JP6860461B2 - ヒートシンク - Google Patents
ヒートシンク Download PDFInfo
- Publication number
- JP6860461B2 JP6860461B2 JP2017193636A JP2017193636A JP6860461B2 JP 6860461 B2 JP6860461 B2 JP 6860461B2 JP 2017193636 A JP2017193636 A JP 2017193636A JP 2017193636 A JP2017193636 A JP 2017193636A JP 6860461 B2 JP6860461 B2 JP 6860461B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow path
- path portion
- refrigerant
- heat sink
- depth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 70
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 102220517030 Double homeobox protein 4_W26A_mutation Human genes 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015269 MoCu Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
Claims (5)
- 半導体レーザ素子を冷却するためのヒートシンクであって、
第1方向及び前記第1方向に交差する第2方向に沿って延びる主面と、
冷媒が流通する冷媒流路と、を備え、
前記主面は、前記第1方向及び前記第2方向に交差する第3方向からみて前記半導体レーザ素子が載置される載置エリアを含み、
前記冷媒流路は、冷媒が導入される導入部と、前記冷媒が導出される導出部と、前記第1方向に沿って前記導入部から前記載置エリアに向かうように延びる第1流路部と、前記第1方向に沿って前記載置エリアから前記導出部に至るように延びる第2流路部と、前記第3方向からみて前記載置エリアに重複する位置において前記第1流路部から前記第2流路部に向かうように前記第2方向に沿って延びる第3流路部と、前記第2方向における前記第3流路部の端部と前記第1方向における前記第2流路部の端部とを接続する屈曲部と、を含み、
前記第3流路部の断面積は、前記第3方向についての前記第3流路部の深さが前記第3方向についての前記第1流路部及び前記第2流路部の深さよりも浅いことにより、前記第1流路部及び前記第2流路部の断面積よりも小さくされており、
前記屈曲部は、前記第1方向における前記第3流路部の端部に対応する位置から前記第2流路部に向かって延び、前記第3方向についての深さが前記第2流路部よりも浅くされた浅部領域を含む、
ヒートシンク。 - 前記第1方向についての前記浅部領域の幅は、前記第1方向についての前記第3流路部の幅以下である、
請求項1に記載のヒートシンク。 - 前記第1方向についての前記浅部領域の幅は、前記第1方向についての前記第3流路部の幅の1/2以上2/3以下である、
請求項2に記載のヒートシンク。 - 前記浅部領域と前記第2流路部との間には、前記第1方向の反対方向に向かうにつれて前記第3方向についての深さが漸増する漸増領域が設けられている、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のヒートシンク。 - 前記屈曲部の端部は曲面状に形成されている、
請求項1〜4のいずれか一項に記載のヒートシンク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017193636A JP6860461B2 (ja) | 2017-10-03 | 2017-10-03 | ヒートシンク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017193636A JP6860461B2 (ja) | 2017-10-03 | 2017-10-03 | ヒートシンク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019067981A JP2019067981A (ja) | 2019-04-25 |
JP6860461B2 true JP6860461B2 (ja) | 2021-04-14 |
Family
ID=66338420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017193636A Active JP6860461B2 (ja) | 2017-10-03 | 2017-10-03 | ヒートシンク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6860461B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH042156A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | 電力用半導体装置 |
JP4031903B2 (ja) * | 1999-10-21 | 2008-01-09 | イェーノプティク アクチエンゲゼルシャフト | ダイオードレーザを冷却する装置 |
JP4326525B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2009-09-09 | オムロンレーザーフロント株式会社 | ヒートシンク、レーザモジュール、レーザ装置及びレーザ加工装置 |
JP4920071B2 (ja) * | 2009-11-12 | 2012-04-18 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 半導体素子の冷却装置 |
JP5743752B2 (ja) * | 2011-06-29 | 2015-07-01 | 京セラ株式会社 | 回路基板 |
JP5803963B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2015-11-04 | トヨタ自動車株式会社 | 冷却器 |
-
2017
- 2017-10-03 JP JP2017193636A patent/JP6860461B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019067981A (ja) | 2019-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2922156B1 (en) | Semiconductor laser light source | |
CN110809841B (zh) | 半导体激光装置 | |
JP5622721B2 (ja) | 少なくとも一つの半導体素子、特に、レーザ素子または発光ダイオード素子を有する熱伝達デバイス、およびその組立方法 | |
JP2001291925A (ja) | 高出力ダイオードレーザバー用の実装基板およびヒートシンク | |
JP6865358B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP2008270609A (ja) | 電子部品の放熱装置 | |
JP2006344743A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP6580244B2 (ja) | 半導体レーザ光源装置 | |
JP6576137B2 (ja) | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 | |
EP1267421B1 (en) | Semiconductor laser device | |
JP6860461B2 (ja) | ヒートシンク | |
JP3912130B2 (ja) | サブマウント | |
JP6666970B2 (ja) | サブマウントおよびその製造方法 | |
JP2019062033A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2007305977A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP7297121B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP6906721B1 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP6573451B2 (ja) | 半導体レーザユニット及び半導体レーザ装置 | |
JP6928440B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
KR102490650B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
JP4543651B2 (ja) | ヒートシンク並びにヒートシンクを備えた光源装置 | |
JP2021034654A (ja) | レーザ装置 | |
JP6678427B2 (ja) | レーザ光源装置 | |
JP7340737B2 (ja) | レーザモジュール | |
WO2021100484A1 (ja) | 光半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210323 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6860461 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |