JP6818322B2 - 質量分析装置および質量分析方法 - Google Patents
質量分析装置および質量分析方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6818322B2 JP6818322B2 JP2017054691A JP2017054691A JP6818322B2 JP 6818322 B2 JP6818322 B2 JP 6818322B2 JP 2017054691 A JP2017054691 A JP 2017054691A JP 2017054691 A JP2017054691 A JP 2017054691A JP 6818322 B2 JP6818322 B2 JP 6818322B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- vacuum chamber
- sample table
- sample
- ion beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 59
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 24
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003416 augmentation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000003758 nuclear fuel Substances 0.000 description 1
- 239000000941 radioactive substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/04—Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components
- H01J49/0459—Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components for solid samples
- H01J49/0463—Desorption by laser or particle beam, followed by ionisation as a separate step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/16—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission
- H01J49/161—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission using photoionisation, e.g. by laser
- H01J49/162—Direct photo-ionisation, e.g. single photon or multi-photon ionisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Description
また、上記分析装置では、反射鏡を試料台に取り付けるため、例えば、反射鏡を試料台から離して取り付ける態様と比べて、レーザ光と反射鏡の光軸を同軸に合わせる作業が容易になる。
以下、本発明の第1実施形態に係る質量分析装置及び質量分析方法について図1〜図4を用いて説明する。
図1は、本実施形態の質量分析装置20の構成を示す概略図である。
質量分析装置20は、固体試料Xに含まれる原子(中性粒子)を放出させ、放出された原子(以下、適宜「スパッタ原子S」と記載する。)をレーザ光でイオン化させ、イオン化された原子の質量を分析する装置である。
図1に示されるように、真空チャンバ22は、試料台24、イオンビーム源26、反射鏡30及び分析部32を内部に収容している。この真空チャンバ22には、図示しない負圧回路が接続されている。この負圧回路を作動させることで真空チャンバ22内が真空状態となる。
図1に示されるように、試料台24は、真空チャンバ22の下部に設けられた台座40に着脱可能に装着されている。試料台24の表面24Aは、平面とされており、固体試料Xが配置される。なお、試料台24は、イオンビームBの照射位置を調整するため、ターゲットとなる固体試料Xの位置を適宜調整可能なマニピュレータを有している。
イオンビーム源26は、試料台24上に配置された固体試料XにイオンビームBを照射して固体試料Xに含まれる原子を放出させるためのビーム源である。イオンビーム源26としては、例えば、集束イオンビーム(FIB)装置など、一般に入手可能な装置を用いてもよい。イオンビームを固体試料Xに照射する際は、例えば、液体金属のガリウムイオン源からイオンビームを取り出し、集束させた上で、ナノスケールの精度で固体試料Xにパルス状に照射させてもよい。
図1、図2及び図4に示されるように、レーザ光源28は、固体試料XのイオンビームBの照射領域の上方(以下、適宜「イオン化空間」と記載する。)をパルスレーザ(パルス状のレーザ)が通過するようにパルスレーザを照射する装置である。なお、以下では、パルスレーザの入射光をレーザ光L1として記載する。このレーザ光源28は、真空チャンバ22の外側に設置されており、試料台24の表面24Aに平行にレーザ光L1を照射する。
図1及び図3に示されるように、反射鏡30は、試料台24の表面24Aに取り付けられている。この反射鏡30は、固体試料Xの中心から10mm以内に配置されている。また、反射鏡30は、レーザ光L1(図1及び図2では黒矢印で示す)の光軸と反射光L2(図3では白矢印で示す)の光軸が同軸となるように試料台24の表面24Aに取り付けられている。このため、レーザ光L1と反射光L2とがイオン化空間で重なり合う。なお、本実施形態では、反射鏡30は、試料台24の表面24Aに設けられた凹部(図示省略)に嵌め込まれている。
分析部32は、イオン化された原子を質量分析するためのものである。分析部32としては、例えばセクター磁場型質量分析装置、飛行時間型質量分析装置(TOF−MS)、四重極型質量分析装置(QMS)等、種々の装置が適用可能である。
制御部42は、質量分析装置20が備える各構成の制御を行なうものであり、具体的には、イオンビーム源26から照射されるイオンビームBの照射タイミング制御、ならびにレーザ光源28から照射されるレーザ光L1の照射タイミング制御を行なうものである。次に、制御部42による各構成の制御方法について説明する。
本実施形態の質量分析方法について説明する。なお、本実施形態の質量分析方法では、質量分析装置20を用いる。
質量分析装置20では、レーザ光L1及び反射光L2によって固体試料Xから放出されたスパッタ原子Sがイオン化される。ここで、固体試料XのイオンビームBの照射領域の上方にあるイオン化空間でレーザ光L1と反射光L2が重ね合わされるため(図3ではレーザ光L1の範囲を二点鎖線で示し、反射光L2の範囲を実線で示している。)、例えば、レーザ光L1と反射光L2がイオン化空間で重ね合わされない形態と比べて、イオン化空間のレーザ光L1と反射光L2が重なり合う領域において光子密度が増加し、スパッタ原子Sに対して光子が衝突する確率が増加する。すなわち、イオン化確率が向上する。このようにしてイオン化される原子が増加することで、分析部32による質量分析精度が向上する。
また、反射鏡30を試料台24に取り付けるため、例えば、反射鏡30を試料台24から離して取り付ける形態と比べて、レーザ光L1と反射光L2の光軸を同軸に合わせる作業が容易になる。
次に、本発明の第2実施形態に係る質量分析装置及び質量分析方法について図5及び図6を用いて説明する。
質量分析装置50では、反射光L2によって固体試料Xから放出されたスパッタ原子Sがイオン化される。ここで、固体試料XのイオンビームBの照射領域の上方であるイオン化空間で複数の反射鏡30で反射された反射光L2同士が重ね合わされるため、例えば、反射光L2同士が重ね合わされない形態と比べて、イオン化空間の反射光L2同士が重なり合う領域において光子密度が増加し、スパッタ原子Sに対して光子が衝突する確率が増加する。すなわち、イオン化確率が向上する。このようにしてイオン化される原子が増加することで、分析部による質量分析精度が向上する。
(本発明の効果の確認)
以下、本発明によるイオン化確率が向上する効果について説明する。なお、本発明によるイオン化確率向上効果は、原理の異なる二つのメカニズムがあるため、それぞれについて説明する。
これは図8(A)及び図8(B)のように説明できる。使用したレーザのパルス幅は7nsであり、これはパルス長さとしては2メートルを超える。
一方、固体試料の中心から反射鏡までは10mm以下と近く、反射光と入射光は試料台の上方で重なっていることになる。レーザの波長266nmにおけるインジウム原子のイオン化は、非共鳴2光子吸収イオン化であり、理論的にはイオン化確率は光子密度の2乗に比例する。
理論通りであれば、(1+0.63)2=2.66倍の効果が得られるはずであるが、実際には光軸の微小なズレや、入射光ですでにイオン化した原子はこの効果に加算されないことを考えると、実験での増大率が2.66倍には達しないが、単純和である1.63倍よりも大きいことが説明できる。
したがって、1回反射において、レーザの往路と復路で光軸が重なる条件においては、反射率から想定されるレーザの往路と復路の単純和を超えるイオン化確率の向上効果が得られることが示された。
なお、反射鏡の設置精度であるが、図2に示されるように、固体試料の中心と反射鏡間の距離Dを10mm程度、レーザの光軸の太さを0.2mm程度とした場合、幾何学的な計算から見積もると、角度にして1度以内に合わせ、入射光との同軸性を保証することで効果が得られる。
つまり、共鳴プロセスでは、2光子目の吸収に際して数nsの時間的猶予があるため、レーザ光を共鳴波長に合わせたときにイオン化確率が急激に増大する。これを共鳴イオン化と呼ぶ。共鳴イオン化に用いるレーザ光源は波長可変でなければならず、レーザの繰り返し率やエネルギーなど、実用に耐えうるレーザシステムは非共鳴の場合と比べても更に厳しい。したがって、レーザ共鳴イオン化の場合にも、ある繰り返し率及びエネルギーの波長可変レーザを用い、最大限の効果(イオン化確率)が得られる方法が望まれる。
横軸はレーザの波長であり、基本波の波長737.705nmを中心に737.69nm〜737.72nmの領域で共鳴によるイオン数増大効果が見られる(基本波の2倍波を用いたため、実際のレーザ光の波長はこれらの半分である)。
共鳴イオン化過程では、前述のように、一旦、励起準位を経るため、イオン化確率と光子密度の関係は2乗ではなく、1乗(線形)である。今回、反射率は90%であったため、往路及び復路の単純和で1.9倍となる。
実際には僅かではあるが、単純和を上回る2倍という効果が得られた。これは次のように解釈される。共鳴イオン化過程では、1光子目を吸収して励起状態となる。この励起状態は元素や励起準位により異なるが、一般にナノ秒程度の寿命がある。
したがって、仮に往路のレーザにより励起され、引き続いて2光子目を吸収しなくても、復路のレーザにより2光子目を吸収する過程が起こり得る。即ち、共鳴イオン化における1回反射による入射光及び反射光のオーバーラップは単純な和よりもこの効果分だけ増大率は増えることが実証された。
イオンビーム照射点からは様々な方向に様々な運動エネルギーで原子が放出され、スパッタ原子群を成す。このスパッタ原子群に1方向からレーザが入射した場合、レーザ入射方向に対し、向かう方向に飛ぶ原子と離れる方向の原子が存在することになり、それぞれ、原子から見たレーザの振動数が変化する。これがいわゆるドップラー効果である。スパッタ原子群は様々な運動方向とエネルギーを持った集団であるため、共鳴効果が表れる波長には広がりが生じる。これを以下ではドップラー広がりと呼ぶ。仮に、ドップラー広がりの波長幅がレーザの線幅よりも広い場合はスパッタ原子群のうち、ドップラーシフトがレーザの線幅以内の原子しか共鳴イオン化しないことになる。これはイオン化確率の低下につながる。最も良い方法はレーザの線幅を可変とし、この線幅をドップラー広がりに一致させてしまうことであるが、一般に、レーザの線幅をその場で可変とすることは難しい。
つまり、1回通過よりも、幅広いドップラー広がりに対して共鳴イオン化を起こさせることができる。図9や図10に示した実験結果はここに述べた効果は含むものの、レーザの線幅がドップラー広がりに対してそれほど細く無かったために、前述のように、レーザの往路と復路での光軸のオーバーラップ効果のみで実験結果が解釈できた。なお。レーザの線幅がより細い場合には、図11Bに示した手法がより有効である。
22 真空チャンバ
24 試料台
24A 表面
26 イオンビーム源
28 レーザ光源
30 反射鏡
32 分析部
34 取出口
36 開閉扉
38 透過ガラス
40 台座
42 制御部
50 質量分析装置
52 試料台
52A 表面
L1 レーザ光
L2 反射光
X 固体試料
Claims (6)
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置された試料台と、
前記試料台上に配置された固体試料にイオンビームを照射して原子を放出させるイオンビーム源と、
前記固体試料の前記イオンビームの照射領域の上方にレーザ光を通過させるレーザ光源と、
前記真空チャンバ内に配置され、前記レーザ光を反射し、前記照射領域の上方で前記レーザ光と反射光とを重ね合わせる反射鏡と、
前記レーザ光及び前記反射光によってイオン化された前記原子の質量を分析する分析部と、
を有し、
前記試料台には、凹部が形成されており、
前記反射鏡は、平面鏡であり、前記レーザ光の光軸と前記反射光の光軸が同軸となるように前記凹部に嵌め込まれて前記試料台と一体とされている、質量分析装置。 - 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置された試料台と、
前記試料台上に配置された固体試料にイオンビームを照射して原子を放出させるイオンビーム源と、
前記固体試料の前記イオンビームの照射領域の上方にレーザ光を通過させるレーザ光源と、
前記真空チャンバ内に複数配置され、前記レーザ光を反射し、前記照射領域の上方で前記レーザ光と反射光とを重ね合わせる反射鏡と、
前記レーザ光及び前記反射光によってイオン化された前記原子の質量を分析する分析部と、
を有し、
前記試料台には、該試料台の外周縁部から延びる複数の溝部が形成されており、
複数の前記反射鏡は、前記反射光が多方向から前記照射領域の上方で重なり合うようにそれぞれの前記溝部に嵌め込まれている、質量分析装置。 - 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置された試料台と、
前記試料台上に配置された固体試料にイオンビームを照射して原子を放出させるイオンビーム源と、
前記試料台の表面に平行にレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記真空チャンバ内に複数配置され、前記レーザ光を反射し、反射光を多方向から前記固体試料の前記イオンビームの照射領域の上方で重ね合わせる反射鏡と、
少なくも前記反射光によってイオン化された前記原子の質量を分析する分析部と、
を有し、
前記試料台には、該試料台の外周縁部から延びる複数の溝部が形成されており、
複数の前記反射鏡は、それぞれの前記溝部に嵌め込まれている、質量分析装置。 - 前記レーザ光源は、前記固体試料に含まれる原子の種類に応じて、前記レーザ光の波長を変更可能とされている、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の質量分析装置。
- 前記試料台は、前記真空チャンバに対して着脱可能に装着され、
前記真空チャンバには、前記試料台を取り出すための取出口が設けられている、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の質量分析装置。 - 請求項2又は請求項3に記載の質量分析装置を用いた質量分析方法であって、
固体試料が配置された試料台を真空チャンバ内に配置し、前記真空チャンバ内を真空状態にする工程と、
前記固体試料にイオンビームを照射して前記固体試料から原子を放出させる工程と、
前記固体試料の前記イオンビームの照射領域の上方にレーザ光を通過させて前記原子をイオン化させる工程と、
前記レーザ光を反射させた反射光を多方向から前記照射領域の上方で重なり合わせて、前記レーザ光でイオン化しなかった前記原子をイオン化させる工程と、
イオン化された前記原子の質量を分析する工程と、
を有する質量分析方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017054691A JP6818322B2 (ja) | 2017-03-21 | 2017-03-21 | 質量分析装置および質量分析方法 |
EP18772237.6A EP3605584A4 (en) | 2017-03-21 | 2018-03-15 | MASS SPECTROSCOPE AND MASS SPECTROMETRY |
PCT/JP2018/010332 WO2018173935A1 (ja) | 2017-03-21 | 2018-03-15 | 質量分析装置および質量分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017054691A JP6818322B2 (ja) | 2017-03-21 | 2017-03-21 | 質量分析装置および質量分析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018156904A JP2018156904A (ja) | 2018-10-04 |
JP6818322B2 true JP6818322B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=63585457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017054691A Active JP6818322B2 (ja) | 2017-03-21 | 2017-03-21 | 質量分析装置および質量分析方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3605584A4 (ja) |
JP (1) | JP6818322B2 (ja) |
WO (1) | WO2018173935A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020173192A (ja) | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 株式会社島津製作所 | 質量分析装置、サンプリングプローブおよび分析方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0229151U (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-26 | ||
JPH10149795A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-02 | Hitachi Ltd | 質量分析装置 |
JPH10334847A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Hitachi Ltd | 光イオン化質量分析装置 |
JPH1114571A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 光イオン化質量分析装置 |
JP2000162164A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | 共鳴レーザイオン化中性粒子質量分析装置および分析方法 |
JP2001108657A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Tokyo Denshi Kk | ガス中微量物の分析法及び分解法並びにこれらに使用する多面鏡装置 |
JP6316041B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2018-04-25 | 株式会社東芝 | スパッタ中性粒子質量分析装置 |
JP6309381B2 (ja) * | 2014-07-22 | 2018-04-11 | 学校法人 工学院大学 | 質量分析装置および質量分析方法 |
JP6601075B2 (ja) | 2015-09-09 | 2019-11-06 | ミツミ電機株式会社 | プッシュスイッチ、およびプッシュスイッチの製造方法 |
-
2017
- 2017-03-21 JP JP2017054691A patent/JP6818322B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-15 EP EP18772237.6A patent/EP3605584A4/en active Pending
- 2018-03-15 WO PCT/JP2018/010332 patent/WO2018173935A1/ja active Search and Examination
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018156904A (ja) | 2018-10-04 |
EP3605584A1 (en) | 2020-02-05 |
EP3605584A4 (en) | 2020-12-16 |
WO2018173935A1 (ja) | 2018-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5778039A (en) | Method and apparatus for the detection of light elements on the surface of a semiconductor substrate using x-ray fluorescence (XRF) | |
Richardson et al. | High conversion efficiency mass-limited Sn-based laser plasma source for extreme ultraviolet lithography | |
Babzien et al. | Observation of the second harmonic in Thomson scattering from relativistic electrons | |
US7217941B2 (en) | Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source | |
Pikuz et al. | X-pinch. Part II | |
JP5464366B2 (ja) | 核種分析方法、核種分析装置 | |
JP6818322B2 (ja) | 質量分析装置および質量分析方法 | |
O’Shea et al. | Single shot diffraction of picosecond 8.7-keV x-ray pulses | |
US6724004B2 (en) | Method and apparatus for elimination of high energy ion from EUV radiating device | |
Nürnberg | Laser-accelerated proton beams as a new particle source | |
JP4341910B2 (ja) | レーザープロファイルの測定方法および装置、粒子採取方法および装置 | |
JP4925133B2 (ja) | テラヘルツ波電子線分光測定方法および装置 | |
US9431229B2 (en) | Sputter neutral particle mass spectrometry apparatus with optical element | |
KR102041212B1 (ko) | 엑스선 분광 및 이미징 측정 시스템 | |
Lindahl et al. | Experimental studies of partial photodetachment cross sections in K− below the K (7 2 P) threshold | |
CN113848224A (zh) | 一种样品所含元素的鉴定系统 | |
Margarone et al. | Real-time diagnostics of fast light ion beams accelerated by a sub-nanosecond laser | |
JPH07161336A (ja) | 質量分析方法およびそのための装置 | |
Hartmann | Quantitative Ion Spectrometry and first laser-ion acceleration results at the Centre for Advanced Laser Applications | |
Wang et al. | Water-window x-ray emission from laser-produced Au plasma under optimal target thickness and focus conditions | |
Kos | Time-resolved studies of colliding laser-produced plasmas | |
Bollanti et al. | Progress report on a 14.4-nm micro-exposure tool based on a laser-produced-plasma: debris mitigation system results and other issues | |
Sauppe et al. | A two-frame movie of X-ray induced structural dynamics in single free nanoparticles | |
JPH10149795A (ja) | 質量分析装置 | |
Valle Brozas | Design and Construction of a Radiation Source of Extreme Flux |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170407 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6818322 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |