JP6830967B2 - 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイ - Google Patents

Description

本発明は、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイに関する。
本願は、２０１６年１２月２２日に、日本に出願された特願２０１６−２５０１７１号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。

近年、半導体材料の発光特性に対する関心が高まっている。
例えば、室温条件下で、紫外から赤色のスペクトル領域の範囲で、強い発光強度を有する組成物が報告されている（非特許文献１）。

M.Era, A.Shimizu and M.Nagano, Rep.Prog.Polym.Phys.Jpn., 42,473-474(1999)

しかしながら、上記非特許文献１に記載された組成物を発光材料として用いる場合、さらなる量子収率の向上が求められる。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、半導体微粒子を含む量子収率が高い組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。

すなわち、本発明は、下記［１］〜［９］の発明を包含する。
［１］（１）及び（２）を含み、さらに（３）、及び（４）の少なくとも一方を含み、発光性を有する組成物。
（１）半導体微粒子
（２）ハロゲン化炭化水素化合物
（３）溶媒
（４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種
［２］前記（１）が、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物の微粒子である前記［１］に記載の組成物。
Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。
［３］さらに、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む前記［１］又は［２］に記載の組成物。
［４］（１）、（２）、及び（４’）を含む組成物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計含有量が前記組成物の総質量に対して９０質量％以上である組成物。
（１）半導体微粒子
（２）ハロゲン化炭化水素化合物
（４’）重合体
［５］さらに、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む前記［４］に記載の組成物。
［６］前記［４］又は［５］に記載の組成物からなるフィルム。
［７］複数の層を有し、少なくとも一層が、前記［４］又は「５」に記載の組成物からなる層である、積層構造体。
［８］前記［７］に記載の積層構造体を備える発光装置。
［９］前記［７］に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。

本発明によれば、半導体微粒子を含む量子収率が高い組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイを提供することができる。

本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。 実施例において取得された、本発明に係る組成物の量子収率の結果を示すグラフである。

以下、実施形態を示して本発明を詳細に説明する。
＜組成物＞
本発明の組成物は、発光性を有する。「発光性」とは、光を発する性質を指す。発光性は、電子の励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による電子の励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ〜８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ〜７００ｎｍであってもよく、３００ｎｍ〜６００ｎｍであってもよい。

本発明の組成物は、（１）及び（２）を含み、さらに（３）、及び（４）の少なくとも一方を含む。
（１）半導体微粒子
（２）ハロゲン化炭化水素化合物
（３）溶媒
（４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種

前記組成物は、さらに、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
また、前記組成物は、上述の（１）〜（５）以外のその他の成分を有していてもよい。
その他の成分としては、例えば、若干の不純物、並びに半導体微粒子を構成する元素成分からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤が挙げられる。
その他の成分の含有量は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。

本発明者らが鋭意検討した結果、
（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、（３）溶媒、並びに（４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる１種以上、の内で（１）と（２）を含み、さらに（３）又は（４）の少なくとも一方を含む組成物において、量子収率を向上させることができることを見出した。
このことは、（２）の有機化合物により、（１）の半導体微粒子の表面の欠陥にトラップされた電子が失活してしまうことが防止され、電子が励起されることにより、量子収率が向上するものと考えられる。
本実施形態の組成物において、（１）及び（２）、さらに（３）、及び（４）の少なくとも一方の合計含有量が前記組成物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。

本発明の組成物は、（１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）及び（４’）の合計含有量が前記組成物の総質量に対して９０質量％以上である組成物であってもよい。
（１）半導体微粒子
（２）ハロゲン化炭化水素化合物
（４’）重合体

本実施形態の組成物において、（１）、（２）及び（４’）の合計含有量は、前記組成物の総質量に対して９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。

本組成物は、さらに、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。（１）、（２）、（４’）、及び（５）以外の成分としては、上述のその他の成分と同様の成分が挙げられる。

（１）、（２）、並びに（３）及び（４）のいずれか一方又は両方を含む本実施形態の組成物において、組成物の総質量に対する（１）の含有量は、特に限定されるものではないが、半導体微粒子を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な量子収率を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する（１）の含有量は、通常、０．０００１〜５０質量％である。
組成物の総質量に対する（１）の含有量は、０．０００１〜１質量％であることが好ましく、０．０００５〜１質量％であることがより好ましく、０．００１〜０．１質量％であることがさらに好ましい。
（１）の配合に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）の半導体微粒子の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
本明細書において、組成物の総質量に対する、（１）の半導体微粒子の含有量は、例えば、誘導結合プラズマ質量分析計（以下、ＩＣＰ−ＭＳともいう）、及びイオンクロマトグラフによって測定することができる。

（１）、（２）、並びに（３）及び（４）のいずれか一方又は両方を含む本実施形態の組成物において、組成物の総質量に対する（１）及び（２）の合計含有量は、特に限定されるものではないが、半導体微粒子を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、６０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、２質量％以下であることがさらに好ましく、０．２質量％以下であることが特に好まく、また、良好な量子収率を得る観点から、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する（１）及び（２）の合計含有量は、通常０．０００２〜６０質量％である。
組成物の総質量に対する（１）及び（２）の合計含有量は、０．００１〜１０質量％であることが好ましく、０．００２〜２質量％であることがより好ましく、０．００５〜０．２質量％であることがさらに好ましい。
（１）及び（２）の配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）の半導体微粒子の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。

（１）、（２）、及び（４’）を含む本実施形態の組成物において、組成物の総容積に対する（１）の含有量は、特に限定されるものではないが、半導体微粒子を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、１００ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、５ｇ／Ｌ以下であることがさらに好ましく、また、良好な量子収率を得る観点から、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましく、０．５ｇ／Ｌ以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総容積に対する（１）の含有量は、０．０１〜１００ｇ／Ｌであることが好ましく、０．１〜１０ｇ／Ｌであることがより好ましく、０．５〜５ｇ／Ｌであることがさらに好ましい。
（１）の配合に係る範囲が上記範囲内である組成物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
本明細書において、組成物の総容積に対する、（１）の含有量は、例えば、ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定することができる。
組成物がフィルム形状の場合、組成物の総容積は、前記フィルムを縦１ｃｍ×横１ｃｍに切断し、マイクロメータ等で厚さを測定し、算出することができる。
組成物が液体の場合、組成物の総容積は、メスシリンダーを用いて測定することができる。
組成物が粉末の場合、組成物の総容積は、ＪＩＳ Ｒ ９３−１−２−３：１９９９に準拠し、重装かさ比重を測定し、測定に用いた組成物の重量を前記重装かさ比重で除すことにより算出することができる。

（１）、（２）、及び（４’）を含む本実施形態の組成物において、組成物の総容積に対する（１）及び（２）の合計含有量は、特に限定されるものではないが、半導体微粒子を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、１０００ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、５００ｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、３００ｇ／Ｌ以下であることがさらに好ましく、また、良好な量子収率を得る観点から、０．０２ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．２ｇ／Ｌ以上であることがより好ましく、０．６ｇ／Ｌ以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総容積に対する（１）及び（２）の合計含有量は、０．０２〜１０００ｇ／Ｌであることが好ましく、０．２〜５００ｇ／Ｌであることがより好ましく、０．６〜３００ｇ／Ｌであることがさらに好ましい。
（１）及び（２）の配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。

以下、本発明における組成物について実施形態を示して説明する。

（１）半導体微粒子
本発明に係る組成物は（１）半導体微粒子を含み、（１）半導体微粒子は分散していることが好ましい。分散媒としては、（３）溶媒、（４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種、及び（４’）重合体が挙げられる。
本明細書において「分散している」とは、半導体微粒子が分散媒中に浮遊あるいは懸濁している状態のことをいう。
半導体微粒子としては、例えば、ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体の結晶の微粒子、ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体の結晶の微粒子、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体の結晶の微粒子、ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体の結晶の微粒子、ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体の結晶の微粒子、ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体の結晶の微粒子、遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体の結晶の微粒子、及びペロブスカイト化合物の微粒子等が挙げられる。
半導体微粒子は、良好な量子収率を得る観点から、カドミウムを含む半導体の結晶の微粒子、インジウムを含む半導体の結晶の微粒子、及びペロブスカイト化合物の微粒子が好ましく、粒径制御がそれほど厳しく求められずに半値幅の狭い発光ピークが得られ易い点から、ペロブスカイト化合物の微粒子がより好ましい。
これらの半導体微粒子の少なくとも一部は、（２）ハロゲン化炭化水素化合物で被覆されていてもよい。

組成物に含まれる、半導体微粒子の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させる観点から、平均粒径が１ｎｍ以上であることが好ましく、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、本発明に係る半導体微粒子を沈降させにくくする観点から、平均粒径が１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物に含まれる、半導体微粒子の平均粒径は、特に限定されるものではないが、半導体微粒子を沈降させにくくする観点、及び良好に結晶構造を維持させる観点から、平均粒径が１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本明細書において、組成物に含まれる半導体微粒子の平均粒径は、例えば透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう。）、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう。）により測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、前記組成物中に含まれる２０個の半導体微粒子の最大フェレー径を観察し、それらの平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、前記平均粒径を求めることができる。本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、半導体微粒子を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。

組成物に含まれる、半導体微粒子の粒度分布は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させる観点から、メディアン径（Ｄ５０）が３ｎｍ以上であることが好ましく、４ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、本発明に係る半導体微粒子を沈降させにくくする観点から、メディアン径（Ｄ５０）が５μｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本実施形態の別の側面としては、組成物に含まれる、半導体微粒子の粒度分布においてメディアン径（Ｄ５０）が３ｎｍ〜５μｍであることが好ましく、４ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであることがさらに好ましい。
本明細書において、組成物に含まれる、半導体微粒子の粒度分布は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、前記組成物中に含まれる、２０個の半導体微粒子の最大フェレー径を観察し、それらの分布から、前記メディアン径（Ｄ５０）を求めることができる。

（ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体の結晶の微粒子）
ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、周期表の２族又は１２族の元素と、１６族の元素とを含む。
なお、本明細書において「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。
二元系のＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体では、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、又はＨｇＴｅ等が挙げられる。
周期表の２族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）とを含む、二元系のＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、又はＢａＴｅが挙げられる。
周期表の２族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）とを含むＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、周期表の２族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよいし、周期表の２族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよいし、周期表の２族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよい。

周期表の１２族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）とを含む、二元系のＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、又はＨｇＴｅが挙げられる。
周期表の１２族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）とを含むＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、周期表の１２族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１２族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１２族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよい。
ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、周期表の２族、１２族、及び１６族の以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

（ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体の結晶の微粒子）
ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、周期表の１２族の元素と、１５族の元素とを含む。
周期表の１２族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）とを含む、二元系のＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、例えば、Ｚｎ_３Ｐ_２、Ｚｎ_３Ａｓ_２、Ｃｄ_３Ｐ_２、Ｃｄ_３Ａｓ_２、Ｃｄ_３Ｎ_２、又はＺｎ_３Ｎ_２が挙げられる。
周期表の１２族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）とを含むＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、周期表の１２族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩ族−Ｖ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１２族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩ族−Ｖ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１２族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩ族−Ｖ族化合物半導体であってもよい。
ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、周期表の１２族、及び１５族の以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

（ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体の結晶の微粒子）
ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、周期表の１３族から選ばれる元素と、１５族から選ばれる元素とを含む。周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）とを含む二元系のＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、例えば、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、又はＢＮが挙げられる。
周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）とを含むＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１５族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体であってもよい。
ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、周期表の１３族、及び１５族の以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

（ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体の結晶の微粒子）
ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、周期表の１３族から選ばれる元素と、１４族から選ばれる元素とを含む。周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１４族から選ばれる元素（第２元素）とを含む２元系のＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体としては、例えば、Ｂ_４Ｃ_３、Ａｌ_４Ｃ_３、Ｇａ_４Ｃ_３が挙げられる。
周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１４族から選ばれる元素（第２元素）とを含むＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１４族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１４族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１４族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体であってもよい。
ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、周期表の１３族、及び１４族の以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

（ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体の結晶の微粒子）
ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、周期表の１３族から選ばれる元素と、１６族から選ばれる元素とを含む。
周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）とを含む２元系のＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、例えば、Ａｌ_２Ｓ_３、Ａｌ_２Ｓｅ_３、Ａｌ_２Ｔｅ_３、Ｇａ_２Ｓ_３、Ｇａ_２Ｓｅ_３、Ｇａ_２Ｔｅ_３、ＧａＴｅ、Ｉｎ_２Ｓ_３、Ｉｎ_２Ｓｅ_３、Ｉｎ_２Ｔｅ_３、又はＩｎＴｅが挙げられる。
周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）とを含むＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１３族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよい。
ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、周期表の１３族、及び１６族の以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

（ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体の結晶の微粒子）
ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体は、周期表の１４族から選ばれる元素と、１６族から選ばれる元素とを含む。周期表の１４族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）とを含む２元系のＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体としては、例えば、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、又はＳｎＴｅが挙げられる。
周期表の１４族から選ばれる元素（第１元素）と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）とを含むＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体は、周期表の１４族から選ばれる元素（第１元素）１種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系のＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１４族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系のＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよいし、周期表の１４族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表の１６族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系のＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体であってもよい。
ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体は、周期表の１４族、及び１６族の以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

（遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体の結晶の微粒子）
遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、遷移金属元素から選ばれる元素と、ｐ−ブロック元素から選ばれる元素とを含む。
周期表の遷移金属元素から選ばれる元素（第１元素）と、周期表のｐ−ブロック元素から選ばれる元素（第２元素）と含む２元系の遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体としては、例えば、ＮｉＳ、ＣｒＳが挙げられる。
周期表の遷移金属元素から選ばれる元素（第１元素）と、周期表のｐ−ブロック元素から選ばれる元素（第２元素）とを含む遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、周期表の遷移金属元素から選ばれる元素（第１元素）１種類と、ｐ−ブロック元素から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、三元系の遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体であってもよいし、周期表の遷移金属元素から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表のｐ−ブロック元素から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む、三元系の遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体であってもよいし、周期表の遷移金属元素から選ばれる元素（第１元素）２種類と、周期表のｐ−ブロック元素から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む、四元系の遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体であってもよい。
遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、周期表の遷移金属元素、及びｐ−ブロック元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

上述の三元系や四元系の半導体の具体例としては、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＣｕＩｎＳ_２、又はＩｎＡｌＰＡｓ等が挙げられる。

（ペロブスカイト化合物）
半導体微粒子の一例としてペロブスカイト化合物の微粒子が挙げられる。
ペロブスカイト化合物は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物である。
本発明において、Ａは、前記ペロブスカイト型結晶構造においてＢを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、前記ペロブスカイト型結晶構造においてＢを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
Ｂは、前記ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。

Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元構造のいずれの構造を有する化合物であってもよい。
３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ_{（３＋δ）}で表される。
２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ_２ＢＸ_{（４＋δ）}で表される。
ここで、前記δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、−０．７以上０．７以下である。
例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、前記化合物が中性（電荷が０）となるようにδを選択することができる。
上記３次元構造の場合、Ｂを中心とし、頂点をＸとする、ＢＸ_６で表される頂点共有八面体の三次元ネットワークを有する。
上記２次元構造の場合、Ｂを中心とし、頂点をＸとする、ＢＸ_６で表される八面対が同一平面の４つの頂点のＸを共有することにより、２次元的に連なったＢＸ_６からなる層とＡからなる層が交互に積層された構造を形成する。
本明細書において、ペロブスカイト型結晶構造は、Ｘ線回折パターンにより確認することができる。
前記３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物の場合、Ｘ線回折パターンにおいて、通常、２θ＝１２〜１８°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピーク、又は２θ＝１８〜２５°の位置に(ｈｋｌ)＝（１００）に由来するピークが確認される。２θ＝１３〜１６°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００１）に由来するピークが、又は２θ＝２０〜２３°の位置に、(ｈｋｌ)＝（１００）に由来するピークが確認されることがより好ましい。
前記２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物の場合、Ｘ線回折パターンにおいて、通常、２θ＝１〜１０°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認され、２θ＝２〜８°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認されることがより好ましい。

ペロブスカイト化合物は、下記一般式（１）で表されるペロブスカイト化合物であることが好ましい。
ＡＢＸ_{（３＋δ）} （−０．７≦δ≦０．７） …（１）
［一般式（１）中、Ａは１価の陽イオン、Ｂは金属イオン、Ｘはハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。］

〔Ａ〕
本発明に係わるペロブスカイト化合物中、Ａは前記ペロブスカイト型結晶構造においてＢを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。１価の陽イオンとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は、ＡＢＸ_{（３＋δ）}で表される３次元構造を有する。
化合物中、Ａはセシウムイオン、又は有機アンモニウムイオンが好ましい。

Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記一般式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。

一般式（Ａ３）中、Ｒ^６〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ^６〜Ｒ^９の全てが水素原子となることはない。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよく、アミノ基を有していてもよい。
Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
一般式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を得ることができる。
アルキル基又はシクロアルキル基の炭素原子数が４以上の場合、２次元、及び／又は擬似二次元（ｑｕａｓｉ―２Ｄ）のペロブスカイト型の結晶構造を一部あるいは全体に有する化合物を得ることができる。２次元のペロブスカイト型結晶構造が無限大に積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．Ｐ．Ｂｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８−９０７など）。
Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ^６〜Ｒ^９のうちの１つが炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ^６〜Ｒ^９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。

Ｒ^６〜Ｒ^９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。

Ｒ^６〜Ｒ^９のシクロアルキル基としては、Ｒ^６〜Ｒ^９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられ、一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。

Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ_２Ｈ_５ＮＨ_３ ^＋（エチルアンモニウムイオンともいう。） 又はＣ_３Ｈ_７ＮＨ_３ ^＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋又はＣ_２Ｈ_５ＮＨ_３ ^＋であることより好ましく、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋であることがさらに好ましい。

Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記一般式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ^１０Ｒ^１１Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ^１２Ｒ^１３）^＋・・・（Ａ４）

一般式（Ａ４）中、Ｒ^１０〜Ｒ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよく、アミノ基を有していてもよい。
Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ^１０〜Ｒ^１３のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表される基としては、水素原子又はアルキル基が好ましい。
一般式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
アルキル基又はシクロアルキル基の炭素原子数が４以上の場合、２次元、及び／又は擬似二次元（ｑｕａｓｉ―２Ｄ）のペロブスカイト型結晶構造を一部あるいは全体に有する化合物を得ることができる。また、Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ^１０が炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ^１１〜Ｒ^１３が水素原子であることがより好ましい。

〔Ｂ〕
ペロブスカイト化合物において、Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンを表す。Ｂ成分の金属イオンは１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上からなるイオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛、又はスズからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましい。

〔Ｘ〕
Ｘは、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンを表す。Ｘは、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンであってよい。
Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができるが、例えば、Ｘは臭化物イオンを含むことができる。
Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンである場合、前記ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができ、例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。

ペロブスカイト化合物であって、ＡＢＸ_{（３＋δ）}で表される、３次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物の具体例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＣｌ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＩ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２) ＰｂＢｒ_３、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２) ＰｂＣｌ_３、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２) ＰｂＩ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｓｒ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｂａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｄｙ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０, ０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２) Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２) Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２)Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０, ０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２)Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ≦０, ０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ_３、ＣｓＰｂＣｌ_３、ＣｓＰｂＩ_３、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｚｎ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｍｇ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜３）等が好ましいものとして挙げられる。

ペロブスカイト化合物であって、Ａ_２ＢＸ_{（４＋δ）}で表される、２次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物の具体例としては、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２ＰｂＢｒ_４、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２ＰｂＣｌ_４、 (Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２ＰｂＩ_４、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２ＰｂＢｒ_４、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２ＰｂＣｌ_４、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２ＰｂＩ_４、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２ＰｂＢｒ_４、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２ＰｂＢｒ_４、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２ＰｂＢｒ_{（４-ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２ＰｂＢｒ_{（４-ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、(Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（４＋δ-ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（４＋δ-ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（４＋δ-ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（４＋δ-ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（４＋δ-ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（４＋δ-ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（４＋δ-ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３)_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（４＋δ-ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜４）等が好ましいものとして挙げられる。

≪発光スペクトル≫
ペロブスカイト化合物は、可視光波長領域に蛍光を発することができる発光体であり、Ｘが臭化物イオンの場合は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上、また、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０〜７００ｎｍであり、５００〜６００ｎｍであることが好ましく、５２０〜５８０ｎｍであることがより好ましい。
Ｘがヨウ化物イオンの場合は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上、また、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０〜８００ｎｍであり、５３０〜７５０ｎｍであることが好ましく、５４０〜７３０ｎｍであることがより好ましい。
Ｘが塩化物イオンの場合は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上、また、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００〜６００ｎｍであり、３１０〜５８０ｎｍであることが好ましく、３３０〜５５０ｎｍであることがより好ましい。

（２）ハロゲン化炭化水素化合物
ハロゲン化炭化水素化合物は、下記一般式（Ａ５−１）〜（Ａ５−３）のいずれかで表されるハロゲン化炭化水素基を有する化合物であってもよい。

一般式（Ａ５−１）〜（Ａ５−３）中、Ｃ−Ｙはハロゲン化炭化水素基、Ｃは炭素原子を表し、Ｒ^１４〜Ｒ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、又は一価の有機基を表す。有機基としては、置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基などの炭化水素基が好ましい。

Ｒ^１４〜Ｒ^１６がアルキル基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、置換基として、アルコキシシリル基を有していてもよく、ハロゲノ基を有していてもよい。アルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。前記炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１４〜Ｒ^１６がシクロアルキル基である場合、シクロアルキル基は、置換基として、アルコキシシリル基を有していてもよく、ハロゲノ基を有していてもよく、アルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。前記炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

前記アルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有さない方が好ましい。

これらの中でもＲ^１４〜Ｒ^１６は、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、Ｒ^１４〜Ｒ^１６のうちの少なくとも１つが、前記アルキル基であることがより好ましい。（Ａ５−１）において、Ｒ^１４〜Ｒ^１６のうちの１つが炭素原子数１〜２０のアルキル基であり、Ｒ^１４〜Ｒ^１６のうちの２つが水素原子であることがさらに好ましい。

Ｒ^１４〜Ｒ^１６のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ^１４〜Ｒ^１６のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

一般式（Ａ５−１）〜（Ａ５−３）中、Ｙはハロゲンの元素を表す。Ｙで表されるハロゲンの元素としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、臭素原子が好ましい。

一般式（Ａ５−１）〜（Ａ５−３）で表されるハロゲン化炭化水素化合物の一部又は全部は、本発明に係る半導体微粒子の表面に吸着していてもよく、組成物中で分散していてもよい。
一般式（Ａ５−１）〜（Ａ５−３）で表されるハロゲン化アルキル基を有する有機化合物はフッ化アルキル、塩化アルキル、臭化アルキル、ヨウ化アルキル、などが挙げられ、1-ブロモオクタデカン、1-ブロモペンタデカン、1-ブロモテトラデカン、1-ブロモウンデカン、1-ブロモヘキサデカン、1-クロロヘキサデカン、1-クロロオクタデカン、1-シクロペンタン、1-クロロテトラデカン、1-フルオロオクタデカン、1-フルオロペンタデカン、1-フルオロテトラデカン、1-フルオロウンデカン、1-フルオロヘキサデカン、1-ヨードオクタデカン、1-ヨードペンタデカン、1-ヨードテトラデカン、1-ヨードウンデカン、1-ヨードヘキサデカン、が好ましく、1-ブロモヘキサデカン、1-フルオロヘキサデカン、1-ヨードヘキサデカン、1-クロロヘキサデカン、がより好ましい。
本発明の別の側面は、（２）ハロゲン化炭化水素化合物であり、かつ―ＮＨ_３ ^＋で表される基及び―ＣＯＯ⁻で表される基以外のイオン性基を有する有機化合物、メルカプト基を有する化合物、又はアミノ基、アルコキシ基、及びケイ素原子を有する有機化合物は除外することができる。

（３）溶媒
溶媒は、半導体微粒子を分散させることができる媒体であれば特に限定されないが、半導体微粒子を溶解し難いものが好ましい。
本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態をとる物質のことをいう（但し、重合性化合物、及び重合体を除く）。

溶媒としては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ‐メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭化水素基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド等が挙げられる。

これらの中でもメチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒は、極性が低く、半導体微粒子を溶解し難いと考えられるため好ましく、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系有機溶媒がより好ましい。

（４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種
本発明に係る組成物に含まれる重合性化合物は、特に限定されるものではないが、前記組成物を製造する温度において、半導体微粒子の重合性化合物に対する溶解度が低いものが好ましい。
本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体の化合物を意味する。
例えば、室温、常圧下において製造する場合、前記重合性化合物としては、特に制限は無いが、例えば、スチレン、メタクリル酸メチル、等の公知の重合性化合物が挙げられる。なかでも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体成分である、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。

本発明に係る組成物に含まれる重合体は、特に限定されるものではないが、前記組成物を製造する温度において、前記半導体微粒子の重合体に対する溶解度が低いものが好ましい。
例えば、室温、常圧下において製造する場合、前記重合体としては、特に制限は無いが、例えば、ポリスチレン、メタクリル樹脂、等の公知の重合体が挙げられる。なかでも、重合体としては、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方に由来する構成単位を含む。
（４）の重合性化合物、及び重合体の構成単位のうち、アクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステル及びそれらに由来する構成単位は、モル％で表した場合、全構成単位に対して１０％以上であってもよく、３０％以上であってもよく、５０％以上であってもよく、８０％以上であってもよく、１００％であってもよい。

（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種
本発明に係る組成物は、アンモニア、アミン、及びカルボン酸並びに、前記化合物がとり得る形態として、これらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
すなわち、本発明に係る組成物は、アンモニア、アミン、カルボン酸、アンモニアの塩、アミンの塩、カルボン酸の塩、アンモニアのイオン、アミンのイオン、及びカルボン酸のイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンは、通常、キャッピング配位子として作用する。キャッピング配位子とは、半導体化合物の表面に吸着して、半導体化合物を組成物中に安定して分散させる作用を有する化合物である。アンモニア又はアミンの、イオン若しくは塩（アンモニウム塩等）としては、後述する一般式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、それを含むアンモニウム塩が挙げられる。カルボン酸のイオン又は塩（カルボン酸塩等）としては、後述する一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンと、それを含むカルボン酸塩が挙げられる。本発明に係る組成物は、アンモニウム塩等、及びカルボン酸塩等のいずれか一方を含んでいてもよく、両方を含んでいてもよい。

アンモニウム塩としては、一般式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンを含むアンモニウム塩が挙げられる。

一般式（Ａ１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に、水素原子、有機基を表す。有機基である場合、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基などの炭化水素基が好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ^１〜Ｒ^４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１〜Ｒ^４の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ^１〜Ｒ^４の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ^１〜Ｒ^４のうちの１つが炭素原子数８〜２０のアルケニル基であり、Ｒ^１〜Ｒ^４のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ^１〜Ｒ^４のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４のアルケニル基としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示した前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。
このようなアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。

カウンターアニオンとしては、特に制限は無いがＢｒ^―、Ｃｌ^―、Ｉ^―、Ｆ^―のハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい例として挙げられる。
一般式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ−オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。

カルボン酸塩としては、下記一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンを含むカルボン酸塩が挙げられる。
Ｒ^５―ＣＯ_２ ^-・・・（Ａ２）

一般式（Ａ２）中、Ｒ^５は、一価の有機基を表す。有機基としては炭化水素基が好ましく、中でもアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基が好ましいものとして挙げられる。

Ｒ^５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。Ｒ^５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^５で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^５の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ^５の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。

Ｒ^５のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ^５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ^５のアルケニル基の具体例としては、Ｒ^１〜Ｒ^４において例示したアルケニル基が挙げられる。

一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンのカウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、プロトン、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。

＜各成分の配合比について＞
本実施形態の組成物は、（１）及び（２）を含み、さらに（３）、及び（４）の少なくとも一方を含む。
（１）半導体微粒子
（２）ハロゲン化炭化水素化合物
（３）溶媒
（４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種

本実施形態の組成物は、（１）、（２）、及び（４’）を含む。
（１）半導体微粒子
（２）ハロゲン化炭化水素化合物
（４’）重合体

本実施形態の組成物において、（１）と（２）との配合比は、（２）の有機化合物による量子収率の向上の作用が発揮される程度であればよく、（１）及び（２）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
本実施形態の組成物において、（１）半導体微粒子がペロブスカイト化合物の微粒子である場合、ペロブスカイト化合物のＢの金属イオンと、（２）の有機化合物とのモル比［（２）／Ｂ］は、０．００１〜１０００であってもよく、０．０１〜７００であってもよく、０．１〜５００であってもよい。
本実施形態の組成物において、（１）半導体微粒子がペロブスカイト化合物の微粒子であって、（２）の有機化合物が、一般式（Ａ５−１）〜（Ａ５−３）で表されるハロゲン化炭化水素化合物である場合、ペロブスカイト化合物のＢの金属イオンと、（Ａ５−１）〜（Ａ５−３）の有機化合物とのモル比［（Ａ５）／Ｂ］は、１〜１０００であってもよく、１０〜７００であってもよく、１００〜５００であってもよい。
（１）と（２）との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（２）の有機化合物による量子収率の向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。

本実施形態の組成物において、（１）と、（３）及び（４）のいずれか一方又は両方との配合比は、（１）の半導体微粒子による発光作用が良好に発揮される程度であればよく、（１）〜（４）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
（１）、（２）、並びに（３）及び（４）のいずれか一方又は両方を含む本実施形態の組成物において、（１）と、（３）及び（４）のいずれか一方又は両方との質量比［（１）／（３）及び（４）のいずれか一方又は両方］は、０．００００１〜１０であってもよく、０．０００１〜１であってもよく、０．０００５〜０．１であってもよい。
（１）と、（３）及び（４）のいずれか一方又は両方との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）の半導体微粒子の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。

（１）、（２）、及び（４’）を含む本実施形態の組成物において、（１）と、（４’）との配合比は、（１）の半導体微粒子による発光作用が良好に発揮される程度であればよく、（１）及び（４’）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
本実施形態の組成物において、（１）と、（４’）との質量比［（１）／（４’）］は、０．００００１〜１０であってもよく、０．０００１〜１であってもよく、０．０００５〜０．１であってもよい。
（１）と（４’）との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。

＜組成物の製造方法＞
以下、本発明における組成物の製造方法に関し、実施形態を示して説明する。本実施形態の組成物の製造方法によれば、本発明に係る実施形態の組成物を製造可能である。なお、本発明の組成物は、以下の実施形態の組成物の製造方法によって製造されるものに限定されるものではない。

＜（１）半導体微粒子の製造方法＞
（ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体の結晶の微粒子、ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体の結晶の微粒子、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体の結晶の微粒子、ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体の結晶の微粒子、ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体の結晶の微粒子、ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体の結晶の微粒子、及び遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体の結晶の微粒子の製造方法）
半導体微粒子の製造方法としては、半導体微粒子を構成する元素の単体又はその化合物と脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法が挙げられる。

半導体微粒子を構成する元素の単体又はその化合物の例としては、特に制限は無いが、金属、酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。

脂溶性溶媒としては、例えば炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などの飽和脂肪族炭化水素基；オレイル基などの不飽和脂肪族炭化水素基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの脂環式炭化水素基；フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などの芳香族炭化水素基などが挙げられ、このうち飽和脂肪族炭化水素基や不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。含窒素化合物としてはアミン類やアミド類が挙げられ、含酸素化合物としては脂肪酸類などが挙げられる。このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましく、例えばｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。こうした脂溶性溶媒は、粒子表面に結合可能であり、その結合の様式は、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。

混合液の加熱温度は、使用する単体や化合物の種類によって適宜設定すればよいが、例えば、１３０〜３００℃の範囲で設定することが好ましく、２４０〜３００℃の範囲で設定することがより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると結晶構造が単一化しやすいため好ましい。また、加熱時間も、使用する単体や化合物の種類、加熱温度によって適宜設定すればよいが、通常は数秒間〜数時間の範囲で設定するのが好ましく、１〜６０分間の範囲で設定するのがより好ましい。

本発明の半導体微粒子の製法において、加熱後の混合液を冷却したあと上澄み液と沈殿に分離し、前記分離した半導体微粒子（沈殿物）を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ−ブタノールなど）に入れて半導体微粒子を含む溶液としてもよい。あるいは、加熱後の混合液を冷却したあと上澄み液と沈殿に分離し、前記分離した上澄み液にナノ粒子が不溶又は難溶な溶媒（例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなど）を添加して沈殿物を発生させ、前記沈殿物を集めて前述の有機溶媒に入れて半導体微粒子を含む溶液としてもよい。

（ペロブスカイト化合物の結晶の微粒子の製造方法）
本発明に係るペロブスカイト化合物の半導体微粒子は、既知文献（Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ． ２０１５， １５， ３６９２−３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３−４５４２）を参考に、以下に述べる方法によって製造することができる。

＜ペロブスカイト化合物の結晶の微粒子の製造方法の第１実施形態＞
例えば、本発明に係るペロブスカイト化合物の半導体微粒子の製造方法としては、Ｂ成分、Ｘ成分、及びＡ成分を溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液と、半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
より具体的には、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶媒に溶解させ、溶液を得る工程と、得られた溶液と、半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
また、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを高温の溶媒に添加して溶解させ、溶液を得る工程と、得られた溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。

以下、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶媒に溶解させ、溶液を得る工程と、得られた溶液と、半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程とを含む製造方法について説明する。
なお、溶解度とは、混合する工程を行う温度における溶解度を意味する。
前記製造方法は、半導体微粒子を安定して分散できる観点から、キャッピング配位子を加える工程を含んでいることが好ましい。キャッピング配位子は、前述の混合する工程の前に添加する事が好ましく、Ａ成分、Ｂ成分、及びＸ成分を溶解させた溶液にキャッピング配位子を添加してもよいし、半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒に添加してもよく、Ａ成分、Ｂ成分、及びＸ成分を溶解させた溶液、及び半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒の両方に添加してもよい。
前記製造方法は、前述の混合する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいることが好ましい。前記除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。

前述の、溶液と、半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程は、（Ｉ）溶液を、半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒に滴下する工程であってもよく、（ＩＩ）溶液に、半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒を滴下する工程であってもよいが、分散性を高める観点から（Ｉ）であることが好ましい。
滴下する際には攪拌を行う事が分散性を高める観点から好ましい。
溶液と、半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程において、温度には特に制限は無いが、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物の析出し易さを確保する観点から、−２０〜４０℃の範囲であることが好ましく、−５〜３０℃の範囲であることがより好ましい。

前記製造方法で用いる半導体微粒子の溶媒に対する溶解度の異なる２種類の溶媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ‐メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒からなる群より選ばれる２種の溶媒が挙げられる。

前記製造方法に含まれる、溶液を得る工程で用いる溶媒としては、半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が高い溶媒が好ましく、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で前記工程をおこなう場合、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシドが挙げられる。

前記製造方法に含まれる、混合する工程で用いる溶媒としては、半導体微粒子の溶媒に対する溶解度が低い溶媒が好ましく、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で前記工程をおこなう場合、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒が挙げられる。

溶解度の異なる２種類の溶媒において、溶解度の差は１００μｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇであることが好ましく、１ｍｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇであることがより好ましい。溶解度の差を１００μｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇにする観点から、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で混合する工程をおこなう場合、溶液を得る工程で用いる溶媒が、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒やジメチルスルホキシドであり、混合する工程で用いる溶媒が塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒であることが好ましい。

半導体微粒子を含む分散液から、半導体微粒子を取り出す場合は、固液分離を行うことで半導体微粒子のみを回収する事ができる。
前述の固液分離方法は、ろ過などの方法や、溶媒の蒸発を利用した方法などが挙げられる。

＜ペロブスカイト化合物の結晶の微粒子の製造方法の第２実施形態＞
以下、Ｂ成分、Ｘ成分及びＡ成分を高温の溶媒に添加して溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液を冷却する工程とを含む製造方法について説明する。
より具体的には、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを高温の溶媒に添加して溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
前記製造方法では、温度の差による溶解度の差によって本発明に係る半導体微粒子を析出させ、本発明に係る半導体微粒子を製造することができる。

前記製造方法は、半導体微粒子を安定して分散できる観点から、キャッピング配位子を加える工程を含んでいることが好ましい。
前記製造方法は、冷却する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。上記除去工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。

ここで、高温の溶媒とは、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とが、溶解する温度の溶媒であればよく、例えば、６０〜６００℃の溶媒であることが好ましく、８０〜４００℃の溶媒であることがより好ましい。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃であることが好ましく、−１０〜３０℃であることがより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分であることが好ましく、１０℃〜１５０℃／分であることがより好ましい。

前記製造方法に用いる溶媒としては、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶解しうる溶媒であれば、特に限定されるものではないが、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ‐メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド、１−オクタデセンが挙げられる。

半導体微粒子を含む分散液から、半導体微粒子を取り出す方法としては、固液分離を行うことで半導体微粒子のみを回収する方法が挙げられる。
前述の固液分離方法は、ろ過などの方法や、溶媒の蒸発を利用した方法などが挙げられる。

＜（１）、（２）及び（３）を含む組成物の製造方法＞
例えば、（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、及び（３）溶媒を含む組成物の製造方法としては、
（ａ） （１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、及び（３）溶媒を混合する工程を含む製造方法が挙げられる。

前記工程（ａ）は、例えば、
（ａ１） （１）半導体微粒子と（３）溶媒とを混合した後に、（２）ハロゲン化炭化水素化合物を混合する工程でもよいし、
（ａ２） （１）半導体微粒子と（２）ハロゲン化炭化水素化合物とを混合した後に、（３）溶媒を混合する工程でもよい。
半導体微粒子の分散性を向上させる観点から、工程（ａ）は、工程（ａ１）であることが好ましい。

混合する際には攪拌を行う事が分散性を高める観点から好ましい。
（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、（３）溶媒を混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０〜８０℃の範囲であることがより好ましい。

＜（１）、（２）、（３）、及び（５）を含む組成物の製造方法＞
例えば、（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、（３）溶媒、及び（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種、を含む組成物の製造方法としては、
（ａ’）（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、（３）溶媒、並びに（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を混合する工程を含む製造方法が挙げられる。

前記工程（ａ’）は、例えば、
（ａ’１） （１）半導体微粒子を（３）溶媒と混合した後に、（２）ハロゲン化炭化水素化合物と、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を混合してもよいし、
（ａ’２） （５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種、を含む（１）半導体微粒子を（３）溶媒と混合した後に、（２）ハロゲン化炭化水素化合物と混合してもよい。
工程（ａ’）は、半導体微粒子の分散性を高める観点から、（ａ’２）であることが好ましい。
（ａ’２）において、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種、を含む（１）半導体微粒子は、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を、上述の半導体微粒子の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することによって製造してもよいし、得られた（１）半導体微粒子と、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種とを混合することによって製造してもよい。半導体微粒子の分散性を高める観点からは、半導体微粒子の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することによって製造することが好ましい。これにより、例えば、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む（１）半導体微粒子が、（３）溶媒に分散している分散体と、（２）ハロゲン化炭化水素化合物との混合物として、本発明に係る組成物を得ることができる。

混合する際には攪拌を行う事が分散性を高める観点から好ましい。
（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、（３）溶媒、及び（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０〜８０℃の範囲であることがより好ましい。

＜（１）、（２）及び（４）を含む組成物の製造方法＞
（１）、（２）及び（４）を含む組成物の製造方法としては、（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、及び（４）重合性化合物、及び重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種を混合する方法が挙げられる。
（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、及び（４）重合性化合物、及び重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種を混合する工程は、攪拌しながら行うことが（１）半導体微粒子の分散性を高める観点から好ましい。
（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、及び（４）重合性化合物、及び重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種を混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０〜８０℃の範囲であることがより好ましい。
（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、及び（４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む組成物の製造方法は、例えば、
（ｂ） （４）重合性化合物、及び重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種に（１）半導体微粒子を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）ハロゲン化炭化水素化合物とを混合する工程とを含む製造方法であってもよく、
（ｃ） （４）重合性化合物、及び重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種に（２）ハロゲン化炭化水素化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）半導体微粒子とを混合する工程とを含む製造方法であってもよく、
（ｄ） （４）重合性化合物、及び重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種に（１）半導体微粒子及び（２）ハロゲン化炭化水素化合物の混合物を分散させる工程を含む製造方法であってもよい。

（ｂ）〜（ｄ）の製造方法の中では、半導体微粒子の分散性を高める観点から（ｂ）の製造方法であることが好ましい。前記方法により、本発明に係る組成物を、（１）半導体微粒子が（４）重合性化合物、及び重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種に分散している分散体と、（２）ハロゲン化炭化水素化合物との混合物として得ることができる。

（ｂ）〜（ｄ）の製造方法に含まれる各分散体を得る工程においては、（４）を、（１）及び／又は（２）に滴下してもよいし、（１）及び／又は（２）を（４）に滴下してよい。
分散性を高める観点からは、（１）及び／又は（２）を（４）に滴下することが好ましい。
（ｂ）〜（ｄ）の製造方法に含まれる各混合する工程においては、（１）又は（２）を分散体に滴下してもよいし、分散体を（１）又は（２）に滴下してもよい。
分散性を高める観点からは、（１）又は（２）を分散体に滴下することが好ましい。

（４）の有機化合物として、重合体を採用する場合、重合体は、溶媒に溶解している重合体であってもよい。

上述の重合体が溶解している溶媒は、樹脂（重合体）を溶解しうる溶媒であれば特に限定されないが、上述の本発明に係る半導体微粒子を溶解し難いものが好ましい。
上述の樹脂が溶解している溶媒としては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシドが挙げられる。

中でもメチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル類；γ−ブチロラクトン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒は極性が低く、本発明に係るペロブスカイト化合物を溶解し難いと考えられるため好ましく、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒がより好ましい。

＜（１）、（２）、（４）及び（５）を含む組成物の製造方法＞
（１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、（４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種、及び（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む組成物の製造方法は、
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を添加する以外は、上述の、（１）、及び（２）を含み、さらに（４）を含む組成物の製造方法と同様の方法とすることができる。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種は、
上述の（１）半導体微粒子の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよく、上述の（１）、及び（２）を含み、さらに（４）を含む組成物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよい。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種は、半導体微粒子の分散性を高める観点からは、（１）半導体微粒子の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することが好ましい。これにより、例えば、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む（１）半導体微粒子が、（４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種に分散している分散体と、（２）ハロゲン化炭化水素化合物との混合物として、本発明に係る組成物を得ることができる。

＜（１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）及び（４’）の合計が９０質量％以上である組成物の製造方法＞
（１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）及び（４’）の合計が９０質量％以上である組成物の製造方法としては、例えば、
（１）半導体微粒子と、（２）ハロゲン化炭化水素化合物と、重合性化合物とを混合する工程と、
重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法、及び、
（１）半導体微粒子と、（２）ハロゲン化炭化水素化合物と、溶媒に溶解している重合体とを混合する工程と、
溶媒を除去する工程と、を含む製造方法
が挙げられる。

前記製造方法に含まれる、混合する工程には、既に説明した、（１）、（２）、及び（４）を含む組成物の製造方法と同様の混合方法を用いることができる。
前記製造方法は、例えば、
（ｂ１） 重合性化合物に、（１）半導体微粒子を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）ハロゲン化炭化水素化合物とを混合する工程と、重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法であってもよく、
（ｂ２） 溶媒に溶解している重合体に、（１）半導体微粒子を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）ハロゲン化炭化水素化合物とを混合する工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法であってもよく、
（ｃ１） 重合性化合物に、（２）ハロゲン化炭化水素化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）半導体微粒子とを混合する工程と、重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法であってもよく、
（ｃ２） 溶媒に溶解している重合体に、（２）ハロゲン化炭化水素化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）半導体微粒子とを混合する工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法であってもよく、
（ｄ１） 重合性化合物に、（１）半導体微粒子及び（２）ハロゲン化炭化水素化合物の混合物を分散させる工程と、重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法であってもよい。
（ｄ２） 溶媒に溶解している重合体に、（１）半導体微粒子及び（２）ハロゲン化炭化水素化合物の混合物を分散させる工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法であってもよい。

前記製造方法に含まれる、溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥や加熱によって溶媒を蒸発させる工程であってもよい。
例えば、０〜３００℃で、１分間〜７日間乾燥させることで、溶媒を除去することができる。

前記製造方法に含まれる、重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることでおこなうことができる。
例えばラジカル重合の場合は、（１）半導体微粒子と、（２）ハロゲン化炭化水素化合物と、重合性化合物との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応が進行させることができる。
ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、光ラジカル重合開始剤が挙げられる。
上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphineoxide等が挙げられる。

＜（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含み、（１）、（２）、（４’）及び（５）の合計が９０質量％以上である組成物の製造方法＞
（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含み、（１）、（２）、（４’）及び（５）の合計が９０質量％以上である組成物の製造方法は、例えば、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を添加する以外は、既に説明した、（１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）及び（４’）の合計が９０質量％以上である組成物の製造方法と同様の方法とすることができる。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種は、
上述の（１）半導体微粒子の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよく、上述の（１）半導体微粒子と、（２）ハロゲン化炭化水素化合物と、重合性化合物とを混合する工程で添加してもよく、
上述の（１）半導体微粒子と、（２）ハロゲン化炭化水素化合物と、溶媒に溶解している重合体とを混合する工程で添加してもよい。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種は、半導体微粒子の分散性を高める観点から（１）半導体微粒子の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することが好ましい。

≪半導体微粒子の測定≫
本発明に係る組成物に含まれる半導体微粒子の量は、ＩＣＰ−ＭＳ（例えば、ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ、パーキンエルマー製）、及びイオンクロマトグラフを用いて測定する。
半導体微粒子をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の良溶媒を用いて溶解した後に測定を行う。

≪量子収率の測定≫
本発明に係る半導体微粒子を含む組成物の量子収率は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。

（１）半導体微粒子及び（２）ハロゲン化炭化水素化合物を含み、さらに（３）溶媒、を含む組成物においては、組成物に含まれる半導体微粒子の濃度が２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）となるように混合比を調整し、測定する。

（１）半導体微粒子及び（２）ハロゲン化炭化水素化合物を含み、さらに（４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む組成物においては、組成物に含まれる半導体微粒子の濃度が１０００μｇ／ｍＬとなるように混合比を調整し、測定する。（４）を（４’）に代えた場合も同様である。

本実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された量子収率が、３２％以上であってもよく、４０％以上であってもよく、５０％以上であってもよい。
本実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された量子収率が、１００％以下であってもよく、９５％以下であってもよく、９０％以下であってもよく、８０％以下であってもよく、７０％以下であってもよく、６５％以下であってもよい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の一つの側面としては、本実施形態の組成物は、上記測定方法により測定された量子収率が、３２％以上１００％以下であることが好ましく、４０％以上１００％以下であることがより好ましく、５０％以上１００％以下であることがさらに好ましい。
本発明の別の側面としては、本実施形態の組成物は、上記測定方法により測定された量子収率が、３２％以上９５％以下であることが好ましく、４０％以上９０％以下であることがより好ましく、４０％以上８０％以下であることがさらに好ましい。また、前記量子収率は、５０％以上７０％以下であってもよいし、５０％以上６５％以下であってもよい。

＜フィルム＞
本発明に係るフィルムは、（１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）、及び（４’）の合計含有量が組成物の総質量に対して９０質量％以上である組成物からなるフィルムである。
（１）半導体微粒子
（２）ハロゲン化炭化水素化合物
（４’）重合体

フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、異方性を有する形状を意味する。異方性を有する形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。
フィルムの厚みは、０．０１μｍ〜１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ〜１０ｍｍであってもよく、１μｍ〜１ｍｍであってもよい。
本明細書において前記フィルムの厚みは、マイクロメータにより任意の３点において測定し、その平均値を算出することにより得ることができる。

フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の実施形態の組成物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の実施形態の組成物が用いられていてもよい。

フィルムの製造方法としては、例えば、後述の積層構造体の製造方法の（ｉ）〜（ｉＶ）の製造方法により、基板上に形成されたフィルムを得ることができる。

＜積層構造体＞
本発明に係る積層構造体は、
複数の層を有し、少なくとも一層が、
（１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）及び（４’）の合計含有量が組成物の総質量に対して９０質量％以上である組成物からなる層である積層構造体である。
（１）半導体微粒子
（２）ハロゲン化炭化水素化合物
（４’）重合体

（１）、（２）、及び（４’）を含む組成物は、さらに、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。

積層構造体が有する複数の層のうち、（１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）及び（４’）の合計含有量が組成物の総質量に対して９０質量％以上である組成物からなる層以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
積層される組成物の形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。積層される組成物は、本実施形態のフィルムであってもよい。

（基板）
本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、基板が挙げられる。
基板は特に限定されず、フィルムであってもよく、発光時に光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。基板としては、例えばポリエチレンテレフタレートなどのプラスチックや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
例えば、積層構造体において、（１）、（２）、及び（４）を含み、（１）、（２）及び（４’）の合計含有量が組成物の総質量に対して９０質量％以上である組成物からなる層は、基板上に設けていてもよい。前記層は、本実施形態のフィルムであってもよい。

図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。
本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、前記封止層が、前記フィルム１０の前記第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。

（バリア層）
本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物を保護するため、バリア層を含んでいても良い。
バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出すと言う観点から透明なバリア層が好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマー、ガラス膜などの公知のバリア層を適用する事ができる。

（光散乱層）
本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を効率的に吸収される観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出すという観点から透明な光散乱層が好ましく、例えば、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を適用する事ができる。

＜積層構造体の製造方法＞
積層構造体の製造方法としては、例えば、
（ｉ） （１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、並びに（３）溶媒を混合する工程と、
得られた組成物を基板に塗工する工程と、
溶媒を除去する工程とを含む積層構造体の製造方法、
（ｉｉ） （１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、並びに溶媒に溶解している重合体を混合する工程と、
得られた組成物を基板上に塗工する工程と、
溶媒を除去する工程とを含む積層構造体の製造方法、
（ｉｉｉ） （１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）及び（４’）の合計が９０質量％以上である組成物を、基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法、
（１）半導体微粒子
（２）ハロゲン化炭化水素化合物
（４’）重合体
（ｉｖ） （１）半導体微粒子、（２）ハロゲン化炭化水素化合物、並びに、重合性化合物、及び（４’）重合体を混合する工程と、
得られた組成物を基板上に塗工する工程と、
重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法が挙げられる。

（ｉ）の製造方法に含まれる、混合する工程、及び、溶媒を除去する工程、
（ｉｉ）の製造方法に含まれる、混合する工程、及び、溶媒を除去する工程、
（ｉｖ）の製造方法に含まれる、混合する工程、並びに、重合性化合物を重合させる工程は、
それぞれ、既に説明した、（１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）及び（４’）の合計が９０質量％以上である組成物の製造方法
に含まれる工程と同様の工程とすることができる。

（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｖ）の製造方法に含まれる、基板上に塗工する工程は、特に制限はないが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法等の、公知の塗布方法を用いることができる。

（ｉｉｉ）の製造方法に含まれる、基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いる事ができる。
接着剤は、（１）半導体微粒子を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。

積層構造体の製造方法は、（ｉ）〜（ｉｖ）で得られた積層構造体に、さらに、任意のフィルムを張り合わせる工程を含む製造方法であってもよい。
張り合わせるフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。
フィルムを張り合わせる工程では任意の接着剤を用いる事ができる。
上述の接着剤は、（１）半導体微粒子を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。

＜発光装置＞
本発明に係わる発光装置は、前述の組成物、又は前述の積層構造体と、光源とを合せることで得る事ができる。本発明に係わる発光装置は、光源から発光した光を、後段に設置した前述の組成物に照射する事で、前述の組成物を発光させ、光を取り出す装置である。前記発光装置における積層構造体は、反射フィルム、拡散フィルム、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層などの層を含んでいてもよい。
本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。

（光源）
本発明に係わる発光装置を構成する光源は、特に制限は無いが、前述の組成物、又は積層構造体中の半導体微粒子を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましく、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を使用する事ができる。

（反射フィルム）
本発明に係わる発光装置は、特に制限は無いが、光源の光を前記組成物、又は前記積層構造体に向かって照射するための光反射部材を含むことができる。
反射フィルムは、特に制限は無いが、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルム、又は反射体等、任意の好適な公知材料を含み得る。

（拡散フィルム）
本発明に係わる発光装置は、特に制限は無いが、光源の光、又は前記組成物から発した光を拡散させるための、光散乱部材を含むことができる。拡散フィルムは、増幅拡散フィルム等の、前記技術分野で既知の任意の拡散フィルムを含んでもよい。

（輝度強化部）
本発明に係わる発光装置は、特に制限は無いが、光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す、輝度強化部を含むことができる。

（プリズムシート）
プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。 プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層：）を介して隣接する部材に貼り合わせられ得る。プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。

（導光板）
導光板としては、任意の適切な導光板が用いられ得る。例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側及び／又は視認側にプリズム形状等が形成された導光板が用いられる。

（要素間の媒体材料層）
本発明に係わる発光装置は、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層を含んでいてもよい。１つ以上の媒体には、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は前記技術分野で既知の他の好適な媒体、が含まれるが、これらに限定されない、任意の好適な材料が含まれてもよい。

本発明に係る発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
具体的には、
（１）本発明の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）、
（２）本発明に係る組成物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）、
（３）半導体微粒子を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）、及び
（４）半導体微粒子を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライトが挙げられる。

また、本発明に係る発光装置の具体例としては、本発明の組成物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。

＜発光装置の製造方法＞
例えば、前述の光源と、光源から後段の光路上に前述の組成物、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。

＜ディスプレイ＞
図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。

＜液晶パネル＞
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。

（液晶セル）
液晶セルは、一対の基板と、前記基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。

（偏光板）
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には吸収型偏光子である。
上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。

本発明に係る組成物組成物の用途としては、例えば、レーザーダイオード用の波長変換材料が挙げられる。
＜ＬＥＤ＞
本発明に係る組成物は、例えば、ＬＥＤの発光層の材料として用いることができる。
本発明に係る組成物を含むＬＥＤとしては、例えば、本発明に係る組成物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる半導体微粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。

＜太陽電池＞
本発明に係る組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本発明に係る組成物を含む活性層、２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層、及び、銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。
活性層に含まれる、本発明に係る組成物は、電荷分離及び電子輸送の役割を果たす。

なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（組成物の合成）
［実施例１］
炭酸セシウム０．８１４ｇと１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛（ＰｂＢｒ_２）０．２７６ｇを１−オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、オレイルアミン２ｍＬを添加した。１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温した。
次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間の遠心分離で沈殿を分離する事で、沈殿の半導体微粒子を得た。
前記半導体微粒子のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に(ｈｋｌ)＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭ（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）で観察したペロブスカイト化合物の平均のフェレー径は１１ｎｍであった。
半導体微粒子をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５０μＬを分取して、トルエン５ｍＬに再分散させることで、半導体微粒子及び溶媒を含む分散液を得た。ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
次いで、上記の半導体微粒子が分散した分散液に、モル比が1-Bromohexadecane／Ｐｂ＝１４７となるように混合して組成物を得た。

［実施例２］
1-Bromohexadecane／Ｐｂ＝２４５とする以外は上記実施例１と同様の方法で組成物を得た。

［実施例３］
1-Bromohexadecane／Ｐｂ＝４８９とする以外は上記実施例１と同様の方法で組成物を得た。

［比較例１］
炭酸セシウム０．８１４ｇと１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛（ＰｂＢｒ_２）０．２７６ｇを１−オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、オレイルアミン２ｍＬを添加した。１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温した。
次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間の遠心分離で沈殿を分離する事で、沈殿の半導体微粒子を得た。
前記半導体微粒子のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に(ｈｋｌ)＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭ（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）で観察したペロブスカイト化合物の平均のフェレー径は１１ｎｍであった。
半導体微粒子をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５０μＬを分取して、トルエン５ｍＬに再分散させることで、半導体微粒子及び溶媒を含む分散液を得た。ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。

（半導体微粒子の測定）
実施例及び比較例で得られた組成物における半導体微粒子の濃度は、それぞれ、再分散させることで得られた半導体微粒子及び溶媒を含む分散液に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを添加することで半導体微粒子を溶解させた後、ＩＣＰ−ＭＳ（ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ、パーキンエルマー製）、及びイオンクロマトグラフを用いて測定した。

（量子収率測定）
実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物の量子収率を、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて測定した。

以下の表１に、実施例１〜３、比較例１の組成物の構成と、量子収率（％）を記載する。表１中、「ハロゲン化炭化水素化合物／Ｐｂ」は、ハロゲン化炭化水素化合物の量をＰｂの量で除したモル比を表す。
図３に、実施例１〜３の結果を示す。

上記の結果から、本発明を適用した実施例１〜３に係る組成物は、本発明を適用しない比較例１の組成物と比して、優れた量子収率を有していることが確認できた。

（組成物）
［実施例４］
炭酸セシウム０．８１４ｇと１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛（ＰｂＢｒ_２）０．２７６ｇを１−オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、オレイルアミン２ｍＬを添加した。１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温した。
次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間の遠心分離で沈殿を分離する事で、沈殿の半導体微粒子を得た。
前記半導体微粒子のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に(ｈｋｌ)＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭ（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）で観察したペロブスカイト化合物の平均のフェレー径は１１ｎｍであった。
半導体微粒子をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、半導体微粒子及び溶媒を含む分散液を得た。ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、１５００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるようにトルエンと混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。上記の半導体微粒子及び溶媒を含む分散液０．１５ｇ、重合体が溶解した溶液０．９１３ｇとを混合した後、モル比が1-Bromohexadecane／Ｐｂ＝４８．９となるようにアルミ製のカップ（４．５φｃｍ）中で混合した。
トルエンを自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物の濃度が１０００μｇ／ｍＬの組成物を得た。組成物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。

［実施例５］
1-Bromohexadecane／Ｐｂ＝９７．９とする以外は上記実施例４と同様の方法で組成物を得た。

［比較例２］
炭酸セシウム０．８１４ｇと１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛（ＰｂＢｒ_２）０．２７６ｇを１−オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、オレイルアミン２ｍＬを添加した。１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温した。
次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間の遠心分離で沈殿を分離する事で、沈殿の半導体微粒子を得た。
前記半導体微粒子のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に(ｈｋｌ)＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭ（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）で観察したペロブスカイト化合物の平均のフェレー径は１１ｎｍであった。
半導体微粒子をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、半導体微粒子及び溶媒を含む分散液を得た。ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、１０００μｇ／ｍＬであった。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるようにトルエンと混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
上記の半導体微粒子及び溶媒を含む分散液０．１５ｇ、及び重合体が溶解した溶液０．９１３ｇとをアルミ製のカップ（４．５φｃｍ）中で混合した。
トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ペロブスカイト化合物の濃度が１０００μｇ／ｍＬの組成物を得た。組成物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。

（半導体微粒子の測定）
実施例及び比較例で得られた組成物における半導体微粒子の濃度は、それぞれ、再分散させることで得られた半導体微粒子及び溶媒を含む分散液に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを添加することで半導体微粒子を溶解させた後、ＩＣＰ−ＭＳ（ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ、パーキンエルマー製）、及びイオンクロマトグラフを用いて測定した。

（量子収率測定）
実施例３，４、及び比較例２で得られた組成物の量子収率を、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて測定した。

以下の表２に、実施例３，４、比較例２の組成物の構成と、量子収率（％）を記載する。表２中、ハロゲン化アルキル基を有する有機化合物／Ｐｂは、ハロゲン化炭化水素化合物の量をＰｂの量で除したモル比を表す。

上記の結果から、本発明を適用した実施例４，５の組成物は、本発明を適用しない比較例２の組成物と比して、優れた量子収率を有していることが確認できた。

［参考例１］
実施例１〜５に記載の組成物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例２］
実施例１〜５に記載の組成物をシート化する事で樹脂組成物を得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例３］
実施例１〜５に記載の組成物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例４］
実施例１〜５に記載の組成物とレジストを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例５］
実施例１〜５に記載の組成物をＺｎＳなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の半導体微粒子中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。

［参考例６］
フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１〜５に記載の組成物を積層し、溶媒を除去した後にその上から２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。

［参考例７］
実施例１〜５に記載の組成物と樹脂を混合した後に、溶媒を除去して成形する事で本発明に係る組成物を含む樹脂組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから前記樹脂成形体に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。

本発明によれば、量子収率が高い組成物、前記組成物からなるフィルム、前記組成物を含む積層構造体、及び前記組成物を用いたディスプレイを提供することが可能となる。
したがって、本発明の組成物、前記組成物からなるフィルム、前記組成物を含む積層構造体、及び前記組成物を用いたディスプレイは、発光用途において好適に使用することができる。

１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板

Claims (9)

1. （１）及び（２）を含み、さらに（３）、及び（４）の少なくとも一方を含み、発光性を有する組成物。
   （１）半導体微粒子
   （２）ハロゲン化炭化水素化合物
   前記ハロゲン化炭化水素化合物が有するハロゲン元素は、臭素原子である。
   （３）溶媒
   （４）重合性化合物、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種
2. 前記（１）が、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物の微粒子である請求項１に記載の組成物。
   Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
   Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
   Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。
3. さらに、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１又は２に記載の組成物。
4. （１）、（２）、及び（４’）を含む組成物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計含有量が前記組成物の総質量に対して９０質量％以上である組成物。
   （１）半導体微粒子
   （２）ハロゲン化炭化水素化合物
   前記ハロゲン化炭化水素化合物が有するハロゲン元素は、臭素原子である。
   （４’）重合体
5. さらに、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む請求項４に記載の組成物。
6. 請求項４又は５に記載の組成物からなるフィルム。
7. 複数の層を有し、少なくとも一層が、請求項４又は５に記載の組成物からなる層である、積層構造体。
8. 請求項７に記載の積層構造体を備える発光装置。
9. 請求項７に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。

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