JP6893360B2 - １，１’−ビナフチル誘導体の製造方法および１，１’−ビナフチル誘導体 - Google Patents

Description

本発明は、１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法、具体的な例として、ビナフチル骨格の特定の位置に置換基が導入された１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法、ナフタレン誘導体からの１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法、および上記特定の位置に置換基が導入された誘導体からのさらなる１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法に関する。本発明は、また、これらの製造方法により実現する新規な１，１’−ビナフチル誘導体に関する。

２つのナフタレン骨格の１位同士が結合した分子構造を有する１，１’−ビナフチルは、その骨格（ビナフチル骨格）の２位および２’位に置換基を有することにより、軸不斉化合物である１，１’−ビナフチル誘導体となる。このような１，１’−ビナフチル誘導体として、ジフェニルホスフィノ基（−ＰＰｈ₂）を２位および２’位に有する２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）、およびヒドロキシ基（水酸基；−ＯＨ）を２位および２’位に有する１，１’−ビ−２−ナフトール（ＢＩＮＯＬ）が知られている。ＢＩＮＡＰおよびＢＩＮＯＬは、例えば、その軸不斉を利用して、遷移金属および典型金属の優れた不斉配位子として、触媒的不斉合成反応または不斉分子識別場の構築などに利用されている。

２位および２’位にメトキシ基のようなアルコキシ基または水酸基を有する１，１’−ビナフチル誘導体に対して、ビナフチル骨格の他の位置に置換基を導入することが試みられている。必要に応じて２位および２’位のアルコキシ基を加水分解により水酸基に変換できることもあって、このような他の位置への置換基の導入により、ＢＩＮＯＬ骨格またはＢＩＮＯＬ類似の骨格を有するビナフチル誘導体の、より幅広い用途への応用が期待される。

非特許文献１には、２位および２’位に水酸基を有するＢＩＮＯＬに対して、ビナフチル骨格の３位、３’位、６位および６’位にヨウ素基（−Ｉ）またはペンタフルオロエチル基（−Ｃ₂Ｆ₅基）を導入する方法が開示されている。この方法では、ヒドロキシ基をメトキシメチル（ＭＯＭ）基により保護する保護反応および保護基であるＭＯＭ基を脱離させる脱離反応を含む多段的な反応が必須であり、直接的な置換基の導入は実現していない。非特許文献２には、２位および２’位にメトキシ基を有する１，１’−ビナフチル誘導体に対して、Ｓｃ（ＯＴｆ）₃触媒の存在下、その骨格の６位および６’位にヨウ素基（−Ｉ）を導入する方法が開示されている。

特許文献１には、２位および２’位にメトキシ基を有する１，１’−ビナフチル誘導体に対して、ルイス酸の存在下、その骨格の３位および３’位、または３位、３’位、６位および６’位にヨウ素基（−Ｉ）を導入する方法が開示されている。特許文献１には、ルイス酸に代えて、ブレンステッド酸であるトリフルオロメタンスルホン酸を使用した場合、置換基導入の反応が進行しないことが、併せて記載されている。

国際公開第2011/099232号

Y. Yamashita et al., "Highly anti-Selective Asymmetric Aldol Reactions Using Chiral Zirconium Catalysts. Improvement of Activities, Structure of the Novel Zirconium Complexes, and Effect of a Small Amount of Water for the Preparation of the Catalysts", Journal of American Chemical Societies, (2002), vol. 124, pp. 3292-3302 T. Kamei et al., "Scandium triflate-catalyzed 6,6'-diiodination of 2,2'-dimethoxy-1,1'-binaphtyl with 1,3-diiodo-5,5-dimethylhydantoin", Tetrahedron Letters vol. 53, (2012), pp. 3894-3896

ＢＩＮＯＬをはじめとする１，１’−ビナフチル誘導体の８位および／または８’位に置換基を導入する方法はこれまで全く知られていない。本発明の目的の一つは、ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基が導入された１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法の提供である。

本開示の１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法（第１の製造方法）は、１，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル前駆誘導体と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合して、前記骨格の８位および／または８’位に置換基が導入された１，１’−ビナフチル誘導体を得る方法である。

別の側面から見た本開示の１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法（第２の製造方法）は、ナフタレン骨格の２位に置換基を有するナフタレン誘導体と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合して前記誘導体のカップリング反応を進行させて、１，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に置換基をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル誘導体を得る方法である。

また別の側面から見た本開示の１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法（第３の製造方法）は、以下の式（１）に示す１，１’−ビナフチル誘導体に対して、Ｙ¹、Ｙ²、−ＯＲ¹、−ＯＲ²および少なくとも１つのＸから選ばれる少なくとも１つの基が関与する反応を進行させて、当該反応を反映した、前記式（１）に示す誘導体とは異なる１，１’−ビナフチル誘導体を得る方法である。式（１）において、Ｘはヨウ素基または臭素基、Ｒ¹およびＲ²は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または水酸基の保護基であり、Ｙ¹およびＹ²は、互いに独立して、前記誘導体のビナフチル骨格に直接結合した酸素原子を含む有機酸基、または水酸基である。

本開示の１，１’−ビナフチル誘導体は、ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基を有する。

本発明によれば、ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基が導入された１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法が達成される。また、本発明によれば、ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基が導入された新規な１，１’−ビナフチル誘導体が得られる。

本発明の製造方法により形成できる１，１’−ビナフチル誘導体の例を示す図である。 本発明の製造方法により形成できる１，１’−ビナフチル誘導体の別の例を示す図である。 本発明の製造方法により形成できる１，１’−ビナフチル誘導体のまた別の例を示す図である。 本発明の製造方法により形成できる１，１’−ビナフチル誘導体のさらにまた別の例を示す図である。 本発明の製造方法により形成できる１，１’−ビナフチル誘導体からのさらなる誘導体の例を示す図である。 本発明の製造方法により形成できる１，１’−ビナフチル誘導体からのさらなる誘導体の別の例を示す図である。 実施例１で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹Ｈ−核磁気共鳴（ＮＭＲ）プロファイルを示す図である。 実施例１で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹³Ｃ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例２で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例２で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例２で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例２で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例２で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹³Ｃ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例２で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例２において作製した（Ｓ）−４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルのＨＭＱＣ評価結果を示す図である。 実施例２において作製した（Ｓ）−４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルのＨＭＢＣ評価結果を示す図である。 実施例６で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例６で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例７で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例７で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 応用例１で作製した（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフト−ｐａｒａ−キノンのＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示す図である。 応用例１で作製した（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフト−ｐａｒａ−キノンの¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例９で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例９で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹³Ｃ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１０で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１０で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹³Ｃ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１０で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１１で作製したペリレン誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１１で作製したペリレン誘導体の¹³Ｃ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１１で作製したペリレン誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１２で作製したペリレン誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１２で作製したペリレン誘導体の¹³Ｃ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１２で作製したペリレン誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実験例１で作製したナフタレン誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実験例１で作製したナフタレン誘導体の¹³Ｃ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１３で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１３で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹³Ｃ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１３で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１４で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１４で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹³Ｃ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１４で作製した１，１−ビナフチル誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１５で作製したペリレン誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１５で作製したペリレン誘導体の¹³Ｃ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。 実施例１５で作製したペリレン誘導体の¹⁹Ｆ−ＮＭＲプロファイルを示す図である。

［１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法］
（第１の製造方法）
第１の製造方法では、１，１’−ビナフチル前駆誘導体（Ａ）と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤とを混合して、ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基Ｚ¹が導入された１，１’−ビナフチル誘導体（Ｂ）を得る。前駆誘導体（Ａ）は、２位および２’位に電子供与性基Ｚ²を有する１，１’−ビナフチル骨格（以下、「１，１’−ビナフチル骨格」を単に「ビナフチル骨格」ともいう）を有する。電子供与性基Ｚ²は、ビナフチル骨格に直接結合した酸素原子を含む。

第１の製造方法では、前駆誘導体（Ａ）、有機酸、およびヨウ素化剤または臭素化剤を含む反応系により、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位および／または８’位への置換基の導入反応が進行する。この導入反応は、ビナフチル骨格への直接的な置換基の導入反応でありうる。これまでビナフチル骨格の３位、３’位、６位、６’位への置換基の導入反応が知られている一方で（非特許文献１，２および特許文献１を参照）、このような、ビナフチル骨格の８位、８’位への置換基の導入は困難であった。これは、１位および１’位においてナフタレン骨格が互いに結合したビナフチル骨格の電子的および立体的な要因により、ビナフチル骨格の８位および８’位への置換基の導入が困難であったことに基づく。また、ビナフチル骨格の２位および２’位に結合した置換基、例えば水酸基あるいはメトキシ基、自体の反応性の高さから、ビナフチル骨格への置換基の導入を試みる際に、当該２位および２’位の置換基の保護基による保護およびその後の保護基の脱離が要求されていたこと（非特許文献１を参照）も、その困難性が増す要因であった。一方、第１の製造方法は、このような従来の技術常識では予想できない、ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基を導入する方法である。また、第１の製造方法では、前駆誘導体（Ａ）の２位および２’位の電子供与性基Ｚ²の保護基による保護およびその後の保護基の脱離も省略することができ、このことは、ビナフチル骨格の８位および／または８’位への直接的な置換基の導入を達成できることを意味している。

前駆誘導体（Ａ）がビナフチル骨格の２位および２’位に有する電子供与性基Ｚ²は、ビナフチル骨格への電子供与性を有するとともに、ビナフチル骨格に直接結合した酸素原子を含む限り限定されない。電子供与性基Ｚ²は、例えば−ＯＲ基であって、Ｒは、例えば水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または、水酸基の保護基である。具体的なＲの例は、メチル基、(メタ)アリル基、エチル基、エチニル基、ビニル基、ｎ−プロピル基、プロパルギル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ミリスチル基、ｎ−パルミチル基、ｎ−ステアリル基、メトキシメチル基（ＭＯＭ）、メチルチオメチル基（ＭＴＭ）、２−メトキシエトキシメチル基（ＭＥＭ）、テトラヒドロピラニル基（ＴＨＰ）、ベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ホルミル基、アセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾエート基、メタンスホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、ホスホナイト基、ホスフィナイト基、ホスファイト基、ホスホネート基、ホスホラミダイト基、ホスホロジアミダイト基、カルバミル基である。Ｒは、エステル基、シリル基、エーテル基を有していてもよく、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基でありうる。ビナフチル骨格の２位に結合した置換基Ｚ²と、２’位に結合した置換基Ｚ²とは同一であっても互いに異なってもよい。すなわち、前駆誘導体（Ａ）がビナフチル骨格の２位に有する電子供与性基が−ＯＲ¹基であり、２’位に有する電子供与性基が−ＯＲ²基であり、Ｒ¹およびＲ²が、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または、水酸基の保護基でありうる。Ｒは、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、トリフルオロメタンスルホニル基が好ましく、水素原子、メチル基、トリフルオロメタンスルホニル基がより好ましい。同様に、Ｒ¹およびＲ²は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、トリフルオロメタンスルホニル基が好ましく、水素原子、メチル基、トリフルオロメタンスルホニル基がより好ましい。

より具体的な水酸基の保護基は、例えば、(メタ)アリル基、メトキシメチル基、シリル基である。

Ｒ、Ｒ¹およびＲ²が、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、またはシリル基である−ＯＲ基、−ＯＲ¹基および−ＯＲ²基は、それぞれ、アリルオキシ基、ベンジルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、シリルオキシ基である。

前駆誘導体（Ａ）は、ビナフチル骨格の２位および２’位以外の他の位置に置換基Ｚ³を有していてもよく、置換基Ｚ³は電子供与性基Ｚ²であってもなくてもよい。ただし、前駆誘導体（Ａ）は、ビナフチル骨格の８位および８’位から選ばれる少なくとも１つの位置に置換基を有しておらず、典型的には、８位および８’位の双方の位置に置換基を有していない。前者の場合、第１の製造方法によって、ビナフチル骨格の８位および８’位のうち前駆誘導体（Ａ）が置換基を有していない位置に置換基Ｚ¹が導入された１，１’−ビナフチル誘導体（Ｂ）が得られることになる。第１の製造方法では、ビナフチル骨格の８位および８’位の双方の位置に置換基Ｚ¹が導入された１，１’−ビナフチル誘導体（Ｂ）を形成できる。このとき、８位に導入された置換基Ｚ¹と８’位に導入された置換基Ｚ¹とは、同一であっても互いに異なっていてもよい。

第１の製造方法によって前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位および／または８’位に導入される置換基Ｚ¹（ビナフチル誘導体（Ｂ）がビナフチル骨格の８位および／または８’位に有する置換基Ｚ¹）は、前駆誘導体（Ａ）と有機酸とヨウ素化剤または臭素化剤との混合による反応を経た段階（ビナフチル骨格の８位および／または８’位に導入された段階）では、典型的には、有機酸基、水酸基、およびヨウ素基（ヨウ素化剤を使用した場合）または臭素基（臭素化剤を使用した場合）から選ばれる少なくとも１種である。上記反応後にさらなる反応を進行させることにより、当該少なくとも１種の基から誘導された他の置換基Ｚ¹が、ビナフチル誘導体（Ｂ）の８位および／または８’位に配置されうる。他の置換基Ｚ¹へ誘導する反応には、公知の反応を適用しうる。第１の製造方法は、前駆誘導体（Ａ）と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合する工程を含み、上記さらなる反応を進行させる工程をさらに含みうる。

ビナフチル骨格の８位および／または８’位に導入された段階の置換基Ｚ¹が、有機酸基であるか、水酸基であるか、ヨウ素基または臭素基であるかは、反応条件の制御、例えば有機酸の種類および使用量（例えば、前駆誘導体（Ａ）１当量あたりの当量）、ヨウ素化剤または臭素化剤の種類および使用量、反応温度、反応時間などにより制御できる。有機酸の使用量、および／またはヨウ素化剤もしくは臭素化剤の使用量という、定量的な反応条件の制御も可能である。通常、反応条件をより強くするに従い、ヨウ素基または臭素基の導入から有機酸基の導入へと反応が変化する。そして有機酸基は、加水分解反応により、比較的容易に水酸基へと変化させることができる。

置換基Ｚ¹が有機酸基または水酸基である場合、第１の製造方法では、ビナフチル骨格の８位および／または８’位の水素原子が酸化反応により直接的に酸素原子に置換される反応が進行していることになる。この反応は、第１の製造方法に特徴的であり、ビナフチル骨格に対するこのような反応はこれまで知られていない。また、これを、第１の製造方法において前駆誘導体（Ａ）と混合する有機酸およびヨウ素化剤または臭素化剤の見地から見ると、ヨウ素化剤または臭素化剤を混合しているにもかかわらず、ビナフチル骨格の８位および／または８’位に有機酸基が直接結合する反応が進行していることになる。これらの反応は、ラジカル捕捉剤（例えばガルビノキシルフリーラジカル）を反応系に添加すると当該反応が停止することから、ラジカル反応であることが推定される。

有機酸は特に限定されず、例えば、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸およびパラトルエンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種である。副反応物の生成が抑制されるとともに、ビナフチル骨格の８位および／または８’位への置換基Ｚ¹の導入が効率的に進行することから、有機酸はトリフルオロメタンスルホン酸（ＴｆＯＨ）が好ましい。

有機酸基は、有機酸に由来する基であり、より具体的な例は、有機酸から水素原子が１つ外れて形成された基である。

有機酸としてＴｆＯＨを使用した場合、置換基Ｚ¹である有機酸基はトリフルオロメタンスルホン酸基（ＴｆＯ基）である。同様に、有機酸基としてメタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、パラトルエンスルホン酸を使用した場合、置換基Ｚ¹である有機酸基は、それぞれ、メタンスルホン酸基（ＭｓＯ基）、トリフルオロ酢酸基、パラトルエンスルホン酸基である。

ヨウ素化剤は特に限定されず、例えば、１，３−ジヨード−５，５−ジメチルヒダントイン（ＤＩＨ）およびＮ−ヨードスクシンイミド（ＮＩＳ）から選ばれる少なくとも１種である。副反応物の生成が抑制されるとともに、ビナフチル骨格の８位および／または８’位への置換基Ｚ¹の導入が効率的に進行することから、ヨウ素化剤はＤＩＨが好ましい。

臭素化剤は特に限定されず、例えば、１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン（ＤＢＨ）およびＮ−ブロモスクシンイミドから選ばれる少なくとも１種である。

ビナフチル骨格の８位および／または８’位への置換基Ｚ¹の導入が効率的に進行すること、臭素基である置換基Ｚ¹に比べてヨウ素基である置換基Ｚ¹の方が、上記さらなる反応、例えばクロスカップリング反応、への反応性に優れることから、反応系にはヨウ素化剤を使用することが好ましい。すなわち、第１の製造方法において、前駆誘導体（Ａ）と有機酸とヨウ素化剤とを混合することが好ましい。

前駆誘導体（Ａ）、有機酸、およびヨウ素化剤または臭素化剤の混合によってビナフチル骨格の８位および／または８’位への置換基Ｚ¹の導入反応が進行する限り、具体的な反応系は限定されないが、典型的には溶液系である。溶液系の溶媒は、前駆誘導体（Ａ）、有機酸、ヨウ素化剤または臭素化剤、および生成したビナフチル誘導体（Ｂ）を溶解する溶媒であることが好ましい。溶液系の具体的な溶媒は、例えばジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、クロロベンゼン、トルエンであり、比誘電率および反応中間体の安定性の観点から、ジクロロメタン、ジクロロエタンが好ましい。

反応系は、必要に応じて、前駆誘導体（Ａ）、有機酸、およびヨウ素化剤または臭素化剤以外の物質を含んでいてもよい。当該物質は、例えば、硫酸などの無機酸である。反応系が無機酸を含む場合、有機酸の種類によっては（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸）、有機酸の使用量を低減できる可能性がある。当該物質の別の例は、反応速度を制御するための触媒（助触媒を含む）、ラジカル捕捉剤である。

第１の製造方法では、反応条件の制御により、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位および／または８’位以外の位置に、さらに置換基Ｚ⁴を導入できる。このような特徴も、従来の技術に比べて非常に有利な特徴となる。置換基Ｚ⁴は、置換基Ｚ¹と同様でありうる。得られたビナフチル誘導体（Ｂ）において、置換基Ｚ¹とＺ⁴とは同一であっても互いに異なっていてもよい。また、複数の位置に置換基Ｚ⁴が導入された場合、置換基Ｚ⁴の具体的な種類は、全て同一であっても、任意の位置の組み合わせで互いに異なっていてもよい。反応条件の制御は、例えば、有機酸の種類および使用量、ヨウ素化剤または臭素化剤の種類および使用量、反応温度、反応時間である。有機酸の使用量、および／またはヨウ素化剤もしくは臭素化剤の使用量という、定量的な反応条件の制御も可能である。反応条件の制御により、置換基Ｚ⁴が導入されるビナフチル骨格上の位置も制御できる。通常、反応条件をより強くするに従い、８位および８’位への置換基Ｚ¹の導入に加えて、６位および／または６’位、さらには５位および／または５’位、４位および／または４’位の順に、置換基Ｚ⁴の導入がさらに進行する。第１の製造方法では、ビナフチル骨格の４位、４’位、５位、５’位、６位および６’位から選ばれる少なくとも１つの位置に置換基Ｚ⁴が導入されたビナフチル誘導体（Ｂ）を得てもよい。

なお、ビナフチル誘導体（Ｂ）におけるビナフチル骨格の２位および２’位の置換基は、前駆誘導体（Ａ）におけるビナフチル骨格の２位および２’位の置換基Ｚ²でありうるし、置換基Ｚ²がさらなる反応により変化した置換基でありうる。反応は、例えば、アルコキシ基であるＺ²の水酸基への変化である。また、ビナフチル誘導体（Ｂ）におけるビナフチル骨格の２位および２’位の置換基は、置換基Ｚ¹またはＺ⁴と同様でありうる。

これに加えて第１の製造方法では、置換基Ｚ¹と同様に、上述した反応条件の制御によって置換基Ｚ⁴の種類も制御できる。なお、このことは、例えば、前駆誘導体（Ａ）が２位および２’位以外の場所に置換基を有する場合（前駆誘導体（Ａ）が置換基Ｚ³を有する場合）であって、当該置換基Ｚ³がヨウ素基または臭素基である場合に、反応条件の制御によって、これらヨウ素基または臭素基を有機酸基または水酸基に置換（イプソ置換）できることを意味している。また、イプソ置換は、反応条件が強くなるに従ってビナフチル骨格に導入される置換基Ｚ¹およびＺ⁴がヨウ素基または臭素基から有機酸基に変化する際にも、一度骨格に導入されたヨウ素基または臭素基が有機酸基に置換される反応機構として進行していると推定される。

これらの説明からわかるように、第１の製造方法では、例えば、複数の有機酸基、より具体的な例としてＴｆＯ基、がビナフチル骨格に置換基Ｚ¹、Ｚ⁴として導入されたビナフチル誘導体（Ｂ）を形成しうる。また、複数の水酸基がビナフチル骨格に置換基Ｚ¹、Ｚ⁴として導入されたビナフチル誘導体（Ｂ）を形成しうる。その一例は、ビナフチル骨格の全ての位置（ビナフチル骨格とするために必要な１位および１’位を除く）にＴｆＯ基のような有機酸基および／または水酸基を有するビナフチル誘導体（Ｂ）である。当該全ての位置に有機酸基を有するビナフチル誘導体（Ｂ）でも、当該全ての位置に水酸基を有するビナフチル誘導体（Ｂ）でもありうる。別の一例は、ビナフチル骨格の３位および３’位以外の全ての位置（ビナフチル骨格とするために必要な１位および１’位を除く）にＴｆＯ基のような有機酸基および／または水酸基を有するビナフチル誘導体（Ｂ）である。当該全ての位置に有機酸基を有するビナフチル誘導体（Ｂ）でも、当該全ての位置に水酸基を有するビナフチル誘導体（Ｂ）でもありうる。

第１の製造方法により形成できるビナフチル誘導体（Ｂ）の例を図１〜４に示す。

これまでの説明からわかるように第１の製造方法では、図１〜４に示す例に限られず、ビナフチル骨格の１位および１’位を除く各位置に任意の組み合わせの置換基Ｚ¹およびＺ⁴を有するビナフチル誘導体（Ｂ）を形成しうる。もちろん、ビナフチル誘導体（Ｂ）のビナフチル骨格が、置換基を有さない位置を有していてもよい。例えば、図１〜４に示すビナフチル誘導体（Ｂ）の少なくとも１つのＴｆＯ基が他の有機酸基、例えばＭｓＯ基であるビナフチル誘導体（Ｂ）を形成しうる。例えば、図１〜４に示すビナフチル誘導体（Ｂ）のビナフチル骨格の２位および／または２’位に結合した置換基がメトキシ基ではなくＴｆＯ基であるビナフチル誘導体（Ｂ）、あるいは本明細書に具体的に例示された各ビナフチル誘導体（Ｂ）の２位および／または２’位に結合した置換基がメトキシ基ではなくＴｆＯ基であるビナフチル誘導体（Ｂ）を形成しうる。第１の製造方法により形成できるビナフチル誘導体（Ｂ）の例は、実施例にも示されている。

なお、図１〜４には、Ｓ体のみを示しているが、第１の製造方法では、Ｒ体であるビナフチル誘導体（Ｂ）も得ることができる。本明細書に示されたＳ体である他の誘導体の例においても同様である。Ｓ体とＲ体との混合体（ラセミ体）であるビナフチル誘導体（Ｂ）は、光学分割する工程（ラセミ体であるビナフチル誘導体からＳ体またはＲ体を選択的に得る工程）によって、Ｓ体およびＲ体に分離できる。第１の製造方法では、前駆誘導体（Ａ）における軸不斉をそのまま保持してビナフチル誘導体（Ｂ）を形成できる可能性がある。この特徴は、従来の技術に比べて非常に有利である。Ｓ体およびＲ体のいずれかの光学異性体であるビナフチル誘導体（Ｂ）を得る際に、光学分割する工程を省略することが可能となるためである。

光学分割手法は、例えば、包接錯体法、優先富化、光学異性体分離カラムクロマトグラフィー法、酵素法である。

反応条件の例は次のとおりである。以下の式（２），（３）に示す２種類の前駆誘導体（Ａ）を用いた場合、いずれの前駆誘導体（Ａ）を用いた場合においても、８つのＴｆＯ基を置換基Ｚ¹およびＺ⁴として有する、例えば以下の式（４）に示すビナフチル誘導体（Ｂ）を得るための最適な条件の例は、前駆誘導体（Ａ）１当量に対して、ヨウ素化剤としてＤＩＨが２５当量、有機酸としてＴｆＯＨが５０当量、溶媒がジクロロメタン、反応温度は室温、反応時間は１２時間である。ＤＩＨを３０当量、ＴｆＯＨを６０当量とした場合、溶媒および反応温度を同一として、反応時間を１時間とすることができる。式（２）に示す前駆誘導体（Ａ）は、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルであり、式（３）に示す前駆誘導体（Ａ）は、（Ｓ）−２，２−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルであり、式（４）に示すビナフチル誘導体（Ｂ）は、（Ｓ）−４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルである。

また、上記式（２），（３）に示す２種類の前駆誘導体（Ａ）を用いた場合、いずれの前駆誘導体（Ａ）を用いた場合においても、２つのＴｆＯ基を置換基Ｚ¹およびＺ⁴として有する、例えば以下の式（５）に示すビナフチル誘導体（Ｂ）を得るための最適な条件の例は、前駆誘導体（Ａ）１当量に対して、ヨウ素化剤としてＤＩＨが３当量、有機酸としてＴｆＯＨが５当量、溶媒がジクロロメタン、反応温度は室温、反応時間は１時間である。式（５）に示すビナフチル誘導体（Ｂ）は、（Ｓ）−８，８’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルである。

また、上記式（２），（３）に示す２種類の前駆誘導体（Ａ）を用いた場合、いずれの前駆誘導体（Ａ）を用いた場合においても、６つのＴｆＯ基を置換基Ｚ¹およびＺ⁴として有する、例えば以下の式（６）に示すビナフチル誘導体（Ｂ）、および／または７つのＴｆＯ基を置換基Ｚ¹およびＺ⁴として有する、例えば以下の式（７）に示すビナフチル誘導体（Ｂ）を得るための最適な条件の例は、前駆誘導体（Ａ）１当量に対して、ヨウ素化剤としてＤＩＨが１０当量、有機酸としてＴｆＯＨが２０当量、溶媒がジクロロメタン、反応温度は室温、反応時間は１時間である。式（６）に示すビナフチル誘導体（Ｂ）は、（Ｓ）−５，５’，６，６’，８，８’−ヘキサキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’−ジヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルであり、式（７）に示すビナフチル誘導体（Ｂ）は、（Ｓ）−４，５，５’，６，６’，８，８’−ヘプタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４’−ヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルである。

第１の製造方法において、反応系に加えるヨウ素化剤または臭素化剤の量は、得たいビナフチル誘導体（Ｂ）の分子構造（置換基Ｚ¹およびＺ⁴の種類と、これら置換基が導入されるビナフチル骨格の位置）、ヨウ素化剤または臭素化剤の種類、ならびに反応温度および反応条件により異なるが、ヨウ素化剤がＤＩＨの場合、前駆誘導体（Ａ）１当量に対して、例えば２当量以上６０当量以下とすることができ、２当量以上５０当量以下、３当量以上３０当量以下、あるいは５当量を超え５０当量以下とすることもできる。ヨウ素化剤がＮＩＳである場合、およそ２〜８倍の当量でＤＩＨと同様の結果を得ることができる。

第１の製造方法において、反応系に加える有機酸の量は、得たいビナフチル誘導体（Ｂ）の分子構造、有機酸の種類、ならびに反応温度および反応条件により異なるが、前駆誘導体（Ａ）１当量に対して、例えば２当量以上１２０当量以下とすることができ、５当量以上６０当量以下、あるいは１０当量を超え１００当量以下とすることもできる。

第１の製造方法における反応温度は、例えば、−３０〜８０℃であり、０〜６０℃、あるいは２０〜３０℃とすることもできる。

第１の製造方法における反応時間は、例えば、０．５〜２４時間であり、１〜１５時間、あるいは１〜３時間とすることができる。

ビナフチル誘導体（Ｂ）における、置換基Ｚ^１およびＺ^４が導入された位置によってもたらされる効果の例は、次のとおりである。ビナフチル骨格の８位、８’位の置換基Ｚ^１によって、例えば、ビナフチル誘導体（Ｂ）の二面角の制御が可能となる。ビナフチル骨格の２位および２’位の置換基（例えば、電子供与基Ｚ^２；前駆誘導体（Ａ）の電子供与基Ｚ^２はそのまま残すことも、上記さらなる反応によって他の置換基とすることも、取り除くこともできる）によって、例えば、ビナフチル骨格の軸不斉の利用が可能となる。ビナフチル骨格の３位および３’位の置換基によって、例えば、ビナフチル誘導体（Ｂ）の不斉環境が向上する。ビナフチル骨格の６位および６’位の置換基によって、例えば、ビナフチル誘導体（Ｂ）のさらなる誘導化の自由度が高くなる。ビナフチル骨格の４位、４’位にトリメチルシリル基やｔ−ブチル基などの大きな置換基を導入することによっても、３位および３’位への置換基の導入と同様に、ビナフチル誘導体（Ｂ）の不斉環境が向上する。また、ビナフチル骨格の４位、４’位に直線型のアルキニル基（たとえばプロパルギル基）を導入してシリカゲルなどに固定化担持した場合、不斉軸の延長線であるため、２位および２’位における金属との配位が固定化に影響されず、安定した錯体形成が、不均一系においても可能となる。

ビナフチル誘導体（Ｂ）における置換基Ｚ¹およびＺ⁴の種類によってもたらされる効果の例は、次のとおりである。

置換基Ｚ¹およびＺ⁴は、その種類によって、ビナフチル誘導体（Ｂ）におけるさらなる反応の活性点となりうる。このことは、置換基Ｚ¹およびＺ⁴により、ビナフチル誘導体（Ｂ）にさらなる誘導化の可能性がもたらされることを意味する。例えば、有機酸基（とりわけＴｆＯ基）、ヨウ素基または臭素基である置換基Ｚ¹およびＺ⁴は、クロスカップリング反応において高い反応性を示す。これは、このような置換基Ｚ¹およびＺ⁴を有するビナフチル誘導体（Ｂ）から、クロスカップリング反応により、生理活性物質および医薬有効成分などを含む多種多様の化合物および当該化合物の前駆体が合成可能であることを意味している。置換基Ｚ⁴がビナフチル骨格に導入される位置を制御可能であることも、さらなる誘導化によって実現しうる化合物の範囲の広さに寄与する。クロスカップリング反応は、例えば、鈴木−宮浦カップリング、玉尾カップリング、根岸カップリング、小杉−右田−スティレカップリング、薗頭カップリング、檜山カップリング、溝呂木―ヘック反応、デンマークカップリングである。もちろん、他のクロスカップリング反応にも適用できる。なお、クロスカップリング反応に対する反応性は、ヨウ素基、ＴｆＯ基、および臭素基の順に高い。

また、有機酸基である置換基Ｚ¹およびＺ⁴は、加水分解によって比較的容易に水酸基とすることができる。これは、ビナフチル骨格を有するポリフェノールが得られることを意味する。ポリフェノールからは、例えば、ケトン構造、キノン構造、エーテル構造を誘導できる。キノン構造を有するさらなる誘導体の例を以下の式（８），（９）に、エーテル構造を有するさらなる誘導体の例を以下の式（１０）に、それぞれ示す。なお、式（８）〜（１０）に示す化合物は、ビナフチル誘導体（Ｂ）のさらなる誘導体のあくまでも一例である。

有機酸基である置換基Ｚ¹およびＺ⁴を有するビナフチル誘導体（Ｂ）から、キノン構造を有するさらなる誘導体を形成する反応の一例を以下の式（１１）に示す。

式（１１）の化合物におけるビナフチル骨格の２位および２’位のメトキシ基は、比較的容易に水酸基に変化させることができ、すなわち、式（１１）に示す化合物からさらに式（９）に示す化合物を誘導できる。なお、式（９）および式（１１）に示す化合物は、電子受容体（キノン構造に基づく）としても電子供与体（ポリフェノールのヒドロキシ基による）としても機能する。また、これら化合物はキラル（光学活性）であり、キラルな電子受容体または電子供与体としても機能しうる。

キノン構造等を有するさらなる誘導体の例を図５Ａ，５Ｂに示す。

これらさらなる誘導体から、さらに反応を進行させて別の誘導体を形成してもよい。例えば、式（９）および式（１１）に示す化合物は、ユビキノンあるいはビタミンＫといった補酵素の基本骨格を有している。このため、式（９）および式（１１）に示す化合物は、これら物質への展開が可能である。ユビキノンの一種に、コエンザイムＱ１０がある。また、例えば、キノン構造を有する誘導体である式（９）および式（１１）に示す化合物に対して、ディールスアルダー反応により、さらなる誘導化を行ってもよい。ディールスアルダー反応によるさらなる誘導化の例は、skyrinの合成である。skyrinは、例えば、抗糖尿病薬あるいは膵臓癌の抑制薬剤として機能する。skyrinの分子構造を以下の式（１２）に、skyrinへの誘導化の過程でとりうる中間体の分子構造を以下の式（１３）に示す。また、式（９）および式（１１）に示す化合物は、ビスアントラキノン構造を有する化合物（天然物にもこのような化合物が多く存在する）の化学合成中間体になりうる。

このようにビナフチル誘導体（Ｂ）は、さらなる反応を経ることにより、非常に多種多用の化合物に変化しうる。変化しうる化合物は、１，１’−ビナフチル誘導体に限られず、式（１２）および式（１３）に示す１，１’−ビアントラセニル誘導体のような、ビナフチル骨格以外の他の骨格を有する化合物でありうる。このようなビナフチル誘導体（Ｂ）を形成できる点で、第１の製造方法は非常に有利かつ有用である。また、置換基Ｚ¹，Ｚ⁴を導入する反応の前後においてＲ体およびＳ体という光学活性を保持できる場合、第１の製造方法の有利な点を促進させる。

ビナフチル誘導体（Ｂ）からさらなる１，１’−ビナフチル誘導体を形成する誘導化の一例を、本開示の第３の製造方法として以下に示す。第３の製造方法は、以下の式（１）に示す１，１’−ビナフチル誘導体に対して、Ｙ¹、Ｙ²、−ＯＲ¹、−ＯＲ²および少なくとも１つのＸから選ばれる少なくとも１つの基が関与する反応、例えば、当該基を反応点とする反応、を進行させて、当該反応を反映した、式（１）に示す誘導体とは異なる１，１’−ビナフチル誘導体を得る方法である。式（１）において、Ｘはヨウ素基または臭素基、Ｒ¹およびＲ²は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または水酸基の保護基であり、Ｙ¹およびＹ²は、互いに独立して、当該誘導体のビナフチル骨格に直接結合した酸素原子を含む有機酸基、または水酸基である。

第３の製造方法における反応の例は、第１の製造方法で形成したビナフチル誘導体（Ｂ）に対するさらなる反応（さらなる誘導化）として説明した反応である。より具体的な例は、置換反応および加水分解反応から選ばれる少なくとも１つの反応である。置換反応には、クロスカップリング反応が含まれる。

式（１）に示す１，１’−ビナフチル誘導体の例は、Ｘがヨウ素基であり、Ｒ¹およびＲ²が水素原子、メチル基、またはトリフルオロメタンスルホニル基であり、Ｙ¹およびＹ²が互いに独立して、上記有機酸基または水酸基である化合物である。もちろん、これまでの説明から明らかであるように、Ｘ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｙ¹およびＹ²はこれらの基に限定されない。とりうる基は、置換基Ｚ¹，Ｚ⁴と同様である。

第３の製造方法は、ビナフチル誘導体（Ｂ）からさらなる１，１’−ビナフチル誘導体を形成する誘導化のあくまでも一例であり、上述した他のビナフチル誘導体（Ｂ）からも同様の誘導化を実施することができる。

第１の製造方法では、上述した各効果から選ばれる少なくとも１つの効果（第３の製造方法を実行できることを含む）を示すビナフチル誘導体（Ｂ）を形成できることになる。

第１の製造方法において出発物質となる前駆誘導体（Ａ）は、上述した条件を満たす限り限定されない。前駆誘導体（Ａ）は、置換基Ｚ³を有していてもいなくてもよい。置換基Ｚ³は限定されないが、例えば、ヨウ素基および臭素基から選ばれる少なくとも１種である。前駆誘導体（Ａ）がヨウ素基および/または臭素基である置換基Ｚ³を有していてもよいことは、第１の製造方法がハロゲン化ビナフチルから開始できることを意味する。

また、ビナフチル誘導体（Ｂ）におけるビナフチル骨格の８位または８’位に置換基が存在しない限り、ビナフチル誘導体（Ｂ）を前駆誘導体（Ａ）として第１の製造方法を実施できる。置換基Ｚ³は、置換基Ｚ⁴と同様でありうる。

ビナフチル誘導体（Ｂ）の形成は、それ自身がビナフチル骨格を有する化合物である前駆誘導体（Ａ）からに限られない。ナフタレン誘導体から、前駆誘導体（Ａ）および／またはビナフチル誘導体（Ｂ）を形成することも可能である。これは、ナフタレン誘導体と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤とを混合することによってナフタレン誘導体のカップリング反応（ホモカップリング反応）が進行して、１，１’−ビナフチル誘導体が形成されることに基づく。このようなナフタレン誘導体のカップリング反応も、本発明者らが初めて見出した。そして、形成された１，１’−ビナフチル誘導体に対して、カップリング反応時に存在する有機酸、およびヨウ素化剤または臭素化剤が第１の製造方法と同様にそのまま作用して、ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基を導入しうる。

すなわち、本開示の第２の製造方法は、ナフタレン骨格の２位に置換基Ｚ⁵を有するナフタレン誘導体（Ｃ）と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合して誘導体（Ｃ）のカップリング反応を進行させて、１，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に置換基Ｚ⁶をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル誘導体（Ｄ）を得る方法である。第２の製造方法で形成されるビナフチル誘導体（Ｄ）は、これまで説明してきた前駆誘導体（Ａ）でもビナフチル誘導体（Ｂ）でもありうる。置換基Ｚ⁵は、置換基Ｚ²でありうる。置換基Ｚ⁵は、例えば、ナフタレン骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与基である。より具体的に、置換基Ｚ⁵は、例えば−ＯＲ基である。ここで、Ｒは、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または水酸基の保護基であってもよく、水素原子、メチル基、またはトリフルオロメタンスルホニル基でありうる。置換基Ｚ⁶は、置換基Ｚ⁵でありうるし、置換基Ｚ⁵が変化した基（例えば、上述した、置換基Ｚ²が変化した基）でありうる。

第２の製造方法で形成されるビナフチル誘導体（Ｄ）がビナフチル誘導体（Ｂ）でありうることを考慮すると、第２の製造方法において、ビナフチル骨格の８位および／または８’位にさらに置換基が導入されたビナフチル誘導体（Ｄ）を得てもよい。

第２の製造方法によってどのようなビナフチル誘導体（Ｄ）が形成されるか、例えば、ビナフチル骨格のどの位置にどのような置換基が導入できるかは、第１の製造方法と同様の反応条件の制御によって制御可能である。

第２の製造方法により形成されるビナフチル誘導体（Ｄ）は、通常、ラセミ体であるが、このラセミ体を光学分割してＲ体またはＳ体を単独で取り出すことができる。光学分割の方法は限定されず、公知の方法を使用できる。

反応条件の例は次のとおりである。以下の式（１４）に示すナフタレン誘導体（Ｃ）を用いた場合において、例えば以下の式（１５）に示すビナフチル誘導体（Ｄ）を得るための最適な条件の例は、ナフタレン誘導体（Ｃ）１当量に対して、ヨウ素化剤としてＤＩＨが２５当量、有機酸としてＴｆＯＨが５０当量、溶媒がジクロロメタン、反応温度は室温、反応時間は１２時間である。

本開示の製造方法の説明に関し、具体的に示す化合物は基本的に全てＳ体であったが、Ｒ体に対しても同じ説明が成立する。本開示の製造方法では、ナフタレン誘導体からのカップリング反応を経る方法（第２の製造方法）を除き、出発物質の軸不斉を保持できる可能性がある。一方、ナフタレン誘導体からカップリング反応を経て得たビナフチル誘導体はＳ体とＲ体とが混ざり合ったラセミ体であるが、光学分割によりＳ体またはＲ体を単独で得ることが可能である。

本開示の製造方法により得たビナフチル誘導体（Ｂ）およびビナフチル誘導体（Ｄ）の用途は限定されず、その具体的な分子構造に応じた様々な用途が考えられる。上述したものを含め、用途の例を以下に示す。

・種々の化学反応に供する前駆体としての使用
ビナフチル誘導体（Ｂ），（Ｄ）は、種々の化学反応に供する前駆化合物として使用できる。反応は、例えば、加水分解反応、置換反応、付加反応であり、より具体的には、クロスカップリング反応、ディールスアルダー反応、酸化反応、還元反応、環化反応でありうる。

・種々の化合物の前駆体としての使用
ビナフチル誘導体（Ｂ），（Ｄ）は、種々の化合物の前駆化合物として使用できる。化合物は、例えば、補酵素（ビタミン、ユビキノン）、あるいはskyrinなどの医薬有効成分である。

・光学活性体としての使用
ビナフチル誘導体（Ｂ），（Ｄ）をその軸不斉に基づいて光学活性体として使用することができ、これにより、例えば、触媒的不斉合成反応への使用の他、基材表面への不斉認識場を構築できる。基材は限定されず、例えば、シリカゲルあるいは有機−無機ハイブリッドゲルにより構成されるカラムでありうる。カラム表面の修飾にビナフチル誘導体（Ｂ），（Ｄ）を使用することにより、例えば、従来にない光学異性体分離カラムが得られる。

また、軸不斉化合物は高効率な円偏光発光を示すことから、ビナフチル誘導体（Ｂ），（Ｄ）を光学活性体として使用し、各種の基材表面に担持させることにより、例えば、有機円偏光発光フィルムのような光学部材が得られる。基材は、例えば、ガラス、ＰＥＴなどのポリエステル、アクリル、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン（環状オレフィンポリマーを含む）、ポリカーボネート、トリアセチルセルロースなどのセルロース（セルロースナノファイバーを含む）である。

さらに、不斉触媒、あるいは体内不斉環境を有するレセプターへの選択的結合を利用したバイオ試薬としての使用も考えられる。

・ポリフェノールとしての使用（ビナフチル骨格に２以上の水酸基が置換基として結合している場合）
ポリフェノールであるビナフチル誘導体（Ｂ），（Ｄ）は、例えば、活性酸素の除去に使用できる。また、ポリメチルヒドロシロキサン（ＰＭＨＳ）との反応によりＰＭＨＳ複合体を形成でき、当該複合体中のヒドロシリル基を用いた各種の基材表面の修飾が可能となる。基材は限定されず、例えば、上述の各材料の他、金属、金属酸化物でありうる。基材の形状は限定されず、例えば、シート、フィルム、繊維（ナノファイバーを含む）、粉末でありうる。これは、表面処理剤としての使用でもある。

［ビナフチル誘導体］
本開示の製造方法により、例えば、以下に示す新規なビナフチル誘導体（Ｂ），（Ｄ）を形成できる。その具体的な形成には、上述したビナフチル誘導体の製造方法を適用し、または応用すればよい。上述したビナフチル誘導体の製造方法をどのように適用し、また応用するかは、当業者であれば認識できる。

・ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基Ｚ⁷を有する１，１’−ビナフチル誘導体。置換基Ｚ⁷は、ビナフチル骨格に直接結合した酸素原子を含む基、炭素数１〜５０の脂肪族基、または炭素数６〜３０のアリール基でありうる。置換基Ｚ⁷が脂肪族基である場合、当該基の炭素数が多い、例えば炭素数が２以上、のときに、本発明の効果がより顕著となる。また、これとは別に、置換基Ｚ⁷は、ビナフチル骨格に直接結合した酸素原子を含む基Ｐ¹であり、当該骨格における３以上の他の位置に、当該骨格に直接結合した酸素原子を含む基Ｐ²を有しうる（Ｐ¹およびＰ²は、同一であっても異なっていてもよい）。

置換基Ｚ⁷は、例えば、有機酸基、水酸基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、メチル基、エチル基のようなアルキル基、フェニル基、フェニル誘導体基、ナフチル基などのアリール基、ベンジル基などのアラルキル基、メチルチオ基のようなチオアルコキシ基、トリメチルシリル基、アリルシリル基のようなシリル基、トリフェニルホスフィノ基、トリフェニルホスフィニル基などのリン原子が直結した基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基などのアミノ基、臭素基、塩素基である。基Ｐ¹およびＰ²は、例えば、互いに独立して、有機酸基、水酸基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、アミノ基、シリル基、ホスフィニル基、ホスホニル基である。基Ｐ¹，Ｐ²が脂肪族基である場合、当該基の炭素数が多い、例えば炭素数が２以上、のときに、本発明の効果がより顕著となる。

［ペリレンおよびペリレン誘導体の製造方法］
本発明者らは、第１の製造方法における反応条件を制御することによって、より具体的に、第１の製造方法と同様に、前駆誘導体（Ａ）と有機酸とヨウ素化剤または臭素化剤とを混合し、当該混合により構築される反応系の反応条件を制御することによって、ペリレン誘導体が得られることをさらに見出した。

すなわち、本開示のさらなる製造方法（第４の製造方法）では、１，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基Ｚ²をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル前駆誘導体（Ａ）と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合してペリレン誘導体を得る、ペリレン誘導体の製造方法である。得られたペリレン誘導体のペリレン骨格に結合した置換基を全て除去することによってペリレンを得ることも可能である。

第４の製造方法では、前駆誘導体（Ａ）、有機酸、およびヨウ素化剤または臭素化剤を含む反応系により、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位と８’位とを結ぶ結合（単結合）が導入される反応が進行する。この導入反応により、ビナフチル骨格はペリレン骨格となる。

第１の製造方法と第４の製造方法とは、前駆誘導体（Ａ）と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤とを混合して、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位および／または８’位に新たな結合を導入する点で共通する。新たな結合は、水素原子以外との結合である。それぞれの製造方法によって得られるビナフチル誘導体（Ｂ）およびペリレン誘導体は、前駆誘導体（Ａ）に由来する（より具体的に、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格に由来する）多環芳香族構造を有する多環芳香族化合物である点で共通する。本開示は、前駆誘導体（Ａ）と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤とを混合して、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位および／または８’位に水素原子以外の原子との結合を導入する工程を含む、前駆誘導体（Ａ）に由来する多環芳香族構造を有する多環芳香族化合物の製造方法（第５の製造方法）を含む。

第５の製造方法において、水素原子以外の原子は、例えば、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位および８’位において互いに独立して、炭素原子または酸素原子である。

第５の製造方法において、上記結合として、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基Ｚ¹を導入しうる。より具体的に、第５の製造方法において、上記結合として、ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基Ｚ¹を導入して、ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基Ｚ¹が導入されたビナフチル誘導体（Ｂ）を、多環芳香族化合物として得うる。これは、第１の製造方法に対応する。置換基Ｚ¹は、第１の製造方法の説明において上述したとおりである。

第５の製造方法において、上記結合として、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位および８’位を結ぶ結合（単結合）を導入しうる。より具体的に、第５の製造方法において、上記結合として、ビナフチル骨格の８位および８’位を結ぶ結合（単結合）を導入して、ペリレン誘導体（または当該ペリレン誘導体のペリレン骨格に結合した置換基をさらに全て除去することによって得たペリレン）を、多環芳香族化合物として得うる。これは、第４の製造方法に対応する。

第５の製造方法では、多環芳香族化合物として、例えば、１，１’−ビナフチル誘導体（Ｂ）、ペリレン、またはペリレン誘導体を得ることができる。

第４および第５の製造方法において、前駆誘導体（Ａ）、有機酸、ヨウ素化剤、および臭素化剤は、第１の製造方法の説明において上述したとおりである。

第４の製造方法において、前駆誘導体（Ａ）、有機酸、およびヨウ素化剤または臭素化剤の混合によってビナフチル骨格の８位と８’位とを結ぶ単結合の導入反応が進行する限り、具体的な反応系は限定されない。第５の製造方法において、前駆誘導体（Ａ）、有機酸、およびヨウ素化剤または臭素化剤の混合によってビナフチル骨格の８位および／または８’位に水素原子以外の原子との結合の導入反応が進行する限り、具体的な反応系は限定されない。第４および第５の製造方法の反応系は、第１の製造方法の反応系と同様でありうる。

第５の製造方法において、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基Ｚ¹が導入されるか（第１の製造方法となるか）、あるいは前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位と８’位とを結ぶ単結合が導入されるか（第４の製造方法となるか）は、反応条件により制御できる。ここでの反応条件は、例えば有機酸の種類および使用量（例えば、前駆誘導体（Ａ）１当量あたりの当量）、ヨウ素化剤または臭素化剤の種類および使用量、反応温度、反応時間、ならびに前駆誘導体（Ａ）の分子構造（例えば、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の２位および２’位に結合した電子供与性基Ｚ²の種類）である。

第４の製造方法では、前駆誘導体（Ａ）の電子供与性基Ｚ²は、例えば有機酸基であり、トリフルオロメタンスルホニル基でありうる。

第４の製造方法、およびペリレン誘導体を得る第５の製造方法において、反応系に加えるヨウ素化剤または臭素化剤の量は、前駆誘導体（Ａ）の分子構造、得たいペリレン誘導体の分子構造（例えば、ペリレン骨格に結合した置換基Ｚ⁴の種類と、これら置換基が導入されるペリレン骨格の位置）、ヨウ素化剤または臭素化剤の種類、ならびに反応温度および反応条件により異なるが、ヨウ素化剤がＤＩＨの場合、前駆誘導体（Ａ）１当量に対して、例えば２当量以上６０当量以下とすることができ、３当量以上３０当量以下、あるいは１０当量以上２０当量以下とすることもできる。ヨウ素化剤がＮＩＳである場合、およそ２〜２０倍の当量でＤＩＨと同様の結果を得ることができる。

第４の製造方法、およびペリレン誘導体を得る第５の製造方法において、反応系に加える有機酸の量は、前駆誘導体（Ａ）の分子構造、得たいペリレン誘導体の分子構造、有機酸の種類、ならびに反応温度および反応条件により異なるが、前駆誘導体（Ａ）１当量に対して、例えば３当量以上１２０当量以下とすることができ、５当量以上６０当量以下、あるいは１０当量以上４０当量以下とすることもできる。

第４の製造方法、およびペリレン誘導体を得る第５の製造方法における反応温度は、例えば、−７８〜１００℃であり、−３０〜６０℃、あるいは−１０〜３０℃とすることもできる。

第４の製造方法、およびペリレン誘導体を得る第５の製造方法における反応時間は、例えば、数秒〜４８時間であり、１０秒〜２４時間、あるいは１０秒〜１８時間とすることができる。系によっては、後述の実施例に示すように、秒単位という非常に短時間で前駆誘導体（Ａ）からペリレン誘導体を形成できる。

ビナフチル誘導体（Ｂ）を得る第５の製造方法における反応条件は、第１の製造方法の説明において上述したとおりである。

第４の製造方法および第５の製造方法では、反応条件の制御により、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の８位および／または８’位以外の位置に、さらに置換基Ｚ⁴を導入できる。置換基Ｚ⁴は、第１の製造方法の説明において上述したとおりである。

第５の製造方法においてビナフチル誘導体（Ｂ）を得る場合については、第１の製造方法の説明において上述したとおりである。すなわち、ビナフチル骨格の４位、４’位、５位、５’位、６位および６’位から選ばれる少なくとも１つの位置に置換基Ｚ⁴が導入されたビナフチル誘導体（Ｂ）を多環芳香族化合物として得てもよい。

第４の製造方法、およびペリレン誘導体を得る第５の製造方法において、反応条件の制御により、置換基Ｚ⁴が導入されるペリレン骨格上の位置も制御できる。通常、反応条件をより強くするに従い、前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格の６位および／または６’位、さらには５位および／または５’位、４位および／または４’位の順に、置換基Ｚ⁴の導入がさらに進行する。これは、通常、反応条件をより強くするに従い、ペリレン骨格の５位および／または８位、さらには４位および／または９位、２位および／または１０位に置換基Ｚ⁴が導入されたペリレン誘導体が得られることを意味する。すなわち、第４の製造方法、およびペリレン誘導体を得る第５の製造方法において、ペリレン骨格の３位、４位、５位、８位、９位および１０位から選ばれる少なくとも１つの位置に置換基Ｚ⁴が導入されたペリレン誘導体を（多環芳香族化合物として）得てもよい。

第４の製造方法、およびペリレン誘導体を得る第５の製造方法において、第１の製造方法と同様に、上述した反応条件の制御によって置換基Ｚ⁴の種類およびペリレン骨格上の位置も制御できる。なお、このことは、例えば、前駆誘導体（Ａ）が２位および２’位以外の場所に置換基を有する場合（前駆誘導体（Ａ）が置換基Ｚ³を有する場合）であって、当該置換基Ｚ³がヨウ素基または臭素基である場合に、反応条件の制御によって、これらヨウ素基または臭素基を有機酸基または水酸基に置換（イプソ置換）できることを意味している。また、イプソ置換は、反応条件が強くなるに従って前駆誘導体（Ａ）のビナフチル骨格に導入される置換基Ｚ⁴がヨウ素基または臭素基から有機酸基に変化する際にも、一度骨格に導入されたヨウ素基または臭素基が有機酸基に置換される反応機構として進行していると推定される。

これらの説明からわかるように、第４の製造方法、およびペリレン誘導体を得る第５の製造方法において、例えば、複数の有機酸基、より具体的な例としてＴｆＯ基、がペリレン骨格に置換基Ｚ⁴として導入されたペリレン誘導体を形成しうる。また、複数の水酸基がペリレン骨格に置換基Ｚ⁴として導入されたペリレン誘導体を形成しうる。その一例は、ペリレン骨格の全ての位置にＴｆＯ基のような有機酸基および／または水酸基を有するペリレン誘導体である。当該全ての位置に有機酸基を有するペリレン誘導体でも、当該全ての位置に水酸基を有するペリレン誘導体でもありうる。

置換基Ｚ⁴は、その種類によって、ペリレン誘導体におけるさらなる反応の活性点となりうる。このことは、置換基Ｚ⁴により、ペリレン誘導体にさらなる誘導化の可能性がもたらされることを意味する。例えば、有機酸基（とりわけＴｆＯ基）、ヨウ素基または臭素基である置換基Ｚ⁴は、クロスカップリング反応において高い反応性を示す。これは、このような置換基Ｚ⁴を有するペリレン誘導体から、クロスカップリング反応により、生理活性物質および医薬有効成分などを含む多種多様の化合物および当該化合物の前駆体が合成可能であることを意味している。置換基Ｚ⁴がペリレン骨格に導入される位置を制御可能であることも、さらなる誘導化によって実現しうる化合物の範囲の広さに寄与する。具体的なクロスカップリング反応の例は、第１の製造方法の説明において上述したとおりである。クロスカップリング反応に対する反応性は、ヨウ素基、ＴｆＯ基、および臭素基の順に高い。

有機酸基である置換基Ｚ⁴は、加水分解によって比較的容易に水酸基とすることができる。これは、ペリレン骨格を有するポリフェノールが得られることを意味する。ポリフェノールからは、例えば、ケトン構造、キノン構造、エーテル構造を誘導できる。

これらさらなる誘導体から、さらに反応を進行させて別の誘導体を形成してもよい。

このようにペリレン誘導体は、さらなる反応を経ることにより、非常に多種多用の化合物に変化しうる。変化しうる化合物は、ペリレン骨格以外の他の骨格を有する化合物でありうる。

これまでの説明から明らかであるように、ビナフチル誘導体（Ｂ）、例えば第１の製造方法により得たビナフチル誘導体（Ｂ）から、第４の製造方法、またはペリレン誘導体を得る第５の製造方法によって、ペリレン誘導体を形成できる。また、ビナフチル誘導体（Ｂ）、例えば第１の製造方法により得たビナフチル誘導体（Ｂ）から、ビナフチル誘導体を得る第５の製造方法によって、さらなる誘導化がなされた１，１’−ビナフチル誘導体を形成できる。

ナフタレン誘導体から前駆誘導体（Ａ）および／またはビナフチル誘導体（Ｂ）を形成可能であることは上述のとおりである（第２の製造方法）。そして、ナフタレン誘導体のカップリング反応により形成された１，１’−ビナフチル誘導体に対して、カップリング反応時に存在する有機酸、およびヨウ素化剤または臭素化剤が第４の製造方法および第５の製造方法と同様にそのまま作用して、ペリレン誘導体を形成しうる。本開示は、ナフタレン骨格の２位に置換基Ｚ⁵を有するナフタレン誘導体（Ｃ）と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合して誘導体（Ｃ）のカップリング反応を進行させて、１，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に置換基Ｚ⁶をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル誘導体（Ｄ）を形成する工程を含む、当該１，１’−ビナフチル骨格に由来する多環芳香族構造を有する多環芳香族化合物の製造方法（第６の製造方法）を含む。多環芳香族化合物は、例えば、１，１’−ビナフチル誘導体、ペリレン、またはペリレン誘導体である。

第６の製造方法における上記工程は、第２の製造方法の説明において上述したとおりである。

第６の製造方法は、置換基Ｚ⁶がビナフチル骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基であり、ナフタレン誘導体（Ｃ）のカップリング反応により得られた１，１’−ビナフチル誘導体（Ｄ）のビナフチル骨格の８位および／または８’位に水素原子以外の原子との結合を導入する工程をさらに含んでいてもよい。結合は、例えば、ビナフチル骨格の８位および８’位を結ぶ結合（単結合）であり、これにより、ペリレン誘導体（またはペリレン）を（多環芳香族化合物として）得ることができる。第６の製造方法におけるこのさらなる工程、およびペリレン誘導体は、第４の製造方法および第５の製造方法の説明において上述したとおりである。

本開示の製造方法により得たペリレン誘導体の用途は限定されず、その具体的な分子構造に応じた様々な用途が考えられる。用途の例を以下に示す。

・種々の化学反応に供する前駆体としての使用
ペリレン誘導体は、種々の化学反応に供する前駆化合物として使用できる。反応は、例えば、加水分解反応、置換反応、付加反応であり、より具体的には、クロスカップリング反応、ディールスアルダー反応、酸化反応、還元反応、環化反応でありうる。

・種々の化合物の前駆体としての使用
ペリレン誘導体は、種々の化合物の前駆化合物として使用できる。

・ポリフェノールとしての使用（ペリレン骨格に２以上の水酸基が置換基として結合している場合）
ポリフェノールであるペリレン誘導体は、例えば、活性酸素の除去に使用できる。また、ポリメチルヒドロシロキサン（ＰＭＨＳ）との反応によりＰＭＨＳ複合体を形成でき、当該複合体中のヒドロシリル基を用いた各種の基材表面の修飾が可能となる。基材は限定されず、例えば、上述の各材料の他、金属、金属酸化物でありうる。基材の形状は限定されず、例えば、シート、フィルム、繊維（ナノファイバーを含む）、粉末でありうる。これは、表面処理剤としての使用でもある。

・光学材料および電子材料としての使用
ペリレン骨格が有する発光能および／または電子移動能に基づき、ペリレン誘導体の光学材料、電子材料としての使用が考えられる。

［ナフタレン誘導体の製造方法］
本開示の第７の製造方法では、１，１’−ビナフチル骨格の２位および／または２’位に、当該骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基Ｚ²をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル誘導体と、有機酸と、を混合して当該誘導体のデカップリング（解裂）反応を進行させて、置換基を有するナフタレン骨格を有するナフタレン誘導体を得る。ビナフチル誘導体は、上述したビナフチル前駆誘導体（Ａ）およびビナフチル誘導体（Ｂ）でありうる。ナフタレン誘導体は、上述したナフタレン誘導体（Ｃ）でありうる。

第７の製造方法により形成したナフタレン誘導体は、出発物質であるビナフチル誘導体が有する置換基をそのまま有しうるし、その一部のみを有しうる。例えば、得られたナフタレン誘導体は、そのナフタレン骨格の２位に上記電子供与性基Ｚ²を有しうる。第７の製造方法により形成したナフタレン誘導体に対してさらなる反応を進行させて、さらなる誘導体を得てもよい。このさらなる反応は、デカップリング反応に続いて連続して進行させてもよい。

この反応系は、ヨウ素化剤および臭素化剤を含まない反応系でありうる。有機酸は、第１の製造方法において上述した有機酸でありうる。

ビナフチル誘導体および有機酸の混合によってデカップリング反応が進行する限り、具体的な反応系は限定されないが、典型的には溶液系である。溶液系の溶媒は、ビナフチル誘導体、有機酸、および生成したナフタレン誘導体を溶解する溶媒であることが好ましい。溶液系の具体的な溶媒は、例えばジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、クロロベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、ジオキサンであり、比誘電率および反応中間体の安定性の観点から、ジクロロメタン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサンが好ましい。

反応系は、必要に応じて、ビナフチル誘導体および有機酸以外の物質を含んでいてもよい。当該物質は、例えば、硫酸などの無機酸である。反応系が無機酸を含む場合、有機酸の種類によっては（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸）、有機酸の使用量を低減できる可能性がある。当該物質の別の例は、反応速度を制御するための触媒（助触媒を含む）、ラジカル捕捉剤である。

第７の製造方法において、反応系に加える有機酸の量は、有機酸の種類、ならびに反応温度および反応条件により異なるが、ビナフチル誘導体１当量に対して、例えば３当量以上１２０当量以下とすることができ、５当量以上６０当量以下、あるいは１０当量以上５０当量以下とすることもできる。

第７の製造方法における反応温度は、例えば、−７８〜１２０℃であり、−３０〜８０℃、あるいは−１０〜３０℃とすることもできる。

以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、以下に示す実施例に限定されない。

（実施例１）
実施例１では、以下の反応式に示すように、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルから、８位および８’位にトリフルオロメタンスルホン酸基（ＣＦ₃ＳＯ₂基；ＴｆＯ基）が導入された８，８’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチルを合成した。

最初に、空気雰囲気下において、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（８１．８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）およびＤＩＨ（日宝化学社製、１１４ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（５ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（ＴｆＯＨ；４４μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を室温で１時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下して中和を行った。次に、中和物に亜硫酸ナトリウムを加えた後、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗生成物を得た。その後、得られた粗生成物をゲル濾過クロマトグラフィーにより濾過して、８，８’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチル（６６ｍｇ，収率５９％）を得た。得られた化合物はＳ体とＲ体との混合体（ラセミ体）であり、公知の光学分割手法によって、上記反応式に示すＳ体とＲ体とに分離できた。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定および大気圧固体試料プローブ（ＡＳＡＰ）を用いた質量分析（ＡＳＡＰ−ＭＳ）により同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。なお、¹Ｈ−ＮＭＲ測定および¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定の重溶媒にはＣＤＣｌ₃を使用した。特に記載がない限り、以降の実施例においても同じである。同定された値は、次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．４７（ｓ，２Ｈ），７．９９（ｓ，２Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），６．７２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），３．７５（ｓ，６Ｈ）
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７３．２８
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₄Ｈ₁₂Ｆ₆Ｉ₄Ｏ₈Ｓ₂：ｍ／ｚ＝１１１３，６０５６，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１１３．６０７２

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図６に、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図７に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図８に、それぞれ示す。

（実施例２）
実施例２では、以下の反応式に示すように、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルから、８位および８’位にトリフルオロメタンスルホン酸基が導入された、５，５’，６，６’，８，８’−ヘキサキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’−ジヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチル、４，５，５’，６，６’，８，８’−ヘプタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４’−ヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチル、および４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチルを合成した。

最初に、空気雰囲気下において、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（８１．８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）およびＤＩＨ（３７９．３ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（５ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．１７ｍＬ，２．０ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を室温で１時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下して中和を行った。次に、中和物に亜硫酸ナトリウムを加えた後、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗生成物を得た。その後、得られた粗組成物をゲル濾過クロマトグラフィーにより濾過して、５，５’，６，６’，８，８’−ヘキサキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’−ジヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチル（１７．１ｍｇ，収率１２％）、４，５，５’，６，６’，８，８’−ヘプタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４’−ヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチル（４２．５ｍｇ，収率２９％）、および４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチル（３１．２ｍｇ，収率２１％）を得た。得られた化合物はラセミ体であり、公知の光学分割手法によって、上記反応式に示すＳ体とＲ体とに分離できた。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

・５，５’，６，６’，８，８’−ヘキサキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’−ジヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチルについて
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝７．７０（ｓ，２Ｈ），７．４１（ｓ，２Ｈ），３．７０（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₈Ｈ₁₀Ｆ₁₈Ｉ₂Ｏ₂₀Ｓ₆：ｍ／ｚ＝１４５３．５９，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１４５４．４０２７

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図９に示す。

・４，５，５’，６，６’，８，８’−ヘプタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４’−ヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチルについて
¹Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ）＝７．７６（ｓ，１Ｈ），７．６０（ｓ，１Ｈ），７．５７（ｓ，１Ｈ），７．４５（ｓ，１Ｈ），３．７９（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₉Ｈ₁₀Ｆ₂₁ＩＯ₂₃Ｓ₇：ｍ／ｚ＝１４７５．６４，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１４７６．４６５１

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１０に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図１１に、それぞれ示す。

・４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１−ビナフチルについて
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝７．６２（ｓ，２Ｈ），７．５７（ｓ，２Ｈ），３．８２（ｓ，６Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１５６．８６９， １４５．３５１， １４４．１３１， １３７．１３３， １３３．６６２， １２７．４１７， ２２７．３０１， １１６．１２８， １１４．４６９， １１２．１２３， ５７．３４７
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７２．００，−７２．１２，−７２．２１，−７３．８１
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₃₀Ｈ₁₀Ｆ₂₄Ｉ₄Ｏ₈Ｓ₂：ｍ／ｚ＝１４９７．６８，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１４９８．５０３３

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１２に、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図１３に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図１４に、それぞれ示す。

４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルの同定にあたっては、¹Ｈ−ＮＭＲ測定および¹³Ｃ−ＮＭＲ測定を利用したＨＭＱＣ（Hetero-nuclear Multiple Quantum Coherence）およびＨＭＢＣ（Hetero-nuclear Multiple-Bond Connectivity）による評価を併用した。図１５にＨＭＱＣの結果を、図１６にＨＭＢＣの結果を、それぞれ示す。まず、メトキシ基のプロトンとδ＝７．６２ｐｐｍのＨａに２０％のｎＯｅが観測されたことから、δ＝７．６２ｐｐｍのＨａはビナフチル骨格の３位および３’位に位置する水素原子であることが確認された（以下の化学式を参照）。さらに、ＨＭＱＣの結果より、δ＝７．６２ｐｐｍのＨａは１１２．１２３ｐｐｍの¹³Ｃピークと、また、δ＝７．５７ｐｐｍのＨａは、１１４．４７ｐｐｍの¹³Ｃピークと、に相関が見られた。一方、ＨＭＢＣの結果より、δ＝７．６２ｐｐｍのＨａは、１１６．１３，１１７．３０，１４５．３５，１５６．８７ｐｐｍの¹³Ｃピークとに相関が見られ、δ＝７．５７ｐｐｍのＨｂは、１２７．４２，１３３．６６，１３７．１３，１４４．１３ｐｐｍの¹³Ｃピークとに相関が見られ、ＨａおよびＨｂの両方とのクロスピークが現れた炭素原子は存在しなかった。このことから、Ｈｂはビナフチル骨格の７，７’位に位置する水素原子であることが確認された。すなわち、作製した誘導体ではビナフチル骨格の３，３’，７，７’位に置換基が存在しておらず、４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルが合成されていることをより確実に同定できた。

（実施例３）
実施例３では、以下の反応式に示すように、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルから、８位および８’位にトリフルオロメタンスルホン酸基が導入された４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルを選択的に合成した。

最初に、空気雰囲気下において、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（８１．８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）およびＤＩＨ（９４５ｍｇ，２．５ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（５ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．４４ｍＬ，５．０ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を室温で１２時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下して中和を行った。次に、中和物に亜硫酸ナトリウムを加えた後、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗生成物を得た。その後、得られた粗組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ＣＨＣｌ₃）により濾過して、４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（６２．８ｍｇ，収率４２％）を得た。得られた化合物はラセミ体であり、公知の光学分割手法によって、上記反応式に示すＳ体とＲ体とに分離できた。

（実施例４）
実施例４では、以下の反応式に示すように、（Ｓ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルから、８位および８’位にトリフルオロメタンスルホン酸基が導入された４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルを合成した。

最初に、空気雰囲気下において、（Ｓ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（３１．３ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）およびＤＩＨ（９４５ｍｇ，２．５ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（５ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．４４ｍＬ，５．０ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を室温で１２時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下して中和を行った。次に、中和物に亜硫酸ナトリウムを加えた後、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗組成物を得た。その後、得られた粗組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ＣＨＣｌ₃）により濾過して、４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（４９．４ｍｇ，収率３２％）を得た。得られた化合物はラセミ体であり、公知の光学分割手法によって、上記反応式に示すＳ体とＲ体とに分離できた。

用いたＤＩＨの量を３．０ｍｍｏｌ、トリフルオロメタンスルホン酸の量を６．０ｍｍｏｌに変更した場合、室温で２０分間の反応により収率２７％で４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルが得られた。

（実施例５）
実施例５では、以下の反応式に示すように、２−メトキシナフタレンから、８位および８’位にトリフルオロメタンスルホン酸基が導入されたｒａｃ−４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルを合成した。

最初に、空気雰囲気下において、２−メトキシナフタレン（１５．８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）およびＤＩＨ（９４５ｍｇ，２．５ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（５ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．４４ｍＬ，５．０ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を室温で１２時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下して中和を行った。次に、中和物に亜硫酸ナトリウムを加えた後、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗生成物を得た。その後、得られた粗組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ＣＨＣｌ₃）により濾過して、ｒａｃ−４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（２７．１ｍｇ，収率３６％）を得た。

（実施例６）
実施例６では、ＤＩＨの使用量を７６ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）とし、トリフルオロメタンスルホン酸の使用量を０．０３５ｍＬ（０．４ｍｍｏｌ）とした以外は、実施例１と同様にして、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（８１．８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）から、以下の反応式に示すように、モノトリフルオロメタンスルホニルオキシ体である８−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（１４ｍｇ，収率１５％）、およびビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）体である８，８’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（２３ｍｇ，収率２１％）を得た。得られた化合物はラセミ体であり、公知の光学分割手法によって、以下の反応式に示すＳ体とＲ体とに分離できた。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

・８−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルについて
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．６１（ｓ，１Ｈ），８．４４（ｓ，１Ｈ），８．０１（ｓ，１Ｈ），７．９１（ｓ，１Ｈ），７．５５（ｓ，１Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），６．７２（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，３Ｈ），３．７６（ｓ，３Ｈ），３．６９（ｓ，３Ｈ）
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７３．１４
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₃Ｈ₁₃Ｆ₃Ｉ₄Ｏ₅Ｓ：ｍ／ｚ＝９６５．６６，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝９６５．６７０２

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１７に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図１８に、それぞれ示す。

・８，８’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルについて
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．４７（ｓ，２Ｈ），７．９９（ｓ，２Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），６．７２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），３．７５（ｓ，６Ｈ）
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７３．２８
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₄Ｈ₁₂Ｆ₆Ｉ₄Ｏ₈Ｓ₂：ｍ／ｚ＝１１１３．６０５６，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１１３．６０７２
（実施例７）
実施例７では、ＤＩＨの使用量を１１４ｍｇ（０．３ｍｍｏｌ）とし、トリフルオロメタンスルホン酸の使用量を０．０８８ｍＬ（１．０ｍｍｏｌ）とした以外は、実施例１と同様にして、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（８１．８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）から、以下の反応式に示すように、６，８，８’−トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’，６’−トリヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（５３ｍｇ，収率４７％）を得た。得られた化合物はラセミ体であり、公知の光学分割手法によって、以下の反応式に示すＳ体とＲ体とに分離できた。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．５９（ｓ，１Ｈ），８．４５（ｓ，１Ｈ），８．００（ｓ，１Ｈ），７．６１（ｓ，１Ｈ），７．５６（ｓ，１Ｈ），７．４３（ｓ，１Ｈ），３．７１（ｓ，３Ｈ），３．７０（ｓ，３Ｈ）
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７２．６８，−７３．１７，−７３．５８
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₅Ｈ₁₂Ｆ₉Ｉ₃Ｏ₁₁Ｓ₃：ｍ／ｚ＝１１３５．６５，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１３６．５０５１

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１９に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図２０に、それぞれ示す。

（実施例８）
実施例８では、ＤＩＨの使用量を１８９ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）とし、トリフルオロメタンスルホン酸の使用量を０．１７０ｍＬ（２．０ｍｍｏｌ）とした以外は、実施例１と同様にして、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（８１．８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）から、以下の反応式に示すように、６，６’，８，８’−テトラ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’−ジヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル、および４，６，６’，８，８’−ペンタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４’−ヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルを得た。得られた化合物はラセミ体であり、公知の光学分割手法によって、以下の反応式に示すＳ体とＲ体とに分離できた。

得られた化合物は、分子量測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定された質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

・６，６’，８，８’−テトラ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４，４’−ジヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルについて
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₆Ｈ₁₂Ｆ₁₂Ｉ₂Ｏ₁₄Ｓ₄：ｍ／ｚ＝１１５７．７０１，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１５７．５４９４

・４，６，６’，８，８’−ペンタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−４’−ヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルについて
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₇Ｈ₁₂Ｆ₁₃ＩＯ₁₇Ｓ₅：ｍ／ｚ＝１１７９．６０１３，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１７９．６０１３

（応用例１）
応用例１では、以下の反応式に示すように、実施例２，３で作製した（Ｓ）−４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルの加水分解を経て、キノン化合物である（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフト−ｐａｒａ−キノンを合成した。

最初に、空気雰囲気下において、（Ｓ）−４，４’，５，５’，６，６’，８，８’−オクタキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（１４９ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）を、１，４−ジオキサン（１０ｍＬ）およびメタノール（５ｍＬ）の混合溶液に溶解させた後、溶解物に濃度１Ｍの水酸化ナトリウム水溶液（２．４ｍＬ，２．４ｍｍｏｌ）を加え、全体を６０℃で２０時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に濃度１０重量％の塩酸を加えて中和を行い、ジエチルエーテルで有機層を抽出した後、抽出した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗生成物を得た。その後、得られた粗生成物をクロロホルムにより再結晶させて、橙色固体の（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフト−ｐａｒａ−キノン（２１．５ｍｇ，収率５１％）を得た。

水酸化ナトリウムの代わりに水素化ナトリウム２．０ｍｍｏｌを使用した場合、室温および２０時間の反応により、収率９８％超（quant）で（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフト−ｐａｒａ−キノンが得られた。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。なお、¹Ｈ−ＮＭＲ測定の重溶媒には、（ＣＤ₃）₂ＣＯを使用した。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１２．４８（ｂｒ），９．７９（ｂｒ），６．７９（ｓ，２Ｈ），５．９１（ｓ，２Ｈ），３．７６（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₂Ｈ₁₄Ｏ₁₀：ｍ／ｚ＝４３８．０６，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝４３９．１２０１

図２１に、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフト−ｐａｒａ−キノンのＵＶ−Ｖｉｓ（紫外−可視光）吸収スペクトルを示す。なお、試料濃度は１×１０^-5Ｍ、セル長は１ｃｍ、λ_maxは３０８ｎｍとした。

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２２に示す。

（実施例９）
実施例９では、ＤＩＨの使用量を７６ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）とし、トリフルオロメタンスルホン酸の代わりにメタンスルホン酸（０．０２６ｍＬ，０．４ｍｍｏｌ）とした以外は、実施例１と同様にして、（Ｓ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（８１．８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）から、以下の反応式に示すように、８，８’−ビス（メタンスルホニルオキシ）−４，４’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（１８．１ｍｇ，収率１８％）を得た。得られた化合物はラセミ体であり、公知の光学分割手法によって、以下の反応式に示すＳ体とＲ体とに分離できた。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．４６（ｓ，２Ｈ），７．９８（ｓ，２Ｈ），７．８６（ｓ，２Ｈ），３．６８（ｓ，６Ｈ），２．０２（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₄Ｈ₁₈Ｉ₄Ｏ₈Ｓ₂：ｍ／ｚ＝１００５．６６２，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１００５．６５４４

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２３に、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図２４に、それぞれ示す。

（実施例１０）
実施例１０では、以下の反応式に示すように、５，５’−ジヨード−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルから、８位にヨウ素基が導入されるとともに、６位および６’位にもヨウ素基が導入された、５，５’，６，６’，８−ペンタヨード−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルを合成した。このとき、５，５’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルが併せて得られた。

最初に、空気雰囲気下において、５，５’−ジヨード−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチル（４０．１ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ）およびＤＩＨ（５７．０ｍｇ，０．１５ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（５ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．０２２ｍＬ，０．２５ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を室温で１時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下して中和を行った。次に、中和物に亜硫酸ナトリウムを加えた後、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、組成生物を得た。その後、得られた粗組成物をゲル濾過クロマトグラフィーにより濾過して、５，５’，６，６’，８−ペンタヨード−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルを得た。得られた５，５’，６，６’，８−ペンタヨード−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルはラセミ体であり、公知の光学分割手法によって、Ｒ体とＳ体とに分離できた。

得られた５，５’，６，６’，８−ペンタヨード−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルは、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．６９１（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，１Ｈ），８．５８１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），７．８２４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），７．７８８（ｓ，１Ｈ），７．６１６（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，１Ｈ），７．５７７（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，１Ｈ），６．８４６（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，１Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１０７．８２３， １１２．０６６， １１４．４１２， １１４．６５０， １１６．３９５， １１９．８６５， １２２．１７３， １２２．２９７， １２２．６７８， １２２．８０２， １２６．４７３， １２７．７７９， １３１．６９８， １３３．２１４， １３４．６７３， １３５．８３６， １３７．３０４， １３８．４０１， １４０．９４６， １４２．１７６， １４６．１２４， １４６．２００
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７３．９３６，−７４．０２８
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₂Ｈ₇Ｆ₆Ｉ₅Ｏ₆Ｓ₂：ｍ／ｚ＝１１７９．４８，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１７９．２７９３

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２５に、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図２６に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図２７に、それぞれ示す。

（実施例１１）
実施例１１では、以下の反応式に示すように、（Ｓ）−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルから、ペリレン誘導体である１，３，４，６，７，９，１０，１２−オクタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレン、および１，３，４，６，７，９，１２−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンまたは１，３，４，６，７，９，１０−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンを合成した。このとき、５，５’，６，６’−テトラヨード−２，２’，８，８’−テトラ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルが併せて得られた。

最初に、空気雰囲気下において、（Ｓ）−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチル（５５．０ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）およびＤＩＨ（７５９．８ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（１０ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．３５４ｍＬ，４．０ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を０℃で１０秒間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下して中和を行った。次に、中和物に亜硫酸ナトリウムを加えた後、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、組成生物を得た。その後、得られた粗組成物をゲル濾過クロマトグラフィーにより濾過し、さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ＡｃＯＥｔ：Ｈｅｘａｎｅ＝１：５）により単離して、ペリレン誘導体である１，３，４，６，７，９，１０，１２−オクタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレン、および１，３，４，６，７，９，１２−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンまたは１，３，４，６，７，９，１０−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンを得た。１，３，４，６，７，９，１０，１２−オクタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンと、１，３，４，６，７，９，１２−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンまたは１，３，４，６，７，９，１０−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンとの比は、ＮＭＲ比で０．５１：１であった。

得られた１，３，４，６，７，９，１２−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンまたは１，３，４，６，７，９，１０−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンは、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．８０４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），７．９１４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），７．８４０（ｓ，１Ｈ），７．７６７（ｓ，１Ｈ），７．７６４（ｓ，１Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１１３．８４９， １１４．１９２， １１７．１９６， １１８．０１６， １１８．４３５， １１８．５６９， １１９．２１７， １１９．４０８， １１９．６９４， １２０．３９９， １２２．５３５， １２３．３３６， １２４．９８５， １３１．２１２， １３２．０７９， １３２．７３７， １４２．９７７， １４３．９３１， １４４．１６９， １４４．３９８， １４４．８０８， １４５．４８５
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７１．６３１，−７１．７２４，−７１．７８５，−７１．９３９，−７２．７０７，−７２．７６８，−７２．８６１
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₇Ｈ₅Ｆ₂₁Ｏ₂₁Ｓ₇：ｍ／ｚ＝１２８７．７，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１２８７．６７０８

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２８に、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図２９に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図３０に、それぞれ示す。

（実施例１２）
実施例１２では、以下の反応式に示すように、（Ｓ）−５，５’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルから、ペリレン誘導体である１，１２−ジヨード−３，４，５，６，７，９，１０−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンを合成した。このとき、５，５’，６，６’−テトラヨード−２，２’，８，８’−テトラ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルが併せて得られた。

最初に、窒素雰囲気下において、５，５’，６，６’−テトラヨード−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチル（１０５．３ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）およびＤＩＨ（７５９．８ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（１０ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．３５４ｍＬ，４．０ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を０℃で１分間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下して中和を行った。次に、中和物に亜硫酸ナトリウムを加えた後、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、組成生物を得た。その後、得られた粗組成物をゲル濾過クロマトグラフィーにより濾過して、ペリレン誘導体である１，１２−ジヨード−３，４，５，６，７，９，１０−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレン（１０．１ｍｇ，収率６．６％）を得た。

得られた１，１２−ジヨード−３，４，５，６，７，９，１０−ヘプタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンは、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．９７６（ｓ，１Ｈ），７．７１７（ｓ，１Ｈ），７．７０７（ｓ，１Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１１８．８３６， １１９．６３７
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７１．２１６，−７１．５０８，−７１．６６２（ｓ，２Ｆ），−７２．２７７，−７２．７０７，−７２．７６８
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₇Ｈ₃Ｆ₂₁Ｉ₂Ｏ₂₁Ｓ₇：ｍ／ｚ＝１５３９．５，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１５３９．３６２３

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３１に、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図３２に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図３３に、それぞれ示す。

（実験例１）
実験例１では、以下の反応式に示すように、４，４’，６，６’−テトラメチル−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルをデカップリング（解裂）して、２−メトキシ−４，６−ジメチルナフタレンを得た。

最初に、空気雰囲気下において、４，４’，６，６’−テトラメチル−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（７４ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（１０ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．８８５ｍＬ，１０ｍｍｏｌ）を滴下して、室温で１時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に過剰量の飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和亜硫酸ナトリウム水溶液とを加えた。次に、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、これを濾過および濃縮して粗生成物を得た。次に、得られた粗組成物をヘキサンを用いて濾過した後、濃縮し、さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ＡｃＯＥｔ：Ｈｅｘａｎｅ＝１：５）により単離して、２−メトキシ−４，６−ジメチルナフタレン（３５ｍｇ，収率４７％）を得た。

得られた２−メトキシ−４，６−ジメチルナフタレンは、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝７．７１２（ｓ，Ｈ），７．６８２（ｄ，１Ｈ），７．３２９（ｄ，１Ｈ），７．０２１（ｓ，１Ｈ），７．００７（ｓ，１Ｈ），３．９２２（ｓ，３Ｈ），２．６６７（ｓ，３Ｈ），２．５５５（ｓ，３Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１５６．５７８， １３５．５２６， １３２．９０４， １２８．５２７， １２８．３１８， １２７．２９８， １２３．３０３， １１９．３７４， １０３．８４２， ５５．１５９， ２１．８６４， １９．３７６
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₁₃Ｈ₁₄Ｏ：ｍ／ｚ＝１８６．１０４５，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１８６．１５６７

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３４に、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図３５に、それぞれ示す。

（実施例１３）
実施例１３では、以下の反応式に示すように、（Ｓ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチルから、キノン構造を有するビナフチル誘導体である１−（２−メトキシ−４，５，６，８−テトラキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２−メトキシ−６−ヨード−５，８−ジオキソ−４，７−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−ナフトキノンを合成した。

最初に、空気雰囲気下において、（Ｓ）−２，２’−ジメトキシ−１，１’−ビナフチル（６２．８ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）およびＤＩＨ（１９００ｍｇ，５ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（３０ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．８８５ｍＬ，１０ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を室温で１８時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に過剰量の飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和亜硫酸ナトリウム水溶液とを加えた。次に、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、これを濾過および濃縮して粗生成物を得た。その後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ＡｃＯＥｔ：Ｈｅｘａｎｅ＝１：５）により精製して、１−（２−メトキシ−４，５，６，８−テトラキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２−メトキシ−６−ヨード−５，８−ジオキソ−４，７−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−ナフトキノン（５２ｍｇ，収率２０％）を得た。得られた化合物はラセミ体であり、公知の光学分割手法によって、Ｒ体とＳ体とに分離できた。

得られた１−（２−メトキシ−４，５，６，８−テトラキス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２−メトキシ−６−ヨード−５，８−ジオキソ−４，７−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−ナフトキノンは、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝７．６０１（ｓ，２Ｈ），７．５３５（ｓ，２Ｈ），７．１３６（ｓ，２Ｈ），３．８６６（ｓ，３Ｈ），３．８１８（ｓ，３Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１７５．１１３（ｓ，１Ｃ）， １７３．９３１（ｓ，１Ｃ）， １６２．９１９（ｓ，１Ｃ）， １５６．２０６（ｓ，１Ｃ）， １５５．９３０（ｓ，１Ｃ）， １５０．１７１（ｓ，１Ｃ）， １４４．９８４（ｓ，１Ｃ）， １４３．７５４（ｓ，１Ｃ）， １３７．０２３（ｓ，１Ｃ）， １３３．６００（ｓ，１Ｃ）， １３０．９７８（ｓ，１Ｃ）， １２６．９５４（ｓ，１Ｃ）， １２６．６１１（ｓ，１Ｃ）， １１８．８４５（ｑ，１Ｃ）， １１８．７６４（ｑ，１Ｃ）， １１８．６７２（ｑ，１Ｃ）， １１８．６０２（ｑ，１Ｃ）， １１８．２３５（ｑ，１Ｃ）， １１７．９０８（ｑ，１Ｃ）， １１７．２４８（ｓ，１Ｃ）， １１６．００９（ｓ，１Ｃ）， １１５．９６１（ｓ，１Ｃ）， １１５．７８９（ｓ，１Ｃ）， １１４．３４（ｓ，１Ｃ）， １１１．８７１（ｓ，１Ｃ）， １１０．９１７（ｓ，１Ｃ）， ５７．２７６（ｓ，１Ｃ）， ５７．２２８（ｓ，１Ｃ）
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７１．７８５，−７２．０３１，−７２．２７７，−７２．４００，−７２．７６８，−７２．５９８
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₈Ｈ₉Ｆ₁₈ＩＯ₂₂Ｓ₆：ｍ／ｚ＝１３５７．６６６７，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１３５８．７４７３

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３６に、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図３７に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図３８に、それぞれ示す。

（実施例１４）
実施例１４では、以下の反応式に示すように、（Ｓ）−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルから、５，５’，６，６’−テトラヨード−２，２’，８，８’−テトラ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルを合成した。

最初に、窒素雰囲気下において、（Ｓ）−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチル（５５．０ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）、ＤＩＨ（７５９．８ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ）およびラジカル補足剤であるＧａｌｖｉｎｏｘｙｌ（４２．２ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（１０ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．３５４ｍＬ，４．０ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を０℃で１時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下して中和を行った。次に、中和物に亜硫酸ナトリウムを加えた後、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を水洗後、硫酸ナトリウマグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗成生物を得た。その後、得られた粗組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ＡｃＯＥｔ：Ｈｅｘａｎｅ＝１：１０）により精製して、５，５’，６，６’−テトラヨード−２，２’，８，８’−テトラ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチル（７１．５ｍｇ，収率５３％）を得た。得られた化合物はラセミ体であり、公知の光学分割手法によって、Ｒ体とＳ体とに分離できた。

得られた５，５’，６，６’−テトラヨード−２，２’，８，８’−テトラ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルは、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．７３６（ｄ，Ｊ ＝９．６Ｈｚ，２Ｈ），７．８８９（ｓ，２Ｈ），７．６１９（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，２Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１０８．５２９， １１３．９９２， １１６．２８０， １１９．４６５， １２１．６５８， １２２．８５０， １２４．２０４， １２８．０２７， １３６．５７９， １４１．４９０， １４５．６８５， １４６．５０５
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７４．０５９，−７４．２７４
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₄Ｈ₆Ｆ₁₂Ｉ₄Ｏ₁₂Ｓ₄：ｍ／ｚ＝１３４９．４７，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１３４９．６４７６

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３９に、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図４０に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図４１に、それぞれ示す。

（実施例１５）
実施例１５では、以下の反応式に示すように、（Ｓ）−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルから、ペリレン誘導体である１，３，４，６，７，９，１０，１２−オクタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンを合成した。このとき、５，５’，６，６’−テトラヨード−２，２’，８，８’−テトラ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルが併せて得られた。

最初に、窒素雰囲気下において、（Ｓ）−２，２’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチル（５５．０ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）およびＤＩＨ（７５９．８ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（１０ｍＬ）に溶解させた後、溶解物にトリフルオロメタンスルホン酸（０．３５４ｍＬ，４．０ｍｍｏｌ）を滴下して、全体を０℃で１８時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下して中和を行った。次に、中和物に亜硫酸ナトリウムを加えた後、塩化メチレンにより有機層を抽出し、抽出した有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、組成生物を得た。その後、得られた粗組成物をゲル濾過クロマトグラフィーにより濾過して、ペリレン誘導体である１，３，４，６，７，９，１０，１２−オクタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレン（６８．９ｍｇ，収率４８％）を得た。本実施例では、実施例１１の反応時間を増加させている。なお、５，５’，６，６’−テトラヨード−２，２’，８，８’−テトラ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−１，１’−ビナフチルの生成量は痕跡量であった。

得られた１，３，４，６，７，９，１０，１２−オクタ（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ペリレンは、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、¹⁹Ｆ−ＮＭＲ測定およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝７．８３（ｓ，４Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１１６．９０， １１６．９９， １１７．９８， １３１．４４， １４３．７０， １４４．７０
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝−７３．２３，−７２．２３
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₉Ｈ₄Ｆ₂₄Ｏ₂₄Ｓ₈：ｍ／ｚ＝１４３５．６５，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１４３５．６６７１

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図４２に、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図４３に、¹⁹Ｆ−ＮＭＲスペクトルを図４４に、それぞれ示す。

（応用例２）
応用例２では、以下の反応式に示すように、実施例１で作製した（Ｓ）−８，８’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチルから、加水分解により、８，８’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチル（ラセミ体）を合成した。

乾燥した内容積５０ｍＬのシュレンクチューブに、（Ｓ）−８，８’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチルを基準として１０当量の水素化ナトリウム（２４．０ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を収容した。次に、窒素雰囲気下において、溶媒として１，４−ジオキサン２ｍＬを加え、０℃まで冷却した。次に、チューブ内の溶液に、１，４−ジオキサン２ｍＬとメタノール２ｍＬとの混合溶液に溶解させた（Ｓ）−８，８’−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチル（１１１．４ｍｇ，０．１０ｍｍｏｌ）を滴下し、撹拌した。撹拌開始から１２時間経過後、チューブ内の反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて中和した後、有機層を酢酸エチルにより抽出し、抽出した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗生成物を得た。その後、得られた粗組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）により精製して、８，８’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチル（６６．３ｍｇ，０．０７８ｍｍｏｌ）（Ｒｆ＝０．２５）を単離収率７８％で得た。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．１２（ｓ，２Ｈ），７．９３（ｓ，２Ｈ），７．０９（ｓ，２Ｈ），５．５７（ｓ，２Ｈ），３．７０（ｓ，６Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１５５．３４８（ｓ）， １５４．０１３（ｓ）， １３２．９３２（ｓ）， １３２．３４１（ｓ）， １２６．７０６（ｓ）， １２４．６２８（ｓ）， １２４．１８９（ｓ）， １１７．９１５（ｓ）， ９５．８５２（ｓ）， ８８．８５４（ｓ）， ５６．５８０（ｓ）
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₂Ｈ₁₄Ｉ₄Ｏ₄：ｍ／ｚ＝８４９．７１，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝８４９．７３３５

（応用例３）
応用例３では、以下の反応式に示すように、応用例２で作製した８，８’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチルから、８，８’−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチルを合成した。

乾燥した内容積５０ｍＬのシュレンクチューブに、８，８’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチル（１７０．０ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）および当該ビナフチル誘導体を基準として４．４当量のｔ−ブチルジメチルクロロシラン（１３２．６ｍｇ，０．８８ｍｍｏｌ）を収容した。次に、窒素雰囲気下において、溶媒としてテトラヒドロフラン１０ｍＬを加え、０℃まで冷却した。次に、チューブ内の溶液に、２．２当量のｎ−ブチルリチウム／ｎ−ヘキサン溶液（濃度１．６４Ｍ，０．２７ｍＬ，０．４４ｍｍｏｌ）を滴下して撹拌した。撹拌開始から２時間経過後、チューブ内の反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて中和した後、有機層をジエチルエーテルにより抽出し、抽出した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗生成物を得た。その後、得られた粗組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）により精製して、８−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−８’−ヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチル（２３．１ｍｇ，０．０２４ｍｍｏｌ）（Ｒｆ＝０．４）を単離収率１２％で、また、８，８’−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチル（１５３．１ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）（Ｒｆ＝０．５）を単離収率７１％で得た。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

・８−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−８’−ヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチルについて
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．１３（ｓ，１Ｈ），８．０６（ｓ，１Ｈ），７．９１（ｓ，１Ｈ），７．８２（ｓ，１Ｈ），７．０８（ｓ，１Ｈ），７．０５（ｓ，１Ｈ），５．８５（ｓ，１Ｈ），３．６４（ｓ，３Ｈ），３．６０（ｓ，３Ｈ），０．６６（ｓ，９Ｈ），−０．３５（ｓ，３Ｈ），−０．５５（ｓ，１Ｈ）

・８，８’−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチルについて
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝８．０７（ｓ，２Ｈ），７．７９（ｓ，２Ｈ），６．９６（ｓ，２Ｈ），３．５４（ｓ，６Ｈ），０．６８（ｓ，１８Ｈ），−０．２５（ｓ，６Ｈ），−０．７１（ｓ，６Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１５３．３３７（ｓ）， １５３．２２２（ｓ）， １３４．１２４（ｓ）， １３３．２９５（ｓ）， １２６．７３５（ｓ）， １２６．５０６（ｓ）， １２３．８２７（ｓ）， １２２．１０１（ｓ）， ９６．５７７（ｓ）， ８８．６８３（ｓ）， ５６．８０８（ｓ）， １９．３９５（ｓ）， −４．２８９（ｓ）， −４．７２８（ｓ）
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₃₄Ｈ₄₂Ｉ₄Ｏ₄Ｓｉ₂：ｍ／ｚ＝１０７７．８８，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１０７８．９５７９

（応用例４）
応用例４では、以下の反応式に示すように、応用例３で作製した８，８’−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチルから、８，８’−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチルを合成した。

乾燥した内容積５０ｍＬの二口ナスフラスコに、８，８’−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラヨード−１，１’−ビナフチル（１１１．４ｍｇ，０．１０ｍｍｏｌ）および２０ｍｏｌ％の［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド（１３．６８ｍｇ，０．０２ｍｍｏｌ）を収容した。次に、窒素雰囲気下において、溶媒としてジエチルエーテル１０ｍＬを加え、５０℃まで加熱した後、ビナフチル誘導体を基準に６当量の３．００Ｍメチルマグネシウムブロミド／テトラヒドロフラン溶液（０．２０ｍＬ，０．６０ｍｍｏｌ）を滴下して撹拌した。撹拌開始から１２時間経過後、フラスコ内の反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて中和した後、有機層をジエチルエーテルにより抽出し、抽出した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗生成物を得た。その後、得られた粗組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）により精製して、８，８’−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチル（６０．５ｍｇ，０．０９６ｍｍｏｌ）（Ｒｆ＝０．４）を単離収率９６％で得た。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝７．２８（ｓ，２Ｈ），７．０６（ｓ，２Ｈ），６．５１（ｓ，２Ｈ），３．４５（ｓ，６Ｈ），２．６８（ｓ，６Ｈ），２．３９（ｓ，６Ｈ），０．６５（ｓ，１８Ｈ），−０．３４（ｓ，６Ｈ），−０．７１（ｓ，６Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１５３．３６５（ｓ）， １５２．２５９（ｓ）， １３２．６０８（ｓ）， １３１．７９８（ｓ）， １３１．１９７（ｓ）， １２６．８９７（ｓ）， １２２．３１１（ｓ）， １１６．７４３（ｓ）， １１６．０２８（ｓ）， １１５．０６５（ｓ）， ５７．２６６（ｓ）， ２１．９３１（ｓ）， ２０．８１５（ｓ）， １９．３１８（ｓ）， −４．１１８（ｓ）， −４．６４２（ｓ）
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₃₈Ｈ₅₄Ｏ₄Ｓｉ₂：ｍ／ｚ＝６３０．３６，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝６３１．４２０６

（応用例５）
応用例５では、以下の反応式に示すように、応用例４で作製した８，８’−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチルから、８，８’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチルを合成した。

乾燥した内容積２０ｍＬのシュレンクチューブに、８，８’−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチル（１１１．４ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）およびビナフチル誘導体を基準に２．４当量のフッ化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（１３．６８ｍｇ，０．０２ｍｍｏｌ）を収容した。次に、窒素雰囲気下において、溶媒としてテトラヒドロフラン１０ｍＬを加え、さらに２．４当量のピリジン（０．２０ｍＬ，０．６０ｍｍｏｌ）を滴下して、室温で撹拌した。撹拌開始から１２時間経過後、チューブ内の反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて中和した後、有機層をジエチルエーテルにより抽出し、抽出した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗生成物を得た。その後、得られた粗組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝５：１）により精製して、８，８’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチル（２９．８ｍｇ，０．０７４ｍｍｏｌ）（Ｒｆ＝０．２）を単離収率７４％で得た。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定、およびＡＳＡＰ−ＭＳにより同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝７．３５（ｓ，２Ｈ），７．２０（ｓ，２Ｈ），６．６９（ｓ，２Ｈ），６．１０（ｓ，２Ｈ），３．７２（ｓ，６Ｈ），２．７５（ｓ，６Ｈ），２．４３（ｓ，６Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１５４．０４２（ｓ）， １５３．４７９（ｓ）， １３８．２９０（ｓ）， １３４．９１６（ｓ）， １３０．６８２（ｓ）， １２１．４０５（ｓ）， １１６．４５７（ｓ）， １１５．１７９（ｓ）， １１４．４８３（ｓ）， １１２．２６１（ｓ）， ５７．０６６（ｓ）， ２１．７９７（ｓ）， ２１．１７８（ｓ）
ＭＳ（ＡＳＡＰ）：Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₆Ｈ₂₆Ｏ₄：ｍ／ｚ＝４０２．１８，Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝４０３．１７１０

（応用例６）
応用例６では、以下の反応式に示すように、応用例５で作製した８，８’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチルから、８，８’−ビス｛（１Ｓ，４Ｒ）−［３−オキソ−４，７，７−トリメチル−２−オキサビシクロ［２．２．１］へプタン］−１−カルボニル｝オキシ−（ａＲ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチル、および８，８’−ビス｛（１Ｓ，４Ｒ）−［３−オキソ−４，７，７−トリメチル−２−オキサビシクロ［２．２．１］へプタン］−１−カルボニル｝オキシ−（ａＳ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチルを合成した。

乾燥した内容積２０ｍＬのシュレンクチューブに、８，８’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチル（４０．２ｍｇ，０．１０ｍｍｏｌ）、ビナフチル誘導体を基準に２当量の（‐）‐カンファン酸クロリド（４３．３３ｍｇ，０．２０ｍｍｏｌ）および４０ｍｏｌ％のＮ，Ｎ‐ジメチル‐４‐アミノピリジン（９．７７ｍｇ，０．０８０ｍｍｏｌ）を収容した。次に、窒素雰囲気下において、溶媒として塩化メチレン５ｍＬおよび６当量のトリエチルアミン（０．０８４ｍＬ，０．６０ｍｍｏｌ）を加えて室温で撹拌した。撹拌開始から１８時間経過後、チューブ内の反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて中和した後、有機層をジエチルエーテルにより抽出し、抽出した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた。次に、エバポレーターを用いて溶媒を除去し、粗生成物を得た。その後、得られた粗組成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：塩化メチレン：トルエン：ジエチルエーテル＝３：２：２：１）により精製して、８，８’−ビス｛（１Ｓ，４Ｒ）−［３−オキソ−４，７，７−トリメチル−２−オキサビシクロ［２．２．１］へプタン］−１−カルボニル｝オキシ−（ａＲ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチル（２９．７ｍｇ，０．０３９ｍｍｏｌ）（Ｒｆ＝０．３）を単離収率３９％で、８，８’−ビス｛（１Ｓ，４Ｒ）−［３−オキソ−４，７，７−トリメチル−２−オキサビシクロ［２．２．１］へプタン］−１−カルボニル｝オキシ−（ａＳ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチル（２５．９ｍｇ，０．０３２ｍｍｏｌ）（Ｒｆ＝０．２）を単離収率３２％で、それぞれ得た。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ測定および¹³Ｃ−ＮＭＲ測定により同定した。同定されたケミカルシフトおよび質量電荷数比（ｍ／ｚ）は次のとおりである。

・８，８’−ビス｛（１Ｓ，４Ｒ）−［３−オキソ−４，７，７−トリメチル−２−オキサビシクロ［２．２．１］へプタン］−１−カルボニル｝オキシ−（ａＲ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチルについて
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝７．６４（ｓ，２Ｈ），７．１５（ｓ，２Ｈ），６．７６（ｓ，２Ｈ），３．５４（ｓ，６Ｈ），２．７２（ｓ，６Ｈ），２．５０（ｓ，６Ｈ），１．５９（ｔ，２Ｈ），１．４５（ｔ，２Ｈ），１．３３（ｔ，２Ｈ），１．０１（ｔ，２Ｈ），０．９４（ｓ，６Ｈ），０．８４（ｓ，６Ｈ），０．７０（ｓ，６Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１７７．８５９（ｓ）， １６６．６２８（ｓ）， １５３．７７５（ｓ）， １４７．１９６（ｓ）， １３４．７９２（ｓ）， １３２．５９９（ｓ）， １３０．９９７（ｓ）， １２６．０８７（ｓ）， １２２．３３０（ｓ）， １２２．１５８（ｓ）， １１７．０１９（ｓ）， １１６．０４７（ｓ）， ９０．１１３（ｓ）， ５６．９６１（ｓ）， ５４．５２０（ｓ）， ５４．２４４（ｓ）， ２９．４６３（ｓ）， ２８．６９１（ｓ）， ２１．５９７（ｓ）， ２０．８１５（ｓ）， １６．６３０（ｓ）， １６．５１５（ｓ）， ９．６８８（ｓ）

・８，８’−ビス｛（１Ｓ，４Ｒ）−［３−オキソ−４，７，７−トリメチル−２−オキサビシクロ［２．２．１］へプタン］−１−カルボニル｝オキシ−（ａＳ）−２，２’−ジメトキシ−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビナフチルについて
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝７．６６（ｓ，２Ｈ），７．２５（ｓ，２Ｈ），６．７１（ｓ，２Ｈ），３．６２（ｓ，６Ｈ），２．７２（ｓ，６Ｈ），２．４８（ｓ，６Ｈ），１．４９（ｔ，２Ｈ），１．２７（ｔ，２Ｈ），１．１８（ｔ，２Ｈ），１．１４（ｔ，２Ｈ），０．９７（ｓ，６Ｈ），０．９５（ｓ，６Ｈ），０．８１（ｓ，６Ｈ）
¹³Ｃ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）＝１７８．２６０（ｓ）， １６６．２４６（ｓ，６Ｈ）， １５４．４８１（ｓ）， １４６．７２９（ｓ）， １３５．０６８（ｓ）， １３１．６７４（ｓ）， １３０．７２０（ｓ）， １２５．３９１（ｓ）， １２２．３８７（ｓ）， １２１．４０５（ｓ）， １１６．７１４（ｓ）， １１５．９９９（ｓ）， ９０．４１８（ｓ）， ５６．５９９（ｓ）， ５４．７８７（ｓ）， ５４．６５４（ｓ）， ２８．９１０（ｓ）， ２８．０６２（ｓ）， ２１．５８８（ｓ）， ２０．７７７（ｓ）， １７．０７８（ｓ）， １６．５９１（ｓ）， ９．７２７（ｓ）
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本開示には、以下の各項目に記載の事項が含まれている。
１．１，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル前駆誘導体と；有機酸と；ヨウ素化剤または臭素化剤と；を混合して、前記骨格の８位および／または８’位に水素原子以外の原子との結合を導入する工程を含む、前記１，１’−ビナフチル前駆誘導体に由来する多環芳香族構造を有する多環芳香族化合物の製造方法。
２．前記水素原子以外の原子が、前記骨格の８位および８’位において互いに独立して、炭素原子または酸素原子である、項目１に記載の製造方法。
３．前記結合として前記骨格の８位および／または８’位に置換基（置換基Ｚ¹）を導入する、項目１または２に記載の製造方法。
４．前記結合として前記骨格の８位および／または８’位に置換基（置換基Ｚ¹）を導入して、前記骨格の８位および／または８’位に前記置換基が導入された１，１’−ビナフチル誘導体を、前記多環芳香族化合物として得る、項目１〜３のいずれかに記載の製造方法。
５．前記置換基（置換基Ｚ¹）が、有機酸基、水酸基、ヨウ素基、および臭素基から選ばれる少なくとも１種である、項目３または４に記載の製造方法。
６．前記結合として前記骨格の８位および８’位を結ぶ結合を導入する、項目１または２に記載の製造方法。
７．前記結合として前記骨格の８位および８’位を結ぶ結合を導入して、ペリレンまたはペリレン誘導体を前記多環芳香族化合物として得る、項目１，２および６のいずれかに記載の製造方法。
８．前記多環芳香族化合物が１，１’−ビナフチル誘導体、ペリレン、またはペリレン誘導体である、項目１〜７のいずれかに記載の製造方法。
９．前記前駆誘導体と前記有機酸と前記ヨウ素化剤とを混合する、項目１〜８のいずれかに記載の製造方法。
１０．前記電子供与性基が−ＯＲ基であり、
前記Ｒは、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または水酸基の保護基である、項目１〜９のいずれかに記載の製造方法。
１１．前記Ｒが水素原子、メチル基、またはトリフルオロメタンスルホニル基である、項目１０に記載の製造方法。
１２．前記ヨウ素化剤が、１，３−ジヨード−５，５−ジメチルヒダントインおよびＮ−ヨードスクシンイミドから選ばれる少なくとも１種である、項目１〜１１のいずれかに記載の製造方法。
１３．前記有機酸が、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸およびパラトルエンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種である、項目１〜１２のいずれかに記載の製造方法。
１４．前記骨格の４位、４’位、５位、５’位、６位および６’位から選ばれる少なくとも１つの位置にさらに前記置換基（置換基Ｚ⁴）が導入された前記１，１’−ビナフチル誘導体を前記多環芳香族化合物として得る、項目１〜５および８〜１３のいずれかに記載の製造方法。
１５．ペリレン誘導体であって、当該誘導体の骨格（ペリレン骨格）の３位、４位、５位、８位、９位および１０位から選ばれる少なくとも１つの位置に前記置換基（置換基Ｚ⁴）が導入された前記ペリレン誘導体を前記多環芳香族化合物として得る、項目１，２および６〜１３のいずれかに記載の製造方法。

１６．１，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル前駆誘導体と；有機酸と；ヨウ素化剤または臭素化剤と；を混合して、前記骨格の８位および／または８’位に置換基（置換基Ｚ¹）が導入された１，１’−ビナフチル誘導体を得る、１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。
１７．前記前駆誘導体と前記有機酸と前記ヨウ素化剤とを混合する、項目１６に記載の製造方法。
１８．前記電子供与性基が−ＯＲ基であり、前記Ｒは、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または水酸基の保護基である、項目１６または１７に記載の製造方法。
１９．前記Ｒが水素原子、メチル基、またはトリフルオロメタンスルホニル基である、項目１８に記載の製造方法。
２０．前記ヨウ素化剤が、１，３−ジヨード−５，５−ジメチルヒダントインおよびＮ−ヨードスクシンイミドから選ばれる少なくとも１種である、項目１６〜１９のいずれかに記載の製造方法。
２１．前記有機酸が、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸およびパラトルエンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種である、項目１６〜２０のいずれかに記載の製造方法。
２２．前記置換基（置換基Ｚ¹）が、有機酸基、水酸基およびヨウ素基または臭素基から選ばれる少なくとも１種である、項目１６〜２１のいずれかに記載の製造方法。
２３．前記骨格の４位、４’位、５位、５’位、６位および６’位から選ばれる少なくとも１つの位置にさらに前記置換基（置換基Ｚ⁴）が導入された前記ビナフチル誘導体を得る、項目１６〜２２のいずれかに記載の製造方法。

２４．１，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル前駆誘導体と；有機酸と；ヨウ素化剤または臭素化剤と；を混合してペリレン誘導体を得る、ペリレン誘導体の製造方法。
２５．前記前駆誘導体と前記有機酸と前記ヨウ素化剤とを混合する、項目２４に記載の製造方法。
２６．前記電子供与性基が−ＯＲ基であり、前記Ｒは、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または水酸基の保護基である、項目２４または２５に記載の製造方法。
２７．前記Ｒが水素原子、メチル基、またはトリフルオロメタンスルホニル基である、項目２６に記載の製造方法。
２８．前記ヨウ素化剤が、１，３−ジヨード−５，５−ジメチルヒダントインおよびＮ−ヨードスクシンイミドから選ばれる少なくとも１種である、項目２４〜２７のいずれかに記載の製造方法。
２９．前記有機酸が、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸およびパラトルエンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種である、項目２４〜２８のいずれかに記載の製造方法。
３０．ペリレン骨格の３位、４位、５位、８位、９位および１０位から選ばれる少なくとも１つの位置にさらに置換基（置換基Ｚ⁴）が導入された前記ペリレン誘導体を得る、項目２４〜２９のいずれかに記載の製造方法。

３１．ナフタレン骨格の２位に置換基（置換基Ｚ⁵）を有するナフタレン誘導体と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合して前記誘導体のカップリング反応を進行させて、２位および２’位に置換基（置換基Ｚ²、Ｚ⁵またはＺ⁶）を有する１，１’−ビナフチル骨格を形成する工程を含む、前記１，１’−ビナフチル骨格に由来する多環芳香族構造を有する多環芳香族化合物の製造方法。
３２．前記ビナフチル骨格の２位および２’位に前記置換基（置換基Ｚ²、Ｚ⁵またはＺ⁶）をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル誘導体を前記多環芳香族化合物として得る、項目３１に記載の製造方法。
３３．前記置換基（置換基Ｚ²、Ｚ⁵またはＺ⁶）が、前記ビナフチル骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基であり、
前記１，１’−ビナフチル骨格の８位および／または８’位に水素原子以外の原子との結合を導入する工程をさらに含む、項目３１または３２に記載の製造方法。
３４．前記結合として前記ビナフチル骨格の８位および８’位を結ぶ結合を導入する、項目３１〜３３のいずれかに記載の製造方法。
３５．前記結合として前記ビナフチル骨格の８位および８’位を結ぶ結合を導入して、ペリレンまたはペリレン誘導体を前記多環芳香族化合物として得る、項目３１〜３４のいずれかに記載の製造方法。
３６．前記多環芳香族化合物が１，１’−ビナフチル誘導体、ペリレン、またはペリレン誘導体である、項目３１〜３５のいずれかに記載の製造方法。
３７．前記ナフタレン誘導体と前記有機酸と前記ヨウ素化剤とを混合する、項目３１〜３６のいずれかに記載の製造方法。
３８．前記ヨウ素化剤が、１，３−ジヨード−５，５−ジメチルヒダントインおよびＮ−ヨードスクシンイミドから選ばれる少なくとも１種である、項目３１〜３７のいずれかに記載の製造方法。
３９．前記有機酸が、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸およびパラトルエンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種である、項目３１〜３８のいずれかに記載の製造方法。
４０．前記置換基（置換基Ｚ²、Ｚ⁵またはＺ⁶）が−ＯＲ基であり、前記Ｒは、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または水酸基の保護基である、項目３１〜３９のいずれかに記載の製造方法。
４１．前記Ｒが水素原子、メチル基、またはトリフルオロメタンスルホニル基である、項目４０に記載の製造方法。
４２．ペリレン骨格の３位、４位、５位、８位、９位および１０位から選ばれる少なくとも１つの位置に前記置換基（置換基Ｚ⁴）が導入されたペリレン誘導体を前記多環芳香族化合物として得る、項目３１〜４１のいずれかに記載の製造方法。

４３．ナフタレン骨格の２位に置換基を有するナフタレン誘導体と、有機酸と、ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合して前記誘導体のカップリング反応を進行させて、１，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に置換基（置換基Ｚ²、Ｚ⁵またはＺ⁶）をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル誘導体を得る、１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。
４４．前記置換基（置換基Ｚ²、Ｚ⁵またはＺ⁶）が、前記ビナフチル骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与基である、項目４３に記載の製造方法。
４５．前記置換基（置換基Ｚ²、Ｚ⁵またはＺ⁶）が−ＯＲ基であり、前記Ｒは、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または水酸基の保護基である、項目４３または４４に記載の製造方法。
４６．前記Ｒが水素原子、メチル基、またはトリフルオロメタンスルホニル基である、項目４５に記載の製造方法。
４７．前記ビナフチル骨格の８位および／または８’位にさらに置換基（置換基Ｚ¹）が導入された前記ビナフチル誘導体を得る、項目４３〜４６のいずれかに記載の製造方法。

４８．以下の式（１）に示す１，１’−ビナフチル誘導体に対して、Ｙ¹、Ｙ²、−ＯＲ¹、−ＯＲ²および少なくとも１つのＸから選ばれる少なくとも１つの基が関与する反応を進行させて、当該反応を反映した、前記式（１）に示す誘導体とは異なる１，１’−ビナフチル誘導体を得る、１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。

式（１）において、Ｘはヨウ素基または臭素基、Ｒ¹およびＲ²は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または水酸基の保護基であり、Ｙ¹およびＹ²は、互いに独立して、前記誘導体のビナフチル骨格に直接結合した酸素原子を含む有機酸基、または水酸基である。

４９．前記Ｘがヨウ素基であり、前記Ｒ¹およびＲ²が水素原子、メチル基、またはトリフルオロメタンスルホニル基であり、Ｙ¹およびＹ²が互いに独立して、前記有機酸基または水酸基である、項目４８に記載の製造方法。
５０．前記反応が、置換反応および加水分解反応から選ばれる少なくとも１つの反応である、項目４８または４９に記載の製造方法。

５１．１，１’−ビナフチル骨格の２位および／または２’位に置換基（置換基Ｚ²、Ｚ⁵またはＺ⁶）をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル誘導体と、有機酸と、を混合して前記誘導体のデカップリング（解裂）反応を進行させて、置換基（置換基Ｚ²、Ｚ⁵またはＺ⁶）を有するナフタレン骨格を有するナフタレン誘導体を得る、ナフタレン誘導体の製造方法。

５２．ビナフチル骨格の８位および／または８’位に置換基（置換基Ｚ¹）を有する１，１’−ビナフチル誘導体。
５３．前記置換基（置換基Ｚ¹）が、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む基、炭素数１〜５０の脂肪族基、または炭素数６〜３０のアリール基である、項目５２に記載の１，１’−ビナフチル誘導体。
５４．前記置換基（置換基Ｚ¹）が、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む基Ｐ¹であり、
前記骨格における３以上の他の位置に、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む基Ｐ²を有する、項目５２に記載の１，１’−ビナフチル誘導体。Ｐ¹およびＰ²は、同一であっても異なっていてもよい。
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本発明は、その意図および本質的な特徴から逸脱しない限り、他の実施形態に適用しうる。この明細書に開示されている実施形態は、あらゆる点で説明的なものであってこれに限定されない。本発明の範囲は、上記説明ではなく添付したクレームによって示されており、クレームと均等な意味および範囲にあるすべての変更はそれに含まれる。

本開示の製造方法により得られた１，１’−ビナフチル誘導体および本開示の１，１’−ビナフチル誘導体は、当該誘導体自身が種々の用途に利用可能であるとともに、さらなる誘導化を経て形成された化合物についても、種々の用途に利用することができる。

本開示の製造方法により得られたペリレン誘導体およびペリレン、ならびに本開示のペリレン誘導体は、当該誘導体自身が種々の用途に利用可能であるとともに、さらなる誘導化を経て形成された化合物についても、種々の用途に利用することができる。

本開示の製造方法により得られたナフタレン誘導体、および本開示のナフタレン誘導体は、当該誘導体自身が種々の用途に利用可能であるとともに、さらなる誘導化を経て形成された化合物についても、種々の用途に利用することができる。

Claims (9)

1. １，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル前駆誘導体と、
   有機酸と、
   ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合して、
   前記骨格の８位および／または８’位に置換基Ｚ¹が導入された１，１’−ビナフチル誘導体を得ることを含み、
   前記有機酸が、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸およびパラトルエンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種であり、
   前記置換基Ｚ ¹ が、有機酸基、水酸基およびヨウ素基または臭素基から選ばれる少なくとも１種である、１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。
2. 前記骨格の４位、４’位、５位、５’位、６位および６’位から選ばれる少なくとも１つの位置にさらに置換基Ｚ⁴が導入された前記ビナフチル誘導体を得る、請求項１に記載の１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。
   ただし、前記置換基Ｚ ⁴ は、有機酸基、水酸基およびヨウ素基または臭素基から選ばれる少なくとも１種であり、前記置換基Ｚ¹と前記置換基Ｚ⁴とは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
3. １，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル前駆誘導体と、
   有機酸と、
   ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合して、
   前記骨格の８位および／または８’位に置換基Ｚ¹が導入された１，１’−ビナフチル誘導体を得ることを含み、
   前記置換基Ｚ¹が、有機酸基、水酸基およびヨウ素基または臭素基から選ばれる少なくとも１種である、１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。
4. 前記骨格の４位、４’位、５位、５’位、６位および６’位から選ばれる少なくとも１つの位置にさらに置換基Ｚ⁴が導入された前記ビナフチル誘導体を得る、請求項３に記載の１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。
   ただし、前記置換基Ｚ ⁴ は、有機酸基、水酸基およびヨウ素基または臭素基から選ばれる少なくとも１種であり、前記置換基Ｚ¹と前記置換基Ｚ⁴とは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
5. １，１’−ビナフチル骨格の２位および２’位に、前記骨格に直接結合した酸素原子を含む電子供与性基をそれぞれ有する１，１’−ビナフチル前駆誘導体と、
   有機酸と、
   ヨウ素化剤または臭素化剤と、を混合して、
   前記骨格の８位および／または８’位に置換基Ｚ¹が導入された１，１’−ビナフチル誘導体を得ることを含み、
   前記骨格の４位、４’位、５位、５’位、６位および６’位から選ばれる少なくとも１つの位置にさらに置換基Ｚ⁴が導入された前記ビナフチル誘導体を得る、１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。
   ただし、前記置換基Ｚ ¹ およびＺ ⁴ は、有機酸基、水酸基およびヨウ素基または臭素基から選ばれる少なくとも１種である。前記置換基Ｚ¹と前記置換基Ｚ⁴とは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
6. 前記前駆誘導体と前記有機酸と前記ヨウ素化剤とを混合する、請求項１〜５のいずれかに記載の１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。
7. 前記電子供与性基が−ＯＲ基であり、
   前記Ｒは、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、アリル基、ベンジル基、トリフルオロメタンスルホニル基、シリル基、または水酸基の保護基である請求項１〜６のいずれかに記載の１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。
8. 前記Ｒが水素原子、メチル基、またはトリフルオロメタンスルホニル基である請求項７に記載の１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。
9. 前記ヨウ素化剤が、１，３−ジヨード−５，５−ジメチルヒダントインおよびＮ−ヨードスクシンイミドから選ばれる少なくとも１種である請求項１〜８のいずれかに記載の１，１’−ビナフチル誘導体の製造方法。

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