以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る光電変換素子を例示する模式的断面図である。
図1に表したように、本実施形態に係る光電変換素子110は、第1電極11と、第2電極12と、光電変換層30と、第1層50と、を含む。
第2電極12は、第1電極11と、第1方向に沿って離間する。
第1方向をZ軸方向とする。Z軸方向に対して垂直な1つの方向をX軸方向とする。Z軸方向とX軸方向とに対して垂直な方向をY軸方向とする。
第1電極11及び第2電極12は、例えば、X−Y平面に沿って広がる。第1電極11及び第2電極12は、X−Y平面に対して実質的に平行である。
光電変換層30は、第1電極11と第2電極12との間に設けられる。第1層50は、第2電極12と光電変換層30との間に設けられる。
この例では、基体10sが設けられる。基体10sと第2電極12との間に第1電極11が設けられる。この例では、第1電極11と光電変換層30との間に、第2層60が設けられる。この例では、基体10sと第2層60との間に、平坦化層34が設けられる。
第2層60と第2電極12との間に光電変換層30が配置される。光電変換層30と第2電極12との間に第1層50が配置される。
第1層50は、フェニルピリジン誘導体を含む。このフェニルピリジン誘導体は、下記の式(1)で表される。
上記の式(1)中の環A、B、C及びDは、ピリジン環である。上記の式(1)中の、R1〜R11のそれぞれは、水素、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、アリール基、及び、電子求引性のヘテロアリール基、からなる群から選択されたいずれかである。
上記式(1)で表される化合物の1つの分子は、7つのベンゼン環と、4つのピリジン環A、B、C及びDと、を有する。ピリジン環A、B、C及びDのそれぞれは、ピリジン環A、B、C及びDのそれぞれがベンゼン環と結合する位置に、炭素原子を有する。例えば、それぞれのピリジン環A、B、C及びDは、3位でベンゼン環と結合する。例えば、それぞれのピリジン環は、4位でベンゼン環と結合する。それぞれのピリジン環A、B、C及びDは、互いに別の位置で、ベンゼン環と結合していても良い。
7つのベンゼン環のそれぞれにおいて六員環に含まれる炭素原子が、置換基を有していても良いし、有していなくとも良い。4つのピリジン環A、B、C及びDにおいて、六員環に含まれる炭素原子が、置換基を有していても良いし、有していなくとも良い。例えば、R1〜R11のそれぞれは、水素、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、アリール基、及び、電子求引性のヘテロアリール基、からなる群から選択されたいずれかである。例えば、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、アリール基、及び、電子求引性のヘテロアリール基、のそれぞれに含まれる炭素の数は、6以下である。
電子求引性を有する基においては、ハメットの置換基定数が正である。実施形態において、上記の「電子求引性のヘテロアリール基」は、例えば、「正のハメットの置換基定数を有するヘテロアリール基」である。
実施形態において、例えば、上記のR1〜R11は、互いに同じである。実施形態において、例えば、上記のR1〜R11の1つは、上記のR1〜R11の別の1つと異なっても良い。
第1層50が上記のフェニルピリジン誘導体を含むことにより、例えば、高い耐熱性が得られる。耐熱性を向上できる光電変換素子が提供できる。光電変換素子110の特性の例については、後述する。
光電変換素子110は、例えば、有機光電変換素子である。光電変換素子110は、例えば、光電変換素子110に入射した光の少なくとも一部を吸収し、光電変換する。
第1電極11と第2電極12との間の電気的特性が、入射した光に応じて変化する。例えば、制御部70が設けられる。制御部70は、第1電極11及び第2電極12と電気的に接続される。制御部70は、第1電極11と第2電極12との間に電位差を与える。例えば、制御部70は、第2電極12の電位を第1電極11の電位よりも高くする。第1電極11は、陰極となり、第2電極12は、陽極となる。この電位差により、第1電極11と第2電極12との間に流れる電流が光電変換素子110に入射した光の強度に応じて変化する。光電変換素子110は、例えば、光センサとして用いることができる。
第1電極11は、例えば、導電性の光透過性の材料を含む。平坦化層34は、例えば、第1電極11の表面の凹凸を緩和する。
第2層60は、例えば、第1電極11から光電変換層30に向かって電子が注入されることを抑制する。第2層60は、例えば電子ブロック層として機能する。第2層60は、例えば、光電変換層30で生成された正孔を第1電極11へ移動させる。
光電変換層30には、光電変換素子110に入射した光が入射する。光電変換層30は、この光の少なくとも一部を吸収して、光電変換し、電子と正孔とを生成する。
第1層50は、例えば、第2電極12から光電変換層30に向けて正孔が注入されることを抑制する。第1層50は、例えば、正孔ブロック層として機能する。第1層50は、光電変換層30で生成された電子を第2電極12に移動させる。
第2電極12は、光電変換層30と電気的に接続される。第2電極12は、光電変換層30で生成した電子を受け取る。
この例では、基体10sに入射した光が、第1電極11、平坦化層34及び第2層60を介して光電変換層30に入射する。
実施形態において、第1層50に含まれるフェニルピリジン誘導体は、例えば、下記の式(2)で表される化合物を含んでも良い。
実施形態において、第1層50に含まれるフェニルピリジン誘導体は、例えば、下記の式(3)で表される化合物を含んでも良い。
実施形態において、第1層50に含まれるフェニルピリジン誘導体は、例えば、下記の式(4)で表される化合物を含んでも良い。
実施形態において、第1層50に含まれるフェニルピリジン誘導体は、例えば、下記の式(5)で表される化合物を含んでも良い。
上記の式(2)〜(5)において、7つのベンゼン環のそれぞれにおいて、六員環に含まれる炭素原子が、置換基を有していても良いし、有していなくとも良い。4つのピリジン環A、B、C及びDにおいて、六員環に含まれる炭素原子が、置換基を有していても良いし、有していなくとも良い。
上記の式(2)及び式(4)において、例えば、R1〜R11のそれぞれは、水素、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、アリール基、及び、電子求引性のヘテロアリール基(例えば、正のハメットの置換基定数を有するヘテロアリール基)、からなる群から選択されたいずれかである。例えば、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、アリール基、及び、電子求引性のヘテロアリール基、のそれぞれに含まれる炭素の数は、6以下である。R1〜R11は、互いに同じであっても良いし、互いに異なっていても良い。
以下、第1層50に含まれるフェニルピリジン誘導体の合成の例について説明する。以下では、上記の式(3)で表される化合物の合成の例を説明する。
例えば、4-ピリジンボロン酸ピナコールエステル、1-ブロモ-3-ヨードベンゼン、Pd(PPh3)4、及び、炭酸セシウムを、ジオキサン溶液に加え、反応させる。これにより、第1物質が得られる。さらに、第1物質、ビスピナコラートボロン、Pd(dppf)Cl2、及び、酢酸カリウムを、DMAc溶液に加え、反応させる。これにより、第2物質が得られる。第2物質、トリブロモベンゼン、Pd(PPh3)4、及び、炭酸セシウムを、ジオキサン溶液に加え、反応させる。これにより、第3物質が得られる。第3物質、1,4-フェニレンジボロン酸、Pd(PPh3)4、及び、炭酸セシウムを、ジオキサン溶液に加え、反応させる。これにより、式(3)で表される化合物が得られる。上記の反応において、精製が適宜行われる。
上記の式(3)で表される化合物の熱分解温度は、例えば、532℃である。このように、式(3)で表される化合物の熱分解温度は、高い。式(3)で表される化合物を含む第1層50を用いることで、高い耐熱性が得られる。
以下に、上記の式(5)で表される化合物の合成の例について説明する。
以下の式(6)で表される反応を生じさせ、第1化合物Com1が得られる。
以下の式(7)で表される反応を生じさせ、第2化合物Com2が得られる。
以下の式(8)で表される反応を生じさせ、第3化合物Com3が得られる。
以下の式(9)で表される反応を生じさせ、第4化合物Com4が得られる。
第4化合物Com4は、上記の式(5)で表される化合物に対応する。上記の式(6)〜式(9)の反応において、精製が適宜行われる。
以下、光電変換素子110の特性の例について説明する。
図2は、光電変換素子の特性を例示するグラフ図である。
図2は、光電変換素子110を種々の温度で熱処理した時の外部量子効率(External Quantum Efficiency;EQE)を示す。外部量子効率は、光電変換効率に対応する。横軸は、熱処理の温度T(℃)である。縦軸は、外部量子効率EQE(%)である。外部量子効率EQEは、分光感度測定装置(分光計器株式会社製、「CEP−V25ML」)により測定される。測定において、照射光の波長は530nmである。測定において、出力は、50μW/cm2である。
この例の光電変換素子110においては、第1層50に含まれるフェニルピリジン誘導体は、上記の式(3)で表される化合物を含んでいる。
図2には、参考例の光電変換素子119の特性も示されている。光電変換素子119においては、第1層50として、以下の式(10)で示される化合物が用いられている。
光電変換素子110及び119において、以下である。基体10sは、ガラス基板である。第1電極11は、ITOである。第1電極11の厚さは50nmである。平坦化層34の厚さは35nmである。第2層60の厚さは3nmである。光電変換層30の厚さは80nmである。第1層50の厚さは、10nmである。第2電極12は、アルミニウムである。第2電極12の厚さは、150nmである。
熱処理の温度Tが25℃のときの外部量子効率EQEは、光電変換素子110及び119において約70%である。光電変換素子119においては、温度が130℃以上において、外部量子効率EQEが著しく低下する。熱処理の温度Tが150℃のときの外部量子効率EQEは、光電変換素子110においては61%であり、光電変換素子119においては33%である。上記の式(1)で示される化合物を第1層50(例えば正孔ブロック層)として用いることで、高い外部量子効率EQEが得られる。式(1)で示される化合物を第1層50として用いることで、高い耐熱性が得られる。
実施形態において、例えば、第1電極11は陰極であり、第2電極12は陽極である。陰極に、電子が注入される。陽極に、正孔が注入される。第2電極12の電位は、第1電極11の電位よりも高いことが好ましい。電位が高い導体から電位が低い導体に向けて電流が流れる。式(1)で示される化合物を第1層50(例えば正孔ブロック層)に用いることで、例えば、ノイズの原因となる暗電流が抑制される。
光電変換素子110の例についてさらに説明する。
基体10sは、例えば、他の部材を支持する。基体10sには、例えば、光を透過する材料が用いられる。基体10sは、例えば、ガラス基板を含む。基体10sは、例えば、合成樹脂を含む。基体10sは、例えば、透明である。基体10sは、例えば、光透過性である。基体10sは、光電変換素子110に入射する光の少なくとも一部を透過する。
例えば、基体10sは、その他の部材を支持するために十分な強度を有する。基体10sの厚さ、形状、構造及び大きさ等は、任意であり、用途及び目的等に応じて選択される。
第1電極11は、例えば、基体10sの上に設けられる。第1電極11は、例えば、基体10sと接する。第1電極11は、光電変換層30と電気的に接続される。第1電極11は、光電変換層30で生成した正孔を受け取る。
第1電極11は、例えば、導電性の金属酸化物膜を含む。第1電極11は、例えば、金属薄膜を含んでも良い。この金属薄膜は、例えば光透過性である。第1電極11は、有機系の導電性ポリマーを含んでも良い。
第1電極11に含まれる金属酸化物膜は、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムスズ(ITO)、及び、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)の少なくともいずれかを含む。第1電極11は、例えば、インジウム、亜鉛及び錫の少なくともいずれかの酸化物を含む。酸化物は、フッ素を含んでも良い。第1電極11に含まれる金属薄膜は、例えば、金、白金、銀及び銅の少なくともいずれかを含む。第1電極11に含まれる導電性ポリマーは、例えば、ポリアニリン及びその誘導体の少なくともいずれかを含んでも良い。導電性ポリマーは、例えば、ポリチオフェン及びその誘導体の少なくともいずれかを含んでも良い。第1電極11は、ITOの透明電極を含むことが好ましい。これにより、高い光透過率と高い導電率とが得られる。
第1電極11がITOを含む場合、第1電極11の厚さは、30nm以上300nm以下が好ましい。30nm以上の厚さにおいて、例えば、第1電極11の抵抗が低くなる。抵抗増加による変換効率の低下を抑制できる。300nm以下の厚さにおいて、第1電極11の可撓性が維持できる。第1電極11のクラックを抑制できる。
第1電極11は、例えば、単層である。第1電極11は、複数の膜を含んでも良い。複数の膜は、互いに積層される。この複数の膜において、例えば、仕事関数が互いに異なっても良い。
平坦化層34は、例えば、第1電極11と接する。平坦化層34は、例えば、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)とポリ(スチレンスルホン酸)との混合物(PEDOT:PSS)を含んでも良い。平坦化層34は、例えば、ポリチオフェン系ポリマーを含んでも良い。平坦化層34は、例えば、導電性インクを含む。
第2層60は、例えば、N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−N,N′−ジフェニルベンジジン(TPD)、及び、トリス(4−カルバゾイル−9−イルフェニル)アミン(TCTA)の少なくともいずれかを含む。実施形態において、第2層60の材料は、任意である。
光電変換層30は、例えば、ドナー材料とアクセプタ材料とを含んでも良い。このドナー材料は、クマリン、キナクリドン及びサブフタロシアニンの少なくともいずれかを含む。このアクセプタ材料は、例えば、フラーレン(C60)、ペリレン及びフタロシアニンの少なくともいずれかを含む。
第1層50は、上記の式(1)〜式(5)の化合物を含む。第1層50の厚さは、例えば、3nm以上10nm以下が好ましい。
第2電極12は、例えば、導電性の金属酸化物膜を含む。例えば、第2電極12は、例えば、インジウム、亜鉛及び錫の少なくともいずれかの酸化物を含む。第2電極12は、例えば、導電性の金属薄膜を含んでも良い。第2電極12は、例えば、アルミニウム、銀及び金の少なくともいずれかを含んでも良い。第2電極12は、化合物を含んでも良い。化合物は、インジウム、亜鉛及び錫の少なくともいずれかを含む酸化物を含む。第2電極12は、例えば、合金を含んでも良い。この合金は、例えば、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、及び、カルシウム−アルミニウム合金の少なくともいずれかを含んでも良い。第2電極12の材料は任意である。
第2電極12の厚さは、例えば、10nm以上150nm以下が好ましい。10nm以上の厚さにおいて、例えば、低い抵抗が得られる。150nm以下の厚さにおいて、第2電極12の成膜の時間が短い。成膜時における他の層へのダメージが抑えられる。
第2電極12は、例えば単層である。第2電極12は、複数の膜を含んでも良い。複数の膜は、互いに積層される。この複数の膜において、例えば、仕事関数が互いに異なっても良い。
以下、光電変換素子110の製造方法の例について説明する。
基体10sとなるガラス基板の上に、第1電極11としてITO等の透明導電膜を、スパッタリング法により形成する。第1電極11の形成には、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及び塗布法の少なくともいずれかが用いられる。
第1電極11の上に、平坦化層34となる、PEDOT:PSS等の導電性材料の膜を形成する。膜の形成は、例えば、スピンコート法等により行われる。その後、ホットプレート等で加熱乾燥する。これにより、平坦化層34が得られる。塗布される溶液は、予めフィルターでろ過されても良い。
平坦化層34の上に、第2層60として、例えばTPDの膜を、真空蒸着法により形成する。第2層60の膜の形成には、例えば、真空蒸着法、及び、塗布法の少なくともいずれかが用いられる。
第2層60の上に、光電変換層30となる、例えばサブフタロシアニンの膜を、真空蒸着法により形成する。光電変換層30となる膜の形成には、例えば、真空蒸着法、及び、塗布法の少なくともいずれかが用いられる。
光電変換層30の上に、第1層50を形成する。第1層50の形成には、例えば、真空蒸着法、及び、塗布法の少なくともいずれかが用いられる。
第1層50の上に、第2電極12となる、例えばアルミニウムの膜を、真空蒸着法により形成する。第2電極12の形成には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、及び塗布法の少なくともいずれかが用いられる。以上により、光電変換素子110が形成される。
図1に示した例では、基体10sと平坦化層34との間に第1電極11が配置されている。実施形態において、基体10sと第1層50との間に第2電極12が配置されても良い。
実施形態において、基体10sが省略されても良い。実施形態において、平坦化層34は省略されても良い。実施形態において、第2層60は省略されても良い。
実施形態において、第2電極12の材料は、第1電極11の材料と同じでも良く、異なっても良い。例えば、第1電極11がITOを含み、第2電極12がITOを含んでも良い。
例えば、実施形態において、第2電極12の仕事関数は、第1電極11の仕事関数よりも小さい。第2電極12は、例えば、アルミニウムである。
実施形態に係る光電変換素子110は、例えば、センサに用いられる。
例えば、有機積層CMOSイメージセンサがある。このセンサを作製する過程は、加熱プロセスを含む。有機光電変換素子の耐熱性は十分ではなく、加熱により特性(例えば変換効率など)が劣化し易い。有機光電変換素子の耐熱性を向上させることが望まれる。
実施形態においては、第1層50として、上記の式(1)で表される化合物が用いられる。これにより、光電変換素子において、高い耐熱性が得られる。そして、固体撮像素子において、高い耐熱性が得られる。
(第2の実施形態)
本実施形態は、撮像装置に係る。撮像装置は、例えば、固体撮像素子である。
図3は、第2の実施形態に係る撮像装置を例示する模式的断面図である。
図3に示すように、撮像装置210は、複数の画素領域80を含む。複数の画素領域80は、例えば、第1画素領域81及び第2画素領域82などを含む。第2画素領域82は、Z軸方向と交差する方向(この例ではX軸方向)において、第1画素領域81と並ぶ。
画素領域80の数は、例えば、4以上でも良い。複数の画素領域80は、例えば、X軸方向及びY軸方向に沿って並んでも良い。
撮像装置210は、支持基板13と、配線部14と、第1光電変換部15と、第2光電変換部16と、カラーフィルタ部17と、マイクロレンズ部18と、を含む。
マイクロレンズ部18は、支持基板13とZ軸方向において離間する。支持基板13とマイクロレンズ部18との間に、配線部14が設けられる。配線部14とマイクロレンズ部18との間に第1光電変換部15が設けられる。第1光電変換部15とマイクロレンズ部18との間に第2光電変換部16が設けられる。第2光電変換部16とマイクロレンズ部18との間にカラーフィルタ部17が設けられる。
撮像装置210において、マイクロレンズ部18が設けられている面が受光面85となる。受光面85に光L1が入射する。
支持基板13は、配線部14を支持する。支持基板13は、例えば、半導体基板が用いられる。半導体基板には、例えば、シリコン(Si)基板が用いられる。
配線部14は、支持基板13の受光面85の側に設けられている。この例では、配線部14と支持基板13との間に接着層19が設けられる。
配線部14は、例えば、絶縁層20と、多層配線21と、読み出しトランジスタ22と、を含む。
絶縁層20は、接着層19と第1光電変換部15との間に設けられている。この例では、絶縁層20は、例えば、接着層19及び第1光電変換部15と接する。絶縁層20は、例えば、酸化シリコン(SiO2)を含む。
多層配線21は、絶縁層20の内部に設けられる。例えば、複数の多層配線21が設けられる。複数の多層配線21の1つは、第1画素領域81に配置される。複数の多層配線21の別の1つは、第2画素領域82に配置される。
複数の読み出しトランジスタ22が設けられる。複数の読み出しトランジスタ22の1つは、第1画素領域81に配置される。複数の読み出しトランジスタ22の別の1つは、第2画素領域82に配置される。
複数の多層配線21の1つは、複数の読み出しトランジスタ22の1つと電気的に接続される。複数の多層配線21の別の1つは、複数の読み出しトランジスタ22の別の1つと電気的に接続される。
後述するように、複数のストレージダイオード26が設けられる。複数の多層配線21の1つは、複数のストレージダイオード26の1つと電気的に接続される。複数の多層配線21の別の1つは、複数のストレージダイオード26の別の1つと電気的に接続される。
複数の多層配線21のそれぞれは、周辺回路(図示しない)と電気的接続される。
多層配線21は、例えば、後述するフォトダイオード23、及び、後述するストレージダイオード26に蓄積された電荷を、電気信号として周辺回路(図示しない)に出力する。
多層配線21は、例えば、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、及び、タングステン(W)の少なくともいずれかを含む。多層配線21は、例えば、高融点金属を含んでも良い。多層配線21は、例えば、チタンシリサイド(TiSi)、モリブデンシリサイド(MoSi)及びタングステンシリサイド(WSi)の少なくともいずれかを含む。多層配線21は、例えば、高融点金属のシリサイドを含んでも良い。
読み出しトランジスタ22は、配線部14における第1光電変換部15の側の面に、設けられる。複数の読み出しトランジスタ22が設けられる。複数の読み出しトランジスタ22の1つは、第1画素領域81に設けられる。複数の読み出しトランジスタ22の別の1つは、第2画素領域82に設けられる。複数の読み出しトランジスタ22の1つは、例えば、複数のフォトダイオード23の1つに蓄積された電荷の移動を制御する。
第1光電変換部15は、例えば、配線部14及び第2光電変換部16と接する。第1光電変換部15は、ストレージダイオード26と、第1導電形半導体領域27と、第2導電形半導体領域28と、絶縁膜29と、コンタクトプラグ25と、光透過性絶縁層24と、を含む。
例えば、第1導電形はp形であり、第2導電形はn形である。この場合、第1導電形半導体領域27は、例えば、p形単結晶Si基板である。第2導電形半導体領域28は、例えば、n形不純物拡散領域である。実施形態において、第1導電形がn形であり、第2導電形がp形でも良い。
第1導電形半導体領域27及び第2導電形半導体領域28により、複数のフォトダイオード23が形成される。この例では、複数の第2導電形半導体領域28が設けられる。複数の第2導電形半導体領域28の1つと、第1導電形半導体領域27と、により、第1フォトダイオード23aが形成される。複数の第2導電形半導体領域28の別の1つと、第1導電形半導体領域27と、により、第2フォトダイオード23bが形成される。
複数のフォトダイオード23は、アレイ状に並ぶ。第1フォトダイオード23aは、第1画素領域81に設けられる。第2フォトダイオード23bは、第2画素領域82に設けられる。複数のフォトダイオード23のそれぞれは、後述する光電変換層30を透過した光を吸収して、光電変換する。複数のフォトダイオード23の1つに入射する光は、例えば、光の3原色のうちの1つである。
第1導電形半導体領域27と第2導電形半導体領域28との間には、PN接合面が形成さる。
第1導電形半導体領域27は、配線部14と光透過性絶縁層24との間に設けられる。第1導電形半導体領域27は、例えば、配線部14及び光透過性絶縁層24と接する。第1導電形半導体領域27は、例えば、p形不純物を含むSi等が用いられる。p形不純物は、例えば、ホウ素等を含む。p形不純物は、Siにドープされる。第2導電形半導体領域28は、第1導電形半導体領域27と接する。第2導電形半導体領域28は、例えば、n形不純物を含むSiが用いられる。n形不純物は、例えば、リン等を含む。n形不純物は、例えばSiにイオン注入される。
光透過性絶縁層24は、第1導電形半導体領域27と第2光電変換部16との間に設けられる。光透過性絶縁層24は、例えば、第1導電形半導体領域27及び第2光電変換部16と接する。光透過性絶縁層24は、第2光電変換部16を通過した光の少なくとも一部を透過させ、その光を第1光電変換部15に入射させる。光透過性絶縁層24は、後述する光電変換層30を第1導電形半導体領域27と電気的に絶縁する。光透過性絶縁層24は、例えば、SiO2などを含む。
ストレージダイオード26は、配線部14と第2光電変換部16との間に設けられる。コンタクトプラグ25は、ストレージダイオード26と第2光電変換部16との間に設けられる。絶縁膜29は、コンタクトプラグ25と第1導電形半導体領域27との間に設けられる。絶縁膜29は、例えば、窒化シリコン(SiN)膜を含む。
コンタクトプラグ25は、第1導電形半導体領域27内をZ軸方向に延びる。コンタクトプラグは、配線部14と第2光電変換部16との間を電気的に接続する。複数のコンタクトプラグ25が設けられる。複数のコンタクトプラグ25のそれぞれは、複数の画素領域80のそれぞれに対応して設けられる。複数のコンタクトプラグ25の間に1つのフォトダイオード23が設けられる。
コンタクトプラグ25は、後述する第1電極11(例えば、下部透明電極)と、ストレージダイオード26と、を電気的に接続する。コンタクトプラグ25を介して、例えば、第1電極11(下部透明電極)で集められた電荷が、ストレージダイオード26に移動する。コンタクトプラグ25は、例えば、Si等を含む。
ストレージダイオード26は、第1電極11(下部透明電極)で集められた電荷を一時的に蓄積する。フローティングディフュージョン(図示略)が、第1導電形半導体領域27内に設けられている。蓄積された電荷は、ストレージダイオード26からフローティングディフュージョン)へ送られ、電気信号に変換される。
第2光電変換部16は、第1光電変換部15とカラーフィルタ部17との間に設けられる。第2光電変換部16は、例えば、第1光電変換部15及びカラーフィルタ部17と接する。第2光電変換部16は、第1電極11(例えば、下部透明電極)と、平坦化層34と、第2層60(例えば、電子ブロック層)と、光電変換層30と、第1層50(例えば正孔ブロック層)と、第2電極12(例えば、上部透明電極)と、を含む。
第1電極11(下部透明電極)は、光透過性絶縁層24の受光面85の側の面に設けられる。複数の第1電極11が設けられている。複数の第1電極11のそれぞれは、複数の画素領域80のそれぞれに設けられる。1つの第1電極11の少なくとも一部は、複数のフォトダイオード23の1つと、Z軸方向において重なる。例えば、複数の第1電極11は、第1電極11a及び第1電極11bを含む。第1電極11aは、Z軸方向において第1フォトダイオード23aと重なる。第1電極11bは、Z軸方向において第2フォトダイオード23bと重なる。第1電極11aは、第1画素領域81に設けられる。第1電極11bは、第2画素領域82に設けられる。第1電極11(下部透明電極)は、例えば、ITO等の光透過性の導電材料を含む。
平坦化層34は、第1電極11と光電変換層30との間、及び、光透過性絶縁層24と光電変換層30との間に設けられる。平坦化層34は、例えば、第1電極11、光電変換層30及び光透過性絶縁層24と接する。平坦化層34は、例えば、第1電極11(下部透明電極)及び光透過性絶縁層24の表面の凹凸を平坦化する。
第2電極12(上部透明電極)は、光電変換層30の受光面85の側の面に設けられる。第2電極12は、複数のフォトダイオード23とZ軸方向において重なる。この例では、複数の画素領域80において、第2電極12は、連続している。第2電極12(上部透明電極)は、外部から供給されたバイアス電圧を光電変換層30へ印加する。
第2電極12(上部透明電極)によるバイアス電圧の印加により、光電変換層30において、光電変換層30に入射した光に応じて、電荷が発生する。発生した電荷は、複数の第1電極11(下部透明電極)のそれぞれに集められる。第2電極12(上部透明電極)は、例えば、ITO等の光透過性の導電材料を含む。
カラーフィルタ部17は、第2光電変換部16とマイクロレンズ部18との間に設けられる。カラーフィルタ部17は、例えば、第2光電変換部16及びマイクロレンズ部18と接する。カラーフィルタ部17は、保護膜41と、平坦化膜42と、複数のカラーフィルタ43と、を含む。複数のカラーフィルタは、例えば、第1カラーフィルタ43a及び第2カラーフィルタ43bを含む。
保護膜41は、第2電極12(上部透明電極)の受光面85の側の面に設けられる。保護膜41は、例えば、第2電極12と接する。保護膜41は、例えば、第1画素領域81及び第2画素領域82において、連続している。保護膜41は、例えば、絶縁性である。保護膜41は、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)を含む。
平坦化膜42は、保護膜41とマイクロレンズ部18との間に設けられる。平坦化膜42は、保護膜41及びマイクロレンズ部18と接する。平坦化膜42は、例えば、二酸化ケイ素等を含む。
第1カラーフィルタ43a及び第2カラーフィルタ43bは、平坦化膜42の内部に設けられる。第1カラーフィルタ43aの少なくとも一部は、Z軸方向において、第1電極11aと重なり、第1フォトダイオード23aと重なる。第2カラーフィルタ43bの少なくとも一部は、Z軸方向において、第1電極11bと重なり、第2フォトダイオード23bと重なる。第1カラーフィルタ43aは、特定の波長域の光を吸収し、その他の波長域の光を透過させる。第2カラーフィルタ43bは、特定の波長域の光を吸収し、その他の波長域の光を透過させる。第2カラーフィルタ43bが吸収する光の波長は、例えば、第1カラーフィルタ43aが吸収する光の波長とは、異なる。
例えば、第1カラーフィルタ43aは、青色光を吸収し、緑色光及び赤色光を透過させる。第2カラーフィルタ43bは、赤色光を吸収し、青色光及び緑色光を透過させる。実施形態において、第2カラーフィルタ43bが吸収する光の波長は、例えば、第1カラーフィルタ43aが吸収する光の波長と同じでも良い。
第1カラーフィルタ43a及び第2カラーフィルタ43bが吸収する光の波長域を適宜選択することで、光電変換層30に入射する光(光電変換層30に入射する光)の波長域が選択される。
マイクロレンズ部18は、カラーフィルタ部17の受光面85の側に設けられる。複数のマイクロレンズが設けられる。マイクロレンズ部18は、第1マイクロレンズ18a及び第2マイクロレンズ18bなどを含む。第1マイクロレンズ18aは、例えば、Z軸方向において、第1フォトダイオード23aと重なる。第2マイクロレンズ18bは、Z軸方向において、第2フォトダイオード23bと重なる。1つのマイクロレンズのX−Y平面内の形状は、例えば、実質的に円状である。マイクロレンズにより、入射する光L1が集光される。複数のマイクロレンズのそれぞれの光学中心は、例えば、複数のフォトダイオード23のそれぞれの受光面の中心に位置する。1つのマイクロレンズのX−Y平面内の面積は、例えば、複数のフォトダイオード23の1つの受光面の面積よりも大きい。
撮像装置210においては、上記の式(1)の化合物を含む第1層50が用いられる。これにより、例えば、耐熱性を向上できる撮像装置が得られる。
図3に例示した撮像装置210は、例えば、裏面照射型の光電変換素子である。実施形態において、撮像装置210は、表面照射型でもよい。
上記において、「光の3原色」は、例えば、「青色」、「緑色」及び「赤色」の3色である。青色光(青色の波長域の光)の波長域は、例えば400nm以上500nm以下である。緑色光(緑色の波長域の光)の波長域は、例えば500nm以上600nm以下である。赤色光(赤色の波長域の光)の波長域は、例えば600nm以上700nm以下である。
上記のように、撮像装置210は、第1の実施形態に係る任意の光電変換素子(例えば、光電変換素子110)及びその変形の光電変換層を含む。
例えば、光電変換素子は複数設けられる。例えば、第1光電変換素子110a及び第2光電変換素子110bなどが設けられる。第1光電変換素子110aは、例えば、第1電極11aと、第2電極12の一部と、光電変換層30の一部と、第1層50の一部と、を含む。第2光電変換素子110bは、例えば、第1電極11bと、第2電極12の一部と、光電変換層30の一部と、第1層50の一部と、を含む。
複数の光電変換素子の1つ(例えば、第1光電変換素子110a)の第2電極12は、複数の光電変換素子のその1つの第1電極11(例えば、第1電極11a)と、第1方向(Z軸方向)に沿って離間する。複数の光電変換素子の少なくとも一部は、第1方向と交差する第2方向(例えばX軸方向またはY軸方向など)に沿って並ぶ。
実施形態に係る撮像装置210においては、フォトダイオード23がさらに設けられる。上記のように、第2電極12は、第1電極11と第1方向(Z軸方向)に沿って離間している。フォトダイオード23は、第1方向において光電変換素子110と重なる。例えば、第1フォトダイオード23aは、第1方向において第1光電変換素子110aと重なる。例えば、第2フォトダイオード23bは、第1方向において第2光電変換素子110bと重なる。
図4及び図5は、第2の実施形態に係る撮像装置を含む装置を例示する斜視図である。 図4は、CMOSイメージセンサ311を示す。CMOSイメージセンサ311は、例えば、Full HD(1080p)タイプである。図5は、CMOSイメージセンサ312を示す。CMOSイメージセンサ312は、VGAタイプである。
CMOSイメージセンサ311及び312のそれぞれは、固体撮像素子211と、モールド樹脂311rと、を含む。固体撮像素子211は、実施形態に係る撮像装置(及びその変形)に対応する。
固体撮像素子211は、受光面85と、受光面85以外の部分と、を有する。モールド樹脂311rは、固体撮像素子211の受光面85以外の部分を覆う。固体撮像素子211とモールド樹脂311rとが一体化されている。例えば、固体撮像素子211は、外部からの、応力、湿気または汚染物質などから保護される。
CMOSイメージセンサ311及び312は、例えば、カメラの撮像部に用いられる。カメラは、例えば、デジタルカメラを含む。カメラは、例えば、監視カメラ、及び、インターネットを利用したウェブカメラ等を含む。カメラは、例えば、モバイル端末に搭載されても良い。モバイル端末は、例えば、携帯電話を含む。携帯電話は、例えば、スマートフォン(多機能携帯電話)を含む。モバイル端末は、例えば、パーソナルコンピュータを含む。
図6及び図7は、第2の実施形態に係る撮像装置を含む移動体を例示する平面図である。
図6は、カメラ331cを搭載した移動体331の例を示す。カメラ331cは、例えば、移動体331の前方端部に搭載される。カメラ331cは、移動体331の前方を撮像する。
図7は、カメラ331cを搭載した移動体332の例を示す。カメラ331cは、例えば、移動体332の後方端部に搭載される。カメラ331cは、移動体331の後方を撮像する。
カメラ331cには、例えば、上述したCMOSイメージセンサ311またはCMOSイメージセンサ312が用いられる。
移動体331及び移動体332は、例えば、車両である。移動体331及び移動体332は、飛行機、ヘリコプタまたは船などでも良い。
移動体331及び移動体332のそれぞれは、さらに、ディスプレイ331dを含む。ディスプレイ331dは、カメラ331cで撮像された画像を表示する。ディスプレイ331dは、例えば、移動体331及び移動体332それぞれの運転席の前方に設けられる。
カメラ331cが移動体331の前方端部に搭載される場合において、ユーザは、カメラ331cにより撮像された画像をディスプレイ331dで確認する。例えば、駐車の際に、ユーザから直接見えない領域が存在する。この例では、ユーザは、この領域をディスプレイ331dにより確認できる。
カメラ331cが移動体332の後方端部に搭載される場合において、ユーザは、カメラ331cにより撮像された画像をディスプレイ331dで確認する。この例では、ユーザは、後方を確認することができる。
図8及び図9は、第2の実施形態に係る撮像装置を含む装置を例示する平面図である。 図8は、電子装置351の例を示す。電子装置351は、例えば、スマートフォン(多機能携帯電話)である。図9は、他の電子装置352の例を示す。電子装置352は、例えば、タブレットコンピュータである。
電子装置351及び電子装置352のそれぞれは、カメラ331cと、ディスプレイパネル351tと、を含む。カメラ331cには、上述したCMOSイメージセンサ311またはCMOSイメージセンサ312が用いられる。ディスプレイパネル351tは、タッチ入力機能を有しても良い。ディスプレイパネル351tは、例えば、タッチパネル機能を有しても良い。
カメラ331cは、電子装置(電子装置351または電子装置352)は、例えば、前面の端部に設けられる。カメラ331cは、電子装置の前面側の像を撮像する。カメラ331cは、電子装置(電子装置351または電子装置352)は、例えば、裏面に設けられても良い。カメラ331cは、電子装置の裏面側の像を撮像しても良い。
ディスプレイパネル351tは、電子装置の、例えば前面中央に設けられる。ディスプレイパネル351tは、カメラ331cにより撮像された画像を表示する。
実施形態によれば、耐熱性を向上できる光電変換素子及び撮像装置が提供できる。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、光電変換素子に含まれる基体、電極、平坦化層、第1層、第2層及び光電変換層、並びに、撮像装置に含まれる配線部、第1光電変換部、第2光電変換部、カラーフィルタ部及びマイクロレンズ部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した光電変換素子及び撮像装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての光電変換素子及び撮像装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。