JP6838869B2 - 細胞培養基材、細胞含有物の作製方法、細胞培養基材の作製方法、細胞観察方法、細胞培養基材のメンテナンス液 - Google Patents
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Description
(1)無機材料で構成された基板を備える細胞培養基材であって、
前記細胞培養基材は、培養面に複数の凹凸構造を有し、
JISB0601及びJISR1683に準拠して原子間力顕微鏡で前記凹凸構造を測定したときに(測定領域は1μm四方、ローパス用輪郭曲線フィルタのカットオフ値が1nm、ハイパス用輪郭曲線フィルタのカットオフ値が170nmである)、
少なくとも1つの方向についての前記凹凸構造の輪郭曲線要素の長さの平均が1〜170nmである(平均線は、前記ハイパス用輪郭曲線フィルタにより遮断される長波長成分を表す曲線を最小二乗法により直線に補正したとき、その直線と平行かつ、輪郭曲線における高さの累積相対度数分布50%を示す線である)、細胞培養基材。
(2)前記輪郭曲線のウォーターシェッド法高さが0.1〜8nmである(前記ウォーターシェッド法高さは、前記輪郭曲線における高さの累積相対度数分布100%を示す上端線と高さの累積相対度数分布0%を示す下端線とを反転させて水平補正した状態で、ウォーターシェッド法により計測した前記輪郭曲線における反転後の谷の最下点と前記下端線との距離の平均である)、請求項1記載の細胞培養基材。
(3)X方向についての凹凸構造の輪郭曲線における周期W1と、X方向と直交するY方向についての凹凸構造の輪郭曲線における周期W2とのアスペクト比が1.95以下である(アスペクト比は、周期W1、W2のうち、大きい方の値を小さい方の値で除した値の平均である)、(1)又は(2)記載の細胞培養基材。
(4)培養面が、多孔質SiO2膜で被覆された凹凸構造をなす、(1)〜(3)のいずれか記載の細胞培養基材。
(5)培養面が、リン酸カルシウム化合物膜で被覆された凹凸構造をなす、(1)〜(3)のいずれか記載の細胞培養基材。
(6)多孔質SiO2膜又はリン酸カルシウム化合物膜の厚みが、1〜200nmである、(4)又は(5)記載の細胞培養基材。
(7)無機材料がSiO2を含む、(1)〜(6)のいずれか記載の細胞培養基材。
(8)培養面にB2O3が含まれない、(1)〜(7)のいずれか記載の細胞培養基材。
(9)可視光透過率が、70%以上である、(1)〜(8)のいずれか記載の細胞培養基材。
(10)凹凸構造が、溝状、孔状又は鱗状である、(1)〜(9)のいずれか記載の細胞培養基材。
(11)(1)〜(10)のいずれか記載の細胞培養基材で細胞を培養する工程を有する、細胞含有物の作製方法。
(12)ポリスチレンからなる細胞培養基材を用いて細胞を培養し、細胞の密度がポリスチレンからなる細胞培養基材の培養面の90%となる培養時間を1Tとした場合に、(1)〜(10)のいずれか記載の細胞培養基材を用いて1/2T〜2/3Tの培養時間で細胞を培養する、細胞含有物の作製方法。
(13)(1)〜(10)のいずれか記載の細胞培養基材をオートクレーブ処理し、再利用用細胞培養基材を作製する、細胞培養基材の作製方法。
(14)オートクレーブ処理後の細胞培養基材上のタンパク質を除去する、(13)記載の細胞培養基材の作製方法。
(15)(1)〜(10)のいずれか記載の細胞培養基材上の細胞を光学的に観察する、細胞観察方法。
(16)(1)〜(10)のいずれか記載の細胞培養基材上の細胞接着性タンパク質を除去するために用いられる、細胞接着性タンパク質を分解する成分を含有する、メンテナンス液。
本実施形態の細胞培養基材は、無機材料で構成された基板を備えかつ培養面に複数の凹凸構造を有する。
本実施形態において、JISB0601(2013)及びJISR1683(2014)に準拠して、原子間力顕微鏡で凹凸構造を測定したときに(測定領域は1μm四方、ローパス用輪郭曲線フィルタのカットオフ値が1nm、ハイパス用輪郭曲線フィルタのカットオフ値が170nmである)、少なくとも1つの方向についての凹凸構造の輪郭曲線要素の長さの平均が1〜170nmである。
細胞培養基材の培養面における測定領域は、1μm四方とし、A方向に1μm、B方向に1μmの領域を設定することができる。測定点数は、A方向に256点、B方向に256点としてもよく、さらに微細に測定を行う場合には、A方向に512点、B方向に512点としてもよく、測定領域の大きさなどに応じて適宜調整できる。
ローパス用輪郭曲線フィルタのカットオフ値を1nm、ハイパス用輪郭曲線フィルタのカットオフ値を170nmと設定することで、長さ「1〜170nm」の輪郭曲線要素を検出できる。
凹凸構造の輪郭曲線Mにおける平均線TAより上側の部分が山、下側の部分が谷である。本発明における平均線は、ハイパス用輪郭曲線フィルタにより遮断される長波長成分を表す曲線を最小二乗法により直線に補正したとき、その直線と平行かつ、輪郭曲線における高さの累積相対度数分布50%を示す線である。なお、累積相対度数分布に関する「高さ」は、各箇所の縦座標軸値と縦座標軸値の最低値との差である。
図1に示すように、本実施形態における輪郭曲線Mは複数の山及び谷を有し、山P1、それに隣り合う谷(具体的には右隣)Qからなる曲線部分が一つの輪郭曲線要素であり、さらに山P2が連続する。したがって、輪郭曲線要素の長さは、山P1の起点Aから山P1に隣接する谷Qの終点Bまでの距離である。本発明は、この輪郭曲線要素の長さの平均が1〜170nmである方向を少なくとも1つ有するものである。
本実施形態の細胞培養基材の培養面において、輪郭曲線要素の長さの平均が上記好ましい範囲内となる測定方向は、2方向以上であることが好ましい。これにより、インテグリンタンパク質や細胞外マトリクスタンパク質の収容性が向上し、細胞接着性が向上する傾向にある。
輪郭曲線要素の長さの平均が上記好ましい範囲内となる測定領域は、複数領域であることが好ましい。また、本実施形態の細胞培養基材の培養面における、輪郭曲線要素の長さの平均が上記好ましい範囲内となる測定領域の存在確率は、10%以上であることが好ましく、20%以上であることがより好ましく、30%以上であることがさらに好ましい。
この機構は次の通りと推測される。細胞外マトリクスタンパク質(フィブリノーゲン、フィブロネクチン、ビトロネクチン、ラミニン)は、細胞が接着する前に細胞培養液から基材に吸着する。その中で細胞が結合、接着するのに重要なタンパク質は線維状であり、中心部が疎水性、末端部が静電気的に電荷を帯びている。このため、線維状タンパク質は、その末端部が凹凸構造に入り込みかつ中心部が凹凸構造に入り込まない場合に、基材に最も吸着されやすくなる。さらに、線維状タンパク質の密度が増えると、露出した疎水性の中心部同士の疎水性相互作用により線維状タンパク質分子が起立していき、細胞が結合可能な領域と細胞との接触頻度が高まり、細胞が結合しやすくなる。これらの相乗作用によって細胞接着率が高くなりやすい。ここで、細胞外マトリクスタンパク質の末端部のサイズ(水和した大きさ)は数nmであることから、上記程度の輪郭曲線のウォーターシェッド法高さが好ましいと考えられる。
輪郭曲線のウォーターシェッド法高さは、輪郭曲線における高さの累積相対度数分布100%を示す上端線と高さの累積相対度数分布0%を示す下端線とを反転させて水平補正した状態で、ウォーターシェッド法により計測した輪郭曲線における反転後の谷の最下点と下端線との距離の平均である。ウォーターシェッド法による計測では、Vincent−Soilleのアルゴリズム(L. Vincent, P. Solle “Watersheds in Digital Spaces: An Efficient Algorithm Based on Immersion Simulations”, IEEE Transactions on Pattern Analysis and Machine Intelligence, 13(6), 583 (1991).)を適用したプログラムによって自動処理される。
アスペクト比が1.95以下の場合は、細胞外マトリクスタンパク質の有電荷末端部が凹凸構造に密着して包囲されるので、上記した細胞外マトリクスタンパク質の基材への吸着及び細胞外マトリクスタンパク質の起立が生じやすくなり、細胞接着率が高まりやすい。より好ましくは、アスペクト比が1.5以下であり、さらに好ましくは1.2以下である。また、平均W1とW2とが同一の値の場合には、アスペクト比は下限である1を示す。
すなわち、細胞培養基材中に細胞培養液を収容させると、以下の(1)〜(3)のプロセスが進行し、細胞が機能を発現すると考えている。
(1)培養面にイオン及び水が接触して水和層を形成すること(第1吸着プロセス)。
(2)培養面上の水和層に細胞培養液中のタンパク質が吸着し、タンパク質吸着層を形成すること(第2吸着プロセス)。
(3)細胞がタンパク質吸着層に接着し、伸展すること(第3接着プロセス)。
さらに、培養面の凹凸構造における凹部にタンパク質(の末端)が収容されることによって、細胞接着性や生細胞率が向上すると考えている。
細胞培養基材は、無機材料で構成された基板を備える基材であれば特に限定されない。無機材料としては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、炭酸カルシウム、方解石、カルシウムカーボネート、軽質炭酸カルシウム、重質炭酸カルシウム、極微細炭酸カルシウム、石膏、硫酸カルシウム、大理石、硫酸バリウム、炭酸バリウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸ストロンチウム、カオリンクレー、焼成クレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズ等が挙げられ、これらを1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、無機材料として、リン酸カルシウム化合物を用いてもよい。リン酸カルシウム化合物は、リン酸源(リン酸、第1リン酸ナトリウム、第2リン酸ナトリウム、第1リン酸カリウム、第2リン酸カリウム、第1リン酸アンモニウム、第2リン酸アンモニウム、などより選択される1種以上の塩)と、カルシウム源(硝酸カルシウム、炭酸カルシウム、塩化カルシウム、水酸化カルシウム、酢酸カルシウム、などより選択される1種以上の塩)との混合物、又は混合反応物であることが好ましい。リン酸カルシウム化合物としては、リン酸一水素カルシウム無水和物(CaHPO4)、リン酸一水素カルシウム二水和物(CaHPO4・2H2O)、リン酸三カルシウム(Ca3(PO4)2)、リン酸二水素カルシウム無水和物(Ca(H2PO4)2)、リン酸二水素カルシウム1水和物(Ca(H2PO4)2・H2O)、リン酸四カルシウム(Ca4O(PO4)2)、水酸アパタイト(Ca10(PO4)6(OH)2)、リン酸八カルシウム(Ca8H2(PO4)6・5H2O)、非晶質リン酸カルシウム(Ca3(PO4)2・nH2O)が挙げられる。この中でも、細胞培養で有用な水酸アパタイトとリン酸八カルシウムが好ましく、より好ましくは生体・細胞親和性の高い水酸アパタイトである。
無機材料としては、酸化珪素(シリカ)であることが好ましく、石英ガラスがより好ましい。骨の副成分であるシリカを用いることによって、骨芽細胞の培養を高活性化することができる。また、側部は基板と同じ無機材料で構成されることが好ましい。なお、ホウ素の酸化物は生体にとって影響を与える恐れがあるため、細胞培養基材は、培養面にB2O3を含まないことが好ましい。なお、培養面にB2O3を含まなければ、非培養面にB2O3を含んでも含まなくてもよい。
無機材料で構成された基板を用いることによって、熱安定性、耐培養液性に優れ、細胞へ毒性を与えない細胞培養基材となる。また、ポリスチレンを基板材料として用いる場合に比べ、紫外光を吸収しにくい。
なお、例えば特許文献3のように、無機材料を含有する細胞培養基材であっても、メトキシエチルアクリレートとジメチルアクリルアミドとの共重合体のような有機化合物を含有するような場合には、本実施形態の細胞培養基材に含まれないことが好ましい。
細胞培養基材上で培養される細胞は特に限定されないが、例えば、脂肪細胞、骨芽細胞、軟骨細胞、骨格筋細胞、筋線維芽細、肝細胞、iPS細胞、末梢神経細胞、グリア細胞、色素細胞、角膜内皮細胞、角膜実質細胞、虹彩実質細胞、線維柱帯細胞、平滑筋細胞、軟骨細胞、骨細胞、脂肪細胞、内分泌細胞、クロム親和性細胞、管平滑筋細胞、毛母細胞、軟骨細胞、羊膜由来細胞、胎児腎由来細胞等が挙げられる。
細胞培養基材の培養面は、多孔質SiO2膜で被覆された凹凸構造をなすことが好ましい。多孔質SiO2膜で被覆されることによって、細胞培養をより高活性化できる傾向にある。
ただし、本発明は、上記膜で被覆されない無機材料(特にSiO2)基板からなる基材であっても、十分な細胞培養が可能である。この場合には、基板が純粋な無機材料(特にSiO2)組成であり、アモルファス構造(XRDより)であることが好ましいと考えられる。
膜厚の測定方法としては、細胞培養基材の表面において、膜のない領域と、膜のある領域とができるように、多孔質SiO2膜又はリン酸カルシウム化合物膜を形成し、膜の無い領域と膜の有る領域との境界領域について、例えば原子間力顕微鏡または触針式表面形状測定器によって走査し、膜厚を計測することができる。膜のない領域を形成する方法としては、膜の形成を阻害する物質(例えば、耐薬品性のポリイミドテープ)を予め基板表面上の一部へ貼る方法が挙げられる。
また、細胞培養基材をそのままの状態で(非破壊で)膜厚を測定するには、X線反射率法(例えばリガク株式会社製、Smart Lab 9kW)によって、試料表面に極浅い角度(例えば、0.1〜5.0°)でX線を入射させ、その入射角の対鏡面方向に反射したX線強度プロファイルを測定し、既に知られている多孔質SiO2膜やリン酸カルシウム化合物膜のシミュレーション結果と比較して、パラメータを最適化することにより、測定することができる。なお、収束イオン加工装置により細胞培養基材における膜断面を切り出し、高分解の透過型電子顕微鏡(例えば日立ハイテクノロジーズ株式会社製 HT7700)により膜断面を観察し、膜厚を実測することも可能である。
細胞培養基材の培養面に凹凸構造を形成する方法は、特に限定されず、公知の研削・研磨方法を用いることができる。一例として、細胞培養基材として石英ガラス(シリカ)を用いる場合に、研削及び研磨によって培養面の凹凸構造を形成する方法を、以下に説明する。
研削工程は上下の定盤間に板状の被加工物を保持し、遊離砥粒を含む研磨液(研磨スラリー)を供給しながら定盤と被加工物とを回転させて相対移動することにより行う遊離砥粒法や、レジン、メタル、ビトリファイド等のボンドでダイヤモンド微粉をペレット状にし、このペレットを複数個配置した定盤によって研削液(クーラント)を供給しながら定盤と被加工物とを回転させて相対移動することにより行う固定砥粒法により行われることが一般的である。また、ダイヤモンドパッドによる研削を行ってもよい。研削工程を経た石英ガラス基板は、大きなうねり、欠け、ひび等の欠陥がほぼ除去される。
研削工程を経た石英ガラス基板には、表面に研削液や石英ガラス粉が残存している可能性がある。そのため、洗浄工程を設けることが好ましい。洗浄工程においては、種々の洗浄方法を採用することができる。例えば、石英ガラス基板に対して、アルカリ洗浄のみを行ってもよく、また、酸洗浄を行った後にアルカリ洗浄を行ってもよく、また、酸洗浄のみを行ってもよい。
研磨工程は、最終的に必要とされる面粗さ(凹凸構造)が効率よく得られるように、ガラス基板の表面を研磨加工する工程である。この工程で採用される研磨方法としては、特に限定されず、両面研磨機において、研磨パッドおよび研磨液を使用して研磨することができる。なお、本実施形態においては凹凸構造が必須であるため、いわゆる鏡面研磨工程は行わないことが好ましい。
研磨工程後に、石英ガラス基板の洗浄工程を採用することが好ましい。洗浄方法としては特に限定されず、研磨工程後の石英ガラス基板の表面を清浄に洗浄できる方法であればいずれの洗浄方法でもよい。洗浄された石英ガラス基板は、必要に応じて超音波による洗浄および乾燥工程を行う。乾燥工程は、石英ガラス基板の表面に残る洗浄液をイソプロピルアルコール(IPA)等により除去した後、石英ガラス基板の表面を乾燥させる工程である。たとえば、スクラブ洗浄後の石英ガラス基板に水リンス洗浄工程を2分間行ない、洗浄液の残渣を除去する。次いで、IPA洗浄工程を2分間行い、石英ガラス基板の表面に残る水をIPAにより除去する。最後に、IPA蒸気乾燥工程を2分間行い、石英ガラス基板の表面に付着している液状のIPAをIPA蒸気により除去しつつ乾燥させる。石英ガラス基板の乾燥工程としては特に限定されず、たとえばスピン乾燥、エアーナイフ乾燥などの、石英ガラス基板の乾燥方法として公知の乾燥方法を採用することができる。
本実施形態の細胞含有物の作製方法は、細胞培養基材における凹凸構造に、細胞を適用して培養する工程を有する。細胞を凹凸構造に適用することによって、細胞培養が高活性化し、かつ、基材への接着性に優れた、細胞組織や生体組織などの細胞含有物を作製することができる。
本実施形態は、細胞培養基材をオートクレーブ処理し、再利用用の細胞培養基材を作製する方法を提供することができる。従来のポリスチレンディッシュでは、ガンマ線で滅菌処理を行うことが可能であった。しかし、ガンマ線滅菌装置は放射線の管理など大規模な設備となるため、細胞培養に用いられたポリスチレンディッシュは使用後に廃棄されることが多かった。これに対し、本実施形態の細胞培養基材は、無機材料で基板が構成されているため、オートクレーブ処理で滅菌処理することができる。このため、例えば実験室において使用直後の細胞培養基材をすぐに滅菌処理し、再利用用の細胞培養基材を作製することが可能となる。
本実施形態の細胞培養基材のメンテナンス液は、細胞培養基材上の残留物質である細胞が分泌した細胞接着性タンパク質や細胞外マトリクス(例えばフィブリノーゲン)を除去するために用いられ、タンパク質を分解する成分を含有する。メンテナンス液としては、例えば、エタノール、リン酸緩衝生理食塩水(PBS)、ウシ胎児血清(FBS)、細胞培養液(αMEM)を含むFBS/αMEM培地、ドデシル硫酸ナトリウム(SDS)等を用いて弱く結合したタンパク質等を除去することができる。次いで、超純水:アンモニア水:過酸化水素水の重量比が5:1:1である溶液または1Nの塩酸等を用いて強く結合したタンパク質等を分解・除去できる。最後に、超純水によって繰り返しリンスし清浄な表面を得ることができる。
本実施形態の細胞観察方法は、細胞培養基材上の細胞を光学的に観察する方法である。従来のポリスチレンディッシュは光を反射するため、光学的に観察することが困難であった。特に、波長200〜400nmの紫外光を入射した場合、ポリスチレンから蛍光が発せられるため、紫外光下での観察には不向きであった。これに対し、本実施形態の細胞培養基材は、ポリスチレンのような紫外光吸収性の材料を用いておらず、また透明性に優れ、可視光透過性にも優れることから、細胞培養基材上の細胞を例えば光学顕微鏡で観察することが容易となる。
シリカからなる石英ガラス基板の両表面を、両面研削機(浜井産業株式会社製、4ウェイ方式ラップ盤)を用いて研削加工した。研削加工には、砥粒に平成サンケイ株式会社製、ジルコニア系アルミナ(AZ)微粉を用い、荷重は60〜90g/cm2、定盤回転数を20〜50rpmにて実施した。研削後の石英ガラス基板の両表面を、両面研磨機(浜井産業株式会社製、4ウェイ方式 ポリッシュ盤)を用いて研磨加工した。研磨加工には、研磨用パットに発泡ウレタンパットを用い、砥粒に三井金属鉱業株式会社製、MIREK Eを用い、荷重は60〜100g/cm2、定盤回転数を20〜50rpmにて実施した。これにより、シリカ基板からなる細胞培養基材を作製した。
(シリカ基板を多孔性シリカ膜で被覆した細胞培養基材の作製法)
524mgのヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド(CTAC)を、1.4mlの水に添加し、分散するまで攪拌して、溶液Aを得た。次に、1.94mlのテトラメトキシシラン(TMOS)に、0.472mlの水、及び0.1mlの0.1N−HClを添加し、30℃で60分攪拌して、溶液Bを得た。溶液A及び溶液Bを、TMOS/CTACがモル比で8となるように混合し、さらに0.1mlの1N−HClを添加して混合液Cを得た。混合液Cを室温(20℃)で15分攪拌後、培養面に凹凸形状を有する実施例1のシリカ基板(12.5mm×25mm)に対して、6000rpm、10秒の条件でスピンコートを行った。混合液Cが塗布されたシリカ基板を60℃で18時間加熱し、CTAC/TMOS複合膜を形成した。さらに、当該複合膜が形成されたシリカ基板を450℃で6時間焼成した。これにより、シリカ基板が多孔性シリカ膜で被覆された細胞培養基材を作製した。多孔性シリカ膜の膜厚は150nmであった。
膜厚の測定方法としては、耐薬品性のポリイミドテープ(登録商標名:カプトン)を予め基板表面上の一部へ貼り、成膜後の焼成処理前段階においてポリイミドテープを剥がし、焼成によって部分的に成膜された基材を得た。膜の無い領域(テープを貼りつけた箇所)と、膜の有る領域(貼り付けていない箇所)との境界領域を、触針式表面形状測定器(アルバック株式会社製、DEKTACK3ST)によって、ダイヤモンド探針により試料面を走査し、測定距離:100μm、走査速度:50s、データ点数:8000点、触針圧:3mgの条件によって、高さプロファイルを得て、5箇所の値を平均し、膜厚を算出した。
(シリカ基板がリン酸カルシウムで被覆された細胞培養基材の作製法)
1000mlのビーカに、700mlの水を入れ、次に、11.9850gのNaCl、0.525gのNaHCO3、0.336gのKCl、0.342gのK2HPO4/3H2O、0.4575gのMgCl/6H2O、57mlの1N−HCl、0.417gのCaCl2、0.1065gのNa2SO4、9.0855gのNa2C(CH2OH)3を添加し、36.5℃で攪拌した(攪拌は、シリカ基板を浸漬するまで行った)。次に、ビーカ内の溶液のpH測定を行い、pHが7.4になるまでHClを投入した。その後、当該溶液を1000mlのメスフラスコへ移し、アパタイト被覆液(1.5SBF)を得た。36.5℃の1.5SBF(2ml)に実施例1のシリカ基板(12.5mm×25mm)を浸漬し、35時間静置した。その後、シリカ基板を超純水により洗浄し、550℃で3時間焼成した。これにより、シリカ基板がリン酸カルシウム膜で被覆された細胞培養基材を作製した。リン酸カルシウム膜の膜厚は40nmであった。
膜厚の測定方法としては、実施例2と同様に、耐薬品性のポリイミドテープ(登録商標名:カプトン)を予め基板表面上の一部へ貼り、成膜後の焼成処理前段階においてポリイミドテープを剥がし、焼成によって部分的に成膜された基材を得た。膜の無い領域(テープを貼りつけた箇所)と、膜の有る領域(貼り付けていない箇所)との境界領域を、原子間力顕微鏡(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、プローブステーション名NanoNavi IIs/ユニット名Nanocute)により計測した。具体的には、窒化シリコン製の探針がマウントされたカンチレバー(型番:Micro Cantilever SI−DF40、バネ定数:26N/m、共振周波数:294Hz)によって、測定モード:ダイナミック・フォース・モード、走査範囲:10μm×10μm、走査周波数:1.00Hz、X方向データ点数:256点、Y方向データ点数:256点とし、各点の高さを画像化した。高さとは、各測定点と測定点のうち最低高さとの差分とした。任意の画像断面の高さプロファイル5箇所の値を平均して膜厚を算出した。
市販のホウ素含有シリケートガラス基板(松浪硝子工業株式会社製)からなる細胞培養基材を比較例1、ポリスチレンディッシュ(米国コーニングインターナショナル株式会社製)からなる細胞培養基材を比較例2とした。
実施例1〜3及び比較例1〜2の基材について、表面の原子組成を蛍光X線分析により測定した。また、可視光(400〜800nm)の平均透過率を測定した。日本分光株式会社製の紫外可視分光光度計V−750により、波長400〜800nmにおける光の透過率を波長1nmごとに測定した。ベースラインは空気とし、基材と膜へ入射した光強度のうち、透過した光強度の割合を透過率とした。各波長における透過率を全て平均し、可視光領域における平均透過率を算出した。測定結果を表1に示す。
実施例1〜3及び比較例1〜2の基材について、X線回折パターンを測定した。測定結果を図2に示す。図2(A)は、低角領域におけるX線回折パターンであり、図2(B)は、高角領域におけるX線回折パターンである。図2(A)及び図2(B)において、(a)〜(c)は順に実施例1〜3を示し、(d)〜(e)は順に比較例1〜2を示している。図2(A)のとおり、低角領域の測定では、(b)のパターンだけに高強度のピークが見られた。この測定結果は、実施例2のシリカ基板を被覆するシリカ膜が規則ナノスケールの細孔構造であることを示すものである。また、図2(B)の高角領域の測定では、(c)のパターンだけにピークが見られた。この測定結果は、実施例3のシリカ基板を被覆するリン酸カルシウム膜のCaとPを示すものである。
実施例1〜3及び比較例1〜2の基材について、培養面の超微細な凹凸構造を原子間力顕微鏡で観察した。図3は原子間力顕微鏡像であり、(a)〜(c)は順に実施例1〜3を示し、(d)〜(e)は順に比較例1〜2を示している。また、図3(a)〜(e)の画像は測定範囲が1μm2であり、各画像の右側には後述する輪郭曲線における高さを記載している。
測定条件は以下のとおりである。
測定モード:ダイナミック・フォース・モード
走査範囲:1μm×1μm
走査周波数:1.00Hz
X方向データ点数:256点、
Y方向データ点数:256点、
ローパスフィルター値:1nm
ハイパスフィルター値:150nm。
ウォーターシェッド法高さは、輪郭曲線における高さの累積相対度数分布100%を示す上端線と高さの累積相対度数分布0%を示す下端線とを反転させて水平補正した状態で、ウォーターシェッド法により計測した輪郭曲線における反転後の谷の最下点と下端線との距離を平均することによって算出した。ウォーターシェッド法による計測は、Vincent−Soilleのアルゴリズム(L. Vincent, P. Solle “Watersheds in Digital Spaces: An Efficient Algorithm Based on Immersion Simulations”, IEEE Transactions on Pattern Analysis and Machine Intelligence, 13(6), 583 (1991).)を適用したプログラムによって自動処理された。
アスペクト比は、X方向についての凹凸構造の輪郭曲線要素の長さの平均W1と、X方向と直交するY方向についての凹凸構造の輪郭曲線要素の長さの平均W2とを算出し、周期W1、周期W2のうち、大きい方の値を小さい方の値で除した値を平均することによって算出した。
インキュベーター内(5%−CO2,37℃)で、実施例1〜3及び比較例1〜2の基材に対しタンパク質の吸着を1時間行った。取り出し後、リン酸緩衝生理食塩水(PBS)で洗浄し、1wt%−ドデシル硫酸ナトリウム(SDS)溶液を2ml加えて、振盪機(100rpm)上で1時間、基材上へ吸着したタンパク質を取り除いた。取り除いた溶液を用い、比色定量法によってタンパク質吸着量測定を行った。具体的には、試薬「Quanti Pro Buffer QA」と試薬「Quanti Pro BCA QB Copper(II) sulfate solution」を取り除いた溶液に加え、インキュベーター内で24時間放置を行った。その後、UVスペクトル測定より吸光度を測定し、吸着量を導いた。
実施例1〜3及び比較例1〜2の基材について、滅菌及び洗浄を行った。具体的には、50体積%、70体積%及び90体積%のエタノールを各3回、PBSを3回、ウシ胎児血清(FBS)、細胞培養液(αMEM)を含む10体積%のFBS/αMEM培地を3回使用して、滅菌及び洗浄を行った。
TA・・・高さの累積相対度数分布50%を示す平均線
P1・・・第1の山
P2・・・第2の山
Q・・・谷
A・・・第1の山P1の起点
B・・・谷Qの終点
Claims (10)
- SiO2を含む無機材料で構成された基板を備える細胞培養基材であって、
前記細胞培養基材は、培養面に複数の凹凸構造を有し、
原子間力顕微鏡を用いて、1μm四方の測定領域で、ローパス用輪郭曲線フィルタのカットオフ値を1nm、ハイパス用輪郭曲線フィルタのカットオフ値を170nmとして、前記凹凸構造を測定したときに、
前記凹凸構造の、少なくとも1つの方向についての、JISB0601(2013)及びJISR1683(2014)に準拠して求められる、前記凹凸構造を構成する山の始点から、前記山に隣り合う谷の終点までの長さの平均である、輪郭曲線要素の長さの平均が1〜170nmであり、前記凹凸構造の輪郭曲線における平均線は、前記ハイパス用輪郭曲線フィルタにより遮断される長波長成分を表す曲線を最小二乗法により直線に補正したとき、その直線と平行かつ、輪郭曲線における高さの累積相対度数分布50%を示す線であり、
前記輪郭曲線のウォーターシェッド法高さが1〜6nmであり、前記ウォーターシェッド法高さは、前記輪郭曲線における高さの累積相対度数分布100%を示す上端線と高さの累積相対度数分布0%を示す下端線とを反転させて水平補正した状態で、ウォーターシェッドアルゴリズムを用いて得られる反転後の谷の最下点と、前記下端線との距離の平均であり、
X方向についての前記凹凸構造の輪郭曲線要素の長さの平均W1と、前記X方向と直交するY方向についての前記凹凸構造の輪郭曲線要素の長さの平均W2とのアスペクト比の平均が1.95以下であり、前記アスペクト比の平均は、前記平均長さW1、W2のうち、大きい方の値を小さい方の値で除した値の平均である、細胞培養基材。 - 前記培養面が、多孔質SiO2膜で被覆された凹凸構造をなす、請求項1記載の細胞培養基材。
- 前記培養面が、リン酸カルシウム化合物膜で被覆された凹凸構造をなす、請求項1記載の細胞培養基材。
- 前記多孔質SiO2膜又はリン酸カルシウム化合物膜の厚みが、1〜200nmである、請求項2又は3記載の細胞培養基材。
- 前記培養面にB2O3が含まれない、請求項1〜4のいずれか一項記載の細胞培養基材。
- 可視光透過率が70%以上である、請求項1〜5のいずれか一項記載の細胞培養基材。
- 前記凹凸構造が、前記培養面に形成された溝もしくは孔、または凸部の周囲に凹部が存在する構造である、請求項1〜6のいずれか一項記載の細胞培養基材。
- 細胞の培養に用いられる、請求項1〜7のいずれか一項記載の細胞培養基材。
- オートクレーブ処理による再利用が可能である、請求項1〜7のいずれか一項記載の細胞培養基材。
- 細胞の光学的な観察に用いられる、請求項1〜7のいずれか一項記載の細胞培養基材。
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