JP6836688B2 - 走査電子顕微鏡及び2次電子スピン偏極度を解析する方法 - Google Patents
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Description
Claims (15)
- 走査電子顕微鏡であって、
試料から放出された2次電子スピン偏極度を測定するスピン検出器と、
前記スピン検出器の測定データを解析する解析装置と、を含み、
前記解析装置は、
前記測定データにおいて、前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する領域の幅を決定し、
前記領域の幅に基づいて前記試料における歪を評価する、走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記解析装置は、前記測定データにおいて前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する位置を検出する、走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記解析装置は、ユーザに指定された前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する領域の幅を決定する、走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記解析装置は、
前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する位置において、複数の方向において前記2次電子スピン偏極度が変化している領域の幅を決定し、
前記幅における最小値に基づいて前記試料における歪を評価する、走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記解析装置は、
前記2次電子スピン偏極度が変化している領域の幅を、近似関数のフィッティングにより決定する、走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記解析装置は、
前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する領域の幅の大きさに基づいて、前記試料内の歪の大きさを決定し、
前記歪の大きさに基づいて前記試料内の歪分布を決定し、前記歪分布を示す情報を表示する、走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記解析装置は、
前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する領域の幅、及び、前記領域の隣接する領域におけるスピン偏極度の方向に基づいて、前記試料における歪を評価する、走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記解析装置は、
2次電子スピン偏極度が局所的に変化する領域の幅と歪量とを関連付けるデータベースを保持し、
前記測定データにおいて決定した前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する領域の幅と前記データベースとを比較して、歪量を決定する、走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記解析装置は、
前記試料において複数の結晶粒を特定し、
前記複数の結晶粒それぞれにおける歪みを評価し、
前記複数の結晶粒のそれぞれにおける歪の評価結果を繋げて、前記試料内の歪分布を決定する、走査電子顕微鏡。 - 解析装置が、走査電子顕微鏡において測定された試料の2次電子スピン偏極度を解析する方法であって、前記解析装置が、
2次電子スピン偏極度の測定データにおいて、前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する領域の幅を決定し、
前記領域の幅に基づいて前記試料における歪を評価する、ことを含む方法。 - 請求項10に記載の方法であって、前記解析装置が、前記測定データにおいて、前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する位置を特定する、方法。
- 請求項10に記載の方法であって、前記解析装置が、ユーザに指定された前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する領域の幅を決定する、方法。
- 請求項10に記載の方法であって、前記解析装置が、
前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する位置において、複数の方向において前記2次電子スピン偏極度が変化している領域の幅を決定し、
前記幅における最小値に基づいて前記試料における歪を評価する、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、前記解析装置が、前記2次電子スピン偏極度が変化している領域の幅を、近似関数のフィッティングにより決定する、方法。
- 請求項10に記載の方法であって、前記解析装置が、
前記2次電子スピン偏極度が局所的に変化する領域の幅の大きさに基づいて、前記試料内の歪の大きさを決定し、
前記歪の大きさに基づいて前記試料内の歪分布を決定し、前記歪分布を示す情報を表示する、方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/012592 WO2019186736A1 (ja) | 2018-03-27 | 2018-03-27 | 走査電子顕微鏡及び2次電子スピン偏極度を解析する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019186736A1 JPWO2019186736A1 (ja) | 2021-02-12 |
JP6836688B2 true JP6836688B2 (ja) | 2021-03-03 |
Family
ID=68059547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020510273A Active JP6836688B2 (ja) | 2018-03-27 | 2018-03-27 | 走査電子顕微鏡及び2次電子スピン偏極度を解析する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11170972B2 (ja) |
JP (1) | JP6836688B2 (ja) |
CN (1) | CN111556963B (ja) |
DE (1) | DE112018006418T5 (ja) |
WO (1) | WO2019186736A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020245962A1 (ja) * | 2019-06-06 | 2020-12-10 | 株式会社日立ハイテク | 走査電子顕微鏡 |
JP2022061391A (ja) * | 2020-10-06 | 2022-04-18 | オリンパス株式会社 | 実験支援装置、実験支援システム、実験支援方法、プログラム |
JPWO2023007687A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1187024A (zh) * | 1994-09-23 | 1998-07-08 | 特拉斯通公司 | 用于产生和发射自旋极化电子的方法和电子发射器件 |
JP4616612B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2011-01-19 | 日本電子株式会社 | 反射電子線検出装置 |
JP2010003450A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP5222712B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2013-06-26 | 株式会社日立製作所 | 電子スピン検出器並びにそれを用いたスピン偏極走査電子顕微鏡及びスピン分解光電子分光装置 |
JP2010151455A (ja) | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Toyota Central R&D Labs Inc | 磁性試料の観察方法、観察装置およびその観察用治具 |
JP2011059057A (ja) | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Fujitsu Ltd | 電子スピン分析器及び表面観察装置 |
JP2014127224A (ja) | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Hitachi Ltd | 分析装置 |
JP6177919B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-08-09 | 株式会社日立製作所 | スピン検出器、及び荷電粒子線装置および光電子分光装置 |
WO2016013073A1 (ja) * | 2014-07-23 | 2016-01-28 | 株式会社日立製作所 | 電子スピン検出器、分析装置および分析方法 |
-
2018
- 2018-03-27 DE DE112018006418.2T patent/DE112018006418T5/de active Pending
- 2018-03-27 JP JP2020510273A patent/JP6836688B2/ja active Active
- 2018-03-27 US US16/979,263 patent/US11170972B2/en active Active
- 2018-03-27 CN CN201880085337.3A patent/CN111556963B/zh active Active
- 2018-03-27 WO PCT/JP2018/012592 patent/WO2019186736A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11170972B2 (en) | 2021-11-09 |
CN111556963A (zh) | 2020-08-18 |
WO2019186736A1 (ja) | 2019-10-03 |
US20200402762A1 (en) | 2020-12-24 |
JPWO2019186736A1 (ja) | 2021-02-12 |
DE112018006418T5 (de) | 2020-08-27 |
CN111556963B (zh) | 2023-05-02 |
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