JP6866112B2 - 現像剤担持体及び現像装置 - Google Patents
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Description
本発明は電子写真画像形成装置に用いられる現像剤担持体及び該現像剤担持体を有する現像装置に関する。
電子写真装置で使用される現像剤担持体は、現像剤のチャージアップによる現像剤担持体への現像剤固着防止、現像剤のチャージアップに伴う現像剤担持体の表面から現像剤への摩擦帯電付与不良防止の観点から、例えば、１×１０３Ω・ｃｍ以下の低体積抵抗領域で用いられている。特許文献１は、導電性の軸芯体と、該軸芯体上に形成された、特定のカチオン構造を有する樹脂とアニオンとを含む導電層を備えた電子写真用部材を開示している。
本発明者らは、特許文献１に係る電子写真用部材について更に検討を重ねたところ、軸芯体と、導電層との密着性が不十分である場合があった。
そこで、本発明の一態様は、基体と導電層との密着性が向上してなる現像剤担持体を提供することに向けたものである。
そこで、本発明の一態様は、基体と導電層との密着性が向上してなる現像剤担持体を提供することに向けたものである。
本発明の一態様によれば、導電性の基体と、該基体に接触している導電性の樹脂層とを有する現像剤担持体であって、
該樹脂層は電子導電剤と、分子内に下記式（１）〜（７）で示される構造からなる群から選ばれる少なくとも１つの部分構造を有する樹脂と、アニオンと、を含んでいる現像剤担持体が提供される。
該樹脂層は電子導電剤と、分子内に下記式（１）〜（７）で示される構造からなる群から選ばれる少なくとも１つの部分構造を有する樹脂と、アニオンと、を含んでいる現像剤担持体が提供される。
式（１）〜（７）中、
Ｒ１０１、Ｒ２０１とＲ２０２、Ｒ３０１からＲ３０３、Ｒ４０１からＲ４０４、Ｒ５０１とＲ５０２、Ｒ６０１からＲ６０３、Ｒ７０１からＲ７０４は、それぞれ独立にＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、
Ｒ１０２、Ｒ２０３とＲ２０４、Ｒ３０４からＲ３０６、Ｒ４０５からＲ４０８、Ｒ５０３からＲ５０５、Ｒ６０４からＲ６０７、Ｒ７０５からＲ７１０は、それぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、
Ｒ３０７は炭素数１から１８のアルキル基を示し、
Ｘ５０１、Ｘ７０１、Ｘ７０２は、それぞれ独立に窒素原子またはメチン基を示し、
Ｘ６０１は、窒素カチオンまたは炭素原子を示し、
Ａ１０１、Ａ５０１およびＡ６０１は、それぞれ独立に下記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかを示し、Ｅ２０１およびＥ７０１は、それぞれ独立に下記構造式（ｅ）または（ｆ）を示す：
Ｒ１０１、Ｒ２０１とＲ２０２、Ｒ３０１からＲ３０３、Ｒ４０１からＲ４０４、Ｒ５０１とＲ５０２、Ｒ６０１からＲ６０３、Ｒ７０１からＲ７０４は、それぞれ独立にＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、
Ｒ１０２、Ｒ２０３とＲ２０４、Ｒ３０４からＲ３０６、Ｒ４０５からＲ４０８、Ｒ５０３からＲ５０５、Ｒ６０４からＲ６０７、Ｒ７０５からＲ７１０は、それぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、
Ｒ３０７は炭素数１から１８のアルキル基を示し、
Ｘ５０１、Ｘ７０１、Ｘ７０２は、それぞれ独立に窒素原子またはメチン基を示し、
Ｘ６０１は、窒素カチオンまたは炭素原子を示し、
Ａ１０１、Ａ５０１およびＡ６０１は、それぞれ独立に下記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかを示し、Ｅ２０１およびＥ７０１は、それぞれ独立に下記構造式（ｅ）または（ｆ）を示す：
式（ａ）〜（ｆ）中、Ｒ１〜Ｒ９はそれぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基を示し、ｎ１およびｎ２は、各々独立に、１または２を示し、Ｙ１とＹ２はメチレン基または酸素原子を表す。
また本発明の他の態様によれば、導電性の基体と、該基体に接触している樹脂層とを有する現像剤担持体であって、該樹脂層は、電子導電剤と、下記式（Ｉ１）〜（Ｉ７）で示される構造からなる群から選ばれる１つのカチオン構造とアニオンを有するイオン導電剤の少なくとも１種と、該イオン導電剤の１級または２級アミノ基と反応可能な官能基を有する化合物との反応物からなる樹脂とを含有する現像剤担持体が提供される。
式（Ｉ１）〜（Ｉ７）中、
Ｒ１０１、Ｒ２０１とＲ２０２、Ｒ３０１からＲ３０３、Ｒ４０１からＲ４０４、Ｒ５０１とＲ５０２、Ｒ６０１からＲ６０３、Ｒ７０１からＲ７０４は、それぞれ独立にＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、
Ｒ１０２、Ｒ２０３とＲ２０４、Ｒ３０４からＲ３０６、Ｒ４０５からＲ４０８、Ｒ５０３からＲ５０５、Ｒ６０４からＲ６０７、Ｒ７０５からＲ７１０は、それぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、
Ｒ３０７は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、
Ｘ５０１、Ｘ７０１、Ｘ７０２は、それぞれ独立に窒素原子またはメチン基を示し、
Ｘ６０１は、窒素カチオンまたは炭素原子を示し、
Ａ１０１、Ａ５０１、Ａ６０１は、それぞれ独立に下記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかを示し、
Ｅ２０１、Ｅ７０１は、それぞれ独立に下記構造式（ｅ）または（ｆ）を示す：
Ｒ１０１、Ｒ２０１とＲ２０２、Ｒ３０１からＲ３０３、Ｒ４０１からＲ４０４、Ｒ５０１とＲ５０２、Ｒ６０１からＲ６０３、Ｒ７０１からＲ７０４は、それぞれ独立にＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、
Ｒ１０２、Ｒ２０３とＲ２０４、Ｒ３０４からＲ３０６、Ｒ４０５からＲ４０８、Ｒ５０３からＲ５０５、Ｒ６０４からＲ６０７、Ｒ７０５からＲ７１０は、それぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、
Ｒ３０７は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、
Ｘ５０１、Ｘ７０１、Ｘ７０２は、それぞれ独立に窒素原子またはメチン基を示し、
Ｘ６０１は、窒素カチオンまたは炭素原子を示し、
Ａ１０１、Ａ５０１、Ａ６０１は、それぞれ独立に下記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかを示し、
Ｅ２０１、Ｅ７０１は、それぞれ独立に下記構造式（ｅ）または（ｆ）を示す：
式（ａ）〜（ｆ）中、Ｒ１〜Ｒ９はそれぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基を示し、ｎ１とｎ２は、各々独立に、１または２を示し、Ｙ１とＹ２はメチレン基または酸素原子を表す。
また本発明のさらに他の態様によれば、現像剤と、前記現像剤を収容するための容器と、該容器に収容された現像剤を担持搬送するための現像剤担持体を有している現像装置であって、該現像剤担持体が上記に記載の現像剤担持体であることを特徴とする現像装置が提供される。
本発明の一態様によれば、基体と樹脂層の密着性に優れた現像剤担持体を得ることができる。
また本発明の一態様によれば、高品位な電子写真画像を安定して形成することのできる現像装置を得ることができる。
また本発明の一態様によれば、高品位な電子写真画像を安定して形成することのできる現像装置を得ることができる。
本発明者らは、導電性の樹脂層に含まれる樹脂として、４級アンモニウム塩構造を有する樹脂を用いる際、４級アンモニウム塩構造中の窒素原子に特定の官能基を導入することによって、導電性の樹脂層と基体との密着性を向上させ得ることを見出した。
その理由を本発明者らは以下のように推測している。すなわち、アルミ素管など表面処理されていない基体の表面には、ＯＨやＨなどの表面官能基が存在している。その表面官能基と、樹脂層中の特定の官能基との間で水素結合が形成されるため、密着性が向上しているものと考えられる。この水素結合を強固にし、樹脂層と基体との密着性をより強くするためには、電気陰性度の高い元素と水素間の水素結合にする必要がある。
電気陰性度の高いアミノ窒素に結合する元素が水素原子である樹脂、および、アミノ窒素に結合する官能基が、−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＯＨである各樹脂の各々を含む樹脂層のアルミ素管に対する密着性について検討した。その結果、密着性は、アミノ窒素に水素原子が結合した樹脂を含む樹脂層が相対的に低く、その他の樹脂層の密着性はほぼ同程度であった。
すなわち、アミノ窒素に結合する元素が全てＨである樹脂を含む樹脂層に比較して、アミノ窒素に結合した官能基の少なくとも一つが−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨおよび−ＣＯＯＨからなる群から選択される何れかである樹脂を含む樹脂層は、基体との、密着性は向上する。そして、アミノ窒素に結合する、上記群から選択される何れかの官能基の数が増えるに従って、密着性はより一層向上する。すなわち、アミノ窒素に結合した官能基が全て上記群から選択される何れかの官能基である場合、基体に対する密着性は特に優れたものとなる。
その理由を本発明者らは以下のように推測している。すなわち、アルミ素管など表面処理されていない基体の表面には、ＯＨやＨなどの表面官能基が存在している。その表面官能基と、樹脂層中の特定の官能基との間で水素結合が形成されるため、密着性が向上しているものと考えられる。この水素結合を強固にし、樹脂層と基体との密着性をより強くするためには、電気陰性度の高い元素と水素間の水素結合にする必要がある。
電気陰性度の高いアミノ窒素に結合する元素が水素原子である樹脂、および、アミノ窒素に結合する官能基が、−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＯＨである各樹脂の各々を含む樹脂層のアルミ素管に対する密着性について検討した。その結果、密着性は、アミノ窒素に水素原子が結合した樹脂を含む樹脂層が相対的に低く、その他の樹脂層の密着性はほぼ同程度であった。
すなわち、アミノ窒素に結合する元素が全てＨである樹脂を含む樹脂層に比較して、アミノ窒素に結合した官能基の少なくとも一つが−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨおよび−ＣＯＯＨからなる群から選択される何れかである樹脂を含む樹脂層は、基体との、密着性は向上する。そして、アミノ窒素に結合する、上記群から選択される何れかの官能基の数が増えるに従って、密着性はより一層向上する。すなわち、アミノ窒素に結合した官能基が全て上記群から選択される何れかの官能基である場合、基体に対する密着性は特に優れたものとなる。
以下、本発明を詳細に説明する。
図１に、本発明の現像剤担持体の一例を示す概略断面図を示す。本発明に係る現像剤担持体１は、図１に示すように、導電性の基体３と、その外周に設けられた樹脂層２とからなることができる。樹脂層２は、本発明に係る樹脂を含む樹脂層である。また、樹脂層は２層以上配置した多層構成であってもよい。この場合、基体に接触している層が本発明に係る樹脂を含む層であれば、その他の層は本発明以外の導電性を有する樹脂層を用いてもよい。
図１に、本発明の現像剤担持体の一例を示す概略断面図を示す。本発明に係る現像剤担持体１は、図１に示すように、導電性の基体３と、その外周に設けられた樹脂層２とからなることができる。樹脂層２は、本発明に係る樹脂を含む樹脂層である。また、樹脂層は２層以上配置した多層構成であってもよい。この場合、基体に接触している層が本発明に係る樹脂を含む層であれば、その他の層は本発明以外の導電性を有する樹脂層を用いてもよい。
＜導電性の基体＞
導電性の基体としては、現像剤担持体の分野で公知の基体を用いることができ、その形状は、中空円筒状、中実円柱状及びベルト形状等から適宜選択できる。本発明は基体と樹脂層の官能基による相互作用により密着性を向上させているため、基体としては金属を含む材料が好ましく、表面に酸化被膜（不動態）を形成しやすいアルミニウム、鉄等の金属素管や金属棒がより好ましい。
導電性の基体としては、現像剤担持体の分野で公知の基体を用いることができ、その形状は、中空円筒状、中実円柱状及びベルト形状等から適宜選択できる。本発明は基体と樹脂層の官能基による相互作用により密着性を向上させているため、基体としては金属を含む材料が好ましく、表面に酸化被膜（不動態）を形成しやすいアルミニウム、鉄等の金属素管や金属棒がより好ましい。
＜樹脂層＞
本発明に係る樹脂層を構成する樹脂について説明する。本発明に係る樹脂は、分子内に下記式（１）〜（７）で示される構造からなる群から選ばれる少なくとも１つの部分構造を有している。
本発明に係る樹脂層を構成する樹脂について説明する。本発明に係る樹脂は、分子内に下記式（１）〜（７）で示される構造からなる群から選ばれる少なくとも１つの部分構造を有している。
（式１）
本発明に係る樹脂が含有する式（１）の構造を以下に示す。
本発明に係る樹脂が含有する式（１）の構造を以下に示す。
式（１）中、Ｒ１０１は、水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、
Ｒ１０２は、ＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、Ａ１０１は下記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかを示す。
Ｒ１０２は、ＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、Ａ１０１は下記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかを示す。
ここで、Ｒ１〜Ｒ７はそれぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基を示し、
ｎ１は１または２を示し、Ｙ１はメチレン基または酸素原子を示す。
ｎ１は１または２を示し、Ｙ１はメチレン基または酸素原子を示す。
式（１）で示される部分構造を有する樹脂を得るためには、原料としてのバインダー樹脂を、式（１）で示される部分構造を有するイオン導電剤と反応させて、４級アンモニウム塩構造が導入された樹脂を得ることが重要となる。ここで、バインダー樹脂と反応させる原料としてのイオン導電剤における反応部位は窒素原子である。そのため、Ｒ１０１は立体障害を抑え、イオン導電剤と原料としてのバインダー樹脂との反応性を阻害せず、かつ基体との密着性を向上させるため、水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨから選択される。さらに、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨは基体の表面官能基との相互作用が強くなるため、好ましい。またＲ１０２に関しても、原料としてのバインダー樹脂とイオン導電剤との反応性と導電性の観点から、炭素数２〜１６のアルキレン鎖〔ＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）〕または、繰り返し単位が１〜８までのエチレンオキサイド鎖〔（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）〕から選択される。この範囲であれば、原料としてのバインダー樹脂へのイオン導電剤の反応性を阻害することなく、また導電性に関しても十分得られる。
またＡ１０１で示される４級アンモニウムカチオン構造として、式（ａ）〜（ｄ）のいずれかの構造であり、Ｒ１〜Ｒ７がそれぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基で、ｎ１が１あるいは２、Ｙ１がメチレン基または酸素原子であれば、バインダー樹脂との反応を阻害することがなく、高導電性、かつバインダー樹脂との相溶性が得られる。Ａ１０１で示される４級アンモニウムカチオン構造は、樹脂が複数の式（１）で示される部分構造を有する場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
またＡ１０１で示される４級アンモニウムカチオン構造として、式（ａ）〜（ｄ）のいずれかの構造であり、Ｒ１〜Ｒ７がそれぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基で、ｎ１が１あるいは２、Ｙ１がメチレン基または酸素原子であれば、バインダー樹脂との反応を阻害することがなく、高導電性、かつバインダー樹脂との相溶性が得られる。Ａ１０１で示される４級アンモニウムカチオン構造は、樹脂が複数の式（１）で示される部分構造を有する場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
（式２）
本発明に係る樹脂が含有する式（２）の構造を以下に示す。
本発明に係る樹脂が含有する式（２）の構造を以下に示す。
式（２）中、Ｒ２０１とＲ２０２はそれぞれ独立に水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、Ｒ２０３とＲ２０４はそれぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、Ｅ２０１は下記構造式（ｅ）または（ｆ）を示す。
ここで、Ｒ８とＲ９はそれぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基を示す。
ｎ２は１または２を示し、Ｙ２はメチレン基または酸素原子を表す。
ｎ２は１または２を示し、Ｙ２はメチレン基または酸素原子を表す。
式（２）で示される部分構造を有する樹脂を得るためには、原料としてのバインダー樹脂を、式（２）で示される部分構造を有するイオン導電剤と反応させて、４級アンモニウム塩構造が導入された樹脂を得ることが重要となる。ここで、バインダー樹脂と反応させる原料としてのイオン導電剤における反応部位は式（１）と同様に窒素原子である。そのため、Ｒ２０１とＲ２０２は立体障害を抑え、イオン導電剤と原料としてのバインダー樹脂との反応性を阻害せず、かつ基体との密着性を向上させるため、水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨから選択される。さらに、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨは基体の表面官能基との相互作用が強くなるため、より好ましい。またＲ２０３とＲ２０４に関しても、原料としてのバインダー樹脂とイオン導電剤との反応性と導電性の観点から、炭素数２〜１６のアルキレン鎖または、繰り返し単位が１〜８までのエチレンオキサイド鎖から選択される。この範囲であれば、原料としてのバインダー樹脂へのイオン導電剤の反応性を阻害することなく、また導電性に関しても十分得られる。
またＥ２０１で示される４級アンモニウムカチオン構造として、式（ｅ）または（ｆ）の構造であり、Ｒ８とＲ９がそれぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基で、ｎ２が１あるいは２であり、Ｙ２がメチレン基または酸素原子であれば、バインダー樹脂との反応を阻害することがなく、高導電性、かつバインダー樹脂との相溶性が得られる。Ｅ２０１で示される４級アンモニウムカチオン構造は、樹脂が複数の式（２）で示される部分構造を有する場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
またＥ２０１で示される４級アンモニウムカチオン構造として、式（ｅ）または（ｆ）の構造であり、Ｒ８とＲ９がそれぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基で、ｎ２が１あるいは２であり、Ｙ２がメチレン基または酸素原子であれば、バインダー樹脂との反応を阻害することがなく、高導電性、かつバインダー樹脂との相溶性が得られる。Ｅ２０１で示される４級アンモニウムカチオン構造は、樹脂が複数の式（２）で示される部分構造を有する場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
（式３）
本発明に係る樹脂が含有する式（３）の構造を以下に示す。
本発明に係る樹脂が含有する式（３）の構造を以下に示す。
式（３）中、Ｒ３０１からＲ３０３はそれぞれ独立に水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、Ｒ３０４からＲ３０６はそれぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）、Ｒ３０７は炭素数１〜１８のアルキル基を示す。
式（３）で示される部分構造を有する樹脂を得るためには、原料としてのバインダー樹脂を、式（３）で示される部分構造を有するイオン導電剤と反応させて、４級アンモニウム塩構造が導入された樹脂を得ることが重要となる。ここで、バインダー樹脂と反応させる原料としてのイオン導電剤における反応部位は式（１）と同様に窒素原子である。そのため、Ｒ３０１からＲ３０３は立体障害を抑え、イオン導電剤と原料としてのバインダー樹脂との反応性を阻害せず、かつ基体との密着性を向上させるため、水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨから選択される。さらに、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨは基体の表面官能基との相互作用が強くなるため、好ましい。またＲ３０４からＲ３０６に関しても、原料としてのバインダー樹脂とイオン導電剤との反応性と導電性の観点から、炭素数２〜１６のアルキレン鎖または、繰り返し単位が１〜８までのエチレンオキサイド鎖から選択される。この範囲であれば、原料としてのバインダー樹脂へのイオン導電剤の反応性を阻害することなく、また導電性に関しても十分得られる。またＲ３０７が、バインダー樹脂とイオン導電剤との反応性と導電性の観点から、炭素数１〜１８のアルキル基から選択される。
（式４）
本発明に係る樹脂が含有する式（４）の構造を以下に示す。
本発明に係る樹脂が含有する式（４）の構造を以下に示す。
式（４）中、Ｒ４０１からＲ４０４はそれぞれ独立に水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、Ｒ４０５からＲ４０８はそれぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示す。
式（４）で示される部分構造を有する樹脂を得るためには、原料としてのバインダー樹脂を、式（４）で示される部分構造を有するイオン導電剤と反応させて、４級アンモニウム塩構造が導入された樹脂を得ることが重要となる。ここで、バインダー樹脂と反応させる原料としてのイオン導電剤における反応部位は式（１）と同様に窒素原子である。そのため、Ｒ４０１からＲ４０４は立体障害を抑え、イオン導電剤と原料としてのバインダー樹脂との反応性を阻害せず、かつ基体との密着性を向上させるため、水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨから選択される。さらに、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨは基体の表面官能基との相互作用が強くなるため、好ましい。またＲ４０５からＲ４０８に関しても、原料としてのバインダー樹脂とイオン導電剤との反応性と導電性の観点から、炭素数２〜１６のアルキレン鎖または、繰り返し単位が１〜８までのエチレンオキサイド鎖から選択される。この範囲であれば、原料としてのバインダー樹脂へのイオン導電剤の反応性を阻害することなく、また導電性に関しても十分得られる。
（式５）
本発明に係る樹脂が含有する式（５）の構造を以下に示す。
本発明に係る樹脂が含有する式（５）の構造を以下に示す。
式（５）中、Ｒ５０１とＲ５０２は、それぞれ独立に水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、Ｒ５０３からＲ５０５はそれぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、Ｘ５０１は窒素原子またはメチン基を示し、Ａ５０１は前記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかを示す。
式（５）で示される部分構造を有する樹脂を得るためには、原料としてのバインダー樹脂を、式（５）で示される部分構造イオン導電剤と反応させて、４級アンモニウム塩構造が導入された樹脂を得ることが重要となる。ここで、バインダー樹脂と反応させる原料としてのイオン導電剤における反応部位は式（１）と同様に窒素原子である。そのため、Ｒ５０１とＲ５０２は立体障害を抑え、イオン導電剤と原料としてのバインダー樹脂との反応性を阻害せず、かつ基体との密着性を向上させるため、水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨから選択される。さらに、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨは基体の表面官能基との相互作用が強くなるため、好ましい。またＲ５０３からＲ５０５に関しても、原料としてのバインダー樹脂とイオン導電剤との反応性と導電性の観点から、炭素数２〜１６のアルキレン鎖または、繰り返し単位が１〜８までのエチレンオキサイド鎖から選択される。この範囲であれば、原料としてのバインダー樹脂へのイオン導電剤の反応性を阻害することなく、また導電性に関しても十分得られる。Ｘ５０１は窒素原子またはメチン基であることで合成が容易である。
またＡ５０１で示される４級アンモニウムカチオン構造が、前記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかであるため、バインダー樹脂との反応を阻害することがなく、高導電性、かつバインダー樹脂との相溶性が得られる。
またＡ５０１で示される４級アンモニウムカチオン構造が、前記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかであるため、バインダー樹脂との反応を阻害することがなく、高導電性、かつバインダー樹脂との相溶性が得られる。
（式６）
本発明に係る樹脂が含有する式（６）の構造を以下に示す。
本発明に係る樹脂が含有する式（６）の構造を以下に示す。
式（６）中、Ｒ６０１からＲ６０３は、独立して水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、Ｒ６０４からＲ６０７はそれぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは１〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、Ｘ６０１は窒素カチオンまたは炭素原子を示し、Ａ６０１は前記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかを示す。
式（６）で示される部分構造を有する樹脂を得るためには、原料としてのバインダー樹脂を、式（６）で示される部分構造を有するイオン導電剤と反応させて、４級アンモニウム塩構造が導入されたバインダー樹脂を得ることが重要となる。ここで、バインダー樹脂と反応させる原料としてのイオン導電剤における反応部位は式（１）と同様に窒素原子である。そのため、Ｒ６０１からＲ６０３は立体障害を抑え、イオン導電剤と原料としてのバインダー樹脂との反応性を阻害せず、かつ基体との密着性を向上させるため、水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨから選択される。さらに、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨは基体の表面官能基との相互作用が強くなるため、好ましい。またＲ６０４からＲ６０７に関しても、原料としてのバインダー樹脂とイオン導電剤との反応性と導電性の観点から、炭素数２〜１６のアルキレン鎖または、繰り返し単位が１〜８までのエチレンオキサイド鎖から選択される。この範囲であれば、原料としてのバインダー樹脂へのイオン導電剤の反応性を阻害することなく、また導電性に関しても十分得られる。Ｘ６０１は窒素カチオンまたは炭素原子であることで合成が容易である。
またＡ６０１で示される４級アンモニウムカチオン構造が、前記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかであるため、バインダー樹脂との反応を阻害することがなく、高導電性、かつバインダー樹脂との相溶性が得られる。
またＡ６０１で示される４級アンモニウムカチオン構造が、前記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかであるため、バインダー樹脂との反応を阻害することがなく、高導電性、かつバインダー樹脂との相溶性が得られる。
（式７）
本発明に係る樹脂が含有する式（７）の構造を以下に示す。
本発明に係る樹脂が含有する式（７）の構造を以下に示す。
式（７）中、Ｒ７０１からＲ７０４は、独立して水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、Ｒ７０５からＲ７１０はそれぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、Ｘ７０１及びＸ７０２はそれぞれ窒素原子またはメチン基を示し、Ｅ７０１は前記構造式（ｅ）または（ｆ）を示す。
式（７）で示される部分構造を有する樹脂を得るためには、原料としてのバインダー樹脂を、式（７）で示される部分構造を有するイオン導電剤と反応させて、４級アンモニウム塩構造が導入された樹脂を得ることが重要となる。ここで、バインダー樹脂と反応させる原料としてのイオン導電剤における反応部位は式（１）と同様に窒素原子である。そのため、Ｒ７０１からＲ７０４は立体障害を抑え、イオン導電剤と原料としてのバインダー樹脂との反応性を阻害せず、かつ基体との密着性を向上させるため、水素原子、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨから選択される。さらに、ＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨは基体の表面官能基との相互作用が強くなるため、好ましい。またＲ７０５からＲ７１０に関しても、原料としてのバインダー樹脂とイオン導電剤との反応性と導電性の観点から、炭素数２〜１６のアルキレン鎖または、繰り返し単位が１〜８までのエチレンオキサイド鎖から選択される。この範囲であれば、原料としてのバインダー樹脂へのイオン導電剤の反応性を阻害することなく、また導電性に関しても十分得られる。Ｘ７０１及びＸ７０２は窒素原子またはメチン基であることで合成が容易である。
またＥ７０１で示される４級アンモニウムカチオン構造として、前記構造式（ｅ）または（ｆ）は、バインダー樹脂との反応を阻害することがなく、高導電性、かつバインダー樹脂との相溶性が得られる。Ｅ７０１で示される４級アンモニウムカチオン構造は、樹脂が複数の式（７）で示される部分構造を有する場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
またＥ７０１で示される４級アンモニウムカチオン構造として、前記構造式（ｅ）または（ｆ）は、バインダー樹脂との反応を阻害することがなく、高導電性、かつバインダー樹脂との相溶性が得られる。Ｅ７０１で示される４級アンモニウムカチオン構造は、樹脂が複数の式（７）で示される部分構造を有する場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
以下に、本発明で用いられる樹脂の原料としてのバインダー樹脂原料、イオン導電剤について説明する。
＜バインダー樹脂原料＞
本発明に係る樹脂は、上記の式（１）〜（７）で示される構造からなる群から選ばれる１つの部分構造とアニオンからなるイオン導電剤の少なくとも１種と、該イオン導電剤の１級または２級アミノ基と反応可能な官能基を有する化合物（バインダー樹脂原料）との反応物からなる。
アミノ基と反応可能な官能基を有する化合物は、当該官能基を有するモノマー化合物あるいは、当該官能基を末端等に有するプレポリマーが挙げられる。このような化合物としては、一般的にアミノ基との反応性が公知な官能基を有するものから選ばれる。具体的には、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、カルボン酸化合物、酸ハロゲン化物、酸無水物化合物、アルデヒド化合物、ケトン化合物、ハロゲン化物、α，β不飽和カルボニル化合物等が挙げられるが、これらに限られない。またアンモニア触媒レゾール型フェノール樹脂の様な、アミン化合物及びアルデヒド、求核試薬の３成分反応でＳｔｒｅｃｋｅｒ反応、Ｍａｎｎｉｃｈ反応、Ｂｅｔｔｉ反応等によってアミノ基と共有結合を形成する樹脂も挙げられる。
バインダー樹脂原料として好ましいものとしては、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、カルボン酸化合物、酸ハロゲン化物、ハロゲン化物及びこれらのプレポリマー、アンモニア触媒レゾール型フェノール樹脂である。より好ましいものとしては、イソシアネート基末端プレポリマー、エポキシ基末端プレポリマー、アンモニア触媒レゾール型フェノール樹脂である。これらのバインダー樹脂原料と１級または２級アミノ基を有するイオン導電剤と反応させた樹脂は、電子導電剤との混合が容易かつ化学的に安定であるためである。
以下に１級または２級アミノ基を有するイオン導電剤とそれぞれのバインダー樹脂原料と反応した結合部の構造を示す。すなわち、イオン導電剤由来の４級アンモニウムカチオン構造が導入された、本発明に係る樹脂は下記式（８）〜（１０）で示されるいずれかの構造を介して、上記の式（１）〜（７）のいずれかの部分構造と樹脂分子鎖とが結合している。
本発明に係る樹脂は、上記の式（１）〜（７）で示される構造からなる群から選ばれる１つの部分構造とアニオンからなるイオン導電剤の少なくとも１種と、該イオン導電剤の１級または２級アミノ基と反応可能な官能基を有する化合物（バインダー樹脂原料）との反応物からなる。
アミノ基と反応可能な官能基を有する化合物は、当該官能基を有するモノマー化合物あるいは、当該官能基を末端等に有するプレポリマーが挙げられる。このような化合物としては、一般的にアミノ基との反応性が公知な官能基を有するものから選ばれる。具体的には、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、カルボン酸化合物、酸ハロゲン化物、酸無水物化合物、アルデヒド化合物、ケトン化合物、ハロゲン化物、α，β不飽和カルボニル化合物等が挙げられるが、これらに限られない。またアンモニア触媒レゾール型フェノール樹脂の様な、アミン化合物及びアルデヒド、求核試薬の３成分反応でＳｔｒｅｃｋｅｒ反応、Ｍａｎｎｉｃｈ反応、Ｂｅｔｔｉ反応等によってアミノ基と共有結合を形成する樹脂も挙げられる。
バインダー樹脂原料として好ましいものとしては、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、カルボン酸化合物、酸ハロゲン化物、ハロゲン化物及びこれらのプレポリマー、アンモニア触媒レゾール型フェノール樹脂である。より好ましいものとしては、イソシアネート基末端プレポリマー、エポキシ基末端プレポリマー、アンモニア触媒レゾール型フェノール樹脂である。これらのバインダー樹脂原料と１級または２級アミノ基を有するイオン導電剤と反応させた樹脂は、電子導電剤との混合が容易かつ化学的に安定であるためである。
以下に１級または２級アミノ基を有するイオン導電剤とそれぞれのバインダー樹脂原料と反応した結合部の構造を示す。すなわち、イオン導電剤由来の４級アンモニウムカチオン構造が導入された、本発明に係る樹脂は下記式（８）〜（１０）で示されるいずれかの構造を介して、上記の式（１）〜（７）のいずれかの部分構造と樹脂分子鎖とが結合している。
ここで式（８）〜（１０）において、＊は式（１）〜（７）のいずれかの構造の結合部位、＊＊は樹脂分子鎖への結合部位を示す。式（１０）中のメチレン連結鎖はヒドロキシ基に対してベンゼン環のオルト位またはパラ位に結合する。なお、式（８）は後述するイオン導電剤が有するアミノ基とイソシアネート化合物が有するＮＣＯ基とが反応した構造であり、式（９）は後述するイオン導電剤が有するアミノ基とエポキシ化合物が有するエポキシ環の開環付加により形成された構造、式（１０）は後述するイオン導電剤が有するアミノ基とアンモニア触媒レゾール型フェノール樹脂が反応した構造である。
＜イオン導電剤＞
（カチオン）
本発明の原料としてのイオン導電剤は、バインダー樹脂と反応する１級または２級アミノ基と、４級アンモニウム基を有するイオン導電剤である。このイオン導電剤の代表的なカチオン構造を下記Ｉ１〜Ｉ７に示すが、本発明は例示されたカチオン構造を有するイオン導電剤を用いて製造された樹脂のみに限定されるものではない。
（カチオン）
本発明の原料としてのイオン導電剤は、バインダー樹脂と反応する１級または２級アミノ基と、４級アンモニウム基を有するイオン導電剤である。このイオン導電剤の代表的なカチオン構造を下記Ｉ１〜Ｉ７に示すが、本発明は例示されたカチオン構造を有するイオン導電剤を用いて製造された樹脂のみに限定されるものではない。
式（Ｉ１）〜（Ｉ７）において、各基は、式（１）〜（７）で説明した基と同一の意味を示す。
（アニオン）
本発明で使用するイオン導電剤のアニオン、すなわち、本発明に係る樹脂層に含まれるアニオンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンイオン、過塩素酸イオン、スルホン酸化合物イオン、リン酸化合物イオン、ホウ酸化合物イオン、パーフルオロスルホニルイミドイオン等が挙げられる。
上述のイオン種の中でも、パーフルオロスルホニルイミドイオンが好ましい。パーフルオロスルホニルイミドイオンは疎水性が高いため、一般的な親水性の高いイオンと比較し、本発明に係るバインダー樹脂原料との親和性が高くなりやすい。その結果、バインダー樹脂原料と均一に分散し反応し固定化されやすく、分散ムラの低減という点において好適である。
パーフルオロスルホニルイミドイオンとして、具体的には、ビス（フルオロスルホニル）イミド、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、シクロ−ヘキサフルオロプロパン−１，３−ビス（スルホニル）イミド等が挙げられるが、これらに限られない。
このような、カチオン及びアニオンの組み合わせからなるイオン導電剤は、１種を単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。２種以上を組み合わせる場合、同じアニオンを有するものを組み合わせることが好ましい。また、密着性の観点から、少なくとも１種は２級アミノ基を有するイオン導電剤を用いることが好ましく、１級アミノ基を有さないイオン導電剤を用いることがより好ましい。
本発明で使用するイオン導電剤のアニオン、すなわち、本発明に係る樹脂層に含まれるアニオンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンイオン、過塩素酸イオン、スルホン酸化合物イオン、リン酸化合物イオン、ホウ酸化合物イオン、パーフルオロスルホニルイミドイオン等が挙げられる。
上述のイオン種の中でも、パーフルオロスルホニルイミドイオンが好ましい。パーフルオロスルホニルイミドイオンは疎水性が高いため、一般的な親水性の高いイオンと比較し、本発明に係るバインダー樹脂原料との親和性が高くなりやすい。その結果、バインダー樹脂原料と均一に分散し反応し固定化されやすく、分散ムラの低減という点において好適である。
パーフルオロスルホニルイミドイオンとして、具体的には、ビス（フルオロスルホニル）イミド、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、シクロ−ヘキサフルオロプロパン−１，３−ビス（スルホニル）イミド等が挙げられるが、これらに限られない。
このような、カチオン及びアニオンの組み合わせからなるイオン導電剤は、１種を単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。２種以上を組み合わせる場合、同じアニオンを有するものを組み合わせることが好ましい。また、密着性の観点から、少なくとも１種は２級アミノ基を有するイオン導電剤を用いることが好ましく、１級アミノ基を有さないイオン導電剤を用いることがより好ましい。
（添加量）
イオン導電剤の添加量は適宜設定することができ、原料としてのバインダー樹脂原料１００質量部に対して、該イオン導電剤を０．５質量部以上２０質量部以下の割合で配合することが好ましい。配合量が０．５質量部以上の場合には、イオン導電剤添加による導電性の付与効果を容易に得ることができる。２０質量部以下の場合には、電気抵抗の環境依存性を低減させることができる。
イオン導電剤の添加量は適宜設定することができ、原料としてのバインダー樹脂原料１００質量部に対して、該イオン導電剤を０．５質量部以上２０質量部以下の割合で配合することが好ましい。配合量が０．５質量部以上の場合には、イオン導電剤添加による導電性の付与効果を容易に得ることができる。２０質量部以下の場合には、電気抵抗の環境依存性を低減させることができる。
（分析方法）
本発明に係る式（１）〜（７）のいずれかの部分構造が、樹脂中に導入されているか否かについては、以下の方法で確認できる。樹脂層を一部切り出し、ＩＲ（赤外分光）分析を行うことで部分構造の連結の有無を確認できる。また、樹脂層に対し、固体１３Ｃ−ＮＭＲ（核磁気共鳴）測定と、ＴＯＦ−ＭＳ（飛行時間型質量分析）測定を実施することで部分構造を確認できる。また、エタノール等の親水性溶剤を用い、ソックスレー抽出作業を１週間行い、得られた抽出残渣に対して、固体１３Ｃ−ＮＭＲ（核磁気共鳴）測定と、ＴＯＦ−ＭＳ（飛行時間型質量分析）測定を実施することで、アニオン種を確認できる。
本発明に係る式（１）〜（７）のいずれかの部分構造が、樹脂中に導入されているか否かについては、以下の方法で確認できる。樹脂層を一部切り出し、ＩＲ（赤外分光）分析を行うことで部分構造の連結の有無を確認できる。また、樹脂層に対し、固体１３Ｃ−ＮＭＲ（核磁気共鳴）測定と、ＴＯＦ−ＭＳ（飛行時間型質量分析）測定を実施することで部分構造を確認できる。また、エタノール等の親水性溶剤を用い、ソックスレー抽出作業を１週間行い、得られた抽出残渣に対して、固体１３Ｃ−ＮＭＲ（核磁気共鳴）測定と、ＴＯＦ−ＭＳ（飛行時間型質量分析）測定を実施することで、アニオン種を確認できる。
＜電子導電剤＞
本発明に係る樹脂層に含む電子導電剤としては、アルミニウム、銅、ニッケル、銀等の金属、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化モリブデン等の金属酸化物、結晶性グラファイト、各種カーボンファイバー、ファーネスブラック、ランプブラック、サーマルブラック、アセチレンブラック、チャネルブラック等の導電性粒子や、上記金属の繊維を挙げることができる。特に、分散性及び導電性に優れることから、カーボンブラック、グラファイトが好ましい。
本発明に係る樹脂層に含む電子導電剤としては、アルミニウム、銅、ニッケル、銀等の金属、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化モリブデン等の金属酸化物、結晶性グラファイト、各種カーボンファイバー、ファーネスブラック、ランプブラック、サーマルブラック、アセチレンブラック、チャネルブラック等の導電性粒子や、上記金属の繊維を挙げることができる。特に、分散性及び導電性に優れることから、カーボンブラック、グラファイトが好ましい。
＜その他材料＞
本発明においては、樹脂層表面の粗さを適切な値に制御し、且つ維持する目的で、凹凸付与粒子を添加しても良い。凹凸付与粒子としては、例えば次のものが挙げられる。ポリメチルメタクリレート、ポリエチルアクリレート、ポリブタジエン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等のビニル系重合体や共重合体、ベンゾグアナミン樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の樹脂粒子、アルミナ、酸化亜鉛、シリコーン、酸化チタン、酸化錫等の酸化物粒子、炭素粒子、導電処理を施した樹脂粒子等の導電性粒子、イミダゾール化合物等の有機化合物を粒子状化したもの。その他、凹凸付与粒子として用いる樹脂粒子の表面に、無機微粉末を付着させた、または固着させたものを用いてもよい。
本発明においては、樹脂層表面の粗さを適切な値に制御し、且つ維持する目的で、凹凸付与粒子を添加しても良い。凹凸付与粒子としては、例えば次のものが挙げられる。ポリメチルメタクリレート、ポリエチルアクリレート、ポリブタジエン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等のビニル系重合体や共重合体、ベンゾグアナミン樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の樹脂粒子、アルミナ、酸化亜鉛、シリコーン、酸化チタン、酸化錫等の酸化物粒子、炭素粒子、導電処理を施した樹脂粒子等の導電性粒子、イミダゾール化合物等の有機化合物を粒子状化したもの。その他、凹凸付与粒子として用いる樹脂粒子の表面に、無機微粉末を付着させた、または固着させたものを用いてもよい。
＜形成方法＞
樹脂層の形成方法としては、例えば、各成分を溶剤中に分散混合して塗料化し、前記基体上に塗工し、乾燥させることにより得る方法を挙げることができる。各成分の分散混合には、サンドミル、ペイントシェーカー、ダイノミル、パールミル等のビーズを利用した公知の分散装置、若しくはそれらを利用しないメディアレス分散が好適に利用可能である。また、塗工方法としては、ディッピング法、スプレー法、ロールコート法の如き公知の方法が適用可能である。
樹脂層の厚みは特に制限されるものではないが、３μｍ以上、２５μｍ以下が好ましく、４μｍ以上、２０μｍ以下が、電子導電剤の脱離が無く、均一な膜厚を得るためにより好ましい。
樹脂層の形成方法としては、例えば、各成分を溶剤中に分散混合して塗料化し、前記基体上に塗工し、乾燥させることにより得る方法を挙げることができる。各成分の分散混合には、サンドミル、ペイントシェーカー、ダイノミル、パールミル等のビーズを利用した公知の分散装置、若しくはそれらを利用しないメディアレス分散が好適に利用可能である。また、塗工方法としては、ディッピング法、スプレー法、ロールコート法の如き公知の方法が適用可能である。
樹脂層の厚みは特に制限されるものではないが、３μｍ以上、２５μｍ以下が好ましく、４μｍ以上、２０μｍ以下が、電子導電剤の脱離が無く、均一な膜厚を得るためにより好ましい。
〔現像装置〕
次に、本発明に係る現像装置について説明する。図２は、本発明に係る現像剤担持体を備えた現像装置の一例を示す概略断面図である。図２において、静電潜像を保持する静電潜像保持体、例えば、感光ドラム５は、矢印Ｂ方向に回転する。本発明に係る現像剤担持体１は、現像剤を収容するための容器（現像容器６）によって供給された磁性現像剤である一成分系現像剤を担持搬送する。現像剤担持体１が、矢印Ａ方向に回転することによって、現像剤担持体１と感光ドラム５とが対向している現像領域Ｃに現像剤を搬送される。図２に示すように、現像剤担持体１の中空円筒状の基体内には、現像剤を現像剤担持体１上に磁気的に吸引且つ保持するために、磁石が内接されているマグネットローラー７が配置されている。
次に、本発明に係る現像装置について説明する。図２は、本発明に係る現像剤担持体を備えた現像装置の一例を示す概略断面図である。図２において、静電潜像を保持する静電潜像保持体、例えば、感光ドラム５は、矢印Ｂ方向に回転する。本発明に係る現像剤担持体１は、現像剤を収容するための容器（現像容器６）によって供給された磁性現像剤である一成分系現像剤を担持搬送する。現像剤担持体１が、矢印Ａ方向に回転することによって、現像剤担持体１と感光ドラム５とが対向している現像領域Ｃに現像剤を搬送される。図２に示すように、現像剤担持体１の中空円筒状の基体内には、現像剤を現像剤担持体１上に磁気的に吸引且つ保持するために、磁石が内接されているマグネットローラー７が配置されている。
現像容器６中には、現像剤を攪拌するための攪拌翼８が設けられている。現像剤は、現像剤相互間及び現像剤担持体１の樹脂層２との摩擦により、感光ドラム５上の静電潜像を現像することが可能な摩擦帯電電荷を得る。図２の例では、現像領域Ｃに搬送される現像剤の層厚を規制するために、現像剤層厚規制部材としての強磁性金属製の磁性規制ブレード９が、現像剤担持体１の表面から５０〜５００μｍのギャップ幅を持って現像剤担持体１に対向するように配設されている。マグネットローラー７の磁極Ｎ１からの磁力線が磁性規制ブレード９に集中することにより、現像剤担持体１上に現像剤の薄層が形成される。磁性規制ブレード９に代えて非磁性ブレードを使用することもできる。
このようにして、現像剤担持体１上に形成される現像剤の薄層の厚みは、現像領域Ｃにおける現像剤担持体１と感光ドラム５との間の最小間隙よりも更に薄いものであることが好ましい。本発明に係る現像剤担持体は、上記のように、非接触型現像装置に組み込むのが特に有効である。現像領域Ｃにおいて、現像剤層の厚みが現像剤担持体１と感光ドラム５との間の最小間隙以上の厚みである現像装置、即ち、接触型現像装置にも本発明の現像剤担持体を適用することができる。説明の煩雑を避けるため、以下の説明では、上記したような非接触型現像装置を例にとって行う。
上記現像剤担持体１に担持された磁性現像剤を有する一成分系現像剤を飛翔させるため、上記現像剤担持体１には、バイアス手段としての現像バイアス電源１０により現像バイアス電圧が印加される。この現像バイアス電圧として直流電圧を使用するときに、静電潜像の画像部（現像剤が付着して可視化される領域）の電位と背景部の電位との間の値の電圧を現像剤担持体１に印加するのが好ましい。
図３は、本発明の、現像剤担持体を用いた現像装置における他の実施形態を示す模式断面図である。図３に示した現像装置では、現像剤担持体１上の現像剤の層厚を規制する現像剤層厚規制部材として、ウレタンゴム、シリコーンゴムの如きゴム弾性を有する材料、あるいはリン青銅、ステンレス鋼の如き金属弾性を有する材料の弾性板からなる弾性規制ブレード１１を使用している。そして、この弾性規制ブレード１１を現像剤担持体１の回転方向と逆方向の向きで圧接させている。この現像装置では、現像剤担持体１に対して、現像剤層を介して現像剤層厚規制部材を弾性的に圧接することによって、現像剤担持体上に現像剤の薄層を形成することから、現像剤担持体１上に、薄い現像剤層を形成することができる。図３の現像装置における他の基本的構成は、図２に示した現像装置と同じであり、同符号のものは同一の部材であることを示す。
本発明に係る現像装置は、電子写真画像形成装置本体に対して着脱自在に構成されてなるプロセスカートリッジとして、あるいは電子写真画像形成装置本体に直接組み込んで使用することができる。
本発明に係る現像装置は、電子写真画像形成装置本体に対して着脱自在に構成されてなるプロセスカートリッジとして、あるいは電子写真画像形成装置本体に直接組み込んで使用することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。なお、以下の合成例及び調製例において「部」及び「％」は特に断りがない限り質量基準を示す。
＜１．イオン導電剤の合成＞
（式（Ｉ１）のカチオン構造を有するイオン導電剤の合成）
（イオン導電剤１）
４級化剤であるＮ−（４−ブロモブチル）フタルイミド１０ｍｍｏｌをアセトン１０ｍｌに溶解し、室温で３級アミンとしてトリメチルアミン２８％水溶液１５ｍｍｏｌを加えた後、７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）１５ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌した後、室温まで冷却し濾過した。濾液中の溶媒を減圧留去した。得られた残留物のアニオンは、臭化物イオンである。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤１を得た。合成したイオン導電剤１の構造を表２に示す。
（式（Ｉ１）のカチオン構造を有するイオン導電剤の合成）
（イオン導電剤１）
４級化剤であるＮ−（４−ブロモブチル）フタルイミド１０ｍｍｏｌをアセトン１０ｍｌに溶解し、室温で３級アミンとしてトリメチルアミン２８％水溶液１５ｍｍｏｌを加えた後、７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）１５ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌した後、室温まで冷却し濾過した。濾液中の溶媒を減圧留去した。得られた残留物のアニオンは、臭化物イオンである。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤１を得た。合成したイオン導電剤１の構造を表２に示す。
（イオン導電剤２）
４級化剤である１，２−ジブロモエタン１５ｍｍｏｌをアセトニトリル１０ｍｌに溶解し、室温で３級アミンとしてトリメチルアミン１０ｍｍｏｌを加えた後、７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌ（ここで投入するアミンを以後第二のアミンと呼ぶ）を加えた後、７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。得られた残留物のアニオンは、臭化物イオンである。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム塩１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがＴＦＳＩであるイオン導電剤２を得た。合成したイオン導電剤２の構造を表２に示す。
４級化剤である１，２−ジブロモエタン１５ｍｍｏｌをアセトニトリル１０ｍｌに溶解し、室温で３級アミンとしてトリメチルアミン１０ｍｍｏｌを加えた後、７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌ（ここで投入するアミンを以後第二のアミンと呼ぶ）を加えた後、７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。得られた残留物のアニオンは、臭化物イオンである。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム塩１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがＴＦＳＩであるイオン導電剤２を得た。合成したイオン導電剤２の構造を表２に示す。
（イオン導電剤３〜１５）
４級化剤、３級アミン、第二のアミンを表１のものに変更したこと以外はイオン導電剤２と同様にして、イオン導電剤３〜１５を合成した。なお、イオン導電剤４はアニオン交換を行わず、イオン導電剤５はアニオン交換塩をシクロヘキサフルオロプロパン−１，３−ビス（スルホニル）イミドカリウム塩（ＣＨＦＳＩ Ｋ）に変更した。また、イオン導電剤１５はアニオン交換前に酸加水分解を実施した。合成したイオン導電剤３〜１５の構造を表２に示す。
４級化剤、３級アミン、第二のアミンを表１のものに変更したこと以外はイオン導電剤２と同様にして、イオン導電剤３〜１５を合成した。なお、イオン導電剤４はアニオン交換を行わず、イオン導電剤５はアニオン交換塩をシクロヘキサフルオロプロパン−１，３−ビス（スルホニル）イミドカリウム塩（ＣＨＦＳＩ Ｋ）に変更した。また、イオン導電剤１５はアニオン交換前に酸加水分解を実施した。合成したイオン導電剤３〜１５の構造を表２に示す。
（式（Ｉ２）のカチオン構造を有するイオン導電剤の合成）
（イオン導電剤１６）
アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、さらに２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。得られた残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、ビス（２−クロロエチル）アミン塩酸塩を加え、７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返し、得られた濃縮物をアセトニトリル１０ｍｌに溶解させた後、ヨードメタン２０ｍｍｏｌを添加し室温にて２４時間撹拌した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下、室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。得られた残留物のアニオンは、ヨウ素イオンである。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤１６を得た。合成したイオン導電剤１６の構造を表３に示す。
（イオン導電剤１６）
アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、さらに２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。得られた残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、ビス（２−クロロエチル）アミン塩酸塩を加え、７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返し、得られた濃縮物をアセトニトリル１０ｍｌに溶解させた後、ヨードメタン２０ｍｍｏｌを添加し室温にて２４時間撹拌した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下、室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。得られた残留物のアニオンは、ヨウ素イオンである。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤１６を得た。合成したイオン導電剤１６の構造を表３に示す。
（イオン導電剤１７）
ベンゼン１０ｍｌに溶解させた塩化チオニル溶液２０ｍｍｏｌに８−アミノ−１−オクタノール１０ｍｍｏｌを加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。得られた残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、８−クロロ−１−ｎ−オクタノール１０ｍｍｏｌを加え、７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。得られた残留物をベンゼン１０ｍｌに溶解させ、塩化チオニル１０ｍｍｏｌを加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。得られた濃縮物をアセトニトリル１０ｍｌに溶解させた後、ヨードメタン２０ｍｍｏｌを添加し室温にて２４時間撹拌した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。得られた残留物のアニオンは、ヨウ素イオンである。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤１６を得た。合成したイオン導電剤１７の構造を表３に示す。
ベンゼン１０ｍｌに溶解させた塩化チオニル溶液２０ｍｍｏｌに８−アミノ−１−オクタノール１０ｍｍｏｌを加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。得られた残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、８−クロロ−１−ｎ−オクタノール１０ｍｍｏｌを加え、７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。得られた残留物をベンゼン１０ｍｌに溶解させ、塩化チオニル１０ｍｍｏｌを加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。得られた濃縮物をアセトニトリル１０ｍｌに溶解させた後、ヨードメタン２０ｍｍｏｌを添加し室温にて２４時間撹拌した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。得られた残留物のアニオンは、ヨウ素イオンである。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤１６を得た。合成したイオン導電剤１７の構造を表３に示す。
（イオン導電剤１８）
イオン導電剤１６のヨードメタンを１−クロロオクタデカンに変更したこと以外は、イオン導電剤１６と同様にして、イオン導電剤１８を合成した。合成したイオン導電剤１８の構造を表３に示す。
イオン導電剤１６のヨードメタンを１−クロロオクタデカンに変更したこと以外は、イオン導電剤１６と同様にして、イオン導電剤１８を合成した。合成したイオン導電剤１８の構造を表３に示す。
（イオン導電剤１９）
アミンとしてモルホリン１０ｍｍｏｌをアセトン１０ｍｌに溶解した後、炭酸カリウムを加えた。その後四級化剤としてＮ−（４−ブロモブチル）フタルイミド２０ｍｍｏｌを加え２４時間加熱還流した。室温まで冷却した反応溶液にジクロロメタンを加え、分液し得られた有機層の溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）１５ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌し、室温まで冷却後濾過した。その濾液中の溶媒を減圧留去した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０ｗｔ％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤１９を得た。合成したイオン導電剤１９の構造を表３に示す。
アミンとしてモルホリン１０ｍｍｏｌをアセトン１０ｍｌに溶解した後、炭酸カリウムを加えた。その後四級化剤としてＮ−（４−ブロモブチル）フタルイミド２０ｍｍｏｌを加え２４時間加熱還流した。室温まで冷却した反応溶液にジクロロメタンを加え、分液し得られた有機層の溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）１５ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌し、室温まで冷却後濾過した。その濾液中の溶媒を減圧留去した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０ｗｔ％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤１９を得た。合成したイオン導電剤１９の構造を表３に示す。
（式（Ｉ３）のカチオン構造を有するイオン導電剤の合成）
（イオン導電剤２０）
トリス（３−アミノエチル）アミン１０ｍｍｏｌとピリジンをジエチルエーテル１０ｍｌに溶解させ、ジエチルエーテル５ｍｌに溶解させたクロロ蟻酸フェニル３０ｍｍｏｌを滴下し室温にて反応させた。水酸化ナトリウム水溶液を反応溶液に加え塩基性にした後、分液し得られた有機層の溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をアセトニトリル１０ｍｌに溶解させた後、ヨードメタン１０ｍｍｏｌを添加し室温にて２４時間撹拌した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下、室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤２０を得た。合成したイオン導電剤２０の構造を表４に示す。
（イオン導電剤２０）
トリス（３−アミノエチル）アミン１０ｍｍｏｌとピリジンをジエチルエーテル１０ｍｌに溶解させ、ジエチルエーテル５ｍｌに溶解させたクロロ蟻酸フェニル３０ｍｍｏｌを滴下し室温にて反応させた。水酸化ナトリウム水溶液を反応溶液に加え塩基性にした後、分液し得られた有機層の溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をアセトニトリル１０ｍｌに溶解させた後、ヨードメタン１０ｍｍｏｌを添加し室温にて２４時間撹拌した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下、室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤２０を得た。合成したイオン導電剤２０の構造を表４に示す。
（イオン導電剤２１）
フタルイミドカリウム３０ｍｍｏｌをジメチルホルムアミド２０ｍｌに溶解させた後、１，２−ビス（２−クロロエトキシ）エタン３０ｍｍｏｌを加え、加熱還流した。室温まで冷却した溶液にイオン交換水と酢酸エチルを加え分液した。得られた有機層中の溶媒を減圧留去し、四級化剤を得た。この四級化剤をアセトン２０ｍｌに溶解した後、ステアリルアミン１０ｍｍｏｌと炭酸カリウムを加え２４時間加熱還流した。得られた反応溶液を濾過し、濾液中の溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤２１を得た。合成したイオン導電剤２１の構造を表４に示す。
フタルイミドカリウム３０ｍｍｏｌをジメチルホルムアミド２０ｍｌに溶解させた後、１，２−ビス（２−クロロエトキシ）エタン３０ｍｍｏｌを加え、加熱還流した。室温まで冷却した溶液にイオン交換水と酢酸エチルを加え分液した。得られた有機層中の溶媒を減圧留去し、四級化剤を得た。この四級化剤をアセトン２０ｍｌに溶解した後、ステアリルアミン１０ｍｍｏｌと炭酸カリウムを加え２４時間加熱還流した。得られた反応溶液を濾過し、濾液中の溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤２１を得た。合成したイオン導電剤２１の構造を表４に示す。
（式（Ｉ４）のカチオン構造を有するイオン導電剤の合成）
（イオン導電剤２２）
トリス（３−アミノエチル）アミン１０ｍｍｏｌとピリジンをジエチルエーテル２０ｍｌに溶解させ、クロロ蟻酸フェニル３０ｍｍｏｌを滴下し、室温にて反応させた。水酸化ナトリウム水溶液を反応溶液に加え塩基性にした後、分液し得られた有機層の溶媒を減圧留去した。アセトン２０ｍｌに得られた濃縮物と予め別途合成したＮ−（１６−ブロモヘキサデカン）フタルイミド１０ｍｍｏｌを溶解し２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）１５ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌し、室温まで冷却後濾過した。得られた濾液中の有機溶媒を減圧留去した。得られた残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下、室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤２２を得た。合成したイオン導電剤２２の構造を表５に示す。
（イオン導電剤２２）
トリス（３−アミノエチル）アミン１０ｍｍｏｌとピリジンをジエチルエーテル２０ｍｌに溶解させ、クロロ蟻酸フェニル３０ｍｍｏｌを滴下し、室温にて反応させた。水酸化ナトリウム水溶液を反応溶液に加え塩基性にした後、分液し得られた有機層の溶媒を減圧留去した。アセトン２０ｍｌに得られた濃縮物と予め別途合成したＮ−（１６−ブロモヘキサデカン）フタルイミド１０ｍｍｏｌを溶解し２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）１５ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌し、室温まで冷却後濾過した。得られた濾液中の有機溶媒を減圧留去した。得られた残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下、室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤２２を得た。合成したイオン導電剤２２の構造を表５に示す。
（イオン導電剤２３）
１，２−ビス（２−アミノエトキシ）エタン１０ｍｍｏｌとピリジンをジエチルエーテル１０ｍｌに溶解させ、クロロ蟻酸フェニル１０ｍｍｏｌを滴下し室温にて反応させた。水酸化ナトリウム水溶液を反応溶液に加え塩基性にした後、分液し得られた有機層の溶媒を減圧留去し原料アミンを得た。
フタルイミドカリウム３０ｍｍｏｌをジメチルホルムアミド３０ｍｌに溶解させた後、１，２−ビス（２−クロロエトキシ）エタン３０ｍｍｏｌを加え、加熱還流した。室温まで冷却した溶液にイオン交換水と酢酸エチルを加え分液した。得られた有機層中の溶媒を減圧留去し、四級化剤を得た。
アセトン５０ｍｌに原料アミン１０ｍｍｏｌと四級化剤３０ｍｍｏｌを溶解し、炭酸カリウムを加え、２４時間加熱還流した。その後、濾過を行い濾液中から有機溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール３０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）４５ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌し、室温まで冷却後濾過した。得られた濾液中の有機溶媒を減圧留去した。得られた残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下、室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤２３を得た。合成したイオン導電剤２３の構造を表５に示す。
１，２−ビス（２−アミノエトキシ）エタン１０ｍｍｏｌとピリジンをジエチルエーテル１０ｍｌに溶解させ、クロロ蟻酸フェニル１０ｍｍｏｌを滴下し室温にて反応させた。水酸化ナトリウム水溶液を反応溶液に加え塩基性にした後、分液し得られた有機層の溶媒を減圧留去し原料アミンを得た。
フタルイミドカリウム３０ｍｍｏｌをジメチルホルムアミド３０ｍｌに溶解させた後、１，２−ビス（２−クロロエトキシ）エタン３０ｍｍｏｌを加え、加熱還流した。室温まで冷却した溶液にイオン交換水と酢酸エチルを加え分液した。得られた有機層中の溶媒を減圧留去し、四級化剤を得た。
アセトン５０ｍｌに原料アミン１０ｍｍｏｌと四級化剤３０ｍｍｏｌを溶解し、炭酸カリウムを加え、２４時間加熱還流した。その後、濾過を行い濾液中から有機溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール３０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）４５ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌し、室温まで冷却後濾過した。得られた濾液中の有機溶媒を減圧留去した。得られた残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下、室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤２３を得た。合成したイオン導電剤２３の構造を表５に示す。
（式（Ｉ５）のカチオン構造を有するイオン導電剤の合成）
（イオン導電剤２４）
エタノール２０ｍｌに四級化剤としてＮ−（２−ブロモエチル)フタルイミド１０ｍｍｏｌを溶解し、三級アミンとしてトリメチルアミン１０ｍｍｏｌを添加して２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）１５ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌した後、室温まで冷却し濾過した。濾液中の溶媒を減圧留去し残留物を得た。この残留物と三級化剤であるＮ−（２−ブロモエチル）フタルイミド２０ｍｍｏｌをアセトン３０ｍｌに溶解し、炭酸カリウムを加えた後７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール３０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）３０ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌した後、室温まで冷却し濾過した。濾液中の溶媒を減圧留去し残留物を得た。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤２４を得た。合成したイオン導電剤２４の構造を表７に示す。
（イオン導電剤２４）
エタノール２０ｍｌに四級化剤としてＮ−（２−ブロモエチル)フタルイミド１０ｍｍｏｌを溶解し、三級アミンとしてトリメチルアミン１０ｍｍｏｌを添加して２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール１０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）１５ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌した後、室温まで冷却し濾過した。濾液中の溶媒を減圧留去し残留物を得た。この残留物と三級化剤であるＮ−（２−ブロモエチル）フタルイミド２０ｍｍｏｌをアセトン３０ｍｌに溶解し、炭酸カリウムを加えた後７２時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、残留物をエタノール３０ｍｌに溶解し、ヒドラジン一水和物（純度７９％）３０ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌した後、室温まで冷却し濾過した。濾液中の溶媒を減圧留去し残留物を得た。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤２４を得た。合成したイオン導電剤２４の構造を表７に示す。
（イオン導電剤２５〜３３）
四級化剤、三級アミン、三級化剤を表６のものに変更したこと以外はイオン導電剤２４と同様にして、イオン導電剤２５〜３３を合成した。合成したイオン導電剤２５〜３３の構造を表７に示す。
四級化剤、三級アミン、三級化剤を表６のものに変更したこと以外はイオン導電剤２４と同様にして、イオン導電剤２５〜３３を合成した。合成したイオン導電剤２５〜３３の構造を表７に示す。
（式（Ｉ６）のカチオン構造を有するイオン導電剤の合成）
（イオン導電剤３４）
トリス（３−アミノエチル）アミン１０ｍｍｏｌとピリジンをジエチルエーテル２０ｍｌに溶解させ、クロロ蟻酸フェニル３０ｍｍｏｌを滴下し室温にて反応させた。水酸化ナトリウム水溶液を反応溶液に加え塩基性にした後、分液し得られた有機層の溶媒を減圧留去した。得られた残留物とクロロコリンクロリド１０ｍｍｏｌをエタノール２０ｍｌに溶解し、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、得られた残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤３４を得た。合成したイオン導電剤３４の構造を表９に示す。
（イオン導電剤３４）
トリス（３−アミノエチル）アミン１０ｍｍｏｌとピリジンをジエチルエーテル２０ｍｌに溶解させ、クロロ蟻酸フェニル３０ｍｍｏｌを滴下し室温にて反応させた。水酸化ナトリウム水溶液を反応溶液に加え塩基性にした後、分液し得られた有機層の溶媒を減圧留去した。得られた残留物とクロロコリンクロリド１０ｍｍｏｌをエタノール２０ｍｌに溶解し、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、得られた残留物をエタノール１０ｍｌに溶解して、パラジウム/炭素を添加し、水素ガス雰囲気下室温にて撹拌した。反応溶液を濾過後、溶媒を減圧留去した。その残留物に、アミノメタノール４０％水溶液３０ｍｍｏｌにクロロギ酸フルオレニルメチル （Ｆｍｏｃ−Ｃｌ）４０ｍｍｏｌ、ピリジンを加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流し、ピペリジン２０％ＤＭＦ溶液を加え、２４時間加熱還流した。その後溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した。
アニオン交換するために、得られた残留物をジクロロメタン５ｍｌに溶解させた後、アニオン交換塩としてリチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１０ｍｍｏｌを溶解させた水溶液を加え、２４時間攪拌した。得られた溶液を分液し、有機層を得た。この有機層を水にて２回洗浄分液後、ジクロロメタンを減圧留去し、アニオンがビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（ＴＦＳＩ）であるイオン導電剤３４を得た。合成したイオン導電剤３４の構造を表９に示す。
（イオン導電剤３５〜４３）
四級化剤、三級アミン、添加量を３０ｍｍｏｌに変更した三級化剤、添加量を２０ｍｍｏｌに変更したアニオン交換塩をそれぞれ表８に示す材料に変更し、イオン導電剤２４と同様にしてイオン導電剤３５〜４３を合成した。合成したイオン導電剤３５〜４３の構造を表９に示す。
四級化剤、三級アミン、添加量を３０ｍｍｏｌに変更した三級化剤、添加量を２０ｍｍｏｌに変更したアニオン交換塩をそれぞれ表８に示す材料に変更し、イオン導電剤２４と同様にしてイオン導電剤３５〜４３を合成した。合成したイオン導電剤３５〜４３の構造を表９に示す。
（式（Ｉ７）のカチオン構造を有するイオン導電剤の合成）
（イオン導電剤４４）
アミンとして１０ｍｍｏｌのイオン導電剤１６をエタノール３０ｍｌに溶解させ、ハロゲン化物としてＮ−（２−ブロモエチル）フタルイミド４０ｍｍｏｌと炭酸カリウムを加え２４時間加熱還流した。濾過後、濾液にヒドラジン一水和物（純度７９％）４０ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌した後、室温まで冷却し濾過した。濾液中の溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、減圧乾燥した。得られた残留物のアニオンは、ＴＦＳＩイオンである。合成したイオン導電剤４４の構造を表１１に示す。
（イオン導電剤４４）
アミンとして１０ｍｍｏｌのイオン導電剤１６をエタノール３０ｍｌに溶解させ、ハロゲン化物としてＮ−（２−ブロモエチル）フタルイミド４０ｍｍｏｌと炭酸カリウムを加え２４時間加熱還流した。濾過後、濾液にヒドラジン一水和物（純度７９％）４０ｍｍｏｌを加え４０℃にて４時間加熱撹拌した後、室温まで冷却し濾過した。濾液中の溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をジエチルエーテルにて洗浄し、上澄み液をデカンテーションにて除去した。この操作を３回繰り返した後、減圧乾燥した。得られた残留物のアニオンは、ＴＦＳＩイオンである。合成したイオン導電剤４４の構造を表１１に示す。
（イオン導電剤４５〜４７）
アミンとハロゲン化物を表１０に示す材料に変更した以外はイオン導電剤４４と同様にして、イオン導電剤４５〜４７を合成した。合成したイオン導電剤４５〜４７の構造を表１１に示す。
アミンとハロゲン化物を表１０に示す材料に変更した以外はイオン導電剤４４と同様にして、イオン導電剤４５〜４７を合成した。合成したイオン導電剤４５〜４７の構造を表１１に示す。
＜２．塗工液の調製＞
本発明で用いる塗工液の調製について説明する。
本発明で用いる塗工液の調製について説明する。
（塗工液１）
以下の材料を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズをメディア粒子として用いたサンドミルにて１時間分散し、塗工液１を得た。
以下の材料を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズをメディア粒子として用いたサンドミルにて１時間分散し、塗工液１を得た。
・バインダー樹脂：レゾール型フェノール樹脂（ＤＩＣ製、商品名：Ｊ−３２５）２０部
・カーボンブラック（東海カーボン製、商品名：トーカブラック＃５５００） １０部
・２−プロパノール（ＩＰＡ） ５０部
・イオン導電剤１ １部
・カーボンブラック（東海カーボン製、商品名：トーカブラック＃５５００） １０部
・２−プロパノール（ＩＰＡ） ５０部
・イオン導電剤１ １部
（塗工液２〜１７）
イオン導電剤の種類と部数を表１２に示す内容に変更したこと以外は塗工液１と同様にして、塗工液２〜１７を調製した。
イオン導電剤の種類と部数を表１２に示す内容に変更したこと以外は塗工液１と同様にして、塗工液２〜１７を調製した。
（塗工液１８）
窒素雰囲気下、反応容器中でポリメリックＭＤＩ（商品名：ミリオネートＭＲ２００、東ソー社製）２７部に対し、分子量１０００のポリテトラメチレングリコール（商品名：ＰＴＭＧ１０００、三菱化学社製）１００部を反応容器内の温度を６５℃に保持しつつ、徐々に滴下した。滴下終了後、温度６５℃で２時間反応させた。得られた反応混合物を室温まで冷却し、イソシアネート基含有量３．３１％のイソシアネート基末端プレポリマーを得た。
イソシアネート基末端プレポリマー６０．４部に対して、分子量３０００のポリプロピレングリコールにエチレンオキサイドを付加重合したポリエーテルジオール（商品名：アデカポリエーテルＰＲ−３００７、ＡＤＥＫＡ社製）３９．６部、及びイオン導電剤２ １部を撹拌混合した。その後、カーボンブラック（商品名：トーカブラック＃５５００、東海カーボン社製）１０部と、総固形分比が３０％となるように２−ブタノン（ＭＥＫ）を加え、直径１ｍｍのガラスビーズをメディア粒子として用いたサンドミルにて混合し、塗工液１８を得た。
窒素雰囲気下、反応容器中でポリメリックＭＤＩ（商品名：ミリオネートＭＲ２００、東ソー社製）２７部に対し、分子量１０００のポリテトラメチレングリコール（商品名：ＰＴＭＧ１０００、三菱化学社製）１００部を反応容器内の温度を６５℃に保持しつつ、徐々に滴下した。滴下終了後、温度６５℃で２時間反応させた。得られた反応混合物を室温まで冷却し、イソシアネート基含有量３．３１％のイソシアネート基末端プレポリマーを得た。
イソシアネート基末端プレポリマー６０．４部に対して、分子量３０００のポリプロピレングリコールにエチレンオキサイドを付加重合したポリエーテルジオール（商品名：アデカポリエーテルＰＲ−３００７、ＡＤＥＫＡ社製）３９．６部、及びイオン導電剤２ １部を撹拌混合した。その後、カーボンブラック（商品名：トーカブラック＃５５００、東海カーボン社製）１０部と、総固形分比が３０％となるように２−ブタノン（ＭＥＫ）を加え、直径１ｍｍのガラスビーズをメディア粒子として用いたサンドミルにて混合し、塗工液１８を得た。
（塗工液１９）
ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル（ナガセケムッテックス社製、商品名：デナコールＥＸ−８４１）５１．８部とポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル（ナガセケムッテックス社製、商品名：デナコールＥＸ−９３１）３７．１部とエチレングリコールビス（アミノエチル）エーテル（シグマアルドリッチ社製）１１．１部とイオン導電剤２ １部を撹拌混合した。その後、カーボンブラック（東海カーボン製、商品名：トーカブラック＃５５００）１０部と、総固形分比が３０％となるように２−プロパノール（ＩＰＡ）を加え、直径１ｍｍのガラスビーズをメディア粒子として用いたサンドミルにて混合し、塗工液１９を得た。
ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル（ナガセケムッテックス社製、商品名：デナコールＥＸ−８４１）５１．８部とポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル（ナガセケムッテックス社製、商品名：デナコールＥＸ−９３１）３７．１部とエチレングリコールビス（アミノエチル）エーテル（シグマアルドリッチ社製）１１．１部とイオン導電剤２ １部を撹拌混合した。その後、カーボンブラック（東海カーボン製、商品名：トーカブラック＃５５００）１０部と、総固形分比が３０％となるように２−プロパノール（ＩＰＡ）を加え、直径１ｍｍのガラスビーズをメディア粒子として用いたサンドミルにて混合し、塗工液１９を得た。
（塗工液２０〜５１）
イオン導電剤の種類と部数を表１３に示す内容に変更したこと以外は塗工液１と同様にして、塗工液２０〜５１を調製した。
イオン導電剤の種類と部数を表１３に示す内容に変更したこと以外は塗工液１と同様にして、塗工液２０〜５１を調製した。
〔実施例１〕
（現像剤担持体１の作製）
基体として上下端部にマスキングを施した外径１６.０ｍｍ、算術平均粗さＲａ０.２μｍの研削加工したアルミニウム製円筒管を準備した。この基体を垂直に立てて、一定速度で回転させ、塗工液１を吐出するようにセッティングしたスプレーガンを一定速度で下降させながら塗布した。続いて、熱風乾燥炉中で温度１５０℃、３０分間加熱して塗工液１を硬化して基体上に厚さ１２μｍの樹脂層を形成し、現像剤担持体１を作製した。なお、ＩＲ、ＮＭＲ、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより、樹脂層が本発明に係る部分構造を含むことを確認した。
なお、本実施例１は参考例を構成する。
（現像剤担持体１の作製）
基体として上下端部にマスキングを施した外径１６.０ｍｍ、算術平均粗さＲａ０.２μｍの研削加工したアルミニウム製円筒管を準備した。この基体を垂直に立てて、一定速度で回転させ、塗工液１を吐出するようにセッティングしたスプレーガンを一定速度で下降させながら塗布した。続いて、熱風乾燥炉中で温度１５０℃、３０分間加熱して塗工液１を硬化して基体上に厚さ１２μｍの樹脂層を形成し、現像剤担持体１を作製した。なお、ＩＲ、ＮＭＲ、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより、樹脂層が本発明に係る部分構造を含むことを確認した。
なお、本実施例１は参考例を構成する。
（クロスカット評価）
基体と樹脂層間の膜剥離を観察することで、密着性の評価を行った。現像剤担持体を温度４０℃、湿度９５％ＲＨの環境に３０日間静置した。その後、さらに温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境に２４時間静置した。静置後、同環境において、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−６に準拠し、１ｍｍクロスカット碁盤目に付着テープを貼り付けて剥離試験を行い、基体と樹脂層との密着性を下記の基準で評価した。評価結果を表１４に示す。
基体と樹脂層間の膜剥離を観察することで、密着性の評価を行った。現像剤担持体を温度４０℃、湿度９５％ＲＨの環境に３０日間静置した。その後、さらに温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境に２４時間静置した。静置後、同環境において、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−６に準拠し、１ｍｍクロスカット碁盤目に付着テープを貼り付けて剥離試験を行い、基体と樹脂層との密着性を下記の基準で評価した。評価結果を表１４に示す。
ランク０：カットの縁が完全に滑らかで、どの格子の目にもはがれがない。
ランク１：カットの交差点における塗膜の小さなはがれ。
クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に５％を上回ることはない。
ランク２：塗膜がカットの縁に沿って、及び／又は交差点においてはがれている。クロ
スカット部分で影響を受けるのは明確に５％を超えるが１５％を上回ること
はない。
ランク３：塗膜がカットの縁に沿って、部分的又は全面的に大はがれを生じており、及
び／又は目のいろいろな部分が、部分的又は全面的にはがれている。クロス
カット部分で影響を受けるのは、明確に１５％を超えるが３５％を上回るこ
とはない。
ランク４：塗膜がカットの縁に沿って、部分的又は全面的に大はがれを生じており、及
び／又は数か所の目が部分的又は全面的にはがれている。クロスカット部分
で影響を受けるのは、明確に３５％を上回ることはない。
ランク５：ランク４でも分類できないはがれ程度のいずれか。
ランク１：カットの交差点における塗膜の小さなはがれ。
クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に５％を上回ることはない。
ランク２：塗膜がカットの縁に沿って、及び／又は交差点においてはがれている。クロ
スカット部分で影響を受けるのは明確に５％を超えるが１５％を上回ること
はない。
ランク３：塗膜がカットの縁に沿って、部分的又は全面的に大はがれを生じており、及
び／又は目のいろいろな部分が、部分的又は全面的にはがれている。クロス
カット部分で影響を受けるのは、明確に１５％を超えるが３５％を上回るこ
とはない。
ランク４：塗膜がカットの縁に沿って、部分的又は全面的に大はがれを生じており、及
び／又は数か所の目が部分的又は全面的にはがれている。クロスカット部分
で影響を受けるのは、明確に３５％を上回ることはない。
ランク５：ランク４でも分類できないはがれ程度のいずれか。
（耐久はがれ試験）
さらに、実機においてはがれが生じているかを確認するため、耐久試験（以降、「耐久はがれ試験」）を実施した。
レーザービームプリンタ：ＬａｓｅｒＪｅｔＰ３０１５ｎ（装置名、Ｈｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ製）とその純正カートリッジを用意した。現像剤担持体１をカートリッジに装着可能なようにマグネット及びフランジを取り付けて、このカートリッジに装着した。１枚／５秒の間欠モードで印字比率が１％の文字パターンにて純正の現像剤を補給しながら６万枚の耐久印字を行い、耐久後に樹脂層にはがれが生じているか確認した。判別基準は下記の通りである。なお、このカートリッジは図３に示したような弾性規制ブレードを現像装置内に有する構成である。評価結果を表１４に示す。
さらに、実機においてはがれが生じているかを確認するため、耐久試験（以降、「耐久はがれ試験」）を実施した。
レーザービームプリンタ：ＬａｓｅｒＪｅｔＰ３０１５ｎ（装置名、Ｈｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ製）とその純正カートリッジを用意した。現像剤担持体１をカートリッジに装着可能なようにマグネット及びフランジを取り付けて、このカートリッジに装着した。１枚／５秒の間欠モードで印字比率が１％の文字パターンにて純正の現像剤を補給しながら６万枚の耐久印字を行い、耐久後に樹脂層にはがれが生じているか確認した。判別基準は下記の通りである。なお、このカートリッジは図３に示したような弾性規制ブレードを現像装置内に有する構成である。評価結果を表１４に示す。
ランクＡ：はがれが全くない
ランクＢ：はがれがごく一部にある。はがれが生じた箇所が全体の５％を上回らない。
ランクＣ：はがれが一部にある。はがれが生じた箇所が全体の５％を超えるが１５％を
上回らない。
ランクＤ：はがれが全面にある。はがれが生じた箇所が全体の１５％を上回る。
ランクＢ：はがれがごく一部にある。はがれが生じた箇所が全体の５％を上回らない。
ランクＣ：はがれが一部にある。はがれが生じた箇所が全体の５％を超えるが１５％を
上回らない。
ランクＤ：はがれが全面にある。はがれが生じた箇所が全体の１５％を上回る。
〔実施例２〜５１〕
塗工液２〜５１を使用した以外は現像剤担持体１と同様にして、現像剤担持体２〜５１を作製した。
現像剤担持体２〜５１のクロスカット評価と耐久はがれ試験の結果を表１４に示す。
塗工液２〜５１を使用した以外は現像剤担持体１と同様にして、現像剤担持体２〜５１を作製した。
現像剤担持体２〜５１のクロスカット評価と耐久はがれ試験の結果を表１４に示す。
〔比較例１〕
（イオン導電剤 比較１の合成）
４級化剤、３級アミン、第二のアミンをそれぞれ１，８−ジブロモオクタン、トリメチルアミン、メチルアミンにした以外はイオン導電剤２と同様にして、イオン導電剤 比較１を合成した。合成されたイオン導電剤 比較１の構造は下記式（１１）で示されるものであり、式（Ｉ１）のＲ１０１に相当する置換基がメチル基となるものである。
（イオン導電剤 比較１の合成）
４級化剤、３級アミン、第二のアミンをそれぞれ１，８−ジブロモオクタン、トリメチルアミン、メチルアミンにした以外はイオン導電剤２と同様にして、イオン導電剤 比較１を合成した。合成されたイオン導電剤 比較１の構造は下記式（１１）で示されるものであり、式（Ｉ１）のＲ１０１に相当する置換基がメチル基となるものである。
（塗工液 比較１の調製）
イオン導電剤をイオン導電剤 比較１に変更したこと以外は塗工液１と同様にして、塗工液 比較１を調製した。
イオン導電剤をイオン導電剤 比較１に変更したこと以外は塗工液１と同様にして、塗工液 比較１を調製した。
（現像剤担持体 比較１の作製）
塗工液 比較１を使用したこと以外は現像剤担持体１と同様にして、現像剤担持体 比較１を作製した。
現像剤担持体 比較１のクロスカット評価と耐久試験の結果を表１４に示す。
塗工液 比較１を使用したこと以外は現像剤担持体１と同様にして、現像剤担持体 比較１を作製した。
現像剤担持体 比較１のクロスカット評価と耐久試験の結果を表１４に示す。
〔比較例２〕
イオン導電剤をイオン導電剤 比較１に変更したこと以外は塗工液１８と同様にして、塗工液 比較２を調製した。その後、塗工液 比較２を使用したこと以外は現像剤担持体１と同様にして、現像剤担持体 比較２を作製した。
現像剤担持体 比較２のクロスカット評価と耐久試験の結果を表１４に示す。
イオン導電剤をイオン導電剤 比較１に変更したこと以外は塗工液１８と同様にして、塗工液 比較２を調製した。その後、塗工液 比較２を使用したこと以外は現像剤担持体１と同様にして、現像剤担持体 比較２を作製した。
現像剤担持体 比較２のクロスカット評価と耐久試験の結果を表１４に示す。
〔比較例３〕
イオン導電剤をイオン導電剤 比較１に変更したこと以外は塗工液１９と同様にして、塗工液 比較３を調製した。その後、塗工液 比較３を使用したこと以外は現像剤担持体１と同様にして、現像剤担持体 比較３を作製した。
現像剤担持体 比較３のクロスカット評価と耐久試験の結果を表１４に示す。
イオン導電剤をイオン導電剤 比較１に変更したこと以外は塗工液１９と同様にして、塗工液 比較３を調製した。その後、塗工液 比較３を使用したこと以外は現像剤担持体１と同様にして、現像剤担持体 比較３を作製した。
現像剤担持体 比較３のクロスカット評価と耐久試験の結果を表１４に示す。
〔比較例４〕
（塗工液 比較４の調製）
イオン導電剤を下記に示す式（１２）に変更したこと以外は、塗工液１と同様にして、塗工液 比較４を調製した。
（塗工液 比較４の調製）
イオン導電剤を下記に示す式（１２）に変更したこと以外は、塗工液１と同様にして、塗工液 比較４を調製した。
（現像剤担持体 比較４の作製）
塗工液 比較４を使用したこと以外は現像剤担持体１と同様にして、現像剤担持体 比較４を作製した。
現像剤担持体 比較４のクロスカット評価と耐久試験の結果を表１４に示す。
塗工液 比較４を使用したこと以外は現像剤担持体１と同様にして、現像剤担持体 比較４を作製した。
現像剤担持体 比較４のクロスカット評価と耐久試験の結果を表１４に示す。
実施例１〜５１は、クロスカット、耐久はがれともに良好な結果が得られた。一方、比較例１〜３は、樹脂層中の官能基がメチルになっているため、樹脂層と基体の密着性が不十分となり、クロスカット、耐久剥がれともに実施例１〜５１より悪い結果になった。比較例４は、樹脂層に固定化できないイオン導電剤を用いているため、樹脂層と基体の密着性が不十分となり、クロスカット、耐久剥がれともに実施例１〜５１より悪い結果になった。
１ 現像剤担持体
２ 樹脂層
３ 基体
４ 導電粒子
５ 感光ドラム
６ 現像容器
７ マグネットローラー
８ 攪拌翼
９ 磁性規制ブレード
１０ 現像バイアス電源
１１ 弾性規制ブレード
Ａ 現像剤担持体の回転方向
Ｂ 感光ドラムの回転方向
Ｃ 現像領域
２ 樹脂層
３ 基体
４ 導電粒子
５ 感光ドラム
６ 現像容器
７ マグネットローラー
８ 攪拌翼
９ 磁性規制ブレード
１０ 現像バイアス電源
１１ 弾性規制ブレード
Ａ 現像剤担持体の回転方向
Ｂ 感光ドラムの回転方向
Ｃ 現像領域
Claims (9)
- 導電性の基体と、該基体に接触している樹脂層とを有する現像剤担持体であって、
該樹脂層は、
電子導電剤と、
分子内に下記式（１）〜（７）で示される構造からなる群から選ばれる少なくとも１つの部分構造を有する樹脂と、
アニオンと、を含んでいることを特徴とする現像剤担持体：
Ｒ１０１、Ｒ２０１とＲ２０２、Ｒ３０１からＲ３０３、Ｒ４０１からＲ４０４、Ｒ５０１とＲ５０２、Ｒ６０１からＲ６０３、Ｒ７０１からＲ７０４は、それぞれ独立にＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、
Ｒ１０２、Ｒ２０３とＲ２０４、Ｒ３０４からＲ３０６、Ｒ４０５からＲ４０８、Ｒ５０３からＲ５０５、Ｒ６０４からＲ６０７、Ｒ７０５からＲ７１０は、それぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、
Ｒ３０７は炭素数１から１８のアルキル基を示し、
Ｘ５０１、Ｘ７０１、Ｘ７０２は、それぞれ独立に窒素原子またはメチン基を示し、
Ｘ６０１は、窒素カチオンまたは炭素原子を示し、
Ａ１０１、Ａ５０１およびＡ６０１は、それぞれ独立に下記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかを示し、Ｅ２０１およびＥ７０１は、それぞれ独立に下記構造式（ｅ）または（ｆ）を示す：
- 前記式（１）〜（７）のいずれかで示される部分構造が下記式（８）〜（１０）のいずれかで示される構造を介して樹脂分子鎖に結合している請求項１に記載の現像剤担持体：
- 前記樹脂層が、前記アニオンとして、パーフルオロスルホニルイミドイオンを含む請求項１または２に記載の現像剤担持体。
- 導電性の基体と、該基体に接触している樹脂層とを有する現像剤担持体であって、
該樹脂層は、
電子導電剤と、
下記式（Ｉ１）〜（Ｉ７）で示される構造からなる群から選ばれる１つのカチオン構造とアニオンを有するイオン導電剤の少なくとも１種と、
該イオン導電剤の１級または２級アミノ基と反応可能な官能基を有する化合物との反応物からなる樹脂とを含有する現像剤担持体：
Ｒ１０１、Ｒ２０１とＲ２０２、Ｒ３０１からＲ３０３、Ｒ４０１からＲ４０４、Ｒ５０１とＲ５０２、Ｒ６０１からＲ６０３、Ｒ７０１からＲ７０４は、それぞれ独立にＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ４ＯＨ、ＣＯＯＨを示し、
Ｒ１０２、Ｒ２０３とＲ２０４、Ｒ３０４からＲ３０６、Ｒ４０５からＲ４０８、Ｒ５０３からＲ５０５、Ｒ６０４からＲ６０７、Ｒ７０５からＲ７１０は、それぞれ独立にＣｍＨ２ｍ（ｍは、２〜１６の整数）または、（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｌＣ２Ｈ４（ｌは、１〜８の整数）を示し、
Ｒ３０７は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、
Ｘ５０１、Ｘ７０１、Ｘ７０２は、それぞれ独立に窒素原子またはメチン基を示し、
Ｘ６０１は、窒素カチオンまたは炭素原子を示し、
Ａ１０１、Ａ５０１、Ａ６０１は、それぞれ独立に下記構造式（ａ）〜（ｄ）のいずれかを示し、
Ｅ２０１、Ｅ７０１は、それぞれ独立に下記構造式（ｅ）または（ｆ）を示す：
- 前記アミノ基と反応可能な化合物が、レゾール型フェノール樹脂、エポキシ化合物、イソシアネート化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物である請求項４に記載の現像剤担持体。
- 前記導電性の基体は、表面に金属を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の現像剤担持体。
- 前記導電性の基体が、アルミニウムまたは鉄を含む請求項６に記載の現像剤担持体。
- 現像剤と、前記現像剤を収容するための容器と、該容器に収容された現像剤を担持搬送するための現像剤担持体を有している現像装置であって、該現像剤担持体が請求項１〜７のいずれか１項に記載の現像剤担持体であることを特徴とする現像装置。
- 前記現像剤担持体は、前記導電性の基体が中空円筒状であり、該中空円筒状の基体内に磁石を有する、請求項８に記載の現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016213698A JP6866112B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 現像剤担持体及び現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016213698A JP6866112B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 現像剤担持体及び現像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018072635A JP2018072635A (ja) | 2018-05-10 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016213698A Active JP6866112B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 現像剤担持体及び現像装置 |
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|---|---|---|---|---|
| EP3714017A2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-09-30 | Nitto Denko Corporation | Basic ionic liquids compositions and elements including the same |
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- 2016-10-31 JP JP2016213698A patent/JP6866112B2/ja active Active
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