JP6796858B2 - 3次元ラマン分光方法 - Google Patents
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Description
特に、その光学系として共焦点光学系を用いることにより、平面上の一点における測定を行うことが可能である。
また、共焦点光学系の対物レンズの開口数NA(Numerical Apperture)を上げることにより、レーザー光は焦点面上の一点に強く絞られ、焦点から外れた光軸上の光強度は急激に弱くなる。このため、空間上の一点にスポットを当てた測定、すなわち、3次元ラマン分光測定が可能になる。そしてそのスポットを被測定試料の様々なところに当てることにより、被測定試料のラマン分光による3次元解析が可能になる。
なお、共焦点光学系によるラマン分光測定については非特許文献1に開示がある。また、共焦点光学系を備えたラマン分光測定装置を用いて半導体材料の内部応力を測定した例が特許文献1に開示されている。
(構成1)
共焦点光学系を用いて3次元のラマン分光分析を行う3次元ラマン分光法であって、
前記共焦点光学系を用いて、被測定試料に対して2以上の複数mの焦点面Fi(iは1からmまでの整数)でラマン分光分析を行うラマン分光測定工程と、
前記ラマン分光測定工程によって取得された2以上の複数mの焦点面Fiでの測定データWMiを用いて前記複数の焦点面での真のラマン分光値Wiを算出する真値算出工程からなり、
前記真値算出工程は、式1のm個からなる連立方程式を解くことにより真値Wiを求める工程である、3次元ラマン分光方法。
Rij=E(z)・exp(−2kD) ・・・(式2)
(構成2)
前記E(z)は、
前記共焦点光学系の対物レンズの集光角θ、前記対物レンズの焦点に対する共役面に設けられたピンホールの半径をs、前記対物レンズの倍率をMとして、式3から5で与えられる、構成1記載の3次元ラマン分光方法。
E(z)=[1+(z/L)2]−1 ・・・(式3)
L=s0/cot(θ) ・・・(式4)
s0=s/M ・・・(式5)
(実施の形態1)
本発明の3次元ラマン分光測定は、2以上の複数の焦点位置におけるラマン分光測定工程と、その測定結果を用いながら連立方程式を解く真値算出工程からなる。そのフローを図1に示す。
Rij=E(z)・exp(−2kD) ・・・(式2)
E(z)は、共焦点光学系の対物レンズの集光角θ、その焦点面に対する共役面に設けられたピンホールの半径をs、対物レンズの倍率をMとして、近似的に、式3から5で与えられる。
E(z)=[1+(z/L)2]−1 ・・・(式3)
L=s0/cot(θ) ・・・(式4)
s0=s/M ・・・(式5)
ここで、対物レンズの集光角θは、空間(大気)の屈折率をnとすると、対物レンズの開口数NAとは式6の関係がある。
NA=n・sin(θ) ・・・(式6)
レーザー光51は、光軸52に対して対物レンズの集光角θで入射し、焦点面でビームウェストと呼ばれる最小の拡がりとなり、焦点面を過ぎるとレーザー光51は拡がっていく。被測定試料によるレーザー光51の吸収の効果を除いてこのレーザー光51の拡がりという観点で見ると、最もレーザー光51が集中する焦点面で、最も強いラマンWの光が発生する。
しかしながら、レーザー光51が通る被測定試料のいたるところでもラマン光は発生する。共焦点光学系を用いて測定しているので、測定を行いたい焦点面のラマンWの光に加えてそれら光軸52の近傍上のラマン光も積算された光がラマン光の測定結果WMとして測定される。すなわち、ラマン光の測定結果WMは、焦点面のラマンWの光に加えて、焦点面より被測定試料表面側で発生するラマンWupの光も焦点面より深い位置で発生するラマンWdownの光も取り込んだ形で測定される。ラマンシフトが異なるW、WupおよびWdownが積算されてラマンシフトが測定されるので(図3参照)、その測定値は測定を行いたい位置での真のラマンシフトとは異なる。
レーザー光51の強度は焦点面が一番強いが、レーザー光51が被測定試料上を通る他の領域は広いので、WupやWdownの影響を無視できないことが詳細な検討の結果判明した。
各層においてレーザー光の強度が異なるので、その強度とレーザー光に照射される領域の大きさに応じた重みRijをその層のラマン真値に掛け合わせたものが、その層の分のラマン光測定分となる。例えば、焦点面をi層としたとき、測定されるラマン光WMiのj層からのラマン光寄与分はRij・Wjとなる。ここで、Wjはj層におけるラマン分光の真値である。各層からのラマン光寄与分があるので、各層からの各層寄与分を規格化しながら積算して上記の式1が得られる。
式1から算出される各層、例えばj層でのWjは、実際には測定誤差などが含まれて算出されるので、式1によって算出されるWjは厳密には真値とはならないが、従来法よりは格段に真値に近づくので、ここではラマン分光の真値と称する。
図5は、共焦点光学系101の構成を断面図で示したものである。共焦点光学系101は、光源であるレーザー10、レンズ12、焦点面13の共役面(共焦点面)14に配置されたピンホール(共焦点ピンホール)15、コリメータ―レンズ16、対物レンズ17、コリメーターレンズ16と対物レンズ17の間に設置された光路分離素子(ハーフミラー)18、レンズ19、焦点面13のもう一つの共役面(共焦点面)20に配置されたピンホール(共焦点ピンホール)21、レンズ22、および検出器23よりなる。検出器23には、レーザー光を遮断するフィルターと分光器とCMOS、CCD,あるいは光電管などの光検出器が備えられている。光線11は、光源(レーザー)10から出た後、レンズ12、ピンホール15、コリメータ―レンズ16、対物レンズ17を経て焦点面13で焦点を結び、焦点面13からラマン光を伴って反射して、レンズ17、光路分離素子18、レンズ19、焦点面13と共役面に配置されたピンホール21を通って、レンズ22を介して検出器23に入射される。
上述のように、本発明では、光軸方向であるZ方向は分解能をもつので、3次元のラマン分光測定を行うことが可能になる。
なお、図5に示した構成では、光源系であるレーザー10、レンズ12、ピンホール15およびコリメータ―レンズ16が上部に、また、検出系である検出器23、レンズ19、ピンホール21およびレンズ22が横側に配置されているが、この配置に限るものではなく、光源系が横側に、検出系が上側に配置されていてもよい。
図6は、光路走査系を有する共焦点光学系102の構成を断面図で示したものである。共焦点光学系102は、光源であるレーザー10、レンズ12、焦点面13の共役面に配置されたピンホール(共焦点ピンホール)15、コリメータ―レンズ31、ガルバノミラー34、瞳投影レンズ32、結像レンズ33、対物レンズ17、光路分離素子(ハーフミラー)18、レンズ19、焦点面13のもう一つの共役面に配置されたピンホール(共焦点ピンホール)21、レンズ22、および検出器23よりなる。検出器23には、レーザー光を遮断するフィルターと分光器とCMOS、CCD,あるいは光電管などの光検出器が備えられている。
なお、図6に示した構成でも、光源系であるレーザー10、レンズ12、ピンホール15およびコリメータ―レンズ31が上部に、また、検出系である検出器23、レンズ19、ピンホール21およびレンズ22が横側に配置されているが、この配置に限るものではなく、光源系が横側に、検出系が上側に配置されていてもよい。
実施例1では、シリコン単結晶に対して本発明の三次元ラマン分光方法を用いて測定した例を示す。この測定により、シリコン単結晶の3次元応力分布を測定することが可能になる。ラマンシフトから応力を算出する方法は、例えば、非特許文献2に示されており、式7および式8を用いることによって算出できる。
ここで、p,q,rはフォノン変形ポテンシャルと呼ばれる物質定数、εijは歪テンソルの(i,j)成分、ωj(j=1,2,3)は応力がかかっているときのラマン波数、ωj0は応力がかかっていないときのラマン波数、Δωjは応力の有無によるラマンシフト(波数)、そしてλjは固有値である。シリコン結晶の場合、応力σ(MPa)は、Δω3(cm−1)と式9の関係がある(非特許文献2参照)。
σ=−434・Δω3 ・・・(式9)
レーザー10は、波長532nmの連続光を発生し、その出力は0.5Wである。対物レンズの倍率(M)は100倍で、その開口数NAは0.9である。したがって前記式6によって求められる対物レンズ17の集光角θは約1.12ラジアンである。ピンホール21の半径sは25μmである。検出器23にはCCDを用いており、分光分解能は1.6μm―1である。XY軸方向の走査は、ガルバノミラー34を用いたレーザー光走査であり、Z軸方向の走査は、ステージ走査になっている。
具体的には、最初に、シリコン結晶表面に焦点面を合わせてラマン分光データWM1を取得した。ここで、実験効率を上げるために、この深さ位置(Z位置)でX軸およびY軸方向にレーザー光を走査してXY平面でのラマン分光データWM1(x,y)を取得した。X軸およびY軸方向の測定刻み(データサンプリング刻み)は共に400nmである。次に、シリコン結晶表面から400nmの深さに焦点を置合わせて、同様の方法で、XY平面内のWM2(x,y)を取得した。そして、測定毎に400nm刻みで焦点面位置を下げて、同様の方法で、ラマン分光データ取得をm回行った。このようにして、被測定試料の表面を0としてZ軸方向は2.8μm、X軸およびY軸方向はそれぞれ36μmの範囲まで測定した。
11:光線
12:レンズ
13:焦点面
14:共焦点面
15:ピンホール(共焦点ピンホール)
16:コリメータ―レンズ
17:対物レンズ
18:光路分離素子(ハーフミラー)
19:レンズ
20:共焦点面
21:ピンホール(共焦点ピンホール)
22:レンズ
23:検出器
31:コリメータ―レンズ
32:瞳投影レンズ
33:結像レンズ
34:ガルバノミラー
51:レーザー光
52:光軸
101,102:共焦点光学系装置
Claims (2)
- 共焦点光学系を用いて3次元のラマン分光分析を行う3次元ラマン分光法であって、
前記共焦点光学系を用いて、被測定試料に対して2以上の複数mの焦点面Fi(iは1からmまでの整数)でラマン分光分析を行うラマン分光測定工程と、
前記ラマン分光測定工程によって取得された2以上の複数mの焦点面Fiでの測定データWMiを用いて前記複数の焦点面での真のラマン分光値Wiを算出する真値算出工程からなり、
前記真値算出工程は、式1のm個からなる連立方程式を解くことにより真値
Wiを求める工程であり、
前記Rijは、焦点面を前記Fiとしたときの高さ方向でjの位置の規格化された重み係数であり、前記jの位置における前記被測定試料の表面からの距離D、前記焦点面Fiからの距離をz、ラマン分光を行うために前記被測定試料に入射される入射光に対する前記被測定試料の吸光度をk(kの単位はμm −1 )、前記焦点面Fiからの距離zにおけるラマン検出の効率をE(z)として、式2で与えられる、3次元ラマン分光方法。
Rij=E(z)・exp(−2kD) ・・・(式2) - 前記E(z)は、
前記共焦点光学系の対物レンズの集光角θ、前記対物レンズの焦点に対する共役面に設けられたピンホールの半径をs、前記対物レンズの倍率をMとして、式3から5で与えられる、請求項1記載の3次元ラマン分光方法。
E(z)=[1+(z/L)2]−1 ・・・(式3)
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s0=s/M ・・・(式5)
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