JP6814020B2 - 情報処理装置とその制御方法、及びプログラム - Google Patents

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Description

本発明は、情報処理装置とその制御方法、及びプログラムに関する。
近年、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）の普及に伴い、補助記憶装置としてＳＳＤが画像形成装置に具備されるようになってきている。このＳＳＤは、従来から使用されているＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の記憶装置と比較すると、アクセス性能、発熱、動作音、耐衝撃性能、消費電力、サイズ等の点で優れている。その一方で、書き換え回数の制限や、メモリ容量、コスト等の点で劣る部分もある。以後、ＨＤＤ及びＳＳＤを総称して、ディスク又はドライブと表現するが、特に明記しない限り同一のものとする。
一方、ディスクを使用したミラーリング装置は、２台のディスクが同時に故障することが少ないことを利用した耐故障性を向上させる装置である。このようなミラーリング装置では通常、アクセス性能と耐故障性を期待し、同等の性能を持つ記憶装置を装着する。しかし、画像形成装置等では、コストの観点から、例えばＨＤＤとＳＳＤのように異なる性能の記憶装置を組み合わせてミラーリング装置として装着する場合がある。
ミラーリング装置では、主として使用するマスタドライブと、副として使用するバックアップドライブがあり、読み込みはマスタドライブから行い、書込みは両ドライブに行う。そして、マスタドライブに問題があった場合、主副を入れ替えて使用する。
例えば、ＳＳＤをマスタドライブ、ＨＤＤをバックアップドライブとして使用した場合を想定する。それぞれのドライブは、アクセス性能において長所短所が存在するため、小さいサイズの書込み（ランダムアクセス）ではＳＳＤが先に完了し、大きいサイズの書込み（シーケンシャルアクセス）では、ＨＤＤが先に完了する、という現象が発生する。
例えば特許文献１では、データの読み込み時において、その長所や短所を活かした処理を行っている。即ち、データの前半部分をランダムアクセス性能の高いＳＳＤから読み込み、後半部分をシーケンシャルアクセス性能の高いＨＤＤから読み込むという動作をさせることで、総合的に読み込み性能を向上させている。
特開２００９−２２３３５５号公報
ホストからミラーリング装置への書込み命令があった場合、両ドライブに対して書込み命令を発行し、両ドライブへの書込みが完了してからホストに応答している。このため、応答までの時間は、処理の遅いドライブの性能で定まることになり、アクセス性能の低いドライブを使用していると、そのアクセス性能がミラーリング装置のアクセス性能を規定することになる。
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決することにある。
本発明の目的は、互いに異なるアクセス性能を有する複数の記憶装置を使用してミラーリングを行う場合でも、装置全体のアクセス性能の低下を抑制できる技術を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る情報処理装置は以下のような構成を備える。即ち、
制御装置と接続し、且つ、不揮発性の半導体記憶装置及び不揮発性の磁気記憶装置と接続した情報処理装置であって、
前記半導体記憶装置への書き込みを優先させるモードの設定を受け付け可能な設定手段と、
前記制御装置、前記半導体記憶装置および前記磁気記憶装置との通信を制御する制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記モードが設定されている場合に、前記制御装置から書き込み命令を受信することに応じて、前記半導体記憶装置に前記書き込み命令を発行し、且つ前記磁気記憶装置に前記書き込み命令を発行せず、前記半導体記憶装置から前記書き込み命令に対する応答を受信したことに応じて、前記書き込み命令に対する応答を前記制御装置に発行し、且つ前記書き込み命令に従って書き込まれたデータを前記半導体記憶装置から読み出して前記磁気記憶装置に書き込むことを特徴とする。
本発明によれば、互いに異なるアクセス性能を有する複数の記憶装置を使用してミラーリングを行う場合でも、装置全体のアクセス性能の低下を抑制できるという効果がある。
本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。尚、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。
添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施形態を示し、その記述と共に本発明の原理を説明するために用いられる。
本発明の実施形態１に係るミラーリング装置の構成を説明するブロック図。 本発明の実施形態１に係るミラーリング装置における２つの記憶装置への書込み動作を説明するシーケンスチャート。 本発明の実施形態１に係るミラーリング装置における複数の記憶装置への書込み動作を説明するフローチャート。 本発明の実施形態２に係るミラーリング装置における２つの記憶装置への書込み動作を説明するシーケンスチャート。 本発明の実施形態２に係るミラーリング装置における複数の記憶装置への書込み動作を説明するフローチャート。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る本発明を限定するものでなく、また本実施形態で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。尚、本実施形態では、ＳＳＤとＨＤＤとを組み合わせたミラーリング装置を例に説明するが、本発明はその限りではない。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るミラーリング装置１００の構成を説明するブロック図である。本実施例では、このようなミラーリング装置を備えた情報処理装置を例に説明する。
ミラーリング装置１００は、ＲＯＭ１０２或いは例えば、ハードディスクなどの記憶装置１１０に記憶されたプログラムをＲＡＭ１０３に展開して実行するＣＰＵ１０１を備える。ＣＰＵ１０１は、システムバス１１５に接続される各デバイスを総括的に制御する。ここで不揮発性記憶装置は、複数台接続可能であり、オプションとして記憶装置１１１を接続している。尚、これら記憶装置１１０，１１１は共に不揮発記憶装置で、それぞれ、ディスクコントローラ１０９、ディスクコントローラ１１８を介してシステムバス１１５に接続されており、これらコントローラによって、各記憶装置への読み書きが制御されている。ここで記憶装置１１０，１１１には、同一のデータが書かれるように制御されるが、どちらか一方がマスタで、他方はスレーブとなっている。マスタとスレーブは、故障や着脱等により入れ替わるため、以降マスタとスレーブと表現した場合は、記憶装置１１０と１１１のいずれかを表すものとする。
ＲＡＭ１０３は、ＣＰＵ１０１の主メモリ、ワークエリア及び、記憶装置１１０，１１１に読み書きするデータのバッファ等として機能する。このミラーリング装置１００は、ディスクコントローラ１１６を介してホストコンピュータ（外部装置）１１７と接続され、記憶装置１１０、１１１に読み書きするデータの授受を行う。データ転送部１１９は、ディスクコントローラ１０９，１１６，１１８と接続され、これらディスクコントローラ間でのデータ転送を行う。
尚、実施形態１では、ホストコンピュータ１１７及び記憶装置１１０，１１１はミラーリング装置１００の外部に接続されているが、ミラーリング装置１００内に包含していても構わない。
図２は、本発明の実施形態１に係るミラーリング装置１００における２つの記憶装置への書込み動作を説明するシーケンスチャートである。
ホストコンピュータ１１７のユーザによりデータが入力されると、それを２０１で、ディスクドライバを介してホストコンピュータ１１７からミラーリング装置１００に、そのデータを書込むように書込み命令（ＷｒｉｔｅＡ）を発行する。この書込み命令を受信したミラーリング装置１００は、２０２で、記憶装置１１０と１１１の両方に、そのデータを書込むように書込み命令を発行する。ここで、記憶装置１１０，１１１のアクセス性能や書込みサイズ、タイミング等により、その書込み速度に差がある。よって、ここでは２０３で、片方の記憶装置（ここでは、１１０とする）から、書込み完了を示す応答があるとする。
次に２０４でミラーリング装置１００は、他方の記憶装置１１１からの、書込み完了を示す応答が来るのを所定の時間待つ。ここで、所定の時間待っても記憶装置１１１から応答がなかった場合は２０５で、ミラーリング装置１００は、内部の状態を片方の記憶装置のみで動作していることを示すデグレード状態にする。そして２０６で、書込み命令に含まれている書込み位置とデータサイズ、及び記憶装置１１１への書込みが完了していないことを未同期リストとして、例えばＲＡＭ１０３に保持する。そして２０７で、ホストコンピュータ１１７に対して書込み完了を通知する。
次に２０８でミラーリング装置１００は、未同期リストに情報があることを確認すると、その未同期リストに登録されている書込み位置とデータサイズに相当するデータ（ＤａｔａＡ）を記憶装置１１０から読み出す。ここでは、記憶装置１１０に対して読み出し命令（ＲｅａｄＡ）を発行して、データ（ＤａｔａＡ）を記憶装置１１０から読み出す。そして２０９で、そのデータを記憶装置１１１に書込むために記憶装置１１１に対して書込み命令（ＷｒｉｔｅＡ）を発行して、データ（ＤａｔａＡ）を記憶装置１１１に書込む。こうして、この書込みに成功すると２１０で、未同期リストに登録されているその情報を削除する。そして２１１で、ミラーリング装置１００の内部状態を、両方の記憶装置１１０，１１１の同期が取れていることを示すミラー状態に変更する。
図３は、本発明の実施形態１に係るミラーリング装置１００における複数の記憶装置への書込み動作を説明するフローチャートである。尚、このフローチャートで示す処理は、ＣＰＵ１０１がＲＯＭ１０２に記憶されているプログラムをＲＡＭ１０３に展開して実行することにより達成される。この処理は、ホストコンピュータ１１７から書込み命令とデータを受信することにより開始される。
まずＳ３０１でＣＰＵ１０１は、ホストコンピュータ１１７から受信したデータを記憶装置１１０と記憶装置１１１の両方に書込むために、２つの記憶装置１１０，１１１に書込み命令を発行する。そしてＳ３０２に進みＣＰＵ１０１は、それら記憶装置１１０，１１１からの書込み完了の応答を待つ。Ｓ３０３でＣＰＵ１０１は、所定時間が経過したかどうかを判定しており、所定時間が経過するとＳ３０４に進み、そうでないときはＳ３０２に戻る。Ｓ３０４でＣＰＵ１０１は、２つの記憶装置１１０，１１１の両方から応答を受信したかどうか判定し、両方から応答を受信したときは、この処理を終了するが、そうでないときはＳ３０５に進む。ここではいずれか一方から応答を受信したとして説明する。ここでもし、２つの記憶装置１１０，１１１の何れからも応答を受信しないときは、エラーとして処理することになる。
Ｓ３０５でＣＰＵ１０１は、ミラーリング装置の状態を片方の記憶装置のみで動作していることを示すデグレード状態に変更する。このように一方からのみ応答があった場合は、その応答があったディスクを使用して処理を続行できる場合が多い。この場合、応答があったディスクにデータを保持し、応答のあったディスクだけを用いて運用を継続できる。そして、このいわゆるデグレード状態をミラーリング装置において識別させるために、当該装置をデグレード状態に設定する。これにより、応答のないディスクからの応答を待たずに、応答のあったディスクのみを使用して処理を継続できる。そしてＳ３０６に進みＣＰＵ１０１は、応答を受信していない記憶装置の識別情報と、前述の書込み命令に含まれている書込み位置とデータサイズとを未同期リストとして、例えばＲＡＭ１０３に記憶する。そしてＳ３０７に進みＣＰＵ１０１は、書き込み命令の発行元であるホストコンピュータ１１７に対して書込み完了を通知する。
次にＳ３０８に進みＣＰＵ１０１は、ＲＡＭ１０３の未同期リストに情報が登録されているかどうか判定し、情報が登録されているときはＳ３０９に進み、そうでないときはＳ３１２に進む。Ｓ３０９でＣＰＵ１０１は、その未同期リストに登録されている書込み位置とデータサイズに相当するデータを、応答を受信した記憶装置（例えば、記憶装置１１０）から読み出す。そして、応答を受信した記憶装置以外の、応答を受信していない記憶装置（例えば、記憶装置１１１）に書込むコピー処理を実行する。そして、この書込みに成功するとＳ３１０に進みＣＰＵ１０１は、未同期リストから、その情報を削除する。そしてＳ３１１に進み、その未同期リストに他に情報があるどうか判定し、あればＳ３０９に戻って同様の処理を実行する。このＳ３１１の処理は、例えば、３以上の記憶装置を使用してミラーリングを行う場合にも適用できるようにするためである。こうして未同期リストに登録されている情報が無くなるとＳ３１２に進みＣＰＵ１０１は、ミラーリング装置の状態を両方の記憶装置１１０，１１１の同期が取れていることを示すミラー状態にして、この処理を終了する。
以上説明したように実施形態１によれば、複数の記憶装置を使用してミラーリングを行った際、書込み処理において、それぞれの記憶装置の内、性能の高い方の書込み処理に対応して書込み完了を通知できる。これにより、互いに性能の異なる記憶装置を使用した場合でも、より低い性能の記憶装置に起因するミラーリング装置のアクセス性能の低下を抑制できるという効果がある。
尚、実施形態１では、一時的に両方の記憶装置の同期が取れていないデグレード状態が発生する。このように、両方の記憶装置の同期が取れていないことを重要視するユーザのために、デグレード状態に移行するのを許可するか否かをユーザが選択できるようにしても良い。その場合、ユーザが、デグレード状態に移行するのを許可していれば前述の実施形態１の動作となるが、許可していないときは、全ての記憶装置への書込みが完了してからホストコンピュータに応答することになる。
また、前述のＳ３０３の所定の時間を、ユーザが任意の値に設定できるようにしても良い。これによりユーザは、ユーザが希望するアクセス時間と、データの同期とのバランスを取ることができる。
（実施形態２）
次に本発明の実施形態２を説明する。実施形態２では、本発明の特徴的な動作の一つである、より高速な書込み動作を実行する高速書込みモードを有する例で説明する。尚、実施形態２に係るミラーリング装置の構成は、前述の実施形態１の場合と同じであるため、その説明を省略する。
図４は、本発明の実施形態２に係るミラーリング装置１００における２つの記憶装置への書込み動作を説明するシーケンスチャートである。尚、この図４において、前述の図２と共通する部分は同じ参照番号で示し、その説明を省略する。
実施形態２に係るミラーリング装置１００は、内部に高速書込みモードかどうかを示す情報、及び、高速書込みモードで記憶装置１１０，１１１のいずれを優先するかの情報を保持する。この情報は、予めホストコンピュータ１１７から与えられてもいいし、前述の所定の時間待機する処理（２０４）が実行された回数等から、より高速にデータを書込むことができる記憶装置を自動的に判断しても良い。例えば記憶装置１１０がＳＳＤ、記憶装置１１１がＨＤＤの場合は、高速書込みモードで記憶装置１１０を優先するように設定する。
図４において、２０１でストコンピュータ１１７からミラーリング装置１００に、データを書込むように書込み命令（ＷｒｉｔｅＡ）が発行されると、ミラーリング装置１００は、高速書込みモードかどうか判定する。ここで高速書込みモードでない場合は、前述の実施形態１と同様に、２０２〜２１１の動作を行う。
一方、高速書込みモードの場合は４０１で、優先する記憶装置（ここでは、例えば記憶装置１１０とする）にのみ書込み命令を発行する。そして、図２を参照して説明した、２０５〜２１１の動作を行う。即ち、ここでは、記憶装置１１１へのデータの書込みを実行していないので、ミラーリング装置１００は、内部の状態を片方の記憶装置のみで動作していることを示すデグレード状態とする。そして２０６で未同期リストに情報を登録し、２０８〜２０９で記憶装置１１１とのミラーリングを行う。そしてミラーリングに成功すると、未同期リストの情報を削除して、ミラーリング装置１００は、内部の状態をミラーリング状態とする。
そして更に、高速書込みモードの場合は４０２で、４０１での記憶装置１１０への書込み処理と、２０９での記憶装置１１１への書込み処理の処理時間を比較する。そして、もし２０９での記憶装置１１１への書込み処理の処理時間の方が短いときは、４０３で高速書込みモードをオフにする。
図５は、本発明の実施形態２に係るミラーリング装置１００における複数の記憶装置への書込み動作を説明するフローチャートである。尚、このフローチャートで示す処理は、ＣＰＵ１０１がＲＯＭ１０２に記憶されているプログラムをＲＡＭ１０３に展開して実行することにより達成される。この処理は、ホストコンピュータ１１７から書込み命令とデータを受信することにより開始される。尚、図５において、図３と共通するステップは同じ参照番号で示し、それらの説明を省略する。この処理は、ホストコンピュータ１１７から書込み命令とデータを受信することにより開始される。
まずＳ５０１でＣＰＵ１０１は、ＲＡＭ１０３に高速書込みモードが設定されているかどうか判定する。Ｓ５０１で高速書込みモードが設定されていないと判定したときはＳ３０１に進み、実施形態１で前述したように、Ｓ３０１〜Ｓ３１２の処理を実行する。このときＳ３０４で、所定時間内に全ての記憶装置へのデータの書込みが完了していればＳ５０３に進みＣＰＵ１０１は、ミラーリング装置１００の状態をミラーリング状態にして、この処理を終了する。
Ｓ５０１で高速書込みモードが設定されていると判定するとＳ５０２に進みＣＰＵ１０１は、優先する記憶装置（ここでは、例えば記憶装置１１０とする）にのみ書込み命令を発行してＳ３０５に進む。そしてＳ３０５でＣＰＵ１０１は、ミラーリング装置１００の状態を、片方の記憶装置のみで動作していることを示すデグレード状態に変更する。そして図３を参照して説明したように、Ｓ３０６〜Ｓ３１２の処理を実行して、記憶装置１１１に，Ｓ５０２で記憶装置１１０に書き込んだデータを記憶装置１１１に書き込んでミラーリング処理を行う。
こうしてミラーリング処理に成功するとＳ５０４に進みＣＰＵ１０１は、Ｓ５０１と同様に、ＲＡＭ１０３に高速書込みモードが設定されているかどうか判定する。Ｓ５０４で高速書込みモードが設定されていないと判定したときは、この処理を終了する。一方、高速書込みモードが設定されていると判定するとＳ５０５に進みＣＰＵ１０１は、Ｓ５０２で記憶装置１１０にデータを書き込んだ処理に要した時間と、Ｓ３０９で記憶装置１１１に同じデータを書き込んだ処理に要した時間とを比較する。そして、記憶装置１１１に同じデータを書き込んだ処理に要した時間の方が短いと判定するとＳ５０６に進み、高速書込みモードの設定をオフにして、この処理を終了する。これは優先する記憶装置（例えば記憶装置１１０）の方が書き込み処理に要する時間が長いため、記憶装置１１０を優先させる高速書込みモードが意味をなさないためである。一方、記憶装置１１１に同じデータを書き込んだ処理に要した時間の方が長いと判定すると、高速書込みモードを維持したままで、この処理を終了する。
Ｓ５０６でユーザに、より低速なアクセス性能を有する記憶装置を優先するように設定されているために、高速書込みモードをオフにする（解除する）ことを警告するようにしても良い。この際、いずれの記憶装置の方がアクセス性能が高いかを示す情報も、ユーザに提示するようにしても良い。
以上説明したように実施形態２によれば、より高速なアクセス性能を有する記憶装置を優先させてデータを書き込む高速書込みモードを採用することにより、その高速なアクセス性能に応じたタイミングで完了応答をホストコンピュータに返すことができる。そして、未同期リストに登録されている他の記憶装置に対しては、順次、データを書き込んでミラーリングを行うことができる。
また誤って、より低速なアクセス性能を有する記憶装置を優先する高速書込みモードが設定されていると、その高速書込みモードをオフにすることができる。
尚、図５のＳ５０６で高速書込みモードをオフにしているが、例えば、高速書込みモードが、予めホストコンピュータ１１７からの指示により設定されていた場合は、高速書込みモードをオフにする情報をホストコンピュータ１１７に通知するようにしても良い。これにより、低速なアクセス性能を有する記憶装置が、高速書込みモードで優先する記憶装置に指定されていることをユーザに通知することができる。
また記憶装置１１０，１１１の型番を記憶しておき、そのいずれかが交換されたとき、もし高速書込みモードが設定されていれば、それを解除するようにしても良い。
（その他の実施形態）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
本発明は上記実施形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。
１００…ミラーリング装置、１０１…ＣＰＵ、１０２…ＲＯＭ、１０３…ＲＡＭ、１０９，１１６，１１８…ディスクコントローラ、１１０，１１０…（不揮発）記憶装置、１１７…ホストコンピュータ

Claims (18)

  1. 制御装置と接続し、且つ、不揮発性の半導体記憶装置及び不揮発性の磁気記憶装置と接続した情報処理装置であって、
    前記半導体記憶装置への書き込みを優先させるモードの設定を受け付け可能な設定手段と、
    前記制御装置、前記半導体記憶装置および前記磁気記憶装置との通信を制御する制御手段と、を有し、
    前記制御手段は、前記モードが設定されている場合に、前記制御装置から書き込み命令を受信することに応じて、前記半導体記憶装置に前記書き込み命令を発行し、且つ前記磁気記憶装置に前記書き込み命令を発行せず、前記半導体記憶装置から前記書き込み命令に対する応答を受信したことに応じて、前記書き込み命令に対する応答を前記制御装置に発行し、且つ前記書き込み命令に従って書き込まれたデータを前記半導体記憶装置から読み出して前記磁気記憶装置に書き込むことを特徴とする情報処理装置。
  2. 前記制御手段は、前記モードが設定されていない場合に前記制御装置から前記書き込み命令を受信することに応じて、前記半導体記憶装置と前記磁気記憶装置に前記書き込み命令を発行し、前記半導体記憶装置から前記書き込み命令に対する応答を受信し、前記磁気記憶装置から前記書き込み命令に対する応答を受信しない状態で所定時間が経過したことに応じて、前記書き込み命令に対する応答を前記制御装置に発行し、且つ、前記書き込み命令に従って書き込まれたデータを前記半導体記憶装置から読み出して前記磁気記憶装置に書き込むことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
  3. 前記制御手段は、前記所定時間が経過したことに応じて、前記半導体記憶装置と前記磁気記憶装置がミラーリング処理されるミラーリング状態から、前記半導体記憶装置を使用し前記磁気記憶装置を使用しないデグレード状態に変更することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
  4. 前記制御手段は、更に、前記デグレード状態で前記半導体記憶装置からデータを読み出して前記磁気記憶装置に書き込んだ後、前記デグレード状態から前記ミラーリング状態に変更することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
  5. 前記制御手段は、前記所定時間が経過したことに応じて、前記データの書き込みアドレス、前記データのデータサイズ、及び前記データが書き込まれなかった前記磁気記憶装置を特定する識別情報を記憶することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  6. 前記制御手段は、前記識別情報に対応するデータを前記半導体記憶装置から読み出して前記磁気記憶装置に書き込むと前記識別情報を削除することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
  7. 前記所定時間は、ユーザが設定できることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  8. 前記モードが設定されている場合、前記制御手段は、前記半導体記憶装置に前記データを書き込むのに要した第１の時間と、前記磁気記憶装置に前記データを書き込むのに要した第２の時間とを比較し、前記第２の時間が前記第１の時間よりも短い場合、前記モードを解除することを特徴とする請求項１乃至７いずれか１項に記載の情報処理装置。
  9. 前記モードが前記制御装置からの指示により設定されている場合、前記制御手段は前記モードの解除を前記制御装置に通知することを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
  10. 前記モードが解除されると、前記制御手段は、ユーザに前記磁気記憶装置のアクセス能力が前記半導体記憶装置のアクセス能力よりも低いことを通知することを特徴とする請求項９に記載の情報処理装置。
  11. 前記モードが設定されている場合、前記制御手段は、前記書き込み命令に対する応答を前記半導体記憶装置から受け取ったことに応じて、前記半導体記憶装置と前記磁気記憶装置とがミラーリングされているミラーリング状態から、前記半導体記憶装置と前記磁気記憶装置の一方だけが使用されるデグレード状態に変更することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  12. 前記制御手段は、前記半導体記憶装置から読み出した前記データを前記磁気記憶装置に書き込んだ後、前記デグレード状態から前記ミラーリング状態に変更することを特徴とする請求項１１に記載の情報処理装置。
  13. 前記モードが設定されている場合、前記書き込み命令に対する応答を前記半導体記憶装置から受け取ったことに応じて、前記データの書き込みアドレス、前記データのデータサイズ、及び前記データが書き込まれなかった前記半導体記憶装置或いは前記磁気記憶装置を特定する識別情報を記憶することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  14. 前記制御手段は、前記識別情報に対応するデータを前記半導体記憶装置から読み出して前記磁気記憶装置に書き込むと前記識別情報を削除することを特徴とする請求項１３に記載の情報処理装置。
  15. 前記半導体記憶装置はＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）を有し、前記磁気記憶装置は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）を有することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  16. 前記書き込み命令を前記制御装置から受信すると、前記制御手段は前記書き込み命令に対する応答を前記制御装置に送信することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  17. 制御装置と接続し、且つ、不揮発性の半導体記憶装置及び不揮発性の磁気記憶装置と接続した情報処理装置を制御する制御方法であって、
    前記半導体記憶装置への書き込みを優先させるモードの設定を受け付ける設定工程と、
    前記制御装置、前記半導体記憶装置および前記磁気記憶装置との通信を制御する制御工程と、を有し、
    前記制御工程は、前記モードが設定されている場合に前記制御装置から書き込み命令を受信することに応じて、前記半導体記憶装置に前記書き込み命令を発行し、且つ前記磁気記憶装置に前記書き込み命令を発行せず、
    前記半導体記憶装置から前記書き込み命令に対する応答を受信したことに応じて、前記書き込み命令に対する応答を前記制御装置に発行し、且つ、前記書き込み命令に従って書き込まれたデータを前記半導体記憶装置から読み出して前記磁気記憶装置に書き込むことを特徴とする制御方法。
  18. コンピュータに、請求項１７に記載の制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。
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