JP6878077B2 - Substrate processing equipment and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate. The substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrate, plasma display substrate, FED (Field Emission Display) substrate, optical disk substrate, magnetic disk substrate, optical magnetic disk substrate, and photomask. Includes substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and the like.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献１には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板に向けて処理液を吐出するノズルと、ノズルに供給される処理液を加熱する複数のヒータとを備えている。複数のヒータは、循環する処理液を加熱する上流ヒータと、上流ヒータによって加熱された処理液をノズルから吐出される前に加熱する下流ヒータとを含む。 In the manufacturing process of semiconductor devices and liquid crystal display devices, substrate processing devices that process substrates such as semiconductor wafers and glass substrates for liquid crystal display devices are used.
Patent Document 1 discloses a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one. This substrate processing apparatus includes a spin chuck that rotates the substrate around a vertical rotation axis passing through the center of the substrate while holding the substrate horizontally, and a nozzle that discharges a processing liquid toward the substrate held by the spin chuck. It is equipped with a plurality of heaters for heating the processing liquid supplied to the nozzle. The plurality of heaters include an upstream heater that heats the circulating treatment liquid and a downstream heater that heats the treatment liquid heated by the upstream heater before being discharged from the nozzle.

特開２０１６−１５２３５４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-152354

基板に供給される処理液は、配管およびノズルを含む複数の部材で形成された流路を通り、ノズルから吐出される。ノズルから吐出された処理液は、ノズルと基板との間の空間を通り、基板に衝突する。
基板に供給される処理液がヒータによって予め加熱される場合、処理液の熱の一部が流路や空気中に放出される。このような熱損失が必ず発生するので、ヒータの温度よりも若干低温の処理液が基板に供給される。 The processing liquid supplied to the substrate passes through a flow path formed of a plurality of members including a pipe and a nozzle, and is discharged from the nozzle. The processing liquid discharged from the nozzle passes through the space between the nozzle and the substrate and collides with the substrate.
When the treatment liquid supplied to the substrate is preheated by the heater, a part of the heat of the treatment liquid is released into the flow path or the air. Since such heat loss always occurs, a treatment liquid slightly lower than the temperature of the heater is supplied to the substrate.

処理液の開始直後とそれ以降とでは処理液の熱損失量が異なる。したがって、熱損失を見越してヒータの温度を設定したとしても、ノズルから吐出されたときの処理液の温度が時間の経過に伴って変化してしまう。このような温度の変化を抑えるためにヒータの温度設定を途中で変更することが考えられるものの、ヒータおよび処理液の温度が直ぐに変わるとは限らない。 The amount of heat loss of the treatment liquid differs immediately after the start of the treatment liquid and after that. Therefore, even if the temperature of the heater is set in anticipation of heat loss, the temperature of the processing liquid discharged from the nozzle changes with the passage of time. Although it is conceivable to change the temperature setting of the heater in the middle in order to suppress such a change in temperature, the temperatures of the heater and the treatment liquid do not always change immediately.

そこで、本発明の目的の一つは、ノズルから吐出されたときの処理液の温度をより高い精度で制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 Therefore, one of the objects of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of controlling the temperature of the processing liquid when discharged from the nozzle with higher accuracy.

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、処理液を加熱する少なくとも一つのヒータと、前記少なくとも一つのヒータによって加熱された処理液を案内する第１配管と、前記第１配管に供給される処理液の流量を変更する第１流量調整バルブと、前記第１配管によって案内された処理液を基板に向けて吐出する第１ノズルと、前記少なくとも一つのヒータと前記第１流量調整バルブとを制御する制御装置とを備える、基板処理装置である。 The invention according to claim 1 for achieving the above object applies to at least one heater for heating the treatment liquid, a first pipe for guiding the treatment liquid heated by the at least one heater, and the first pipe. A first flow rate adjusting valve that changes the flow rate of the supplied processing liquid, a first nozzle that discharges the processing liquid guided by the first pipe toward the substrate, at least one heater, and the first flow rate adjustment. It is a substrate processing device including a control device for controlling a valve.

前記制御装置は、前記少なくとも一つのヒータによって加熱された処理液の温度の目標値を表す加熱温度と、前記第１ノズルから吐出されたときの処理液の温度の目標値であり前記加熱温度よりも低い第１設定温度と、を取得する情報取得部と、前記少なくとも一つのヒータに前記加熱温度で処理液を加熱させる加熱実行部と、前記加熱温度で前記第１配管に供給された処理液が第１吐出温度で前記第１ノズルから吐出されたときに前記第１配管に供給された処理液の流量に対応する前記第１流量調整バルブの開度を規定する第１開度決定データを記憶した記憶装置と、前記記憶装置に記憶された前記第１開度決定データと前記情報取得部が取得した前記加熱温度および第１設定温度とに基づいて、前記第１吐出温度が前記第１設定温度に一致するまたは近づく第１目標流量に対応する第１目標開度を決定する第１開度決定部と、前記第１流量調整バルブの開度を前記第１目標開度に設定する第１開度設定部と、前記第１配管を介して前記第１ノズルに処理液を供給する第１処理液供給部とを含む。前記第１開度設定部は、前記第１流量調整バルブの開度を、前記第１目標開度よりも大きい第１初期開度に設定し、その後、前記第１初期開度から前記第１目標開度に減少させる。 The control device is a heating temperature representing a target value of the temperature of the treatment liquid heated by the at least one heater, and a target value of the temperature of the treatment liquid when discharged from the first nozzle, and is based on the heating temperature. An information acquisition unit that acquires a low first set temperature, a heating execution unit that causes at least one heater to heat the processing liquid at the heating temperature, and a processing liquid supplied to the first pipe at the heating temperature. First opening degree determination data that defines the opening degree of the first flow rate adjusting valve corresponding to the flow rate of the processing liquid supplied to the first pipe when is discharged from the first nozzle at the first discharge temperature. The first discharge temperature is the first based on the stored storage device, the first opening degree determination data stored in the storage device, the heating temperature and the first set temperature acquired by the information acquisition unit. A first opening degree determining unit that determines a first target opening degree corresponding to a first target flow rate that matches or approaches a set temperature, and a first that sets the opening degree of the first flow rate adjusting valve to the first target opening degree. It includes a 1 opening degree setting unit and a first processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the first nozzle via the first pipe. The first opening degree setting unit sets the opening degree of the first flow rate adjusting valve to a first initial opening degree larger than the first target opening degree, and then from the first initial opening degree to the first opening degree. Reduce to the target opening .

この構成によれば、ヒータによって加熱温度で加熱された処理液が第１配管を介して第１ノズルに供給される。第１ノズルから吐出されたときの処理液の温度を表す第１吐出温度は、第１配管に供給される処理液の温度だけでなく、第１配管に供給される処理液の流量に応じて変化する。つまり、処理液の供給流量が減少すると、第１吐出温度が低下し、処理液の供給流量が増加すると、第１吐出温度が上昇する。これは、熱損失量が処理液の供給流量にかかわらず概ね一定であるのに対して、処理液の熱容量は処理液の供給流量に応じて変化するからである。 According to this configuration, the processing liquid heated at the heating temperature by the heater is supplied to the first nozzle via the first pipe. The first discharge temperature, which represents the temperature of the treatment liquid when discharged from the first nozzle, depends not only on the temperature of the treatment liquid supplied to the first pipe but also on the flow rate of the treatment liquid supplied to the first pipe. Change. That is, when the supply flow rate of the treatment liquid decreases, the first discharge temperature decreases, and when the supply flow rate of the treatment liquid increases, the first discharge temperature rises. This is because the amount of heat loss is generally constant regardless of the supply flow rate of the treatment liquid, whereas the heat capacity of the treatment liquid changes according to the supply flow rate of the treatment liquid.

加熱温度が同じであったとしても、処理液の供給流量が異なると吐出温度も異なる。これらの関係を規定する第１開度決定データは、制御装置の記憶装置に記憶されている。処理液の供給流量は、第１吐出温度が第１設定温度に一致するまたは近づくように第１開度決定データに基づいて設定される。つまり、処理液の供給流量を規定する第１流量調整バルブの開度は、第１吐出温度が第１設定温度に一致するまたは近づく第１目標流量に対応する第１目標開度に設定される。この状態で加熱温度の処理液が第１配管に供給される。これにより、第１設定温度またはこれとほぼ同じ温度の処理液が第１ノズルから吐出される。 Even if the heating temperature is the same, the discharge temperature will be different if the supply flow rate of the treatment liquid is different. The first opening degree determination data that defines these relationships is stored in the storage device of the control device. The supply flow rate of the processing liquid is set based on the first opening degree determination data so that the first discharge temperature matches or approaches the first set temperature. That is, the opening degree of the first flow rate adjusting valve that defines the supply flow rate of the processing liquid is set to the first target opening degree corresponding to the first target flow rate in which the first discharge temperature matches or approaches the first set temperature. .. In this state, the treatment liquid at the heating temperature is supplied to the first pipe. As a result, the treatment liquid having the first set temperature or a temperature substantially the same as the first set temperature is discharged from the first nozzle.

このように、ヒータの温度を適切に管理するだけでなく、第１配管および第１ノズルに供給される処理液の流量、つまり、処理液の熱容量を加熱温度および第１設定温度に応じて適切に設定するので、第１ノズルから吐出されたときの処理液の温度をより高い精度でコントロールすることができる。これにより、意図する温度と基板に供給された処理液の実際の温度との差を減少させることができる。さらに、第１流量調整バルブの開度を変えれば、ヒータの温度を変えずに、基板に供給される処理液の温度を変更することができる。したがって、ヒータの温度を変える場合と比較して短時間で処理液の温度を変更することができる。
さらに、制御装置の第１開度設定部は、第１流量調整バルブの開度を第１目標開度よりも大きい第１初期開度に設定する。この状態で制御装置の第１処理液供給部が第１配管を介して第１ノズルに処理液を供給する。その後、制御装置の第１開度設定部が第１流量調整バルブの開度を第１初期開度から第１目標開度に減少させる。この状態で制御装置の第１処理液供給部が第１配管を介して第１ノズルに処理液を供給する。
第１配管および第１ノズルへの処理液の供給が開始された直後は、第１配管および第１ノズルが冷めているので、熱損失量が相対的に大きい。その一方で、処理液の供給が開始されてからある程度の時間が経つと、第１配管および第１ノズルが温まるので、熱損失量が減少する。したがって、同じ温度の処理液を同じ流量で第１配管および第１ノズルに供給し続けると、第１ノズルから吐出されたときの処理液の温度が時間の経過に伴って変化する。
この構成によれば、第１配管および第１ノズルに供給される処理液の流量を時間の経過に伴って減少させる。言い換えると、処理液の供給開始時は、相対的に大きな流量で処理液を第１配管および第１ノズルに供給する。そして、第１配管および第１ノズルが温まると、相対的に小さな流量で処理液を第１配管および第１ノズルに供給する。これにより、第１ノズルから吐出されたときの処理液の温度の変動量を減少させることができる。 In this way, not only the temperature of the heater is appropriately controlled, but also the flow rate of the processing liquid supplied to the first pipe and the first nozzle, that is, the heat capacity of the processing liquid is appropriately adjusted according to the heating temperature and the first set temperature. Since it is set to, the temperature of the processing liquid when it is discharged from the first nozzle can be controlled with higher accuracy. This makes it possible to reduce the difference between the intended temperature and the actual temperature of the treatment liquid supplied to the substrate. Further, by changing the opening degree of the first flow rate adjusting valve, the temperature of the processing liquid supplied to the substrate can be changed without changing the temperature of the heater. Therefore, the temperature of the treatment liquid can be changed in a short time as compared with the case of changing the temperature of the heater.
Further, the first opening degree setting unit of the control device sets the opening degree of the first flow rate adjusting valve to the first initial opening degree larger than the first target opening degree. In this state, the first processing liquid supply unit of the control device supplies the treatment liquid to the first nozzle via the first pipe. After that, the first opening degree setting unit of the control device reduces the opening degree of the first flow rate adjusting valve from the first initial opening degree to the first target opening degree. In this state, the first processing liquid supply unit of the control device supplies the treatment liquid to the first nozzle via the first pipe.
Immediately after the supply of the treatment liquid to the first pipe and the first nozzle is started, the first pipe and the first nozzle are cooled, so that the amount of heat loss is relatively large. On the other hand, when a certain amount of time has passed since the supply of the treatment liquid was started, the first pipe and the first nozzle are warmed, so that the amount of heat loss is reduced. Therefore, if the treatment liquid having the same temperature is continuously supplied to the first pipe and the first nozzle at the same flow rate, the temperature of the treatment liquid when discharged from the first nozzle changes with the passage of time.
According to this configuration, the flow rate of the processing liquid supplied to the first pipe and the first nozzle is reduced with the passage of time. In other words, at the start of supply of the treatment liquid, the treatment liquid is supplied to the first pipe and the first nozzle at a relatively large flow rate. Then, when the first pipe and the first nozzle are warmed up, the treatment liquid is supplied to the first pipe and the first nozzle at a relatively small flow rate. As a result, it is possible to reduce the amount of fluctuation in the temperature of the processing liquid when it is discharged from the first nozzle.

請求項２に記載の発明は、前記基板処理装置は、処理液を吐出する第２ノズルと、前記第２ノズルに処理液を案内する第２配管と、前記第２配管に供給される処理液の流量を変更する第２流量調整バルブとをさらに備え、前記制御装置の前記情報取得部は、前記第２ノズルから吐出されたときの処理液の温度の目標値であり前記加熱温度よりも低い第２設定温度をさらに取得し、前記制御装置の前記記憶装置は、前記加熱温度で前記第２配管に供給された処理液が第２吐出温度で前記第２ノズルから吐出されたときに前記第２配管に供給された処理液の流量に対応する前記第２流量調整バルブの開度を規定する第２開度決定データをさらに記憶しており、前記制御装置は、前記記憶装置に記憶された前記第２開度決定データと前記情報取得部が取得した前記加熱温度および第２設定温度とに基づいて、前記第２吐出温度が前記第２設定温度に一致するまたは近づく第２目標流量に対応する第２目標開度を決定する第２開度決定部と、前記第２流量調整バルブの開度を前記第２目標開度に設定する第２開度設定部と、前記第２配管を介して処理液を前記第２ノズルに供給する第２処理液供給部とをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置である。 According to the second aspect of the present invention, the substrate processing apparatus includes a second nozzle for discharging the processing liquid, a second pipe for guiding the treatment liquid to the second nozzle, and a treatment liquid supplied to the second pipe. The information acquisition unit of the control device is a target value of the temperature of the processing liquid when it is discharged from the second nozzle, and is lower than the heating temperature. Further acquiring the second set temperature, the storage device of the control device said the second when the processing liquid supplied to the second pipe at the heating temperature was discharged from the second nozzle at the second discharge temperature. The second opening degree determination data that defines the opening degree of the second flow rate adjusting valve corresponding to the flow rate of the processing liquid supplied to the two pipes is further stored, and the control device is stored in the storage device. Based on the second opening degree determination data and the heating temperature and the second set temperature acquired by the information acquisition unit, the second discharge temperature corresponds to a second target flow rate that matches or approaches the second set temperature. Through the second opening degree determining unit for determining the second target opening degree, the second opening degree setting unit for setting the opening degree of the second flow rate adjusting valve to the second target opening degree, and the second piping. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second processing liquid supply unit that supplies the treatment liquid to the second nozzle.

この構成によれば、第１ノズルと同様に、第２配管および第２ノズルに供給される処理液の流量を規定する第２流量調整バルブの開度が、制御装置の記憶装置に記憶された第２開度決定データに基づいて、第２吐出温度が第２設定温度に一致するまたは近づく第２目標流量に対応する第２目標開度に設定される。この状態で加熱温度の処理液が第２配管に供給される。これにより、第２設定温度またはこれとほぼ同じ温度の処理液が第２ノズルから吐出される。 According to this configuration, like the first nozzle, the opening degree of the second flow rate adjusting valve that defines the flow rate of the processing liquid supplied to the second pipe and the second nozzle is stored in the storage device of the control device. Based on the second opening degree determination data, the second discharge temperature is set to the second target opening degree corresponding to the second target flow rate that matches or approaches the second set temperature. In this state, the treatment liquid at the heating temperature is supplied to the second pipe. As a result, the processing liquid having the second set temperature or a temperature substantially the same as the second set temperature is discharged from the second nozzle.

基板に供給されるまでに失われる処理液の熱量は、流路ごとに異なる場合がある。これは、流路の長さや流路を構成する部材が異なる場合があるからである。前述のように第１流量調整バルブおよび第２流量調整バルブの開度を個別に設定すれば、このような場合でも、意図する温度と基板に供給された処理液の実際の温度との差を減少させることができる。これにより、処理された基板の品質をより高い精度でコントロールすることができる。 The amount of heat of the processing liquid lost before being supplied to the substrate may differ depending on the flow path. This is because the length of the flow path and the members constituting the flow path may differ. If the opening degrees of the first flow rate adjusting valve and the second flow rate adjusting valve are set individually as described above, even in such a case, the difference between the intended temperature and the actual temperature of the processing liquid supplied to the substrate can be obtained. Can be reduced. As a result, the quality of the processed substrate can be controlled with higher accuracy.

第２設定温度は、第１設定温度と等しい値であってもよいし、第１設定温度とは異なる値であってもよい。第２開度決定データは、第１開度決定データとは異なるデータであってもよいし、第１開度決定データと同じデータであってもよい。第２開度決定部は、第１開度決定部であってもよいし、第１開度決定部とは異なるものであってもよい。第２開度設定部および処理液供給部についても第２開度決定部と同様である。少なくとも一つのヒータは、第１ノズルおよび第２ノズルの両方に供給される１つのヒータであってもよいし、第１ノズルに供給される処理液を加熱する第１ヒータと第２ノズルに供給される処理液を加熱する第２ヒータとを含んでいてもよい。 The second set temperature may be a value equal to the first set temperature or a value different from the first set temperature. The second opening degree determination data may be data different from the first opening degree determination data, or may be the same data as the first opening degree determination data. The second opening degree determining unit may be the first opening degree determining unit or may be different from the first opening degree determining unit. The second opening degree setting unit and the processing liquid supply unit are the same as those of the second opening degree determining unit. At least one heater may be one heater supplied to both the first nozzle and the second nozzle, or may be supplied to the first heater and the second nozzle for heating the processing liquid supplied to the first nozzle. It may include a second heater for heating the processing liquid to be processed.

請求項３に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記第１ノズルから吐出された処理液で処理される基板を保持する第１基板保持手段と、前記第２ノズルから吐出された処理液で処理される基板を保持する第２基板保持手段とをさらに備える、請求項２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１ノズルから吐出された処理液が、第１基板保持手段に保持されている基板に供給され、第２ノズルから吐出された処理液が、第１基板保持手段とは異なる第２基板保持手段に保持されている基板に供給される。このような場合でも、第１流量調整バルブおよび第２流量調整バルブの開度を個別に設定することにより、第１ノズルから吐出されたときの処理液の実際の温度を、第２ノズルから吐出されたときの処理液の実際の温度に一致させるまたは近づけることができる。これにより、第１ノズルから吐出された処理液で処理された基板と第２ノズルから吐出された処理液で処理された基板との品質の差を減少させることができる。 According to the third aspect of the present invention, the substrate processing apparatus includes a first substrate holding means for holding a substrate to be processed with the processing liquid discharged from the first nozzle, and a processing liquid discharged from the second nozzle. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a second substrate holding means for holding the substrate to be processed in.
According to this configuration, the processing liquid discharged from the first nozzle is supplied to the substrate held by the first substrate holding means, and the processing liquid discharged from the second nozzle is the first substrate holding means. It is supplied to a substrate held by a different second substrate holding means. Even in such a case, by individually setting the opening degrees of the first flow rate adjusting valve and the second flow rate adjusting valve, the actual temperature of the processing liquid discharged from the first nozzle is discharged from the second nozzle. It can be matched to or close to the actual temperature of the treatment liquid when it is prepared. As a result, it is possible to reduce the difference in quality between the substrate treated with the treatment liquid discharged from the first nozzle and the substrate treated with the treatment liquid discharged from the second nozzle.

請求項４に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記第１ノズルおよび第２ノズルから吐出された処理液で処理される基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに前記基板を回転させる基板保持手段をさらに備え、前記第１ノズルは、前記基板保持手段に保持されている基板上の位置である第１位置に向けて処理液を吐出し、前記第２ノズルは、前記基板保持手段に保持されている基板上の位置であり、前記第１位置よりも外側の位置である第２位置に向けて処理液を吐出する、請求項２に記載の基板処理装置である。 According to the fourth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus vertically passes through the central portion of the substrate while horizontally holding the substrate to be treated with the processing liquid discharged from the first nozzle and the second nozzle. A substrate holding means for rotating the substrate around the rotation axis is further provided, and the first nozzle discharges the processing liquid toward the first position on the substrate held by the substrate holding means, and the treatment liquid is discharged. The second aspect of claim 2, wherein the second nozzle is a position on the substrate held by the substrate holding means, and discharges the processing liquid toward the second position, which is a position outside the first position. It is a substrate processing device.

この構成によれば、第１ノズルから吐出された処理液と第２ノズルから吐出された処理液とが、同じ基板に供給される。第１ノズルは、基板上の位置である第１位置に向けて処理液を吐出し、第２ノズルは、同じ基板上の位置である第２位置に向けて処理液を吐出する。第２位置は、基板の径方向に関して第１位置よりも外側の位置である。したがって、第２ノズルから吐出された処理液は、第１ノズルから吐出された処理液よりも外側で基板に着液する。 According to this configuration, the processing liquid discharged from the first nozzle and the processing liquid discharged from the second nozzle are supplied to the same substrate. The first nozzle discharges the processing liquid toward the first position, which is a position on the substrate, and the second nozzle discharges the processing liquid toward the second position, which is the position on the same substrate. The second position is a position outside the first position in the radial direction of the substrate. Therefore, the treatment liquid discharged from the second nozzle lands on the substrate on the outer side of the treatment liquid discharged from the first nozzle.

基板上での処理液の温度は回転軸線から離れるしたがって低下する傾向にある。第１流量調整バルブおよび第２流量調整バルブの開度を個別に設定すれば、第２ノズルから吐出されたときの処理液の実際の温度を、意図的に、第１ノズルから吐出されたときの処理液の実際の温度よりも高くすることができる。これにより、基板上での処理液の温度のばらつきを低減でき、処理の均一性を高めることができる。もちろん、同じまたはほぼ同じ温度の処理液を第１ノズルおよび第２ノズルから吐出させることもできる。 The temperature of the treatment liquid on the substrate tends to decrease as it moves away from the rotation axis. If the opening degrees of the first flow rate adjusting valve and the second flow rate adjusting valve are set individually, the actual temperature of the processing liquid when discharged from the second nozzle is intentionally discharged from the first nozzle. The temperature can be higher than the actual temperature of the treatment liquid. As a result, the variation in the temperature of the treatment liquid on the substrate can be reduced, and the uniformity of the treatment can be improved. Of course, the treatment liquid having the same or substantially the same temperature can be discharged from the first nozzle and the second nozzle.

請求項５に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記第１配管および第２配管の両方に処理液を供給する共通配管をさらに備える、請求項３または４に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、共通配管内を流れる処理液が、第１配管および第２配管の両方に供給される。したがって、少なくとも成分が等しい処理液が、第１ノズルおよび第２ノズルの両方から吐出される。第１ノズルおよび第２ノズルから吐出された処理液が別々の基板に供給される場合、複数枚の基板間における処理のばらつきを低減することができる。第１ノズルおよび第２ノズルから吐出された処理液が同じ基板に供給される場合、処理の均一性を高めることができる。 The invention according to claim 5 is the substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, further comprising a common pipe for supplying a processing liquid to both the first pipe and the second pipe. ..
According to this configuration, the processing liquid flowing in the common pipe is supplied to both the first pipe and the second pipe. Therefore, the treatment liquids having at least the same components are discharged from both the first nozzle and the second nozzle. When the processing liquids discharged from the first nozzle and the second nozzle are supplied to different substrates, it is possible to reduce the variation in processing between a plurality of substrates. When the treatment liquids discharged from the first nozzle and the second nozzle are supplied to the same substrate, the uniformity of treatment can be improved.

請求項６に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記第１配管および第２配管の両方に処理液を供給する共通配管をさらに備え、前記基板処理装置は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが露出した基板に処理液としてのリン酸を供給することにより、前記シリコン酸化膜のエッチングを抑えながら前記シリコン窒化膜をエッチングする、請求項４に記載の基板処理装置である。 In the invention according to claim 6, the substrate processing apparatus further includes a common piping for supplying a processing liquid to both the first piping and the second piping, and the substrate processing apparatus includes a silicon oxide film and a silicon nitride film. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the silicon nitride film is etched while suppressing the etching of the silicon oxide film by supplying phosphoric acid as a processing liquid to the exposed substrate.

この構成によれば、ヒータによって加熱された高温のリン酸（たとえば、その濃度における沸点のリン酸）が、共通配管から第１配管および第２配管の両方に供給され、第１ノズルおよび第２ノズルの両方から吐出される。吐出されたリン酸は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが露出した基板に供給される。これにより、シリコン酸化膜のエッチングを抑えながらシリコン窒化膜をエッチングする選択エッチングが行われる。 According to this configuration, hot phosphoric acid heated by the heater (for example, phosphoric acid having a boiling point at that concentration) is supplied from the common pipe to both the first pipe and the second pipe, and the first nozzle and the second pipe are supplied. It is discharged from both nozzles. The discharged phosphoric acid is supplied to the substrate on which the silicon oxide film and the silicon nitride film are exposed. As a result, selective etching is performed in which the silicon nitride film is etched while suppressing the etching of the silicon oxide film.

特に、第２ノズルから吐出されたときのリン酸の実際の温度が、第１ノズルから吐出されたときのリン酸の実際の温度よりも高くなるように、第１流量調整バルブおよび第２流量調整バルブの開度を個別に設定すれば、基板上でのリン酸の温度のばらつきを低減でき、エッチングの均一性をさらに高めることができる。加えて、成分が等しいリン酸が第１ノズルおよび第２ノズルから同じ基板に向けて吐出されるので、選択比（シリコン窒化膜のエッチング量／シリコン酸化膜のエッチング量）の均一性が低下することを抑制または防止することができる。 In particular, the first flow rate adjusting valve and the second flow rate so that the actual temperature of phosphoric acid discharged from the second nozzle is higher than the actual temperature of phosphoric acid discharged from the first nozzle. If the opening degree of the adjusting valve is set individually, the variation in the temperature of phosphoric acid on the substrate can be reduced, and the uniformity of etching can be further improved. In addition, since phosphoric acid having the same composition is discharged from the first nozzle and the second nozzle toward the same substrate, the uniformity of the selection ratio (etching amount of silicon nitride film / etching amount of silicon oxide film) is lowered. Can be suppressed or prevented.

請求項７に記載の発明は、前記基板処理装置は、処理液の温度を検出する温度センサーをさらに備え、前記第１開度設定部は、前記温度センサーによって検出された処理液の温度が切替温度に達すると、前記第１流量調整バルブの開度を前記第１初期開度から前記第１目標開度に減少させる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板に供給される前の処理液または基板上に位置する処理液の温度が温度センサーによって検出される。温度センサーによって検出された処理液の温度が切替温度に達すると、つまり、第１配管および第１ノズルが温まったことが確認されると、制御装置の第１開度設定部は、第１流量調整バルブの開度を第１初期開度から第１目標開度に減少させる。したがって、第１配管および第１ノズルが温まっているにもかかわらず、相対的に大きな流量で処理液が第１配管および第１ノズルに供給され続けることを防止できる。 According to a seventh aspect of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a temperature sensor for detecting the temperature of the processing liquid, and the first opening degree setting unit switches the temperature of the processing liquid detected by the temperature sensor. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6 , wherein when the temperature is reached, the opening degree of the first flow rate adjusting valve is reduced from the first initial opening degree to the first target opening degree. ..
According to this configuration, the temperature of the processing liquid before being supplied to the substrate or the processing liquid located on the substrate is detected by the temperature sensor. When the temperature of the processing liquid detected by the temperature sensor reaches the switching temperature, that is, when it is confirmed that the first pipe and the first nozzle have warmed up, the first opening setting unit of the control device sets the first flow rate. The opening degree of the adjusting valve is reduced from the first initial opening degree to the first target opening degree. Therefore, it is possible to prevent the treatment liquid from being continuously supplied to the first pipe and the first nozzle at a relatively large flow rate even though the first pipe and the first nozzle are warm.

温度センサーは、基板に供給される前の処理液の温度を検出してもよいし、基板上の処理液の温度を検出してもよいし、第１ノズルを収容するチャンバー内で処理液の温度を検出してもよい。基板に供給される前の処理液の温度を検出する場合、温度センサーは、第１配管内の処理液の温度を検出してもよいし、第１ノズル内の処理液の温度を検出してもよい。 The temperature sensor may detect the temperature of the treatment liquid before being supplied to the substrate, may detect the temperature of the treatment liquid on the substrate, or may detect the temperature of the treatment liquid in the chamber accommodating the first nozzle. The temperature may be detected. When detecting the temperature of the treatment liquid before being supplied to the substrate, the temperature sensor may detect the temperature of the treatment liquid in the first pipe or detect the temperature of the treatment liquid in the first nozzle. May be good.

請求項８に記載の発明は、処理液を加熱する少なくとも一つのヒータと、前記少なくとも一つのヒータによって加熱された処理液を案内する第１配管と、前記第１配管に供給される処理液の流量を変更する第１流量調整バルブと、前記第１配管によって案内された処理液を基板に向けて吐出する第１ノズルと、前記少なくとも一つのヒータと前記第１流量調整バルブとを制御する制御装置と、を備える基板処理装置によって実行される、基板処理方法である。 The invention according to claim 8 comprises at least one heater for heating the treatment liquid, a first pipe for guiding the treatment liquid heated by the at least one heater, and a treatment liquid supplied to the first pipe. Control to control the first flow rate adjusting valve for changing the flow rate, the first nozzle for discharging the processing liquid guided by the first piping toward the substrate, the at least one heater, and the first flow rate adjusting valve. A substrate processing method performed by a substrate processing apparatus comprising the apparatus.

前記基板処理方法は、前記少なくとも一つのヒータによって加熱された処理液の温度の目標値を表す加熱温度と、前記第１ノズルから吐出されたときの処理液の温度の目標値であり前記加熱温度よりも低い第１設定温度と、を取得する情報取得工程と、前記少なくとも一つのヒータに前記加熱温度で処理液を加熱させる加熱実行工程と、前記制御装置の記憶装置に記憶されたデータであって、前記加熱温度で前記第１配管に供給された処理液が第１吐出温度で前記第１ノズルから吐出されたときに前記第１配管に供給された処理液の流量に対応する前記第１流量調整バルブの開度を規定する第１開度決定データと、前記情報取得工程で取得した前記加熱温度および第１設定温度とに基づいて、前記第１吐出温度が前記第１設定温度に一致するまたは近づく第１目標流量に対応する第１目標開度を決定する開度決定工程と、前記第１流量調整バルブの開度を前記第１目標開度に設定する第１開度設定工程と、前記第１配管を介して前記第１ノズルに処理液を供給する第１処理液供給工程とを含む。前記第１開度設定工程は、前記第１流量調整バルブの開度を、前記第１目標開度よりも大きい第１初期開度に設定し、その後、前記第１初期開度から前記第１目標開度に減少させる。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。 The substrate processing method is a heating temperature representing a target value of the temperature of the processing liquid heated by the at least one heater, and a target value of the temperature of the processing liquid when discharged from the first nozzle, and is the heating temperature. The information acquisition step of acquiring a lower first set temperature, the heating execution step of heating the processing liquid at the heating temperature by the at least one heater, and the data stored in the storage device of the control device. The first, which corresponds to the flow rate of the treatment liquid supplied to the first pipe when the treatment liquid supplied to the first pipe at the heating temperature is discharged from the first nozzle at the first discharge temperature. The first discharge temperature matches the first set temperature based on the first opening determination data that defines the opening of the flow rate adjusting valve and the heating temperature and the first set temperature acquired in the information acquisition step. An opening degree determining step of determining a first target opening degree corresponding to a first target flow rate to be or approaching, and a first opening degree setting step of setting the opening degree of the first flow rate adjusting valve to the first target opening degree. The first processing liquid supply step of supplying the treatment liquid to the first nozzle via the first pipe is included. In the first opening degree setting step, the opening degree of the first flow rate adjusting valve is set to a first initial opening degree larger than the first target opening degree, and then from the first initial opening degree to the first opening degree. Reduce to the target opening. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

請求項９に記載の発明は、前記基板処理装置は、処理液を吐出する第２ノズルと、前記第２ノズルに処理液を案内する第２配管と、前記第２配管に供給される処理液の流量を変更する第２流量調整バルブとをさらに備え、前記情報取得工程は、前記第２ノズルから吐出されたときの処理液の温度の目標値であり前記加熱温度よりも低い第２設定温度をさらに取得する工程であり、前記制御装置の前記記憶装置は、前記加熱温度で前記第２配管に供給された処理液が第２吐出温度で前記第２ノズルから吐出されたときに前記第２配管に供給された処理液の流量に対応する前記第２流量調整バルブの開度を規定する第２開度決定データをさらに記憶しており、前記基板処理方法は、前記記憶装置に記憶された前記第２開度決定データと前記情報取得工程で取得した前記加熱温度および第２設定温度とに基づいて、前記第２吐出温度が前記第２設定温度に一致するまたは近づく第２目標流量に対応する第２目標開度を決定する第２開度決定工程と、前記第２流量調整バルブの開度を前記第２目標開度に設定する第２開度設定工程と、前記第２配管を介して前記第２ノズルに処理液を供給する第２処理液供給工程とをさらに含む、請求項８に記載の基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。
According to the ninth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus includes a second nozzle for discharging the processing liquid, a second pipe for guiding the treatment liquid to the second nozzle, and a treatment liquid supplied to the second pipe. A second flow rate adjusting valve for changing the flow rate of the above is further provided, and the information acquisition step is a second set temperature which is a target value of the temperature of the processing liquid when discharged from the second nozzle and is lower than the heating temperature. In the step of further acquiring the above, the storage device of the control device is the second when the processing liquid supplied to the second pipe at the heating temperature is discharged from the second nozzle at the second discharge temperature. The second opening degree determination data that defines the opening degree of the second flow rate adjusting valve corresponding to the flow rate of the processing liquid supplied to the pipe is further stored, and the substrate processing method is stored in the storage device. Based on the second opening degree determination data and the heating temperature and the second set temperature acquired in the information acquisition step, the second discharge temperature corresponds to the second target flow rate that matches or approaches the second set temperature. Through the second opening degree determining step of determining the second target opening degree, the second opening degree setting step of setting the opening degree of the second flow rate adjusting valve to the second target opening degree, and the second piping. The substrate processing method according to claim 8, further comprising a second processing liquid supply step of supplying the treatment liquid to the second nozzle. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

請求項１０に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記第１ノズルから吐出された処理液で処理される基板を保持する第１基板保持手段と、前記第２ノズルから吐出された処理液で処理される基板を保持する第２基板保持手段とをさらに備える、請求項９に記載の基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。 According to a tenth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus includes a first substrate holding means for holding a substrate to be processed with the processing liquid discharged from the first nozzle, and a processing liquid discharged from the second nozzle. The substrate processing method according to claim 9 , further comprising a second substrate holding means for holding the substrate to be processed in. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

請求項１１に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記第１ノズルおよび第２ノズルから吐出された処理液で処理される基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに前記基板を回転させる基板保持手段をさらに備え、前記基板処理方法は、前記基板保持手段に保持されている基板上の位置である第１位置に向けて前記第１ノズルに処理液を吐出させる第１吐出工程と、前記基板保持手段に保持されている基板上の位置であり、前記第１位置よりも外側の位置である第２位置に向けて前記第２ノズルに処理液を吐出させる第２吐出工程とをさらに含む、請求項９に記載の基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。 According to the eleventh aspect of the present invention, the substrate processing apparatus vertically passes through the central portion of the substrate while horizontally holding the substrate to be treated with the processing liquid discharged from the first nozzle and the second nozzle. A substrate holding means for rotating the substrate around the rotation axis is further provided, and the substrate processing method is a treatment liquid in the first nozzle toward a first position which is a position on the substrate held by the substrate holding means. The processing liquid is supplied to the second nozzle toward the second position, which is a position on the substrate held by the substrate holding means and is a position outside the first position. The substrate processing method according to claim 9 , further comprising a second discharge step of discharging. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

請求項１２に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記第１配管および第２配管の両方に処理液を供給する共通配管をさらに備える、請求項９または１０に記載の基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。
請求項１３に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記第１配管および第２配管の両方に処理液を供給する共通配管をさらに備え、前記基板処理方法は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが露出した基板に処理液としてのリン酸を供給することにより、前記シリコン酸化膜のエッチングを抑えながら前記シリコン窒化膜をエッチングする、請求項１０に記載の基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。 The invention according to claim 12 is the substrate processing method according to claim 9 or 10 , wherein the substrate processing apparatus further includes a common pipe that supplies a processing liquid to both the first pipe and the second pipe. .. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.
According to the thirteenth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a common piping for supplying a processing liquid to both the first piping and the second piping, and the substrate processing method includes a silicon oxide film and a silicon nitride film. The substrate processing method according to claim 10 , wherein the silicon nitride film is etched while suppressing the etching of the silicon oxide film by supplying phosphoric acid as a treatment liquid to the substrate exposed to. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

請求項１４に記載の発明は、前記基板処理装置は、処理液の温度を検出する温度センサーをさらに備え、前記第１開度設定工程は、前記温度センサーによって検出された処理液の温度が切替温度に達すると、前記第１流量調整バルブの開度を前記第１初期開度から前記第１目標開度に減少させる、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。 In the invention according to claim 14 , the substrate processing apparatus further includes a temperature sensor for detecting the temperature of the processing liquid, and in the first opening degree setting step, the temperature of the processing liquid detected by the temperature sensor is switched. The substrate processing method according to any one of claims 8 to 13 , wherein when the temperature is reached, the opening degree of the first flow rate adjusting valve is reduced from the first initial opening degree to the first target opening degree. .. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

請求項１５に記載の発明は、処理液を加熱するヒータと、前記加熱された処理液を送液する処理液配管と、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板に向けて前記処理液配管を介して送液された処理液を吐出するノズルと、前記処理液配管を流れる処理液の流量を調節するバルブと、前記処理液配管に流れる処理液の温度を検出する温度センサーと、前記ノズルから吐出される処理液の温度の目標値である設定温度を取得する情報取得手段と、前記温度センサーによって検出された温度と前記情報取得手段によって取得された処理液の設定温度とに基づいて前記バルブの開度を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記バルブの開度を、前記ノズルから吐出されたときの処理液の温度である吐出温度が、前記設定温度に一致するまたは近づく目標流量に対応する目標開度よりも大きい初期開度に設定し、その後、前記初期開度から前記目標開度に減少させる、基板処理装置である。この構成によれば、簡易な構成により、ノズルから吐出する処理液の温度を目標温度に近づけることができる。 The invention according to claim 15 is a heater for heating a treatment liquid, a treatment liquid pipe for sending the heated treatment liquid, a substrate holding means for holding a substrate, and a substrate held by the substrate holding means. A nozzle for discharging the treatment liquid sent through the treatment liquid pipe, a valve for adjusting the flow rate of the treatment liquid flowing through the treatment liquid pipe, and the temperature of the treatment liquid flowing through the treatment liquid pipe are detected. The temperature sensor, the information acquisition means for acquiring the set temperature which is the target value of the temperature of the processing liquid discharged from the nozzle, the temperature detected by the temperature sensor, and the processing liquid acquired by the information acquisition means. A control means for controlling the opening degree of the valve based on a set temperature is provided , and the control means has a discharge temperature which is a temperature of a processing liquid when the opening degree of the valve is discharged from the nozzle. A substrate processing device that sets an initial opening degree larger than a target opening degree corresponding to a target flow rate that matches or approaches the set temperature, and then reduces the initial opening degree to the target opening degree. According to this configuration, the temperature of the processing liquid discharged from the nozzle can be brought close to the target temperature by a simple configuration.

請求項１６に記載の発明は、前記制御手段は、前記情報取得手段から取得された前記設定温度と前記温度センサーにより検出された処理液の温度とを比較して、前記温度センサーにより検出された処理液の温度が前記設定温度を上回る場合には前記処理液の流量が減少する方向に前記バルブの開度を制御し、前記温度センサーにより検出された処理液の温度が前記設定温度を下回る場合には前記処理液の流量が増加する方向に前記バルブの開度を制御する請求項１５に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の効果と同様の効果を奏することができる。 In the invention according to claim 16 , the control means is detected by the temperature sensor by comparing the set temperature acquired from the information acquisition means with the temperature of the processing liquid detected by the temperature sensor. When the temperature of the treatment liquid exceeds the set temperature, the opening degree of the valve is controlled in the direction in which the flow rate of the treatment liquid decreases, and the temperature of the treatment liquid detected by the temperature sensor falls below the set temperature. The substrate processing apparatus according to claim 15 , wherein the opening degree of the valve is controlled in a direction in which the flow rate of the processing liquid increases. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。It is a schematic diagram which looked at the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention from the top. 処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。It is a schematic diagram which looked at the inside of a processing unit horizontally. 本発明の第１実施形態に係る薬液供給システムを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the chemical solution supply system which concerns on 1st Embodiment of this invention. 基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electrical structure of a substrate processing apparatus. 基板処理装置によって実行される基板の処理の一例について説明するための工程図である。It is a process drawing for demonstrating an example of the processing of a substrate executed by a substrate processing apparatus. 制御装置の機能ブロックを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the functional block of a control device. 制御装置に記憶された開度決定データの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the opening degree determination data stored in the control device. 薬液の加熱を開始してから加熱された薬液を基板に供給するまでの流れの一例を示す工程図である。It is a process drawing which shows an example of the flow from the start of heating of a chemical solution to the supply of a heated chemical solution to a substrate. 薬液ノズルに供給される薬液の流量および温度の時間的変化の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the temporal change of the flow rate and temperature of a chemical solution supplied to a chemical solution nozzle. 薬液ノズルに供給される薬液の流量および温度の時間的変化の他の例を示すグラフである。It is a graph which shows other example of the time change of the flow rate and temperature of a chemical solution supplied to a chemical solution nozzle. 本発明の第２実施形態に係る第１薬液ノズルおよび第２薬液ノズルを水平に見た模式図である。It is a schematic diagram which looked at the 1st chemical solution nozzle and the 2nd chemical solution nozzle which concerns on 2nd Embodiment of this invention horizontally. 第１薬液ノズルおよび第２薬液ノズルの模式的な平面図である。It is a schematic plan view of the 1st chemical solution nozzle and the 2nd chemical solution nozzle. 図１１に示す矢印ＸＩＩＩの方向に第１薬液ノズルおよび第２薬液ノズルを見た模式図である。It is a schematic view which looked at the 1st chemical solution nozzle and the 2nd chemical solution nozzle in the direction of arrow XIII shown in FIG. 本発明の第２実施形態に係る薬液供給システムを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the chemical solution supply system which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 第１薬液ノズルおよび第２薬液ノズルに供給される薬液の流量の時間的変化の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the temporal change of the flow rate of the chemical solution supplied to the 1st chemical solution nozzle and the 2nd chemical solution nozzle. 第１薬液ノズルおよび第２薬液ノズルに供給される薬液の温度の時間的変化の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the temporal change of the temperature of the chemical solution supplied to the 1st chemical solution nozzle and the 2nd chemical solution nozzle. 本発明の第３実施形態に係る制御装置の機能ブロックを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the functional block of the control device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 制御装置に記憶された開度決定データの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the opening degree determination data stored in the control device. レシピの取得から加熱された薬液の供給を停止するまでの処理の流れの一例を示す工程図である。It is a process diagram which shows an example of the process flow from the acquisition of a recipe to the stop of the supply of a heated chemical solution.

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１を上から見た模式図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを収容する複数のキャリアＣを保持する複数のロードポートＬＰと、複数のロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する複数の処理ユニット２と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic view of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention as viewed from above.
The substrate processing device 1 is a single-wafer processing device that processes disk-shaped substrates W such as semiconductor wafers one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of load port LPs holding a plurality of carriers C accommodating the substrate W, and a plurality of substrates W transported from the plurality of load port LPs are treated with a processing fluid such as a processing liquid or a processing gas. The processing unit 2 and the control device 3 for controlling the substrate processing device 1 are included.

基板処理装置１は、さらに、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットを含む。搬送ロボットは、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲとを含む。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲは、基板Ｗを支持するハンドを含む。 The substrate processing device 1 further includes a transfer robot that conveys the substrate W between the load port LP and the processing unit 2. The transfer robot includes an indexer robot IR and a center robot CR. The indexer robot IR conveys the substrate W between the load port LP and the center robot CR. The center robot CR conveys the substrate W between the indexer robot IR and the processing unit 2. The indexer robot IR and the center robot CR include a hand that supports the substrate W.

基板処理装置１は、後述する開閉バルブ２５などの流体機器を収容する複数（４つ）の流体ボックス４を含む。処理ユニット２および流体ボックス４は、基板処理装置１の外壁１ａの中に配置されており、基板処理装置１の外壁１ａで覆われている。後述する薬液タンク３１等を収容する複数（４つ）の薬液キャビネット５は、基板処理装置１の外壁１ａの外に配置されている。薬液キャビネット５は、基板処理装置１の側方に配置されていてもよいし、基板処理装置１が設置されるクリーンルームの下（地下）に配置されていてもよい。 The substrate processing device 1 includes a plurality of (four) fluid boxes 4 for accommodating fluid devices such as an on-off valve 25 described later. The processing unit 2 and the fluid box 4 are arranged in the outer wall 1a of the substrate processing apparatus 1 and are covered with the outer wall 1a of the substrate processing apparatus 1. A plurality of (four) chemical liquid cabinets 5 for accommodating the chemical liquid tank 31 and the like, which will be described later, are arranged outside the outer wall 1a of the substrate processing device 1. The chemical liquid cabinet 5 may be arranged on the side of the substrate processing apparatus 1, or may be arranged under (underground) the clean room in which the substrate processing apparatus 1 is installed.

複数の処理ユニット２は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された４つの塔を形成している。各塔は、上下に積層された３つの処理ユニット２を含む。４つの薬液キャビネット５は、それぞれ、４つの塔に対応している。４つの流体ボックス４は、それぞれ、４つの薬液キャビネット５に対応している。薬液キャビネット５内の薬液は、対応する流体ボックス４を介して、同一の塔に含まれる３つの処理ユニット２に供給される。 The plurality of processing units 2 form four towers arranged so as to surround the center robot CR in a plan view. Each tower contains three processing units 2 stacked one above the other. Each of the four chemical cabinets 5 corresponds to four towers. Each of the four fluid boxes 4 corresponds to four chemical cabinets 5. The chemical solution in the chemical solution cabinet 5 is supplied to the three processing units 2 contained in the same tower via the corresponding fluid box 4.

図２は、処理ユニット２の内部を水平に見た模式図である。
処理ユニット２は、内部空間を有する箱型のチャンバー６と、チャンバー６内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック１０と、基板Ｗから排出された処理液を受け止める筒状のカップ１４と含む。
チャンバー６は、基板Ｗが通過する搬入搬出口が設けられた箱型の隔壁８と、搬入搬出口を開閉するシャッター９と、フィルター３５によってろ過された空気であるクリーンエアーのダウンフローをチャンバー６内に形成するＦＦＵ７（ファン・フィルタ・ユニット）とを含む。チャンバー６内の気温は、ＦＦＵ７によって送られたクリーンエアーで一定に維持されている。センターロボットＣＲは、搬入搬出口を通じてチャンバー６に基板Ｗを搬入し、搬入搬出口を通じてチャンバー６から基板Ｗを搬出する。 FIG. 2 is a schematic view of the inside of the processing unit 2 as viewed horizontally.
The processing unit 2 includes a box-shaped chamber 6 having an internal space, a spin chuck 10 that rotates the substrate W horizontally around the vertical rotation axis A1 passing through the central portion of the substrate W while holding the substrate W horizontally in the chamber 6, and a substrate. It includes a tubular cup 14 that receives the processing liquid discharged from W.
The chamber 6 has a box-shaped partition wall 8 provided with a carry-in / carry-out port through which the substrate W passes, a shutter 9 for opening / closing the carry-in / carry-out port, and a downflow of clean air, which is air filtered by the filter 35. Includes FFU7 (fan filter unit) formed inside. The air temperature in the chamber 6 is kept constant by the clean air sent by the FFU 7. The center robot CR carries the substrate W into the chamber 6 through the carry-in / carry-out port, and carries out the board W from the chamber 6 through the carry-in / carry-out port.

スピンチャック１０は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１２と、スピンベース１２の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン１１と、複数のチャックピン１１を回転させることにより回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンモータ１３とを含む。スピンチャック１０は、複数のチャックピン１１を基板Ｗの外周面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１２の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。 The spin chuck 10 rotates a disk-shaped spin base 12 held in a horizontal position, a plurality of chuck pins 11 that hold the substrate W in a horizontal position above the spin base 12, and a plurality of chuck pins 11. It includes a spin motor 13 that rotates the substrate W around the rotation axis A1 by rotating the substrate W. The spin chuck 10 is not limited to a holding type chuck in which a plurality of chuck pins 11 are brought into contact with the outer peripheral surface of the substrate W, and the back surface (lower surface) of the substrate W, which is a non-device forming surface, is attracted to the upper surface of the spin base 12. A vacuum type chuck that holds the substrate W horizontally may be used.

カップ１４は、回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる筒状の傾斜部１４ａと、傾斜部１４ａの下端部（外端部）から下方に延びる円筒状の案内部１４ｂと、上向きに開いた環状の溝を形成する液受部１４ｃとを含む。傾斜部１４ａは、基板Ｗおよびスピンベース１２よりも大きい内径を有する円環状の上端を含む。傾斜部１４ａの上端は、カップ１４の上端に相当する。カップ１４の上端は、平面視で基板Ｗおよびスピンベース１２を取り囲んでいる。 The cup 14 has a cylindrical inclined portion 14a extending diagonally upward toward the rotation axis A1, a cylindrical guide portion 14b extending downward from the lower end portion (outer end portion) of the inclined portion 14a, and an annular shape opened upward. Includes a liquid receiving portion 14c that forms a groove of the above. The inclined portion 14a includes an annular upper end having an inner diameter larger than that of the substrate W and the spin base 12. The upper end of the inclined portion 14a corresponds to the upper end of the cup 14. The upper end of the cup 14 surrounds the substrate W and the spin base 12 in a plan view.

処理ユニット２は、スピンチャック１０が基板Ｗを保持する保持位置よりもカップ１４の上端が上方に位置する上位置（図２に示す位置）と、カップ１４の上端が保持位置よりも下方に位置する下位置との間で、カップ１４を鉛直に昇降させるカップ昇降ユニット１５を含む。処理液が基板Ｗに供給されるとき、カップ１４は上位置に配置される。基板Ｗから外方に飛散した処理液は、傾斜部１４ａによって受け止められた後、案内部１４ｂによって液受部１４ｃ内に集められる。 The processing unit 2 has an upper position (position shown in FIG. 2) where the upper end of the cup 14 is located above the holding position where the spin chuck 10 holds the substrate W and a position where the upper end of the cup 14 is lower than the holding position. Includes a cup elevating unit 15 that elevates and elevates the cup 14 vertically to and from the lower position. When the processing liquid is supplied to the substrate W, the cup 14 is arranged in the upper position. The processing liquid scattered outward from the substrate W is received by the inclined portion 14a and then collected in the liquid receiving portion 14c by the guide portion 14b.

処理ユニット２は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗの上面に向けて薬液を下方に吐出する薬液ノズル２１を含む。薬液ノズル２１は、開閉バルブ２５が介装された薬液配管２２に接続されている。処理ユニット２は、薬液ノズル２１から吐出された薬液が基板Ｗの上面に供給される処理位置と薬液ノズル２１が平面視で基板Ｗから離れた退避位置との間で薬液ノズル２１を水平に移動させるノズル移動ユニット２７を含む。ノズル移動ユニット２７は、たとえば、カップ１４のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりに薬液ノズル２１を水平に移動させる旋回ユニットである。 The processing unit 2 includes a chemical solution nozzle 21 that discharges the chemical solution downward toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 10. The chemical solution nozzle 21 is connected to the chemical solution pipe 22 provided with the on-off valve 25. The processing unit 2 horizontally moves the chemical solution nozzle 21 between the processing position where the chemical solution discharged from the chemical solution nozzle 21 is supplied to the upper surface of the substrate W and the retracted position where the chemical solution nozzle 21 is separated from the substrate W in a plan view. The nozzle moving unit 27 to be made to be included is included. The nozzle movement unit 27 is, for example, a swivel unit that horizontally moves the chemical solution nozzle 21 around the nozzle rotation axis A2 extending vertically around the cup 14.

開閉バルブ２５が開かれると、薬液が、薬液配管２２から薬液ノズル２１に供給され、薬液ノズル２１から吐出される。薬液は、たとえば、エッチング液の一例であるリン酸である。薬液は、リン酸以外の液体であってもよい。たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、リン酸、酢酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、および腐食防止剤の少なくとも１つを含む液が、薬液ノズル２１に供給されてもよい。 When the on-off valve 25 is opened, the chemical solution is supplied from the chemical solution pipe 22 to the chemical solution nozzle 21 and discharged from the chemical solution nozzle 21. The chemical solution is, for example, phosphoric acid, which is an example of an etching solution. The chemical solution may be a liquid other than phosphoric acid. For example, sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, acetic acid, aqueous ammonia, hydrogen peroxide solution, organic acids (eg citric acid, oxalic acid, etc.), organic alkalis (eg, TMAH: tetramethylammonium hydroxide, etc.) ), A surfactant, and a solution containing at least one of an antioxidant may be supplied to the chemical solution nozzle 21.

処理ユニット２は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル１６を含む。リンス液ノズル１６は、リンス液バルブ１８が介装されたリンス液配管１７に接続されている。処理ユニット２は、リンス液ノズル１６から吐出されたリンス液が基板Ｗに供給される処理位置とリンス液ノズル１６が平面視で基板Ｗから離れた退避位置との間でリンス液ノズル１６を水平に移動させるノズル移動ユニットを備えていてもよい。 The processing unit 2 includes a rinse liquid nozzle 16 that discharges the rinse liquid downward toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 10. The rinse liquid nozzle 16 is connected to the rinse liquid pipe 17 provided with the rinse liquid valve 18. The processing unit 2 horizontally arranges the rinse liquid nozzle 16 between the processing position where the rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 16 is supplied to the substrate W and the retracted position where the rinse liquid nozzle 16 is separated from the substrate W in a plan view. It may be provided with a nozzle moving unit for moving the nozzle to the.

リンス液バルブ１８が開かれると、リンス液が、リンス液配管１７からリンス液ノズル１６に供給され、リンス液ノズル１６から吐出される。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionized water）である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。 When the rinse liquid valve 18 is opened, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid pipe 17 to the rinse liquid nozzle 16 and discharged from the rinse liquid nozzle 16. The rinsing liquid is, for example, pure water (Deionized water). The rinsing solution is not limited to pure water, and may be any of carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm).

図３は、本発明の第１実施形態に係る薬液供給システムを示す模式図である。図３では、流体ボックス４を一点鎖線で示しており、薬液キャビネット５を二点鎖線で示している。一点鎖線で囲まれた領域に配置された部材は流体ボックス４内に配置されており、二点鎖線で囲まれた領域に配置された部材は薬液キャビネット５内に配置されている。
基板処理装置１は、複数の処理ユニット２によって形成された複数の塔にそれぞれ対応する複数の薬液供給システムを含む。薬液供給システムは、同じ塔に含まれる全ての処理ユニット２に薬液を供給する。図３は、１つの薬液供給システムと、この薬液供給システムに対応する３つの処理ユニット２とを示している。 FIG. 3 is a schematic view showing a chemical solution supply system according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 3, the fluid box 4 is shown by the alternate long and short dash line, and the chemical solution cabinet 5 is indicated by the alternate long and short dash line. The member arranged in the region surrounded by the alternate long and short dash line is arranged in the fluid box 4, and the member arranged in the region surrounded by the alternate long and short dash line is arranged in the chemical solution cabinet 5.
The substrate processing device 1 includes a plurality of chemical solution supply systems corresponding to a plurality of towers formed by the plurality of processing units 2. The chemical supply system supplies chemicals to all the processing units 2 contained in the same tower. FIG. 3 shows one chemical solution supply system and three processing units 2 corresponding to this chemical solution supply system.

薬液供給システムは、基板Ｗに供給される薬液を貯留する薬液タンク３１と、薬液タンク３１内の薬液を循環させる環状の循環路を形成する循環配管３２とを含む。薬液供給システムは、さらに、薬液タンク３１内の薬液を循環配管３２に送るポンプ３４と、パーティクルなどの異物を薬液から除去するフィルター３５と、薬液を加熱することにより薬液タンク３１内の薬液の温度を調整するヒータ３３とを含む。ポンプ３４、フィルター３５、およびヒータ３３は、循環配管３２に介装されている。 The chemical solution supply system includes a chemical solution tank 31 for storing the chemical solution supplied to the substrate W, and a circulation pipe 32 for forming an annular circulation path for circulating the chemical solution in the chemical solution tank 31. The chemical solution supply system further includes a pump 34 that sends the chemical solution in the chemical solution tank 31 to the circulation pipe 32, a filter 35 that removes foreign substances such as particles from the chemical solution, and the temperature of the chemical solution in the chemical solution tank 31 by heating the chemical solution. Includes a heater 33 for adjusting. The pump 34, the filter 35, and the heater 33 are interposed in the circulation pipe 32.

ポンプ３４は、常時、薬液タンク３１内の薬液を循環配管３２内に送る。薬液供給システムは、ポンプ３４に代えて、薬液タンク３１内の気圧を上昇させることにより薬液タンク３１内の薬液を循環配管３２に押し出す加圧装置を備えていてもよい。ポンプ３４および加圧装置は、いずれも、薬液タンク３１内の薬液を循環配管３２に送る送液装置の一例である。 The pump 34 constantly sends the chemical solution in the chemical solution tank 31 into the circulation pipe 32. Instead of the pump 34, the chemical solution supply system may include a pressurizing device that pushes the chemical solution in the chemical solution tank 31 to the circulation pipe 32 by increasing the air pressure in the chemical solution tank 31. The pump 34 and the pressurizing device are both examples of a liquid feeding device that sends the chemical liquid in the chemical liquid tank 31 to the circulation pipe 32.

循環配管３２の上流端および下流端は、薬液タンク３１に接続されている。薬液は、薬液タンク３１から循環配管３２の上流端に送られ、循環配管３２の下流端から薬液タンク３１に戻る。これにより、薬液タンク３１内の薬液が循環路を循環する。薬液が循環路を循環している間に、薬液に含まれる異物がフィルター３５によって除去され、薬液がヒータ３３によって加熱される。これにより、薬液タンク３１内の薬液は、室温よりも高い一定の温度に維持される。 The upstream end and the downstream end of the circulation pipe 32 are connected to the chemical liquid tank 31. The chemical solution is sent from the chemical solution tank 31 to the upstream end of the circulation pipe 32, and returns to the chemical solution tank 31 from the downstream end of the circulation pipe 32. As a result, the chemical solution in the chemical solution tank 31 circulates in the circulation path. While the chemical solution circulates in the circulation path, the foreign matter contained in the chemical solution is removed by the filter 35, and the chemical solution is heated by the heater 33. As a result, the chemical solution in the chemical solution tank 31 is maintained at a constant temperature higher than room temperature.

同じ塔に含まれる３つの処理ユニット２にそれぞれ対応する３つの薬液配管２２は、同じ循環配管３２に接続されている。したがって、同じ塔に含まれる３つの処理ユニット２には、同じ薬液タンク３１内の薬液が供給される。流量計２３、流量調整バルブ２４、開閉バルブ２５、および温度センサー２６は、それぞれの薬液配管２２に介装されている。
薬液配管２２を介して薬液ノズル２１に供給される薬液の流量は、流量調整バルブ２４によって変更される。薬液ノズル２１に対する薬液の供給および供給停止の切替は、開閉バルブ２５によって行われる。開閉バルブ２５が開かれると、流量調整バルブ２４の開度に対応する流量で薬液が薬液ノズル２１に供給される。薬液配管２２を介して薬液ノズル２１に供給される薬液の流量は、流量計２３によって検出される。薬液配管２２内の薬液の温度は、温度センサー２６によって検出される。流量計２３および温度センサー２６の検出値は、制御装置３に入力される。 The three chemical liquid pipes 22 corresponding to the three processing units 2 included in the same tower are connected to the same circulation pipe 32. Therefore, the chemicals in the same chemical tank 31 are supplied to the three processing units 2 included in the same tower. The flow meter 23, the flow rate adjusting valve 24, the on-off valve 25, and the temperature sensor 26 are interposed in the respective chemical liquid pipes 22.
The flow rate of the chemical solution supplied to the chemical solution nozzle 21 via the chemical solution pipe 22 is changed by the flow rate adjusting valve 24. The opening / closing valve 25 switches between supplying and stopping the supply of the chemical solution to the chemical solution nozzle 21. When the on-off valve 25 is opened, the chemical solution is supplied to the chemical solution nozzle 21 at a flow rate corresponding to the opening degree of the flow rate adjusting valve 24. The flow rate of the chemical solution supplied to the chemical solution nozzle 21 via the chemical solution pipe 22 is detected by the flow meter 23. The temperature of the chemical solution in the chemical solution pipe 22 is detected by the temperature sensor 26. The detected values of the flow meter 23 and the temperature sensor 26 are input to the control device 3.

図４は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
制御装置３は、コンピュータ本体４１と、コンピュータ本体４１に接続された周辺装置４４とを含む。コンピュータ本体４１は、各種の命令を実行するＣＰＵ４２（central processing unit：中央処理装置）と、情報を記憶する主記憶装置４３とを含む。周辺装置４４は、プログラムＰ等の情報を記憶する補助記憶装置４５と、リムーバブルメディアＭから情報を読み取る読取装置４６と、ホストコンピュータＨＣ等の他の装置と通信する通信装置４７とを含む。 FIG. 4 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing device 1.
The control device 3 includes a computer main body 41 and a peripheral device 44 connected to the computer main body 41. The computer main body 41 includes a CPU 42 (central processing unit) that executes various instructions and a main storage device 43 that stores information. The peripheral device 44 includes an auxiliary storage device 45 that stores information such as the program P, a reading device 46 that reads information from the removable media M, and a communication device 47 that communicates with other devices such as the host computer HC.

制御装置３は、入力装置４８および表示装置４９に接続されている。入力装置４８は、ユーザーやメンテナンス担当者などの操作者が基板処理装置１に情報を入力するときに操作される。情報は、表示装置４９の画面に表示される。入力装置４８は、キーボード、ポインティングデバイス、およびタッチパネルのいずれかであってもよいし、これら以外の装置であってもよい。入力装置４８および表示装置４９を兼ねるタッチパネルディスプレイが基板処理装置１に設けられていてもよい。 The control device 3 is connected to the input device 48 and the display device 49. The input device 48 is operated when an operator such as a user or a maintenance person inputs information to the board processing device 1. The information is displayed on the screen of the display device 49. The input device 48 may be any of a keyboard, a pointing device, and a touch panel, or may be a device other than these. The substrate processing device 1 may be provided with a touch panel display that also serves as an input device 48 and a display device 49.

ＣＰＵ４２は、補助記憶装置４５に記憶されたプログラムＰを実行する。補助記憶装置４５内のプログラムＰは、制御装置３に予めインストールされたものであってもよいし、読取装置４６を通じてリムーバブルメディアＭから補助記憶装置４５に送られたものであってもよいし、ホストコンピュータＨＣなどの外部装置から通信装置４７を通じて補助記憶装置４５に送られたものであってもよい。 The CPU 42 executes the program P stored in the auxiliary storage device 45. The program P in the auxiliary storage device 45 may be pre-installed in the control device 3, or may be sent from the removable media M to the auxiliary storage device 45 through the reading device 46. It may be sent from an external device such as a host computer HC to the auxiliary storage device 45 through the communication device 47.

補助記憶装置４５およびリムーバブルメディアＭは、電力が供給されていなくても記憶を保持する不揮発性メモリーである。補助記憶装置４５は、たとえば、ハードディスクドライブ等の磁気記憶装置である。リムーバブルメディアＭは、たとえば、コンパクトディスクなどの光ディスクまたはメモリーカードなどの半導体メモリーである。リムーバブルメディアＭは、プログラムＰが記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体の一例である。 The auxiliary storage device 45 and the removable media M are non-volatile memories that retain storage even when power is not supplied. The auxiliary storage device 45 is, for example, a magnetic storage device such as a hard disk drive. The removable media M is, for example, an optical disk such as a compact disk or a semiconductor memory such as a memory card. The removable medium M is an example of a computer-readable recording medium on which the program P is recorded.

補助記憶装置４５は、複数のレシピを記憶している。レシピは、基板Ｗの処理内容、処理条件、および処理手順を規定する情報である。後述する設定温度は、レシピに含まれている。複数のレシピは、基板Ｗの処理内容、処理条件、および処理手順の少なくとも一つにおいて互いに異なる。制御装置３は、ホストコンピュータＨＣによって指定されたレシピにしたがって基板Ｗが処理されるように基板処理装置１を制御する。以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置３は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。 The auxiliary storage device 45 stores a plurality of recipes. The recipe is information that defines the processing content, processing conditions, and processing procedure of the substrate W. The set temperature described later is included in the recipe. The plurality of recipes differ from each other in at least one of the processing contents, processing conditions, and processing procedures of the substrate W. The control device 3 controls the board processing device 1 so that the board W is processed according to the recipe specified by the host computer HC. Each of the following steps is executed by the control device 3 controlling the substrate processing device 1. In other words, the control device 3 is programmed to perform each of the following steps.

図５は、基板処理装置１によって実行される基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。
基板Ｗの処理の具体例は、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜とが露出した基板Ｗ（シリコンウエハ）の表面（デバイス形成面）にリン酸を供給して、シリコン窒化膜を選択的にエッチングする選択エッチングである。この場合、薬液の一例であるリン酸（厳密には、リン酸水溶液）は、ヒータ３３（図３参照）によってその濃度における沸点に維持される。基板Ｗの処理は、リン酸以外のエッチング液を用いた選択エッチングであってもよいし、洗浄などの選択エッチング以外の処理であってもよい。 FIG. 5 is a process diagram for explaining an example of processing of the substrate W executed by the substrate processing apparatus 1.
A specific example of the treatment of the substrate W is to supply phosphoric acid to the surface (device forming surface) of the substrate W (silicon wafer) where the silicon nitride film and the silicon oxide film are exposed to selectively etch the silicon nitride film. Selective etching. In this case, phosphoric acid (strictly speaking, an aqueous phosphoric acid solution), which is an example of the chemical solution, is maintained at the boiling point at its concentration by the heater 33 (see FIG. 3). The treatment of the substrate W may be selective etching using an etching solution other than phosphoric acid, or may be a treatment other than selective etching such as cleaning.

基板処理装置１によって基板Ｗが処理されるときには、チャンバー６内に基板Ｗを搬入する搬入工程が行われる（図５のステップＳ１）。
具体的には、薬液ノズル２１が基板Ｗの上方から退避しており、カップ１４が下位置に位置している状態で、センターロボットＣＲ（図１参照）が、基板Ｗをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー６内に進入させる。その後、センターロボットＣＲは、基板Ｗの表面が上に向けられた状態でハンド上の基板Ｗをスピンチャック１０の上に置く。スピンモータ１３は、基板Ｗがチャックピン１１によって把持された後、基板Ｗの回転を開始させる。センターロボットＣＲは、基板Ｗがスピンチャック１０の上に置かれた後、ハンドをチャンバー６の内部から退避させる。 When the substrate W is processed by the substrate processing apparatus 1, a carry-in step of carrying the substrate W into the chamber 6 is performed (step S1 in FIG. 5).
Specifically, the center robot CR (see FIG. 1) supports the substrate W by hand while the chemical solution nozzle 21 is retracted from above the substrate W and the cup 14 is located at the lower position. , Let the hand enter the chamber 6. After that, the center robot CR places the substrate W on the hand on the spin chuck 10 with the surface of the substrate W facing up. The spin motor 13 starts the rotation of the substrate W after the substrate W is gripped by the chuck pin 11. The center robot CR retracts the hand from the inside of the chamber 6 after the substrate W is placed on the spin chuck 10.

次に、薬液の一例であるリン酸を基板Ｗに供給する薬液供給工程が行われる（図５のステップＳ２）。
具体的には、ノズル移動ユニット２７が、薬液ノズル２１を処理位置に移動させ、ガード昇降ユニットが、カップ１４を上位置まで上昇させる。その後、開閉バルブ２５が開かれ、薬液ノズル２１がリン酸の吐出を開始する。薬液ノズル２１がリン酸を吐出しているとき、ノズル移動ユニット２７は、薬液ノズル２１から吐出されたリン酸が基板Ｗの上面中央部に着液する中央処理位置と、薬液ノズル２１から吐出されたリン酸が基板Ｗの上面外周部に着液する外周処理位置と、の間で薬液ノズル２１を移動させてもよいし、リン酸の着液位置が基板Ｗの上面中央部に位置するように薬液ノズル２１を静止させてもよい。 Next, a chemical solution supply step of supplying phosphoric acid, which is an example of the chemical solution, to the substrate W is performed (step S2 in FIG. 5).
Specifically, the nozzle moving unit 27 moves the chemical solution nozzle 21 to the processing position, and the guard elevating unit raises the cup 14 to the upper position. After that, the on-off valve 25 is opened, and the chemical solution nozzle 21 starts discharging phosphoric acid. When the chemical solution nozzle 21 discharges phosphoric acid, the nozzle moving unit 27 has a central processing position where the phosphoric acid discharged from the chemical solution nozzle 21 lands on the center of the upper surface of the substrate W and is discharged from the chemical solution nozzle 21. The chemical solution nozzle 21 may be moved between the outer peripheral treatment position where the phosphoric acid is deposited on the outer peripheral portion of the upper surface of the substrate W, or the phosphoric acid liquid deposition position is located at the center of the upper surface of the substrate W. The chemical solution nozzle 21 may be stationary.

薬液ノズル２１から吐出されたリン酸は、基板Ｗの上面に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗの上面全域を覆うリン酸の液膜が形成され、基板Ｗの上面全域にリン酸が供給される。特に、ノズル移動ユニット２７が薬液ノズル２１を中央処理位置と外周処理位置との間で移動させる場合は、基板Ｗの上面全域がリン酸の着液位置で走査されるので、リン酸が基板Ｗの上面全域に均一に供給される。これにより、基板Ｗの上面が均一に処理される。開閉バルブ２５が開かれてから所定時間が経過すると、開閉バルブ２５が閉じられる。その後、ノズル移動ユニット２７が薬液ノズル２１を退避位置に移動させる。 The phosphoric acid discharged from the chemical solution nozzle 21 has landed on the upper surface of the substrate W and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. As a result, a liquid film of phosphoric acid covering the entire upper surface of the substrate W is formed, and phosphoric acid is supplied to the entire upper surface of the substrate W. In particular, when the nozzle moving unit 27 moves the chemical solution nozzle 21 between the central processing position and the outer peripheral processing position, the entire upper surface of the substrate W is scanned at the phosphoric acid landing position, so that phosphoric acid is scanned in the substrate W. It is evenly supplied over the entire upper surface of the. As a result, the upper surface of the substrate W is uniformly processed. When a predetermined time elapses after the on-off valve 25 is opened, the on-off valve 25 is closed. After that, the nozzle moving unit 27 moves the chemical solution nozzle 21 to the retracted position.

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗの上面に供給するリンス液供給工程が行われる（図５のステップＳ３）。
具体的には、リンス液バルブ１８が開かれ、リンス液ノズル１６が純水の吐出を開始する。基板Ｗの上面に着液した純水は、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗ上のリン酸は、リンス液ノズル１６から吐出された純水によって洗い流される。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。リンス液バルブ１８が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ１８が閉じられ、純水の吐出が停止される。 Next, a rinse liquid supply step of supplying pure water, which is an example of the rinse liquid, to the upper surface of the substrate W is performed (step S3 in FIG. 5).
Specifically, the rinse liquid valve 18 is opened, and the rinse liquid nozzle 16 starts discharging pure water. The pure water that has landed on the upper surface of the substrate W flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. The phosphoric acid on the substrate W is washed away by the pure water discharged from the rinse liquid nozzle 16. As a result, a liquid film of pure water covering the entire upper surface of the substrate W is formed. When a predetermined time elapses after the rinse liquid valve 18 is opened, the rinse liquid valve 18 is closed and the discharge of pure water is stopped.

次に、基板Ｗの回転によって基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が行われる（図５のステップＳ４）。
具体的には、スピンモータ１３が基板Ｗを回転方向に加速させ、薬液供給工程およびリンス液供給工程での基板Ｗの回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、液体が基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ１３が回転を停止する。これにより、基板Ｗの回転が停止される。 Next, a drying step of drying the substrate W by rotating the substrate W is performed (step S4 in FIG. 5).
Specifically, the spin motor 13 accelerates the substrate W in the rotational direction, and rotates the substrate W at a high rotation speed (for example, several thousand rpm) that is larger than the rotation speed of the substrate W in the chemical solution supply step and the rinse solution supply step. Let me. As a result, the liquid is removed from the substrate W and the substrate W dries. When a predetermined time elapses from the start of high-speed rotation of the substrate W, the spin motor 13 stops rotating. As a result, the rotation of the substrate W is stopped.

次に、基板Ｗをチャンバー６から搬出する搬出工程が行われる（図５のステップＳ５）。
具体的には、ガード昇降ユニットが、カップ１４を下位置まで下降させる。その後、センターロボットＣＲ（図１参照）が、ハンドをチャンバー６内に進入させる。センターロボットＣＲは、複数のチャックピン１１が基板Ｗの把持を解除した後、スピンチャック１０上の基板Ｗをハンドで支持する。その後、センターロボットＣＲは、基板Ｗをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー６の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー６から搬出される。 Next, a unloading step of unloading the substrate W from the chamber 6 is performed (step S5 in FIG. 5).
Specifically, the guard elevating unit lowers the cup 14 to the lower position. After that, the center robot CR (see FIG. 1) causes the hand to enter the chamber 6. The center robot CR supports the substrate W on the spin chuck 10 by hand after the plurality of chuck pins 11 release the grip of the substrate W. After that, the center robot CR retracts the hand from the inside of the chamber 6 while supporting the substrate W with the hand. As a result, the processed substrate W is carried out of the chamber 6.

図６は、制御装置３の機能ブロックを示すブロック図である。図７は、制御装置３に記憶された開度決定データの一例を示す図である。図６に示す情報取得部５１、加熱実行部５２、開度決定部５３、開度設定部５４、および処理液供給部５５は、制御装置３にインストールされたプログラムＰをＣＰＵ４２が実行することにより実現される機能ブロックである。 FIG. 6 is a block diagram showing a functional block of the control device 3. FIG. 7 is a diagram showing an example of opening degree determination data stored in the control device 3. In the information acquisition unit 51, the heating execution unit 52, the opening degree determination unit 53, the opening degree setting unit 54, and the processing liquid supply unit 55 shown in FIG. 6, the CPU 42 executes the program P installed in the control device 3. It is a functional block to be realized.

制御装置３は、基板処理装置１に入力された情報を取得する情報取得部５１を含む。情報取得部５１に取得される情報は、ホストコンピュータＨＣなどの外部装置から基板処理装置１に入力されたものであってもよいし、操作者が入力装置４８を介して基板処理装置１に入力したものであってもよい。後述する加熱温度および設定温度は、情報取得部５１に取得される情報に含まれる。 The control device 3 includes an information acquisition unit 51 that acquires information input to the substrate processing device 1. The information acquired by the information acquisition unit 51 may be input to the board processing device 1 from an external device such as the host computer HC, or may be input to the board processing device 1 by the operator via the input device 48. It may be the one that has been used. The heating temperature and the set temperature, which will be described later, are included in the information acquired by the information acquisition unit 51.

制御装置３は、ヒータ３３に加熱温度で薬液を加熱させる加熱実行部５２を含む。加熱温度は、ヒータ３３によって加熱された薬液の温度の目標値である。加熱温度は、たとえば、ホストコンピュータＨＣがレシピを指定する前に基板処理装置１に入力される。加熱実行部５２は、たとえば、処理すべき基板Ｗを収容したキャリアＣが基板処理装置１に搬送される前からヒータ３３に加熱温度で薬液を加熱させている。したがって、キャリアＣが基板処理装置１に搬送されると、直ぐに基板Ｗの搬送および処理を開始できる。 The control device 3 includes a heating execution unit 52 that causes the heater 33 to heat the chemical solution at the heating temperature. The heating temperature is a target value of the temperature of the chemical solution heated by the heater 33. The heating temperature is input to the substrate processing apparatus 1 before the host computer HC specifies the recipe, for example. For example, the heating execution unit 52 causes the heater 33 to heat the chemical solution at a heating temperature even before the carrier C containing the substrate W to be processed is conveyed to the substrate processing apparatus 1. Therefore, as soon as the carrier C is conveyed to the substrate processing apparatus 1, the transfer and processing of the substrate W can be started.

制御装置３は、複数組の開度決定部５３および開度設定部５４と、処理液供給部５５とを含む。制御装置３は、複数の開度決定データを補助記憶装置４５に記憶している。複数の開度決定データは、それぞれ、複数の処理ユニット２に対応している。同様に、複数組の開度決定部５３および開度設定部５４は、それぞれ、複数の処理ユニット２に対応している。つまり、専用の開度決定データ、開度決定部５３、および開度設定部５４が処理ユニット２ごとに設けられている。 The control device 3 includes a plurality of sets of an opening degree determining unit 53, an opening degree setting unit 54, and a processing liquid supply unit 55. The control device 3 stores a plurality of opening degree determination data in the auxiliary storage device 45. Each of the plurality of opening degree determination data corresponds to a plurality of processing units 2. Similarly, the plurality of sets of the opening degree determining unit 53 and the opening degree setting unit 54 correspond to a plurality of processing units 2, respectively. That is, dedicated opening degree determination data, opening degree determination unit 53, and opening degree setting unit 54 are provided for each processing unit 2.

開度決定データは、加熱温度、吐出温度、および供給流量の関係を規定するデータである。加熱温度は、ヒータ３３によって加熱された薬液の温度の目標値である。吐出温度は、薬液ノズル２１から吐出されたときの薬液の実際の温度である。供給流量は、加熱温度で薬液配管２２に供給された薬液が吐出温度で薬液ノズル２１から吐出されたときに薬液配管２２に供給された薬液の実際の流量である。流量調整バルブ２４の開度は、薬液配管２２に供給される薬液の流量と正比例の関係にある。したがって、開度決定データは、加熱温度、吐出温度、および開度の関係を規定するデータであるともいえる。 The opening degree determination data is data that defines the relationship between the heating temperature, the discharge temperature, and the supply flow rate. The heating temperature is a target value of the temperature of the chemical solution heated by the heater 33. The discharge temperature is the actual temperature of the chemical solution when it is discharged from the chemical solution nozzle 21. The supply flow rate is the actual flow rate of the chemical solution supplied to the chemical solution pipe 22 when the chemical solution supplied to the chemical solution pipe 22 at the heating temperature is discharged from the chemical solution nozzle 21 at the discharge temperature. The opening degree of the flow rate adjusting valve 24 is in direct proportion to the flow rate of the chemical solution supplied to the chemical solution pipe 22. Therefore, it can be said that the opening degree determination data is data that defines the relationship between the heating temperature, the discharge temperature, and the opening degree.

薬液ノズル２１から吐出されたときの薬液の温度の目標値である設定温度は、情報取得部５１に取得される。流量調整バルブ２４の開度の目標値、つまり、薬液配管２２に供給される薬液の流量の目標値は、開度決定データと加熱温度と設定温度とに基づいて決定される。流量調整バルブ２４の開度の目標値を目標開度と定義する。開度決定データは、加熱温度、吐出温度、および目標開度の複数の組み合わせを規定するマトリックスであってもよいし、加熱温度および吐出温度から目標開度を計算する計算式であってもよい。 The set temperature, which is the target value of the temperature of the chemical solution when it is discharged from the chemical solution nozzle 21, is acquired by the information acquisition unit 51. The target value of the opening degree of the flow rate adjusting valve 24, that is, the target value of the flow rate of the chemical liquid supplied to the chemical liquid pipe 22, is determined based on the opening degree determination data, the heating temperature, and the set temperature. The target value of the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 is defined as the target opening degree. The opening degree determination data may be a matrix that defines a plurality of combinations of the heating temperature, the discharge temperature, and the target opening degree, or may be a calculation formula that calculates the target opening degree from the heating temperature and the discharge temperature. ..

図７は、開度決定データがマトリックスである例を示している。図７において、Ｔｈｘは、加熱温度を示しており、Ｔｄｙは、吐出温度を示しており、θｘｙは、目標開度を示している（ｘおよびｙは、正の整数を表す）。左端の列には複数の加熱温度が含まれる。上端の列には複数の吐出温度が含まれる。加熱温度および吐出温度が一つずつ特定されると、これらに対応する１つの目標開度が特定される。情報取得部５１が取得した加熱温度が左端の列に含まれていない場合、最も近い値を左端の列から選択すればよい。同様に、情報取得部５１が取得した吐出温度が上端の列に含まれていない場合、最も近い値を上端の列から選択すればよい。 FIG. 7 shows an example in which the opening degree determination data is a matrix. In FIG. 7, Thx indicates the heating temperature, Tdy indicates the discharge temperature, and θxy indicates the target opening degree (x and y represent positive integers). The leftmost column contains multiple heating temperatures. The top row contains multiple discharge temperatures. When the heating temperature and the discharge temperature are specified one by one, one target opening degree corresponding to these is specified. When the heating temperature acquired by the information acquisition unit 51 is not included in the leftmost column, the closest value may be selected from the leftmost column. Similarly, when the discharge temperature acquired by the information acquisition unit 51 is not included in the upper end column, the closest value may be selected from the upper end column.

開度決定部５３は、開度決定データと情報取得部５１が取得した加熱温度および設定温度とに基づいて、吐出温度が設定温度に一致するまたは近づく目標流量に対応する目標開度を決定する。目標流量は、薬液配管２２に供給される薬液の流量の目標値である。開度設定部５４は、流量調整バルブ２４の開度を目標開度に設定する。処理液供給部５５は、開閉バルブ２５を開閉することにより、この状態で薬液ノズル２１に薬液を供給する。流量調整バルブ２４の具体的な動作については後述する。 The opening degree determination unit 53 determines the target opening degree corresponding to the target flow rate at which the discharge temperature matches or approaches the set temperature based on the opening degree determination data and the heating temperature and the set temperature acquired by the information acquisition unit 51. .. The target flow rate is a target value of the flow rate of the chemical solution supplied to the chemical solution pipe 22. The opening degree setting unit 54 sets the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 to the target opening degree. The processing liquid supply unit 55 supplies the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 21 in this state by opening and closing the opening / closing valve 25. The specific operation of the flow rate adjusting valve 24 will be described later.

図８は、薬液の加熱を開始してから加熱された薬液を基板Ｗに供給するまでの流れの一例を示す工程図である。
基板Ｗに供給されるべき薬液の加熱を開始するときは、ヒータ３３によって加熱された薬液の温度の目標値を表す加熱温度が制御装置３の情報取得部５１に取得される（図８のステップＳ１１）。その後、制御装置３の加熱実行部５２がヒータ３３に加熱温度で薬液を加熱させる（図８のステップＳ１２）。これにより、薬液の加熱が開始され、薬液タンク３１内の薬液の温度が上昇する。薬液の加熱が開始されてからある程度の時間が経つと、薬液タンク３１内の薬液が加熱温度またはこれとほぼ同じ温度で安定する。 FIG. 8 is a process diagram showing an example of a flow from the start of heating the chemical solution to the supply of the heated chemical solution to the substrate W.
When the heating of the chemical solution to be supplied to the substrate W is started, the heating temperature representing the target value of the temperature of the chemical solution heated by the heater 33 is acquired by the information acquisition unit 51 of the control device 3 (step of FIG. 8). S11). After that, the heating execution unit 52 of the control device 3 causes the heater 33 to heat the chemical solution at the heating temperature (step S12 in FIG. 8). As a result, heating of the chemical solution is started, and the temperature of the chemical solution in the chemical solution tank 31 rises. After a certain period of time has passed since the heating of the chemical solution was started, the chemical solution in the chemical solution tank 31 stabilizes at the heating temperature or a temperature substantially the same as the heating temperature.

基板処理装置１で処理すべき基板Ｗは、キャリアＣに収容された状態でロードポートＬＰに搬送される（図８のステップＳ１３）。キャリアＣがロードポートＬＰに搬送されると、キャリアＣ内の基板Ｗに適用すべきレシピを指定する信号がホストコンピュータＨＣから制御装置３に入力される（図８のステップＳ１４）。これにより、薬液ノズル２１から吐出されたときの薬液の温度の目標値であり加熱温度よりも低い設定温度が制御装置３の情報取得部５１に取得される（図８のステップＳ１５）。 The substrate W to be processed by the substrate processing apparatus 1 is conveyed to the load port LP in a state of being accommodated in the carrier C (step S13 in FIG. 8). When the carrier C is conveyed to the load port LP, a signal specifying a recipe to be applied to the substrate W in the carrier C is input from the host computer HC to the control device 3 (step S14 in FIG. 8). As a result, the information acquisition unit 51 of the control device 3 acquires a set temperature that is a target value of the temperature of the chemical solution when it is discharged from the chemical solution nozzle 21 and is lower than the heating temperature (step S15 in FIG. 8).

制御装置３の開度決定部５３は、制御装置３に記憶された開度決定データと情報取得部５１が取得した加熱温度および設定温度とに基づいて、吐出温度が設定温度に一致するまたは近づく目標流量に対応する目標開度を決定する（図８のステップＳ１６）。その後、開度設定部５４は、流量調整バルブ２４の開度を目標開度に設定する（図８のステップＳ１７）。処理液供給部５５は、この状態で薬液配管２２を介して薬液ノズル２１に薬液を供給する（図８のステップＳ１８）。薬液ノズル２１への薬液の供給は、流量調整バルブ２４の開度が目標開度に設定された後に開始されてもよいし、その前に開始されてもよい。図９および図１０は、後者を示している。 The opening degree determination unit 53 of the control device 3 has a discharge temperature that matches or approaches the set temperature based on the opening degree determination data stored in the control device 3 and the heating temperature and the set temperature acquired by the information acquisition unit 51. The target opening degree corresponding to the target flow rate is determined (step S16 in FIG. 8). After that, the opening degree setting unit 54 sets the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 to the target opening degree (step S17 in FIG. 8). In this state, the treatment liquid supply unit 55 supplies the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 21 via the chemical liquid pipe 22 (step S18 in FIG. 8). The supply of the chemical solution to the chemical solution nozzle 21 may be started after the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 is set to the target opening degree, or may be started before that. 9 and 10 show the latter.

図９は、薬液ノズル２１に供給される薬液の流量および温度の時間的変化の一例を示すグラフである。図１０は、薬液ノズル２１に供給される薬液の流量および温度の時間的変化の他の例を示すグラフである。
薬液ノズル２１からの薬液の吐出を開始するとき、制御装置３は、レシピで指定されている指定流量に対応する開度まで流量調整バルブ２４の開度を増加させる。指定流量に対応する流量調整バルブ２４の開度は、目標開度よりも大きい初期開度の一例である。流量調整バルブ２４の開度が指定流量に対応する大きさに設定された後、制御装置３は、開閉バルブ２５を開き、薬液ノズル２１に薬液の吐出を開始させる。 FIG. 9 is a graph showing an example of temporal changes in the flow rate and temperature of the chemical solution supplied to the chemical solution nozzle 21. FIG. 10 is a graph showing another example of temporal changes in the flow rate and temperature of the chemical solution supplied to the chemical solution nozzle 21.
When starting the discharge of the chemical solution from the chemical solution nozzle 21, the control device 3 increases the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 to the opening degree corresponding to the designated flow rate specified in the recipe. The opening degree of the flow rate adjusting valve 24 corresponding to the designated flow rate is an example of an initial opening degree larger than the target opening degree. After the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 is set to a size corresponding to the designated flow rate, the control device 3 opens the open / close valve 25 and causes the chemical solution nozzle 21 to start discharging the chemical solution.

薬液の吐出が開始された後は、レシピで指定されている指定流量で薬液が薬液ノズル２１から吐出されるように、流量計２３の検出値に基づいて流量調整バルブ２４の開度を変更する流量フィードバック制御を行う。具体的には、制御装置３は、流量計２３の検出値に基づいて流量調整バルブ２４の開度を増加および減少させる
図９に示すように、薬液ノズル２１から吐出される薬液の流量、つまり、吐出流量は、開閉バルブ２５が開かれてから急激に増加し、指定流量付近に達する。その後は、流量フィードバック制御によって吐出流量が指定流量またはこの付近で安定する。その一方で、薬液ノズル２１から吐出されたときの薬液の温度、つまり、吐出温度は、流量の増加から少し遅れて急激に増加し始める。 After the discharge of the chemical solution is started, the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 is changed based on the detected value of the flow meter 23 so that the chemical solution is discharged from the chemical solution nozzle 21 at the specified flow rate specified in the recipe. Flow rate feedback control is performed. Specifically, the control device 3 increases and decreases the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 based on the detected value of the flow meter 23. As shown in FIG. 9, the flow rate of the chemical solution discharged from the chemical solution nozzle 21, that is, , The discharge flow rate sharply increases after the on-off valve 25 is opened and reaches the vicinity of the designated flow rate. After that, the flow rate feedback control stabilizes the discharge flow rate at or near the specified flow rate. On the other hand, the temperature of the chemical solution when it is discharged from the chemical solution nozzle 21, that is, the discharge temperature, starts to increase sharply with a slight delay from the increase in the flow rate.

制御装置３は、温度センサー２６の検出値に基づいて計算される検出温度を監視している。検出温度が切替温度に達すると、制御装置３は、設定温度を含む設定温度範囲内に検出温度が収まるように、温度センサー２６の検出値に基づいて流量調整バルブ２４の開度を変更する温度フィードバック制御を行う。設定温度は、たとえば、設定温度範囲の中央値である。設定温度範囲内の値であれば、設定温度は設定温度範囲の中央値でなくてもよい。 The control device 3 monitors the detected temperature calculated based on the detected value of the temperature sensor 26. When the detected temperature reaches the switching temperature, the control device 3 changes the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 based on the detected value of the temperature sensor 26 so that the detected temperature falls within the set temperature range including the set temperature. Perform feedback control. The set temperature is, for example, the median of the set temperature range. As long as the value is within the set temperature range, the set temperature does not have to be the median value of the set temperature range.

温度フィードバック制御が開始されると、制御装置３は、薬液ノズル２１に供給される薬液の流量の目標値を表す設定流量を指定流量から目標流量に減少させる。具体的には、制御装置３は、開度決定データと加熱温度と設定温度とに基づいて、吐出温度が設定温度に一致するまたは近づく目標流量に対応する目標開度を事前に決定する。温度フィードバック制御が開始されると、制御装置３は、流量調整バルブ２４の開度を減少させて目標開度に近づける。その後、制御装置３は、温度センサー２６の検出値に基づいて流量調整バルブ２４の開度を増減させる。 When the temperature feedback control is started, the control device 3 reduces the set flow rate representing the target value of the flow rate of the chemical solution supplied to the chemical solution nozzle 21 from the designated flow rate to the target flow rate. Specifically, the control device 3 determines in advance a target opening degree corresponding to a target flow rate at which the discharge temperature matches or approaches the set temperature, based on the opening degree determination data, the heating temperature, and the set temperature. When the temperature feedback control is started, the control device 3 reduces the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 to approach the target opening degree. After that, the control device 3 increases or decreases the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 based on the detected value of the temperature sensor 26.

図９は、検出温度が切替温度に達すると吐出流量を急激に減少させ、その後、吐出流量を増加および減少させる例を示している。検出温度は、温度フィードバック制御が開始された後、設定温度範囲内に収まる。温度フィードバック制御の実行中において、検出温度は、設定温度範囲内で増加および減少しているものの、その変動量は時間の経過に伴って減少している。温度フィードバック制御が開始されてからある程度の時間が経過すると、検出温度は、設定温度範囲の中央値またはこの付近で安定する。これにより、設定温度に等しいまたは概ね等しい温度の薬液が薬液ノズル２１から吐出される。 FIG. 9 shows an example in which the discharge flow rate is rapidly decreased when the detection temperature reaches the switching temperature, and then the discharge flow rate is increased and decreased. The detected temperature falls within the set temperature range after the temperature feedback control is started. During the execution of the temperature feedback control, the detected temperature increases and decreases within the set temperature range, but the fluctuation amount decreases with the passage of time. After a certain amount of time has passed since the temperature feedback control was started, the detected temperature stabilizes at or near the median of the set temperature range. As a result, the chemical solution having a temperature equal to or substantially equal to the set temperature is discharged from the chemical solution nozzle 21.

図９に示す例では、温度フィードバック制御を実行する場合について説明したが、図１０に示すように、制御装置３は温度フィードバック制御を実行しなくてもよい。図１０に示す例では、図９に示す例と同様に、最初は設定流量が指定流量に設定され、流量調整バルブ２４の開度が指定流量に対応する値に設定される。その後、制御装置３は、流量調整バルブ２４の開度を目標開度に変更する。流量調整バルブ２４の開度を目標開度に変更するタイミングは、検出温度が切替温度に達したときであってもよいし、開閉バルブ２５を開いてから所定時間が経過したときであってもよい。後者の場合、タイマーが制御装置３に備えられている。この場合、温度センサー２６は必要でない。 In the example shown in FIG. 9, the case of executing the temperature feedback control has been described, but as shown in FIG. 10, the control device 3 does not have to execute the temperature feedback control. In the example shown in FIG. 10, similarly to the example shown in FIG. 9, the set flow rate is initially set to the designated flow rate, and the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 is set to a value corresponding to the designated flow rate. After that, the control device 3 changes the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 to the target opening degree. The timing for changing the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 to the target opening degree may be when the detected temperature reaches the switching temperature or when a predetermined time has elapsed since the opening / closing valve 25 was opened. Good. In the latter case, a timer is provided in the control device 3. In this case, the temperature sensor 26 is not needed.

薬液タンク３１から薬液ノズル２１までの流路の長さが複数の薬液ノズル２１で異なる場合がある。この場合、基板Ｗに供給されるまでに失われる薬液の熱量は、流路ごとに異なる。開度決定データは薬液ノズル２１ごとに設けられており、流量調整バルブ２４の開度の設定は薬液ノズル２１ごとに行われる。つまり、吐出温度を設定温度に一致させるまたは近づける制御は、薬液ノズル２１ごとに実行される。これにより、複数の薬液ノズル２１における吐出温度のばらつきを軽減でき、別々の処理ユニット２で処理された複数枚の基板Ｗ間での処理品質の差を低減できる。 The length of the flow path from the chemical solution tank 31 to the chemical solution nozzle 21 may differ among the plurality of chemical solution nozzles 21. In this case, the amount of heat of the chemical solution lost before being supplied to the substrate W differs for each flow path. The opening degree determination data is provided for each chemical solution nozzle 21, and the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 is set for each chemical solution nozzle 21. That is, the control to match or bring the discharge temperature to or close to the set temperature is executed for each chemical solution nozzle 21. Thereby, the variation in the discharge temperature in the plurality of chemical solution nozzles 21 can be reduced, and the difference in the processing quality between the plurality of substrates W processed by the separate processing units 2 can be reduced.

以上のように第１実施形態では、ヒータ３３によって加熱温度で加熱された薬液が薬液配管２２を介して薬液ノズル２１に供給される。薬液ノズル２１から吐出されたときの薬液の温度を表す吐出温度は、薬液配管２２に供給される薬液の温度だけでなく、薬液配管２２に供給される薬液の流量に応じて変化する。つまり、薬液の供給流量が減少すると、吐出温度が低下し、薬液の供給流量が増加すると、吐出温度が上昇する。これは、熱損失量が薬液の供給流量にかかわらず概ね一定であるのに対して、薬液の熱容量は薬液の供給流量に応じて変化するからである。 As described above, in the first embodiment, the chemical solution heated at the heating temperature by the heater 33 is supplied to the chemical solution nozzle 21 via the chemical solution pipe 22. The discharge temperature, which represents the temperature of the chemical solution when it is discharged from the chemical solution nozzle 21, changes not only with the temperature of the chemical solution supplied to the chemical solution pipe 22, but also with the flow rate of the chemical solution supplied to the chemical solution pipe 22. That is, when the supply flow rate of the chemical solution decreases, the discharge temperature decreases, and when the supply flow rate of the chemical solution increases, the discharge temperature rises. This is because the amount of heat loss is generally constant regardless of the supply flow rate of the chemical solution, whereas the heat capacity of the chemical solution changes according to the supply flow rate of the chemical solution.

加熱温度が同じであったとしても、薬液の供給流量が異なると吐出温度も異なる。これらの関係を規定する開度決定データは、制御装置３に記憶されている。薬液の供給流量は、吐出温度が設定温度に一致するまたは近づくように開度決定データに基づいて設定される。つまり、薬液の供給流量を規定する流量調整バルブ２４の開度は、吐出温度が設定温度に一致するまたは近づく目標流量に対応する目標開度に設定される。この状態で加熱温度の薬液が薬液配管２２に供給される。これにより、設定温度またはこれとほぼ同じ温度の薬液が薬液ノズル２１から吐出される。 Even if the heating temperature is the same, the discharge temperature will be different if the supply flow rate of the chemical solution is different. The opening degree determination data that defines these relationships is stored in the control device 3. The supply flow rate of the chemical solution is set based on the opening degree determination data so that the discharge temperature matches or approaches the set temperature. That is, the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 that defines the supply flow rate of the chemical solution is set to the target opening degree corresponding to the target flow rate at which the discharge temperature matches or approaches the set temperature. In this state, the chemical solution at the heating temperature is supplied to the chemical solution pipe 22. As a result, a chemical solution having a set temperature or a temperature substantially equal to the set temperature is discharged from the chemical solution nozzle 21.

このように、ヒータ３３の温度を適切に管理するだけでなく、薬液配管２２および薬液ノズル２１に供給される薬液の流量、つまり、薬液の熱容量を加熱温度および設定温度に応じて適切に設定するので、薬液ノズル２１から吐出されたときの薬液の温度をより高い精度でコントロールすることができる。これにより、意図する温度と基板Ｗに供給された薬液の実際の温度との差を減少させることができる。さらに、流量調整バルブ２４の開度を変えれば、ヒータ３３の温度を変えずに、基板Ｗに供給される薬液の温度を変更することができる。したがって、ヒータ３３の温度を変える場合と比較して短時間で薬液の温度を変更することができる。 In this way, not only the temperature of the heater 33 is appropriately controlled, but also the flow rate of the chemical solution supplied to the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21, that is, the heat capacity of the chemical solution is appropriately set according to the heating temperature and the set temperature. Therefore, the temperature of the chemical solution when it is discharged from the chemical solution nozzle 21 can be controlled with higher accuracy. Thereby, the difference between the intended temperature and the actual temperature of the chemical solution supplied to the substrate W can be reduced. Further, by changing the opening degree of the flow rate adjusting valve 24, the temperature of the chemical solution supplied to the substrate W can be changed without changing the temperature of the heater 33. Therefore, the temperature of the chemical solution can be changed in a short time as compared with the case of changing the temperature of the heater 33.

第１実施形態では、共通配管の一例である循環配管３２内を流れる薬液が、複数の薬液配管２２に供給される。したがって、少なくとも成分が等しい薬液が、複数の薬液ノズル２１から吐出される。複数の薬液ノズル２１から吐出された薬液は、別々の基板Ｗに供給される。したがって、少なくとも成分が等しい薬液を別々の基板Ｗに供給でき、複数枚の基板Ｗ間における処理のばらつきを低減することができる。 In the first embodiment, the chemical liquid flowing in the circulation pipe 32, which is an example of the common pipe, is supplied to the plurality of chemical liquid pipes 22. Therefore, chemical solutions having at least the same components are discharged from the plurality of chemical solution nozzles 21. The chemicals discharged from the plurality of chemical nozzles 21 are supplied to separate substrates W. Therefore, chemical solutions having at least the same components can be supplied to different substrates W, and variations in processing among a plurality of substrates W can be reduced.

第１実施形態では、制御装置３の開度設定部５４が、流量調整バルブ２４の開度を目標開度よりも大きい初期開度に設定する。具体的には、制御装置３の開度設定部５４が、流量調整バルブ２４の開度をレシピで指定されている指定流量に対応する開度に設定する。この状態で制御装置３の処理液供給部５５が薬液配管２２を介して薬液ノズル２１に薬液を供給する。その後、制御装置３の開度設定部５４が流量調整バルブ２４の開度を初期開度から目標開度に減少させる。この状態で制御装置３の処理液供給部５５が薬液配管２２を介して薬液ノズル２１に薬液を供給する。 In the first embodiment, the opening degree setting unit 54 of the control device 3 sets the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 to an initial opening degree larger than the target opening degree. Specifically, the opening degree setting unit 54 of the control device 3 sets the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 to an opening degree corresponding to the designated flow rate specified in the recipe. In this state, the processing liquid supply unit 55 of the control device 3 supplies the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 21 via the chemical liquid pipe 22. After that, the opening degree setting unit 54 of the control device 3 reduces the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 from the initial opening degree to the target opening degree. In this state, the processing liquid supply unit 55 of the control device 3 supplies the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 21 via the chemical liquid pipe 22.

薬液配管２２および薬液ノズル２１への薬液の供給が開始された直後は、薬液配管２２および薬液ノズル２１が冷めているので、熱損失量が相対的に大きい。その一方で、薬液の供給が開始されてからある程度の時間が経つと、薬液配管２２および薬液ノズル２１が温まるので、熱損失量が減少する。したがって、同じ温度の薬液を同じ流量で薬液配管２２および薬液ノズル２１に供給し続けると、薬液ノズル２１から吐出されたときの薬液の温度が時間の経過に伴って変化する。 Immediately after the supply of the chemical solution to the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 is started, the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 are cooled, so that the amount of heat loss is relatively large. On the other hand, when a certain amount of time has passed since the supply of the chemical solution was started, the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 are warmed, so that the amount of heat loss is reduced. Therefore, if the chemical solution having the same temperature is continuously supplied to the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 at the same flow rate, the temperature of the chemical solution when discharged from the chemical solution nozzle 21 changes with the passage of time.

第１実施形態では、薬液配管２２および薬液ノズル２１に供給される薬液の流量を時間の経過に伴って減少させる。言い換えると、薬液の供給開始時は、相対的に大きな流量で薬液を薬液配管２２および薬液ノズル２１に供給する。そして、薬液配管２２および薬液ノズル２１が温まると、相対的に小さな流量で薬液を薬液配管２２および薬液ノズル２１に供給する。これにより、薬液ノズル２１から吐出されたときの薬液の温度の変動量を減少させることができる。 In the first embodiment, the flow rate of the chemical solution supplied to the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 is reduced with the passage of time. In other words, at the start of supply of the chemical solution, the chemical solution is supplied to the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 at a relatively large flow rate. Then, when the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 are warmed up, the chemical solution is supplied to the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 at a relatively small flow rate. As a result, it is possible to reduce the amount of fluctuation in the temperature of the chemical solution when it is discharged from the chemical solution nozzle 21.

第１実施形態では、基板Ｗに供給される前の薬液の温度が温度センサー２６によって検出される。温度センサー２６によって検出された薬液の温度が切替温度に達すると、つまり、薬液配管２２および薬液ノズル２１が温まったことが確認されると、制御装置３の開度設定部５４は、流量調整バルブ２４の開度を目標開度に減少させる。したがって、薬液配管２２および薬液ノズル２１が温まっているにもかかわらず、相対的に大きな流量で薬液が薬液配管２２および薬液ノズル２１に供給され続けることを防止できる。 In the first embodiment, the temperature of the chemical solution before being supplied to the substrate W is detected by the temperature sensor 26. When the temperature of the chemical solution detected by the temperature sensor 26 reaches the switching temperature, that is, when it is confirmed that the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 have warmed up, the opening degree setting unit 54 of the control device 3 sets the flow rate adjusting valve. The opening degree of 24 is reduced to the target opening degree. Therefore, it is possible to prevent the chemical solution from being continuously supplied to the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 at a relatively large flow rate even though the chemical solution pipe 22 and the chemical solution nozzle 21 are warm.

次に、本発明の第２実施形態について説明する。
第２実施形態が第１実施形態に対して主として異なる点は、同種の処理液を同じ基板Ｗに向けて吐出する複数のノズルが同じ処理ユニット２に設けられていることである。
以下の図１１〜図１６において、前述の図１〜図１０に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。 Next, the second embodiment of the present invention will be described.
The main difference between the second embodiment and the first embodiment is that the same processing unit 2 is provided with a plurality of nozzles that discharge the same type of processing liquid toward the same substrate W.
In the following FIGS. 11 to 16, the same reference numerals as those in FIGS. 1 and the like are added to the same configurations as those shown in FIGS. 1 to 10 described above, and the description thereof will be omitted.

図１１は、本発明の第２実施形態に係る第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２を水平に見た模式図である。図１２は、第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２の模式的な平面図である。図１３は、図１１に示す矢印ＸＩＩＩの方向に第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２を見た模式図である。図１１〜図１３は、第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２が処理位置に配置されている状態を示している。 FIG. 11 is a schematic view of the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62 according to the second embodiment of the present invention as viewed horizontally. FIG. 12 is a schematic plan view of the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62. FIG. 13 is a schematic view of the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62 viewed in the direction of arrow XIII shown in FIG. 11 to 13 show a state in which the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62 are arranged at the processing positions.

図１１に示すように、処理ユニット２は、基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する第１吐出口６１ａが設けられた第１薬液ノズル６１と、基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する複数の第２吐出口６２ａが設けられた第２薬液ノズル６２とを含む。第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２は、ノズルホルダー６０に保持されている。ノズル移動ユニットは、ノズルホルダー６０を移動させることにより、第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２を処理位置と退避位置との間で移動させる。 As shown in FIG. 11, the processing unit 2 discharges the chemical solution toward the upper surface of the substrate W and the first chemical solution nozzle 61 provided with the first discharge port 61a for discharging the chemical solution toward the upper surface of the substrate W. It includes a second chemical solution nozzle 62 provided with a plurality of second discharge ports 62a. The first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62 are held in the nozzle holder 60. The nozzle moving unit moves the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62 between the processing position and the retracted position by moving the nozzle holder 60.

第１薬液ノズル６１は、ノズルホルダー６０から離れる方向に水平に延びる水平部６１ｄと、水平部６１ｄから下方に延びる垂下部６１ｃと、垂下部６１ｃから下方に延びており、垂下部６１ｃよりも細い吐出部６１ｂとを含む。第２薬液ノズル６２は、ノズルホルダー６０から離れる方向に水平に延びる上水平部６２ｄと、上水平部６２ｄから下方に延びる垂下部６２ｃと、垂下部６２ｃからノズル回動軸線Ａ２の方に水平に延びる下水平部６２ｂとを含む。 The first chemical solution nozzle 61 has a horizontal portion 61d extending horizontally in a direction away from the nozzle holder 60, a hanging portion 61c extending downward from the horizontal portion 61d, and a hanging portion 61c extending downward from the hanging portion 61c, and is thinner than the hanging portion 61c. Includes a discharge unit 61b. The second chemical solution nozzle 62 has an upper horizontal portion 62d extending horizontally in the direction away from the nozzle holder 60, a hanging portion 62c extending downward from the upper horizontal portion 62d, and a hanging portion 62c extending horizontally toward the nozzle rotation axis A2. Includes an extending lower horizontal portion 62b.

第１薬液ノズル６１の水平部６１ｄと第２薬液ノズル６２の上水平部６２ｄとは、互いに平行であり、水平な長手方向Ｄ３に延びている。第１薬液ノズル６１は、第２薬液ノズル６２よりも長手方向Ｄ３に短い。図１２に示すように、第２薬液ノズル６２が処理位置に配置されているとき、第２薬液ノズル６２の垂下部６２ｃは、平面視で基板Ｗの中央部に重なり、第２薬液ノズル６２の下水平部６２ｂの外端部は、平面視で基板Ｗの外周部に重なる。 The horizontal portion 61d of the first chemical solution nozzle 61 and the upper horizontal portion 62d of the second chemical solution nozzle 62 are parallel to each other and extend in the horizontal longitudinal direction D3. The first chemical solution nozzle 61 is shorter in the longitudinal direction D3 than the second chemical solution nozzle 62. As shown in FIG. 12, when the second chemical solution nozzle 62 is arranged at the processing position, the hanging portion 62c of the second chemical solution nozzle 62 overlaps the central portion of the substrate W in a plan view, and the second chemical solution nozzle 62 The outer end portion of the lower horizontal portion 62b overlaps the outer peripheral portion of the substrate W in a plan view.

第２薬液ノズル６２の上水平部６２ｄは、第２薬液ノズル６２の下水平部６２ｂの上方に配置されており、平面視で下水平部６２ｂに重なる。図１１に示すように、下水平部６２ｂは、上水平部６２ｄから下方に延びるブラケット６３を介して上水平部６２ｄに支持されている。複数の第２吐出口６２ａは、第２薬液ノズル６２の下水平部６２ｂに設けられている。複数の第２吐出口６２ａは、長手方向Ｄ３に一致する下水平部６２ｂの軸方向に配列されている。第２薬液ノズル６２が処理位置に配置されているとき、最も内側の第２吐出口６２ａは、第１薬液ノズル６１の吐出部６１ｂに設けられた第１吐出口６１ａよりも内側、つまり、回転軸線Ａ１側に位置し、最も外側の第２吐出口６２ａは、第１吐出口６１ａよりも外側に位置する。 The upper horizontal portion 62d of the second chemical solution nozzle 62 is arranged above the lower horizontal portion 62b of the second chemical solution nozzle 62, and overlaps the lower horizontal portion 62b in a plan view. As shown in FIG. 11, the lower horizontal portion 62b is supported by the upper horizontal portion 62d via a bracket 63 extending downward from the upper horizontal portion 62d. The plurality of second discharge ports 62a are provided in the lower horizontal portion 62b of the second chemical solution nozzle 62. The plurality of second discharge ports 62a are arranged in the axial direction of the lower horizontal portion 62b corresponding to the longitudinal direction D3. When the second chemical solution nozzle 62 is arranged at the processing position, the innermost second discharge port 62a is inside the first discharge port 61a provided in the discharge portion 61b of the first chemical solution nozzle 61, that is, rotates. The second discharge port 62a, which is located on the axis A1 side and is the outermost, is located outside the first discharge port 61a.

第１薬液ノズル６１が処理位置に配置されているとき、第１薬液ノズル６１は、基板Ｗの上面中央部に向けて薬液を吐出する。第２薬液ノズル６２が処理位置に配置されているとき、第２薬液ノズル６２は、中央部を除く基板Ｗの上面上の複数の着液位置に向けて薬液を吐出する。複数の着液位置は、回転軸線Ａ１からの距離が互いに異なる。回転軸線Ａ１からの距離が互いに異なるのであれば、複数の着液位置は、基板Ｗの周方向（基板Ｗの回転方向）にずれていてもよい。 When the first chemical solution nozzle 61 is arranged at the processing position, the first chemical solution nozzle 61 discharges the chemical solution toward the center of the upper surface of the substrate W. When the second chemical solution nozzle 62 is arranged at the processing position, the second chemical solution nozzle 62 discharges the chemical solution toward a plurality of liquid landing positions on the upper surface of the substrate W excluding the central portion. The distances from the rotation axis A1 of the plurality of liquid landing positions are different from each other. As long as the distances from the rotation axis A1 are different from each other, the plurality of liquid landing positions may be deviated in the circumferential direction of the substrate W (rotation direction of the substrate W).

図１１および図１３に示すように、第１吐出口６１ａは、第１吐出口６１ａから基板Ｗの上面中央部に向かう第１吐出方向Ｄ１に薬液を吐出する。第２吐出口６２ａは、第２吐出口６２ａから基板Ｗの上面に向かう第２吐出方向Ｄ２に薬液を吐出する。第１吐出方向Ｄ１は、基板Ｗの上面に対して基板Ｗの径方向に傾いた斜め方向である。第２吐出方向Ｄ２は、基板Ｗの上面に対して基板Ｗの周方向に傾いた斜め方向である。第１吐出方向Ｄ１および第２吐出方向Ｄ２の少なくとも一方は、基板Ｗの上面に対して垂直な鉛直方向であってもよい。 As shown in FIGS. 11 and 13, the first discharge port 61a discharges the chemical solution from the first discharge port 61a in the first discharge direction D1 toward the center of the upper surface of the substrate W. The second discharge port 62a discharges the chemical solution from the second discharge port 62a in the second discharge direction D2 toward the upper surface of the substrate W. The first discharge direction D1 is an oblique direction inclined in the radial direction of the substrate W with respect to the upper surface of the substrate W. The second discharge direction D2 is an oblique direction inclined in the circumferential direction of the substrate W with respect to the upper surface of the substrate W. At least one of the first discharge direction D1 and the second discharge direction D2 may be a vertical direction perpendicular to the upper surface of the substrate W.

スピンチャック１０が基板Ｗを回転させているとき、第１薬液ノズル６１の第１吐出口６１ａから吐出された薬液は、基板Ｗの上面中央部に着液し、基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。第２薬液ノズル６２の複数の第２吐出口６２ａから吐出された薬液は、基板Ｗの上面上の複数の着液位置に着液し、基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う薬液の液膜が形成され、基板Ｗの上面の各部に薬液が均一に供給される。 When the spin chuck 10 is rotating the substrate W, the chemical liquid discharged from the first discharge port 61a of the first chemical liquid nozzle 61 lands on the center of the upper surface of the substrate W and goes out along the upper surface of the substrate W. It flows toward you. The chemicals discharged from the plurality of second discharge ports 62a of the second chemicals nozzle 62 land on the plurality of liquidation positions on the upper surface of the substrate W and flow outward along the upper surface of the substrate W. As a result, a liquid film of the chemical solution covering the entire upper surface of the substrate W is formed, and the chemical solution is uniformly supplied to each part of the upper surface of the substrate W.

図１４は、本発明の第２実施形態に係る薬液供給システムを示す模式図である。
第１薬液ノズル６１は、第１薬液配管６４に接続されており、第２薬液ノズル６２は、第２薬液配管６８に接続されている。第１薬液配管６４および第２薬液配管６８は、循環配管３２に接続されている。したがって、同じ薬液タンク３１内の薬液が第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２に供給される。第１流量計６５、第１電動バルブ６６、および第１温度センサー６７は、第１薬液配管６４に介装されている。同様に、第２流量計６９、第２電動バルブ７０、および第２温度センサー７１は、第２薬液配管６８に介装されている。 FIG. 14 is a schematic view showing a chemical solution supply system according to a second embodiment of the present invention.
The first chemical solution nozzle 61 is connected to the first chemical solution pipe 64, and the second chemical solution nozzle 62 is connected to the second chemical solution pipe 68. The first chemical solution pipe 64 and the second chemical solution pipe 68 are connected to the circulation pipe 32. Therefore, the chemical solution in the same chemical solution tank 31 is supplied to the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62. The first flow meter 65, the first electric valve 66, and the first temperature sensor 67 are interposed in the first chemical liquid pipe 64. Similarly, the second flow meter 69, the second electric valve 70, and the second temperature sensor 71 are interposed in the second chemical liquid pipe 68.

第１電動バルブ６６および第２電動バルブ７０は、いずれも、液体の供給および供給停止の切替と液体の供給流量の変更とを行う電動バルブである。電動バルブは、流路を形成するバルブボディと、流路内に配置された弁体と、弁体を移動させる電動アクチュエータとを含む。弁体は、弁体と弁座との接触によって電動バルブが閉じられる全閉位置と、電動バルブの開度が最も大きい全開位置との間で移動可能である。制御装置３は、電動アクチュエータを制御することにより、全閉位置から全開位置までの範囲内の任意の位置に弁体を位置させる。 The first electric valve 66 and the second electric valve 70 are both electric valves that switch between supplying and stopping the supply of liquid and changing the supply flow rate of the liquid. The electric valve includes a valve body forming a flow path, a valve body arranged in the flow path, and an electric actuator for moving the valve body. The valve body can move between the fully closed position where the electric valve is closed by the contact between the valve body and the valve seat and the fully open position where the opening degree of the electric valve is the largest. The control device 3 controls the electric actuator to position the valve body at an arbitrary position within the range from the fully closed position to the fully open position.

処理ユニット２は、第１電動バルブ６６の代わりに、開閉バルブ２５と流量調整バルブ２４とを備えていてもよい。同様に、処理ユニット２は、第２電動バルブ７０の代わりに、開閉バルブ２５と流量調整バルブ２４とを備えていてもよい。開閉バルブ２５は、完全に閉じるバルブであり、流量調整バルブ２４は、完全に閉じないバルブである。開閉バルブ２５の弁体は、弁体が弁座に接触する全閉位置と、弁体が弁座から離れた全開位置と、の間で移動可能である。流量調整バルブ２４の弁体は、弁体が弁座から離れた低流量位置と、弁体が弁座から離れた高流量開位置と、の間で移動可能である。弁体が低流量位置に配置されているときの流量調整バルブ２４の開度は、弁体が高流量位置に配置されているときの流量調整バルブ２４の開度よりも小さい。 The processing unit 2 may include an on-off valve 25 and a flow rate adjusting valve 24 instead of the first electric valve 66. Similarly, the processing unit 2 may include an on-off valve 25 and a flow rate adjusting valve 24 instead of the second electric valve 70. The on-off valve 25 is a valve that completely closes, and the flow rate adjusting valve 24 is a valve that does not completely close. The valve body of the on-off valve 25 is movable between a fully closed position where the valve body contacts the valve seat and a fully open position where the valve body is separated from the valve seat. The valve body of the flow rate adjusting valve 24 can move between a low flow rate position where the valve body is separated from the valve seat and a high flow rate open position where the valve body is separated from the valve seat. The opening degree of the flow rate adjusting valve 24 when the valve body is arranged at the low flow rate position is smaller than the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 when the valve body is arranged at the high flow rate position.

第１温度センサー６７は、第１流量計６５および第１電動バルブ６６の下流に配置されている。すなわち、第１温度センサー６７は、第１流量計６５および第１電動バルブ６６に対して第１薬液ノズル６１側に配置されている。同様に、第２温度センサー７１は、第２流量計６９および第２電動バルブ７０に対して第２薬液ノズル６２側に配置されている。第１温度センサー６７および第２温度センサー７１は、チャンバー６の中に配置されている。図１１および図１２は、第１温度センサー６７および第２温度センサー７１がノズルホルダー６０の上に配置されている例を示している。 The first temperature sensor 67 is arranged downstream of the first flow meter 65 and the first electric valve 66. That is, the first temperature sensor 67 is arranged on the side of the first chemical solution nozzle 61 with respect to the first flow meter 65 and the first electric valve 66. Similarly, the second temperature sensor 71 is arranged on the second chemical solution nozzle 62 side with respect to the second flow meter 69 and the second electric valve 70. The first temperature sensor 67 and the second temperature sensor 71 are arranged in the chamber 6. 11 and 12 show an example in which the first temperature sensor 67 and the second temperature sensor 71 are arranged on the nozzle holder 60.

第１温度センサー６７による温度の検出位置が第１薬液ノズル６１に近いので、第１温度センサー６７の検出値に基づいて計算される第１検出温度を第１薬液ノズル６１から吐出されたときの薬液の実際の温度に近づけることができる。同様に、第２温度センサー７１による温度の検出位置が第２薬液ノズル６２に近いので、第２温度センサー７１の検出値に基づいて計算される第２検出温度を第２薬液ノズル６２から吐出されたときの薬液の実際の温度に近づけることができる。これにより、第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２から吐出されたときの薬液の実際の温度をより高い精度で監視できる。 Since the temperature detection position by the first temperature sensor 67 is close to the first chemical solution nozzle 61, when the first detected temperature calculated based on the detected value of the first temperature sensor 67 is discharged from the first chemical solution nozzle 61. It can approach the actual temperature of the chemical solution. Similarly, since the temperature detection position by the second temperature sensor 71 is close to the second chemical solution nozzle 62, the second detected temperature calculated based on the detected value of the second chemical solution nozzle 61 is discharged from the second chemical solution nozzle 62. It is possible to bring it closer to the actual temperature of the chemical solution at that time. Thereby, the actual temperature of the chemical solution when discharged from the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62 can be monitored with higher accuracy.

図１５は、第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２に供給される薬液の流量の時間的変化の一例を示すグラフである。図１６は、第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２に供給される薬液の温度の時間的変化の一例を示すグラフである。
制御装置３の補助記憶装置４５は、複数のレシピと複数の開度決定データとを記憶している（図４参照）。複数の開度決定データには、第１薬液ノズル６１に対応する第１開度決定データと、第２薬液ノズル６２に対応する第２開度決定データとが含まれる。レシピには、第１薬液ノズル６１から吐出される薬液の流量の目標値を表す第１指定流量と、第２薬液ノズル６２から吐出される薬液の流量の目標値を表す第２指定流量とが含まれる。さらに、第１薬液ノズル６１から吐出される薬液の温度の目標値を表す第１設定温度と、第２薬液ノズル６２から吐出される薬液の温度の目標値を表す第２設定温度とが、レシピに含まれる。 FIG. 15 is a graph showing an example of a temporal change in the flow rate of the chemical solution supplied to the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62. FIG. 16 is a graph showing an example of a temporal change in the temperature of the chemical solution supplied to the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62.
The auxiliary storage device 45 of the control device 3 stores a plurality of recipes and a plurality of opening degree determination data (see FIG. 4). The plurality of opening degree determination data includes the first opening degree determination data corresponding to the first chemical solution nozzle 61 and the second opening degree determination data corresponding to the second chemical solution nozzle 62. The recipe includes a first designated flow rate representing a target value of the flow rate of the chemical solution discharged from the first chemical solution nozzle 61 and a second designated flow rate representing a target value of the flow rate of the chemical solution discharged from the second chemical solution nozzle 62. included. Further, the first set temperature representing the target value of the temperature of the chemical solution discharged from the first chemical solution nozzle 61 and the second set temperature representing the target value of the temperature of the chemical solution discharged from the second chemical solution nozzle 62 are recipes. include.

第１指定流量は、第１目標開度よりも大きい第１初期開度の一例であり、第２指定流量は、第２目標開度よりも大きい第２初期開度の一例である。第１指定流量および第２指定流量は、互いに等しい値であってもよいし、互いに異なる値であってもよい。第１設定温度および第２設定温度についても同様である。図１５は、第１指定流量が第２指定流量よりも少ない例を示している。図１６は、第１設定温度が第２設定温度よりも低い例を示している。 The first designated flow rate is an example of a first initial opening degree larger than the first target opening degree, and the second designated flow rate is an example of a second initial opening degree larger than the second target opening degree. The first designated flow rate and the second designated flow rate may have equal values or different values from each other. The same applies to the first set temperature and the second set temperature. FIG. 15 shows an example in which the first designated flow rate is smaller than the second designated flow rate. FIG. 16 shows an example in which the first set temperature is lower than the second set temperature.

第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２への薬液の供給を開始するときは、制御装置３が、第１流量調整バルブ２４の開度を第１指定流量に対応する開度まで増加させる。同様に、制御装置３は、第２流量調整バルブ２４の開度を第２指定流量に対応する開度まで増加させる。第２実施形態では、第１流量調整バルブ２４および第２流量調整バルブ２４が開閉バルブ２５を兼ねるので、第１流量調整バルブ２４および第２流量調整バルブ２４が開かれると、第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２からの薬液の吐出が開始される。図１５は、第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２が薬液の吐出を同時に開始する例を示している。しかしながら、第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２は、互いに異なる時期に薬液の吐出が開始されてもよい。 When starting the supply of the chemical solution to the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62, the control device 3 increases the opening degree of the first flow rate adjusting valve 24 to the opening degree corresponding to the first designated flow rate. Similarly, the control device 3 increases the opening degree of the second flow rate adjusting valve 24 to the opening degree corresponding to the second designated flow rate. In the second embodiment, since the first flow rate adjusting valve 24 and the second flow rate adjusting valve 24 also serve as the on-off valve 25, when the first flow rate adjusting valve 24 and the second flow rate adjusting valve 24 are opened, the first chemical solution nozzle 61 And the discharge of the chemical solution from the second chemical solution nozzle 62 is started. FIG. 15 shows an example in which the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62 start discharging the chemical solution at the same time. However, the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62 may start discharging the chemical solution at different times from each other.

図１６に示すように、第１流量調整バルブ２４および第２流量調整バルブ２４が開かれると、第１検出温度および第２検出温度が急激に増加する。第１検出温度が第１切替温度に達すると、制御装置３は、温度フィードバック制御を開始し、第１流量調整バルブ２４の開度を第１目標開度に近づける。同様に、第２検出温度が第２切替温度に達すると、制御装置３は、温度フィードバック制御を開始し、第２流量調整バルブ２４の開度を第２目標開度に近づける。第１目標開度は、第１開度決定データと加熱温度と第１設定温度とに基づいて決定された値である。第２目標開度は、第２開度決定データと加熱温度と第２設定温度とに基づいて決定された値である。第１目標温度は、第２目標温度よりも低い。 As shown in FIG. 16, when the first flow rate adjusting valve 24 and the second flow rate adjusting valve 24 are opened, the first detected temperature and the second detected temperature rapidly increase. When the first detected temperature reaches the first switching temperature, the control device 3 starts the temperature feedback control and brings the opening degree of the first flow rate adjusting valve 24 closer to the first target opening degree. Similarly, when the second detection temperature reaches the second switching temperature, the control device 3 starts the temperature feedback control and brings the opening degree of the second flow rate adjusting valve 24 closer to the second target opening degree. The first target opening degree is a value determined based on the first opening degree determination data, the heating temperature, and the first set temperature. The second target opening degree is a value determined based on the second opening degree determination data, the heating temperature, and the second set temperature. The first target temperature is lower than the second target temperature.

温度フィードバック制御が開始されると、制御装置３は、第１温度センサー６７の検出値に基づいて第１流量調整バルブ２４の開度を増減させる。同様に、制御装置３は、第２温度センサー７１の検出値に基づいて第２流量調整バルブ２４の開度を増減させる。温度フィードバック制御が開始されてからある程度の時間が経つと、第１検出温度が第１設定温度を含む第１設定温度範囲内に収まり、第２検出温度が第２設定温度を含む第２設定温度範囲内に収まる。これにより、第１設定温度および第２設定温度に等しいまたは概ね等しい温度の薬液が第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２から吐出される。 When the temperature feedback control is started, the control device 3 increases or decreases the opening degree of the first flow rate adjusting valve 24 based on the detected value of the first temperature sensor 67. Similarly, the control device 3 increases or decreases the opening degree of the second flow rate adjusting valve 24 based on the detected value of the second temperature sensor 71. After a certain amount of time has passed since the temperature feedback control was started, the first detected temperature falls within the first set temperature range including the first set temperature, and the second detected temperature becomes the second set temperature including the second set temperature. It fits within the range. As a result, the chemical solution having a temperature equal to or substantially equal to the first set temperature and the second set temperature is discharged from the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62.

以上のように第２実施形態では、第１薬液ノズル６１から吐出された薬液と第２薬液ノズル６２から吐出された薬液とが、同じ基板Ｗに供給される。第１薬液ノズル６１は、基板Ｗの上面中央部に向けて薬液を吐出し、第２薬液ノズル６２は、基板Ｗの上面上の複数の着液位置に向けて薬液を吐出する。複数の着液位置は、基板Ｗの径方向に関して基板Ｗの上面中央部よりも外側の位置である。したがって、第２薬液ノズル６２から吐出された薬液は、第１薬液ノズル６１から吐出された薬液よりも外側で基板Ｗに着液する。 As described above, in the second embodiment, the chemical solution discharged from the first chemical solution nozzle 61 and the chemical solution discharged from the second chemical solution nozzle 62 are supplied to the same substrate W. The first chemical solution nozzle 61 discharges the chemical solution toward the center of the upper surface of the substrate W, and the second chemical solution nozzle 62 discharges the chemical solution toward a plurality of landing positions on the upper surface of the substrate W. The plurality of liquid landing positions are positions outside the central portion of the upper surface of the substrate W in the radial direction of the substrate W. Therefore, the chemical solution discharged from the second chemical solution nozzle 62 lands on the substrate W on the outer side of the chemical solution discharged from the first chemical solution nozzle 61.

基板Ｗ上での薬液の温度は回転軸線Ａ１から離れるしたがって低下する傾向にある。第１流量調整バルブ２４および第２流量調整バルブ２４の開度を個別に設定すれば、第２薬液ノズル６２から吐出されたときの薬液の実際の温度を、意図的に、第１薬液ノズル６１から吐出されたときの薬液の実際の温度よりも高くすることができる。これにより、基板Ｗ上での薬液の温度のばらつきを低減でき、処理の均一性を高めることができる。もちろん、同じまたはほぼ同じ温度の薬液を第１薬液ノズル６１および第２薬液ノズル６２から吐出させることもできる。 The temperature of the chemical solution on the substrate W tends to decrease as it moves away from the rotation axis A1. If the opening degrees of the first flow rate adjusting valve 24 and the second flow rate adjusting valve 24 are set individually, the actual temperature of the chemical solution when discharged from the second chemical solution nozzle 62 is intentionally set to the first chemical solution nozzle 61. The temperature can be higher than the actual temperature of the chemical solution when it is discharged from. As a result, the variation in the temperature of the chemical solution on the substrate W can be reduced, and the uniformity of the treatment can be improved. Of course, a chemical solution having the same or substantially the same temperature can be discharged from the first chemical solution nozzle 61 and the second chemical solution nozzle 62.

次に、本発明の第３実施形態について説明する。
第３実施形態が第１および第２実施形態に対して主として異なる点は、第３実施形態では温度センサー２６が出力する薬液配管２２中の薬液の検出温度と、情報取得部が取得する設定温度とに基づいて、流量調整バルブ２４の設定開度が動的に変更されることである。 Next, a third embodiment of the present invention will be described.
The main difference between the third embodiment and the first and second embodiments is that in the third embodiment, the detection temperature of the chemical solution in the chemical solution pipe 22 output by the temperature sensor 26 and the set temperature acquired by the information acquisition unit Based on the above, the set opening degree of the flow rate adjusting valve 24 is dynamically changed.

図１７は、本発明の第３実施形態に係る制御装置１０３の機能ブロック図である。図１８は、制御装置１０３に記憶された開度決定データｄの一例を示す図である。図１７に示す情報取得部１５１、開度決定部１５３、および開度設定部１５４は、制御装置３にインストールされたプログラムＰをＣＰＵ４２が実行することにより実現される機能ブロックである。開度決定部１５３および開度設定部１５４は薬液ノズル２１毎に設けられている。 FIG. 17 is a functional block diagram of the control device 103 according to the third embodiment of the present invention. FIG. 18 is a diagram showing an example of opening degree determination data d stored in the control device 103. The information acquisition unit 151, the opening degree determination unit 153, and the opening degree setting unit 154 shown in FIG. 17 are functional blocks realized by the CPU 42 executing the program P installed in the control device 3. The opening degree determining unit 153 and the opening degree setting unit 154 are provided for each chemical solution nozzle 21.

基板処理レシピには薬液ノズル２１から吐出する薬液の設定温度および薬液吐出時間が規定されている。情報取得部１５１は前記レシピから薬液の設定温度を取得する。温度センサー２６は各処理ユニット２の薬液配管２１を流れる薬液の温度を検知し情報取得部１５１に出力する。情報取得部１５１は、薬液の検出温度、設定温度および開度設定データｄを取得して、開度決定部１５３に出力する。開度決定部１５３は、情報取得部１５１から出力される情報に基づいて設定開度を決定する。開度設定部１５３は開度決定部１５３が決定した設定開度となるように各流量調整バルブ２４を制御する。 The substrate processing recipe defines the set temperature of the chemical solution to be discharged from the chemical solution nozzle 21 and the chemical solution discharge time. The information acquisition unit 151 acquires the set temperature of the chemical solution from the recipe. The temperature sensor 26 detects the temperature of the chemical solution flowing through the chemical solution pipe 21 of each processing unit 2 and outputs the temperature to the information acquisition unit 151. The information acquisition unit 151 acquires the detection temperature, the set temperature, and the opening degree setting data d of the chemical solution and outputs them to the opening degree determination unit 153. The opening degree determining unit 153 determines the set opening degree based on the information output from the information acquisition unit 151. The opening degree setting unit 153 controls each flow rate adjusting valve 24 so that the opening degree setting unit 153 determines the set opening degree.

図１８は、第３実施形態における開度決定データｄの一例を示すテーブルであり、このテーブルには３段階の開度設定データが記憶されている。最小開度ｐ１は流量調整バルブ２４の最小開度に対応し、最大開度ｐ３は流量調整バルブ２４の最大開度に対応する。中間開度ｐ２は最小開度ｐ１に設定した時に流量調整バルブ２４を流れる流量と最大開度ｐ３に設定した時に流量調整バルブ２４を流れる流量の中間流量を流すことのできる流量調整バルブ２４の開度である。開度決定データｄはレシピおよび流量調整バルブ２４毎に異なっていてもよい。 FIG. 18 is a table showing an example of the opening degree determination data d in the third embodiment, and the opening degree setting data in three stages is stored in this table. The minimum opening degree p1 corresponds to the minimum opening degree of the flow rate adjusting valve 24, and the maximum opening degree p3 corresponds to the maximum opening degree of the flow rate adjusting valve 24. The intermediate opening p2 is the opening of the flow rate adjusting valve 24 capable of flowing the intermediate flow rate of the flow rate flowing through the flow rate adjusting valve 24 when the minimum opening opening p1 is set and the flow rate flowing through the flow rate adjusting valve 24 when the maximum opening degree p3 is set. Degree. The opening degree determination data d may be different for each recipe and the flow rate adjusting valve 24.

図１９は第３実施形態における流量調整バルブ２４の調整を示す工程図である。図１９の工程を開始する時点で薬液は加熱されつつ循環配管３２（図２参照）を循環しており、薬液の温度は設定温度で安定しているものとする。また、処理ユニット２のスピンベース１２上に基板Ｗが保持されているものとする。
まず、処理ユニット２で実行されるレシピが指定される（ステップＳ１１４）。次に、情報取得部１５１は指定されたレシピから薬液の設定温度と薬液の吐出時間とを取得する。また、情報取得部１５１は指定されたレシピに対応する開度決定データｄを取得する（ステップＳ１１５）。情報取得部１５１はステップＳ１１５で取得された開度決定データｄを参照して中間開度ｐ２を取得する（ステップＳ１１６）。開度設定部１５４は中間開度ｐ２となるように流量調整バルブ２４を調整する（ステップＳ１１７）。処理液供給部５５は、この状態で薬液配管２２を介して薬液ノズル２１に薬液を供給する（ステップＳ１１８）。これにより、薬液ノズル２１から基板Ｗに向けて薬液が中間流量で吐出される。薬液の吐出開始後、情報取得部１５１は温度センサー２６から取得される薬液の検出温度を取得する（ステップＳ１１９）。 FIG. 19 is a process diagram showing the adjustment of the flow rate adjusting valve 24 in the third embodiment. At the start of the process of FIG. 19, the chemical solution is circulated in the circulation pipe 32 (see FIG. 2) while being heated, and the temperature of the chemical solution is assumed to be stable at the set temperature. Further, it is assumed that the substrate W is held on the spin base 12 of the processing unit 2.
First, the recipe to be executed in the processing unit 2 is specified (step S114). Next, the information acquisition unit 151 acquires the set temperature of the chemical solution and the discharge time of the chemical solution from the designated recipe. In addition, the information acquisition unit 151 acquires the opening degree determination data d corresponding to the designated recipe (step S115). The information acquisition unit 151 acquires the intermediate opening degree p2 with reference to the opening degree determination data d acquired in step S115 (step S116). The opening degree setting unit 154 adjusts the flow rate adjusting valve 24 so as to have an intermediate opening degree p2 (step S117). In this state, the treatment liquid supply unit 55 supplies the chemical solution to the chemical solution nozzle 21 via the chemical solution pipe 22 (step S118). As a result, the chemical solution is discharged from the chemical solution nozzle 21 toward the substrate W at an intermediate flow rate. After starting to discharge the chemical solution, the information acquisition unit 151 acquires the detected temperature of the chemical solution acquired from the temperature sensor 26 (step S119).

次に、開度決定部１５３は、ステップＳ１１９で取得された検出温度と、設定温度との大小関係に基づいて新しい開度を決定する（ステップＳ１２０）。
すなわち、検出温度が設定温度を上回る場合は、薬液の流量を減少させるために、現在の設定開度よりも僅かに小さく、かつ、最小開度ｐ１を下回らない開度を、最新開度として決定する。検出温度が設定温度を下回る場合は、薬液の流量を増加させるために、現在の設定開度よりも僅かに大さく、かつ、最大開度ｐ３を上回らない開度を、最新開度として決定する。検出温度が設定温度と同一である場合は、現在の設定開度を最新開度として維持する。 Next, the opening degree determining unit 153 determines a new opening degree based on the magnitude relationship between the detection temperature acquired in step S119 and the set temperature (step S120).
That is, when the detected temperature exceeds the set temperature, in order to reduce the flow rate of the chemical solution, the opening that is slightly smaller than the current set opening and does not fall below the minimum opening p1 is determined as the latest opening. To do. When the detected temperature is lower than the set temperature, in order to increase the flow rate of the chemical solution, the opening that is slightly larger than the current set opening and does not exceed the maximum opening p3 is determined as the latest opening. .. If the detected temperature is the same as the set temperature, the current set opening is maintained as the latest opening.

その後、開度決定部１５４はステップＳ１２５で決定された設定開度になるように流量調整バルブ２４を制御する（ステップＳ１２１）。
その後、開度決定部１５４はレシピに規定された薬液吐出時間が経過したか判断する（ステップＳ１２２）。
規定された薬液吐出時間が経過したと開度決定部１５４が判断すると、ステップＳ１２３に移行し、処理液供給部５５は薬液ノズル２１への薬液の供給を停止する。一方、薬液吐出時間が経過していないと開度決定部１５４が判断すると、ステップＳ１１９に戻り、上記ステップＳ１１９乃至Ｓ１２２の処理サイクルを再開する。 After that, the opening degree determining unit 154 controls the flow rate adjusting valve 24 so as to have the set opening degree determined in step S125 (step S121).
After that, the opening degree determining unit 154 determines whether or not the chemical liquid discharge time specified in the recipe has elapsed (step S122).
When the opening degree determining unit 154 determines that the specified chemical liquid discharge time has elapsed, the process proceeds to step S123, and the processing liquid supply unit 55 stops supplying the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 21. On the other hand, if the opening degree determining unit 154 determines that the chemical liquid discharge time has not elapsed, the process returns to step S119 and the processing cycles of steps S119 to S122 are restarted.

他の実施形態
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、流量の設定によって薬液の温度を制御する場合について説明したが、薬液以外の液体の温度を流量の設定によって制御してもよい。 Other Embodiments The present invention is not limited to the contents of the above-described embodiments, and various modifications can be made.
For example, in the above-described embodiment, the case where the temperature of the chemical solution is controlled by setting the flow rate has been described, but the temperature of the liquid other than the chemical solution may be controlled by setting the flow rate.

薬液タンク３１とヒータ３３とが薬液ノズル２１ごとに設けられていてもよい。
薬液ノズル２１への薬液の供給を開始するときに、流量調整バルブ２４の開度をレシピで指定されている指定流量に対応する開度（初期開度）まで増加させ、その後、目標開度まで減少させる場合について説明したが、目標開度よりも大きければ、初期開度は、指定流量に対応する開度とは異なる開度であってもよい。 A chemical solution tank 31 and a heater 33 may be provided for each chemical solution nozzle 21.
When starting to supply the chemical solution to the chemical solution nozzle 21, the opening degree of the flow rate adjusting valve 24 is increased to the opening degree (initial opening degree) corresponding to the designated flow rate specified in the recipe, and then to the target opening degree. Although the case of reducing the opening has been described, the initial opening may be different from the opening corresponding to the designated flow rate as long as it is larger than the target opening.

第１薬液ノズル６１に設けられた第１吐出口６１ａの数は、２つ以上であってもよい。これとは反対に、第２薬液ノズル６２に設けられた第２吐出口６２ａの数は、１つであってもよい。
基板処理装置１は、円板状の基板Ｗを処理する装置に限らず、多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。 The number of the first discharge ports 61a provided in the first chemical solution nozzle 61 may be two or more. On the contrary, the number of the second discharge ports 62a provided in the second chemical solution nozzle 62 may be one.
The substrate processing device 1 is not limited to an apparatus for processing a disk-shaped substrate W, and may be an apparatus for processing a polygonal substrate W.

前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の２つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 Two or more of all the above configurations may be combined. Two or more of all the above steps may be combined.
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

１ ：基板処理装置
３ ：制御装置
１０ ：スピンチャック（基板保持手段、第１基板保持手段、第２基板保持手段）
２１ ：薬液ノズル（第１ノズル、第２ノズル）
２２ ：薬液配管（第１配管、第２配管）
２４ ：流量調整バルブ（第１流量調整バルブ、第２流量調整バルブ）
２５ ：開閉バルブ
２６ ：温度センサー
３１ ：薬液タンク
３２ ：循環配管（共通配管）
３３ ：ヒータ
４５ ：補助記憶装置
５１ ：情報取得部
５２ ：加熱実行部
５３ ：開度決定部（第１開度決定部、第２開度決定部）
５４ ：開度設定部（第１開度設定部、第２開度設定部）
５５ ：処理液供給部（第１処理液供給部、第２処理液供給部）
６１ ：第１薬液ノズル（第１ノズル）
６１ａ ：第１吐出口
６１ｂ ：吐出部
６２ ：第２薬液ノズル（第２ノズル）
６２ａ ：第２吐出口
６４ ：第１薬液配管（第１配管）
６６ ：第１電動バルブ（第１流量調整バルブ）
６７ ：第１温度センサー（温度センサー）
６８ ：第２薬液配管（第２配管）
７０ ：第２電動バルブ（第１流量調整バルブ）
７１ ：第２温度センサー（温度センサー）
Ａ１ ：回転軸線 1: Board processing device 3: Control device 10: Spin chuck (board holding means, first board holding means, second board holding means)
21: Chemical solution nozzle (1st nozzle, 2nd nozzle)
22: Chemical solution piping (first piping, second piping)
24: Flow rate adjustment valve (first flow rate adjustment valve, second flow rate adjustment valve)
25: Open / close valve 26: Temperature sensor 31: Chemical solution tank 32: Circulation piping (common piping)
33: Heater 45: Auxiliary storage device 51: Information acquisition unit 52: Heating execution unit 53: Opening degree determining unit (first opening degree determining unit, second opening degree determining unit)
54: Opening setting unit (first opening setting unit, second opening setting unit)
55: Treatment liquid supply unit (first treatment liquid supply unit, second treatment liquid supply unit)
61: 1st chemical solution nozzle (1st nozzle)
61a: First discharge port 61b: Discharge unit 62: Second chemical solution nozzle (second nozzle)
62a: Second discharge port 64: First chemical solution pipe (first pipe)
66: 1st electric valve (1st flow rate adjustment valve)
67: First temperature sensor (temperature sensor)
68: Second chemical solution piping (second piping)
70: 2nd electric valve (1st flow rate adjustment valve)
71: Second temperature sensor (temperature sensor)
A1: Rotation axis

Claims (16)

処理液を加熱する少なくとも一つのヒータと、
前記少なくとも一つのヒータによって加熱された処理液を案内する第１配管と、
前記第１配管に供給される処理液の流量を変更する第１流量調整バルブと、
前記第１配管によって案内された処理液を基板に向けて吐出する第１ノズルと、
前記少なくとも一つのヒータと前記第１流量調整バルブとを制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記少なくとも一つのヒータによって加熱された処理液の温度の目標値を表す加熱温度と、前記第１ノズルから吐出されたときの処理液の温度の目標値であり前記加熱温度よりも低い第１設定温度と、を取得する情報取得部と、
前記少なくとも一つのヒータに前記加熱温度で処理液を加熱させる加熱実行部と、
前記加熱温度で前記第１配管に供給された処理液が第１吐出温度で前記第１ノズルから吐出されたときに前記第１配管に供給された処理液の流量に対応する前記第１流量調整バルブの開度を規定する第１開度決定データを記憶した記憶装置と、
前記記憶装置に記憶された前記第１開度決定データと前記情報取得部が取得した前記加熱温度および第１設定温度とに基づいて、前記第１吐出温度が前記第１設定温度に一致するまたは近づく第１目標流量に対応する第１目標開度を決定する第１開度決定部と、
前記第１流量調整バルブの開度を前記第１目標開度に設定する第１開度設定部と、
前記第１配管を介して前記第１ノズルに処理液を供給する第１処理液供給部とを含み、
前記第１開度設定部は、前記第１流量調整バルブの開度を、前記第１目標開度よりも大きい第１初期開度に設定し、その後、前記第１初期開度から前記第１目標開度に減少させる、基板処理装置。 With at least one heater to heat the treatment liquid,
A first pipe that guides the processing liquid heated by at least one heater, and
A first flow rate adjusting valve that changes the flow rate of the processing liquid supplied to the first pipe, and
A first nozzle that discharges the processing liquid guided by the first pipe toward the substrate, and
A control device for controlling the at least one heater and the first flow rate adjusting valve is provided.
The control device is
A heating temperature representing a target value of the temperature of the treatment liquid heated by the at least one heater, and a first setting which is a target value of the temperature of the treatment liquid when discharged from the first nozzle and is lower than the heating temperature. The information acquisition unit that acquires the temperature and
A heating execution unit that causes the at least one heater to heat the treatment liquid at the heating temperature.
The first flow rate adjustment corresponding to the flow rate of the processing liquid supplied to the first pipe when the treatment liquid supplied to the first pipe at the heating temperature is discharged from the first nozzle at the first discharge temperature. A storage device that stores the first opening determination data that defines the opening of the valve, and
Based on the first opening degree determination data stored in the storage device and the heating temperature and the first set temperature acquired by the information acquisition unit, the first discharge temperature coincides with the first set temperature. A first opening determination unit that determines the first target opening corresponding to the approaching first target flow rate,
A first opening setting unit that sets the opening of the first flow rate adjusting valve to the first target opening, and
Includes a first treatment liquid supply unit that supplies the treatment liquid to the first nozzle via the first pipe.
The first opening degree setting unit sets the opening degree of the first flow rate adjusting valve to a first initial opening degree larger than the first target opening degree, and then from the first initial opening degree to the first opening degree. A substrate processing device that reduces the opening to the target opening. 前記基板処理装置は、処理液を吐出する第２ノズルと、前記第２ノズルに処理液を案内する第２配管と、前記第２配管に供給される処理液の流量を変更する第２流量調整バルブとをさらに備え、
前記制御装置の前記情報取得部は、前記第２ノズルから吐出されたときの処理液の温度の目標値であり前記加熱温度よりも低い第２設定温度をさらに取得し、
前記制御装置の前記記憶装置は、前記加熱温度で前記第２配管に供給された処理液が第２吐出温度で前記第２ノズルから吐出されたときに前記第２配管に供給された処理液の流量に対応する前記第２流量調整バルブの開度を規定する第２開度決定データをさらに記憶しており、
前記制御装置は、
前記記憶装置に記憶された前記第２開度決定データと前記情報取得部が取得した前記加熱温度および第２設定温度とに基づいて、前記第２吐出温度が前記第２設定温度に一致するまたは近づく第２目標流量に対応する第２目標開度を決定する第２開度決定部と、
前記第２流量調整バルブの開度を前記第２目標開度に設定する第２開度設定部と、
前記第２配管を介して処理液を前記第２ノズルに供給する第２処理液供給部とをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus has a second nozzle for discharging the processing liquid, a second pipe for guiding the treatment liquid to the second nozzle, and a second flow rate adjustment for changing the flow rate of the treatment liquid supplied to the second pipe. With more valves
The information acquisition unit of the control device further acquires a second set temperature which is a target value of the temperature of the processing liquid when discharged from the second nozzle and is lower than the heating temperature.
The storage device of the control device is a processing liquid supplied to the second pipe when the processing liquid supplied to the second pipe at the heating temperature is discharged from the second nozzle at the second discharge temperature. The second opening degree determination data that defines the opening degree of the second flow rate adjusting valve corresponding to the flow rate is further stored.
The control device is
Based on the second opening degree determination data stored in the storage device and the heating temperature and the second set temperature acquired by the information acquisition unit, the second discharge temperature coincides with the second set temperature. A second opening degree determining unit that determines the second target opening degree corresponding to the approaching second target flow rate,
A second opening degree setting unit that sets the opening degree of the second flow rate adjusting valve to the second target opening degree,
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the second nozzle via the second pipe. 前記基板処理装置は、前記第１ノズルから吐出された処理液で処理される基板を保持する第１基板保持手段と、前記第２ノズルから吐出された処理液で処理される基板を保持する第２基板保持手段とをさらに備える、請求項２に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus has a first substrate holding means for holding a substrate to be processed with the processing liquid discharged from the first nozzle, and a second substrate for holding a substrate to be processed with the processing liquid discharged from the second nozzle. 2. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising two substrate holding means. 前記基板処理装置は、前記第１ノズルおよび第２ノズルから吐出された処理液で処理される基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに前記基板を回転させる基板保持手段をさらに備え、
前記第１ノズルは、前記基板保持手段に保持されている基板上の位置である第１位置に向けて処理液を吐出し、
前記第２ノズルは、前記基板保持手段に保持されている基板上の位置であり、前記第１位置よりも外側の位置である第２位置に向けて処理液を吐出する、請求項２に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus rotates the substrate around a vertical rotation axis passing through the central portion of the substrate while horizontally holding the substrate treated with the processing liquids discharged from the first nozzle and the second nozzle. Further equipped with a board holding means,
The first nozzle discharges the processing liquid toward the first position, which is a position on the substrate held by the substrate holding means.
2. The second aspect of the present invention, wherein the second nozzle is a position on the substrate held by the substrate holding means, and discharges the processing liquid toward the second position, which is a position outside the first position. Board processing equipment. 前記基板処理装置は、前記第１配管および第２配管の両方に処理液を供給する共通配管をさらに備える、請求項３または４に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein the substrate processing apparatus further includes a common pipe that supplies a processing liquid to both the first pipe and the second pipe. 前記基板処理装置は、前記第１配管および第２配管の両方に処理液を供給する共通配管をさらに備え、
前記基板処理装置は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが露出した基板に処理液としてのリン酸を供給することにより、前記シリコン酸化膜のエッチングを抑えながら前記シリコン窒化膜をエッチングする、請求項４に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus further includes a common pipe for supplying a treatment liquid to both the first pipe and the second pipe.
The substrate processing apparatus claims that by supplying phosphoric acid as a treatment liquid to a substrate on which a silicon oxide film and a silicon nitride film are exposed, the silicon nitride film is etched while suppressing etching of the silicon oxide film. 4. The substrate processing apparatus according to 4. 前記基板処理装置は、処理液の温度を検出する温度センサーをさらに備え、
前記第１開度設定部は、前記温度センサーによって検出された処理液の温度が切替温度に達すると、前記第１流量調整バルブの開度を前記第１初期開度から前記第１目標開度に減少させる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus further includes a temperature sensor that detects the temperature of the processing liquid.
When the temperature of the processing liquid detected by the temperature sensor reaches the switching temperature, the first opening degree setting unit changes the opening degree of the first flow rate adjusting valve from the first initial opening degree to the first target opening degree. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate processing apparatus is reduced to. 処理液を加熱する少なくとも一つのヒータと、前記少なくとも一つのヒータによって加熱された処理液を案内する第１配管と、前記第１配管に供給される処理液の流量を変更する第１流量調整バルブと、前記第１配管によって案内された処理液を基板に向けて吐出する第１ノズルと、前記少なくとも一つのヒータと前記第１流量調整バルブとを制御する制御装置と、を備える基板処理装置によって実行される方法であって、
前記少なくとも一つのヒータによって加熱された処理液の温度の目標値を表す加熱温度と、前記第１ノズルから吐出されたときの処理液の温度の目標値であり前記加熱温度よりも低い第１設定温度と、を取得する情報取得工程と、
前記少なくとも一つのヒータに前記加熱温度で処理液を加熱させる加熱実行工程と、
前記制御装置の記憶装置に記憶されたデータであって、前記加熱温度で前記第１配管に供給された処理液が第１吐出温度で前記第１ノズルから吐出されたときに前記第１配管に供給された処理液の流量に対応する前記第１流量調整バルブの開度を規定する第１開度決定データと、前記情報取得工程で取得した前記加熱温度および第１設定温度とに基づいて、前記第１吐出温度が前記第１設定温度に一致するまたは近づく第１目標流量に対応する第１目標開度を決定する開度決定工程と、
前記第１流量調整バルブの開度を前記第１目標開度に設定する第１開度設定工程と、
前記第１配管を介して前記第１ノズルに処理液を供給する第１処理液供給工程とを含み、
前記第１開度設定工程は、前記第１流量調整バルブの開度を、前記第１目標開度よりも大きい第１初期開度に設定し、その後、前記第１初期開度から前記第１目標開度に減少させる、基板処理方法。 At least one heater for heating the treatment liquid, a first pipe for guiding the treatment liquid heated by the at least one heater, and a first flow rate adjusting valve for changing the flow rate of the treatment liquid supplied to the first pipe. A substrate processing apparatus including a first nozzle for discharging the processing liquid guided by the first piping toward the substrate, and a control device for controlling the at least one heater and the first flow rate adjusting valve. The way it is done
A heating temperature representing a target value of the temperature of the treatment liquid heated by the at least one heater, and a first setting which is a target value of the temperature of the treatment liquid when discharged from the first nozzle and is lower than the heating temperature. The temperature, the information acquisition process to acquire, and
A heating execution step of heating the treatment liquid to the at least one heater at the heating temperature, and
Data stored in the storage device of the control device, which is stored in the first pipe when the processing liquid supplied to the first pipe at the heating temperature is discharged from the first nozzle at the first discharge temperature. Based on the first opening degree determination data that defines the opening degree of the first flow rate adjusting valve corresponding to the flow rate of the supplied processing liquid, and the heating temperature and the first set temperature acquired in the information acquisition step. An opening degree determining step of determining a first target opening degree corresponding to a first target flow rate at which the first discharge temperature matches or approaches the first set temperature.
The first opening degree setting step of setting the opening degree of the first flow rate adjusting valve to the first target opening degree, and
Including a first treatment liquid supply step of supplying the treatment liquid to the first nozzle via the first pipe.
In the first opening degree setting step, the opening degree of the first flow rate adjusting valve is set to a first initial opening degree larger than the first target opening degree, and then from the first initial opening degree to the first opening degree. A substrate processing method that reduces the opening to the target opening. 前記基板処理装置は、処理液を吐出する第２ノズルと、前記第２ノズルに処理液を案内する第２配管と、前記第２配管に供給される処理液の流量を変更する第２流量調整バルブとをさらに備え、
前記情報取得工程は、前記第２ノズルから吐出されたときの処理液の温度の目標値であり前記加熱温度よりも低い第２設定温度をさらに取得する工程であり、
前記制御装置の前記記憶装置は、前記加熱温度で前記第２配管に供給された処理液が第２吐出温度で前記第２ノズルから吐出されたときに前記第２配管に供給された処理液の流量に対応する前記第２流量調整バルブの開度を規定する第２開度決定データをさらに記憶しており、
前記基板処理方法は、
前記記憶装置に記憶された前記第２開度決定データと前記情報取得工程で取得した前記加熱温度および第２設定温度とに基づいて、前記第２吐出温度が前記第２設定温度に一致するまたは近づく第２目標流量に対応する第２目標開度を決定する第２開度決定工程と、
前記第２流量調整バルブの開度を前記第２目標開度に設定する第２開度設定工程と、
前記第２配管を介して前記第２ノズルに処理液を供給する第２処理液供給工程とをさらに含む、請求項８に記載の基板処理方法。 The substrate processing apparatus has a second nozzle for discharging the processing liquid, a second pipe for guiding the treatment liquid to the second nozzle, and a second flow rate adjustment for changing the flow rate of the treatment liquid supplied to the second pipe. With more valves
The information acquisition step is a step of further acquiring a second set temperature which is a target value of the temperature of the processing liquid when discharged from the second nozzle and is lower than the heating temperature.
The storage device of the control device is a processing liquid supplied to the second pipe when the processing liquid supplied to the second pipe at the heating temperature is discharged from the second nozzle at the second discharge temperature. The second opening degree determination data that defines the opening degree of the second flow rate adjusting valve corresponding to the flow rate is further stored.
The substrate processing method is
Based on the second opening degree determination data stored in the storage device and the heating temperature and the second set temperature acquired in the information acquisition step, the second discharge temperature coincides with the second set temperature. The second opening degree determination process for determining the second target opening degree corresponding to the approaching second target flow rate, and
A second opening degree setting step of setting the opening degree of the second flow rate adjusting valve to the second target opening degree, and
The substrate processing method according to claim 8, further comprising a second processing liquid supply step of supplying the treatment liquid to the second nozzle via the second pipe. 前記基板処理装置は、前記第１ノズルから吐出された処理液で処理される基板を保持する第１基板保持手段と、前記第２ノズルから吐出された処理液で処理される基板を保持する第２基板保持手段とをさらに備える、請求項９に記載の基板処理方法。 The substrate processing apparatus has a first substrate holding means for holding a substrate to be processed with the processing liquid discharged from the first nozzle, and a second substrate for holding a substrate to be processed with the processing liquid discharged from the second nozzle. 2. The substrate processing method according to claim 9, further comprising a substrate holding means. 前記基板処理装置は、前記第１ノズルおよび第２ノズルから吐出された処理液で処理される基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに前記基板を回転させる基板保持手段をさらに備え、
前記基板処理方法は、
前記基板保持手段に保持されている基板上の位置である第１位置に向けて前記第１ノズルに処理液を吐出させる第１吐出工程と、
前記基板保持手段に保持されている基板上の位置であり、前記第１位置よりも外側の位置である第２位置に向けて前記第２ノズルに処理液を吐出させる第２吐出工程とをさらに含む、請求項９に記載の基板処理方法。 The substrate processing apparatus rotates the substrate around a vertical rotation axis passing through the central portion of the substrate while horizontally holding the substrate treated with the processing liquids discharged from the first nozzle and the second nozzle. Further equipped with a board holding means,
The substrate processing method is
A first ejection step of ejecting the processing liquid to the first nozzle toward the first position, which is a position on the substrate held by the substrate holding means.
Further, a second ejection step of ejecting the processing liquid to the second nozzle toward the second position, which is a position on the substrate held by the substrate holding means and is a position outside the first position. The substrate processing method according to claim 9, which includes. 前記基板処理装置は、前記第１配管および第２配管の両方に処理液を供給する共通配管をさらに備える、請求項９または１０に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 9 or 10, wherein the substrate processing apparatus further includes a common pipe that supplies a processing liquid to both the first pipe and the second pipe. 前記基板処理装置は、前記第１配管および第２配管の両方に処理液を供給する共通配管をさらに備え、
前記基板処理方法は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが露出した基板に処理液としてのリン酸を供給することにより、前記シリコン酸化膜のエッチングを抑えながら前記シリコン窒化膜をエッチングする、請求項１０に記載の基板処理方法。 The substrate processing apparatus further includes a common pipe for supplying a treatment liquid to both the first pipe and the second pipe.
The substrate processing method claims that the silicon nitride film is etched while suppressing the etching of the silicon oxide film by supplying phosphoric acid as a treatment liquid to the substrate on which the silicon oxide film and the silicon nitride film are exposed. 10. The substrate processing method according to 10. 前記基板処理装置は、処理液の温度を検出する温度センサーをさらに備え、
前記第１開度設定工程は、前記温度センサーによって検出された処理液の温度が切替温度に達すると、前記第１流量調整バルブの開度を前記第１初期開度から前記第１目標開度に減少させる、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The substrate processing apparatus further includes a temperature sensor that detects the temperature of the processing liquid.
In the first opening degree setting step, when the temperature of the processing liquid detected by the temperature sensor reaches the switching temperature, the opening degree of the first flow rate adjusting valve is changed from the first initial opening degree to the first target opening degree. The substrate processing method according to any one of claims 8 to 13, wherein the amount is reduced to. 処理液を加熱するヒータと、前記加熱された処理液を送液する処理液配管と、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板に向けて前記処理液配管を介して送液された処理液を吐出するノズルと、前記処理液配管を流れる処理液の流量を調節するバルブと、前記処理液配管に流れる処理液の温度を検出する温度センサーと、前記ノズルから吐出される処理液の温度の目標値である設定温度を取得する情報取得手段と、前記温度センサーによって検出された温度と前記情報取得手段によって取得された処理液の前記設定温度とに基づいて前記バルブの開度を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記バルブの開度を、前記ノズルから吐出されたときの処理液の温度である吐出温度が、前記設定温度に一致するまたは近づく目標流量に対応する目標開度よりも大きい初期開度に設定し、その後、前記初期開度から前記目標開度に減少させる、基板処理装置。 A heater for heating the treatment liquid, a treatment liquid pipe for sending the heated treatment liquid, a substrate holding means for holding the substrate, and the treatment liquid pipe toward the substrate held by the substrate holding means via the treatment liquid pipe. A nozzle that discharges the processed liquid that has been sent, a valve that adjusts the flow rate of the processing liquid that flows through the processing liquid pipe, a temperature sensor that detects the temperature of the processing liquid that flows through the processing liquid pipe, and discharge from the nozzle. The valve is based on an information acquisition means for acquiring a set temperature which is a target value of the temperature of the processing liquid to be processed, a temperature detected by the temperature sensor, and the set temperature of the processing liquid acquired by the information acquisition means. With a control means for controlling the opening degree of
In the control means, the opening degree of the valve is initially larger than the target opening degree in which the discharge temperature, which is the temperature of the processing liquid when discharged from the nozzle, is larger than the target opening degree corresponding to the target flow rate that matches or approaches the set temperature. A substrate processing device that sets an opening degree and then reduces the initial opening degree to the target opening degree. 前記制御手段は、前記情報取得手段から取得された前記設定温度と前記温度センサーにより検出された処理液の温度とを比較して、前記温度センサーにより検出された処理液の温度が前記設定温度を上回る場合には前記処理液の流量が減少する方向に前記バルブの開度を制御し、前記温度センサーにより検出された処理液の温度が前記設定温度を下回る場合には前記処理液の流量が増加する方向に前記バルブの開度を制御する請求項１５に記載の基板処理装置。 The control means compares the set temperature acquired from the information acquisition means with the temperature of the processing liquid detected by the temperature sensor, and the temperature of the processing liquid detected by the temperature sensor determines the set temperature. When it exceeds, the opening degree of the valve is controlled in the direction in which the flow rate of the treatment liquid decreases, and when the temperature of the treatment liquid detected by the temperature sensor falls below the set temperature, the flow rate of the treatment liquid increases. The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein the opening degree of the valve is controlled in the direction of the valve.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7285724B2 (en) * 2019-07-30 2023-06-02 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
KR102268616B1 (en) * 2019-08-06 2021-06-23 세메스 주식회사 Apparatus for supplying chemical and method for supplying chemical
WO2021131832A1 (en) * 2019-12-27 2021-07-01 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing device and substrate processing method
JP2021152762A (en) * 2020-03-24 2021-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Learned-model generating method, learned model, abnormality-factor estimating apparatus, substrate treating installation, abnormality-factor estimating method, learning method, learning apparatus, and learning-data preparing method
KR102355356B1 (en) * 2020-03-25 2022-01-25 무진전자 주식회사 Chemical providing management system of semiconductor process
JP2022072072A (en) * 2020-10-29 2022-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing device
CN112695297B (en) * 2020-11-24 2022-12-09 北京北方华创微电子装备有限公司 Method for controlling chamber pressure in semiconductor process
JP2023169532A (en) * 2022-05-17 2023-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate-processing method and substrate-processing device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4451175B2 (en) * 2004-03-19 2010-04-14 大日本スクリーン製造株式会社 Nozzle cleaning apparatus and substrate processing apparatus
JP2010123709A (en) * 2008-11-19 2010-06-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP5280473B2 (en) * 2011-03-03 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 Etching method, etching apparatus and storage medium
JP6191953B2 (en) * 2013-09-02 2017-09-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6221155B2 (en) * 2013-12-11 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6118719B2 (en) * 2013-12-16 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium recording substrate processing program
JP2015185826A (en) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社日立国際電気 substrate processing apparatus
JP6325919B2 (en) * 2014-07-02 2018-05-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
US9460944B2 (en) * 2014-07-02 2016-10-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method of treating substrate
KR20160010099A (en) * 2014-07-18 2016-01-27 플로우닉스 주식회사 Liquid flow controller
JP6313231B2 (en) * 2015-01-08 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing equipment
JP6489475B2 (en) * 2015-03-03 2019-03-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment
US10037902B2 (en) * 2015-03-27 2018-07-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device and substrate processing method
JP6517564B2 (en) * 2015-03-30 2019-05-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment
JP6418555B2 (en) * 2015-06-18 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method

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