JP6883726B2 - 蛍光体層、波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置 - Google Patents

蛍光体層、波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6883726B2
JP6883726B2 JP2016201715A JP2016201715A JP6883726B2 JP 6883726 B2 JP6883726 B2 JP 6883726B2 JP 2016201715 A JP2016201715 A JP 2016201715A JP 2016201715 A JP2016201715 A JP 2016201715A JP 6883726 B2 JP6883726 B2 JP 6883726B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
wavelength conversion
phosphor
phosphor layer
conversion member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016201715A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018063858A (ja
Inventor
然 鄭
然 鄭
俊雄 森
俊雄 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2016201715A priority Critical patent/JP6883726B2/ja
Priority to CN201721302378.2U priority patent/CN207517728U/zh
Priority to DE102017123658.9A priority patent/DE102017123658A1/de
Priority to US15/730,477 priority patent/US10134958B2/en
Publication of JP2018063858A publication Critical patent/JP2018063858A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6883726B2 publication Critical patent/JP6883726B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0092Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/20Lamp housings
    • G03B21/2006Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2033LED or laser light sources
    • G03B21/204LED or laser light sources using secondary light emission, e.g. luminescence or fluorescence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

本開示は、蛍光体層、並びに、これを備えた波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置に関する。
従来から、プロジェクタや照明装置において、半導体レーザや発光ダイオードなどの固体光源から出射される励起光を、波長変換部材の蛍光体層により波長変換して、所望の色の光を得ることが行われている。このような波長変換部材の一例として、特許文献1には、複数の蛍光体粒子を凝集させてなる蛍光体層を備えた波長変換部材が開示されている。
特開2016−58638号公報
ところで、高光度のプロジェクタや照明装置を得るためには、波長変換部材の蛍光体層の波長変換効率が高いことが好ましい。しかしながら、波長変換効率の高い蛍光体層を得ることは容易ではない。
本開示は、波長変換効率の高い蛍光体層およびそれを備えた波長変換部材を提供することを目的とする。また、本開示は、高光度のプロジェクタおよび照明装置を提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る蛍光体層は、複数の蛍光体粒子を含む蛍光体層である。蛍光体層は、複数の蛍光体粒子の平均粒径[μm]をx、蛍光体層の厚み[μm]をyとしたときに、y≧−0.0441x +3.9336x+48.941、の関係を満たす。かつ、蛍光体層は、y≦−0.1172x+7.584x+81.148、の関係を満たす。かつ、蛍光体層は、x≧16.4、の関係を満たす
本開示の一態様に係る波長変換部材は、上記蛍光体層を備える。
本開示の一態様に係るプロジェクタは、上記波長変換部材を備える。
本開示の一態様に係る照明装置は、上記波長変換部材を備える。
本開示に係る蛍光体層は、y≧0.0623x+0.2107x+28.789、かつ、y≦−0.1172x+7.584x+81.148、の関係を満たすため、波長変換効率の高い。
また、本開示に係る波長変換部材は、上記蛍光体層を備えるため、波長変換効率の高い。さらに、本開示に係るプロジェクタおよび照明装置は、上記波長変換部材を備えるため、高光度である。
実施の形態1に係る蛍光体層および波長変換部材を示す斜視図 実施の形態1に係る蛍光体層および波長変換部材を示す図1における2−2線断面図 蛍光体粒子の平均粒径が9.2[μm]の場合の蛍光体層の厚みと波長変換効率との関係を示す図 蛍光体粒子の平均粒径が16.4[μm]の場合の蛍光体層の厚みと波長変換効率との関係を示す図 蛍光体粒子の平均粒径が29.7[μm]の場合の蛍光体層の厚みと波長変換効率との関係を示す図 蛍光体粒子の平均粒径と波長変換効率との関係を示す図 蛍光体粒子の平均粒径と蛍光体層の厚みとの関係を示す図 実施の形態1に係るプロジェクタを示す構成図 実施の形態2に係る蛍光体層および波長変換部材を示す斜視図 実施の形態2に係る照明装置を示す構成図
以下、本開示に係る蛍光体層、波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置の実施の形態を、図面に基づき説明する。なお、下記に開示される実施の形態はすべて例示であって、本開示に係る蛍光体層、波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置に制限を加える意図はない。
また、下記に開示される実施の形態では、必要以上の詳細な説明を省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項についての詳細な説明や、実質的に同一の構成についての重複する説明を、省略する場合がある。これは、説明が不必要に冗長になるのを避けることで、当業者の理解を容易にするためである。
[実施の形態1]
(蛍光体層および波長変換部材)
図1は、実施の形態1に係る蛍光体層および波長変換部材を示す斜視図。図1に示す実施の形態1に係る波長変換部材10は、プロジェクタ用の蛍光体ホイールであって、円板状の基板11の一方の主面(上面)側に、実施の形態1に係る蛍光体層15を備える。基板11には円弧状の開口11aが設けられている。この円弧状の開口11aと円弧状の蛍光体層15とで円環状のシルエットを形成している。基板11に開口11aが設けられているため、後述する固体光源111aから波長変換部材10へ向けて出射される励起光の一部は、開口11aを介して基板11を通り抜ける。
図2は、実施の形態1に係る波長変換部材を示す図1における2−2線断面図である。図2に示すように、波長変換部材10は、基板11、接着層12、金属反射層13、増反射層14、蛍光体層15および反射防止層16を備える。接着層12、金属反射層13、増反射層14、蛍光体層15および反射防止層16は、基板11上にその順で形成されている。
基板11は、蛍光体層15を支持する機能、および、蛍光体層15で発生した熱を外部へ放散させる機能を有する。基板11の材料としては、ガラス、石英、GaN(窒化ガリウム)、サファイア、シリコン、樹脂などが挙げられる。樹脂としては、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)など挙げられる。
接着層12は、金属反射層13の基板11への接着性を高める機能を有する。接着層12は、例えばTi(チタン)からなり、基板11の上面の全体に亘って形成されている。なお、接着層12は、本実施の形態において必須の層ではない。
金属反射層13は、蛍光体層15を透過した励起光や、蛍光体層15から基板11側(下側)へと発せられた蛍光を、基板11とは反対側(上側)へ反射させる機能を有する。本実施の形態では、金属反射層13はAgからなり、接着層12の上面の全体に亘って形成されている。金属反射層13は、Agに限定されずAlなどの他の金属で形成されていてもよい。但し、Agは反射率が高いため特に好適である。なお、金属反射層13は、本実施の形態において必須の層ではない。
増反射層14は、金属反射層13と反射防止層16との界面で生じる光の散乱ロスを低減する機能、および、入射光の角度依存性による反射率の低下を防止する機能を有する。増反射層14は、金属反射層13が形成された領域の全体、具体的には金属反射層13の上面の全体に形成されている。なお、増反射層14は、本実施の形態において必須の層ではない。
増反射層14は、低屈折率層と高屈折率層とが交互に多層に積層された多層膜であって、本実施の形態では基板11側から順に低屈折率層14aおよび高屈折率層14bの2層で構成されている。なお、増反射層14は、2層で構成されるものに限定されず、低屈折率層と高屈折率層とが交互に多層に積層された多層膜であれば、低屈折率層14aおよび高屈折率層14b以外の層が含まれていてもよい。
低屈折率層14aの材料としては、例えばSiO(二酸化ケイ素)、Al(酸化アルミニウム)などの酸化物が挙げられる。また、低屈折率層14aの材料は、AlN(窒化アルミニウム)、AlGaN(窒化アルミニウムガリウム)、AlInN(窒化アルミニウムインジウム)などの窒化物であってもよい。
高屈折率層14bの材料としては、例えばNb(五酸化ニオブ)、TiO(二酸化チタン)、Ti(五酸化チタン)、ZnO(酸化亜鉛)、ZrO(二酸化ジルコニウム)、Ta(五酸化タンタル)、CeO(酸化セリウム)などの酸化物が挙げられる。また、高屈折率層14bの材料は、AlON(酸窒化アルミニウム)、GaNなどの窒化物であってもよい。
蛍光体層15は、固体光源111aから波長変換部材へ向けて出射された励起光を蛍光に変換する機能を有する。
蛍光体層15は、透明材料からなる封止層15aと、封止層15aの中に分散された複数の蛍光体粒子15bとを有する。封止層15aの透明材料としては、ガラス樹脂、ガラス、樹脂などが挙げられ、本実施の形態ではガラス樹脂が用いられている。
なお、蛍光体層15は、透明材料に蛍光体粒子を分散させたものに限定されず、複数の蛍光体粒子を凝集させてなる蛍光体プレートなどであってもよい。蛍光体プレートのように、予め蛍光体層15を作成した後に基板11上に取り付けるタイプの蛍光体層15であれは、それ単体で取引きの対象となりうる。
蛍光体粒子15bは、紫外光から青色光領域の励起光を吸収し励起光より長波長の蛍光を発する、少なくとも1種類の蛍光体で構成される。本実施の形態では、固体光源111aは青色の励起光を出射する半導体レーザであり、蛍光体粒子15bは黄色蛍光体で構成されている。青色の励起光が照射された蛍光体粒子15bは、黄色の蛍光を発する。なお、蛍光体粒子15bを構成する蛍光体は黄色蛍光体に限定されず、赤色蛍光体または緑色蛍光体であってもよい。また、蛍光体粒子15bは、発光スペクトルの中心波長が異なる複数種類の蛍光体で構成されていてもよい。
黄色蛍光体としては、例えば、YAl12:Ce3+、(Sr,Ba)SiO:Eu2+、Cax(Si,Al)12(O,N)16:Eu2+などが挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN:Eu2+、(Ca,Sr)AlSiN:Eu2+、CaSi:Eu2+、(Ca,Sr)Si:Eu2+、KSiF:Mn4+、KTiF:Mn4+などが挙げられる。緑色蛍光体としては、例えば、LuAl12:Ce3+、Y(Ga,Al)12:Ce3+、CaScSi12:Ce3+、CaSc:Eu2+、(Ba,Sr)SiO:Eu2+、BaSi12:Eu2+、(Si,Al)(O,N):Eu2+、(Y,Lu)Al12:Ce3+などが挙げられる。
蛍光体層15の厚みおよび蛍光体粒子15bの平均粒径は、高い波長変換効率の蛍光体層15を得るために好適な値となっている。これについての詳細は後述する。
反射防止層16は、蛍光体層15へ入射する励起光の反射を低減させることで、励起光の蛍光体層15への入射効率を向上させる機能を有する。また、反射防止層16は、蛍光体粒子15bから発せられた蛍光が封止層15aの表面で反射されるのを低減し、これによって蛍光体層15からの蛍光の取出し効率を向上させる機能を有する。なお、反射防止層16は、本実施の形態において必須の層ではない。
反射防止層16は、金属反射層13が形成された領域の全体に形成されている。また、反射防止層16は、基板11上における蛍光体層15が形成されていない領域において、増反射層14と接触している。
反射防止層16は、高屈折率層と低屈折率層とが交互に多層に積層された多層膜である。本実施の形態では、反射防止層16は、基板11側から順に、第1低屈折率層16a、高屈折率層16bおよび第2低屈折率層16cの3層で構成されている。なお、反射防止層16は、3層で構成されるものに限定されず、高屈折率層と低屈折率層とが交互に3層以上で積層された多層膜であれば、第1低屈折率層16a、高屈折率層16bおよび第2低屈折率層16c以外の層が含まれていてもよい。
第1低屈折率層16aおよび第2低屈折率層16cの材料としては、例えばSiO、Alなどの酸化物が挙げられる。また、第1低屈折率層16aおよび第2低屈折率層16cの材料は、AlN、AlGaN、AlInNなどの窒化物でもよい。第1低屈折率層16aと第2低屈折率層16cとは、同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。また、第1低屈折率層16aおよび第2低屈折率層16cは、増反射層14の低屈折率層14aと同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
高屈折率層16bの材料としては、例えばTiO、Nb、Ti、ZnO、ZrO、Ta、CeOなどの酸化物が挙げられる。また、高屈折率層16bの材料は、AlON、GaNなどの窒化物でもよい。反射防止層16の高屈折率層16bは、増反射層14の高屈折率層14bと同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
(蛍光体層の厚みと蛍光体粒子の平均粒径)
次に、蛍光体層の厚みと蛍光体粒子の平均粒径ついて詳細に説明する。なお、本願において平均粒径とは、一般的に50%粒子径(D50)、メディアン径と呼ばれるものを意味する。また、蛍光体層の厚みとは、蛍光体層の平均厚みを意味する。
図3は、蛍光体粒子の平均粒径が9.2[μm]の場合の蛍光体層の厚みと波長変換効率との関係を示す図である。平均粒径が9.2[μm]の蛍光体粒子を用いて、厚みの異なる6種類の蛍光体層を形成し、それら蛍光体層の波長変換効率を測定した。その測定結果を図3に「○」で示す。
なお、「○」が位置する座標は、有効数字小数点1桁で示すと、(34.4,29.9)、(39.4,29.9)、(79.9,31.8)、(83.0,31.8)、(118.0,31.3)、(113.6,31.3)である。
それら6つの座標から得られる近似曲線C1は、y=−0.0007x+0.1261x+26.282、であった。そして、この近似曲線C1から波長変換効率が最高値となる座標P1が得られた。また、波長変換効率の最高値から−2[%]以内となる下限値の座標P2と、波長変換効率の最高値から−2[%]以内となる上限値の座標P3が得られた。さらに、波長変換効率の最高値から−1[%]以内となる下限値の座標P4と、波長変換効率の最高値から−1[%]以内となる上限値の座標P5が得られた。
図4は、蛍光体粒子の平均粒径が16.4[μm]の場合の蛍光体層の厚みと波長変換効率との関係を示す図である。平均粒径が16.4[μm]の蛍光体粒子を用いて、厚みの異なる6種類の蛍光体層を形成し、それら蛍光体層の波長変換効率を測定した。その測定結果を図4に「○」で示す。
なお、「○」が位置する座標は、有効数字小数点1桁で示すと、(39.1,32.5)、(45.8,33.7)、(97.0,35.4)、(106.3,35.4)、(123.9,35.1)、(140.8,35.2)である。
それら6つの座標から得られる近似曲線C2は、y=−0.0005x+0.11x+29.276、であった。そして、この近似曲線C2から波長変換効率が最高値となる座標P1が得られた。また、波長変換効率の最高値から−2[%]以内となる下限値の座標P2と、波長変換効率の最高値から−2[%]以内となる上限値の座標P3が得られた。さらに、波長変換効率の最高値から−1[%]以内となる下限値の座標P4と、波長変換効率の最高値から−1[%]以内となる上限値の座標P5が得られた。
図5は、蛍光体粒子の平均粒径が29.7[μm]の場合の蛍光体層の厚みと波長変換効率との関係を示す図である。平均粒径が29.7[μm]の蛍光体粒子を用いて、厚みの異なる6種類の蛍光体層を形成し、それら蛍光体層の波長変換効率を測定した。その測定結果を図5に「○」で示す。
なお、「○」が位置する座標は、有効数字小数点1桁で示すと、(65.1,31.8)、(68.5,34.2)、(117.0,35.8)、(136.8,35.8)、(154.5,35.6)、(186.3,35.3)である。
それら6つの座標から得られる近似曲線C3は、y=−0.0005x+0.141x+25.785、であった。そして、この近似曲線C3から波長変換効率が最高値となる座標P1が得られた。また、波長変換効率の最高値から−2[%]以内となる下限値の座標P2と、波長変換効率の最高値から−2[%]以内となる上限値の座標P3が得られた。さらに、波長変換効率の最高値から−1[%]以内となる下限値の座標P4と、波長変換効率の最高値から−1[%]以内となる上限値の座標P5が得られた。
図3〜図5に示すように、蛍光体層の厚みは波長変換効率に大きく影響すると共に、蛍光体層の厚みには波長変換効率が最高値となるピーク値が存在することがわかった。蛍光体層の厚みが薄過ぎると蛍光体層で励起光が十分に波長変換されず、蛍光体層の厚みが厚過ぎると波長変換後の光を蛍光体層から効率良く取り出すことができないため、ピーク値が存在する。この傾向はどのような種類の蛍光体粒子にもみられる。なお、蛍光体粒子の体積密度も蛍光体層の波長変換効率に影響するが、ピーク値に与える影響は少ない。
図6は、蛍光体粒子の平均粒径と波長変換効率との関係を示す図である。図6に示すように、蛍光体粒子の平均粒径が大きくなるほど、波長変換効率は高くなる。その理由としては、蛍光体粒子の平均粒径が大きくと、蛍光体層内における蛍光体粒子の粒塊の数が少なくなり、粒塊の表面積の総和の値も小さくなる。これは、粒塊と封止層との界面の面積が小さくなることを意味し、そうすると界面における励起光の散乱、すなわち蛍光体層内における励起光の散乱が少なくなる。そのため、蛍光体層における光取り出し効率が高くなって、その結果、蛍光体層の波長変換効率が高くなると考えられる。
なお、上記実施の形態に係る蛍光体層では、封止層15aの透明材料としてガラス樹脂が用いられていた。透明材料としてガラス樹脂や樹脂が用いられている場合は、ガラスが用いられている場合よりも、蛍光体粒子と蛍光体粒子との隙間に空洞が生じ難い。したがって、波長変換効率も高くなりやすい。
以上のように、蛍光体層の厚みおよび蛍光体粒子の平均粒径は、波長変換効率に大きく影響する。したがって、蛍光体層の厚みおよび蛍光体粒子の平均粒径をコントロールすれば、波長変換効率の高い蛍光体層を得ることができる。
図7は、蛍光体粒子の平均粒径と蛍光体層の厚みとの関係を示す図である。なお、図7では波長変換効率のことを単に効率と記載している。
図7に示すように、図3における座標P1と、図4における座標P1と、図5における座標P1とから得られる近似曲線C4は、y=−0.0441x+3.9336x+48.941、となる。蛍光体層の厚みおよび蛍光体粒子の平均粒径が、近似曲線C4上に位置する関係の場合、蛍光体層の波長変換効率は最高値となる。
図3における座標P2と、図4における座標P2と、図5における座標P2とから得られる近似曲線C5は、y=0.0623x+0.2107x+28.789、となる。また、図3における座標P3と、図4における座標P3と、図5における座標P3とから得られる近似曲線C6は、y=−0.1172x+7.584x+81.148、となる。蛍光体層の厚みおよび蛍光体粒子の平均粒径が、近似曲線C5と近似曲線C6との間に位置する関係の場合、蛍光体層の波長変換効率は、最高値から−2[%]以内となる。
図3における座標P4と、図4における座標P4と、図5における座標P4とから得られる近似曲線C7は、y=−0.0046x+2.6174x+26.308、となる。また、図3における座標P5と、図4における座標P5と、図5における座標P5とから得られる近似曲線C8は、y=−0.0675x+5.8959x+78.475、となる。蛍光体層の厚みおよび蛍光体粒子の平均粒径が、近似曲線C7と近似曲線C8との間に位置する関係の場合、蛍光体層の波長変換効率は、最高値から−1[%]以内となる。
以上から導き出せる結論を以下にまとめる。
y≧0.0623x+0.2107x+28.789、かつ、y≦−0.1172x+7.584x+81.148、の関係を満たす場合、波長変換効率は最高値から−2[%]以内となる。よって、蛍光体層は、高い波長変換効率であると評価できる。
また、y≧−0.0046x+2.6174x+26.308、かつ、y≦−0.0675x+5.8959x+78.475、の関係を満たす場合、波長変換効率は最高値から−1[%]以内となる。よって、蛍光体層は、より高い波長変換効率であると評価できる。
y=−0.0441x+3.9336x+48.941、の関係を満たす場合、波長変換効率は最高値となる。よって、蛍光体層は、さらに高い波長変換効率であると評価できる。なお、xの値は±1[μm]の範囲内、yの値は±5[μm]の範囲内であれば、関係を満たすと判断できる。
(プロジェクタ)
次に、実施の形態1に係るプロジェクタとして、実施の形態1に係る波長変換部材10を備えたプロジェクタについて説明する。
図8は、実施の形態1に係るプロジェクタを示す構成図である。図8に示すように、プロジェクタ100は、発光装置110、光学ユニット120および制御部130を備える。
発光装置110は、プロジェクタ100の光源として動作する装置である。発光装置110は、波長変換部材10、照射部111、ダイクロイックミラー112、第1反射ミラー113、第2反射ミラー114および第3反射ミラー115を備える。
波長変換部材10は、モータ116に取り付けられて回転される。モータ116は、制御部130からの駆動制御信号に基づいて駆動される。
照射部111は、蛍光体粒子15bを励起するための励起光を蛍光体層15側から波長変換部材10に照射する。照射部111は、より具体的には、複数の固体光源111aと、固体光源111aから出射した励起光をコリメートするコリメートレンズ111bと、ヒートシンク111cとを備える。
固体光源111aは、例えば半導体レーザや発光ダイオードなどであり、駆動電流によって駆動されて所定の色(波長)の励起光を出射する。本実施の形態では、固体光源111aとして、360nm以上480nm以下の波長の青色光を出射する半導体レーザが用いられる。固体光源111aの発光制御は、制御部130によって行われる。なお、固体光源111aは、複数個設けられているが、1個であってもよい。
ダイクロイックミラー112は、照射部111から出射される青色光(青色の励起光)を透過するとともに、この青色光よりも長い波長の光を反射する特性を有する。つまり、ダイクロイックミラー112は、波長変換部材10からの黄色光(黄色の蛍光)を反射する。
光学ユニット120は、集光レンズ121、ロッドインテグレータ122、レンズ群123、投射レンズ124および表示素子125を備える。
集光レンズ121は、発光装置110からの光をロッドインテグレータ122の入射端面に集光させる。
ロッドインテグレータ122は、集光レンズ121によって集光された光を入射端面で受けて輝度分布を均一にして出射する。ロッドインテグレータ122は、例えば四角柱であり、ロッドインテグレータ122に入射した光は、媒体内で全反射を繰り返して均一な輝度分布となって出射される。
レンズ群123は、ロッドインテグレータ122から出射される光を表示素子125に入射させる。レンズ群123は、複数のレンズからなるレンズユニットであり、例えばコンデンサレンズおよびリレーレンズなどを備える。
投射レンズ124は、表示素子125から出力される光をプロジェクタ100の外部に投射するレンズである。投射レンズ124は、1つ又は複数のレンズからなる投射レンズ群(投射ユニット)であり、例えば、両凸レンズ、絞りおよび平凹レンズなどによって構成される。
表示素子125は、レンズ群123から出射される光を制御して、映像として出力する。表示素子125は、具体的には、映像素子として用いられるDMD(デジタルミラーデバイス)である。
制御部130は、発光装置110(照射部111およびモータ116)と、表示素子125とを制御する。制御部130は、具体的には、マイクロコンピュータ、プロセッサ、または専用回路などによって実現される。
以上のようなプロジェクタ100において、照射部111から出射された青色光は、ダイクロイックミラー112を透過して波長変換部材10に入射する。このとき、波長変換部材10では、青色光の一部が開口11aを介して基板11を通り抜け、青色光の他の一部が蛍光体層15により黄色光に変換される。なお、このとき、波長変換部材10は、モータ116により回転している。
蛍光体層15から発せられた黄色光は、ダイクロイックミラー112で反射して光学ユニット120に導かれる。一方、開口11aを介して基板11を通り抜けた青色光は、第1反射ミラー113、第2反射ミラー114および第3反射ミラー115で順次反射する。そして、第3反射ミラー115で反射した青色光は、ダイクロイックミラー112を透過して、光学ユニット120に導かれる。つまり、光学ユニット120には、青色光と黄色光とが混ざった白色光が入射される。
光学ユニット120に入射した白色光は、集光レンズ121、ロッドインテグレータ122およびレンズ群123を通って表示素子125に入射する。そして、制御部130からの映像信号に基づいて画像(映像光)に形成されて、表示素子125から出力される。表示素子125から出力された画像は、投射レンズ124からスクリーンなどの対象物に投射される。
以上で説明したように、本開示は、波長変換部材10を備えたプロジェクタ100として実現することができる。つまり、波長変換効率の高い蛍光体層15を備えた波長変換部材10を用いることによって、高光度のプロジェクタ100を実現することができる。
なお、本実施の形態に係るプロジェクタ100は、一例であり、蛍光体層15に例示される本開示に係る蛍光体層は、既存の各種光学系を使用したプロジェクタに使用可能である。
[実施の形態2]
(蛍光体層および波長変換部材)
図9は、実施の形態2に係る蛍光体層および波長変換部材を示す斜視図である。図9に示す実施の形態2に係る波長変換部材20は、照明装置用の波長変換部材であって、基板、接着層、金属反射層、増反射層、実施の形態2に係る蛍光体層25、および、反射防止層を備える。基板21は、矩形板状であって、その一方の主面側に矩形の蛍光体層25を備える。蛍光体層25は、封止層および蛍光体で構成されている。
波長変換部材20を構成する各構成要素は、実施の形態1に係る波長変換部材10を構成する同名の各構成要素と、形状に関する事項を除いて略同様である。したがって、各構成要素の説明は省略する。なお、図9における2−2線断面図は、図1における2−2線断面図と同様になる。
蛍光体層25は、実施の形態1に係る蛍光体層15と略同様の構成を有する。したがって、蛍光体層25は、上記で説明した蛍光体層15が奏する効果と同様の効果を全て奏する。
(照明装置)
図10は、実施の形態2に係る照明装置を示す構成図である。図10に示すように、照明装置200は、実施の形態2に係る波長変換部材20と、固体光源210と、光学系220とを備える。
固体光源210としては、例えば、紫外光から青色光領域の励起光を出射する半導体レーザや発光ダイオードなどが挙げられる。本実施の形態では、固体光源210は、GaN系の材料を用いた約460nmの青色光を発光する半導体レーザである。
固体光源210から波長変換部材20に向けて出射された青色光(青色の励起光)は、その一部が蛍光体層25により黄色光(黄色の蛍光)に変換される。蛍光体層25から発せられた黄色光と、蛍光体層25で変換されなかった青色光とが混色し、波長変換部材20からは白色光が出力される。この白色光が光学系220で発散され照明光となる。
以上で説明したように、本開示は、波長変換部材20を備えた照明装置200として実現することができる。つまり、波長変換効率の高い蛍光体層25を備えた波長変換部材20を用いることによって、高光度の照明装置200を実現することができる。
[変形例]
以上、実施の形態1および実施の形態2に係る蛍光体層、波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置について説明したが、本開示は、上記実施の形態に限定されない。本開示の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を上記実施の形態に施したものも、本開示の範囲内に含まれる。
例えば、上記実施の形態では、プロジェクタ用および照明装置用の蛍光体層および波長変換部材について説明したが、蛍光体層および波長変換部材の用途はそれらに限定されない。例えば、本開示に係る蛍光体層および波長変換部材は、ディスプレイなどのその他の用途に用いられてもよい。
また、上記実施の形態では、図2を用いて波長変換部材の積層構造を例示したが、本開示の積層構造は図2に示す積層構造に限定されない。例えば、図2に示す積層構造と同様の機能を実現できる範囲で、図2に示す積層構造の層間に別の層が設けられてもよい。
上記実施の形態では、積層構造の各層を構成する主たる材料について例示しているが、上記積層構造と同様の機能を実現できる範囲であれば、各層に他の材料が含まれていてもよい。
本開示に係る蛍光体層および波長変換部材は、プロジェクタや照明装置などの波長変換された光を利用する装置に広く利用可能である。
10,20 波長変換部材
11,21 基板
11a 開口
12 接着層
13 金属反射層
14 増反射層
14a 低屈折率層
14b 高屈折率層
15,25 蛍光体層
15a 封止層
15b 蛍光体粒子
16 反射防止層
16a 第1低屈折率層
16b 高屈折率層
16c 第2低屈折率層
100 プロジェクタ
110 発光装置
111 照射部
111a,210 固体光源
111b コリメートレンズ
111c ヒートシンク
112 ダイクロイックミラー
113 第1反射ミラー
114 第2反射ミラー
115 第3反射ミラー
116 モータ
120 光学ユニット
121 集光レンズ
122 ロッドインテグレータ
123 レンズ群
124 投射レンズ
125 表示素子
130 制御部
200 照明装置
220 光学系

Claims (6)

  1. 複数の蛍光体粒子を含む蛍光体層であって、
    前記複数の蛍光体粒子の平均粒径[μm]をx、前記蛍光体層の厚み[μm]をyとしたときに、
    y≧−0.0441x +3.9336x+48.941
    かつ、
    y≦−0.1172x+7.584x+81.148、
    かつ、
    x≧16.4
    の関係を満たすことを特徴とする蛍光体層。
  2. y≦−0.0675x+5.8959x+78.475
    の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の蛍光体層。
  3. y≦−0.0441x+3.9336x+48.941
    の関係を満たすことを特徴とする請求項1又は2に記載の蛍光体層。
  4. 請求項1からのいずれかに記載の蛍光体層を備えることを特徴とする波長変換部材。
  5. 請求項に記載の波長変換部材を備えることを特徴とするプロジェクタ。
  6. 請求項に記載の波長変換部材を備えることを特徴とする照明装置。
JP2016201715A 2016-10-13 2016-10-13 蛍光体層、波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置 Active JP6883726B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016201715A JP6883726B2 (ja) 2016-10-13 2016-10-13 蛍光体層、波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置
CN201721302378.2U CN207517728U (zh) 2016-10-13 2017-10-10 荧光体层、波长转换部件、投影仪以及照明装置
DE102017123658.9A DE102017123658A1 (de) 2016-10-13 2017-10-11 Farbstoffschicht, Wellenlängekonverter, Projektor und Beleuchtungsvorrichtung
US15/730,477 US10134958B2 (en) 2016-10-13 2017-10-11 Phosphor layer, wavelength converter, projector, and lighting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016201715A JP6883726B2 (ja) 2016-10-13 2016-10-13 蛍光体層、波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018063858A JP2018063858A (ja) 2018-04-19
JP6883726B2 true JP6883726B2 (ja) 2021-06-09

Family

ID=61765437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016201715A Active JP6883726B2 (ja) 2016-10-13 2016-10-13 蛍光体層、波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10134958B2 (ja)
JP (1) JP6883726B2 (ja)
CN (1) CN207517728U (ja)
DE (1) DE102017123658A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108803213B (zh) * 2017-04-27 2021-03-19 中强光电股份有限公司 波长转换滤光模块以及照明系统
CN109782516B (zh) * 2017-11-15 2021-10-22 中强光电股份有限公司 投影机及波长转换元件
CN110398875A (zh) 2018-04-24 2019-11-01 深圳光峰科技股份有限公司 光源系统
US10921697B2 (en) 2018-04-26 2021-02-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wavelength conversion element, phosphor wheel, light source device, and projection display apparatus
JP7304507B2 (ja) * 2018-04-26 2023-07-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長変換素子、蛍光体ホイール、光源装置、及び投写型映像表示装置
CN208239722U (zh) * 2018-05-24 2018-12-14 中强光电股份有限公司 波长转换轮、照明系统及投影装置
CN208937894U (zh) * 2018-10-29 2019-06-04 中强光电股份有限公司 波长转换装置与投影装置
JP7200673B2 (ja) * 2018-12-28 2023-01-10 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4991001B2 (ja) * 2009-12-28 2012-08-01 シャープ株式会社 照明装置
JP2013162021A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Seiko Epson Corp 波長変換素子、光源装置、及びプロジェクター
JP6314472B2 (ja) * 2013-12-20 2018-04-25 日本電気硝子株式会社 プロジェクター用蛍光ホイール、その製造方法及びプロジェクター用発光デバイス
CN105423238B (zh) 2014-09-11 2017-05-10 松下知识产权经营株式会社 波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法
JP6489348B2 (ja) 2014-09-11 2019-03-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長変換部材、発光装置、プロジェクタ、及び、波長変換部材の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10134958B2 (en) 2018-11-20
US20180108814A1 (en) 2018-04-19
CN207517728U (zh) 2018-06-19
DE102017123658A1 (de) 2018-04-19
JP2018063858A (ja) 2018-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6883726B2 (ja) 蛍光体層、波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置
US9785039B2 (en) Wavelength conversion member, light emitting device, projector, and method of manufacturing wavelength conversion member
US9863604B2 (en) Phosphor wheel, light source device, and projection image display apparatus
JP6253392B2 (ja) 発光装置及びそれを用いたプロジェクター用光源
US10101645B2 (en) Wavelength conversion element, light source device, and projector
US8919976B2 (en) Light source device and lighting device
TWI506222B (zh) 螢光體裝置、照明裝置及投影機裝置
US8608329B2 (en) Phosphor plate and illumination system with the same
JP6489348B2 (ja) 波長変換部材、発光装置、プロジェクタ、及び、波長変換部材の製造方法
US10585276B2 (en) Wavelength-converting wheel, illumination system, and projection apparatus
JP2008052070A (ja) カラーホイール、可視光光源、投射型画像表示装置、投射型画像表示方法
US10578956B2 (en) Projector and wavelength-converting element
JP7119600B2 (ja) 蛍光発光素子
TW201241544A (en) Light source device
JP2019035981A (ja) 蛍光体ホイール、光源装置、投写型映像表示装置、及び、蛍光体ホイールの製造方法
JP2017191280A (ja) 波長変換素子、照明装置およびプロジェクター
JP6754946B2 (ja) 波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置
US10146115B2 (en) Wavelength converter, projector, and lighting device
US10620520B2 (en) Wavelength conversion element, wavelength conversion system, light source apparatus, and projector
US20210270428A1 (en) Wavelength conversion member, light source device using same, projector and vehicle
US20200363709A1 (en) Phosphor wheel and light source system using the same
US10808893B2 (en) Optoelectronic semiconductor light source and Bragg mirror
JP2014146016A (ja) プロジェクタ用カラーホイール及びプロジェクタ用発光デバイス
JP7238367B2 (ja) 光源装置および電子機器
JP2024066549A (ja) 蛍光体デバイス及び発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20190118

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190710

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200327

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200414

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200612

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200929

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210316

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210329

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6883726

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151