JP6825398B2 - Board transfer device and board transfer method - Google Patents

Board transfer device and board transfer method Download PDF

Info

Publication number
JP6825398B2
JP6825398B2 JP2017021389A JP2017021389A JP6825398B2 JP 6825398 B2 JP6825398 B2 JP 6825398B2 JP 2017021389 A JP2017021389 A JP 2017021389A JP 2017021389 A JP2017021389 A JP 2017021389A JP 6825398 B2 JP6825398 B2 JP 6825398B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
abnormality
time
holding portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017021389A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017183704A (en
Inventor
直人 坂元
直人 坂元
準之輔 牧
準之輔 牧
英樹 梶原
英樹 梶原
弘明 森
弘明 森
和俊 石丸
和俊 石丸
正彦 緒方
正彦 緒方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to KR1020170036038A priority Critical patent/KR102335539B1/en
Priority to CN201710183530.8A priority patent/CN107230656B/en
Publication of JP2017183704A publication Critical patent/JP2017183704A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6825398B2 publication Critical patent/JP6825398B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/07—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for semiconductor wafers Not used, see H01L21/677
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2201/00—Indexing codes relating to handling devices, e.g. conveyors, characterised by the type of product or load being conveyed or handled
    • B65G2201/02—Articles
    • B65G2201/0297—Wafer cassette

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、基板を吸引して搬送する基板保持部を備えた基板搬送装置及び基板搬送方法に関する。 The present invention relates to a substrate transfer device and a substrate transfer method provided with a substrate holding portion for sucking and transporting a substrate.

半導体デバイスを製造するための半導体製造装置においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという）が載置されるモジュールが複数設けられており、基板搬送装置が基板搬送機構として組み込まれている。キャリアに格納された状態で半導体製造装置に搬入されたウエハは、この基板搬送機構によって当該キャリアから取り出され、モジュール間を搬送される。 In a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device, a plurality of modules on which a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) as a substrate is mounted are provided, and the substrate transporting device is incorporated as a substrate transporting mechanism. The wafer carried into the semiconductor manufacturing apparatus while being stored in the carrier is taken out from the carrier by the substrate transfer mechanism and conveyed between the modules.

モジュールとしては、ウエハに処理を行う処理モジュールや、処理モジュール間における受け渡しを仲介するためにウエハが仮置きされる受け渡しモジュールがあり、基板搬送機構がこれらのモジュールを所定の順番でウエハを搬送することで、ウエハに所定の一連の処理が行われる。基板搬送機構は昇降可能な基台と、当該基台において進退自在に設けられるウエハを保持する保持部とを備える。特許文献１に示されるように、保持部にはウエハを吸着する吸引孔が設けられる場合が有る。また、特許文献２にも、ウエハを真空吸着して保持して搬送する搬送機構が示されている。 Modules include a processing module that processes wafers and a transfer module in which wafers are temporarily placed to mediate transfer between processing modules, and a substrate transfer mechanism transfers the wafers in a predetermined order. As a result, a predetermined series of processes are performed on the wafer. The substrate transport mechanism includes a base that can be raised and lowered, and a holding portion that holds a wafer that is freely moved back and forth on the base. As shown in Patent Document 1, the holding portion may be provided with a suction hole for sucking the wafer. Further, Patent Document 2 also discloses a transport mechanism for vacuum-adsorbing, holding and transporting a wafer.

特開２０１４−３６１７５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-36175 特開２００５−２７７０１６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-277016

ところで、上記の半導体製造装置内でのウエハの搬送の異常の有無を監視することで、保持部からウエハが落下することや、割れたウエハの破片が散らばることなどの各種の不具合の発生を防ぐことが検討されている。上記の特許文献１では、基板搬送機構の昇降動作の異常の有無を検出するにあたり、既述の吸引孔に接続される排気管に設けられる圧力センサから出力されるデジタル信号のオンオフの切り替わりによって保持部がウエハを保持したタイミングを検出する旨について記載されている。 By the way, by monitoring the presence or absence of abnormalities in wafer transfer in the above-mentioned semiconductor manufacturing apparatus, it is possible to prevent various problems such as the wafer falling from the holding portion and broken wafer fragments being scattered. Is being considered. In Patent Document 1 described above, in detecting the presence or absence of an abnormality in the ascending / descending operation of the substrate transport mechanism, the digital signal output from the pressure sensor provided in the exhaust pipe connected to the suction hole described above is held by switching on / off. It is described that the unit detects the timing of holding the wafer.

しかし、装置に供給される用力の減衰や、複数の保持部で排気管の下流側を共用する場合の各保持部におけるウエハの吸着の有無によって排気管の排気流量は変動する。つまり、上記の圧力センサからのデジタル信号には、ウエハの保持部の吸着状態が正確に反映されない場合が有る。そのため、より精度高く搬送の異常の有無を監視することができる技術について求められている。特許文献２では、ウエハの吸着を行うための吸引路に設けた圧力センサによる圧力の検出値を監視して、装置の異常を検出することが記載されているが、発明の実施の形態で述べるようにこのような検出値にはノイズ成分が含まれるので、搬送の異常を精度高く検出することは困難である。 However, the exhaust flow rate of the exhaust pipe fluctuates depending on the attenuation of the force supplied to the apparatus and the presence or absence of adsorption of the wafer in each holding portion when the downstream side of the exhaust pipe is shared by a plurality of holding portions. That is, the digital signal from the pressure sensor may not accurately reflect the suction state of the wafer holding portion. Therefore, there is a demand for a technique capable of monitoring the presence or absence of abnormalities in transportation with higher accuracy. Patent Document 2 describes that an abnormality of an apparatus is detected by monitoring a pressure detection value by a pressure sensor provided in a suction path for sucking a wafer, but it will be described in the embodiment of the invention. As described above, since such a detected value includes a noise component, it is difficult to detect an abnormality in transportation with high accuracy.

本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基板を吸引して搬送する基板搬送装置において、基板の搬送の異常の検出を精度高く行うことができる技術を提供することである。 The present invention has been made based on such circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique capable of detecting abnormalities in substrate transfer with high accuracy in a substrate transfer device that sucks and conveys a substrate. That is.

本発明の基板搬送装置は、基板を吸引して保持するための吸引孔を備える基板保持部と、
前記基板保持部を移動させる移動機構と、
前記吸引孔に連通する吸引路の圧力を検出する圧力検出部と、
前記圧力検出部の圧力検出値の微分値に基づいて前記基板の搬送の異常を検出する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記微分値に基づいて異常の種別を推定することを特徴とする。
本発明の他の基板搬送装置は、基板を吸引して保持するための吸引孔を備える基板保持部と、
前記基板保持部を移動させる移動機構と、
前記吸引孔に連通する吸引路の圧力を検出する圧力検出部と、
前記圧力検出部の圧力検出値の微分値に基づいて前記基板の搬送の異常を検出する制御部と、を備え、
推定される前記異常の種別は、
前記基板保持部が基板を受け取る第１の載置部における当該基板の載置状態の異常、
前記第１の載置部から受け取った基板と前記基板保持部との間における異物の介在、
前記第１の載置部から受け取った前記基板の割れ、及び
前記基板保持部が前記第１の載置部から前記基板を受け取った後、当該基板の搬送先である第２の載置部に搬送するまでに発生する当該基板の損傷のうちの少なくともいずれかであることを特徴とする。
The substrate transfer device of the present invention includes a substrate holding portion provided with a suction hole for sucking and holding the substrate.
A moving mechanism for moving the substrate holding portion and
A pressure detection unit that detects the pressure of the suction path communicating with the suction hole,
A control unit that detects an abnormality in the transfer of the substrate based on the differential value of the pressure detection value of the pressure detection unit is provided .
The control unit is characterized in that the type of abnormality is estimated based on the differential value .
The other substrate transfer device of the present invention includes a substrate holding portion provided with a suction hole for sucking and holding the substrate.
A moving mechanism for moving the substrate holding portion and
A pressure detection unit that detects the pressure of the suction path communicating with the suction hole,
A control unit that detects an abnormality in the transfer of the substrate based on the differential value of the pressure detection value of the pressure detection unit is provided.
The presumed type of abnormality is
Abnormal mounting state of the board in the first mounting section where the board holding portion receives the board,
Interference of foreign matter between the substrate received from the first mounting portion and the substrate holding portion,
Cracks in the substrate received from the first mounting portion, and
At least one of the damages to the substrate that occurs after the substrate holding portion receives the substrate from the first mounting portion and then transports the substrate to the second mounting portion which is the transport destination of the substrate. It is characterized by being.

本発明の基板搬送方法は、吸引孔により基板を吸引し、基板保持部に保持する工程と、
前記基板を保持した前記基板保持部を移動機構により移動させる工程と、
圧力検出部により前記吸引孔に連通する吸引路の圧力を検出する工程と、
前記圧力検出部の圧力検出値の微分値に基づいて前記基板の搬送の異常を検出する工程と、
前記微分値に基づいて異常の種別を推定する工程と、
を備えたことを特徴とする。
The substrate transport method of the present invention includes a step of sucking the substrate through the suction holes and holding the substrate in the substrate holding portion.
A step of moving the substrate holding portion holding the substrate by a moving mechanism, and
A step of detecting the pressure of the suction path communicating with the suction hole by the pressure detection unit, and
A step of detecting an abnormality in the transfer of the substrate based on the differential value of the pressure detection value of the pressure detection unit, and
The process of estimating the type of abnormality based on the differential value, and
It is characterized by being equipped with.

本発明によれば、基板保持部に設けられ、基板を吸引して保持するための吸引孔に連通する吸引路の圧力検出値の微分値に基づいて搬送の異常を検出する。このように微分値を取得することで、吸引路の圧力の変化を精度高く把握することができるため、基板の搬送の異常を精度高く検出することができる。 According to the present invention, an abnormality in transportation is detected based on a differential value of a pressure detection value of a suction path provided in a substrate holding portion and communicating with a suction hole for sucking and holding the substrate. By acquiring the differential value in this way, the change in the pressure of the suction path can be grasped with high accuracy, so that the abnormality of the transfer of the substrate can be detected with high accuracy.

本発明が適用される塗布、現像装置の平面図である。It is a top view of the coating and developing apparatus to which this invention is applied. 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。It is a longitudinal side view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置に設けられる本発明に係る搬送アームの平面図である。It is a top view of the transport arm which concerns on this invention provided in the coating and developing apparatus. 前記搬送アームの縦断側面図である。It is a longitudinal side view of the transport arm. 前記塗布、現像装置に設けられる他の搬送アームの平面図である。It is a top view of the other transport arm provided in the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置に設けられる異物除去ユニットの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the foreign matter removal unit provided in the coating and developing apparatus. 前記異物除去ユニットの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the foreign matter removal unit. 前記異物除去ユニットの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the foreign matter removal unit. 正常な搬送時に取得される排気圧についてのデータを示すチャート図である。It is a chart figure which shows the data about the exhaust pressure acquired at the time of normal transportation. 正常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of normal transport. 前記塗布、現像装置に設けられる制御部の構成図である。It is a block diagram of the control part provided in the coating and developing apparatus. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記排気管の排気圧についてのデータを示すチャート図である。It is a chart figure which shows the data about the exhaust pressure of the exhaust pipe at the time of abnormal transportation. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記排気管の排気圧についてのデータを示すチャート図である。It is a chart figure which shows the data about the exhaust pressure of the exhaust pipe at the time of abnormal transportation. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記排気管の排気圧についてのデータを示すチャート図である。It is a chart figure which shows the data about the exhaust pressure of the exhaust pipe at the time of abnormal transportation. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記排気管の排気圧についてのデータを示すチャート図である。It is a chart figure which shows the data about the exhaust pressure of the exhaust pipe at the time of abnormal transportation. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記排気管の排気圧についてのデータを示すチャート図である。It is a chart figure which shows the data about the exhaust pressure of the exhaust pipe at the time of abnormal transportation. 異常の種別を推定し、対処動作を行う手順を示すチャート図である。It is a chart figure which shows the procedure which estimates the type of abnormality and performs the coping action. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 正常な搬送時に前記排気圧に基づいて取得されるデータを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the data acquired based on the exhaust pressure at the time of normal transportation. 異常な搬送時に前記排気圧に基づいて取得されるデータを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the data acquired based on the exhaust pressure at the time of abnormal transportation. 他の異物除去ユニットの概略構成図である。It is a schematic block diagram of another foreign matter removal unit. 他の異物除去ユニットの概略構成図である。It is a schematic block diagram of another foreign matter removal unit. ウエハの位置検出機構を備えた搬送アームの斜視図である。It is a perspective view of the transfer arm provided with the position detection mechanism of a wafer. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 異常な搬送時の前記搬送アームの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the said transport arm at the time of abnormal transport. 搬送アームの動作を示すグラフ図である。It is a graph which shows the operation of a transport arm. 搬送アームの動作を示すグラフ図である。It is a graph which shows the operation of a transport arm.

（塗布、現像装置の構成）
本発明の基板搬送装置が適用された塗布、現像装置１について、図１の平面図及び図２の概略縦断側面図を参照して説明する。この塗布、現像装置１はキャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＤ３には、露光機Ｄ４が接続されている。以下、各ブロックＤについて説明するにあたり、キャリアブロックＤ１側を前方側、インターフェイスブロックＤ３側を後方側として説明する。
キャリアブロックＤ１には、塗布、現像装置１の外部からウエハＷを格納するキャリアＣが搬送される。当該キャリアブロックＤ１は、キャリアＣの載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣに対してウエハＷを搬送するための搬送アーム２とを備えている。 (Composition of coating and developing equipment)
The coating and developing apparatus 1 to which the substrate transport apparatus of the present invention is applied will be described with reference to the plan view of FIG. 1 and the schematic longitudinal side view of FIG. The coating / developing device 1 is configured by linearly connecting a carrier block D1, a processing block D2, and an interface block D3. An exposure machine D4 is connected to the interface block D3. Hereinafter, each block D will be described with the carrier block D1 side as the front side and the interface block D3 side as the rear side.
A carrier C for storing the wafer W is conveyed to the carrier block D1 from the outside of the coating / developing device 1. The carrier block D1 includes a mounting table 11 for the carrier C, an opening / closing portion 12, and a conveying arm 2 for conveying the wafer W to the carrier C via the opening / closing portion 12.

処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下から順に積層されて構成されている。Ｅ１とＥ２とが互いに同じ単位ブロックであり、Ｅ３とＥ４とが互いに同じ単位ブロックであり、Ｅ５とＥ６とが互いに同じ単位ブロックである。２つの同じ単位ブロックのうち、ウエハＷは一方の単位ブロックに搬送される。 The processing block D2 is configured by laminating the first to sixth unit blocks E1 to E6 that perform liquid treatment on the wafer W in order from the bottom. E1 and E2 are the same unit blocks, E3 and E4 are the same unit blocks, and E5 and E6 are the same unit blocks. Of the two same unit blocks, the wafer W is transported to one unit block.

ここでは単位ブロックのうち代表して図１に示す単位ブロックＥ１を説明する。前後方向にウエハＷの搬送領域１３が形成されており、搬送領域１３の左右の一方側には、ウエハＷに薬液を供給して反射防止膜を形成するための反射防止膜形成モジュール１４が設けられている。搬送領域１３の他方側には、載置されたウエハＷが加熱される熱板を備える加熱モジュール１５が、搬送領域１３に沿って前後に複数設けられている。また、上記の搬送領域１３には、単位ブロックＥ１内でウエハＷを搬送する搬送アームＦ１が設けられている。 Here, the unit block E1 shown in FIG. 1 will be described as a representative of the unit blocks. A transfer region 13 of the wafer W is formed in the front-rear direction, and an antireflection film forming module 14 for supplying a chemical solution to the wafer W to form an antireflection film is provided on one of the left and right sides of the transfer area 13. Has been done. On the other side of the transport region 13, a plurality of heating modules 15 including a hot plate on which the mounted wafer W is heated are provided in the front-rear direction along the transport region 13. Further, in the above-mentioned transport region 13, a transport arm F1 for transporting the wafer W in the unit block E1 is provided.

単位ブロックＥ３〜Ｅ６について、単位ブロックＥ１、Ｅ２との差異点を説明すると、単位ブロックＥ３、Ｅ４は、反射防止膜形成モジュール１４の代わりにレジスト膜形成モジュールを備えている。レジスト膜形成モジュールは、ウエハＷにレジスト膜を形成するために薬液としてレジストを供給する。単位ブロックＥ５、Ｅ６は、反射防止膜形成モジュール１４の代わりに現像モジュールを備えている。現像モジュールは、ウエハＷに薬液として現像液を供給する。このように薬液の供給を行うモジュールの当該薬液の種類が異なることを除いて、単位ブロックＥ１〜Ｅ６は互いに同様に構成されている。図２では、搬送アームＦ１に相当する各単位ブロックＥ２〜Ｅ６の搬送アームについて、Ｆ２〜Ｆ６として示しており、Ｆ１〜Ｆ６は互いに同様に構成されている。 Explaining the differences between the unit blocks E3 to E6 and the unit blocks E1 and E2, the unit blocks E3 and E4 include a resist film forming module instead of the antireflection film forming module 14. The resist film forming module supplies a resist as a chemical solution to form a resist film on the wafer W. The unit blocks E5 and E6 include a developing module instead of the antireflection film forming module 14. The developing module supplies the developing solution to the wafer W as a chemical solution. The unit blocks E1 to E6 are configured in the same manner as each other, except that the type of the chemical solution of the module for supplying the chemical solution is different. In FIG. 2, the transport arms of the unit blocks E2 to E6 corresponding to the transport arms F1 are shown as F2 to F6, and F1 to F6 are configured in the same manner.

処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸び、互いに積層された多数のモジュールからなるタワーＴ１と、タワーＴ１を構成する各モジュール間で基板の受け渡しを行うための搬送アーム３と、が設けられている。タワーＴ１において、例えば単位ブロックＥ１〜Ｅ６が設けられる各高さには受け渡しモジュールＴＲＳが設けられている。 On the carrier block D1 side of the processing block D2, a substrate is transferred between the tower T1 which extends vertically over each unit block E1 to E6 and is composed of a large number of modules stacked on each other and each module constituting the tower T1. A transport arm 3 for performing the operation is provided. In the tower T1, for example, a transfer module TRS is provided at each height where the unit blocks E1 to E6 are provided.

また、タワーＴ１には、疎水化処理モジュール１６と複数の温度調整モジュールＳＣＰＬが設けられている。疎水化処理モジュール１６は、加熱モジュール１５と同様にウエハＷを載置して加熱する熱板を備え、当該熱板に載置されたウエハＷの表面に処理ガスを供給して疎水化処理を行う。温度調整モジュールＳＣＰＬは、載置されたウエハＷが例えば２３℃になるように温度調整する載置部を備えている。さらにタワーＴ１には、異物除去ユニット４が設けられている。この異物除去ユニット４については、後に詳述する。 Further, the tower T1 is provided with a hydrophobizing treatment module 16 and a plurality of temperature control modules SCPL. Like the heating module 15, the hydrophobizing module 16 includes a hot plate on which the wafer W is placed and heated, and the treatment gas is supplied to the surface of the wafer W placed on the hot plate to perform the hydrophobizing treatment. Do. The temperature adjustment module SCPL includes a mounting portion that adjusts the temperature of the mounted wafer W so that the temperature is, for example, 23 ° C. Further, the tower T1 is provided with a foreign matter removing unit 4. The foreign matter removing unit 4 will be described in detail later.

インターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えており、タワーＴ２とタワーＴ３とに対してウエハＷの受け渡しを行うための搬送アーム１７と、タワーＴ２とタワーＴ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための搬送アーム１８と、タワーＴ２と露光機Ｄ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送アーム１９と、が設けられている。タワーＴ２は、各単位ブロックに対してウエハＷを受け渡すための受け渡しモジュールＴＲＳが積層されて設けられている。タワーＴ３、Ｔ４にもモジュールが設けられているが、このモジュールについては説明を省略する。 The interface block D3 includes towers T2, T3, and T4 extending vertically across the unit blocks E1 to E6, and a transport arm 17 for delivering the wafer W to the towers T2 and T3, and a tower. A transfer arm 18 for transferring the wafer W to the T2 and the tower T4, and a transfer arm 19 for transferring the wafer W between the tower T2 and the exposure machine D4 are provided. The tower T2 is provided with a delivery module TRS for delivering the wafer W to each unit block in a laminated manner. Modules are also provided in towers T3 and T4, but the description of these modules will be omitted.

（搬送アームの構成）
上記の各搬送アームは基板搬送機構として塗布、現像装置１に組み込まれた基板搬送装置である。キャリアブロックＤ１の搬送アーム２について、図３の平面図及び図４の縦断側面図を参照して説明すると、搬送アーム２は基台２１と、基台２１上に設けられるフォーク２２とを備えている。基台２１は、フォーク２２を後退位置（図３、図４に示す位置）と前進位置との間で進退させることができる。さらに基台２１は図示しない駆動機構に接続され、左右の移動、昇降、且つ鉛直軸周りの回転が行えるように構成されている。当該駆動機構及び基台２１は、基板保持部であるフォーク２２を移動させる移動機構を構成する。 (Composition of transport arm)
Each of the above transfer arms is a substrate transfer device incorporated in the coating and developing device 1 as a substrate transfer mechanism. The transport arm 2 of the carrier block D1 will be described with reference to the plan view of FIG. 3 and the longitudinal side view of FIG. 4. The transport arm 2 includes a base 21 and a fork 22 provided on the base 21. There is. The base 21 can move the fork 22 forward and backward between the retracted position (position shown in FIGS. 3 and 4) and the forward position. Further, the base 21 is connected to a drive mechanism (not shown) and is configured to be able to move left and right, move up and down, and rotate around a vertical axis. The drive mechanism and the base 21 constitute a moving mechanism for moving the fork 22, which is a substrate holding portion.

フォーク２２は、前進方向側が２叉に延出された水平板状に形成されている。フォーク２２の表面には３つの扁平な円形のパッド２３が設けられ、各パッド２３の表面には吸引孔２４が開口している。パッド２３上にこれらの吸引孔２４を塞ぐように載置されたウエハＷは吸引されて、図中に鎖線で示すようにフォーク２２に水平に吸着保持される。また、フォーク２２には排気路２５が設けられている。排気路２５の上流側は分岐して各吸引孔２４に接続されており、排気路２５の下流側はフォーク２２に接続される排気管２６内に連通している。吸引路（排気路）を構成する排気管２６の下流側は、例えばバルブや排気ブロアなどを含む排気機構２７に接続されており、この排気機構２７によって、吸引孔２４からの吸引が行われる状態と、吸引孔２４からの吸引が行われない状態とを切り替えることができる。 The fork 22 is formed in a horizontal plate shape with the forward side extending in two forks. Three flat circular pads 23 are provided on the surface of the fork 22, and suction holes 24 are opened on the surface of each pad 23. The wafer W placed on the pad 23 so as to close the suction holes 24 is sucked and horizontally sucked and held by the fork 22 as shown by a chain line in the drawing. Further, the fork 22 is provided with an exhaust passage 25. The upstream side of the exhaust passage 25 is branched and connected to each suction hole 24, and the downstream side of the exhaust passage 25 communicates with the exhaust pipe 26 connected to the fork 22. The downstream side of the exhaust pipe 26 constituting the suction path (exhaust path) is connected to an exhaust mechanism 27 including, for example, a valve and an exhaust blower, and the exhaust mechanism 27 performs suction from the suction hole 24. And a state in which suction from the suction hole 24 is not performed can be switched.

そして、排気管２６において排気機構２７の上流側には、排気圧センサ（圧力センサ）２８が設けられており、排気管２６内の圧力（排気圧）に対応するアナログ信号を出力する。図３に示す制御部５は、塗布、現像装置１の各部の動作を制御するために設けられるコンピュータであり、圧力検出部である排気圧センサ２８からの出力信号を、デジタル信号に変換するための変換器（図示は省略）を介して例えば２．５ミリ秒間隔で繰り返し取得する。この信号の取得間隔はこの例に限られないが、後述するように精度高く異常を検出するために、例えば１０ミリ秒以下の間隔であることが好ましい。制御部５の詳しい構成については後述する。 An exhaust pressure sensor (pressure sensor) 28 is provided on the upstream side of the exhaust mechanism 27 in the exhaust pipe 26, and outputs an analog signal corresponding to the pressure (exhaust pressure) in the exhaust pipe 26. The control unit 5 shown in FIG. 3 is a computer provided for controlling the operation of each unit of the coating and developing apparatus 1, and is for converting an output signal from the exhaust pressure sensor 28, which is a pressure detecting unit, into a digital signal. It is repeatedly acquired, for example, at intervals of 2.5 milliseconds via the converter (not shown). The acquisition interval of this signal is not limited to this example, but it is preferable that the interval is, for example, 10 milliseconds or less in order to detect an abnormality with high accuracy as described later. The detailed configuration of the control unit 5 will be described later.

次に搬送アームＦ１について、図５の平面図を参照して搬送アーム２との差異点を説明する。搬送アームＦ１のフォーク２２は、ウエハＷの側周を囲むように前進方向側が２叉に延出されるように構成され、さらにそのように囲んだウエハＷの裏面周縁部が載置される４つの爪部２９が設けられている。搬送アームＦ１においては、吸引孔２４を備えたパッド２３がこの爪部２９の表面（上面）に設けられている。 Next, the difference between the transfer arm F1 and the transfer arm 2 will be described with reference to the plan view of FIG. The fork 22 of the transport arm F1 is configured so that the advancing direction side extends in two so as to surround the side circumference of the wafer W, and further, the back surface peripheral portion of the wafer W so surrounded is placed on the four forks. A claw portion 29 is provided. In the transport arm F1, a pad 23 provided with a suction hole 24 is provided on the surface (upper surface) of the claw portion 29.

また、搬送アームＦ（Ｆ１〜Ｆ６）の基台２１上においてはフォーク２２が２つ上下方向に設けられ、これらのフォーク２２は互いに独立して基台２１を進退する。図５では、１つのフォーク２２が前進位置に、他の１つのフォークが後退位置に位置する状態を示している。これらの差異点を除き、搬送アームＦ（Ｆ１〜Ｆ６）は搬送アーム２と同様に構成されている。また、搬送アーム３はフォーク２２が１つのみ設けられることを除いて、搬送アームＦ（Ｆ１〜Ｆ６）と同様に構成されている。 Further, two forks 22 are provided in the vertical direction on the base 21 of the transport arms F (F1 to F6), and these forks 22 advance and retreat independently of the base 21. FIG. 5 shows a state in which one fork 22 is located in the forward position and the other fork is located in the backward position. Except for these differences, the transfer arms F (F1 to F6) are configured in the same manner as the transfer arm 2. Further, the transport arm 3 is configured in the same manner as the transport arms F (F1 to F6) except that only one fork 22 is provided.

（モジュール及びキャリアについて）
ところでモジュールとは、各搬送アームによってウエハＷが載置される載置部を備える塗布、現像装置１内のユニットを表している。各モジュールを構成する載置部は、後述する当該載置部にアクセスする搬送アームのフォーク２２の昇降動作によってウエハＷの受け渡しが行えるように、当該フォーク２２と干渉しない形状に構成される。また、キャリアＣにもフォーク２２の昇降動作によってウエハＷの受け渡しが行えるように載置部が設けられており、図３ではこの載置部をＣ１として示している。 (About modules and carriers)
By the way, the module represents a unit in the coating / developing apparatus 1 provided with a mounting portion on which the wafer W is mounted by each transport arm. The mounting portion constituting each module is configured so as not to interfere with the fork 22 so that the wafer W can be delivered by the raising and lowering operation of the fork 22 of the transport arm that accesses the mounting portion described later. Further, the carrier C is also provided with a mounting portion so that the wafer W can be delivered by moving the fork 22 up and down, and this mounting portion is shown as C1 in FIG.

（異物除去ユニットの構成と動作）
続いて上記のタワーＴ１に設けられる異物除去部である異物除去ユニット４について図６を参照して説明する。この異物除去ユニット４は、後述するように搬送アーム２の異常が推定された場合に、搬送アーム２のパッド２３に付着した異物Ｐを除去する役割を有している。異物除去ユニット４は、３本の垂直なピン４１と、各ピン４１の下端を支持する支持部４２と、支持部４２を鉛直軸周りに回転させる回転機構４３と、各ピン４１の先端に支持されるディスク４４とにより構成される。ディスク４４はピン４１に対して着脱自在であり、搬送アーム２のパッド２３に受け渡される。このように受け渡されたときにパッド２３に付着している異物Ｐを吸着して除去することができるように、ディスク４４の裏面には例えば粘着物質が設けられている。具体的には例えば当該粘着物質により構成された樹脂からなるフィルムが複数枚積層されてディスク４４の裏面に設けられ、この積層されたフィルムの内の表層のフィルムが異物Ｐを吸着するための粘着面を構成する。ディスク４４が使用され、表層のフィルムの粘着性が低下した場合には、当該フィルムを剥がして下層のフィルムを新しい粘着面として露出させることができる。 (Configuration and operation of foreign matter removal unit)
Subsequently, the foreign matter removing unit 4, which is a foreign matter removing portion provided in the tower T1, will be described with reference to FIG. The foreign matter removing unit 4 has a role of removing the foreign matter P adhering to the pad 23 of the transport arm 2 when an abnormality of the transport arm 2 is estimated as described later. The foreign matter removing unit 4 is supported by three vertical pins 41, a support portion 42 that supports the lower end of each pin 41, a rotation mechanism 43 that rotates the support portion 42 around a vertical axis, and a tip of each pin 41. It is composed of a disk 44 to be formed. The disc 44 is removable with respect to the pin 41 and is delivered to the pad 23 of the transport arm 2. An adhesive substance, for example, is provided on the back surface of the disk 44 so that the foreign matter P adhering to the pad 23 can be adsorbed and removed when it is delivered in this way. Specifically, for example, a plurality of films made of a resin composed of the adhesive substance are laminated and provided on the back surface of the disc 44, and the film on the surface layer of the laminated film adheres to adsorb foreign matter P. Make up the face. When the disc 44 is used and the adhesiveness of the surface film is reduced, the film can be peeled off to expose the lower film as a new adhesive surface.

図７、図８に示すように、フォーク２２が前進位置に位置する状態で基台２１が昇降することによって、フォーク２２のパッド２３と異物除去ユニット４のピン４１との間で、ディスク４４の受け渡しが例えば複数回行われる。また、図８に示すように、この複数回の受け渡しにおいてディスク４４がピン４１に受け取られるたびに回転機構４３によってピン４１が回転する。それによって、フォーク２２が毎回異なる向きでディスク４４を受け取る。つまり受け渡しの度に、パッド２３がディスク４４の異なる位置に接触するのでパッド２３に付着する異物Ｐを、より確実にディスク４４に吸着して除去される。 As shown in FIGS. 7 and 8, the base 21 moves up and down with the fork 22 in the forward position, so that the disc 44 is placed between the pad 23 of the fork 22 and the pin 41 of the foreign matter removing unit 4. Delivery is performed, for example, multiple times. Further, as shown in FIG. 8, the pin 41 is rotated by the rotation mechanism 43 each time the disc 44 is received by the pin 41 in the plurality of deliveries. As a result, the fork 22 receives the disc 44 in a different orientation each time. That is, since the pad 23 comes into contact with a different position on the disc 44 each time it is delivered, the foreign matter P adhering to the pad 23 is more reliably adsorbed on the disc 44 and removed.

（塗布、現像装置における搬送経路の説明）
上記の塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路について説明すると、ウエハＷは、キャリアＣから搬送アーム２によってタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送され、搬送アーム３によってタワーＴ１の疎水化処理モジュール１６に搬送されて疎水化処理される。その後、ウエハＷは温度調整モジュールＳＣＰＬに搬送されて冷却された後、単位ブロックＥ１、Ｅ２に振り分けられて搬送される。例えばウエハＷを単位ブロックＥ１に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＦ１によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対してウエハＷが受け渡される。また、ウエハＷを単位ブロックＥ２に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ２に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ２に対して、ウエハＷが受け渡される。これらのウエハＷの受け渡しは、搬送アーム３により行われる。 (Explanation of transport route in coating and developing equipment)
Explaining the transfer path of the wafer W in the coating and developing apparatus 1, the wafer W is transferred from the carrier C to the transfer module TRS0 of the tower T1 by the transfer arm 2, and the hydrophobic treatment module 16 of the tower T1 is transferred by the transfer arm 3. It is transported to and hydrophobized. After that, the wafer W is conveyed to the temperature control module SCPL to be cooled, and then distributed to the unit blocks E1 and E2 and conveyed. For example, when the wafer W is delivered to the unit block E1, among the delivery module TRS of the tower T1, the transfer module TRS1 (delivery module capable of delivering the wafer W by the transfer arm F1) corresponding to the unit block E1 Wafer W is delivered. When the wafer W is delivered to the unit block E2, the wafer W is delivered to the delivery module TRS2 corresponding to the unit block E2 in the delivery module TRS of the tower T1. The transfer of these wafers W is performed by the transfer arm 3.

このように振り分けられたウエハＷは搬送アームＦ１（Ｆ２）によって、ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→反射防止膜形成モジュール１４→加熱モジュール１５→ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順に搬送され、搬送アーム３により単位ブロックＥ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と、単位ブロックＥ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４とに振り分けられる。このようにＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けられたウエハＷは搬送アームＦ３（Ｆ４）によって、ＴＲＳ３（ＴＲＳ４）→レジスト膜形成モジュール→加熱モジュール１５→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３１（ＴＲＳ４１）の順で搬送される。然る後、このウエハＷは、搬送アーム１７、１９により露光機Ｄ４へ搬送され、ウエハＷの表面に形成されたレジスト膜が所定のパターンに沿って露光される。 The wafer W distributed in this way is conveyed in the order of TRS1 (TRS2) → antireflection film forming module 14 → heating module 15 → TRS1 (TRS2) by the transfer arm F1 (F2), and is transferred to the unit block E3 by the transfer arm 3. It is distributed into the corresponding delivery module TRS3 and the delivery module TRS4 corresponding to the unit block E4. The wafer W thus distributed to TRS3 and TRS4 is conveyed by the transfer arm F3 (F4) in the order of TRS3 (TRS4) → resist film forming module → heating module 15 → transfer module TRS31 (TRS41) of the tower T2. .. After that, the wafer W is conveyed to the exposure machine D4 by the transfer arms 17 and 19, and the resist film formed on the surface of the wafer W is exposed along a predetermined pattern.

露光後のウエハＷは、搬送アーム１８、１９によりタワーＴ２、Ｔ４間を搬送されて、単位ブロックＥ５、Ｅ６に対応するタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５１、ＴＲＳ６１に夫々搬送される。然る後、ウエハＷは加熱モジュール１５→現像モジュールの順で搬送され、露光機Ｄ４で露光されたパターンに沿ってレジスト膜が溶解し、ウエハＷにレジストパターンが形成される。然る後、ウエハＷは、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ５（ＴＲＳ６）に搬送された後、搬送アーム２を介してキャリアＣに戻される。 The exposed wafer W is conveyed between the towers T2 and T4 by the transfer arms 18 and 19, and is conveyed to the transfer modules TRS51 and TRS61 of the tower T2 corresponding to the unit blocks E5 and E6, respectively. After that, the wafer W is conveyed in the order of the heating module 15 → the developing module, the resist film is melted along the pattern exposed by the exposure machine D4, and the resist pattern is formed on the wafer W. After that, the wafer W is conveyed to the transfer module TRS5 (TRS6) of the tower T1 and then returned to the carrier C via the transfer arm 2.

（搬送アームの正常な搬送動作の説明）
上記の搬送経路において、ウエハＷがキャリアＣの載置部Ｃ１から受け渡しモジュールＴＲＳ０へ受け渡されるときの搬送アーム２の各部の動作と、この受け渡し中に排気圧センサ２８から送信される出力信号に基づいて制御部５により取得される排気圧の時系列データの一例とを図９、図１０を参照して説明する。この図９、図１０の説明における搬送では後述するような異常は発生せず、正常にウエハＷが搬送されるものとする。 (Explanation of normal transfer operation of the transfer arm)
In the above transfer path, the operation of each part of the transfer arm 2 when the wafer W is transferred from the mounting portion C1 of the carrier C to the transfer module TRS0, and the output signal transmitted from the exhaust pressure sensor 28 during this transfer. An example of time-series data of the exhaust pressure acquired by the control unit 5 based on this will be described with reference to FIGS. 9 and 10. It is assumed that the wafer W is normally transported without any abnormality as described later in the transfer in the description of FIGS. 9 and 10.

図９は、上記の時系列データをタイミングチャートとして示したものである。チャートの横軸は、基台２１がウエハＷを受け取るための所定の設定位置に位置したときの時刻を０秒とした経過時間（単位：ミリ秒）を示している。またチャートの縦軸は、排気圧センサ２８からの検出信号に基づいて検出される吸引路の圧力検出値である排気圧（単位：ｋＰａ）を示している。このチャート中のＡ１〜Ａ７の矢印は、図１０にＡ１〜Ａ７で示したアームの各動作を示す。なお、この図１０及び後述の各図でキャリアＣの載置部Ｃ１と搬送アーム２との間のウエハＷの受け渡しを示すにあたり、図示の便宜上、載置部Ｃ１については装置の前後方向に沿って見た状態を、搬送アーム２については装置の左右方向に沿って夫々見た状態を夫々示している。 FIG. 9 shows the above time series data as a timing chart. The horizontal axis of the chart shows the elapsed time (unit: millisecond) with the time when the base 21 is positioned at a predetermined set position for receiving the wafer W as 0 second. The vertical axis of the chart shows the exhaust pressure (unit: kPa) which is the pressure detection value of the suction path detected based on the detection signal from the exhaust pressure sensor 28. The arrows A1 to A7 in this chart indicate each operation of the arms shown by A1 to A7 in FIG. In addition, in showing the transfer of the wafer W between the mounting portion C1 of the carrier C and the transport arm 2 in FIG. 10 and each figure described later, for convenience of illustration, the mounting portion C1 is along the front-rear direction of the device. The state of the transfer arm 2 is shown as seen along the left-right direction of the device.

先ず、フォーク２２が後退位置に位置すると共に吸引孔２４からの吸引が停止した状態で、上記の設定位置に位置する基台２１上をフォーク２２が前進位置に移動して、載置部Ｃ１に載置されるウエハＷの下方に位置する（動作Ａ１）。続いて吸引孔２４からの排気が開始され（チャート中、時刻ｔ１）、検出される排気圧が急激に下降した後に概ね一定となる。然る後、フォーク２２が上昇し、フォーク２２のパッド２３上にウエハＷが載置されて吸引孔２４が塞がれると、さらに排気圧が急激に低下する（時刻ｔ２）。フォーク２２が上昇を続けた後に停止し（動作Ａ２）、然る後フォーク２２が後退位置に移動する（動作Ａ３）。排気圧については、下降が次第に緩やかになり、その後、概ね一定で推移する。 First, with the fork 22 located at the retracted position and the suction from the suction hole 24 stopped, the fork 22 moves to the forward position on the base 21 located at the above-mentioned set position and is placed on the mounting portion C1. It is located below the wafer W on which it is placed (operation A1). Subsequently, the exhaust from the suction hole 24 is started (time t1 in the chart), and the detected exhaust pressure drops sharply and then becomes substantially constant. After that, when the fork 22 rises and the wafer W is placed on the pad 23 of the fork 22 to close the suction hole 24, the exhaust pressure further drops sharply (time t2). After the fork 22 continues to rise, it stops (operation A2), and then the fork 22 moves to the retracted position (operation A3). As for the exhaust pressure, the decrease gradually becomes gradual, and then it remains almost constant.

然る後、基台２１が横方向移動且つ昇降移動し（動作Ａ４）、ウエハＷの送り先である受け渡しモジュールＴＲＳ０にウエハＷを受け渡すための所定の送出位置で静止すると、フォーク２２が前進位置に移動して受け渡しモジュールＴＲＳ０の上方に位置する（動作Ａ５）。続いて、吸引孔２４における排気を停止し、排気圧が上昇する（時刻ｔ３）。そして基台２１が下降し、ウエハＷが受け渡しモジュールＴＲＳ０に載置される（送出される）。受け渡しモジュールＴＲＳ０にウエハＷを送出した後もフォーク２２の下降が続けられ（動作Ａ６）、その後、当該下降が停止し、フォーク２２が後退位置に移動する（動作Ａ７）。 After that, when the base 21 moves laterally and moves up and down (operation A4) and stands still at a predetermined delivery position for delivering the wafer W to the delivery module TRS0 which is the destination of the wafer W, the fork 22 moves forward. It moves to and is located above the delivery module TRS0 (operation A5). Subsequently, the exhaust in the suction hole 24 is stopped, and the exhaust pressure rises (time t3). Then, the base 21 is lowered, and the wafer W is placed (delivered) on the delivery module TRS0. Even after the wafer W is delivered to the delivery module TRS0, the fork 22 continues to descend (operation A6), after which the lowering stops and the fork 22 moves to the retracted position (operation A7).

代表して、キャリアＣからモジュールへの搬送について示したが、モジュール間でのウエハＷの搬送、モジュールからキャリアＣへのウエハＷの搬送も、各搬送アームが上記のＡ１〜Ａ７で説明した動作をすることによって行われる。また、各搬送が正常に行われる場合には、図９で説明したものと同様の排気圧の時系列データが取得される。 As a representative, the transfer from the carrier C to the module has been shown, but the transfer of the wafer W between the modules and the transfer of the wafer W from the module to the carrier C are also performed by each transfer arm described in A1 to A7 above. It is done by doing. Further, when each transport is normally performed, time-series data of the exhaust pressure similar to that described with reference to FIG. 9 is acquired.

（制御部５の説明）
ところで、制御部５はこのように取得された排気圧の時系列データについて演算処理を行い、微分値の時系列データを取得する。この微分値の時系列データについて説明すると、排気圧の時系列データにおいて、一の経過時間において取得された排気圧から、一の経過時間の２．５ミリ秒前に取得された排気圧が減算されて、一の経過時間における微分値とされる。つまり、（任意の時間において取得された排気圧）−（任意の時間の直前に取得された排気圧）が、演算されて微分値として取得される。この微分値が、排気圧を取得した各経過時間毎に求められる。つまり、２．５ミリ秒毎の排気圧の微分値が取得され、これらの微分値が微分値の時系列データとされる。 (Explanation of control unit 5)
By the way, the control unit 5 performs arithmetic processing on the time-series data of the exhaust pressure acquired in this way, and acquires the time-series data of the differential value. Explaining the time-series data of this differential value, in the time-series data of the exhaust pressure, the exhaust pressure acquired 2.5 milliseconds before the elapsed time of one is subtracted from the exhaust pressure acquired in one elapsed time. It is made a differential value in one elapsed time. That is, (exhaust pressure acquired at an arbitrary time) − (exhaust pressure acquired immediately before an arbitrary time) is calculated and acquired as a differential value. This differential value is obtained for each elapsed time when the exhaust pressure is acquired. That is, the differential values of the exhaust pressure every 2.5 milliseconds are acquired, and these differential values are used as the time series data of the differential values.

図９では説明のために、排気管２６内の排気圧の変化の把握が容易な排気圧の時系列データの例を示したが、例えば装置に供給される用力の変動を受けて搬送アームの排気機構２７による排気能力が不安定となることで、排気管２６内の排気圧が変動し、その結果として排気圧の時系列データの波形にはノイズが含まれるおそれがある。そのような場合であっても、上記の微分値の時系列データを取得することで、ノイズはキャンセルされ、各時間の排気管２６内の圧力の変化を正確性高く把握することができる。つまり、微分値の時系列データは排気管２６内の排気圧の変化を精度高く反映したものとなる。 In FIG. 9, for the sake of explanation, an example of time-series data of the exhaust pressure is shown in which it is easy to grasp the change in the exhaust pressure in the exhaust pipe 26. For example, in response to the fluctuation of the force supplied to the apparatus, the transport arm When the exhaust capacity of the exhaust mechanism 27 becomes unstable, the exhaust pressure in the exhaust pipe 26 fluctuates, and as a result, the waveform of the time series data of the exhaust pressure may contain noise. Even in such a case, by acquiring the time series data of the above differential values, the noise is canceled and the change in the pressure in the exhaust pipe 26 at each time can be grasped with high accuracy. That is, the time-series data of the differential value accurately reflects the change in the exhaust pressure in the exhaust pipe 26.

そして、ウエハＷの搬送中に異常が発生した場合には、制御部５によって取得される排気圧の時系列データは図９で示した例とは異なる波形となり、そのような排気圧の時系列データから取得される微分値の時系列データは、異常の種別に対応したものとなる。制御部５は、この微分値の時系列データに基づいて、搬送の異常を検出し、発生した異常の種別を推定することができる。さらに制御部５は、推定された異常の種別に対応する対処動作が行われるように各搬送アームの動作を制御する。なお、排気圧の時系列データの取得及び微分値の時系列データの取得は、例えば塗布、現像装置１の稼働中、常時行われる。 Then, when an abnormality occurs during the transfer of the wafer W, the time series data of the exhaust pressure acquired by the control unit 5 has a waveform different from the example shown in FIG. 9, and the time series of such exhaust pressure The time series data of the differential value obtained from the data corresponds to the type of abnormality. The control unit 5 can detect a transport abnormality based on the time-series data of the differential value and estimate the type of the generated abnormality. Further, the control unit 5 controls the operation of each transfer arm so that the coping operation corresponding to the estimated type of abnormality is performed. It should be noted that the acquisition of the time-series data of the exhaust pressure and the acquisition of the time-series data of the differential value are always performed, for example, during the operation of the coating and developing apparatus 1.

図１１に制御部５の構成を示している。制御部５は、プログラム５１を備えている。このプログラム５１は、上記の搬送経路に沿ったウエハＷの搬送、各モジュールでのウエハＷの処理、排気圧センサ２８からの出力信号の取得、出力信号に基づいた排気圧の時系列データ及び微分値の時系列データの作成、微分値の時系列データに基づいた搬送の異常の種別の推定、及び推定された異常の種別に応じた対処動作を実行することができるように、命令（ステップ群）が組まれて構成されている。そして、このプログラム５１によって塗布、現像装置１の各部に制御信号が送信されることで、当該塗布、現像装置１の各部の動作が制御される。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態で、制御部５に設けられる図示しないプログラム格納部に格納されて動作する。 FIG. 11 shows the configuration of the control unit 5. The control unit 5 includes a program 51. This program 51 transports the wafer W along the above-mentioned transport path, processes the wafer W in each module, acquires an output signal from the exhaust pressure sensor 28, and time-series data and differentiation of the exhaust pressure based on the output signal. Instructions (steps) so that time-series data of values can be created, the type of transport anomaly can be estimated based on the time-series data of differential values, and coping actions can be executed according to the estimated anomaly type. ) Is assembled and composed. Then, by transmitting a control signal to each part of the coating / developing device 1 by this program 51, the operation of each part of the coating / developing device 1 is controlled. This program is stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk, or a memory card, and is stored in a program storage unit (not shown) provided in the control unit 5 to operate.

また、制御部５にはメモリ５２が設けられている。メモリ５２には、異常の種別として後述するウエハＷの異常が推定された場合に、そのように異常が推定されたウエハＷを特定するためのウエハＷが属するロットの番号やロット内での番号などの情報が記憶される。さらに、制御部５にはアラーム出力部５３が接続されている。アラーム出力部５３はモニターやスピーカーなどにより構成され、制御信号を受信して、アラームとして所定の画像表示や音声出力を行う。 Further, the control unit 5 is provided with a memory 52. In the memory 52, when an abnormality of the wafer W described later is estimated as the type of abnormality, the number of the lot to which the wafer W for identifying the wafer W for which the abnormality is estimated belongs or the number in the lot Information such as is stored. Further, an alarm output unit 53 is connected to the control unit 5. The alarm output unit 53 is composed of a monitor, a speaker, or the like, receives a control signal, and displays a predetermined image or outputs an audio as an alarm.

以下、搬送の異常の種別ごとに具体例を挙げて、異常発生時のウエハＷの状態、異常発生時の排気圧の時系列データ、微分値の時系列データ、及び対処動作について説明する。
（異常の種別１：ウエハの貼り付き）
搬送アームがキャリアＣまたはモジュールの載置部からウエハＷを受け取るときに、当該ウエハＷの裏面に付着した薬液や裏面に回り込むように形成された膜などの付着物により、ウエハＷが当該載置部に貼り付いている場合が有る。つまり、この貼り付きは、ウエハＷの搬送元の載置部における載置異常である。
キャリアＣの載置部Ｃ１からこのように貼り付いたウエハＷを受け取るときの搬送アーム２の動作と、受け取られたウエハＷの様子とについて、図１２〜図１５の概略図を用いて説明する。 Hereinafter, the state of the wafer W at the time of occurrence of the abnormality, the time-series data of the exhaust pressure at the time of the occurrence of the abnormality, the time-series data of the differential value, and the coping operation will be described with reference to specific examples for each type of the abnormality of transportation.
(Abnormal type 1: Wafer sticking)
When the transfer arm receives the wafer W from the carrier C or the mounting portion of the module, the wafer W is placed on the wafer W due to the chemical solution adhering to the back surface of the wafer W or the deposits such as a film formed so as to wrap around the back surface. It may be stuck to the part. That is, this sticking is a mounting abnormality in the mounting portion of the wafer W at the transport source.
The operation of the transport arm 2 when receiving the wafer W thus attached from the mounting portion C1 of the carrier C and the state of the received wafer W will be described with reference to the schematic views of FIGS. 12 to 15. ..

図１０で説明した動作Ａ１、Ａ２が行われ、フォーク２２のパッド２３がウエハＷを吸着して持ち上げ、パッド２３の吸引孔２４がウエハＷによって閉鎖された後、載置部Ｃ１に貼り付いたウエハＷが載置部Ｃ１から引き離される。その引き離された勢いにより、ウエハＷはパッド２３上から跳ねて浮き上がり、振動した状態となる。ウエハＷがそのような状態となることで、パッド２３の吸引孔２４が開放される（図１２、図１３）。 The operations A1 and A2 described with reference to FIG. 10 are performed, the pad 23 of the fork 22 sucks and lifts the wafer W, the suction hole 24 of the pad 23 is closed by the wafer W, and then the pad 23 is attached to the mounting portion C1. The wafer W is pulled away from the mounting portion C1. Due to the separated momentum, the wafer W bounces off the pad 23 and floats up, resulting in a vibrating state. When the wafer W is in such a state, the suction holes 24 of the pad 23 are opened (FIGS. 12 and 13).

図１６の上側のグラフは、この場合に取得される排気圧の時系列データを、実線の波形によって示している。このグラフの横軸、縦軸は、基台２１が所定の設定位置に位置してからの経過時間、検出された排気圧を、夫々図９のグラフと同様に示している。上記のようにウエハＷはパッド２３に吸着された後に当該パッド２３から離れるので、排気圧は下降した後に上昇している。なお、比較のために、図１６の上側のグラフでは図９に示した正常な搬送時に取得される排気圧の時系列データの波形を点線で示しており、排気圧の時系列データについて示す後述の各図のグラフでも、正常な排気圧の時系列データの波形を、この図１６の上側のグラフと同様に点線で表示している。 The upper graph of FIG. 16 shows the time series data of the exhaust pressure acquired in this case by a solid line waveform. The horizontal axis and the vertical axis of this graph show the elapsed time since the base 21 was positioned at a predetermined set position and the detected exhaust pressure, respectively, in the same manner as in the graph of FIG. As described above, since the wafer W is separated from the pad 23 after being adsorbed on the pad 23, the exhaust pressure decreases and then increases. For comparison, in the upper graph of FIG. 16, the waveform of the time series data of the exhaust pressure acquired during normal transportation shown in FIG. 9 is shown by a dotted line, and the time series data of the exhaust pressure will be described later. Also in the graph of each figure of FIG. 16, the waveform of the time series data of the normal exhaust pressure is displayed by a dotted line in the same manner as the graph on the upper side of FIG.

図１６の下側のグラフでは、上側のグラフに実線で示した排気圧の時系列データから取得される微分値の時系列データを、実線の波形で示している。この図１６の下側のグラフにおいて、横軸は上側のグラフの横軸と同じく経過時間を示し、縦軸は既述の微分値（単位：ｋＰａ）を示している。この波形について説明すると、ウエハＷがパッド２３に吸着して排気圧が下降することによって、微分値が低下する。その後、排気圧が安定化することによって微分値は上昇して、吸着による低下前と同様に概ね０になる。その後、上記のウエハＷの跳ねによって急激に排気管２６内の圧力が上昇するために微分値は上昇し、波形において比較的大きなピークが出現する。 In the lower graph of FIG. 16, the time series data of the differential value acquired from the time series data of the exhaust pressure shown by the solid line in the upper graph is shown by the solid line waveform. In the lower graph of FIG. 16, the horizontal axis shows the elapsed time as in the horizontal axis of the upper graph, and the vertical axis shows the above-mentioned differential value (unit: kPa). Explaining this waveform, the wafer W is attracted to the pad 23 and the exhaust pressure is lowered, so that the differential value is lowered. After that, as the exhaust pressure stabilizes, the differential value increases and becomes approximately 0 as before the decrease due to adsorption. After that, the pressure in the exhaust pipe 26 rises sharply due to the bounce of the wafer W, so that the differential value rises and a relatively large peak appears in the waveform.

比較のために、図１６の下側のグラフでは、図１６の上側のグラフの正常な搬送時に取得される排気圧の時系列データから得られる微分値の時系列データの波形を点線で示している。この正常な搬送時に取得される微分値の時系列データでは、ウエハＷの吸着後において微分値の急激な上昇による波形のピークが見られない。なお、微分値の時系列データについて示す後述の各図のグラフにおいても、正常な排気圧の時系列データから得られる微分値の時系列データの波形を、この図１６の下側のグラフと同様に点線で表示している。 For comparison, in the lower graph of FIG. 16, the waveform of the time series data of the differential value obtained from the time series data of the exhaust pressure acquired during normal transportation of the upper graph of FIG. 16 is shown by a dotted line. There is. In the time-series data of the differential value acquired during the normal transfer, the peak of the waveform due to the rapid rise of the differential value is not seen after the wafer W is adsorbed. In the graphs of the respective figures described later showing the time-series data of the differential values, the waveform of the time-series data of the differential values obtained from the time-series data of the normal exhaust pressure is the same as the lower graph of FIG. Is indicated by a dotted line.

このように異常発生時には波形にピークが出現するので、上記の跳ねが起きることが予想される時間帯と、当該時間帯において跳ねが生じたものとする波形のピークの最大値の範囲と、を予め設定しておくことで、取得される微分値の時系列データからウエハＷの異常を検出し、当該異常が上記の貼り付きによるものと推定することができる。なお、この貼り付きによって上記のようにウエハＷの跳ねが発生することから、この貼り付きの異常はフォーク２２によるウエハＷの保持状態の異常であるとも言える。グラフ中に、この時間帯をＴＭ１、ピークの最大値の範囲をＲ１として夫々示している。 Since a peak appears in the waveform when an abnormality occurs in this way, the time zone in which the above-mentioned bounce is expected to occur and the range of the maximum value of the peak of the waveform assuming that the bounce has occurred in the time zone are set. By setting in advance, it is possible to detect an abnormality of the wafer W from the acquired time-series data of the differential value and estimate that the abnormality is due to the above-mentioned sticking. Since the wafer W is bounced by this sticking as described above, it can be said that the sticking abnormality is an abnormality of the holding state of the wafer W by the fork 22. In the graph, this time zone is shown as TM1 and the range of the maximum peak value is shown as R1.

このように貼り付きが起きていたことが推定されると、対処動作として、図１０の動作Ａ３（フォーク２２の後退）が行われる前に、所定の時間フォーク２２及び基台２１が静止状態に保たれると共にパッド２３の吸引孔２４からの吸引が停止する。それによって次第にフォーク２２上におけるウエハＷの振動は収まり（図１４）、ウエハＷはパッド２３に水平に支持される（図１５）。然る後、吸引孔２４による吸引が再開されてウエハＷが吸着され、以降は正常時と同じく、既述の動作Ａ３〜Ａ７が実行されて、ウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ０へと搬送される。上記のような対処動作が行われることで、ウエハＷが不安定な状態でフォーク２２が後退し、当該ウエハＷがフォーク２２から落下してしまうことを防ぐことができる。この対処動作として、動作Ａ２実行後、動作Ａ３開始前のフォーク２２及び基台２１が静止状態となる時間は、正常に搬送が行われる場合において動作Ａ２実行後、動作Ａ３が開始される前のフォーク２２及び基台２１が静止状態となる時間よりも長い。この正常に搬送が行われる場合の静止状態となる時間は、０秒である場合も含まれる。 If it is presumed that the sticking has occurred in this way, as a countermeasure operation, the fork 22 and the base 21 are put into a stationary state for a predetermined time before the operation A3 (retraction of the fork 22) of FIG. 10 is performed. It is maintained and the suction from the suction hole 24 of the pad 23 is stopped. As a result, the vibration of the wafer W on the fork 22 gradually subsides (FIG. 14), and the wafer W is horizontally supported by the pad 23 (FIG. 15). After that, the suction through the suction hole 24 is restarted and the wafer W is sucked. After that, the above-described operations A3 to A7 are executed as in the normal state, and the wafer W is conveyed to the delivery module TRS0. By performing the above-mentioned countermeasure operation, it is possible to prevent the fork 22 from retracting in an unstable state of the wafer W and the wafer W from falling from the fork 22. As a countermeasure operation, the time during which the fork 22 and the base 21 are in a stationary state after the execution of the operation A2 and before the start of the operation A3 is the time after the execution of the operation A2 and before the start of the operation A3 in the case where the transportation is normally performed. It is longer than the time when the fork 22 and the base 21 are in the stationary state. The time for the stationary state when the transportation is normally performed includes the case of 0 seconds.

（異常の種別２：ウエハの粘着）
このウエハＷの粘着とは、異常の種別１として説明した貼り付きと略同様の事象であるが、貼り付きよりもウエハＷの載置部に対する接着性が高いものとする。つまり、この粘着は、ウエハＷの搬送元の載置部における載置異常である。キャリアＣの載置部Ｃ１からこのように粘着したウエハＷを受け取るときの搬送アーム２の動作と、受け取られたウエハＷの様子とを、図１７〜図２０の概略図を用いて、貼り付きが発生している場合との差異点を中心に説明する。 (Abnormal type 2: Wafer adhesion)
The adhesion of the wafer W is substantially the same as the sticking described as the abnormality type 1, but the adhesiveness to the mounting portion of the wafer W is higher than that of the sticking. That is, this adhesion is a mounting abnormality in the mounting portion of the wafer W at the transport source. The operation of the transport arm 2 when receiving the wafer W thus adhered from the mounting portion C1 of the carrier C and the state of the received wafer W are attached by using the schematic views of FIGS. 17 to 20. The difference from the case where is occurring will be mainly explained.

図１０で説明した動作Ａ１、Ａ２が行われ、基台２１が上昇し、フォーク２２のパッド２３がウエハＷを吸着する。載置部Ｃ１に対する粘着によってウエハＷは載置部Ｃ１に接したまま基台２１が上昇し、フォーク２２に撓みが生じる（図１７）。その後、フォーク２２の撓み量の増加と共に当該フォーク２２の復元力が増加することで、ウエハＷが載置部Ｃ１から引き離される。このように引き離されたときの勢いにより、粘着が起きていた場合よりもウエハＷはパッド２３上から急激に跳ねて浮き上がり、フォーク２２上で振動した状態となる（図１８）。 The operations A1 and A2 described with reference to FIG. 10 are performed, the base 21 is raised, and the pad 23 of the fork 22 attracts the wafer W. Due to the adhesion of the wafer W to the mounting portion C1, the base 21 is raised while the wafer W is in contact with the mounting portion C1, and the fork 22 is bent (FIG. 17). After that, the wafer W is pulled away from the mounting portion C1 by increasing the restoring force of the fork 22 as the amount of bending of the fork 22 increases. Due to the momentum when the wafer W is pulled apart in this way, the wafer W jumps up from the pad 23 more rapidly than when the adhesion has occurred, and is in a state of vibrating on the fork 22 (FIG. 18).

図２１の上側のグラフでは、この場合に取得される排気圧の時系列データを、図１６のグラフと同様に実線の波形で示している。貼り付きが起きている場合と同様に、ウエハＷはパッド２３に吸着された後にパッド２３から離れるので、排気圧は下降した後に上昇している。ただし、この粘着が起きている場合は、上記の貼り付きが起きている場合よりも、基台２１が載置部Ｃ１に対して高い位置に位置したときにウエハＷがパッド２３から離れるため、排気圧が上昇を開始するタイミングが遅い。 In the upper graph of FIG. 21, the time series data of the exhaust pressure acquired in this case is shown by a solid line waveform as in the graph of FIG. Since the wafer W is separated from the pad 23 after being adsorbed by the pad 23 as in the case of sticking, the exhaust pressure is increased after decreasing. However, when this adhesion occurs, the wafer W separates from the pad 23 when the base 21 is located at a higher position with respect to the mounting portion C1 than when the above-mentioned adhesion occurs. The timing when the exhaust pressure starts to rise is late.

図２１の下側のグラフでは、そのように取得される排気圧の時系列データから演算される微分値の時系列データを、実線の波形で示している。上記のウエハＷの跳ねによって、極めて急激に排気管２６内の圧力が上昇するため、このグラフに示されるように、そのような跳ねが起きた時間に非常に大きな波形のピークが出現する。従って、跳ねが起きることが予想される時間帯及び波形のピークの最大値は、ウエハＷの貼り付きが起きている場合と、粘着が起きている場合とで異なる。そのため、この粘着による跳ねが起きることが予想される時間帯と、当該時間帯において跳ねが生じたものとする波形のピークの最大値の範囲と、を予め設定しておくことで、取得される微分値の時系列データから、ウエハＷの受け取り時に粘着が発生していたことを推定することができる。グラフ中に、この時間帯をＴＭ２、ピークの最大値の範囲をＲ２として夫々示している。 In the lower graph of FIG. 21, the time-series data of the differential value calculated from the time-series data of the exhaust pressure acquired in this way is shown by a solid line waveform. Since the pressure in the exhaust pipe 26 rises extremely rapidly due to the bounce of the wafer W, as shown in this graph, a very large waveform peak appears at the time when such a bounce occurs. Therefore, the time zone in which bounce is expected and the maximum value of the peak of the waveform are different depending on whether the wafer W is stuck or adhered. Therefore, it is acquired by setting in advance the time zone in which the bounce due to this adhesion is expected to occur and the range of the maximum value of the peak value of the waveform assuming that the bounce has occurred in the time zone. From the time-series data of the differential values, it can be estimated that adhesion occurred when the wafer W was received. In the graph, this time zone is shown as TM2, and the range of the maximum peak value is shown as R2.

このように粘着が発生していたことが推定されると、対処動作として基台２１が下降すると共にパッド２３の排気が停止する。この基台２１の下降によって、ウエハＷが再び載置部Ｃ１に受け渡された後、基台２１の下降が停止して静止状態となる（図１９）。然る後、Ａ２以降の動作が行われる。つまり、パッド２３による吸引が再開されると共に基台２１が上昇し、フォーク２２にウエハＷが受け取られて、受け渡しモジュールＴＲＳ０へと搬送される（図２０）。 If it is presumed that the adhesion has occurred in this way, the base 21 is lowered and the exhaust of the pad 23 is stopped as a countermeasure operation. Due to the lowering of the base 21, the wafer W is handed over to the mounting portion C1 again, and then the lowering of the base 21 is stopped and the wafer W becomes stationary (FIG. 19). After that, the operation after A2 is performed. That is, the suction by the pad 23 is restarted, the base 21 is raised, the wafer W is received by the fork 22, and is conveyed to the delivery module TRS0 (FIG. 20).

このようにウエハＷの載置部Ｃ１への再度の載置と再受け取りを行うのは、ウエハＷが不安定な状態でフォーク２２が後退し、当該ウエハＷがフォーク２２から落下してしまうことを防ぐことに加えて、載置部Ｃ１における粘着の原因となる付着物の粘着力を弱めることを目的とする。つまり、粘着の原因となる載置部Ｃ１の付着物上にウエハＷを載置して引き離す動作を行うことで、付着物が有する粘着力を弱め、塗布、現像装置１で一連の処理を終えたウエハＷが再度載置部Ｃ１に搬送されたときに、粘着が起らないようにする。 The reason why the wafer W is placed and re-received on the mounting portion C1 in this way is that the fork 22 retracts in an unstable state of the wafer W and the wafer W falls from the fork 22. The purpose is to weaken the adhesive force of deposits that cause adhesion in the mounting portion C1 in addition to preventing the above. That is, by placing the wafer W on the deposits of the mounting portion C1 that cause adhesion and pulling them apart, the adhesive strength of the deposits is weakened, and the coating and developing apparatus 1 completes a series of processes. When the wafer W is conveyed to the mounting portion C1 again, adhesion is prevented from occurring.

（異常の種別３：異物の付着）
この異物の付着とは、ウエハＷの裏面に異物が付着したケースと、パッド２３における異物が付着したケースとを含む。後述するように、この異物の付着が推定された場合は、先ずこれらのケースのうち、ウエハＷの裏面における異物の付着であるものと仮定されて、対処動作が行われる。そして、対処動作を行う際に取得される微分値の時系列データによっては、パッド２３における異物の付着であるものとして仮定が修正される。図２２〜図２６では、ウエハＷの裏面に異物Ｐが付着しているものとし、当該ウエハＷを載置部Ｃ１から受け取るときの搬送アーム２の動作を示している。 (Abnormal type 3: Adhesion of foreign matter)
The adhesion of foreign matter includes a case where foreign matter adheres to the back surface of the wafer W and a case where foreign matter adheres to the pad 23. As will be described later, when the adhesion of the foreign matter is presumed, first, among these cases, it is assumed that the foreign matter is attached to the back surface of the wafer W, and the coping operation is performed. Then, depending on the time-series data of the differential value acquired when performing the coping operation, the assumption is corrected assuming that foreign matter is attached to the pad 23. In FIGS. 22 to 26, it is assumed that the foreign matter P is attached to the back surface of the wafer W, and the operation of the transport arm 2 when the wafer W is received from the mounting portion C1 is shown.

先ず動作Ａ１、Ａ２が行われて基台２１が上昇し、フォーク２２のパッド２３がウエハＷを吸着して持ち上げる（図２２、図２３）。このとき、異物Ｐがパッド２３とウエハＷの裏面との間に介在した状態となり、パッド２３の吸引孔２４がウエハＷによって塞がれず、開放された状態のままとなる。図２３の点線の矢印の先における枠内には、この状態のパッド２３の縦断側面を拡大して示しており、実線の矢印で開放された吸引孔２４に流入する気流を示している。 First, operations A1 and A2 are performed to raise the base 21, and the pad 23 of the fork 22 attracts and lifts the wafer W (FIGS. 22 and 23). At this time, the foreign matter P is interposed between the pad 23 and the back surface of the wafer W, and the suction hole 24 of the pad 23 is not blocked by the wafer W and remains open. In the frame at the tip of the dotted arrow in FIG. 23, the longitudinal side surface of the pad 23 in this state is enlarged and shown, and the airflow flowing into the suction hole 24 opened by the solid arrow is shown.

図２７の上側のグラフでは、このような場合に取得される排気圧の時系列データを実線の波形で示している。上記のように吸引孔２４が開放されているため、ウエハＷがフォーク２２に受け取られても排気圧の低下量が小さく、急激な変化が起らない。図２７の下側のグラフでは、この排気圧の時系列データから取得される微分値の時系列データを実線の波形で示している。既述のように排気圧の急激な変化が起らないため、基台２１が上昇してフォーク２２がウエハＷを受け取る時間帯において、微分値は比較的大きい値で推移する。つまり、当該時間帯の微分値の最小値は比較的大きい。従って、この時間帯と、異常が有るものと推定する微分値の最小値についての範囲と、を予め設定しておくことで、微分値の時系列データから異物の付着が起きていることを推定することができる。グラフ中にこの時間帯をＴＭ３、微分値の最小値の範囲をＲ３として夫々示している。ここで推定される異物の付着とは、既述のようにウエハＷにおける異物の付着である。 In the upper graph of FIG. 27, the time series data of the exhaust pressure acquired in such a case is shown by a solid line waveform. Since the suction holes 24 are opened as described above, even if the wafer W is received by the fork 22, the amount of decrease in the exhaust pressure is small and a sudden change does not occur. In the lower graph of FIG. 27, the time series data of the differential value acquired from the time series data of the exhaust pressure is shown by a solid line waveform. Since the abrupt change in exhaust pressure does not occur as described above, the differential value changes at a relatively large value during the time period when the base 21 rises and the fork 22 receives the wafer W. That is, the minimum value of the differential value in the time zone is relatively large. Therefore, by setting this time zone and the range for the minimum value of the differential value estimated to have an abnormality in advance, it is estimated that foreign matter is attached from the time series data of the differential value. can do. In the graph, this time zone is shown as TM3, and the range of the minimum differential value is shown as R3. The adhesion of foreign matter estimated here is the adhesion of foreign matter on the wafer W as described above.

このようなウエハＷにおける異物の付着が推定されると、対処動作として、基台２１が下降してウエハＷが載置部Ｃ１に再び載置される。そして基台２１の下降が停止し（図２４）、フォーク２２が僅かに後退して（図２５）、再度Ａ２の動作（基台２１の上昇）が行われる。これによって、ウエハＷの裏面において先の受け取り時にウエハＷに接した位置とは異なる位置にパッド２３が接してウエハＷが受け取られる。この再度の受け取り時も、先の受け取り時と同様に取得された微分値の時系列データにおいて、時間帯ＴＭ３における微分値の最小値が範囲Ｒ３内にあるか否かについて判定される。範囲Ｒ３内に無いと判定されたときは、図２６に示すように異物Ｐを避けてパッド２３がウエハＷを吸着したものとして、図１０で示したＡ３以降の動作が行われ、受け渡しモジュールＴＲＳ０へウエハＷが搬送される。このような対処動作が行われることで、ウエハＷが十分に吸着されていない状態で搬送が行われることを防ぐことができる。従って、搬送中にフォーク２２からウエハＷが脱落したり、フォーク２２上でウエハＷが跳ねて傷が付くことを防ぐことができる。 When it is estimated that foreign matter adheres to the wafer W, the base 21 is lowered and the wafer W is mounted again on the mounting portion C1 as a countermeasure operation. Then, the lowering of the base 21 is stopped (FIG. 24), the fork 22 is slightly retracted (FIG. 25), and the operation of A2 (the raising of the base 21) is performed again. As a result, the pad 23 comes into contact with the back surface of the wafer W at a position different from the position where it was in contact with the wafer W at the time of the previous reception, and the wafer W is received. At the time of this re-receipt, it is determined whether or not the minimum value of the differential value in the time zone TM3 is within the range R3 in the time-series data of the differential value acquired in the same manner as at the time of the previous reception. When it is determined that the wafer is not within the range R3, it is assumed that the pad 23 has attracted the wafer W while avoiding the foreign matter P as shown in FIG. 26, and the operations after A3 shown in FIG. 10 are performed, and the delivery module TRS0 is performed. The wafer W is conveyed to. By performing such a coping operation, it is possible to prevent the wafer W from being conveyed in a state where it is not sufficiently adsorbed. Therefore, it is possible to prevent the wafer W from falling off from the fork 22 during transportation and to prevent the wafer W from bouncing on the fork 22 and being damaged.

上記の再度の受け取り時においても、時間帯ＴＭ３における微分値の最小値が範囲Ｒ３内に有ると判定された場合は、基台２１が下降してウエハＷが載置部Ｃ１に置き直され、さらに若干フォーク２２を後退させた後、基台２１が上昇してフォーク２２がウエハＷを受け取る。つまり、パッド２３がウエハＷに接触する位置がさらにずれるようにウエハＷの受け取りを行い、この受け取りの際に取得された微分値の時系列データにおいて、時間帯ＴＭ３における微分値の最小値が範囲Ｒ３内にあるか否かについて再度判定される。つまり、異物Ｐを避けて吸着が行われたか否かについて判定される。 If it is determined that the minimum value of the differential value in the time zone TM3 is within the range R3 even at the time of receiving the wafer again, the base 21 is lowered and the wafer W is repositioned on the mounting portion C1. After the fork 22 is further retracted slightly, the base 21 rises and the fork 22 receives the wafer W. That is, the wafer W is received so that the position where the pad 23 contacts the wafer W is further deviated, and the minimum value of the differential value in the time zone TM3 is in the range in the time series data of the differential value acquired at the time of this reception. It is determined again whether or not it is in R3. That is, it is determined whether or not the adsorption is performed while avoiding the foreign matter P.

異物Ｐを避けて吸着されたと判定されるまで、フォーク２２の後退によるウエハＷの保持位置の調整が繰り返し行われる。ただし、所定の回数、保持位置の調整が行われても異物Ｐを避けて吸着されていないと判定される場合には、ウエハＷの裏面に異物が付着しているという推定を取り消し、パッド２３に異物が付着しているという推定が行われる。そして、基台２１が下降して、ウエハＷを載置部Ｃ１に置き直した後、対処動作として、基台２１は異物除去ユニット４へと移動し、図６〜図８で説明した異物の除去動作が行われる。この除去動作の終了後に、Ａ１〜Ａ７の動作が行われ、載置部Ｃ１から受け渡しモジュールＴＲＳ０へウエハＷが搬送される。 The holding position of the wafer W is repeatedly adjusted by retracting the fork 22 until it is determined that the foreign matter P is avoided and adsorbed. However, if it is determined that the foreign matter P is avoided and not adsorbed even after the holding position is adjusted a predetermined number of times, the presumption that the foreign matter is attached to the back surface of the wafer W is canceled and the pad 23 is used. It is presumed that foreign matter is attached to the wafer. Then, after the base 21 is lowered and the wafer W is repositioned on the mounting portion C1, the base 21 is moved to the foreign matter removing unit 4 as a countermeasure operation, and the foreign matter described in FIGS. 6 to 8 is removed. A removal operation is performed. After the removal operation is completed, the operations A1 to A7 are performed, and the wafer W is conveyed from the mounting portion C1 to the transfer module TRS0.

（異常の種別４：ウエハの割れ）
モジュールで加熱されたウエハＷを他のモジュールへ搬送して冷却する場合に発生するサーマルショックや、ウエハＷの劣化などの要因で、モジュールに載置されたウエハＷが割れる場合が有る。図２８〜図３０を用いて、搬送アーム３が温度調整モジュールＳＣＰＬから、そのように割れたウエハＷを受け取るときの様子について説明する。 (Abnormal type 4: Wafer cracking)
The wafer W mounted on the module may be cracked due to factors such as a thermal shock generated when the wafer W heated by the module is transferred to another module and cooled, or deterioration of the wafer W. A state in which the transfer arm 3 receives the wafer W thus cracked from the temperature adjusting module SCPL will be described with reference to FIGS. 28 to 30.

既述の動作Ａ１、Ａ２が行われて基台２１が上昇し（図２８）、フォーク２２のパッド２３がウエハＷを吸着して持ち上げる。ウエハＷが割れているために吸引孔２４の閉塞が不完全であると共にパッド２３上における位置がずれることで、吸引孔２４に大気が僅かに流入する。図３１の上側のグラフでは、この場合に取得される排気圧の時系列データを実線の波形で示している。ウエハＷの受け取り後に上記のように吸引孔２４に大気が流入することで、排気圧は下降後に若干上昇する。 The above-described operations A1 and A2 are performed to raise the base 21 (FIG. 28), and the pad 23 of the fork 22 sucks and lifts the wafer W. Since the wafer W is cracked, the suction holes 24 are incompletely closed and the positions on the pads 23 are displaced, so that the atmosphere slightly flows into the suction holes 24. In the upper graph of FIG. 31, the time series data of the exhaust pressure acquired in this case is shown by a solid line waveform. After receiving the wafer W, the air flows into the suction hole 24 as described above, so that the exhaust pressure rises slightly after falling.

図３１の下側のグラフでは、この排気圧の時系列データから取得される微分値の時系列データを実線の波形で示している。排気圧が上記のように変化することで、ウエハＷの受け取り後に微分値が上昇してピークが発生する。貼り付きや粘着によってウエハＷが跳ねたときよりも、急激な大気の流入は抑えられるため、このピークは貼り付きや粘着が起きたときに検出されるピークよりも小さい。従って、このピークの最大値の範囲を予め設定しておくことで、取得される微分値の時系列データから、受け取られたウエハＷに割れが生じているか否かを推定することができる。グラフ中にこの範囲をＲ４として示している。 In the lower graph of FIG. 31, the time series data of the differential value acquired from the time series data of the exhaust pressure is shown by a solid line waveform. When the exhaust pressure changes as described above, the differential value rises after receiving the wafer W and a peak occurs. This peak is smaller than the peak detected when sticking or sticking occurs because the rapid inflow of air is suppressed as compared with when the wafer W bounces due to sticking or sticking. Therefore, by setting the range of the maximum value of this peak in advance, it is possible to estimate whether or not the received wafer W is cracked from the time series data of the acquired differential values. This range is shown as R4 in the graph.

このようなウエハＷの割れが発生していることが推定されると、対処動作として基台２１が下降し、ウエハＷが温度調整モジュールＳＣＰＬに再度載置される（図３０）。以降、キャリアＣから後続のウエハＷを搬送するにあたり、複数の温度調整モジュールＳＣＰＬのうち、このように割れたウエハＷが載置された温度調整モジュールＳＣＰＬ以外のモジュールが使用される。割れたウエハＷをモジュールに置き去りにしておくことで、当該ウエハＷの破片がフォーク２２から落下して装置内に散らばることを防ぐことができるし、搬送アーム３によって後続のウエハＷの搬送を続けることができるので、塗布、現像装置１の稼働を停止させる必要が無い。 When it is presumed that such a crack in the wafer W has occurred, the base 21 is lowered as a countermeasure operation, and the wafer W is placed again on the temperature control module SCPL (FIG. 30). Hereinafter, in transporting the subsequent wafer W from the carrier C, among the plurality of temperature adjustment modules SCPL, modules other than the temperature adjustment module SCPL on which the wafer W cracked in this way is placed are used. By leaving the broken wafer W in the module, it is possible to prevent the fragments of the wafer W from falling from the fork 22 and being scattered in the apparatus, and the transfer arm 3 continues to transfer the subsequent wafer W. Therefore, it is not necessary to stop the operation of the coating / developing device 1.

（異常の種別５：ウエハの膜の剥離）
フォーク２２から跳ねたウエハＷの表面が搬送アームや他の塗布、現像装置１の構成物に接触して当該表面の膜が剥離される、つまりウエハＷが損傷する場合が有る。ここでは搬送アームＦ１による搬送時における膜の剥離を説明する。例えば、図１０に示した動作Ａ１〜Ａ３が行われ、ウエハＷが搬送アームＦ１の下側のフォーク２２に受け取られた後、後段のモジュールに搬送するために基台２１が移動する。つまり、動作Ａ４が行われる。この動作Ａ４が行われている間、例えば基台２１を移動させる駆動機構の異常により当該基台２１が振動し、ウエハＷがパッド２３から跳ねて図３２に示すように、上側のフォーク２２に衝突して擦れて膜の剥離が起こる。 (Abnormal type 5: Wafer film peeling)
The surface of the wafer W bounced from the fork 22 may come into contact with the transport arm or other coating or developing device 1 to peel off the film on the surface, that is, the wafer W may be damaged. Here, peeling of the film during transportation by the transfer arm F1 will be described. For example, the operations A1 to A3 shown in FIG. 10 are performed, and after the wafer W is received by the fork 22 on the lower side of the transfer arm F1, the base 21 moves to transfer to the module in the subsequent stage. That is, the operation A4 is performed. While this operation A4 is being performed, for example, the base 21 vibrates due to an abnormality in the drive mechanism that moves the base 21, and the wafer W bounces from the pad 23 to the upper fork 22 as shown in FIG. Collision and rubbing cause film peeling.

図３３の上側のグラフでは、この場合に取得される排気圧の時系列データを実線の波形で示している。ウエハＷがパッド２３から離れることで、安定して推移していた排気圧が急激に上昇する。図３３の下側のグラフでは、この排気圧の時系列データから取得される微分値の時系列データを、実線の波形で示している。排気圧が上記のように変化することで、微分値は急激に上昇し、比較的大きなピークが発生する。従って、この動作Ａ４が行われる時間帯について、異常が発生したものとするピークの値の範囲を予め設定しておくことで、取得される微分値の時系列データから剥離が起きたか否か、即ちウエハＷの保持状態が異常であるか否かを推定することができる。この異常が発生したものとするピークの値の範囲については、グラフ中にＲ５として示している。 In the upper graph of FIG. 33, the time series data of the exhaust pressure acquired in this case is shown by a solid line waveform. When the wafer W is separated from the pad 23, the exhaust pressure, which has been stable, rises sharply. In the lower graph of FIG. 33, the time series data of the differential value acquired from the time series data of the exhaust pressure is shown by a solid line waveform. When the exhaust pressure changes as described above, the differential value rises sharply and a relatively large peak occurs. Therefore, by setting in advance the range of peak values assuming that an abnormality has occurred in the time zone in which this operation A4 is performed, whether or not separation has occurred from the time series data of the acquired differential values. That is, it is possible to estimate whether or not the holding state of the wafer W is abnormal. The range of peak values assuming that this abnormality has occurred is shown as R5 in the graph.

このように剥離が起きたことを推定すると、対処動作として、制御部５によって当該ウエハＷは、当該ウエハＷを識別するデータをメモリ５２に記憶する。つまり、ウエハＷのマーキングが行われる。さらにアラーム出力部５３から、当該ウエハＷに異常があることを示すアラームが出力される。 Assuming that the peeling has occurred in this way, as a countermeasure operation, the wafer W stores the data for identifying the wafer W in the memory 52 by the control unit 5. That is, the wafer W is marked. Further, the alarm output unit 53 outputs an alarm indicating that the wafer W has an abnormality.

既述した各種別の異常は例示した搬送アームのみに発生するものでは無く、他の搬送アームによって搬送が行われる場合にも発生する。つまり、例えば異常の種別１の貼り付きについて搬送アーム２による搬送時に発生する例を示したが、この貼り付きは、搬送アーム３の搬送時にも発生する異常である。そして、他の搬送アームによって搬送が行われる場合も、示した例と同様に異常の種別の推定及び対処動作が行われる。また、詳細な説明を省略したが、インターフェイスブロックＤ３に設けられる搬送アームで搬送を行う場合にも同様の異常の種別の推定及び対処動作が行われる。さらに、異物除去ユニット４については、搬送アーム２がアクセス可能な位置に設けられる例を示したが、他の搬送アームについても搬送アーム２と同様に異物の除去が行えるように、例えばタワーＴ１、Ｔ２の各搬送アームがアクセスできる各高さ位置に異物除去ユニット４を搭載することができる。 The various abnormalities described above do not occur only in the illustrated transport arm, but also occur when transport is performed by another transport arm. That is, for example, an example is shown in which the sticking of the abnormality type 1 occurs during transportation by the transport arm 2, but this sticking is an abnormality that also occurs during transport of the transport arm 3. Then, when the transfer is performed by another transfer arm, the type of abnormality is estimated and the coping operation is performed as in the example shown. Further, although detailed description is omitted, the same estimation of the type of abnormality and the coping operation are performed when the transfer is performed by the transfer arm provided in the interface block D3. Further, although the foreign matter removing unit 4 is provided at a position where the transport arm 2 can be accessed, for example, the tower T1 and the tower T1 can remove foreign matter in the same manner as the transport arm 2. The foreign matter removing unit 4 can be mounted at each height position accessible to each transport arm of T2.

続いて、異常の種別１〜４が推定されて各対処動作が実施される手順の一例について、図３４のフローチャートを用いて説明する。先ず、図１０で示した動作Ａ１、Ａ２が実行されて搬送アームにウエハＷが受け取られる。この受け取りに並行して排気圧の時系列データが取得され、さらに微分値の時系列データが取得される（ステップＳ１）。この時系列データにおける微分値の最大値が、図１６に示した範囲Ｒ１内且つ時間帯ＴＭ１内に有るか否かが判定され（ステップＳ２）、範囲Ｒ１内且つ時間帯ＴＭ１内に有ると判定された場合、図１２、図１３で説明したウエハＷの貼り付きが発生していたと推定される。そして、図１４、図１５で説明したように搬送アームのパッド２３の吸引が停止すると共に、搬送アームが静止状態におかれる（ステップＳ３）。然る後、ウエハＷの搬送が継続される（ステップＳ４）。つまり、図１０に示した動作Ａ３以降の各動作が行われる。 Subsequently, an example of a procedure in which the types 1 to 4 of the abnormality are estimated and each coping operation is performed will be described with reference to the flowchart of FIG. 34. First, the operations A1 and A2 shown in FIG. 10 are executed, and the wafer W is received by the transfer arm. In parallel with this reception, time-series data of exhaust pressure is acquired, and further time-series data of differential values are acquired (step S1). It is determined whether or not the maximum value of the differential value in the time series data is within the range R1 and the time zone TM1 shown in FIG. 16 (step S2), and it is determined that the maximum value is within the range R1 and the time zone TM1. If this is the case, it is presumed that the wafer W described in FIGS. 12 and 13 was stuck. Then, as described with reference to FIGS. 14 and 15, the suction of the pad 23 of the transfer arm is stopped, and the transfer arm is placed in a stationary state (step S3). After that, the transfer of the wafer W is continued (step S4). That is, each operation after the operation A3 shown in FIG. 10 is performed.

ステップＳ２で、微分値の最大値が範囲Ｒ１内且つ時間帯ＴＭ１内には無いと判定された場合、当該微分値の最大値が、図２１に示した範囲Ｒ２内且つ時間帯ＴＭ２内に有るか否かが判定される（ステップＳ５）。そして、当該微分値の最大値が範囲Ｒ２内且つ時間帯ＴＭ２内に有ると判定された場合、図１７、図１８で説明したウエハＷの粘着が発生していたと推定され、図１９、図２０で説明したように、ウエハＷが載置されていた場所に再度載置された後、再度搬送アームによって受け取られる（ステップＳ６）。然る後、上記のステップＳ４が行われる。即ち当該ウエハＷの搬送が継続して行われる。 When it is determined in step S2 that the maximum value of the differential value is within the range R1 and not within the time zone TM1, the maximum value of the differential value is within the range R2 and the time zone TM2 shown in FIG. Whether or not it is determined (step S5). When it is determined that the maximum value of the differential value is within the range R2 and within the time zone TM2, it is presumed that the wafer W described in FIGS. 17 and 18 has adhered, and FIGS. 19 and 20. As described in the above, after the wafer W is placed again in the place where the wafer W was placed, it is received again by the transfer arm (step S6). After that, the above step S4 is performed. That is, the wafer W is continuously conveyed.

ステップＳ５で、微分値の最大値が範囲Ｒ２内且つ時間帯ＴＭ２内には無いと判定された場合、微分値の最大値が、図３１で説明した範囲Ｒ４内に有るか否か判定される（ステップＳ７）。そして、当該微分値の最大値が範囲Ｒ４内に有ると判定された場合、図２８、図２９で説明したウエハＷの割れが発生していると推定され、図３０で説明したようにウエハＷが載置されていた場所に再度載置されて放置される（ステップＳ８）。ステップＳ７で、微分値の最大値が範囲Ｒ４内に無いと判定された場合、図２７に示した時間帯Ｔ３内における微分値の最小値が範囲Ｒ３内に有るか否かが判定される（ステップＳ９）。このステップＳ９で、時間帯Ｔ３内の微分値の最小値が範囲Ｒ３内に有ると判定された場合、図２２、図２３で説明したようにウエハＷに異物が付着していると推定され、図２４〜図２６で説明したようにウエハＷに対する吸着位置がずれるように搬送アームが再度ウエハＷを受け取る（ステップＳ１０）。 When it is determined in step S5 that the maximum value of the differential value is within the range R2 and not within the time zone TM2, it is determined whether or not the maximum value of the differential value is within the range R4 described with reference to FIG. (Step S7). When it is determined that the maximum value of the differential value is within the range R4, it is presumed that the wafer W described in FIGS. 28 and 29 is cracked, and the wafer W is as described in FIG. 30. Is placed again in the place where it was placed and left unattended (step S8). When it is determined in step S7 that the maximum value of the differential value is not within the range R4, it is determined whether or not the minimum value of the differential value within the time zone T3 shown in FIG. 27 is within the range R3 ( Step S9). When it is determined in step S9 that the minimum value of the differential value in the time zone T3 is within the range R3, it is presumed that foreign matter is attached to the wafer W as described in FIGS. 22 and 23. As described with reference to FIGS. 24 to 26, the transfer arm receives the wafer W again so that the suction position with respect to the wafer W shifts (step S10).

この再受け取りの際に取得された微分値の時系列データから、異物を避けてウエハＷが吸着されたか否か判定される。つまり時間帯Ｔ３内の微分値の最小値が範囲Ｒ３内に有るか否かが判定される（ステップＳ１１）。異物を避けて吸着されたと判定された場合は、上記のステップＳ４（ウエハＷの搬送の継続）が行われる。ステップＳ１１で異物を避けて吸着されていないと判定され、既述のように所定の回数、搬送アームがウエハＷを吸着する位置を変更してもそのような判定が続いてなされる場合は、ウエハＷにおける異物の付着の推定を取り消し、搬送アームのパッド２３に異物の付着が起きているものと推定される。 From the time series data of the differential value acquired at the time of this re-receipt, it is determined whether or not the wafer W is adsorbed while avoiding foreign matter. That is, it is determined whether or not the minimum value of the differential value in the time zone T3 is within the range R3 (step S11). If it is determined that the foreign matter is avoided and the adsorption is performed, the above step S4 (continuation of the transfer of the wafer W) is performed. If it is determined in step S11 that the foreign matter is not attracted while avoiding the foreign matter, and such a determination is continuously made even if the position where the transfer arm attracts the wafer W is changed a predetermined number of times as described above, the determination is made. It is presumed that the estimation of the adhesion of the foreign matter on the wafer W is canceled and the foreign matter is attached to the pad 23 of the transport arm.

そして、当該搬送アームはそれまで異物が付着したと推定されていたウエハＷを受け取った場所に再載置し、図６〜図８の異物の除去動作が行われる（ステップＳ１２）。以降は、ステップＳ４が行われ、異物が付着したと推定されていたウエハＷが上記のＡ１〜Ａ７の動作で搬送される。ステップＳ９で時間帯Ｔ３内の微分値の最小値が範囲Ｒ３内に無いと判定された場合、搬送の異常は発生していないと推定され、ステップＳ４のウエハＷの搬送が続けられる。 Then, the transfer arm is relocated to the place where the wafer W, which has been presumed to have foreign matter attached, is received, and the foreign matter removing operation of FIGS. 6 to 8 is performed (step S12). After that, step S4 is performed, and the wafer W presumed to have foreign matter attached is conveyed by the above operations A1 to A7. When it is determined in step S9 that the minimum value of the differential value in the time zone T3 is not within the range R3, it is presumed that no abnormality in transfer has occurred, and the transfer of the wafer W in step S4 is continued.

続いて、異常の種別５が推定されて対処動作が実施される手順について説明する。図１０で説明した動作Ａ４、即ちウエハＷを保持した搬送アームの基台２１の移動が行われる。この移動に並行して排気圧の時系列データが取得され、さらに微分値の時系列データが取得される。この微分値の時系列データにおけるピークの値が、図３３で説明した範囲Ｒ５に含まれるか否かが判定される。動作Ａ４の実行中にピークの値が範囲Ｒ５に含まれない場合は、搬送の異常は発生していないものと推定される。ピークの値が範囲Ｒ５に含まれた場合は、搬送中のウエハＷに膜剥がれが起きたことが推定され、アラームの出力及び搬送されたウエハＷのマーキングが行われる。 Subsequently, a procedure in which the type 5 of the abnormality is estimated and the coping action is carried out will be described. The operation A4 described with reference to FIG. 10, that is, the movement of the base 21 of the transfer arm holding the wafer W is performed. In parallel with this movement, time-series data of exhaust pressure is acquired, and further time-series data of differential values are acquired. It is determined whether or not the peak value in the time series data of this differential value is included in the range R5 described with reference to FIG. 33. If the peak value is not included in the range R5 during the execution of the operation A4, it is presumed that no abnormal transport has occurred. When the peak value is included in the range R5, it is presumed that the film peeling has occurred in the wafer W being conveyed, an alarm is output, and the wafer W being conveyed is marked.

この塗布、現像装置１によれば、吸引孔２４によりウエハＷを吸引して保持する搬送アームが第１の載置部から第２の載置部へとウエハＷの搬送を行う間に、吸引孔２４に接続される排気管２６内の排気圧を検出するための圧力センサ２８からの検出信号を繰り返し取得する。そして当該検出信号の取得が行われた時間帯において、信号の取得間隔ごとの排気圧の微分値を算出し、時系列データを作成する。この時系列データに基づいて搬送の異常を検出するので、精度高く異常の検出を行うことができる。なお、微分値としては、上記のように連続して取得された排気圧の差分値とすることに限られない。例えばある取得時点における排気圧と、ある取得時点から２つ後の取得時点で取得された排気圧との差分値を微分値としてもよい。 According to the coating / developing device 1, the transfer arm that sucks and holds the wafer W through the suction hole 24 sucks the wafer W while transporting the wafer W from the first mounting portion to the second mounting portion. The detection signal from the pressure sensor 28 for detecting the exhaust pressure in the exhaust pipe 26 connected to the hole 24 is repeatedly acquired. Then, in the time zone in which the detection signal is acquired, the differential value of the exhaust pressure for each signal acquisition interval is calculated, and time series data is created. Since the transport abnormality is detected based on this time-series data, the abnormality can be detected with high accuracy. The differential value is not limited to the difference value of the exhaust pressure continuously acquired as described above. For example, the difference value between the exhaust pressure at a certain acquisition time point and the exhaust pressure acquired at the acquisition time point two times after the acquisition point may be used as a differential value.

続いて図３５に示す温度調整モジュールＳＣＰＬについて説明する。このＳＣＰＬは、冷却水が供給されることで載置されたウエハＷを温度調整する載置部である載置板４５を備え、この載置板４５の表面には搬送アーム２と同様に吸引孔２４が開口している。この載置板４５の吸引孔２４も搬送アームの吸引孔２４と同様に、排気管２６を介して下流側が排気機構２７に接続され、この排気管２６には上記の搬送アームの圧力センサ２８と同様に構成された圧力センサ２８Ａが設けられている。上記のようにＳＣＰＬからウエハＷを受け取ったときにウエハＷの割れが推定された場合には、載置板４５の吸引孔２４から吸引を行った状態で、搬送アーム２の基台２１を下降させ、図３６に示すようにウエハＷを載置板４５に置き直す。この搬送アーム２の下降中の圧力センサ２８Ａの検出信号が制御部５によって取得される。 Subsequently, the temperature control module SCPL shown in FIG. 35 will be described. This SCPL is provided with a mounting plate 45 which is a mounting portion for adjusting the temperature of the mounted wafer W by supplying cooling water, and the surface of the mounting plate 45 is sucked in the same manner as the transport arm 2. The hole 24 is open. Similar to the suction hole 24 of the transport arm, the suction hole 24 of the mounting plate 45 is also connected to the exhaust mechanism 27 on the downstream side via the exhaust pipe 26, and the exhaust pipe 26 is connected to the pressure sensor 28 of the transport arm. A pressure sensor 28A having the same configuration is provided. When the wafer W is estimated to be cracked when the wafer W is received from the SCPL as described above, the base 21 of the transport arm 2 is lowered while suction is performed from the suction hole 24 of the mounting plate 45. Then, as shown in FIG. 36, the wafer W is repositioned on the mounting plate 45. The detection signal of the pressure sensor 28A while the transport arm 2 is descending is acquired by the control unit 5.

そして、制御部５は圧力センサ２８Ａの検出信号に基づいて、圧力センサ２８から検出信号を得た場合と同様に、微分値の時系列データを作成する。この微分値の時系列データに基づいて、制御部５は、対処動作としてウエハＷの割れの確認を行う。より具体的には、圧力センサの検出信号を取得した時間毎の微分値の積算値を算出する。図３７のグラフは、そのように取得された積算値の波形を示している。横軸は時間（単位：秒）、縦軸は積算値（単位：ｋＰａ）である。制御部５は、取得された積算値の波形を、図３８に示すウエハＷの割れが無い場合に取得される積算値の波形と比較して、ウエハＷの割れの有無を確認する。 Then, the control unit 5 creates time-series data of the differential value based on the detection signal of the pressure sensor 28A, as in the case of obtaining the detection signal from the pressure sensor 28. Based on the time-series data of the differential value, the control unit 5 confirms the cracking of the wafer W as a coping operation. More specifically, the integrated value of the differential value for each time when the detection signal of the pressure sensor is acquired is calculated. The graph of FIG. 37 shows the waveform of the integrated value thus acquired. The horizontal axis is time (unit: seconds), and the vertical axis is the integrated value (unit: kPa). The control unit 5 compares the acquired waveform of the integrated value with the waveform of the integrated value acquired when there is no crack in the wafer W shown in FIG. 38, and confirms the presence or absence of cracks in the wafer W.

この積算値の波形について説明すると、ウエハＷに割れが有る場合には、載置板４５上にウエハＷが置かれたときに破片が載置板４５上を移動し、排気管２６内の排気圧が変化する。それによって、ウエハＷに割れが無い場合と異なり、図３７に示すように積算値の波形に比較的鋭いピークが出現する。従って、上記のように波形を比較することで、ウエハＷの割れの有無を確認することができる。なおＳＣＰＬ以外のモジュールにおいても、このＳＣＰＬと同様に吸引孔２４及び圧力センサ２８Ａを設けてウエハＷの割れを確認できるように構成してもよい。 Explaining the waveform of this integrated value, when the wafer W is cracked, when the wafer W is placed on the mounting plate 45, the debris moves on the mounting plate 45 and is discharged in the exhaust pipe 26. Atmospheric pressure changes. As a result, unlike the case where the wafer W has no cracks, a relatively sharp peak appears in the waveform of the integrated value as shown in FIG. 37. Therefore, by comparing the waveforms as described above, it is possible to confirm the presence or absence of cracks in the wafer W. Similar to this SCPL, modules other than the SCPL may also be provided with a suction hole 24 and a pressure sensor 28A so that cracks in the wafer W can be confirmed.

ところで、例えば受け渡しモジュールＴＲＳは、図３５の温度調整モジュールＳＣＰＬのように載置部として載置板４５を備えるように構成してもよいし、垂直な３本のピンを載置部として備え、このピン上にウエハＷが支持されるように構成してもよい。載置板４５がウエハＷの裏面に重なる面積を第１の面積とすると、３本のピンがウエハＷの裏面に重なる面積は第１の面積よりも小さい第２の面積である。これらの互いに異なる構成の受け渡しモジュールＴＲＳが塗布、現像装置１に設けられるものとする。そして、第１の面積を有する載置板４５からウエハＷを受け取ったときにウエハＷの割れが推定された場合は、対処動作として既述のように載置板４５にウエハＷを置き直す。第２の面積を有する３本のピンからウエハＷを受け取ったときにウエハＷの割れが推定された場合は、対処動作としてウエハＷの置き直しを行わず、搬送アームの動作を停止させてもよい。それによってウエハＷの破片の飛散を、より確実に抑えることができる。 By the way, for example, the transfer module TRS may be configured to include a mounting plate 45 as a mounting portion as in the temperature control module SCPL of FIG. 35, or may be provided with three vertical pins as a mounting portion. The wafer W may be supported on the pin. Assuming that the area where the mounting plate 45 overlaps the back surface of the wafer W is the first area, the area where the three pins overlap the back surface of the wafer W is a second area smaller than the first area. It is assumed that these transfer modules TRS having different configurations are provided in the coating and developing apparatus 1. Then, when the wafer W is estimated to be cracked when the wafer W is received from the mounting plate 45 having the first area, the wafer W is repositioned on the mounting plate 45 as a countermeasure operation as described above. If cracking of the wafer W is estimated when the wafer W is received from the three pins having the second area, the wafer W may not be rearranged as a countermeasure operation and the operation of the transfer arm may be stopped. Good. Thereby, the scattering of the fragments of the wafer W can be suppressed more reliably.

また、ウエハＷにおける異物の付着が推定されたときの対処動作を行うにあたっては、フォーク２２の異なる位置にウエハＷを載置できるように、モジュールの載置部を移動させる移動機構を設けてもよい。つまり、異常が推定されたときと、その後に再受け取りを行ったときとで、フォーク２２とウエハＷとの相対位置が異なるように受け渡しを行うようにできればよい。また、上記の例ではウエハＷにおける異物の付着が推定されたとき、ウエハＷの受け取り元にウエハＷを載置（仮置き）して、フォーク２２による取り直しを行っているが、受け取り元とは異なるモジュールやキャリアＣの載置部Ｃ１にウエハＷを仮置きし、上記の相対位置が異なるようにウエハＷの再受け取りを行ってもよい。ただし、そのような仮置きするための場所にウエハＷを移動させるまでにフォーク２２から当該ウエハＷが落下することを防ぐために、ウエハＷの受け取り元に仮置きすることが好ましい。 Further, in performing a coping operation when foreign matter is estimated to adhere to the wafer W, a moving mechanism for moving the mounting portion of the module may be provided so that the wafer W can be mounted at different positions on the fork 22. Good. That is, it suffices if the transfer can be performed so that the relative positions of the fork 22 and the wafer W are different between when an abnormality is estimated and when re-receipt is performed thereafter. Further, in the above example, when the adhesion of foreign matter on the wafer W is estimated, the wafer W is placed (temporarily placed) on the receiving source of the wafer W and retaken by the fork 22, but the receiving source is The wafer W may be temporarily placed on the mounting portion C1 of a different module or carrier C, and the wafer W may be re-received so that the relative positions are different. However, in order to prevent the wafer W from falling from the fork 22 before moving the wafer W to such a place for temporary placement, it is preferable to temporarily place the wafer W at the receiving source of the wafer W.

続いて図３９及び図４０に示す異物除去ユニットの他の構成例である４Ａについて、既述の異物除去ユニット４との差異点を中心に説明する。この異物除去ユニット４Ａは、筐体４０と、筐体４０内の天井部に設けられる回転機構４６とを備えており、バネ４７を介して回転機構４６と、筐体４０内に水平に設けられたディスク４４の表面とが接続されている。回転機構４６はディスク４４を鉛直軸周りに回転させることができる。 Subsequently, 4A, which is another configuration example of the foreign matter removing unit shown in FIGS. 39 and 40, will be described focusing on the differences from the foreign matter removing unit 4 described above. The foreign matter removing unit 4A includes a housing 40 and a rotating mechanism 46 provided on the ceiling in the housing 40, and is horizontally provided in the rotating mechanism 46 and the housing 40 via a spring 47. It is connected to the surface of the disk 44. The rotation mechanism 46 can rotate the disc 44 around a vertical axis.

基台２１を後退位置から前進位置に移動した搬送アーム２のフォーク２２は、筐体４０に設けられる開口部４８を介して筐体４０内に進入することができる。そのようにフォーク２２が筐体４０内に進入した状態で基台２１が昇降することにより、バネ４７に付勢されてディスク４４の裏面がフォーク２２のパッド２３を押圧して密着した状態（図４０に示す状態）と、ディスク４４の裏面がパッド２３から離間した状態（図３９に示す状態）とを切り替えることができる。この基台２１の昇降は例えば複数回行われ、ディスク４４の裏面がパッド２３から離間した状態となったときに、回転機構４６によってディスク４４の向きが変更される。それによって、基台２１が上昇する度に、パッド２３はディスク４４の異なる位置に密着するため、より確実にパッド２３に付着した異物を除去することができる。 The fork 22 of the transport arm 2 that has moved the base 21 from the retracted position to the forward position can enter the housing 40 through the opening 48 provided in the housing 40. When the base 21 moves up and down with the fork 22 entering the housing 40 in this way, the back surface of the disc 44 is urged by the spring 47 to press the pad 23 of the fork 22 into close contact (FIG. The state shown in 40) and the state in which the back surface of the disc 44 is separated from the pad 23 (the state shown in FIG. 39) can be switched. The base 21 is raised and lowered a plurality of times, for example, and when the back surface of the disc 44 is separated from the pad 23, the rotation mechanism 46 changes the orientation of the disc 44. As a result, each time the base 21 is raised, the pad 23 comes into close contact with a different position on the disc 44, so that foreign matter adhering to the pad 23 can be removed more reliably.

（フォークの進退動作時の異常の検出と対処）
以下、ウエハＷの送出あるいは受け取りのためのフォーク２２の進退中に、排気管２６内の排気圧が低下したときの動作を説明する。そのように排気圧が低下すると、フォーク２２上をウエハＷが滑り、ウエハＷの位置がずれる可能性が有る。そこで異常の検出後は、その位置ずれを抑制するための動作や当該位置ずれの検出が行われる。当該位置ずれを検出できるように、各基板搬送機構にはウエハ位置検出部６が設けられている。 (Detection and countermeasures for abnormalities during fork advance / retreat operation)
Hereinafter, the operation when the exhaust pressure in the exhaust pipe 26 drops while the fork 22 for sending or receiving the wafer W is moving forward and backward will be described. When the exhaust pressure drops in this way, the wafer W may slide on the fork 22 and the position of the wafer W may shift. Therefore, after the abnormality is detected, an operation for suppressing the misalignment and detection of the misalignment are performed. A wafer position detecting unit 6 is provided in each substrate transport mechanism so that the misalignment can be detected.

代表して搬送アーム２に設けられるウエハ位置検出部６について、図４１を参照しながら説明する。ウエハ位置検出部６は、図示しない支持部により基台２１に各々支持された４組の投光センサ６１及び受光センサ６２を備えている。同じ組をなす投光センサ６１及び受光センサ６２については、後退位置におけるフォーク２２に支持されるウエハＷの周縁部を上下方向に挟むと共に、投光センサ６１から上方に向けて照射される光の一部がウエハＷに遮られ、他の一部がウエハＷに遮られずにその側方を通過して受光センサ６２に照射されるように設けられる。つまり、各受光センサ６２が受光する領域の大きさは、ウエハＷの周端の位置に対応し、受光センサ６２はこの受光領域の大きさに対応する信号を制御部５に出力する。 The wafer position detection unit 6 provided on the transfer arm 2 as a representative will be described with reference to FIG. 41. The wafer position detection unit 6 includes four sets of a light projecting sensor 61 and a light receiving sensor 62, each of which is supported on a base 21 by a support unit (not shown). Regarding the light projecting sensor 61 and the light receiving sensor 62 forming the same set, the peripheral portion of the wafer W supported by the fork 22 in the retracted position is sandwiched in the vertical direction, and the light emitted upward from the light projecting sensor 61 is emitted. A part is provided so as to be shielded by the wafer W and the other part to pass by the side thereof without being blocked by the wafer W and to irradiate the light receiving sensor 62. That is, the size of the region received by each light receiving sensor 62 corresponds to the position of the peripheral end of the wafer W, and the light receiving sensor 62 outputs a signal corresponding to the size of the light receiving region to the control unit 5.

また、平面で見て各組はウエハＷの周方向に間隔を空けて配置され、制御部５は、各受光センサ６２からの出力信号に基づき、ウエハＷの周端位置、さらには当該ウエハＷの中心位置を算出することができるように構成されている。以下代表して、搬送アーム２とキャリアＣの載置部Ｃ１との間におけるウエハＷの受け渡しについて図４２、図４３を用いて説明する。これらの図４２、図４３では、ウエハ位置検出部６の表示は省略している。 Further, each set is arranged at intervals in the circumferential direction of the wafer W when viewed in a plane, and the control unit 5 is based on the output signal from each light receiving sensor 62, the peripheral end position of the wafer W, and further, the wafer W. It is configured so that the center position of can be calculated. Hereinafter, as a representative, the transfer of the wafer W between the transfer arm 2 and the mounting portion C1 of the carrier C will be described with reference to FIGS. 42 and 43. In these FIGS. 42 and 43, the display of the wafer position detection unit 6 is omitted.

（送出時の異常１）
基台２１が載置部Ｃ１の手前で停止した状態で、ウエハＷを保持したフォーク２２が後退位置から前進位置へ向けて移動を開始し（時刻ｔ１０）、この移動中に微分値の時系列データが取得され、時系列データ中の微分値と所定の基準値との比較が行われる。比較の結果、微分値が基準値を超えると異常有りと判定され、フォーク２２の減速が開始される（時刻ｔ１１、図４２）。そして時間が経つにつれて、つまり前進位置に近づくにつれてフォーク２２の移動速度は次第に低下し、当該前進位置でフォーク２２は停止する（時刻ｔ１２、図４３）。その後は、例えば排気圧センサ２８によりこの停止時に検出される排気圧の値（アナログ値）が基準値より高いか否かについて判定され、当該基準値より高くないと判定された場合には例えば排気圧が異常であることを示すアラームが出力されて、搬送アーム２による搬送が停止する。アナログ値が基準値より高いと判定された場合は、基台２１の昇降動作により載置部Ｃ１へのウエハＷの受け渡しが行われる。そして、このウエハＷには異常が発生している可能性があるものとして、マーキングが行われる。 (Abnormality at the time of sending 1)
With the base 21 stopped before the mounting portion C1, the fork 22 holding the wafer W starts moving from the retracted position to the forward position (time t10), and the time series of differential values during this movement. The data is acquired, and the differential value in the time series data is compared with a predetermined reference value. As a result of the comparison, when the differential value exceeds the reference value, it is determined that there is an abnormality, and the deceleration of the fork 22 is started (time t11, FIG. 42). Then, as time passes, that is, as the fork 22 approaches the forward position, the moving speed of the fork 22 gradually decreases, and the fork 22 stops at the forward position (time t12, FIG. 43). After that, for example, the exhaust pressure sensor 28 determines whether or not the exhaust pressure value (analog value) detected at the time of this stop is higher than the reference value, and if it is determined that the value is not higher than the reference value, for example, exhaust. An alarm indicating that the atmospheric pressure is abnormal is output, and the transfer by the transfer arm 2 is stopped. When it is determined that the analog value is higher than the reference value, the wafer W is delivered to the mounting portion C1 by the raising and lowering operation of the base 21. Then, marking is performed on the wafer W assuming that an abnormality may have occurred.

図４４のグラフ中に実線で、上記の時刻ｔ１０〜時刻ｔ１２のフォーク２２の動作状態を示している。グラフの横軸、縦軸は時間、フォーク２２の移動速度を夫々示している。なお、グラフ中の鎖線は、前進中に異常と判定されない正常な場合のフォーク２２の動作状態を比較のために示したものであり、グラフ中の時刻ｔ１３は正常な場合にフォーク２２が減速を開始するタイミング、時刻ｔ１４は正常な場合にフォーク２２が前進位置にて停止するタイミングである。グラフに示すように異常有りと判定されると、フォーク２２は時刻ｔ１３よりも早いタイミングで減速を開始する。つまり予め設定された時刻よりもフォーク２２が減速を開始するタイミングが早くなる。 The solid line in the graph of FIG. 44 shows the operating state of the fork 22 at time t10 and time t12. The horizontal and vertical axes of the graph indicate time and the moving speed of the fork 22, respectively. The chain line in the graph shows the operating state of the fork 22 in a normal case where it is not determined to be abnormal during forward movement for comparison. At time t13 in the graph, the fork 22 decelerates when it is normal. The start timing, time t14, is the timing at which the fork 22 stops at the forward position when it is normal. When it is determined that there is an abnormality as shown in the graph, the fork 22 starts decelerating at a timing earlier than the time t13. That is, the timing at which the fork 22 starts decelerating becomes earlier than the preset time.

（受け取り時の異常１）
基台２１が載置部Ｃ１の手前で停止した状態で、載置部Ｃ１からウエハＷを受け取ったフォーク２２が前進位置から後退位置へ向けて移動を開始する（時刻ｔ２０）。つまり、図４３に示す状態からフォーク２２が後退する。この移動中に微分値の時系列データが取得され、時系列データ中の微分値と所定の基準値との比較が行われる。比較の結果、微分値が所定の基準値を超えると異常有りと判定され、フォーク２２の減速が開始される（時刻ｔ２１）。そして、時間が経つにつれて、つまり後退位置に近づくにつれてフォーク２２の移動速度は次第に低下し、後退位置でフォーク２２は停止する（時刻ｔ２２）。その後、送出時の異常１でフォーク２２が前進位置に位置したときと同様に、排気圧のアナログ値に基づいた判定が行われ、この判定結果に応じて、例えば排気圧の異常を示すアラームの出力及び搬送アーム２による搬送の停止か、あるいはウエハＷのマーキングが行われる。さらに、ウエハＷの中心位置が許容範囲内に位置するか否かの判定も行われ、アナログ値に基づいた判定の結果、搬送の停止が行われない場合であってもウエハＷの中心位置が許容範囲内に位置していないと判定された場合は、搬送アーム２による搬送が停止し、アラームが出力される。 (Abnormality at the time of receipt 1)
With the base 21 stopped in front of the mounting portion C1, the fork 22 that has received the wafer W from the mounting portion C1 starts moving from the forward position to the backward position (time t20). That is, the fork 22 retracts from the state shown in FIG. 43. During this movement, time-series data of the differential value is acquired, and the differential value in the time-series data is compared with a predetermined reference value. As a result of the comparison, when the differential value exceeds a predetermined reference value, it is determined that there is an abnormality, and the deceleration of the fork 22 is started (time t21). Then, as time passes, that is, as the fork 22 approaches the retracted position, the moving speed of the fork 22 gradually decreases, and the fork 22 stops at the retracted position (time t22). After that, a determination is made based on the analog value of the exhaust pressure in the same manner as when the fork 22 is positioned in the forward position in the abnormality 1 at the time of delivery, and according to this determination result, for example, an alarm indicating an abnormality in the exhaust pressure is issued. The output and the transfer by the transfer arm 2 are stopped, or the wafer W is marked. Further, it is also determined whether or not the center position of the wafer W is located within the allowable range, and as a result of the determination based on the analog value, the center position of the wafer W is set even when the transfer is not stopped. If it is determined that the position is not within the permissible range, the transfer by the transfer arm 2 is stopped and an alarm is output.

図４５のグラフは、図４４のグラフと同様に、実線で上記の異常と判定されたときのフォーク２２の動作状態を示し、鎖線で正常時のフォーク２２の動作状態を示す。グラフ中の時刻ｔ２３は正常な場合にフォーク２２が減速を開始するタイミング、時刻ｔ２４は正常な場合にフォーク２２が後退位置にて停止するタイミングである。グラフに示すように異常有りと判定されると、フォーク２２は時刻ｔ２３よりも早いタイミングで減速を開始する。つまり予め設定された時刻よりもフォーク２２が減速を開始するタイミングが早くなる。 In the graph of FIG. 45, similarly to the graph of FIG. 44, the solid line shows the operating state of the fork 22 when the above abnormality is determined, and the chain line shows the operating state of the fork 22 at the normal time. The time t23 in the graph is the timing when the fork 22 starts decelerating when it is normal, and the time t24 is the timing when the fork 22 stops at the retracted position when it is normal. When it is determined that there is an abnormality as shown in the graph, the fork 22 starts decelerating at a timing earlier than the time t23. That is, the timing at which the fork 22 starts decelerating becomes earlier than the preset time.

送出時の異常１及び受け取り時の異常１において、上記のようにフォーク２２の速度を制御するのは、異常により排気圧が低下する結果、慣性によって前方または後方に移動するウエハＷとフォーク２２との速度差を抑え、ウエハＷのフォーク２２における位置ずれを抑えるためである。なお異常が検出された時刻ｔ１１、ｔ２１からフォーク２２の速度を時刻ｔ１１、ｔ２１における速度のまま夫々推移させ、然る後当該速度を低下させてもよいが、各グラフに示したようにフォーク２２の速度を制御する方が、上記の速度差を小さくし、より確実に上記の位置ずれを抑えることができる。 In the abnormality 1 at the time of delivery and the abnormality 1 at the time of reception, the speed of the fork 22 is controlled as described above by the wafer W and the fork 22 which move forward or backward due to inertia as a result of the exhaust pressure decreasing due to the abnormality. This is to suppress the speed difference between the wafers and the position shift of the wafer W in the fork 22. The speed of the fork 22 may be changed from the time t11 and t21 when the abnormality is detected to the speed at the time t11 and t21, respectively, and then the speed may be decreased. However, as shown in each graph, the fork 22 may be decreased. By controlling the speed of the above, the above speed difference can be reduced and the above misalignment can be suppressed more reliably.

（送出時の異常２）
以下に説明する送出時の異常２の動作は、上記の送出時の異常１の動作の代わりに行われるものであり、当該送出時の異常１との動作との差異点を中心に説明する。ウエハＷを保持したフォーク２２が後退位置から前進位置へ向けて移動中、微分値の時系列データが取得され、微分値が基準値を超えると異常有りと判定され、そのように判定されるとフォーク２２が速やかに減速して停止する（時刻ｔ３１）。従って、例えば図４３に示す前進位置に達する前にフォーク２２が停止する。そして、この停止時に取得される排気圧のアナログ値について基準値より高いか否か判定され、基準値より高い場合、フォーク２２は後退を開始する（時刻ｔ３２）。この後退時の速度は、正常時のフォーク２２の後退速度よりも低い。 (Abnormality at the time of sending 2)
The operation of the abnormality 2 at the time of transmission described below is performed in place of the operation of the abnormality 1 at the time of transmission, and the difference from the operation of the abnormality 1 at the time of transmission will be mainly described. While the fork 22 holding the wafer W is moving from the backward position to the forward position, time-series data of the differential value is acquired, and if the differential value exceeds the reference value, it is determined that there is an abnormality, and if it is determined as such. The fork 22 quickly decelerates and stops (time t31). Therefore, for example, the fork 22 stops before reaching the forward position shown in FIG. 43. Then, it is determined whether or not the analog value of the exhaust pressure acquired at the time of this stop is higher than the reference value, and if it is higher than the reference value, the fork 22 starts retreating (time t32). The retreat speed is lower than the retreat speed of the fork 22 in the normal state.

そしてフォーク２２が後退位置へ到達すると停止し（時刻ｔ３３）、この停止時に取得された排気圧のアナログ値が基準値より高い場合、ウエハＷの中心位置の検出と、当該中心位置が許容範囲内に収まっているか否かの判定とが行われる。中心位置が許容範囲に収まっていると判定されると、フォーク２２が前進位置へ向けて移動する。この前進速度は正常時の前進速度よりも低い。 When the fork 22 reaches the retracted position, it stops (time t33), and when the analog value of the exhaust pressure acquired at this stop is higher than the reference value, the center position of the wafer W is detected and the center position is within the allowable range. It is determined whether or not it fits in. When it is determined that the center position is within the allowable range, the fork 22 moves toward the forward position. This forward speed is lower than the normal forward speed.

そして図４３に示すようにフォーク２２が前進位置に到達して停止すると（時刻ｔ３４）、この停止時に取得された排気圧のアナログ値が基準値より高いか否か判定され、基準値より高いと判定された場合、正常時と同様に基台２１の昇降動作により載置部Ｃ１にウエハＷが受け渡されると共に、当該ウエハＷは異常が発生している可能性があるものとしてマーキングされる。時刻ｔ３１、ｔ３３、ｔ３４にて取得されるアナログ値が基準値より高くないと判定された場合は、排気圧が異常であることを示すアラームが出力され、搬送アーム２の動作が停止し、この判定が行われた時刻以降のウエハＷの搬送動作は行われない。また、時刻ｔ３３と時刻ｔ３４との間における判定で、中心位置が許容範囲内に収まっていないと判定された場合には、搬送アーム２の動作が停止して、以降のウエハＷの搬送は行われない。 Then, as shown in FIG. 43, when the fork 22 reaches the forward position and stops (time t34), it is determined whether or not the analog value of the exhaust pressure acquired at the time of this stop is higher than the reference value, and if it is higher than the reference value. If it is determined, the wafer W is delivered to the mounting portion C1 by the ascending / descending operation of the base 21 as in the normal state, and the wafer W is marked as having a possibility of an abnormality. If it is determined that the analog values acquired at the times t31, t33, and t34 are not higher than the reference value, an alarm indicating that the exhaust pressure is abnormal is output, the operation of the transfer arm 2 is stopped, and this is performed. The wafer W is not conveyed after the time when the determination is made. If it is determined between the time t33 and the time t34 that the center position is not within the permissible range, the operation of the transfer arm 2 is stopped and the subsequent wafer W is transferred. I can't.

（受け取り時の異常２）
以下に説明する受け取り時の異常２の動作は、上記の受け取り時の異常１の動作の代わりに行われるものであり、当該受け取り時の異常１との動作との差異点を中心に説明する。ウエハＷを保持したフォーク２２が前進位置から後退位置へ向けて移動中、微分値の時系列データが取得され、微分値が基準値を超えると異常有りと判定され、そのように判定されるとフォーク２２が速やかに減速して停止する（時刻ｔ４１）。そして、この停止時に取得される排気圧のアナログ値について基準値より高いか否か判定され、基準値より高い場合、フォーク２２の後退が再開される（時刻ｔ４２）。この後退時の速度は、正常時のフォーク２２の後退速度よりも低い。 (Abnormality at the time of receipt 2)
The operation of the abnormality 2 at the time of receiving described below is performed instead of the operation of the abnormality 1 at the time of receiving, and the difference from the operation of the abnormality 1 at the time of receiving will be mainly described. While the fork 22 holding the wafer W is moving from the forward position to the backward position, time-series data of the differential value is acquired, and if the differential value exceeds the reference value, it is determined that there is an abnormality, and if it is determined as such. The fork 22 quickly decelerates and stops (time t41). Then, it is determined whether or not the analog value of the exhaust pressure acquired at the time of this stop is higher than the reference value, and if it is higher than the reference value, the retreat of the fork 22 is restarted (time t42). The retreat speed is lower than the retreat speed of the fork 22 in the normal state.

そしてフォーク２２が後退位置へ到達して停止し（時刻ｔ４３）、この停止時に取得された排気圧のアナログ値が基準値より高い場合、当該ウエハＷは異常が発生している可能性があるものとしてマーキングされる。そして、当該ウエハＷの中心位置の検出が行われ、当該中心位置が許容範囲内に収まっているか否かが判定される。中心位置が許容範囲内に収まっていると判定されると、搬送アーム２によりウエハＷは引き続き搬送される。時刻ｔ４１、ｔ４３にて取得されるアナログ値が基準値より高くないと判定された場合は、排気圧が異常であることを示すアラームが出力され、搬送アーム２の動作が停止し、この判定が行われた時刻以降のウエハＷの搬送動作は行われない。また、時刻ｔ４３以降の上記の中心位置についての判定で、中心位置が許容範囲内に収まっていないと判定された場合には、搬送アーム２の動作が停止して、以降のウエハＷの搬送は行われない。なお、送出時の異常１、２及び受け取り時の異常１、２において、フォーク２２が後退位置から前進位置へあるいは前進位置から後退位置へ移動して停止したときには、排気管２６内の排気圧に応じたデジタル信号を出力する図示しないセンサから得られる当該排気圧に対応する値（デジタル値）に基づいた異常の有無の判定も行われるが、上記の説明では省略している。 Then, when the fork 22 reaches the retracted position and stops (time t43), and the analog value of the exhaust pressure acquired at the time of this stop is higher than the reference value, the wafer W may have an abnormality. Marked as. Then, the center position of the wafer W is detected, and it is determined whether or not the center position is within the permissible range. When it is determined that the center position is within the allowable range, the wafer W is continuously conveyed by the transfer arm 2. If it is determined that the analog values acquired at the times t41 and t43 are not higher than the reference value, an alarm indicating that the exhaust pressure is abnormal is output, the operation of the transfer arm 2 is stopped, and this determination is made. The wafer W is not transferred after the time when it is performed. Further, if it is determined that the center position is not within the permissible range in the above-mentioned determination of the center position after the time t43, the operation of the transfer arm 2 is stopped, and the subsequent transfer of the wafer W is performed. Not done. When the fork 22 moves from the backward position to the forward position or moves from the forward position to the backward position and stops in the abnormalities 1 and 2 at the time of sending and the abnormalities 1 and 2 at the time of receiving, the exhaust pressure in the exhaust pipe 26 is applied. The presence or absence of an abnormality is also determined based on a value (digital value) corresponding to the exhaust pressure obtained from a sensor (not shown) that outputs a corresponding digital signal, but this is omitted in the above description.

ところで、レジスト膜形成モジュールは、ウエハＷを吸着して保持すると共に回転するスピンチャックをウエハＷの載置部として備えており、レジスト膜の形成後は、当該スピンチャックにより回転するウエハＷの周縁部に、ノズルからシンナーが供給され、ウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜がリング状に除去される。レジスト膜が除去される幅を設定値とするために、スピンチャックについては当該スピンチャックの回転中心とウエハＷの中心とが揃うようにウエハＷを精度高く受け渡すことが求められる。このような理由で、載置部にウエハＷが載置されたときの当該ウエハＷの中心と設定位置とのずれの許容範囲を、レジスト膜形成モジュールと加熱モジュール１５とで比べると、レジスト膜形成モジュールの方が小さい。 By the way, the resist film forming module is provided with a spin chuck that attracts and holds the wafer W and rotates as a mounting portion of the wafer W, and after the resist film is formed, the peripheral edge of the wafer W that is rotated by the spin chuck is provided. Thinner is supplied to the portion from the nozzle, and an unnecessary resist film on the peripheral portion of the wafer W is removed in a ring shape. In order to set the width at which the resist film is removed as a set value, it is required for the spin chuck to deliver the wafer W with high accuracy so that the rotation center of the spin chuck and the center of the wafer W are aligned. For this reason, when the allowable range of deviation between the center of the wafer W and the set position when the wafer W is placed on the mounting portion is compared between the resist film forming module and the heating module 15, the resist film is compared. The forming module is smaller.

そこで、レジスト膜形成モジュール（第２の搬送先）にウエハＷを送出するときに異常有りと判定された場合には上記の送出時の異常２で説明した動作が行われ、加熱モジュール（第１の搬送先）にウエハＷを送出するときに異常有りと判定された場合には送出時の異常１で説明した動作が行われるように、制御部５から搬送アームＦ３、Ｆ４に制御信号が送信される。つまり、ウエハＷの搬送先のモジュールの種類に応じて、搬送アームＦ３、Ｆ４が行う対処動作が決められている。このように搬送先に応じた対処動作が行われることで、レジスト膜形成モジュールでレジスト膜の除去幅が異常となることを防ぎ、製品の歩留りの低下を抑制し、且つ加熱モジュールにウエハＷを受け渡す際の余計なフォーク２５の進退動作を省き、スループットの低下を抑制することができる。 Therefore, if it is determined that there is an abnormality when the wafer W is delivered to the resist film forming module (second transport destination), the operation described in the above-mentioned abnormality 2 at the time of delivery is performed, and the heating module (first). When it is determined that there is an abnormality when the wafer W is delivered to the transfer destination), a control signal is transmitted from the control unit 5 to the transfer arms F3 and F4 so that the operation described in the abnormality 1 at the time of delivery is performed. Will be done. That is, the coping operation performed by the transfer arms F3 and F4 is determined according to the type of the module to which the wafer W is transferred. By performing the coping operation according to the transport destination in this way, it is possible to prevent the resist film forming module from having an abnormal removal width of the resist film, suppress a decrease in product yield, and attach the wafer W to the heating module. It is possible to suppress an unnecessary advance / retreat operation of the fork 25 at the time of delivery and suppress a decrease in throughput.

他の搬送アームについても、搬送アームＦ３、Ｆ４同様に、ウエハＷの搬送先の種類に応じて、送出時の異常１で説明した制御、送出時の異常２で説明した制御のいずれかが行われるように制御することができる。なお、本発明の搬送機構により搬送される基板はウエハＷに限られず、フラットパネルディスプレイ製造用のガラス基板であってもよい。また、本発明が適用される装置は塗布、現像装置に限られず、絶縁膜の形成装置などに適用されてもよい。このように本発明は既述した各実施形態には限られず、各実施形態については適宜変更したり組み合わせたりすることができる。 For the other transfer arms, as in the transfer arms F3 and F4, either the control described in the abnormality 1 at the time of delivery or the control described in the abnormality 2 at the time of transmission is performed according to the type of the transfer destination of the wafer W. Can be controlled to be The substrate conveyed by the conveying mechanism of the present invention is not limited to the wafer W, and may be a glass substrate for manufacturing a flat panel display. Further, the apparatus to which the present invention is applied is not limited to the coating and developing apparatus, and may be applied to an insulating film forming apparatus and the like. As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and each embodiment can be appropriately modified or combined.

Ｃ１ 載置部
ＳＣＰＬ 温度調整モジュール
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
２、３、Ｆ１〜Ｆ６ 搬送アーム
２１ 基台
２２ フォーク
２３ パッド
２４ 吸引孔
２７ 排気機構
２８ 排気圧センサ（圧力センサ）
４ 異物除去ユニット
５ 制御部
５１ プログラム C1 Mounting part SCPL Temperature control module W Wafer 1 Coating, developing device 2, 3, F1 to F6 Conveying arm 21 Base 22 Fork 23 Pad 24 Suction hole 27 Exhaust mechanism 28 Exhaust pressure sensor (pressure sensor)
4 Foreign matter removal unit 5 Control unit 51 Program

Claims (14)

基板を吸引して保持するための吸引孔を備える基板保持部と、
前記基板保持部を移動させる移動機構と、
前記吸引孔に連通する吸引路の圧力を検出する圧力検出部と、
前記圧力検出部の圧力検出値の微分値に基づいて前記基板の搬送の異常を検出する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記微分値に基づいて異常の種別を推定することを特徴とする基板搬送装置。 A substrate holding portion having a suction hole for sucking and holding the substrate,
A moving mechanism for moving the substrate holding portion and
A pressure detection unit that detects the pressure of the suction path communicating with the suction hole,
A control unit that detects an abnormality in the transfer of the substrate based on the differential value of the pressure detection value of the pressure detection unit is provided .
The control unit is a substrate transfer device characterized in that an abnormality type is estimated based on the differential value . 基板を吸引して保持するための吸引孔を備える基板保持部と、
前記基板保持部を移動させる移動機構と、
前記吸引孔に連通する吸引路の圧力を検出する圧力検出部と、
前記圧力検出部の圧力検出値の微分値に基づいて前記基板の搬送の異常を検出する制御部と、を備え、
推定される前記異常の種別は、
前記基板保持部が基板を受け取る第１の載置部における当該基板の載置状態の異常、
前記第１の載置部から受け取った基板と前記基板保持部との間における異物の介在、
前記第１の載置部から受け取った前記基板の割れ、及び
前記基板保持部が前記第１の載置部から前記基板を受け取った後、当該基板の搬送先である第２の載置部に搬送するまでに発生する当該基板の損傷のうちの少なくともいずれかであることを特徴とする基板搬送装置。 A substrate holding portion having a suction hole for sucking and holding the substrate,
A moving mechanism for moving the substrate holding portion and
A pressure detection unit that detects the pressure of the suction path communicating with the suction hole,
A control unit that detects an abnormality in the transfer of the substrate based on the differential value of the pressure detection value of the pressure detection unit is provided .
The presumed type of abnormality is
Abnormal mounting state of the board in the first mounting section where the board holding portion receives the board,
Interference of foreign matter between the substrate received from the first mounting portion and the substrate holding portion,
Cracks in the substrate received from the first mounting portion, and
At least one of the damages to the substrate that occurs after the substrate holding portion receives the substrate from the first mounting portion and then transports the substrate to the second mounting portion to which the substrate is transported. substrate transfer apparatus, characterized in that it. 前記制御部は、異常の種別に対応した対処動作を行うための制御信号を出力することを特徴とする請求項１または２記載の基板搬送装置。 The substrate transfer device according to claim 1 or 2 , wherein the control unit outputs a control signal for performing a coping operation corresponding to the type of abnormality. 前記第１の載置部に対する前記基板の載置状態の異常が推定された場合の対処動作として、前記制御部は、
前記第１の載置部から前記基板保持部が前記基板を受け取った後、前記第２の載置部に前記基板を搬送するまでの静止状態となる時間が、異常が推定されない場合における当該静止状態となる時間よりも長くなるように、前記移動機構の動作を制御することを特徴とする請求項３記載の基板搬送装置。 As a coping operation when an abnormality in the mounting state of the substrate with respect to the first mounting portion is estimated, the control unit
When the time during which the substrate holding portion receives the substrate from the first mounting portion and then conveys the substrate to the second mounting portion is not estimated to be abnormal, the stationary state is achieved. The substrate transfer device according to claim 3 , wherein the operation of the moving mechanism is controlled so as to be longer than the time required for the state. 前記第１の載置部に対する前記基板の載置状態の異常が推定された場合の対処動作として、前記制御部は、
前記第１の載置部にて前記基板保持部が前記基板を受け取った後、前記第２の載置部へ搬送するまでに、当該基板を再度第１の載置部へ搬送するように、前記移動機構の動作を制御することを特徴とする請求項３記載の基板搬送装置。 As a coping operation when an abnormality in the mounting state of the substrate with respect to the first mounting portion is estimated, the control unit
After the substrate holding portion receives the substrate at the first mounting portion, the substrate is transported to the first mounting portion again before being transported to the second mounting portion. The substrate transfer device according to claim 3, wherein the operation of the moving mechanism is controlled. 前記基板と前記基板保持部との間における異物の介在が推定された場合の対処動作として、前記制御部は、
当該基板を前記第２の載置部に搬送するまでに仮置きするための仮置き部に載置し、次いで、前記基板に対する前記基板保持部の相対位置について、異常が推定されたときとは異なるように当該基板保持部によって前記仮置き部から前記基板を受け取るように前記移動機構の動作を制御することを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１つに記載の基板搬送装置。 As a countermeasure operation when the presence of foreign matter between the substrate and the substrate holding portion is presumed, the control unit
When the substrate is placed on a temporary placement portion for temporary placement before being transported to the second mounting portion, and then an abnormality is estimated with respect to the relative position of the substrate holding portion with respect to the substrate. The substrate transfer device according to any one of claims 3 to 5 , wherein the operation of the moving mechanism is controlled so that the substrate holding portion receives the substrate from the temporary placement portion. 前記制御部は、前記仮置き部から基板保持部によって基板を受け取るときに取得される前記圧力検出値の微分値に基づいて、前記基板保持部に付着した異物を除去するための異物除去部に当該基板保持部が移動するように、前記移動機構の動作を制御することを特徴とする請求項６記載の基板搬送装置。 The control unit serves as a foreign matter removing unit for removing foreign matter adhering to the substrate holding unit based on a differential value of the pressure detection value acquired when the substrate is received from the temporary placement unit by the substrate holding unit. The substrate transfer device according to claim 6 , wherein the operation of the moving mechanism is controlled so that the substrate holding portion moves. 前記基板の割れが推定された場合の対処動作として、前記制御部は、
前記基板保持部が受け取った基板を前記第１の載置部に再度載置し、当該基板の前記第２の載置部への搬送を中止するように前記移動機構の動作を制御することを特徴とする請求項３ないし７のいずれか１つに記載の基板搬送装置。 As a countermeasure operation when the crack of the substrate is estimated, the control unit
The operation of the moving mechanism is controlled so that the substrate received by the substrate holding portion is mounted again on the first mounting portion and the transfer of the substrate to the second mounting portion is stopped. The substrate transfer device according to any one of claims 3 to 7 , wherein the substrate transfer device is characterized. 前記基板の損傷が推定された場合の対処動作として、前記制御部は、
アラーム出力部からアラームを出力することを特徴とする請求項３ないし８のいずれか１つに記載の基板搬送装置。 As a countermeasure operation when damage to the substrate is presumed, the control unit
The substrate transfer device according to any one of claims 3 to 8 , wherein an alarm is output from an alarm output unit. 前記基板保持部が設けられる基台を備え、
前記移動機構は、前記基板保持部を前記基台の前進位置と後退位置との間で進退させ、
前記制御部は、前記基板保持部が前記基板を保持した状態で前記前進位置及び後退位置のうちの一方から他方へ移動中に異常が検出されたときに、予定されるタイミングより早いタイミングで当該基板保持部の移動速度の減少が開始され、且つ前記基板保持部が前記前進位置及び後退位置のうちの他方へ近づくにつれて前記移動速度を小さくする第１の進退制御が行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の基板搬送装置。 A base on which the substrate holding portion is provided is provided.
The moving mechanism advances and retracts the substrate holding portion between the forward position and the backward position of the base.
When an abnormality is detected while the substrate holding unit is moving from one of the forward position and the backward position to the other while the substrate holding unit is holding the substrate, the control unit performs the operation at a timing earlier than the scheduled timing. The control signal is sent so that the movement speed of the substrate holding portion is started to decrease, and the first advance / retreat control for reducing the moving speed is performed as the substrate holding portion approaches the other of the forward position and the backward position. The substrate transfer device according to any one of claims 1 to 9 , wherein the board is output. 前記基台を備え、
前記移動機構は、前記基板保持部を前記基台の前進位置と後退位置との間で進退させ、
前記基台は前記後退位置における前記基板保持部に保持される前記基板の位置を検出するための基板位置検出部を備え、
前記制御部は、前記基板保持部が前記基板を保持した状態で前記後退位置から前進位置へ移動中に異常が検出されたときに、前記基板位置検出部による検出を行うために当該基板を保持した状態で前記基板保持部を前記後退位置に移動させる第２の進退制御を行うように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の基板搬送装置。 With the base
The moving mechanism advances and retracts the substrate holding portion between the forward position and the backward position of the base.
The base includes a substrate position detecting unit for detecting the position of the substrate held by the substrate holding unit in the retracted position.
The control unit holds the substrate in order to perform detection by the substrate position detection unit when an abnormality is detected while the substrate holding unit holds the substrate and moves from the retracted position to the forward position. The substrate transfer device according to any one of claims 1 to 10 , wherein a control signal is output so as to perform a second advance / retreat control for moving the substrate holding portion to the retracted position in this state. 前記制御部は、
第１の搬送先に前記基板を搬送するために前記基板保持部が前記後退位置から前記前進位置へ移動中に異常が検出されたときには、前記第１の進退制御が行われるように制御信号を出力し、
前記第１の搬送先とは異なる第２の搬送先に前記基板を搬送するために前記基板保持部が前記後退位置から前記前進位置へ移動中に異常が検出されたときには、前記第２の進退制御が行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１１記載の基板搬送装置。 The control unit
When an abnormality is detected while the substrate holding portion is moving from the retracted position to the forward position in order to convey the substrate to the first transfer destination, a control signal is sent so that the first advance / retreat control is performed. Output and
When an abnormality is detected while the substrate holding portion is moving from the retracted position to the forward position in order to transport the substrate to a second transport destination different from the first transport destination, the second advance / retreat The substrate transfer device according to claim 11 , wherein a control signal is output so that control is performed. 吸引孔により基板を吸引し、基板保持部に保持する工程と、
前記基板を保持した前記基板保持部を移動機構により移動させる工程と、
圧力検出部により前記吸引孔に連通する吸引路の圧力を検出する工程と、
前記圧力検出部の圧力検出値の微分値に基づいて前記基板の搬送の異常を検出する工程と、
前記微分値に基づいて異常の種別を推定する工程と、
を備えたことを特徴とする基板搬送方法。 The process of sucking the substrate through the suction holes and holding it in the substrate holding part,
A step of moving the substrate holding portion holding the substrate by a moving mechanism, and
A step of detecting the pressure of the suction path communicating with the suction hole by the pressure detection unit, and
A step of detecting an abnormality in the transfer of the substrate based on the differential value of the pressure detection value of the pressure detection unit, and
The process of estimating the type of abnormality based on the differential value, and
A substrate transfer method characterized by being provided with. 推定された前記異常の種別に対応した対処動作を行う工程を含むことを特徴とする請求項１３記載の基板搬送方法。 The substrate transport method according to claim 13 , further comprising a step of performing a coping operation corresponding to the estimated type of abnormality.
JP2017021389A 2016-03-25 2017-02-08 Board transfer device and board transfer method Active JP6825398B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170036038A KR102335539B1 (en) 2016-03-25 2017-03-22 Substrate transfer apparatus and substrate transfer method
CN201710183530.8A CN107230656B (en) 2016-03-25 2017-03-24 Substrate transfer apparatus and substrate transfer method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016062117 2016-03-25
JP2016062117 2016-03-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017183704A JP2017183704A (en) 2017-10-05
JP6825398B2 true JP6825398B2 (en) 2021-02-03

Family

ID=60007686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017021389A Active JP6825398B2 (en) 2016-03-25 2017-02-08 Board transfer device and board transfer method

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6825398B2 (en)
KR (1) KR102335539B1 (en)
CN (1) CN107230656B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210283779A1 (en) * 2018-07-06 2021-09-16 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate transfer robot and method of controlling the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7115441B2 (en) * 2019-08-08 2022-08-09 株式会社デンソー Anomaly detection system
CN114295199A (en) * 2021-12-09 2022-04-08 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 Wafer conveying system detection method and wafer conveying system
CN113899446B (en) * 2021-12-09 2022-03-22 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 Wafer transmission system detection method and wafer transmission system

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3068932B2 (en) * 1992-01-13 2000-07-24 ジューキ株式会社 Parts suction device
JP4598240B2 (en) * 1999-06-24 2010-12-15 アスリートＦａ株式会社 Ball mounting apparatus and ball mounting method
JP2005277016A (en) 2004-03-24 2005-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor manufacturing method using monitor of vacuum suction line
KR100653719B1 (en) * 2005-01-27 2006-12-05 삼성전자주식회사 method and apparatus for detecting backside particle during wafer processing
EP1913506A4 (en) * 2005-07-11 2008-08-13 Brooks Automation Inc Intelligent condition monitoring and fault diagnostic system for predictive maintenance
JP5522596B2 (en) * 2011-01-25 2014-06-18 株式会社安川電機 Adsorption device and robot system
JP5689096B2 (en) 2012-08-10 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate transfer apparatus, substrate transfer method, and substrate transfer storage medium
JP5952129B2 (en) * 2012-08-10 2016-07-13 ヤマハ発動機株式会社 Component transport head, component suction nozzle and component mounting device
JP2015179741A (en) * 2014-03-19 2015-10-08 株式会社ディスコ Holding mechanism for tabular object
JP6300629B2 (en) * 2014-05-13 2018-03-28 株式会社ディスコ Load measuring device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210283779A1 (en) * 2018-07-06 2021-09-16 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate transfer robot and method of controlling the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN107230656A (en) 2017-10-03
KR102335539B1 (en) 2021-12-07
JP2017183704A (en) 2017-10-05
CN107230656B (en) 2022-03-15
KR20170113179A (en) 2017-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6825398B2 (en) Board transfer device and board transfer method
KR102010095B1 (en) Peeling device, peeling system, peeling method, and computer recording medium
TWI552250B (en) Collet cleaning method and the use of its grain adapter
KR102185839B1 (en) Die bonding apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20030088959A1 (en) Wafer transfer apparatus
JP5870000B2 (en) Peeling device, peeling system and peeling method
US8819923B2 (en) Joint apparatus
US7364376B2 (en) Substrate processing apparatus
WO2013136982A1 (en) Peeling apparatus, peeling system, and peeling method
KR101837227B1 (en) Release device, release system, release method, and computer storage medium
JP2014175420A (en) Peeling device, peeling system, and peeling method
EP2437290A1 (en) Workpiece transport method and workpiece transport apparatus
JP5689096B2 (en) Substrate transfer apparatus, substrate transfer method, and substrate transfer storage medium
JP2006191144A (en) Pickup device and pickup method
KR101805964B1 (en) Peeling system, peeling method, and computer storage medium
JP4279102B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6392510B2 (en) Wafer transfer system
JP7233079B2 (en) COMPONENT MOUNTING SYSTEM, COMPONENT SUPPLY DEVICE, AND COMPONENT MOUNTING METHOD
WO2018061107A1 (en) Die mounting apparatus
CN107452641B (en) Method for picking up bare chip from wafer
TWI755841B (en) Wafer testing method
JP5874428B2 (en) Calibration target jig and semiconductor manufacturing apparatus
JP5847410B2 (en) Die bonder and semiconductor manufacturing method
JP6466217B2 (en) Peeling device and peeling system
KR102316940B1 (en) Die transfer module and die bonding apparatus having the same

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180508

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191118

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201008

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201215

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6825398

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250