JP6800269B2 - 発光装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 89
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 80
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 46
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 537
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 57
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 8
- 238000002408 directed self-assembly Methods 0.000 description 7
- 230000035553 feeding performance Effects 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- ILSGDBURWYKYHE-UHFFFAOYSA-N chrysene-1,2-diamine Chemical class C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=C(N)C(N)=C4C=CC3=C21 ILSGDBURWYKYHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
1.実施の形態(発光装置)
2.変形例(発光装置)
3.適用例(表示装置、電子機器、照明装置)
[構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る発光装置1の要部の断面構成を表している。発光装置1は、基板11を備えており、基板11上に、複数の赤色発光部10R、複数の緑色発光部10Gよび複数の青色発光部10Bを備えている。赤色発光部10Rは、本開示の「有機電界発光部」、「第1有機電界発光部」の一具体例に相当する。緑色発光部10Gは、本開示の「有機電界発光部」、「第1有機電界発光部」の一具体例に相当する。青色発光部10Bは、本開示の「有機電界発光部」、「第2有機電界発光部」の一具体例に相当する。
電極層12R,12G,12Bが、屈折率0.73、消衰係数5.91のアルミニウム(Al)によって形成され、赤色有機層13R,緑色有機層13G,青色有機層13Bが、屈折率1.75の材料によって形成されているとする。このとき、第1反射界面S1Rは、発光中心ORから光学距離La1の位置に配置され、第1反射界面S1Gは、発光中心OGから光学距離Lb1の位置に配置され、第1反射界面S1Bは、発光中心OBから光学距離Lc1の位置に配置されている。
λa−150<λa1<λa+80・・・(2)
2Lb1/λb1+φb1/(2π)=Nb・・・(3)
λb−150<λb1<λb+80・・・(4)
2Lc1/λc1+φc1/(2π)=Nc・・・(5)
λc−150<λc1<λc+80・・・(6)
ただし、Na、Nb、Nc:0以上の整数
λa、λa1、λb、λb1、λc、λc1の単位:nm
φa1:赤色発光層131Rから出射された光が第1反射界面S1Rで反射する際の位相変化
φb1:緑色発光層131Gから出射された光が第1反射界面S1Gで反射する際の位相変化
φc1:青色発光層131Bから出射された光が第1反射界面S1Bで反射する際の位相変化
λa1:式(2)を満たす波長
λb1:式(4)を満たす波長
λc1:式(6)を満たす波長
赤色有機層13R,緑色有機層13G,青色有機層13Bが、屈折率1.75の材料によって形成され、電極層14R,14G,14Bが、屈折率0.13、消衰係数3.96の銀(Ag)によって形成されているとする。このとき、第2反射界面S2Rは、発光中心ORから光学距離La2の位置に配置され、第2反射界面S2Gは、発光中心OGから光学距離Lb2の位置に配置され、第2反射界面S2Bは、発光中心OBから光学距離Lc2の位置に配置されている。
λa−80<λa2<λa+80・・・(8)
2Lb2/λb2+φb2/(2π)=Mb・・・(9)
λb−80<λb2<λb+80・・・(10)
2Lc2/λc2+φc2/(2π)=Mc・・・(11)
λc−80<λc2<λc+80・・・(12)
ただし、Ma、Mb、Mc:0以上の整数
λa、λa2、λb、λb2、λc、λc2の単位:nm
φa2:赤色発光層131Rから出射された光が第2反射界面S2Rで反射する際の位相変化
φb2:緑色発光層131Gから出射された光が第2反射界面S2Gで反射する際の位相変化
φc2:青色発光層131Bから出射された光が第2反射界面S2Bで反射する際の位相変化
λa2:式(8)を満たす波長
λb2:式(10)を満たす波長
λc2:式(12)を満たす波長
光学距離La3が、例えば、赤色発光層131Rの発光スペクトルの中心波長λaの光を、第3反射界面S3Rと発光中心ORとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。このとき、第2反射界面S2Rと第3反射界面S3Rとの光学距離は、赤色発光層131Rから発せられる光の中心波長λa以下となっている。光学距離Lb3が、例えば、緑色発光層131Gの発光スペクトルの中心波長λbの光を、第3反射界面S3Gと発光中心OGとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。このとき、第2反射界面S2Gと第3反射界面S3Gとの光学距離は、緑色発光層131Gから発せられる光の中心波長λb以下となっている。光学距離Lc3が、例えば、青色発光層131Bの発光スペクトルの中心波長λcの光を、第3反射界面S3Bと発光中心OBとの間における干渉によって強め合うように設定されている。このとき、第2反射界面S2Bと第3反射界面S3Bとの光学距離は、青色発光層131Bから発せられる光の中心波長λc以下となっている。
λa−150<λa3<λa+150・・・(14)
2Lb3/λb3+φb3/(2π)=Kb+1/2・・・(15)
λb−150<λb3<λb+150・・・(16)
2Lc3/λc3+φc3/(2π)=Kc・・・(17)
λc−150<λc3<λc+150・・・(18)
ただし、Ka、Kb、Kc:0以上の整数
λa、λa3、λb、λb3、λc、λc3の単位:nm
φa3:赤色発光層131Rから出射された光が第3反射界面S3Rで反射する際の位相変化
φb3:緑色発光層131Gから出射された光が第3反射界面S3Gで反射する際の位相変化
φc3:青色発光層131Bから出射された光が第3反射界面S3Bで反射する際の位相変化
λa3:式(14)を満たす波長
λb3:式(16)を満たす波長
λc3:式(18)を満たす波長
光学距離La4が、例えば、赤色発光層131Rの発光スペクトルの中心波長λaの光を、第4反射界面S4Rと発光中心ORとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。このとき、第2反射界面S2Rと第4反射界面S4Rとの光学距離は、赤色発光層131Rから発せられる光の中心波長λa以下となっている。光学距離Lb4が、例えば、緑色発光層131Gの発光スペクトルの中心波長λbの光を、第4反射界面S4Gと発光中心OGとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。このとき、第2反射界面S2Gと第4反射界面S4Gとの光学距離は、緑色発光層131Gから発せられる光の中心波長λb以下となっている。光学距離Lc4が、例えば、青色発光層131Bの発光スペクトルの中心波長λcの光を、第4反射界面S4Bと発光中心OBとの間における干渉によって強め合うように設定されている。このとき、第2反射界面S2Bと第4反射界面S4Bとの光学距離は、青色発光層131Bから発せられる光の中心波長λc以下となっている。
λa−150<λa4<λa+150・・・(20)
2Lb4/λb4+φb4/(2π)=Jb+1/2・・・(21)
λb−150<λb4<λb+150・・・(22)
2Lc4/λc4+φc4/(2π)=Jc・・・(23)
λc−150<λc4<λc+150・・・(24)
ただし、Ja、Jb、Jc:0以上の整数
λa、λa4、λb、λb4、λc、λc4の単位:nm
φa4:赤色発光層131Rから出射された光が第4反射界面S4Rで反射する際の位相変化
φb4:緑色発光層131Gから出射された光が第4反射界面S4Gで反射する際の位相変化
φc4:青色発光層131Bから出射された光が第4反射界面S4Bで反射する際の位相変化
λa4:式(20)を満たす波長
λb4:式(22)を満たす波長
λc4:式(24)を満たす波長
上記のような発光装置1では、赤色発光部10R,緑色発光部10G,青色発光部10Bの各発光層(赤色発光層131R,緑色発光層131G,青色発光層131B)に、電極層12R,12G,12Bと電極層14R,14G,14Bとを通じて駆動電流が注入される。その結果、各発光層において正孔と電子とが再結合して励起子を生じ、発光が起こる。
以下、本実施の形態の変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
赤色有機層13R,緑色有機層13G,青色有機層13Bが、屈折率1.75の材料によって形成され、金属層181R,181G,181Bが、屈折率0.13、消衰係数3.96の銀(Ag)によって形成されているとする。このとき、第5反射界面S5Rは、発光中心ORから光学距離La5の位置に配置され、第5反射界面S5Gは、発光中心OGから光学距離Lb5の位置に配置され、第5反射界面S5Bは、発光中心OBから光学距離Lc5の位置に配置されている。
λa−80<λa5<λa+80・・・(26)
2Lb5/λb5+φb5/(2π)=Hb・・・(27)
λb−80<λb5<λb+80・・・(28)
2Lc5/λc5+φc5/(2π)=Hc・・・(29)
λc−80<λc5<λc+80・・・(30)
ただし、Ha、Hb、Hc:0以上の整数
λa、λa5、λb、λb5、λc、λc5の単位:nm
φa5:赤色発光層131Rから出射された光が第5反射界面S5Rで反射する際の位相変化
φb5:緑色発光層131Gから出射された光が第5反射界面S5Gで反射する際の位相変化
φc5:青色発光層131Bから出射された光が第5反射界面S5Bで反射する際の位相変化
λa5:式(26)を満たす波長
λb5:式(28)を満たす波長
λc5:式(30)を満たす波長
光学距離La6が、例えば、赤色発光層131Rの発光スペクトルの中心波長λaの光を、第6反射界面S6Rと発光中心ORとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。このとき、第5反射界面S5Rと第6反射界面S6Rとの光学距離は、赤色発光層131Rから発せられる光の中心波長λa以下となっている。光学距離Lb6が、例えば、緑色発光層131Gの発光スペクトルの中心波長λbの光を、第6反射界面S6Gと発光中心OGとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。このとき、第5反射界面S5Gと第6反射界面S6Gとの光学距離は、緑色発光層131Gから発せられる光の中心波長λb以下となっている。光学距離Lc6が、例えば、青色発光層131Bの発光スペクトルの中心波長λcの光を、第6反射界面S6Bと発光中心OBとの間における干渉によって強め合うように設定されている。このとき、第5反射界面S5Bと第6反射界面S6Bとの光学距離は、青色発光層131Bから発せられる光の中心波長λc以下となっている。
λa−150<λa6<λa+150・・・(32)
2Lb6/λb6+φb6/(2π)=Fb+1/2・・・(33)
λb−150<λb6<λb+150・・・(34)
2Lc6/λc6+φc6/(2π)=Fc・・・(35)
λc−150<λc6<λc+150・・・(36)
ただし、Fa、Fb、Fc:0以上の整数
λa、λa6、λb、λb6、λc、λc6の単位:nm
φa6:赤色発光層131Rから出射された光が第6反射界面S6Rで反射する際の位相変化
φb6:緑色発光層131Gから出射された光が第6反射界面S6Gで反射する際の位相変化
φc6:青色発光層131Bから出射された光が第6反射界面S6Bで反射する際の位相変化
λa6:式(32)を満たす波長
λb6:式(34)を満たす波長
λc6:式(36)を満たす波長
本変形例に係る発光装置1では、赤色発光部10R,緑色発光部10G,青色発光部10Bの各発光層(赤色発光層131R,緑色発光層131G,青色発光層131B)に、電極層12R,12G,12Bと積層体18R,18G,18Bとを通じて駆動電流が注入される。その結果、各発光層において正孔と電子とが再結合して励起子を生じ、発光が起こる。
以下に、上記実施の形態等において説明した発光装置1の適用例について説明する。
図12は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置1の一適用例である表示装置2の概略構成例を表したものである。図13は、表示装置2に設けられた各画素18の回路構成の一例を表したものである。表示装置2は、例えば、発光装置1、コントローラ20およびドライバ30を備えている。ドライバ30は、例えば、発光装置1の外縁部分に実装されている。発光装置1は、行列状に配置された複数の画素18を有している。コントローラ20およびドライバ30は、外部から入力された映像信号Dinおよび同期信号Tinに基づいて、発光装置1(複数の画素18)を駆動する。
発光装置1は、コントローラ20およびドライバ30によって各画素18がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Dinおよび同期信号Tinに基づく画像を表示する。発光装置1は、行方向に延在する複数の走査線WSLと、列方向に延在する複数の信号線DTLおよび複数の電源線DSLと、行列状に配置された複数の画素18とを有している。
ドライバ30は、例えば、水平セレクタ31およびライトスキャナ32を有している。水平セレクタ31は、例えば、制御信号の入力に応じて(同期して)、コントローラ20から入力されたアナログの信号電圧Vsigを、各信号線DTLに印加する。ライトスキャナ32は、複数の画素18を所定の単位ごとに走査する。
次に、コントローラ20について説明する。コントローラ20は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Dinに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Vsigを生成する。コントローラ20は、例えば、生成した信号電圧Vsigを水平セレクタ31に出力する。コントローラ20は、例えば、外部から入力された同期信号Tinに応じて(同期して)、ドライバ30内の各回路に対して制御信号を出力する。
上記適用例Aに係る表示装置2は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図14は、上記適用例Aに係る表示装置2が適用された電子機器3の斜視構成を表すものである。電子機器3は、例えば、筐体310の主面に表示面320を備えたシート状のパーソナルコンピュータである。電子機器3は、電子機器3の表示面320に、上記適用例Aに係る表示装置2を備えている。上記適用例Aに係る表示装置2は、映像表示面が外側を向くように配置されている。本適用例では、上記適用例Aに係る表示装置2が表示面320に設けられているので、表示面320が大型であった場合であっても、輝度および色度の角度依存性の小さな表示品質に優れた電子機器3を提供することができる。
以下では、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置1の適用例について説明する。上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置1は、卓上用もしくは床置き用の照明装置、または、室内用の照明装置など、あらゆる分野の照明装置の光源に適用することが可能である。
(1)
第1電極層、有機発光層、膜厚15nm以上の第2電極層および反射層をこの順に含む複数の有機電界発光部と、
前記反射層を介して各前記有機電界発光部から発せられた光が取り出される光取出面と
を備え、
前記反射層は、2つの反射界面を含み、
各前記有機電界発光部において、前記第1電極層の前記有機発光層側の第1反射界面と、前記第2電極層の前記有機発光層側の第2反射界面と、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面とを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成され、
前記複数の有機電界発光部には、第1波長帯で発光する複数の第1有機電界発光部と、前記第1波長帯よりも短波長の第2波長帯で発光する複数の第2有機電界発光部とが含まれ、
各前記第1有機電界発光部および各前記第2有機電界発光部において、
前記マイクロキャビティ構造は、前記第1反射界面および前記第2反射界面が前記第1波長帯および前記第2波長帯のそれぞれの光を強めるように構成され、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面が前記第1波長帯の光を弱めるとともに前記第2波長帯の光を強めるように構成されている
発光装置。
(2)
前記第2反射界面と前記反射層に含まれる2つの前記反射界面との光学距離は、対応する前記有機発光層から発せられる光の中心波長以下となっている
(1)に記載の発光装置。
(3)
前記マイクロキャビティ構造は、共振条件最小のマイクロキャビティ構造である
(1)または(2)に記載の発光装置。
(4)
各前記第1有機電界発光部および各前記第2有機電界発光部において、
前記マイクロトキャビティ構造は、以下の式(A)〜(H)を満たすように構成されている
(3)に記載の発光装置。
2La1/λa1+φa1/(2π)=0・・・(A)
λa−150<λa1<λa+80・・・(B)
2La2/λa2+φa2/(2π)=0・・・(C)
λa−80<λa2<λa+80・・・(D)
2La3/λa3+φa3/(2π)=Ka+1/2・・・(E)
λa−150<λa3<λa+150・・・(F)
2La4/λa4+φa4/(2π)=Ja+1/2・・・(G)
λa−150<λa4<λa+150・・・(H)
La1:前記第1反射界面と、前記第1有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
La2:前記第2反射界面と、前記第1有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
La3:前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の一方の前記反射界面と、前記第1有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
La4:前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の他方の前記反射界面と、前記第1有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φa1:前記第1有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第1反射界面で反射する際の位相変化
φa2:前記第1有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第2反射界面で反射する際の位相変化
φa3:前記第1有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の一方の前記反射界面で反射する際の位相変化
φa4:前記第1有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の他方の前記反射界面で反射する際の位相変化
λa:前記第1有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λa1:式(B)を満たす波長
λa2:式(D)を満たす波長
λa3:式(F)を満たす波長
λa4:式(H)を満たす波長
Ka,Ja:0以上の整数
(5)
各前記第1有機電界発光部および各前記第2有機電界発光部において、
前記マイクロキャビティ構造は、以下の式(I)〜(P)を満たすように構成されている
(4)に記載の発光装置。
2Lc1/λc1+φc1/(2π)=0・・・(I)
λc−150<λc1<λc+80・・・(J)
2Lc2/λc2+φc2/(2π)=0・・・(K)
λc−80<λc2<λc+80・・・(L)
2Lc3/λc3+φc3/(2π)=Kc・・・(M)
λc−150<λc3<λc+150・・・(N)
2Lc4/λc4+φc4/(2π)=Jc・・・(O)
λc−150<λc4<λc+150・・・(P)
Lc1:前記第1反射界面と、前記第2有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Lc2:前記第2反射界面と、前記第2有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Lc3:前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の一方の前記反射界面と、前記第2有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Lc4:前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の他方の前記反射界面と、前記第2有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φc1:前記第2有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第1反射界面で反射する際の位相変化
φc2:前記第2有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第2反射界面で反射する際の位相変化
φc3:前記第2有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の一方の前記反射界面で反射する際の位相変化
φa4:前記第2有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の他方の前記反射界面で反射する際の位相変化
λc:前記第2有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λc1:式(J)を満たす波長
λc2:式(L)を満たす波長
λc3:式(N)を満たす波長
λc4:式(P)を満たす波長
Kc,Jc:0以上の整数
(6)
前記第2電極層は、膜厚が15nm以上の単層の金属層によって構成されている
(1)から(5)のいずれか1つに記載の発光装置。
(7)
前記第2電極層は、第1金属層、透明導電体層および第2金属層を前記有機発光層側からこの順に含み、
前記第1金属層および前記第2金属層の総厚は、15nm以上となっている
(1)から(5)のいずれか1つに記載の発光装置。
(8)
前記第1金属層は、前記第2金属層よりも厚くなっている
(7)に記載の発光装置。
(9)
各前記有機電界発光部との位置関係で、前記光取出面とは反対側に、各前記有機電界発光部を駆動する駆動回路が形成された回路基板を更に備えた
(1)から(8)のいずれか1つに記載の発光装置。
(10)
前記有機発光層は印刷層である
(1)から(9)のいずれか1つに記載の発光装置。
Claims (10)
- 第1電極層、有機発光層、膜厚15nm以上の第2電極層および反射層をこの順に含む複数の有機電界発光部と、
前記反射層を介して各前記有機電界発光部から発せられた光が取り出される光取出面と
を備え、
前記反射層は、2つの反射界面を含み、
各前記有機電界発光部において、前記第1電極層の前記有機発光層側の第1反射界面と、前記第2電極層の前記有機発光層側の第2反射界面と、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面とを含む構造によって、干渉構造が形成され、
前記複数の有機電界発光部には、第1波長帯で発光する複数の第1有機電界発光部と、前記第1波長帯よりも短波長の第2波長帯で発光する複数の第2有機電界発光部とが含まれ、
各前記第1有機電界発光部および各前記第2有機電界発光部において、
前記干渉構造は、前記第1反射界面および前記第2反射界面が前記第1波長帯および前記第2波長帯のそれぞれの光を強めるように構成され、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面が前記第1波長帯の光を弱めるとともに前記第2波長帯の光を強めるように構成されている
発光装置。 - 前記第2反射界面と前記反射層に含まれる2つの前記反射界面との光学距離は、対応する前記有機発光層から発せられる光の中心波長以下となっている
請求項1に記載の発光装置。 - 前記干渉構造は、共振条件最小の干渉構造である
請求項1または請求項2に記載の発光装置。 - 各前記第1有機電界発光部および各前記第2有機電界発光部において、
前記干渉構造は、以下の式(A)〜(H)を満たすように構成されている
請求項3に記載の発光装置。
2La1/λa1+φa1/(2π)=0・・・(A)
λa−150<λa1<λa+80・・・(B)
2La2/λa2+φa2/(2π)=0・・・(C)
λa−80<λa2<λa+80・・・(D)
2La3/λa3+φa3/(2π)=Ka+1/2・・・(E)
λa−150<λa3<λa+150・・・(F)
2La4/λa4+φa4/(2π)=Ja+1/2・・・(G)
λa−150<λa4<λa+150・・・(H)
La1:前記第1反射界面と、前記第1有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
La2:前記第2反射界面と、前記第1有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
La3:前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の一方の前記反射界面と、前記第1有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
La4:前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の他方の前記反射界面と、前記第1有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φa1:前記第1有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第1反射界面で反射する際の位相変化
φa2:前記第1有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第2反射界面で反射する際の位相変化
φa3:前記第1有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の一方の前記反射界面で反射する際の位相変化
φa4:前記第1有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の他方の前記反射界面で反射する際の位相変化
λa:前記第1有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λa1:式(B)を満たす波長
λa2:式(D)を満たす波長
λa3:式(F)を満たす波長
λa3:式(H)を満たす波長
Ka,Ja:0以上の整数 - 各前記第1有機電界発光部および各前記第2有機電界発光部において、
前記干渉構造は、以下の式(I)〜(P)を満たすように構成されている
請求項4に記載の発光装置。
2Lc1/λc1+φc1/(2π)=0・・・(I)
λc−150<λc1<λc+80・・・(J)
2Lc2/λc2+φc2/(2π)=0・・・(K)
λc−80<λc2<λc+80・・・(L)
2Lc3/λc3+φc3/(2π)=Kc・・・(M)
λc−150<λc3<λc+150・・・(N)
2Lc4/λc4+φc4/(2π)=Jc・・・(O)
λc−150<λc4<λc+150・・・(P)
Lc1:前記第1反射界面と、前記第2有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Lc2:前記第2反射界面と、前記第2有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Lc3:前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の一方の前記反射界面と、前記第2有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Lc4:前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の他方の前記反射界面と、前記第2有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φc1:前記第2有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第1反射界面で反射する際の位相変化
φc2:前記第2有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第2反射界面で反射する際の位相変化
φc3:前記第2有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の一方の前記反射界面で反射する際の位相変化
φa4:前記第2有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が、前記反射層に含まれる2つの前記反射界面の中の他方の前記反射界面で反射する際の位相変化
λc:前記第2有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λc1:式(J)を満たす波長
λc2:式(L)を満たす波長
λc3:式(N)を満たす波長
λc4:式(P)を満たす波長
Kc,Jc:0以上の整数 - 前記第2電極層は、膜厚が15nm以上の単層の金属層によって構成されている
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第2電極層は、第1金属層、透明導電体層および第2金属層を前記有機発光層側からこの順に含み、
前記第1金属層および前記第3金属層の総厚は、15nm以上となっている
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第1金属層は、前記第2金属層よりも厚くなっている
請求項7に記載の発光装置。 - 各前記有機電界発光部との位置関係で、前記光取出面とは反対側に、各前記有機電界発光部を駆動する駆動回路が形成された回路基板を更に備えた
請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記有機発光層は印刷層である
請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910364524.1A CN110544707B (zh) | 2018-05-29 | 2019-04-30 | 发光装置 |
US16/413,221 US10909915B2 (en) | 2018-05-29 | 2019-05-15 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018102520 | 2018-05-29 | ||
JP2018102520 | 2018-05-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019207868A JP2019207868A (ja) | 2019-12-05 |
JP6800269B2 true JP6800269B2 (ja) | 2020-12-16 |
Family
ID=68768498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019076571A Active JP6800269B2 (ja) | 2018-05-29 | 2019-04-12 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6800269B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210677A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Fujifilm Corp | 有機電界発光装置 |
-
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- 2019-04-12 JP JP2019076571A patent/JP6800269B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
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