 1) which shows the schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows the schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る天井板の設置角度、液だれしない距離及び天井カバーの最大高さの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the installation angle of the ceiling board, the distance which does not drip, and the maximum height of a ceiling cover which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る処理室を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the processing chamber which concerns on 1st Embodiment. 第2の実施形態に係る基板処理装置が備える瓦重ね構造の樋を示す図である。It is a figure which shows the gutter of the tiled structure provided in the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る瓦重ね構造の樋を構成する各樋の鉛直離間距離を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the vertical separation distance of each gutter constituting the gutter of the tiled structure which concerns on 2nd Embodiment.

<第1の実施形態>
第1の実施形態について図1から図5を参照して説明する。
<First Embodiment>
The first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5.

(基本構成)
図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置1は、基板Wを処理するための処理室10と、処理室10内の空気を排出する排気部20と、基板Wを搬送する基板搬送部30と、搬送される基板Wに処理液(例えば、薬液又は洗浄液)を供給する処理液供給部40とを備えている。なお、処理対象の基板Wとしては、例えば、ガラスなどの矩形状の基板が用いられる。
(Basic configuration)
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment conveys a processing chamber 10 for processing the substrate W, an exhaust unit 20 for discharging air in the processing chamber 10, and the substrate W. It is provided with a substrate transporting unit 30 for supplying a processing liquid (for example, a chemical solution or a cleaning liquid) to the substrate W to be transported. As the substrate W to be processed, for example, a rectangular substrate such as glass is used.

処理室10は、基板Wが搬送される搬送路H1を内部に有する筐体であり、基板Wが搬送路H1に沿って処理室10内を通過することが可能に形成されている。この処理室10は、図1及び図2に示すように、天井カバー11及び複数の樋12を有している。なお、処理室10の底面には、処理液を排出する排出口(図示せず)が形成されており、この排出口から排出された処理液は、例えば貯留タンク(図示せず)などに回収される。 The processing chamber 10 is a housing having a transport path H1 to which the substrate W is transported, and is formed so that the substrate W can pass through the processing chamber 10 along the transport path H1. As shown in FIGS. 1 and 2, the processing chamber 10 has a ceiling cover 11 and a plurality of gutters 12. A discharge port (not shown) for discharging the treatment liquid is formed on the bottom surface of the treatment chamber 10, and the treatment liquid discharged from this discharge port is collected in, for example, a storage tank (not shown). Will be done.

天井カバー11は、図2に示すように、その断面が三角波形状に形成されており、複数の天井板11aにより構成されている。この天井カバー11は処理室10の天井として機能する。各天井板11aは、それぞれ長尺の長方形状に形成されており、各長手方向を搬送方向A1に沿わせて位置付けられ、さらに、搬送方向A1に水平に直交する方向に山部Tと谷部Bを繰り返し形成するように設けられている。これらの天井板11aは、処理室10における搬送方向A1の両側の壁上に固定されている。各天井板11aの材料としては、例えば、樹脂やガラス、金属などを用いることが可能である。なお、一例として、天井カバー11の各山部Tの高さは一定である。 As shown in FIG. 2, the ceiling cover 11 has a triangular cross section formed in a triangular wave shape, and is composed of a plurality of ceiling plates 11a. The ceiling cover 11 functions as the ceiling of the processing chamber 10. Each ceiling plate 11a is formed in a long rectangular shape, is positioned along the transport direction A1 in each longitudinal direction, and further, a mountain portion T and a valley portion in a direction horizontally orthogonal to the transport direction A1. It is provided so as to repeatedly form B. These ceiling plates 11a are fixed on the walls on both sides of the transport direction A1 in the processing chamber 10. As the material of each ceiling plate 11a, for example, resin, glass, metal, or the like can be used. As an example, the height of each mountain portion T of the ceiling cover 11 is constant.

各樋12は、上部が開口する長尺の軒樋形状に形成されている。これらの樋12のうち二つの樋12が、それぞれの長手方向を搬送方向A1に沿わして天井カバー11の谷部Bの直下に設けられている。この二つの樋12は、搬送方向A1に沿って、例えば搬送方向A1の下流側に向かって徐々に低くなるように傾斜している。また、一つの回収樋13は、図3に示すように、前述の二つの樋12からの処理液を受ける位置、例えば、処理室10における搬送方向A1の下流側の端部に設けられている。この回収樋13は、搬送方向A1に水平に直交する方向に沿って、例えば処理室10の右側(図3中)の側壁に向かって徐々に低くなるように傾斜している。 Each gutter 12 is formed in the shape of a long eaves gutter with an opening at the top. Two of these gutters 12 are provided in the longitudinal direction of each gutter 12 along the transport direction A1 and directly below the valley portion B of the ceiling cover 11. The two gutters 12 are inclined along the transport direction A1 so as to be gradually lowered toward, for example, the downstream side of the transport direction A1. Further, as shown in FIG. 3, one recovery gutter 13 is provided at a position for receiving the treatment liquid from the above-mentioned two gutters 12, for example, at the downstream end of the transport direction A1 in the treatment chamber 10. .. The recovery gutter 13 is inclined so as to be gradually lowered toward the side wall on the right side (in FIG. 3) of the processing chamber 10, for example, along a direction horizontally orthogonal to the transport direction A1.

ここで、図2に示すように、天井カバー11の天井板11aに付着した液滴は、重力によって流れ出すと、天井板11aの下面に沿って天井カバー11の谷部Bに向かって移動する。その液滴が天井カバー11の谷部Bの下端から落下すると、その谷部Bの下方に位置する樋12によって受けられ、その樋12の内面を流れていく。この液滴は、前述の下流側の端部に位置する回収樋13に流れ込み、回収13の内面を流れて処理室10の内側面にまで到達し、その内側面に沿って流れ落ちていく。 Here, as shown in FIG. 2, when the droplets adhering to the ceiling plate 11a of the ceiling cover 11 flow out due to gravity, they move toward the valley portion B of the ceiling cover 11 along the lower surface of the ceiling plate 11a. When the droplet falls from the lower end of the valley portion B of the ceiling cover 11, it is received by the gutter 12 located below the valley portion B and flows through the inner surface of the gutter 12. The droplets flow into the recovery gutter 13 located at the downstream end, flow through the inner surface of the recovery gutter 13, reach the inner surface of the processing chamber 10, and flow down along the inner surface.

図1に戻り、排気部20は、処理室10内に配管(図示せず)を介して接続されており、処理室10内の空気を排出する。これにより、処理室10内で発生するミストが除去されるので、基板搬送部30により搬送されている基板Wにミストが付着することを抑えることができる。例えば、ミストは、処理液供給部40により供給される処理液が基板Wに当たって舞い上がることにより発生する。 Returning to FIG. 1, the exhaust unit 20 is connected to the processing chamber 10 via a pipe (not shown), and exhausts the air in the processing chamber 10. As a result, the mist generated in the processing chamber 10 is removed, so that it is possible to prevent the mist from adhering to the substrate W transported by the substrate transport unit 30. For example, the mist is generated when the processing liquid supplied by the processing liquid supply unit 40 hits the substrate W and soars up.

基板搬送部30は、長尺の複数の搬送ローラ31を有している。これらの搬送ローラ31は、各長手方向が基板Wの搬送方向A1に水平に直交するように設けられ、搬送路H1を形成するように所定間隔で並べられている。各搬送ローラ31は、回転可能に設けられており、互いに同期して回転する構造に形成されている。この基板搬送部30は、搬送ローラ31上に載置された基板Wを搬送ローラ31の回転によって搬送する。 The substrate transport unit 30 has a plurality of long transport rollers 31. These transport rollers 31 are provided so that their longitudinal directions are perpendicular to the transport direction A1 of the substrate W, and are arranged at predetermined intervals so as to form a transport path H1. Each transport roller 31 is rotatably provided and is formed in a structure that rotates in synchronization with each other. The substrate transfer unit 30 conveys the substrate W placed on the transfer roller 31 by the rotation of the transfer roller 31.

処理液供給部40は、搬送路H1を挟むように搬送路H1の上下に設けられた第1の処理液供給ヘッド41及び第2の処理液供給ヘッド42を備えている。第1の処理液供給ヘッド41は、上方位置から搬送路H1に向けて、例えばシャワー状に処理液を吐出する。また、第2の処理液供給ヘッド42は、下方位置から搬送ローラ31を避けて搬送路H1に向けて、例えばシャワー状に処理液を吐出する。この処理液供給部40は、第1の処理液供給ヘッド41及び第2の処理液供給ヘッド42から処理液を搬送路H1に向けて吐出し、その搬送路H1を移動する基板Wの両面(上面及び下面)に処理液を供給する。 The treatment liquid supply unit 40 includes a first treatment liquid supply head 41 and a second treatment liquid supply head 42 provided above and below the transport passage H1 so as to sandwich the transport passage H1. The first processing liquid supply head 41 discharges the processing liquid from the upper position toward the transport path H1, for example, in a shower shape. Further, the second processing liquid supply head 42 discharges the processing liquid from the lower position toward the transport path H1 while avoiding the transport roller 31, for example, in a shower shape. The treatment liquid supply unit 40 discharges the treatment liquid from the first treatment liquid supply head 41 and the second treatment liquid supply head 42 toward the transport path H1, and both sides of the substrate W that moves the transport path H1 ( The treatment liquid is supplied to the upper surface and the lower surface).

(天井板の設置角度及び使用枚数の決定方法)
次に、天井板11aの設置角度及び使用枚数の決定方法について図4を参照して説明する。
(How to determine the installation angle of the ceiling board and the number of sheets used)
Next, a method of determining the installation angle of the ceiling plate 11a and the number of sheets to be used will be described with reference to FIG.

図4に示すように、天井板11aの設置角度、液だれしない距離(液滴が落下せずに流れる距離)及び天井カバーの最大高さの関係を示すデータが予め実験等により求められている。液だれしない距離は、天井カバー11の設置角度θの増大に応じて長くなる。これは、天井カバー11に付着した液滴が流れる速度が増すことにより、落下するまで移動距離が長くなるからである。図4のデータは、天井カバー11の材料としてガラスを想定し、ガラス基板に水滴を複数付着させ、水滴が落下するまでのガラス基板上での最短距離をガラス基板の傾斜角度毎に実験的に求めたものである。図5に模式的に示す処理室において、装置幅をa、処理室高さをb、天井カバー11の高さをc、処理室奥行き(基板搬送方向)長さをd(不図示)、天井板11aの水平面に対する傾斜角度(鋭角)をθとする。天井カバー11の高さcは天井カバー11の谷部Bから山部Tまでの鉛直な長さであり、装置幅a(処理室10の幅)は処理室10における搬送方向A1に直交する水平な長さとする。以下、それぞれa=2730mm、d=3000mmとして考える。 As shown in FIG. 4, data showing the relationship between the installation angle of the ceiling plate 11a, the distance at which the liquid does not drip (the distance through which the droplets flow without falling), and the maximum height of the ceiling cover are obtained in advance by experiments or the like. .. The distance at which the liquid does not drip increases as the installation angle θ of the ceiling cover 11 increases. This is because the speed at which the droplets adhering to the ceiling cover 11 flow increases, so that the moving distance becomes longer until the droplets fall. The data in FIG. 4 assumes glass as the material of the ceiling cover 11, attaches a plurality of water droplets to the glass substrate, and experimentally sets the shortest distance on the glass substrate until the water droplets fall for each inclination angle of the glass substrate. This is what I asked for. In the processing chamber schematically shown in FIG. 5, the device width is a, the processing chamber height is b, the height of the ceiling cover 11 is c, the processing chamber depth (board transport direction) length is d (not shown), and the ceiling. Let θ be the inclination angle (acute angle) of the plate 11a with respect to the horizontal plane. The height c of the ceiling cover 11 is a vertical length from the valley portion B to the mountain portion T of the ceiling cover 11, and the device width a (width of the processing chamber 10) is horizontal perpendicular to the transport direction A1 in the processing chamber 10. Length. Hereinafter, it is considered that a = 2730 mm and d = 3000 mm, respectively.

液だれしない距離は、天井板11aの設置角度θの増大に応じて長くなる。天井カバー11の最大高さは、
天井カバーの最大高さ=天井板の長さL1×sinθ
の式から求められる(図2参照)。この天井カバー11の高さcは、天井板11aの設置角度θの増大に応じて高くなる。なお、前述の天井板11aの設置角度θと液だれしない距離との関係は実験的に予め求められている。
The distance at which the liquid does not drip increases as the installation angle θ of the ceiling plate 11a increases. The maximum height of the ceiling cover 11 is
Maximum height of ceiling cover = length of ceiling board L1 x sinθ
It can be obtained from the formula of (see FIG. 2). The height c of the ceiling cover 11 increases as the installation angle θ of the ceiling plate 11a increases. The relationship between the installation angle θ of the ceiling plate 11a and the distance at which the liquid does not drip has been experimentally obtained in advance.

前述のデータに基づいて、天井板11aの設置角度θ及び天井板11aの使用枚数が決定される。まず、天井カバー11の高さ許容範囲が処理室10の設置スペースによって決定され、その天井カバー11の高さ許容範囲の上限値に基づいて天井板11aの設置角度θ及び長さL1が決められる。この天井板11aの設置角度θ及び長さL1が決められると、装置幅aに基づいて天井板11aの枚数が決定される。ただし、天井板11aの設置角度θ及び使用枚数は、天井板11aの材質や使用する処理液の種類などによって変わるものである。 Based on the above data, the installation angle θ of the ceiling plate 11a and the number of used ceiling plates 11a are determined. First, the allowable height range of the ceiling cover 11 is determined by the installation space of the processing chamber 10, and the installation angle θ and the length L1 of the ceiling plate 11a are determined based on the upper limit of the allowable height range of the ceiling cover 11. .. When the installation angle θ and the length L1 of the ceiling plate 11a are determined, the number of ceiling plates 11a is determined based on the device width a. However, the installation angle θ of the ceiling plate 11a and the number of sheets used vary depending on the material of the ceiling plate 11a, the type of the treatment liquid used, and the like.

ここで、例えば、天井カバー11の高さ許容範囲の上限値が60mmである場合には、図4に示すデータから、天井板11aの設置高さが60mmより小さくなるよう、一例として天井板11aの長さは300mmに決定される。図4のデータにおいては、天井カバー11の最大高さが17.65〜104.19mmまでが示されている。ここで最も60mmに近い52.09mmの高さを選択する。この場合、天井板11aの長さは300mmであるから、この300mmに基づき、天井板11aの設置角度は20度に決定される。そして、2730mm/(300mm×cos20°)=約9.68となり、天井板11aの枚数は10枚程度に決定される。 Here, for example, when the upper limit of the height allowable range of the ceiling cover 11 is 60 mm, the ceiling plate 11a is used as an example so that the installation height of the ceiling plate 11a is smaller than 60 mm from the data shown in FIG. The length of is determined to be 300 mm. In the data of FIG. 4, the maximum height of the ceiling cover 11 is shown to be 17.65 to 104.19 mm. Here, the height of 52.09 mm, which is the closest to 60 mm, is selected. In this case, since the length of the ceiling plate 11a is 300 mm, the installation angle of the ceiling plate 11a is determined to be 20 degrees based on this 300 mm. Then, 2730 mm / (300 mm × cos 20 °) = about 9.68, and the number of ceiling plates 11a is determined to be about 10.

また、12の長さおよび設置角度は、図4に示すデータ同様に、予め実験等で求めておき、この実験データに基づいて、液だれしないように決定することができる。 Further, the length and the installation angle of the gutter 12 can be obtained in advance by an experiment or the like as in the data shown in FIG. 4, and can be determined based on the experimental data so as not to drip.

(基板処理工程)
次に、前述の基板処理装置1が行う基板処理工程について説明する。
(Substrate processing process)
Next, the substrate processing step performed by the substrate processing apparatus 1 described above will be described.

処理室10は排気部20により排気されている。基板搬送部30の各搬送ローラ31が回転し、それらの搬送ローラ31上の基板Wは所定の搬送方向A1に搬送され、搬送路H1に沿って移動する。この搬送路H1中の液供給位置には、その上方から処理液が第1の処理液供給ヘッド41によって予め供給されており、さらに、下方からも処理液が第2の処理液供給ヘッド42によって予め供給されている。この液供給状態で、基板Wが搬送路H1中の液供給位置を通過すると、基板Wの両面(上面及び下面)に処理液が供給され、基板Wが処理液により処理されていく。このとき、基板Wの両面から落下した処理液は処理室10の底面の排出口から排出される。 The processing chamber 10 is exhausted by the exhaust unit 20. Each of the transport rollers 31 of the substrate transport unit 30 rotates, and the substrate W on the transport rollers 31 is transported in the predetermined transport direction A1 and moves along the transport path H1. The treatment liquid is supplied in advance to the liquid supply position in the transport path H1 from above by the first treatment liquid supply head 41, and further, the treatment liquid is also supplied from below by the second treatment liquid supply head 42. It is supplied in advance. When the substrate W passes through the liquid supply position in the transport path H1 in this liquid supply state, the treatment liquid is supplied to both surfaces (upper surface and lower surface) of the substrate W, and the substrate W is treated by the treatment liquid. At this time, the processing liquid that has fallen from both sides of the substrate W is discharged from the discharge port on the bottom surface of the processing chamber 10.

この基板処理工程では、基板Wからの液跳ねやミストなどにより、液滴が各天井板11aの下面に付着することがある。天井板11aの下面に付着した液滴は、ある程度の大きさ以上であると、あるいは、ある程度の大きさ以上になると、重力によって移動し始める。この液滴は、重力に応じて天井板11aの下面に沿って移動し、天井カバー11の谷部Bの下端に集まるように流れる。その後、谷部Bに到達した液滴は、天井カバー11の谷部Bの下端から落下すると、その谷部Bの直下に位置する樋12によって受け取られる。樋12により受け取られた液滴は、そのまま樋12の内面(上面)を流れていき、その樋12の下流端に位置する回収樋13に流れ込む。この回収樋13に流れ込んだ液適は、そのまま回収樋13の内面を流れていき、処理室10の内側面に到達すると、その内側面に沿って流れ落ちていく。 In this substrate processing step, droplets may adhere to the lower surface of each ceiling plate 11a due to liquid splashing from the substrate W, mist, or the like. When the droplets adhering to the lower surface of the ceiling plate 11a are larger than a certain size or larger than a certain size, they start to move due to gravity. The droplets move along the lower surface of the ceiling plate 11a in response to gravity, and flow so as to collect at the lower end of the valley portion B of the ceiling cover 11. After that, when the droplet that has reached the valley portion B falls from the lower end of the valley portion B of the ceiling cover 11, it is received by the gutter 12 located directly below the valley portion B. The droplets received by the gutter 12 flow as they are on the inner surface (upper surface) of the gutter 12 and flow into the recovery gutter 13 located at the downstream end of the gutter 12. The liquid suitability that has flowed into the recovery gutter 13 flows through the inner surface of the recovery gutter 13 as it is, and when it reaches the inner surface of the processing chamber 10, it flows down along the inner surface thereof.

このように、天井板11aの下面に付着した液滴は、重力に負けて落下する前に天井カバー11の谷部Bの下端に到達する。つまり、天井板11aの下面に付着した液滴は、重力に負けて落下する前に谷部Bの下端に集められ、その谷部Bの下端から落下すると、樋12により受けられることになる。したがって、天井板11aの下面に付着した液滴は、基板W側に落下せず、天井カバー11の谷部Bの下端まで流れるため、液滴が基板W上に落下することを抑制することが可能であり、基板Wへの液付着によるシミの発生を抑えることができる。 In this way, the droplets adhering to the lower surface of the ceiling plate 11a reach the lower end of the valley portion B of the ceiling cover 11 before falling due to gravity. That is, the droplets adhering to the lower surface of the ceiling plate 11a are collected at the lower end of the valley portion B before falling due to gravity, and when the droplets fall from the lower end of the valley portion B, they are received by the gutter 12. Therefore, the droplets adhering to the lower surface of the ceiling plate 11a do not fall to the substrate W side but flow to the lower end of the valley portion B of the ceiling cover 11, so that the droplets can be prevented from falling onto the substrate W. This is possible, and the occurrence of stains due to liquid adhesion to the substrate W can be suppressed.

なお、天井板11aの設置角度が大きく、あるいは、天井板11aの長さが長くなると、天井カバー11の高さが高くなり、装置全体は大型化してしまう。また、万一液滴が落下した場合には、天井カバー11の高さが高いほど、基板Wに落下したときの衝撃が強くなるため、その衝撃によって基板W上に形成された液膜の厚みが乱れて不均一になり、処理も不均一になってしまうことがある。さらに、天井カバー11の高さが高くなると、それに伴って処理室10の体積が大きくなるため、排気に要する力が大きくなる。あるいは、処理室10内の一部分のみが排気され、処理室10内の排気口(図示せず)から離れた箇所は十分に排気されないなどの問題が生じる。これらのことから、天井を高くすることを避けることが望ましい。 If the installation angle of the ceiling plate 11a is large or the length of the ceiling plate 11a is long, the height of the ceiling cover 11 becomes high and the entire device becomes large. Further, in the unlikely event that a droplet falls, the higher the height of the ceiling cover 11, the stronger the impact when the droplet falls on the substrate W, so that the thickness of the liquid film formed on the substrate W due to the impact becomes stronger. Is disturbed and becomes non-uniform, and the processing may also become non-uniform. Further, as the height of the ceiling cover 11 increases, the volume of the processing chamber 10 increases accordingly, so that the force required for exhaust increases. Alternatively, there arises a problem that only a part of the inside of the processing chamber 10 is exhausted and the portion of the processing chamber 10 away from the exhaust port (not shown) is sufficiently exhausted. For these reasons, it is desirable to avoid raising the ceiling.

そこで、シミの発生を抑えることを実現しつつ、天井板11aの設置角度を小さく、あるいは、天井板11aの長さを短くすることによって、天井カバー11の高さ、すなわち処理室10の高さを抑え、設置スペース化を実現することができる。さらに、万一液滴が基板Wに落下したとしても基板Wに与える衝撃を小さくすることが可能であり、基板Wの処理が不均一になることを抑制することができる。また、天井カバー11の高さを抑えることで、処理室10の体積を減らすことが可能となるので、排気部20による排気効率を向上させることができる。その結果、処理室10内のミストを確実に除去することが可能であり、基板Wへの液付着によるシミの発生をより確実に抑えることができる。 Therefore, the height of the ceiling cover 11, that is, the height of the processing chamber 10 is achieved by reducing the installation angle of the ceiling plate 11a or shortening the length of the ceiling plate 11a while suppressing the occurrence of stains. It is possible to reduce the number of installation spaces and realize an installation space. Further, even if the droplet should fall on the substrate W, the impact on the substrate W can be reduced, and it is possible to prevent the processing of the substrate W from becoming non-uniform. Further, by suppressing the height of the ceiling cover 11, the volume of the processing chamber 10 can be reduced, so that the exhaust efficiency by the exhaust unit 20 can be improved. As a result, the mist in the processing chamber 10 can be reliably removed, and the occurrence of stains due to liquid adhesion to the substrate W can be more reliably suppressed.

以上説明したように、第1の実施形態によれば、天井カバー11は山部Tと谷部Bを有する形状に形成されており、樋12は天井カバー11の谷部Bの直下から水平方向に沿って、例えば処理室10の内側面に向かって延びるように設けられている。このため、天井板11aの下面に付着した液滴は、重力に負けて落下する前に天井カバー11の谷部Bの下端に到達し、その下端から落下して樋12により受けられる。これにより、液滴が基板W側に落下せず、樋12によって処理室10の端まで流れるので、基板Wへの液滴付着によるシミの発生を抑えることができる。なお、樋12が水平方向に沿って延びるということは、樋12が水平方向に平行に延びている場合や徐々に傾斜して延びている場合などを含む。 As described above, according to the first embodiment, the ceiling cover 11 is formed in a shape having a mountain portion T and a valley portion B, and the gutter 12 is in the horizontal direction from directly below the valley portion B of the ceiling cover 11. Along the above, for example, it is provided so as to extend toward the inner surface of the processing chamber 10. Therefore, the droplets adhering to the lower surface of the ceiling plate 11a reach the lower end of the valley portion B of the ceiling cover 11 before falling due to gravity, fall from the lower end, and are received by the gutter 12. As a result, the droplets do not fall to the substrate W side and flow to the edge of the processing chamber 10 by the gutter 12, so that the generation of stains due to the droplet adhesion to the substrate W can be suppressed. The fact that the gutter 12 extends along the horizontal direction includes a case where the gutter 12 extends in parallel in the horizontal direction and a case where the gutter 12 gradually inclines and extends.

<第2の実施形態>
第2の実施形態について図6及び図7を参照して説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点(樋12の構造)について説明し、その他の説明を省略する。
<Second embodiment>
The second embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7. In the second embodiment, the difference from the first embodiment (structure of the gutter 12) will be described, and other description will be omitted.

図6に示すように、第2の実施形態に係る樋12は、複数の樋12aにより構成されている。これらの樋12aは、同じ傾斜角度で傾斜して互いに平行に配置されており、同じ傾斜方向に並ぶように設けられている。傾斜方向に隣接する二つの樋12aは、高い位置の樋12aの一部が低い位置の樋12aの一部と接触しないで重なるように、すなわち、高い位置の樋12aにおける低い側の端部B1が低い位置の樋12aにおける高い側の端部B2を非接触で覆うように設けられている。この端部B1と端部B2との鉛直離間距離は、例えば、1cm程度に設定されている。 As shown in FIG. 6, the gutter 12 according to the second embodiment is composed of a plurality of gutters 12a. These gutters 12a are inclined at the same inclination angle and arranged in parallel with each other, and are provided so as to be arranged in the same inclination direction. The two gutters 12a adjacent to each other in the inclination direction overlap each other so that a part of the high gutter 12a does not contact the part of the low gutter 12a, that is, the lower end B1 of the high gutter 12a. Is provided so as to cover the high end portion B2 of the gutter 12a at the low position in a non-contact manner. The vertical separation distance between the end portion B1 and the end portion B2 is set to, for example, about 1 cm.

基板処理工程では、基板Wからの液跳ねやミストなどにより、液滴が各樋12aの下面に付着することがある。樋12aの下面に付着した液滴は、ある程度の大きさ以上であると、あるいは、ある程度の大きさ以上になると、重力によって移動し始める。この液滴は、重力に応じて樋12aの下面に沿って移動し、その樋12aの端部B1の下面から、その隣の樋12aの端部B2の上面(内面)に移る。その後、端部B2の上面に移った液滴は、樋12aの上面に沿って流れていくことになる。なお、樋12が搬送方向A1に沿う樋である場合には、最下流の樋12aの下面に付着した液滴は、その下面に沿って移動し、そのまま他の樋12aに流れ込む。また、樋12が搬送方向A1に水平に直交する方向に沿う樋である場合には、最下流の樋12aの下面に付着した液滴は、その下面に沿って処理室10の内側面にまで到達し、その内側面に沿って流れ落ちていく。 In the substrate processing step, droplets may adhere to the lower surface of each gutter 12a due to liquid splashing from the substrate W, mist, or the like. When the droplets adhering to the lower surface of the gutter 12a are larger than a certain size or larger than a certain size, they start to move due to gravity. The droplets move along the lower surface of the gutter 12a in response to gravity, and move from the lower surface of the end B1 of the gutter 12a to the upper surface (inner surface) of the end B2 of the adjacent gutter 12a. After that, the droplets that have moved to the upper surface of the end portion B2 will flow along the upper surface of the gutter 12a. When the gutter 12 is a gutter along the transport direction A1, the droplets adhering to the lower surface of the most downstream gutter 12a move along the lower surface and flow into the other gutter 12a as it is. Further, when the gutter 12 is a gutter along a direction horizontally orthogonal to the transport direction A1, the droplets adhering to the lower surface of the most downstream gutter 12a extend to the inner surface of the processing chamber 10 along the lower surface. It reaches and flows down along its inner surface.

このように、樋12aの下面に付着した液滴は、重力に負けて落下する前に隣の樋12aの上面に到達し、その上面を流れて基板W側に落下することがなくなる。したがって、樋12aの下面に付着した液滴は、基板W側に落下せず、各樋12aによって処理室10の端まで流れるので、液滴が基板W上に落下することを抑制することが可能であり、基板Wへの液付着によるシミの発生を確実に抑えることができる。 In this way, the droplets adhering to the lower surface of the gutter 12a reach the upper surface of the adjacent gutter 12a before falling due to gravity, and do not flow on the upper surface and fall to the substrate W side. Therefore, the droplets adhering to the lower surface of the gutter 12a do not fall to the substrate W side, but flow to the end of the processing chamber 10 by each gutter 12a, so that it is possible to suppress the droplets from falling onto the substrate W. Therefore, it is possible to reliably suppress the occurrence of stains due to liquid adhesion to the substrate W.

以上説明したように、第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。さらに、各樋12aは、瓦状に積み重ねられて傾斜しており、傾斜方向に隣接する二つの樋12aのうち、高い位置の樋12aにおける低い側の端部B1が低い位置の樋12aにおける高い側の端部B2を非接触で覆うように設けられている。このため、傾斜方向に隣接する二つの樋12aにおいて、高い位置の樋12aの下面に付着した液滴はその下面に沿って移動し、重力に負けて落下する前に低い位置の樋12aの上面に移り、その上面に沿って移動することになる。これにより、液滴が基板W側に落下せず、各樋12aによって処理室10の端まで流れるので、基板Wへの液付着によるシミの発生をより確実に抑えることができる。 As described above, according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Further, each gutter 12a is stacked in a tile shape and is inclined, and among two gutters 12a adjacent to each other in the inclination direction, the lower end B1 in the higher gutter 12a is higher in the lower gutter 12a. It is provided so as to cover the side end portion B2 in a non-contact manner. Therefore, in the two gutters 12a adjacent to each other in the inclination direction, the droplets adhering to the lower surface of the gutter 12a at the higher position move along the lower surface of the gutter 12a and move along the lower surface of the gutter 12a. Will move along the top surface of the gutter. As a result, the droplets do not fall to the substrate W side and flow to the edge of the processing chamber 10 by each gutter 12a, so that the generation of stains due to liquid adhesion to the substrate W can be more reliably suppressed.

(傾斜方向に隣接する二つの樋の鉛直離間距離)
なお、傾斜方向に隣接する二つの樋12aのうち、高い位置(上方)の樋12aの端部B1と、低い位置(下方)の樋12aの端部B2との鉛直離間距離は、1cm程度に設定されており、それらの端部B1と端部B2は平行になっているが、これに限るものではない。高い位置の樋12aの端部B1から低い位置の樋12aの端部B2に水滴が乗り移る部分が1cm程度あれば良い。
(Vertical separation distance between two gutters adjacent to each other in the inclination direction)
Of the two gutters 12a adjacent to each other in the inclination direction, the vertical separation distance between the end B1 of the gutter 12a at the high position (upper) and the end B2 of the gutter 12a at the lower position (lower) is about 1 cm. It is set, and their end B1 and end B2 are parallel to each other, but the present invention is not limited to this. It is sufficient that the portion where water droplets transfer from the end B1 of the high gutter 12a to the end B2 of the low gutter 12a is about 1 cm.

詳しくは、図7の左側に示すように、傾斜方向に隣接する二つの樋12aにおいて、液滴が流出する流出経路(端部B1と端部B2により形成される流出経路)の第1の鉛直離間距離C1の高さ方向のサイズと、その流出経路の第2の鉛直離間距離C2の高さ方向のサイズは、1cm程度で同じである。しかし、これに限るものではなく、例えば、図7の右側に示すように、第1の鉛直離間距離C1の高さ方向のサイズを1cm程度に維持し、第2の鉛直離間距離C2の高さ方向のサイズを第1の鉛直離間距離C1の高さ方向のサイズよりも小さくすることが可能である。この場合、端部B1と端部B2との鉛直離間距離は、傾斜方向に沿って処理室10の外部に向かって、すなわち液滴の流れ方向に沿って徐々に短くなっており、流出経路は液滴の流れ方向に徐々に狭くなっている。 Specifically, as shown on the left side of FIG. 7, in the two troughs 12a adjacent to each other in the inclined direction, the first vertical of the outflow path (outflow path formed by the end B1 and the end B2) through which the droplets flow out. The size of the separation distance C1 in the height direction and the size of the second vertical separation distance C2 of the outflow path in the height direction are the same at about 1 cm. However, the present invention is not limited to this, and for example, as shown on the right side of FIG. 7, the size of the first vertical separation distance C1 in the height direction is maintained at about 1 cm, and the height of the second vertical separation distance C2 is maintained. The size in the direction can be made smaller than the size in the height direction of the first vertical separation distance C1. In this case, the vertical separation distance between the end portion B1 and the end portion B2 is gradually shortened toward the outside of the processing chamber 10 along the inclination direction, that is, along the flow direction of the droplets, and the outflow path is It gradually narrows in the flow direction of the droplets.

このように第1の鉛直離間距離C1より第2の鉛直離間距離C2を小さくした場合には、複数の樋12aで構成される樋12の処理室10内での高さを低くすることができる。このように、12の処理室10内での高さをできる限り低くすることによって、12の高さによって天井11の設置高さを高く設定しなければならない事態を防ぐことができ、ひいては基板処理装置1自体の高さが高くなることを防止できる。 When the second vertical distance C2 is made smaller than the first vertical distance C1 in this way, the height of the gutter 12 composed of the plurality of gutters 12a in the processing chamber 10 can be lowered. .. In this way, by making the height of the gutter 12 in the processing chamber 10 as low as possible, it is possible to prevent a situation in which the installation height of the ceiling 11 must be set high due to the height of the gutter 12, and by extension, it is possible to prevent the situation where the installation height of the ceiling 11 must be set high. It is possible to prevent the height of the substrate processing device 1 itself from increasing.

また、図7の右側では、傾斜方向に隣接する二つの樋12aのうち、低い位置の樋12aは、途中で折れ曲がっており、二つの傾斜角度(例えば、10、20度)を有することになる。この低い位置の樋12aにおいて、傾斜角度が大きい部分を第1の部分とし、傾斜角度が小さい部分を第2の部分とすると、第2の部分は第1の部分よりも水平に近くなるため、この第2の部分では、液だれが起きやすくなる。 Further, on the right side of FIG. 7, of the two gutters 12a adjacent to each other in the inclination direction, the lower gutter 12a is bent in the middle and has two inclination angles (for example, 10, 20 degrees). .. In the gutter 12a at this low position, if the portion having a large inclination angle is the first portion and the portion having a small inclination angle is the second portion, the second portion is closer to horizontal than the first portion. In this second part, dripping is likely to occur.

このため、第2の部分の長さは、図4に示すデータ同様に予め実験等で求めておき、このデータに基づいて液だれが起きないように決定されるが、極力短いことが望ましい。なお、低い位置の樋12aは、途中で折れ曲がっているが、これに限るものではなく、例えば、湾曲するように形成されても良い。 Therefore, the length of the second portion is determined in advance by an experiment or the like as in the data shown in FIG. 4, and is determined based on this data so that dripping does not occur, but it is desirable that the length is as short as possible. The lower gutter 12a is bent in the middle, but the present invention is not limited to this, and for example, the gutter 12a may be formed to be curved.

なお、第2の鉛直離間距離C2が1cm程度、第1の鉛直離間距離C1が1cm以上となるように12aを設けるようにしても良い。このように第1の鉛直離間距離C1を1cm以上とすることで、想定よりも大きい水滴が流れてきたとしても、この水滴が、第1の鉛直離間距離C1部分において下方に位置する12aの端部B2に接触して基板W上に落下してしまうことなく、確実に端部B2側へと乗り移らせることができる。 The gutter 12a may be provided so that the second vertical separation distance C2 is about 1 cm and the first vertical separation distance C1 is 1 cm or more. By setting the first vertical separation distance C1 to 1 cm or more in this way, even if water droplets larger than expected flow, the water droplets of the gutter 12a located below in the first vertical separation distance C1 portion. It can be reliably transferred to the end B2 side without coming into contact with the end B2 and falling onto the substrate W.

(他の実施形態)
前述の各実施形態においては、薬液や洗浄液などの処理液により基板W(例えば、パターン膜が形成された基板W)を処理する処理室10に前述の構造の天井カバー11を適用することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、基板Wを乾燥させる乾燥室など各種の処理室に適用することが可能である。また、例えば、薬液により処理を行う薬液室、洗浄液により洗浄処理を行う洗浄室、気体の吹き付けにより乾燥を行う乾燥室が連続して設けられている場合には、それらに共通の天井カバーとして、前述の構造の天井カバー11を設けることも可能である。
(Other embodiments)
In each of the above-described embodiments, it is exemplified that the ceiling cover 11 having the above-described structure is applied to the processing chamber 10 for treating the substrate W (for example, the substrate W on which the pattern film is formed) with a treatment liquid such as a chemical solution or a cleaning liquid. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to various processing chambers such as a drying chamber for drying the substrate W. Further, for example, when a chemical solution chamber for treating with a chemical solution, a cleaning chamber for performing a cleaning treatment with a cleaning solution, and a drying chamber for drying by spraying gas are continuously provided, they can be used as a common ceiling cover. It is also possible to provide the ceiling cover 11 having the above-mentioned structure.

また、前述の各実施形態においては、処理室10における搬送方向A1の両側の壁上に天井板11aを固定することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、その両側の壁が存在しない場合などには、天井板11aを支持する支持部を設けることも可能である。なお、両側の壁が存在する場合には、それらの壁が支持部として機能することになる。 Further, in each of the above-described embodiments, the ceiling plate 11a is fixed on the walls on both sides of the transport direction A1 in the processing chamber 10, but the present invention is not limited to this, and for example, there are walls on both sides thereof. If not, it is possible to provide a support portion for supporting the ceiling plate 11a. If there are walls on both sides, those walls will function as support parts.

また、前述の各実施形態においては、搬送方向A1に直交する断面が三角波形状である天井カバー11を用いることを例示したが、これに限るものではなく、山部Tと谷部Bを有する各種形状の天井カバーを用いることが可能である。例えば、搬送方向A1に平行となる断面が三角波形状である天井カバー、または、山部T及び谷部Bのどちらか一方又は両方が湾曲形状である天井カバー、あるいは、山部Tや谷部Bが点状に存在するような天井カバーを用いることが可能である。なお、山部Tや谷部Bが点状に存在するような天井カバーを用いる場合には、12の延伸方向に沿って整列して設けられる。 Further, in each of the above-described embodiments, the use of the ceiling cover 11 having a triangular wave-shaped cross section orthogonal to the transport direction A1 has been exemplified, but the present invention is not limited to this, and various types having a mountain portion T and a valley portion B are used. It is possible to use a shaped ceiling cover. For example, a ceiling cover having a triangular wave-shaped cross section parallel to the transport direction A1, a ceiling cover having either or both of a mountain portion T and a valley portion B curved, or a mountain portion T or a valley portion B. It is possible to use a ceiling cover in which the dots are present. When a ceiling cover having peaks T and valleys B present in dots is used, the ceiling covers are provided so as to be aligned along the extending direction of the gutter 12.

また、前述の各実施形態においては、天井カバー11の各山部Tの高さが一定であることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、天井カバー11の各山部Tの高さを不均一にすることも可能であり、各山部Tの一部の高さを異ならせたり、各山部Tの全ての高さを異ならせたりすることができる。また、一方向に延伸する山部Tの上端や谷部Bの下端は水平であることを例示したが、これに限るものではなく、傾斜していても良い。また、各天井板11aのサイズが異なっていても良い。 Further, in each of the above-described embodiments, the height of each mountain portion T of the ceiling cover 11 is illustrated as being constant, but the present invention is not limited to this, and for example, the height of each mountain portion T of the ceiling cover 11 is not limited to this. It is also possible to make the height non-uniform, and the height of a part of each mountain portion T can be made different, or the height of all the mountain portions T can be made different. Further, although it has been illustrated that the upper end of the mountain portion T and the lower end of the valley portion B extending in one direction are horizontal, the present invention is not limited to this, and the mountain portion T may be inclined. Further, the size of each ceiling plate 11a may be different.

また、前述の各実施形態においては、複数の天井板11aにより天井カバー11を構成することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、一枚の板により天井カバー11を構成することも可能である。一例として、金型などに樹脂や金属などの材料を流し込み、接続箇所が無い一体の天井カバー11を形成することができる。 Further, in each of the above-described embodiments, the ceiling cover 11 is configured by a plurality of ceiling plates 11a, but the present invention is not limited to this, and for example, the ceiling cover 11 may be configured by a single plate. It is possible. As an example, a material such as resin or metal can be poured into a mold or the like to form an integrated ceiling cover 11 having no connection portion.

また、天井板11aや樋12aの両面(上面及び下面)には、濡れ性を向上させる膜を形成することも可能である。天井板11aや樋12aの濡れ性を向上させることにより、液だれしない距離を長くすることができるようになり、使用すべき天井板11aや樋12aの数を減らすことが可能となる。また、天井や樋の設置角度を小さくすることができ、より全高の低い装置とすることができる。 Further, it is also possible to form a film for improving wettability on both surfaces (upper surface and lower surface) of the ceiling plate 11a and the gutter 12a. By improving the wettability of the ceiling plate 11a and the gutter 12a, it becomes possible to increase the distance at which the liquid does not drip, and it is possible to reduce the number of the ceiling plate 11a and the gutter 12a to be used. In addition, the installation angle of the ceiling and the gutter can be reduced, and the device can be made to have a lower overall height.

また、前述の各実施形態においては、12からの処理液を回収13によって受けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、12の端部を処理室10の壁面に沿わせて処理液を流すようにしても良い。あるいは、12自体を折れ曲がるように形成し、回収の役割を兼ねるようにしても良い。あるいは、複数の12の端部を連結させた部分を形成し、これを回収としても良い。このようにすることで、装置を構成する部品を減らすことができる。 Further, in each of the above-described embodiments, it has been illustrated that the treatment liquid from the gutter 12 is received by the recovery gutter 13, but the present invention is not limited to this, and for example, the end portion of the gutter 12 is along the wall surface of the processing chamber 10. You may let the treatment liquid flow. Alternatively, the gutter 12 itself may be formed so as to be bent so as to also serve as a recovery gutter. Alternatively, a portion in which the ends of the plurality of gutters 12 are connected may be formed, and this may be used as a recovery gutter. By doing so, the number of parts constituting the device can be reduced.

なお、前述の各実施形態においては、液晶表示装置の製造工程に本発明の実施形態を用いることとして説明したが、これに限らず、半導体製造装置等、その他処理室内にて処理液を用いて処理を行う装置に適用することができる。 In each of the above-described embodiments, the embodiment of the present invention has been described as being used in the manufacturing process of the liquid crystal display device, but the present invention is not limited to this, and the treatment liquid is used in other processing chambers such as semiconductor manufacturing equipment. It can be applied to a device that performs processing.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although some embodiments of the present invention have been described above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other embodiments, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

1 基板処理装置
10 処理室
11a 天井板
12 樋
12a 樋
B 谷部
B1 低い側の端部
B2 高い側の端部
T 山部
1 Substrate processing equipment 10 Processing room 11a Ceiling plate 12 Gutter 12a Gutter B Valley B1 Low end B2 High end T Mountain

Claims (5)

天井を有する処理室と、
前記処理室内に設けられ、基板を搬送する基板搬送部と、
前記処理室内に設けられ、前記天井から落下した液滴を受ける樋と、
有し
前記天井は、前記基板搬送部による前記基板の搬送方向に沿って延びる、山部と谷部を有する形状に形成されており、
前記樋は、
前記谷部の延伸方向に沿って延びるように設けられているとともに、瓦状に積み重ねられて傾斜する複数の樋から構成され、傾斜方向に隣接する二つの樋のうち、高い位置の樋における低い側の端部が低い位置の樋における高い側の端部を非接触で覆うように設けられ、
前記低い位置の樋における高い側の端部は、前記高い位置の樋における低い側の端部に平行な第1の部分と、前記高い位置の樋から離れ、前記第1の部分よりも水平に近づく方向に延びる第2の部分と、からなることを特徴とする基板処理装置。
A processing room with a ceiling and
A substrate transporting unit provided in the processing chamber for transporting the substrate and
A gutter provided in the processing chamber to receive droplets dropped from the ceiling,
Have ,
The ceiling is formed in a shape having peaks and valleys extending along the transport direction of the substrate by the substrate transporting portion.
The gutter is
Both the provided so as to extend along the extending direction of the valley, is composed of a plurality of trough that is inclined stacked imbricated, of the two gutter adjacent to the inclined direction, the trough of the high position The lower end is provided so as to cover the higher end of the lower gutter in a non-contact manner.
The high end of the low gutter is separated from the first portion parallel to the low end of the high gutter and the high gutter and is more horizontal than the first portion. A substrate processing apparatus comprising a second portion extending in an approaching direction.
前記樋の両面には、濡れ性を向上させる膜が形成されていることを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein a film for improving wettability is formed on both sides of the gutter. 前記樋の延伸方向と交わる方向に延伸して設けられる回収樋をさらに有し、
前記回収樋は、前記樋が受けた前記液滴を受けられる位置に設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
Further having a recovery gutter provided by stretching in a direction intersecting the stretching direction of the gutter.
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2 , wherein the recovery gutter is provided at a position where the droplets received by the gutter can be received.
前記処理室には、前記処理室内の空気を排出する排気部が設けられていることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 , wherein the processing chamber is provided with an exhaust unit for discharging air in the processing chamber. 前記天井は、前記基板搬送部による前記基板の搬送方向に沿って延びる複数の山部と、隣接する前記山部間にあって前記基板搬送部による前記基板の搬送路の上方に位置する谷部と、を有する形状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のに記載の基板処理装置。 It said ceiling includes a plurality of crests extending along the conveying direction of the substrate by the substrate transfer unit, and be between the adjacent crest valley located above the transport path of the substrate by the substrate transfer unit, The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate processing apparatus is formed in a shape having the above.
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