JP5689096B2 - Substrate transfer apparatus, substrate transfer method, and substrate transfer storage medium - Google Patents
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Description
この発明は、一の処理モジュールから他の処理モジュールに基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法並びに基板搬送用記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate transfer apparatus, a substrate transfer method, and a substrate transfer storage medium for transferring a substrate from one processing module to another processing module.
半導体デバイスやLCD基板の製造プロセスにおいては、装置内に基板に対して処理を行うモジュールを複数設け、これらのモジュールに基板搬送装置により基板を順次搬送して、レジスト膜形成、露光、現像液供給等の処理を行うことが行われている。ここで、基板搬送装置は、基板を保持する搬送アームが基体に沿って進退自在に設けられると共に、基体が鉛直方向に移動自在に設けられている。 In the manufacturing process of semiconductor devices and LCD substrates, a plurality of modules for processing the substrate are provided in the apparatus, and the substrate is sequentially transported to these modules by the substrate transport device, resist film formation, exposure, and developer supply Etc. are performed. Here, in the substrate transfer apparatus, a transfer arm that holds a substrate is provided so as to be movable forward and backward along the base, and the base is provided so as to be movable in the vertical direction.
基板の搬送工程は、一の処理モジュールから基板を受け取る工程と、他の処理モジュールに基板を受け渡す工程を有している。ここで、一の処理モジュールから基板を受け取る工程では、一の処理モジュール内に設けられている突き上げピンに載置されている基板の下方から上記突き上げピンの上側まで搬送アームを上昇させることで、基板が搬送アームに保持される。その際、基板が搬送アームの先端部に設けられているフォークの中心で、かつフォークに対して水平に保持されるように、突き上げピンに対する搬送アームの位置が調整されている。 The substrate transfer step includes a step of receiving a substrate from one processing module and a step of transferring the substrate to another processing module. Here, in the step of receiving the substrate from one processing module, by raising the transfer arm from below the substrate placed on the push-up pin provided in the one processing module to the upper side of the push-up pin, The substrate is held on the transfer arm. At this time, the position of the transport arm with respect to the push-up pin is adjusted so that the substrate is held at the center of the fork provided at the tip of the transport arm and horizontally with respect to the fork.
基板がフォークの中心で保持されておらず、又は基板がフォークに対して水平でない状態で搬送を行うと、基板が破損、落下し、又はスクラッチによる不良を生じる虞がある。このような不良を防止するため、基板の搬送においては、搬送アームと基板との相対位置を監視することが行われている。 If the substrate is not held at the center of the fork or is transported in a state where the substrate is not level with respect to the fork, the substrate may be damaged, dropped, or defective due to scratches. In order to prevent such defects, the relative position between the transfer arm and the substrate is monitored in transferring the substrate.
搬送アームと基板との相対位置を監視する手法として、搬送アームの駆動部を鉛直方向に駆動させるためのモータ信号のパルス数を検知する手法が知られている。モータ信号のパルス数は、搬送アームの駆動部が正常に駆動している場合には同一のパルス数が検知される。そのため、モータ信号のパルス数が異なる場合には、搬送アームで基板を保持する際のタイミングや高さが正常時と異なっていると考えられ、基板がフォークの中心で保持されておらず、又はフォークに対して水平に保持されていない、いわゆる基板を保持する際のウエハの姿勢が安定していない状態であると判断することができる。 As a method of monitoring the relative position between the transfer arm and the substrate, a method of detecting the number of pulses of a motor signal for driving the drive unit of the transfer arm in the vertical direction is known. As for the number of pulses of the motor signal, the same number of pulses is detected when the driving unit of the transport arm is normally driven. Therefore, when the number of pulses of the motor signal is different, the timing and height when holding the substrate with the transfer arm is considered to be different from the normal time, the substrate is not held at the center of the fork, or It can be determined that the posture of the wafer when holding the so-called substrate which is not held horizontally with respect to the fork is not stable.
また、モータ信号のパルス数が正常であっても、フォークが鉛直方向に対して傾斜する場合や、フォークが折れ曲がっている場合には、フォークで保持されるウエハの姿勢は安定しない。このような基板の載置ずれを検知する基板搬送装置として、複数の保持爪に荷重が加わったときの各々の保持爪の歪み量を歪みセンサで検出することにより、基板載置部から基板を受け取ったときに基板の姿勢が異常な状態であるか否かを検出する基板搬送装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。この基板搬送装置によれば、基板の姿勢が異常であるか否かは、各々の保持爪に設けられた歪みセンサの歪み量が一定の閾値を超えているか否かで判断される。 Even if the number of pulses of the motor signal is normal, the posture of the wafer held by the fork is not stable when the fork is inclined with respect to the vertical direction or when the fork is bent. As a substrate transfer device for detecting such substrate placement deviation, a strain sensor detects the amount of strain of each holding claw when a load is applied to a plurality of holding claws, thereby removing the substrate from the substrate placement unit. There is known a substrate transfer device that detects whether or not the posture of the substrate is abnormal when it is received (see, for example, Patent Document 1). According to this substrate transport apparatus, whether or not the posture of the substrate is abnormal is determined based on whether or not the strain amount of the strain sensor provided on each holding claw exceeds a certain threshold value.
いずれか一つの歪みセンサの歪み量が一定の閾値を超えていない場合には、基板が全ての保持爪に均等に載置されていないとして、基板の姿勢が異常であると判断される。このとき、オペレータが補正モードを選択することにより、基板の位置ずれを修正することができる。基板の位置ずれの修正は、フォークを進退方向に小さく数回動かすことで行われる。 If the strain amount of any one of the strain sensors does not exceed a certain threshold value, it is determined that the substrate posture is abnormal because the substrate is not evenly placed on all the holding claws. At this time, the operator can correct the positional deviation of the substrate by selecting the correction mode. The correction of the positional deviation of the substrate is performed by moving the fork a small number of times in the forward / backward direction.
しかしながら、特許文献1に記載される基板搬送装置では、基板の姿勢が異常である場合にはフォークの移動が禁止され、その後オペレータの判断により基板の位置ずれを修正する補正モードが実行される。そのため、自己診断の下基板の位置ずれを自動で修正する搬送基板装置と比べて、生産性が低下する。
However, in the substrate transfer apparatus described in
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板の位置ずれが大きい場合には搬送を停止させることで不良品の発生を防止し、基板の位置ずれがそれほど大きくない場合には、自己診断の下基板の位置ずれを自動で修正することで生産性を向上させた基板搬送装置及び基板搬送方法並びに記憶媒体を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above circumstances. When the positional deviation of the substrate is large, the conveyance is stopped to prevent the generation of defective products. When the positional deviation of the substrate is not so large, It is an object of the present invention to provide a substrate transport apparatus, a substrate transport method, and a storage medium that improve productivity by automatically correcting a positional deviation of the substrate under diagnosis.
上記課題を解決するために、請求項1記載の基板搬送装置は、 駆動部により鉛直及び水平方向に移動自在に駆動し、一の処理モジュールから他の処理モジュールに基板を搬送する基板搬送装置であって、 上記基板の周囲を囲むように設けられている保持枠の内縁から各々内側に突出すると共に、上記内縁に沿って互いに間隔を開けて設けられ、上記基板を吸着保持するための吸着孔を有する複数の保持部を有する搬送アームと、 前記吸着孔への吸着のタイミングを検知するバキュームセンサと、 上記搬送アームの位置を上記駆動部からの位置信号に基づいて検知する位置検知手段と、 上記搬送アームの位置のずれ量が、上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第1の許容範囲を超えた場合に、上記基板の搬送を停止すべきと判断する停止判断手段と、 上記吸着のタイミングのずれ量が上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第2の許容範囲を超えた場合には、上記基板の搬送を停止すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第2の許容範囲内であるが、上記搬送アームの位置を修正すべきとして予め設定されている第3の許容範囲を超えた場合には、上記基板の位置を修正すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第3の許容範囲内である場合には、上記基板の位置を修正せずに前記基板の搬送を行うべきと判断する吸着判断手段と、 上記停止判断手段又は上記吸着判断手段で上記基板の搬送を停止すべきと判断した場合に、上記駆動部の駆動を停止させる信号を上記駆動部に送信する停止信号送信手段と、 上記吸着判断手段で上記基板の位置を修正すべきと判断した場合に、上記駆動部の原点復帰を行う信号を上記駆動部に送信する復帰信号送信手段と、を備え、上記駆動部の原点復帰は、上記一の処理モジュールから受け取った基板を仮置きするための仮置きモジュールに上記保持部を移動して行うことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problem, a substrate transfer apparatus according to
請求項2記載の基板搬送方法は、 基板の周囲を囲むように設けられている保持枠の内縁から各々内側に突出すると共に、上記内縁に沿って互いに間隔を開けて設けられ、上記基板を吸着保持するための吸着孔を有する複数の保持部を有する搬送アームと、 上記基板の上記吸引孔への吸着のタイミングを検知するバキュームセンサ、とを備え、 駆動部により鉛直及び水平方向に移動自在に駆動する基板搬送装置を用いて、一の処理モジュールから他の処理モジュールに基板を搬送する基板搬送方法であって、 上記搬送アームの位置を上記駆動部からの位置信号に基づいて検知する位置検知工程と、 上記搬送アームの位置のずれ量が、上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第1の許容範囲を超えた場合に、上記基板の搬送を停止すべきと判断する停止判断工程と、 上記吸着のタイミングのずれ量が上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第2の許容範囲を超えた場合には、上記基板の搬送を停止すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第2の許容範囲内であるが、上記搬送アームの位置を修正すべきとして予め設定されている第3の許容範囲を超えた場合には、上記基板の位置を修正すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第3の許容範囲内である場合には、上記基板の位置を修正せずに前記基板の搬送を行うべきと判断する吸着判断工程と、 上記停止判断工程又は上記吸着判断工程で上記基板の搬送を停止すべきと判断した場合に、上記駆動部の駆動を停止させる信号を上記駆動部に送信する停止信号送信工程と、 上記吸着判断工程で上記基板の位置を修正すべきと判断した場合に、上記駆動部の原点復帰を行う信号を上記駆動部に送信する復帰信号送信工程と、を備え、上記復帰信号送信工程は、上記一のモジュールから受け取った基板を仮置きするための仮置きモジュールに上記保持部を移動させて行うことを特徴とする。
The substrate transport method according to
請求項3記載の記憶媒体は、 コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、 上記制御プログラムは、基板を吸着保持するための吸着孔を有する搬送アームの位置を該搬送アームを鉛直及び水平方向に移動自在に駆動させる駆動部からの位置信号に基づいて検知する位置検知工程と、 上記基板の上記吸引孔への吸着のタイミングを検知するバキュームセンサからの信号に基づいて判断する上記搬送アームの位置のずれ量が、上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第1の許容範囲を超えた場合に、上記基板の搬送を停止すべきと判断する停止判断工程と、 上記吸着のタイミングのずれ量が上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第2の許容範囲を超えた場合には、上記基板の搬送を停止すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第2の許容範囲内であるが、上記搬送アームの位置を修正すべきとして予め設定されている第3の許容範囲を超えた場合には、上記基板の位置を修正すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第3の許容範囲内である場合には、上記基板の位置を修正せずに前記基板の搬送を行うべきと判断する吸着判断工程と、 上記停止判断工程又は上記吸着判断工程で上記基板の搬送を停止すべきと判断した場合に、上記駆動部の駆動を停止させる信号を上記駆動部に送信する停止信号送信工程と、 上記吸着判断工程で上記基板の位置を修正すべきと判断した場合に、上記駆動部の原点復帰を行う信号を上記駆動部に送信する復帰信号送信工程が実行されるように、コンピュータが基板搬送装置を制御するものであり、上記制御プログラムで実行される上記復帰信号送信工程は、上記一のモジュールから受け取った基板を仮置きするための仮置きモジュールに上記保持部を移動させて行う工程であることを特徴とする。
The storage medium according to
この発明は、上記のように構成されているので、保持枠の位置のずれ量が第1の許容範囲を超えている場合には基板の搬送が停止される。また、保持枠の位置のずれ量が第1の許容範囲を超えていない場合には、吸着のタイミングのずれ量が第2の許容範囲内であって第3の許容範囲を超えている場合であっても、基板の位置を修正することで基板の搬送が可能になる。また、吸着のタイミングのずれ量が第3の許容範囲以内である場合には、基板の位置を修正することなく基板の搬送を行うことができる。そのため、基板の位置ずれが大きい場合には搬送を停止させることで不良品の発生を防止し、基板の位置ずれがそれほど大きくない場合には、自己診断の下基板の位置ずれを自動で修正することで生産性を向上させることができる。 Since the present invention is configured as described above, the conveyance of the substrate is stopped when the shift amount of the position of the holding frame exceeds the first allowable range. In addition, when the displacement amount of the holding frame position does not exceed the first allowable range, the amount of displacement of the suction timing is within the second allowable range and exceeds the third allowable range. Even if it exists, conveyance of a board | substrate is attained by correcting the position of a board | substrate. Further, when the deviation amount of the suction timing is within the third allowable range, the substrate can be transported without correcting the position of the substrate. Therefore, if the substrate misalignment is large, the conveyance is stopped to prevent generation of defective products. If the substrate misalignment is not so large, the substrate misalignment is automatically corrected under the self-diagnosis. Productivity can be improved.
以下に、この発明を実施するための形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1から図3に示されるレジスト塗布・現像処理システムにはキャリアブロックS1が設けられており、その載置台101上に載置された密閉型のキャリア100から受け渡しアームCが基板(ウエハW)を取り出して処理ブロックS2に受け渡し、処理ブロックS2から受け渡しアームCが処理済みのウエハWを受け取ってキャリア100に戻すように構成されている。
EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form for implementing this invention is demonstrated in detail based on an accompanying drawing. The resist coating / development processing system shown in FIGS. 1 to 3 is provided with a carrier block S1, and a transfer arm C is mounted on a substrate (wafer W) from a
処理ブロックS2は、図2に示すように、この例では現像処理を行うための第1のブロック(DEV層)B1、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第2のブロック(BCT層)B2、レジスト膜の塗布を行うための第3のブロック(COT層)B3、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第4のブロック(TCT層)B4を、下から順に積層して構成されている。 As shown in FIG. 2, the processing block S <b> 2 is a first block (DEV layer) B <b> 1 for performing development processing in this example, and a processing for forming an antireflection film formed on the lower layer side of the resist film. The second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3 for applying the resist film, and the fourth block for forming the antireflection film formed on the upper layer side of the resist film (TCT layer) B4 is laminated in order from the bottom.
第2のブロック(BCT層)B2と第4のブロック(TCT層)B4とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する塗布ユニットと、この塗布ユニットにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理ユニット群と、前記塗布ユニットと処理ユニット群との間に設けられ、これらの間でウエハWの受け渡しを行う搬送アームA2,A4と、で構成されている。第3のブロック(COT層)B3についても処理液がレジスト液であることを除けば同様の構成である。 The second block (BCT layer) B2 and the fourth block (TCT layer) B4 are each a coating unit that applies a chemical solution for forming an antireflection film by spin coating, and a process performed in this coating unit. A heating / cooling system processing unit group for performing the pre-processing and post-processing, and transfer arms A2 and A4 that are provided between the coating unit and the processing unit group and transfer the wafer W between them. , Is composed of. The third block (COT layer) B3 has the same configuration except that the processing solution is a resist solution.
一方、第1のブロック(DEV層)B1については図3に示すように一つのDEV層B1内に現像ユニット110が2段に積層されている。そして、DEV層B1内には、これら2段の現像ユニット110にウエハWを搬送するための搬送アームA1が設けられている。つまり、2段の現像ユニットに対して搬送アームA1が共通化された構成となっている。
On the other hand, with respect to the first block (DEV layer) B1, as shown in FIG. 3, the developing
更に、処理ブロックS2には、図1及び図3に示すように、棚ユニットU5が設けられ、キャリアブロックS1からのウエハWは棚ユニットU5の一つの受け渡しユニット、例えば第2のブロック(BCT層)B2の対応する受け渡しユニットCPL2に、棚ユニットU5の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームD1によって順次搬送される。次いで、ウエハWは第2のブロック(BCT層)B2内の搬送アームA2により、この受け渡しユニットCPL2から各ユニット(反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群)に搬送され、これらユニットにて反射防止膜が形成される。 Further, as shown in FIGS. 1 and 3, the processing block S2 is provided with a shelf unit U5, and the wafer W from the carrier block S1 is one transfer unit of the shelf unit U5, for example, a second block (BCT layer). ) It is sequentially transported to the delivery unit CPL2 corresponding to B2 by the raising and lowering delivery arm D1 provided in the vicinity of the shelf unit U5. Next, the wafer W is transferred from the transfer unit CPL2 to each unit (antireflection film unit and heating / cooling processing unit group) by the transfer arm A2 in the second block (BCT layer) B2, and is transferred to these units. Thus, an antireflection film is formed.
その後、ウエハWは棚ユニットU5の受け渡しユニットBF2、棚ユニットU5の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームD1、棚ユニットU5の受け渡しユニットCPL3及び搬送アームA3を介して第3のブロック(COT層)B3に搬入され、レジスト膜が形成される。更に、ウエハWは、搬送アームA3→棚ユニットU5の受け渡しユニットBF3に受け渡される。なお、レジスト膜が形成されたウエハWは、第4のブロック(TCT層)B4にて更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハWは受け渡しユニットCPL4を介して搬送アームA4に受け渡され、反射防止膜の形成された後、搬送アームA4により受け渡しユニットTRS4に受け渡される。 Thereafter, the wafer W is transferred to the third block (COT layer) via the transfer unit BF2 of the shelf unit U5, the transfer arm D1 that can be raised and lowered provided in the vicinity of the shelf unit U5, the transfer unit CPL3 of the shelf unit U5, and the transfer arm A3. ) Into B3, a resist film is formed. Further, the wafer W is transferred from the transfer arm A3 to the transfer unit BF3 of the shelf unit U5. The wafer W on which the resist film is formed may further have an antireflection film formed in the fourth block (TCT layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 via the transfer unit CPL4. After the antireflection film is formed, the wafer W is transferred to the transfer unit TRS4 by the transfer arm A4.
一方、DEV層B1内の上部には、棚ユニットU5に設けられた受け渡しユニットCPL11から棚ユニットU6に設けられた受け渡しユニットCPL12にウエハWを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームEが設けられている。レジスト膜や更に反射防止膜の形成されたウエハWは、受け渡しアームD1を介して受け渡しユニットBF3,TRS4から受け取り受け渡しユニットCPL11に受け渡され、ここからシャトルアームEにより棚ユニットU6の受け渡しユニットCPL12に直接搬送される。ここで、図1に示すように棚ユニットU6と洗浄装置102との間に設置された受け渡しアームD2は、回転,進退及び昇降自在に構成され、洗浄前後のウエハWを夫々専門に搬送する例えば2つのアームを備えている。ウエハWは、受け渡しアームD2の洗浄前専用のアームによって受け渡しユニットCPL12から取り出され、洗浄装置102内に搬入されて裏面洗浄を受ける。洗浄を終えたウエハWは受け渡しアームD2の洗浄後専用のアームで受け渡しユニットTRS13に載置された後、インターフェイスブロックS3に取り込まれることになる。なお、図3中のCPLが付されている受け渡しユニットは温調用の冷却ユニットを兼ねており、BFが付されている受け渡しユニットは複数枚のウエハWを載置可能なバッファユニットを兼ねている。
On the other hand, in the upper part of the DEV layer B1, a shuttle arm E which is a dedicated transfer means for directly transferring the wafer W from the transfer unit CPL11 provided in the shelf unit U5 to the transfer unit CPL12 provided in the shelf unit U6. Is provided. The wafer W on which the resist film and further the antireflection film are formed is transferred from the transfer units BF3 and TRS4 to the transfer unit CPL11 via the transfer arm D1, and from there to the transfer unit CPL12 of the shelf unit U6 by the shuttle arm E. Directly conveyed. Here, as shown in FIG. 1, the transfer arm D2 installed between the shelf unit U6 and the
次いで、インターフェイスアームBにより露光装置S4に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットU6の受け渡しユニットTRS6に載置されて処理ブロックS2に戻される。次いで、ウエハWは、第1のブロック(DEV層)B1にて現像処理が行われ、搬送アームA1により棚ユニットU5の受け渡しユニットTRS1に受け渡される。その後、受け渡しアームD1により棚ユニットU5における受け渡しアームCのアクセス範囲の受け渡しユニットに搬送され、受け渡しアームC介してキャリアに戻される。なお図1においてU1〜U4は各々加熱部と冷却部とを積層した熱系ユニット群である。 Next, after being transported to the exposure apparatus S4 by the interface arm B and performing a predetermined exposure process here, it is placed on the delivery unit TRS6 of the shelf unit U6 and returned to the processing block S2. Next, the wafer W is subjected to development processing in the first block (DEV layer) B1, and transferred to the transfer unit TRS1 of the shelf unit U5 by the transfer arm A1. Thereafter, the transfer arm D1 transports the transfer unit C to the transfer unit within the access range of the transfer arm C in the shelf unit U5, and returns the carrier to the carrier via the transfer arm C. In FIG. 1, U <b> 1 to U <b> 4 are thermal system unit groups in which a heating unit and a cooling unit are stacked.
〈搬送アーム〉
次に、図4〜図9に基づいて、この発明の基板搬送装置1について説明する。基板搬送装置1は、一の処理モジュールから他の処理モジュールにウエハWを搬送しウエハWを吸着保持する搬送アームA1〜A4と、ウエハWの吸着保持のタイミングを検知するバキュームセンサ43とを備える。
<Transfer arm>
Next, based on FIGS. 4-9, the board |
次に、搬送アームA1〜A4について説明する。搬送アームA1〜A4は、各々第1のブロック(DEV層)B1,第2のブロック(BCT層)B2,第3のブロック(COT層)B3,第4のブロック(TCT層層)B4に設けられているが、以降では、第3のブロック(COT層)B3に設けられている搬送アームA3について説明する。 Next, the transfer arms A1 to A4 will be described. The transfer arms A1 to A4 are provided in the first block (DEV layer) B1, the second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3, and the fourth block (TCT layer layer) B4, respectively. However, hereinafter, the transfer arm A3 provided in the third block (COT layer) B3 will be described.
搬送アームA3は、ウエハWの周囲を囲むように設けられている保持枠をなす2枚のフォーク3(3A,3B)が夫々基台31に沿って進退自在(図4〜図6中X方向に移動自在)に構成されると共に、基台31が回転機構32により鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。
In the transfer arm A3, two forks 3 (3A, 3B) forming a holding frame provided so as to surround the periphery of the wafer W can move forward and backward along the base 31 (in the X direction in FIGS. 4 to 6). The
搬送アームA3は塗布モジュール23と棚ユニットU1〜U4との間に配置されている。塗布モジュール23及び棚ユニットU1〜U4は互いに対向するように設けられ、塗布モジュール23及び棚ユニットU1〜U4の対向面にはウエハWの受け渡しを行うための搬送口24が設けられている。また、棚ユニットU3には、搬送アームA3でウエハWを保持する際の保持位置の修正を行うユニットである仮置きユニットPT1〜PT4が設けられている。
The transfer arm A3 is disposed between the
フォーク3A,3Bは、その基端側が夫々進退機構33A,33Bに支持され、これら進退機構33A,33Bが基台31内部に設けられたタイミングベルトを用いて、基台31に沿って移動するように構成されている。こうして、フォーク3A,3Bは、進退機構33A,33Bが基台31の先端側へ前進した位置にあるウエハWの受け渡し位置と、進退機構33A,33Bが基台31の基端側に後退した位置にある待機位置との間で進退自在に構成される。
The
回転機構32の下方側には昇降台34が設けられており、この昇降台34は上下方向(図4,図5,図7中Z軸方向)に直線状に伸びるZ軸ガイドレール(図示せず)に沿って、駆動部をなすモータMの回転により昇降自在に設けられている。
A
Z軸ガイドレールは、カバー体35によって覆われている。また、カバー体35は、図4に示すように、Y軸方向に直線状に伸びるY軸ガイドレール36に沿って摺動移動するように構成されている。
The Z-axis guide rail is covered with a
なお図9には図示の便宜上、昇降台34を省略して基体31の下方側に昇降機構37を描いている。この例の昇降機構37は前記Z軸ガイドレールの内部に設けられた図示しない昇降軸をモータMより回転させることによって、基体31をZ軸ガイドレールに沿って昇降させるように構成されており、モータMはエンコーダ38に接続されている。また、エンコーダ38のパルス数はカウンタ39によりカウントされ、カウントされたパルス数が制御コンピュータ5に送信される。このエンコーダ38、カウンタ39及び制御コンピュータ5がこの発明の位置検出手段に相当する。
In FIG. 9, for convenience of illustration, the
図5〜図7に示すように、円弧状に形成されたフォーク3A,3Bの内縁には保持部をなす保持爪30A〜30Dが設けられている。保持爪30A〜30Dは、フォーク3A,3Bの内縁に沿って互いに間隔を開けて設けられている。
As shown in FIGS. 5 to 7, holding claws 30 </ b> A to 30 </ b> D that form holding portions are provided on the inner edges of the
図7,図8に示すように、各保持爪30A〜30Dには、吸着孔41A〜41Dが設けられている。吸着孔41A〜41Dは、フォーク3A,3Bの内部に形成された真空配管42A,42Bを介して、真空ポンプPに接続されている。また、真空配管42A,42Bには、バキュームセンサ43が設けられており、バキュームセンサ43で検知された真空配管42A,42Bの真空度が制御部51に送信される。
As shown in FIGS. 7 and 8, suction holes 41 </ b> A to 41 </ b> D are provided in the holding claws 30 </ b> A to 30 </ b> D. The suction holes 41A to 41D are connected to the vacuum pump P via
図7、図9に示すように、受け渡しユニットCPL3には円盤状のクーリングプレート46が設けられている。クーリングプレート46の直径はフォーク3A,3Bの内径よりもわずかに小さくなる。クーリングプレート46には保持爪30A〜30Dと対抗する切欠き47A〜47Dが設けられている。また、クーリングプレート46に3本の支持ピン45が上方向に向かって取り付けられており、支持ピン45にウエハWを載置することが可能となっている。
As shown in FIGS. 7 and 9, the delivery unit CPL <b> 3 is provided with a disk-shaped
〈制御部〉
図9に基づいて、搬送基板装置1を制御する制御部51について説明する。制御部51は、制御コンピュータ5に内蔵されており、制御コンピュータ5は、制御部51の他に、ウエハWの搬送を制御するための制御プログラム格納部52と、エンコーダ38からの信号やバキュームセンサ43からの信号を読み取る読取部53と、読取部53で読み取られたデータを記憶するデータ記憶部54と、ウエハWの搬送を停止する際にアラームを発生させるアラーム発生手段55を内蔵している。また、制御コンピュータ5は、読取部53に挿着されると共に、制御コンピュータ5に制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体56が備えられており、制御プログラムに基づいて各部に制御信号を出力するように構成されている。記憶媒体56としては、ハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリカードなどがある。
<Control part>
Based on FIG. 9, the
制御プログラム格納部52には、ウエハWをキャリア100から処理ブロックS2に受け渡し、処理済みのウエハWを処理ブロックS2からキャリア100に戻す搬送プログラム52aと、搬送アームA1〜A4に保持されているウエハWの保持位置をチェックし、チェックした結果に基づいてウエハWの保持位置を調節する自己診断プログラム52bと、チェックした結果、ウエハWの搬送をすべきでないと判断した場合には、ウエハWの搬送を停止する搬送停止プログラム52cと、読取部53で読み取られる信号と、データ記憶部54に記憶されているデータとから、搬送プロプログラム52aを実行するか、自己診断プログラム52bを実行するか、搬送停止プログラム52cを実行するかを判断する判断プログラム52dが格納されている。
The control
〈ウエハの保持〉
図9〜図12に基づいて、搬送アームA1〜A4にウエハWを載置する動作について説明する。
<Wafer holding>
The operation of placing the wafer W on the transfer arms A1 to A4 will be described with reference to FIGS.
図10Aには、受け渡しユニットCPL3に搬送アームA3を挿入した状態が示されている。受け渡しユニットCPL3には、支持ピン45を有するクーリングプレート46が設けられており、この支持ピン45にウエハWが載置されている。また、搬送アームA3の進退機構33A,33Bは、クーリングプレート46の下側に挿入される。そして、進退機構33Aがクーリングプレート46の下側に挿入された状態で、昇降台34を鉛直方向に駆動するモータMのエンコーダ38からの信号が、データ記憶部54に記憶される。
FIG. 10A shows a state where the transfer arm A3 is inserted into the delivery unit CPL3. The delivery unit CPL3 is provided with a cooling
次に、図10Bに示すように、モータMの駆動により、昇降台34が上方に移動するため、搬送アームA3が上方に移動して、支持ピン45上に保持されているウエハWが搬送アームA3上に載置される。このとき、フォーク3A,3Bの内周がクーリングプレート46の直径よりもわずかに大きく、クーリングプレート46に保持爪30A〜30Dに対応する切欠き47A〜47Dに設けられているため、搬送アームA3とクーリングプレート46との干渉は生じない。そして、ウエハWは真空配管42A,42Bに開設される真空ポンプPを駆動させることにより吸着保持される。
Next, as shown in FIG. 10B, the
次に、図12に基づいて、ウエハWを搬送アームA3上に載置する際のモータMの駆動と真空ポンプPによる真空引きのタイミングについて説明する。図12において、Z軸速度を示す実線は、モータMが正常に動作しているときの搬送アームA3のZ軸速度を示している。また、Z軸位置はZ軸速度の波形を積分することで求めることができる。 Next, the timing of evacuation by the motor M and the vacuum pump P when the wafer W is placed on the transfer arm A3 will be described with reference to FIG. In FIG. 12, the solid line indicating the Z-axis speed indicates the Z-axis speed of the transfer arm A3 when the motor M is operating normally. The Z-axis position can be obtained by integrating the Z-axis speed waveform.
搬送アームA3は、受け渡しユニットCPL3に挿入された状態(時間t0)から速度V2になるまでは、上方向に加速しながら移動する。搬送アームA3の速度がV2となる時間t1で、搬送アームA3と支持ピン45上に保持されているウエハWとの距離が近づくため、搬送プログラム52aに基づいて、時間t1で上方向に移動している搬送アームA3を減速する制御が実行される。
The transfer arm A3 moves while accelerating upward from the state inserted in the delivery unit CPL3 (time t0) to the speed V2. At time t1 when the speed of the transfer arm A3 becomes V2, the distance between the transfer arm A3 and the wafer W held on the support pins 45 approaches, so that the transfer arm A3 moves upward at time t1 based on the
次に、搬送アームA3の速度が搬送アームA3へのウエハWの載置を安定して行うことができる速度V1まで減速される時間t2で、搬送アームA3の速度をV1とする等速度運動とする制御が実行される。その後、搬送アームA3が速度V1の等速度運動を行っている時間t3で、搬送アームA3にウエハWが載置され、吸着孔41A〜41DによりウエハWが吸着保持される。 Next, at a time t2 when the speed of the transfer arm A3 is decelerated to a speed V1 at which the wafer W can be stably placed on the transfer arm A3, a constant velocity motion in which the speed of the transfer arm A3 is V1 and Control is executed. Thereafter, at time t3 when the transfer arm A3 is moving at a constant velocity of V1, the wafer W is placed on the transfer arm A3, and the wafer W is sucked and held by the suction holes 41A to 41D.
時間t3で吸着孔41A〜41DによりウエハWが吸着保持された後、搬送アームA3は時間t4において加速を開始し、時間t5において速度V3まで加速して上昇した後、時間t6で運動が停止される。 After the wafer W is sucked and held by the suction holes 41A to 41D at time t3, the transfer arm A3 starts accelerating at time t4, accelerates to a speed V3 at time t5, and then moves up at time t6. The
吸着孔41A〜41DによるウエハWの吸着保持が正常に行われているか否かは、時間t2とt3の間の時間によって判断される。ウエハWの吸着保持は、正常時には、時間t2で搬送アームA3の速度をV1とする等速度運動を開始してから時間tcを経過した時に行われる。換言すれば、搬送アームA3の速度をV1とする等速度運動の開始時には、搬送アームA3はウエハWの下方であって距離Z1となる場所に位置する。 Whether or not the suction and holding of the wafer W by the suction holes 41A to 41D is normally performed is determined by the time between the times t2 and t3. The suction holding of the wafer W is normally performed when time tc has elapsed since the start of constant speed movement with the speed of the transfer arm A3 set to V1 at time t2. In other words, at the start of the constant velocity motion in which the speed of the transfer arm A3 is V1, the transfer arm A3 is located below the wafer W and at a distance Z1.
一方、図11Bに示されるように、搬送アームA3の速度をV1とする等速度運動の開始時に、搬送アームA3がウエハWの下方であって距離Z1よりも近い距離Z2となる場所に位置する場合には、図12の点線で示したバキュームセンサタイミングのように、正常時と比較して時間t2に近い時間でバキュームセンサ43がONとなる。このときは、搬送アームA3の速度をV1とする等速度運動の開始からウエハWの吸着保持までの時間tcが短くなるため、時間t2とt3の間の時間差と時間tcとの間にずれ(ずれ量r)が生じる。 On the other hand, as shown in FIG. 11B, at the start of constant speed movement with the speed of the transfer arm A3 set to V1, the transfer arm A3 is located below the wafer W and at a distance Z2 closer to the distance Z1. In this case, the vacuum sensor 43 is turned on at a time closer to the time t2 as compared with the normal time, as in the vacuum sensor timing indicated by the dotted line in FIG. At this time, since the time tc from the start of the constant-velocity movement with the speed of the transfer arm A3 set to V1 to the adsorption holding of the wafer W is shortened, the time difference between the time t2 and the time t3 and the time tc are shifted ( Deviation amount r) occurs.
また、搬送アームA3の速度をV1とする等速度運動の開始時に、搬送アームA3がウエハWの下方であって距離Z1よりも遠い距離Z3となる場所に位置する場合には、図12の一点鎖線で示したバキュームセンサタイミングのように、正常時と比較して時間t2から遠い時間でバキュームセンサ43がONとなる。このときは、搬送アームA3の速度をV1とする等速度運動の開始からウエハWの吸着保持までの時間tcが長くなるため、時間t2とt3の間の時間差と時間tcとの間にずれ(ずれ量r)が生じる。 Further, when the transfer arm A3 is located at a position below the wafer W and at a distance Z3 farther than the distance Z1 at the start of the constant velocity motion with the speed of the transfer arm A3 set to V1, one point in FIG. Like the vacuum sensor timing indicated by the chain line, the vacuum sensor 43 is turned on at a time far from the time t2 compared to the normal time. At this time, since the time tc from the start of the constant-velocity movement with the speed of the transfer arm A3 set to V1 to the suction holding of the wafer W becomes longer, the time difference between the time t2 and the time t3 and the time tc are shifted ( Deviation amount r) occurs.
ずれ量γがモータMの駆動を停止させるべきとして予め設定されている第2の許容範囲σ2を超えている場合には、ウエハWの吸着保持のタイミングに関するずれが大きいため、制御部51はウエハWが保持爪30A〜30Dに均等に吸着保持されておらず、ウエハWの搬送を停止すべきと判断する。また、ずれ量γと時間tcとのずれが2の許容範囲σ2以内であるが、フォーク3A,3Bの位置を修正すべきとして予め設定されている第3の許容範囲σ3を超えている場合には、真空引きのタイミングのずれがある程度の大きさであるため、制御部51はウエハWが保持爪30A〜30Dに均等に載置されていないものの、ウエハWの載置位置を調節することでウエハWのスクラッチの発生を防止することができると判断する。
When the deviation amount γ exceeds the second allowable range σ2 set in advance so that the driving of the motor M should be stopped, the deviation relating to the suction holding timing of the wafer W is large. It is determined that W is not evenly held by the holding claws 30 </ b> A to 30 </ b> D and the transfer of the wafer W should be stopped. Further, when the deviation between the deviation amount γ and the time tc is within the allowable range σ2 of 2, but exceeds the third allowable range σ3 set in advance so that the positions of the
ここで、第2の許容範囲σ2,第3の許容範囲σ3は、搬送アームA1〜A4及びシャトルアームEと各モジュールの位置ずれ許容値を真空引きのタイミングずれに換算することで任意に定めることができる。一例として、第2の許容範囲σ2についてはZ軸速度がV1の等速度運動を行っている時間(t4−t2)の25%とし、第3の許容範囲σ3については時間(t4−t2)の12%と定めることができる。 Here, the second allowable range σ2 and the third allowable range σ3 are arbitrarily determined by converting the positional deviation allowable values of the transfer arms A1 to A4 and the shuttle arm E and the respective modules into the timing deviation of the vacuuming. Can do. As an example, the second allowable range σ2 is set to 25% of the time (t4-t2) during which the Z-axis speed is V1 and constant velocity motion is performed, and the third allowable range σ3 is set to the time (t4-t2). It can be set to 12%.
〈仮置きモジュール〉
図13に基づいて、仮置きユニットPT3について説明する。仮置きユニットPT3は、支持部72の上部にウエハWが載置されるステージ部73を備えている。ステージ部73は、例えば先端が円弧状に構成された板状体に形成され、ステージ部73とフォーク3Aとの間でウエハWの受け渡しを行うときには、フォーク3Aがステージ部73を所定の空間を介して囲むように、その形状及び大きさが決定されている。
<Temporary placement module>
The temporary placement unit PT3 will be described with reference to FIG. The temporary placement unit PT3 includes a
〈基板搬送方法〉
図14〜図16に基づいて、この発明の基板搬送方法について説明する。ウエハWの搬送は、搬送アームA1〜A4及びシャトルアームEで行われるが、搬送アームA1〜A4及びシャトルアームEの動作は同様であるため、以下では搬送アームA3の搬送動作について説明する。
<Substrate transport method>
Based on FIGS. 14-16, the board | substrate conveyance method of this invention is demonstrated. The transfer of the wafer W is performed by the transfer arms A1 to A4 and the shuttle arm E. Since the operations of the transfer arms A1 to A4 and the shuttle arm E are the same, the transfer operation of the transfer arm A3 will be described below.
基板搬送装置1によるウエハWの搬送では、最初に、図14に示される搬送アームA3の位置調整が行われる。搬送アームA3の位置調整では、最初にX軸、Y軸、Z軸(全軸)のイニシャライズ(初期化)が行われる(ステップS1)。X軸のイニシャライズでは、制御部51からX軸を駆動するモータMに、X軸を初期化する信号が伝達され、この信号に基づいてX軸が初期化される。また、Y軸、Z軸についても、X軸と同様に、制御部51からの信号に基づいて初期化される。
In the transfer of the wafer W by the
次に、制御部51からの信号に基づいて、搬送アームA3がCPL3に載置されているウエハWを受け取る位置まで移動し、ウエハWを受け取る前の搬送アームA3の位置データP1及びウエハWを受け取った状態の搬送アームA3の位置データP2が読取部53で読み取られ、データ記憶部54に記憶される(ステップS2)。また、ステップS2では、搬送アームA3が仮置きユニットPT3に移動し、ステージ部73にウエハWを載置する前の搬送アームA3の位置データP3及びステージ部73にウエハWを載置した状態の搬送アームA3の位置データP4が読取部53で読み取られ、データ記憶部54に記憶される。
Next, based on a signal from the
また、搬送プログラム52aに基づいて、ウエハWを保持する搬送アームA3がCOT層B3内の図示しないスピンチャックの上方(ウエハWを送出する位置)まで移動し、ウエハWを図示しないスピンチャックに受け渡す前の搬送アームA3の位置データP5及びウエハWを図示しないスピンチャックに受け渡した後の状態の搬送アームA3の位置データP6が読取部53で読み取られ、データ記憶部54に記憶される(ステップS3)。
Further, based on the
次に、CPL3に載置されているウエハWを搬送アームA3に吸着保持させる際のバキュームのタイミングと真空配管42A,42Bの真空度、COT層B3内の図示しないスピンチャックに保持されているウエハWを吸着保持させる際のバキュームのタイミングと真空配管42A,42Bの真空度、及びステージ部73に載置されているウエハWを吸着保持させる際のバキュームのタイミングと真空配管42A,42Bの真空度がバキュームセンサ43で検知される。これらの真空引きに関するデータ(VACデータ)は読取部53で読み取られ、データ記憶部54に記憶される(ステップS4)。
Next, vacuum timing when the wafer W placed on the CPL3 is attracted and held by the transfer arm A3, the degree of vacuum of the
以上のステップS1〜S4を実行することにより、搬送アームA3の全軸を初期化した状態で、基板を受け取る位置と送出する位置、VACデータをデータ記憶部に記憶される。これらのデータは、基板搬送装置1による各モジュールへの搬送時において、搬送アームA3におけるウエハWの姿勢が正常であるか否かの基準データとなる。
By executing the above steps S1 to S4, the position where the substrate is received, the position where the substrate is sent, and the VAC data are stored in the data storage unit with all axes of the transfer arm A3 initialized. These data are reference data as to whether or not the posture of the wafer W in the transfer arm A3 is normal when the
次に、図15A,図15Bに基づいて、一の処理モジュールから他の処理モジュールにウエハWを搬送する工程の一例について説明する。まず、一の処理モジュールから他の処理モジュールにウエハWを搬送する前に、図15Aに示すステップS1と同様の全軸イニシャライズが行われる(ステップS11)。次に、搬送アームA3を一の処理モジュールであるCPL3に移動した状態で停止し(ステップS12)、搬送アームA3の停止位置データを読取部53に送信することで、搬送アームA3の位置データがデータ記憶部54に記憶される(ステップS13)。
Next, an example of a process of transporting the wafer W from one processing module to another processing module will be described with reference to FIGS. 15A and 15B. First, before transferring the wafer W from one processing module to another processing module, all-axis initialization similar to step S1 shown in FIG. 15A is performed (step S11). Next, the transfer arm A3 is stopped in a state where it is moved to CPL3 which is one processing module (step S12), and the stop position data of the transfer arm A3 is transmitted to the
次に、ステップS2で取得した搬送アームA3の位置データP1と、ステップS13で取得した搬送アームA3の停止位置データとの差(位置ずれ量δ1)から、搬送アームA3の停止位置のずれが第1の許容範囲σ1を超えているか否かを判断する(ステップS14)。位置ずれ量δ1が第1の許容範囲σ1を超えている場合には、CLP3に移動した搬送アームA3の停止位置が大きくずれているため、制御部51はウエハWを保持した場合にウエハWが保持爪30A〜30Dに均等に載置されないと判断する。そのため、制御部51はウエハWの落下や破損を生じる虞があると判断して、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。
Next, the shift of the stop position of the transfer arm A3 is determined based on the difference (position shift amount δ1) between the position data P1 of the transfer arm A3 acquired in step S2 and the stop position data of the transfer arm A3 acquired in step S13. It is determined whether or not the allowable range σ1 of 1 is exceeded (step S14). When the positional deviation amount δ1 exceeds the first allowable range σ1, the stop position of the transfer arm A3 moved to the
従って、ステップS14がこの発明の停止判断工程に相当し、ステップS14で位置ずれ量δ1が第1の許容範囲δ1を超えているか否かを判断する制御部51がこの発明の停止判断手段に相当する。また、ステップS115がこの発明の停止信号送信工程であり、ステップS115における制御部51がこの発明の停止信号送信手段に相当する。
Accordingly, step S14 corresponds to the stop determination step of the present invention, and the
また、位置ずれ量δ1が第1の許容範囲σ1以内である場合には、CLP3に移動した搬送アームA3の停止位置の位置ずれは小さいため、制御部51はウエハWを保持した場合にウエハWが保持爪30A〜30Dに均等に載置されると判断する。そのため、制御部51はウエハWの落下や破損を生じる虞はないと判断して、搬送アームA3の駆動を継続する。ここで、第1の許容範囲σ1は、搬送を継続した場合にはウエハWの破損、落下を生じるおそれがあるとして定めた位置ずれ量である。
Further, when the positional deviation amount δ1 is within the first allowable range σ1, the positional deviation of the stop position of the transfer arm A3 that has moved to the CLP3 is small, so that the
位置ずれ量δ1が第1の許容範囲σ1以内である場合には、ウエハWが搬送アームA3の保持爪30A〜30Dに吸着保持されることで搬送アームA3がウエハWを受け取り(ステップS15)、ウエハWを搬送アームA3に吸着保持する際の搬送アームA3の位置データとVACデータが読取部53で読みとられ、データ記憶部54に記憶される。(ステップS16)。
When the positional deviation amount δ1 is within the first allowable range σ1, the transfer arm A3 receives the wafer W by being attracted and held by the holding
次に、ステップS2で取得した搬送アームA3の位置データP2と、ステップS16で取得した搬送アームA3の位置データの差(位置ずれ量δ2)が第1の許容範囲σ1を超えているか否かが判断される(ステップS17)。位置ずれ量δ2が第1の許容範囲σ1を超えている場合には、CLP3における搬送アームA3のウエハ受取位置の位置ずれは大きいため、制御部51はウエハWが保持爪30A〜30Dに均等に載置されていないと判断する。そのため、制御部51はウエハWの落下や破損を生じる虞があると判断して、アラームを発生させたうえで、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。また、位置ずれ量δ2が第1の許容範囲σ1以内である場合には、CLP3における搬送アームA3のウエハ受取位置の位置ずれは小さいため、制御部51はウエハWが保持爪30A〜30Dに均等に載置されていると判断する。そのため、制御部51はウエハWの落下や破損を生じる虞はないと判断して、搬送アームA3の駆動を継続する。
Next, whether or not the difference (position deviation amount δ2) between the position data P2 of the transfer arm A3 acquired in step S2 and the position data of the transfer arm A3 acquired in step S16 exceeds the first allowable range σ1. Determination is made (step S17). When the positional deviation amount δ2 exceeds the first allowable range σ1, since the positional deviation of the wafer receiving position of the transfer arm A3 in the
位置ずれ量δ2が第1の許容範囲σ1以内である場合には、次に、ウエハWを吸着保持する際の真空引きのタイミングがずれているか否かを判断する(ステップS18)。ステップS4で検知された真空引きのタイミングと、ステップS16で検知された真空引きのタイミングの差(ずれ量γ1)が第2の許容範囲σ2を超えている場合には、真空引きのタイミングのずれが大きいため、制御部51はウエハWが保持爪30A〜30Dに均等に載置されていないと判断する。そのため、制御部51はウエハWにスクラッチが生じる虞があると判断して、アラームを発生させたうえで、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する。(ステップS115)。ここで、第2の許容範囲σ2は搬送を継続した場合にはウエハWのスクラッチを生じる虞があるとして定めた位置ずれ量である。
If the positional deviation amount δ2 is within the first allowable range σ1, it is next determined whether or not the timing of evacuation for sucking and holding the wafer W is deviated (step S18). If the difference (deviation amount γ1) between the vacuuming timing detected in step S4 and the vacuuming timing detected in step S16 exceeds the second allowable range σ2, the vacuuming timing shift Therefore, the
ずれ量γ1が第2の許容範囲σ2以内である場合には、ずれ量γ1が第3の許容範囲σ3を超えているか否かが判断される(ステップS19)。ここで、第3の許容範囲σ3は、搬送を継続してもウエハWのスクラッチを生じない範囲であるとして定めた位置ずれ量であり、第2の許容範囲σ2よりも小さな値となる。 When the deviation amount γ1 is within the second allowable range σ2, it is determined whether or not the deviation amount γ1 exceeds the third allowable range σ3 (step S19). Here, the third allowable range σ3 is a positional deviation amount that is determined as a range in which scratching of the wafer W does not occur even if the transfer is continued, and is a value smaller than the second allowable range σ2.
ずれ量γ1が第3の許容範囲σ3を超えている場合には、真空引きのタイミングのずれがある程度の大きさであるため、制御部51はウエハWが保持爪30A〜30Dに均等に載置されていないものの、ウエハWの載置位置を調節することでウエハWのスクラッチの発生を防止することができると判断する。このときは、搬送アームA3に保持されているウエハWの位置ずれを自己診断し、修復する自己診断モードが実行される(ステップS110)。自己診断モードの詳細については後述する。また、ずれ量γ1が第3の許容範囲σ3以内である場合には、ウエハWが保持爪30A〜30Dに均等に載置されているか、又は載置の位置ずれが小さいためウエハWのスクラッチが生じないと判断して、ウエハWを保持する搬送アームA3がCOT層B3に移動される(ステップS112)。そして、搬送アームA3がCOT層B3内の図示しないスピンチャックの上方に移動して停止した状態で、搬送アームA3の停止位置データを読取部53で読み取り、データ記憶部54に記憶する(ステップS113)。従って、ステップS18,S19がこの発明の吸着判断工程に相当し、ステップS18,S19でずれ量γ1が第2の許容範囲δ2、第3の許容範囲δ3を超えているか否かを判断する制御部51がこの発明の吸着判断手段に相当する。
When the shift amount γ1 exceeds the third allowable range σ3, the
次に、ステップS3で取得した搬送アームA3の位置データP5と、ステップS113で取得した搬送アームA3の停止位置データとの差(位置ずれ量δ3)に基づいて、搬送アームA3の停止位置がずれているか否かを判断する(ステップS114)。位置ずれ量δ3が第1の許容範囲σ1を超えている場合には、図示しないスピンチャック上に移動した搬送アームA3の停止位置が大きくずれているため、制御部51はウエハWを図示しないスピンチャックに対して均等に載置することができないと判断する。そのため、制御部51はウエハWの落下や破損を生じる虞があると判断して、アラームを発生させたうえで、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。また、位置ずれ量δ3が第1の許容範囲σ1以内である場合には、図示しないスピンチャックにウエハWを載置し、搬送アームA3の停止位置データを読取部53で読み取り、データ記憶部54に記憶する(ステップS116)。
Next, the stop position of the transfer arm A3 is shifted based on the difference (position shift amount δ3) between the position data P5 of the transfer arm A3 acquired in step S3 and the stop position data of the transfer arm A3 acquired in step S113. It is judged whether it is (step S114). When the positional deviation amount δ3 exceeds the first allowable range σ1, since the stop position of the transfer arm A3 that has moved onto the spin chuck (not shown) is greatly shifted, the
次に、ステップS3で取得した搬送アームA3の位置データP6と、ステップS116で取得した搬送アームA3の停止位置データとの差(位置ずれ量δ4)に基づいて、搬送アームA3の停止位置がずれているか否かを判断する(ステップS117)。位置ずれ量δ4が第1の許容範囲を超えている場合には、図示しないスピンチャックにウエハWを載置した状態の搬送アームA3の停止位置が大きくずれているため、制御部51は上記スピンチャックに載置されているウエハWが保持爪30A〜30Dに均等に載置されないと判断する。そのため、制御部51はウエハWの落下や破損を生じる虞があると判断して、アラームを発生させたうえで、搬送プログラム52cに基づいて搬送アームの駆動を停止する(ステップS115)。位置ずれ量δ4が第1の許容範囲σ1以内である場合には、制御部51は、一のモジュールである受け渡しユニットCPL3から他のモジュールであるCOT層B3へのウエハWの搬送が正常に行われたと判断して、受け渡しユニットCPL3からCOT層B3へのウエハWの搬送を終了する。
Next, the stop position of the transfer arm A3 is shifted based on the difference (position shift amount δ4) between the position data P6 of the transfer arm A3 acquired in step S3 and the stop position data of the transfer arm A3 acquired in step S116. It is determined whether or not (step S117). When the positional deviation amount δ4 exceeds the first allowable range, the stop position of the transfer arm A3 in a state where the wafer W is placed on the spin chuck (not shown) is greatly deviated. It is determined that the wafer W placed on the chuck is not placed evenly on the holding
図16に基づいて、ステップS110の自己診断モードの詳細について説明する。自己診断モードでは、ウエハWを保持している搬送アームA3を仮置きユニットPT3に移動し(ステップS21)、搬送アームA3の位置データを読取部53で読み取り、データ記憶部54に記憶する(ステップS22)。
Details of the self-diagnosis mode in step S110 will be described with reference to FIG. In the self-diagnosis mode, the transfer arm A3 holding the wafer W is moved to the temporary placement unit PT3 (Step S21), and the position data of the transfer arm A3 is read by the
次に、ステップS2で取得した搬送アームA3の位置データP3と、ステップS22で取得した搬送アームA3の位置データとの差(位置ずれ量δ5)を比較して、搬送アームA3の停止位置がずれているか否かを判断する(ステップS23)。位置ずれ量δ5が第1の許容範囲σ1を超えている場合には、仮置きユニットPT3に移動した搬送アームA3の停止位置が大きくずれているため、制御部51でウエハWの落下や破損を生じる虞があると判断して図15A,図15Bに示される搬送工程に戻り、アラームを発生させたうえで、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。
Next, the difference (position shift amount δ5) between the position data P3 of the transfer arm A3 acquired in step S2 and the position data of the transfer arm A3 acquired in step S22 is compared, and the stop position of the transfer arm A3 is shifted. It is judged whether it is (step S23). When the positional deviation amount δ5 exceeds the first allowable range σ1, the stop position of the transfer arm A3 moved to the temporary placement unit PT3 is greatly deviated, so that the
また、位置ずれ量δ5が第1の許容範囲σ1以内である場合には、ウエハWを仮置きユニットPT3のステージ部73に載置する(ステップS24)。そして、ウエハWをステージ部73に載置した搬送アームA3の位置データを読取部53で読み取り、データ記憶部54に記憶する(ステップS25)。
If the positional deviation amount δ5 is within the first allowable range σ1, the wafer W is placed on the
次に、ステップS2で取得した搬送アームA3の位置データP4と、ステップS25で取得した搬送アームA3の位置データの差(位置ずれ量δ6)に基づいて、搬送アームA3の停止位置がずれているか否かを判断する(ステップS26)。位置ずれ量δ6が第1の許容範囲σ1を超えている場合には、ウエハWをステージ部73に載置した搬送アームA3の停止位置が大きくずれているため、ウエハWを搬送アームA3で保持した場合にはウエハWの落下や破損を生じる虞があると判断して図15A,図15Bに示される搬送工程に戻り、アラームを発生させたうえで、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。
Next, is the stop position of the transfer arm A3 shifted based on the difference (position shift amount δ6) between the position data P4 of the transfer arm A3 acquired in step S2 and the position data of the transfer arm A3 acquired in step S25? It is determined whether or not (step S26). When the positional deviation amount δ6 exceeds the first allowable range σ1, the stop position of the transfer arm A3 on which the wafer W is placed on the
また、位置ずれ量δ6が第1の許容範囲σ1以内である場合には、ステージ部73に載置されているウエハWが搬送アームA3に吸着保持され(ステップS27)、搬送アームA3の位置データとVACデータが読取部53で読み取られ、データ記憶部54に記憶される(ステップS28)。
If the positional deviation amount δ6 is within the first allowable range σ1, the wafer W placed on the
次に、ステップS2で取得した搬送アームA3の位置データP3と、ステップS28で取得した搬送アームA3の位置データとの差(位置ずれ量δ7)を比較して、搬送アームA3の停止位置がずれているか否かを判断する(ステップS29)。位置ずれ量δ7が第1の許容範囲σ1を超えている場合には、ステージ部73に載置されたウエハWを保持する搬送アームA3の停止位置が大きくずれているため、ウエハWを搬送アームA3で保持した場合にはウエハWの落下や破損を生じる虞があると判断して図15A,図15Bに示される搬送工程に戻り、アラームを発生させたうえで、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。
Next, the difference (position shift amount δ7) between the position data P3 of the transfer arm A3 acquired in step S2 and the position data of the transfer arm A3 acquired in step S28 is compared, and the stop position of the transfer arm A3 is shifted. It is determined whether or not (step S29). When the positional deviation amount δ7 exceeds the first allowable range σ1, the stop position of the transfer arm A3 that holds the wafer W placed on the
ステップS29において、位置ずれ量δ7が第1の許容範囲σ1以内である場合には、次の工程で保持爪30A〜30Dに吸着保持されているウエハWの保持位置がずれているか否かを判断する(ステップS210)。ステップS4で検知された真空引きのタイミングと、ステップS28で検知された真空引きのタイミングの差(ずれ量γ2)が第2の許容範囲σ2を超えている場合には、保持爪30A〜30Dに吸着保持されているウエハWの保持位置がずれているため、ウエハWにスクラッチが生じる虞があると判断して、図15A,図15Bに示される搬送工程に戻り、搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。
In step S29, when the positional deviation amount δ7 is within the first allowable range σ1, it is determined whether or not the holding position of the wafer W attracted and held by the holding
ずれ量γ2が第2の許容範囲σ2以内である場合には、ずれ量γ2が第3の許容範囲σ3を超えているか否かが判断される(ステップS211)。ずれ量γ2が第3の許容範囲σ3を超えている場合には、制御部51は、ウエハWの搬送を継続した場合にはウエハWにスクラッチを生じる可能性があるが、ウエハWの落下、破損を生じるおそれはないと判断し、搬送アームA3を仮置きユニットPT3から移動させて、ウエハWの保持位置を修正するための全軸初期化を行う(ステップS212)。また、ずれ量γ2が第3の許容範囲σ3以内である場合には、搬送アームA3に保持されているウエハWの位置ずれ量は小さく、ウエハWの落下、破損のおそれ、及びウエハWにスクラッチを生じる可能性はないと判断される。従って、図16に示される自己診断モードを終了し、図15Aに示されるCOT層B3の図示しないスピンチャックにウエハWを載置する工程に戻る(ステップS112)。
If the deviation amount γ2 is within the second allowable range σ2, it is determined whether or not the deviation amount γ2 exceeds the third allowable range σ3 (step S211). When the deviation amount γ2 exceeds the third allowable range σ3, the
ステップS212で、搬送アームA3の全軸初期化が行われた後、搬送アームA3が仮置きユニットPT3に移動され(ステップS213)、搬送口24にフォーク3A,3Bを挿入した状態で搬送アームA3の位置データが読取部53で読み取られ、データ記憶部54で記憶される(ステップS214)。
In step S212, after all axes of the transport arm A3 are initialized, the transport arm A3 is moved to the temporary placement unit PT3 (step S213), and the transport arm A3 is inserted with the
次に、ステップS2で取得した搬送アームA3の位置データP3と、ステップS214で取得した搬送アームA3の位置データとの差(位置ずれ量δ8)に基づいて、搬送アームA3の停止位置がずれているか否かを判断する(ステップS215)。位置ずれ量δ8が第1の許容範囲σ1を超えている場合には、仮置きユニットPT3に移動した搬送アームA3の停止位置が大きくずれているため、ウエハWを搬送アームA3で保持した場合にはウエハWの落下や破損を生じる虞があると判断して図15A,図15Bに示される搬送工程に戻り、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。
Next, the stop position of the transfer arm A3 is shifted based on the difference (position shift amount δ8) between the position data P3 of the transfer arm A3 acquired in step S2 and the position data of the transfer arm A3 acquired in step S214. It is determined whether or not there is (step S215). When the positional deviation amount δ8 exceeds the first allowable range σ1, the stop position of the transfer arm A3 moved to the temporary placement unit PT3 is greatly shifted, and thus when the wafer W is held by the transfer arm A3. 15A and 15B returns to the transfer process shown in FIGS. 15A and 15B, and stops driving the transfer arm A3 based on the
また、位置ずれ量δ8が第1の許容範囲σ1以内である場合には、ウエハWを仮置きユニットPT3のステージ部73に載置することで、搬送アームA3からウエハWを送出し(ステップS216)、搬送アームA3の位置データが読取部53で読み取られ、データ記憶部54に記憶される(ステップS217)。
If the positional deviation amount δ8 is within the first allowable range σ1, the wafer W is sent out from the transfer arm A3 by placing the wafer W on the
次に、ステップS2で取得した搬送アームA3の位置データP4と、ステップS217で取得した搬送アームA3の位置データとの差(位置ずれ量δ9)を比較して、搬送アームA3の停止位置がずれているか否かを判断する(ステップS218)。位置ずれ量δ9が第1の許容範囲σ1を超えている場合には、ウエハWをステージ部73に載置した搬送アームA3の停止位置が大きくずれているため、ウエハWを搬送アームA3で保持した場合にはウエハWの落下や破損を生じる虞があると判断して図15A,図15Bに示される搬送工程に戻り、アラームを発生させたうえで、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。
Next, the difference (position deviation amount δ9) between the position data P4 of the transfer arm A3 acquired in step S2 and the position data of the transfer arm A3 acquired in step S217 is compared, and the stop position of the transfer arm A3 is shifted. It is determined whether or not (step S218). When the positional deviation amount δ9 exceeds the first allowable range σ1, the stop position of the transfer arm A3 on which the wafer W is placed on the
また、位置ずれ量δ9が第1の許容範囲σ1以内である場合には、ステージ部73に載置されているウエハWが搬送アームA3で保持され(ステップS219)、搬送アームA3の位置データとVACデータが読取部53で読み取られ、データ記憶部54に記憶される(ステップS220)。
When the positional deviation amount δ9 is within the first allowable range σ1, the wafer W placed on the
次に、ステップS2で取得した搬送アームA3の位置データP3と、ステップS220で取得した搬送アームA3の位置データの差(位置ずれ量δ10)に基づいて、搬送アームA3の停止位置がずれているか否かを判断する(ステップS221)。位置ずれ量δ10が第1の許容範囲σ1を超えている場合には、ウエハWを保持する搬送アームA3の停止位置が大きくずれているため、搬送アームA3を移動させた場合にはウエハWの落下や破損を生じる虞があると判断して図12に示される搬送工程に戻り、アラームを発生させたうえで、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。
Next, is the stop position of the transfer arm A3 shifted based on the difference (position shift amount δ10) between the position data P3 of the transfer arm A3 acquired in step S2 and the position data of the transfer arm A3 acquired in step S220? It is determined whether or not (step S221). When the positional deviation amount δ10 exceeds the first allowable range σ1, the stop position of the transfer arm A3 that holds the wafer W is greatly shifted. Therefore, when the transfer arm A3 is moved, the wafer W is moved. It is determined that there is a risk of dropping or breakage, the process returns to the transfer process shown in FIG. 12, an alarm is generated, and the drive of the transfer arm A3 is stopped based on the
また、ステップS221において、位置ずれ量δ10が第1の許容範囲σ1以内である場合には、次の工程でウエハWを保持爪30A〜30Dで吸着保持する際の吸着タイミングがずれているか否かを判断する(ステップS222)。ステップS4で検知された真空引きのタイミングと、ステップS220で検知された真空引きのタイミングの差(ずれ量γ3)が第2の許容範囲σ3を超えている場合には、ウエハWの保持位置がずれているため、ウエハWにスクラッチが生じる虞があると判断して図15A,図15Bに示される搬送工程に戻り、アラームを発生させたうえで、搬送停止プログラム52cに基づいて搬送アームA3の駆動を停止する(ステップS115)。
In step S221, if the positional deviation amount δ10 is within the first allowable range σ1, whether or not the suction timing when the wafer W is sucked and held by the holding
また、ずれ量γ3が第2の許容範囲σ3以内である場合には、ウエハWの保持位置のずれはスクラッチを生じない範囲であるため、ウエハWの搬送を継続することができるとして自己診断モードを終了し、図15Aに示されるステップS111に進む。 Further, when the deviation amount γ3 is within the second allowable range σ3, the deviation of the holding position of the wafer W is in a range where no scratch is generated, so that the transfer of the wafer W can be continued and the self-diagnosis mode is assumed. And the process proceeds to step S111 shown in FIG. 15A.
以上のように、この発明の基板搬送装置及び基板搬送方法並びに基板搬送用記憶媒体は、フォーク3A,3Bの位置のずれ量が第1の許容範囲σ1を超えている場合、又は吸着のタイミングのずれ量が第2の許容範囲内σ2を超えた場合には、ウエハWの搬送が停止される。また、フォーク3A,3Bの位置のずれ量が第1の許容範囲σ1を超えていない場合には、吸着のタイミングのずれ量が第2の許容範囲σ2以内であって第3の許容範囲σ3を超えている場合であっても、ウエハWの位置を修正することで基板の搬送が可能になる。また、吸着のタイミングのずれ量が第3の許容範囲σ3以内である場合には、ウエハWの位置を修正することなくウエハWの搬送を行うことができる。そのため、ウエハWの位置ずれが大きい場合には搬送を停止させることで不良品の発生を防止し、ウエハWの位置ずれがそれほど大きくない場合には、自己診断の下ウエハWの位置ずれを自動で修正することで生産性を向上させることができる。
As described above, the substrate transfer apparatus, the substrate transfer method, and the substrate transfer storage medium according to the present invention have the displacement amount of the
また、フォーク3A,3Bの位置のずれ量が第1の許容範囲σ1以内であり、吸着のタイミングのずれ量が第2の許容範囲σ2以内であって第3の許容範囲σ3を超えている場合には、自己修復モードが実行される。従って、自己修復モードが実行されている場合には、ウエハWの吸着保持のずれが生じており、搬送工程で生じているずれの原因を特定するためのサポートを果たすことができる。
Further, when the displacement amount of the
以上、この発明の基板搬送装置及び基板搬送方法並びに基板搬送用記憶媒体について説明したが、この発明を実施するための形態はこれに限られない。この発明を実施するための形態としては、一の処理モジュールを受け渡しユニットCPL3、他の処理モジュールを第3のブロック(COT層)B3として説明したが、一の処理モジュールは受け渡しユニットCPL1,CPL2,CPL4であってもよく、他の処理モジュールは第1のブロック(DEV層)B1,第2のブロック(BCT層)B2,第4のブロック(TCT層層)B4であってもよい。 The substrate transport apparatus, the substrate transport method, and the substrate transport storage medium of the present invention have been described above. However, the form for carrying out the present invention is not limited to this. As a form for carrying out the present invention, one processing module has been described as the delivery unit CPL3, and the other processing module has been described as the third block (COT layer) B3. However, the one processing module has the delivery units CPL1, CPL2, The other processing module may be the first block (DEV layer) B1, the second block (BCT layer) B2, and the fourth block (TCT layer layer) B4.
また、この発明を実施するための形態では、ウエハWの自己診断は仮置きユニットPT3で行われているが、受け渡しユニットCPL1と第1のブロック(DEV層)B1の処理モジュールの間でウエハWの搬送を行う場合には、ウエハWの自己診断は仮置きユニットPT1で行われる。また、受け渡しユニットCPL2と第2のブロック(BCT層)B2の処理モジュールの間でウエハWの搬送を行う場合、受け渡しユニットCPL4と第4のブロック(TCT層)B4の処理モジュールの間でウエハWの搬送を行う場合には、ウエハWの自己診断は仮置きユニットPT2,PT4で行われる。 In the embodiment for carrying out the present invention, the self-diagnosis of the wafer W is performed by the temporary placement unit PT3. However, the wafer W is interposed between the transfer unit CPL1 and the processing module of the first block (DEV layer) B1. In the case of transferring the wafer W, self-diagnosis of the wafer W is performed by the temporary placement unit PT1. Further, when the wafer W is transferred between the transfer unit CPL2 and the processing module of the second block (BCT layer) B2, the wafer W is transferred between the transfer unit CPL4 and the processing module of the fourth block (TCT layer) B4. In the case of transferring the wafer W, self-diagnosis of the wafer W is performed by the temporary placement units PT2 and PT4.
また、ウエハWの自己診断は、仮置きモジュールPT3で行わず、処理ブロックS2中の受け渡しユニットCPL2,CPL3,CPL11,CPL12で行われてもよい。 Further, the self-diagnosis of the wafer W may be performed not by the temporary placement module PT3 but by the delivery units CPL2, CPL3, CPL11, and CPL12 in the processing block S2.
1 基板搬送装置
3A,3B フォーク(保持枠)
30A〜30D 保持爪(保持部)
41A〜41D 吸着孔
43 バキュームセンサ
51 制御部
A1〜A4 搬送アーム
PT1〜PT4 仮置きユニット
W ウエハ
1
30A-30D Holding claw (holding part)
41A to 41D Suction hole 43
Claims (3)
上記基板の周囲を囲むように設けられている保持枠の内縁から各々内側に突出すると共に、上記内縁に沿って互いに間隔を開けて設けられ、上記基板を吸着保持するための吸着孔を有する複数の保持部を有する搬送アームと、
前記吸着孔への吸着のタイミングを検知するバキュームセンサと、
上記搬送アームの位置を上記駆動部からの位置信号に基づいて検知する位置検知手段と、
上記搬送アームの位置のずれ量が、上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第1の許容範囲を超えた場合に、上記基板の搬送を停止すべきと判断する停止判断手段と、
上記吸着のタイミングのずれ量が上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第2の許容範囲を超えた場合には、上記基板の搬送を停止すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第2の許容範囲内であるが、上記搬送アームの位置を修正すべきとして予め設定されている第3の許容範囲を超えた場合には、上記基板の位置を修正すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第3の許容範囲内である場合には、上記基板の位置を修正せずに前記基板の搬送を行うべきと判断する吸着判断手段と、
上記停止判断手段又は上記吸着判断手段で上記基板の搬送を停止すべきと判断した場合に、上記駆動部の駆動を停止させる信号を上記駆動部に送信する停止信号送信手段と、
上記吸着判断手段で上記基板の位置を修正すべきと判断した場合に、上記駆動部の原点復帰を行う信号を上記駆動部に送信する復帰信号送信手段と、を備え、
上記駆動部の原点復帰は、上記一の処理モジュールから受け取った基板を仮置きするための仮置きモジュールに上記保持部を移動して行うことを特徴とする基板搬送装置。 A substrate transfer device that is movably driven in a vertical and horizontal direction by a drive unit and transfers a substrate from one processing module to another processing module,
A plurality of suction holes projecting inward from the inner edge of the holding frame provided so as to surround the periphery of the substrate, and spaced apart from each other along the inner edge, and having suction holes for sucking and holding the substrate A transfer arm having a holding portion of
A vacuum sensor for detecting the timing of suction to the suction hole;
Position detecting means for detecting the position of the transfer arm based on a position signal from the drive unit;
Stop determination means for determining that the transfer of the substrate should be stopped when the shift amount of the position of the transfer arm exceeds a first allowable range set in advance as the drive of the drive unit should be stopped. When,
If the amount of deviation in the suction timing exceeds a second allowable range set in advance as the drive of the drive unit should be stopped, it is determined that the transport of the substrate should be stopped, and the suction When the amount of timing deviation is within the second allowable range, but exceeds the third allowable range set in advance as the position of the transfer arm should be corrected, the position of the substrate is corrected. A suction determination means for determining that the substrate should be transported without correcting the position of the substrate when the amount of shift in the suction timing is within the third allowable range;
A stop signal transmitting means for transmitting a signal for stopping the driving of the driving unit to the driving unit when the stop determining unit or the suction determining unit determines that the conveyance of the substrate should be stopped;
A return signal transmitting means for transmitting a signal for returning the origin of the drive unit to the drive unit when it is determined that the position of the substrate should be corrected by the suction determination unit ;
The origin return of the drive unit is performed by moving the holding unit to a temporary placement module for temporarily placing a substrate received from the one processing module .
上記基板の上記吸引孔への吸着のタイミングを検知するバキュームセンサ、とを備え、
駆動部により鉛直及び水平方向に移動自在に駆動する基板搬送装置を用いて、一の処理モジュールから他の処理モジュールに基板を搬送する基板搬送方法であって、
上記搬送アームの位置を上記駆動部からの位置信号に基づいて検知する位置検知工程と、
上記搬送アームの位置のずれ量が、上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第1の許容範囲を超えた場合に、上記基板の搬送を停止すべきと判断する停止判断工程と、
上記吸着のタイミングのずれ量が上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第2の許容範囲を超えた場合には、上記基板の搬送を停止すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第2の許容範囲内であるが、上記搬送アームの位置を修正すべきとして予め設定されている第3の許容範囲を超えた場合には、上記基板の位置を修正すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第3の許容範囲内である場合には、上記基板の位置を修正せずに前記基板の搬送を行うべきと判断する吸着判断工程と、
上記停止判断工程又は上記吸着判断工程で上記基板の搬送を停止すべきと判断した場合に、上記駆動部の駆動を停止させる信号を上記駆動部に送信する停止信号送信工程と、
上記吸着判断工程で上記基板の位置を修正すべきと判断した場合に、上記駆動部の原点復帰を行う信号を上記駆動部に送信する復帰信号送信工程と、を備え、
上記復帰信号送信工程は、上記一のモジュールから受け取った基板を仮置きするための仮置きモジュールに上記保持部を移動させて行うことを特徴とする基板搬送方法。 A plurality of holding holes projecting inward from the inner edge of the holding frame provided so as to surround the periphery of the substrate, and spaced apart from each other along the inner edge, and having suction holes for sucking and holding the substrate A transfer arm having a holding part;
A vacuum sensor that detects the timing of adsorption of the substrate to the suction hole, and
A substrate transport method for transporting a substrate from one processing module to another processing module using a substrate transport device that is movably driven vertically and horizontally by a drive unit,
A position detection step of detecting the position of the transfer arm based on a position signal from the drive unit;
Stop determination step of determining that the substrate transport should be stopped when the amount of displacement of the position of the transport arm exceeds a first allowable range that is set in advance to stop the driving of the drive unit. When,
If the amount of deviation in the suction timing exceeds a second allowable range set in advance as the drive of the drive unit should be stopped, it is determined that the transport of the substrate should be stopped, and the suction When the amount of timing deviation is within the second allowable range, but exceeds the third allowable range set in advance as the position of the transfer arm should be corrected, the position of the substrate is corrected. A suction determination step of determining that the substrate should be transported without correcting the position of the substrate when the amount of shift in the suction timing is within the third allowable range;
A stop signal transmission step of transmitting a signal for stopping the drive of the drive unit to the drive unit when it is determined that the conveyance of the substrate should be stopped in the stop determination step or the suction determination step;
A return signal transmission step of transmitting a signal for returning the origin of the drive unit to the drive unit when it is determined that the position of the substrate should be corrected in the adsorption determination step ;
The return signal transmission step is performed by moving the holding unit to a temporary placement module for temporarily placing a substrate received from the one module .
上記制御プログラムは、基板を吸着保持するための吸着孔を有する搬送アームの位置を該搬送アームを鉛直及び水平方向に移動自在に駆動させる駆動部からの位置信号に基づいて検知する位置検知工程と、
上記基板の上記吸引孔への吸着のタイミングを検知するバキュームセンサからの信号に基づいて判断する上記搬送アームの位置のずれ量が、上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第1の許容範囲を超えた場合に、上記基板の搬送を停止すべきと判断する停止判断工程と、
上記吸着のタイミングのずれ量が上記駆動部の駆動を停止させるべきとして予め設定されている第2の許容範囲を超えた場合には、上記基板の搬送を停止すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第2の許容範囲内であるが、上記搬送アームの位置を修正すべきとして予め設定されている第3の許容範囲を超えた場合には、上記基板の位置を修正すべきと判断し、上記吸着のタイミングのずれ量が上記第3の許容範囲内である場合には、上記基板の位置を修正せずに前記基板の搬送を行うべきと判断する吸着判断工程と、
上記停止判断工程又は上記吸着判断工程で上記基板の搬送を停止すべきと判断した場合に、上記駆動部の駆動を停止させる信号を上記駆動部に送信する停止信号送信工程と、
上記吸着判断工程で上記基板の位置を修正すべきと判断した場合に、上記駆動部の原点復帰を行う信号を上記駆動部に送信する復帰信号送信工程が実行されるように、コンピュータが基板搬送装置を制御するものであり、
上記制御プログラムで実行される上記復帰信号送信工程は、上記一のモジュールから受け取った基板を仮置きするための仮置きモジュールに上記保持部を移動させて行う工程であることを特徴とする基板搬送用記憶媒体。 A computer-readable storage medium storing software for causing a computer to execute a control program,
The control program includes a position detection step of detecting the position of a transfer arm having a suction hole for holding the substrate by suction based on a position signal from a drive unit that drives the transfer arm to move vertically and horizontally. ,
A deviation amount of the position of the transfer arm, which is determined based on a signal from a vacuum sensor that detects the timing of suction of the substrate to the suction hole, is set in advance to stop driving of the driving unit. A stop determination step of determining that the transport of the substrate should be stopped when the allowable range of 1 is exceeded;
If the amount of deviation in the suction timing exceeds a second allowable range set in advance as the drive of the drive unit should be stopped, it is determined that the transport of the substrate should be stopped, and the suction When the amount of timing deviation is within the second allowable range, but exceeds the third allowable range set in advance as the position of the transfer arm should be corrected, the position of the substrate is corrected. A suction determination step of determining that the substrate should be transported without correcting the position of the substrate when the amount of shift in the suction timing is within the third allowable range;
A stop signal transmission step of transmitting a signal for stopping the drive of the drive unit to the drive unit when it is determined that the conveyance of the substrate should be stopped in the stop determination step or the suction determination step;
When it is determined in the suction determination step that the position of the substrate should be corrected, the computer carries the substrate so that a return signal transmission step is executed for transmitting a signal for returning the origin of the drive unit to the drive unit. all SANYO to control the apparatus,
The return signal transmission step executed by the control program is a step performed by moving the holding unit to a temporary placement module for temporarily placing a substrate received from the one module. Storage media.
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