JP6807730B2 - 半導体基板の検査方法、半導体基板の品質判定方法および半導体基板 - Google Patents
半導体基板の検査方法、半導体基板の品質判定方法および半導体基板 Download PDFInfo
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Description
ベース基板102として(111)面を主面とするSiウェハを用い、反応抑制層104、バッファ層106およびデバイス形成層108を形成した。反応抑制層104として、設計厚さ150〜160nmのAlN層を形成した。バッファ層106として、設計厚さ5nmのAlN層(第1層106a)および設計厚さ28nmのAlGaN層(第2層106b)からなるAlN/AlGaN積層構造(二層積層106c)を繰り返し積層して形成した。デバイス形成層108として、設計厚さ800nmのGaN層(第1結晶層112)および設計厚さ25nmのAlGaN層(第2結晶層114)を形成した。AlGaN層(第2結晶層114)のAl組成は0.25とした。
Claims (9)
- ベース基板、第1結晶層および第2結晶層を有し、
前記ベース基板、前記第1結晶層および前記第2結晶層が、前記ベース基板、前記第1結晶層、前記第2結晶層の順に位置し、
前記第2結晶層が、前記第1結晶層に接するとともに前記第1結晶層に対し格子整合または擬格子整合し、
前記第2結晶層を構成する結晶のバンド幅エネルギーEg2が、前記第1結晶層を構成する結晶のバンド幅エネルギーEg1より大きい、半導体基板の検査方法であって、
前記第2結晶層の側から第1波長の第1励起光を照射し、前記第1励起光によるフォトルミネッセンスを第1観測光として測定する段階と、
前記第2結晶層の側から前記第1波長より波長が長い第2波長の第2励起光を照射し、前記第2励起光によるフォトルミネッセンスを第2観測光として測定する段階と、
前記第1観測光に含まれるバンド端発光BEのピーク強度IBE1と、前記バンド端発光BEのピーク波長λBEより長波長側に出現する発光YLのピーク強度IYL1との比率IYL1/IBE1を計算する段階と、
前記第2観測光に含まれるバンド端発光BEのピーク強度IBE2と、前記バンド端発光BEのピーク波長λBEより長波長側に出現する発光YLのピーク強度IYL2との比率IYL2/IBE2を計算する段階と、
前記比率IYL1/IBE1および前記比率IYL2/IBE2から選択された1以上の値または当該1以上の値から計算された値を検査値とする段階と、を有し、
前記第1結晶層の前記第1波長における光吸収係数α1と、前記第2結晶層の前記第1波長における光吸収係数α2との比α2/α1が、前記第1結晶層の前記第2波長における光吸収係数β1と、前記第2結晶層の前記第2波長における光吸収係数β2との比β2/β1より大きい
半導体基板の検査方法。 - 前記第1結晶層が、AlxGa1−xN(0≦x<1)層であり、
前記第2結晶層が、AlyGa1−yN(0<y≦1、x<y)層である
請求項1に記載の半導体基板の検査方法。 - 前記第1結晶層が、GaN層であり、
前記第2結晶層が、AlyGa1−yN(0.1<y≦0.3)層である
請求項2に記載の半導体基板の検査方法。 - 前記第1波長が、180〜300nmの範囲内にある
請求項3に記載の半導体基板の検査方法。 - 請求項1〜請求項4に記載の検査方法を用いた半導体基板の品質判定方法であって、
前記検査方法を用いて前記半導体基板を検査する段階と、
前記比率IYL1/IBE1および前記比率IYL2/IBE2から選択された1以上の比率が所定の値を超えた場合に、検査対象の前記半導体基板を不良品と判定する段階と、
を有する半導体基板の品質判定方法。 - 前記第1結晶層が、GaN層であり、
前記第2結晶層が、AlyGa1−yN(0.1<y≦0.3)層であり
前記第1波長が、180〜300nmの範囲内にあり、
前記判定する段階において、前記比率IYL1/IBE1が0.1を超えた場合に、検査対象の前記半導体基板を不良品と判定する
請求項5に記載の半導体基板の品質判定方法。 - 前記第2波長が、300nmを超え、
前記判定する段階において、前記比率IYL1/IBE1および前記比率IYL2/IBE2から選択された1以上の比率が0.1を超えた場合に、検査対象の前記半導体基板を不良品と判定する
請求項6に記載の半導体基板の品質判定方法。 - ベース基板、第1結晶層および第2結晶層を有し、
前記ベース基板、前記第1結晶層および前記第2結晶層が、前記ベース基板、前記第1結晶層、前記第2結晶層の順に位置し、
前記第2結晶層が、前記第1結晶層に接するとともに前記第1結晶層に対し格子整合または擬格子整合し、
前記第2結晶層を構成する結晶のバンド幅エネルギーEg2が、前記第1結晶層を構成する結晶のバンド幅エネルギーEg1より大きく、
前記第1結晶層の第1波長(但し、第1波長は180〜300nmの範囲内にある。)における光吸収係数α1と、前記第2結晶層の前記第1波長における光吸収係数α2との比α2/α1が、0.5〜1.0の範囲である、半導体基板であって、
前記半導体基板に、前記第2結晶層の側から前記第1波長の第1励起光を照射し、前記第1励起光によるフォトルミネッセンスを第1観測光として測定し、
前記第1観測光に含まれるバンド端発光BEのピーク強度IBE1と、前記バンド端発光BEのピーク波長λBEより長波長側に出現する発光YLのピーク強度IYL1との比率IYL1/IBE1を計算した場合に、
前記比率IYL1/IBE1が0.1未満となる
半導体基板。 - ベース基板、第1結晶層および第2結晶層を有し、
前記ベース基板、前記第1結晶層および前記第2結晶層が、前記ベース基板、前記第1結晶層、前記第2結晶層の順に位置し、
前記第2結晶層が、前記第1結晶層に接するとともに前記第1結晶層に対し格子整合または擬格子整合し、
前記第2結晶層を構成する結晶のバンド幅エネルギーEg2が、前記第1結晶層を構成する結晶のバンド幅エネルギーEg1より大きく、
前記第1結晶層の第1波長(但し、第1波長は180〜300nmの範囲内にある。)における光吸収係数α1と、前記第2結晶層の前記第1波長における光吸収係数α2との比α2/α1が、前記第1結晶層の第2波長(但し、第2波長は300nmを超える。)における光吸収係数β1と、前記第2結晶層の前記第2波長における光吸収係数β2との比β2/β1より大きい、半導体基板であって、
前記半導体基板に、前記第2結晶層の側から前記第1波長の第1励起光を照射し、前記第1励起光によるフォトルミネッセンスを第1観測光として測定し、前記第2結晶層の側から前記第1波長より波長が長い第2波長の第2励起光を照射し、前記第2励起光によるフォトルミネッセンスを第2観測光として測定し、
前記第1観測光に含まれるバンド端発光BEのピーク強度IBE1と、前記バンド端発光BEのピーク波長λBEより長波長側に出現する発光YLのピーク強度IYL1との比率IYL1/IBE1を計算し、前記第2観測光に含まれるバンド端発光BEのピーク強度IBE2と、前記バンド端発光BEのピーク波長λBEより長波長側に出現する発光YLのピーク強度IYL2との比率IYL2/IBE2を計算した場合に、
前記比率IYL1/IBE1および前記比率IYL2/IBE2から選択された1以上の比率が0.1未満となる
半導体基板。
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