JP6797676B2 - Coil parts - Google Patents

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Description

本発明は、絶縁体部とその内部に設けられたコイル部とを有するコイル部品に関する。 The present invention relates to a coil component having an insulator portion and a coil portion provided inside the insulator portion.

従来より、電子機器等にはコイル部品が搭載されており、特に携帯機器で使用されるコイル部品はチップ形状を呈し、携帯機器などに内蔵される回路基板上に表面実装される。従来技術の例として、例えば特許文献1には、硬化物からなる絶縁性樹脂の中に、少なくともその一端が外部電極に接続された螺旋状の導体が内蔵され、導体の螺旋の方向が実装した基板面と平行になるように形成されたチップコイルが開示されている。同様に特許文献2には、コイル状導体の軸心方向が基板面と平行となるように形成された積層型のコイル部品が開示されている。 Conventionally, coil components have been mounted on electronic devices and the like, and in particular, coil components used in portable devices have a chip shape and are surface-mounted on a circuit board built in the portable device or the like. As an example of the prior art, for example, in Patent Document 1, a spiral conductor having at least one end connected to an external electrode is built in an insulating resin made of a cured product, and the direction of the spiral of the conductor is mounted. A chip coil formed so as to be parallel to a substrate surface is disclosed. Similarly, Patent Document 2 discloses a laminated coil component formed so that the axial direction of the coiled conductor is parallel to the substrate surface.

さらに特許文献3には、樹脂からなる絶縁体と、絶縁体内に設けられたコイル状の内部導体と、内部導体と電気的に接続されている外部電極とを備え、絶縁体は、長さL、幅W、高さHの直方体状であり、L、W、HについてはL>W≧Hなる関係が成立し、外部電極は、絶縁体の高さ方向Hに垂直な一面において、長さ方向Lにみて上記一面の両端部近傍に、それぞれ1つずつ導体により形成され、内部導体は、絶縁体の幅方向Wと略平行なコイル軸を有するコイル部品が開示されている。 Further, Patent Document 3 includes an insulator made of resin, a coiled inner conductor provided in the insulator, and an external electrode electrically connected to the inner conductor, and the insulator has a length L. , Width W and height H are rectangular, and the relationship L> W ≧ H is established for L, W, and H, and the external electrode has a length on one surface perpendicular to the height direction H of the insulator. A coil component is disclosed in which one conductor is formed in the vicinity of both ends of the one surface in the direction L, and the inner conductor has a coil shaft substantially parallel to the width direction W of the insulator.

特開2006−324489号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-324489 特開2006−32430号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-32430 特開2014−232815号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-232815

近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、当該電子機器に搭載されるコイル部品の更なる小型化が進められている。しかしながら、コイル部品の小型化に伴い、コイル部品の特性の低下が顕著となる。このためコイル部品の小型化を図りつつ、特性要求を満足し得る技術が要求されている。 In recent years, as electronic devices have become smaller and thinner, coil components mounted on the electronic devices have been further miniaturized. However, as the coil components are miniaturized, the characteristics of the coil components are significantly deteriorated. Therefore, there is a demand for a technique that can satisfy the characteristic requirements while reducing the size of the coil parts.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、小型化を図りつつ高特性のコイル部品を提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a coil component having high characteristics while achieving miniaturization.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るコイル部品は、絶縁体部と、コイル部とを具備する。
上記絶縁体部は、第1の軸方向に幅方向、第2の軸方向に長さ方向、第3の軸方向に高さ方向を有し、非磁性材料で構成される。
上記コイル部は、上記第1の軸方向のまわりに巻回された周回部を有し、上記絶縁体部の内部に配置される。
上記絶縁体部の長さ寸法に対する高さ寸法の比率は、上記第2の軸方向に沿った上記周回部の内周部間の長さ寸法に対する上記第3の軸方向に沿った上記周回部の内周部間の高さ寸法の比率の1.5倍以下である。
In order to achieve the above object, the coil component according to one embodiment of the present invention includes an insulator portion and a coil portion.
The insulator portion has a width direction in the first axial direction, a length direction in the second axial direction, and a height direction in the third axial direction, and is made of a non-magnetic material.
The coil portion has a circumferential portion wound around the first axial direction, and is arranged inside the insulator portion.
The ratio of the height dimension to the length dimension of the insulator portion is the ratio of the height dimension along the second axial direction to the length dimension between the inner peripheral portions of the peripheral portion along the second axial direction. It is 1.5 times or less of the ratio of the height dimension between the inner peripheral parts of.

上記第2の軸方向に沿った上記周回部の内周部間の長さ寸法に対する上記第3の軸方向に沿った上記周回部の内周部間の高さ寸法の比率は、典型的には、0.6以上1.0以下である。 The ratio of the height dimension between the inner peripheral portions of the peripheral portion along the third axial direction to the length dimension between the inner peripheral portions of the peripheral portion along the second axial direction is typically. Is 0.6 or more and 1.0 or less.

上記第1の軸方向から見た上記絶縁体部の面積に対する上記周回部の内周部で区画される面積の比率は、典型的には、0.22以上0.45以下である。 The ratio of the area partitioned by the inner peripheral portion of the peripheral portion to the area of the insulating portion as viewed from the first axial direction is typically 0.22 or more and 0.45 or less.

上記絶縁体部は、典型的には、セラミックス又は樹脂材料から構成される。 The insulator portion is typically made of a ceramic or resin material.

上記第1の軸方向から見た上記絶縁体部の面積に対する上記周回部の内周部で区画される面積の比率は、0.22以上0.65以下である。 The ratio of the area partitioned by the inner peripheral portion of the peripheral portion to the area of the insulating portion as viewed from the first axial direction is 0.22 or more and 0.65 or less.

上記絶縁体部は、セラミックス又は樹脂材料から構成される。 The insulator portion is made of a ceramic or resin material.

上記絶縁体部は直方体形状を有してもよい。この場合、上記コイル部品は、上記コイル部と電気的に接続する、上記絶縁体部の1面にのみ配置された外部電極を更に具備する。 The insulator portion may have a rectangular parallelepiped shape. In this case, the coil component further includes an external electrode arranged only on one surface of the insulator portion, which is electrically connected to the coil portion.

上記コイル部と上記外部電極とは、上記コイル部の端部に接続する接続用ビア導体により電気的に接続されてもよい。 The coil portion and the external electrode may be electrically connected by a connecting via conductor connected to the end portion of the coil portion.

上記ビア導体の上記第3の軸に直交する断面は、上記コイル部の端部の上記第3の軸に直交する断面よりも大きい断面形状を有してもよい。 The cross section of the via conductor orthogonal to the third axis may have a cross section shape larger than the cross section of the end portion of the coil portion orthogonal to the third axis.

上記外部電極は、上記絶縁体部の上記1面に対向する内面部と、上記内面部に設けられ上記1面に没入する複数の突起部とを有してもよい。 The external electrode may have an inner surface portion of the insulator portion facing the one surface, and a plurality of protrusions provided on the inner surface portion and immersed in the one surface.

本発明によれば、小型化を図りつつ高特性のコイル部品を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a coil component having high characteristics while achieving miniaturization.

本発明の一実施形態に係る電子部品の概略透視斜視図である。It is a schematic perspective perspective view of the electronic component which concerns on one Embodiment of this invention. 上記電子部品の概略透視側面図である。It is a schematic perspective side view of the said electronic component. 上記電子部品の概略透視上面図である。It is a schematic perspective top view of the said electronic component. 上記電子部品の上下を反転して示す概略透視側面図である。It is a schematic perspective side view which shows the electronic component upside down. 上記電子部品を構成する各電極層の概略上面図である。It is a schematic top view of each electrode layer which comprises the said electronic component. 上記電子部品の基本製造フローを示す素子単位領域の概略断面図である。It is the schematic sectional drawing of the element unit area which shows the basic manufacturing flow of the said electronic component. 上記電子部品の基本製造フローを示す素子単位領域の概略断面図である。It is the schematic sectional drawing of the element unit area which shows the basic manufacturing flow of the said electronic component. 上記電子部品の基本製造フローを示す素子単位領域の概略断面図である。It is the schematic sectional drawing of the element unit area which shows the basic manufacturing flow of the said electronic component. コイル部品の高周波特性を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the high frequency characteristic of a coil component. 上記電子部品の各部の寸法を表記した概略側面図である。It is a schematic side view which showed the dimension of each part of the said electronic component. 上記電子部品の各部の寸法を表記した概略上面図である。It is the schematic top view which showed the dimension of each part of the said electronic component. 本発明の他の実施形態に係る電子部品の第1の構成例を示す概略透視斜視図及び外観斜視図である。It is a schematic perspective perspective view and the appearance perspective view which show the 1st structural example of the electronic component which concerns on other embodiment of this invention. 図12に示す電子部品の概略透視側面図及び外観側面図である。FIG. 12 is a schematic perspective side view and an external side view of the electronic component shown in FIG. 図12に示す電子部品の概略透視上面図である。It is a schematic perspective top view of the electronic component shown in FIG. 図12に示す電子部品の上下を反転して示す概略透視側面図である。It is a schematic perspective side view which shows the electronic component shown in FIG. 12 upside down. 図12に示す電子部品を構成する各電極層の概略上面図である。It is a schematic top view of each electrode layer constituting the electronic component shown in FIG. 上記電子部品の第2の構成例を示す概略透視斜視図である。It is a schematic perspective perspective view which shows the 2nd structural example of the said electronic component. 図17に示す電子部品の概略透視側面図である。It is a schematic perspective side view of the electronic component shown in FIG. 図17に示す電子部品の概略透視上面図である。It is a schematic perspective top view of the electronic component shown in FIG. 上記電子部品の第3の構成例を示す概略透視斜視図である。It is a schematic perspective perspective view which shows the 3rd structural example of the said electronic component. 図20に示す電子部品の概略透視側面図である。It is a schematic perspective side view of the electronic component shown in FIG. 図20に示す電子部品の概略透視上面図である。It is a schematic perspective top view of the electronic component shown in FIG. 本発明の一実施形態及びその変形例に係る電子部品の概略透視側面図である。It is a schematic perspective side view of the electronic component which concerns on one Embodiment of this invention and the modification. 上記第1の構成例に係る、サイドマージンを互いに異ならせた電子部品の概略透視側面図である。FIG. 5 is a schematic perspective side view of electronic components having side margins different from each other according to the first configuration example. 図23及び図24に示す各電子部品のインダクタンス(L値)特性を示す図である。It is a figure which shows the inductance (L value) characteristic of each electronic component shown in FIG. 23 and FIG. 図23及び図24に示す各電子部品のQ値特性を示す図である。It is a figure which shows the Q value characteristic of each electronic component shown in FIG. 23 and FIG. 本発明の実施形態に係る電子部品の構成の違いによる内部導体部の形成可能領域を比較する図である。It is a figure which compares the formable region of the internal conductor part by the difference of the structure of the electronic component which concerns on embodiment of this invention.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1の実施形態>
[基本構成]
図1は、本発明の一実施形態に係る電子部品の概略透視斜視図、図2はその概略透視側面図、図3はその概略透視上面図である。
なお、各図においてX軸、Y軸及びZ軸方向は相互に直交する3軸方向を示している。
<First Embodiment>
[Basic configuration]
FIG. 1 is a schematic perspective perspective view of an electronic component according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic perspective side view thereof, and FIG. 3 is a schematic perspective top view thereof.
In each figure, the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions indicate three axial directions that are orthogonal to each other.

本実施形態の電子部品100は、表面実装用のコイル部品として構成される。電子部品100は、絶縁体部10と、内部導体部20と、外部電極30とを備える。 The electronic component 100 of this embodiment is configured as a coil component for surface mounting. The electronic component 100 includes an insulator portion 10, an internal conductor portion 20, and an external electrode 30.

絶縁体部10は、天面101、底面102、第1の端面103、第2の端面104、第1の側面105及び第2の側面106を有し、X軸方向に幅方向、Y軸方向に長さ方向、Z軸方向に高さ方向を有する直方体形状に形成される。絶縁体部10は、例えば、幅寸法が0.05〜0.2mm、長さ寸法が0.1〜0.4mm、高さ寸法が0.05〜0.4mmに設計される。本実施形態において、幅寸法は約0.2mm、長さ寸法は約0.35mm、高さ寸法は約0.2mmである。 The insulator portion 10 has a top surface 101, a bottom surface 102, a first end surface 103, a second end surface 104, a first side surface 105, and a second side surface 106, and has a width direction and a Y-axis direction in the X-axis direction. It is formed in a rectangular parallelepiped shape having a length direction and a height direction in the Z-axis direction. The insulator portion 10 is designed, for example, to have a width dimension of 0.05 to 0.2 mm, a length dimension of 0.1 to 0.4 mm, and a height dimension of 0.05 to 0.4 mm. In the present embodiment, the width dimension is about 0.2 mm, the length dimension is about 0.35 mm, and the height dimension is about 0.2 mm.

絶縁体部10は、本体部11と天面部12とを有する。本体部11は、内部導体部20を内蔵し、絶縁体部10の主要部を構成する。天面部12は、絶縁体部10の天面101を構成する。天面部12は、例えば電子部品100の型番等を表示する印刷層として構成されてもよい。 The insulator portion 10 has a main body portion 11 and a top surface portion 12. The main body portion 11 incorporates an internal conductor portion 20 and constitutes a main portion of the insulator portion 10. The top surface portion 12 constitutes the top surface 101 of the insulator portion 10. The top surface portion 12 may be configured as a printing layer for displaying, for example, the model number of the electronic component 100.

本体部11及び天面部12は、樹脂を主体とする絶縁材料で構成される。本体部11を構成する絶縁材料としては、熱、光、化学反応等により硬化する樹脂が用いられ、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。一方、天面部12は、上記材料のほか、樹脂フィルム等で構成されてもよい。あるいは、絶縁体部10はガラス等のセラミックス材料で構成されてもよい。 The main body portion 11 and the top surface portion 12 are made of an insulating material mainly composed of resin. As the insulating material constituting the main body 11, a resin that is cured by heat, light, a chemical reaction, or the like is used, and examples thereof include polyimide, epoxy resin, and liquid crystal polymer. On the other hand, the top surface portion 12 may be made of a resin film or the like in addition to the above materials. Alternatively, the insulator portion 10 may be made of a ceramic material such as glass.

絶縁体部10は、樹脂中にフィラーを含む複合材料が用いられてもよい。フィラーとしては、典型的には、シリカ、アルミナ、ジルコニア等のセラミック粒子が挙げられる。セラミックス粒子の形状は特に限定されず、典型的には球状であるが、これに限られず、針状、鱗片状等であってもよい。 For the insulator portion 10, a composite material containing a filler in the resin may be used. Typical examples of the filler include ceramic particles such as silica, alumina, and zirconia. The shape of the ceramic particles is not particularly limited and is typically spherical, but the shape is not limited to this and may be needle-shaped, scaly-shaped, or the like.

内部導体部20は、絶縁体部10の内部に設けられる。内部導体部20は、複数の柱状導体21と、複数の連結導体22とを有し、これら複数の柱状導体21及び連結導体22とによりコイル部20Lが構成される。 The inner conductor portion 20 is provided inside the insulator portion 10. The inner conductor portion 20 has a plurality of columnar conductors 21 and a plurality of connecting conductors 22, and the coil portion 20L is composed of the plurality of columnar conductors 21 and the connecting conductors 22.

複数の柱状導体21は、Z軸方向に平行な軸心を有する略円柱形状に形成される。複数の柱状導体21は、概略Y軸方向に相互に対向する2つの導体群で構成される。このうち一方の導体群を構成する第1の柱状導体211は、X軸方向に所定の間隔をおいて配列され、他方の導体群を構成する第2の柱状導体212も同様に、X軸方向に所定の間隔をおいて配列される。 The plurality of columnar conductors 21 are formed in a substantially cylindrical shape having an axial center parallel to the Z-axis direction. The plurality of columnar conductors 21 are composed of two conductor groups facing each other in the substantially Y-axis direction. The first columnar conductors 211 forming one of the conductor groups are arranged at predetermined intervals in the X-axis direction, and the second columnar conductors 212 forming the other conductor group are also arranged in the X-axis direction. Are arranged at predetermined intervals.

なお、略円柱形状とは、軸直方向(軸心に垂直な方向)の断面形状が円形である柱体のほか、上記断面形状が楕円形または長円形である柱体をも含み、楕円形または長円形としては、例えば、長軸/短軸の比が3以下のものを意味する。 The substantially cylindrical shape includes not only a pillar having a circular cross-sectional shape in the direction perpendicular to the axis (direction perpendicular to the axis) but also a pillar having an elliptical or oval cross-sectional shape. Alternatively, the oval means, for example, a major axis / minor axis ratio of 3 or less.

第1及び第2の柱状導体211,212は、それぞれ同一径及び同一高さで構成される。図示の例において第1及び第2の柱状導体211,212は、それぞれ5本ずつ設けられている。後述するように、第1及び第2の柱状導体211,212は、複数のビア導体をZ軸方向に積層することで構成される。 The first and second columnar conductors 211 and 212 have the same diameter and the same height, respectively. In the illustrated example, five first and second columnar conductors 211 and 212 are provided, respectively. As will be described later, the first and second columnar conductors 211 and 212 are configured by laminating a plurality of via conductors in the Z-axis direction.

なお、略同一径とは、抵抗の増加を抑制するためのもので、同一方向で見た寸法のバラツキが例えば10%以内に収まっていることをいい、略同一高さとは、各層の積み上げ精度を確保するためのもので、高さのバラツキが例えば±1μmの範囲に収まっていることをいう。 It should be noted that the substantially same diameter is for suppressing an increase in resistance, and means that the variation in dimensions when viewed in the same direction is within, for example, 10%. Approximately the same height means the stacking accuracy of each layer. It means that the height variation is within the range of ± 1 μm, for example.

複数の連結導体22は、XY平面に平行に形成され、Z軸方向に相互に対向する2つの導体群で構成される。このうち一方の導体群を構成する第1の連結導体221は、Y軸方向に沿って延び、X軸方向に間隔をおいて配列され、第1及び第2の柱状導体211,212の間を個々に接続する。他方の導体群を構成する第2の連結導体222は、Y軸方向に対して所定角度傾斜して延び、X軸方向に間隔をおいて配列され、第1及び第2の柱状導体211,212の間を個々に接続する。図示の例において、第1の連結導体221は5つの連結導体で構成され、第2の連結導体222は4つの連結導体で構成される。 The plurality of connecting conductors 22 are formed parallel to the XY plane and are composed of two conductor groups facing each other in the Z-axis direction. The first connecting conductors 221 constituting one of the conductor groups extend along the Y-axis direction and are arranged at intervals in the X-axis direction, and are arranged between the first and second columnar conductors 211 and 212. Connect individually. The second connecting conductor 222 constituting the other conductor group extends at a predetermined angle with respect to the Y-axis direction and is arranged at intervals in the X-axis direction, and the first and second columnar conductors 211 and 212 are arranged. Connect individually between. In the illustrated example, the first connecting conductor 221 is composed of five connecting conductors and the second connecting conductor 222 is composed of four connecting conductors.

図1において、第1の連結導体221は、所定の一組の柱状導体211,212の上端に接続され、第2の連結導体222は、所定の一組の柱状導体211,212の下端に接続される。より詳細には、第1及び第2の柱状導体211,212と第1及び第2の連結導体221,222は、コイル部20Lの周回部Cn(C1〜C5)を構成し、これら周回部CnがX軸方向のまわりに矩形の螺旋を描くように相互に接続される。これにより、絶縁体部10の内部において、X軸方向に軸心(コイル軸)を有する開口形状が矩形のコイル部20Lが形成される。 In FIG. 1, the first connecting conductor 221 is connected to the upper end of a predetermined set of columnar conductors 211 and 212, and the second connecting conductor 222 is connected to the lower end of a predetermined set of columnar conductors 211 and 212. Will be done. More specifically, the first and second columnar conductors 211 and 212 and the first and second connecting conductors 221 and 222 form the peripheral portions Cn (C1 to C5) of the coil portion 20L, and these peripheral portions Cn. Are connected to each other in a rectangular spiral around the X-axis. As a result, inside the insulator portion 10, a coil portion 20L having an axial center (coil shaft) in the X-axis direction and having a rectangular opening shape is formed.

本実施形態において周回部Cnは、5つの周回部C1〜C5で構成される。各周回部C1〜C5の開口形状は、それぞれ概略同一の形状に形成される。 In the present embodiment, the peripheral portion Cn is composed of five peripheral portions C1 to C5. The opening shapes of the peripheral portions C1 to C5 are formed to have substantially the same shape.

内部導体部20は、引出し部23と、櫛歯ブロック部24とをさらに有し、これらを介してコイル部20Lが外部電極30(31,32)へ接続される。 The inner conductor portion 20 further includes a drawer portion 23 and a comb tooth block portion 24, through which the coil portion 20L is connected to the external electrodes 30 (31, 32).

引出し部23は、第1の引出し部231と、第2の引出し部232とを有する。第1の引出し部231は、コイル部20Lの一端を構成する第1の柱状導体211の下端に接続され、第2の引出し部232は、コイル部20Lの他端を構成する第2の柱状導体212の下端に接続される。第1及び第2の引出し部231,232は、第2の連結導体222と同一のXY平面上に配置されており、Y軸方向に平行に形成される。 The drawer unit 23 has a first drawer unit 231 and a second drawer unit 232. The first drawer portion 231 is connected to the lower end of the first columnar conductor 211 forming one end of the coil portion 20L, and the second drawer portion 232 is the second columnar conductor forming the other end of the coil portion 20L. It is connected to the lower end of 212. The first and second drawer portions 231 and 232 are arranged on the same XY plane as the second connecting conductor 222, and are formed parallel to the Y-axis direction.

櫛歯ブロック部24は、Y軸方向に相互に対向するように配置された第1及び第2の櫛歯ブロック部241,242を有する。第1及び第2の櫛歯ブロック部241,242は、各々の櫛歯部の先端を図1において上方へ向けて配置される。絶縁体部10の両端面103,104及び底面102には、櫛歯ブロック部241,242の一部が露出している。第1及び第2の櫛歯ブロック部241,242各々の所定の櫛歯部の間には、第1及び第2の引出し部231,232がそれぞれ接続される(図3参照)。第1及び第2の櫛歯ブロック部241,242各々の底部には、外部電極30の下地層を構成する導体層301,302がそれぞれ設けられる(図2参照)。 The comb tooth block portion 24 has first and second comb tooth block portions 241,242 arranged so as to face each other in the Y-axis direction. The first and second comb tooth block portions 241,242 are arranged with the tips of the respective comb tooth portions facing upward in FIG. A part of the comb tooth block portions 241,242 is exposed on both end faces 103 and 104 and the bottom surface 102 of the insulator portion 10. The first and second drawer portions 231 and 232 are connected between the predetermined comb tooth portions of the first and second comb tooth block portions 241,242 (see FIG. 3). Conductor layers 301 and 302 forming the base layer of the external electrode 30 are provided on the bottoms of the first and second comb tooth block portions 241,242, respectively (see FIG. 2).

外部電極30は、表面実装用の外部端子を構成し、Y軸方向に相互に対向する第1及び第2の外部電極31,32を有する。第1及び第2の外部電極31,32は、絶縁体部10の外面の所定領域に形成される。 The external electrode 30 constitutes an external terminal for surface mounting, and has first and second external electrodes 31 and 32 facing each other in the Y-axis direction. The first and second external electrodes 31 and 32 are formed in a predetermined region on the outer surface of the insulator portion 10.

より具体的に、第1及び第2の外部電極31,32は、図2に示すように、絶縁体層10の底面102のY軸方向両端部を被覆する第1の部分30Aと、絶縁体層10の両端面103,104を所定の高さにわたって被覆する第2の部分30Bとを有する。第1の部分30Aは、導体層301,302を介して第1及び第2の櫛歯ブロック部241,242の底部に電気的に接続される。第2の部分30Bは、第1及び第2の櫛歯ブロック部241,242の櫛歯部を被覆するように絶縁体層10の端面103,104に形成される。 More specifically, as shown in FIG. 2, the first and second external electrodes 31 and 32 have an insulator and a first portion 30A that covers both ends of the bottom surface 102 of the insulator layer 10 in the Y-axis direction. It has a second portion 30B that covers both end faces 103 and 104 of the layer 10 over a predetermined height. The first portion 30A is electrically connected to the bottoms of the first and second comb tooth block portions 241,242 via the conductor layers 301 and 302. The second portion 30B is formed on the end faces 103 and 104 of the insulator layer 10 so as to cover the comb tooth portions of the first and second comb tooth block portions 241,242.

柱状導体21、連結導体22、引出し部23、櫛歯ブロック部24及び導体層301,302は、例えば、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Ni(ニッケル)等の金属材料で構成され、本実施形態ではいずれも銅又はその合金のめっき層で構成される。第1及び第2の外部電極31,32は、例えばNi/Snめっきで構成される。 The columnar conductor 21, the connecting conductor 22, the drawer portion 23, the comb tooth block portion 24, and the conductor layers 301 and 302 are made of a metal material such as Cu (copper), Al (aluminum), or Ni (nickel). In the embodiment, each is composed of a plating layer of copper or an alloy thereof. The first and second external electrodes 31 and 32 are composed of, for example, Ni / Sn plating.

図4は、電子部品100の上下を反転して示す概略透視側面図である。電子部品100は、図4に示すように、フィルム層L1と、複数の電極層L2〜L6の積層体で構成される。本実施形態では、天面101から底面102に向けてフィルム層L1及び電極層L2〜L6をZ軸方向に順次積層することで作製される。層の数は特に限定されず、ここでは6層として説明する。 FIG. 4 is a schematic perspective side view showing the electronic component 100 upside down. As shown in FIG. 4, the electronic component 100 is composed of a film layer L1 and a laminate of a plurality of electrode layers L2 to L6. In the present embodiment, the film layer L1 and the electrode layers L2 to L6 are sequentially laminated in the Z-axis direction from the top surface 101 to the bottom surface 102. The number of layers is not particularly limited and will be described here as 6 layers.

フィルム層L1及び電極層L2〜L6は、当該各層を構成する絶縁体部10及び内部導体部20の要素を含む。図5A〜Fはそれぞれ、図4におけるフィルム層L1及び電極層L2〜L6の概略上面図である。 The film layer L1 and the electrode layers L2 to L6 include elements of the insulator portion 10 and the inner conductor portion 20 constituting the respective layers. 5A to 5F are schematic top views of the film layer L1 and the electrode layers L2 to L6 in FIG. 4, respectively.

フィルム層L1は、絶縁体部10の天面101を形成する天面部12で構成される(図5A)。電極層L2は、絶縁体部10(本体部11)の一部を構成する絶縁層110(112)と、第1の連結導体221とを含む(図5B)。電極層L3は、絶縁層110(113)と、柱状導体211,212の一部を構成するビア導体V1とを含む(図5C)。電極層L4は、絶縁層110(114)、ビア導体V1のほか、櫛歯ブロック部241,242の一部を構成するビア導体V2を含む(図5D)。電極層L5は、絶縁層110(115)、ビア導体V1,V2のほか、引出し部231,232や第2の連結導体222を含む(図5E)。そして、電極層L6は、絶縁層110(116)と、ビア導体V2とを含む(図5F)。 The film layer L1 is composed of a top surface portion 12 forming a top surface 101 of the insulator portion 10 (FIG. 5A). The electrode layer L2 includes an insulating layer 110 (112) forming a part of the insulator portion 10 (main body portion 11) and a first connecting conductor 221 (FIG. 5B). The electrode layer L3 includes an insulating layer 110 (113) and a via conductor V1 forming a part of columnar conductors 211 and 212 (FIG. 5C). The electrode layer L4 includes an insulating layer 110 (114), a via conductor V1, and a via conductor V2 forming a part of comb tooth block portions 241,242 (FIG. 5D). The electrode layer L5 includes an insulating layer 110 (115), via conductors V1 and V2, drawer portions 231 and 232, and a second connecting conductor 222 (FIG. 5E). The electrode layer L6 includes an insulating layer 110 (116) and a via conductor V2 (FIG. 5F).

電極層L2〜L6は、接合面S1〜S4(図4)を介して高さ方向に積層される。したがって各絶縁層110やビア導体V1,V2は、同じく高さ方向に境界部を有する。そして電子部品100は、各電極層L2〜L6を、電極層L2から順に作製しながら積層するビルドアップ工法により製造される。 The electrode layers L2 to L6 are laminated in the height direction via the joint surfaces S1 to S4 (FIG. 4). Therefore, each of the insulating layers 110 and the via conductors V1 and V2 also have a boundary portion in the height direction. The electronic component 100 is manufactured by a build-up method in which the electrode layers L2 to L6 are laminated while being manufactured in order from the electrode layer L2.

[基本製造プロセス]
続いて、電子部品100の基本製造プロセスについて説明する。電子部品100は、ウェハレベルで複数個同時に作製され、作製後に素子毎に個片化(チップ化)される。
[Basic manufacturing process]
Subsequently, the basic manufacturing process of the electronic component 100 will be described. A plurality of electronic components 100 are simultaneously manufactured at the wafer level, and after manufacturing, each element is individualized (chips).

図6〜図8は、電子部品100の製造工程の一部を説明する素子単位領域の概略断面図である。具体的な製造方法としては、支持基板S上に天面部12を構成する樹脂フィルム12A(フィルム層L1)が貼着され、その上に電極層L2〜L6が順次作製される。支持基板Sには、例えば、シリコン、ガラス、あるいはサファイア基板が用いられる。典型的には、内部導体部20を構成する導体パターンを電気めっき法により作製し、その導体パターンを絶縁性樹脂材料で被覆して絶縁層110を作製する工程が繰り返し実施される。 6 to 8 are schematic cross-sectional views of an element unit region for explaining a part of the manufacturing process of the electronic component 100. As a specific manufacturing method, a resin film 12A (film layer L1) constituting the top surface portion 12 is attached to the support substrate S, and electrode layers L2 to L6 are sequentially produced on the resin film 12A (film layer L1). For the support substrate S, for example, silicon, glass, or a sapphire substrate is used. Typically, a step of producing a conductor pattern constituting the internal conductor portion 20 by an electroplating method and coating the conductor pattern with an insulating resin material to produce an insulating layer 110 is repeatedly performed.

図6及び図7は、電極層L3の製造工程を示している。 6 and 7 show the manufacturing process of the electrode layer L3.

この工程では、まず、電極層L2の表面に電気めっきのためのシード層(給電層)SL1が例えばスパッタ法等により形成される(図6A)。シード層SL1は導電性材料であれば特に限定されず、例えば、Ti(チタン)又はCr(クロム)で構成される。電極層L2は、絶縁層112と、連結導体221とを含む。連結導体221は、樹脂フィルム12Aと接するように絶縁層112の下面に設けられる。 In this step, first, a seed layer (feeding layer) SL1 for electroplating is formed on the surface of the electrode layer L2 by, for example, a sputtering method (FIG. 6A). The seed layer SL1 is not particularly limited as long as it is a conductive material, and is composed of, for example, Ti (titanium) or Cr (chromium). The electrode layer L2 includes an insulating layer 112 and a connecting conductor 221. The connecting conductor 221 is provided on the lower surface of the insulating layer 112 so as to be in contact with the resin film 12A.

続いて、シード層SL1の上にレジスト膜R1が形成される(図6B)。レジスト膜R1に対する露光、現像等の処理が順に行われることで、シード層SL1を介して、柱状導体21(211,212)の一部を構成するビア導体V13に対応する複数の開口部P1を有するレジストパターンが形成される(図6C)。その後、開口部P1内のレジスト残渣を除去するデスカム処理が行われる(図6D)。 Subsequently, a resist film R1 is formed on the seed layer SL1 (FIG. 6B). By sequentially performing treatments such as exposure and development on the resist film R1, a plurality of openings P1 corresponding to the via conductor V13 forming a part of the columnar conductor 21 (211,212) are formed via the seed layer SL1. The resist pattern to have is formed (FIG. 6C). After that, a death come treatment is performed to remove the resist residue in the opening P1 (FIG. 6D).

続いて、支持基板SがCuめっき浴に浸漬され、シード層SL1への電圧印加によって開口部P1内にCuめっき層からなる複数のビア導体V13が形成される(図6E)。そして、レジスト膜R1及びシード層SL1が除去された後(図7A)、ビア導体V13を被覆する絶縁層113が形成される(図7B)。絶縁層113は、樹脂材料を電極層L2の上に印刷、塗布、あるいは樹脂フィルムを貼着した後、硬化させる。硬化後、CMP(化学的機械的研磨装置)やグラインダ等の研磨装置を用いて、ビア導体V13の先端が露出するまで絶縁層113の表面が研磨される(図7C)。図7Cは、一例として、支持基板Sがその上下を反転して自転可能な研磨ヘッドHにセットされ、公転する研磨パッドPで絶縁層113の研磨処理(CMP)が行われている様子を示している。
以上のようにして、電極層L2の上に電極層L3が作製される(図7D)。
Subsequently, the support substrate S is immersed in the Cu plating bath, and a plurality of via conductors V13 made of the Cu plating layer are formed in the opening P1 by applying a voltage to the seed layer SL1 (FIG. 6E). Then, after the resist film R1 and the seed layer SL1 are removed (FIG. 7A), the insulating layer 113 covering the via conductor V13 is formed (FIG. 7B). The insulating layer 113 is cured after printing, coating, or attaching a resin film on the electrode layer L2. After curing, the surface of the insulating layer 113 is polished using a polishing device such as a CMP (chemical mechanical polishing device) or a grinder until the tip of the via conductor V13 is exposed (FIG. 7C). FIG. 7C shows, as an example, a state in which the support substrate S is set on the polishing head H that can rotate upside down, and the insulating layer 113 is polished (CMP) by the revolving polishing pad P. ing.
As described above, the electrode layer L3 is produced on the electrode layer L2 (FIG. 7D).

なお、絶縁層112の形成方法について記載を省略したが、典型的には、絶縁層112もまた、絶縁層113と同様に印刷、塗布、あるいは貼着した後、硬化させ、CMP(化学的機械的研磨装置)やグラインダ等により研磨を行う方法で作製される。 Although the description of the method of forming the insulating layer 112 has been omitted, typically, the insulating layer 112 is also printed, coated, or affixed in the same manner as the insulating layer 113, and then cured to be CMP (chemical mechanical). It is manufactured by a method of polishing with a target polishing device) or a grinder.

以後同様にして、電極層L3の上に電極層L4が作製される。 After that, the electrode layer L4 is produced on the electrode layer L3 in the same manner.

まず、電極層L3の絶縁層113(第2の絶縁層)上に、複数のビア導体V13(第1のビア導体)と接続される複数のビア導体(第2のビア導体)が形成される。すなわち、上記第2の絶縁層の表面に上記第1のビア導体の表面を被覆するシード層が形成され、上記シード層の上に、上記第1のビア導体の表面に対応する領域が開口するレジストパターンが形成され、上記レジストパターンをマスクとする電気メッキ法により上記第2のビア導体が形成される。続いて、上記第2の絶縁層上に、上記第2のビア導体を被覆する第3の絶縁層が形成される。その後、上記第2のビア導体の先端が露出するまで上記第3の絶縁層の表面が研磨される。 First, on the insulating layer 113 (second insulating layer) of the electrode layer L3, a plurality of via conductors (second via conductors) connected to the plurality of via conductors V13 (first via conductors) are formed. .. That is, a seed layer covering the surface of the first via conductor is formed on the surface of the second insulating layer, and a region corresponding to the surface of the first via conductor opens on the seed layer. A resist pattern is formed, and the second via conductor is formed by an electroplating method using the resist pattern as a mask. Subsequently, a third insulating layer covering the second via conductor is formed on the second insulating layer. Then, the surface of the third insulating layer is polished until the tip of the second via conductor is exposed.

なお、上記第2のビア導体の形成工程においては、櫛歯ブロック部24(241,242)の一部を構成するビア導体V2もまた同時に形成される(図4、図5D参照)。この場合、上記レジストパターンとして、上記第2のビア導体の形成領域のほか、ビア導体V2の形成領域が開口するレジストパターンが形成される。 In the second via conductor forming step, the via conductor V2 forming a part of the comb tooth block portion 24 (241,242) is also formed at the same time (see FIGS. 4 and 5D). In this case, as the resist pattern, in addition to the formation region of the second via conductor, a resist pattern in which the formation region of the via conductor V2 opens is formed.

図8A〜Dは、電極層L5の製造工程の一部を示している。 8A to 8D show a part of the manufacturing process of the electrode layer L5.

ここでもまず、電極層L4の表面に、電気めっき用のシード層SL3と、開口部P2,P3を有するレジストパターン(レジスト膜R3)とが順に形成される(図8A)。その後、開口部P2,P3内のレジスト残渣を除去するデスカム処理が行われる(図8B)。 Here, too, first, a seed layer SL3 for electroplating and a resist pattern (resist film R3) having openings P2 and P3 are sequentially formed on the surface of the electrode layer L4 (FIG. 8A). After that, a death come treatment is performed to remove the resist residue in the openings P2 and P3 (FIG. 8B).

電極層L4は、絶縁層114と、ビア導体V14,V24とを有する。ビア導体V14は、柱状導体21(211,212)の一部を構成するビア(V1)に相当し、ビア導体V24は櫛歯ブロック部24(241,242)の一部を構成するビア(V2)に相当する(図5C,D参照)。開口部P2は、シード層SL3を介して電極層L4内のビア導体V14と対向し、開口部P3は、シード層SL3を介して電極層L4内のビア導体V24と対向する。開口部P2は、各連結導体222に対応する形状に形成される。 The electrode layer L4 has an insulating layer 114 and via conductors V14 and V24. The via conductor V14 corresponds to a via (V1) forming a part of the columnar conductor 21 (211,212), and the via conductor V24 is a via (V2) forming a part of the comb tooth block portion 24 (241,242). ) (See FIGS. 5C and 5D). The opening P2 faces the via conductor V14 in the electrode layer L4 via the seed layer SL3, and the opening P3 faces the via conductor V24 in the electrode layer L4 via the seed layer SL3. The opening P2 is formed in a shape corresponding to each connecting conductor 222.

続いて、支持基板SがCuめっき浴に浸漬され、シード層SL3への電圧印加によって開口部P2,P3内にCuめっき層からなるビア導体V25と連結導体222とがそれぞれ形成される(図8C)。ビア導体V25は、櫛歯ブロック部24(241,242)の一部を構成するビア(V2)に相当する。 Subsequently, the support substrate S is immersed in the Cu plating bath, and the via conductor V25 and the connecting conductor 222 made of the Cu plating layer are formed in the openings P2 and P3 by applying a voltage to the seed layer SL3 (FIG. 8C). ). The via conductor V25 corresponds to a via (V2) forming a part of the comb tooth block portion 24 (241,242).

続いて、レジスト膜R3及びシード層SL3が除去され、ビア導体V25と連結導体222とを被覆する絶縁層115が形成される(図8D)。その後図示せずとも、ビア導体V25の先端が露出するまで絶縁層115の表面が研磨され、さらにシード層の形成、レジストパターンの形成、電気めっき処理等の工程を繰り返すことで、図4及び図5Eに示す電極層L5が作製される。 Subsequently, the resist film R3 and the seed layer SL3 are removed to form an insulating layer 115 that covers the via conductor V25 and the connecting conductor 222 (FIG. 8D). After that, even if not shown, the surface of the insulating layer 115 is polished until the tip of the via conductor V25 is exposed, and the steps of forming the seed layer, forming the resist pattern, electroplating, etc. are repeated to obtain FIGS. The electrode layer L5 shown in 5E is produced.

その後、絶縁層115の表面(底面102)に露出する櫛歯ブロック部24(241,242)に導体層301,302が形成された後、第1及び第2の外部電極31,32がそれぞれ形成される。 After that, the conductor layers 301 and 302 are formed on the comb tooth block portions 24 (241, 242) exposed on the surface (bottom surface 102) of the insulating layer 115, and then the first and second external electrodes 31 and 32 are formed, respectively. Will be done.

[本実施形態の構造]
近年における部品の小型化に伴い、コイル特性の確保が困難になる傾向にある。すなわちコイル部品の特性は、内蔵するコイル部の大きさ、形状等に大きく依存し、典型的には、コイル部の開口が大きいほど高いインダクタンス特性が得られる。
しかしながら、部品の小型化により絶縁体部の大きさに制約が生じ、その結果、コイル部の有効面積が減少し、インダクタンス特性の低下を招くことになる。
そこで本実施形態では、コイル部の開口の寸法比率を最適化することで、小型化を図りつつ、コイル部品の高特性化を図るようにしている。
[Structure of the present embodiment]
With the miniaturization of parts in recent years, it tends to be difficult to secure coil characteristics. That is, the characteristics of the coil component largely depend on the size, shape, etc. of the built-in coil portion, and typically, the larger the opening of the coil portion, the higher the inductance characteristic can be obtained.
However, the miniaturization of parts causes restrictions on the size of the insulator portion, and as a result, the effective area of the coil portion is reduced, resulting in a decrease in inductance characteristics.
Therefore, in the present embodiment, by optimizing the dimensional ratio of the opening of the coil portion, the characteristics of the coil component are improved while the size is reduced.

図9A〜Cは、コイル部品の高周波特性を説明する模式図である。図9Aに示すコイル部品200は、直方体形状の絶縁体部210と、その内部に配置されたコイル部220Cとを有する。ここでは理解を容易にするため、コイル部220Cの周回部Cnを斜線(ハッチング)が施された単純な矩形環状領域で表すものとする(図10においても同様)。なお符号230は外部電極である。 9A to 9C are schematic views for explaining the high frequency characteristics of the coil component. The coil component 200 shown in FIG. 9A has a rectangular parallelepiped-shaped insulator portion 210 and a coil portion 220C arranged inside the insulator portion 210. Here, in order to facilitate understanding, the peripheral portion Cn of the coil portion 220C is represented by a simple rectangular annular region provided with diagonal lines (hatching) (the same applies to FIG. 10). Reference numeral 230 is an external electrode.

コイル部品の典型的な小型化手法では、絶縁体部210が低背化し、このため周回部Cnの上辺側(以下、A側という)と下辺側(以下、B側という)とが相互に接近する。周回部CnのA側とB側とが接近すると、A側とB側とで形成される磁束(磁界)間の影響が大きくなる。すなわち図9Bに示すように、A側に流れる電流IAで形成される磁束ΦAは、B側に流れる電流IBで形成されるΦBと逆向きであるため、A側とB側とが接近するほど磁束ΦAと磁束ΦBとの相互干渉(打ち消し合い)が大きくなる。その結果、周回部Cnの開口全体の磁束ΦTも小さくなり、設計通りのインダクタンスを得ることができなくなる。 In a typical miniaturization method for coil parts, the height of the insulator portion 210 is lowered, so that the upper side (hereinafter referred to as A side) and the lower side (hereinafter referred to as B side) of the peripheral portion Cn are close to each other. To do. When the A side and the B side of the orbiting portion Cn come close to each other, the influence between the magnetic fluxes (magnetic fields) formed on the A side and the B side becomes large. That is, as shown in FIG. 9B, the magnetic flux ΦA formed by the current IA flowing on the A side is in the opposite direction to the ΦB formed by the current IB flowing on the B side, so that the closer the A side and the B side are, the closer they are. Mutual interference (cancellation) between the magnetic flux ΦA and the magnetic flux ΦB becomes large. As a result, the magnetic flux ΦT of the entire opening of the peripheral portion Cn also becomes small, and the inductance as designed cannot be obtained.

そこで本実施形態では図9Cに示すように、A側とB側との間の距離を大きくすることで、双方において形成される磁束ΦA、ΦBの相互干渉を抑制し、周回部Cn全体の磁束ΦTを大きくして、インダクタンスを高くするようにしている。また、インダクタンスを高くできるということは同時に線路長を短くすることができることにつながり、その結果、抵抗が低く抑えられることからQ値を高くすることができるようになる。 Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 9C, by increasing the distance between the A side and the B side, mutual interference between the magnetic fluxes ΦA and ΦB formed on both sides is suppressed, and the magnetic flux of the entire peripheral portion Cn is suppressed. The ΦT is increased to increase the inductance. Further, the fact that the inductance can be increased leads to the fact that the line length can be shortened at the same time, and as a result, the resistance can be suppressed to be low, so that the Q value can be increased.

周回部CnのA側及びB側の離間距離は、絶縁体部210の高背化で実現することができる。これにより、コイル部品の実装面積が大きくなることはないため、コイル部品の小型化を図りつつ、コイル特性の向上が図れることになる。 The separation distance between the A side and the B side of the peripheral portion Cn can be realized by increasing the height of the insulator portion 210. As a result, the mounting area of the coil component does not increase, so that the coil characteristics can be improved while reducing the size of the coil component.

上記典型的な小型化手法が用いられたコイル部品200では、チップ部品の外形寸法の制約から、周回部の開口(コア)に当たる導体内周面の寸法比率(hd/ld)が小さくならざるをえなかった(図9A参照)。これに対して本実施形態では、チップ部品の外形寸法から見直し、絶縁体部10の大きさ(部品体積)を変えることなく、寸法比率(hd/ld)を大きくしたことを特徴としている。これにより、効率よくインダクタンスを高くすることができ、結果としてQ値の高いコイル部品を得ることができる。 In the coil component 200 in which the above typical miniaturization method is used, the dimensional ratio (hd / ld) of the inner peripheral surface of the conductor corresponding to the opening (core) of the peripheral portion must be reduced due to the restriction of the external dimensions of the chip component. No (see FIG. 9A). On the other hand, the present embodiment is characterized in that the external dimensions of the chip parts are reviewed and the dimensional ratio (hd / ld) is increased without changing the size (part volume) of the insulator portion 10. As a result, the inductance can be increased efficiently, and as a result, a coil component having a high Q value can be obtained.

具体的に本実施形態のコイル部品100は、図10に示すように、絶縁体部10の長さ寸法(La)に対する高さ寸法(Ha)の比率(Ha/La)は、Y軸方向に沿った周回部Cnの内周部間の長さ寸法(ld)に対するZ軸方向に沿った周回部Cnの内周部間の高さ寸法(hd)の比率(hd/ld)の1.5倍以下となるように構成される。これにより、コイル部品100のQ値を効率良く高めることができる。 Specifically, in the coil component 100 of the present embodiment, as shown in FIG. 10, the ratio (Ha / La) of the height dimension (Ha) to the length dimension (La) of the insulator portion 10 is in the Y-axis direction. 1.5 of the ratio (hd / ld) of the height dimension (hd) between the inner circumferences of the circumference Cn along the Z-axis direction to the length dimension (ld) between the inner circumferences of the circumference Cn along It is configured to be less than double. As a result, the Q value of the coil component 100 can be efficiently increased.

ここで、「Y軸方向に沿った周回部Cnの内周部間の長さ寸法(ld)」は、当該周回部Cnを構成する第1及び第2の柱状導体211,212の対向面間の距離をYZ平面に投影したY軸方向に関する長さをいう。
また、「Z軸方向に沿った周回部Cnの内周部間の高さ寸法(hd)」は、当該周回部Cnを構成する第1及び第2の連結導体221,222の対向面間の距離をYZ平面に投影したZ軸方向に関する長さをいう。
寸法の測定については、Z軸方向(高さ方向)から絶縁体の高さ方向の中心を通る面まで断面研磨、ミリングを行い、走査型電子顕微鏡(SEM)による200倍程度の観察により、第1の柱状導体211と第2の柱状導体212の間隔を測定し、周回部Cnの内周部間の長さ寸法(ld)とする。また、X軸方向(幅方向)から絶縁体部の幅方向の中心を通る面まで断面研磨、ミリングを行い、第1の連結導体221と第2の連結導体222の間隔をSEMにより測定し、周回部Cnの内周部間の高さ寸法(hd)とする。他の部分の寸法測定についても、それぞれ上記の観察試料を用いて行う。
Here, the "length dimension (ld) between the inner peripheral portions of the peripheral portion Cn along the Y-axis direction" is the distance between the facing surfaces of the first and second columnar conductors 211 and 212 constituting the peripheral portion Cn. The length of the distance in the Y-axis direction projected onto the YZ plane.
Further, the "height dimension (hd) between the inner peripheral portions of the peripheral portion Cn along the Z-axis direction" is defined as the distance between the facing surfaces of the first and second connecting conductors 211 and 222 constituting the peripheral portion Cn. The length in the Z-axis direction in which the distance is projected onto the YZ plane.
Regarding the measurement of dimensions, cross-section polishing and milling are performed from the Z-axis direction (height direction) to the surface passing through the center of the insulator in the height direction, and the observation with a scanning electron microscope (SEM) is performed at a magnification of about 200 times. The distance between the columnar conductor 211 of 1 and the second columnar conductor 212 is measured and used as the length dimension (ld) between the inner peripheral portions of the peripheral portion Cn. Further, cross-section polishing and milling are performed from the X-axis direction (width direction) to the surface passing through the center of the insulator portion in the width direction, and the distance between the first connecting conductor 221 and the second connecting conductor 222 is measured by SEM. It is the height dimension (hd) between the inner peripheral portions of the peripheral portion Cn. The dimensions of the other parts are also measured using the above observation samples.

周回部Cnの開口寸法比率(hd/ld)は特に限定されず、本実施形態では、0.6以上1.2以下である。これにより高いインダクタンス値及びQ値をより安定して確保することができる。 The opening size ratio (hd / ld) of the peripheral portion Cn is not particularly limited, and in the present embodiment, it is 0.6 or more and 1.2 or less. As a result, a high inductance value and Q value can be secured more stably.

また、コイル軸方向(X軸方向)から見た絶縁体部12の面積(Sa)に対する周回部Cnの内周部で区画される面積(Sd)の比率(Sd/Sa)も特に限定されないが、本実施形態では、0.22以上0.45以下(22%以上45%以下)である。これにより、コイル部品100のインダクタンス値を効率よく高めることができる。 Further, the ratio (Sd / Sa) of the area (Sd) partitioned by the inner peripheral portion of the peripheral portion Cn to the area (Sa) of the insulator portion 12 viewed from the coil axis direction (X-axis direction) is not particularly limited. In this embodiment, it is 0.22 or more and 0.45 or less (22% or more and 45% or less). As a result, the inductance value of the coil component 100 can be efficiently increased.

さらに本実施形態によれば、第1及び第2の櫛歯ブロック部241,242が各々の櫛歯部の先端を図1において上方へ向けて配置されているため、高背化に伴う絶縁体部10の剛性不足を補うことができる。これにより、コイル部品100の信頼性を高めることができる。 Further, according to the present embodiment, since the first and second comb tooth block portions 241,242 are arranged with the tips of the respective comb tooth portions facing upward in FIG. 1, the insulator accompanying the increase in height The lack of rigidity of the portion 10 can be compensated. Thereby, the reliability of the coil component 100 can be improved.

<実験例>
以下、図10及び図11を参照して、本発明者らにより行われた実験例について説明する。周回部Cnの開口をコア部という。
<Experimental example>
Hereinafter, an example of an experiment conducted by the present inventors will be described with reference to FIGS. 10 and 11. The opening of the peripheral portion Cn is called the core portion.

(実験例1)
各部の寸法が以下のとおりであるガラス製の絶縁体部及びコイル部を備えたコイル部品サンプルを作製した。
(Experimental Example 1)
A coil component sample having a glass insulator portion and a coil portion having the following dimensions of each portion was prepared.

・絶縁体部:長さ(La)370μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)215μm
・コイル部:Y軸方向の導体寸法(lc)35μm、X軸方向の導体寸法(wc)10μm、Z軸方向の導体寸法(hc)35μm、X軸方向に隣接する周回部間の距離(導体間距離g)20μm、Y軸方向のコア部寸法(ld)200μm、全周回部CnにおけるX軸方向のコア部寸法(wd)130μm、Z軸方向のコア部寸法(hd)85μm
・サイドマージン:Y軸方向の寸法(lb)50μm、X軸方向の寸法(wb)30μm、Z軸方向の寸法(hb)30μm
-Insulator: Length (La) 370 μm, Width (Wa) 200 μm, Height (Ha) 215 μm
-Coil part: Conductor dimension (lc) 35 μm in the Y-axis direction, conductor dimension (wc) 10 μm in the X-axis direction, conductor dimension (hc) 35 μm in the Z-axis direction, distance between peripheral parts adjacent in the X-axis direction (conductor) Distance g) 20 μm, core dimension (ld) 200 μm in the Y-axis direction, core dimension (wd) 130 μm in the X-axis direction in the entire circumference Cn, core dimension (hd) 85 μm in the Z-axis direction
-Side margin: Y-axis direction dimension (lb) 50 μm, X-axis direction dimension (wb) 30 μm, Z-axis direction dimension (hb) 30 μm

作製したサンプルについて、RFインピーダンスアナライザ(Agilent社製E4991A)を用いてインダクタンス(L値)(測定周波数500MHz)及びQ値(測定周波数1.8GHz)をそれぞれ測定したところ、L値は2.6nH、Q値は27であった。 When the inductance (L value) (measurement frequency 500 MHz) and Q value (measurement frequency 1.8 GHz) of the prepared sample were measured using an RF impedance analyzer (E4991A manufactured by Agilent), the L value was 2.6 nH. The Q value was 27.

(実験例2)
絶縁体部を長さ(La)350μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)230μm、コア部寸法をY軸方向(ld)180μm、X軸方向(wd)130μm、Z軸方向(hd)100μmとした以外は、実験例1と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は2.7nH、Q値は28であった。
(Experimental Example 2)
Insulator part length (La) 350 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 230 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 180 μm, X-axis direction (wd) 130 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 1 except that the thickness was 100 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 2.7 nH and the Q value was 28.

(実験例3)
絶縁体部を長さ(La)320μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)250μm、コア部寸法をY軸方向(ld)150μm、X軸方向(wd)130μm、Z軸方向(hd)120μmとした以外は、実験例1と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は2.8nH、Q値は29であった。
(Experimental Example 3)
Insulator part length (La) 320 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 250 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 150 μm, X-axis direction (wd) 130 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 1 except that the thickness was 120 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 2.8 nH and the Q value was 29.

(実験例4)
絶縁体部を長さ(La)305μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)265μm、コア部寸法をY軸方向(ld)135μm、X軸方向(wd)130μm、Z軸方向(hd)135μmとした以外は、実験例1と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は2.9nH、Q値は30であった。
(Experimental Example 4)
Insulator part length (La) 305 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 265 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 135 μm, X-axis direction (wd) 130 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 1 except that the thickness was 135 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 2.9 nH and the Q value was 30.

(実験例5)
絶縁体部を長さ(La)275μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)290μm、コア部寸法をY軸方向(ld)105μm、X軸方向(wd)130μm、Z軸方向(hd)160μmとした以外は、実験例1と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は2.6nH、Q値は29であった。
(Experimental Example 5)
Insulator part length (La) 275 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 290 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 105 μm, X-axis direction (wd) 130 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 1 except that the thickness was 160 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 2.6 nH and the Q value was 29.

(実験例6)
絶縁体部を長さ(La)265μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)300μm、コア部寸法をY軸方向(ld)95μm、X軸方向(wd)130μm、Z軸方向(hd)170μmとした以外は、実験例1と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は2.3nH、Q値は28であった。
(Experimental Example 6)
Insulator part length (La) 265 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 300 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 95 μm, X-axis direction (wd) 130 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 1 except that the thickness was 170 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 2.3 nH and the Q value was 28.

(実験例7)
各部の寸法が以下のとおりである樹脂製の絶縁体部及びコイル部を備えたコイル部品サンプルを作製した。
(Experimental Example 7)
A coil component sample having a resin insulator portion and a coil portion having the following dimensions of each portion was prepared.

・絶縁体部:長さ(La)410μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)195μm
・コイル部:Y軸方向の導体寸法(lc)35μm、X軸方向の導体寸法(wc)24μm、Z軸方向の導体寸法(hc)35μm、導体間距離(g)10μm、Y軸方向のコア部寸法(ld)250μm、X軸方向のコア部寸法(wd)160μm、Z軸方向のコア部寸法(hd)85μm
・サイドマージン:Y軸方向の寸法(lb)45μm、X軸方向の寸法(wb)20μm、Z軸方向の寸法(hb)20μm
-Insulator: Length (La) 410 μm, Width (Wa) 200 μm, Height (Ha) 195 μm
-Coil part: Conductor dimension (lc) 35 μm in the Y-axis direction, conductor dimension (wc) 24 μm in the X-axis direction, conductor dimension (hc) 35 μm in the Z-axis direction, distance between conductors (g) 10 μm, core in the Y-axis direction Part dimension (ld) 250 μm, core part dimension (wd) 160 μm in the X-axis direction, core part dimension (hd) 85 μm in the Z-axis direction
-Side margin: Y-axis direction dimension (lb) 45 μm, X-axis direction dimension (wb) 20 μm, Z-axis direction dimension (hb) 20 μm

作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は3.0nH、Q値は31であった。 When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 3.0 nH and the Q value was 31.

(実験例8)
絶縁体部を長さ(La)380μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)210μm、コア部寸法をY軸方向(ld)220μm、X軸方向(wd)160μm、Z軸方向(hd)100μmとした以外は、実験例7と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は3.2nH、Q値は32であった。
(Experimental Example 8)
Insulator part length (La) 380 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 210 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 220 μm, X-axis direction (wd) 160 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 7 except that the thickness was 100 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 3.2 nH and the Q value was 32.

(実験例9)
絶縁体部を長さ(La)350μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)230μm、コア部寸法をY軸方向(ld)190μm、X軸方向(wd)160μm、Z軸方向(hd)120μmとした以外は、実験例7と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は3.3nH、Q値は33であった。
(Experimental Example 9)
Insulator part length (La) 350 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 230 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 190 μm, X-axis direction (wd) 160 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 7 except that the thickness was 120 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 3.3 nH and the Q value was 33.

(実験例10)
絶縁体部を長さ(La)320μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)250μm、コア部寸法をY軸方向(ld)160μm、X軸方向(wd)160μm、Z軸方向(hd)140μmとした以外は、実験例7と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は3.4nH、Q値は34であった。
(Experimental Example 10)
Insulator part length (La) 320 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 250 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 160 μm, X-axis direction (wd) 160 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 7 except that the thickness was 140 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 3.4 nH and the Q value was 34.

(実験例11)
絶縁体部を長さ(La)310μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)260μm、コア部寸法をY軸方向(ld)150μm、X軸方向(wd)160μm、Z軸方向(hd)150μmとした以外は、実験例7と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は3.5nH、Q値は34であった。
(Experimental Example 11)
Insulator part length (La) 310 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 260 μm, core size Y-axis direction (ld) 150 μm, X-axis direction (wd) 160 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 7 except that the thickness was set to 150 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 3.5 nH and the Q value was 34.

(実験例12)
絶縁体部を長さ(La)275μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)290μm、コア部寸法をY軸方向(ld)115μm、X軸方向(wd)160μm、Z軸方向(hd)180μmとした以外は、実験例7と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は3.3nH、Q値は32であった。
(Experimental Example 12)
Insulator part length (La) 275 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 290 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 115 μm, X-axis direction (wd) 160 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 7 except that the thickness was 180 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 3.3 nH and the Q value was 32.

(実験例13)
絶縁体部を長さ(La)255μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)315μm、コア部寸法をY軸方向(ld)95μm、X軸方向(wd)160μm、Z軸方向(hd)205μmとした以外は、実験例7と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は3.1nH、Q値は31であった。
(Experimental Example 13)
Insulator part length (La) 255 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 315 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 95 μm, X-axis direction (wd) 160 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 7 except that the thickness was 205 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 3.1 nH and the Q value was 31.

(実験例14)
絶縁体部を長さ(La)310μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)260μm、Y軸方向の導体寸法(lc)30μm、X軸方向の導体寸法(wc)24μm、Z軸方向の導体寸法(hc)30μm、コア部寸法をY軸方向(ld)160μm、X軸方向(wd)160μm、Z軸方向(hd)160μmとした以外は、実験例7と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は3.6nH、Q値は36であった。
(Experimental Example 14)
The length (La) 310 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 260 μm, conductor dimension (lc) 30 μm in the Y-axis direction, conductor dimension (wc) 24 μm in the X-axis direction, Z-axis direction Samples were prepared under the same conditions as in Experimental Example 7 except that the conductor dimensions (hc) were 30 μm, the core dimensions were 160 μm in the Y-axis direction (ld), 160 μm in the X-axis direction (wd), and 160 μm in the Z-axis direction (hd). did.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 3.6 nH and the Q value was 36.

(実験例15)
絶縁体部を長さ(La)310μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)260μm、Y軸方向の導体寸法(lc)25μm、X軸方向の導体寸法(wc)24μm、Z軸方向の導体寸法(hc)25μm、コア部寸法をY軸方向(ld)170μm、X軸方向(wd)160μm、Z軸方向(hd)170μmとした以外は、実験例7と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は3.8nH、Q値は37であった。
(Experimental Example 15)
The length (La) 310 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 260 μm, conductor dimension (lc) 25 μm in the Y-axis direction, conductor dimension (wc) 24 μm in the X-axis direction, Z-axis direction Samples were prepared under the same conditions as in Experimental Example 7 except that the conductor dimensions (hc) were 25 μm, the core dimensions were 170 μm in the Y-axis direction (ld), 160 μm in the X-axis direction (wd), and 170 μm in the Z-axis direction (hd). did.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 3.8 nH and the Q value was 37.

(実験例16)
絶縁体部を長さ(La)310μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)260μm、Y軸方向の導体寸法(lc)20μm、X軸方向の導体寸法(wc)24μm、Z軸方向の導体寸法(hc)20μm、コア部寸法をY軸方向(ld)180μm、X軸方向(wd)160μm、Z軸方向(hd)180μmとした以外は、実験例7と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は4.2nH、Q値は37であった。
(Experimental Example 16)
Insulator part length (La) 310 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 260 μm, conductor dimension (lc) 20 μm in the Y-axis direction, conductor dimension (wc) 24 μm in the X-axis direction, Z-axis direction Samples were prepared under the same conditions as in Experimental Example 7 except that the conductor dimensions (hc) were 20 μm, the core dimensions were 180 μm in the Y-axis direction (ld), 160 μm in the X-axis direction (wd), and 180 μm in the Z-axis direction (hd). did.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 4.2 nH and the Q value was 37.

(実験例17)
絶縁体部を長さ(La)310μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)260μm、Y軸方向の導体寸法(lc)15μm、X軸方向の導体寸法(wc)24μm、Z軸方向の導体寸法(hc)15μm、コア部寸法をY軸方向(ld)190μm、X軸方向(wd)160μm、Z軸方向(hd)190μmとした以外は、実験例7と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は4.8nH、Q値は36であった。
(Experimental Example 17)
Insulator part length (La) 310 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 260 μm, conductor dimension (lc) 15 μm in the Y-axis direction, conductor dimension (wc) 24 μm in the X-axis direction, Z-axis direction Samples were prepared under the same conditions as in Experimental Example 7 except that the conductor dimensions (hc) were 15 μm, the core dimensions were 190 μm in the Y-axis direction (ld), 160 μm in the X-axis direction (wd), and 190 μm in the Z-axis direction (hd). did.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 4.8 nH and the Q value was 36.

(比較例1)
絶縁体部を長さ(La)400μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)200μm、コア部寸法をY軸方向(ld)230μm、X軸方向(wd)130μm、Z軸方向(hd)70μmとした以外は、実験例1と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は2.2nH、Q値は22であった。
(Comparative Example 1)
Insulator part length (La) 400 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 200 μm, core part dimensions Y-axis direction (ld) 230 μm, X-axis direction (wd) 130 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 1 except that the thickness was 70 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 2.2 nH and the Q value was 22.

(比較例2)
絶縁体部を長さ(La)407μm、幅(Wa)200μm、高さ(Ha)202μm、コア部寸法をY軸方向(ld)237μm、X軸方向(wd)130μm、Z軸方向(hd)72μmとした以外は、実験例1と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例1と同一の条件でインダクタンス(L値)及びQ値を測定したところ、L値は2.3nH、Q値は23であった。
(Comparative Example 2)
Insulator part length (La) 407 μm, width (Wa) 200 μm, height (Ha) 202 μm, core size Y-axis direction (ld) 237 μm, X-axis direction (wd) 130 μm, Z-axis direction (hd) A sample was prepared under the same conditions as in Experimental Example 1 except that the thickness was 72 μm.
When the inductance (L value) and Q value of the prepared sample were measured under the same conditions as in Experimental Example 1, the L value was 2.3 nH and the Q value was 23.

実験例1〜17及び比較例1,2の上述した各部の条件、寸法比、コイル軸方向(X軸方向)から見た絶縁体部及びコア部の面積及びその面積比、ならびにコイル特性を表1〜3にまとめて示す。 The conditions, dimensional ratios, areas of the insulator and core as seen from the coil axis direction (X-axis direction) and their area ratios, and coil characteristics of the above-mentioned parts of Experimental Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 and 2 are shown. It is shown collectively in 1 to 3.

表2及び表3に示すように、絶縁体部の寸法比率(Ha/La)がコア部の寸法比率(hd/ld)の1.5倍以下である実験例1〜17によれば、絶縁体部の寸法比率(Ha/La)がコア部の寸法比率(hd/ld)の1.5倍を超える比較例1,2よりも、高いQ値が得られることが確認された。 As shown in Tables 2 and 3, according to Experimental Examples 1 to 17, in which the dimensional ratio (Ha / La) of the insulator portion is 1.5 times or less of the dimensional ratio (hd / ld) of the core portion, insulation is performed. It was confirmed that a higher Q value could be obtained than in Comparative Examples 1 and 2 in which the dimensional ratio (Ha / La) of the body portion exceeded 1.5 times the dimensional ratio (hd / ld) of the core portion.

また、コア部の寸法比率(hd/ld)が0.8以上1.5以下である実験例3〜5によれば、実験例1,2,6よりも高い(29以上の)Q値が得られることが確認された。同様に、コア部の寸法比率(hd/ld)が0.6以上1.0以下である実験例9〜11,14〜17によれば、実験例7,8、12,13よりも高い(32を超える)Q値が得られることが確認された。 Further, according to Experimental Examples 3 to 5 in which the dimensional ratio (hd / ld) of the core portion is 0.8 or more and 1.5 or less, the Q value (29 or more) higher than that of Experimental Examples 1, 2 and 6 is higher. It was confirmed that it could be obtained. Similarly, according to Experimental Examples 9 to 11, 14 to 17, in which the dimensional ratio (hd / ld) of the core portion is 0.6 or more and 1.0 or less, it is higher than that of Experimental Examples 7, 8, 12, and 13 ( It was confirmed that a Q value (more than 32) was obtained.

また、コア部の寸法比率(hd/ld)が0.6以上1.0以下である実験例2〜4によれば、実験例1,5,6よりも高い(2.7nH以上)L値が得られることが確認された。 Further, according to Experimental Examples 2 to 4 in which the dimensional ratio (hd / ld) of the core portion is 0.6 or more and 1.0 or less, the L value is higher (2.7 nH or more) than Experimental Examples 1, 5 and 6. Was confirmed to be obtained.

さらに、絶縁体部の面積(Sa)に対するコア部の面積(Sd)の比率(Sd/Sa)が22%以上45%以下である実験例2〜4、7〜17によれば、2.7nH以上の高いインダクタンス値が得られることが確認された。 Further, according to Experimental Examples 2 to 4, 7 to 17, in which the ratio (Sd / Sa) of the area (Sd) of the core portion to the area of the insulator portion (Sa) is 22% or more and 45% or less, 2.7 nH. It was confirmed that the above high inductance value can be obtained.

以下個別に見ていくと、実験例1においては、比較例2とほぼ同じのコア面積であるにもかかわらず、コア部の寸法比(wd/ld)が比較例2よりも大きいため、比較例2よりも高いQ値が得られた。 Looking at each of them individually, in Experimental Example 1, although the core area is almost the same as that of Comparative Example 2, the dimensional ratio (wd / ld) of the core portion is larger than that of Comparative Example 2, so that the comparison is made. A higher Q value than in Example 2 was obtained.

実験例4においては、コア部の寸法比(wd/ld)がほぼ1となるため、実験例1〜6の中では最も高いQ値が得られた。 In Experimental Example 4, since the dimensional ratio (wd / ld) of the core portion was approximately 1, the highest Q value was obtained in Experimental Examples 1 to 6.

実験例7〜17においては、実験例1〜6と比較して、絶縁体部の絶縁性が高く、導体寸法を最大限まで大きくすることができるため、インダクタンス値を高くすることができる。これに伴い、Q値も31以上と高くすることができる。 In Experimental Examples 7 to 17, as compared with Experimental Examples 1 to 6, the insulating property of the insulator portion is high, and the conductor size can be maximized, so that the inductance value can be increased. Along with this, the Q value can be increased to 31 or more.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made.

例えば以上の実施形態では、コイル部品が天面側から底面側に向かって絶縁層及びビア導体を順次積層する方法について説明したが、これに限られず、底面側から天面側に向かって絶縁層及びビア導体が順次積層されてもよい。 For example, in the above embodiment, the method of sequentially laminating the insulating layer and the via conductor from the top surface side to the bottom surface side of the coil component has been described, but the present invention is not limited to this, and the insulating layer is not limited to this. And the via conductors may be sequentially laminated.

また、コイル部の各周回部をコイル軸方向に順次積層するコイル部品の製造方法にも、本発明は適用可能である。 The present invention is also applicable to a method for manufacturing a coil component in which each peripheral portion of the coil portion is sequentially laminated in the coil axial direction.

また、上記実施形態では、Z軸方向から見る周回部が、四角形であるが、多角形でも、一部にR付けなどが有っても、周回部導体が対向する位置関係にあれば、同様の効果を得ることができる。 Further, in the above embodiment, the circumferential portion viewed from the Z-axis direction is a quadrangle, but even if it is a polygon or has a part with R, it is the same as long as the orbital conductors are in a positional relationship facing each other. The effect of can be obtained.

また、上記実施形態ではコイル部品のコイル軸をX軸方向(幅方向)としているが、コイル軸方向はZ軸方向(高さ方向)であっても同様の効果を得ることはできる。 Further, in the above embodiment, the coil axis of the coil component is in the X-axis direction (width direction), but the same effect can be obtained even if the coil axis direction is in the Z-axis direction (height direction).

更に、絶縁体部は、用いる材料がガラスであっても、樹脂であっても、例えば一部にフェライト粉などを含んでいたとしても、透磁率が2以下であれば、同様の効果を得ることができる。また、絶縁体は、誘電率が5以下であれば、特に高周波特性を良くでき、誘電率が4以下であれば、端子電極との間で生じる浮遊容量を更に小さくでき、高周波でのQ値を高くできる。 Further, the insulator portion has the same effect as long as the magnetic permeability is 2 or less, regardless of whether the material used is glass or resin, for example, if ferrite powder or the like is partially contained. be able to. Further, if the dielectric constant of the insulator is 5 or less, the high frequency characteristics can be particularly improved, and if the dielectric constant is 4 or less, the stray capacitance generated between the insulator and the terminal electrode can be further reduced, and the Q value at high frequencies can be further reduced. Can be raised.

<第2の実施形態>
上記第1の実施形態においては櫛歯ブロック部が配置された電子部品について説明したが、上記の図1〜図3に示すように櫛歯ブロック部24が配置されていない電子部品としてもよく、以下変形例として説明する。下記各構成例においても、絶縁体部の長さ寸法(La)に対する高さ寸法(Ha)の比率(Ha/La)は、Y軸方向に沿った周回部Cnの内周部間の長さ寸法(ld)に対するZ軸方向に沿った周回部Cnの内周部間の高さ寸法(hd)の比率(hd/ld)の1.5倍以下となるように構成される。
<Second embodiment>
In the first embodiment, the electronic component in which the comb tooth block portion is arranged has been described, but as shown in FIGS. 1 to 3 above, the electronic component in which the comb tooth block portion 24 is not arranged may be used. Hereinafter, a modified example will be described. In each of the following configuration examples, the ratio (Ha / La) of the height dimension (Ha) to the length dimension (La) of the insulator portion is the length between the inner peripheral portions of the peripheral portion Cn along the Y-axis direction. It is configured to be 1.5 times or less the ratio (hd / ld) of the height dimension (hd) between the inner peripheral portions of the peripheral portion Cn along the Z-axis direction with respect to the dimension (ld).

また、周回部Cnの開口寸法比率(hd/ld)は特に限定されないが、本実施形態では、0.6以上1.0以下である。これにより高いインダクタンス値及びQ値をより安定して確保することができる。 Further, the opening size ratio (hd / ld) of the peripheral portion Cn is not particularly limited, but in the present embodiment, it is 0.6 or more and 1.0 or less. As a result, a high inductance value and Q value can be secured more stably.

また、コイル軸方向(X軸方向)から見た絶縁体部の面積(Sa)に対する周回部Cnの内周部で区画される面積(Sd)の比率(Sd/Sa)も特に限定されないが、本実施形態では、0.22以上0.65以下(22%以上65%以下)である。これにより、コイル部品のインダクタンス値を効率よく高めることができる。 Further, the ratio (Sd / Sa) of the area (Sd) partitioned by the inner peripheral portion of the peripheral portion Cn to the area (Sa) of the insulator portion viewed from the coil axis direction (X-axis direction) is also not particularly limited. In the present embodiment, it is 0.22 or more and 0.65 or less (22% or more and 65% or less). As a result, the inductance value of the coil component can be efficiently increased.

(第1の構成例)
第1の構成例に係る電子部品は、櫛歯ブロック部が配置されていない。これにより、同じ体積の絶縁体部内に内部導体部を配置する場合、櫛歯ブロック部が配置される場合と比較して、コイル部の設計範囲が広くなりコイル部の開口面積を拡大することが可能となってL値、Q値を向上させることができる。
(First configuration example)
The comb tooth block portion is not arranged in the electronic component according to the first configuration example. As a result, when the internal conductor portion is arranged in the insulator portion having the same volume, the design range of the coil portion becomes wider and the opening area of the coil portion can be expanded as compared with the case where the comb tooth block portion is arranged. This makes it possible to improve the L value and Q value.

また、本構成例では、櫛歯ブロック部が配置されていないので、直方体形状の絶縁体部の1つの面にのみ外部電極が形成される構造が可能となり、1面実装タイプの電子部品とすることができる。上記実施形態のコイル部品は、直方体形状の絶縁体部の3つの面102、103、104に外部電極が形成された3面実装タイプの電子部品であるが、これに限定されず、本構成例のように絶縁体部の1つの面にのみ外部電極が形成された1面実装タイプの電子部品としてもよい。
更に、上記実施形態ではコイル部と外部電極との接続は櫛歯ブロック部及び引出し線を介して行われているが、本構成例ではコイル部と外部電極との接続は接続用ビア導体層を介して行われる。
Further, in this configuration example, since the comb tooth block portion is not arranged, a structure in which the external electrode is formed on only one surface of the rectangular parallelepiped-shaped insulator portion becomes possible, and the electronic component is a one-side mounting type. be able to. The coil component of the above embodiment is a three-sided mounting type electronic component in which external electrodes are formed on the three surfaces 102, 103, 104 of the rectangular parallelepiped-shaped insulator portion, but the present configuration example is not limited to this. As described above, it may be a one-sided mounting type electronic component in which an external electrode is formed on only one surface of the insulator portion.
Further, in the above embodiment, the coil portion and the external electrode are connected via the comb tooth block portion and the leader wire, but in this configuration example, the coil portion and the external electrode are connected by the connecting via conductor layer. It is done through.

以下、図12〜図14を用いて第1の構成例に係る電子部品について説明する。
図12Aは、本実施形態の第1の構成例に係るコイル部品の概略透視斜視図、図12Bはその外観斜視図、図13Aはその概略透視側面図、図13Bはその外観側面図、図14はその概略透視上面図である。
なお、各図においてX軸、Y軸及びZ軸方向は相互に直交する3軸方向を示している。
Hereinafter, the electronic components according to the first configuration example will be described with reference to FIGS. 12 to 14.
12A is a schematic perspective perspective view of the coil component according to the first configuration example of the present embodiment, FIG. 12B is an external perspective view thereof, FIG. 13A is a schematic perspective side view thereof, and FIG. 13B is an external side view thereof. Is a schematic perspective top view thereof.
In each figure, the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions indicate three axial directions that are orthogonal to each other.

本構成例の電子部品1100は、表面実装用のコイル部品として構成される。電子部品1100は、絶縁体部1010と、内部導体部1020と、外部電極1030とを備える。 The electronic component 1100 of this configuration example is configured as a coil component for surface mounting. The electronic component 1100 includes an insulator portion 1010, an internal conductor portion 1020, and an external electrode 1030.

絶縁体部1010は、天面1101、底面1102、第1の端面1103、第2の端面1104、第1の側面1105及び第2の側面1106を有し、X軸方向に幅方向、Y軸方向に長さ方向、Z軸方向に高さ方向を有する直方体形状に形成される。底面1102は実装面となる。 The insulator portion 1010 has a top surface 1101, a bottom surface 1102, a first end surface 1103, a second end surface 1104, a first side surface 1105, and a second side surface 1106, and has a width direction in the X-axis direction and a Y-axis direction. It is formed in a rectangular shape having a length direction and a height direction in the Z-axis direction. The bottom surface 1102 is a mounting surface.

絶縁体部1010は、本体部1011と天面部12とを有する。本体部1011は、内部導体部1020を内蔵し、絶縁体部1010の主要部を構成する。天面部12は、絶縁体部1010の天面1101を構成する。絶縁体部1010に用いられる材料は上記実施形態と同様である。 The insulator portion 1010 has a main body portion 1011 and a top surface portion 12. The main body portion 1011 incorporates an internal conductor portion 1020 and constitutes a main portion of the insulator portion 1010. The top surface portion 12 constitutes the top surface 1101 of the insulator portion 1010. The material used for the insulator portion 1010 is the same as that of the above embodiment.

内部導体部1020は、絶縁体部1010の内部に設けられる。内部導体部1020は、複数の柱状導体1021と、複数の連結導体1022と、接続用ビア導体層V1023を有し、これら複数の柱状導体1021及び連結導体1022とによりコイル部1020Lが構成される。また、接続用ビア導体層V1023は、コイル部1020Lの両端部それぞれに接続される。 The inner conductor portion 1020 is provided inside the insulator portion 1010. The inner conductor portion 1020 has a plurality of columnar conductors 1021, a plurality of connecting conductors 1022, and a connecting via conductor layer V1023, and the coil portion 1020L is composed of the plurality of columnar conductors 1021 and the connecting conductor 1022. Further, the connecting via conductor layer V1023 is connected to both ends of the coil portion 1020L.

複数の柱状導体1021は、Z軸方向に平行な軸心を有する略円柱形状に形成される。複数の柱状導体1021は、概略Y軸方向に相互に対向する2つの導体群で構成される。このうち一方の導体群を構成する第1の柱状導体10211は、X軸方向に所定の間隔をおいて配列され、他方の導体群を構成する第2の柱状導体10212も同様に、X軸方向に所定の間隔をおいて配列される。 The plurality of columnar conductors 1021 are formed in a substantially cylindrical shape having an axial center parallel to the Z-axis direction. The plurality of columnar conductors 1021 are composed of two conductor groups facing each other in the substantially Y-axis direction. Of these, the first columnar conductors 10211 constituting one of the conductor groups are arranged at predetermined intervals in the X-axis direction, and the second columnar conductors 10212 forming the other conductor group are also arranged in the X-axis direction. Are arranged at predetermined intervals.

なお、略円柱形状とは、軸直方向(軸心に垂直な方向)の断面形状が円形である柱体のほか、上記断面形状が楕円形または長円形である柱体をも含み、楕円形または長円形としては、例えば、長軸/短軸の比が3以下のものを意味する。 The substantially cylindrical shape includes not only a pillar having a circular cross-sectional shape in the direction perpendicular to the axis (direction perpendicular to the axis) but also a pillar having an elliptical or oval cross-sectional shape. Alternatively, the oval means, for example, a major axis / minor axis ratio of 3 or less.

第1及び第2の柱状導体10211,10212は、それぞれ同一径及び同一高さで構成される。図示の例において第1及び第2の柱状導体10211,10212は、それぞれ5本ずつ設けられている。後述するように、第1及び第2の柱状導体10211,10212は、複数のビア導体をZ軸方向に積層することで構成される。 The first and second columnar conductors 10211 and 10212 are configured to have the same diameter and the same height, respectively. In the illustrated example, five first and second columnar conductors 10211 and 10212 are provided, respectively. As will be described later, the first and second columnar conductors 10211 and 10212 are configured by laminating a plurality of via conductors in the Z-axis direction.

なお、略同一径とは、抵抗の増加を抑制するためのもので、同一方向で見た寸法のバラツキが例えば10%以内に収まっていることをいい、略同一高さとは、各層の積み上げ精度を確保するためのもので、高さのバラツキが例えば±10μmの範囲に収まっていることをいう。 It should be noted that the substantially same diameter is for suppressing an increase in resistance, and means that the variation in dimensions when viewed in the same direction is within, for example, 10%. Approximately the same height means the stacking accuracy of each layer. It means that the height variation is within the range of ± 10 μm, for example.

複数の連結導体1022は、XY平面に平行に形成され、Z軸方向に相互に対向する2つの導体群で構成される。このうち一方の導体群を構成する第1の連結導体10221は、Y軸方向に沿って延び、X軸方向に間隔をおいて配列され、第1及び第2の柱状導体10211,10212の間を個々に接続する。他方の導体群を構成する第2の連結導体10222は、Y軸方向に対して所定角度傾斜して延び、X軸方向に間隔をおいて配列され、第1及び第2の柱状導体10211,10212の間を個々に接続する。図示の例において、第1の連結導体10221は5つの連結導体で構成され、第2の連結導体10222は4つの連結導体で構成される。 The plurality of connecting conductors 1022 are formed parallel to the XY plane and are composed of two conductor groups facing each other in the Z-axis direction. The first connecting conductor 10221 constituting one of the conductor groups extends along the Y-axis direction and is arranged at intervals in the X-axis direction, and is placed between the first and second columnar conductors 10211 and 10212. Connect individually. The second connecting conductors 10222 constituting the other conductor group extend at a predetermined angle with respect to the Y-axis direction and are arranged at intervals in the X-axis direction, and the first and second columnar conductors 10211, 10212 Connect individually between. In the illustrated example, the first connecting conductor 10221 is composed of five connecting conductors and the second connecting conductor 10222 is composed of four connecting conductors.

図12において、第1の連結導体10221は、所定の一組の柱状導体10211,10212の上端に接続され、第2の連結導体10222は、所定の一組の柱状導体10211,10212の下端に接続される。より詳細には、第1及び第2の柱状導体10211,10212と第1及び第2の連結導体10221,10222は、コイル部1020Lの周回部Cn(C1〜C5)を構成し、これら周回部CnがX軸方向のまわりに矩形の螺旋を描くように相互に接続される。これにより、絶縁体部1010の内部において、X軸方向に軸心(コイル軸)を有する開口形状が矩形のコイル部1020Lが形成される。 In FIG. 12, the first connecting conductor 10221 is connected to the upper end of a predetermined set of columnar conductors 10211, 10212, and the second connecting conductor 10222 is connected to the lower end of a predetermined set of columnar conductors 10211, 10212. Will be done. More specifically, the first and second columnar conductors 10211 and 10212 and the first and second connecting conductors 10221 and 10222 form the peripheral portions Cn (C1 to C5) of the coil portion 1020L, and these peripheral portions Cn. Are connected to each other in a rectangular spiral around the X-axis. As a result, inside the insulator portion 1010, a coil portion 1020L having an axial center (coil shaft) in the X-axis direction and having a rectangular opening shape is formed.

本実施形態において周回部Cnは、5つの周回部C1〜C5で構成される。各周回部C1〜C5の開口形状は、それぞれ概略同一の形状に形成される。 In the present embodiment, the peripheral portion Cn is composed of five peripheral portions C1 to C5. The opening shapes of the peripheral portions C1 to C5 are formed to have substantially the same shape.

接続用ビア導体層V1023は第1の接続用ビア導体層V10231と、第2の接続用ビア導体層V10232とを有する。第1の接続用ビア導体層V10231は、コイル部1020Lの一端を構成する第1の柱状導体10211の下端に連結して接続され、第2の接続用ビア導体層V10232は、コイル部1020Lの他端を構成する第2の柱状導体10212の下端に連結して接続される。第1及び第2の接続用ビア導体層V10231,V10232は、Z軸方向に垂直な断面形状が略円形であり、柱状導体1021のZ軸方向に垂直な断面とほぼ同じ大きさ及び形状を有している。 The connecting via conductor layer V1023 has a first connecting via conductor layer V10231 and a second connecting via conductor layer V10232. The first connecting via conductor layer V10231 is connected by being connected to the lower end of the first columnar conductor 10211 forming one end of the coil portion 1020L, and the second connecting via conductor layer V10232 is connected to the other of the coil portion 1020L. It is connected and connected to the lower end of the second columnar conductor 10212 that constitutes the end. The first and second connecting via conductor layers V10231 and V10232 have a substantially circular cross-sectional shape perpendicular to the Z-axis direction, and have substantially the same size and shape as the cross-sectional shape perpendicular to the Z-axis direction of the columnar conductor 1021. doing.

外部電極1030は、表面実装用の外部端子を構成し、Y軸方向に相互に対向する第1及び第2の外部電極1031,1032を有する。第1及び第2の外部電極1031,1032は、絶縁体部1010の1面としての底面1102にのみ形成される。外部電極1030は絶縁体部1010の外側に形成される。 The external electrode 1030 constitutes an external terminal for surface mounting, and has first and second external electrodes 1031 and 1032 facing each other in the Y-axis direction. The first and second external electrodes 1031, 1032 are formed only on the bottom surface 1102 as one surface of the insulator portion 1010. The external electrode 1030 is formed on the outside of the insulator portion 1010.

柱状導体1021、連結導体1022、接続用ビア導体層V1023は、例えば、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Ni(ニッケル)等の金属材料で構成され、本実施形態ではいずれも銅又はその合金のめっき層で構成される。第1及び第2の外部電極1031,1032は、例えばNi/Snめっきで構成される。 The columnar conductor 1021, the connecting conductor 1022, and the connecting via conductor layer V1023 are made of a metal material such as Cu (copper), Al (aluminum), and Ni (nickel), and in the present embodiment, all of them are copper or an alloy thereof. It is composed of the plating layer of. The first and second external electrodes 1031, 1032 are composed of, for example, Ni / Sn plating.

図15は、電子部品1100の上下を反転して示す概略透視側面図である。電子部品1100は、図15に示すように、フィルム層L1001と、複数の電極層L1002〜L1006の積層体で構成される。本実施形態では、天面1101から底面1102に向けてフィルム層L1001及び電極層L1002〜L1006をZ軸方向に順次積層することで作製される。層の数は特に限定されず、ここでは6層として説明する。 FIG. 15 is a schematic perspective side view showing the electronic component 1100 upside down. As shown in FIG. 15, the electronic component 1100 is composed of a film layer L1001 and a laminate of a plurality of electrode layers L1002 to L1006. In the present embodiment, the film layer L1001 and the electrode layers L1002 to L1006 are sequentially laminated in the Z-axis direction from the top surface 1101 to the bottom surface 1102. The number of layers is not particularly limited and will be described here as 6 layers.

フィルム層L1001及び電極層L1002〜L1006は、当該各層を構成する絶縁体部1010、内部導体部1020及び外部電極1030の要素を含む。図16A〜Fはそれぞれ、図15におけるフィルム層L1001及び電極層L1002〜L1006の概略上面図である。 The film layer L1001 and the electrode layers L1002 to L1006 include elements of an insulator portion 1010, an internal conductor portion 1020, and an external electrode 1030 that constitute the respective layers. 16A to 16F are schematic top views of the film layer L1001 and the electrode layers L1002 to L1006 in FIG. 15, respectively.

フィルム層L1001は、絶縁体部1010の天面1101を形成する天面部12で構成される(図16A)。電極層L1002は、絶縁体部1010(本体部1011)の一部を構成する絶縁層10110(10112)と、第1の連結導体10221とを含む(図16B)。電極層L1003は、絶縁層10110(10113)と、柱状導体10211,10212の一部を構成するビア導体V1001とを含む(図16C)。電極層L1004は、絶縁層10110(10114)、ビア導体V1001のほか、第2の連結導体10222を含む(図16D)。電極層L1005は、絶縁層10110(10115)と、接続用ビア導体層V1023(第1の接続用ビア導体層V10231、第2の接続用ビア導体層V10232)を含む(図16E)。そして、電極層L1006は、外部電極1030(第1の外部電極1031、第2の外部電極1032)を含む(図16F)。 The film layer L1001 is composed of a top surface portion 12 forming a top surface 1101 of the insulator portion 1010 (FIG. 16A). The electrode layer L1002 includes an insulating layer 10110 (10112) forming a part of the insulating portion 1010 (main body portion 1011) and a first connecting conductor 10221 (FIG. 16B). The electrode layer L1003 includes an insulating layer 10110 (10113) and a via conductor V1001 forming a part of the columnar conductors 10211 and 10212 (FIG. 16C). The electrode layer L1004 includes an insulating layer 10110 (10114), a via conductor V1001, and a second connecting conductor 10222 (FIG. 16D). The electrode layer L1005 includes an insulating layer 10110 (10115) and a connecting via conductor layer V1023 (a first connecting via conductor layer V10231 and a second connecting via conductor layer V10232) (FIG. 16E). The electrode layer L1006 includes an external electrode 1030 (first external electrode 1031 and second external electrode 1032) (FIG. 16F).

電極層L1002〜L1006は、接合面S1〜S4(図15)を介して高さ方向に積層される。したがって各絶縁層10110、ビア導体V1001、接続用ビア導体層V1023、外部電極1030は、同じく高さ方向に境界部を有する。そして電子部品1100は、各電極層L1002〜L1006を、電極層L1002から順に作製しながら積層する上記実施形態と同様のビルドアップ工法により製造される。 The electrode layers L1002 to L1006 are laminated in the height direction via the joint surfaces S1 to S4 (FIG. 15). Therefore, each of the insulating layer 10110, the via conductor V1001, the connecting via conductor layer V1023, and the external electrode 1030 also have a boundary portion in the height direction. The electronic component 1100 is manufactured by the same build-up method as in the above embodiment, in which the electrode layers L1002 to L1006 are laminated in order from the electrode layer L1002.

以上のように、第1の構成例における電子部品1100は、櫛歯ブロック部が配置されていないためY軸方向のコア部寸法(ld)を拡大することができる。これによりコイル部1020Lの開口面積を拡大することができ、L値及びQ値を高くすることが可能となる。 As described above, in the electronic component 1100 in the first configuration example, since the comb tooth block portion is not arranged, the core portion dimension (ld) in the Y-axis direction can be expanded. As a result, the opening area of the coil portion 1020L can be expanded, and the L value and the Q value can be increased.

また、本構成例では、表面実装用の外部端子となる外部電極1030が電子部品1100の1面にのみ形成されているので、電子部品1100をはんだ付けにより実装する際、実装面は1面のみになるため、半田フィレットが形成されず、高密度実装が可能となる。 Further, in this configuration example, since the external electrode 1030, which is an external terminal for surface mounting, is formed on only one surface of the electronic component 1100, when the electronic component 1100 is mounted by soldering, the mounting surface is only one surface. Therefore, solder fillets are not formed, and high-density mounting is possible.

また、コイル部1020Lと外部電極1030を接続用ビア導体層V1023により接続するため、櫛歯ブロック部が配置される場合と比較し、外部電極からコイル部1020に至るまでの電流経路を短くとることができる。これにより、ノイズの発生が少なく特性劣化が少ない電子部品1100を得ることができる。 Further, since the coil portion 1020L and the external electrode 1030 are connected by the connecting via conductor layer V1023, the current path from the external electrode to the coil portion 1020 should be shortened as compared with the case where the comb tooth block portion is arranged. Can be done. As a result, it is possible to obtain an electronic component 1100 with less noise generation and less characteristic deterioration.

(第2の構成例)
上記第1の構成例では、接続用ビア導体層V1023はZ軸方向に垂直な断面形状が略円形を有していたがこれに限定されず、例えば長円形を有していてもよく、以下、第2の構成例として説明する。第1の構成例と異なる構成について主に説明し、同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する場合がある。本構成例においても、第1の構成例と同様に、コイル部の開口面積を大きくとることが可能であり、これによりL値、Q値を高くすることが可能となっている。
(Second configuration example)
In the first configuration example, the connecting via conductor layer V1023 has a substantially circular cross-sectional shape perpendicular to the Z-axis direction, but is not limited to this, and may have, for example, an oval shape. , Will be described as a second configuration example. A configuration different from the first configuration example will be mainly described, and a similar reference numeral may be added to the same configuration, and the description may be omitted. In this configuration example as well, as in the first configuration example, it is possible to increase the opening area of the coil portion, which makes it possible to increase the L value and the Q value.

以下、図17〜図19を用いて第2の構成例に係るコイル部品について説明する。
図17はコイル部品の概略透視斜視図である。図18はその概略透視側面図である。図19はその概略透視上面図である。
Hereinafter, the coil parts according to the second configuration example will be described with reference to FIGS. 17 to 19.
FIG. 17 is a schematic perspective perspective view of the coil component. FIG. 18 is a schematic perspective side view thereof. FIG. 19 is a schematic perspective top view thereof.

本構成例の電子部品2100は、表面実装用のコイル部品として構成される。電子部品2100は、絶縁体部2010と、内部導体部2020と、外部電極1030とを備える。 The electronic component 2100 of this configuration example is configured as a coil component for surface mounting. The electronic component 2100 includes an insulator portion 2010, an internal conductor portion 2020, and an external electrode 1030.

絶縁体部2010は、本体部2011と天面部12とを有する。本体部2011は、内部導体部2020を内蔵し、絶縁体部2010の主要部を構成する。 The insulator portion 2010 has a main body portion 2011 and a top surface portion 12. The main body portion 2011 incorporates an internal conductor portion 2020 and constitutes a main portion of the insulator portion 2010.

絶縁体部2010は、天面2101、底面2102、第1の端面2103、第2の端面2104、第1の側面2105及び第2の側面2106を有し、X軸方向に幅方向、Y軸方向に長さ方向、Z軸方向に高さ方向を有する直方体形状に形成される。 The insulator portion 2010 has a top surface 2101, a bottom surface 2102, a first end surface 2103, a second end surface 2104, a first side surface 2105, and a second side surface 2106, and has a width direction in the X-axis direction and a Y-axis direction. It is formed in a rectangular shape having a length direction and a height direction in the Z-axis direction.

内部導体部2020は、絶縁体部2010の内部に設けられる。内部導体部2020は、複数の柱状導体1021と、複数の連結導体1022と、接続用ビア導体層V2023を有し、これら複数の柱状導体1021及び連結導体1022とによりコイル部1020Lが構成される。また、接続用ビア導体層V2023は、コイル部1020Lの両端部それぞれに接続される。 The inner conductor portion 2020 is provided inside the insulator portion 2010. The inner conductor portion 2020 has a plurality of columnar conductors 1021, a plurality of connecting conductors 1022, and a connecting via conductor layer V2023, and the coil portion 1020L is composed of the plurality of columnar conductors 1021 and the connecting conductor 1022. Further, the connecting via conductor layer V2023 is connected to both ends of the coil portion 1020L.

接続用ビア導体層V2023は第1の接続用ビア導体層V20231と、第2の接続用ビア導体層V20232とを有する。第1の接続用ビア導体層V20231は、コイル部1020Lの一端を構成する第1の柱状導体10211の下端に接続され、第2の接続用ビア導体層V20232は、コイル部1020Lの他端を構成する第2の柱状導体10212の下端に接続される。第1及び第2の接続用ビア導体層V20231,V20232は、Z軸方向に垂直な断面形状が長円形であり、柱状導体1021のZ軸方向に垂直な断面よりも大きい断面形状を有している。言い換えると、柱状導体1021と接続用ビア導体層V2023をXY平面に投影したとき、柱状導体1021の略円形の投影図は、接続用ビア導体層V2023の略長円形の投影図の中に全て含まれる。 The connecting via conductor layer V2023 has a first connecting via conductor layer V20231 and a second connecting via conductor layer V20232. The first connecting via conductor layer V20231 is connected to the lower end of the first columnar conductor 10211 forming one end of the coil portion 1020L, and the second connecting via conductor layer V20232 constitutes the other end of the coil portion 1020L. It is connected to the lower end of the second columnar conductor 10212. The first and second connecting via conductor layers V20231 and V20232 have an oval cross-sectional shape perpendicular to the Z-axis direction, and have a cross-sectional shape larger than the cross-sectional shape perpendicular to the Z-axis direction of the columnar conductor 1021. There is. In other words, when the columnar conductor 1021 and the connecting via conductor layer V2023 are projected onto the XY plane, the substantially circular projection of the columnar conductor 1021 is included in the substantially oval projection of the connecting via conductor layer V2023. Is done.

外部電極1030は、表面実装用の外部端子を構成し、Y軸方向に相互に対向する第1及び第2の外部電極1031,1032を有する。第1及び第2の外部電極1031,1032は、絶縁体部2010の1面としての底面2102にのみ形成される。 The external electrode 1030 constitutes an external terminal for surface mounting, and has first and second external electrodes 1031 and 1032 facing each other in the Y-axis direction. The first and second external electrodes 1031 and 1032 are formed only on the bottom surface 2102 as one surface of the insulator portion 2010.

以上のように、本構成例では、接続用ビア導体層V2023の断面形状を長円として、コイル部1020Lの一部を構成する柱状導体1021の断面よりも大きな断面形状とすることにより、コイル部1020Lと外部電極1030との接触面積を大きくすることができる。 As described above, in this configuration example, the cross-sectional shape of the connecting via conductor layer V2023 is an ellipse, which is larger than the cross-sectional shape of the columnar conductor 1021 forming a part of the coil portion 1020L. The contact area between the 1020L and the external electrode 1030 can be increased.

(第3の構成例)
上記各構成例において、接続用ビア導体層V1023、V2023と同層で、コイル部1020Lと外部電極1030とを電気的に接続しない、ダミービア導体層を設けてもよく、以下、第3の構成例として説明する。ダミービア導体層は外部電極1030と接触して絶縁体内に複数形成される。ダミービア導体層を設けることにより外部電極1030と絶縁体部1010との密着強度を向上させることができる。ダミービア導体層の設置は、上記構成例及び上記実施形態に適用可能である。
(Third configuration example)
In each of the above configuration examples, a dummy via conductor layer may be provided which is the same layer as the connection via conductor layers V1023 and V2023 and does not electrically connect the coil portion 1020L and the external electrode 1030. Hereinafter, a third configuration example may be provided. It is explained as. A plurality of dummy via conductor layers are formed in the insulating body in contact with the external electrode 1030. By providing the dummy via conductor layer, the adhesion strength between the external electrode 1030 and the insulator portion 1010 can be improved. The installation of the dummy via conductor layer is applicable to the above configuration example and the above embodiment.

図20は第3の構成例に係るコイル部品の概略透視斜視図である。図21はその概略透視側面図である。図22はその概略透視上面図である。第3の構成例においては、上記第1の構成例にダミービア導体層を設けた場合を例に挙げて説明し、第1の構成例と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する。 FIG. 20 is a schematic perspective perspective view of the coil component according to the third configuration example. FIG. 21 is a schematic perspective side view thereof. FIG. 22 is a schematic perspective top view thereof. In the third configuration example, a case where a dummy via conductor layer is provided in the first configuration example will be described as an example, and a configuration similar to that of the first configuration example will be described with the same reference numerals. Omit.

本構成例の電子部品3100は、表面実装用のコイル部品として構成される。電子部品3100は、絶縁体部3010と、内部導体部1020と、外部電極1030とを備える。 The electronic component 3100 of this configuration example is configured as a coil component for surface mounting. The electronic component 3100 includes an insulator portion 3010, an internal conductor portion 1020, and an external electrode 1030.

絶縁体部3010は、本体部3011と天面部12とを有する。本体部3011は、内部導体部1020及びダミービア導体層3040を内蔵し、絶縁体部3010の主要部を構成する。 The insulator portion 3010 has a main body portion 3011 and a top surface portion 12. The main body portion 3011 incorporates an internal conductor portion 1020 and a dummy via conductor layer 3040, and constitutes a main portion of the insulator portion 3010.

絶縁体部3010は、天面3101、底面3102、第1の端面3103、第2の端面3104、第1の側面3105及び第2の側面3106を有し、X軸方向に幅方向、Y軸方向に長さ方向、Z軸方向に高さ方向を有する直方体形状に形成される。 The insulator portion 3010 has a top surface 3101, a bottom surface 3102, a first end surface 3103, a second end surface 3104, a first side surface 3105, and a second side surface 3106, and has a width direction in the X-axis direction and a Y-axis direction. It is formed in a rectangular parallelepiped shape having a length direction and a height direction in the Z-axis direction.

ダミービア導体層3040は、直方体形状の絶縁体部3010の底面3102に対向する外部電極1030の内面部に設けられた複数の突起部で構成され、図21に示すように絶縁体部3010の底面3102の内部に没入される。ダミービア導体層3040の先端部は、絶縁体部3010を構成する絶縁材料を介して内部導体部1020と対向し、したがってコイル部1020Lとは接触していない。 The dummy via conductor layer 3040 is composed of a plurality of protrusions provided on the inner surface portion of the external electrode 1030 facing the bottom surface 3102 of the rectangular parallelepiped insulator portion 3010, and as shown in FIG. 21, the bottom surface 3102 of the insulator portion 3010. Immerse yourself in the interior of. The tip of the dummy via conductor layer 3040 faces the inner conductor portion 1020 via the insulating material constituting the insulator portion 3010, and therefore does not contact the coil portion 1020L.

ダミービア導体層3040は、接続用ビア導体層V1023と同層で形成される。複数のダミービア導体層3040は、Y軸方向に相互に対向する2つの導体層群で構成される。このうち一方の導体層群を構成する第1のダミービア導体層3041は、XY平面における形状が略矩形の第1の外部電極1031の四隅に対応してそれぞれ1つずつ配置される。他方の導体層群を構成する第2のダミービア導体層3042は、XY平面における形状が略矩形の第2の外部電極1032の四隅に対応してそれぞれ1つずつ配置される。ダミービア導体層3040は、絶縁体部3011を構成する絶縁層によって内部導体部1020と電気的に絶縁されている。 The dummy via conductor layer 3040 is formed in the same layer as the connecting via conductor layer V1023. The plurality of dummy via conductor layers 3040 are composed of two conductor layer groups facing each other in the Y-axis direction. One of the first dummy via conductor layers 3041 constituting one of the conductor layer groups is arranged corresponding to the four corners of the first external electrode 1031 having a substantially rectangular shape in the XY plane. The second dummy via conductor layer 3042 constituting the other conductor layer group is arranged one by one corresponding to the four corners of the second external electrode 1032 having a substantially rectangular shape in the XY plane. The dummy via conductor layer 3040 is electrically insulated from the internal conductor portion 1020 by an insulating layer constituting the insulator portion 3011.

本変形例では、ダミービア導体層3040を設けることにより、外部電極1030と絶縁体部3011との密着強度が向上する。
すなわち、外部電極1030の作製方法においては、例えば上記実施形態の内部導体部を構成する導体パターンを電気めっき法により作製する方法と同様に、電気めっき用のシード層を設け、開口部を有するレジストパターンを設けた後、電気めっき法により外部電極を形成する手法をとることができる。このような手法で外部電極1030を作製することにより、ダミービア導体層3040と外部電極1030との強い接着が生じ、絶縁体部3011と外部電極1030との密着強度が向上する。
In this modification, the adhesion strength between the external electrode 1030 and the insulator portion 3011 is improved by providing the dummy via conductor layer 3040.
That is, in the method of manufacturing the external electrode 1030, for example, as in the method of manufacturing the conductor pattern constituting the internal conductor portion of the above embodiment by the electroplating method, a resist having a seed layer for electroplating and an opening is provided. After the pattern is provided, a method of forming an external electrode by an electroplating method can be adopted. By producing the external electrode 1030 by such a method, strong adhesion between the dummy via conductor layer 3040 and the external electrode 1030 occurs, and the adhesion strength between the insulator portion 3011 and the external electrode 1030 is improved.

<電子部品特性>
本発明の電子部品は上記の各実施形態に限定されず、例えば図23及び図24に示す構成をとってもよい。図23、図24の各図は、上記実施形態に係る電子部品の概略透視図である。図23の各図は上記第1の実施形態のように櫛歯ブロック部24が配置される電子部品の図を示し、図24の各図は上記第2の実施形態のように櫛歯ブロック部が配置されていない電子部品の図を示す。上記各実施形態と同様の構成については同様の符号を付している。
<Electronic component characteristics>
The electronic component of the present invention is not limited to each of the above embodiments, and may have the configurations shown in FIGS. 23 and 24, for example. 23 and 24 are schematic perspective views of the electronic components according to the above embodiment. Each figure of FIG. 23 shows a diagram of an electronic component in which the comb tooth block portion 24 is arranged as in the first embodiment, and each figure of FIG. 24 shows a comb tooth block portion as in the second embodiment. The figure of the electronic component which is not arranged is shown. Similar reference numerals are given to the same configurations as those in the above embodiments.

図23及び図24に示される各電子部品の外形寸法はいずれも同じであり、いずれの電子部品においても、絶縁体部の長さ寸法(La)に対する高さ寸法(Ha)の比率(Ha/La)は、Y軸方向に沿った周回部Cnの内周部間の長さ寸法(ld)に対するZ軸方向に沿った周回部Cnの内周部間の高さ寸法(hd)の比率(hd/ld)の1.5倍以下となるように構成される。 The external dimensions of each of the electronic components shown in FIGS. 23 and 24 are the same, and in each of the electronic components, the ratio of the height dimension (Ha) to the length dimension (La) of the insulator portion (Ha / La) is the ratio (hd) of the height dimension (hd) between the inner peripheral portions of the peripheral portion Cn along the Z-axis direction to the length dimension (ld) between the inner peripheral portions of the peripheral portion Cn along the Y-axis direction. It is configured to be 1.5 times or less of hd / ld).

図23Aは上記第1の実施形態の電子部品100の概略透視側面図である。図23Bは、電子部品100と比較して、引出し部23が設けられておらず、上記第2の実施形態のように接続用ビア導体層V1023を介して外部電極30とコイル部1020Lとが接続する形態の電子部品4100の概略透視側面図である。図23Cは、図23Bの電子部品3100と比較して、櫛歯ブロック部24のY軸方向における長さが短く、コイル部1020Lと櫛歯ブロック部24との距離が長い場合の電子部品5100の概略透視側面図である図23の各図においては、Y軸方向(図中左右方向)におけるコイル部20Lと絶縁体部端面との間のサイドマージンの寸法(1b)はいずれも45μmである。 FIG. 23A is a schematic perspective side view of the electronic component 100 of the first embodiment. In FIG. 23B, as compared with the electronic component 100, the drawer portion 23 is not provided, and the external electrode 30 and the coil portion 1020L are connected via the connecting via conductor layer V1023 as in the second embodiment. It is a schematic perspective side view of the electronic component 4100 of the form. 23C shows the electronic component 5100 when the length of the comb tooth block portion 24 in the Y-axis direction is shorter and the distance between the coil portion 1020L and the comb tooth block portion 24 is longer than that of the electronic component 3100 of FIG. 23B. In each view of FIG. 23, which is a schematic perspective side view, the dimension (1b) of the side margin between the coil portion 20L and the end face of the insulator portion in the Y-axis direction (left-right direction in the drawing) is 45 μm.

図24の各図は上記第2の実施形態(第1の構成例)に係る電子部品1100に対応するものであり、Y軸方向におけるサイドマージンの寸法(1b)が異なるのみで基本的な構成は同じである。図24Aに示す電子部品1100Aのサイドマージン1bは45μmであり、図24Bに示す電子部品1100Bのサイドマージン1bは20μmであり、図24Cに示す電子部品1100Cのサイドマージン1bは10μmである。 Each figure of FIG. 24 corresponds to the electronic component 1100 according to the second embodiment (first configuration example), and has a basic configuration except that the side margin dimension (1b) in the Y-axis direction is different. Is the same. The side margin 1b of the electronic component 1100A shown in FIG. 24A is 45 μm, the side margin 1b of the electronic component 1100B shown in FIG. 24B is 20 μm, and the side margin 1b of the electronic component 1100C shown in FIG. 24C is 10 μm.

図25は、図23及び図24に示す各電子部品のインダクタンス(L値)特性を示す。図26は、図23及び図24に示す各電子部品のQ値特性を示す。図25及び図26において、横軸の23Aは図23Aに示される電子部品に相当し、以下同様に、23B、23C、24A、24B及び24Cはそれぞれ図23B、図23C、図24A、図24B及び図24Cに示される電子部品に相当し、各電子部品のインダクタンス及びQ値がプロットされている。 FIG. 25 shows the inductance (L value) characteristics of each electronic component shown in FIGS. 23 and 24. FIG. 26 shows the Q value characteristics of each of the electronic components shown in FIGS. 23 and 24. In FIGS. 25 and 26, 23A on the horizontal axis corresponds to the electronic component shown in FIG. 23A, and similarly, 23B, 23C, 24A, 24B and 24C are FIGS. 23B, 23C, 24A, 24B and 24B, respectively. Corresponding to the electronic components shown in FIG. 24C, the inductance and Q value of each electronic component are plotted.

図25及び図26に示すように、いずれの電子部品においてもL値は3.0nh以上、Q値は30以上を示し、高いインダクタンス値及びQ値を得ることができる。更に、コイル部の開口(コア)を拡大することにより、インダクタンス特性及びQ値特性をより向上せせることができる。 As shown in FIGS. 25 and 26, the L value is 3.0 hn or more and the Q value is 30 or more in any of the electronic components, and a high inductance value and a Q value can be obtained. Further, by enlarging the opening (core) of the coil portion, the inductance characteristic and the Q value characteristic can be further improved.

図27は、電子部品の構成の違いによる内部導体部の形成可能領域を比較する図である。図27の各図では、電子部品の外形が200μm(幅)×400μm(横)×200μm(高さ)であるものを例にして各寸法を記載している。
図27Bは、上記第2の実施形態(第1の構成例)に示す1面実装タイプの電子部品1100の概略外観側面図である。図27Cは、上記第1の実施形態に示す3面実装タイプの電子部品100の概略透視側面図を示す。図27Dは、従来の5面実装タイプの電子部品7100の概略外観側面図を示し、符号7030は外部電極を示す。いずれの電子部品においても、外部電極の厚みは10μmとした。図27Aは絶縁体部の外形と電子部品の外形が等しいと仮定した場合を例に示し、この時の絶縁体部6010の体積を100%とし、図27B〜図27Dの各図に示す電子部品における絶縁体部の占める割合を計算した。
FIG. 27 is a diagram comparing the formable regions of the internal conductor portion due to the difference in the configuration of the electronic component. In each figure of FIG. 27, each dimension is described by taking as an example an electronic component having an outer shape of 200 μm (width) × 400 μm (width) × 200 μm (height).
FIG. 27B is a schematic external side view of the one-side mounting type electronic component 1100 shown in the second embodiment (first configuration example). FIG. 27C shows a schematic perspective side view of the three-sided mounting type electronic component 100 shown in the first embodiment. FIG. 27D shows a schematic external side view of the conventional five-sided mounting type electronic component 7100, and reference numeral 7030 indicates an external electrode. The thickness of the external electrode of each electronic component was 10 μm. FIG. 27A shows an example in which the outer shape of the insulator portion and the outer shape of the electronic component are assumed to be the same. The volume of the insulator portion 6010 at this time is 100%, and the electronic components shown in FIGS. 27B to 27D are shown. The ratio of the insulator part in the above was calculated.

図27Bの1面実装タイプの電子部品1100においては絶縁体部1010の占める割合は95%となり、図27Cの3面実装タイプの電子部品100においては絶縁体部10の占める割合は84%となり、図27Dの5面実装タイプの電子部品7100においては絶縁体部の占める割合は76.95%である。電子部品における絶縁体部の占める割合が高いほど、絶縁体部の内部に配置される内部導体部の形成可能領域が大きくなる。したがって、1面実装タイプの電子部品1100及び3面実装タイプの電子部品100は、いずれも従来の5面実装タイプの電子部品7100と比較して、内部導体部の形成可能領域が大きくなり、コイル部の開口(コア)を拡大することができる。これにより、L値及びQ値を高くすることが可能となる。 In the one-sided mounting type electronic component 1100 of FIG. 27B, the proportion of the insulator portion 1010 is 95%, and in the three-sided mounting type electronic component 100 of FIG. 27C, the proportion of the insulator portion 10 is 84%. In the 5-sided mounting type electronic component 7100 shown in FIG. 27D, the proportion of the insulator portion is 76.95%. The higher the proportion of the insulator portion in the electronic component, the larger the formable region of the internal conductor portion arranged inside the insulator portion. Therefore, in both the one-sided mounting type electronic component 1100 and the three-sided mounting type electronic component 100, the formable region of the internal conductor portion is larger than that of the conventional five-sided mounting type electronic component 7100, and the coil. The opening (core) of the portion can be enlarged. This makes it possible to increase the L value and the Q value.

10、1010、2010、3010…絶縁体部
20、1020、2020…内部導体部
20L、1020L…コイル部
21,211,212、1021,10211,10212…柱状導体
22,221,222、1022,10221,10222…連結導体
100,1100,1100A,1100B,1100C、2100、3100、4100、5100…電子部品(コイル部品)
1102,2102,3102…底面
V1023,V10231,V10232、V2023,V20231,V20232…接続用ビア導体層
3040,3041,3042…ダミービア導体層
Cn…周回部
10, 1010, 2010, 3010 ... Insulator part 20, 1020, 2020 ... Internal conductor part 20L, 1020L ... Coil part 21,21,212, 1021,10211,10212 ... Columnar conductor 22,221,222, 1022, 10221, 10222 ... Connecting conductors 100, 1100, 1100A, 1100B, 1100C, 2100, 3100, 4100, 5100 ... Electronic parts (coil parts)
1102, 2102, 3102 ... Bottom surface V1023, V10231, V10232, V2023, V20231, V20232 ... Connection via conductor layer 3040, 3041, 3042 ... Dummy via conductor layer Cn ... Circulation

Claims (7)

第1の軸方向に幅方向、第2の軸方向に長さ方向、第3の軸方向に高さ方向を有し、非磁性材料で構成された絶縁体部と、
前記第1の軸方向のまわりに巻回された周回部を有し、前記絶縁体部の内部に配置されたコイル部と
を具備し、
前記絶縁体部の長さ寸法は、幅寸法及び高さ寸法よりも長く、
前記絶縁体部の長さ寸法は410μm以下であり、
前記絶縁体部の長さ寸法に対する高さ寸法の比率は、前記第2の軸方向に沿った前記周回部の内周部間の長さ寸法に対する前記第3の軸方向に沿った前記周回部の内周部間の高さ寸法の比率の1.5倍以下であり、
前記第1の軸方向から見た前記絶縁体部の面積に対する前記周回部の内周部で区画される面積の比率は、0.22以上0.65以下であり、
前記第2の軸方向に沿った前記周回部の内周部間の長さ寸法に対する前記第3の軸方向に沿った前記周回部の内周部間の高さ寸法の比率は、0.6以上1.0以下である
コイル部品。
An insulator portion made of a non-magnetic material having a width direction in the first axial direction, a length direction in the second axial direction, and a height direction in the third axial direction.
It has a circumferential portion wound around the first axial direction, and includes a coil portion arranged inside the insulator portion.
The length dimension of the insulator portion is longer than the width dimension and the height dimension.
The length dimension of the insulator portion is 410 μm or less.
The ratio of the height dimension to the length dimension of the insulator portion is the ratio of the height dimension along the second axial direction to the length dimension between the inner peripheral portions of the peripheral portion along the second axial direction. It is less than 1.5 times the ratio of the height dimension between the inner circumferences of
The ratio of the area which is defined by the inner periphery of the rounding part to the area of the insulator portion as seen from the first axial state, and are 0.22 to 0.65,
The ratio of the height dimension between the inner peripheral portions of the peripheral portion along the third axial direction to the length dimension between the inner peripheral portions of the peripheral portion along the second axial direction is 0.6. Coil parts that are 1.0 or less .
請求項に記載のコイル部品であって、
前記第1の軸方向から見た前記絶縁体部の面積に対する前記周回部の内周部で区画される面積の比率は、0.22以上0.45以下である
コイル部品。
The coil component according to claim 1 .
A coil component in which the ratio of the area partitioned by the inner peripheral portion of the peripheral portion to the area of the insulating portion viewed from the first axial direction is 0.22 or more and 0.45 or less.
請求項1又は2に記載のコイル部品であって、
前記絶縁体部は、セラミックス又は樹脂材料から構成される
コイル部品。
The coil component according to claim 1 or 2 .
The insulator portion is a coil component made of ceramics or a resin material.
請求項1〜のいずれか1つに記載のコイル部品であって、
前記絶縁体部は直方体形状を有し、
前記コイル部品は、前記コイル部と電気的に接続する、前記絶縁体部の1面にのみ配置された外部電極を更に具備する
コイル部品。
The coil component according to any one of claims 1 to 3 .
The insulator portion has a rectangular parallelepiped shape and has a rectangular parallelepiped shape.
The coil component is a coil component further including an external electrode arranged only on one surface of the insulator portion, which is electrically connected to the coil portion.
請求項に記載のコイル部品であって、
前記コイル部と前記外部電極とは、前記コイル部の端部に接続する接続用ビア導体により電気的に接続される
コイル部品。
The coil component according to claim 4 .
A coil component in which the coil portion and the external electrode are electrically connected by a connecting via conductor connected to an end portion of the coil portion.
請求項に記載のコイル部品であって、
前記ビア導体の前記第3の軸に直交する断面は、前記コイル部の端部の前記第3の軸に直交する断面よりも大きい断面形状を有する
コイル部品。
The coil component according to claim 5 .
A coil component having a cross-sectional shape orthogonal to the third axis of the via conductor, which is larger than a cross-section orthogonal to the third axis at the end of the coil portion.
請求項4〜6のいずれか1つに記載のコイル部品であって、
前記外部電極は、前記絶縁体部の前記1面に対向する内面部と、前記内面部に設けられ前記1面に没入する複数の突起部とを有する
コイル部品。
The coil component according to any one of claims 4 to 6 .
The external electrode is a coil component having an inner surface portion of the insulator portion facing the one surface and a plurality of protrusions provided on the inner surface portion and immersed in the one surface.
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