JP6793061B2 - High frequency module - Google Patents
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Description
本発明は、高周波モジュールに関し、特に、ESD保護構造を有した高周波モジュールに関する。 The present invention relates to a high frequency module, and more particularly to a high frequency module having an ESD protection structure.
近年、実装面に電子部品が実装された回路基板と、電子部品を覆うように実装面の側に設けられた絶縁性樹脂材からなる封止用の封止樹脂層と、封止樹脂層の表面を覆う導電ペースト材からなる導電層と、アンテナ接続用の端子電極と、その端子電極と電子部品とを接続するビアホールと、を備えた高周波モジュールが開発されている。 In recent years, a circuit board on which electronic components are mounted, a sealing resin layer for sealing made of an insulating resin material provided on the side of the mounting surface so as to cover the electronic components, and a sealing resin layer. High-frequency modules have been developed that include a conductive layer made of a conductive paste material that covers the surface, terminal electrodes for connecting antennas, and via holes that connect the terminal electrodes and electronic components.
このような高周波モジュールにおいては、アンテナから端子電極及びビアホールを経由して電子部品に静電気が侵入し易くなり、侵入した静電気の静電気放電(ESD:Electro Static Discharge)によって電子部品が破壊し易くなるという可能性があった。そのため、ESDへの保護対策が必要とされている。特にESD規格の厳しいモデルにおいては、その必要性が高くなっている。 In such a high-frequency module, static electricity easily enters the electronic component from the antenna via the terminal electrode and via hole, and the electronic component is easily destroyed by the electrostatic discharge (ESD: Electro Static Discharge) of the invading static electricity. There was a possibility. Therefore, protective measures against ESD are required. Especially in the model with strict ESD standard, the necessity is high.
高周波モジュールにESD保護対策を行なう方法としては、特許文献1におけるサージ吸収素子800のように、互いに対向する一対の接地電極を備えたESD保護素子を回路基板に実装する第1の方法や、特許文献2における電子モジュール900のように、接地電極を含むESD保護構造を回路基板の内部に形成する第2の方法等が開示されている。
As a method of implementing ESD protection measures on a high-frequency module, a first method of mounting an ESD protection element having a pair of ground electrodes facing each other on a circuit board, such as the
第1の方法(特許文献1)によるサージ吸収素子800では、図8に示すように、絶縁性セラミックスシート802に、外部電極と導通した内部電極806及び放電空間805を有し、放電空間805に放電ガスを閉じこめた。このような構成によって、静電容量が小さく、複雑な製造工程を必要としない生産性の高いサージ吸収素子を提供することができる。
In the
また、第2の方法(特許文献2)による電子モジュール900では、図9に示すように、少なくとも1つの電子部品素子(コンデンサ素子903等)を内蔵した電子部品内蔵基板901の内部に、更にESD保護素子902を設け、そのESD保護素子902を、少なくとも、その電子部品内蔵基板901の内部に形成された空洞部と、空洞部内において対向して形成された一対の放電電極とで構成し、かつ、ESD保護素子902を、電子部品素子と一体的に形成するようにした。このような構成によって、電子モジュール900の当初の特性がずれ、ESD保護効果が薄れてしまうという問題を解消することができる。
Further, in the
しかしながら、上述した第1の方法によるサージ吸収素子800では、新たにESD保護素子を使用するので、部品点数の増加によって構造が複雑化したり、実装面積が増大したりしてしまうという問題があった。また、第2の方法による電子モジュール900では、比較的大きな寸法で複雑な形状の放電電極がビアホールに直接接続されているので、このようなビアホールがアンテナ信号線用のビアホールであった場合には、そのビアホールのインピーダンスを変化させて送信電力や感度等のアンテナの電気性能に影響を与える可能性が有った。
However, since the
更に、電子モジュール900では、接地電極が他の配線電極と共に回路基板の中央部付近に形成されているので、放電時のノイズが電子回路の電気性能に影響を与える可能性も有った。
Further, in the
本発明はこのような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、構造が簡単で電気性能への影響が少ないESD保護構造を有した高周波モジュールを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the actual conditions of the prior art, and an object of the present invention is to provide a high frequency module having an ESD protection structure having a simple structure and little influence on electrical performance.
上記課題を解決するために本発明の高周波モジュールは、実装面及び底面を有する回路基板と、前記実装面に実装された電子部品と、前記実装面を覆うように設けられた導電層と、を備えた高周波モジュールであって、前記回路基板は、前記底面に設けられたアンテナ接続用の端子電極と、前記電子部品と前記端子電極とを接続するビアホールと、を有し、前記導電層の下端部は、前記端子電極に印加される静電気が前記導電層に放電するように、前記端子電極と所定の間隔を隔てて配置されている、という特徴を有する。 High frequency module of the invention in order to solve the above problems, a circuit board having a real Somen and bottom, and an electronic component mounted on the mounting surface, and a conductive layer provided so as to cover the mounting surface, a high-frequency module wherein the circuit board has a terminal electrode for antenna connection provided on the bottom surface, and a via hole for connecting the terminal electrode and the electronic component, the front Kishirubedenso The lower end portion of the terminal electrode is arranged at a predetermined distance from the terminal electrode so that the static electricity applied to the terminal electrode is discharged to the conductive layer .
このように構成された高周波モジュールは、導電層の下端部を端子電極と所定の間隔を隔てて対向させたので、新たにESD保護素子を用いることなく、導電層と端子電極とを利用してESD保護構造を容易に形成することができる。また、このESD保護構造を形成する際にアンテナ接続用のビアホールの構造を変更する必要がないので、ビアホールのインピーダンス特性の変化がなく、アンテナの電気性能に与える影響を抑制することができる。更に、端子電極から回路基板の側端部側にある導電層に放電することによって、放電時のノイズが電子回路の電気性能に与える影響を抑制することができる。その結果、構造が簡単で電気性能への影響が少ないESD保護構造を実現することができる。 In the high-frequency module configured in this way, the lower end of the conductive layer is opposed to the terminal electrode at a predetermined distance, so that the conductive layer and the terminal electrode are used without using a new ESD protection element. The ESD protection structure can be easily formed. Further, since it is not necessary to change the structure of the via hole for connecting the antenna when forming this ESD protection structure, the impedance characteristic of the via hole does not change, and the influence on the electrical performance of the antenna can be suppressed. Further, by discharging from the terminal electrode to the conductive layer on the side end side of the circuit board, it is possible to suppress the influence of noise at the time of discharging on the electrical performance of the electronic circuit. As a result, it is possible to realize an ESD protection structure having a simple structure and having little influence on the electrical performance.
また、上記の構成において、前記下端部の一部は、前記端子電極に向かって尖った形状となっている、という特徴を有する。 Further, in the above configuration, a part of the lower end portion has a feature that the shape is sharp toward the terminal electrode.
このように構成された高周波モジュールは、導電層の下端部の一部を尖った形状とすることによって、端子電極側の電荷を導電層の下端部の一部に集中して放電させることができるので、端子電極から導電層への放電をより確実に行わせることができる。 In the high frequency module configured in this way, by forming a part of the lower end portion of the conductive layer into a sharp shape, the electric charge on the terminal electrode side can be concentrated and discharged to a part of the lower end portion of the conductive layer. Therefore, the discharge from the terminal electrode to the conductive layer can be performed more reliably.
また、上記課題を解決するために本発明の高周波モジュールは、実装面、底面及び内層を有する回路基板と、前記実装面に実装された電子部品と、前記実装面を覆うように設けられた導電層と、を備えた高周波モジュールであって、前記回路基板は、前記底面に設けられたアンテナ接続用の端子電極と、前記電子部品と前記端子電極とを接続するビアホールと、前記内層に設けられた接地電極と、を有し、前記接地電極の一端は、前記導電層に接続され、前記接地電極の他端は、前記端子電極に印加される静電気が前記ビアホール及び前記接地電極を介して前記導電層に放電するように、前記ビアホールの外周部と所定の間隔を隔てて配置されている、という特徴を有する。 The high frequency module of the present invention in order to solve the above problems, real Somen, a circuit board having a bottom surface and an inner layer, an electronic component mounted on the mounting surface, provided so as to cover the mounting surface A high-frequency module including a conductive layer, wherein the circuit board is provided in a terminal electrode for connecting an antenna provided on the bottom surface, a via hole for connecting the electronic component and the terminal electrode, and an inner layer. was a ground electrode, one end of the ground electrode is connected to the conductive layer, the other end of the ground electrode, static electricity applied to the terminal electrode via the via hole and the ground electrode It is characterized in that it is arranged at a predetermined distance from the outer peripheral portion of the via hole so as to discharge to the conductive layer .
このように構成された高周波モジュールは、接地電極の他端をビアホールの外周部と所定の間隔を隔てて対向させたので、新たにESD保護素子を用いることなく、導電層に接続された接地電極とビアホールとを利用してESD保護構造を容易に形成することができる。また、このESD保護構造を形成する際にアンテナ接続用のビアホールに接地電極を直接接続しないので、ビアホールのインピーダンス特性の変化を小さくして、電気性能の低下を抑制することができる。更に、回路基板の側端部側にある導電層に接続された接地電極へビアホールを介して放電することによって、放電時のノイズが電子回路の電気性能に与える影響を抑制することができる。その結果、構造が簡単で電気性能への影響が少ないESD保護構造を実現することができる。 In the high-frequency module configured in this way, the other end of the ground electrode is opposed to the outer peripheral portion of the via hole at a predetermined distance, so that the ground electrode connected to the conductive layer without using a new ESD protection element. And via holes can be used to easily form an ESD protection structure. Further, since the ground electrode is not directly connected to the via hole for connecting the antenna when the ESD protection structure is formed, the change in the impedance characteristic of the via hole can be reduced and the deterioration of the electrical performance can be suppressed. Further, by discharging the ground electrode connected to the conductive layer on the side end side of the circuit board through the via hole, it is possible to suppress the influence of noise at the time of discharging on the electrical performance of the electronic circuit. As a result, it is possible to realize an ESD protection structure having a simple structure and having little influence on the electrical performance.
また、上記の構成において、前記回路基板には、前記内層が複数設けられており、前記接地電極は、複数の前記内層のうちの少なくとも2つの内層に形成されている、という特徴を有する。 Further, in the above configuration, the circuit board is provided with a plurality of the inner layers, and the ground electrode is formed in at least two inner layers of the plurality of inner layers.
このように構成された高周波モジュールは、接地電極を複数設けて放電箇所を増加させたことによって、ビアホールから導電層への放電をより確実に行わせることができることができる。 In the high frequency module configured in this way, by providing a plurality of ground electrodes and increasing the number of discharge points, it is possible to more reliably discharge from the via hole to the conductive layer.
また、上記の構成において、前記接地電極の他端の前記ビアホールと対向する部分は、前記ビアホールに向かって尖った形状となっている、という特徴を有する。 Further, in the above configuration, the portion of the other end of the ground electrode facing the via hole is characterized in that it has a sharp shape toward the via hole.
このように構成された高周波モジュールは、接地電極の他端を尖った形状とすることによって、端子電極側の電荷を、スルーホールを介して接地電極の他端に集中して放電させることができるので、端子電極から導電層への放電をより確実に行わせることができる。
また高周波モジュールが、前記電子部品を覆うように前記実装面側に設けられた封止樹脂層を更に備え、前記導電層は、前記封止樹脂層の表面を覆うように設けられている、ことが好ましい。
In the high frequency module configured in this way, by forming the other end of the ground electrode into a sharp shape, the electric charge on the terminal electrode side can be concentrated and discharged to the other end of the ground electrode through the through hole. Therefore, the discharge from the terminal electrode to the conductive layer can be performed more reliably.
Further, the high-frequency module further includes a sealing resin layer provided on the mounting surface side so as to cover the electronic component, and the conductive layer is provided so as to cover the surface of the sealing resin layer. Is preferable.
本発明の高周波モジュールは、新たにESD保護素子を用いることなくESD保護構造を容易に形成することができる。また、ビアホールのインピーダンス特性の変化を小さくして、アンテナの電気性能に与える影響を抑制することができる。更に、回路基板の側端部側に放電することによって、放電時のノイズが電子回路の電気性能に与える影響を抑制することができる。その結果、構造が簡単で電気性能への影響が少ないESD保護構造を実現することができる。 The high-frequency module of the present invention can easily form an ESD protection structure without using a new ESD protection element. In addition, the change in the impedance characteristic of the via hole can be reduced to suppress the influence on the electrical performance of the antenna. Further, by discharging to the side end side of the circuit board, it is possible to suppress the influence of noise at the time of discharging on the electrical performance of the electronic circuit. As a result, it is possible to realize an ESD protection structure having a simple structure and having little influence on the electrical performance.
以下、本発明の高周波モジュールについて図面を参照しながら説明する。本発明の高周波モジュールは、例えば、無線LAN(Local Area Network)やブルートゥース(登録商標)等に使用される高周波回路を有する小型の高周波モジュールであり、スマートフォン等の電子機器に搭載されて用いられる。本発明の高周波モジュールの用途については、以下説明する実施形態に限定されるものではなく適宜変更が可能である。尚、本明細書では、各図面に対する説明の中で便宜上、右側、左側、後側、前側、上側、下側と記載している場合があるが、これらは、それぞれ各図面内で+X側、−X側、+Y側、−Y側、+Z側、−Z側を示すものであり、製品の設置方向や使用時の方向をこれらに限定するものではない。 Hereinafter, the high frequency module of the present invention will be described with reference to the drawings. The high-frequency module of the present invention is a small high-frequency module having a high-frequency circuit used for, for example, a wireless LAN (Local Area Network) or Bluetooth (registered trademark), and is mounted on an electronic device such as a smartphone. The application of the high frequency module of the present invention is not limited to the embodiments described below, and can be appropriately changed. In this specification, for convenience, right side, left side, rear side, front side, upper side, and lower side may be described in the description for each drawing, but these are described as + X side in each drawing, respectively. It indicates the −X side, the + Y side, the −Y side, the + Z side, and the −Z side, and does not limit the installation direction and the usage direction of the product to these.
[第1実施形態]
最初に、図1乃至図4を参照して、本発明の第1実施形態に係る高周波モジュール100の構造について説明する。図1は、高周波モジュール100の外観を示す斜視図であり、図2は、高周波モジュール100の平面図であり、図3は、図2におけるA−A線から見た高周波モジュール100の断面図である。また、図4は、高周波モジュール100の側面図である。
[First Embodiment]
First, the structure of the
高周波モジュール100は、図1乃至図4に示すように、互いに対向する実装面30a及び底面30bを有する回路基板30と、実装面30aに実装された電子部品41と、電子部品41を覆うように実装面30a側に設けられた封止樹脂層10と、封止樹脂層10の表面を覆うように設けられた導電層20と、を備えている。高周波モジュール100では、電子部品41が複数設けられている。
As shown in FIGS. 1 to 4, the high-
高周波モジュール100における回路基板30は、図3に示すように、複数の内層30dを有しており、回路基板30の内層30d及び実装面30a上には、配線パターン37が形成されている。これら配線パターン37と複数の電子部品41とによって電子回路40が形成されている。また、回路基板30の内層30dには、電子部品41と配線パターン37との間等に複数のビアホール38が形成されている。尚、高周波モジュール100においては、内層30dが設けられているが、本発明においては、必ずしも内層30dが設けられていなくても良い。
As shown in FIG. 3, the
複数の電子部品41は、回路基板30上の電子部品41を覆うように実装面30aの側に設けられた絶縁性樹脂材11からなる封止用の封止樹脂層10によって樹脂封止されている。絶縁性樹脂材11は、エポキシ樹脂を主成分にシリカ充填材等を加えた熱硬化性成形材料であり、回路基板30上の電子部品41を熱や湿度などの環境から保護することを目的として用いられる。
The plurality of
複数の電子部品41は、図3に示すように、回路基板30の実装面30aに設けられている部品パッド35に実装される。部品パッド35は、上述した配線パターン37及びビアホール38に接続されている。
As shown in FIG. 3, the plurality of
回路基板30の最下層である底面30bには、図3に示すように、通常動作に必要な複数のランド電極36が設けられている。複数のランド電極36は、例えば、上述した電子回路40に電源を供給する電源端子や電子回路40の入力端子や出力端子、及びグランド端子として用いられる。高周波モジュール100では、これらのランド電極36のうち、電源端子や入力端子や出力端子は、底面30bの周辺に沿って設けられており、グランド端子は、底面30bの中央に設けられている。複数のランド電極36は、上述したビアホール38を介して配線パターン37に接続されている。
As shown in FIG. 3, a plurality of
回路基板30の底面30bに設けられた複数のランド電極36は、高周波モジュール100が搭載されるスマートフォン等の電子機器に半田等によって取り付けられ、電子回路40が、電子機器内の回路に電気的に接続される。
The plurality of
回路基板30の底面30bには、複数のランド電極36の1つでもあるアンテナ接続用の端子電極31が形成されている。端子電極31は、回路基板30の内部に設けられたビアホール38によって部品パッド35に接続され、電子部品41に直接接続されている。端子電極31は、回路基板30の側端部30cの近傍に設けられている。実際には、端子電極31は、回路基板30の底面30bにおける−X側の端部にまで形成されている。
On the
前述したように、高周波モジュール100では、上述した封止樹脂層10の表面を覆う導電ペースト材21からなる導電層20を備えている。
As described above, the
導電層20は、高周波回路である電子回路40を外部に対してシールドする目的で形成される。導電層20は、封止樹脂層10の表面を覆うと共に、回路基板30の側端部30cの少なくとも一部を覆うように形成されている。導電層20を構成する導電ペースト材21は、銀や銅等の導電性を有する材料から成ると共に、封止樹脂層10や回路基板30に対する強い密着性を有している。
The
導電層20は、上述した端子電極31の近傍において回路基板30の側端部30cの少なくとも一部を覆うと共に、導電層20の下端部20aは、図3及び図4に示すように、端子電極31と所定の間隔D1を隔てて対向している。
The
尚、高周波モジュール100においては、図4に示すように、端子電極31が設けられている側(−X側)の導電層20は、回路基板30の側端部30cにおいて、底面30bから間隔D1までの部分を除く全てに亘って形成されている。尚、導電層20の下端部20aの位置における端子電極31と対向する部分以外は、底面30bから間隔D1以上の距離を有していても良い。
In the
端子電極31は、前述したように、アンテナ接続用の端子であるため、電子回路40に入力及び又は電子回路40から出力される信号のためのアンテナ(図示せず)が接続される。通常、アンテナは外部に露出するように配置されるので、アンテナを介して端子電極31に静電気が印加され、電子部品41に静電気が侵入する可能性がある。
Since the
本発明の第1実施形態である高周波モジュール100では、端子電極31に印加される静電気を、上述した所定の間隔D1を介して、導電層20に逃がすように構成した。そのため、端子電極31に印加される静電気が、電子部品41に侵入することを防止することができる。
The high-
所定の間隔D1は、ESD規格における規定の電圧及び静電容量によって印加される静電気が端子電極31から導電層20に放電し易くなるように、また、端子電極31に接続されていると共に電子部品41が実装されている部品パッド35におけるインピーダンスが極端に変化しないように、その距離が設定される。
The predetermined interval D1 is connected to the
高周波モジュール100では、このように構成することによって、新たにESD保護素子を用いることなく、導電層20と端子電極31とを利用してESD保護構造を容易に形成することができる。また、このESD保護構造を形成する際にアンテナ接続用のビアホール38の構造を変更する必要がないので、ビアホール38のインピーダンス特性に変化がなく、アンテナの電気性能に与える影響を抑制することができる。更に、端子電極31から回路基板30の側端部30c側にある導電層20に放電することによって、放電時のノイズが電子回路40に与える影響を抑制することができる。
With this configuration, the high-
[第1実施形態の第1変形例の実施形態]
次に、図3及び図5を参照して、本発明の第1実施形態に係る高周波モジュールの第1変形例である高周波モジュール110の構造について説明する。図5は、高周波モジュール110の側面図である。尚、高周波モジュール110の断面図は、高周波モジュール100の断面図と同一であるので、高周波モジュール110の断面図として、図3を用いる。また、高周波モジュール110の高周波モジュール100との相違点は、高周波モジュール110における導電層23の下端部23aの形状が高周波モジュール100における導電層20の下端部20aの形状と異なるだけである。そのため、導電層23の下端部23aの形状に関係すること以外については、その説明を省略する。
[Embodiment of the first modification of the first embodiment]
Next, the structure of the
高周波モジュール110の導電層23の下端部23aの一部は、図3及び図5に示すように、端子電極31と所定の間隔D1を隔てて対向している。
As shown in FIGS. 3 and 5, a part of the
高周波モジュール110においては、図5に示すように、端子電極31が設けられている側(−X側)の導電層23の下端部23aの一部が、端子電極31に向かって尖った形状となっている。導電層23の下端部23aのうち、端子電極31と対向している尖った形状の先端部以外は、底面30bから間隔D1以上の距離を有している。
In the
このように導電層23の下端部23aの一部を、端子電極31に向かって尖った形状とすることによって、端子電極31側の電荷を導電層23の下端部23aの一部に集中して放電させることができるので、端子電極31から導電層23への放電をより確実に行わせることができる。
By forming a part of the
[第1実施形態の第2変形例の実施形態]
次に、図6を参照して、本発明の第1実施形態に係る高周波モジュールの第2変形例である高周波モジュール120の構造について説明する。図6は、高周波モジュール120の断面図である。また、高周波モジュール120の高周波モジュール100との相違点は、高周波モジュール120における端子電極32の形状及び導電層25の形状が高周波モジュール100の場合と異なるだけである。そのため、高周波モジュール120に対しては端子電極32及び導電層25の形状に関係すること以外については、その説明を省略する。
[Embodiment of the second modification of the first embodiment]
Next, with reference to FIG. 6, the structure of the
高周波モジュール120は、図6に示すように、高周波モジュール120が収納されるスマートフォン等の電子機器(図示せず)内のマザー基板90上に取り付けられる。尚、高周波モジュールがマザー基板90上に取り付けられることについては、前述した高周波モジュール100及び高周波モジュール110についても同様である。
As shown in FIG. 6, the high-
マザー基板90上には、高周波モジュール120を取り付けるための複数のマザー基板側電極91が形成されており、このマザー基板側電極91に、高周波モジュール120の端子電極32を含む複数のランド電極36が、半田等によって電気的及び機構的に接続される。
A plurality of mother
端子電極32は、回路基板30の側端部30cの近傍に設けられているが、端子電極32は、回路基板30の底面30bにおける−X側の端部にまでは形成されておらず、底面30bにおける−X側の端部から所定の距離だけ内側に形成されている。
The
導電層25の下端部25aは、図6に示すように、マザー基板90上の、端子電極32が取り付けられているマザー基板側電極91と所定の間隔D1を隔てて対向するように形成されている。
As shown in FIG. 6, the
このように、高周波モジュール120では、端子電極32に印加される静電気を、マザー基板90上の端子電極32と対向しているマザー基板側電極91及び所定の間隔D1を介して、導電層25に逃がすように構成した。そのため、端子電極32に印加される静電気が、電子部品41に侵入することを防止することができる。
As described above, in the
[第2実施形態]
次に、図1、図2、及び図7を参照して、本発明の第2実施形態に係る高周波モジュール200の構造について説明する。図7は、高周波モジュール200の拡大断面図である。尚、高周波モジュール200の斜視図及び平面図は、高周波モジュール100と同一であるので、高周波モジュール200の斜視図及び平面図として、図1及び図2を用いる。また、高周波モジュール200の高周波モジュール100との相違点は、高周波モジュール200における内層30dの構造が高周波モジュール100における内層30dの構造と異なるだけである。そのため、内層30dの構造に関係すること以外については、その説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, the structure of the
高周波モジュール200は、図1、図2、及び図7に示すように、互いに対向する実装面30a及び底面30b及び内層30dを有する回路基板30と、実装面30aに実装された電子部品41と、電子部品41を覆うように実装面30a側に設けられた封止樹脂層10と、封止樹脂層10の表面を覆うように設けられた導電層20と、底面30bに設けられたアンテナ接続用の端子電極32と、電子部品41と端子電極32とを接続するように回路基板30の内部に設けられたビアホール38と、を備えている。
As shown in FIGS. 1, 2, and 7, the high-
ビアホール38は、図7に示すように、回路基板30の側端部30cの近傍に設けられており、導電層20は、ビアホール38の近傍において側端部30cの少なくとも一部を覆っている。
As shown in FIG. 7, the via
高周波モジュール200における回路基板30には、複数の内層30dが設けられている。複数の内層30dそれぞれには、回路基板30の側端部30cからビアホール38に向かって延びる接地電極33が設けられていて、接地電極33の一端が導電層20に接続されると共に、接地電極33の他端がビアホール38の外周部と所定の間隔D1を隔てて対向している。尚、上述した導電層20の下端部20aは、少なくとも回路基板30内で最も下方の接地電極33が設けられている内層30dの位置に達していれば良い。
The
上述した所定の間隔D1は、ESD規格における規定の電圧及び静電容量によって印加される静電気がビアホール38から接地電極33に放電し易くなるように、また、電子部品41が実装されている部品パッド35におけるインピーダンスが極端に変化しないように、その距離が設定される。
The predetermined interval D1 described above is a component pad on which the
接地電極33は、複数の内層30dのうちの少なくとも2つの内層30dに形成されている。ESDの強さによっても放電する場所が違うことがあるので、このように接地電極33を複数設けて放電箇所を増加させたことによって、ビアホール38から導電層20への放電をより確実に行わせることができることができる。
The
尚、高周波モジュール200では、接地電極33の他端のビアホール38と対向する部分は、当該ビアホール38に向かって尖った形状となっていることが望ましい。接地電極33の他端のビアホール38と対向する部分をビアホール38に向かって尖った形状とすることによって、端子電極32側の電荷を、スルーホール38を介して接地電極33の他端に集中して放電させることができるので、端子電極32から導電層20への放電をより確実に行わせることができる。
In the
以下、本実施形態としたことによる効果について説明する。 Hereinafter, the effect of the present embodiment will be described.
高周波モジュール100は、導電層20の下端部20aを端子電極31と所定の間隔D1を隔てて対向させたので、新たにESD保護素子を用いることなく、導電層20と端子電極31とを利用してESD保護構造を容易に形成することができる。また、このESD保護構造を形成する際にアンテナ接続用のビアホール38の構造を変更する必要がないので、ビアホール38のインピーダンス特性に変化がなく、アンテナの電気性能に与える影響を抑制することができる。更に、端子電極31から回路基板30の側端部30c側にある導電層20に放電することによって、放電時のノイズが電子回路40に与える影響を抑制することができる。その結果、構造が簡単で電気性能への影響が少ないESD保護構造を実現することができる。
In the
また、高周波モジュール110は、導電層23の下端部23aの一部を尖った形状とすることによって、端子電極31側の電荷を導電層23の下端部23aの一部に集中して放電させることができるので、端子電極31から導電層23への放電をより確実に行わせることができる。
Further, the
また、高周波モジュール200は、接地電極33の他端をビアホール38の外周部と所定の間隔D1を隔てて対向させたので、新たにESD保護素子を用いることなく、導電層20に接続された接地電極33とビアホール38とを利用してESD保護構造を容易に形成することができる。また、このESD保護構造を形成する際にアンテナ接続用のビアホール38に接地電極33を直接接続しないので、ビアホール38のインピーダンス特性の変化を小さくして、電気性能の低下を抑制することができる。更に、回路基板30の側端部30c側にある導電層20に接続された接地電極33へビアホール38を介して放電することによって、放電時のノイズが電子回路40に与える影響を抑制することができる。その結果、構造が簡単で電気性能への影響が少ないESD保護構造を実現することができる。
Further, in the
また、接地電極33を複数設けて放電箇所を増加させたことによって、ビアホール38から導電層20への放電をより確実に行わせることができる。
Further, by providing a plurality of
また、接地電極33の他端を尖った形状とすることによって、端子電極32側の電荷を、スルーホール38を介して接地電極33の他端に集中して放電させることができるので、端子電極32から導電層20への放電をより確実に行わせることができる。
Further, by forming the other end of the
以上説明したように、本発明の高周波モジュールは、新たにESD保護素子を用いることなくESD保護構造を容易に形成することができる。また、ビアホールのインピーダンス特性の変化を小さくして、アンテナの電気性能に与える影響を抑制することができる。更に、回路基板の側端部側に放電することによって、放電時のノイズが電子回路の電気性能に与える影響を抑制することができる。その結果、構造が簡単で電気性能への影響が少ないESD保護構造を実現することができる。 As described above, the high-frequency module of the present invention can easily form an ESD protection structure without using a new ESD protection element. In addition, the change in the impedance characteristic of the via hole can be reduced to suppress the influence on the electrical performance of the antenna. Further, by discharging to the side end side of the circuit board, it is possible to suppress the influence of noise at the time of discharging on the electrical performance of the electronic circuit. As a result, it is possible to realize an ESD protection structure having a simple structure and having little influence on the electrical performance.
本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施することが可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist.
10 封止樹脂層
11 絶縁性樹脂材
20 導電層
20a 下端部
21 導電ペースト材
23 導電層
23a 下端部
25 導電層
25a 下端部
30 回路基板
30a 実装面
30b 底面
30c 側端部
30d 内層
31 端子電極
32 端子電極
33 接地電極
35 部品パッド
36 ランド電極
37 配線パターン
38 ビアホール
40 電子回路
41 電子部品
90 マザー基板
91 マザー基板側電極
100 高周波モジュール
110 高周波モジュール
120 高周波モジュール
200 高周波モジュール
D1 間隔
10
Claims (6)
前記実装面に実装された電子部品と、
前記実装面を覆うように設けられた導電層と、を備えた高周波モジュールであって、
前記回路基板は、
前記底面に設けられたアンテナ接続用の端子電極と、
前記電子部品と前記端子電極とを接続するビアホールと、を有し、
前記導電層の下端部は、前記端子電極に印加される静電気が前記導電層に放電するように、前記端子電極と所定の間隔を隔てて配置されている、
ことを特徴とする高周波モジュール。 A circuit board having a real Somen and bottom,
An electronic component mounted before Symbol mounting surface,
A high-frequency module including a conductive layer provided so as to cover the mounting surface .
The circuit board
The terminal electrode for connecting the antenna provided on the bottom surface and
It has a via hole for connecting the electronic component and the terminal electrode.
The lower end of the front Kishirube conductive layer, static electricity applied to the terminal electrode so that discharge to the conductive layer, are arranged at the terminal electrode by a predetermined interval,
A high frequency module characterized by that.
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。 A part of the lower end portion has a sharp shape toward the terminal electrode.
The high frequency module according to claim 1.
前記実装面に実装された電子部品と、
前記実装面を覆うように設けられた導電層と、を備えた高周波モジュールであって、
前記回路基板は、
前記底面に設けられたアンテナ接続用の端子電極と、
前記電子部品と前記端子電極とを接続するビアホールと、
前記内層に設けられた接地電極と、を有し、
前記接地電極の一端は、前記導電層に接続され、
前記接地電極の他端は、前記端子電極に印加される静電気が前記ビアホール及び前記接地電極を介して前記導電層に放電するように、前記ビアホールの外周部と所定の間隔を隔てて配置されている、
ことを特徴とする高周波モジュール。 A circuit board having a real Somen, bottom and inner layer,
An electronic component mounted before Symbol mounting surface,
A high-frequency module including a conductive layer provided so as to cover the mounting surface .
The circuit board
The terminal electrode for connecting the antenna provided on the bottom surface and
A via hole connecting the electronic component and the terminal electrode,
It has a ground electrode provided on the inner layer and
One end of the ground electrode is connected to the conductive layer ,
The other end of the ground electrode is arranged at a predetermined distance from the outer peripheral portion of the via hole so that the static electricity applied to the terminal electrode is discharged to the conductive layer via the via hole and the ground electrode. Yes,
A high frequency module characterized by that.
前記接地電極は、複数の前記内層のうちの少なくとも2つの内層に形成されている、
ことを特徴とする請求項3に記載の高周波モジュール。 The circuit board is provided with a plurality of the inner layers.
The ground electrode is formed in at least two inner layers of the plurality of inner layers.
The high frequency module according to claim 3.
ことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の高周波モジュール。 The portion of the other end of the ground electrode facing the via hole has a sharp shape toward the via hole.
The high frequency module according to claim 3 or 4 .
前記導電層は、前記封止樹脂層の表面を覆うように設けられている、 The conductive layer is provided so as to cover the surface of the sealing resin layer.
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の高周波モジュール。 The high frequency module according to any one of claims 1 to 5.
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