JP6861522B2 - 多結晶iii族窒化物ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
多結晶のIII族窒化物で構成され、前記III族窒化物の理論密度に対する相対密度が、98%以上である多結晶III族窒化物ターゲット
が提供される。
下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上の直上に、ハイドライド気相堆積により多結晶III族窒化物を成長させる工程と、
を有する多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法
が提供される。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
多結晶のIII族窒化物で構成され、前記III族窒化物の理論密度に対する相対密度が、好ましくは98%以上、より好ましくは99%以上である多結晶III族窒化物ターゲット。
前記多結晶は、一体的に成長された多結晶である付記1に記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
前記多結晶は、ハイドライド気相成長で成長された多結晶である付記1または2に記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
前記多結晶は、柱状組織を有する付記1〜3のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
前記柱状組織の有する柱状結晶粒の長さは、前記多結晶III族窒化物ターゲットの厚さの70%以上である付記4に記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
前記柱状組織の有する柱状結晶粒は、前記多結晶III族窒化物ターゲットの一方の主面から他方の主面まで貫通している付記4または5に記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
前記多結晶は、配向率が、好ましくは40%以上であり、より好ましくは45%以上である結晶方位を有する付記1〜6のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
前記多結晶は、X線回折の2θ/θ測定で得られるピーク強度が最も高い結晶方位として、[11−20]方位を有する付記1〜6のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
前記多結晶は、[11−20]方位の配向率が、好ましくは20%以上であり、より好ましくは80%以上である付記1〜6のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
前記多結晶は、X線回折の2θ/θ測定で得られるピーク強度が最も高い結晶方位として、[0002]方位を有する付記1〜6のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
前記多結晶は、[0002]方位の配向率が、好ましくは20%以上であり、より好ましくは40%以上であり、さらに好ましくは60%以上である付記1〜6のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
算術平均表面粗さRaが5μm以下のターゲット面を有する付記1〜11のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
厚さが、好ましくは1mm以上であり、より好ましくは2mm以上である付記1〜12のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
前記多結晶は、導電型決定不純物元素が結晶粒内に添加されている付記1〜13のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上の直上に、ハイドライド気相堆積により多結晶III族窒化物を成長させる工程と、
を有する多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法。
前記下地基板から前記多結晶III族窒化物を分離する工程、
をさらに有する付記15に記載の多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法。
前記多結晶III族窒化物を切断する工程、
をさらに有する付記15または16に記載の多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法。
前記下地基板の材料として、結晶性を有し、前記多結晶III族窒化物の成長後に冷却を行う際、前記多結晶III族窒化物に割れが生じない材料が用いられる付記15〜17のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法。
前記下地基板の材料として、パイロリティックグラファイト、可撓性グラファイト、金属、(単結晶の)III族窒化物、ムライトのうちの1つが用いられる付記15〜18のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法。
前記下地基板の材料として、パイロリティックグラファイトが用いられ、
X線回折の2θ/θ測定で得られるピーク強度が最も高い結晶方位として、[11−20]方位を有する前記多結晶III族窒化物が成長する付記15〜19のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法。
前記下地基板の材料として、可撓性グラファイトが用いられ、
X線回折の2θ/θ測定で得られるピーク強度が最も高い結晶方位として、[0002]方位を有する前記多結晶III族窒化物が成長する付記15〜19のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法。
前記下地基板の材料として、(単結晶の)III族窒化物が用いられ、
X線回折の2θ/θ測定で得られるピーク強度が最も高い結晶方位として、[0002]方位を有する前記多結晶III族窒化物が成長する付記15〜19のいずれか1つに記載の多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法。
20 多結晶III族窒化物
21 成長方向
22 インゴット
30 柱状結晶粒
31 (柱状結晶粒の)下端
32 (柱状結晶粒の)上端
100 III族窒化物ターゲット
101、102 主面
120 柱状組織
121 柱状結晶粒
122 高配向結晶方位
200 成膜装置
210 保持部材
220 原料放出装置
230 (成膜のための)下地基板
240 III族窒化物膜
Claims (5)
- 多結晶のIII族窒化物で構成され、前記III族窒化物の理論密度に対する相対密度が、98%以上であり、
前記多結晶は、X線回折の2θ/θ測定で得られるピーク強度が最も高い結晶方位として、[11−20]方位を有する多結晶III族窒化物ターゲット。 - 前記多結晶は、柱状組織を有する請求項1に記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
- 前記多結晶は、配向率が40%以上である結晶方位を有する請求項1または2に記載の多結晶III族窒化物ターゲット。
- 下地基板を準備する工程と、
前記下地基板の直上に、成長温度を900℃以上としてハイドライド気相堆積により多結晶III族窒化物を成長させる工程と、
を有し、
前記下地基板の材料として、パイロリティックグラファイトが用いられ、
X線回折の2θ/θ測定で得られるピーク強度が最も高い結晶方位として、[11−20]方位を有する前記多結晶III族窒化物が成長する多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法。 - 下地基板を準備する工程と、
前記下地基板の直上に、成長温度を900℃以上としてハイドライド気相堆積により多結晶III族窒化物を成長させる工程と、
を有し、
前記下地基板の材料として、可撓性グラファイトが用いられ、
X線回折の2θ/θ測定で得られるピーク強度が最も高い結晶方位として、[0002]方位を有する前記多結晶III族窒化物が成長する多結晶III族窒化物ターゲットの製造方法。
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