JP7272500B2 - Multilayer metal film and inductor components - Google Patents

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JP7272500B2 JP2022118130A JP2022118130A JP7272500B2 JP 7272500 B2 JP7272500 B2 JP 7272500B2 JP 2022118130 A JP2022118130 A JP 2022118130A JP 2022118130 A JP2022118130 A JP 2022118130A JP 7272500 B2 JP7272500 B2 JP 7272500B2
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Description

本発明は、多層金属膜およびインダクタ部品に関する。 The present invention relates to multilayer metal films and inductor components.

従来、インダクタ部品などの電子部品においては、電気素子を構成する内部電極や、電気素子の端子となる外部端子に、金属膜が積層された多層金属膜が用いられる。例えば、特開2014-13815号公報(特許文献1)に記載されたインダクタ部品は、基板と、基板の両面に設けられたスパイラル配線と、スパイラル配線を覆う磁性層と、磁性層の表面に設けられた外部端子と、スパイラル配線と外部端子を電気的に接続する引出配線とを備える。スパイラル配線は、基板上に無電解めっき工程で形成されたCuの下地層と、下地層上に2度の電解めっきで形成された2層のCuの電解めっき層からなる多層金属膜である。外部端子は、個片化前にスパッタリングまたはスクリーン印刷により形成され、個片化後にめっき処理された多層金属膜である。 2. Description of the Related Art Conventionally, in electronic parts such as inductor parts, multilayer metal films in which metal films are laminated are used for internal electrodes constituting electric elements and external terminals serving as terminals of electric elements. For example, the inductor component described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-13815 (Patent Document 1) includes a substrate, spiral wiring provided on both sides of the substrate, a magnetic layer covering the spiral wiring, and a magnetic layer provided on the surface of the magnetic layer. and a lead wire electrically connecting the spiral wire and the external terminal. The spiral wiring is a multilayer metal film composed of a Cu base layer formed on a substrate by an electroless plating process and two Cu electrolytic plating layers formed on the base layer by electroplating twice. The external terminals are multilayer metal films formed by sputtering or screen printing before singulation and plated after singulation.

特開2014-13815号公報JP 2014-13815 A

多層金属膜では、積層された金属膜はその主面同士で化学的または物理的な結合力によって密着している。ここで、電子部品は、製造、実装、使用する際などに熱、電気、物理的な力が加えられるが、この力が電子部品内で内部応力となって蓄積し、多層金属膜の金属膜間で剥離が発生する場合がある。今後、より一層の電子部品の小型化を受け、多層金属膜も微細化、薄膜化が進むと、従来は問題のなかった製造、実装、使用条件であっても、上記のような剥離が発生する可能性がある。 In a multilayer metal film, the main surfaces of the laminated metal films are adhered to each other by chemical or physical bonding force. Here, electronic components are subjected to heat, electricity, and physical forces during manufacturing, mounting, and use. Delamination may occur between them. In the future, as electronic components continue to become smaller and multilayer metal films become finer and thinner, the above-mentioned delamination will occur even under manufacturing, mounting, and usage conditions that were previously unproblematic. there's a possibility that.

そこで、本開示は、金属膜間の密着力が向上した多層金属膜および当該多層金属膜を備えるインダクタ部品を提供することにある。 Accordingly, an object of the present disclosure is to provide a multilayer metal film with improved adhesion between metal films and an inductor component including the multilayer metal film.

前記課題を解決するため、本開示の一態様である多層金属膜は、
絶縁性を有する基体上に配置された金属膜であって、
前記基体に接触し導電性を有する第1金属膜と、
前記第1金属膜に対して前記基体と反対側から前記第1金属膜を覆う耐はんだ食われ性を有する第2金属膜と、
前記第1金属膜と前記第2金属膜の間に配置された触媒層と
を備え、
前記触媒層は、前記第2金属膜側に凸となり、前記第2金属膜に侵入する凸部を有する。
In order to solve the above problems, a multilayer metal film, which is one aspect of the present disclosure,
A metal film disposed on an insulating substrate,
a conductive first metal film in contact with the substrate;
a second metal film having solder erosion resistance covering the first metal film from the side opposite to the base with respect to the first metal film;
a catalyst layer disposed between the first metal film and the second metal film;
The catalyst layer has a protrusion that protrudes toward the second metal film and penetrates into the second metal film.

前記態様によれば、触媒層は、第2金属膜側に凸となり、第2金属膜に侵入する凸部を有するので、凸部のアンカー効果により第1金属膜と第2金属膜の間の密着力が向上する。なお、触媒層とは、上層側となる第2金属膜の析出を促進する金属を含む層である。例えば、第2金属膜がNiを含む膜である場合、Niめっき時のめっき液中の還元剤の酸化を促進するPdなどを含む層が、第1金属膜と第2金属膜の間に配置されていれば、当該Pdなどを含む層を触媒として、無電解めっき処理によって、第2金属膜の析出を促進することができるため、当該層は触媒層となる。 According to the above aspect, the catalyst layer has a convex portion that protrudes toward the second metal film and penetrates into the second metal film. Improves adhesion. Note that the catalyst layer is a layer containing a metal that promotes deposition of the second metal film on the upper layer side. For example, when the second metal film is a film containing Ni, a layer containing Pd or the like that promotes oxidation of the reducing agent in the plating solution during Ni plating is arranged between the first metal film and the second metal film. If so, the layer containing Pd or the like can be used as a catalyst to accelerate deposition of the second metal film by electroless plating, so the layer becomes a catalyst layer.

また、一実施形態では、前記触媒層の前記凸部の高さは、前記触媒層の前記凸部以外の部分の膜厚の2倍以上である。 In one embodiment, the height of the protrusions of the catalyst layer is at least twice the thickness of the portion of the catalyst layer other than the protrusions.

前記実施形態によれば、第1金属膜と第2金属膜の間の密着力がより一層向上する。また、第2金属膜に内部応力が蓄積された際、第2金属膜より先に凸部にクラックが生じやすくなり、第2金属膜の内部応力を低減できる。 According to the above embodiment, the adhesion between the first metal film and the second metal film is further improved. In addition, when internal stress is accumulated in the second metal film, cracks are more likely to occur in the protrusions than in the second metal film, and the internal stress in the second metal film can be reduced.

また、一実施形態では、前記触媒層の前記凸部以外の部分の膜厚は、10nm以上30nm以下である。 In one embodiment, the film thickness of the portion of the catalyst layer other than the convex portion is 10 nm or more and 30 nm or less.

前記実施形態によれば、良好に第2金属膜を形成できるとともに、多層金属膜の電気的、物理的、化学的特性の触媒層による影響を低減できる。 According to the above embodiment, the second metal film can be satisfactorily formed, and the influence of the catalyst layer on the electrical, physical, and chemical properties of the multilayer metal film can be reduced.

また、一実施形態では、前記触媒層の前記凸部の高さは、前記第2金属膜の膜厚の1/2以下である。 In one embodiment, the height of the protrusions of the catalyst layer is 1/2 or less of the film thickness of the second metal film.

前記実施形態によれば、第2金属膜の耐はんだ食われ性を十分に確保できる。 According to the above embodiment, the solder erosion resistance of the second metal film can be sufficiently ensured.

また、一実施形態では、前記触媒層は、前記第1金属膜よりも貴な金属を含む。 Further, in one embodiment, the catalyst layer contains a nobler metal than the first metal film.

前記実施形態によれば、第1金属膜との置換反応により触媒層を容易に形成することができる。 According to the embodiment, the catalyst layer can be easily formed by the substitution reaction with the first metal film.

また、一実施形態では、
前記基体は、樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む磁性樹脂層を有し、
前記第1金属膜は、前記磁性樹脂層に接触する。
Also, in one embodiment,
The base has a magnetic resin layer containing a resin and metal magnetic powder contained in the resin,
The first metal film contacts the magnetic resin layer.

前記実施形態によれば、金属磁性粉の導電性や置換反応を利用して第1金属膜を析出させることができる。また、第1金属膜が金属磁性粉と強く結合し、基体と第1金属膜の密着力を向上できる。 According to the above embodiment, the first metal film can be deposited by utilizing the conductivity and substitution reaction of the metal magnetic powder. Also, the first metal film is strongly bonded to the metal magnetic powder, and the adhesion between the substrate and the first metal film can be improved.

また、一実施形態では、さらに、前記第2金属膜上にはんだ濡れ性を有する第3金属膜を有する。 In one embodiment, a third metal film having solder wettability is further provided on the second metal film.

前記実施形態によれば、多層金属膜のはんだ濡れ性を向上できる。 According to the embodiment, the solder wettability of the multilayer metal film can be improved.

また、一実施形態では、前記第1金属膜は、Cuを含む。 In one embodiment, the first metal film contains Cu.

前記実施形態によれば、多層金属膜の導電性を低コストで確保できる。また、第1金属膜の硬度を小さくできるので、多層金属膜の内部応力を低減できる。 According to the above embodiment, the conductivity of the multilayer metal film can be ensured at low cost. Moreover, since the hardness of the first metal film can be reduced, the internal stress of the multilayer metal film can be reduced.

また、一実施形態では、前記第2金属膜は、Niを含む。 In one embodiment, the second metal film contains Ni.

前記実施形態によれば、多層金属膜の耐はんだ食われ性を容易に向上できる。 According to the above embodiment, the solder erosion resistance of the multilayer metal film can be easily improved.

また、一実施形態では、前記触媒層は、Pdを含む。 Also, in one embodiment, the catalyst layer contains Pd.

前記実施形態によれば、触媒層を容易に構成することができる。 According to the embodiment, the catalyst layer can be easily constructed.

また、インダクタ部品の一実施形態では、
基体と、
前記多層金属膜と、
前記基体内に配置されたインダクタ素子と
を備え、
前記多層金属膜は、前記基体から露出し、かつ、前記インダクタ素子に電気的に接続された外部端子である。
Also, in one embodiment of the inductor component,
a substrate;
the multilayer metal film;
an inductor element disposed within the base;
The multilayer metal film is an external terminal exposed from the base and electrically connected to the inductor element.

前記実施形態によれば、外部端子内の剥離を低減したインダクタ部品を提供できる。 According to the embodiment, it is possible to provide an inductor component in which peeling inside the external terminals is reduced.

本開示の一態様である多層金属膜およびインダクタ部品によれば、多層金属膜の金属膜間の密着力を向上できる。 According to the multilayer metal film and the inductor component according to one aspect of the present disclosure, it is possible to improve the adhesion between the metal films of the multilayer metal film.

インダクタ部品の第1実施形態を示す透視平面図である。1 is a perspective plan view showing a first embodiment of an inductor component; FIG. 図1AのA-A断面図である。FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1A; 図1Bの一部拡大図である。1C is a partially enlarged view of FIG. 1B; FIG. インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of inductor components. インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of inductor components. インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of inductor components. インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of inductor components. インダクタ部品の第1実施例の走査型電子顕微鏡の画像図である。FIG. 4 is a scanning electron microscope image of the first embodiment of the inductor component; 外部端子の拡大画像図である。3 is an enlarged image diagram of an external terminal; FIG. インダクタ部品の第2実施例の走査型電子顕微鏡の画像図である。FIG. 10 is a scanning electron microscope image of the second embodiment of the inductor component;

以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。 An inductor component, which is one aspect of the present disclosure, will be described in detail below with reference to the illustrated embodiments. Note that the drawings are partially schematic and may not reflect actual dimensions or proportions.

(第1実施形態)
(構成)
図1Aは、インダクタ部品の第1実施形態を示す透視平面図である。図1Bは、図1AのA-A断面図である。図2は、図1Bの一部拡大図である。
(First embodiment)
(composition)
1A is a perspective plan view showing a first embodiment of an inductor component; FIG. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1A. FIG. 2 is a partially enlarged view of FIG. 1B.

インダクタ部品1は、例えば、パソコン、DVDプレーヤー、デジタルカメラ、TV、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載される回路基板に実装される表面実装型の電子部品である。ただし、インダクタ部品1は、表面実装型でなく、基板内蔵型の電子部品であってもよい。また、インダクタ部品1は、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品1の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。 The inductor component 1 is, for example, a surface-mounted electronic component mounted on a circuit board mounted on electronic equipment such as personal computers, DVD players, digital cameras, TVs, mobile phones, and car electronics. However, the inductor component 1 may be a board-embedded electronic component instead of the surface-mounted type. Also, the inductor component 1 is, for example, a rectangular parallelepiped component as a whole. However, the shape of the inductor component 1 is not particularly limited, and may be a cylindrical shape, a polygonal columnar shape, a truncated cone shape, or a truncated polygonal pyramid shape.

図1Aと図1Bに示すように、インダクタ部品1は、絶縁性を有する基体10と、基体10内に配置された第1インダクタ素子2Aおよび第2インダクタ素子2Bと、基体10の長方形状の第1主面10aから端面が露出するように基体10に埋め込まれた第1柱状配線31、第2柱状配線32、第3柱状配線33および第4柱状配線34と、基体10の第1主面10a上に配置された第1外部端子41、第2外部端子42、第3外部端子43および第4外部端子44と、基体10の第1主面10a上に設けられた絶縁膜50とを備える。図中、インダクタ部品1の厚みに平行な方向をZ方向とし、順Z方向を上側、逆Z方向を下側とする。Z方向に直交する平面において、インダクタ部品1の長手側となる長さに平行な方向をX方向とし、インダクタ部品1の短手側となる幅に平行な方向をY方向とする。 As shown in FIGS. 1A and 1B, inductor component 1 includes substrate 10 having insulating properties, first inductor element 2A and second inductor element 2B arranged in substrate 10, and rectangular second inductor element 2B of substrate 10. A first columnar wiring 31, a second columnar wiring 32, a third columnar wiring 33, and a fourth columnar wiring 34 embedded in the base 10 so that the end faces are exposed from the first main surface 10a, and the first main surface 10a of the base 10. A first external terminal 41 , a second external terminal 42 , a third external terminal 43 and a fourth external terminal 44 arranged thereon, and an insulating film 50 provided on the first major surface 10 a of the base 10 are provided. In the drawing, the direction parallel to the thickness of the inductor component 1 is the Z direction, the forward Z direction is the upper side, and the reverse Z direction is the lower side. In a plane perpendicular to the Z direction, the longitudinal direction of inductor component 1 is defined as the X direction, and the lateral direction of inductor component 1 is defined as the Y direction.

基体10は、絶縁層61と、絶縁層61の下面61aに配置された第1磁性層11と、絶縁層61の上面61bに配置された第2磁性層12とを有する。基体10の第1主面10aは、第2磁性層12の上面に相当する。基体10は、絶縁層61、第1磁性層11および第2磁性層12の3層構造であるが、磁性層のみの1層構造、磁性層と絶縁層のみの2層構造、複数の磁性層及び絶縁層からなる4層以上の構造のいずれであってもよい。 The substrate 10 has an insulating layer 61 , a first magnetic layer 11 arranged on a lower surface 61 a of the insulating layer 61 , and a second magnetic layer 12 arranged on an upper surface 61 b of the insulating layer 61 . The first main surface 10 a of the substrate 10 corresponds to the upper surface of the second magnetic layer 12 . The substrate 10 has a three-layer structure consisting of an insulating layer 61, a first magnetic layer 11 and a second magnetic layer 12. A single-layer structure with only a magnetic layer, a two-layer structure with only a magnetic layer and an insulating layer, and a plurality of magnetic layers. and four or more layers of insulating layers.

絶縁層61は、絶縁性を有し、主面が長方形の層状であり、絶縁層61の厚みは、例えば、10μm以上100μm以下である。絶縁層61は、例えば、低背化の観点からガラスクロスなどの基材を含まないエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁樹脂層であることが好ましいが、NiZn系やMnZn系などのフェライトのような磁性体や、アルミナ、ガラスのような非磁性体からなる焼結体層であってもよく、ガラスエポキシなどの基材を含む樹脂基板層であってもよい。なお、絶縁層61が焼結体層である場合は、絶縁層61の強度や平坦性を確保でき、絶縁層61上の積層物の加工性が向上する。また、絶縁層61が焼結体層である場合は、低背化の観点から研磨加工されていることが好ましく、特に積層物のない下側から研磨されていることが好ましい。 The insulating layer 61 has an insulating property, has a layered shape with a rectangular main surface, and has a thickness of, for example, 10 μm or more and 100 μm or less. The insulating layer 61 is preferably, for example, an insulating resin layer such as an epoxy-based resin or a polyimide-based resin that does not contain a base material such as a glass cloth from the viewpoint of low profile. It may be a sintered body layer made of a magnetic material such as , or a non-magnetic material such as alumina or glass, or a resin substrate layer containing a base material such as glass epoxy. In addition, when the insulating layer 61 is a sintered body layer, the strength and flatness of the insulating layer 61 can be secured, and the workability of the laminate on the insulating layer 61 is improved. Further, when the insulating layer 61 is a sintered body layer, it is preferably ground from the viewpoint of height reduction, and particularly preferably ground from the lower side where there is no laminate.

第1磁性層11及び第2磁性層12は、高い透磁率を有し、主面が長方形の層状であり、樹脂135と、樹脂135に含有された金属磁性粉136とを含む。樹脂135は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料である。金属磁性粉136は、例えば、FeSiCrなどのFeSi系合金、FeCo系合金、NiFeなどのFe系合金、または、それらのアモルファス合金などの磁性を有する金属材料である。金属磁性粉136の平均粒径は、例えば0.1μm以上5μm以下である。インダクタ部品1の製造段階においては、金属磁性粉136の平均粒径を、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値50%に相当する粒径(いわゆるD50)として算出することができる。金属磁性粉136の含有率は、好ましくは、磁性層全体に対して、20Vol%以上70Vol%以下である。金属磁性粉136の平均粒径が5μm以下である場合、直流重畳特性がより向上し、微粉によって高周波での鉄損を低減できる。なお、金属磁性粉でなく、NiZn系やMnZn系などのフェライトの磁性粉を用いてもよい。 The first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12 have a high magnetic permeability, are layered with a rectangular main surface, and contain a resin 135 and metal magnetic powder 136 contained in the resin 135 . The resin 135 is an organic insulating material such as epoxy resin, bismaleimide, liquid crystal polymer, polyimide, or the like. The metal magnetic powder 136 is, for example, a magnetic metal material such as FeSi-based alloys such as FeSiCr, FeCo-based alloys, Fe-based alloys such as NiFe, or amorphous alloys thereof. The average particle size of the metal magnetic powder 136 is, for example, 0.1 μm or more and 5 μm or less. At the manufacturing stage of inductor component 1, the average particle size of metal magnetic powder 136 can be calculated as a particle size (so-called D50) corresponding to an integrated value of 50% in a particle size distribution determined by a laser diffraction/scattering method. The content of the metal magnetic powder 136 is preferably 20 Vol % or more and 70 Vol % or less with respect to the entire magnetic layer. When the average particle size of the metal magnetic powder 136 is 5 μm or less, the DC superimposition characteristics are further improved, and the fine powder can reduce iron loss at high frequencies. Magnetic powder of ferrite such as NiZn or MnZn may be used instead of the metal magnetic powder.

第1インダクタ素子2A、第2インダクタ素子2Bは、基体10の第1主面10aと平行に配置された第1スパイラル配線21、第2スパイラル配線22を含む。これにより、第1インダクタ素子2Aおよび第2インダクタ素子2Bを第1主面10aと平行な方向で構成でき、インダクタ部品1の低背化を実現できる。第1スパイラル配線21と第2スパイラル配線22は、基体10内の同一平面上に配置されている。具体的に述べると、第1スパイラル配線21と第2スパイラル配線22は、絶縁層61の上方側、つまり、絶縁層61の上面61bにのみ形成され、第2磁性層12に覆われている。 The first inductor element 2A and the second inductor element 2B include a first spiral wire 21 and a second spiral wire 22 arranged parallel to the first main surface 10a of the base 10, respectively. As a result, the first inductor element 2A and the second inductor element 2B can be formed parallel to the first main surface 10a, and the height of the inductor component 1 can be reduced. The first spiral wiring 21 and the second spiral wiring 22 are arranged on the same plane within the base 10 . Specifically, the first spiral wire 21 and the second spiral wire 22 are formed only on the upper side of the insulating layer 61 , that is, on the upper surface 61 b of the insulating layer 61 and are covered with the second magnetic layer 12 .

第1、第2スパイラル配線21,22は、平面状に巻回されている。具体的に述べると、第1、第2スパイラル配線21,22は、Z方向から見たときに、半楕円形の弧状である。すなわち、第1、第2スパイラル配線21,22は、約半周分巻回された曲線状の配線である。また、第1、第2スパイラル配線21,22は、中間部分で直線部を含んでいる。なお、本願において、スパイラル配線の「スパイラル」とは、渦巻形状を含む平面状に巻回された曲線形状を意味し、第1スパイラル配線21、第2スパイラル配線22のような1ターン以下の曲線形状も含み、また当該曲線形状は、部分的な直線部を含んでいてもよい。 The first and second spiral wires 21 and 22 are wound in a plane. Specifically, the first and second spiral wires 21 and 22 are semi-elliptical arcs when viewed from the Z direction. That is, the first and second spiral wires 21 and 22 are curved wires wound about half a turn. Also, the first and second spiral wirings 21 and 22 include straight portions in the intermediate portions. In the present application, the “spiral” of spiral wiring means a curved shape wound in a plane including a spiral shape. It also includes a shape, and the curvilinear shape may include a partial straight portion.

第1、第2スパイラル配線21,22の厚みは、例えば、40μm以上120μm以下であることが好ましい。第1、第2スパイラル配線21,22の実施例として、厚みが45μm、配線幅が40μm、配線間スペースが10μmである。配線間スペースは絶縁性の確保から、3μm以上20μm以下が好ましい。 The thickness of the first and second spiral wires 21 and 22 is preferably, for example, 40 μm or more and 120 μm or less. As an example of the first and second spiral wires 21 and 22, the thickness is 45 μm, the wire width is 40 μm, and the space between the wires is 10 μm. The space between wirings is preferably 3 μm or more and 20 μm or less to ensure insulation.

第1、第2スパイラル配線21,22は、導電性材料からなり、例えばCu、Ag,Auなどの低電気抵抗な金属材料からなる。本実施形態では、インダクタ部品1は、第1、第2スパイラル配線21,22を1層のみ備えており、インダクタ部品1の低背化を実現できる。なお、第1、第2スパイラル配線21,22は多層金属膜であってもよく、例えば、無電解めっきにより形成されたCuやTiなどの下地層上に、CuやAgなどの導電層が形成された構造であってもよい。 The first and second spiral wirings 21 and 22 are made of a conductive material, such as a metal material with low electric resistance such as Cu, Ag, and Au. In the present embodiment, the inductor component 1 has only one layer of the first and second spiral wirings 21 and 22, so that the height of the inductor component 1 can be reduced. The first and second spiral wires 21 and 22 may be multilayer metal films. For example, a conductive layer such as Cu or Ag is formed on a base layer such as Cu or Ti formed by electroless plating. It may be a structure that is

第1スパイラル配線21は、第1端、第2端がそれぞれ外側に位置する第1柱状配線31、第2柱状配線32に電気的に接続され、第1柱状配線31および第2柱状配線32からインダクタ部品1の中心側に向かって孤を描く曲線状である。また、第1スパイラル配線21は、その両端にスパイラル形状部分よりも線幅の大きいパッド部を有し、パッド部において、第1、第2柱状配線31,32と直接接続されている。 The first spiral wiring 21 has a first end and a second end electrically connected to the first columnar wiring 31 and the second columnar wiring 32 positioned on the outer side, respectively. It has a curved shape that draws an arc toward the center of the inductor component 1 . The first spiral wiring 21 has pad portions at both ends thereof, the width of which is larger than that of the spiral portion, and is directly connected to the first and second columnar wirings 31 and 32 at the pad portions.

同様に、第2スパイラル配線22は、第1端、第2端がそれぞれ外側に位置する第3柱状配線33、第4柱状配線34に電気的に接続され、第3柱状配線33および第4柱状配線34からインダクタ部品1の中心側に向かって孤を描く曲線状である。 Similarly, the second spiral wiring 22 has a first end and a second end electrically connected to the third and fourth columnar wirings 33 and 34 positioned on the outer side, respectively. It has a curved shape that draws an arc from the wiring 34 toward the center of the inductor component 1 .

ここで、第1、第2スパイラル配線21,22のそれぞれにおいて、第1、第2スパイラル配線21,22が描く曲線と、第1、第2スパイラル配線21,22の両端を結んだ直線とに囲まれる範囲を内径部分とする。このとき、Z方向からみて、第1、第2スパイラル配線21,22について、その内径部分同士は重ならず、第1、第2スパイラル配線21,22は、互いに離隔している。 Here, in each of the first and second spiral wires 21 and 22, the curve drawn by the first and second spiral wires 21 and 22 and the straight line connecting both ends of the first and second spiral wires 21 and 22 Let the enclosed range be an inner diameter part. At this time, when viewed from the Z direction, the inner diameter portions of the first and second spiral wires 21 and 22 do not overlap, and the first and second spiral wires 21 and 22 are separated from each other.

第1、第2スパイラル配線21,22の第1から第4柱状配線31~34との接続位置からX方向に平行な方向であってインダクタ部品1の外側となる方向に向かってさらに配線が伸びており、この配線はインダクタ部品1の外側に露出している。つまり、第1、第2スパイラル配線21,22は、インダクタ部品1の積層方向に平行な側面(YZ平面に平行な面)から外部に露出している露出部200を有する。 From the connection positions of the first and second spiral wires 21 and 22 to the first to fourth columnar wires 31 to 34, the wires further extend in a direction parallel to the X direction and outside the inductor component 1. , and this wiring is exposed to the outside of the inductor component 1 . That is, the first and second spiral wirings 21 and 22 have exposed portions 200 exposed to the outside from side surfaces (surfaces parallel to the YZ plane) parallel to the stacking direction of inductor component 1 .

この配線は、インダクタ部品1の製造過程において、第1、第2スパイラル配線21,22の形状を形成後、追加で電解めっきを行う際の給電配線と接続される配線である。この給電配線によりインダクタ部品1を個片化する前のインダクタ基板状態において、追加で電解めっきを容易に行うことができ、配線間距離を狭くすることができる。また、追加で電解めっきを行うことで、第1、第2スパイラル配線21,22の配線間距離を狭くすることにより、第1、第2スパイラル配線21,22の磁気結合を高めたり、第1、第2スパイラル配線21,22の配線幅を大きくして電気抵抗を低減したり、インダクタ部品1の外形を小型化したりすることができる。 This wiring is to be connected to the power supply wiring when performing additional electrolytic plating after forming the shapes of the first and second spiral wirings 21 and 22 in the manufacturing process of the inductor component 1 . With this power supply wiring, additional electrolytic plating can be easily performed in the state of the inductor substrate before the inductor component 1 is singulated, and the distance between the wirings can be narrowed. Further, by additionally performing electrolytic plating, the distance between the first and second spiral wires 21 and 22 is narrowed, thereby enhancing the magnetic coupling between the first and second spiral wires 21 and 22, , the wiring width of the second spiral wirings 21 and 22 can be increased to reduce the electrical resistance, and the outer shape of the inductor component 1 can be reduced.

また、第1、第2スパイラル配線21,22は、露出部200を有するので、インダクタ基板の加工時の静電気破壊耐性を確保できる。各スパイラル配線21,22において、露出部200の露出面200aの厚み(Z方向に沿った寸法)は、好ましくは、各スパイラル配線21,22の厚み(Z方向に沿った寸法)以下で、かつ、45μm以上である。露出面200aの厚みがスパイラル配線21,22の厚み以下であることにより、磁性層11,12の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。また、露出面200aの厚みが45μm以上であることにより、露出面200a付近の断線の発生を低減できる。露出面200aは、好ましくは、酸化膜である。これによれば、インダクタ部品1とその隣接部品との間でショートを抑制できる。 In addition, since the first and second spiral wirings 21 and 22 have the exposed portions 200, it is possible to ensure resistance to electrostatic breakdown during processing of the inductor substrate. In each of the spiral wires 21 and 22, the thickness (dimension along the Z direction) of the exposed surface 200a of the exposed portion 200 is preferably equal to or less than the thickness (dimension along the Z direction) of each spiral wire 21 and 22, and , 45 μm or more. By setting the thickness of the exposed surface 200a to be equal to or less than the thickness of the spiral wires 21 and 22, the ratio of the magnetic layers 11 and 12 can be increased and the inductance can be improved. Moreover, since the thickness of the exposed surface 200a is 45 μm or more, occurrence of disconnection near the exposed surface 200a can be reduced. The exposed surface 200a is preferably an oxide film. According to this, it is possible to suppress a short circuit between inductor component 1 and its adjacent components.

第1から第4柱状配線31~34は、各スパイラル配線21,22からZ方向に延在し、第2磁性層12の内部を貫通している。第1柱状配線31は、第1スパイラル配線21の一端の上面から上側に延在し、第1柱状配線31の端面が、基体10の第1主面10aから露出する。第2柱状配線32は、第1スパイラル配線21の他端の上面から上側に延在し、第2柱状配線32の端面が、基体10の第1主面10aから露出する。第3柱状配線33は、第2スパイラル配線22の一端の上面から上側に延在し、第3柱状配線33の端面が、基体10の第1主面10aから露出する。第4柱状配線34は、第2スパイラル配線22の他端の上面から上側に延在し、第4柱状配線34の端面が、基体10の第1主面10aから露出する。 The first to fourth columnar wires 31 to 34 extend from the spiral wires 21 and 22 in the Z direction and pass through the inside of the second magnetic layer 12 . The first columnar wiring 31 extends upward from the upper surface of one end of the first spiral wiring 21 , and the end surface of the first columnar wiring 31 is exposed from the first major surface 10 a of the base 10 . The second columnar wiring 32 extends upward from the upper surface of the other end of the first spiral wiring 21 , and the end surface of the second columnar wiring 32 is exposed from the first major surface 10 a of the base 10 . The third pillar-shaped wiring 33 extends upward from the top surface of one end of the second spiral wiring 22 , and the end surface of the third pillar-shaped wiring 33 is exposed from the first main surface 10 a of the base 10 . The fourth columnar wire 34 extends upward from the upper surface of the other end of the second spiral wire 22 , and the end face of the fourth columnar wire 34 is exposed from the first main surface 10 a of the base 10 .

したがって、第1柱状配線31、第2柱状配線32、第3柱状配線33、第4柱状配線34は、第1インダクタ素子2A、第2インダクタ素子2Bから上記第1主面10aから露出する端面まで、当該端面に直交する方向に直線状に伸びる。これにより、第1外部端子41、第2外部端子42、第3外部端子43、第4外部端子44と、第1インダクタ素子2A、第2インダクタ素子2Bとをより短い距離で接続することができ、インダクタ部品1の低抵抗化や高インダクタンス化を実現できる。第1から第4柱状配線31~34は、導電性材料からなり、例えば、スパイラル配線21,22と同様の材料からなる。 Therefore, the first columnar wiring 31, the second columnar wiring 32, the third columnar wiring 33, and the fourth columnar wiring 34 extend from the first inductor element 2A and the second inductor element 2B to the end surface exposed from the first main surface 10a. , extending linearly in a direction orthogonal to the end face. Thereby, the first external terminal 41, the second external terminal 42, the third external terminal 43, the fourth external terminal 44, and the first inductor element 2A, the second inductor element 2B can be connected at a shorter distance. , the inductor component 1 can be made to have a low resistance and a high inductance. The first to fourth columnar wirings 31 to 34 are made of a conductive material, for example, the same material as the spiral wirings 21 and 22 .

第1から第4外部端子41~44は、基体10の第1主面10a(第2磁性層12の上面)上に配置された多層金属膜である。第1外部端子41は、第1柱状配線31の基体10の第1主面10aから露出する端面に接触し、第1柱状配線31と電気的に接続されている。これにより、第1外部端子41は、第1スパイラル配線21の一端に電気的に接続される。第2外部端子42は、第2柱状配線32の基体10の第1主面10aから露出する端面に接触し、第2柱状配線32と電気的に接続されている。これにより、第2外部端子42は、第1スパイラル配線21の他端に電気的に接続される。 The first to fourth external terminals 41 to 44 are multilayer metal films arranged on the first main surface 10a of the substrate 10 (upper surface of the second magnetic layer 12). The first external terminal 41 is in contact with the end surface of the first columnar wiring 31 exposed from the first main surface 10 a of the base 10 and electrically connected to the first columnar wiring 31 . Thereby, the first external terminal 41 is electrically connected to one end of the first spiral wiring 21 . The second external terminal 42 is in contact with the end surface of the second columnar wiring 32 exposed from the first main surface 10a of the base 10 and electrically connected to the second columnar wiring 32 . Thereby, the second external terminal 42 is electrically connected to the other end of the first spiral wiring 21 .

同様に、第3外部端子43は、第3柱状配線33の端面に接触し、第3柱状配線33と電気的に接続されて、第2スパイラル配線22の一端に電気的に接続される。第4外部端子44は、第4柱状配線34の端面に接触し、第4柱状配線34と電気的に接続されて、第2スパイラル配線22の他端に電気的に接続される。 Similarly, the third external terminal 43 contacts the end face of the third columnar wiring 33 , is electrically connected to the third columnar wiring 33 , and is electrically connected to one end of the second spiral wiring 22 . The fourth external terminal 44 contacts the end face of the fourth columnar wiring 34 , is electrically connected to the fourth columnar wiring 34 , and is electrically connected to the other end of the second spiral wiring 22 .

インダクタ部品1では、第1主面10aは、長方形状の辺に相当する直線状に伸びる第1端縁101、第2端縁102を有する。第1端縁101、第2端縁102は、それぞれ基体10の第1側面10b、第2側面10cに続く第1主面10aの端縁である。第1外部端子41と第3外部端子43は、基体10の第1側面10b側の第1端縁101に沿って配列され、第2外部端子42と第4外部端子44は、基体10の第2側面10c側の第2端縁102に沿って配列されている。なお、基体10の第1主面10aに直交する方向からみて、基体10の第1側面10b,第2側面10cは、Y方向に沿った面であり、第1端縁101、第2端縁102と一致する。第1外部端子41と第3外部端子43の配列方向は、第1外部端子41の中心と第3外部端子43の中心を結ぶ方向とし、第2外部端子42と第4外部端子44の配列方向は、第2外部端子42の中心と第4外部端子44の中心を結ぶ方向とする。 In the inductor component 1, the first main surface 10a has a first edge 101 and a second edge 102 extending linearly corresponding to sides of a rectangular shape. A first edge 101 and a second edge 102 are edges of the first main surface 10a that are continuous with the first side surface 10b and the second side surface 10c of the substrate 10, respectively. The first external terminals 41 and the third external terminals 43 are arranged along the first edge 101 on the side of the first side surface 10 b of the base 10 , and the second external terminals 42 and the fourth external terminals 44 are arranged along the first edge 101 of the base 10 . They are arranged along the second edge 102 on the side of the two side surfaces 10c. When viewed from a direction orthogonal to the first main surface 10a of the base 10, the first side 10b and the second side 10c of the base 10 are surfaces along the Y direction, and the first edge 101 and the second edge 102. The arrangement direction of the first external terminal 41 and the third external terminal 43 is the direction connecting the center of the first external terminal 41 and the center of the third external terminal 43, and the arrangement direction of the second external terminal 42 and the fourth external terminal 44. is the direction connecting the center of the second external terminal 42 and the center of the fourth external terminal 44 .

絶縁膜50は、基体10の第1主面10aにおける第1から第4外部端子41~44が設けられていない部分上に設けられている。ただし、絶縁膜50は第1から第4外部端子41~44の端部が乗り上げることで、第1から第4外部端子41~44とZ方向に重なっていてもよい。絶縁膜50は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド等の電気絶縁性が高い樹脂材料から構成される。これにより、第1から第4外部端子41~44の間の絶縁性を向上できる。また、絶縁膜50が第1から第4外部端子41~44のパターン形成時のマスク代わりとなり、製造効率が向上する。また、絶縁膜50は、樹脂135から金属磁性粉136が露出していた場合に、当該露出する金属磁性粉136を覆うことで、金属磁性粉136の外部への露出を防止することができる。なお、絶縁膜50は、シリカや硫酸バリウムなどの絶縁材料からなるフィラーを含有してもよい。 The insulating film 50 is provided on portions of the first main surface 10a of the substrate 10 where the first to fourth external terminals 41 to 44 are not provided. However, the insulating film 50 may overlap the first to fourth external terminals 41 to 44 in the Z direction by having the ends of the first to fourth external terminals 41 to 44 run over the insulating film 50 . The insulating film 50 is made of, for example, a resin material with high electrical insulation such as acrylic resin, epoxy resin, polyimide, or the like. Thereby, the insulation between the first to fourth external terminals 41 to 44 can be improved. In addition, the insulating film 50 serves as a mask for pattern formation of the first to fourth external terminals 41 to 44, thereby improving manufacturing efficiency. Further, when the metal magnetic powder 136 is exposed from the resin 135, the insulating film 50 covers the exposed metal magnetic powder 136, thereby preventing the metal magnetic powder 136 from being exposed to the outside. Note that the insulating film 50 may contain a filler made of an insulating material such as silica or barium sulfate.

図2に示すように、多層金属膜である第1外部端子41は、基体10(第2磁性層12)に接触する第1金属膜411と、第1金属膜411に対して基体10と反対側から第1金属膜411を覆う第2金属膜412と、第1金属膜411と第2金属膜412の間に配置された触媒層415とを備える。第2、第3、第4外部端子42,43,44の構成は、第1外部端子41の構成と同じであるため、以下、第1外部端子41のみについて説明する。 As shown in FIG. 2, the first external terminal 41, which is a multi-layered metal film, includes a first metal film 411 in contact with the substrate 10 (second magnetic layer 12) and a first metal film 411 opposite to the substrate 10 with respect to the first metal film 411. It comprises a second metal film 412 covering the first metal film 411 from the side, and a catalyst layer 415 arranged between the first metal film 411 and the second metal film 412 . Since the configurations of the second, third, and fourth external terminals 42, 43, and 44 are the same as the configuration of the first external terminal 41, only the first external terminal 41 will be described below.

第1金属膜411は、導電性を有し、第1外部端子41の電気抵抗を低減する役割を有する。第1金属膜411は、例えば、無電解めっきにより形成されるが、電解めっきにより形成されてもよい。第1金属膜411が無電解めっきにより形成される場合、基体10は金属磁性粉136を含むので、金属磁性粉136との置換反応により金属磁性粉136上に第1金属膜411を析出させることができ、基体10と第1金属膜411の密着性を向上できる。 The first metal film 411 has conductivity and serves to reduce the electrical resistance of the first external terminal 41 . The first metal film 411 is formed by electroless plating, for example, but may be formed by electrolytic plating. When the first metal film 411 is formed by electroless plating, the substrate 10 contains the metal magnetic powder 136, so the substitution reaction with the metal magnetic powder 136 causes the first metal film 411 to be deposited on the metal magnetic powder 136. can be formed, and the adhesion between the substrate 10 and the first metal film 411 can be improved.

第2金属膜412は、耐はんだ食われ性を有し、第1金属膜411を覆うことで第1外部端子41の第1金属膜411の実装はんだによるはんだ食われを抑制できる。第2金属膜412は、例えば、触媒層415を介して、無電解めっきにより形成される。 The second metal film 412 has solder erosion resistance, and by covering the first metal film 411 , solder erosion due to mounting solder of the first metal film 411 of the first external terminal 41 can be suppressed. The second metal film 412 is formed by, for example, electroless plating through the catalyst layer 415 .

触媒層415は、膜状のベース部415aと、ベース部415a上に設けられた複数の凸部415bとを有する。凸部415bは、第2金属膜412側に凸となり、第2金属膜412に侵入している。これにより、凸部415bのアンカー効果により第1金属膜411と第2金属膜412の間の密着力が向上する。具体的に述べると、インダクタ部品1の製造時や実装時、使用時に、第1金属膜411と第2金属膜412の線膨張率の違いや、第1外部端子41に対する外力の作用により、第1金属膜411または第2金属膜412に応力が生じる場合があるが、触媒層415の凸部415bが、第2金属膜412に対するアンカーとなり、第1金属膜411と第2金属膜412の間の密着力が向上する。触媒層415は、例えば、第1金属膜411との置換反応により形成される。 The catalyst layer 415 has a film-like base portion 415a and a plurality of protrusions 415b provided on the base portion 415a. The convex portion 415 b protrudes toward the second metal film 412 and penetrates into the second metal film 412 . As a result, the adhesion between the first metal film 411 and the second metal film 412 is improved due to the anchoring effect of the projections 415b. Specifically, when the inductor component 1 is manufactured, mounted, or used, due to the difference in linear expansion coefficient between the first metal film 411 and the second metal film 412 and the action of an external force on the first external terminal 41, the first Although stress may occur in the first metal film 411 or the second metal film 412 , the convex portion 415 b of the catalyst layer 415 serves as an anchor for the second metal film 412 , and the stress between the first metal film 411 and the second metal film 412 is reduced. improves adhesion. The catalyst layer 415 is formed by a substitution reaction with the first metal film 411, for example.

好ましくは、触媒層415の凸部415bの高さAは、触媒層415の凸部415b以外の部分(つまり、ベース部415a)の膜厚tの2倍以上である。高さA、膜厚tは、それぞれ凸部415b、ベース部415aについて、Z方向と平行に測定した寸法である。
これにより、凸部415bの高さAを高くでき、凸部415bのアンカー効果により第1金属膜411と第2金属膜412の間の密着力がより一層向上する。また、第2金属膜412に内部応力が蓄積された際、第2金属膜412より先に凸部415bにクラックが生じやすくなり、第2金属膜412の内部応力を低減できる。よって、凸部415bは、クラックを有していてもよく、このクラックにより、第2金属膜412の内部応力を確実に低減できる。
高さや膜厚の計測条件(以下の高さや膜厚の計測を含む)としては、計測対象(上記の場合は第1外部端子41)の計測寸法(高さや膜厚)に垂直な面の中心で計測対象を切断した断面の走査透過型電子顕微鏡(SEM)画像で観察して計測する。具体的に述べると、インダクタ部品1などの試料を加工して測定対象の多層金属膜の上記中心を通る断面を露出させ、当該断面をSEMを用い、1万倍の倍率にて取得した画像において測定する。なお、凸部415bの高さAは、最大寸法を測定すればよく、ベース部415aの膜厚tは、端部を除いた5か所の膜厚を測定し、その平均値を算出すればよい。以下の膜厚も同様に算出する。
Preferably, the height A of the protrusions 415b of the catalyst layer 415 is twice or more the film thickness t of the portion of the catalyst layer 415 other than the protrusions 415b (that is, the base portion 415a). The height A and the film thickness t are dimensions of the convex portion 415b and the base portion 415a, respectively, measured in parallel with the Z direction.
As a result, the height A of the protrusion 415b can be increased, and the adhesion between the first metal film 411 and the second metal film 412 is further improved due to the anchor effect of the protrusion 415b. In addition, when internal stress is accumulated in the second metal film 412, cracks tend to occur in the protrusions 415b before the second metal film 412, and the internal stress in the second metal film 412 can be reduced. Therefore, the convex portion 415b may have a crack, and the internal stress of the second metal film 412 can be reliably reduced by the crack.
The height and film thickness measurement conditions (including the following height and film thickness measurement) are the center of the plane perpendicular to the measurement dimension (height and film thickness) of the object to be measured (the first external terminal 41 in the above case) Observe and measure with a scanning transmission electron microscope (SEM) image of a cross section of the object to be measured. Specifically, a sample such as the inductor component 1 is processed to expose a cross section passing through the center of the multi-layer metal film to be measured, and an image of the cross section is acquired at a magnification of 10,000 times using an SEM. Measure. The height A of the convex portion 415b can be obtained by measuring the maximum dimension, and the film thickness t of the base portion 415a can be obtained by measuring the film thickness at five locations excluding the end portions and calculating the average value thereof. good. The following film thicknesses are also calculated in the same manner.

好ましくは、触媒層415の凸部415b以外の部分(つまり、ベース部415a)の膜厚tは、10nm以上30nm以下である。
膜厚tが10nm以上であることにより、良好に第2金属層を形成できるとともに、膜厚tが30nm以下であることにより、第1外部端子41の電気的、物理的、化学的特性の触媒層による影響を低減できる。
Preferably, the film thickness t of the portion of the catalyst layer 415 other than the projections 415b (that is, the base portion 415a) is 10 nm or more and 30 nm or less.
When the film thickness t is 10 nm or more, the second metal layer can be formed satisfactorily, and when the film thickness t is 30 nm or less, the electrical, physical, and chemical properties of the first external terminal 41 are improved. The effect of layers can be reduced.

好ましくは、触媒層415の凸部415bの高さAは、第2金属膜412の膜厚T2の1/2以下である。これにより、第2金属膜412の耐はんだ食われ性を十分に確保できる。 Preferably, the height A of the protrusions 415b of the catalyst layer 415 is 1/2 or less of the film thickness T2 of the second metal film 412. As shown in FIG. Thereby, the solder erosion resistance of the second metal film 412 can be sufficiently secured.

好ましくは、触媒層415は、第1金属膜411よりも貴な金属を含む。これにより、第1金属膜411との置換反応により触媒層415を形成することができる。 Preferably, catalyst layer 415 contains a nobler metal than first metal film 411 . Thereby, the catalyst layer 415 can be formed by a substitution reaction with the first metal film 411 .

第1金属膜411は、触媒層415側に複数の穴部411aを有する。隣接する穴部411aは、離れていてもよく、または、繋がっていてもよい。第1金属膜411の穴部411aにより第1金属膜411と第2金属膜412の間など第1外部端子41(多層金属膜)内に蓄積される内部応力を緩和できる。具体的に述べると、インダクタ部品1の製造時や実装時、使用時などに、第1金属膜411と第2金属膜412の線膨張率の違いや、第1外部端子41に対する外力の作用により、第1金属膜411と第2金属膜412の間など第1外部端子41内に内部応力が生じるが、第1金属膜411の穴部411aにおいて、蓄積された内部応力が解放されるため、第1外部端子41内に蓄積される内部応力を緩和できる。 The first metal film 411 has a plurality of holes 411a on the catalyst layer 415 side. Adjacent holes 411a may be separated or connected. The internal stress accumulated in the first external terminal 41 (multilayer metal film) such as between the first metal film 411 and the second metal film 412 can be relieved by the hole portion 411 a of the first metal film 411 . Specifically, when the inductor component 1 is manufactured, mounted, used, etc., due to the difference in linear expansion coefficient between the first metal film 411 and the second metal film 412 and the action of external force on the first external terminal 41 , , internal stress occurs in the first external terminal 41 such as between the first metal film 411 and the second metal film 412, but the accumulated internal stress is released in the hole 411a of the first metal film 411, Internal stress accumulated in the first external terminal 41 can be relaxed.

好ましくは、第1金属膜411の穴部411a内は、空洞である。したがって、第1金属膜411の穴部411a内への不純物の混入による、第1金属膜411の純度の低下を抑制できる。なお、第1金属膜411の穴部411a内に、第1金属膜411の材料以外の不純物が混入していてもよく、例えば、めっき液以外の組成物(硫黄など)が混入していてもよい。 Preferably, the inside of the hole 411a of the first metal film 411 is hollow. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the purity of the first metal film 411 due to the entry of impurities into the holes 411a of the first metal film 411 . Note that impurities other than the material of the first metal film 411 may be mixed in the hole portion 411a of the first metal film 411. For example, even if a composition (such as sulfur) other than the plating solution is mixed, good.

好ましくは、第1金属膜411の穴部411aは、第1金属膜411の触媒層415側の第1主面411bから第1金属膜411の膜厚T1の1/4以下までの範囲Bに存在している。したがって、第1金属膜411において穴部411aの存在する領域を小さくでき、第1金属膜411の強度を確保できる。 Preferably, the hole portion 411a of the first metal film 411 extends from the first main surface 411b of the first metal film 411 on the side of the catalyst layer 415 to 1/4 or less of the film thickness T1 of the first metal film 411. Existing. Therefore, the area where the hole 411a exists in the first metal film 411 can be reduced, and the strength of the first metal film 411 can be secured.

好ましくは、第1金属膜411の穴部411aの大きさは、第1金属膜411と第2金属膜412の間で層間剥離が発生しない程度の大きさである。ここで、第1金属膜411と第2金属膜412の間で剥離が発生しない程度とは、大きな穴部411aが存在した場合、または穴部411aが複数存在し、かつ複数の穴部411a同士が連通した場合などであっても、その大きさが一定値以下である程度、または、第1金属膜411と第2金属膜412とが電気的に導通している程度を言う。具体的には、上記穴部411aの大きさは、0.5μm以下であることが好ましい。また、第1金属膜411と第2金属膜412の間の電気抵抗が1mΩ以下であることが好ましい。これらの場合、第1金属膜411と第2金属膜412の間で剥離が発生していないと判断できる。これにより、第1金属膜411と第2金属膜412を備える第1外部端子41(多層金属膜)としての機能、信頼性を確保できる。 Preferably, the size of the hole 411a of the first metal film 411 is such that delamination does not occur between the first metal film 411 and the second metal film 412 . Here, the extent to which peeling does not occur between the first metal film 411 and the second metal film 412 means the case where a large hole 411a exists, or the case where a plurality of holes 411a exist and the plurality of holes 411a are separated from each other. Even in the case where the first metal film 411 and the second metal film 412 are electrically connected to each other, it refers to the degree to which the size is equal to or less than a certain value, or the degree to which the first metal film 411 and the second metal film 412 are electrically connected. Specifically, the size of the hole 411a is preferably 0.5 μm or less. Also, the electrical resistance between the first metal film 411 and the second metal film 412 is preferably 1 mΩ or less. In these cases, it can be determined that peeling has not occurred between the first metal film 411 and the second metal film 412 . Thereby, the function and reliability of the first external terminal 41 (multilayer metal film) including the first metal film 411 and the second metal film 412 can be ensured.

好ましくは、第1金属膜411の硬度は、第2金属膜412の硬度よりも小さい。ここで、硬度とは、例えば、ビッカース硬度である。したがって、第2金属膜412よりも柔らかい第1金属膜411によりさらに内部応力の蓄積を緩和できる。 Preferably, the hardness of the first metal film 411 is less than the hardness of the second metal film 412 . Here, hardness is Vickers hardness, for example. Therefore, the first metal film 411, which is softer than the second metal film 412, can further alleviate the accumulation of internal stress.

好ましくは、第1金属膜411は、Cuを含む。これにより、第1外部端子41の導電性を低コストで確保できる。また、第1金属膜411の硬度を小さくできるので、第1金属膜411を含む第1外部端子41の内部応力を低減できる。なお、第1金属膜411の膜厚は、第1外部端子41の他の金属膜よりも厚いことが好ましく、この場合第1外部端子41の導電性を向上しつつ、内部応力をより低減できる。なお、第1金属膜411は、Cuに限られず、Ag、Au、Al、Ni、Fe、Pdのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。 Preferably, the first metal film 411 contains Cu. Thereby, the conductivity of the first external terminal 41 can be secured at low cost. Moreover, since the hardness of the first metal film 411 can be reduced, the internal stress of the first external terminal 41 including the first metal film 411 can be reduced. The film thickness of the first metal film 411 is preferably thicker than the other metal films of the first external terminal 41. In this case, the internal stress can be further reduced while improving the conductivity of the first external terminal 41. . Note that the first metal film 411 is not limited to Cu, and may contain at least one of Ag, Au, Al, Ni, Fe, and Pd.

好ましくは、第2金属膜412は、Niを含む。これにより、第1外部端子41の耐はんだ食われ性を容易に向上できる。また、これにより、第1金属膜411のマイグレーションを低減することもできる。なお、第2金属膜412は、Niに限られず、Pd、Pt、Co、Feのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。 Preferably, the second metal film 412 contains Ni. Thereby, the solder erosion resistance of the first external terminals 41 can be easily improved. Moreover, this can also reduce the migration of the first metal film 411 . The second metal film 412 is not limited to Ni, and may contain at least one of Pd, Pt, Co, and Fe.

好ましくは、触媒層415は、Pdを含む。これにより、触媒層415を第1金属膜411が含む金属より貴な金属で容易に構成でき、かつ第2金属膜412を無電解めっきで形成する際に、次亜リン酸などの還元剤の酸化を容易に促進でき、第2金属膜412の析出をより促進することができる。なお、触媒層415は、Pdに限られず、Ag、Cu、Pt、Auのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。 Preferably, catalyst layer 415 contains Pd. As a result, the catalyst layer 415 can be easily composed of a metal nobler than the metal contained in the first metal film 411, and when the second metal film 412 is formed by electroless plating, a reducing agent such as hypophosphorous acid can be used. Oxidation can be easily promoted, and deposition of the second metal film 412 can be further promoted. Note that the catalyst layer 415 is not limited to Pd, and may contain at least one of Ag, Cu, Pt, and Au.

好ましくは、図2の仮想線で示すように、第1外部端子41は、さらに、第2金属膜412上にはんだ濡れ性を有する第3金属膜413を有する。これにより、第1外部端子41のはんだ濡れ性を向上できる。第3金属膜413は、例えば、Au、Sn、Pd、Agのうちの少なくとも一つを含んでいる。 Preferably, the first external terminal 41 further has a solder-wettable third metal film 413 on the second metal film 412, as indicated by the phantom lines in FIG. Thereby, the solder wettability of the first external terminals 41 can be improved. The third metal film 413 contains at least one of Au, Sn, Pd and Ag, for example.

(製造方法)
次に、インダクタ部品1の製造方法について説明する。
(Production method)
Next, a method for manufacturing inductor component 1 will be described.

図3Aに示すように、複数のスパイラル配線21,22と複数の柱状配線31~34を基体10により覆った状態において、基体10の上面を研磨などによって研削加工し、柱状配線31~34の端面を基体10の上面から露出させる。その後、図3Bに示すように、基体10の上面全体に、スピンコートやスクリーン印刷などの塗布法、ドライフィルムレジスト貼付などの乾式法などにより、ハッチングにて示す絶縁膜50を形成する。絶縁膜50は例えば感光性レジストである。
その後、外部端子を形成する領域において、フォトリソグラフィやレーザ、ドリル、ブラストなどにより、絶縁膜50を除去することにより、柱状配線31~34の端面および基体10(第2磁性層12)の一部が露出する貫通孔50aを絶縁膜50に形成する。この際、図3Bに示すように、貫通孔50aからは柱状配線31~34の端面全体を露出させてもよいし、柱状配線31~34の端面の一部を露出させてもよい。また、1つの貫通孔50aから、複数の柱状配線31~34の端面を露出させてもよい。
As shown in FIG. 3A, in a state in which the plurality of spiral wirings 21 and 22 and the plurality of columnar wirings 31 to 34 are covered with the substrate 10, the upper surface of the substrate 10 is ground by polishing or the like, and the end surfaces of the columnar wirings 31 to 34 are ground. are exposed from the upper surface of the substrate 10 . After that, as shown in FIG. 3B, the insulating film 50 indicated by hatching is formed on the entire upper surface of the substrate 10 by a coating method such as spin coating or screen printing, a dry method such as dry film resist application, or the like. The insulating film 50 is, for example, a photosensitive resist.
After that, by removing the insulating film 50 by photolithography, laser, drilling, blasting, or the like in the region where the external terminals are to be formed, the end surfaces of the columnar wirings 31 to 34 and part of the substrate 10 (second magnetic layer 12) are removed. is formed in the insulating film 50 to expose the through hole 50a. At this time, as shown in FIG. 3B, the entire end faces of the columnar wires 31 to 34 may be exposed from the through hole 50a, or part of the end faces of the columnar wires 31 to 34 may be exposed. Further, end faces of the plurality of columnar wirings 31 to 34 may be exposed from one through hole 50a.

その後、図3Cに示すように、貫通孔50a内に、ハッチングにて示す多層金属膜410を後述の方法により形成して、マザー基板100を構成する。多層金属膜410は、切断前の外部端子41~44を構成する。その後、図3Dに示すように、マザー基板100、すなわち封止された複数のスパイラル配線21,22を、ダイシングブレードなどを用いてカット線Cにて2つのスパイラル配線21,22ごとに個片化して、複数のインダクタ部品1を製造する。多層金属膜410は、カット線Cにて切断されて、外部端子41~44を形成する。なお、外部端子41~44の製造方法は上記のように多層金属膜410を切断する方法であってもよいし、あらかじめ貫通孔50aを外部端子41~44の形状となるように絶縁膜50を除去した上で多層金属膜410を形成する方法であってもよい。 After that, as shown in FIG. 3C, a multi-layered metal film 410 indicated by hatching is formed in the through-hole 50a by a method described later to form the mother substrate 100. As shown in FIG. The multilayer metal film 410 constitutes the external terminals 41 to 44 before cutting. After that, as shown in FIG. 3D, the mother substrate 100, that is, the plurality of sealed spiral wires 21 and 22 are singulated into two spiral wires 21 and 22 along cut lines C using a dicing blade or the like. to manufacture a plurality of inductor components 1. The multilayer metal film 410 is cut along cut lines C to form the external terminals 41-44. The method of manufacturing the external terminals 41 to 44 may be the method of cutting the multilayer metal film 410 as described above, or the insulating film 50 is formed in advance such that the through holes 50a are formed into the shapes of the external terminals 41 to 44. A method of forming the multilayer metal film 410 after removal may be used.

(多層金属膜410の製造方法)
前述の多層金属膜410の製造方法について説明する。図4Aは、インダクタ部品1の第1外部端子41(多層金属膜410の一例)を切断する断面におけるSEMによる画像を示す図である。図4Bは、図4Aの触媒層415付近における拡大画像図である。図4Aと図4Bは、前述したように第1外部端子41の膜厚に垂直な面(第1外部端子41の露出する主面)の中心で第1外部端子41を切断した断面の画像図である。図4Aと図4Bでは、図1Bや図2とは上下が逆向きになっており、下方向がZ方向となる。
(Manufacturing method of multilayer metal film 410)
A method for manufacturing the multilayer metal film 410 described above will be described. FIG. 4A is a diagram showing an SEM image of a cross section obtained by cutting the first external terminal 41 (an example of the multilayer metal film 410) of the inductor component 1. FIG. FIG. 4B is an enlarged image view near the catalyst layer 415 in FIG. 4A. 4A and 4B are image diagrams of a cross section of the first external terminal 41 cut at the center of the plane perpendicular to the film thickness of the first external terminal 41 (main surface where the first external terminal 41 is exposed) as described above. is. In FIGS. 4A and 4B, the vertical direction is opposite to that in FIGS. 1B and 2, and the downward direction is the Z direction.

前述のとおり、絶縁膜50に貫通孔50aを形成した状態では、貫通孔50aからは、柱状配線31~34の端面および基体10が露出している。この貫通孔50aから露出する柱状配線31~34の端面および基体10の上面に対して、無電解めっき処理などにより、基体10に接触し導電性を有する第1金属膜411として、Cu層を形成する。 As described above, when the through holes 50a are formed in the insulating film 50, the end surfaces of the columnar wirings 31 to 34 and the substrate 10 are exposed from the through holes 50a. A Cu layer is formed as a conductive first metal film 411 in contact with the substrate 10 by electroless plating or the like on the end surfaces of the columnar wirings 31 to 34 exposed from the through holes 50a and the upper surface of the substrate 10. do.

次に、第1金属膜411上に、第2金属膜412を形成するための触媒層415として、Pd層を形成する。具体的には、上記Pd層の形成は、例えば置換Pd触媒処理を行う。ここで、上記置換Pd触媒処理において、処理条件を特定の条件にすることにより、触媒層415に上層(第2金属膜412)側に凸となる凸部415bを形成する。具体的には、例えば、上記置換Pd触媒処理において、Pd濃度を0.02g/Lとし、温度を45℃とし、時間を10minとすることで、図4Aと図4Bに示すような凸部415bが形成される。このとき、凸部415bを含めた触媒層415の全体の膜厚の範囲としては、最小膜厚が2nmとなり、最大膜厚が205nmとなる。 Next, a Pd layer is formed on the first metal film 411 as a catalyst layer 415 for forming the second metal film 412 . Specifically, the formation of the Pd layer is carried out, for example, by substitution Pd catalyst treatment. Here, in the substitution Pd catalyst treatment, by setting the treatment conditions to specific conditions, the catalyst layer 415 is formed with convex portions 415b that are convex toward the upper layer (second metal film 412) side. Specifically, for example, in the substitution Pd catalyst treatment, the Pd concentration is set to 0.02 g/L, the temperature is set to 45° C., and the time is set to 10 minutes, so that the protrusions 415b as shown in FIGS. 4A and 4B are formed. is formed. At this time, the range of the thickness of the entire catalyst layer 415 including the protrusions 415b is a minimum thickness of 2 nm and a maximum thickness of 205 nm.

次に、凸部415bを形成した触媒層415上に、無電解めっき処理などにより、耐はんだ食われ性を有する第2金属膜412として、Ni層を形成する。これによって、凸部415bは第2金属膜412に侵入する形状となる。 Next, a Ni layer is formed as a second metal film 412 having resistance to solder erosion by electroless plating or the like on the catalyst layer 415 on which the protrusions 415b are formed. As a result, the convex portion 415b has a shape that penetrates into the second metal film 412 .

次に、第2金属膜412上に、無電解めっき処理などにより、はんだ濡れ性を有する第3金属膜413として、Au層を形成する。このようにすれば、多層金属膜410を形成することができる。 Next, an Au layer is formed on the second metal film 412 as a third metal film 413 having solder wettability by electroless plating or the like. In this manner, the multilayer metal film 410 can be formed.

また、当該製造条件は、あくまで一例であり、凸部415bが得られるのであれば製造条件に限定はない。例えば、上記製造方法において、触媒層415は、第2金属膜412であるNi層を形成するNiめっき液中の還元剤の酸化を促進する金属としてPdを含むことにより、Pd層を触媒として、無電解めっき処理によって、Ni層の析出を促進することができる。一方、触媒層415は、無電解めっき処理における触媒に限られず、他の公知の方法によって、第2金属膜412を形成する際の、第2金属膜の析出を促進する金属を含む層(触媒)であればよい。 Moreover, the manufacturing conditions are only an example, and the manufacturing conditions are not limited as long as the convex portion 415b can be obtained. For example, in the above manufacturing method, the catalyst layer 415 contains Pd as a metal that promotes oxidation of the reducing agent in the Ni plating solution that forms the Ni layer that is the second metal film 412. Electroless plating can promote the deposition of the Ni layer. On the other hand, the catalyst layer 415 is not limited to the catalyst in the electroless plating treatment, and is a layer containing a metal (catalyst ).

また、触媒層415は、第1金属膜411であるCu層よりも貴な金属であるPdを含むことにより、Cu層との置換反応によりPd層を容易に形成することができる。一方、触媒層415は、他の公知の方法によって、Cu層上に形成できればよく、Cu層より卑な金属であってもよい。 Moreover, since the catalyst layer 415 contains Pd, which is a nobler metal than the Cu layer that is the first metal film 411, the Pd layer can be easily formed by a substitution reaction with the Cu layer. On the other hand, the catalyst layer 415 may be formed on the Cu layer by another known method, and may be made of a metal less noble than the Cu layer.

(多層金属膜410の構造)
前述の多層金属膜410の構造についてさらに説明する。図5は、インダクタ部品1の第1外部端子41(多層金属膜410の一例)を切断する断面におけるSEMによる画像を示す図である。図5は、前述したように第1外部端子41の膜厚に垂直な面(第1外部端子41の露出する主面)の中心を通る断面で切断した画像図である。図5では、図4Aおよびず4Bと同様に、下方向がZ方向となる。
(Structure of multilayer metal film 410)
The structure of the multilayer metal film 410 described above will be further described. FIG. 5 is a diagram showing an SEM image of a cross section obtained by cutting the first external terminal 41 (an example of the multilayer metal film 410) of the inductor component 1. As shown in FIG. FIG. 5 is an image view taken along a cross section passing through the center of the plane perpendicular to the film thickness of the first external terminal 41 (the main surface where the first external terminal 41 is exposed) as described above. In FIG. 5, the downward direction is the Z direction, as in FIGS. 4A and 4B.

図5に示すように、多層金属膜410において、第1金属膜411は、触媒層415側に穴部411aを有する。第1金属膜411が有する穴部411aの大きさは、0.5μm以下である。また、穴部411aは複数存在し、複数の穴部411aが連通する最大数は10以下であり、図5では概ね5個前後である。また、第1金属膜411と第2金属膜412の間とは電気的に導通しており、第1金属膜411と第2金属膜412の間の電気抵抗は1mΩ以下である。この場合、第1金属膜411と第2金属膜412とが問題なく電気的に接続されており、第1金属膜411と第2金属膜412の間で剥離が発生していないと判断できる。前述の通り、第1金属膜411は、触媒層415側に有する穴部411aにより、多層金属膜410内に蓄積される内部応力を緩和できる。 As shown in FIG. 5, in the multilayer metal film 410, the first metal film 411 has a hole 411a on the catalyst layer 415 side. The size of the hole 411a of the first metal film 411 is 0.5 μm or less. In addition, there are a plurality of holes 411a, and the maximum number of the plurality of holes 411a communicating is 10 or less, which is approximately 5 in FIG. Also, the first metal film 411 and the second metal film 412 are electrically connected, and the electrical resistance between the first metal film 411 and the second metal film 412 is 1 mΩ or less. In this case, it can be determined that the first metal film 411 and the second metal film 412 are electrically connected without any problem, and no peeling has occurred between the first metal film 411 and the second metal film 412 . As described above, the first metal film 411 can relieve the internal stress accumulated in the multilayer metal film 410 by the hole 411a on the catalyst layer 415 side.

なお、穴部411aは、例えばCuからなる第1金属膜411上にPdからなる触媒層415を形成する際、CuからPdへの置換処理において、処理条件を特定の条件にすることにより、第1金属膜411の触媒層415側に穴部411aを形成することができる。具体的には、例えば、上記置換処理に用いる処理液のPd濃度を3g/L、温度を25℃以上とすることで、図5に示すような穴部411aが形成されることが確認できている。 For example, when the catalyst layer 415 made of Pd is formed on the first metal film 411 made of Cu, the hole 411a is formed by setting the processing conditions to specific conditions in the process of replacing Cu with Pd. A hole 411a can be formed on the catalyst layer 415 side of the metal film 411 . Specifically, for example, it was confirmed that the holes 411a as shown in FIG. there is

なお、当該製造条件は、あくまで一例であり、穴部411aが得られるのであれば製造条件に限定はない。 Note that the manufacturing conditions are merely an example, and the manufacturing conditions are not limited as long as the holes 411a can be obtained.

また、凸部415bの形成及び穴部411aの形成は、それぞれ独立して行うことができるが、処理液の濃度、処理温度、処理時間を調整することで、上記凸部415bと上記穴部411aを同時に形成することができるし、凸部415bのみ、穴部411aのみをそれぞれ形成することもできる。 Further, the formation of the convex portion 415b and the formation of the hole portion 411a can be performed independently of each other. can be formed at the same time, or only the convex portion 415b and only the hole portion 411a can be formed.

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。 Note that the present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and design changes are possible without departing from the gist of the present disclosure.

前記実施形態では、基体内には第1インダクタ素子および第2インダクタ素子の2つが配置されたが、3つ以上のインダクタ素子が配置されてもよく、このとき、外部端子および柱状配線は、それぞれ、6つ以上となる。 In the above embodiment, two of the first inductor element and the second inductor element are arranged in the base, but three or more inductor elements may be arranged, and in this case, the external terminal and the columnar wiring are respectively , six or more.

前記実施形態では、インダクタ素子が有するスパイラル配線のターン数は、1周未満であるが、スパイラル配線のターン数が、1周を超える曲線であってもよい。また、インダクタ素子が有するスパイラル配線の総数は、1層に限られず、2層以上の多層構成であってもよい。また、第1インダクタ素子の第1スパイラル配線と第2インダクタ素子の第2スパイラル配線は第1主面と平行な同一平面に配置される構成に限られず、第1スパイラル配線と第2スパイラル配線が第1主面と直交する方向に配列された構成であってもよい。 In the above embodiment, the number of turns of the spiral wiring included in the inductor element is less than one turn, but the spiral wiring may be a curve having more than one turn. Further, the total number of spiral wires included in the inductor element is not limited to one layer, and may be a multilayer structure of two or more layers. Further, the first spiral wiring of the first inductor element and the second spiral wiring of the second inductor element are not limited to being arranged on the same plane parallel to the first main surface. It may be arranged in a direction orthogonal to the first main surface.

前記実施形態では、外部端子は、素体の表面に設けられているが、外部端子の少なくとも一部が、素体に埋め込まれていてもよい。例えば、外部端子の第1金属膜が、素体に埋め込まれ、外部端子の第2金属膜または第3金属膜が、素体の表面から露出していてもよい。 In the above embodiments, the external terminals are provided on the surface of the element body, but at least part of the external terminals may be embedded in the element body. For example, the first metal film of the external terminal may be embedded in the element body, and the second metal film or the third metal film of the external terminal may be exposed from the surface of the element body.

前記実施形態では、多層金属膜は、インダクタ部品の外部端子として適用しているが、これに限られず、例えば多層金属膜がインダクタ部品の内部電極であってもよい。また、多層金属膜は、インダクタ部品に限られず、コンデンサ部品や抵抗部品などの他の電子部品に適用してもよく、これらの電子部品を搭載する回路基板に適用してもよい。例えば、多層金属膜として、回路基板の配線パターンであってもよい。 In the above embodiments, the multilayer metal film is applied as the external terminal of the inductor component, but the present invention is not limited to this, and the multilayer metal film may be the internal electrode of the inductor component, for example. Moreover, the multilayer metal film is not limited to inductor parts, and may be applied to other electronic parts such as capacitor parts and resistor parts, and may be applied to circuit boards on which these electronic parts are mounted. For example, the multilayer metal film may be a wiring pattern of a circuit board.

前記実施形態では、第1金属膜は、触媒層側に穴部を有しているが、第1金属膜は、穴部を設けなくてもよい。 In the above embodiment, the first metal film has holes on the catalyst layer side, but the first metal film does not have to have holes.

1 インダクタ部品
2A 第1インダクタ素子
2B 第2インダクタ素子
10 基体
101 第1端縁
102 第2端縁
10a 第1主面
10b 第1側面
10c 第2側面
11 第1磁性層
12 第2磁性層
21 第1スパイラル配線
22 第2スパイラル配線
31 第1柱状配線
32 第2柱状配線
33 第3柱状配線
34 第4柱状配線
41 第1外部端子(多層金属膜)
410 多層金属膜
411 第1金属膜
411a 穴部
411b 第1主面
412 第2金属膜
413 第3金属膜
415 触媒層
415a ベース部
415b 凸部
42 第2外部端子(多層金属膜)
43 第3外部端子(多層金属膜)
44 第4外部端子(多層金属膜)
50 絶縁膜
61 絶縁層
100 マザー基板
135 樹脂
136 金属磁性粉
A (凸部の)高さ
B (穴部の)範囲
t (ベース部の)膜厚
T1 (第1金属膜の)膜厚
T2 (第2金属膜の)膜厚
1 inductor component 2A first inductor element 2B second inductor element 10 substrate 101 first edge 102 second edge 10a first main surface 10b first side surface 10c second side surface 11 first magnetic layer 12 second magnetic layer 21 second 1 Spiral Wiring 22 Second Spiral Wiring 31 First Columnar Wiring 32 Second Columnar Wiring 33 Third Columnar Wiring 34 Fourth Columnar Wiring 41 First External Terminal (Multilayer Metal Film)
410 Multilayer metal film 411 First metal film 411a Hole 411b First main surface 412 Second metal film 413 Third metal film 415 Catalyst layer 415a Base portion 415b Projection 42 Second external terminal (multilayer metal film)
43 third external terminal (multilayer metal film)
44 fourth external terminal (multilayer metal film)
50 Insulating film 61 Insulating layer 100 Mother substrate 135 Resin 136 Metal magnetic powder A (projection) height B (hole) range t (base) film thickness T1 (first metal film) film thickness T2 ( film thickness of the second metal film)

Claims (13)

絶縁性を有する基体上に配置された金属膜であって、
前記基体に接触し導電性を有する第1金属膜と、
前記第1金属膜に対して前記基体と反対側から前記第1金属膜を覆う耐はんだ食われ性を有する第2金属膜と、
前記第1金属膜と前記第2金属膜の間に配置された触媒層と
を備え、
前記触媒層は、膜状のベース部と、前記ベース部上に設けられた複数の凸部とを有し、前記凸部は、前記第2金属膜側に凸となり、前記第2金属膜に侵入し、
前記第1金属膜は、前記触媒層側に複数の穴部を有し、
前記第1金属膜の前記穴部内は、空洞である、多層金属膜。
A metal film disposed on an insulating substrate,
a conductive first metal film in contact with the substrate;
a second metal film having solder erosion resistance covering the first metal film from the side opposite to the base with respect to the first metal film;
a catalyst layer disposed between the first metal film and the second metal film;
The catalyst layer has a film-like base portion and a plurality of convex portions provided on the base portion, and the convex portions are convex toward the second metal film and extend toward the second metal film. invade,
The first metal film has a plurality of holes on the catalyst layer side,
The multilayer metal film, wherein the inside of the hole of the first metal film is a cavity.
前記触媒層の前記凸部の高さは、前記触媒層の前記凸部以外の部分の膜厚の2倍以上である、請求項1に記載の多層金属膜。 2. The multilayer metal film according to claim 1, wherein the height of said protrusions of said catalyst layer is at least twice the thickness of the portion of said catalyst layer other than said protrusions. 前記触媒層の前記凸部以外の部分の膜厚は、10nm以上30nm以下である、請求項1または2に記載の多層金属膜。 3. The multilayer metal film according to claim 1, wherein the film thickness of the portion of the catalyst layer other than the projections is 10 nm or more and 30 nm or less. 前記触媒層の前記凸部の高さは、前記第2金属膜の膜厚の1/2以下である、請求項1から3の何れか一つに記載の多層金属膜。 4. The multilayer metal film according to any one of claims 1 to 3, wherein the height of said protrusions of said catalyst layer is 1/2 or less of the film thickness of said second metal film. 前記触媒層は、前記第1金属膜よりも貴な金属を含む、請求項1から4の何れか一つに記載の多層金属膜。 5. The multilayer metal film according to claim 1, wherein said catalyst layer contains a metal more noble than said first metal film. 前記基体は、樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む磁性樹脂層を有し、
前記第1金属膜は、前記磁性樹脂層に接触する、請求項1から5の何れか一つに記載の多層金属膜。
The base has a magnetic resin layer containing a resin and metal magnetic powder contained in the resin,
6. The multilayer metal film according to claim 1, wherein said first metal film is in contact with said magnetic resin layer.
さらに、前記第2金属膜上にはんだ濡れ性を有する第3金属膜を有する、請求項1から6の何れか一つに記載の多層金属膜。 7. The multilayer metal film according to claim 1, further comprising a third metal film having solder wettability on said second metal film. 前記第1金属膜は、Cuを含む、請求項1から7の何れか一つに記載の多層金属膜。 8. The multilayer metal film according to claim 1, wherein said first metal film contains Cu. 前記第2金属膜は、Niを含む、請求項1から8の何れか一つに記載の多層金属膜。 9. The multilayer metal film according to any one of claims 1 to 8, wherein said second metal film contains Ni. 前記触媒層は、Pdを含む、請求項1から9の何れか一つに記載の多層金属膜。 10. The multilayer metal film according to any one of claims 1 to 9, wherein the catalyst layer contains Pd. 隣り合う2つの前記凸部の間の最短距離は、前記凸部の高さよりも大きい、請求項1から10の何れか一つに記載の多層金属膜。 11. The multilayer metal film according to claim 1, wherein the shortest distance between two adjacent protrusions is greater than the height of said protrusions. 前記凸部は、クラックを有する、請求項1から11の何れか一つに記載の多層金属膜。 12. The multilayer metal film according to any one of claims 1 to 11, wherein said protrusions have cracks. 基体と、
請求項1から12の何れか一つに記載の多層金属膜と、
前記基体内に配置されたインダクタ素子と
を備え、
前記多層金属膜は、前記基体から露出し、かつ、前記インダクタ素子に電気的に接続された外部端子である、インダクタ部品。
a substrate;
a multilayer metal film according to any one of claims 1 to 12;
an inductor element disposed within the base;
The inductor component, wherein the multilayer metal film is an external terminal exposed from the base and electrically connected to the inductor element.
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