JP6800268B2

JP6800268B2 - 発光装置

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Publication number: JP6800268B2
Application number: JP2019076570A
Authority: JP
Inventors: 福田　俊広; 俊広福田
Original assignee: Joled Inc
Current assignee: Joled Inc
Priority date: 2018-05-11
Filing date: 2019-04-12
Publication date: 2020-12-16
Anticipated expiration: 2039-04-12
Also published as: JP2019200987A

Description

本開示は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象により発光する有機電界発光部を用いた発光装置に関する。

近年、有機ＥＬ素子を用いた発光装置の構造について、多数の提案がなされている（例えば特許文献１〜４）。

国際公開ＷＯ０１／０３９５５４号パンフレット特開２００６−２４４７１３号公報特開２０１１−１５９４３１号公報特開２０１１−１５９４３３号公報

このような発光装置の中で、トップエミッション方式では、大型化に伴い、給電性能と色度の視野角特性とを両立させることが容易ではなくなってきている。従って、給電性能と色度の視野角特性とを両立させることの可能な発光装置を提供することが望ましい。

本開示の一実施の形態に係る発光装置は、第１反射層、有機発光層および第２反射層を含む複数の有機電界発光部と、第２反射層を介して各有機電界発光部から発せられた光が取り出される光取出面とを備えている。第２反射層は、第１金属層、透明層および第２金属層を有機発光層側からこの順に含んでいる。各有機電界発光部において、第１反射層の有機発光層側の第１反射界面と、第１金属層の有機発光層側の第２反射界面と、第２金属層の有機発光層側の第３反射界面とを含む構造によって、干渉構造が形成されている。

本開示の一実施の形態に係る発光装置では、各有機電界発光部において、光取出面側の第２反射層が第１金属層、透明層および第２金属層を有機発光層側からこの順に含んで構成されている。第１反射層の有機発光層側の第１反射界面と、第１金属層の有機発光層側の第２反射界面と、第２金属層の有機発光層側の第３反射界面とを含む構造によって、干渉構造が形成されている。これにより、第１金属層を厚膜にした場合であっても、色度の視野角特性の悪化を低減することができる。

本開示の一実施の形態に係る発光装置によれば、第１金属層を厚膜にした場合であっても、色度の視野角特性の悪化を低減することができるようにしたので、給電性能と色度の視野角特性とを両立させることができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本開示の一実施の形態に係る発光装置の概略構成を表す断面図である。図１に示した赤色発光部の構成を表す断面図である。図１に示した緑色発光部の構成を表す断面図である。図１に示した青色発光部の構成を表す断面図である。図１に示した発光装置の動作について説明するための断面図である。比較例に係る発光装置の視野角による色度の変化の一例を表す図である。図１に示した発光装置の視野角による色度の変化の一例を表す図である。比較例に係る発光装置の光取出面側の電極の膜厚に対する４５度色度視野角の変化の一例を表す図である。比較例に係る発光装置の、光取出面側の電極の膜厚に対する相対輝度の変化の一例を表す図である。図１に示した発光部の構成の変形例を表す断面図である。図１に示した発光部の構成の変形例を表す断面図である。図１に示した発光部の構成の変形例を表す断面図である。図１に示した発光部の構成の変形例を表す断面図である。図１等に示した発光装置を適用した表示装置の概略構成を表す図である。図１４に示した画素の回路構成を表す回路図である。図１４に示した表示装置を適用した電子機器の外観の一例を表す図である。図１等に示した発光装置を適用した照明装置の外観の一例を表す図である。

本開示の実施の形態について図面を参照して以下の順に詳細に説明する。

１．実施の形態（発光装置）
２．変形例（発光装置）
３．適用例（表示装置、電子機器、照明装置）

＜１．実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る発光装置１の要部の断面構成を表している。発光装置１は、基板１１を備えており、基板１１上に、複数の赤色発光部１０Ｒ、複数の緑色発光部１０Ｇよび複数の青色発光部１０Ｂを備えている。赤色発光部１０Ｒは、本開示の「有機電界発光部」、「第１有機電界発光部」の一具体例に相当する。緑色発光部１０Ｇは、本開示の「有機電界発光部」、「第１有機電界発光部」の一具体例に相当する。青色発光部１０Ｂは、本開示の「有機電界発光部」、「第２有機電界発光部」の一具体例に相当する。

赤色発光部１０Ｒは、基板１１上に、電極層１２Ｒ、赤色発光層１３１Ｒを含む赤色有機層１３Ｒ、金属層１４Ｒ、透明層１５Ｒ、金属層１６Ｒおよび透明層１７Ｒをこの順に有している。緑色発光部１０Ｇは、基板１１上に、電極層１２Ｇ、緑色発光層１３１Ｇを含む緑色有機層１３Ｇ、金属層１４Ｇ、透明層１５Ｇ、金属層１６Ｇおよび透明層１７Ｇをこの順に有している。青色発光部１０Ｂは、基板１１上に、電極層１２Ｂ、青色発光層１３１Ｂを含む青色有機層１３Ｂ、金属層１４Ｂ、透明層１５Ｂ、金属層１６Ｂおよび透明層１７Ｂをこの順に有している。

電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、本開示の「第１反射層」の一具体例に相当する。金属層１４Ｒ、透明層１５Ｒおよび金属層１６Ｒからなる積層体が、本開示の「第２反射層」の一具体例に相当する。金属層１４Ｇ、透明層１５Ｇおよび金属層１６Ｇからなる積層体が、本開示の「第２反射層」の一具体例に相当する。金属層１４Ｂ、透明層１５Ｂおよび金属層１６Ｂからなる積層体が、本開示の「第２反射層」の一具体例に相当する。

赤色発光部１０Ｒは、電極層１２Ｒおよび金属層１４Ｒによる電流注入によって赤色発光層１３１Ｒで発生した赤色波長域の光（赤色光ＬＲ）を、透明層１７Ｒ側から出射する。緑色発光部１０Ｇは、電極層１２Ｇおよび金属層１４Ｇによる電流注入によって緑色発光層１３１Ｇで発生した緑色波長域の光（緑色光ＬＧ）を、透明層１７Ｇ側から出射する。青色発光部１０Ｂは、電極層１２Ｂおよび金属層１４Ｂによる電流注入によって青色発光層１３１Ｂで発生した青色波長域の光（青色光ＬＢ）を、透明層１７Ｂ側から出射する。発光装置１は、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂから出射された光を電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと、透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂとの間で、多重反射させて、透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ側から光を取り出すように構成されている。即ち、発光装置１は、共振器構造を有する上面発光型の発光装置である。

基板１１は、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂを支持するための板状部材であり、例えば、透明ガラス基板または半導体基板等によって構成されている。基板１１は、可撓性基板（フレキシブル基板）によって構成されていてもよい。基板１１は、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂを駆動する回路（後述の画素回路１８−１）が設けられた回路基板であってもよい。

電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、アノード電極であるとともに、反射層としての機能も有している。電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、光反射性材料によって形成されている。電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに用いられる光反射性材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、またはタングステン（Ｗ）などが挙げられる。電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、透明導電材料と光反射性材料とを積層させて構成されていてもよい。電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの厚さは、例えば、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下となっている。

赤色有機層１３Ｒは、例えば、電極層１２Ｒに近い位置から、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層１３１Ｒ、電子輸送層および電子注入層をこの順に有している。緑色有機層１３Ｇは、例えば、電極層１２Ｇに近い位置から、正孔注入層、正孔輸送層、緑色発光層１３１Ｇ、電子輸送層および電子注入層をこの順に有している。青色有機層１３Ｂは、例えば、電極層１２Ｂに近い位置から、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層１３１Ｂ、電子輸送層および電子注入層をこの順に有している。

正孔注入層は、リークを防止するための層である。正孔注入層は、例えば、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）などによって形成されている。正孔注入層の厚さは、例えば、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下となっている。正孔輸送層は、例えば、α−ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl 〕-4,4'-diamine 〕によって形成されている。正孔輸送層の厚さは、例えば、１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下となっている。

赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂは、正孔と電子との結合により、所定の色の光を発するように構成されている。赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂの厚さは、例えば、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下となっている。赤色発光層１３１Ｒは、赤色波長域（第１波長帯）の光を発する。赤色発光層１３１Ｒは、例えば、ピロメテンホウ素錯体がドーピングされたルブレンによって形成されている。このとき、ルブレンはホスト材料として用いられる。緑色発光層１３１Ｇは、緑色波長域の光を発する。緑色発光層１３１Ｇは、例えば、Ａｌｑ³（トリスキノリノールアルミニウム錯体）によって形成されている。青色発光層１３１Ｂは、赤色波長域よりも短波長の青色波長域（第１波長帯よりも短波長の第２波長帯）の光を発する。青色発光層１３１Ｂは、例えば、ジアミノクリセン誘導体がドーピングされたＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）によって形成されている。このとき、ＡＤＮは、ホスト材料として用いられ、例えば、厚さ２０ｎｍの蒸着膜である。ジアミノクリセン誘導体は、ドーパント材料として用いられ、例えば、相対膜厚比で例えば５％ドーピングされる。

電子輸送層は、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）によって形成されている。電子輸送層の厚さは、例えば、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下となっている。電子注入層は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）によって形成されている。電子注入層の厚さは、例えば１５ｎｍ以上２７０ｎｍ以下となっている。

本実施の形態では、金属層１４Ｒ、透明層１５Ｒおよび金属層１６Ｒからなる積層体が、電極層１２Ｒと対をなすカソード電極であるとともに、反射層としての機能も有している。同様に、金属層１４Ｇ、透明層１５Ｇおよび金属層１６Ｇからなる積層体が、電極層１２Ｇと対をなすカソード電極であるとともに、反射層としての機能も有している。金属層１４Ｂ、透明層１５Ｂおよび金属層１６Ｂからなる積層体が、電極層１２Ｂと対をなすカソード電極であるとともに、反射層としての機能も有している。

金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは、高い反射率を有する金属材料によって形成されている。金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは、例えば、マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ）またはこれらの合金によって形成されている。金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは、金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの厚さよりも厚くなっている。金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの厚さは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下となっている。金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂが、このような高い反射率を有する金属材料によって形成されていることにより、共振器構造の効果が高まり、光取出効率を向上させることができる。これにより、消費電力を抑え、また、赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂの寿命を延ばすこともできる。

透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは、透明導電体材料によって形成されている。透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂに用いられる透明導電体材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、または、インジウムと亜鉛との酸化物（ＩＺＯ）などが挙げられる。透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの厚さは、例えば３０ｎｍ以上６００ｎｍ以下となっている。透明層１５Ｒは、金属層１４Ｒ，１６Ｒに接している。透明層１５Ｇは、金属層１４Ｇ，１６Ｇに接している。透明層１５Ｂは、金属層１４Ｂ，１６Ｂに接している。

金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、高い反射率を有する金属材料によって形成されている。金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂに用いられる金属材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金などが挙げられる。金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂおよび金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの総厚は、例えば、１５ｎｍ以上となっている。金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの厚さは、例えば５ｎｍ以上２０ｎｍ以下となっている。金属層１６Ｒは、透明層１５Ｒを介して金属層１４Ｒと電気的に接続されている。金属層１６Ｇは、透明層１５Ｇを介して金属層１４Ｇと電気的に接続されている。金属層１６Ｂは、透明層１５Ｂを介して金属層１４Ｂと電気的に接続されている。

透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂは、例えば、透明誘電体材料によって形成されている。透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂに用いられる透明誘電体材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）、または窒化シリコン（ＳｉＮ）などが挙げられる。透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂは、例えば、ＭｇＦもしくはＮａＦなどの低屈折率材料によって形成されていてもよい。透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの厚さは、例えば、５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下となっている。

透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの上層には、膜厚が１μｍ以上の層が設けられていてもよい。この層は、例えば、透明導電材料、透明絶縁材料、樹脂材料、またはガラスなどによって形成されている。この層が、空気によって構成されていてもよい。このような層を設けることにより、電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂとの間で構成される共振器構造への外部からの干渉を防ぐことができる。

次に、赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂの共振器構造について説明する。図２は、赤色発光部１０Ｒの構成を表す断面図である。図３は、緑色発光部１０Ｇの構成を表す断面図である。図４は、青色発光部１０Ｂの構成を表す断面図である。

赤色発光部１０Ｒは、基板１１側から、第１反射界面Ｓ１Ｒ、第２反射界面Ｓ２Ｒ、第３反射界面Ｓ３Ｒおよび光取出面ＳＤＲをこの順に有している。このとき、第１反射界面Ｓ１Ｒ、第２反射界面Ｓ２Ｒおよび第３反射界面Ｓ３Ｒを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第１反射界面Ｓ１Ｒと第２反射界面Ｓ２Ｒとの間には、赤色発光層１３１Ｒの発光中心ＯＲが設けられている。換言すれば、互いに対向する第１反射界面Ｓ１Ｒと光取出面ＳＤＲとの間に赤色発光層１３１Ｒが設けられている。第１反射界面Ｓ１Ｒは、電極層１２Ｒと赤色有機層１３Ｒとの界面である。第２反射界面Ｓ２Ｒは、赤色有機層１３Ｒと金属層１４Ｒとの界面である。第３反射界面Ｓ３Ｒは、透明層１５Ｒと金属層１６Ｒとの界面である。光取出面ＳＤＲは、赤色発光部１０Ｒの最表面である。赤色発光部１０Ｒの最表面は、例えば、空気層と接している。金属層１４Ｒ,透明層１５Ｒ，金属層１６Ｒを介して赤色発光部１０Ｒから発せられた光が光取出面ＳＤＲから取り出される。

緑色発光部１０Ｇは、基板１１側から、第１反射界面Ｓ１Ｇ、第２反射界面Ｓ２Ｇ、第３反射界面Ｓ３Ｇおよび光取出面ＳＤＧをこの順に有している。このとき、第１反射界面Ｓ１Ｇ、第２反射界面Ｓ２Ｇおよび第３反射界面Ｓ３Ｇを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第１反射界面Ｓ１Ｇと第２反射界面Ｓ２Ｇとの間には、緑色発光層１３１Ｇの発光中心ＯＧが設けられている。換言すれば、互いに対向する第１反射界面Ｓ１Ｇと光取出面ＳＤＧとの間に緑色発光層１３１Ｇが設けられている。第１反射界面Ｓ１Ｇは、電極層１２Ｇと緑色有機層１３Ｇとの界面である。第２反射界面Ｓ２Ｇは、緑色有機層１３Ｇと金属層１４Ｇとの界面である。第３反射界面Ｓ３Ｇは、透明層１５Ｇと金属層１６Ｇとの界面である。光取出面ＳＤＧは、緑色発光部１０Ｇの最表面である。緑色発光部１０Ｇの最表面は、例えば、空気層と接している。金属層１４Ｇ,透明層１５Ｇ，金属層１６Ｇを介して緑色発光部１０Ｇから発せられた光が光取出面ＳＤＧから取り出される。

青色発光部１０Ｂは、基板１１側から、第１反射界面Ｓ１Ｂ、第２反射界面Ｓ２Ｂ、第３反射界面Ｓ３Ｂおよび光取出面ＳＤＢをこの順に有している。このとき、第１反射界面Ｓ１Ｂ、第２反射界面Ｓ２Ｂおよび第３反射界面Ｓ３Ｂを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第１反射界面Ｓ１Ｂと第２反射界面Ｓ２Ｂとの間には、発光中心ＯＢが設けられている。換言すれば、互いに対向する第１反射界面Ｓ１Ｂと光取出面ＳＤＢとの間に青色発光層１３１Ｂが設けられている。第１反射界面Ｓ１Ｂは、電極層１２Ｂと青色有機層１３Ｂとの界面である。第２反射界面Ｓ２Ｂは、青色有機層１３Ｂと金属層１４Ｂとの界面である。第３反射界面Ｓ３Ｂは、透明層１５Ｂと金属層１６Ｂとの界面である。光取出面ＳＤＢは、青色発光部１０Ｂの最表面である。青色発光部１０Ｂの最表面は、例えば、空気層と接している。金属層１４Ｂ,透明層１５Ｂ，金属層１６Ｂを介して青色発光部１０Ｂから発せられた光が光取出面ＳＤＢから取り出される。

第１反射界面Ｓ１Ｒ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｂ、第２反射界面Ｓ２Ｒ，Ｓ２Ｇ，Ｓ２Ｂおよび第３反射界面Ｓ３Ｒ，Ｓ３Ｇ，Ｓ３Ｂは、金属による反射膜によって構成されている。

（第１反射界面Ｓ１Ｒ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｂ）
電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、屈折率０．７３、消衰係数５．９１のアルミニウム（Ａｌ）によって形成され、赤色有機層１３Ｒ，緑色有機層１３Ｇ，青色有機層１３Ｂが、屈折率１．７５の材料によって形成されているとする。このとき、第１反射界面Ｓ１Ｒは、発光中心ＯＲから光学距離Ｌａ１の位置に配置され、第１反射界面Ｓ１Ｇは、発光中心ＯＧから光学距離Ｌｂ１の位置に配置され、第１反射界面Ｓ１Ｂは、発光中心ＯＢから光学距離Ｌｃ１の位置に配置されている。

光学距離Ｌａ１は、赤色発光層１３１Ｒの発光スペクトルの中心波長λａの光を、第１反射界面Ｓ１Ｒと発光中心ＯＲとの間における干渉によって強め合うように設定されている。光学距離Ｌｂ１は、緑色発光層１３１Ｇの発光スペクトルの中心波長λｂの光を、第１反射界面Ｓ１Ｇと発光中心ＯＧとの間における干渉によって強め合うように設定されている。光学距離Ｌｃ１は、青色発光層１３１Ｂの発光スペクトルの中心波長λｃの光を、第１反射界面Ｓ１Ｂと発光中心ＯＢとの間における干渉によって強め合うように設定されている。

具体的には、光学距離Ｌａ１，Ｌｂ１，Ｌｃ１は、以下の式（１）〜（６）を満たす。

２Ｌａ１／λａ１＋φａ１／（２π）＝Ｎａ・・・（１）
λａ−１５０＜λａ１＜λａ＋８０・・・（２）
２Ｌｂ１／λｂ１＋φｂ１／（２π）＝Ｎｂ・・・（３）
λｂ−１５０＜λｂ１＜λｂ＋８０・・・（４）
２Ｌｃ１／λｃ１＋φｃ１／（２π）＝Ｎｃ・・・（５）
λｃ−１５０＜λｃ１＜λｃ＋８０・・・（６）
ただし、Ｎａ、Ｎｂ、Ｎｃ：０以上の整数
λａ、λａ１、λｂ、λｂ１、λｃ、λｃ１の単位：ｎｍ
φａ１：赤色発光層１３１Ｒから出射された光が第１反射界面Ｓ１Ｒで反射する際の位相変化
φｂ１：緑色発光層１３１Ｇから出射された光が第１反射界面Ｓ１Ｇで反射する際の位相変化
φｃ１：青色発光層１３１Ｂから出射された光が第１反射界面Ｓ１Ｂで反射する際の位相変化
λａ１：式（２）を満たす波長
λｂ１：式（４）を満たす波長
λｃ１：式（６）を満たす波長

φａ１，φｂ１，φｃ１は、電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの構成材料の複素屈折率Ｎ＝ｎ０-ｊｋ（ｎ０：屈折率、ｋ：消衰係数）のｎ０、ｋと、赤色有機層１３Ｒ，緑色有機層１３Ｇ，青色有機層１３Ｂの屈折率とを用いて計算することができる（例えば、Principles of Optics, Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS)などを参照）。各構成材料の屈折率は、分光エリプソメトリー測定装置を用いて測定することができる。

Ｎａ、Ｎｂ、Ｎｃの値が大きいと、いわゆるマイクロキャビティ（微小共振器）効果が得られないおそれがある。そのため、Ｎａ＝０、Ｎｂ＝０、Ｎｃ＝０であることが好ましい。光学距離Ｌａ１が上記の式（１），（２）を満たす場合に、λａ１を中心波長λａから大きくずらすことも可能である。同様に、光学距離Ｌｂ１が上記の式（３），（４）を満たす場合に、λｂ１を中心波長λｂから大きくずらすことも可能である。また、光学距離Ｌｃ１が上記の式（５），（６）を満たす場合に、λｃ１を中心波長λｃから大きくずらすことも可能である。

（第２反射界面Ｓ２Ｒ，Ｓ２Ｇ，Ｓ２Ｂ）
赤色有機層１３Ｒ，緑色有機層１３Ｇ，青色有機層１３Ｂが、屈折率１．７５の材料によって形成され、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂが、屈折率０．１３、消衰係数３．９６の銀（Ａｇ）によって形成されているとする。このとき、第２反射界面Ｓ２Ｒは、発光中心ＯＲから光学距離Ｌａ２の位置に配置され、第２反射界面Ｓ２Ｇは、発光中心ＯＧから光学距離Ｌｂ２の位置に配置され、第２反射界面Ｓ２Ｂは、発光中心ＯＢから光学距離Ｌｃ２の位置に配置されている。

光学距離Ｌａ２は、赤色発光層１３１Ｒの発光スペクトルの中心波長λａの光を、第２反射界面Ｓ２Ｒと発光中心ＯＲとの間における干渉によって強め合うように設定されている。光学距離Ｌｂ２は、緑色発光層１３１Ｇの発光スペクトルの中心波長λｂの光を、第２反射界面Ｓ２Ｇと発光中心ＯＧとの間における干渉によって強め合うように設定されている。光学距離Ｌｃ２は、青色発光層１３１Ｂの発光スペクトルの中心波長λｃの光を、第２反射界面Ｓ２Ｂと発光中心ＯＢとの間における干渉によって強め合うように設定されている。

具体的には、光学距離Ｌａ２，Ｌｂ２，Ｌｃ２は、以下の式（７）〜（１２）を満たす。

２Ｌａ２／λａ２＋φａ２／（２π）＝Ｍａ・・・（７）
λａ−８０＜λａ２＜λａ＋８０・・・（８）
２Ｌｂ２／λｂ２＋φｂ２／（２π）＝Ｍｂ・・・（９）
λｂ−８０＜λｂ２＜λｂ＋８０・・・（１０）
２Ｌｃ２／λｃ２＋φｃ２／（２π）＝Ｍｃ・・・（１１）
λｃ−８０＜λｃ２＜λｃ＋８０・・・（１２）
ただし、Ｍａ、Ｍｂ、Ｍｃ：０以上の整数
λａ、λａ２、λｂ、λｂ２、λｃ、λｃ２の単位：ｎｍ
φａ２：赤色発光層１３１Ｒから出射された光が第２反射界面Ｓ２Ｒで反射する際の位相変化
φｂ２：緑色発光層１３１Ｇから出射された光が第２反射界面Ｓ２Ｇで反射する際の位相変化
φｃ２：青色発光層１３１Ｂから出射された光が第２反射界面Ｓ２Ｂで反射する際の位相変化
λａ２：式（８）を満たす波長
λｂ２：式（１０）を満たす波長
λｃ２：式（１２）を満たす波長

φａ２，φｂ２，φｃ２は、φａ１，φｂ１，φｃ１と同様の方法で求めることができる。Ｍａ、Ｍｂ、Ｍｃの値が大きいと、いわゆるマイクロキャビティ（微小共振器）効果が得られないおそれがある。そのため、Ｍａ＝１、Ｍｂ＝１、Ｍｃ＝１であることが好ましい。

光学距離Ｌａ１が上記の式（１），（２）を満たし、かつ光学距離Ｌａ２が上記の式（７），（８）を満たす場合に、第１反射界面Ｓ１Ｒおよび第２反射界面Ｓ２Ｒによる増幅効果により、所定の波長に透過率のピークが発生する。光学距離Ｌｂ１が上記の式（３），（４）を満たし、かつ光学距離Ｌｂ２が上記の式（９），（１０）を満たす場合に、第１反射界面Ｓ１Ｇおよび第２反射界面Ｓ２Ｇによる増幅効果により、所定の波長に透過率のピークが発生する。光学距離Ｌｃ１が上記の式（５），（６）を満たし、かつ光学距離Ｌｃ２が上記の式（１１），（１２）を満たす場合に、第１反射界面Ｓ１Ｂおよび第２反射界面Ｓ２Ｂによる増幅効果により、所定の波長に透過率のピークが発生する。

（第３反射界面Ｓ３Ｒ，Ｓ３Ｇ，Ｓ３Ｂ）
光学距離Ｌａ３が、例えば、赤色発光層１３１Ｒの発光スペクトルの中心波長λａの光を、第３反射界面Ｓ３Ｒと発光中心ＯＲとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。このとき、第２反射界面Ｓ２Ｒと第３反射界面Ｓ３Ｒとの光学距離は、赤色発光層１３１Ｒから発せられる光の中心波長λａ以下となっている。光学距離Ｌｂ３が、例えば、緑色発光層１３１Ｇの発光スペクトルの中心波長λｂの光を、第３反射界面Ｓ３Ｇと発光中心ＯＧとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。このとき、第２反射界面Ｓ２Ｇと第３反射界面Ｓ３Ｇとの光学距離は、緑色発光層１３１Ｇから発せられる光の中心波長λｂ以下となっている。光学距離Ｌｃ３が、例えば、青色発光層１３１Ｂの発光スペクトルの中心波長λｃの光を、第３反射界面Ｓ３Ｂと発光中心ＯＢとの間における干渉によって強め合うように設定されている。このとき、第２反射界面Ｓ２Ｂと第３反射界面Ｓ３Ｂとの光学距離は、青色発光層１３１Ｂから発せられる光の中心波長λｃ以下となっている。

光学距離Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３は、例えば、以下の式（１３）〜（１８）を満たす。

２Ｌａ３／λａ３＋φａ３／（２π）＝Ｋａ＋１/２・・・（１３）
λａ−１５０＜λａ３＜λａ＋１５０・・・（１４）
２Ｌｂ３／λｂ３＋φｂ３／（２π）＝Ｋｂ＋１/２・・・（１５）
λｂ−１５０＜λｂ３＜λｂ＋１５０・・・（１６）
２Ｌｃ３／λｃ３＋φｃ３／（２π）＝Ｋｃ・・・（１７）
λｃ−１５０＜λｃ３＜λｃ＋１５０・・・（１８）
ただし、Ｋａ、Ｋｂ、Ｋｃ：０以上の整数
λａ、λａ３、λｂ、λｂ３、λｃ、λｃ３の単位：ｎｍ
φａ３：赤色発光層１３１Ｒから出射された光が第３反射界面Ｓ３Ｒで反射する際の位相変化
φｂ３：緑色発光層１３１Ｇから出射された光が第３反射界面Ｓ３Ｇで反射する際の位相変化
φｃ３：青色発光層１３１Ｂから出射された光が第３反射界面Ｓ３Ｂで反射する際の位相変化
λａ３：式（１４）を満たす波長
λｂ３：式（１６）を満たす波長
λｃ３：式（１８）を満たす波長

φａ３，φｂ３，φｃ３は、φａ１，φｂ１，φｃ１と同様の方法で求めることができる。光学距離Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３が上記の式（１３）〜（１８）を満たす場合、発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）毎に、発光状態を調整することができる。このように、第３反射界面Ｓ３Ｒでの反射が加わることにより、赤色発光層１３１Ｒで発生した光が弱められ、スペクトルの半値幅が広がる。また、第３反射界面Ｓ３Ｇでの反射が加わることにより、緑色発光層１３１Ｇで発生した光が弱められ、スペクトルの半値幅が広がる。第３反射界面Ｓ３Ｂでの反射が加わることにより、青色発光層１３１Ｂで発生した光が強められ、スペクトルの半値幅が狭まる。

なお、光学距離Ｌａ３が、例えば、赤色発光層１３１Ｒの発光スペクトルの中心波長λａの光を、第３反射界面Ｓ３Ｒと発光中心ＯＲとの間における干渉によって強め合うように設定されていてもよい。このとき、第２反射界面Ｓ２Ｒと第３反射界面Ｓ３Ｒとの光学距離は、赤色発光層１３１Ｒから発せられる光の中心波長λａ以下となっている。光学距離Ｌｂ３が、例えば、緑色発光層１３１Ｇの発光スペクトルの中心波長λｂの光を、第３反射界面Ｓ３Ｇと発光中心ＯＧとの間における干渉によって強め合うように設定されていてもよい。このとき、第２反射界面Ｓ２Ｇと第３反射界面Ｓ３Ｇとの光学距離は、緑色発光層１３１Ｇから発せられる光の中心波長λｂ以下となっている。光学距離Ｌｃ３が、例えば、青色発光層１３１Ｂの発光スペクトルの中心波長λｃの光を、第３反射界面Ｓ３Ｂと発光中心ＯＢとの間における干渉によって弱め合うように設定されていてもよい。このとき、第２反射界面Ｓ２Ｂと第３反射界面Ｓ３Ｂとの光学距離は、青色発光層１３１Ｂから発せられる光の中心波長λｃ以下となっている。

光学距離Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３は、例えば、以下の式（１９）〜（２４）を満たしてもよい。

２Ｌａ３／λａ３＋φａ３／（２π）＝Ｋａ・・・（１９）
λａ−１５０＜λａ３＜λａ＋１５０・・・（２０）
２Ｌｂ３／λｂ３＋φｂ３／（２π）＝Ｋｂ・・・（２１）
λｂ−１５０＜λｂ３＜λｂ＋１５０・・・（２２）
２Ｌｃ３／λｃ３＋φｃ３／（２π）＝Ｋｃ＋１/２・・・（２３）
λｃ−１５０＜λｃ３＜λｃ＋１５０・・・（２４）

φａ３，φｂ３，φｃ３は、φａ１，φｂ１，φｃ１と同様の方法で求めることができる。光学距離Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３が上記の式（１９）〜（２４）を満たす場合、発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）毎に、発光状態を調整することができる。このように、第３反射界面Ｓ３Ｒでの反射が加わることにより、赤色発光層１３１Ｒで発生した光が強められ、スペクトルの半値幅が狭まる。また、第３反射界面Ｓ３Ｇでの反射が加わることにより、緑色発光層１３１Ｇで発生した光が強められ、スペクトルの半値幅が狭まる。第３反射界面Ｓ３Ｂでの反射が加わることにより、青色発光層１３１Ｂで発生した光が弱められ、スペクトルの半値幅が広がる。

このような発光装置１は、基板１１上に、電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ、有機層（赤色有機層１３Ｒ，緑色有機層１３Ｇ，青色有機層１３Ｂ）、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ、金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂおよび透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂをこの順に形成することにより製造することができる。赤色有機層１３Ｒ，緑色有機層１３Ｇ，青色有機層１３Ｂは、蒸着法によって形成してもよく、あるいは印刷によって形成してもよい。換言すれば、赤色有機層１３Ｒ，緑色有機層１３Ｇ，青色有機層１３Ｂは印刷層であってもよい。金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは、互いに共通の層で構成されていてもよい。この場合、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの材料および厚さが、互いに等しくなっている。透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは、互いに共通の層で構成されていてもよい。この場合、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの材料および厚さが、互いに等しくなっている。金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、互いに共通の層で構成されていてもよい。この場合、金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの材料および厚さが、互いに等しくなっている。透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂは、互いに共通の層で構成されていてもよい。この場合、透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料および厚さが、互いに等しくなっている。

［作用、効果］
上記のような発光装置１では、赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂの各発光層（赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂ）に、電極層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂとを通じて駆動電流が注入される。その結果、各発光層において正孔と電子とが再結合して励起子を生じ、発光が起こる。

例えば、図５に示したように、赤色有機層１３Ｒで生成された光は、第１反射界面Ｓ１Ｒと第３反射界面Ｓ３Ｒとの間で多重反射され、光取出面ＳＤＲから取り出される。赤色発光部１０Ｒでは、赤色光ＬＲが光取出面ＳＤＲから取り出され、緑色発光部１０Ｇでは、緑色光ＬＧが光取出面ＳＤＧから取り出され、青色発光部１０Ｂでは、青色光ＬＢが光取出面ＳＤＢから取り出される。これら赤色光ＬＲ，緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢの加法混色により、様々な色が表現される。

ところが、このような共振器構造を有する発光装置では、様々な構造が提案されているものの、配光特性を向上させることが難しい。

例えば、所望の波長の光が共振するように、透光性電極と反射性電極の間の膜厚を設定し、これにより発光効率を高める方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。また、有機層の膜厚を制御することにより、三原色（赤色、緑色、青色）の減衰のバランスをコントロールし、白色の色度点の視野角特性を高める試みもなされている（例えば特許文献４参照）。

しかし、このような共振器構造は、取り出される光のスペクトルに対して、半値幅の狭い干渉フィルタとして機能するので、光取出面を斜め方向から見た場合には、光の波長が大きくシフトする。このため、視野角によって発光強度の低下等が生じ、視野角依存性が大きくなってしまう。

また、特許文献２では、視野角による色度変化を低減するための構造が提案されている。しかし、この構造は、単色に適用し、輝度の視野角依存性を低減することは可能かもしれないが、十分に広い波長帯域に適用することが困難である。適用可能な波長帯域を広げるために、反射率をあげることも考え得るが、この場合には、光取出効率が著しく低下する。

上記のように、共振器構造内の位置関係および発光位置等を調整することにより角度依存性を低減する方法が考え得るものの、この方法では調整が困難となる場合がある。例えば、各発光層から出射される光のスペクトルによって、屈折率の波長分散が生じる場合である。屈折率の波長分散では、構成材料の屈折率が各波長によって異なるため、赤色有機ＥＬ素子，緑色有機ＥＬ素子，青色有機ＥＬ素子間で、共振器構造の効果に差異が生じる。例えば、赤色有機ＥＬ素子では、取り出される赤色光のピークが急峻になり過ぎ、青色有機ＥＬ素子では、取り出される青色光のピークがなだらかになり過ぎる。このように、素子領域毎に共振器構造の効果が大きく異なると、輝度および色度の角度依存性が大きくなり、配光特性が低下する。

これに対して、本実施の形態に係る発光装置１では、赤色発光層１３１Ｒで発生した光に対して、第３反射界面Ｓ３Ｒが及ぼす影響と、青色発光層１３１Ｂで発生した光に対して第３反射界面Ｓ３Ｂが及ぼす影響とが互いに異なっている。同様に、本実施の形態に係る発光装置１では、緑色発光層１３１Ｇで発生した光に対して、第３反射界面Ｓ３Ｇが及ぼす影響と、青色発光層１３１Ｂで発生した光に対して第３反射界面Ｓ３Ｂが及ぼす影響とが互いに異なっている。例えば、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇおよび青色発光層１３１Ｂで発生した光は以下のようになる。

赤色発光層１３１Ｒで発生した光は、赤色発光層１３１Ｒの発光中心ＯＲと第２反射界面Ｓ２Ｒ，第３反射界面Ｓ３Ｒとの間における干渉によって弱められる。同様に、緑色発光層１３１Ｇで発生した光は、緑色発光層１３１Ｇの発光中心ＯＧと第２反射界面Ｓ２Ｇ，第３反射界面Ｓ３Ｇとの間における干渉によって弱められる。一方、青色発光層１３１Ｂで発生した光は、青色発光層１３１Ｂの発光中心ＯＢと第２反射界面Ｓ２Ｂ，第３反射界面Ｓ３Ｂとの間における干渉によって強められる。

これにより、赤色発光部１０Ｒでは、光取出面ＳＤＲからピーク近傍がなだらかな赤色光ＬＲが取り出され、緑色発光部１０Ｇでは、光取出面ＳＤＧからピーク近傍がなだらかな緑色光ＬＧが取り出され、青色発光部１０Ｂでは、光取出面ＳＤＢから急峻なピークを有する青色光ＬＢが取り出される。したがって、赤色発光部１０Ｒおよび緑色発光部１０Ｇの共振器構造の効果と、青色発光部１０Ｂの共振器構造の効果との違いが小さくなり、輝度および色度の角度依存性が小さくなる。よって、配光特性を向上させることができる。また、高い配光特性を有する発光装置１は、高い画品位を要する表示装置にも好適であり、表示装置の生産性を向上させることができる。

また、赤色発光層１３１Ｒで発生した光は、赤色発光層１３１Ｒの発光中心ＯＲと第２反射界面Ｓ２Ｒ，第３反射界面Ｓ３Ｒとの間における干渉によって強められる。同様に、緑色発光層１３１Ｇで発生した光は、緑色発光層１３１Ｇの発光中心ＯＧと第２反射界面Ｓ２Ｇ，第３反射界面Ｓ３Ｇとの間における干渉によって強められる。一方、青色発光層１３１Ｂで発生した光は、青色発光層１３１Ｂの発光中心ＯＢと第２反射界面Ｓ２Ｂ，第３反射界面Ｓ３Ｂとの間における干渉によって弱められる。

これにより、赤色発光部１０Ｒでは、光取出面ＳＤＲから急峻なピークを有する赤色光ＬＲが取り出され、緑色発光部１０Ｇでは、光取出面ＳＤＧから急峻なピークを有する緑色光ＬＧが取り出され、青色発光部１０Ｂでは、光取出面ＳＤＢからピーク近傍がなだらかな青色光ＬＢが取り出される。したがって、赤色発光部１０Ｒおよび緑色発光部１０Ｇの共振器構造の効果と、青色発光部１０Ｂの共振器構造の効果との違いが小さくなり、輝度および色度の角度依存性が小さくなる。よって、配光特性を向上させることができる。また、高い配光特性を有する発光装置１は、高い画品位を要する表示装置にも好適であり、表示装置の生産性を向上させることができる。

図６は、比較例に係る発光装置の視野角による色度の変化の一例を表したものである。比較例に係る発光装置では、基板側の電極層が単層のＡｌ合金で構成されており、光取出面側の電極層が単層のＡｇ合金で構成されている。さらに、比較例に係る発光装置では、基板側の電極層と発光中心との間における共振条件が０となっており、光取出面側の電極層と発光中心との間における共振条件が１となっている。図６には、比較例に係る発光装置における、電極層の膜厚ｔが１３ｎｍのときと、２１ｎｍのときの結果が示されている。

図７は、実施例に係る発光装置１の視野角による色度の変化の一例を表したものである。実施例に係る発光装置１では、電極層１２Ｒ、１２Ｇ，１２Ｂが単層のＡｌ合金で構成されており、金属層１４Ｒ,１４Ｇ，１４Ｂが膜厚１８ｎｍの単層のＡｇ合金で構成されており、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが膜厚７５ｎｍの単層のＩＺＯで構成されており、金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが膜厚６ｎｍの単層のＡｇ合金で構成されている。さらに、実施例に係る発光装置１では、光学距離Ｌａ３が、赤色発光層１３１Ｒの発光スペクトルの中心波長λａの光を、第３反射界面Ｓ３Ｒと発光中心ＯＲとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。光学距離Ｌｂ３が、緑色発光層１３１Ｇの発光スペクトルの中心波長λｂの光を、第３反射界面Ｓ３Ｇと発光中心ＯＧとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。光学距離Ｌｃ３が、青色発光層１３１Ｂの発光スペクトルの中心波長λｃの光を、第３反射界面Ｓ３Ｂと発光中心ＯＢとの間における干渉によって強め合うように設定されている。

図６から、単層の電極層の膜厚ｔを１３ｎｍとした場合、視野角が５０度を超えたあたりから、色度が、視野角依存性の良否の指標の１つである０．０２０を超えることが分かる。また、図６から、単層の電極層の膜厚ｔを１３ｎｍから２１ｎｍに厚くすると、色度の視野角が悪化することがわかる。このように、光取出面側の電極層を単層で構成した場合には、電極層の膜厚ｔを厚くすると、色度の視野角特性が悪化することがわかる。これは、電極層の膜厚ｔを厚くするにつれて、共振条件が強くなり、屈折率の波長分散の影響と相まって、色ごとの視野角特性がずれていくことが原因で生じる。

一方、図７から、光取出面側の電極層（上述の積層体）に含まれるＡｇ合金の総厚が２４ｎｍ（＝１８ｎｍ＋６ｎｍ）と厚くなっているにもかかわらず、良好な視野角特性となっていることがわかる。このとき、実施例に係る発光装置１における光取出面側の電極層の抵抗値は、比較例に係る発光装置における光取出面側の電極層の抵抗値と比べて、１３ｎｍ／２４ｎｍ＝０．５４倍となっている。従って、実施例に係る発光装置１では、視野角特性だけでなく、給電性能も良好であることがわかる。

以上のことから、本実施の形態では、各発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）において、光取出面ＳＤＲ，ＳＤＧ，ＳＤＢ側のカソード電極が金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂおよび金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを有機発光層（赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂ）側からこの順に含んで構成されている。このとき、第１反射界面Ｓ１Ｒ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｂと、第２反射界面Ｓ２Ｒ，Ｓ２Ｇ，Ｓ２Ｂと、第３反射界面Ｓ３Ｒ，Ｓ３Ｇ，Ｓ３Ｂとを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。これにより、光取出面ＳＤＲ，ＳＤＧ，ＳＤＢ側のカソード電極に含まれる金属層を厚膜にした場合であっても、色度の視野角特性の悪化を低減することができる。従って、給電性能と色度の視野角特性とを両立させることができる。

また、本実施の形態では、第２反射界面Ｓ２Ｒと第３反射界面Ｓ３Ｒとの光学距離は、赤色発光層１３１Ｒから発せられる光の中心波長λａ以下となっている。同様に、第２反射界面Ｓ２Ｇと第３反射界面Ｓ３Ｇとの光学距離は、緑色発光層１３１Ｇから発せられる光の中心波長λｂ以下となっている。第２反射界面Ｓ２Ｂと第３反射界面Ｓ３Ｂとの光学距離は、青色発光層１３１Ｂから発せられる光の中心波長λｃ以下となっている。これにより、発光層１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂで発生した光に対する、第２反射界面Ｓ２Ｒ，Ｓ２Ｇ，Ｓ２Ｂと第３反射界面Ｓ３Ｒ，Ｓ３Ｇ，Ｓ３Ｂとの作用によって、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂで発生した光のスペクトルのピークプロファイルを調整することができる。従って、光取出面ＳＤＲ，ＳＤＧ，ＳＤＢ側のカソード電極に含まれる金属層の総厚を厚くした場合であっても、色度の視野角特性の悪化を低減することができる。

また、本実施の形態では、赤色発光部１０Ｒにおいて、マイクロキャビティ構造は、上記の式（１），（２），（７），（８），（１３），（１４）を満たすように構成されている。同様に、緑色発光部１０Ｇにおいて、マイクロキャビティ構造は、上記の式（３），（４），（９），（１０），（１５），（１６）を満たすように構成されている。これにより、赤色発光部１０Ｒでは、光取出面ＳＤＲからピーク近傍がなだらかな赤色光ＬＲが取り出され、緑色発光部１０Ｇでは、光取出面ＳＤＧからピーク近傍がなだらかな緑色光ＬＧが取り出される。その結果、角度による輝度および色度の急激な変化を抑えることができる。

さらに、本実施の形態では、青色発光部１０Ｂにおいて、マイクロキャビティ構造は、上記の式（５），（６），（１１），（１２），（１７），（１８）を満たすように構成されている。これにより、青色発光部１０Ｂでは、光取出面ＳＤＢから急峻なピークを有する青色光ＬＢが取り出される。したがって、赤色発光部１０Ｒおよび緑色発光部１０Ｇの共振器構造の効果と、青色発光部１０Ｂの共振器構造の効果との違いが小さくなり、輝度および色度の角度依存性が小さくなる。よって、配光特性を向上させることができる。また、高い配光特性を有する発光装置１は、高い画品位を要する表示装置にも好適であり、表示装置の生産性を向上させることができる。

また、本実施の形態では、各発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）において、マイクロキャビティ構造は、第１反射界面Ｓ１Ｒ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｂおよび第２反射界面Ｓ２Ｒ，Ｓ２Ｇ，Ｓ２Ｂが各発光層（赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂ）から発せられた光の波長帯の光を強めるように構成され、第３反射界面Ｓ３Ｒ，Ｓ３Ｇ，Ｓ３Ｂが各発光層（赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ）から発せられた光の波長帯の光を弱めるとともに、青色発光層１３１Ｂから発せられた光の波長帯の光を強めるように構成されている。

これにより、赤色発光部１０Ｒでは、光取出面ＳＤＲからピーク近傍がなだらかな赤色光ＬＲが取り出され、緑色発光部１０Ｇでは、光取出面ＳＤＧからピーク近傍がなだらかな緑色光ＬＧが取り出され、青色発光部１０Ｂでは、光取出面ＳＤＢから急峻なピークを有する青色光ＬＢが取り出される。その結果、赤色発光部１０Ｒおよび緑色発光部１０Ｇの共振器構造の効果と、青色発光部１０Ｂの共振器構造の効果との違いが小さくなる場合には、輝度および色度の角度依存性が小さくなる。よって、配光特性を向上させることができる。また、高い配光特性を有する発光装置１は、高い画品位を要する表示装置にも好適であり、表示装置の生産性を向上させることができる。

また、本実施の形態では、赤色発光部１０Ｒにおいて、マイクロキャビティ構造は、上記の式（１），（２），（７），（８），（１９），（２０）を満たすように構成されている。同様に、緑色発光部１０Ｇにおいて、マイクロキャビティ構造は、上記の式（３），（４），（９），（１０），（２１），（２２）を満たすように構成されている。これにより、赤色発光部１０Ｒでは、光取出面ＳＤＲから急峻なピークを有する赤色光ＬＲが取り出され、緑色発光部１０Ｇでは、光取出面ＳＤＧから急峻なピークを有する緑色光ＬＧが取り出される。その結果、赤色発光部１０Ｒおよび緑色発光部１０Ｇの共振器構造の効果と、青色発光部１０Ｂの共振器構造の効果との違いが小さくなる場合には、輝度および色度の角度依存性を小さくすることができる。

さらに、本実施の形態では、青色発光部１０Ｂにおいて、マイクロキャビティ構造は、上記の式（５），（６），（１１），（１２），（２３），（２４）を満たすように構成されている。これにより、青色発光部１０Ｂでは、光取出面ＳＤＢからピーク近傍がなだらかな青色光ＬＢが取り出される。その結果、角度による輝度および色度の急激な変化を抑えることができる。したがって、赤色発光部１０Ｒおよび緑色発光部１０Ｇの共振器構造の効果と、青色発光部１０Ｂの共振器構造の効果との違いが小さくなり、輝度および色度の角度依存性が小さくなる。よって、配光特性を向上させることができる。また、高い配光特性を有する発光装置１は、高い画品位を要する表示装置にも好適であり、表示装置の生産性を向上させることができる。

また、本実施の形態では、各発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）において、マイクロキャビティ構造は、第１反射界面Ｓ１Ｒ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｂおよび第２反射界面Ｓ２Ｒ，Ｓ２Ｇ，Ｓ２Ｂが各発光層（赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂ）から発せられた光の波長帯の光を強めるように構成され、第３反射界面Ｓ３Ｒ，Ｓ３Ｇ，Ｓ３Ｂが各発光層（赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ）から発せられた光の波長帯の光を強めるとともに、青色発光層１３１Ｂから発せられた光の波長帯の光を弱めるように構成されている。

これにより、赤色発光部１０Ｒでは、光取出面ＳＤＲから急峻なピークを有する赤色光ＬＲが取り出され、緑色発光部１０Ｇでは、光取出面ＳＤＧから急峻なピークを有する緑色光ＬＧが取り出され、青色発光部１０Ｂでは、光取出面ＳＤＢからピーク近傍がなだらかな青色光ＬＢが取り出される。その結果、赤色発光部１０Ｒおよび緑色発光部１０Ｇの共振器構造の効果と、青色発光部１０Ｂの共振器構造の効果との違いが小さくなる場合には、輝度および色度の角度依存性が小さくなる。よって、配光特性を向上させることができる。また、高い配光特性を有する発光装置１は、高い画品位を要する表示装置にも好適であり、表示装置の生産性を向上させることができる。

また、本実施の形態では、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂが金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂよりも厚くなっている。これにより、色度の角度依存性を損なうことなく、給電性能を向上させることができる。

また、本実施の形態では、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂおよび金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの総厚が１５ｎｍ以上となっている。これにより、色度の角度依存性を損なうことなく、給電性能を向上させることができる。この理由について、ここで、図８、図９を用いて説明する。図８は、比較例に係る発光装置の、光取出面側の電極の膜厚に対する４５度色度視野角の変化の一例を表したものである。図９は、比較例に係る発光装置の、光取出面側の電極の膜厚に対する相対輝度の変化の一例を表したものである。図８、図９には、図６で用いた発光装置と同一の発光装置を用いた結果が示されている。図８から、色度が、視野角依存性の良否の指標の１つである０．０２０以下となるためには、光取出面側の電極の膜厚を１５ｎｍよりも薄くする必要があることがわかる。つまり、比較例に係る発光装置では、光取出面側の電極の膜厚を１５ｎｍ以上とすることは、実用上、極めて難しかった。一方、本実施の形態では、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂおよび金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの総厚を１５ｎｍ以上とした場合であっても、色度の角度依存性を損なうことがない。ただし、図９に示したように、取出面側の電極の膜厚を３８ｎｍよりも厚くすると、取出面側の電極の膜厚を１５ｎｍとしたときの輝度よりも低くなる。従って、本実施の形態の形態においても、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂおよび金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの総厚を１５ｎｍ以上３８ｎｍ以下とすることにより、輝度および色度の角度依存性を損なうことがない。

また、本実施の形態では、基板１１が、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂを駆動する回路（画素回路１８−１）が設けられた回路基板となっている。ここで、発光装置１は上面発光型の発光装置である。これにより、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂから発せられた光が、回路基板内の画素回路１８−１によって遮れられることがないので、高い光取り出し効率を得ることができる。

また、本実施の形態では、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが透明導電体層となっている。これにより、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂおよび金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、互いに電気的に接続されおり、光取出面ＳＤＲ，ＳＤＧ，ＳＤＢ側の電極（カソード電極）として機能する。その結果、光取出面ＳＤＲ，ＳＤＧ，ＳＤＢ側の電極（カソード電極）の総厚を厚くすることができる。従って、色度の角度依存性を損なうことなく、給電性能を向上させることができる。

また、本実施の形態では、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂが印刷層となっていることが好ましい。有機層は、乾燥工程を経ることなどによって、領域による厚さの大小が生じやすい。即ち、有機層に膜厚分布が生じやすい。一方、本実施の形態では、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂが印刷層となっていることにより、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂの膜厚分布に起因した、発光素子毎の共振器構造の効果の違いを調整することができる。

＜２．変形例＞
以下、本実施の形態の変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。

[変形例Ａ]
上記実施の形態では、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは、透明導電体材料によって形成されていた。しかし、上記実施の形態において、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは、透明誘電体材料によって形成されていてもよい。この場合、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂに用いられる透明誘電体材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）、または窒化シリコン（ＳｉＮ）などが挙げられる。透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの厚さは、例えば３０ｎｍ以上６００ｎｍ以下となっている。金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂと、金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂとは、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを介して電気的に分離されている。従って、本変形例では、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂが、電極層１２Ｂと対をなすカソード電極としての機能を有し、金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、カソード電極としての機能を有していない。

本変形例では、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの厚さは、例えば、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下となっている。金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂが、上述したような高い反射率を有する金属材料によって形成されていることにより、共振器構造の効果が高まり、光取出効率を向上させることができる。また、金属層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂが、上述したような厚い膜厚を有しているので、給電性能と色度の視野角特性とを両立させることができる。

[変形例Ｂ]
上記実施の形態およびその変形例において、例えば、図１０に示したように、各発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）は、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂと、金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂとの間に、透明層１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを有していてもよい。

透明層１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、例えば、透明導電体材料によって形成されている。透明層１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに用いられる透明導電体材料としては、例えば、ＩＴＯ、または、インジウムと亜鉛との酸化物（ＩＺＯ）などが挙げられる。第２反射界面Ｓ２Ｒ，Ｓ２Ｇ，Ｓ２Ｂと第３反射界面Ｓ３Ｒ，Ｓ３Ｇ，Ｓ３Ｂとの光学距離は、共振器構造による効果が得られる範囲内となっていることが好ましい。従って、透明層１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの厚さは、各発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）が共振器構造として機能する範囲内となっていることが好ましい。

このとき、第１反射界面Ｓ１Ｒ、第２反射界面Ｓ２Ｒ、第３反射界面Ｓ３Ｒおよび第４反射界面Ｓ４Ｒを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｒは、透明層１５Ｒと透明層１８Ｒとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｒは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。第１反射界面Ｓ１Ｇ、第２反射界面Ｓ２Ｇ、第３反射界面Ｓ３Ｇおよび第４反射界面Ｓ４Ｇを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｇは、透明層１５Ｇと透明層１８Ｇとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｇは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。第１反射界面Ｓ１Ｂ、第２反射界面Ｓ２Ｂ、第３反射界面Ｓ３Ｂおよび第４反射界面Ｓ４Ｂを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｂは、透明層１５Ｂと透明層１８Ｂとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｂは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。

（第４反射界面Ｓ４Ｒ，Ｓ４Ｇ，Ｓ４Ｂ）
光学距離Ｌａ４が、例えば、赤色発光層１３１Ｒの発光スペクトルの中心波長λａの光を、第４反射界面Ｓ４Ｒと発光中心ＯＲとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。光学距離Ｌｂ４が、例えば、緑色発光層１３１Ｇの発光スペクトルの中心波長λｂの光を、第４反射界面Ｓ４Ｇと発光中心ＯＧとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。光学距離Ｌｃ４が、例えば、青色発光層１３１Ｂの発光スペクトルの中心波長λｃの光を、第４反射界面Ｓ４Ｂと発光中心ＯＢとの間における干渉によって強め合うように設定されている。

光学距離Ｌａ４，Ｌｂ４，Ｌｃ４は、例えば、以下の式（２５）〜（３０）を満たす。

２Ｌａ４／λａ４＋φａ４／（２π）＝Ｊａ＋１/２・・・（２５）
λａ−１５０＜λａ４＜λａ＋１５０・・・（２６）
２Ｌｂ４／λｂ４＋φｂ４／（２π）＝Ｊｂ＋１/２・・・（２７）
λｂ−１５０＜λｂ４＜λｂ＋１５０・・・（２８）
２Ｌｃ４／λｃ４＋φｃ４／（２π）＝Ｊｃ・・・（２９）
λｃ−１５０＜λｃ４＜λｃ＋１５０・・・（３０）
ただし、Ｊａ、Ｊｂ、Ｊｃ：０以上の整数
λａ、λａ４、λｂ、λｂ４、λｃ、λｃ４の単位：ｎｍ
φａ４：赤色発光層１３１Ｒから出射された光が第４反射界面Ｓ４Ｒで反射する際の位相変化
φｂ４：緑色発光層１３１Ｇから出射された光が第４反射界面Ｓ４Ｇで反射する際の位相変化
φｃ４：青色発光層１３１Ｂから出射された光が第４反射界面Ｓ４Ｂで反射する際の位相変化
λａ４：式（２６）を満たす波長
λｂ４：式（２８）を満たす波長
λｃ４：式（３０）を満たす波長

φａ４，φｂ４，φｃ４は、φａ１，φｂ１，φｃ１と同様の方法で求めることができる。光学距離Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３が上記の式（１３）〜（１８）または上記の式（１９）〜（２４）を満たし、かつ、光学距離Ｌａ４，Ｌｂ４，Ｌｃ４が上記の式（２５）〜（３０）を満たす場合、発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）毎に、発光状態を調整することができる。このように、第４反射界面Ｓ４Ｒ，Ｓ４Ｇ，Ｓ４Ｂでの反射が加わることにより、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂで発生した光のスペクトルのピークプロファイルを所望のプロファイルに調整することができる。その結果、例えば、角度による輝度および色相の急激な変化を抑えることができる。また、例えば、発光層で発生した光のスペクトルに急峻なピークをもたせることにより、光取出効率を高めることもできる。また、色度点を向上させることも可能である。

なお、光学距離Ｌａ４が、例えば、赤色発光層１３１Ｒの発光スペクトルの中心波長λａの光を、第４反射界面Ｓ４Ｒと発光中心ＯＲとの間における干渉によって強め合うように設定されていてもよい。光学距離Ｌｂ４が、例えば、緑色発光層１３１Ｇの発光スペクトルの中心波長λｂの光を、第４反射界面Ｓ４Ｇと発光中心ＯＧとの間における干渉によって強め合うように設定されていてもよい。光学距離Ｌｃ４が、例えば、青色発光層１３１Ｂの発光スペクトルの中心波長λｃの光を、第４反射界面Ｓ４Ｂと発光中心ＯＢとの間における干渉によって弱め合うように設定されていてもよい。

光学距離Ｌａ４，Ｌｂ４，Ｌｃ４は、例えば、以下の式（３１）〜（３６）を満たしてもよい。

２Ｌａ４／λａ４＋φａ４／（２π）＝Ｊａ・・・（３１）
λａ−１５０＜λａ４＜λａ＋１５０・・・（３２）
２Ｌｂ４／λｂ４＋φｂ４／（２π）＝Ｊｂ・・・（３３）
λｂ−１５０＜λｂ４＜λｂ＋１５０・・・（３４）
２Ｌｃ４／λｃ４＋φｃ４／（２π）＝Ｊｃ＋１/２・・・（３５）
λｃ−１５０＜λｃ４＜λｃ＋１５０・・・（３６）

φａ４，φｂ４，φｃ４は、φａ１，φｂ１，φｃ１と同様の方法で求めることができる。光学距離Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３が上記の式（１３）〜（１８）または上記の式（１９）〜（２４）を満たし、かつ、光学距離Ｌａ４，Ｌｂ４，Ｌｃ４が上記の式（３１）〜（３６）を満たす場合、発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）毎に、発光状態を調整することができる。このように、第４反射界面Ｓ４Ｒ，Ｓ４Ｇ，Ｓ４Ｂでの反射が加わることにより、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂで発生した光のスペクトルのピークプロファイルを所望のプロファイルに調整することができる。その結果、例えば、角度による輝度および色相の急激な変化を抑えることができる。また、例えば、発光層で発生した光のスペクトルに急峻なピークをもたせることにより、光取出効率を高めることもできる。また、色度点を向上させることも可能である。

本変形例では、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。

[変形例Ｃ]
上記実施の形態およびその変形例において、例えば、図１１に示したように、各発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）は、金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと、透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂとの間に、透明層１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを有していてもよい。

このとき、第１反射界面Ｓ１Ｒ、第２反射界面Ｓ２Ｒ、第３反射界面Ｓ３Ｒおよび第４反射界面Ｓ４Ｒを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｒは、金属層１６Ｒと透明層１８Ｒとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｒは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。第１反射界面Ｓ１Ｇ、第２反射界面Ｓ２Ｇ、第３反射界面Ｓ３Ｇおよび第４反射界面Ｓ４Ｇを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｇは、金属層１６Ｇと透明層１８Ｇとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｇは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。第１反射界面Ｓ１Ｂ、第２反射界面Ｓ２Ｂ、第３反射界面Ｓ３Ｂおよび第４反射界面Ｓ４Ｂを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｂは、金属層１６Ｂと透明層１８Ｂとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｂは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。

本変形例では、上記変形例Ｂと同様の効果を得ることができる。

[変形例Ｄ]
上記実施の形態およびその変形例において、例えば、図１２に示したように、各発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）は、透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ上に、透明層１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを有していてもよい。

このとき、第１反射界面Ｓ１Ｒ、第２反射界面Ｓ２Ｒ、第３反射界面Ｓ３Ｒおよび第４反射界面Ｓ４Ｒを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｒは、透明層１７Ｒと透明層１８Ｒとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｒは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。第１反射界面Ｓ１Ｇ、第２反射界面Ｓ２Ｇ、第３反射界面Ｓ３Ｇおよび第４反射界面Ｓ４Ｇを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｇは、透明層１７Ｇと透明層１８Ｇとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｇは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。第１反射界面Ｓ１Ｂ、第２反射界面Ｓ２Ｂ、第３反射界面Ｓ３Ｂおよび第４反射界面Ｓ４Ｂを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｂは、透明層１７Ｂと透明層１８Ｂとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｂは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。

[変形例Ｅ]
上記実施の形態およびその変形例において、例えば、図１３に示したように、各発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）は、透明層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂと、金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂとの間に、透明層１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを有するとともに、金属層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと、透明層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂとの間に、透明層１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂを有していてもよい。

このとき、第１反射界面Ｓ１Ｒ、第２反射界面Ｓ２Ｒ、第３反射界面Ｓ３Ｒ、第４反射界面Ｓ４Ｒおよび第５反射界面Ｓ５Ｒを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｒは、透明層１５Ｒと透明層１８Ｒとの界面である。第５反射界面Ｓ５Ｒは、透明層１９Ｒと透明層１７Ｒとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｒおよび第５反射界面Ｓ５Ｒは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。第１反射界面Ｓ１Ｇ、第２反射界面Ｓ２Ｇ、第３反射界面Ｓ３Ｇ、第４反射界面Ｓ４Ｇおよび第５反射界面Ｓ５Ｇを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｇは、透明層１５Ｇと透明層１８Ｇとの界面である。第５反射界面Ｓ５Ｇは、透明層１９Ｇと透明層１７Ｇとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｇおよび第５反射界面Ｓ５Ｇは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。第１反射界面Ｓ１Ｂ、第２反射界面Ｓ２Ｂ、第３反射界面Ｓ３Ｂ、第４反射界面Ｓ４Ｂおよび第５反射界面Ｓ５Ｂを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている。第４反射界面Ｓ４Ｂは、透明層１５Ｂと透明層１８Ｂとの界面である。第５反射界面Ｓ５Ｂは、透明層１９Ｂと透明層１７Ｂとの界面である。第４反射界面Ｓ４Ｂおよび第５反射界面Ｓ５Ｂは、例えば、屈折率差０．１５以上の界面によって構成されている。

（第５反射界面Ｓ５Ｒ，Ｓ５Ｇ，Ｓ５Ｂ）
光学距離Ｌａ５が、例えば、赤色発光層１３１Ｒの発光スペクトルの中心波長λａの光を、第５反射界面Ｓ５Ｒと発光中心ＯＲとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。光学距離Ｌｂ５が、例えば、緑色発光層１３１Ｇの発光スペクトルの中心波長λｂの光を、第５反射界面Ｓ５Ｇと発光中心ＯＧとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。光学距離Ｌｃ５が、例えば、青色発光層１３１Ｂの発光スペクトルの中心波長λｃの光を、第５反射界面Ｓ５Ｂと発光中心ＯＢとの間における干渉によって強め合うように設定されている。

光学距離Ｌａ５，Ｌｂ５，Ｌｃ５は、例えば、以下の式（３７）〜（４２）を満たす。

２Ｌａ５／λａ５＋φａ５／（２π）＝Ｈａ＋１/２・・・（３７）
λａ−１５０＜λａ５＜λａ＋１５０・・・（３８）
２Ｌｂ５／λｂ５＋φｂ５／（２π）＝Ｈｂ＋１/２・・・（３９）
λｂ−１５０＜λｂ５＜λｂ＋１５０・・・（４０）
２Ｌｃ５／λｃ５＋φｃ５／（２π）＝Ｈｃ・・・（４１）
λｃ−１５０＜λｃ５＜λｃ＋１５０・・・（４２）
ただし、Ｈａ、Ｈｂ、Ｈｃ：０以上の整数
λａ、λａ５、λｂ、λｂ５、λｃ、λｃ５の単位：ｎｍ
φａ５：赤色発光層１３１Ｒから出射された光が第５反射界面Ｓ５Ｒで反射する際の位相変化
φｂ５：緑色発光層１３１Ｇから出射された光が第５反射界面Ｓ５Ｇで反射する際の位相変化
φｃ５：青色発光層１３１Ｂから出射された光が第５反射界面Ｓ５Ｂで反射する際の位相変化
λａ５：式（３８）を満たす波長
λｂ５：式（４０）を満たす波長
λｃ５：式（４２）を満たす波長

φａ５，φｂ５，φｃ５は、φａ１，φｂ１，φｃ１と同様の方法で求めることができる。光学距離Ｌａ５，Ｌｂ５，Ｌｃ５が上記の式（３７）〜（４２）を満たす場合、発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）毎に、発光状態をより精密に調整することができる。このように、第５反射界面Ｓ５Ｒ，Ｓ５Ｇ，Ｓ５Ｂでの反射が加わることにより、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂで発生した光のスペクトルのピークプロファイルを所望のプロファイルに調整することができる。その結果、例えば、角度による輝度および色度の急激な変化を抑えることができる。また、例えば、発光層で発生した光のスペクトルに急峻なピークをもたせることにより、光取出効率を高めることもできる。また、色度点を向上させることも可能である。

なお、光学距離Ｌａ５が、例えば、赤色発光層１３１Ｒの発光スペクトルの中心波長λａの光を、第５反射界面Ｓ５Ｒと発光中心ＯＲとの間における干渉によって強め合うように設定されていてもよい。光学距離Ｌｂ５が、例えば、緑色発光層１３１Ｇの発光スペクトルの中心波長λｂの光を、第５反射界面Ｓ５Ｇと発光中心ＯＧとの間における干渉によって強め合うように設定されていてもよい。光学距離Ｌｃ５が、例えば、青色発光層１３１Ｂの発光スペクトルの中心波長λｃの光を、第５反射界面Ｓ５Ｂと発光中心ＯＢとの間における干渉によって弱め合うように設定されていてもよい。

光学距離Ｌａ５，Ｌｂ５，Ｌｃ５は、例えば、以下の式（４３）〜（４８）を満たしてもよい。

２Ｌａ５／λａ５＋φａ５／（２π）＝Ｈａ・・・（４３）
λａ−１５０＜λａ５＜λａ＋１５０・・・（４４）
２Ｌｂ５／λｂ５＋φｂ５／（２π）＝Ｈｂ・・・（４５）
λｂ−１５０＜λｂ５＜λｂ＋１５０・・・（４６）
２Ｌｃ５／λｃ５＋φｃ５／（２π）＝Ｈｃ＋１/２・・・（４７）
λｃ−１５０＜λｃ５＜λｃ＋１５０・・・（４８）

φａ５，φｂ５，φｃ５は、φａ１，φｂ１，φｃ１と同様の方法で求めることができる。光学距離Ｌａ５，Ｌｂ５，Ｌｃ５が上記の式（４３）〜（４８）を満たす場合、発光部（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）毎に、発光状態をより精密に調整することができる。このように、第５反射界面Ｓ５Ｒ，Ｓ５Ｇ，Ｓ５Ｂでの反射が加わることにより、赤色発光層１３１Ｒ，緑色発光層１３１Ｇ，青色発光層１３１Ｂで発生した光のスペクトルのピークプロファイルを所望のプロファイルに調整することができる。その結果、例えば、角度による輝度および色度の急激な変化を抑えることができる。また、例えば、発光層で発生した光のスペクトルに急峻なピークをもたせることにより、光取出効率を高めることもできる。また、色度点を向上させることも可能である。

＜適用例＞
以下に、上記実施の形態等において説明した発光装置１の適用例について説明する。

[適用例Ａ]
図１４は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１の一適用例である表示装置２の概略構成例を表したものである。図１５は、表示装置２に設けられた各画素１８の回路構成の一例を表したものである。表示装置２は、例えば、発光装置１、コントローラ２０およびドライバ３０を備えている。ドライバ３０は、例えば、発光装置１の外縁部分に実装されている。発光装置１は、行列状に配置された複数の画素１８を有している。コントローラ２０およびドライバ３０は、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づいて、発光装置１（複数の画素１８）を駆動する。

（発光装置１）
発光装置１は、コントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１８がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づく画像を表示する。発光装置１は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素１８とを有している。

走査線ＷＳＬは、各画素１８の選択に用いられるものであり、各画素１８を所定の単位（例えば画素行）ごとに選択する選択パルスを各画素１８に供給するものである。信号線ＤＴＬは、映像信号Ｄｉｎに応じた信号電圧Ｖｓｉｇの、各画素１８への供給に用いられるものであり、信号電圧Ｖｓｉｇを含むデータパルスを各画素１８に供給するものである。電源線ＤＳＬは、各画素１８に電力を供給するものである。

発光装置１に設けられた複数の画素１８には、赤色光を発する画素１８、緑色光を発する画素１８、および青色光を発する画素１８が含まれている。以下では、赤色光を発する画素１８は、画素１８ｒと称され、緑色光を発する画素１８は、画素１８ｇと称され、青色光を発する画素１８は、画素１８ｂと称されるものとする。複数の画素１８において、画素１８ｒ，１８ｇ，１８ｂは、カラー画像の表示単位である表示画素を構成している。なお、各表示画素には、例えば、さらに、他の色（例えば、白色や、黄色など）を発する画素１８が含まれていてもよい。従って、発光装置１に設けられた複数の画素１８は、所定の数ごとに表示画素としてグループ分けされている。各表示画素において、複数の画素１８は、所定の方向（例えば、行方向）に一列に並んで配置されている。

各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線ＤＴＬが１本ずつ、割り当てられている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線ＷＳＬが１本ずつ、割り当てられている。各電源線ＤＳＬは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線ＤＳＬが１本ずつ、割り当てられている。

各画素１８は、画素回路１８−１と、有機電界発光部１８−２とを有している。有機電界発光部１８−２は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光部（例えば、赤色発光部１０Ｒ,緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）に相当する。

画素回路１８−１は、有機電界発光部１８−２の発光・消光を制御する。画素回路１８−１は、書込走査によって各画素１８に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路１８−１は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書込トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓを含んで構成されている。

書込トランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する、映像信号Ｄｉｎに対応した信号電圧Ｖｓｉｇの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込む。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光部１８−２に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光部１８−２を駆動する。駆動トランジスタＴｒ１は、書込トランジスタＴｒ２によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光部１８−２に流れる電流を制御する。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Ｃｓは、所定の期間中に駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路１８−１は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。

各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のゲートとに接続されている。各電源線ＤＳＬは、電源回路と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。

書込トランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機電界発光部１８−２の陽極２１に接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機電界発光部１８−２側の端子に接続されている。

（ドライバ３０）
ドライバ３０は、例えば、水平セレクタ３１およびライトスキャナ３２を有している。水平セレクタ３１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ２０から入力されたアナログの信号電圧Ｖｓｉｇを、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ３２は、複数の画素１８を所定の単位ごとに走査する。

（コントローラ２０）
次に、コントローラ２０について説明する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Ｖｓｉｇを生成する。コントローラ２０は、例えば、生成した信号電圧Ｖｓｉｇを水平セレクタ３１に出力する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力された同期信号Ｔｉｎに応じて（同期して）、ドライバ３０内の各回路に対して制御信号を出力する。

本適用例では、映像を表示するための表示パネルとして発光装置１が用いられている。これにより、発光装置１が大型であった場合であっても、輝度および色度の角度依存性の小さな表示品質に優れた表示装置２を提供することができる。

[適用例Ｂ]
上記適用例Ａに係る表示装置２は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図１６は、上記適用例Ａに係る表示装置２が適用された電子機器３の斜視構成を表すものである。電子機器３は、例えば、筐体３１０の主面に表示面３２０を備えたシート状のパーソナルコンピュータである。電子機器３は、電子機器３の表示面３２０に、上記適用例Ａに係る表示装置２を備えている。上記適用例Ａに係る表示装置２は、映像表示面が外側を向くように配置されている。本適用例では、上記適用例Ａに係る表示装置２が表示面３２０に設けられているので、表示面３２０が大型であった場合であっても、輝度および色度の角度依存性の小さな表示品質に優れた電子機器３を提供することができる。

[適用例Ｃ]
以下では、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１の適用例について説明する。上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１は、卓上用もしくは床置き用の照明装置、または、室内用の照明装置など、あらゆる分野の照明装置の光源に適用することが可能である。

図１７は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１が適用される室内用の照明装置の外観を表したものである。この照明装置は、例えば、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１を含んで構成された照明部４１０を有している。照明部４１０は、建造物の天井４２０に適宜の個数および間隔で配置されている。なお、照明部４１０は、用途に応じて、天井４２０に限らず、壁４３０または床（図示せず）など任意の場所に設置することが可能である。

これらの照明装置では、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１からの光により、照明が行われる。これにより、輝度および色度の角度依存性の小さな照明品質の高い照明装置を実現することができる。

以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。

また、本開示は以下のような構成をとることも可能である。
（１）
第１反射層、有機発光層および第２反射層をこの順に含む複数の有機電界発光部と、
前記第２反射層を介して各前記有機電界発光部から発せられた光が取り出される光取出面と
を備え、
前記第２反射層は、第１金属層、透明層および第２金属層を前記有機発光層側からこの順に含み、
各前記有機電界発光部において、前記第１反射層の前記有機発光層側の第１反射界面と、前記第１金属層の前記有機発光層側の第２反射界面と、前記第２金属層の前記有機発光層側の第３反射界面とを含む構造によって、マイクロキャビティ構造が形成されている
発光装置。
（２）
前記第２反射界面と前記第３反射界面との光学距離は、対応する前記有機発光層から発せられる光の中心波長以下となっている
（１）に記載の発光装置。
（３）
前記複数の有機電界発光部には、複数の第１有機電界発光部と、複数の第２有機電界発光部とが含まれ、
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記マイクロキャビティ構造は、以下の式（Ａ）〜（Ｆ）を満たすように構成されている
（１）または（２）に記載の発光装置。
２Ｌａ１／λａ１＋φａ１／（２π）＝Ｎａ・・・（Ａ）
λａ−１５０＜λａ１＜λａ＋８０・・・（Ｂ）
２Ｌａ２／λａ２＋φａ２／（２π）＝Ｍａ・・・（Ｃ）
λａ−８０＜λａ２＜λａ＋８０・・・（Ｄ）
２Ｌａ３／λａ３＋φａ３／（２π）＝Ｋａ＋１/２・・・（Ｅ）
λａ−１５０＜λａ３＜λａ＋１５０・・・（Ｆ）
Ｌａ１：前記第１反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌａ２：前記第２反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌａ３：前記第３反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φａ１：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第１反射界面で反射する際の位相変化
φａ２：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第２反射界面で反射する際の位相変化
φａ３：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第３反射界面で反射する際の位相変化
λａ：前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λａ１：式（Ｂ）を満たす波長
λａ２：式（Ｄ）を満たす波長
λａ３：式（Ｆ）を満たす波長
Ｎａ，Ｍａ，Ｋａ：０以上の整数
（４）
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記マイクロキャビティ構造は、以下の式（Ｇ）〜（Ｌ）を満たすように構成されている
（３）に記載の発光装置。
２Ｌｃ１／λｃ１＋φｃ１／（２π）＝Ｎｃ・・・（Ｇ）
λｃ−１５０＜λｃ１＜λｃ＋８０・・・（Ｈ）
２Ｌｃ２／λｃ２＋φｃ２／（２π）＝Ｍｃ・・・（Ｉ）
λｃ−８０＜λｃ２＜λｃ＋８０・・・（Ｊ）
２Ｌｃ３／λｃ３＋φｃ３／（２π）＝Ｋｃ・・・（Ｋ）
λｃ−１５０＜λｃ３＜λｃ＋１５０・・・（Ｌ）
Ｌｃ１：前記第１反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌｃ２：前記第２反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌｃ３：前記第３反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φｃ１：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第１反射界面で反射する際の位相変化
φｃ２：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第２反射界面で反射する際の位相変化
φｃ３：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第３反射界面で反射する際の位相変化
λｃ：前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λｃ１：式（Ｈ）を満たす波長
λｃ２：式（Ｊ）を満たす波長
λｃ３：式（Ｌ）を満たす波長
Ｎｃ，Ｍｃ，Ｋｃ：０以上の整数
（５）
前記複数の有機電界発光部には、第１波長帯で発光する複数の第１有機電界発光部と、前記第１波長帯よりも短波長の第２波長帯で発光する複数の第２有機電界発光部とが含まれ、
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記マイクロキャビティ構造は、前記第１反射界面および前記第２反射界面が前記第１波長帯および前記第２波長帯のそれぞれの光を強めるように構成され、前記第３反射界面が前記第１波長帯の光を弱めるとともに前記第２波長帯の光を強めるように構成されている
（１）から（４）のいずれか１つに記載の発光装置。
（６）
前記複数の有機電界発光部には、複数の第１有機電界発光部と、複数の第２有機電界発光部とが含まれ、
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記マイクロキャビティ構造は、以下の式（Ｍ）〜（Ｒ）を満たすように構成されている
（１）または（２）に記載の発光装置。
２Ｌａ１／λａ１＋φａ１／（２π）＝Ｎａ・・・（Ｍ）
λａ−１５０＜λａ１＜λａ＋８０・・・（Ｎ）
２Ｌａ２／λａ２＋φａ２／（２π）＝Ｍａ・・・（Ｏ）
λａ−８０＜λａ２＜λａ＋８０・・・（Ｐ）
２Ｌａ３／λａ３＋φａ３／（２π）＝Ｋａ・・・（Ｑ）
λａ−１５０＜λａ３＜λａ＋１５０・・・（Ｒ）
Ｌａ１：前記第１反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌａ２：前記第２反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌａ３：前記第３反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φａ１：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第１反射界面で反射する際の位相変化
φａ２：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第２反射界面で反射する際の位相変化
φａ３：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第３反射界面で反射する際の位相変化
λａ：前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λａ１：式（Ｎ）を満たす波長
λａ２：式（Ｐ）を満たす波長
λａ３：式（Ｒ）を満たす波長
Ｎａ，Ｍａ，Ｋａ：０以上の整数
（７）
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記マイクロキャビティ構造は、以下の式（Ｓ）〜（Ｘ）を満たすように構成されている
（６）に記載の発光装置。
２Ｌｃ１／λｃ１＋φｃ１／（２π）＝Ｎｃ・・・（Ｓ）
λｃ−１５０＜λｃ１＜λｃ＋８０・・・（Ｔ）
２Ｌｃ２／λｃ２＋φｃ２／（２π）＝Ｍｃ・・・（Ｕ）
λｃ−８０＜λｃ２＜λｃ＋８０・・・（Ｖ）
２Ｌｃ３／λｃ３＋φｃ３／（２π）＝Ｋｃ＋１/２・・・（Ｗ）
λｃ−１５０＜λｃ３＜λｃ＋１５０・・・（Ｘ）
Ｌｃ１：前記第１反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌｃ２：前記第２反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌｃ３：前記第３反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φｃ１：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第１反射界面で反射する際の位相変化
φｃ２：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第２反射界面で反射する際の位相変化
φｃ３：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第３反射界面で反射する際の位相変化
λｃ：前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λｃ１：式（Ｔ）を満たす波長
λｃ２：式（Ｖ）を満たす波長
λｃ３：式（Ｘ）を満たす波長
Ｎｃ，Ｍｃ，Ｋｃ：０以上の整数
（８）
前記複数の有機電界発光部には、第１波長帯で発光する複数の第１有機電界発光部と、前記第１波長帯よりも短波長の第２波長帯で発光する複数の第２有機電界発光部とが含まれ、
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記マイクロキャビティ構造は、前記第１反射界面および前記第２反射界面が前記第１波長帯および前記第２波長帯のそれぞれの光を強めるように構成され、前記第３反射界面が前記第１波長帯の光を強めるとともに前記第２波長帯の光を弱めるように構成されている
（１）、（２）、（６）および（７）のいずれか１つに記載の発光装置。
（９）
前記第１金属層は、前記第２金属層よりも厚くなっている
（１）から（８）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１０）
前記第１金属層および前記第２金属層の総厚は、１５ｎｍ以上となっている
（９）に記載の発光装置。
（１１）
各前記有機電界発光部との位置関係で、前記光取出面とは反対側に、各前記有機電界発光部を駆動する駆動回路が形成された回路基板を更に備えた
（１）から（１０）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１２）
前記透明層は、透明導電体材料によって形成され、
前記第１金属層、前記透明層および前記第２金属層は、互いに電気的に接続されおり、前記光取出面側の電極として機能する
（１）から（１１）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１３）
前記透明層は、透明誘電体材料によって形成され、
前記第１金属層および前記第２金属層は、前記透明層を介して互いに電気的に分離されおり、
前記第２金属層が、前記光取出面側の電極として機能する
（１）から（１１）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１４）
前記有機発光層は印刷層である
（１）から（１３）のいずれか１つに記載の発光装置。

１…発光装置、２…表示装置、３…電子機器、１０Ｒ…赤色発光部、１０Ｇ…緑色発光部、１０Ｂ…青色発光部、１１…基板、１２，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ…電極層、１３Ｒ…赤色有機層、１３Ｇ…緑色有機層、１３Ｂ…青色有機層、１３１Ｒ…赤色発光層、１３１Ｇ…緑色発光層、１３１Ｂ…青色発光層、１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ…金属層、１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ…透明層、１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ…金属層、１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ…透明層、１８…画素、１８−１…画素回路、１８−２…有機電界発光部、１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ，１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ…透明層、２０…コントローラ、３０…ドライバ、３１…水平セレクタ、３２…ライトスキャナ、３１０…筐体、３２０…表示面、４１０…照明部、４２０…天井、４３０…壁、ＯＲ，ＯＧ，ＯＢ…発光中心、ＬＲ…赤色光、ＬＧ…緑色光、ＬＢ…青色光、Ｌａ１，Ｌａ２，Ｌａ３，Ｌａ４，Ｌａ５，Ｌｂ１，Ｌｂ２，Ｌｂ３，Ｌｂ４，Ｌｂ５，Ｌｃ１，Ｌｃ２，Ｌｃ３，Ｌｃ４，Ｌｃ５…光学距離、Ｓ１Ｒ，ＳｉＧ，Ｓ１Ｂ…第１反射界面、Ｓ２Ｒ，Ｓ２Ｇ，Ｓ２Ｂ…第２反射界面、Ｓ３Ｒ，Ｓ３Ｇ，Ｓ３Ｂ…第３反射界面、Ｓ４Ｒ，Ｓ４Ｇ，Ｓ４Ｂ…第４反射界面、Ｓ５Ｒ，Ｓ５Ｇ，Ｓ５Ｂ…第５反射界面、ＳＤＲ，ＳＤＧ，ＳＤＢ…光取出面。

Claims

第１反射層、有機発光層および第２反射層をこの順に含む複数の有機電界発光部と、
前記第２反射層を介して各前記有機電界発光部から発せられた光が取り出される光取出面と
を備え、
前記第２反射層は、第１金属層、透明層および第２金属層を前記有機発光層側からこの順に含み、
各前記有機電界発光部において、前記第１反射層の前記有機発光層側の第１反射界面と、前記第１金属層の前記有機発光層側の第２反射界面と、前記第２金属層の前記有機発光層側の第３反射界面とを含む構造によって、干渉構造が形成されている
発光装置。
前記第２反射界面と前記第３反射界面との光学距離は、対応する前記有機発光層から発せられる光の中心波長以下となっている
請求項１に記載の発光装置。
前記複数の有機電界発光部には、複数の第１有機電界発光部と、複数の第２有機電界発光部とが含まれ、
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記干渉構造は、以下の式（Ａ）〜（Ｆ）を満たすように構成されている
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
２Ｌａ１／λａ１＋φａ１／（２π）＝Ｎａ・・・（Ａ）
λａ−１５０＜λａ１＜λａ＋８０・・・（Ｂ）
２Ｌａ２／λａ２＋φａ２／（２π）＝Ｍａ・・・（Ｃ）
λａ−８０＜λａ２＜λａ＋８０・・・（Ｄ）
２Ｌａ３／λａ３＋φａ３／（２π）＝Ｋａ＋１/２・・・（Ｅ）
λａ−１５０＜λａ３＜λａ＋１５０・・・（Ｆ）
Ｌａ１：前記第１反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌａ２：前記第２反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌａ３：前記第３反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φａ１：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第１反射界面で反射する際の位相変化
φａ２：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第２反射界面で反射する際の位相変化
φａ３：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第３反射界面で反射する際の位相変化
λａ：前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λａ１：式（Ｂ）を満たす波長
λａ２：式（Ｄ）を満たす波長
λａ３：式（Ｆ）を満たす波長
Ｎａ，Ｍａ，Ｋａ：０以上の整数
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記干渉構造は、以下の式（Ｇ）〜（Ｌ）を満たすように構成されている
請求項３に記載の発光装置。
２Ｌｃ１／λｃ１＋φｃ１／（２π）＝Ｎｃ・・・（Ｇ）
λｃ−１５０＜λｃ１＜λｃ＋８０・・・（Ｈ）
２Ｌｃ２／λｃ２＋φｃ２／（２π）＝Ｍｃ・・・（Ｉ）
λｃ−８０＜λｃ２＜λｃ＋８０・・・（Ｊ）
２Ｌｃ３／λｃ３＋φｃ３／（２π）＝Ｋｃ・・・（Ｋ）
λｃ−１５０＜λｃ３＜λｃ＋１５０・・・（Ｌ）
Ｌｃ１：前記第１反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌｃ２：前記第２反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌｃ３：前記第３反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φｃ１：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第１反射界面で反射する際の位相変化
φｃ２：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第２反射界面で反射する際の位相変化
φｃ３：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第３反射界面で反射する際の位相変化
λｃ：前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λｃ１：式（Ｈ）を満たす波長
λｃ２：式（Ｊ）を満たす波長
λｃ３：式（Ｌ）を満たす波長
Ｎｃ，Ｍｃ，Ｋｃ：０以上の整数
前記複数の有機電界発光部には、第１波長帯で発光する複数の第１有機電界発光部と、前記第１波長帯よりも短波長の第２波長帯で発光する複数の第２有機電界発光部とが含まれ、
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記干渉構造は、前記第１反射界面および前記第２反射界面が前記第１波長帯および前記第２波長帯のそれぞれの光を強めるように構成され、前記第３反射界面が前記第１波長帯の光を弱めるとともに前記第２波長帯の光を強めるように構成されている
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。
前記複数の有機電界発光部には、複数の第１有機電界発光部と、複数の第２有機電界発光部とが含まれ、
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記干渉構造は、以下の式（Ｍ）〜（Ｒ）を満たすように構成されている
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
２Ｌａ１／λａ１＋φａ１／（２π）＝Ｎａ・・・（Ｍ）
λａ−１５０＜λａ１＜λａ＋８０・・・（Ｎ）
２Ｌａ２／λａ２＋φａ２／（２π）＝Ｍａ・・・（Ｏ）
λａ−８０＜λａ２＜λａ＋８０・・・（Ｐ）
２Ｌａ３／λａ３＋φａ３／（２π）＝Ｋａ・・・（Ｑ）
λａ−１５０＜λａ３＜λａ＋１５０・・・（Ｒ）
Ｌａ１：前記第１反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌａ２：前記第２反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌａ３：前記第３反射界面と、前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φａ１：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第１反射界面で反射する際の位相変化
φａ２：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第２反射界面で反射する際の位相変化
φａ３：前記第１有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第３反射界面で反射する際の位相変化
λａ：前記第１有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λａ１：式（Ｎ）を満たす波長
λａ２：式（Ｐ）を満たす波長
λａ３：式（Ｒ）を満たす波長
Ｎａ，Ｍａ，Ｋａ：０以上の整数
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記干渉構造は、以下の式（Ｓ）〜（Ｘ）を満たすように構成されている
請求項６に記載の発光装置。
２Ｌｃ１／λｃ１＋φｃ１／（２π）＝Ｎｃ・・・（Ｓ）
λｃ−１５０＜λｃ１＜λｃ＋８０・・・（Ｔ）
２Ｌｃ２／λｃ２＋φｃ２／（２π）＝Ｍｃ・・・（Ｕ）
λｃ−８０＜λｃ２＜λｃ＋８０・・・（Ｖ）
２Ｌｃ３／λｃ３＋φｃ３／（２π）＝Ｋｃ＋１/２・・・（Ｗ）
λｃ−１５０＜λｃ３＜λｃ＋１５０・・・（Ｘ）
Ｌｃ１：前記第１反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌｃ２：前記第２反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
Ｌｃ３：前記第３反射界面と、前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光中心との光学距離
φｃ１：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第１反射界面で反射する際の位相変化
φｃ２：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第２反射界面で反射する際の位相変化
φｃ３：前記第２有機電界発光部において、前記有機発光層から出射された光が前記第３反射界面で反射する際の位相変化
λｃ：前記第２有機電界発光部の前記有機発光層の発光スペクトルの中心波長
λｃ１：式（Ｔ）を満たす波長
λｃ２：式（Ｖ）を満たす波長
λｃ３：式（Ｘ）を満たす波長
Ｎｃ，Ｍｃ，Ｋｃ：０以上の整数
前記複数の有機電界発光部には、第１波長帯で発光する複数の第１有機電界発光部と、前記第１波長帯よりも短波長の第２波長帯で発光する複数の第２有機電界発光部とが含まれ、
各前記第１有機電界発光部および各前記第２有機電界発光部において、
前記干渉構造は、前記第１反射界面および前記第２反射界面が前記第１波長帯および前記第２波長帯のそれぞれの光を強めるように構成され、前記第３反射界面が前記第１波長帯の光を強めるとともに前記第２波長帯の光を弱めるように構成されている
請求項１、請求項２、請求項６および請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。
前記第１金属層は、前記第２金属層よりも厚くなっている
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。
前記第１金属層および前記第２金属層の総厚は、１５ｎｍ以上となっている
請求項９に記載の発光装置。
各前記有機電界発光部との位置関係で、前記光取出面とは反対側に、各前記有機電界発光部を駆動する駆動回路が形成された回路基板を更に備えた
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の発光装置。
前記透明層は、透明導電体材料によって形成され、
前記第１金属層、前記透明層および前記第２金属層は、互いに電気的に接続されおり、前記光取出面側の電極として機能する
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の発光装置。
前記透明層は、透明誘電体材料によって形成され、
前記第１金属層および前記第２金属層は、前記透明層を介して互いに電気的に分離されおり、
前記第２金属層が、前記光取出面側の電極として機能する
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の発光装置。
前記有機発光層は印刷層である
請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の発光装置。